Site Loader

Содержание

Проверка браузера

  • IP: 85.140.3.91
  • Браузер: Mozilla/5.0 (X11; Linux x86_64; rv:33.0) Gecko/20100101 Firefox/33.0
  • Время: 2021-09-01 20:04:19
  • URL: https://dip8.ru/shop/poluprovodniki/category/tranzistory_npn/
  • Идентификатор запроса: 41qp9yzbfkht

Это займет несколько секунд…

Мы должны проверить ваш браузер, чтобы убедиться, что вы не робот.
От вас не требуется никаких действий, проверка происходит автоматически.

У вас отключён JavaScript — вы не пройдёте проверку. Включите JavaScript в браузере!

  • IP: 85.140.3.91
  • Browser: Mozilla/5.0 (X11; Linux x86_64; rv:33.0) Gecko/20100101 Firefox/33.0
  • Time: 2021-09-01 20:04:19
  • URL: https://dip8.ru/shop/poluprovodniki/category/tranzistory_npn/
  • Request ID: 41qp9yzbfkht

It will take a few seconds…

We need to check your browser to make sure you are not a robot.
No action is required from you, the verification is automatic.

You have JavaScript disabled — you will not pass validation. Enable JavaScript in your browser!

Как различить PNP и NPN транзисторы?

Это довольно легко. Обычно я делал это в старшей школе, когда спасал части от неизвестных выброшенных досок.

Как сказал Спехро в комментарии, иногда можно найти номер детали. В этом случае вы можете найти таблицу данных и получить параметры напрямую. Однако слишком часто отсутствует номер детали производителя, или просто короткий код, или собственный номер. Особенно с небольшими пакетами, вам придется экспериментировать.

Во-первых, убедитесь, что омметр не настроен на какой-либо режим сверхнизкого напряжения, предназначенный для предотвращения смещения диодов. У некоторых метров есть такая особенность. В этом случае вы определенно хотите направить смещение в узлы.

Биполярный транзистор имеет только три вывода, поэтому только 6 возможных двухпроводных измерений с учетом полярности. С точки зрения зондирования с помощью двухпроводного омметра, биполярный транзистор выглядит как два диода спина к спине. Существует один BE и один BC. В NPN требуется положительное напряжение на базе относительно E или C, чтобы заставить диоды работать, и наоборот с PNP. «N» и «P» в названиях говорят о напряжениях, необходимых для работы диодов.

Поэтому выяснить, есть ли у вас NPN или PNP и какой из них является основой, очень просто. Следующая проблема состоит в том, чтобы выяснить, какие C и E ведет. На большинстве пакетов C находится посередине. В силовом блоке C обычно подключается к корпусу, вкладке или чему-либо еще.

Другой способ проверить, что С и Е — это измерить усиление. Транзистор все еще будет работать с перевернутыми C и E, но усиление будет выше, если он подключен как положено. Я обычно делал это, подключая счетчик через CE. При плавающем основании ток не должен быть, поэтому счетчик должен показывать бесконечное сопротивление. Теперь используйте свои пальцы, чтобы соединить C и B. Вы должны увидеть более низкое сопротивление, чем если бы вы использовали свои пальцы, чтобы соединить C и E. Это очевидное более низкое сопротивление происходит из-за транзистора, усиливающего базовый ток.

Теперь запустите тот же тест с перевернутым CE. В большинстве случаев одна ориентация имеет явно более высокий коэффициент усиления. Если нет, то вы можете запустить этот тест с реальным резистором вместо ваших пальцев.

Как работает транзистор npn, pnp (полевой n-канальный и p-канальный)

 Нашу сильную зависимость от электроники в современном мире не описать. Если сказать, что без электроники мы не проживем, это не сказать ничего. Она уже сродни самому неотъемлемому, самому нужному и востребованному.  То количество мест и гаджетов, где мы с ней встречаемся, мы даже перечислять не будем, на это хватит фантазии и у вас. Мы же хотели рассказать об одном обязательной составляющей каждого электронного девайса, о транзисторе.

 Именно на транзисторах строятся все аналоговые и цифровые схемы применяемые в современных устройствах. А значит, от его работы зависит то, как эти самые гаджеты будут работать и то, как впоследствии электроника будет работать на нас. Такая неоспоримая цепочка…

Какие бывают транзисторы

 Мы не будем вводить вас в далекий экскурс с чего все начиналось, что электронные лампы были дедушками и бабушками современных транзисторов. Не будем рассказывать об электронной эмиссии. О том, что процесс в этих самых лампах схож с транзисторами. Не будем описывать и различия между ними.  Мы сразу приступим к главному. Надеясь на то, что все мы пропустили хотя и останется темным пятном, но не станет обременяющим обстоятельством препятствующим пониманию того, как же все-таки работает транзистор.

 Итак, транзисторы бывают биполярные и полевые. Суть работы тех и других одинакова, разве что их кристаллы, вернее то как сращены разные типы кристаллов, различны.

В биполярных транзисторах это своеобразный гамбургер, если хотите пирог: p-n-p или n-p-n. То есть кристаллы с различной проводимостью напаяны последовательно друг за друга. Таким образуют они образуют своеобразный «бутерброд».

 В полевых транзисторах есть также n кристалл и p кристалл, но они между спаяны не последовательно, а параллельно. При этом ток не проходит через разные типы проводимости кристаллов, а идет все время по одному типу. А запирается в этом случае проводимый кристалл с помощью электрического поля управляющего затвора. Отсюда и название полевой.

 Еще транзисторы бывают низкочастотные, среднечастотные и высокочастотные.  А также могут работать  с различными токами, но это все нюансы…

Как работает транзистор (картинка с анимацией — видео)

Итак, теперь непосредственно о насущном. То есть о том, ради чего мы собственно и начали эту статью.

 Самое сложное, что нам придется вам объяснить, так это то, что как раз и скрыто от глаз человека. Ведь движение тока в проводнике, в различного рода проводимости кристаллах, не посмотришь и не увидишь. Именно поэтому необходимо иметь большую фантазию и очень наглядное пособие, чтобы довести до вас принцип работы транзистора.

 Есть и еще одно «но». Человек всегда привык строить какие-то эквивалентные системы, если непосредственно изучаемая система не дает ему полного представления, а самое главное наглядного примера  о том, как же все-таки все устроено. Так и в нашем случае, взгляните на картинку…

 

Работа транзистора представлена в виде канала с управляемой средой, даже здесь два канала. В качестве каналов выступают контакты транзистора, а управляемой средой является ток. Управляя запорным клапаном на базе или затворе (маленький канал) мы тем самым открываем и большой канал, между эмиттером и коллектором или стоком и истоком. Именно этот большой канал и является нашей целью управления. Открывая маленький канал, мы открываем и большой! Вот главное правило работы транзистора. По-другому не бывает, по крайней мере, в нормальных режимах работы транзистора без пробоев. Управляющий клапан на базе, то есть  малый канал открывается первым, тем самым провоцируя и открывание большого канала.

 Не знаем, нужны ли вам другие описания почему именно так? Если кратко, то потому что есть зоны запирания, есть сопротивления этих зон и изменения сопротивления в зависимости от потенциала, подаваемого на них. Конечно это не описывает особенностей работы транзистора полностью и подробно, но об этом мы вам и не обещали рассказать. Самое главное было рассказать о принципе срабатывания и показать это на наглядной картинке, что собственно мы и выполнили. Принцип работы в этом случае действителен для всех видов транзисторов о которых, мы упоминали в нашем предыдущем абзаце. А также, для того чтобы закрепить ваше визуально- ассоциативное мышление с реальной невидимой действительностью необходимо взглянуть и на нижний правый угол картинки.
 На нем видно как в зависимости от пропуска тока, через контакты транзистора будут происходить и коммутации вокруг его выводов.

Схема подключения транзисторов npn pnp (полевых транзистор)

Теперь о том же самом, но на примере подключения транзистора в схеме. На входе имеется сигнал достаточный для свечения лампы (светодиода) даже с учетом сопротивления транзистора. Но если подать на управляющий вывод (затвор) запирающий потенциал, то сопротивление увеличиться и лампа погаснет.

* — гиф анимация описывает работу полевого транзистора, когда есть поле, которое и управляет проводимостью в элементе.

На самом деле это лишь один из примеров подключения транзистора. Вариаций его подключений великое множество. Здесь главное донести суть работы радиоэлемента, а не саму схему подключения.

Последнее о чем хотелось сказать в статье о принципах работы транзистора, так это о том, что база должна всегда оставаться чуть «зажата», то есть ограничена сопротивлением. 

  Это позволяет разграничить управляющий малый ток и большой управляемый. Если же убрать сопротивление, то ток будет течь по пути с наименьшим сопротивлением, то есть весь или преимущественно через базу… В этом случае теряется весь смысл транзистора, так как он ничем ни будет управлять, а будет просто пропускать через себя ток. При этом «большой» ток пойдет через базу и может еще и вывести его из строя, что нам совсем не нужно!

Из особенностей надо отметить несколько разные сферы применяемости транзисторов. NPN, PNP транзисторы способны открываться как бы постепенно, и быстродействие у них ниже. То есть они более подходят для аналоговых схем, а вот полевые срабатывают быстрее.  При этом свойства статичного поля может быть использовано даже без подачи какого-либо напряжения на него, если это поле создать за счет подкладки, находящейся в зоне управления тоннелем по которому протекает ток. В итоге получается уже не транзистор, а ячейка памяти. Такие ячейки активно используются в современных SSD дисках.

Npn и pnp транзистор отличия

PNP-транзистор является электронным прибором, в определенном смысле обратном NPN-транзистору. В этом типе конструкции транзистора его PN-переходы открываются напряжениями обратной полярности по отношению к NPN-типу. В условном обозначении прибора стрелка, которая также определяет вывод эмиттера, на этот раз указывает внутрь символа транзистора.

Конструкция прибора

Конструктивная схема транзистора PNP-типа состоит из двух областей полупроводникового материала p-типа по обе стороны от области материала n-типа, как показано на рисунке ниже.

Стрелка определяет эмиттер и общепринятое направление его тока («внутрь» для транзистора PNP).

PNP-транзистор имеет очень схожие характеристики со своим NPN-биполярным собратом, за исключением того, что направления токов и полярности напряжений в нем обратные для любой из возможных трех схем включения: с общей базой, с общим эмиттером и с общим коллектором.

Основные отличия двух типов биполярных транзисторов

Главным различием между ними считается то, что дырки являются основными носителями тока для транзисторов PNP, NPN-транзисторы имеют в этом качестве электроны. Поэтому полярности напряжений, питающих транзистор, меняются на обратные, а его входной ток вытекает из базы. В отличие от этого, у NPN-транзистора ток базы втекает в нее, как показано ниже на схеме включения приборов обоих типов с общей базой и общим эмиттером.

Принцип работы транзистора PNP-типа основан на использовании небольшого (как и у NPN-типа) базового тока и отрицательного (в отличие от NPN-типа) базового напряжения смещения для управления гораздо большим эмиттерно-коллекторным током. Другими словами, для транзистора PNP эмиттер является более положительным по отношению к базе, а также по отношению к коллектору.

Рассмотрим отличия PNP-типа на схеме включения с общей базой

Действительно, из нее можно увидеть, что ток коллектора IC (в случае транзистора NPN) вытекает из положительного полюса батареи B2, проходит по выводу коллектора, проникает внутрь него и должен далее выйти через вывод базы, чтобы вернуться к отрицательному полюсу батареи. Таким же образом, рассматривая цепь эмиттера, можно увидеть, как его ток от положительного полюса батареи B1 входит в транзистор по выводу базы и далее проникает в эмиттер.

По выводу базы, таким образом, проходит как ток коллектора IC, так и ток эмиттера IE. Поскольку они циркулируют по своим контурам в противоположных направлениях, то результирующий ток базы равен их разности и очень мал, так как IC немного меньше, чем IE. Но так как последний все же больше, то направление протекания разностного тока (тока базы) совпадает с IE, и поэтому биполярный транзистор PNP-типа имеет вытекающий из базы ток, а NPN-типа – втекающий.

Отличия PNP-типа на примере схемы включения с общим эмиттером

В этой новой схеме PN-переход база-эмиттер открыт напряжением батареи B1, а переход коллектор-база смещен в обратном направлении посредством напряжения батареи В2. Вывод эмиттера, таким образом, является общим для цепей базы и коллектора.

Полный ток эмиттера задается суммой двух токов IC и IB; проходящих по выводу эмиттера в одном направлении. Таким образом, имеем IE = IC + IB.

В этой схеме ток базы IB просто «ответвляется» от тока эмиттера IE, также совпадая с ним по направлению. При этом транзистор PNP-типа по-прежнему имеет вытекающий из базы ток IB, а NPN-типа – втекающий.

В третьей из известных схем включения транзисторов, с общим коллектором, ситуация точно такая же. Поэтому мы ее не приводим в целях экономии места и времени читателей.

PNP-транзистор: подключение источников напряжения

Источник напряжения между базой и эмиттером (VBE) подключается отрицательным полюсом к базе и положительным к эмиттеру, потому что работа PNP-транзистора происходит при отрицательном смещении базы по отношению к эмиттеру.

Напряжение питания эмиттера также положительно по отношению к коллектору (VCE). Таким образом, у транзистора PNP-типа вывод эмиттера всегда более положителен по отношению как к базе, так и к коллектору.

Источники напряжения подключаются к PNP-транзистору, как показано на рисунке ниже.

Работа PNP-транзисторного каскада

Итак, чтобы вызвать протекание базового тока в PNP-транзисторе, база должна быть более отрицательной, чем эмиттер (ток должен покинуть базу) примерно на 0,7 вольт для кремниевого прибора или на 0,3 вольта для германиевого. Формулы, используемые для расчета базового резистора, базового тока или тока коллектора такие же, как те, которые используются для эквивалентного NPN-транзистора и представлены ниже.

Мы видим, что фундаментальным различием между NPN и PNP-транзистором является правильное смещение pn-переходов, поскольку направления токов и полярности напряжений в них всегда противоположны. Таким образом, для приведенной выше схеме: IC = IE – IB, так как ток должен вытекать из базы.

Как правило, PNP-транзистор можно заменить на NPN в большинстве электронных схем, разница лишь в полярности напряжения и направлении тока. Такие транзисторы также могут быть использованы в качестве переключающих устройств, и пример ключа на PNP-транзисторе показан ниже.

Характеристики транзистора

Выходные характеристики транзистора PNP-типа очень похожи на соответствующие кривые эквивалентного NPN-транзистора, за исключением того, что они повернуты на 180° с учетом реверса полярности напряжений и токов (токи базы и коллектора, PNP-транзистора отрицательны). Точно также, чтобы найти рабочие точки транзистора PNP-типа, его динамическая линия нагрузки может быть изображена в III-й четверти декартовой системы координат.

Типовые характеристики PNP-транзистора 2N3906 показаны на рисунке ниже.

Транзисторные пары в усилительных каскадах

Вы можете задаться вопросом, что за причина использовать PNP-транзисторы, когда есть много доступных NPN-транзисторов, которые могут быть использованы в качестве усилителей или твердотельных коммутаторов? Однако наличие двух различных типов транзисторов — NPN и PNP — дает большие преимущества при проектировании схем усилителей мощности. Такие усилители используют «комплементарные», или «согласованные” пары транзисторов (представляющие собой один PNP-транзистор и один NPN, соединенные вместе, как показано на рис. ниже) в выходном каскаде.

Два соответствующих NPN и PNP-транзистора с близкими характеристиками, идентичными друг другу, называются комплементарными. Например, TIP3055 (NPN-тип) и TIP2955 (PNP-тип) являются хорошим примером комплементарных кремниевых силовых транзисторов. Они оба имеют коэффициент усиления постоянного тока β=IC/IB согласованный в пределах 10% и большой ток коллектора около 15А, что делает их идеальными для устройств управления двигателями или роботизированных приложений.

Кроме того, усилители класса B используют согласованные пары транзисторов и в своих выходной мощных каскадах. В них NPN-транзистор проводит только положительную полуволну сигнала, а PNP-транзистор – только его отрицательную половину.

Это позволяет усилителю проводить требуемую мощность через громкоговоритель в обоих направлениях при заданной номинальной мощности и импедансе. В результате выходной ток, который обычно бывает порядка нескольких ампер, равномерно распределяется между двумя комплементарными транзисторами.

Транзисторные пары в схемах управления электродвигателями

Их применяют также в H-мостовых цепях управления реверсивными двигателями постоянного тока, позволяющих регулировать ток через двигатель равномерно в обоих направлениях его вращения.

