Переключательный мощный высоковольтный n-p-n транзистор 2Т845А/ИМ
Срок доставки:
5 — 15 дней
Цена:
По запросу
Кремниевый планарный переключательный мощный n-р-n транзистор «2Т845А/ИМ» в металлостеклянном корпусе предназначен для использования в схемах вторичных источников электропитания, высоковольтных ключевых схемах, а также других узлах и блоках аппаратуры специального назначения. Диапазон рабочих температур окружающей среды от — 60 до 125 С.
Особенности
- Категория качества ВП.
- Напряжение коллектор-эмиттер 400 В.
- Ток коллектора 5 А.
- Мощность коллектора 50 Вт.
- Коэффициент передачи тока 15 …100
Обозначение технических условий — АЕЯР.432140.255 ТУ. Корпусное исполнение — металлостеклянный корпус КТ-9 (ТО-3).
Требования надежности
Минимальная наработка транзистора Тн.
м. в режимах и условиях, допускаемых ТУ, должна быть не менее 25 000 ч, а в облегченных режимах (РК max = 0,7 РК max; Ткор = 100 С, Тпер = 125 С) – 50 000 ч. Гамма — процентный срок сохраняемости Тс транзистора при = 99,5 % при хранении в упаковке изготовителя в условиях отапливаемых хранилищ, хранилищ с кондиционированием воздуха по ГОСТ В 9.003, а также вмонтированных в защищенную аппаратуру или находящихся в защищенном комплекте ЗИП во всех местах хранения, должен быть не менее 25 лет. Значения Тс в условиях, отличных от указанных в зависимости от мест хранения, приведены в таблице 2 ГОСТ В 28146.
Конструктивные требования
- Масса транзистора не более 20 г.
- Показатель герметичности транзистора не более 5 ·10-4 л·мкм рт.ст/с.
- Значение растягивающей силы, направленной вдоль оси вывода, не более 20 (2,00) Н (кгс).
- Минимальное расстояние от корпуса до места пайки выводов 5 мм.
Условия эксплуатации
Расстояние от корпуса до места лужения и пайки (по длине вывода) не менее 5 мм.
При распайке температура корпуса не должна превышать 125 С. За температуру корпуса принимается температура любой точки основания транзистора диаметром не более 19 мм со стороны опорной плоскости. Допускаются другие режимы и условия пайки при обеспечении сохранения целостности конструкции и надежности транзистора, что должно подтверждаться проведением ресурсных испытаний на предприятии-потребителе. Не допускается прикладывать к выводам вращающих и изгибающих усилий. Транзистор необходимо применять с теплоотводом. Крепление транзистора к теплоотводу должно обеспечивать надежный тепловой контакт. Не рекомендуется эксплуатация транзистора при рабочих токах, соизмеримых с неуправляемыми обратными токами во всем диапазоне температур. При конструировании схем следует учитывать возможность самовозбуждения за счет паразитных связей.
| Наименование | Буквенное обозначение | Норма параметра | |
| Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер, В (RБЭ = 10 Ом) | UКЭR mах | 400 | |
| Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер, В (RБЭ = 10 Ом) | UКЭR, и mах | 400 | |
| Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база, В | UЭБ mах | 4 | |
| Максимально допустимый постоянный ток коллектора, А | IК mах | 5 | |
| Максимально допустимый импульсный ток коллектора, А | IK,и max | 7,5 | |
| Максимально допустимый постоянный ток базы, А | IБ max | 1,5 | |
| Максимально допустимый импульсный ток базы, А | IБ,и max | 4 | |
| Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора1), Вт (при температуре корпуса не более 50 С) | РК mах | 50 | |
| Максимально допустимая температура перехода, °С | Тпер mах | 150 | |
| Тепловое сопротивление переход-корпус, °С/Вт | R пер-кор | 2 | |
1) При температуре корпуса более 50 °С постоянная рассеиваемая мощность коллектора определяется по формуле: РКMАХ= (ТПЕР MAX ТКОР)/R ПЕР-КОР. | |||
Кремниевый биполярный составной n-p-n транзистор 2ТД543А9
Кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный составной n-р-n транзистор Дарлингтона «2ТД543А9» предназначен для использования в специализированных усилителях с большим коэффициентом усиления, электронных коммутационных устройствах, преобразовательной аппаратуре специального назначения.
