Мощные усилители на транзисторах: межблочные провода из витой пары своими руками — RC74 — интернет-магазин радиоуправляемых моделей

Содержание

АО «НИИЭТ»

Продукция

Новинки и текущие разработки

Интегральные микросхемы

Микросхемы в пластиковых корпусах

ВЧ/СВЧ транзисторы и модули

Макетно-отладочные устройства

Испытательное оборудование

Новости

Все новости

О предприятии

АО «НИИЭТ» – один из ведущих производителей электронных компонентов в России.

Научно-исследовательский институт электронной техники – это одна из старейших отечественных школ разработки, большие производственные мощности, квалифицированные кадры.

На нашем предприятии в 1965 году была создана первая отечественная микросхема с диэлектрической изоляцией компонентов. Благодаря огромному опыту – с одной стороны – и умению оперативно меняться в соответствии с потребностями страны – с другой – мы предлагаем своим потребителям качественные услуги разработки, сборки и испытаний современной электронной компонентной базы.

Сегодня НИИЭТ — это единственное в России предприятие, которое занимается серийным производством и поставками GaN-транзисторов на кремнии.

Направления деятельности

Разработка

Мы выполняем полный комплекс работ по проектированию цифровых и аналоговых микросхем, силовых, ВЧ-, СВЧ-транзисторов и блоков на их базе.

Сборка

Наш институт располагает современной производственной линией для сборки ИМС, силовых, ВЧ-, СВЧ-транзисторов во всех типах металлокерамических корпусов.

Испытания и измерения

Современное собственное оборудование и квалифицированные кадры позволяют нам проводить комплексные испытания изделий электронной техники с применением современных методик.

Наши партнёры

Партнёры

Госкорпорация «Росатом»

АО «Российские космические системы»

АО «Концерн Радиоэлектронные технологии»

ООО «НПФ Вектор»

АО «ВЗПП-Микрон»

Госкорпорация «Роскосмос»

АО «Концерн ВКО „Алмаз-Антей“»

ГК «Элемент»

ЗАО НТЦ «Модуль»

АО «Конструкторско-технологический центр «ЭЛЕКТРОНИКА»

Госкорпорация «Ростех»

АО «Концерн «Радиотехнические и Информационные Системы»

АО «НИИМА «ПРОГРЕСС»

АО «Воронежский Завод Полупроводниковых Приборов-Сборка»

АО «СКТБ ЭС»

Вузы-партнёры

ФГБОУ ВО ВГЛТУ им. Г.Ф. Морозова

ФГБОУ ВО «Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники»

ФГБОУ ВО «Воронежский государственный университет»

Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники»

ФГБОУ ВО «Воронежский государственный технический университет»

Дилеры и дистрибьюторы

ООО «ЭНЭЛ»

ООО «Пятый элемент»

АО «ТЕСТПРИБОР»

АО «РТКТ»

ООО «Сигма-Проект»

Информационные партнеры

Научно-технический журнал «Электроника НТБ»

Журнал «Компоненты и технологии»

Единая отраслевая платформа по электронике, микроэлектронике и новым технологиям Industry Hunter

«РадиоЛоцман» — портал и журнал для разработчиков электроники

Журнал «Электронные компоненты»

Мощные транзисторы для усилителя звука

При разработке усилителей ЗЧ с максимальной выходной мощностью более Вт первостепенное значение приобретает необходимость получения возможно большего КПД усилителя при достаточно малых нелинейных искажениях. Вопрос о допустимом проценте нелинейных искажений усилителя ЗЧ не раз обсуждался на страницах журнала «Радио» [1, 2], получение же высокого КПД усилителя чаще всего не уделялось должного внимания. Известно, что хороший КПД имеет выходной каскад усилителя мощности, работающий в режиме В. Однако ему свойственны большие нелинейные искажения. В журнале «Радио» рассказывалось о коррекции таких искажений с помощью прямой связи [3]. Рассматривался и способ снижения искажений, основанный на использовании усилительных каскадов, работающих в разных режимах [4].