H-мостовая цепь выше называется так потому, что базовая конфигурация ее четырех переключателей на транзисторах напоминает букву «H» с двигателем, расположенным на поперечной линии. Транзисторный H-мост, вероятно, является одним из наиболее часто используемых типов схемы управления реверсивным двигателем постоянного тока. Он использует «взаимодополняющие» пары транзисторов NPN- и PNP-типов в каждой ветви, работающих в качестве ключей при управлении двигателем.

Вход управления A обеспечивает работу мотора в одном направлении, в то время как вход B используется для обратного вращения.

Например, когда транзистор TR1 включен, а TR2 выключен, вход A подключен к напряжению питания (+ Vcc), и если транзистор TR3 выключен, а TR4 включен, то вход B подключен к 0 вольт (GND). Поэтому двигатель будет вращаться в одном направлении, соответствующем положительному потенциалу входа A и отрицательному входа B.

Если состояния ключей изменить так, чтобы TR1 был выключен, TR2 включен, TR3 включен, а TR4 выключен, ток двигателя будет протекать в противоположном направлении, что повлечет его реверсирование.

Используя противоположные уровни логической «1» или «0» на входах A и B, можно управлять направлением вращения мотора.

Определение типа транзисторов

Любые биполярные транзисторы можно представить состоящими в основном из двух диодов, соединенных вместе спина к спине.

Мы можем использовать эту аналогию, чтобы определить, относится ли транзистор к типу PNP или NPN путем тестирования его сопротивления между его тремя выводами. Тестируя каждую их пару в обоих направлениях с помощью мультиметра, после шести измерений получим следующий результат:

1. Эмиттер — База. Эти выводы должны действовать как обычный диод и проводить ток только в одном направлении.

2. Коллектор — База. Эти выводы также должны действовать как обычный диод и проводить ток только в одном направлении.

3. Эмиттер — Коллектор. Эти выводы не должен проводить в любом направлении.

Значения сопротивлений переходов транзисторов обоих типов

Пара выводов транзистораPNPNPN
КоллекторЭмиттерRВЫСОКОЕRВЫСОКОЕ
КоллекторБазаRНИЗКОЕRВЫСОКОЕ
ЭмиттерКоллекторRВЫСОКОЕRВЫСОКОЕ
ЭмиттерБазаRНИЗКОЕRВЫСОКОЕ
БазаКоллекторRВЫСОКОЕRНИЗКОЕ
БазаЭмиттерRВЫСОКОЕRНИЗКОЕ

Тогда мы можем определить PNP-транзистор как исправный и закрытый. Небольшой выходной ток и отрицательное напряжение на его базе (B) по отношению к его эмиттеру (E) будет его открывать и позволит протекать значительно большему эмиттер-коллекторному току. Транзисторы PNP проводят при положительном потенциале эмиттера. Иными словами, биполярный PNP-транзистор будет проводить только в том случае, если выводы базы и коллектором являются отрицательным по отношению к эмиттеру.

PNP-транзистор является электронным прибором, в определенном смысле обратном NPN-транзистору. В этом типе конструкции транзистора его PN-переходы открываются напряжениями обратной полярности по отношению к NPN-типу. В условном обозначении прибора стрелка, которая также определяет вывод эмиттера, на этот раз указывает внутрь символа транзистора.

Конструкция прибора

Конструктивная схема транзистора PNP-типа состоит из двух областей полупроводникового материала p-типа по обе стороны от области материала n-типа, как показано на рисунке ниже.

Стрелка определяет эмиттер и общепринятое направление его тока («внутрь» для транзистора PNP).

PNP-транзистор имеет очень схожие характеристики со своим NPN-биполярным собратом, за исключением того, что направления токов и полярности напряжений в нем обратные для любой из возможных трех схем включения: с общей базой, с общим эмиттером и с общим коллектором.

Основные отличия двух типов биполярных транзисторов

Главным различием между ними считается то, что дырки являются основными носителями тока для транзисторов PNP, NPN-транзисторы имеют в этом качестве электроны. Поэтому полярности напряжений, питающих транзистор, меняются на обратные, а его входной ток вытекает из базы. В отличие от этого, у NPN-транзистора ток базы втекает в нее, как показано ниже на схеме включения приборов обоих типов с общей базой и общим эмиттером.

Принцип работы транзистора PNP-типа основан на использовании небольшого (как и у NPN-типа) базового тока и отрицательного (в отличие от NPN-типа) базового напряжения смещения для управления гораздо большим эмиттерно-коллекторным током. Другими словами, для транзистора PNP эмиттер является более положительным по отношению к базе, а также по отношению к коллектору.

Рассмотрим отличия PNP-типа на схеме включения с общей базой

Действительно, из нее можно увидеть, что ток коллектора IC (в случае транзистора NPN) вытекает из положительного полюса батареи B2, проходит по выводу коллектора, проникает внутрь него и должен далее выйти через вывод базы, чтобы вернуться к отрицательному полюсу батареи. Таким же образом, рассматривая цепь эмиттера, можно увидеть, как его ток от положительного полюса батареи B1 входит в транзистор по выводу базы и далее проникает в эмиттер.

По выводу базы, таким образом, проходит как ток коллектора IC, так и ток эмиттера IE. Поскольку они циркулируют по своим контурам в противоположных направлениях, то результирующий ток базы равен их разности и очень мал, так как IC немного меньше, чем IE. Но так как последний все же больше, то направление протекания разностного тока (тока базы) совпадает с IE, и поэтому биполярный транзистор PNP-типа имеет вытекающий из базы ток, а NPN-типа – втекающий.

Отличия PNP-типа на примере схемы включения с общим эмиттером

В этой новой схеме PN-переход база-эмиттер открыт напряжением батареи B1, а переход коллектор-база смещен в обратном направлении посредством напряжения батареи В2. Вывод эмиттера, таким образом, является общим для цепей базы и коллектора.

Полный ток эмиттера задается суммой двух токов IC и IB; проходящих по выводу эмиттера в одном направлении. Таким образом, имеем IE = IC + IB.

В этой схеме ток базы IB просто «ответвляется» от тока эмиттера IE, также совпадая с ним по направлению. При этом транзистор PNP-типа по-прежнему имеет вытекающий из базы ток IB, а NPN-типа – втекающий.

В третьей из известных схем включения транзисторов, с общим коллектором, ситуация точно такая же. Поэтому мы ее не приводим в целях экономии места и времени читателей.

PNP-транзистор: подключение источников напряжения

Источник напряжения между базой и эмиттером (VBE) подключается отрицательным полюсом к базе и положительным к эмиттеру, потому что работа PNP-транзистора происходит при отрицательном смещении базы по отношению к эмиттеру.

Напряжение питания эмиттера также положительно по отношению к коллектору (VCE). Таким образом, у транзистора PNP-типа вывод эмиттера всегда более положителен по отношению как к базе, так и к коллектору.

Источники напряжения подключаются к PNP-транзистору, как показано на рисунке ниже.

Работа PNP-транзисторного каскада

Итак, чтобы вызвать протекание базового тока в PNP-транзисторе, база должна быть более отрицательной, чем эмиттер (ток должен покинуть базу) примерно на 0,7 вольт для кремниевого прибора или на 0,3 вольта для германиевого. Формулы, используемые для расчета базового резистора, базового тока или тока коллектора такие же, как те, которые используются для эквивалентного NPN-транзистора и представлены ниже.

Мы видим, что фундаментальным различием между NPN и PNP-транзистором является правильное смещение pn-переходов, поскольку направления токов и полярности напряжений в них всегда противоположны. Таким образом, для приведенной выше схеме: IC = IE – IB, так как ток должен вытекать из базы.

Как правило, PNP-транзистор можно заменить на NPN в большинстве электронных схем, разница лишь в полярности напряжения и направлении тока. Такие транзисторы также могут быть использованы в качестве переключающих устройств, и пример ключа на PNP-транзисторе показан ниже.

Характеристики транзистора

Выходные характеристики транзистора PNP-типа очень похожи на соответствующие кривые эквивалентного NPN-транзистора, за исключением того, что они повернуты на 180° с учетом реверса полярности напряжений и токов (токи базы и коллектора, PNP-транзистора отрицательны). Точно также, чтобы найти рабочие точки транзистора PNP-типа, его динамическая линия нагрузки может быть изображена в III-й четверти декартовой системы координат.

Типовые характеристики PNP-транзистора 2N3906 показаны на рисунке ниже.

Транзисторные пары в усилительных каскадах

Вы можете задаться вопросом, что за причина использовать PNP-транзисторы, когда есть много доступных NPN-транзисторов, которые могут быть использованы в качестве усилителей или твердотельных коммутаторов? Однако наличие двух различных типов транзисторов — NPN и PNP — дает большие преимущества при проектировании схем усилителей мощности. Такие усилители используют «комплементарные», или «согласованные” пары транзисторов (представляющие собой один PNP-транзистор и один NPN, соединенные вместе, как показано на рис. ниже) в выходном каскаде.

Два соответствующих NPN и PNP-транзистора с близкими характеристиками, идентичными друг другу, называются комплементарными. Например, TIP3055 (NPN-тип) и TIP2955 (PNP-тип) являются хорошим примером комплементарных кремниевых силовых транзисторов. Они оба имеют коэффициент усиления постоянного тока β=IC/IB согласованный в пределах 10% и большой ток коллектора около 15А, что делает их идеальными для устройств управления двигателями или роботизированных приложений.

Кроме того, усилители класса B используют согласованные пары транзисторов и в своих выходной мощных каскадах. В них NPN-транзистор проводит только положительную полуволну сигнала, а PNP-транзистор – только его отрицательную половину.

Это позволяет усилителю проводить требуемую мощность через громкоговоритель в обоих направлениях при заданной номинальной мощности и импедансе. В результате выходной ток, который обычно бывает порядка нескольких ампер, равномерно распределяется между двумя комплементарными транзисторами.

Транзисторные пары в схемах управления электродвигателями

Их применяют также в H-мостовых цепях управления реверсивными двигателями постоянного тока, позволяющих регулировать ток через двигатель равномерно в обоих направлениях его вращения.

H-мостовая цепь выше называется так потому, что базовая конфигурация ее четырех переключателей на транзисторах напоминает букву «H» с двигателем, расположенным на поперечной линии. Транзисторный H-мост, вероятно, является одним из наиболее часто используемых типов схемы управления реверсивным двигателем постоянного тока. Он использует «взаимодополняющие» пары транзисторов NPN- и PNP-типов в каждой ветви, работающих в качестве ключей при управлении двигателем.

Вход управления A обеспечивает работу мотора в одном направлении, в то время как вход B используется для обратного вращения.

Например, когда транзистор TR1 включен, а TR2 выключен, вход A подключен к напряжению питания (+ Vcc), и если транзистор TR3 выключен, а TR4 включен, то вход B подключен к 0 вольт (GND). Поэтому двигатель будет вращаться в одном направлении, соответствующем положительному потенциалу входа A и отрицательному входа B.

Если состояния ключей изменить так, чтобы TR1 был выключен, TR2 включен, TR3 включен, а TR4 выключен, ток двигателя будет протекать в противоположном направлении, что повлечет его реверсирование.

Используя противоположные уровни логической «1» или «0» на входах A и B, можно управлять направлением вращения мотора.

Определение типа транзисторов

Любые биполярные транзисторы можно представить состоящими в основном из двух диодов, соединенных вместе спина к спине.

Мы можем использовать эту аналогию, чтобы определить, относится ли транзистор к типу PNP или NPN путем тестирования его сопротивления между его тремя выводами. Тестируя каждую их пару в обоих направлениях с помощью мультиметра, после шести измерений получим следующий результат:

1. Эмиттер — База. Эти выводы должны действовать как обычный диод и проводить ток только в одном направлении.

2. Коллектор — База. Эти выводы также должны действовать как обычный диод и проводить ток только в одном направлении.

3. Эмиттер — Коллектор. Эти выводы не должен проводить в любом направлении.

Значения сопротивлений переходов транзисторов обоих типов

Пара выводов транзистораPNPNPN
КоллекторЭмиттерRВЫСОКОЕRВЫСОКОЕ
КоллекторБазаRНИЗКОЕRВЫСОКОЕ
ЭмиттерКоллекторRВЫСОКОЕRВЫСОКОЕ
ЭмиттерБазаRНИЗКОЕRВЫСОКОЕ
БазаКоллекторRВЫСОКОЕRНИЗКОЕ
БазаЭмиттерRВЫСОКОЕRНИЗКОЕ

Тогда мы можем определить PNP-транзистор как исправный и закрытый. Небольшой выходной ток и отрицательное напряжение на его базе (B) по отношению к его эмиттеру (E) будет его открывать и позволит протекать значительно большему эмиттер-коллекторному току. Транзисторы PNP проводят при положительном потенциале эмиттера. Иными словами, биполярный PNP-транзистор будет проводить только в том случае, если выводы базы и коллектором являются отрицательным по отношению к эмиттеру.

Транзистор — повсеместный и важный компонент в современной микроэлектронике. Его назначение простое: он позволяет с помощью слабого сигнала управлять гораздо более сильным.

В частноти, его можно использовать как управляемую «заслонку»: отсутствием сигнала на «воротах» блокировать течение тока, подачей — разрешать. Иными словами: это кнопка, которая нажимается не пальцем, а подачей напряжения. В цифровой электронике такое применение наиболее распространено.

Транзисторы выпускаются в различных корпусах: один и тот же транзистор может внешне выглядеть совершенно по разному. В прототипировании чаще остальных встречаются корпусы:

Обозначение на схемах также варьируется в зависимости от типа транзистора и стандарта обозначений, который использовался при составлении. Но вне зависимости от вариации, его символ остаётся узнаваемым.

Биполярные транзисторы

Биполярные транзисторы (BJT, Bipolar Junction Transistors) имеют три контакта:

Основной характеристикой биполярного транзистора является показатель hfe также известный, как gain. Он отражает во сколько раз больший ток по участку коллектор–эмиттер способен пропустить транзистор по отношению к току база–эмиттер.

Например, если hfe = 100, и через базу проходит 0.1 мА, то транзистор пропустит через себя как максимум 10 мА. Если в этом случае на участке с большим током находится компонент, который потребляет, например 8 мА, ему будет предоставлено 8 мА, а у транзистора останется «запас». Если же имеется компонент, который потребляет 20 мА, ему будут предоставлены только максимальные 10 мА.

Также в документации к каждому транзистору указаны максимально допустимые напряжения и токи на контактах. Превышение этих величин ведёт к избыточному нагреву и сокращению службы, а сильное превышение может привести к разрушению.

NPN и PNP

Описанный выше транзистор — это так называемый NPN-транзистор. Называется он так из-за того, что состоит из трёх слоёв кремния, соединённых в порядке: Negative-Positive-Negative. Где negative — это сплав кремния, обладающий избытком отрицательных переносчиков заряда (n-doped), а positive — с избытком положительных (p-doped).

NPN более эффективны и распространены в промышленности.

PNP-транзисторы при обозначении отличаются направлением стрелки. Стрелка всегда указывает от P к N. PNP-транзисторы отличаются «перевёрнутым» поведением: ток не блокируется, когда база заземлена и блокируется, когда через неё идёт ток.

Полевые транзисторы

Полевые транзисторы (FET, Field Effect Transistor) имеют то же назначение, но отличаются внутренним устройством. Частным видом этих компонентов являются транзисторы MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor). Они позволяют оперировать гораздо большими мощностями при тех же размерах. А управление самой «заслонкой» осуществляется исключительно при помощи напряжения: ток через затвор, в отличие от биполярных транзисторов, не идёт.

Полевые транзисторы обладают тремя контактами:

N-Channel и P-Channel

По аналогии с биполярными транзисторами, полевые различаются полярностью. Выше был описан N-Channel транзистор. Они наиболее распространены.

P-Channel при обозначении отличается направлением стрелки и, опять же, обладает «перевёрнутым» поведением.

Подключение транзисторов для управления мощными компонентами

Типичной задачей микроконтроллера является включение и выключение определённого компонента схемы. Сам микроконтроллер обычно имеет скромные характеристики в отношении выдерживаемой мощности. Так Ардуино, при выдаваемых на контакт 5 В выдерживает ток в 40 мА. Мощные моторы или сверхъяркие светодиоды могут потреблять сотни миллиампер. При подключении таких нагрузок напрямую чип может быстро выйти из строя. Кроме того для работоспособности некоторых компонентов требуется напряжение большее, чем 5 В, а Ардуино с выходного контакта (digital output pin) больше 5 В не может выдать впринципе.

Зато, его с лёгкостью хватит для управления транзистором, который в свою очередь будет управлять большим током. Допустим, нам нужно подключить длинную светодиодную ленту, которая требует 12 В и при этом потребляет 100 мА:

Теперь при установке выхода в логическую единицу (high), поступающие на базу 5 В откроют транзистор и через ленту потечёт ток — она будет светиться. При установке выхода в логический ноль (low), база будет заземлена через микроконтроллер, а течение тока заблокированно.