Корпусное исполнение
- металлокерамический корпус КТ-99-1 ГОСТ 18472 для поверхностного монтажа
- масса транзистора не более 1,0 г.
Диапазон рабочих температур окружающей среды от — 60 до + 125 С. Обозначение технических условий: AEЯP.432150.538 ТУ.
Работоспособность транзистора
Во время и непосредственно после воздействия специальных факторов 7.И с характеристикой 7.И6 допускается временная потеря работоспособности. По истечении 2 мс от начала воздействия работоспособность транзистора должна восстанавливаться. Критерием работоспособности транзистора является значение обратного тока коллектор-эмиттер IКЭК.
Указания по эксплуатации
Указания по применению и эксплуатации – по ГОСТ В 28146, ОСТ 11 336.907.0 и РД 11 336.907.8 с дополнениями и уточнениями, приведенными в настоящем разделе. Основное назначение транзистора – использование в усилителях, коммутационных устройствах, преобразовательной и другой аппаратуре специального назначения. Применение транзистора в функциональных схемах, режимах и условиях, отличных от требований ТУ, должно быть согласовано в соответствии с ГОСТ 2.124, ОСТ 11 336.907.0, РД 11 336.907.8. В диапазоне частот от 40 до 20 000 Гц резонансные частоты не обнаружены. 95-процентный ресурс транзистора Т в режимах и условиях, допускаемых ТУ – 50 000 ч.
Транзистор 2ТД543А9 пригоден для монтажа в аппаратуре методом групповой пайки оплавлением паяльных паст и паяльником. Температура пайки не выше 265 С. Время пайки не более 4 с. Время лужения – 2 с. Перепайка выводов транзистора не допускается. Допускаются другие режимы и условия пайки при обеспечении сохранения целостности конструкции и надежности транзистора, что должно подтверждаться проведением ресурсных испытаний потребителем.
Допускается применение транзистора, изготовленного в обычном климатическом исполнении, в аппаратуре, предназначенной для эксплуатации во всех климатических условиях, при покрытии транзистора непосредственно в аппаратуре лаком (в три слоя) марки УР-231 ТУ 6-21-14 или ЭП-730 ГОСТ 20824 с последующей сушкой каждого слоя. Транзистор после снятия с эксплуатации подлежит утилизации без применения специальных методов.
| Наименование | Буквенное обозначение | Норма | Температура среды, корпуса, С | |
| не менее | не более | |||
| Статический коэффициент передачи тока* (UКЭ = 10 В, IК = 500 мА, tи 2 мс, Q 50) | h31Э | 1000 1000 400 | — — — | 25±10 125±5 –60±3 |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В (IК = 1 000 мА, IБ = 4,0 мА, tи 2 мс, Q 50) | UКЭ нас | — — — | 2,4 2,4 2,4 | 25±10 125±5 –60±3 |
| Обратный ток эмиттера, мА (UЭБ = 5 В, IК = 0) | — — | 1,0 1,0 | 25±10 –60±3 | |
| Обратный ток коллектор-эмиттер, мА (UКЭ = 80 В, UЭБ = 0) | — — | 1,0 1,0 | 25±10 –60±3 | |
| Примечание: * При измерении в схеме с общей базой: UКБ = 8 В, IЭ = 500 мА | ||||
Теория транзисторов — биполярные транзисторы
БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
Вы должны вспомнить из более раннего обсуждения, что PN-переход с прямым смещением сравним с элементом цепи с низким сопротивлением, потому что он пропускает большой ток при заданном напряжении.