Поиск данных по Вашему запросу:

Схемы, справочники, даташиты:

Прайс-листы, цены:

Обсуждения, статьи, мануалы:

Дождитесь окончания поиска во всех базах.

По завершению появится ссылка для доступа к найденным материалам.

Содержание:

Усилитель звука на транзисторах

Схема усилителя мощности от 1000 ватт

ХОРОШИЙ УСИЛИТЕЛЬ ВСЕГО НА ОДНОЙ ДЕТАЛИ Транзистор П210А

Усилитель своими руками на транзисторах

Ремонт автоусилителей своими руками

Мощный и простой усилитель

Усилитель звука на транзисторах #1

Транзисторные УНЧ

Схемы усилителей мощности – Схема усилителя мощности звука на 500 Ватт

ПОСМОТРИТЕ ВИДЕО ПО ТЕМЕ: Усилитель МОСФИТ 400. Очень мощный усилитель

Усилитель звука на транзисторах

Личный кабинет Регистрация Авторизация. Логин: Пароль Забыли? Логин: Пароль: запомнить меня что это. Схема мощного усилителя низкой частоты — W на 4 Ом. Автор: Tonich от , Усилитель способен выдать 2kW мощности пиково, и 1. Чтобы представить такую мощность в действии Вы можете подключить Что делать я крайне не советую два последовательно соединенных 8-ми омных динамика в сеть переменного тока В. При этом на одном динамике будет V действующего напряжения на нагрузке 8 ом — 1,W.

Как Вы думаете, долго ли проработает в таком режиме акустика. Если все еще не отпало желание заняться этим усилителем — переходим дальше… Описание усилителя Сначала, давайте посмотрим на требования, для достижения 1. Нам нужно Итак напряжение питания должно быть Это, прежде всего, продиктовано напряжением питания, которое превышает граничное напряжение для большинства MOSFET транзисторов.

Далее необходимо подумать о рассеивании избыточной мощности на транзисторах и об интенсивном их охлаждении. Так как при 65V под нагрузкой в худшем случае мощность рассеивания составит Исходя из этого следует, что хорошее охлаждение жизненно необходимо для этого усилителя, Вам понадобятся хорошие радиаторы, вентиляторы для принудительного охлаждения естественная конвекция не поможет. Корпус К-3 транзистора выбран, потому что он имеет самую высокую номинальную мощность рассеивания, потому что тепловое сопротивление ниже чем у любого другого транзистора в пластмассовом корпусе.

Но даже при токе через каскад 12mA, мощность — 0. Транзистор Q5 , определяющий смещение оконечного каскада, должен быть установлен на общем радиаторе с оконечником и иметь надежный тепловой контакт. Схема защиты от короткого замыкания Q7, Q8 ограничивает ток на уровне 12А и мощность выделяемую одним транзистором около W, при этом длительная работа усилителя в таком режиме не допустима. Схема профессионального усилителя W.

Схема мощного усилителя низкой частоты. Дополнительные элементы обратной связи R6a и C3a, показанный пунктирным являются опциональными. Они могут быть необходимы, при возникновении самовозбуждения усилителя.

Обратные диоды D9 и D10 защищают транзисторы усилителя от обратной ЭДС при работе на активную нагрузку. Диоды серии 1N могут выдержать пиковый ток до A. Номинальное напряжение должно быть по крайней мере V.

Резистор VR1 омо используется для балансировки усилителя по постоянному току. Резистор VR2 используется для установки тока покоя оконечного каскада. Настраивают ток покоя измеряя напряжение на резисторе R19 или R20 которое должно быть в пределах mV.

Чувствительность входного каскада — 1. Источник питания: Источник питания, необходимый для усилителя требует серьезного подхода в проектировании. Во первых Вам необходим понижающий трансформатор мощностью как минимум 2kW,. Конденсаторы фильтра питания должны быть рассчитаны на V и выдерживать до 10A пульсирующего тока.