Обратите внимание на токоограничивающий резистор R. Он необходим, чтобы при подаче управляющего напряжения не образовалось короткое замыкание по маршруту микроконтроллер — транзистор — земля. Главное — не превысить допустимый ток через контакт Ардуино в 40 мА, поэтому нужно использовать резистор номиналом не менее:

здесь Ud — это падение напряжения на самом транзисторе. Оно зависит от материала из которого он изготовлен и обычно составляет 0.3 – 0.6 В.

Но совершенно не обязательно держать ток на пределе допустимого. Необходимо лишь, чтобы показатель gain транзистора позволил управлять необходимым током. В нашем случае — это 100 мА. Допустим для используемого транзистора hfe = 100, тогда нам будет достаточно управляющего тока в 1 мА

Нам подойдёт резистор номиналом от 118 Ом до 4.7 кОм. Для устойчивой работы с одной стороны и небольшой нагрузки на чип с другой, 2.2 кОм — хороший выбор.

Если вместо биполярного транзистора использовать полевой, можно обойтись без резистора:

это связано с тем, что затвор в таких транзисторах управляется исключительно напряжением: ток на участке микроконтроллер — затвор — исток отсутствует. А благодаря своим высоким характеристикам схема с использованием MOSFET позволяет управлять очень мощными компонентами.

Рекомендуем к прочтению

Транзисторы

Транзистор — это полупроводниковый прибор, составленный из двух pn-переходов, как показано на рис. 21.1. У транзистора три вывода: эмиттер, база и коллектор. Существуют два типа транзисторов: pnp-транзисторы (рис. 21.1(а)) и npn-транзисторы (рис. 21.1(б)). По принципу работы они ничем не отличаются друг от друга, за исключением полярности подава­емого постоянного напряжения смещения.

Рассмотрим транзистор npn-типа (рис. 21.2). Переход база – эмиттер (или просто эмиттерный переход) этого транзистора смещен в прямом направлении напряжением VBE, поэтому электроны из области эмитте­ра будут перетекать через этот переход в область базы, создавая ток Iе. Это обычный прямой ток рта-перехода, смещенного в прямом направлении. Как только электроны попадают в область базы, они начинают испыты­вать притяжение положительного потенциала коллектора. Если область базы сделать очень тонкой, то почти все эти электроны проскочат через нее к коллектору. Только очень малая часть электронов собирается ба­зой, формируя базовый ток

Ib. Фактически более 95% всех электронов эмиттерного тока Iе собираются коллектором и формируют коллектор­ный ток Ic транзистора. Таким образом,

Iе = Ic + Ib.

Так как базовый ток Ib очень мал (чаще всего он измеряется микроампе­рами), то им обычно пренебрегают. Тем самым предполагается, что токи Ic и Iе равны, и каждый из них принято называть током транзистора.

 

   

Рис. 21.1. Транзисторы и их условны: обозначения: (а) pnp-тип, (б) npn-тип.

             Рис. 21.2. Подача напряжений                               Рис. 21.3. Подача напряжений

               смещения npn-транзистора.                                      сме­щения pnp-транзистора.      

 

Обратите внимание, что переход база — коллектор (или просто кол­лекторный переход) смещен в обратном направлении напряжением VCD. Это необходимое условие работы транзистора, поскольку в противном случае электроны не притягивались бы к коллектору. При этом в со­ответствии с правилом выбора направления тока (от положительного по­тенциала к отрицательному) считается, что ток транзистора течет от кол­лектора к эмиттеру.

Для рпр-транзистора полярности подачи постоянных напряжений смещения должны быть изменены на обратные, как показано на рис. 21.3. В этом случае ток транзистора представляет собой перемещение дырок от эмиттера к коллектору или электронов от коллектора к эмиттеру. 

Схемы включения транзистора

Имеются три основные схемы включения транзистора в электронные цепи.

1. Схема с общим эмиттером (ОЭ). Общим выводом здесь является эмиттер: входной сигнал подается между базой и эмиттером, а вы­ходной сигнал снимается между коллектором и эмиттером (рис. 21.4). Эта схема получила наиболее широкое распространение из-за своей гибкости и высокого коэффициента усиления.

2. Схема с общей базой (ОБ). Базовый вывод транзистора является об­щим выводом для входного и выходного сигналов (рис. 21.5).

3. Схема с общим коллектором (ОК). В этой схеме общим выводом для входного и выходного сигналов является коллектор. Ее называют так­же эмиттерным повторителем (рис. 21.6).

Интересно, что на внутреннем уровне транзистор работает во всех схе­мах включения совершенно одинаково, тогда как внешнее поведение его в каждом случае различно.

         

           

 

Рис. 21.4. Схема с общим эмитте­ром (ОЭ).                      Рис. 21.5. Схема с общей базой (ОБ).

                          

Рис. 21.6. Схема с общим коллек­тором (ОК).

Обратите внимание, что выходной сигнал

снимается с эмит­тера.

Каждая схема включения характеризует­ся своим собственным набором основных параметров, в который входят коэффициент усиления, входное и выходное сопротивления и АЧХ.

 

Характеристики транзистора в схеме с общим эмиттером

Поведение транзистора в статических условиях, то есть в отсутствие вход­ного сигнала, определяют характеристики трех типов.

1. Входные характеристики, или зависимости входного тока от входного напряжения.

2. Выходные характеристики, или зависимости выходного тока от выход­ного напряжения.

3. Передаточные характеристики, или зависимости выходного тока от входного тока.

Описываемые ниже характеристики относятся к npn-транзистору (рис. 21.7). Для pnp-транзистора нужно изменить полярность напряже­ния постоянного тока на отрицательную.

Входные характеристики

На рис. 21.8 представлены входные характеристики для npn -транзистора. Они ничем не отличаются от характеристик pn -перехода диода, смещен­ного в прямом направлении, поскольку вход (переход база — эмиттер)


Рис. 21.8. Входные характеристики транзистора.

как раз и является таким переходом. Заметим, что, как и в диоде, вход­ной ток Ib начинает протекать через эмиттерный переход только тогда, когда на этом переходе устанавливается требуемое значение прямого на­пряжения. Если это напряжение (0,3 В для Ge и 0,6 В для Si) уста­новлено, то в дальнейшем напряжение Vbe между базой и эмиттером практически не изменяется даже при сильном увеличении тока базы. Таким образом, транзистор можно рассматривать как токовый элемент, допускающий изменение входного тока при постоянном входном напря­жении.

Выходные характеристики

На рис. 21.9 приведено семейство кривых, называемых выходными харак­теристиками транзистора, которые устанавливают связь тока коллектора (выходного тока) Ic с напряжением на коллекторе (выходным напряже­нием) VCE. Для определенных значений тока базы (входного тока) Ib. Эти кривые устанавливают также взаимосвязь между входным током, с одной стороны, и выходным током и выходным напряжением — с другой. На­пример, для транзистора с выходными характеристиками, приведенными на рис. 21.9, при    Ib = 40 мкА и VCE= 6 В ток коллектора Ic = 4 мА. Это значение легко определяется из выходной характеристики, соответству­ющей выбранному току базы.

Характеристика для Ib = 0 соответствует транзистору в непроводя­щем состоянии, т. е. в состоянии отсечки, когда величина напряжения VCEменьше требуемой величины прямого падения напряжения на эмиттерном переходе. Теоретически ток транзистора равен нулю при Ib = 0; однако реально очень слабый ток утечки всегда протекает через коллекторный переход.

 

Рис. 21.9. Семейство выходных характеристик транзистора.

Статический коэффициент усиления тока β

Очень важным параметром любого транзистора является его коэффициент усиления по постоянному току, называемый статическим коэффициентом усиления тока. Это коэффициент усиления тока для транзистора, находящегося в статическом режиме, то есть в отсутствие входного сигнала. Статический коэффициент усиления тока является без­размерной величиной (отношение величин двух токов) и определяется по формуле

                                                             Выходной ток                 Ic 

                                                 β =       —————————-     =   ——

                                                             Входной ток                    Ib

Величину β можно рассчитать с помощью выходных характеристик транзистора. Например, если транзистор работает в режиме, определяемом точкой Q (рабочая точка), при                    Ib, = 40 мкА и Ic = 4 мА, то

 

Передаточные характеристики

Эти характеристики устанавливают взаимосвязь между входным и вы­ходным токами транзистора (рис. 21.10). С помощью такой характери­стики можно рассчитать статический коэффициент усиления тока. На­пример, если точка Q — рабочая точка транзистора, то

Рис. 21.10. Передаточная характеристика транзистора.

В этом видео рассказывается о принципах работы транзистора:

Добавить комментарий

Как отличить транзисторы PNP и NPN?

Это довольно легко. Раньше я обычно делал это в старшей школе при утилизации деталей из неизвестных отброшенных досок.

Как сказал в своем выступлении Спер, иногда вы можете найти номер детали. В этом случае вы можете найти таблицу данных и получить параметры прямо. Однако слишком часто нет номера детали производителя или его короткого кода или его внутреннего номера. Особенно с меньшими пакетами, вам придется экспериментировать.

Во-первых, убедитесь, что омметр не настроен на какой-то дополнительный режим низкого напряжения, предназначенный для непереходных диодов смещения. У некоторых счетчиков есть такая особенность. В этом случае вы определенно хотите перенаправить смещения.

Биполярный транзистор имеет только три провода, поэтому только 6 возможных двухпроводных измерений при учете полярности. С точки зрения зондирования с помощью двухпроводного омметра биполярный транзистор выглядит как два диода спина к спине. Существует один B-E и один B-C. В NPN он принимает положительное напряжение на базе относительно E или C, чтобы проводить диоды, а наоборот — с помощью PNP. «N» и «P» в названиях сообщают вам напряжения, необходимые для проведения диодов.

Таким образом, легко понять, есть ли у вас NPN или PNP, а какой из них является основой. Следующая проблема заключается в том, чтобы выяснить, каковы C и E ведет. На большинстве пакетов C находится посередине. В пакете питания C обычно подключается к корпусу или вкладке или что-то еще.

Еще один способ проверить C на E — измерить коэффициент усиления. Транзистор по-прежнему будет работать с перевернутыми C и E, но коэффициент усиления будет выше при подключении по назначению. Обычно я делаю это, подключая счетчик через C-E. При плавании базы не должно быть тока, поэтому счетчик должен читать бесконечное сопротивление. Теперь используйте ваши пальцы для соединения C и B. Вы должны увидеть более низкое сопротивление, чем если бы вы использовали ваши пальцы для соединения C и E. Это кажущееся более низкое сопротивление связано с тем, что транзистор усиливает базовый ток.

Теперь запустите тот же тест, когда C-E перевернулся. В большинстве случаев одна ориентация имеет очевидный более высокий выигрыш. Если нет, то вы можете запустить этот тест с помощью реального резистора вместо ваших пальцев.

Импортные и отечественные мощные биполярные транзисторы. Справочник.

Наименование составных транзисторов выделено цветом.

Особенностью справочника является то, что импортные транзисторы взяты не из справочников, а из прайсов интернет-магазинов (т.е., с большой вероятностью доставаемые)


 Справочник предназначен для подбора компонентов по электрическим параметрам, для выбора замены (аналога) транзистору с известными характеристиками, подбора комплементарной пары. За основу справочника взяты отечественные транзисторы, расположенные в порядке возрастания напряжения и тока. Импортные современные транзисторы в справочник взяты из прайс-листов магазинов. Импортные и отечественные транзисторы, расположенные в одной колонке, имеют близкие параметры, хотя и не обязательно являются полными аналогами. Справочник предназначен для разработчиков и тех, кто занимается ремонтом. Для ходовых импортных транзисторов дана ссылка на магазин, где их можно купить.
  • Справочник по отечественным мощным транзисторам.

  • Полевые транзисторы. Справочник.

  • Маломощные транзисторы. Справочник.

  • Транзисторы средней мощности. Справочник.

  • Отечественные smd транзисторы. Справочник.

  • Главная страница.

  • Показать только:
    40В 60В 70В 80В 100В 160В 200В 250В 300В 400В 500В 600В 700В
    800В 900В 1500В 2000В ВСЕ







    Отечеств. Корпус PDF Тип Imax, A Импортный Корпус
    Внешний вид корпусов ТО:  
    Транзисторы на напряжение до 40В:
    КТ668 (А-В) ТО-92 pnp 0.1 BC557
    BC857
    TO-92
    smd
    современный pnp транзистор 40В 0.1А
    КТ6111 (А-Г) ТО-92 npn 0.1 BC547
    BC847
    TO-92
    smd
    npn транзистор 40В 0.1А
    КТ6112 (А-В) ТО-92 pnp 0.1 (0.15) 2SA1266
    2SA1048
    TO-92
    TO-92
    pnp транзистор 40В 0.1А
    КТ503 А,Б ТО-92 npn 0.15 2SC1815 TO-92 описание npn транзистора КТ503 на 40В 0.15А
    2Т3133А ТО-126 npn 0.3   npn транзистор 40В 0.3А
    КТ501 Ж,И,К ТО-92 pnp 0.3 (0.2) 2N3906 TO-92 описание транзистора биполярного кт501, характеристики и графики
    КТ645Б ТО-92 npn 0.3 (0.2) 2N3904 TO-92 npn транзистор 40В 0.3А
    КТ646Б ТО-126 npn 0.5 (0.6) 2N4401
    MMBT2222
    TO-92
    smd
    описание и характеристики npn транзистора КТ646 на 40В 0.5А
    КТ626А ТО-126 pnp 0.5 2N4403
    BC807
    TO-92
    smd
    транзистор биполярный кт626, характеристики
    КТ685 А,В ТО-92 pnp 0.6     транзистор биполярный кт685, характеристики
    КТ686 А,Б,В ТО-92 pnp 0.8 BC327 ТО-92 характеристики транзистора кт686
    КТ660А ТО-92 npn 0.8 BC337
    BC817
    ТО-92
    smd
    npn транзистор 40В 0.8А
    КТ684А ТО-92 npn 1 BC635 TO-92 npn транзистор 40В 1А
    КТ692А ТО-39 pnp 1 BC636 TO-92 pnp транзистор 40В 1А
    КТ815А ТО-126 npn 1.5 BD135 TO-126 npn транзистор КТ815 на 40В 1.5А
    КТ639А,Б,В ТО-126 pnp 1.5 BD136 TO-126 npn транзистор КТ639 на 40В 1.5А
    КТ814А ТО-126 pnp 1.5     pnp транзистор КТ814А на 40В 1.5А
    2Т860В ТО-39 pnp 2 2SA1020 TO-92L транзистор биполярный 2т860
    КТ852Г ТО-220 pnp 2 FMMT717 sot23 транзистор биполярный кт852 на 40В 2А
    КТ943А ТО-126 npn 2   транзистор биполярный кт943
    КТ817А,Б ТО-126 npn 3     описание транзистора кт817 на 40В 3А
    КТ816Б ТО-126 pnp 3 2SB856 TO-220 транзистор биполярный кт816
    КТ972Б
    КТ8131А
    ТО-126
    npn 4   описание составного транзистора кт972 на 40В 4А
    КТ973Б
    КТ8130А
    ТО-126
    pnp 4 2SB857 TO-220 описание транзистора кт973
    КТ835Б ТО-220 pnp 7.5     описание транзистора кт835 на 40В 7А
    2Т837В,Е ТО-220 pnp 8     транзистор биполярный 2т837
    КТ829Г ТО-220 npn 8     описание составного транзистора кт829 на 40В 8А
    КТ853Г ТО-220 pnp 8     характеристики транзистора кт853
    КТ819А,Б ТО-220,
    ТО-3
    npn 10 TIP34 TO-247 описание транзистора кт819 на 40В 10А
    КТ818А ТО-220,
    ТО-3
    pnp 10 TIP33 TO-247 описание транзистора кт818
    КТ863А ТО-220 npn 10 (12) 2SD1062 TO-220 транзистор биполярный кт863 и импортный 2sd1062
    2Т877В ТО-3 pnp 20     составной 2Т877 на 40В 20А
    Транзисторы на напряжение до 60В:
    КТ503В,Г ТО-92 npn 0.15 (0.1) 2SC3402
    2SC3198
    BC546
    TO-92
    TO-92
    TO-92
    описание транзистора КТ503 на 60В 0.1А
    КТ645А ТО-92 npn 0.3  
    КТ662А ТО-39 pnp 0.4 (0.1) BC556 TO-92 импортный транзистор 60В 0.1А в справочнике
    КТ646А ТО-126 npn 0.5 BD137
    BCV49
    TO-126
    smd
    описание транзистора КТ646 на 60В 0.5А
    КТ626Б ТО-126 pnp 0.5 BD138
    BCV48
    TO-126
    smd
    транзистор 60В 0.5А в справочнике
    КТ685Б,Г ТО-92 pnp 0.6 (1) BC638 TO-92
    КТ644(А-Г) ТО-126 pnp 0.6     описание транзистора КТ644
    КТ661А
    КТ529А
    ТО-39
    TO-92