В свою очередь, PN-переход с обратным смещением сравним с высокоомным элементом цепи. Используя формулу закона Ома для мощности (P = I
Работа транзистора NPN
Как и в случае диода с PN-переходом, материал N, из которого состоят две концевые секции транзистора N P N , содержит некоторое количество свободных электронов, в то время как центральная секция P содержит избыточное количество дырок.
Действие на каждом соединении между этими секциями такое же, как действие, описанное ранее для диода; то есть развиваются области истощения и появляется соединительный барьер. Чтобы использовать транзистор в качестве усилителя, каждый из этих переходов должен быть модифицирован некоторым внешним напряжением смещения. Чтобы транзистор работал в этом качестве, первый PN-переход (переход эмиттер-база) смещен в прямом или низкоомном направлении. В то же время второй PN-переход (переход база-коллектор) смещен в обратном, или высокоомном, направлении. Простой способ запомнить, как правильно смещать транзистор, — это наблюдать за элементами NPN или PNP, из которых состоит транзистор. Буквы этих элементов указывают, напряжение какой полярности использовать для правильного смещения. Например, обратите внимание на транзистор NPN ниже:
1. Эмиттер, который является первой буквой в последовательности N PN, подключается к отрицательной стороне батареи n , а база, которая является второй буквой (N P N), подключается к положительная сторона p .
2. Однако, поскольку второй PN-переход должен быть смещен в обратном направлении для правильной работы транзистора, коллектор должен быть подключен к напряжению полярности, противоположной ( p положительной), чем та, которая указана его буквенным обозначением (NP 9).0011 N ). Напряжение на коллекторе также должно быть больше положительного, чем на базе, как показано ниже:
Теперь у нас есть правильно смещенный NPN-транзистор.
Таким образом, база транзистора N P N должна быть положительной на p по отношению к эмиттеру, а коллектор должен быть более положительным, чем база.
Соединение прямого смещения NPN
Важным моментом, на который следует обратить внимание, который не обязательно упоминался при объяснении диода, является тот факт, что материал N на одной стороне перехода с прямым смещением более сильно легирован, чем материал P. Это приводит к большему току, переносимому через соединение электронами большинства носителей из N-материала, чем дырками большинства носителей из P-материала.
Следовательно, проводимость через прямосмещенный переход, как показано на рисунке ниже, в основном составляет основные электроны носителей из материала N (эмиттер).
Когда переход эмиттер-база на рисунке смещен в прямом направлении, электроны покидают отрицательную клемму батареи и входят в материал N (эмиттер). Поскольку электроны являются основными носителями тока в материале N, они легко проходят через эмиттер, пересекают переход и объединяются с дырками в материале P (базе). На каждый электрон, заполняющий дырку в P-материале, другой электрон покидает P-материал (создавая новую дырку) и входит в положительный полюс батареи.
Соединение обратного смещения NPN
Второй PN-переход (база-коллектор), или, как его еще называют, переход с обратным смещением (рисунок ниже), блокирует большинство носителей тока от пересечения перехода. Однако через это соединение проходит очень небольшой ток, о котором упоминалось ранее. Этот ток называется ток меньшинства или обратный ток .
Как вы помните, этот ток создавался электронно-дырочными парами. Неосновными носителями для PN-перехода с обратным смещением являются электронов в материале P и дырок в материале N. Эти неосновные носители фактически проводят ток для перехода с обратным смещением, когда электроны из материала P входят в материал N, а дырки из материала N входят в материал P. Однако электроны неосновного тока (как вы увидите позже) играют наиболее важную роль в работе NPN-транзистора.
В этот момент вы можете задаться вопросом, почему второй PN-переход (база-коллектор) не смещен в прямом направлении, как первый PN-переход (эмиттер-база). Если бы оба перехода были смещены в прямом направлении, электроны имели бы тенденцию течь из каждой концевой части N P N Транзистор (эмиттер и коллектор) к центральной секции P (база). По сути, у нас было бы два переходных диода с общей базой, что устраняло бы любое усиление и нарушало бы назначение транзистора. Слово предостережения в порядке в это время.