Конденсаторы не соответствующим этим требованиям могут попросту взорваться при работе усилителя на полную мощность.

Немаловажная деталь — мостовой выпрямитель. Хотя мосты на 35A, казалось бы, могут справится с поставленной задачей, но пиковый повторяющийся ток превышает паспортные данные мостов.

Я советую использовать два параллельно включенных моста как показано на схеме. Номинальное напряжение мостового выпрямителя должно быть минимумом V, и они должны быть установлены на достаточном для охлаждения теплоотводе. Схема блока питания для усилителя W. Схема блока питания для усилителя. Другие публикации по теме:. Вернуться 1. Уважаемый посетитель, Вы зашли на сайт как незарегистрированный пользователь. Мы рекомендуем Вам зарегистрироваться либо войти на сайт под своим именем.

Регистрация: Информация Посетители, находящиеся в группе Гости , не могут оставлять комментарии к данной публикации. Поиск документации. По названию. По описанию. Пользователей онлайн: 7 Гостей: 7.

В вашем браузере отключено использование javascript!

Настройте параметры браузера для получения максимального удобства работы. По всем вопросам пишите support radioaktiv.

Схема усилителя мощности от 1000 ватт

Добрый день уважаемый хабраюзер, я хочу рассказать тебе о основах построения усилителей звуковой частоты. Я думаю эта статья будет интересна тебе если ты никогда не занимался радиоэлектроникой, и конечно же она будет смешна тем кто не расстаётся с паяльником. И поэтому я попытаюсь расказать о данной теме как можно проще и к сожалению опуская некоторые нюансы. Усилитель звуковой частоты или усилитель низкой частоты, что бы разобраться как он всё таки работает и зачем там так много всяких транзисторов, резисторов и конденсаторов, нужно понять как работает каждый элемент и попробовать узнать как эти элементы устроены. Для того что бы собрать примитивный усилитель нам понадобятся три вида электронных элементов: резисторы, конденсаторы и конечно транзисторы.

Как видно из схемы, напряжение смещения на базах транзисторов Принципиальная схема мощного усилителя низкой частоты на Ватт, КТ

ХОРОШИЙ УСИЛИТЕЛЬ ВСЕГО НА ОДНОЙ ДЕТАЛИ Транзистор П210А

Друзья, со мной на днях поделились такой схемкой усилителя низкой частоты. Его выходная мощность, как ни странно, составляет порядка ватт всем нравятся такие мощные штуки! Кстати, по этому поводу у меня назрел вопрос ко всем уважаемым радиолюбителям — кто-нибудь включает такие усилители дома в квартире, своём доме на одну семью, на несколько семей и т. Ну так вот, повествую далее. Недавно радиолюбитель в этой теме завёл разговор о, так скажем, стандартах мощности. Что я понимаю под стандартами? Как ни крути, а на этот счет в советское время было славно — был один стандарт мощности — Советские Ватты! Может быть, вы видели или даже щупали активные динамики, на которых написано Вт PMPO по-русски, пиковая музыкальная мощность. Можете не сомневаться, они совершенно не подходят для данного усилителя мощности!

Усилитель своими руками на транзисторах

Усилитель звуковой частоты является важнейшим узлом многих электронных устройств. Это может быть воспроизведение музыкальных файлов, системы оповещения пожарной и охранной сигнализации или звуковые датчики различных игрушек. Бытовая техника оснащена встроенными низкочастотными каналами, но при домашнем конструировании электронных самоделок может потребоваться необходимость сделать это устройство самостоятельно. Диапазон звуковых частот, которые воспринимаются человеческим ухом, находится в пределах 20 Гц кГц, но устройство, выполненное на одном полупроводниковом приборе, из-за простоты схемы и минимального количества деталей обеспечивает более узкую полосу частот. В простых устройствах, для прослушивания музыки достаточно частотного диапазона Гц-6 Гц.