    pnp 0.6 (1) 2SA684
    MMBT2907
    TO-92L
    smd
    КТ630Д,Е
    КТ530А
    ТО-39
    TO-92

    npn 1 BC637
    BSR41
    TO-92
    smd
    транзистор на 60В 1А
    КТ683Д,Е ТО-126 npn 1 2SD1616 TO-92 транзистор на 60В 1А
    КТ659А ТО-39 npn 1.2    
    КТ961В ТО-126 npn 1.5 BD137 TO-126
    КТ639Г,Д ТО-126 pnp 1.5 BD138 TO-126
    КТ698В ТО-92 npn 2 2SC2655
    2SD1275
    TO-92
    TO-220FP
    транзистор на 60В 2А
    2Т831Б ТО-39 npn 2    
    2Т830Б ТО-39 pnp 2    
    2Т880В ТО-39 pnp 2    
    2Т881В ТО-39 npn 2    
    КТ852В ТО-220 pnp 2     составной биполярный транзистор на 60В 2А
    2Т708Б ТО-39 pnp 2.5    
    КТ817В ТО-126 npn 3 (4) 2N5191
    2SD1266
    ТО-126
    TO-220FP
    транзистор КТ817 на 60В 3А
    2Т836В ТО-39 pnp 3    
    КТ816В ТО-126 pnp 3 2SB1366
    2SB1015
    TO-220FP
    TO-220FP
    транзистор КТ816В на 60В 3А
    КТ972А
    КТ8131Б
    ТО-126
    npn 4 BD677 TO-126 составной отечественный транзистор на 60В 4А
    КТ973А
    КТ8130Б
    ТО-126
    pnp 4 (5) BD678
    2SA1469
    2SB1203
    TO-126
    TO-220
    smd
    описание составного транзистора КТ973А на 60В 5А
    КТ829В ТО-220 npn 8 (5) TIP120 TO-220 транзистор на 60В 5А
    КТ8116В ТО-220 npn 8     транзистор КТ8116 на 60В 8А
    КТ853В ТО-220 pnp 8     транзистор на 60В 8А
    2Т837Б,Д ТО-220 pnp 8    
    2Т709В ТО-3 pnp 10  MJE2955 TO-220 биполярный транзистор на 60В 10А
    2Т875В ТО-3 npn 10 MJE3055 TO-220 транзистор на 60В 10А
    2Т716В,В1 ТО-3
    ТО-220

    npn 10    
    КТ8284А ТО-220 npn 12 (15) TIP3055 TO-218 составной транзистор на 60В 15А
    2Т825В2 ТО-220 pnp 15    
    КТ827В ТО-3 npn 20     составной транзистор КТ827 на 60В 20А
    2Т825В ТО-3 pnp 20     транзистор на 60В 20А
    2Т877Б ТО-3 pnp 20     транзистор на 60В 20А
    КТ8106Б ТО-220 npn 20     составной транзистор КТ8106 на 60В 20А
    КТ896Б ТО-220 pnp 20     составной транзистор КТ896 на 60В 20А
    КТ8111В9 ТО-218 npn 20     составной транзистор КТ8111 на 60В 20А
    Транзисторы на напряжение до 70В:
    КТ815В ТО-126 npn 1.5 2SC5060 TO-92S на 70В 1А
    КТ814В ТО-126 pnp 1.5    
    КТ698Б ТО-92 npn 2     отечественный на 70В 2А
    2Т831В ТО-39 npn 2    
    2Т860Б ТО-39 pnp 2    
    КТ943 Б,Д ТО-126 npn 2  
    2Т837А,Г ТО-220 pnp 8     на 70В 8А
    КТ808ГМ ТО-3 npn 10    
    КТ818В ТО-220,
    ТО-3
    pnp 10     описание транзистора КТ818В на 70В 10А
    2Т876Б ТО-3 pnp 10     
    2Т875Б ТО-3 npn 10    
    Транзисторы на напряжение до 80В:
    КТ503Д ТО-92 npn 0.15 (0.3) 2SC1627 TO-92 транзистор на 80В 0.1А
    КТ626В ТО-126 pnp 0.5 (0.7) 2SA935 TO-92L транзистор на 80В 0.5А
    КТ684Б ТО-92 npn 1   транзистор на 80В 1А
    КТ961Б ТО-126 npn 1.5   транзистор на 80В 1.5А
    2Т881Б ТО-39 npn 2 (1.5) BD139 TO-126 транзистор на 80В 2А
    2Т830В ТО-39 pnp 2 (1.5) BD140
    BCP53
    TO-126
    smd
    транзистор на 80В 2А
    2Т880Б ТО-39 pnp 2     транзистор на 80В 2А
    КТ852Б ТО-220 pnp 2     транзистор на 80В 2А
    КТ943В,Г
    КТ8131В
    ТО-126
    npn 2 (4) 2N6039 TO-126 составной транзистор на 80В 4А
    2Т836А,Б
    КТ8130В
    ТО-39
    ТО-126

    pnp 3     характеристики составного транзистора КТ8131 на 80В 4А
    КТ829Б ТО-220 npn 8 (5) BD679
    TIP121
    MJD44h21
    TO-126
    TO-220
    smd
    транзистор 80В 5А, составной транзистор на 80В 4А
    КТ8116Б ТО-220 npn 8 (10) 2SD2025
    BDX33B
    TO-220FP
    TO-220
    составной транзистор на 80В 10А
    КТ853Б ТО-220 pnp 8 (10) BDX34B TO-220 составной транзистор на 10А 80В
    2Т709Б ТО-3 pnp 10 TIP33B TO-247 транзистор на 80В 10А
    2Т876А,Г ТО-3 pnp 10    
    2Т716Б,Б1 ТО-3
    ТО-220

    npn 10     транзистор на 80В 10А
    КТ808ВМ ТО-3 npn 10
    КТ819Б,В* ТО-220
    ТО-3
    npn 10 TIP34B TO-247
    2Т875А,Г ТО-3 npn 10    
    КТ8284Б ТО-220 npn 12     на 80В 12А
    2Т825Б2 ТО-220 pnp 15     транзистор на 80В 15А
    КТ827Б ТО-3 npn 20     транзистор на 80В 20А
    2Т825Б ТО-3 pnp 20     транзистор на 80В 20А
    2Т877А ТО-3 pnp 20     транзистор на 80В 20А
    КТ8111Б9 ТО-218 npn 20     составной транзистор на 80В 20А
    КТ8106А ТО-220 npn 20     составной транзистор на 80В 20А
    КТД8280А ТО-218 npn 60     составной транзистор на 80В 60А
    КДТ8281А ТО-218 pnp 60     транзистор на 80В 60А
    КТД8283А ТО-218 pnp 60    
    Транзисторы на напряжение до 100-130В:
    КТ601А,АМ ТО-126 npn 0.03     биполярный транзистор на 100В 30мА
    КТ602А,АМ ТО-126 npn 0.075  
    КТ638А,Б ТО-92 npn 0.1 2SC2240 TO-92 биполярный транзистор на 100В 100мА
    КТ503Е ТО-92 npn 0.15    
    КТ807А,Б ТО-126 npn 0.5    
    КТ630А,Б,Г ТО-39 npn 1     биполярный транзистор на 100В 1А
    КТ684В ТО-92 npn 1 BC639 TO-92 биполярный npn транзистор на 100В 1А
    КТ683Б,В,Г ТО-126 npn 1   биполярный транзистор на 100В 1А
    КТ719А ТО-126 npn 1.5    
    КТ815Г ТО-126 npn 1.5     биполярный транзистор на 100В 1.5А
    КТ961А ТО-126 npn 1.5   биполярный транзистор на 100В 1.5А
    КТ814Г ТО-126 pnp 1.5 (1) 2N5400
    BC640
    2SA1358
    TO-92
    TO-92
    TO-126
    биполярный pnp транзистор на 100В 1.5А
    КТ6103А ТО-92 npn 1.5     биполярный транзистор на 100В 1.5А
    КТ6102А ТО-92 pnp 1.5     биполярный транзистор на 100В 1.5А
    КТ698А ТО-92 npn 2 BD237 TO-126 биполярный транзистор на 100В 2А
    2Т831Г ТО-39 npn 2 SD1765 TO-220FP биполярный транзистор на 100В 2А
    2Т881А,Г ТО-39 npn 2     биполярный транзистор на 100В 2А
    2Т860А ТО-39 pnp 2     биполярный pnp транзистор на 100В 2А
    2Т830Г ТО-39 pnp 2     биполярный pnp транзистор на 100В 2А
    2Т880А,Г ТО-39 pnp 2     биполярный pnp транзистор на 100В 2А
    КТ852А ТО-220 pnp 2     составной pnp транзистор на 100В 2А
    2Т708А ТО-39 pnp 2.5     составной pnp транзистор на 100В 2.5А
    КТ817Г ТО-126 npn 3     транзистор 100В на 3А
    КТ816Г ТО-126 pnp 3 (5) TIP42C
    TIP127
    TO-220 pnp транзистор 100В 3А, pnp транзистор на 100В 5А
    КТ805БМ,ВМ ТО-220 npn 5     npn транзистор на 100В 5А
    КТ829А ТО-220 npn 8 (5) TIP122 TO-220 составной npn транзистор на 100В 8А
    КТ8116А ТО-220 npn 8     составной npn  транзистор на 100В 8А
    КТ853А ТО-220 pnp 8 (5)   составной pnp транзистор на 100В 8А
    КТ8115А ТО-220 pnp 8     составной pnp транзистор на 100В 8А
    2Т709А ТО-3 pnp 10  BDX34C TO-220 составной pnp транзистор на 100В 10А
    2Т716А,А1 ТО-3
    ТО-220

    npn 10 BDX33C TO-220 составной npn транзистор на 100В 10А
    КТ808 АМ,БМ ТО-3 npn 10     npn транзистор на 100В 10А
    КТ819А,Г ТО-220
    ТО-3
    npn 10 TIP34C TO-247 npn транзистор на 100В 10А
    КТ818Г ТО-220
    ТО-3
    pnp 10 TIP33B
    2SA1265
    TO-247 pnp транзистор на 100В 10А
    КТ8284В ТО-220 npn 12     составной npn транзистор на 100В 12А
    КТ8246 А,Б ТО-220 npn 15     составной  npn транзистор на 100В 15А
    2Т825А2 ТО-220 pnp 15      составной pnp транзистор на 100В 15А
    ПИЛОН-3А ТО-220 npn 15      составной npn транзистор на 100В 15А
    КТ827А ТО-3 npn 20     составной  npn транзистор на 100В 20А
    2Т825А ТО-3 pnp 20     составной pnp транзистор на 100В 20А
    КТД8257А ТО-220 npn 20     составной npn транзистор на 100В 20А
    2Т935Б ТО-220 npn 20     npn транзистор на 100В 20А
    КТД8278Б,В ТО-220
    ТО-263
    npn 20     npn транзистор на 100В 20А
    КТ896А ТО-220 pnp 20     npn транзистор на 100В 20А
    КТ8111А9 ТО-218 npn 20     составной npn транзистор на 100В 20А
    КТД8280Б ТО-218 npn 60     составной npn транзистор на 100В 60А
    КТД8281Б ТО-218 pnp 60     pnp транзистор на 100В 60А
    КТД8283Б ТО-218 pnp 60     pnp транзистор на 100В 60А
    Транзисторы на напряжение до 160В:
    КТ611В,Г ТО-126 npn 0.1 2SC2230
    2SD1609
    TO-92L
    TO-126
    КТ940В ТО-126 npn 0.1  
    КТ6117 ТО-92 npn 0.6 (0.3) 2N5551 TO-92
    КТ6116 ТО-92 pnp 0.6 (0.3) 2N5401 TO-92
    КТ630В ТО-39 npn 1 2SC2383 TO-92L
    КТ683А ТО-126 npn 1  
    КТ850В ТО-220 npn 2    
    КТ8123А ТО-220 npn 2    
    КТ851В ТО-220 pnp 2 (1) 2SA940
    KSA1013
    2SA1306
    TO-220
    TO-92L
    TO-220FP
    КТ805АМ ТО-220 npn 5    
    КТ855Б,В ТО-220 pnp 5    
    КТ899А ТО-220 npn 8    
    КТ712Б ТО-220 pnp 10 2SA1186 ТО-3Р
    КТ863БС ТО-220
    ТО-263
    npn 12 2SC3907 TO-3P ?
    КТ8246В,Г ТО-220 npn 15    
    КТ8101Б ТО-218 npn 16    
    КТ8102Б ТО-218 pnp 16 2SA1216 SIP3
    КТД8257Б ТО-220 npn 20    
    ПИР-2 (КТ740А) ТО-220
    ТО-218
    npn 20    
    КТ879Б КТ-5 npn 50    
    Транзисторы на напряжение до 200В:
    КТ611А,Б ТО-126 npn 0.1 (0.2) 2SC1473
    BFP22
    TO-92
    TO-92
    биполярный транзистор на 200В 0.1А
    КТ504Б ТО-39 npn 1     биполярный транзистор на 200В 1А
    КТ851А ТО-220 pnp 2     биполярный транзистор на 200В 2А
    КТ842Б ТО-3 pnp 5     биполярный транзистор на 200В 5А
    КТ864А ТО-3 npn 10 (7) BU406 TO-220 биполярный транзистор на 200В 10А
    КТ865А ТО-3 pnp 10     биполярный транзистор на 200В 10А
    КТ712А ТО-220 pnp 10      составной биполярный транзистор на 200В 10А
    КТ945А ТО-3 npn 15     биполярный транзистор на 200В 15А
    КТ8101А ТО-218 npn 16     биполярный транзистор на 200В 15А
    КТ8102А ТО-218 pnp 16 2SA1294
    2SA1302
    TO-247 биполярный транзистор на 200В 16А
    КТД8257(А-Г) ТО-220 npn 20     составной биполярный транзистор на 200В 20А
    КТД8278А ТО-220
    ТО-263
    npn 20     составной биполярный транзистор на 200В 20А
    КТ897Б ТО-218 npn 20     составной биполярный транзистор на 200В 20А
    КТ898Б ТО-218 npn 20     составной  транзистор на 200В 20А
    КТ867А ТО-3 npn 25     биполярный транзистор на 200В 25А
    КТ879А КТ-5 npn 50     биполярный транзистор на 200В 50А
    Транзисторы на напряжение до 250В:
    КТ605А,Б ТО-126 npn 0.1 (0.05) BF422 TO-92
    КТ940Б ТО-126 npn 0.1  
    КТ969А ТО-126 npn 0.1  
    КТ504В ТО-39 npn 1    
    2Т882В ТО-220 npn 1    
    КТ505Б ТО-39 pnp 1    
    2Т883Б ТО-220 pnp 1 2SA1837 TO-220FP
    КТ850А,Б ТО-220 npn 2    
    КТ851Б ТО-220 pnp 2    
    КТ855А ТО-220 pnp 5    
    КТ857А ТО-220 npn 7 (8) MJE15032 TO-220
    КТ844А ТО-3 npn 10    
    2Т862А,Б ТО-3 npn 15    
    Транзисторы на напряжение до 300В:
    КТ940А ТО-126 npn 0.1 (0.05) 2SC2482
    2SC5027
    BF820
    TO-92L
    TO-92L
    smd
    npn транзистор на 300В 0.1А
    КТ9115А ТО-126 pnp 0.1 (0.05) 2SA1091
    BF821
    TO-92
    smd
    pnp транзистор на 300В 0.1А
    КТ6105А ТО-92 npn 0.15     npn транзистор на 300В 0.1А
    КТ6104А ТО-92 pnp 0.15 2SA1371 TO-92L pnp транзистор на 300В 0.1А
    2Т882Б ТО-220 npn 1 (0.5) MJE340
    MPSA42
    TO-126
    TO-92
    npn транзистор на 300В 1А
    КТ504А ТО-39 npn 1 (1.5) MJE13002 TO-220 npn транзистор на 300В 1А
    Т505А ТО-39 pnp 1 (0.5) MJE350 TO-126
    2Т883А ТО-220 pnp 1    
    КТ8121Б ТО-220 npn 4     npn транзистор на 300В 3А
    КТ8258Б ТО-220 npn 4     npn транзистор на 300В 4А
    КТ842А ТО-3 pnp 5     на 300В 5А
    КТ8124В ТО-220 npn 7     npn транзистор на 300В 6А
    КТ8109А,Б ТО-220 npn 7     составной npn транзистор на 300В 7А
    КТД8262(А-В) ТО-220 npn 7     составной npn транзистор на 300В 7А
    КТ8259Б ТО-220 npn 8     npn транзистор на 300В 8А
    КТ854Б ТО-220 npn 10     npn транзистор на 300В 10А
    КТД8279(А-В) ТО-220
    ТО-218
    npn 10     составной транзистор на 300В 10А
    КТ892А,В ТО-3 npn 15     npn транзистор на 300В 15А
    КТ8260А ТО-220 npn 15     npn транзистор на 300В 15А
    КТД8252(А-Г) ТО-220
    ТО-218
    npn 15     составной npn транзистор на 300В 15А
    КТ890(А-В) ТО-218 npn 20     составной npn транзистор на 300В 20А
    КТ897А ТО-218 npn 20     составной npn транзистор на 300В 20А
    КТ898А ТО-218 npn 20     составной npn транзистор на 300В 20А
    КТ8232А,Б ТО-218 npn 20     составной npn транзистор на 300В 20А
    КТ8285А
    КТ8143Ш
    ТО-218
    ТО-3