Если вы по ошибке сместите второй PN-переход в прямом направлении, чрезмерный ток может выделить достаточно тепла, чтобы разрушить переходы, что сделает транзистор бесполезным. Поэтому перед выполнением каких-либо электрических подключений убедитесь, что полярность напряжения смещения верна.
Взаимодействие соединения NPN
Теперь мы готовы посмотреть, что произойдет, если мы задействуем два перехода NPN-транзистора одновременно. Для лучшего понимания того, как эти два соединения работают вместе, обратитесь к рисунку ниже во время обсуждения.
Батареи смещения на этом рисунке обозначены как Vcc для источника напряжения коллектора и Vbb для источника напряжения базы. Также обратите внимание, что базовая батарея питания довольно мала, на что указывает количество ячеек в батарее, обычно 1 вольт или меньше. Однако питание коллектора обычно намного выше, чем питание базы, обычно около 6 вольт. Как вы увидите позже, эта разница в напряжениях питания необходима для того, чтобы ток протекал от эмиттера к коллектору.
Как указывалось ранее, ток во внешней цепи всегда обусловлен движением свободных электронов. Поэтому электроны текут от отрицательных клемм батарей питания к эмиттеру N-типа. Это комбинированное движение электронов известно как эмиттерный ток (Ie). Поскольку электроны являются основными переносчиками в N-материале, они будут двигаться через эмиттер N-материала к переходу эмиттер-база. Когда этот переход смещен вперед, электроны продолжают двигаться в базовую область. Когда электроны находятся в базе, которая представляет собой материал Р-типа, теперь они становятся малыми носителями . Часть электронов, перемещающихся в базу, рекомбинирует с имеющимися дырками. Для каждого электрона, который рекомбинирует, другой электрон перемещается через вывод базы в виде тока базы Ib (создавая новую дырку для возможной комбинации) и возвращается к батарее питания базы Vbb. Электроны, которые рекомбинируют, теряются для коллектора. Поэтому, чтобы сделать транзистор более эффективным, базовая область сделана очень тонкой и слегка легированной.
Это снижает вероятность того, что электрон рекомбинирует с дыркой и будет потерян. Таким образом, большая часть электронов, движущихся в область базы, попадает под влияние большого обратного смещения коллектора. Это смещение действует как прямое смещение для неосновных носителей (электронов) в базе и, как таковое, ускоряет их через переход база-коллектор в область коллектора. Поскольку коллектор изготовлен из материала N-типа, электроны, достигающие коллектора снова стали основными носителями тока . Оказавшись в коллекторе, электроны легко проходят через материал N и возвращаются к положительной клемме батареи питания коллектора Vcc в виде тока коллектора (Ic).
Чтобы еще больше повысить эффективность транзистора, коллектор сделан физически больше базы по двум причинам: (1) чтобы увеличить вероятность сбора носителей, которые диффундируют в сторону, а также непосредственно через область базы, и (2) ), чтобы коллектор мог обрабатывать больше тепла без повреждений.
Таким образом, полный ток в транзисторе NPN протекает через вывод эмиттера. Следовательно, в процентном отношении т.е. составляет 100 процентов. С другой стороны, поскольку база очень тонкая и слаболегированная, то в цепи базы будет протекать меньший процент от общего тока (тока эмиттера), чем в цепи коллектора. Обычно не более 2–5 % общего тока составляет ток базы (Ib), а остальные 95–98 % — ток коллектора (Ic). Между этими двумя течениями существует очень простая связь:
То есть = Ib + Ic
Проще говоря, это означает, что ток эмиттера разделяется на ток базы и ток коллектора. Поскольку количество тока, выходящего из эмиттера, является исключительно функцией смещения эмиттер-база, и поскольку коллектор получает большую часть этого тока, то небольшое изменение смещения эмиттер-база окажет гораздо большее влияние на величину тока коллектора. чем он будет иметь на базовом токе. В заключение, относительно небольшое смещение эмиттер-база контролирует относительно большой ток эмиттер-коллектор.