Очень хороший результат дает параллельное включение на выходе 2-х 3-х транзисторов средней мощности 2sc, предварительно отобранных по бэтте она у них очень высокая — до Паяем по транзистора на общую медную пластину, а потом ее крепим к радиатору через прокладку, паять лучше легкоплавким припоем пос

Ремонт автоусилителей своими руками

Схема простого усилителя звука на транзисторах, которая реализована на двух мощных составных транзисторах TIPTIP установленных в выходном каскаде, двух маломощных BCB в дифференциальном тракте и один BDC в цепи предварительного усиления сигнала — всего пять транзисторов на всю схему! Такая конструкция УМЗЧ свободно может быть использована например в составе домашнего музыкального центра или для раскачки сабвуфера установленного в автомобиле, на дискотеке. Главная привлекательность данного усилителя мощности звука заключается в легкости его сборки даже начинающими радиолюбителями, нет необходимости в какой либо специальной его настройке, не возникает проблем в приобретении комплектующих по доступной цене. Представленная здесь схема УМ обладает электрическими характеристиками с высокой линейностью работы в частотном диапазоне от 20Гц до Гц. Есть и другой вариант получения еще большей мощности на выходе, это например: — включить два таких УМЗЧ по мостовой схеме, то тогда естественно на выходе мы получим более Вт. Для обеспечения схемы устройства нужным питанием, потребуется собрать не сложный двух-полярный блок питания с выпрямителем переменного напряжения.

Мощный и простой усилитель

Транзисторные усилители мощности низкой частоты УМЗЧ для звуковой и аудио-аппаратуры. В разделе собраны принципиальные схемы самодельных усилителей мощности НЧ на биполярных и полевых транзисторах. Для самодельного аудио-комплекса или при ремонте музыкального центра можно изготовить многоканальный усилитель мощности в конфигурациях:. На транзисторах можно без лишних сложностей собрать небольшой самодельный усилитель для наушников. Присутствуют очень простые и доступные по себестоимости конструкции усилителей, которые прекрасно подойдут для изготовления начинающими радиолюбителями.

Примеры ремонта автомобильных усилителей CALCELL, Lanzar VIBE, Supra . Оказалось, что из-за отсутствия 1 маааленького транзистора мощные . Естественно, если нет питания предусилителя, то и звука не будет.

Усилитель звука на транзисторах #1

Транзисторные УНЧ

Войдите , пожалуйста. Хабр Geektimes Тостер Мой круг Фрилансим.

Схемы усилителей мощности – Схема усилителя мощности звука на 500 Ватт

Конструкция транзисторного усилителя НЧ низких частот предполагает наличие нескольких усилительных транзисторных каскадов минимум При этом есть один выходной последний в цепочке и один или несколько предварительных каскадов. Предварительные каскады обеспечивают увеличение напряжения звуковых частот до того уровня, который требуется для нормального функционирования выходного каскада. На нижеприведённом рисунке можно увидеть, как выглядит простейшая схема транзисторного усилителя с двумя каскадами. Сами транзисторы подписаны на схеме V1 предварительный каскад и V2 выходной каскад. Обязательно наличие разделительного конденсатора — C2.

Усилитель звука относится к одному из наиболее интересных электронных устройств для начинающих электронщиков или радиолюбителей. И это не удивительно, ведь если устройство собрано правильно, то достаточно подключить динамик и сразу же раздастся звук, оповещающий о том, что усилитель мощности работает. Наличие звука приносить радость успешного завершения сборки усилителя звука своими руками, а его отсутствие — разочарование.

лучших транзисторов на каждом каскаде усилителя

РасселКиндер

Участник

27 января 2021 г., 8:15

27. 01.2021 8:15

Примерно в 1990 году я использовал согласованные пары 2N2920 и 2N3811 для входов, но сейчас они устарели. Я смотрю на SSM2212, но меня интересует его производительность выше 1 мА. Графики технических данных останавливаются на 1 мА, но АБС МАКС для тока устройства составляет 20 мА. Раньше я запускал 2N2920 и 3811 довольно сильно. На некоторых из них у меня были маленькие радиаторы звездообразования.