    npn 30
    80
        мощный npn транзистор КТ8143 на напряжение 300В и ток 80А
    Транзисторы на напряжение до 400В:
    2Т509А ТО-39 pnp
    npn
    npn
    0.02 (0.5)
    0.2
    0.2
    2SA1625
    MPSA44
    MJE13001
    TO-92 npn транзистор на 400В 0.5А
    2Т882А ТО-220 npn 1 (1.5) MJE13003
    TIP50
    TO-220
    TO-220
    npn транзистор на 400В 1А
    КТ704Б,В   npn 2.5 (2) BUX84 TO-220 npn транзистор на 400В 2.5А
    КТ8121А ТО-220 npn 4     npn транзистор на 400В 3А
    КТ8258А ТО-220 npn 4 MJE13005 TO-220 npn транзистор на 400В 4А
    КТ845А ТО-3 npn 5 BUT11 TO-220 npn транзистор на 400В 5А
    КТ840А,Б ТО-3 npn 6 2SD1409 TO-220FP npn транзистор на 400В 6А
    КТ858А ТО-220 npn 7 2SC2335 TO-220 npn транзистор на 400В 7А
    КТ8124А,Б ТО-220 npn 7 2SC3039 TO-220 npn транзистор на 400В 7А
    КТ8126А ТО-220 npn 8 MJE13007 TO-220 npn транзистор на 400В 8А
    КТ8259А ТО-220 npn 8 2SC4834 TO-220FP npn транзистор на 400В 8А
    КТ8117А ТО-218 npn 10 2SC2625 TO-247 npn транзистор на 400В 9А
    КТ841Б ТО-3 npn 10 2SC3306 TO-3P npn транзистор на 400В 10А
    2Т862Г ТО-3 npn 10 2SC4138 TO-3P npn транзистор на 400В 10А
    2Т862В ТО-3 npn 10 (12) MJE13009
    2SC3042
    TO-220
    TO-3P
    биполярный транзистор на 400В 10А
    КТД8279А ТО-220
    ТО-218
    npn 10     составной транзистор на 400В 10А
    КТ834В ТО-3 npn 15     составной транзистор на 400В 15А
    КТ848А ТО-3 npn 15     транзистор на 400В 15А
    КТ892Б ТО-3 npn 15     npn транзистор на 400В 15А
    КТ8260Б ТО-220 npn 15     npn транзистор на 400В 15А
    КТ8285Б ТО-218
    ТО-3
    npn 30     npn транзистор на 400В 30А
    2Т885А ТО-3 npn 40     npn транзистор на 400В 40А
    Транзисторы на напряжение до 500В:
    КТ6107А ТО-92 npn 0.13     npn транзистор на 500В 0.1А
    КТ6108А ТО-92 pnp 0.13    
    КТ704А   npn 2.5 (1.5) 2SC3970 TO-220FP npn транзистор на 500В 2А
    КТ8120А ТО-220 npn 3 (5) BUL310 TO-220FP npn транзистор на 500В 3А
    КТ812Б ТО-3 npn 8   npn транзистор на 500В 8А
    КТ854А ТО-220 npn 10     npn транзистор на 500В 10А
    2Т856В ТО-3 npn 10     npn транзистор на 500В 10А
    КТ8260В ТО-220 npn 15     npn транзистор на 500В 15А
    КТ834А,Б ТО-3 npn 15     npn транзистор на 500В 15А
    ПИР-1 ТО-218 npn 20     npn транзистор на 500В 20А
    КТ8285В ТО-218
    ТО-3
    npn 30     npn транзистор на 500В 30А
    2Т885Б ТО-3 npn 40     npn транзистор на 500В 40А
    Транзисторы на напряжение до 600В:
    КТ888Б ТО-39 pnp 0.1     pnp транзистор на 600В 0.1А
    КТ506Б ТО-39 npn 2   npn транзистор на 600В 2А
    2Т884Б ТО-220 npn 2 (3) 2SC5249 TO-220FP npn транзистор на 600В 2А
    КТ887Б ТО-3 pnp 2 (1) 2SA1413 smd pnp транзистор на 600В 2А
    КТ828Б,Г ТО-3 npn 5 (6) 2SD2499
    2SD2498
    2SD1555
    TO-3PF
    TO-3PF
    TO-3PF
    строчный транзистор на 600В 5А
    КТ8286А ТО-218
    ТО-3
    npn 5 (8) 2SC5386 TO-3P ? строчный транзистор на 600В 5А
    КТ856А1,Б1 ТО-218 npn 10 ST1803 ISOW218 строчный транзистор на 600В 10А
    КТ841А,В ТО-3 npn 10 2SC5387 ISOW218 npn транзистор на 600В 10А
    КТ847А ТО-3 npn 15 (20) 2SC4706
    2SC5144
    TO-3P
    TO-247 ?
    мощный транзистор высоковольтный на 600В 15А
    КТ8144Б ТО-3 npn 25     мощный высоковольтный транзистор на 600В 25А
    КТ878В ТО-3 npn 30     мощный npn транзистор на 600В 30А
    Транзисторы на напряжение до 700В:
    КТ826(А-В) ТО-3 npn 1     npn транзистор на 700В 1А
    КТ8137А ТО-126 npn 1.5     npn транзистор на 700В 1.5А
    КТ887А ТО-3 pnp 2     pnp транзистор на 700В 2А
    КТ8286Б ТО-218
    ТО-3
    npn 5 npn транзистор на 700В 5А
    КТ8107(А-Г) ТО-220 npn 8 npn транзистор на 700В 8А
    КТ812А ТО-3 npn 10 BUh200 TO-220 высоковольтный транзистор на 700В 10А
    2Т856Б ТО-3 npn 10     npn транзистор на 700В 10А
    Транзисторы на напряжение до 800В:
    КТ506А ТО-39 npn 2     высоковольтный npn транзистор 800В 1А
    2Т884А ТО-220 npn 2     npn транзистор на 800В 2А
    КТ859А ТО-220 npn 3 2SC3150 TO-220 npn транзистор на 800В 3А
    КТ8118А ТО-220 npn 3 npn транзистор на 800В 3А
    КТ828А,В ТО-3 npn 5     npn транзистор на 800В 4А
    КТ8286В ТО-218
    ТО-3
    npn 5     npn транзистор на 800В 5А
    КТ868Б КТ-9 npn 6 (8) 2SC5002
    2SC4923
    TO-3PF
    TO-3PML
    высоковольтный транзистор на 800В 6А
    КТ8144А ТО-3 npn 25 2SC3998 TO-3PBL высоковольтный транзистор на 800В 25А
    КТ878Б ТО-3 npn 30 высоковольтный npn транзистор на 800В 30А
    Большая часть из приведенных здесь транзисторов на напряжение свыше 600В применяются в строчных развертках телевизоров и мониторов. В справочнике они расположены по пиковому напряжению коллектор-эмиттер. Если судить по графикам, то область безопасной работы у них, за редким исключением, не более 800В, а пиковое напряжение они держат лишь при соблюдении определенных условий.?
    Транзисторы на напряжение до 900В:
    КТ888А ТО-39 pnp 0.1     транзистор высоковольтный на 900В 0.1А
    КТ868А КТ-9 npn 6 (3) 2SC3979 TO-220 npn транзисторы высоковольтные на 900В 6А
    2Т856А ТО-3 npn 10     npn транзистор высоковольтный на 900В 10А
    КТ878А ТО-3 npn 30     высоковольтный npn транзистор на 900В 30А
    Транзисторы на напряжение до 1000-1500В:
    КТ838А ТО-3 npn 5 BU508 TO-3PF биполярный транзисторы высоковольтные на 1500В 5А
    КТ846А ТО-3 npn 5 BU2506 SOT-199 современный высоковольтный строчный транзистор на 1500В 5А
    КТ872А,Б ТО-218 npn 8 BU2508
    2SC5447
    TO-3PFM
    SOT-199
    современные высоковольтные транзисторы на 1500В 8А
    КТ886Б1 ТО-218 npn 8 (10) BU1508 TO-220 современный высоковольтный биполярный транзистор на 1000В 10А
    КТ839А ТО-3 npn 10 BU2520 TO-3PML современный биполярный высоковольтный транзистор на 1500В 10А
    КТ886А1 ТО-218 npn 10 (12) 2SC5270 TO3-PF современный высоковольтный npn транзистор на 1500В 10А
          npn 25 2SC5244
    2SC3998
    TOP-3L
    ТО-3PBL
    строчный транзистор на 1500В 25А
    Транзисторы на напряжение свыше 2000В
    2Т713А ТО-3 npn 3     транзистор высоковольтный на 2000В 3А
    КТ710А ТО-3 npn 5     npn транзистор высоковольтный на 2000В 5А

    Что такое транзистор NPN? Определение, виды и применение.

    Транзисторы

    NPN представляют собой тип биполярного транзистора с тремя слоями, которые используются для усиления сигнала. Это устройство, управляемое током. Отрицательно-положительно-отрицательный транзистор обозначается аббревиатурой NPN. Полупроводник p-типа сплавлен между двумя полупроводниковыми материалами n-типа в этой конфигурации.

    Он разделен на три секции: эмиттер, база и коллектор.В NPN-транзисторе поток электронов заставляет его проводить.

    Символ NPN:

    На следующей диаграмме показано символическое представление NPN-транзистора:

    Направление тока через устройство ясно показано направленной наружу стрелкой на выводе эмиттера в символическом представлении. Электроны составляют большинство носителей в NPN-транзисторах.

    Конструкция NPN-транзистора:

    Транзистор NPN построен двумя способами.

    Как мы уже знаем, транзисторы

    NPN образуются, когда полупроводниковый материал p-типа (кремний или германий) сплавлен между двумя полупроводниковыми материалами n-типа.

    Конструктивная структура NPN-транзистора изображена на схеме ниже:

    Транзистор NPN состоит из ряда различных компонентов.

    Он разделен на три секции: эмиттер, база и коллектор.

    Переход эмиттер-база — это область, которая соединяет эмиттер и базовую область.С другой стороны, соединение коллектор-база — это точка, где встречаются базовая и коллекторная области. Он функционирует как два диода с PN-переходом из-за наличия двух переходов между тремя областями.

    Уровни допинга в каждой из трех областей различаются. В эмиттерной области много легирования, в то время как в базовой области также много легирования. А уровень легирования коллекторной области умеренный, он находится где-то между эмиттерной и базовой областью. Его обратным является транзистор PNP, у которого P-область расположена между двумя областями N-типа.

    Стоит отметить, что переключение областей эмиттера и коллектора невозможно. Причина этого в том, что толщина коллекторной области немного больше эмиттерной. Так что можно рассеять больше энергии.

    Транзистор NPN рабочий:

    Давайте теперь посмотрим, как работает транзистор NPN.

    Когда к транзистору не приложено смещение или между его выводами нет батареи. Тогда это называется несмещенным состоянием транзистора.Мы уже говорили о том, как работает диод с PN переходом при отсутствии смещения. Как мы уже знаем, транзистор состоит из двух PN-переходов.

    В результате, при отсутствии смещения электроны в эмиттерной области начинают двигаться к базовой области из-за изменений температуры. Однако по прошествии определенного времени на переходе эмиттер-база транзистора образуется обедненная область. Только около 5% электронов соединяются с дырками в этой области после достижения базовой области, в то время как остальные дрейфуют через область коллектора.Точно так же через некоторое время на переходе база-коллектор транзистора образуется область истощения.

    Стоит отметить, что толщина обедненной области определяется концентрацией легирования материала. Иными словами, в случае слаболегированной области ширина обедненной области будет больше, чем в случае сильно легированной области. Вот почему ширина обеднения на переходе коллектор-база шире, чем на переходе эмиттер-база.Эти две области истощения служат потенциальным камнем преткновения для любого дальнейшего потока основных носителей.

    На следующей диаграмме показано смещенное состояние NPN-транзистора:

    Ширина обедненной области, также называемой PN-переходом, сужается в результате прямого приложенного напряжения на переходе эмиттер-база. Точно так же ширина перехода коллектор-база увеличивается за счет обратного приложенного напряжения. Вот почему, по сравнению с переходом коллектор-база на предыдущем рисунке, переход эмиттер-база имеет тонкую обедненную область.

    Электроны начинают инжектировать в область эмиттера в результате приложенного вперед напряжения VBE. Электроны в этой области обладают достаточной энергией, чтобы преодолеть барьерный потенциал перехода эмиттер-база и достичь базовой области.

    Движение носителей заряда в NPN-транзисторе показано на диаграмме ниже:

    Потому что базовая область очень тонкая и легированная. В результате только несколько электронов соединяются с дырками, когда достигают места назначения.Из-за сильного электростатического поля электроны начинают дрейфовать в области коллектора из-за очень тонкой области базы и обратного напряжения на переходе коллектор-база. В результате эти электроны теперь собираются на выводе коллектора транзистора. Электроны начинают двигаться к коллектору, поскольку рекомбинированные дырки и электроны отделяются друг от друга. В результате этого движения через устройство также протекает очень небольшой базовый ток. Вот почему ток эмиттера равен сумме токов базы и коллектора. IE = IB + IC

    Применения диода NPN:

    Транзисторы с диодами NPN (NPN) используются во множестве,

    1. Высокочастотные приложения используют их.
    2. Коммутационные приложения — это области, где чаще всего используются NPN-транзисторы.
    3. Этот компонент используется в схемах усиления.
    4. Для усиления слабых сигналов используется в парных схемах Дарлингтона.
    5. Транзисторы
    6. NPN используются в приложениях, где требуется приемник тока.
    7. Некоторые классические схемы усилителя, такие как «двухтактные» схемы усилителя, используют этот компонент.
    8. Например, в датчиках температуры.
    9. Приложения с чрезвычайно высокой частотой.
    10. В логарифмических преобразователях используется эта переменная.
    11. Потому что усиление сигнала осуществляется на транзисторах NPN. В усилительных схемах он используется именно так.
    12. Логарифмические преобразователи — еще одна область, где он используется.
    13. Коммутационная характеристика NPN-транзистора — одно из его самых значительных преимуществ. В результате он обычно используется при переключении приложений.

    NPN транзисторы термины, которые важно знать:

    Область эмиттера: Это самая большая часть структуры, которая больше, чем базовая область, но меньше, чем область коллектора. В нем много допинга. Он используется для переноса основных носителей в базовую область, которыми являются электроны.Это область с прямым смещением, что означает, что она всегда имеет прямую смещенную область базовой области.

    Область основания: Область основания расположена в середине конструкции. По сравнению с областями эмиттера и коллектора транзистора, он имеет небольшую область. Он слегка легирован, чтобы гарантировать минимальную рекомбинацию и высокий ток на коллекторе.

    Область коллектора: Это крайняя правая секция структуры, и ее функция суммируется в ее названии: она собирает носители, передаваемые базовой областью.По сравнению с базовой областью, эта область получает обратное смещение.

    Что такое транзистор NPN? — Определение, строительство и работа

    Определение: Транзистор, в котором один материал p-типа помещен между двумя материалами n-типа, известен как NPN-транзистор . NPN-транзистор усиливает слабый сигнал , поступающий на базу, и производит сильные сигналы усиления на конце коллектора. В NPN-транзисторе направление движения электрона — от эмиттера к области коллектора , из-за чего ток составляет в транзисторе.Такой тип транзисторов чаще всего используется в схеме, потому что их основными носителями заряда являются электроны, которые имеют большую подвижность по сравнению с дырками.