Работа транзистора PNP
Транзистор PNP работает по существу так же, как транзистор NPN. Однако, поскольку эмиттер, база и коллектор в PNP-транзисторе изготовлены из материалов, отличных от материалов, используемых в NPN-транзисторе, в блоке PNP протекают разные носители тока. Основными носителями тока в PNP-транзисторе являются дырки. Это отличается от NPN-транзистора, где основными носителями тока являются электроны. Чтобы поддерживать этот другой тип тока (дырочный поток), батареи смещения для PNP-транзистора перевернуты. Типичная установка смещения для транзистора PNP показана на рисунке ниже. Обратите внимание, что процедура, использованная ранее для надлежащего смещения NPN-транзистора, также применима и здесь к PNP-транзистору. Первая буква (П) в 9Последовательность 0011 P NP указывает на полярность напряжения, необходимого для эмиттера ( p положительная), а вторая буква (N) указывает на полярность базового напряжения ( n отрицательная). Поскольку переход база-коллектор всегда смещен в обратном направлении, то для коллектора необходимо использовать напряжение противоположной полярности ( минус ).
Таким образом, база транзистора P N P должна быть n отрицательной по отношению к эмиттеру, а коллектор — более отрицательной, чем база. Помните, что, как и в случае NPN-транзистора, эта разница в напряжении питания необходима для протекания тока (дырочного тока в случае PNP-транзистора) от эмиттера к коллектору. Хотя поток дырок является преобладающим типом тока в PNP-транзисторе, поток дырок имеет место только внутри самого транзистора, тогда как электроны текут во внешней цепи. Однако именно внутренний поток дырок приводит к потоку электронов во внешних проводах, подключенных к транзистору.
Соединение прямого смещения PNP
Теперь давайте рассмотрим, что происходит, когда переход эмиттер-база на рисунке ниже смещен в прямом направлении. При показанной настройке смещения положительный вывод батареи отталкивает дырки эмиттера к базе, а отрицательный вывод отталкивает электроны базы к эмиттеру. Когда эмиттерная дырка и базовый электрон встречаются, они объединяются.
На каждый электрон, который соединяется с дыркой, другой электрон покидает отрицательную клемму батареи и входит в базу. В то же время электрон покидает эмиттер, создавая новую дырку, и входит в положительный полюс батареи. Это движение электронов в базу и из эмиттера составляет базовый ток (Ib), а путь, по которому эти электроны идут, называется цепью эмиттер-база.
Соединение обратного смещения PNP
В переходе с обратным смещением (рисунок ниже) отрицательное напряжение на коллекторе и положительное напряжение на базе блокируют основных носителей тока от пересечения перехода. Однако это же отрицательное напряжение коллектора действует как прямое смещение для неосновных токовых отверстий в базе, которые пересекают переход и входят в коллектор. неосновных электронов тока в коллекторе также воспринимают прямое смещение — положительное базовое напряжение — и перемещаются в базу. Отверстия в коллекторе заполняются электронами, поступающими с отрицательного полюса батареи.
В то же время электроны покидают отрицательную клемму батареи, другие электроны в базе разрывают свои ковалентные связи и входят в положительную клемму батареи. Хотя в переходе с обратным смещением протекает только неосновной ток, он все же очень мал из-за ограниченного числа неосновных носителей тока.
