N p n транзисторы: Эта страница ещё не существует — RC74 — интернет-магазин радиоуправляемых моделей

Содержание

Проверка браузера

IP: 85.140.3.91
Браузер: Mozilla/5.0 (X11; Linux x86_64; rv:33.0) Gecko/20100101 Firefox/33.0
Время: 2021-09-01 20:04:19
URL: https://dip8.ru/shop/poluprovodniki/category/tranzistory_npn/
Идентификатор запроса: 41qp9yzbfkht

Это займет несколько секунд…

Мы должны проверить ваш браузер, чтобы убедиться, что вы не робот.
От вас не требуется никаких действий, проверка происходит автоматически.

У вас отключён JavaScript — вы не пройдёте проверку. Включите JavaScript в браузере!

IP: 85.140.3.91
Browser: Mozilla/5.0 (X11; Linux x86_64; rv:33.0) Gecko/20100101 Firefox/33.0
Time: 2021-09-01 20:04:19
URL: https://dip8.ru/shop/poluprovodniki/category/tranzistory_npn/
Request ID: 41qp9yzbfkht

It will take a few seconds…

We need to check your browser to make sure you are not a robot.
No action is required from you, the verification is automatic.

You have JavaScript disabled — you will not pass validation. Enable JavaScript in your browser!

Как различить PNP и NPN транзисторы?

Это довольно легко. Обычно я делал это в старшей школе, когда спасал части от неизвестных выброшенных досок.

Как сказал Спехро в комментарии, иногда можно найти номер детали. В этом случае вы можете найти таблицу данных и получить параметры напрямую. Однако слишком часто отсутствует номер детали производителя, или просто короткий код, или собственный номер. Особенно с небольшими пакетами, вам придется экспериментировать.

Во-первых, убедитесь, что омметр не настроен на какой-либо режим сверхнизкого напряжения, предназначенный для предотвращения смещения диодов. У некоторых метров есть такая особенность. В этом случае вы определенно хотите направить смещение в узлы.

Биполярный транзистор имеет только три вывода, поэтому только 6 возможных двухпроводных измерений с учетом полярности. С точки зрения зондирования с помощью двухпроводного омметра, биполярный транзистор выглядит как два диода спина к спине. Существует один BE и один BC. В NPN требуется положительное напряжение на базе относительно E или C, чтобы заставить диоды работать, и наоборот с PNP. «N» и «P» в названиях говорят о напряжениях, необходимых для работы диодов.

Поэтому выяснить, есть ли у вас NPN или PNP и какой из них является основой, очень просто. Следующая проблема состоит в том, чтобы выяснить, какие C и E ведет. На большинстве пакетов C находится посередине. В силовом блоке C обычно подключается к корпусу, вкладке или чему-либо еще.

Другой способ проверить, что С и Е — это измерить усиление. Транзистор все еще будет работать с перевернутыми C и E, но усиление будет выше, если он подключен как положено. Я обычно делал это, подключая счетчик через CE. При плавающем основании ток не должен быть, поэтому счетчик должен показывать бесконечное сопротивление. Теперь используйте свои пальцы, чтобы соединить C и B. Вы должны увидеть более низкое сопротивление, чем если бы вы использовали свои пальцы, чтобы соединить C и E. Это очевидное более низкое сопротивление происходит из-за транзистора, усиливающего базовый ток.

Теперь запустите тот же тест с перевернутым CE. В большинстве случаев одна ориентация имеет явно более высокий коэффициент усиления. Если нет, то вы можете запустить этот тест с реальным резистором вместо ваших пальцев.

Как работает транзистор npn, pnp (полевой n-канальный и p-канальный)

Нашу сильную зависимость от электроники в современном мире не описать. Если сказать, что без электроники мы не проживем, это не сказать ничего. Она уже сродни самому неотъемлемому, самому нужному и востребованному. То количество мест и гаджетов, где мы с ней встречаемся, мы даже перечислять не будем, на это хватит фантазии и у вас. Мы же хотели рассказать об одном обязательной составляющей каждого электронного девайса, о транзисторе.

Именно на транзисторах строятся все аналоговые и цифровые схемы применяемые в современных устройствах. А значит, от его работы зависит то, как эти самые гаджеты будут работать и то, как впоследствии электроника будет работать на нас. Такая неоспоримая цепочка…

Какие бывают транзисторы

Мы не будем вводить вас в далекий экскурс с чего все начиналось, что электронные лампы были дедушками и бабушками современных транзисторов. Не будем рассказывать об электронной эмиссии. О том, что процесс в этих самых лампах схож с транзисторами. Не будем описывать и различия между ними. Мы сразу приступим к главному. Надеясь на то, что все мы пропустили хотя и останется темным пятном, но не станет обременяющим обстоятельством препятствующим пониманию того, как же все-таки работает транзистор.

Итак, транзисторы бывают биполярные и полевые. Суть работы тех и других одинакова, разве что их кристаллы, вернее то как сращены разные типы кристаллов, различны.

В биполярных транзисторах это своеобразный гамбургер, если хотите пирог: p-n-p или n-p-n. То есть кристаллы с различной проводимостью напаяны последовательно друг за друга. Таким образуют они образуют своеобразный «бутерброд».

В полевых транзисторах есть также n кристалл и p кристалл, но они между спаяны не последовательно, а параллельно. При этом ток не проходит через разные типы проводимости кристаллов, а идет все время по одному типу. А запирается в этом случае проводимый кристалл с помощью электрического поля управляющего затвора. Отсюда и название полевой.

Еще транзисторы бывают низкочастотные, среднечастотные и высокочастотные. А также могут работать с различными токами, но это все нюансы…

Как работает транзистор (картинка с анимацией — видео)

Итак, теперь непосредственно о насущном. То есть о том, ради чего мы собственно и начали эту статью.

Самое сложное, что нам придется вам объяснить, так это то, что как раз и скрыто от глаз человека. Ведь движение тока в проводнике, в различного рода проводимости кристаллах, не посмотришь и не увидишь. Именно поэтому необходимо иметь большую фантазию и очень наглядное пособие, чтобы довести до вас принцип работы транзистора.

Есть и еще одно «но». Человек всегда привык строить какие-то эквивалентные системы, если непосредственно изучаемая система не дает ему полного представления, а самое главное наглядного примера о том, как же все-таки все устроено. Так и в нашем случае, взгляните на картинку…

Работа транзистора представлена в виде канала с управляемой средой, даже здесь два канала. В качестве каналов выступают контакты транзистора, а управляемой средой является ток. Управляя запорным клапаном на базе или затворе (маленький канал) мы тем самым открываем и большой канал, между эмиттером и коллектором или стоком и истоком. Именно этот большой канал и является нашей целью управления. Открывая маленький канал, мы открываем и большой! Вот главное правило работы транзистора. По-другому не бывает, по крайней мере, в нормальных режимах работы транзистора без пробоев. Управляющий клапан на базе, то есть малый канал открывается первым, тем самым провоцируя и открывание большого канала.

Не знаем, нужны ли вам другие описания почему именно так? Если кратко, то потому что есть зоны запирания, есть сопротивления этих зон и изменения сопротивления в зависимости от потенциала, подаваемого на них. Конечно это не описывает особенностей работы транзистора полностью и подробно, но об этом мы вам и не обещали рассказать. Самое главное было рассказать о принципе срабатывания и показать это на наглядной картинке, что собственно мы и выполнили. Принцип работы в этом случае действителен для всех видов транзисторов о которых, мы упоминали в нашем предыдущем абзаце. А также, для того чтобы закрепить ваше визуально- ассоциативное мышление с реальной невидимой действительностью необходимо взглянуть и на нижний правый угол картинки.
На нем видно как в зависимости от пропуска тока, через контакты транзистора будут происходить и коммутации вокруг его выводов.

Схема подключения транзисторов npn pnp (полевых транзистор)

Теперь о том же самом, но на примере подключения транзистора в схеме. На входе имеется сигнал достаточный для свечения лампы (светодиода) даже с учетом сопротивления транзистора. Но если подать на управляющий вывод (затвор) запирающий потенциал, то сопротивление увеличиться и лампа погаснет.

* — гиф анимация описывает работу полевого транзистора, когда есть поле, которое и управляет проводимостью в элементе.

На самом деле это лишь один из примеров подключения транзистора. Вариаций его подключений великое множество. Здесь главное донести суть работы радиоэлемента, а не саму схему подключения.

Последнее о чем хотелось сказать в статье о принципах работы транзистора, так это о том, что база должна всегда оставаться чуть «зажата», то есть ограничена сопротивлением.

Это позволяет разграничить управляющий малый ток и большой управляемый. Если же убрать сопротивление, то ток будет течь по пути с наименьшим сопротивлением, то есть весь или преимущественно через базу… В этом случае теряется весь смысл транзистора, так как он ничем ни будет управлять, а будет просто пропускать через себя ток. При этом «большой» ток пойдет через базу и может еще и вывести его из строя, что нам совсем не нужно!

Из особенностей надо отметить несколько разные сферы применяемости транзисторов. NPN, PNP транзисторы способны открываться как бы постепенно, и быстродействие у них ниже. То есть они более подходят для аналоговых схем, а вот полевые срабатывают быстрее. При этом свойства статичного поля может быть использовано даже без подачи какого-либо напряжения на него, если это поле создать за счет подкладки, находящейся в зоне управления тоннелем по которому протекает ток. В итоге получается уже не транзистор, а ячейка памяти. Такие ячейки активно используются в современных SSD дисках.

Npn и pnp транзистор отличия

PNP-транзистор является электронным прибором, в определенном смысле обратном NPN-транзистору. В этом типе конструкции транзистора его PN-переходы открываются напряжениями обратной полярности по отношению к NPN-типу. В условном обозначении прибора стрелка, которая также определяет вывод эмиттера, на этот раз указывает внутрь символа транзистора.

Конструкция прибора

Конструктивная схема транзистора PNP-типа состоит из двух областей полупроводникового материала p-типа по обе стороны от области материала n-типа, как показано на рисунке ниже.

Стрелка определяет эмиттер и общепринятое направление его тока («внутрь» для транзистора PNP).

PNP-транзистор имеет очень схожие характеристики со своим NPN-биполярным собратом, за исключением того, что направления токов и полярности напряжений в нем обратные для любой из возможных трех схем включения: с общей базой, с общим эмиттером и с общим коллектором.

Основные отличия двух типов биполярных транзисторов

Главным различием между ними считается то, что дырки являются основными носителями тока для транзисторов PNP, NPN-транзисторы имеют в этом качестве электроны. Поэтому полярности напряжений, питающих транзистор, меняются на обратные, а его входной ток вытекает из базы. В отличие от этого, у NPN-транзистора ток базы втекает в нее, как показано ниже на схеме включения приборов обоих типов с общей базой и общим эмиттером.

Принцип работы транзистора PNP-типа основан на использовании небольшого (как и у NPN-типа) базового тока и отрицательного (в отличие от NPN-типа) базового напряжения смещения для управления гораздо большим эмиттерно-коллекторным током. Другими словами, для транзистора PNP эмиттер является более положительным по отношению к базе, а также по отношению к коллектору.

Рассмотрим отличия PNP-типа на схеме включения с общей базой

Действительно, из нее можно увидеть, что ток коллектора I_C (в случае транзистора NPN) вытекает из положительного полюса батареи B2, проходит по выводу коллектора, проникает внутрь него и должен далее выйти через вывод базы, чтобы вернуться к отрицательному полюсу батареи. Таким же образом, рассматривая цепь эмиттера, можно увидеть, как его ток от положительного полюса батареи B1 входит в транзистор по выводу базы и далее проникает в эмиттер.

По выводу базы, таким образом, проходит как ток коллектора I_C, так и ток эмиттера I_E. Поскольку они циркулируют по своим контурам в противоположных направлениях, то результирующий ток базы равен их разности и очень мал, так как I_C немного меньше, чем I_E. Но так как последний все же больше, то направление протекания разностного тока (тока базы) совпадает с I_E, и поэтому биполярный транзистор PNP-типа имеет вытекающий из базы ток, а NPN-типа – втекающий.

Отличия PNP-типа на примере схемы включения с общим эмиттером

В этой новой схеме PN-переход база-эмиттер открыт напряжением батареи B1, а переход коллектор-база смещен в обратном направлении посредством напряжения батареи В2. Вывод эмиттера, таким образом, является общим для цепей базы и коллектора.

Полный ток эмиттера задается суммой двух токов I_C и I_B; проходящих по выводу эмиттера в одном направлении. Таким образом, имеем I_E = I_C + I_B.

В этой схеме ток базы I_B просто «ответвляется» от тока эмиттера I_E, также совпадая с ним по направлению. При этом транзистор PNP-типа по-прежнему имеет вытекающий из базы ток I_B, а NPN-типа – втекающий.

В третьей из известных схем включения транзисторов, с общим коллектором, ситуация точно такая же. Поэтому мы ее не приводим в целях экономии места и времени читателей.

PNP-транзистор: подключение источников напряжения

Источник напряжения между базой и эмиттером (V_BE) подключается отрицательным полюсом к базе и положительным к эмиттеру, потому что работа PNP-транзистора происходит при отрицательном смещении базы по отношению к эмиттеру.

Напряжение питания эмиттера также положительно по отношению к коллектору (V_CE). Таким образом, у транзистора PNP-типа вывод эмиттера всегда более положителен по отношению как к базе, так и к коллектору.

Источники напряжения подключаются к PNP-транзистору, как показано на рисунке ниже.

Работа PNP-транзисторного каскада

Итак, чтобы вызвать протекание базового тока в PNP-транзисторе, база должна быть более отрицательной, чем эмиттер (ток должен покинуть базу) примерно на 0,7 вольт для кремниевого прибора или на 0,3 вольта для германиевого. Формулы, используемые для расчета базового резистора, базового тока или тока коллектора такие же, как те, которые используются для эквивалентного NPN-транзистора и представлены ниже.

Мы видим, что фундаментальным различием между NPN и PNP-транзистором является правильное смещение pn-переходов, поскольку направления токов и полярности напряжений в них всегда противоположны. Таким образом, для приведенной выше схеме: I_C = I_E – I_B, так как ток должен вытекать из базы.

Как правило, PNP-транзистор можно заменить на NPN в большинстве электронных схем, разница лишь в полярности напряжения и направлении тока. Такие транзисторы также могут быть использованы в качестве переключающих устройств, и пример ключа на PNP-транзисторе показан ниже.

Характеристики транзистора

Выходные характеристики транзистора PNP-типа очень похожи на соответствующие кривые эквивалентного NPN-транзистора, за исключением того, что они повернуты на 180° с учетом реверса полярности напряжений и токов (токи базы и коллектора, PNP-транзистора отрицательны). Точно также, чтобы найти рабочие точки транзистора PNP-типа, его динамическая линия нагрузки может быть изображена в III-й четверти декартовой системы координат.

Типовые характеристики PNP-транзистора 2N3906 показаны на рисунке ниже.

Транзисторные пары в усилительных каскадах

Вы можете задаться вопросом, что за причина использовать PNP-транзисторы, когда есть много доступных NPN-транзисторов, которые могут быть использованы в качестве усилителей или твердотельных коммутаторов? Однако наличие двух различных типов транзисторов — NPN и PNP — дает большие преимущества при проектировании схем усилителей мощности. Такие усилители используют «комплементарные», или «согласованные” пары транзисторов (представляющие собой один PNP-транзистор и один NPN, соединенные вместе, как показано на рис. ниже) в выходном каскаде.

Два соответствующих NPN и PNP-транзистора с близкими характеристиками, идентичными друг другу, называются комплементарными. Например, TIP3055 (NPN-тип) и TIP2955 (PNP-тип) являются хорошим примером комплементарных кремниевых силовых транзисторов. Они оба имеют коэффициент усиления постоянного тока β=I_C/I_B согласованный в пределах 10% и большой ток коллектора около 15А, что делает их идеальными для устройств управления двигателями или роботизированных приложений.

Кроме того, усилители класса B используют согласованные пары транзисторов и в своих выходной мощных каскадах. В них NPN-транзистор проводит только положительную полуволну сигнала, а PNP-транзистор – только его отрицательную половину.

Это позволяет усилителю проводить требуемую мощность через громкоговоритель в обоих направлениях при заданной номинальной мощности и импедансе. В результате выходной ток, который обычно бывает порядка нескольких ампер, равномерно распределяется между двумя комплементарными транзисторами.

Транзисторные пары в схемах управления электродвигателями

Их применяют также в H-мостовых цепях управления реверсивными двигателями постоянного тока, позволяющих регулировать ток через двигатель равномерно в обоих направлениях его вращения.

H-мостовая цепь выше называется так потому, что базовая конфигурация ее четырех переключателей на транзисторах напоминает букву «H» с двигателем, расположенным на поперечной линии. Транзисторный H-мост, вероятно, является одним из наиболее часто используемых типов схемы управления реверсивным двигателем постоянного тока. Он использует «взаимодополняющие» пары транзисторов NPN- и PNP-типов в каждой ветви, работающих в качестве ключей при управлении двигателем.

Вход управления A обеспечивает работу мотора в одном направлении, в то время как вход B используется для обратного вращения.

Например, когда транзистор TR1 включен, а TR2 выключен, вход A подключен к напряжению питания (+ Vcc), и если транзистор TR3 выключен, а TR4 включен, то вход B подключен к 0 вольт (GND). Поэтому двигатель будет вращаться в одном направлении, соответствующем положительному потенциалу входа A и отрицательному входа B.

Если состояния ключей изменить так, чтобы TR1 был выключен, TR2 включен, TR3 включен, а TR4 выключен, ток двигателя будет протекать в противоположном направлении, что повлечет его реверсирование.

Используя противоположные уровни логической «1» или «0» на входах A и B, можно управлять направлением вращения мотора.

Определение типа транзисторов

Любые биполярные транзисторы можно представить состоящими в основном из двух диодов, соединенных вместе спина к спине.

Мы можем использовать эту аналогию, чтобы определить, относится ли транзистор к типу PNP или NPN путем тестирования его сопротивления между его тремя выводами. Тестируя каждую их пару в обоих направлениях с помощью мультиметра, после шести измерений получим следующий результат:

1. Эмиттер — База. Эти выводы должны действовать как обычный диод и проводить ток только в одном направлении.

2. Коллектор — База. Эти выводы также должны действовать как обычный диод и проводить ток только в одном направлении.

3. Эмиттер — Коллектор. Эти выводы не должен проводить в любом направлении.

Значения сопротивлений переходов транзисторов обоих типов

Пара выводов транзистора		PNP	NPN
Коллектор	Эмиттер	R_{ВЫСОКОЕ}	R_{ВЫСОКОЕ}
Коллектор	База	R_НИЗКОЕ	R_{ВЫСОКОЕ}
Эмиттер	Коллектор	R_{ВЫСОКОЕ}	R_{ВЫСОКОЕ}
Эмиттер	База	R_НИЗКОЕ	R_{ВЫСОКОЕ}
База	Коллектор	R_{ВЫСОКОЕ}	R_НИЗКОЕ
База	Эмиттер	R_{ВЫСОКОЕ}	R_НИЗКОЕ

Тогда мы можем определить PNP-транзистор как исправный и закрытый. Небольшой выходной ток и отрицательное напряжение на его базе (B) по отношению к его эмиттеру (E) будет его открывать и позволит протекать значительно большему эмиттер-коллекторному току. Транзисторы PNP проводят при положительном потенциале эмиттера. Иными словами, биполярный PNP-транзистор будет проводить только в том случае, если выводы базы и коллектором являются отрицательным по отношению к эмиттеру.

Конструкция прибора

Стрелка определяет эмиттер и общепринятое направление его тока («внутрь» для транзистора PNP).

Основные отличия двух типов биполярных транзисторов

Рассмотрим отличия PNP-типа на схеме включения с общей базой

Отличия PNP-типа на примере схемы включения с общим эмиттером

PNP-транзистор: подключение источников напряжения

Источники напряжения подключаются к PNP-транзистору, как показано на рисунке ниже.

Работа PNP-транзисторного каскада

Характеристики транзистора

Типовые характеристики PNP-транзистора 2N3906 показаны на рисунке ниже.

Транзисторные пары в усилительных каскадах

Транзисторные пары в схемах управления электродвигателями

Определение типа транзисторов

3. Эмиттер — Коллектор. Эти выводы не должен проводить в любом направлении.

Значения сопротивлений переходов транзисторов обоих типов

Пара выводов транзистора		PNP	NPN
Коллектор	Эмиттер	R_{ВЫСОКОЕ}	R_{ВЫСОКОЕ}
Коллектор	База	R_НИЗКОЕ	R_{ВЫСОКОЕ}
Эмиттер	Коллектор	R_{ВЫСОКОЕ}	R_{ВЫСОКОЕ}
Эмиттер	База	R_НИЗКОЕ	R_{ВЫСОКОЕ}
База	Коллектор	R_{ВЫСОКОЕ}	R_НИЗКОЕ
База	Эмиттер	R_{ВЫСОКОЕ}	R_НИЗКОЕ

Транзистор — повсеместный и важный компонент в современной микроэлектронике. Его назначение простое: он позволяет с помощью слабого сигнала управлять гораздо более сильным.

В частноти, его можно использовать как управляемую «заслонку»: отсутствием сигнала на «воротах» блокировать течение тока, подачей — разрешать. Иными словами: это кнопка, которая нажимается не пальцем, а подачей напряжения. В цифровой электронике такое применение наиболее распространено.

Транзисторы выпускаются в различных корпусах: один и тот же транзистор может внешне выглядеть совершенно по разному. В прототипировании чаще остальных встречаются корпусы:

Обозначение на схемах также варьируется в зависимости от типа транзистора и стандарта обозначений, который использовался при составлении. Но вне зависимости от вариации, его символ остаётся узнаваемым.

Биполярные транзисторы

Биполярные транзисторы (BJT, Bipolar Junction Transistors) имеют три контакта:

Основной характеристикой биполярного транзистора является показатель h_fe также известный, как gain. Он отражает во сколько раз больший ток по участку коллектор–эмиттер способен пропустить транзистор по отношению к току база–эмиттер.

Например, если h_fe = 100, и через базу проходит 0.1 мА, то транзистор пропустит через себя как максимум 10 мА. Если в этом случае на участке с большим током находится компонент, который потребляет, например 8 мА, ему будет предоставлено 8 мА, а у транзистора останется «запас». Если же имеется компонент, который потребляет 20 мА, ему будут предоставлены только максимальные 10 мА.

Также в документации к каждому транзистору указаны максимально допустимые напряжения и токи на контактах. Превышение этих величин ведёт к избыточному нагреву и сокращению службы, а сильное превышение может привести к разрушению.

NPN и PNP

Описанный выше транзистор — это так называемый NPN-транзистор. Называется он так из-за того, что состоит из трёх слоёв кремния, соединённых в порядке: Negative-Positive-Negative. Где negative — это сплав кремния, обладающий избытком отрицательных переносчиков заряда (n-doped), а positive — с избытком положительных (p-doped).

NPN более эффективны и распространены в промышленности.

PNP-транзисторы при обозначении отличаются направлением стрелки. Стрелка всегда указывает от P к N. PNP-транзисторы отличаются «перевёрнутым» поведением: ток не блокируется, когда база заземлена и блокируется, когда через неё идёт ток.

Полевые транзисторы

Полевые транзисторы (FET, Field Effect Transistor) имеют то же назначение, но отличаются внутренним устройством. Частным видом этих компонентов являются транзисторы MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor). Они позволяют оперировать гораздо большими мощностями при тех же размерах. А управление самой «заслонкой» осуществляется исключительно при помощи напряжения: ток через затвор, в отличие от биполярных транзисторов, не идёт.

Полевые транзисторы обладают тремя контактами:

N-Channel и P-Channel

По аналогии с биполярными транзисторами, полевые различаются полярностью. Выше был описан N-Channel транзистор. Они наиболее распространены.

P-Channel при обозначении отличается направлением стрелки и, опять же, обладает «перевёрнутым» поведением.

Подключение транзисторов для управления мощными компонентами

Типичной задачей микроконтроллера является включение и выключение определённого компонента схемы. Сам микроконтроллер обычно имеет скромные характеристики в отношении выдерживаемой мощности. Так Ардуино, при выдаваемых на контакт 5 В выдерживает ток в 40 мА. Мощные моторы или сверхъяркие светодиоды могут потреблять сотни миллиампер. При подключении таких нагрузок напрямую чип может быстро выйти из строя. Кроме того для работоспособности некоторых компонентов требуется напряжение большее, чем 5 В, а Ардуино с выходного контакта (digital output pin) больше 5 В не может выдать впринципе.

Зато, его с лёгкостью хватит для управления транзистором, который в свою очередь будет управлять большим током. Допустим, нам нужно подключить длинную светодиодную ленту, которая требует 12 В и при этом потребляет 100 мА:

Теперь при установке выхода в логическую единицу (high), поступающие на базу 5 В откроют транзистор и через ленту потечёт ток — она будет светиться. При установке выхода в логический ноль (low), база будет заземлена через микроконтроллер, а течение тока заблокированно.

Обратите внимание на токоограничивающий резистор R. Он необходим, чтобы при подаче управляющего напряжения не образовалось короткое замыкание по маршруту микроконтроллер — транзистор — земля. Главное — не превысить допустимый ток через контакт Ардуино в 40 мА, поэтому нужно использовать резистор номиналом не менее:

здесь U_d — это падение напряжения на самом транзисторе. Оно зависит от материала из которого он изготовлен и обычно составляет 0.3 – 0.6 В.

Но совершенно не обязательно держать ток на пределе допустимого. Необходимо лишь, чтобы показатель gain транзистора позволил управлять необходимым током. В нашем случае — это 100 мА. Допустим для используемого транзистора h_fe = 100, тогда нам будет достаточно управляющего тока в 1 мА

Нам подойдёт резистор номиналом от 118 Ом до 4.7 кОм. Для устойчивой работы с одной стороны и небольшой нагрузки на чип с другой, 2.2 кОм — хороший выбор.

Если вместо биполярного транзистора использовать полевой, можно обойтись без резистора:

это связано с тем, что затвор в таких транзисторах управляется исключительно напряжением: ток на участке микроконтроллер — затвор — исток отсутствует. А благодаря своим высоким характеристикам схема с использованием MOSFET позволяет управлять очень мощными компонентами.

Транзисторы

Транзистор — это полупроводниковый прибор, составленный из двух pn-переходов, как показано на рис. 21.1. У транзистора три вывода: эмиттер, база и коллектор. Существуют два типа транзисторов: pnp-транзисторы (рис. 21.1(а)) и npn-транзисторы (рис. 21.1(б)). По принципу работы они ничем не отличаются друг от друга, за исключением полярности подаваемого постоянного напряжения смещения.

Рассмотрим транзистор npn-типа (рис. 21.2). Переход база – эмиттер (или просто эмиттерный переход) этого транзистора смещен в прямом направлении напряжением V_BE,поэтому электроны из области эмиттера будут перетекать через этот переход в область базы, создавая ток I_е. Это обычный прямой ток рта-перехода, смещенного в прямом направлении. Как только электроны попадают в область базы, они начинают испытывать притяжение положительного потенциала коллектора. Если область базы сделать очень тонкой, то почти все эти электроны проскочат через нее к коллектору. Только очень малая часть электронов собирается базой, формируя базовый ток

I_b. Фактически более 95% всех электронов эмиттерного тока I_е собираются коллектором и формируют коллекторный ток I_c транзистора. Таким образом,

I_е = I_c + I_b.

Так как базовый ток I_b очень мал (чаще всего он измеряется микроамперами), то им обычно пренебрегают. Тем самым предполагается, что токи I_c и I_е равны, и каждый из них принято называть током транзистора.

Рис. 21.1. Транзисторы и их условны: обозначения: (а) pnp-тип, (б) npn-тип.

Рис. 21.2. Подача напряжений Рис. 21.3. Подача напряжений

смещения npn-транзистора. смещения pnp-транзистора.

Обратите внимание, что переход база — коллектор (или просто коллекторный переход) смещен в обратном направлении напряжением V_CD. Это необходимое условие работы транзистора, поскольку в противном случае электроны не притягивались бы к коллектору. При этом в соответствии с правилом выбора направления тока (от положительного потенциала к отрицательному) считается, что ток транзистора течет от коллектора к эмиттеру.

Для рпр-транзистора полярности подачи постоянных напряжений смещения должны быть изменены на обратные, как показано на рис. 21.3. В этом случае ток транзистора представляет собой перемещение дырок от эмиттера к коллектору или электронов от коллектора к эмиттеру.

Схемы включения транзистора

Имеются три основные схемы включения транзистора в электронные цепи.

1. Схема с общим эмиттером (ОЭ). Общим выводом здесь является эмиттер: входной сигнал подается между базой и эмиттером, а выходной сигнал снимается между коллектором и эмиттером (рис. 21.4). Эта схема получила наиболее широкое распространение из-за своей гибкости и высокого коэффициента усиления.

2. Схема с общей базой (ОБ). Базовый вывод транзистора является общим выводом для входного и выходного сигналов (рис. 21.5).

3. Схема с общим коллектором (ОК). В этой схеме общим выводом для входного и выходного сигналов является коллектор. Ее называют также эмиттерным повторителем (рис. 21.6).

Интересно, что на внутреннем уровне транзистор работает во всех схемах включения совершенно одинаково, тогда как внешнее поведение его в каждом случае различно.

Рис. 21.4. Схема с общим эмиттером (ОЭ). Рис. 21.5. Схема с общей базой (ОБ).

Рис. 21.6. Схема с общим коллектором (ОК).

Обратите внимание, что выходной сигнал

снимается с эмиттера.

Каждая схема включения характеризуется своим собственным набором основных параметров, в который входят коэффициент усиления, входное и выходное сопротивления и АЧХ.

Характеристики транзистора в схеме с общим эмиттером

Поведение транзистора в статических условиях, то есть в отсутствие входного сигнала, определяют характеристики трех типов.

1. Входные характеристики, или зависимости входного тока от входного напряжения.

2. Выходные характеристики, или зависимости выходного тока от выходного напряжения.

3. Передаточные характеристики, или зависимости выходного тока от входного тока.

Описываемые ниже характеристики относятся к npn-транзистору (рис. 21.7). Для pnp-транзистора нужно изменить полярность напряжения постоянного тока на отрицательную.

Входные характеристики

На рис. 21.8 представлены входные характеристики для npn -транзистора. Они ничем не отличаются от характеристик pn -перехода диода, смещенного в прямом направлении, поскольку вход (переход база — эмиттер)

Рис. 21.8. Входные характеристики транзистора.

как раз и является таким переходом. Заметим, что, как и в диоде, входной ток I_b начинает протекать через эмиттерный переход только тогда, когда на этом переходе устанавливается требуемое значение прямого напряжения. Если это напряжение (0,3 В для Ge и 0,6 В для Si) установлено, то в дальнейшем напряжение V_be между базой и эмиттером практически не изменяется даже при сильном увеличении тока базы. Таким образом, транзистор можно рассматривать как токовый элемент, допускающий изменение входного тока при постоянном входном напряжении.

Выходные характеристики

На рис. 21.9 приведено семейство кривых, называемых выходными характеристиками транзистора, которые устанавливают связь тока коллектора (выходного тока) I_c с напряжением на коллекторе (выходным напряжением) V_CE. Для определенных значений тока базы (входного тока) I_b. Эти кривые устанавливают также взаимосвязь между входным током, с одной стороны, и выходным током и выходным напряжением — с другой. Например, для транзистора с выходными характеристиками, приведенными на рис. 21.9, при I_b= 40 мкА и V_CE= 6 В ток коллектора I_c = 4 мА. Это значение легко определяется из выходной характеристики, соответствующей выбранному току базы.

Характеристика для I_b = 0 соответствует транзистору в непроводящем состоянии, т. е. в состоянии отсечки, когда величина напряжения V_CEменьше требуемой величины прямого падения напряжения на эмиттерном переходе. Теоретически ток транзистора равен нулю при I_b = 0; однако реально очень слабый ток утечки всегда протекает через коллекторный переход.

Рис. 21.9. Семейство выходных характеристик транзистора.

Статический коэффициент усиления тока β

Очень важным параметром любого транзистора является его коэффициент усиления по постоянному току, называемый статическим коэффициентом усиления тока. Это коэффициент усиления тока для транзистора, находящегося в статическом режиме, то есть в отсутствие входного сигнала. Статический коэффициент усиления тока является безразмерной величиной (отношение величин двух токов) и определяется по формуле

Выходной ток I_c

β = —————————- = ——

Входной ток I_b

Величину β можно рассчитать с помощью выходных характеристик транзистора. Например, если транзистор работает в режиме, определяемом точкой Q (рабочая точка), при I_b, = 40 мкА и I_c = 4 мА, то

Передаточные характеристики

Эти характеристики устанавливают взаимосвязь между входным и выходным токами транзистора (рис. 21.10). С помощью такой характеристики можно рассчитать статический коэффициент усиления тока. Например, если точка Q — рабочая точка транзистора, то

Рис. 21.10. Передаточная характеристика транзистора.

В этом видео рассказывается о принципах работы транзистора:

Добавить комментарий

Как отличить транзисторы PNP и NPN?

Это довольно легко. Раньше я обычно делал это в старшей школе при утилизации деталей из неизвестных отброшенных досок.

Как сказал в своем выступлении Спер, иногда вы можете найти номер детали. В этом случае вы можете найти таблицу данных и получить параметры прямо. Однако слишком часто нет номера детали производителя или его короткого кода или его внутреннего номера. Особенно с меньшими пакетами, вам придется экспериментировать.

Во-первых, убедитесь, что омметр не настроен на какой-то дополнительный режим низкого напряжения, предназначенный для непереходных диодов смещения. У некоторых счетчиков есть такая особенность. В этом случае вы определенно хотите перенаправить смещения.

Биполярный транзистор имеет только три провода, поэтому только 6 возможных двухпроводных измерений при учете полярности. С точки зрения зондирования с помощью двухпроводного омметра биполярный транзистор выглядит как два диода спина к спине. Существует один B-E и один B-C. В NPN он принимает положительное напряжение на базе относительно E или C, чтобы проводить диоды, а наоборот — с помощью PNP. «N» и «P» в названиях сообщают вам напряжения, необходимые для проведения диодов.

Таким образом, легко понять, есть ли у вас NPN или PNP, а какой из них является основой. Следующая проблема заключается в том, чтобы выяснить, каковы C и E ведет. На большинстве пакетов C находится посередине. В пакете питания C обычно подключается к корпусу или вкладке или что-то еще.

Еще один способ проверить C на E — измерить коэффициент усиления. Транзистор по-прежнему будет работать с перевернутыми C и E, но коэффициент усиления будет выше при подключении по назначению. Обычно я делаю это, подключая счетчик через C-E. При плавании базы не должно быть тока, поэтому счетчик должен читать бесконечное сопротивление. Теперь используйте ваши пальцы для соединения C и B. Вы должны увидеть более низкое сопротивление, чем если бы вы использовали ваши пальцы для соединения C и E. Это кажущееся более низкое сопротивление связано с тем, что транзистор усиливает базовый ток.

Теперь запустите тот же тест, когда C-E перевернулся. В большинстве случаев одна ориентация имеет очевидный более высокий выигрыш. Если нет, то вы можете запустить этот тест с помощью реального резистора вместо ваших пальцев.

Импортные и отечественные мощные биполярные транзисторы. Справочник.

Наименование составных транзисторов выделено цветом. Особенностью справочника является то, что импортные транзисторы взяты не из справочников, а из прайсов интернет-магазинов (т.е., с большой вероятностью доставаемые)							Справочник предназначен для подбора компонентов по электрическим параметрам, для выбора замены (аналога) транзистору с известными характеристиками, подбора комплементарной пары. За основу справочника взяты отечественные транзисторы, расположенные в порядке возрастания напряжения и тока. Импортные современные транзисторы в справочник взяты из прайс-листов магазинов. Импортные и отечественные транзисторы, расположенные в одной колонке, имеют близкие параметры, хотя и не обязательно являются полными аналогами. Справочник предназначен для разработчиков и тех, кто занимается ремонтом. Для ходовых импортных транзисторов дана ссылка на магазин, где их можно купить. Справочник по отечественным мощным транзисторам. Полевые транзисторы. Справочник. Маломощные транзисторы. Справочник. Транзисторы средней мощности. Справочник. Отечественные smd транзисторы. Справочник. Главная страница.

Показать только: 40В 60В 70В 80В 100В 160В 200В 250В 300В 400В 500В 600В 700В 800В 900В 1500В 2000В ВСЕ

Отечеств.	Корпус	PDF	Тип	Imax, A	Импортный	Корпус
Внешний вид корпусов ТО:
Транзисторы на напряжение до 40В:
КТ668 (А-В)	ТО-92		pnp	0.1	BC557 BC857	TO-92 smd	современный pnp транзистор 40В 0.1А
КТ6111 (А-Г)	ТО-92		npn	0.1	BC547 BC847	TO-92 smd	npn транзистор 40В 0.1А
КТ6112 (А-В)	ТО-92		pnp	0.1 (0.15)	2SA1266 2SA1048	TO-92 TO-92	pnp транзистор 40В 0.1А
КТ503 А,Б	ТО-92		npn	0.15	2SC1815	TO-92	описание npn транзистора КТ503 на 40В 0.15А
2Т3133А	ТО-126		npn	0.3			npn транзистор 40В 0.3А
КТ501 Ж,И,К	ТО-92		pnp	0.3 (0.2)	2N3906	TO-92	описание транзистора биполярного кт501, характеристики и графики
КТ645Б	ТО-92		npn	0.3 (0.2)	2N3904	TO-92	npn транзистор 40В 0.3А
КТ646Б	ТО-126		npn	0.5 (0.6)	2N4401 MMBT2222	TO-92 smd	описание и характеристики npn транзистора КТ646 на 40В 0.5А
КТ626А	ТО-126		pnp	0.5	2N4403 BC807	TO-92 smd	транзистор биполярный кт626, характеристики
КТ685 А,В	ТО-92		pnp	0.6			транзистор биполярный кт685, характеристики
КТ686 А,Б,В	ТО-92		pnp	0.8	BC327	ТО-92	характеристики транзистора кт686
КТ660А	ТО-92		npn	0.8	BC337 BC817	ТО-92 smd	npn транзистор 40В 0.8А
КТ684А	ТО-92		npn	1	BC635	TO-92	npn транзистор 40В 1А
КТ692А	ТО-39		pnp	1	BC636	TO-92	pnp транзистор 40В 1А
КТ815А	ТО-126		npn	1.5	BD135	TO-126	npn транзистор КТ815 на 40В 1.5А
КТ639А,Б,В	ТО-126		pnp	1.5	BD136	TO-126	npn транзистор КТ639 на 40В 1.5А
КТ814А	ТО-126		pnp	1.5			pnp транзистор КТ814А на 40В 1.5А
2Т860В	ТО-39		pnp	2	2SA1020	TO-92L	транзистор биполярный 2т860
КТ852Г	ТО-220		pnp	2	FMMT717	sot23	транзистор биполярный кт852 на 40В 2А
КТ943А	ТО-126		npn	2			транзистор биполярный кт943
КТ817А,Б	ТО-126		npn	3			описание транзистора кт817 на 40В 3А
КТ816Б	ТО-126		pnp	3	2SB856	TO-220	транзистор биполярный кт816
КТ972Б КТ8131А	ТО-126		npn	4			описание составного транзистора кт972 на 40В 4А
КТ973Б КТ8130А	ТО-126		pnp	4	2SB857	TO-220	описание транзистора кт973
КТ835Б	ТО-220		pnp	7.5			описание транзистора кт835 на 40В 7А
2Т837В,Е	ТО-220		pnp	8			транзистор биполярный 2т837
КТ829Г	ТО-220		npn	8			описание составного транзистора кт829 на 40В 8А
КТ853Г	ТО-220		pnp	8			характеристики транзистора кт853
КТ819А,Б	ТО-220, ТО-3		npn	10	TIP34	TO-247	описание транзистора кт819 на 40В 10А
КТ818А	ТО-220, ТО-3		pnp	10	TIP33	TO-247	описание транзистора кт818
КТ863А	ТО-220		npn	10 (12)	2SD1062	TO-220	транзистор биполярный кт863 и импортный 2sd1062
2Т877В	ТО-3		pnp	20			составной 2Т877 на 40В 20А
Транзисторы на напряжение до 60В:
КТ503В,Г	ТО-92		npn	0.15 (0.1)	2SC3402 2SC3198 BC546	TO-92 TO-92 TO-92	описание транзистора КТ503 на 60В 0.1А
КТ645А	ТО-92		npn	0.3
КТ662А	ТО-39		pnp	0.4 (0.1)	BC556	TO-92	импортный транзистор 60В 0.1А в справочнике
КТ646А	ТО-126		npn	0.5	BD137 BCV49	TO-126 smd	описание транзистора КТ646 на 60В 0.5А
КТ626Б	ТО-126		pnp	0.5	BD138 BCV48	TO-126 smd	транзистор 60В 0.5А в справочнике
КТ685Б,Г	ТО-92		pnp	0.6 (1)	BC638	TO-92
КТ644(А-Г)	ТО-126		pnp	0.6			описание транзистора КТ644
КТ661А КТ529А	ТО-39 TO-92		pnp	0.6 (1)	2SA684 MMBT2907	TO-92L smd
КТ630Д,Е КТ530А	ТО-39 TO-92		npn	1	BC637 BSR41	TO-92 smd	транзистор на 60В 1А
КТ683Д,Е	ТО-126		npn	1	2SD1616	TO-92	транзистор на 60В 1А
КТ659А	ТО-39		npn	1.2
КТ961В	ТО-126		npn	1.5	BD137	TO-126
КТ639Г,Д	ТО-126		pnp	1.5	BD138	TO-126
КТ698В	ТО-92		npn	2	2SC2655 2SD1275	TO-92 TO-220FP	транзистор на 60В 2А
2Т831Б	ТО-39		npn	2
2Т830Б	ТО-39		pnp	2
2Т880В	ТО-39		pnp	2
2Т881В	ТО-39		npn	2
КТ852В	ТО-220		pnp	2			составной биполярный транзистор на 60В 2А
2Т708Б	ТО-39		pnp	2.5
КТ817В	ТО-126		npn	3 (4)	2N5191 2SD1266	ТО-126 TO-220FP	транзистор КТ817 на 60В 3А
2Т836В	ТО-39		pnp	3
КТ816В	ТО-126		pnp	3	2SB1366 2SB1015	TO-220FP TO-220FP	транзистор КТ816В на 60В 3А
КТ972А КТ8131Б	ТО-126		npn	4	BD677	TO-126	составной отечественный транзистор на 60В 4А
КТ973А КТ8130Б	ТО-126		pnp	4 (5)	BD678 2SA1469 2SB1203	TO-126 TO-220 smd	описание составного транзистора КТ973А на 60В 5А
КТ829В	ТО-220		npn	8 (5)	TIP120	TO-220	транзистор на 60В 5А
КТ8116В	ТО-220		npn	8			транзистор КТ8116 на 60В 8А
КТ853В	ТО-220		pnp	8			транзистор на 60В 8А
2Т837Б,Д	ТО-220		pnp	8
2Т709В	ТО-3		pnp	10	MJE2955	TO-220	биполярный транзистор на 60В 10А
2Т875В	ТО-3		npn	10	MJE3055	TO-220	транзистор на 60В 10А
2Т716В,В1	ТО-3 ТО-220		npn	10
КТ8284А	ТО-220		npn	12 (15)	TIP3055	TO-218	составной транзистор на 60В 15А
2Т825В2	ТО-220		pnp	15
КТ827В	ТО-3		npn	20			составной транзистор КТ827 на 60В 20А
2Т825В	ТО-3		pnp	20			транзистор на 60В 20А
2Т877Б	ТО-3		pnp	20			транзистор на 60В 20А
КТ8106Б	ТО-220		npn	20			составной транзистор КТ8106 на 60В 20А
КТ896Б	ТО-220		pnp	20			составной транзистор КТ896 на 60В 20А
КТ8111В9	ТО-218		npn	20			составной транзистор КТ8111 на 60В 20А
Транзисторы на напряжение до 70В:
КТ815В	ТО-126		npn	1.5	2SC5060	TO-92S	на 70В 1А
КТ814В	ТО-126		pnp	1.5
КТ698Б	ТО-92		npn	2			отечественный на 70В 2А
2Т831В	ТО-39		npn	2
2Т860Б	ТО-39		pnp	2
КТ943 Б,Д	ТО-126		npn	2
2Т837А,Г	ТО-220		pnp	8			на 70В 8А
КТ808ГМ	ТО-3		npn	10
КТ818В	ТО-220, ТО-3		pnp	10			описание транзистора КТ818В на 70В 10А
2Т876Б	ТО-3		pnp	10
2Т875Б	ТО-3		npn	10
Транзисторы на напряжение до 80В:
КТ503Д	ТО-92		npn	0.15 (0.3)	2SC1627	TO-92	транзистор на 80В 0.1А
КТ626В	ТО-126		pnp	0.5 (0.7)	2SA935	TO-92L	транзистор на 80В 0.5А
КТ684Б	ТО-92		npn	1			транзистор на 80В 1А
КТ961Б	ТО-126		npn	1.5			транзистор на 80В 1.5А
2Т881Б	ТО-39		npn	2 (1.5)	BD139	TO-126	транзистор на 80В 2А
2Т830В	ТО-39		pnp	2 (1.5)	BD140 BCP53	TO-126 smd	транзистор на 80В 2А
2Т880Б	ТО-39		pnp	2			транзистор на 80В 2А
КТ852Б	ТО-220		pnp	2			транзистор на 80В 2А
КТ943В,Г КТ8131В	ТО-126		npn	2 (4)	2N6039	TO-126	составной транзистор на 80В 4А
2Т836А,Б КТ8130В	ТО-39 ТО-126		pnp	3			характеристики составного транзистора КТ8131 на 80В 4А
КТ829Б	ТО-220		npn	8 (5)	BD679 TIP121 MJD44h21	TO-126 TO-220 smd	транзистор 80В 5А, составной транзистор на 80В 4А
КТ8116Б	ТО-220		npn	8 (10)	2SD2025 BDX33B	TO-220FP TO-220	составной транзистор на 80В 10А
КТ853Б	ТО-220		pnp	8 (10)	BDX34B	TO-220	составной транзистор на 10А 80В
2Т709Б	ТО-3		pnp	10	TIP33B	TO-247	транзистор на 80В 10А
2Т876А,Г	ТО-3		pnp	10
2Т716Б,Б1	ТО-3 ТО-220		npn	10			транзистор на 80В 10А
КТ808ВМ	ТО-3		npn	10
КТ819Б,В*	ТО-220 ТО-3		npn	10	TIP34B	TO-247
2Т875А,Г	ТО-3		npn	10
КТ8284Б	ТО-220		npn	12			на 80В 12А
2Т825Б2	ТО-220		pnp	15			транзистор на 80В 15А
КТ827Б	ТО-3		npn	20			транзистор на 80В 20А
2Т825Б	ТО-3		pnp	20			транзистор на 80В 20А
2Т877А	ТО-3		pnp	20			транзистор на 80В 20А
КТ8111Б9	ТО-218		npn	20			составной транзистор на 80В 20А
КТ8106А	ТО-220		npn	20			составной транзистор на 80В 20А
КТД8280А	ТО-218		npn	60			составной транзистор на 80В 60А
КДТ8281А	ТО-218		pnp	60			транзистор на 80В 60А
КТД8283А	ТО-218		pnp	60
Транзисторы на напряжение до 100-130В:
КТ601А,АМ	ТО-126		npn	0.03			биполярный транзистор на 100В 30мА
КТ602А,АМ	ТО-126		npn	0.075
КТ638А,Б	ТО-92		npn	0.1	2SC2240	TO-92	биполярный транзистор на 100В 100мА
КТ503Е	ТО-92		npn	0.15
КТ807А,Б	ТО-126		npn	0.5
КТ630А,Б,Г	ТО-39		npn	1			биполярный транзистор на 100В 1А
КТ684В	ТО-92		npn	1	BC639	TO-92	биполярный npn транзистор на 100В 1А
КТ683Б,В,Г	ТО-126		npn	1			биполярный транзистор на 100В 1А
КТ719А	ТО-126		npn	1.5
КТ815Г	ТО-126		npn	1.5			биполярный транзистор на 100В 1.5А
КТ961А	ТО-126		npn	1.5			биполярный транзистор на 100В 1.5А
КТ814Г	ТО-126		pnp	1.5 (1)	2N5400 BC640 2SA1358	TO-92 TO-92 TO-126	биполярный pnp транзистор на 100В 1.5А
КТ6103А	ТО-92		npn	1.5			биполярный транзистор на 100В 1.5А
КТ6102А	ТО-92		pnp	1.5			биполярный транзистор на 100В 1.5А
КТ698А	ТО-92		npn	2	BD237	TO-126	биполярный транзистор на 100В 2А
2Т831Г	ТО-39		npn	2	SD1765	TO-220FP	биполярный транзистор на 100В 2А
2Т881А,Г	ТО-39		npn	2			биполярный транзистор на 100В 2А
2Т860А	ТО-39		pnp	2			биполярный pnp транзистор на 100В 2А
2Т830Г	ТО-39		pnp	2			биполярный pnp транзистор на 100В 2А
2Т880А,Г	ТО-39		pnp	2			биполярный pnp транзистор на 100В 2А
КТ852А	ТО-220		pnp	2			составной pnp транзистор на 100В 2А
2Т708А	ТО-39		pnp	2.5			составной pnp транзистор на 100В 2.5А
КТ817Г	ТО-126		npn	3			транзистор 100В на 3А
КТ816Г	ТО-126		pnp	3 (5)	TIP42C TIP127	TO-220	pnp транзистор 100В 3А, pnp транзистор на 100В 5А
КТ805БМ,ВМ	ТО-220		npn	5			npn транзистор на 100В 5А
КТ829А	ТО-220		npn	8 (5)	TIP122	TO-220	составной npn транзистор на 100В 8А
КТ8116А	ТО-220		npn	8			составной npn транзистор на 100В 8А
КТ853А	ТО-220		pnp	8 (5)			составной pnp транзистор на 100В 8А
КТ8115А	ТО-220		pnp	8			составной pnp транзистор на 100В 8А
2Т709А	ТО-3		pnp	10	BDX34C	TO-220	составной pnp транзистор на 100В 10А
2Т716А,А1	ТО-3 ТО-220		npn	10	BDX33C	TO-220	составной npn транзистор на 100В 10А
КТ808 АМ,БМ	ТО-3		npn	10			npn транзистор на 100В 10А
КТ819А,Г	ТО-220 ТО-3		npn	10	TIP34C	TO-247	npn транзистор на 100В 10А
КТ818Г	ТО-220 ТО-3		pnp	10	TIP33B 2SA1265	TO-247	pnp транзистор на 100В 10А
КТ8284В	ТО-220		npn	12			составной npn транзистор на 100В 12А
КТ8246 А,Б	ТО-220		npn	15			составной npn транзистор на 100В 15А
2Т825А2	ТО-220		pnp	15			составной pnp транзистор на 100В 15А
ПИЛОН-3А	ТО-220		npn	15			составной npn транзистор на 100В 15А
КТ827А	ТО-3		npn	20			составной npn транзистор на 100В 20А
2Т825А	ТО-3		pnp	20			составной pnp транзистор на 100В 20А
КТД8257А	ТО-220		npn	20			составной npn транзистор на 100В 20А
2Т935Б	ТО-220		npn	20			npn транзистор на 100В 20А
КТД8278Б,В	ТО-220 ТО-263		npn	20			npn транзистор на 100В 20А
КТ896А	ТО-220		pnp	20			npn транзистор на 100В 20А
КТ8111А9	ТО-218		npn	20			составной npn транзистор на 100В 20А
КТД8280Б	ТО-218		npn	60			составной npn транзистор на 100В 60А
КТД8281Б	ТО-218		pnp	60			pnp транзистор на 100В 60А
КТД8283Б	ТО-218		pnp	60			pnp транзистор на 100В 60А
Транзисторы на напряжение до 160В:
КТ611В,Г	ТО-126		npn	0.1	2SC2230 2SD1609	TO-92L TO-126
КТ940В	ТО-126		npn	0.1
КТ6117	ТО-92		npn	0.6 (0.3)	2N5551	TO-92
КТ6116	ТО-92		pnp	0.6 (0.3)	2N5401	TO-92
КТ630В	ТО-39		npn	1	2SC2383	TO-92L
КТ683А	ТО-126		npn	1
КТ850В	ТО-220		npn	2
КТ8123А	ТО-220		npn	2
КТ851В	ТО-220		pnp	2 (1)	2SA940 KSA1013 2SA1306	TO-220 TO-92L TO-220FP
КТ805АМ	ТО-220		npn	5
КТ855Б,В	ТО-220		pnp	5
КТ899А	ТО-220		npn	8
КТ712Б	ТО-220		pnp	10	2SA1186	ТО-3Р
КТ863БС	ТО-220 ТО-263		npn	12	2SC3907	TO-3P ?
КТ8246В,Г	ТО-220		npn	15
КТ8101Б	ТО-218		npn	16
КТ8102Б	ТО-218		pnp	16	2SA1216	SIP3
КТД8257Б	ТО-220		npn	20
ПИР-2 (КТ740А)	ТО-220 ТО-218		npn	20
КТ879Б	КТ-5		npn	50
Транзисторы на напряжение до 200В:
КТ611А,Б	ТО-126		npn	0.1 (0.2)	2SC1473 BFP22	TO-92 TO-92	биполярный транзистор на 200В 0.1А
КТ504Б	ТО-39		npn	1			биполярный транзистор на 200В 1А
КТ851А	ТО-220		pnp	2			биполярный транзистор на 200В 2А
КТ842Б	ТО-3		pnp	5			биполярный транзистор на 200В 5А
КТ864А	ТО-3		npn	10 (7)	BU406	TO-220	биполярный транзистор на 200В 10А
КТ865А	ТО-3		pnp	10			биполярный транзистор на 200В 10А
КТ712А	ТО-220		pnp	10			составной биполярный транзистор на 200В 10А
КТ945А	ТО-3		npn	15			биполярный транзистор на 200В 15А
КТ8101А	ТО-218		npn	16			биполярный транзистор на 200В 15А
КТ8102А	ТО-218		pnp	16	2SA1294 2SA1302	TO-247	биполярный транзистор на 200В 16А
КТД8257(А-Г)	ТО-220		npn	20			составной биполярный транзистор на 200В 20А
КТД8278А	ТО-220 ТО-263		npn	20			составной биполярный транзистор на 200В 20А
КТ897Б	ТО-218		npn	20			составной биполярный транзистор на 200В 20А
КТ898Б	ТО-218		npn	20			составной транзистор на 200В 20А
КТ867А	ТО-3		npn	25			биполярный транзистор на 200В 25А
КТ879А	КТ-5		npn	50			биполярный транзистор на 200В 50А
Транзисторы на напряжение до 250В:
КТ605А,Б	ТО-126		npn	0.1 (0.05)	BF422	TO-92
КТ940Б	ТО-126		npn	0.1
КТ969А	ТО-126		npn	0.1
КТ504В	ТО-39		npn	1
2Т882В	ТО-220		npn	1
КТ505Б	ТО-39		pnp	1
2Т883Б	ТО-220		pnp	1	2SA1837	TO-220FP
КТ850А,Б	ТО-220		npn	2
КТ851Б	ТО-220		pnp	2
КТ855А	ТО-220		pnp	5
КТ857А	ТО-220		npn	7 (8)	MJE15032	TO-220
КТ844А	ТО-3		npn	10
2Т862А,Б	ТО-3		npn	15
Транзисторы на напряжение до 300В:
КТ940А	ТО-126		npn	0.1 (0.05)	2SC2482 2SC5027 BF820	TO-92L TO-92L smd	npn транзистор на 300В 0.1А
КТ9115А	ТО-126		pnp	0.1 (0.05)	2SA1091 BF821	TO-92 smd	pnp транзистор на 300В 0.1А
КТ6105А	ТО-92		npn	0.15			npn транзистор на 300В 0.1А
КТ6104А	ТО-92		pnp	0.15	2SA1371	TO-92L	pnp транзистор на 300В 0.1А
2Т882Б	ТО-220		npn	1 (0.5)	MJE340 MPSA42	TO-126 TO-92	npn транзистор на 300В 1А
КТ504А	ТО-39		npn	1 (1.5)	MJE13002	TO-220	npn транзистор на 300В 1А
Т505А	ТО-39		pnp	1 (0.5)	MJE350	TO-126
2Т883А	ТО-220		pnp	1
КТ8121Б	ТО-220		npn	4			npn транзистор на 300В 3А
КТ8258Б	ТО-220		npn	4			npn транзистор на 300В 4А
КТ842А	ТО-3		pnp	5			на 300В 5А
КТ8124В	ТО-220		npn	7			npn транзистор на 300В 6А
КТ8109А,Б	ТО-220		npn	7			составной npn транзистор на 300В 7А
КТД8262(А-В)	ТО-220		npn	7			составной npn транзистор на 300В 7А
КТ8259Б	ТО-220		npn	8			npn транзистор на 300В 8А
КТ854Б	ТО-220		npn	10			npn транзистор на 300В 10А
КТД8279(А-В)	ТО-220 ТО-218		npn	10			составной транзистор на 300В 10А
КТ892А,В	ТО-3		npn	15			npn транзистор на 300В 15А
КТ8260А	ТО-220		npn	15			npn транзистор на 300В 15А
КТД8252(А-Г)	ТО-220 ТО-218		npn	15			составной npn транзистор на 300В 15А
КТ890(А-В)	ТО-218		npn	20			составной npn транзистор на 300В 20А
КТ897А	ТО-218		npn	20			составной npn транзистор на 300В 20А
КТ898А	ТО-218		npn	20			составной npn транзистор на 300В 20А
КТ8232А,Б	ТО-218		npn	20			составной npn транзистор на 300В 20А
КТ8285А КТ8143Ш	ТО-218 ТО-3		npn	30 80			мощный npn транзистор КТ8143 на напряжение 300В и ток 80А
Транзисторы на напряжение до 400В:
2Т509А	ТО-39		pnp npn npn	0.02 (0.5) 0.2 0.2	2SA1625 MPSA44 MJE13001	TO-92	npn транзистор на 400В 0.5А
2Т882А	ТО-220		npn	1 (1.5)	MJE13003 TIP50	TO-220 TO-220	npn транзистор на 400В 1А
КТ704Б,В			npn	2.5 (2)	BUX84	TO-220	npn транзистор на 400В 2.5А
КТ8121А	ТО-220		npn	4			npn транзистор на 400В 3А
КТ8258А	ТО-220		npn	4	MJE13005	TO-220	npn транзистор на 400В 4А
КТ845А	ТО-3		npn	5	BUT11	TO-220	npn транзистор на 400В 5А
КТ840А,Б	ТО-3		npn	6	2SD1409	TO-220FP	npn транзистор на 400В 6А
КТ858А	ТО-220		npn	7	2SC2335	TO-220	npn транзистор на 400В 7А
КТ8124А,Б	ТО-220		npn	7	2SC3039	TO-220	npn транзистор на 400В 7А
КТ8126А	ТО-220		npn	8	MJE13007	TO-220	npn транзистор на 400В 8А
КТ8259А	ТО-220		npn	8	2SC4834	TO-220FP	npn транзистор на 400В 8А
КТ8117А	ТО-218		npn	10	2SC2625	TO-247	npn транзистор на 400В 9А
КТ841Б	ТО-3		npn	10	2SC3306	TO-3P	npn транзистор на 400В 10А
2Т862Г	ТО-3		npn	10	2SC4138	TO-3P	npn транзистор на 400В 10А
2Т862В	ТО-3		npn	10 (12)	MJE13009 2SC3042	TO-220 TO-3P	биполярный транзистор на 400В 10А
КТД8279А	ТО-220 ТО-218		npn	10			составной транзистор на 400В 10А
КТ834В	ТО-3		npn	15			составной транзистор на 400В 15А
КТ848А	ТО-3		npn	15			транзистор на 400В 15А
КТ892Б	ТО-3		npn	15			npn транзистор на 400В 15А
КТ8260Б	ТО-220		npn	15			npn транзистор на 400В 15А
КТ8285Б	ТО-218 ТО-3		npn	30			npn транзистор на 400В 30А
2Т885А	ТО-3		npn	40			npn транзистор на 400В 40А
Транзисторы на напряжение до 500В:
КТ6107А	ТО-92		npn	0.13			npn транзистор на 500В 0.1А
КТ6108А	ТО-92		pnp	0.13
КТ704А			npn	2.5 (1.5)	2SC3970	TO-220FP	npn транзистор на 500В 2А
КТ8120А	ТО-220		npn	3 (5)	BUL310	TO-220FP	npn транзистор на 500В 3А
КТ812Б	ТО-3		npn	8			npn транзистор на 500В 8А
КТ854А	ТО-220		npn	10			npn транзистор на 500В 10А
2Т856В	ТО-3		npn	10			npn транзистор на 500В 10А
КТ8260В	ТО-220		npn	15			npn транзистор на 500В 15А
КТ834А,Б	ТО-3		npn	15			npn транзистор на 500В 15А
ПИР-1	ТО-218		npn	20			npn транзистор на 500В 20А
КТ8285В	ТО-218 ТО-3		npn	30			npn транзистор на 500В 30А
2Т885Б	ТО-3		npn	40			npn транзистор на 500В 40А
Транзисторы на напряжение до 600В:
КТ888Б	ТО-39		pnp	0.1			pnp транзистор на 600В 0.1А
КТ506Б	ТО-39		npn	2			npn транзистор на 600В 2А
2Т884Б	ТО-220		npn	2 (3)	2SC5249	TO-220FP	npn транзистор на 600В 2А
КТ887Б	ТО-3		pnp	2 (1)	2SA1413	smd	pnp транзистор на 600В 2А
КТ828Б,Г	ТО-3		npn	5 (6)	2SD2499 2SD2498 2SD1555	TO-3PF TO-3PF TO-3PF	строчный транзистор на 600В 5А
КТ8286А	ТО-218 ТО-3		npn	5 (8)	2SC5386	TO-3P ?	строчный транзистор на 600В 5А
КТ856А1,Б1	ТО-218		npn	10	ST1803	ISOW218	строчный транзистор на 600В 10А
КТ841А,В	ТО-3		npn	10	2SC5387	ISOW218	npn транзистор на 600В 10А
КТ847А	ТО-3		npn	15 (20)	2SC4706 2SC5144	TO-3P TO-247 ?	мощный транзистор высоковольтный на 600В 15А
КТ8144Б	ТО-3		npn	25			мощный высоковольтный транзистор на 600В 25А
КТ878В	ТО-3		npn	30			мощный npn транзистор на 600В 30А
Транзисторы на напряжение до 700В:
КТ826(А-В)	ТО-3		npn	1			npn транзистор на 700В 1А
КТ8137А	ТО-126		npn	1.5			npn транзистор на 700В 1.5А
КТ887А	ТО-3		pnp	2			pnp транзистор на 700В 2А
КТ8286Б	ТО-218 ТО-3		npn	5			npn транзистор на 700В 5А
КТ8107(А-Г)	ТО-220		npn	8			npn транзистор на 700В 8А
КТ812А	ТО-3		npn	10	BUh200	TO-220	высоковольтный транзистор на 700В 10А
2Т856Б	ТО-3		npn	10			npn транзистор на 700В 10А
Транзисторы на напряжение до 800В:
КТ506А	ТО-39		npn	2			высоковольтный npn транзистор 800В 1А
2Т884А	ТО-220		npn	2			npn транзистор на 800В 2А
КТ859А	ТО-220		npn	3	2SC3150	TO-220	npn транзистор на 800В 3А
КТ8118А	ТО-220		npn	3			npn транзистор на 800В 3А
КТ828А,В	ТО-3		npn	5			npn транзистор на 800В 4А
КТ8286В	ТО-218 ТО-3		npn	5			npn транзистор на 800В 5А
КТ868Б	КТ-9		npn	6 (8)	2SC5002 2SC4923	TO-3PF TO-3PML	высоковольтный транзистор на 800В 6А
КТ8144А	ТО-3		npn	25	2SC3998	TO-3PBL	высоковольтный транзистор на 800В 25А
КТ878Б	ТО-3		npn	30			высоковольтный npn транзистор на 800В 30А
Большая часть из приведенных здесь транзисторов на напряжение свыше 600В применяются в строчных развертках телевизоров и мониторов. В справочнике они расположены по пиковому напряжению коллектор-эмиттер. Если судить по графикам, то область безопасной работы у них, за редким исключением, не более 800В, а пиковое напряжение они держат лишь при соблюдении определенных условий.? Транзисторы на напряжение до 900В:
КТ888А	ТО-39		pnp	0.1			транзистор высоковольтный на 900В 0.1А
КТ868А	КТ-9		npn	6 (3)	2SC3979	TO-220	npn транзисторы высоковольтные на 900В 6А
2Т856А	ТО-3		npn	10			npn транзистор высоковольтный на 900В 10А
КТ878А	ТО-3		npn	30			высоковольтный npn транзистор на 900В 30А
Транзисторы на напряжение до 1000-1500В:
КТ838А	ТО-3		npn	5	BU508	TO-3PF	биполярный транзисторы высоковольтные на 1500В 5А
КТ846А	ТО-3		npn	5	BU2506	SOT-199	современный высоковольтный строчный транзистор на 1500В 5А
КТ872А,Б	ТО-218		npn	8	BU2508 2SC5447	TO-3PFM SOT-199	современные высоковольтные транзисторы на 1500В 8А
КТ886Б1	ТО-218		npn	8 (10)	BU1508	TO-220	современный высоковольтный биполярный транзистор на 1000В 10А
КТ839А	ТО-3		npn	10	BU2520	TO-3PML	современный биполярный высоковольтный транзистор на 1500В 10А
КТ886А1	ТО-218		npn	10 (12)	2SC5270	TO3-PF	современный высоковольтный npn транзистор на 1500В 10А
			npn	25	2SC5244 2SC3998	TOP-3L ТО-3PBL	строчный транзистор на 1500В 25А
Транзисторы на напряжение свыше 2000В
2Т713А	ТО-3		npn	3			транзистор высоковольтный на 2000В 3А
КТ710А	ТО-3		npn	5			npn транзистор высоковольтный на 2000В 5А

Что такое транзистор NPN? Определение, виды и применение.

Транзисторы

NPN представляют собой тип биполярного транзистора с тремя слоями, которые используются для усиления сигнала. Это устройство, управляемое током. Отрицательно-положительно-отрицательный транзистор обозначается аббревиатурой NPN. Полупроводник p-типа сплавлен между двумя полупроводниковыми материалами n-типа в этой конфигурации.

Он разделен на три секции: эмиттер, база и коллектор.В NPN-транзисторе поток электронов заставляет его проводить.

Символ NPN:

На следующей диаграмме показано символическое представление NPN-транзистора:

Направление тока через устройство ясно показано направленной наружу стрелкой на выводе эмиттера в символическом представлении. Электроны составляют большинство носителей в NPN-транзисторах.

Конструкция NPN-транзистора:

Транзистор NPN построен двумя способами.

Как мы уже знаем, транзисторы

NPN образуются, когда полупроводниковый материал p-типа (кремний или германий) сплавлен между двумя полупроводниковыми материалами n-типа.

Конструктивная структура NPN-транзистора изображена на схеме ниже:

Транзистор NPN состоит из ряда различных компонентов.

Он разделен на три секции: эмиттер, база и коллектор.

Переход эмиттер-база — это область, которая соединяет эмиттер и базовую область.С другой стороны, соединение коллектор-база — это точка, где встречаются базовая и коллекторная области. Он функционирует как два диода с PN-переходом из-за наличия двух переходов между тремя областями.

Уровни допинга в каждой из трех областей различаются. В эмиттерной области много легирования, в то время как в базовой области также много легирования. А уровень легирования коллекторной области умеренный, он находится где-то между эмиттерной и базовой областью. Его обратным является транзистор PNP, у которого P-область расположена между двумя областями N-типа.

Стоит отметить, что переключение областей эмиттера и коллектора невозможно. Причина этого в том, что толщина коллекторной области немного больше эмиттерной. Так что можно рассеять больше энергии.

Транзистор NPN рабочий:

Давайте теперь посмотрим, как работает транзистор NPN.

Когда к транзистору не приложено смещение или между его выводами нет батареи. Тогда это называется несмещенным состоянием транзистора.Мы уже говорили о том, как работает диод с PN переходом при отсутствии смещения. Как мы уже знаем, транзистор состоит из двух PN-переходов.

В результате, при отсутствии смещения электроны в эмиттерной области начинают двигаться к базовой области из-за изменений температуры. Однако по прошествии определенного времени на переходе эмиттер-база транзистора образуется обедненная область. Только около 5% электронов соединяются с дырками в этой области после достижения базовой области, в то время как остальные дрейфуют через область коллектора.Точно так же через некоторое время на переходе база-коллектор транзистора образуется область истощения.

Стоит отметить, что толщина обедненной области определяется концентрацией легирования материала. Иными словами, в случае слаболегированной области ширина обедненной области будет больше, чем в случае сильно легированной области. Вот почему ширина обеднения на переходе коллектор-база шире, чем на переходе эмиттер-база.Эти две области истощения служат потенциальным камнем преткновения для любого дальнейшего потока основных носителей.

На следующей диаграмме показано смещенное состояние NPN-транзистора:

Ширина обедненной области, также называемой PN-переходом, сужается в результате прямого приложенного напряжения на переходе эмиттер-база. Точно так же ширина перехода коллектор-база увеличивается за счет обратного приложенного напряжения. Вот почему, по сравнению с переходом коллектор-база на предыдущем рисунке, переход эмиттер-база имеет тонкую обедненную область.

Электроны начинают инжектировать в область эмиттера в результате приложенного вперед напряжения VBE. Электроны в этой области обладают достаточной энергией, чтобы преодолеть барьерный потенциал перехода эмиттер-база и достичь базовой области.

Движение носителей заряда в NPN-транзисторе показано на диаграмме ниже:

Потому что базовая область очень тонкая и легированная. В результате только несколько электронов соединяются с дырками, когда достигают места назначения.Из-за сильного электростатического поля электроны начинают дрейфовать в области коллектора из-за очень тонкой области базы и обратного напряжения на переходе коллектор-база. В результате эти электроны теперь собираются на выводе коллектора транзистора. Электроны начинают двигаться к коллектору, поскольку рекомбинированные дырки и электроны отделяются друг от друга. В результате этого движения через устройство также протекает очень небольшой базовый ток. Вот почему ток эмиттера равен сумме токов базы и коллектора. IE = IB + IC

Применения диода NPN:

Транзисторы с диодами NPN (NPN) используются во множестве,

Высокочастотные приложения используют их.
Коммутационные приложения — это области, где чаще всего используются NPN-транзисторы.
Этот компонент используется в схемах усиления.
Для усиления слабых сигналов используется в парных схемах Дарлингтона.
NPN используются в приложениях, где требуется приемник тока.
Некоторые классические схемы усилителя, такие как «двухтактные» схемы усилителя, используют этот компонент.
Например, в датчиках температуры.
Приложения с чрезвычайно высокой частотой.
В логарифмических преобразователях используется эта переменная.
Потому что усиление сигнала осуществляется на транзисторах NPN. В усилительных схемах он используется именно так.
Логарифмические преобразователи — еще одна область, где он используется.
Коммутационная характеристика NPN-транзистора — одно из его самых значительных преимуществ. В результате он обычно используется при переключении приложений.

NPN транзисторы термины, которые важно знать:

Область эмиттера: Это самая большая часть структуры, которая больше, чем базовая область, но меньше, чем область коллектора. В нем много допинга. Он используется для переноса основных носителей в базовую область, которыми являются электроны.Это область с прямым смещением, что означает, что она всегда имеет прямую смещенную область базовой области.

Область основания: Область основания расположена в середине конструкции. По сравнению с областями эмиттера и коллектора транзистора, он имеет небольшую область. Он слегка легирован, чтобы гарантировать минимальную рекомбинацию и высокий ток на коллекторе.

Область коллектора: Это крайняя правая секция структуры, и ее функция суммируется в ее названии: она собирает носители, передаваемые базовой областью.По сравнению с базовой областью, эта область получает обратное смещение.

Что такое транзистор NPN? — Определение, строительство и работа

Определение: Транзистор, в котором один материал p-типа помещен между двумя материалами n-типа, известен как NPN-транзистор . NPN-транзистор усиливает слабый сигнал , поступающий на базу, и производит сильные сигналы усиления на конце коллектора. В NPN-транзисторе направление движения электрона — от эмиттера к области коллектора , из-за чего ток составляет в транзисторе.Такой тип транзисторов чаще всего используется в схеме, потому что их основными носителями заряда являются электроны, которые имеют большую подвижность по сравнению с дырками.

Конструкция NPN-транзистора

NPN-транзистор имеет два диода, соединенных спина к спине. Диод на левой стороне называется диодом эмиттер-база, а диоды на левой стороне — диодом коллектор-база. Эти имена даны согласно названиям терминалов.

NPN-транзистор имеет три вывода: эмиттер, коллектор и базу.Средняя часть NPN-транзистора слегка легирована, и это наиболее важный фактор работы транзистора. Эмиттер умеренно легирован, а коллектор сильно легирован.

Схема

NPN транзистора

Принципиальная схема NPN-транзистора показана на рисунке ниже. Коллектор и база соединены с обратным смещением, в то время как эмиттер и база соединены с прямым смещением. Коллектор всегда подключен к положительному источнику питания, а база — к отрицательному источнику питания для управления состояниями ВКЛ / ВЫКЛ транзистора.

Работа транзистора NPN

Принципиальная схема NPN-транзистора показана на рисунке ниже. Прямое смещение применяется к переходу эмиттер-база, а обратное смещение применяется к переходу коллектор-база. Напряжение прямого смещения V _EB мало по сравнению с напряжением обратного смещения V _CB.

Эмиттер NPN-транзистора сильно легирован. Когда к эмиттеру прикладывается прямое смещение, основные носители заряда движутся к базе.Это вызывает ток эмиттера I _E. Электроны входят в материал P-типа и соединяются с отверстиями.

База NPN-транзистора слегка легирована. Благодаря этому только несколько электронов объединяются, а оставшиеся составляют базовый ток I _B. Этот базовый ток входит в область коллектора. Обратный потенциал смещения области коллектора прикладывает высокую силу притяжения к электронам, достигающим коллекторного перехода. Таким образом притягивают или собирают электроны на коллекторе.

В базу вводится весь ток эмиттера. Таким образом, можно сказать, что ток эмиттера складывается из тока коллектора и базы.

Различия между транзисторами NPN и PNP и их создание

Как p-n-p, так и n-p-n транзисторы являются основными транзисторами, которые подпадают под категорию транзисторов с биполярным переходом. Они используются в различных схемах усиления и схемах модуляции. Наиболее частым из его применений является режим полного включения и выключения, называемый переключателем.

Транзисторы NPN и PNP представляют собой транзисторы с биполярным переходом и являются основным электрическим и электронным компонентом, который используется для создания многих электрических и электронных проектов. В работе этих транзисторов участвуют как электроны, так и дырки. Транзисторы PNP и NPN допускают усиление тока. Эти транзисторы используются как переключатели, усилители или генераторы. Транзисторы с биполярным переходом можно найти в большом количестве в виде частей интегральных схем или в виде дискретных компонентов.В транзисторах PNP основными носителями заряда являются дырки, тогда как в транзисторах NPN электроны являются основными носителями заряда. Но полевые транзисторы имеют только один тип носителя заряда.

В основе формирования этих транзисторов лежат диоды с p-n переходом. Как и в транзисторах n-p-n, n-типы являются в большинстве своем, поэтому они включают избыточное количество электронов в качестве носителей заряда. В p-n-p транзисторах есть два p-типа, в результате чего большинство носителей заряда представляют собой дырки.

Основное различие между транзисторами NPN и PNP заключается в том, что транзистор NPN включается, когда ток течет через базу транзистора. В этом типе транзистора ток течет от коллектора (C) к эмиттеру (E). Транзистор PNP включается, когда на базе транзистора нет тока. В этом транзисторе ток течет от эмиттера (E) к коллектору (C). Таким образом, зная это, транзистор PNP включается низким сигналом (земля), а транзистор NPN включается высоким сигналом (током). .

Различия между транзисторами NPN и PNP и их изготовление

Транзистор PNP

Транзистор PNP — это транзистор с биполярным переходом; В транзисторе PNP первая буква P указывает полярность напряжения, необходимого для эмиттера; вторая буква N указывает полярность цоколя. Работа транзистора PNP полностью противоположна работе транзистора NPN. В транзисторах этого типа большинство носителей заряда — дырки. По сути, этот транзистор работает так же, как транзистор NPN.Материалы, которые используются для изготовления выводов эмиттера, базы и коллектора в транзисторе PNP, отличаются от материалов, используемых в транзисторе NPN. Схема смещения транзистора PNP показана на рисунке ниже. Клеммы база-коллектор PNP-транзистора всегда имеют обратное смещение, поэтому для коллектора необходимо использовать отрицательное напряжение. Следовательно, вывод базы PNP-транзистора должен быть отрицательным по отношению к выводу эмиттера, а коллектор должен быть отрицательным, чем база.

Изготовление транзистора PNP

Конфигурация транзистора PNP показана ниже. Характеристики транзисторов PNP и NPN аналогичны, за исключением того, что смещение направления напряжения и тока меняются местами для любой из трех возможных конфигураций, таких как общая база (CB), общий эмиттер (CE) и общий коллектор (CC). .Напряжение между базой и выводом эмиттера VBE отрицательное на выводе базы и положительное на выводе эмиттера, потому что для транзистора PNP вывод базы всегда смещен отрицательно по отношению к эмиттеру.Кроме того, напряжение эмиттера положительно по отношению к коллектору (VCE).

Источники напряжения подключены к транзистору PNP, который показан на рисунке. Эмиттер подключен к Vcc с помощью RL, этот резистор ограничивает максимальный ток, протекающий через устройство, которое подключено к клемме коллектора. Базовое напряжение VB подключено к базовому резистору RB, который смещен отрицательно по отношению к эмиттеру. Чтобы ток базы протекал через PNP-транзистор, клемма базы должна быть более отрицательной, чем клемма эмиттера, примерно на 2,8%.0,7 В или устройство Si.

Основное различие между PNP и PN-транзисторами заключается в правильном смещении переходов транзистора; направления тока и полярности напряжения всегда противоположны друг другу.

Основы P-N-P

Транзисторы p-n-p сформированы с n-типом, присутствующим между p-типами. Большинство носителей, ответственных за генерацию тока, в этом транзисторе являются дырками. Рабочая операция аналогична работе n-p-n.Но приложения напряжений или токов с точки зрения полярности различаются.

Транзистор NPN

Транзистор NPN представляет собой транзистор с биполярным переходом. В транзисторе NPN первая буква N указывает отрицательно заряженный слой материала, а P указывает положительно заряженный слой. Эти транзисторы имеют положительный слой, расположенный между двумя отрицательными слоями. Транзисторы NPN обычно используются в схемах для переключения, усиления электрических сигналов, которые проходят через них.Эти транзисторы содержат три вывода, а именно базу, коллектор и эмиттер, и эти выводы соединяют транзистор с печатной платой. Когда ток протекает через NPN-транзистор, клемма базы транзистора принимает электрический сигнал, коллектор создает более сильный электрический ток, чем тот, который проходит через базу, а эмиттер передает этот более сильный ток на остальную часть схемы. В этом транзисторе ток течет через вывод коллектора к эмиттеру.

Обычно этот транзистор используется потому, что его очень легко изготовить. Для правильной работы NPN-транзистора он должен быть сформирован из полупроводникового материала, который пропускает электрический ток, но не в максимальном количестве, как у очень проводящих материалов, таких как металл. «Si» — один из наиболее часто используемых полупроводников, а транзисторы NPN — самые простые транзисторы, которые можно сделать из кремния. Применение транзистора NPN находится на печатной плате компьютера. Компьютеры нуждаются в том, чтобы вся их информация была переведена в двоичный код, и этот процесс достигается с помощью множества маленьких переключателей на печатных платах компьютеров.Для этих переключателей можно использовать транзисторы NPN. Мощный электрический сигнал включает переключатель, а отсутствие сигнала выключает его.

Изготовление транзистора NPN

Конструкция транзистора NPN показана ниже. Напряжение на выводе базы положительное, а на выводе эмиттера — отрицательное из-за транзистора NPN. Вывод базы всегда положительный по отношению к выводу эмиттера, а также напряжение питания коллектора положительно относительно вывода эмиттера.В NPN-транзисторе коллектор подключен к VCC через нагрузочный резистор RL. Этот нагрузочный резистор ограничивает ток, протекающий через максимальный ток базы. В этом транзисторе движение электронов через вывод базы, составляющее действие транзистора. Основная особенность действия транзистора — связь между входной и выходной цепями. Потому что усилительные свойства транзистора проистекают из последующего управления, которое база применяет к коллектору для эмиттерного тока.

Транзистор — это устройство, работающее от тока. Когда транзистор включен, большой ток IC протекает между коллектором и эмиттером внутри транзистора. Однако это происходит только тогда, когда через базовый вывод транзистора протекает небольшой ток смещения Ib. Это биполярный транзистор NPN; ток — это отношение этих двух токов (Ic / Ib), которое называется усилением постоянного тока устройства и обозначается символом «hfe» или в настоящее время бета. Значение бета может быть большим, вплоть до 200 для стандартных транзисторов, и именно это соотношение между Ic и Ib делает транзистор полезным усилителем.Когда этот транзистор используется в активной области, то Ib обеспечивает вход, а Ic обеспечивает выход. Бета не имеет единиц, так как это соотношение.

Коэффициент усиления транзистора по току от коллектора до эмиттера называется альфа, то есть Ic / Ie, и он является функцией самого транзистора. Поскольку ток эмиттера Ie является суммой небольшого тока базы и большого тока коллектора, значение альфа очень близко к единице, а для типичного сигнального транзистора малой мощности это значение находится в диапазоне примерно от 0.950 до 0,999.

Разница между NPN и PNP транзисторами:

Транзисторы с биполярным переходом представляют собой трехконтактные устройства, изготовленные из легированных материалов, часто используемых в приложениях для усиления и переключения. По сути, в каждом BJT есть пара диодов с PN переходом. Когда пара диодов соединяется, образуется сэндвич, который помещает полупроводник между двумя этими типами. Таким образом, существует только два типа биполярных сэндвичей, а именно PNP и NPN.В полупроводниках NPN имеют характерно более высокую подвижность электронов по сравнению с подвижностью дырок. Следовательно, он пропускает большой ток и работает очень быстро. Кроме того, этот транзистор легко сделать из кремния.

Транзисторы PNP и NPN состоят из разных материалов, и ток в этих транзисторах также отличается.
В транзисторе NPN ток течет от коллектора (C) к эмиттеру (E), тогда как в транзисторе PNP ток течет от эмиттера к коллектору.
Транзисторы PNP состоят из двух слоев материала P с зажатым слоем N. Транзисторы NPN состоят из двух слоев материала N и зажаты одним слоем материала P.
В транзисторе NPN положительное напряжение подается на вывод коллектора для создания потока тока от коллектора к транзистору PNP положительное напряжение подается на вывод эмиттера для создания потока тока от эмиттера к коллектору.
Принцип работы NPN-транзистора таков, что когда вы увеличиваете ток на выводе базы, транзистор включается, и он полностью проводит от коллектора к эмиттеру.Когда вы уменьшаете ток на клемме базы, транзистор включается меньше, и пока ток не станет настолько низким, транзистор больше не будет проводить через коллектор к эмиттеру и выключится.
Принцип работы PNP-транзистора таков, что при наличии тока на базовом выводе транзистора транзистор закрывается. Когда на клемме базы транзистора PNP нет тока, транзистор включается.

Это все о разнице между транзисторами NPN и PNP, которые используются для создания многих электрических и электронных проектов.Кроме того, любые вопросы, касающиеся этой темы или проектов в области электротехники и электроники, вы можете оставить, оставив комментарий в разделе комментариев ниже.

Сравнение транзисторов N-P-N и P-N-P

1). В этом присутствует большинство n-типов.
1). В нем присутствует большинство материалов p-типа.

2). Большинство концентраций носителей — электроны.
2). Большинство концентраций носителей в транзисторах этого типа — дырочные.

3). В этом случае, если на клеммную базу подается повышенный ток, транзистор переключается в режим ВКЛ.
3). В этом случае при малых значениях токов транзистор включен. В противном случае при больших значениях токов транзисторы выключены.

4). Символьное представление транзистора n-p-n:

Символ транзистора N-P-N

4). Символьное представление транзистора p-n-p:

Символ транзистора P-N-P

5).В транзисторе n-p-n протекание тока очевидно от коллектора к выводам эмиттера.
5). В p-n-p-транзисторе поток тока можно увидеть от выводов эмиттера к коллектору.

6). В этом транзисторе стрелка указывает.
6). В этом транзисторе стрелка всегда указывает внутрь.

Стрелки на транзисторах n-p-n и p-n-p показывают основные различия между транзисторами. Стрелка в n-p-n направлена в сторону эмиттера, тогда как для p-n-p стрелка направлена в обратном направлении.В обоих случаях стрелка указывает направление потока тока.

Следовательно, конструкция n-p-n и p-n-p проста. Управление будет таким же, но полярности смещения будут разными. Теперь, после обсуждения основ n-p-n и p-n-p, можете ли вы сказать, какой из них предпочтительнее во время амплификации и почему?

Фото:

Транзистор NPN и PNP от ggpht
Транзистор PNP от wikimedia
Изготовление транзистора PNP с помощью руководств по электронике

Транзистор NPN

NPN транзистор

Когда единственный р-тип полупроводниковый слой зажат между двумя n-типами полупроводниковых слоев формируется npn-транзистор.

NPN символ транзистора

символ цепи и диод Аналог npn-транзистора показан на рисунке ниже.

В На рисунке выше показано, что электрическая ток всегда течет из p-области в n-область.

NPN транзистор конструкция

npn-транзистор состоит из трех полупроводниковых слоев: одного полупроводниковый слой p-типа и два полупроводника n-типа слои.

Слой полупроводника p-типа зажат между двумя полупроводниковые слои.

npn-транзистор имеет три вывода: эмиттер, база и коллекционер. Вывод эмиттера подключается к левой стороне слой n-типа. Клемма коллектора подключается справа боковой слой n-типа. Базовый терминал подключается к слой р-типа.

npn-транзистор имеет два p-n переходы. Между эмиттером образуется один стык. и база. Этот переход называется переходом эмиттер-база или эмиттерный переход. Другой стык образуется между база и коллектор. Это соединение называется коллекторно-базовым. переход или коллекторный переход.

Рабочий транзистора npn

Беспристрастный npn транзистор

Когда нет напряжения применяется к транзистору, он называется несмещенным транзистор.Слева n-область (эмиттер) и справа n-регион (коллектор), бесплатно электроны — основные носители, а дырки — неосновные носители, тогда как в p-области (основание) дырки являются основные носители и свободные электроны составляют меньшинство перевозчики.

ср знать, что носители заряда (свободные электроны и дырки) всегда старайтесь перейти от области более высокой концентрации к более низкой область концентрации.

Для свободные электроны, n-область — область более высокой концентрации а p-область — область более низкой концентрации. Аналогично для дырок, p-область — область более высокой концентрации и n-область — область более низкой концентрации.

Следовательно, в свободные электроны в левой n-области (эмиттер) и справа боковая n-область (коллектор) испытывает силу отталкивания от друг с другом.В результате свободные электроны слева а правые боковые n-области (эмиттер и коллектор) переместятся в p-область (основание).

Во время В этом процессе свободные электроны встречаются с дырками в p-область (основание) возле стыка и залейте им. Как результат, истощение область (положительные и отрицательные ионы) формируется на эмиттер к переходу базы и переход от базы к коллектору.

в эмиттер к базовому переходу, область обеднения пронизана аналогично, ближе к основанию; на базе коллекционеру переход, область истощения проникает больше в сторону базовая сторона.

Это потому что на переходе эмиттер-база эмиттер сильно легирован, а основание слегка легировано, поэтому обедненная область проник больше в сторону основания и меньше в сторону сторона эмиттера.Точно так же на переходе от базы к коллектору коллектор сильно легирован, а основание слегка легировано, поэтому область истощения проникает больше к основанию и меньше в сторону коллектора.

коллекционер область слабо легирована, чем область эмиттера, поэтому ширина обедненного слоя на стороне коллектора больше ширина обедненного слоя на стороне эмиттера.

Почему истощение область проникает больше к слаболегированной стороне, чем сильно легированная сторона?

ср знать, что легирование — это процесс добавления примесей в собственный полупроводник для улучшения его электрических проводимость. Электропроводность полупроводника это зависит от добавленного к нему уровня допинга.

Если полупроводниковый материал сильно легирован, его электрические проводимость очень высокая. Это означает, что сильно допированный полупроводниковый материал имеет большое количество носителей заряда которые проводят электрический ток.

Если полупроводниковый материал слегка легирован, его электрические проводимость очень низкая. Это означает, что слегка допированный полупроводниковый материал имеет небольшое количество носителей заряда которые проводят электрический ток.

ср знать, что в полупроводнике n-типа свободные электроны являются основные носители заряда и дырки являются неосновным зарядом перевозчики.

В npn-транзистор, левая сторона n-области (эмиттер) сильно допированный. Таким образом, у эмиттера большое количество свободных электронов.

ср знать, что в полупроводнике p-типа дырки составляют большинство носители заряда и свободные электроны являются неосновным зарядом перевозчики.

p-область (база) слабо легирована. Так что база имеет небольшой количество отверстий.

правая сторона n-области (коллектор) умеренно легирована. Его уровень легирования находится между уровнем эмиттера и базы.

Когда атом теряет или отдает электрон, становится положительным ионом. С другой стороны, когда атом получает или принимает электрон, он становится отрицательным ионом.

атомы, которые отдают электроны, известны как доноры, а атомы которые принимают электроны, известны как акцепторы.

Излучатель-база стыковка:

Пусть Предположим, что в левой n-области (эмиттере) каждый атом имеет три свободных электрона, а в p-области каждый атом имеет одну дырку.

Во время распространение процесса, свободные электроны движутся от эмиттера (n-область) к базе (p-область).Точно так же отверстия перемещаются от основания (p-область) к эмиттеру (n-область).

в эмиттер-база переход, когда атомы n-области (эмиттера) встречаются с p-областью (основные) атомы, каждый атом n-области отдает три свободных электрона к трем атомам p-области. В результате n-область (эмиттер) атом, отдающий три свободных электрона, станет положительным ион и три атома p-области (основания), которые принимают (каждый принять один свободный электрон) три свободных электрона станут отрицательные ионы.Таким образом, каждый положительный ион n-области (эмиттера) производит три отрицательных иона p-области (основания).

Следовательно, в область истощения на переходе эмиттер-база содержит больше отрицательные ионы, чем положительные. Отрицательные ионы находятся в p-области (основании) вблизи перехода и положительных ионов находятся в n-области (эмиттере) рядом с переходом.

Следовательно, в область истощения проникает больше в p-область (база), чем n-область (эмиттер).

База-коллектор стыковка:

Пусть Предположим, что в правой части n-области (коллектора) каждый атом имеет два свободных электрона, а в p-области каждый атом имеет по одному отверстие.

Во время процесс диффузии, свободные электроны движутся от коллектора (n-область) к основанию (p-область).Точно так же дыры перемещаются из база (p-область) к коллектору (n-область).

в сборщик базы переход, когда атомы n-области (коллектора) встречаются с атомы p-области (основания), каждый атом n-области (коллектор) отдает два свободных электрона на два атома p-области (основания). Как результат, атом n-области (коллектор), отдающий два свободных электрона станет положительным ионом, и два атома p-области (основания) который принимает (каждый принимает один свободный электрон) два свободных электроны станут отрицательными ионами.Таким образом, каждая n-область (коллектор) положительный ион производит две p-области (основание) отрицательных ионы.

Следовательно, в область истощения на стыке база-коллектор содержит больше отрицательные ионы, чем положительные. Отрицательные ионы находятся в p-области (основании) вблизи перехода и положительных ионов находятся в n-области (коллектор) рядом с переходом.

Следовательно, в область истощения проникает больше в p-область (база), чем n-регион (коллектор).

Однако ширина обедненного слоя на стороне коллектора более ширина обедненного слоя на стороне эмиттера. Это потому, что коллекторная область слабо легирована, чем эмиттерная.

предвзято npn транзистор

Когда внешний напряжение подается на транзистор npn, это называется смещенный npn-транзистор.В зависимости от полярности приложенное напряжение, npn Транзистор может работать в трех режимах: активный режим, режим отсечки и режим насыщения.

npn-транзистор часто работает в активном режиме, потому что в В активном режиме npn-транзистор усиливает электрический ток.

Так Давайте посмотрим, как работает npn-транзистор в активном режиме.

Пусть Рассмотрим транзистор npn, как показано на рисунке ниже. В На приведенном ниже рисунке переход эмиттер-база смещен в прямом направлении. постоянным напряжением V _EE и переходом база-коллектор имеет обратное смещение постоянным напряжением V _CC.

Излучатель-база стыковка:

Срок к прямому смещению большое количество свободных электронов в левая сторона n-области (излучатель) испытывает силу отталкивания от отрицательный полюс батареи постоянного тока, а также они испытать силу притяжения от положительного полюса батарея.В результате свободные электроны начинают течь. от эмиттера к базе. Аналогичным образом отверстия в основании испытать отталкивающую силу от положительного вывода аккумулятор, а также испытать силу притяжения от отрицательная клемма аккумуляторной батареи. В итоге дыры начинаются течет от базы к эмиттеру.

Срок к приложенному внешнему напряжению каждый атом эмиттера имеет больше чем один или два свободных электрона.Следовательно, каждый атом-эмиттер жертвует более одного или двух свободных электронов более положительным ионы. В результате положительные ионы становятся нейтральными. Точно так же каждый базовый атом принимает большее количество электронов. от большего количества отрицательных ионов. В результате отрицательные ионы становятся нейтральный. Мы знаем, что область истощения — это не что иное, как комбинация положительных и отрицательных ионов.

Таким образом, ширина обеднения на переходе эмиттер-база уменьшается на приложение напряжения прямого смещения.

ср знайте, что электрический ток означает поток носителей заряда. В свободные электроны (отрицательные носители заряда) текут от эмиттера к база, в то время как дырки (носители положительного заряда) текут из базы к эмитенту.Эти носители заряда проводят электрический ток. Однако обычные Текущее направление совпадает с направлением отверстий.

Таким образом, электрический ток течет от базы к эмиттеру.

База-коллектор стыковка:

Срок к обратному смещению большое количество свободных электронов в правая сторона n-области (коллектор) испытывает силу притяжения от положительной клеммы аккумуляторной батареи.Следовательно, бесплатные электроны удаляются от перехода и текут к положительный полюс аккумуляторной батареи. В результате большое количество нейтральных атомов коллектора теряет электроны и становится положительные ионы. С другой стороны, дырки в p-области (основание) испытать силу притяжения с отрицательного полюса батарея. Следовательно, отверстия удаляются от стыка и течь к отрицательной клемме аккумулятора.Как В результате большое количество нейтральных основных атомов приобретает электроны и становится отрицательными ионами.

Таким образом, ширина обедненной области увеличивается у базы-коллектора соединение. Другими словами, количество положительных и отрицательных ионов увеличивается на переходе база-коллектор.

Коллектор-база-эмиттер текущий:

свободные электроны, которые текут от эмиттера к базе из-за прямое смещение будет сочетаться с отверстиями в основании.Тем не мение, основа очень тонкая и слегка легированная. Так что только небольшой процент свободных электронов эмиттера объединяется с дырками в базовом регионе. Оставшееся большое количество бесплатных электроны пересекут базовую область и достигнут коллекторский регион. Это связано с положительным напряжением питания. применяется у коллекционера. Следовательно, свободные электроны текут из эмиттера. коллекционеру.На коллекторе оба эмиттера свободные электроны и электроны, свободные от коллектора, производят ток, протекая к положительной клемме аккумулятора. Следовательно, на выходе вырабатывается усиленный ток.

В npn-транзистор, электрический ток в основном проводится через свободные электроны.

Транзистор

NPN: определение и уравнения — стенограмма видео и урока

Что такое транзистор NPN?

NPN-транзистор представляет собой полупроводниковую деталь, в которой положительно заряженная P-область зажата между двумя отрицательно заряженными N-областями, что дает нам устройство с тремя отдельными областями и двумя PN-переходами:

Переход эмиттер-база (EBJ) : В этом типе PN-перехода область очень отрицательно легированного эмиттера встречается с положительно легированным основанием.
Переход коллектор-база (CBJ) : В этом типе PN перехода отрицательно легированная область коллектора встречается с более положительно легированной базой.

Мы можем представить себе NPN-транзистор как комбинацию двух диодов, направленных друг от друга. Другими словами, аноды двух диодов соединены в основании. Отличная мнемоника, чтобы запомнить, в каком направлении обращены диоды в NPN-транзисторе, — это « N или P или N ».

Как работает транзистор NPN?

Символ транзистора NPN показывает стрелку от базы к эмиттеру. Это означает, что ток течет от коллектора через базу в эмиттер. Чтобы понять, как именно работает NPN-транзистор, давайте проследим за транзистором в активном прямом режиме.

Примечание. В процессе описания помните, что ток определяется как поток положительного заряда. Хотя теперь мы знаем, что движение электронов вызывает протекание тока, исторически считалось, что этот ток вызван движением положительных зарядов.

Напряжения

Начнем с коллектора и разберемся. При использовании внешнего источника напряжения переход коллектор-база имеет обратное смещение, что означает, что коллектор удерживается под более высоким потенциалом, чем база — (VCB). Напряжение на C больше, если сравнивать с B. Поскольку оно имеет обратное смещение, диффузия электронов не происходит, и между двумя выводами не протекает ток.

Примечание. Простой способ проверить, смещен ли диод в прямом направлении, — это проверить, подключен ли положительный вывод источника напряжения к P-области диода.Если он подключен к N-области, то соединение смещено в обратном направлении.

Переход база-эмиттер смещен в прямом направлении, поэтому напряжение, приложенное к базе, выше, чем на эмиттере — VBE. Обычно VBE для кремниевого NPN-транзистора составляет 0,7 В, а для германиевого транзистора — 0,3 В.

Токи

Электроны с отрицательной клеммы источника напряжения VBE выталкивают электроны в эмиттер (N-область) вниз по градиенту диффузии в базу. . Поскольку эмиттер сильно легирован, он имеет много электронов, которые диффундируют в базу.

В то же время дырки перетекают из положительного вывода источника напряжения VBE в базу (P-область). Эти отверстия проталкивают отверстия рядом с переходом эмиттер-база, чтобы начать диффузию в эмиттер. Потоки электронов и дырок между переходом база-эмиттер становятся током эмиттера (IE). Очень небольшое количество электронов, которые диффундируют в базу, уходят через вывод базы, вызывая ток базы (IB).

Некоторые электроны, которые диффундировали в базу из эмиттера, рекомбинируют с дырками в базе, но большинство из них проходят через тонкую базу и быстро уносятся в коллектор из-за электрического поля на переходе база-коллектор.Этот поток электронов и есть ток коллектора (IC).

Токи, которые входят в транзистор через коллектор и базу, складываются в ток, уходящий через эмиттер:

IE = IC + IB

Коэффициент усиления по току

Только очень небольшое количество электронов, попадающих в базу из эмиттер выходит через вывод базы как IB, поэтому большая часть электронов достигает коллектора. Напряжение прямого смещения VBE определяет, сколько тока проходит через него. Чем выше напряжение, тем больше электронов течет из эмиттера через базу в коллектор.

Мы можем определить коэффициент усиления транзистора по постоянному току (β), используя уравнение:

β = IC / IB

Мы получаем лучшее β, когда верно следующее:

Эмиттер сильно легирован
База тонкая
База слаболегированная

Мы также можем рассчитать коэффициент усиления тока от коллектора к эмиттеру (α), используя уравнение:

α = IC / IE

Объединив эти два уравнения, мы получаем

β = α / (1-α)

α = β / (β + 1)

Резюме урока

Давайте уделим несколько минут, чтобы рассмотреть, что мы узнали о транзисторах NPN, как их определения, так и уравнения.NPN-транзистор представляет собой полупроводниковое устройство с тремя отдельными областями: P-область, зажатая между двумя N-областями. Мы узнали, что это тип биполярного транзистора (BJT) , который используется для управления током, протекающим через цепи.

Мы также узнали, что существует два типа PN-переходов:

Emitter-base junction (EBJ) : В этом типе PN-перехода очень отрицательно легированная эмиттерная область встречается с положительно легированной базой.
Переход коллектор-база (CBJ) : В этом типе PN перехода отрицательно легированная область коллектора встречается с более положительно легированной базой.

В активном режиме VCB смещает в обратном направлении переход коллектор-база, в то время как VBE смещает в прямом направлении переход эмиттер-база, заставляя электроны в эмиттере диффундировать через базу в эмиттер.

Результирующий ток определяется как:

IE = IC + IB

Коэффициент усиления постоянного тока транзистора определяется как:

β = IC / IB

, а коэффициент усиления по току от коллектора к эмиттеру составляет:

α = IC / IE

Что такое транзистор NPN? Конструкция, работа и применение BJT

Транзистор NPN — Конструкция транзистора BJT, работа и применение в качестве инвертора, коммутации и усилителя

Когда третий легированный элемент добавляется к диоду таким образом, что образуются два PN-перехода, в результате устройство называется транзистором.Транзисторы меньше электронных ламп и были изобретены Дж. Барденом и У. Браттейн из Bell Laboratories, США.

Полезно знать: Название Transistor происходит от комбинации двух слов, например: Transfer и Resistance = Transistor . Другими словами, транзистор передает сопротивление от одного конца к другому. Короче говоря, транзистор имеет высокое сопротивление на входе и низкое сопротивление на выходе.

Что такое транзистор NPN?

Конструкция транзистора NPN осуществляется, как следует из названия, путем использования полупроводникового материала P-типа и размещения его между двумя полупроводниковыми материалами N-типа. На самом деле слой P-типа тонкий. У этого транзистора есть выводы, известные как эмиттер, база и коллектор.

A BJT ( Bipolar Junction Transistor ) представляет собой устройство , состоящее из двух соединенных спина к спине диодов PN-перехода, имеющих три вывода, а именно эмиттер, коллектор и базу.

Название транзистора происходит от « Transfer of Resistance », т.е. он преобразует и передает внутреннее сопротивление с низкого сопротивления эмиттер-база на высокое сопротивление цепи коллектор-база.

Принципиальная схема транзистора NPN показана на рисунке выше. Напряжение между выводами baes и эмиттером называется V _BE, и оно более положительно на базе, чем на эмиттере, потому что для транзистора NPN выводы базы должны быть выше по потенциалу, чем эмиттер.

Также есть представление напряжения между коллектором и эмиттером, оно обозначено как V _CE, и это напряжение является положительным по отношению к эмиттеру. Короче говоря, транзистор NPN проводит, когда клемма коллектора находится под более высоким потенциалом, чем база и эмиттер. Подобно транзистору PNP, этот транзистор NPN также является устройством с контролем тока.

Транзистор имеет три секции легированных полупроводников. С одной стороны эмиттер, а с другой — коллектор, а база находится между ними.Средняя часть называется базой. Он образует два вышеупомянутых PN-перехода между эмиттером и коллектором.

Эмиттер:

Одна секция, которая снабжает носители заряда, называется эмиттером. Для подачи большого количества носителей заряда эмиттер всегда смещен в прямом направлении по сравнению с базой.

База:

Средняя часть транзистора, которая образует два PN-перехода между эмиттером и коллектором, называется базой.Переход база-эмиттер смещен в прямом направлении, что обеспечивает низкое сопротивление цепи эмиттера. Переход база-коллектор имеет обратное смещение, что обеспечивает высокое сопротивление в цепи коллектора.

Коллектор:

Секция, кроме эмиттера, которая собирает заряды, называется коллектором. Коллектор всегда имеет обратное смещение.

Идентификация транзистора может быть выполнена по сопротивлению диодов, присутствующих внутри NPN-транзистора.Также мы можем использовать наши знания о диодах для анализа внутренних диодов транзистора.

Клемма эмиттер-база: Между клеммами эмиттер-база есть диод, поэтому эти две клеммы должны работать как обычный диод и проводить только в одном направлении.

Клемма коллектор-база: Имеется диод, аналогичный клеммам коллектор-база. Эти выводы снова должны действовать как выводы нормального диода и проводить только в одном направлении.

Клеммы эмиттер-коллектор: Клеммы эмиттер-коллектор не имеют внутреннего соединения и, следовательно, не будут проводить ни в одном направлении.

Таблица, показывающая значения сопротивления на разных выводах транзистора, приведена ниже.

Коллектор

Между выводами транзистора

Значения сопротивления

Эмиттер

R_high

Коллектор 905 905 905 905 905 905 90_high коллектор 905

Эмиттер

База

R_high

База

Коллектор

R_low

Базовый

Эмиттер

R_low

PN 9 транзистор имеет три режима транзистора NP 964 909 операции, а именно области отсечки, активной и насыщенной областей.

На следующем рисунке показаны символ и контакты транзистора BC547 NPN

В следующей таблице показаны точки измерения и результат для транзистора BC 547 NPN при проверке и измерении значений транзистора NPN с помощью цифрового мультиметра.

BC 547 NPN	Точки измерения	Результат
	1-2	0,717 В постоянного тока
	1-2	OL	905 905
	1-3	OL
	2-3	OL
	2-3	0.711 В постоянного тока

Смещение и работа транзистора NPN

Работа транзистора NPN сложнее, чем у транзистора PNP. Транзистор находится в выключенном состоянии, если: напряжения на базе и на эмиттере одинаковы. Когда базовое напряжение превышает напряжение эмиттера, устройство переходит в состояние ВКЛ.

Во включенном состоянии имеется достаточная разница напряжений, при этом клемма базы является более высокой, происходит поток электронов, генерируемый от коллектора к эмиттеру, который, в свою очередь, вызывает протекание тока от эмиттера к коллектору.В этом транзисторе, основываясь на работе, мы можем разделить три его вывода на порты ввода и вывода. Входной терминал — это базовый терминал, а выходной терминал — это область коллектор-эмиттер.

Напряжение на выводе коллектора должно быть больше, чем на эмиттере, и должно быть положительным по отношению к напряжению эмиттера транзистора, это обеспечивает протекание тока между эмиттером и коллектором. Существует также положительное падение потенциала на переходе база-эмиттер, что неудивительно при падении напряжения на кремниевом диоде, т.е.е. 0,7 В.

Это падение напряжения необходимо учитывать, поэтому разница между напряжением базы и областью коллектор-эмиттер должна быть более 0,7В. Если это учесть, то транзистор работать не будет.

Чтобы использовать NPN-транзистор в качестве усилителя сигнала, он должен работать в активной области. В конфигурации, в которой эмиттер имеет общее соединение, полный ток транзистора определяется как отношение тока коллектора к току базы, и это отношение называется усилением постоянного тока.

Не имеет единиц измерения, так как представляет собой отношение двух текущих значений. Это соотношение обозначается символом β. Максимальное значение усиления постоянного тока обычно составляет около 200. Есть еще одна величина, которая определяется отношением тока коллектора к току эмиттера. Это отношение обозначается символом α. Обычно это значение равно единице, потому что ток коллектора почти равен току эмиттера.

Ток транзистора

Следующее уравнение показывает соотношение между током эмиттера, током базы и током коллектора в транзисторе со смещением.

I _E = I _B + I _C

Где:

I _E = Ток эмиттера
I _B = Ток базы

I C

Показывает, что ток эмиттера равен сумме тока базы и тока коллектора. Значение тока базы к эмиттеру составляет 2-5%, а ток коллектора составляет почти 95-98%.Поэтому ток базы и коллектора равен току эмиттера.

Уравнение усиления транзистора можно записать следующим образом, используя закон Кирхгофа по току.

или

Коэффициент усиления транзистора, коэффициент усиления по току, коэффициент усиления по напряжению и коэффициент усиления мощности (α, β и γ)

Коэффициент усиления транзистора известен как соотношение между выходом и входом схемы.

Усиление транзистора = выход / вход

Отношение между током коллектора и током эмиттера известно как усиление тока транзистора, представленное греческим символом alpha « α» или h _FE

Current Gain ; α _DC = A _i = -I _C / I _E = I _OUT / I _IN

или

α _DC = I _C / I _E = Ток коллектора / ток эмиттера

Постоянный ток, записанный с альфа-символом « α» , предназначен для значений постоянного тока.Чем больше значение α, тем лучше будет транзистор, поскольку он показывает качество транзистора.

α _DC может быть записано как простое « α» и известно как коэффициент передачи прямого тока или коэффициент усиления, который также представлен как h _FB . В h _FB буква «F» представляет собой «прямое направление», а «B» представляет собой «общую базу», где альфа (α) обычно определяется схемами общей базы транзистора.

Альфа переменного тока ( α _AC) транзистора:

α _AC = ΔI _C / ΔI _E = Изменение тока коллектора / изменение тока эмиттера

α _AC также известен как коэффициент усиления короткого замыкания транзистора, который может быть представлен как h _fb.

Полезно знать:

h _FB = DC alpha α _DC
h _fb = AC alpha α _AC

Кроме того, соотношение между постоянным током коллектора и постоянным током базовый ток известен как коэффициент усиления по току, который обозначается греческим символом Beta « β ».

β _DC = -I _C / -I _B = I _C / I _B

или

I _C = βI _B Он также известен как коэффициент прямой передачи постоянного тока с общим эмиттером, представленный H _FE.

Мы используем AC beta « β _AC » при анализе транзистора для работы на переменном токе

β _AC = ΔI _C / ΔI _B

β _AC может также будет представлена h _fe .

Наконец, соотношение между током эмиттера и базовым током в общем коллекторе также известно как усиление по току и представлено греческим символом Gamma «γ»

γ = I _E / I _B

или

помещая значение I _E в приведенное выше уравнение из «I _E = I _C + I _B»

γ = β +1

Отношение между входным и выходным напряжением известно как усиление напряжения транзистора.

Коэффициент усиления напряжения = A _В = α I _E R _CB / I _E R _EB

Коэффициент усиления напряжения = A _В = Напряжение на R _CB / Напряжение на R _EB

или

A _V = α x (R _CB / R _EB)

или

A _V = V _OUT000 / V _IN 9000 Транзистор Прирост мощности можно рассчитать по следующему уравнению.

Коэффициент усиления = A _P = P _OUT / P / _IN

A _P = α ² x A _R

Где:

A _{P _{P _{P _P Коэффициент усиления}}}
α = коэффициент усиления по току
A _R = коэффициент усиления сопротивления

Общие выражения для отношения между альфа, бета и гамма (α β и γ) приведены ниже:

α = β / ( β + 1)
β = α / (1-α)
γ = β +1

Кривая характеристик и рабочие области NPN-транзистора

Существует четыре основных рабочих региона: транзистор BJT, а именно:

Активная область
Область отсечки
Область насыщения
Область пробоя

Активная область: Это известно как нормальная работа транзистора.Или область между областью насыщения и пробоя называется активной областью.

Область отсечки: Область, в которой значение базового тока I _B становится равным нулю и делает первую (или нижнюю) кривую, как известно, областью отсечки транзистора. В этой области как диод эмиттер-база, так и диоды коллектор-база становятся и работают с обратным смещением.

Область насыщения : В этой области как диод эмиттер-база, так и диоды коллектор-база становятся и работают в прямом смещении.Это начальная область наклона (или почти перпендикулярная) область вблизи начала координат (на кривых), когда начальное напряжение увеличивается от нуля до 1 и так далее.

Область пробоя:

Когда напряжение коллектора увеличивается слишком сильно, превышая номинальное значение, это приводит к пробою коллекторного диода. По этой причине транзистор не следует эксплуатировать в зоне пробоя, так как это приведет к повреждению и разрушению схемы транзистора.

График между током коллектора и напряжением коллектор-эмиттер при изменении тока базы называется кривой выходных характеристик биполярного транзистора.На рисунке ниже показаны кривые выходных характеристик NPN-транзистора.

Транзистор включен, когда через вывод базы проходит небольшой ток и небольшое положительное напряжение относительно вывода эмиттера. В противном случае транзистор выключен. Это также отражено на графике. Ток коллектора зависит от напряжения коллектора только до тех пор, пока напряжение коллектора не достигнет уровня 1 В.

Существует также прямая линия, соединяющая точки A и B. Эта прямая линия называется «линией динамической нагрузки».Эта линия соединяет точки, где V _CE = 0 и Ic = 0. Прямая линия и область вокруг нее являются активной областью транзистора.

Учитывая ток базы и напряжение коллектора, для расчета тока коллектора используются характеристики конфигурации общего эмиттера.

Конфигурация общего эмиттера транзистора NPN

Существует три возможных конфигурации транзистора, и одна из обсуждаемых является конфигурацией общего эмиттера.Схемы, в которых используется общая конфигурация эмиттера, обычно используются в усилителях напряжения. Как следует из названия, мы берем один из трех выводов, в данном случае эмиттер как общий. Этот общий вывод будет действовать как вход и выход транзистора.

Усиление напряжения, которое достигается при использовании конфигурации с общим эмиттером, может быть выполнено только за один шаг. Таким образом, эти схемы также называются одноступенчатыми схемами усилителя с общим эмиттером. Входные клеммы, как мы обсуждали ранее, являются базовой клеммой, а коллектор — выходной клеммой.

Излучатель остается общим выводом. Процесс усиления начинается со смещения перехода база-эмиттер вперед. Это означает, что положительный потенциал на выводе базы выше, чем на выводе эмиттера. Этот процесс позволит нам контролировать ток в транзисторе.

Поскольку требуемый выход должен иметь усиление, мы используем усилитель с общим эмиттером, который имеет очень высокое усиление, даже если выход инвертирован. Из-за зависимости характеристик диода от условий окружающей среды, усиление очень сильно зависит от окружающей температуры и тока смещения.

Это наиболее часто используемая конфигурация транзистора NPN, поскольку она имеет очень низкий выходной импеданс, а также обеспечивает высокий входной импеданс. Эта конфигурация также имеет очень высокий коэффициент усиления по мощности и напряжению.

Типичное значение коэффициента усиления по току для этой конфигурации составляет около 50. Эта конфигурация обычно используется там, где требуется усиление низких частот. Радиочастотные цепи также используют эту конфигурацию. Ниже показана конфигурация усилителя с общим эмиттером.

NPN-транзистор в схемах усиления

Как в двухтактной транзисторной схеме. Хотя все конфигурации двухтактного усилителя технически можно назвать двухтактным усилителем, только усилитель класса B является фактическим двухтактным усилителем. В отличие от усилителя класса A, усилитель класса B имеет два транзистора для двухтактного электрического действия, один из которых является NPN, а другой — PNP.

Каждый транзистор проработает половину цикла входа, создав необходимый выход.Это повышает эффективность усилителя класса B во много раз выше, чем у усилителя класса A. Угол проводимости для этого усилителя составляет 180 градусов, потому что каждый транзистор работает только на одну половину.

NPN-транзистор в качестве переключателя и инвертора

В цифровой логической схеме BJT-транзистор работает в области насыщения и отсечки, поскольку напряжение смещения не подается на базу транзистора в логических схемах. Таким образом, низкое или высокое выходное напряжение являются коэффициентом усиления, которые можно использовать для переключения в этих цифровых логических схемах.

Следующая схема показывает схему NPN инвертора, используемую для переключения.

Это ясно показывает, что нет входного напряжения смещения на базе, но имеет прямоугольную форму на входе, подаваемую через резистор, подключенный последовательно к базе транзистора NPN, который работает как инвертор.

Схема показывает, что и V _CC, и входное значение высокого уровня si + 5V, где напряжение между коллектором и эмиттером V _CE является выходным напряжением.

Когда входное напряжение высокое, т.е. + 5В:

Переход база-эмиттер имеет прямое смещение.
Ток течет к базе через последовательный резистор R _B.
Значение R _B и R _C обеспечивает ток I _B, который определяет положение схемы, то есть транзистор работает в данной области.

Другими словами, когда на входе инвертора высокий «+ 5В», транзистор насыщен, а его выход низкий «≈0В».Когда на входе инвертора низкий уровень, транзистор отключен, а на его выходе высокий уровень. Короче говоря,

В области насыщения это «ВКЛ»
В области отсечки это «ВЫКЛ».

Как показано на входе и выходе схемы, т.е. когда на входе низкий уровень, на выходе высокий уровень, поэтому он также известен как схема инвертора BJT.

Приведенное выше объяснение операций включения и выключения схемы транзисторного инвертора аналогично переключению включения и выключения, подключенному между коллектором и эмиттером.По этой причине схему транзисторного инвертора также называют транзисторным переключателем.

Когда транзистор находится в режиме насыщения, напряжение между коллектором и эмиттером равно нулю, как и напряжение на замкнутом или включенном переключателе, а величина тока максимальна.

Точно так же, в области отсечки (когда транзистор открыт или выключен) значение тока, протекающего от коллектора к эмиттеру, становится равным нулю, как при разомкнутом или выключенном переключателе, и напряжение на переключателе является максимальным.

Работа схемы ВКЛ-ВЫКЛ зависит от значений входных напряжений, т.е. когда

Входное напряжение высокое = + 5В = Переключатель включен
Входное напряжение низкое = 0В = Переключатель ВЫКЛЮЧЕН

Следующее На рис. показаны операции переключения в областях отсечки и насыщения BJT (NPN-транзистора).

Применение транзисторов NPN

В основном используется для коммутации.
Они используются в конфигурации пары Дарлингтона для усиления слабых сигналов.
В цепях, где нам нужно отводить ток.
Они также используются в цепях для измерения температуры.
Они могут хорошо работать в приложениях с очень высокими частотами.
Используется в логарифмических преобразователях.

Связанные сообщения:

Транзистор ＜ Общие сведения о транзисторах ＞ | Основы электроники

Обратный ток при включении

В транзисторе NPN база находится под положительным смещением, коллектор — с отрицательным смещением, а обратный ток течет от эмиттера к коллектору.Также учтите проблемы, которые могут возникнуть при использовании в качестве транзисторов (например, меньшее усиление по току).

1. Было установлено, что при использовании не возникнет никаких проблем, таких как ухудшение качества или разрушение.

2. В случае NPN-транзистора, B симметричен с C, а E с N. Следовательно, C и E могут использоваться как транзисторы, даже если они соединены в обратном порядке. В этом случае ток будет течь от E к C.

3. Ниже приведены характеристики транзисторов, подключенных в обратном порядке.

Low h _FE (примерно 10% от значения прямого направления)
Низкое сопротивление напряжению (около 7-8 В, примерно такое же, как у VEBO) В некоторых стандартных транзисторах напряжение может быть даже ниже (ниже 5 В) (учтите, что слишком низкое сопротивление напряжению может привести к пробою и ухудшению характеристик)
V _CE (sat) и V _BE (ON) не должны сильно меняться

Допустимая потеря мощности в корпусе

Допустимая потеря мощности в корпусе — это когда напряжение подается на транзистор и устройство начинает выделять тепло из-за потери мощности из-за протекания тока, особенно когда температура перехода Tj достигает абсолютного максимального значения (150 ° C).

Метод расчета (где △ Tx — величина повышения температуры при подаче питания Px)

В этом случае Pc, Ta, △ Tx и Px могут быть получены непосредственно из результатов измерения. Tj — единственное значение, которое нельзя получить напрямую. Поэтому ниже показано, как измерить VBE, по которому мы можем определить температуру перехода Tj.

В кремниевых транзисторах VBE зависит от температуры.

Следовательно, температуру перехода можно определить путем измерения VBE.Из измерительной схемы, показанной на диаграмме 1, к транзистору применяется условие мощности Pc (max) корпуса (в случае транзистора мощностью 1 Вт условия для питания VCB = 10VIE = 100 мА).

Как видно на Диаграмме 2:

V _BE 1 измеряется как начальное значение VBE
При подаче питания на транзистор произойдет тепловыделение на переходе
Значение VBE после будет V _BE 2

Из этих результатов: △ V _BE = V _BE 2-V _BE 1

Здесь кремниевый транзистор будет иметь фиксированный температурный коэффициент, равный примерно -2.2 мВ / ºC. (Примечание: транзисторы Дарлингтона созданы из-за использования двух транзисторов -4,4 мВ / ºC). Следовательно, VBE от подаваемой мощности может быть получено из повышения температуры перехода по следующей формуле.

fT: ширина полосы пропускания, частота среза

fT: ширина полосы пропускания указывает максимальную рабочую частоту транзистора. В это время отношение тока коллектора к току базы ограничено до 1 (hFE = 1).

Когда частота входного сигнала, подаваемого на базу, приближается к рабочей частоте, hFE начинает уменьшаться.Когда hFE становится равным 1, рабочая частота fT называется полосой усиления. fT означает предел рабочей частоты. Однако в действительности для работы значение будет примерно от 1/5 до 1/10 от значения fT.

f: Зависит от измерительного оборудования. Опорная частота для измерения.
VCE: дополнительная настройка — для продуктов ROHM обычно используется стандартное значение.
Ic: дополнительная настройка — для продуктов ROHM обычно используется стандартное значение.

Проверка браузера

Как различить PNP и NPN транзисторы?

Как работает транзистор npn, pnp (полевой n-канальный и p-канальный)

Какие бывают транзисторы

Как работает транзистор (картинка с анимацией — видео)

Схема подключения транзисторов npn pnp (полевых транзистор)

Npn и pnp транзистор отличия

Конструкция прибора

Основные отличия двух типов биполярных транзисторов

Рассмотрим отличия PNP-типа на схеме включения с общей базой

Отличия PNP-типа на примере схемы включения с общим эмиттером

PNP-транзистор: подключение источников напряжения

Работа PNP-транзисторного каскада

Характеристики транзистора

Транзисторные пары в усилительных каскадах

Транзисторные пары в схемах управления электродвигателями

Определение типа транзисторов

Конструкция прибора

Основные отличия двух типов биполярных транзисторов

Рассмотрим отличия PNP-типа на схеме включения с общей базой

Отличия PNP-типа на примере схемы включения с общим эмиттером

PNP-транзистор: подключение источников напряжения

Работа PNP-транзисторного каскада

Характеристики транзистора

Транзисторные пары в усилительных каскадах

Транзисторные пары в схемах управления электродвигателями

Определение типа транзисторов

Биполярные транзисторы

NPN и PNP

Полевые транзисторы

N-Channel и P-Channel

Подключение транзисторов для управления мощными компонентами

Рекомендуем к прочтению

Транзисторы

Добавить комментарий

Как отличить транзисторы PNP и NPN?

Импортные и отечественные мощные биполярные транзисторы. Справочник.

Что такое транзистор NPN? Определение, виды и применение.

Символ NPN:

Конструкция NPN-транзистора:

Транзистор NPN рабочий:

Применения диода NPN:

NPN транзисторы термины, которые важно знать:

Что такое транзистор NPN? — Определение, строительство и работа

Конструкция NPN-транзистора

NPN транзистора

Работа транзистора NPN

Различия между транзисторами NPN и PNP и их создание

Транзистор PNP

Изготовление транзистора PNP

Основы P-N-P

Транзистор NPN

Изготовление транзистора NPN

Разница между NPN и PNP транзисторами:

Сравнение транзисторов N-P-N и P-N-P

Транзистор NPN

NPN транзистор

NPN символ транзистора

NPN транзистор конструкция

Рабочий транзистора npn

Беспристрастный npn транзистор

Почему истощение область проникает больше к слаболегированной стороне, чем сильно легированная сторона?

предвзято npn транзистор

NPN: определение и уравнения — стенограмма видео и урока

Что такое транзистор NPN?

Как работает транзистор NPN?

Напряжения

Токи

Коэффициент усиления по току

Резюме урока

Что такое транзистор NPN? Конструкция, работа и применение BJT

Транзистор NPN — Конструкция транзистора BJT, работа и применение в качестве инвертора, коммутации и усилителя

Что такое транзистор NPN?

Транзистор ＜ Общие сведения о транзисторах ＞ | Основы электроники

Обратный ток при включении

Допустимая потеря мощности в корпусе

fT: ширина полосы пропускания, частота среза

alexxlab

Добавить комментарий Отменить ответ

Рубрики