    Конструкция NPN-транзистора

    NPN-транзистор имеет два диода, соединенных спина к спине. Диод на левой стороне называется диодом эмиттер-база, а диоды на левой стороне — диодом коллектор-база. Эти имена даны согласно названиям терминалов.

    NPN-транзистор имеет три вывода: эмиттер, коллектор и базу.Средняя часть NPN-транзистора слегка легирована, и это наиболее важный фактор работы транзистора. Эмиттер умеренно легирован, а коллектор сильно легирован.

    Схема

    NPN транзистора

    Принципиальная схема NPN-транзистора показана на рисунке ниже. Коллектор и база соединены с обратным смещением, в то время как эмиттер и база соединены с прямым смещением. Коллектор всегда подключен к положительному источнику питания, а база — к отрицательному источнику питания для управления состояниями ВКЛ / ВЫКЛ транзистора.

    Работа транзистора NPN

    Принципиальная схема NPN-транзистора показана на рисунке ниже. Прямое смещение применяется к переходу эмиттер-база, а обратное смещение применяется к переходу коллектор-база. Напряжение прямого смещения V EB мало по сравнению с напряжением обратного смещения V CB .

    Эмиттер NPN-транзистора сильно легирован. Когда к эмиттеру прикладывается прямое смещение, основные носители заряда движутся к базе.Это вызывает ток эмиттера I E . Электроны входят в материал P-типа и соединяются с отверстиями.

    База NPN-транзистора слегка легирована. Благодаря этому только несколько электронов объединяются, а оставшиеся составляют базовый ток I B . Этот базовый ток входит в область коллектора. Обратный потенциал смещения области коллектора прикладывает высокую силу притяжения к электронам, достигающим коллекторного перехода. Таким образом притягивают или собирают электроны на коллекторе.

    В базу вводится весь ток эмиттера. Таким образом, можно сказать, что ток эмиттера складывается из тока коллектора и базы.

    Различия между транзисторами NPN и PNP и их создание

    Как p-n-p, так и n-p-n транзисторы являются основными транзисторами, которые подпадают под категорию транзисторов с биполярным переходом. Они используются в различных схемах усиления и схемах модуляции. Наиболее частым из его применений является режим полного включения и выключения, называемый переключателем.

    Транзисторы NPN и PNP представляют собой транзисторы с биполярным переходом и являются основным электрическим и электронным компонентом, который используется для создания многих электрических и электронных проектов. В работе этих транзисторов участвуют как электроны, так и дырки. Транзисторы PNP и NPN допускают усиление тока. Эти транзисторы используются как переключатели, усилители или генераторы. Транзисторы с биполярным переходом можно найти в большом количестве в виде частей интегральных схем или в виде дискретных компонентов.В транзисторах PNP основными носителями заряда являются дырки, тогда как в транзисторах NPN электроны являются основными носителями заряда. Но полевые транзисторы имеют только один тип носителя заряда.

    В основе формирования этих транзисторов лежат диоды с p-n переходом. Как и в транзисторах n-p-n, n-типы являются в большинстве своем, поэтому они включают избыточное количество электронов в качестве носителей заряда. В p-n-p транзисторах есть два p-типа, в результате чего большинство носителей заряда представляют собой дырки.

    Основное различие между транзисторами NPN и PNP заключается в том, что транзистор NPN включается, когда ток течет через базу транзистора. В этом типе транзистора ток течет от коллектора (C) к эмиттеру (E). Транзистор PNP включается, когда на базе транзистора нет тока. В этом транзисторе ток течет от эмиттера (E) к коллектору (C). Таким образом, зная это, транзистор PNP включается низким сигналом (земля), а транзистор NPN включается высоким сигналом (током). .

    Различия между транзисторами NPN и PNP и их изготовление

    Транзистор PNP

    Транзистор PNP — это транзистор с биполярным переходом; В транзисторе PNP первая буква P указывает полярность напряжения, необходимого для эмиттера; вторая буква N указывает полярность цоколя. Работа транзистора PNP полностью противоположна работе транзистора NPN. В транзисторах этого типа большинство носителей заряда — дырки. По сути, этот транзистор работает так же, как транзистор NPN.Материалы, которые используются для изготовления выводов эмиттера, базы и коллектора в транзисторе PNP, отличаются от материалов, используемых в транзисторе NPN. Схема смещения транзистора PNP показана на рисунке ниже. Клеммы база-коллектор PNP-транзистора всегда имеют обратное смещение, поэтому для коллектора необходимо использовать отрицательное напряжение. Следовательно, вывод базы PNP-транзистора должен быть отрицательным по отношению к выводу эмиттера, а коллектор должен быть отрицательным, чем база.

    Изготовление транзистора PNP

    Конфигурация транзистора PNP показана ниже. Характеристики транзисторов PNP и NPN аналогичны, за исключением того, что смещение направления напряжения и тока меняются местами для любой из трех возможных конфигураций, таких как общая база (CB), общий эмиттер (CE) и общий коллектор (CC). .Напряжение между базой и выводом эмиттера VBE отрицательное на выводе базы и положительное на выводе эмиттера, потому что для транзистора PNP вывод базы всегда смещен отрицательно по отношению к эмиттеру.Кроме того, напряжение эмиттера положительно по отношению к коллектору (VCE).

    Источники напряжения подключены к транзистору PNP, который показан на рисунке. Эмиттер подключен к Vcc с помощью RL, этот резистор ограничивает максимальный ток, протекающий через устройство, которое подключено к клемме коллектора. Базовое напряжение VB подключено к базовому резистору RB, который смещен отрицательно по отношению к эмиттеру. Чтобы ток базы протекал через PNP-транзистор, клемма базы должна быть более отрицательной, чем клемма эмиттера, примерно на 2,8%.0,7 В или устройство Si.

    Основное различие между PNP и PN-транзисторами заключается в правильном смещении переходов транзистора; направления тока и полярности напряжения всегда противоположны друг другу.

    Основы P-N-P

    Транзисторы p-n-p сформированы с n-типом, присутствующим между p-типами. Большинство носителей, ответственных за генерацию тока, в этом транзисторе являются дырками. Рабочая операция аналогична работе n-p-n.Но приложения напряжений или токов с точки зрения полярности различаются.

    Транзистор NPN

    Транзистор NPN представляет собой транзистор с биполярным переходом. В транзисторе NPN первая буква N указывает отрицательно заряженный слой материала, а P указывает положительно заряженный слой. Эти транзисторы имеют положительный слой, расположенный между двумя отрицательными слоями. Транзисторы NPN обычно используются в схемах для переключения, усиления электрических сигналов, которые проходят через них.Эти транзисторы содержат три вывода, а именно базу, коллектор и эмиттер, и эти выводы соединяют транзистор с печатной платой. Когда ток протекает через NPN-транзистор, клемма базы транзистора принимает электрический сигнал, коллектор создает более сильный электрический ток, чем тот, который проходит через базу, а эмиттер передает этот более сильный ток на остальную часть схемы. В этом транзисторе ток течет через вывод коллектора к эмиттеру.

    Обычно этот транзистор используется потому, что его очень легко изготовить. Для правильной работы NPN-транзистора он должен быть сформирован из полупроводникового материала, который пропускает электрический ток, но не в максимальном количестве, как у очень проводящих материалов, таких как металл. «Si» — один из наиболее часто используемых полупроводников, а транзисторы NPN — самые простые транзисторы, которые можно сделать из кремния. Применение транзистора NPN находится на печатной плате компьютера. Компьютеры нуждаются в том, чтобы вся их информация была переведена в двоичный код, и этот процесс достигается с помощью множества маленьких переключателей на печатных платах компьютеров.Для этих переключателей можно использовать транзисторы NPN. Мощный электрический сигнал включает переключатель, а отсутствие сигнала выключает его.

    Изготовление транзистора NPN

    Конструкция транзистора NPN показана ниже. Напряжение на выводе базы положительное, а на выводе эмиттера — отрицательное из-за транзистора NPN. Вывод базы всегда положительный по отношению к выводу эмиттера, а также напряжение питания коллектора положительно относительно вывода эмиттера.В NPN-транзисторе коллектор подключен к VCC через нагрузочный резистор RL. Этот нагрузочный резистор ограничивает ток, протекающий через максимальный ток базы. В этом транзисторе движение электронов через вывод базы, составляющее действие транзистора. Основная особенность действия транзистора — связь между входной и выходной цепями. Потому что усилительные свойства транзистора проистекают из последующего управления, которое база применяет к коллектору для эмиттерного тока.

    Транзистор — это устройство, работающее от тока. Когда транзистор включен, большой ток IC протекает между коллектором и эмиттером внутри транзистора. Однако это происходит только тогда, когда через базовый вывод транзистора протекает небольшой ток смещения Ib. Это биполярный транзистор NPN; ток — это отношение этих двух токов (Ic / Ib), которое называется усилением постоянного тока устройства и обозначается символом «hfe» или в настоящее время бета. Значение бета может быть большим, вплоть до 200 для стандартных транзисторов, и именно это соотношение между Ic и Ib делает транзистор полезным усилителем.Когда этот транзистор используется в активной области, то Ib обеспечивает вход, а Ic обеспечивает выход. Бета не имеет единиц, так как это соотношение.

    Коэффициент усиления транзистора по току от коллектора до эмиттера называется альфа, то есть Ic / Ie, и он является функцией самого транзистора. Поскольку ток эмиттера Ie является суммой небольшого тока базы и большого тока коллектора, значение альфа очень близко к единице, а для типичного сигнального транзистора малой мощности это значение находится в диапазоне примерно от 0.950 до 0,999.

    Разница между NPN и PNP транзисторами:

    Транзисторы с биполярным переходом представляют собой трехконтактные устройства, изготовленные из легированных материалов, часто используемых в приложениях для усиления и переключения. По сути, в каждом BJT есть пара диодов с PN переходом. Когда пара диодов соединяется, образуется сэндвич, который помещает полупроводник между двумя этими типами. Таким образом, существует только два типа биполярных сэндвичей, а именно PNP и NPN.В полупроводниках NPN имеют характерно более высокую подвижность электронов по сравнению с подвижностью дырок. Следовательно, он пропускает большой ток и работает очень быстро. Кроме того, этот транзистор легко сделать из кремния.

    • Транзисторы PNP и NPN состоят из разных материалов, и ток в этих транзисторах также отличается.
    • В транзисторе NPN ток течет от коллектора (C) к эмиттеру (E), тогда как в транзисторе PNP ток течет от эмиттера к коллектору.
    • Транзисторы PNP состоят из двух слоев материала P с зажатым слоем N. Транзисторы NPN состоят из двух слоев материала N и зажаты одним слоем материала P.
    • В транзисторе NPN положительное напряжение подается на вывод коллектора для создания потока тока от коллектора к транзистору PNP положительное напряжение подается на вывод эмиттера для создания потока тока от эмиттера к коллектору.
    • Принцип работы NPN-транзистора таков, что когда вы увеличиваете ток на выводе базы, транзистор включается, и он полностью проводит от коллектора к эмиттеру.Когда вы уменьшаете ток на клемме базы, транзистор включается меньше, и пока ток не станет настолько низким, транзистор больше не будет проводить через коллектор к эмиттеру и выключится.
    • Принцип работы PNP-транзистора таков, что при наличии тока на базовом выводе транзистора транзистор закрывается. Когда на клемме базы транзистора PNP нет тока, транзистор включается.

    Это все о разнице между транзисторами NPN и PNP, которые используются для создания многих электрических и электронных проектов.Кроме того, любые вопросы, касающиеся этой темы или проектов в области электротехники и электроники, вы можете оставить, оставив комментарий в разделе комментариев ниже.

    Сравнение транзисторов N-P-N и P-N-P

    1). В этом присутствует большинство n-типов.
    1). В нем присутствует большинство материалов p-типа.

    2). Большинство концентраций носителей — электроны.
    2). Большинство концентраций носителей в транзисторах этого типа — дырочные.

    3). В этом случае, если на клеммную базу подается повышенный ток, транзистор переключается в режим ВКЛ.
    3). В этом случае при малых значениях токов транзистор включен. В противном случае при больших значениях токов транзисторы выключены.

    4). Символьное представление транзистора n-p-n:

    Символ транзистора N-P-N

    4). Символьное представление транзистора p-n-p:

    Символ транзистора P-N-P

    5).В транзисторе n-p-n протекание тока очевидно от коллектора к выводам эмиттера.
    5). В p-n-p-транзисторе поток тока можно увидеть от выводов эмиттера к коллектору.

    6). В этом транзисторе стрелка указывает.
    6). В этом транзисторе стрелка всегда указывает внутрь.

    Стрелки на транзисторах n-p-n и p-n-p показывают основные различия между транзисторами. Стрелка в n-p-n направлена ​​в сторону эмиттера, тогда как для p-n-p стрелка направлена ​​в обратном направлении.В обоих случаях стрелка указывает направление потока тока.

    Следовательно, конструкция n-p-n и p-n-p проста. Управление будет таким же, но полярности смещения будут разными. Теперь, после обсуждения основ n-p-n и p-n-p, можете ли вы сказать, какой из них предпочтительнее во время амплификации и почему?

    Фото:

    • Транзистор NPN и PNP от ggpht
    • Транзистор PNP от wikimedia
    • Изготовление транзистора PNP с помощью руководств по электронике

    Транзистор NPN

    NPN транзистор

    Когда единственный р-тип полупроводниковый слой зажат между двумя n-типами полупроводниковых слоев формируется npn-транзистор.

    NPN символ транзистора

    символ цепи и диод Аналог npn-транзистора показан на рисунке ниже.

    В На рисунке выше показано, что электрическая ток всегда течет из p-области в n-область.

    NPN транзистор конструкция

    npn-транзистор состоит из трех полупроводниковых слоев: одного полупроводниковый слой p-типа и два полупроводника n-типа слои.

    Слой полупроводника p-типа зажат между двумя полупроводниковые слои.

    npn-транзистор имеет три вывода: эмиттер, база и коллекционер. Вывод эмиттера подключается к левой стороне слой n-типа. Клемма коллектора подключается справа боковой слой n-типа. Базовый терминал подключается к слой р-типа.

    npn-транзистор имеет два p-n переходы. Между эмиттером образуется один стык. и база. Этот переход называется переходом эмиттер-база или эмиттерный переход. Другой стык образуется между база и коллектор. Это соединение называется коллекторно-базовым. переход или коллекторный переход.

    Рабочий транзистора npn

    Беспристрастный npn транзистор

    Когда нет напряжения применяется к транзистору, он называется несмещенным транзистор.Слева n-область (эмиттер) и справа n-регион (коллектор), бесплатно электроны — основные носители, а дырки — неосновные носители, тогда как в p-области (основание) дырки являются основные носители и свободные электроны составляют меньшинство перевозчики.

    ср знать, что носители заряда (свободные электроны и дырки) всегда старайтесь перейти от области более высокой концентрации к более низкой область концентрации.

    Для свободные электроны, n-область — область более высокой концентрации а p-область — область более низкой концентрации. Аналогично для дырок, p-область — область более высокой концентрации и n-область — область более низкой концентрации.

    Следовательно, в свободные электроны в левой n-области (эмиттер) и справа боковая n-область (коллектор) испытывает силу отталкивания от друг с другом.В результате свободные электроны слева а правые боковые n-области (эмиттер и коллектор) переместятся в p-область (основание).

    Во время В этом процессе свободные электроны встречаются с дырками в p-область (основание) возле стыка и залейте им. Как результат, истощение область (положительные и отрицательные ионы) формируется на эмиттер к переходу базы и переход от базы к коллектору.

    в эмиттер к базовому переходу, область обеднения пронизана аналогично, ближе к основанию; на базе коллекционеру переход, область истощения проникает больше в сторону базовая сторона.

    Это потому что на переходе эмиттер-база эмиттер сильно легирован, а основание слегка легировано, поэтому обедненная область проник больше в сторону основания и меньше в сторону сторона эмиттера.Точно так же на переходе от базы к коллектору коллектор сильно легирован, а основание слегка легировано, поэтому область истощения проникает больше к основанию и меньше в сторону коллектора.

    коллекционер область слабо легирована, чем область эмиттера, поэтому ширина обедненного слоя на стороне коллектора больше ширина обедненного слоя на стороне эмиттера.

    Почему истощение область проникает больше к слаболегированной стороне, чем сильно легированная сторона?

    ср знать, что легирование — это процесс добавления примесей в собственный полупроводник для улучшения его электрических проводимость. Электропроводность полупроводника это зависит от добавленного к нему уровня допинга.

    Если полупроводниковый материал сильно легирован, его электрические проводимость очень высокая. Это означает, что сильно допированный полупроводниковый материал имеет большое количество носителей заряда которые проводят электрический ток.