Взаимодействие соединения PNP
Взаимодействие между переходами прямого и обратного смещения в PNP-транзисторе очень похоже на взаимодействие в NPN-транзисторе, за исключением того, что в PNP-транзисторе основными носителями тока являются дырки. В транзисторе PNP, показанном на рисунке ниже, положительное напряжение на эмиттере отталкивает дырки к базе. Оказавшись в базе, дырки объединяются с базовыми электронами. Но опять же, помните, что базовая область сделана очень тонкой, чтобы предотвратить рекомбинацию дырок с электронами. Следовательно, значительно больше 90 процентов отверстий, которые входят в базу, притягиваются к большому отрицательному напряжению коллектора и проходят прямо через базу.
Однако для каждого электрона и дырки, которые объединяются в базовой области, другой электрон покидает отрицательную клемму базовой батареи (Vbb) и входит в базу как базовый ток (Ib). В то же время электрон покидает отрицательную клемму батареи, другой электрон покидает эмиттер как Ie (создавая новую дырку) и входит в положительную клемму Vbb. Между тем, в цепи коллектора электроны из коллекторной батареи (Vcc) входят в коллектор как Ic и объединяются с избыточными дырками из базы. На каждую дырку, нейтрализованную в коллекторе электроном, другой электрон покидает эмиттер и начинает свой путь обратно к положительному выводу Vcc.
Хотя ток во внешней цепи PNP-транзистора противоположен по направлению току NPN-транзистора, основные носители всегда текут от эмиттера к коллектору. Этот поток основных носителей также приводит к образованию двух отдельных токовых петель в каждом транзисторе. Один контур представляет собой путь тока базы, а другой контур — путь тока коллектора. Сумма токов в обеих этих петлях (Ib + Ic) дает общий ток транзистора (Ie).
Самое важное, что нужно помнить о двух разных типах транзисторов, это то, что напряжение эмиттер-база PNP-транзистора оказывает такое же управляющее влияние на ток коллектора, как и у NPN-транзистора. Проще говоря, увеличение напряжения прямого смещения транзистора уменьшает барьер перехода эмиттер-база. Это действие позволяет большему количеству носителей достичь коллектора, вызывая увеличение тока, протекающего от эмиттера к коллектору и через внешнюю цепь. И наоборот, уменьшение напряжения прямого смещения уменьшает ток коллектора.
Все о транзисторах NPN| MAD PCB Производство, сборка и проектирование
Что такое транзистор NPN?
Транзисторы NPN представляют собой тип биполярного транзистора с тремя слоями, которые используются для усиления сигнала. Это устройство, которое управляется током. Транзистор отрицательный-положительный-отрицательный обозначается аббревиатурой NPN. В этой конфигурации полупроводник p-типа сплавлен между двумя полупроводниковыми материалами n-типа.
Он разделен на три части: эмиттерную, базовую и коллекторную. В транзисторе NPN поток электронов заставляет его проводить ток. Также см. PNP-транзистор.
Символ NPN
На следующей диаграмме показано символическое представление транзистора NPN.
Транзистор NPN Обозначение
Направление тока, протекающего через устройство, четко показано направленной наружу стрелкой на выводе эмиттера на символическом изображении. Электроны составляют большинство носителей в транзисторах NPN.
Конструкция NPN-транзистора
NPN-транзистор изготавливается двумя способами. Транзисторы NPN образуются, когда полупроводниковый материал p-типа (кремний или германий) сплавляется между двумя полупроводниковыми материалами n-типа, как мы уже знаем. Конструктивная структура NPN-транзистора показана на схеме ниже:
Конструкция NPN-транзистора
NPN-транзистор состоит из нескольких различных компонентов.
Он разделен на три части: эмиттерную, базовую и коллекторную.
Соединение эмиттер-база — это область, соединяющая эмиттер и базовую область. Соединение коллектор-база, с другой стороны, является точкой, где встречаются области базы и коллектора. Он функционирует как два диода PN-перехода из-за наличия двух переходов между тремя областями.
Уровни легирования в каждом из трех регионов разные. Эмиттерная область имеет много легирования, в то время как базовая область также имеет много легирования. А уровень легирования коллекторной области умеренный, находится где-то между эмиттерной и базовой областью. Его обратным является PNP-транзистор, в котором P-область зажата между двумя областями N-типа.