Я присматриваюсь к BC847/BC857 из-за большого количества низковольтных универсальных зеркал и буферов вокруг усилителя. Некоторые MMBT5401 и MMBT 5551 для схемы поддержки высокого напряжения. Я смотрю на KSA1381 и KSC3503 для VAS, высоковольтного каскодирования и предварительных драйверов. Не уверен, что это лучший выбор, но я думаю, что он должен быть близок к лучшему.

1. ИПС.
Вход требует как можно меньше шума, как можно меньше Cob и как можно стабильнее ток. Итак, малошумящие и хорошо согласованные транзисторы и каскодированный источник тока.
Максимально возможное усиление от IPS запрашивает текущую зеркальную загрузку входа IPS.
Ограничение полосы пропускания, связанное с малым дрейфом и малым входом, требует меньшего рассеяния и низкой паразитной емкости, поэтому каскодировать необходимо не только транзисторы источника тока, но и активные входные устройства.

2. ВАС.
Следующие каскады усиления (один, два или более) можно легко отличить по размаху выходного сигнала. Полноценно работает только последний каскад VAS, а все остальные каскады усиления работают в малосигнальном режиме.
Таким образом, последние устройства лучше иметь как можно меньший ранний эффект, в то время как большинство других лучше иметь низкий уровень шума и высокое усиление. Кроме того, последние ступени лучше иметь как можно меньше Cob для снижения эффекта Миллера, либо подключать как общую базу, либо каскодировать. В случае общей базы такой каскад будет иметь низкий входной импеданс, в то время как максимально возможное усиление требует, чтобы точка связи IPS-VAS была как можно более высокой, поэтому потребуются дополнительные каскады связи, такая точка также диктует, как по возможности малая паразитная емкость, опять маленькое коб.
Каскодированный выход VAS может сочетать устройства с высоким коэффициентом усиления и высоким SOA, но требует более высокого питания.

3. ОПС.
Обычно используются повторители EF-triple или BJT+MOSFET.
В любом из них первый этап снова должен иметь как можно меньший Cob, потому что он напрямую загружает вывод VAS.
Следующие ведомые ступени диктуют более высокий коэффициент усиления по току и, что немаловажно, максимально широкую безопасную рабочую зону.
Также есть огромные аспекты стабильности EF3, но это тема для отдельной темы.

Выбор подходящих устройств с каждым годом становится все труднее. IPS можно легко построить из широко доступных BC550/560, 850/860, 2n3504/3506. На них могут быть построены внутренние каскады VAS, а в случае высоких шин питания эти устройства могут быть каскодированы транзисторами MPSA или MJL15. Последнюю ступень VAS и первую последующую ступень OPS лучше строить на широко доступных транзисторах KSC3503/KSA1381. Вторая ступень OPS EF3 может быть построена с широко доступными KSC2690A/KSA1220A, большинство домашних пользователей не будут ограничены ее номинальным напряжением.

Обычно я нахожу, что устройства ввода с оптимальным низким уровнем шума и высоким коэффициентом усиления имеют слишком низкий уровень разбивки Vce для использования в этом месте без каскодирования. Обычно я помещаю каскодную пару над входной парой и заставляю их плавать на 2 или 3 вольта выше входного синфазного напряжения. Характеристики каскодных транзисторов гораздо менее критичны.

Конечно, я получаю и другие преимущества каскодирования, такие как перемещение входного полюса на более высокую частоту, линеаризацию, поскольку входные пары теперь не имеют размаха Vce, и повышенный выходной импеданс (и, следовательно, усиление) входного каскада. .

Согласование входного зеркала тока нагрузки одинаково важно для балансировки входного каскада, а высокий коэффициент бета помогает с согласованием тока. Мне не нравится использовать там Уилсона или другие причудливые зеркала, потому что я хочу, чтобы это зеркало работало как можно быстрее. Зеркальные полюса должны быть очень высокими по частоте, и я также не хочу никаких высокочастотных странностей.

Я также согласен, что хвостовой ток должен исходить от источника тока, не зависящего от источника питания. Хвостовой ток, который имеет какую-либо зависимость от напряжения на шине, заставляет пульсации питания смешиваться (умножаться) с входным напряжением, что приводит к модуляционным искажениям. На шинах питания присутствуют сигнальные и сетевые компоненты, поэтому важен высокий PSRR.

1. ИПС.
Вход требует как можно меньше шума, как можно меньше Cob и как можно стабильнее ток. Итак, малошумящие и хорошо согласованные транзисторы и каскодированный источник тока.
Максимально возможное усиление от IPS запрашивает текущую зеркальную загрузку входа IPS.
Ограничение полосы пропускания, связанное с малым дрейфом и малым входом, требует меньшего рассеяния и низкой паразитной емкости, поэтому каскодировать необходимо не только транзисторы источника тока, но и активные входные устройства.

Размышляя об этом немного дальше, я хочу добавить, что низкий уровень шума и низкий уровень удара являются конкурирующими характеристиками. Малошумящий транзистор имеет относительно большой кристалл, а некоторые диффузионные размеры крошечные (толщина базы) для получения высокого коэффициента усиления, что приводит к большей емкости.

Я уже давно перестал пользоваться MOS, но мне кажется, что отношение gm/Qgate за это время тоже сильно выросло. Не хочу засорять собственную ветку, но я думаю, что сейчас были бы устройства получше, чем 240/9240. OTOH, усилитель мощностью 400 Вт при 4 Ом, который я сделал в 1919 году.90 с использованием этих устройств в выходном каскаде (на самом деле версии ТО-3) звучали великолепно!

Да, Рассел, теперь мосфеты намного лучше.
Я часто использую FQA40N25 и FQA36P15, высокий gm и низкий паразитный затвор с низким rdson.
Это устройства мощностью 280 Вт, которые отлично подходят для использования в качестве устройств вывода звука.

Что касается полевых МОП-транзисторов, меня беспокоят устройства с низким Rds(on), когда речь идет о распределении тока и SOA в линейной области. Где-то есть заметка по применению IR. Разделение тока с MOSFET всегда кажется кошмаром по сравнению с BJT, если только они не согласованы (но я ненавижу согласующиеся транзисторы).

Я перешел в SMD для слабого сигнала еще в 1998 году для своего производства (до того, как я профессионально занялся проектированием интегральных схем). Я оценил, как близко друг к другу я мог разместить все устройства, и печатная плата, кажется, отводит от них тепло лучше, чем сквозное отверстие. Я использовал много устройств MMBTxxxx. Теперь я рад видеть много двойных DMMT, доступных по дешевке. (Я был вдали от дискретного аудио дизайна в течение нескольких десятилетий. Раньше я делал это как свою работу, а теперь возвращаюсь к нему как к хобби.)

Одним из больших преимуществ SMD является то, что они менее подвержены механическим повреждениям. Я уверен, что все мы видели корпуса ТО-220 и ТО-126, где от вибрации отламывались выводы. Очевидно, что этого можно избежать при хорошей инженерии, но детали SMD делают это немного проще.

Одним из больших преимуществ SMD является то, что они гораздо менее подвержены механическим повреждениям. Я уверен, что все мы видели корпуса ТО-220 и ТО-126, где от вибрации отламывались выводы. Очевидно, что этого можно избежать при хорошей инженерии, но детали SMD делают это немного проще.
Конечно, нужно быть осторожным с изгибом доски.