    Если полупроводниковый материал слегка легирован, его электрические проводимость очень низкая. Это означает, что слегка допированный полупроводниковый материал имеет небольшое количество носителей заряда которые проводят электрический ток.

    ср знать, что в полупроводнике n-типа свободные электроны являются основные носители заряда и дырки являются неосновным зарядом перевозчики.

    В npn-транзистор, левая сторона n-области (эмиттер) сильно допированный. Таким образом, у эмиттера большое количество свободных электронов.

    ср знать, что в полупроводнике p-типа дырки составляют большинство носители заряда и свободные электроны являются неосновным зарядом перевозчики.

    p-область (база) слабо легирована. Так что база имеет небольшой количество отверстий.

    правая сторона n-области (коллектор) умеренно легирована. Его уровень легирования находится между уровнем эмиттера и базы.

    Когда атом теряет или отдает электрон, становится положительным ионом. С другой стороны, когда атом получает или принимает электрон, он становится отрицательным ионом.

    атомы, которые отдают электроны, известны как доноры, а атомы которые принимают электроны, известны как акцепторы.

    Излучатель-база стыковка:

    Пусть Предположим, что в левой n-области (эмиттере) каждый атом имеет три свободных электрона, а в p-области каждый атом имеет одну дырку.

    Во время распространение процесса, свободные электроны движутся от эмиттера (n-область) к базе (p-область).Точно так же отверстия перемещаются от основания (p-область) к эмиттеру (n-область).

    в эмиттер-база переход, когда атомы n-области (эмиттера) встречаются с p-областью (основные) атомы, каждый атом n-области отдает три свободных электрона к трем атомам p-области. В результате n-область (эмиттер) атом, отдающий три свободных электрона, станет положительным ион и три атома p-области (основания), которые принимают (каждый принять один свободный электрон) три свободных электрона станут отрицательные ионы.Таким образом, каждый положительный ион n-области (эмиттера) производит три отрицательных иона p-области (основания).

    Следовательно, в область истощения на переходе эмиттер-база содержит больше отрицательные ионы, чем положительные. Отрицательные ионы находятся в p-области (основании) вблизи перехода и положительных ионов находятся в n-области (эмиттере) рядом с переходом.

    Следовательно, в область истощения проникает больше в p-область (база), чем n-область (эмиттер).

    База-коллектор стыковка:

    Пусть Предположим, что в правой части n-области (коллектора) каждый атом имеет два свободных электрона, а в p-области каждый атом имеет по одному отверстие.

    Во время процесс диффузии, свободные электроны движутся от коллектора (n-область) к основанию (p-область).Точно так же дыры перемещаются из база (p-область) к коллектору (n-область).

    в сборщик базы переход, когда атомы n-области (коллектора) встречаются с атомы p-области (основания), каждый атом n-области (коллектор) отдает два свободных электрона на два атома p-области (основания). Как результат, атом n-области (коллектор), отдающий два свободных электрона станет положительным ионом, и два атома p-области (основания) который принимает (каждый принимает один свободный электрон) два свободных электроны станут отрицательными ионами.Таким образом, каждая n-область (коллектор) положительный ион производит две p-области (основание) отрицательных ионы.

    Следовательно, в область истощения на стыке база-коллектор содержит больше отрицательные ионы, чем положительные. Отрицательные ионы находятся в p-области (основании) вблизи перехода и положительных ионов находятся в n-области (коллектор) рядом с переходом.

    Следовательно, в область истощения проникает больше в p-область (база), чем n-регион (коллектор).

    Однако ширина обедненного слоя на стороне коллектора более ширина обедненного слоя на стороне эмиттера. Это потому, что коллекторная область слабо легирована, чем эмиттерная.

    предвзято npn транзистор

    Когда внешний напряжение подается на транзистор npn, это называется смещенный npn-транзистор.В зависимости от полярности приложенное напряжение, npn Транзистор может работать в трех режимах: активный режим, режим отсечки и режим насыщения.

    npn-транзистор часто работает в активном режиме, потому что в В активном режиме npn-транзистор усиливает электрический ток.

    Так Давайте посмотрим, как работает npn-транзистор в активном режиме.

    Пусть Рассмотрим транзистор npn, как показано на рисунке ниже. В На приведенном ниже рисунке переход эмиттер-база смещен в прямом направлении. постоянным напряжением V EE и переходом база-коллектор имеет обратное смещение постоянным напряжением V CC .

    Излучатель-база стыковка:

    Срок к прямому смещению большое количество свободных электронов в левая сторона n-области (излучатель) испытывает силу отталкивания от отрицательный полюс батареи постоянного тока, а также они испытать силу притяжения от положительного полюса батарея.В результате свободные электроны начинают течь. от эмиттера к базе. Аналогичным образом отверстия в основании испытать отталкивающую силу от положительного вывода аккумулятор, а также испытать силу притяжения от отрицательная клемма аккумуляторной батареи. В итоге дыры начинаются течет от базы к эмиттеру.

    Срок к приложенному внешнему напряжению каждый атом эмиттера имеет больше чем один или два свободных электрона.Следовательно, каждый атом-эмиттер жертвует более одного или двух свободных электронов более положительным ионы. В результате положительные ионы становятся нейтральными. Точно так же каждый базовый атом принимает большее количество электронов. от большего количества отрицательных ионов. В результате отрицательные ионы становятся нейтральный. Мы знаем, что область истощения — это не что иное, как комбинация положительных и отрицательных ионов.

    Таким образом, ширина обеднения на переходе эмиттер-база уменьшается на приложение напряжения прямого смещения.

    ср знайте, что электрический ток означает поток носителей заряда. В свободные электроны (отрицательные носители заряда) текут от эмиттера к база, в то время как дырки (носители положительного заряда) текут из базы к эмитенту.Эти носители заряда проводят электрический ток. Однако обычные Текущее направление совпадает с направлением отверстий.

    Таким образом, электрический ток течет от базы к эмиттеру.

    База-коллектор стыковка:

    Срок к обратному смещению большое количество свободных электронов в правая сторона n-области (коллектор) испытывает силу притяжения от положительной клеммы аккумуляторной батареи.Следовательно, бесплатные электроны удаляются от перехода и текут к положительный полюс аккумуляторной батареи. В результате большое количество нейтральных атомов коллектора теряет электроны и становится положительные ионы. С другой стороны, дырки в p-области (основание) испытать силу притяжения с отрицательного полюса батарея. Следовательно, отверстия удаляются от стыка и течь к отрицательной клемме аккумулятора.Как В результате большое количество нейтральных основных атомов приобретает электроны и становится отрицательными ионами.

    Таким образом, ширина обедненной области увеличивается у базы-коллектора соединение. Другими словами, количество положительных и отрицательных ионов увеличивается на переходе база-коллектор.

    Коллектор-база-эмиттер текущий:

    свободные электроны, которые текут от эмиттера к базе из-за прямое смещение будет сочетаться с отверстиями в основании.Тем не мение, основа очень тонкая и слегка легированная. Так что только небольшой процент свободных электронов эмиттера объединяется с дырками в базовом регионе. Оставшееся большое количество бесплатных электроны пересекут базовую область и достигнут коллекторский регион. Это связано с положительным напряжением питания. применяется у коллекционера. Следовательно, свободные электроны текут из эмиттера. коллекционеру.На коллекторе оба эмиттера свободные электроны и электроны, свободные от коллектора, производят ток, протекая к положительной клемме аккумулятора. Следовательно, на выходе вырабатывается усиленный ток.

    В npn-транзистор, электрический ток в основном проводится через свободные электроны.

    Транзистор

    NPN: определение и уравнения — стенограмма видео и урока

    Что такое транзистор NPN?

    NPN-транзистор представляет собой полупроводниковую деталь, в которой положительно заряженная P-область зажата между двумя отрицательно заряженными N-областями, что дает нам устройство с тремя отдельными областями и двумя PN-переходами:

    • Переход эмиттер-база (EBJ) : В этом типе PN-перехода область очень отрицательно легированного эмиттера встречается с положительно легированным основанием.
    • Переход коллектор-база (CBJ) : В этом типе PN перехода отрицательно легированная область коллектора встречается с более положительно легированной базой.

    Мы можем представить себе NPN-транзистор как комбинацию двух диодов, направленных друг от друга. Другими словами, аноды двух диодов соединены в основании. Отличная мнемоника, чтобы запомнить, в каком направлении обращены диоды в NPN-транзисторе, — это « N или P или N ».

    Как работает транзистор NPN?

    Символ транзистора NPN показывает стрелку от базы к эмиттеру. Это означает, что ток течет от коллектора через базу в эмиттер. Чтобы понять, как именно работает NPN-транзистор, давайте проследим за транзистором в активном прямом режиме.

    Примечание. В процессе описания помните, что ток определяется как поток положительного заряда. Хотя теперь мы знаем, что движение электронов вызывает протекание тока, исторически считалось, что этот ток вызван движением положительных зарядов.

    Напряжения

    Начнем с коллектора и разберемся. При использовании внешнего источника напряжения переход коллектор-база имеет обратное смещение, что означает, что коллектор удерживается под более высоким потенциалом, чем база — (VCB). Напряжение на C больше, если сравнивать с B. Поскольку оно имеет обратное смещение, диффузия электронов не происходит, и между двумя выводами не протекает ток.

    Примечание. Простой способ проверить, смещен ли диод в прямом направлении, — это проверить, подключен ли положительный вывод источника напряжения к P-области диода.Если он подключен к N-области, то соединение смещено в обратном направлении.

    Переход база-эмиттер смещен в прямом направлении, поэтому напряжение, приложенное к базе, выше, чем на эмиттере — VBE. Обычно VBE для кремниевого NPN-транзистора составляет 0,7 В, а для германиевого транзистора — 0,3 В.

    Токи

    Электроны с отрицательной клеммы источника напряжения VBE выталкивают электроны в эмиттер (N-область) вниз по градиенту диффузии в базу. . Поскольку эмиттер сильно легирован, он имеет много электронов, которые диффундируют в базу.

    В то же время дырки перетекают из положительного вывода источника напряжения VBE в базу (P-область). Эти отверстия проталкивают отверстия рядом с переходом эмиттер-база, чтобы начать диффузию в эмиттер. Потоки электронов и дырок между переходом база-эмиттер становятся током эмиттера (IE). Очень небольшое количество электронов, которые диффундируют в базу, уходят через вывод базы, вызывая ток базы (IB).

    Некоторые электроны, которые диффундировали в базу из эмиттера, рекомбинируют с дырками в базе, но большинство из них проходят через тонкую базу и быстро уносятся в коллектор из-за электрического поля на переходе база-коллектор.Этот поток электронов и есть ток коллектора (IC).

    Токи, которые входят в транзистор через коллектор и базу, складываются в ток, уходящий через эмиттер:

    IE = IC + IB

    Коэффициент усиления по току

    Только очень небольшое количество электронов, попадающих в базу из эмиттер выходит через вывод базы как IB, поэтому большая часть электронов достигает коллектора. Напряжение прямого смещения VBE определяет, сколько тока проходит через него. Чем выше напряжение, тем больше электронов течет из эмиттера через базу в коллектор.

    Мы можем определить коэффициент усиления транзистора по постоянному току (β), используя уравнение:

    β = IC / IB

    Мы получаем лучшее β, когда верно следующее:

    • Эмиттер сильно легирован
    • База тонкая
    • База слаболегированная

    Мы также можем рассчитать коэффициент усиления тока от коллектора к эмиттеру (α), используя уравнение:

    α = IC / IE

    Объединив эти два уравнения, мы получаем

    β = α / (1-α)

    α = β / (β + 1)

    Резюме урока

    Давайте уделим несколько минут, чтобы рассмотреть, что мы узнали о транзисторах NPN, как их определения, так и уравнения.NPN-транзистор представляет собой полупроводниковое устройство с тремя отдельными областями: P-область, зажатая между двумя N-областями. Мы узнали, что это тип биполярного транзистора (BJT) , который используется для управления током, протекающим через цепи.

    Мы также узнали, что существует два типа PN-переходов:

    • Emitter-base junction (EBJ) : В этом типе PN-перехода очень отрицательно легированная эмиттерная область встречается с положительно легированной базой.
    • Переход коллектор-база (CBJ) : В этом типе PN перехода отрицательно легированная область коллектора встречается с более положительно легированной базой.

    В активном режиме VCB смещает в обратном направлении переход коллектор-база, в то время как VBE смещает в прямом направлении переход эмиттер-база, заставляя электроны в эмиттере диффундировать через базу в эмиттер.

    Результирующий ток определяется как:

    IE = IC + IB

    Коэффициент усиления постоянного тока транзистора определяется как:

    β = IC / IB

    , а коэффициент усиления по току от коллектора к эмиттеру составляет:

    α = IC / IE

    Что такое транзистор NPN? Конструкция, работа и применение BJT

    Транзистор NPN — Конструкция транзистора BJT, работа и применение в качестве инвертора, коммутации и усилителя

    Когда третий легированный элемент добавляется к диоду таким образом, что образуются два PN-перехода, в результате устройство называется транзистором.Транзисторы меньше электронных ламп и были изобретены Дж. Барденом и У. Браттейн из Bell Laboratories, США.

    Полезно знать: Название Transistor происходит от комбинации двух слов, например: Transfer и Resistance = Transistor . Другими словами, транзистор передает сопротивление от одного конца к другому. Короче говоря, транзистор имеет высокое сопротивление на входе и низкое сопротивление на выходе.

    Что такое транзистор NPN?

    Конструкция транзистора NPN осуществляется, как следует из названия, путем использования полупроводникового материала P-типа и размещения его между двумя полупроводниковыми материалами N-типа. На самом деле слой P-типа тонкий. У этого транзистора есть выводы, известные как эмиттер, база и коллектор.

    A BJT ( Bipolar Junction Transistor ) представляет собой устройство , состоящее из двух соединенных спина к спине диодов PN-перехода, имеющих три вывода, а именно эмиттер, коллектор и базу.

    Название транзистора происходит от « Transfer of Resistance », т.е. он преобразует и передает внутреннее сопротивление с низкого сопротивления эмиттер-база на высокое сопротивление цепи коллектор-база.

    Принципиальная схема транзистора NPN показана на рисунке выше. Напряжение между выводами baes и эмиттером называется V BE , и оно более положительно на базе, чем на эмиттере, потому что для транзистора NPN выводы базы должны быть выше по потенциалу, чем эмиттер.

    Также есть представление напряжения между коллектором и эмиттером, оно обозначено как V CE , и это напряжение является положительным по отношению к эмиттеру. Короче говоря, транзистор NPN проводит, когда клемма коллектора находится под более высоким потенциалом, чем база и эмиттер. Подобно транзистору PNP, этот транзистор NPN также является устройством с контролем тока.

    Транзистор имеет три секции легированных полупроводников. С одной стороны эмиттер, а с другой — коллектор, а база находится между ними.Средняя часть называется базой. Он образует два вышеупомянутых PN-перехода между эмиттером и коллектором.

    Эмиттер:

    Одна секция, которая снабжает носители заряда, называется эмиттером. Для подачи большого количества носителей заряда эмиттер всегда смещен в прямом направлении по сравнению с базой.

    База:

    Средняя часть транзистора, которая образует два PN-перехода между эмиттером и коллектором, называется базой.Переход база-эмиттер смещен в прямом направлении, что обеспечивает низкое сопротивление цепи эмиттера. Переход база-коллектор имеет обратное смещение, что обеспечивает высокое сопротивление в цепи коллектора.

    Коллектор:

    Секция, кроме эмиттера, которая собирает заряды, называется коллектором. Коллектор всегда имеет обратное смещение.

    Идентификация транзистора может быть выполнена по сопротивлению диодов, присутствующих внутри NPN-транзистора.Также мы можем использовать наши знания о диодах для анализа внутренних диодов транзистора.

    Клемма эмиттер-база: Между клеммами эмиттер-база есть диод, поэтому эти две клеммы должны работать как обычный диод и проводить только в одном направлении.

    Клемма коллектор-база: Имеется диод, аналогичный клеммам коллектор-база. Эти выводы снова должны действовать как выводы нормального диода и проводить только в одном направлении.

    Клеммы эмиттер-коллектор: Клеммы эмиттер-коллектор не имеют внутреннего соединения и, следовательно, не будут проводить ни в одном направлении.

    Таблица, показывающая значения сопротивления на разных выводах транзистора, приведена ниже.

    Коллектор
    Между выводами транзистора Значения сопротивления
    Эмиттер R_high
    Коллектор 905 905 905 905 905 905 90_high коллектор 905
    Эмиттер База R_high
    База Коллектор R_low
    Базовый Эмиттер R_low

    PN 9 транзистор имеет три режима транзистора NP 964 909 операции, а именно области отсечки, активной и насыщенной областей.