Стоит отметить, что области эмиттера и коллектора нельзя поменять местами. Это связано с тем, что толщина области коллектора немного больше толщины области эмиттера. Так что больше энергии может быть рассеяно.
Работа NPN-транзисторов
Когда на транзистор не подается смещение или между его выводами не подключена батарея.
Тогда это называется несмещенным состоянием транзистора. Мы уже говорили о том, как работает диод с PN-переходом при отсутствии смещения. Как мы уже знаем, транзистор состоит из двух PN-переходов.
В результате в условиях отсутствия смещения электроны в эмиттерной области начинают двигаться в сторону базовой области из-за колебаний температуры. Однако по прошествии определенного времени на переходе эмиттер-база транзистора образуется область обеднения. Только около 5% электронов объединяются с дырками в этой области после достижения области базы, а остальные дрейфуют через область коллектора. Точно так же через некоторое время на переходе база-коллектор транзистора образуется область обеднения.
Стоит отметить, что толщина или тонкость обедненной области определяется концентрацией легирования материала. Иными словами, в случае слаболегированной области ширина обедненной области будет больше, чем в случае сильнолегированной области. Поэтому ширина обеднения на переходе коллектор-база больше, чем на переходе эмиттер-база.
Эти две области истощения служат потенциальным камнем преткновения для любого дальнейшего потока большинства носителей.
На следующей диаграмме показано состояние смещения NPN-транзистора:
Работа NPN-транзистора
Ширина обедненной области, также называемой PN-переходом, сужается в результате прямого приложенного напряжения на эмиттер-база. узел. Точно так же ширина перехода коллектор-база увеличивается за счет обратного приложенного напряжения. Вот почему по сравнению с переходом коллектор-база на предыдущем рисунке переход эмиттер-база имеет тонкую область обеднения.
Электроны начинают инжектироваться в область эмиттера в результате прямого приложенного напряжения VBE. Электроны в этой области обладают достаточной энергией, чтобы преодолеть барьерный потенциал перехода эмиттер-база и достичь области базы.
Движение носителей заряда в NPN-транзисторе показано на диаграмме ниже:
Движение носителей заряда в NPN-транзисторе
Поскольку базовая область очень тонкая и слегка легированная.
В результате только несколько электронов объединяются с дырками, как только они достигают места назначения. Из-за сильного электростатического поля электроны начинают дрейфовать в области коллектора из-за очень тонкой области базы и обратного напряжения на переходе коллектор-база. В результате эти электроны теперь собираются на выводе коллектора транзистора. Электроны начинают двигаться к коллектору по мере того, как рекомбинирующие дырки и электроны отделяются друг от друга. В результате этого движения через устройство также протекает очень небольшой базовый ток. Поэтому ток эмиттера равен сумме токов базы и коллектора. IE = IB + IC
Приложения
- Высокочастотные приложения используют их.
- В коммутационных устройствах чаще всего используются NPN-транзисторы.
- Этот компонент используется в усилительных цепях.
- Для усиления слабых сигналов используется в парных цепях Дарлингтона.
Транзисторы - NPN используются в приложениях, где требуется сток тока.
- Этот компонент используется в некоторых классических схемах усилителей, таких как схемы двухтактных усилителей.
- В датчиках температуры, например.
- Приложения с чрезвычайно высокой частотой.
- Эта переменная используется в логарифмических преобразователях.
- Поскольку усиление сигнала осуществляется с помощью NPN-транзисторов. В усилительных схемах он используется таким образом. Логарифмические преобразователи
- — еще одна область, где он используется.
- Характеристика переключения транзистора NPN является одним из его наиболее значительных преимуществ. В результате он обычно используется для переключения приложений.
Родственные термины
- Область эмиттера : Это самая большая часть конструкции, которая больше базовой области, но меньше области коллектора.