Мне интересно, есть ли у кого-нибудь опыт использования следующих транзисторов Semelab / Magnatec Audio Power?
Согласно приложенным спецификациям — это самые мощные биполярные устройства на рынке (сегодня) — с рассеиваемой мощностью коллектора 400 Вт, с гораздо лучшими характеристиками SOA, чем у любого другого подобного устройства. Это делает их весьма желательными для БОЛЬШИХ конструкций усилителей звука. Ниже показаны типы >

10. ATATED DICATED PNP 260 30 400 35 50 TO-3 9009
1010101010101010101010 гг. и все другие ссылки на эти устройства, которые я могу найти, указывают, что они доступны только в корпусе ТО-264; однако на веб-сайте SEMELAB говорится, что они производятся только в упаковке TO-3.
Отсюда мое замешательство!
Я заинтересован в получении только устройств TO-3, так как мне не нравятся чипы в пластиковой упаковке для мощных конструкций, несмотря на их популярность.
Из-за того, что рейтинг SOA выше, чем у других транзисторов, я рассматриваю возможность создания очень мощного выщелачивающего усилителя с этими устройствами.
Наконец, я хотел бы знать, где я могу купить эти микросхемы в упаковке TO-3, так как они не фигурируют во многих списках полупроводников даже в пластиковой упаковке. Я написал Semelab по электронной почте и не получил ответа. Если кто-нибудь знает устройства даже лучше, чем эти, я хотел бы узнать о них.

Они должны быть похожи на MJL21193/94 (еще одно устройство с высоким SOA и низким коэффициентом усиления) в том, как они имитируют.
Аналогичные базовые стопоры 1-2R (1W) с «выходными» драйверами
справятся с этой задачей. Также поможет более крупный «всасывающий» конденсатор на драйвере Re.
Кроме того, применение «только тройных»… для этих монстров.
Это соответствует мощности … сколько может рассеиваться от кристалла до радиатора
.
Более крупная матрица может рассеивать больше энергии в «пакете». Пакет to-264
имеет меньший slug, так что это его ограничение.
Одно из этих устройств MG, скорее всего, будет устройством мощностью 500 Вт в форме ТО-3.
Они должны быть похожи на MJL21193/94 (еще одно устройство с высоким SOA и низким коэффициентом усиления) в том, как они имитируют.
Аналогичные базовые стопоры 1-2R (1W) с «выходными» драйверами будут
сделать работу. Также поможет более крупный «всасывающий» конденсатор на драйвере Re.
Кроме того, применение «только тройных»… для этих монстров.
Это соответствует мощности … сколько может рассеиваться от кристалла до радиатора
.
Более крупная матрица может рассеивать больше энергии в «пакете». Пакет to-264
имеет меньший slug, так что это его ограничение.
Одно из этих устройств MG, скорее всего, будет устройством мощностью 500 Вт в форме ТО-3.
Абсолютно согласен! Тепловое сопротивление между корпусом и радиатором может составлять 0,2-0,5 К/Вт в зависимости от изолятора. Это означает 20-50 градусов при рассеивании 100 Вт. Это очень жесткое ограничение, и нам приходится использовать огромный радиатор для рассеивания одинаковой мощности с отдельными устройствами.
Почему в усилителях PA используется множество выходных устройств меньшего размера, а не одно большое?
Согласитесь, за те же деньги или дешевле можно купить несколько тошиб и отводить тепло без проблем, теплоемкость тоже будет выше (тоже немаловажно).
Лучше поискать какие-то другие параметры, кроме мощности, но что поделать, принципиальный вопрос: сколько у него ватт? Это всегда первый вопрос, если кто-то спрашивает, над чем я работаю.
Мое беспокойство по поводу SOA связано с гитарными усилителями, которые проводят много времени, хлопая по рельсам. Это сильно отличается от 60-градусной реактивной нагрузки, используемой в большинстве статей по SOA, которые я читал. Моя аватарка представляет собой X-Y отображение напряжения и тока динамиков в таких условиях. Когда выходной транзистор должен проводить один или два ампера с полным напряжением между шинами, это меня беспокоит, потому что трудно определить, какова продолжительность может быть во всех условиях. Я стараюсь не выходить за кривую SOA полной мощности, но как только напряжение между шинами становится выше 50 В, количество параллельных устройств увеличивается.