    На следующем рисунке показаны символ и контакты транзистора BC547 NPN

    В следующей таблице показаны точки измерения и результат для транзистора BC 547 NPN при проверке и измерении значений транзистора NPN с помощью цифрового мультиметра.

    BC 547 NPN Точки измерения Результат
    1-2 0,717 В постоянного тока
    1-2 OL 905 905
    1-3 OL
    2-3 OL
    2-3 0.711 В постоянного тока

    Смещение и работа транзистора NPN

    Работа транзистора NPN сложнее, чем у транзистора PNP. Транзистор находится в выключенном состоянии, если: напряжения на базе и на эмиттере одинаковы. Когда базовое напряжение превышает напряжение эмиттера, устройство переходит в состояние ВКЛ.

    Во включенном состоянии имеется достаточная разница напряжений, при этом клемма базы является более высокой, происходит поток электронов, генерируемый от коллектора к эмиттеру, который, в свою очередь, вызывает протекание тока от эмиттера к коллектору.В этом транзисторе, основываясь на работе, мы можем разделить три его вывода на порты ввода и вывода. Входной терминал — это базовый терминал, а выходной терминал — это область коллектор-эмиттер.

    Напряжение на выводе коллектора должно быть больше, чем на эмиттере, и должно быть положительным по отношению к напряжению эмиттера транзистора, это обеспечивает протекание тока между эмиттером и коллектором. Существует также положительное падение потенциала на переходе база-эмиттер, что неудивительно при падении напряжения на кремниевом диоде, т.е.е. 0,7 В.

    Это падение напряжения необходимо учитывать, поэтому разница между напряжением базы и областью коллектор-эмиттер должна быть более 0,7В. Если это учесть, то транзистор работать не будет.

    Чтобы использовать NPN-транзистор в качестве усилителя сигнала, он должен работать в активной области. В конфигурации, в которой эмиттер имеет общее соединение, полный ток транзистора определяется как отношение тока коллектора к току базы, и это отношение называется усилением постоянного тока.

    Не имеет единиц измерения, так как представляет собой отношение двух текущих значений. Это соотношение обозначается символом β. Максимальное значение усиления постоянного тока обычно составляет около 200. Есть еще одна величина, которая определяется отношением тока коллектора к току эмиттера. Это отношение обозначается символом α. Обычно это значение равно единице, потому что ток коллектора почти равен току эмиттера.

    Ток транзистора

    Следующее уравнение показывает соотношение между током эмиттера, током базы и током коллектора в транзисторе со смещением.

    I E = I B + I C

    Где:

    • I E = Ток эмиттера
    • I B = Ток базы
    • 365 I C = Ток коллектора

    Показывает, что ток эмиттера равен сумме тока базы и тока коллектора. Значение тока базы к эмиттеру составляет 2-5%, а ток коллектора составляет почти 95-98%.Поэтому ток базы и коллектора равен току эмиттера.

    Уравнение усиления транзистора можно записать следующим образом, используя закон Кирхгофа по току.

    или

    или

    или

    или

    Коэффициент усиления транзистора, коэффициент усиления по току, коэффициент усиления по напряжению и коэффициент усиления мощности (α, β и γ)

    Коэффициент усиления транзистора известен как соотношение между выходом и входом схемы.

    Усиление транзистора = выход / вход

    Отношение между током коллектора и током эмиттера известно как усиление тока транзистора, представленное греческим символом alpha « α» или h FE

    Current Gain ; α DC = A i = -I C / I E = I OUT / I IN

    или

    α DC = I C / I E = Ток коллектора / ток эмиттера

    Постоянный ток, записанный с альфа-символом « α» , предназначен для значений постоянного тока.Чем больше значение α, тем лучше будет транзистор, поскольку он показывает качество транзистора.

    α DC может быть записано как простое « α» и известно как коэффициент передачи прямого тока или коэффициент усиления, который также представлен как h FB . В h FB буква «F» представляет собой «прямое направление», а «B» представляет собой «общую базу», где альфа (α) обычно определяется схемами общей базы транзистора.

    Альфа переменного тока ( α AC ) транзистора:

    α AC = ΔI C / ΔI E = Изменение тока коллектора / изменение тока эмиттера

    α AC также известен как коэффициент усиления короткого замыкания транзистора, который может быть представлен как h fb .

    Полезно знать:

    • h FB = DC alpha α DC
    • h fb = AC alpha α AC

    Кроме того, соотношение между постоянным током коллектора и постоянным током базовый ток известен как коэффициент усиления по току, который обозначается греческим символом Beta « β ».

    β DC = -I C / -I B = I C / I B

    или

    I C = βI B Он также известен как коэффициент прямой передачи постоянного тока с общим эмиттером, представленный H FE .

    Мы используем AC beta « β AC » при анализе транзистора для работы на переменном токе

    β AC = ΔI C / ΔI B

    β AC может также будет представлена ​​ h fe .

    Наконец, соотношение между током эмиттера и базовым током в общем коллекторе также известно как усиление по току и представлено греческим символом Gamma «γ»

    γ = I E / I B

    или

    помещая значение I E в приведенное выше уравнение из «I E = I C + I B »

    γ = β +1

    Отношение между входным и выходным напряжением известно как усиление напряжения транзистора.

    Коэффициент усиления напряжения = A В = α I E R CB / I E R EB

    Коэффициент усиления напряжения = A В = Напряжение на R CB / Напряжение на R EB

    или

    A V = α x (R CB / R EB )

    или

    A V = V OUT 000 / V IN 9000 Транзистор Прирост мощности можно рассчитать по следующему уравнению.

    Коэффициент усиления = A P = P OUT / P / IN

    A P = α 2 x A R

    Где:

    • A P P P P Коэффициент усиления
    • α = коэффициент усиления по току
    • A R = коэффициент усиления сопротивления

    Общие выражения для отношения между альфа, бета и гамма (α β и γ) приведены ниже:

    • α = β / ( β + 1)
    • β = α / (1-α)
    • γ = β +1

    Кривая характеристик и рабочие области NPN-транзистора

    Существует четыре основных рабочих региона: транзистор BJT, а именно:

    • Активная область
    • Область отсечки
    • Область насыщения
    • Область пробоя

    Активная область: Это известно как нормальная работа транзистора.Или область между областью насыщения и пробоя называется активной областью.

    Область отсечки: Область, в которой значение базового тока I B становится равным нулю и делает первую (или нижнюю) кривую, как известно, областью отсечки транзистора. В этой области как диод эмиттер-база, так и диоды коллектор-база становятся и работают с обратным смещением.

    Область насыщения : В этой области как диод эмиттер-база, так и диоды коллектор-база становятся и работают в прямом смещении.Это начальная область наклона (или почти перпендикулярная) область вблизи начала координат (на кривых), когда начальное напряжение увеличивается от нуля до 1 и так далее.

    Область пробоя:

    Когда напряжение коллектора увеличивается слишком сильно, превышая номинальное значение, это приводит к пробою коллекторного диода. По этой причине транзистор не следует эксплуатировать в зоне пробоя, так как это приведет к повреждению и разрушению схемы транзистора.

    График между током коллектора и напряжением коллектор-эмиттер при изменении тока базы называется кривой выходных характеристик биполярного транзистора.На рисунке ниже показаны кривые выходных характеристик NPN-транзистора.

    Транзистор включен, когда через вывод базы проходит небольшой ток и небольшое положительное напряжение относительно вывода эмиттера. В противном случае транзистор выключен. Это также отражено на графике. Ток коллектора зависит от напряжения коллектора только до тех пор, пока напряжение коллектора не достигнет уровня 1 В.

    Существует также прямая линия, соединяющая точки A и B. Эта прямая линия называется «линией динамической нагрузки».Эта линия соединяет точки, где V CE = 0 и Ic = 0. Прямая линия и область вокруг нее являются активной областью транзистора.

    Учитывая ток базы и напряжение коллектора, для расчета тока коллектора используются характеристики конфигурации общего эмиттера.

    Конфигурация общего эмиттера транзистора NPN

    Существует три возможных конфигурации транзистора, и одна из обсуждаемых является конфигурацией общего эмиттера.Схемы, в которых используется общая конфигурация эмиттера, обычно используются в усилителях напряжения. Как следует из названия, мы берем один из трех выводов, в данном случае эмиттер как общий. Этот общий вывод будет действовать как вход и выход транзистора.

    Усиление напряжения, которое достигается при использовании конфигурации с общим эмиттером, может быть выполнено только за один шаг. Таким образом, эти схемы также называются одноступенчатыми схемами усилителя с общим эмиттером. Входные клеммы, как мы обсуждали ранее, являются базовой клеммой, а коллектор — выходной клеммой.

    Излучатель остается общим выводом. Процесс усиления начинается со смещения перехода база-эмиттер вперед. Это означает, что положительный потенциал на выводе базы выше, чем на выводе эмиттера. Этот процесс позволит нам контролировать ток в транзисторе.

    Поскольку требуемый выход должен иметь усиление, мы используем усилитель с общим эмиттером, который имеет очень высокое усиление, даже если выход инвертирован. Из-за зависимости характеристик диода от условий окружающей среды, усиление очень сильно зависит от окружающей температуры и тока смещения.

    Это наиболее часто используемая конфигурация транзистора NPN, поскольку она имеет очень низкий выходной импеданс, а также обеспечивает высокий входной импеданс. Эта конфигурация также имеет очень высокий коэффициент усиления по мощности и напряжению.

    Типичное значение коэффициента усиления по току для этой конфигурации составляет около 50. Эта конфигурация обычно используется там, где требуется усиление низких частот. Радиочастотные цепи также используют эту конфигурацию. Ниже показана конфигурация усилителя с общим эмиттером.

    NPN-транзистор в схемах усиления

    Как в двухтактной транзисторной схеме. Хотя все конфигурации двухтактного усилителя технически можно назвать двухтактным усилителем, только усилитель класса B является фактическим двухтактным усилителем. В отличие от усилителя класса A, усилитель класса B имеет два транзистора для двухтактного электрического действия, один из которых является NPN, а другой — PNP.

    Каждый транзистор проработает половину цикла входа, создав необходимый выход.Это повышает эффективность усилителя класса B во много раз выше, чем у усилителя класса A. Угол проводимости для этого усилителя составляет 180 градусов, потому что каждый транзистор работает только на одну половину.

    NPN-транзистор в качестве переключателя и инвертора

    В цифровой логической схеме BJT-транзистор работает в области насыщения и отсечки, поскольку напряжение смещения не подается на базу транзистора в логических схемах. Таким образом, низкое или высокое выходное напряжение являются коэффициентом усиления, которые можно использовать для переключения в этих цифровых логических схемах.

    Следующая схема показывает схему NPN инвертора, используемую для переключения.

    Это ясно показывает, что нет входного напряжения смещения на базе, но имеет прямоугольную форму на входе, подаваемую через резистор, подключенный последовательно к базе транзистора NPN, который работает как инвертор.

    Схема показывает, что и V CC , и входное значение высокого уровня si + 5V, где напряжение между коллектором и эмиттером V CE является выходным напряжением.

    Когда входное напряжение высокое, т.е. + 5В:

    • Переход база-эмиттер имеет прямое смещение.
    • Ток течет к базе через последовательный резистор R B .
    • Значение R B и R C обеспечивает ток I B , который определяет положение схемы, то есть транзистор работает в данной области.

    Другими словами, когда на входе инвертора высокий «+ 5В», транзистор насыщен, а его выход низкий «≈0В».Когда на входе инвертора низкий уровень, транзистор отключен, а на его выходе высокий уровень. Короче говоря,

    • В области насыщения это «ВКЛ»
    • В области отсечки это «ВЫКЛ».

    Как показано на входе и выходе схемы, т.е. когда на входе низкий уровень, на выходе высокий уровень, поэтому он также известен как схема инвертора BJT.

    Приведенное выше объяснение операций включения и выключения схемы транзисторного инвертора аналогично переключению включения и выключения, подключенному между коллектором и эмиттером.По этой причине схему транзисторного инвертора также называют транзисторным переключателем.

    Когда транзистор находится в режиме насыщения, напряжение между коллектором и эмиттером равно нулю, как и напряжение на замкнутом или включенном переключателе, а величина тока максимальна.

    Точно так же, в области отсечки (когда транзистор открыт или выключен) значение тока, протекающего от коллектора к эмиттеру, становится равным нулю, как при разомкнутом или выключенном переключателе, и напряжение на переключателе является максимальным.

    Работа схемы ВКЛ-ВЫКЛ зависит от значений входных напряжений, т.е. когда

    • Входное напряжение высокое = + 5В = Переключатель включен
    • Входное напряжение низкое = 0В = Переключатель ВЫКЛЮЧЕН

    Следующее На рис. показаны операции переключения в областях отсечки и насыщения BJT (NPN-транзистора).

    Применение транзисторов NPN
    • В основном используется для коммутации.
    • Они используются в конфигурации пары Дарлингтона для усиления слабых сигналов.
    • В цепях, где нам нужно отводить ток.
    • Они также используются в цепях для измерения температуры.
    • Они могут хорошо работать в приложениях с очень высокими частотами.
    • Используется в логарифмических преобразователях.

    Связанные сообщения:

    Транзистор < Общие сведения о транзисторах > | Основы электроники

    Обратный ток при включении

    В транзисторе NPN база находится под положительным смещением, коллектор — с отрицательным смещением, а обратный ток течет от эмиттера к коллектору.Также учтите проблемы, которые могут возникнуть при использовании в качестве транзисторов (например, меньшее усиление по току).

    1. Было установлено, что при использовании не возникнет никаких проблем, таких как ухудшение качества или разрушение.

    2. В случае NPN-транзистора, B симметричен с C, а E с N. Следовательно, C и E могут использоваться как транзисторы, даже если они соединены в обратном порядке. В этом случае ток будет течь от E к C.

    3. Ниже приведены характеристики транзисторов, подключенных в обратном порядке.

    • Low h FE (примерно 10% от значения прямого направления)
    • Низкое сопротивление напряжению (около 7-8 В, примерно такое же, как у VEBO) В некоторых стандартных транзисторах напряжение может быть даже ниже (ниже 5 В) (учтите, что слишком низкое сопротивление напряжению может привести к пробою и ухудшению характеристик)
    • V CE (sat) и V BE (ON) не должны сильно меняться

    Допустимая потеря мощности в корпусе

    Допустимая потеря мощности в корпусе — это когда напряжение подается на транзистор и устройство начинает выделять тепло из-за потери мощности из-за протекания тока, особенно когда температура перехода Tj достигает абсолютного максимального значения (150 ° C).

    Метод расчета (где △ Tx — величина повышения температуры при подаче питания Px)

    В этом случае Pc, Ta, △ Tx и Px могут быть получены непосредственно из результатов измерения. Tj — единственное значение, которое нельзя получить напрямую. Поэтому ниже показано, как измерить VBE, по которому мы можем определить температуру перехода Tj.

    В кремниевых транзисторах VBE зависит от температуры.

    Следовательно, температуру перехода можно определить путем измерения VBE.Из измерительной схемы, показанной на диаграмме 1, к транзистору применяется условие мощности Pc (max) корпуса (в случае транзистора мощностью 1 Вт условия для питания VCB = 10VIE = 100 мА).

    Как видно на Диаграмме 2:

    • V BE 1 измеряется как начальное значение VBE
    • При подаче питания на транзистор произойдет тепловыделение на переходе
    • Значение VBE после будет V BE 2

    Из этих результатов: △ V BE = V BE 2-V BE 1

    Здесь кремниевый транзистор будет иметь фиксированный температурный коэффициент, равный примерно -2.2 мВ / ºC. (Примечание: транзисторы Дарлингтона созданы из-за использования двух транзисторов -4,4 мВ / ºC). Следовательно, VBE от подаваемой мощности может быть получено из повышения температуры перехода по следующей формуле.

    fT: ширина полосы пропускания, частота среза

    fT: ширина полосы пропускания указывает максимальную рабочую частоту транзистора. В это время отношение тока коллектора к току базы ограничено до 1 (hFE = 1).

    Когда частота входного сигнала, подаваемого на базу, приближается к рабочей частоте, hFE начинает уменьшаться.Когда hFE становится равным 1, рабочая частота fT называется полосой усиления. fT означает предел рабочей частоты. Однако в действительности для работы значение будет примерно от 1/5 до 1/10 от значения fT.

    f: Зависит от измерительного оборудования. Опорная частота для измерения.
    VCE: дополнительная настройка — для продуктов ROHM обычно используется стандартное значение.
    Ic: дополнительная настройка — для продуктов ROHM обычно используется стандартное значение.

    alexxlab

    Добавить комментарий

    Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *