Транзистор КТ315Г1
Срок доставки:
5 — 15 дней
Цена:
По запросу
Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы КТ315Г1 предназначены для использования в низкочастотных устройствах аппаратуры широкого применения.
Номер технических условий
- ЖКЗ.365.200 ТУ / 02
Особенности
- Диапазон рабочих температур: — 45 до + 100 C
Корпусное исполнение
- пластмассовый корпус КТ-26 (ТО-92)
| Вывод | Назначение |
| №1 | База |
| №2 | Коллектор |
| №3 | Эмиттер |
| Параметры | Обозначение | Ед. изм. | Режимы измерения | Min | Max |
| Обратный ток коллектора | IКБО | нА | UКБ= 10 B, IЭ= 0 | — | 0,5…0,6 |
| Обратный ток эмиттера | IЭБО | мкА | UЭБ= 6 B | — | 3,0…50 |
| Статический коэффициент передачи тока | h31е | — | UКБ= 10 B, IЭ= 1 мA | 20 | 350 |
| Напряжение насыщения коллектор — эмиттер | UКЭ (НАС) | В | IК = 20 мА, IБ = 2,0 мA | — | 0,4…0,9 |
| Напряжение насыщения база — эмиттер | UБЭ (НАС) | В | IК = 20 мА, IБ = 2,0 мA | — | 0,9…1,35 |
| Емкость коллекторного перехода КТ315Ж1 КТ315И1 | СК | пФ | UКБ= 10 B, f = 5 MГц | — — — | 7,0 10 10 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока | FГР | МГц | UКЭ= 10 B, IЭ= 5 мA | 250 | — |
| Постоянная времени цепи обратной связи | tк | пс | UКБ= 10 B, IЭ= 5 мА, f = 5 МГц | — | 300…1000 |
| Параметры | Обозначение | Ед. изм. | Значение |
| Напряжение коллектор — база | UКБ MAX | В | 20…40 |
| Напряжение коллектор — эмиттер | UКЭR MAX | В | 20…60 |
| Напряжение эмиттер — база | UЭБ MAX | В | 6 |
| Постоянный ток коллектора КТ315Ж1 КТ315И1 | IК MAX | мА | 100 50 50 |
| Рассеиваемая мощность коллектора КТ315Ж1 КТ315И1 | PК MAX | мВт | 150 100 100 |
| Температура перехода | TJ | C | 120 |
| Тип | UКБ MAX [ В ] | UКЭ MAX [ В ] | h31e | UКЭ НАС [ В ] | UБЭ НАС [ В ] | IКБО [ мкА ] | IЭБО [ мкА ] | tк [ пс ] |
| КТ315А1 | 25 | 25 | 30…120 | 0,4 | 1,0 | 0,5 | 30 | 300 |
| КТ315Б1 | 20 | 20 | 50…350 | 0,4 | 1,0 | 0,5 | 30 | 500 |
| КТ315В1 | 40 | 40 | 30…120 | 0,4 | 1,0 | 0,5 | 30 | 500 |
| КТ315Г1 | 35 | 35 | 50…350 | 0,4 | 1,0 | 0,5 | 30 | 500 |
| КТ315Д1 | — | 40 | 20…90 | 0,6 | 1,1 | 0,6 | 30 | 1000 |
| КТ315Е1 | — | 35 | 50…350 | 0,6 | 1,1 | 0,6 | 30 | 1000 |
| КТ315Ж1 | — | UКЭК 20 | 30…250 | 0,5 | 0,9 | 0,6 | 30 | 800 |
| КТ315И1 | — | UКЭК 60 | 30 | 0,9 | 1,35 | 0,6 | 50 | 950 |
| КТ315Н1 | 20 | 20 | 50…350 | 0,4 | 1,0 | 0,5 | 30 | 500 |
| КТ315Р1 | 35 | 35 | 150…350 | 0,4 | 1,0 | 0,5 | 3,0 | 500 |
Справочные данные транзисторов кт315 и кт361 кт315а, кт315б, кт315в, кт315г, кт315д, кт315е, кт315к, кт315и
Транзисторы кремниевые
эпитаксиально — планарные n-p-n
усилительные высокочастотные
маломощные.
Предназначены для работы в схемах усилителей высокой, промежуточной и низкой частоты.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на этикетке.
Масса транзистора не более 0.18 г.
Электрические параметры
Граничное напряжение при Iэ = 5 мА не менее:
КТЗ15А, КТ315Б, КТ315Ж 15 В
КТЗ15В, КТ315Д, КТ315И 30 В
КТ315Г, КТ315Е 25 В
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при Iк = 20 мА, Iб = 2 мА не более:
КТ315А, КТ315Б, КТЗ 15В, КТ315Г 0,4 В
КТ315Д, КТ315Е 1В
КТ315Ж 0,5 В
Напряжение насыщения база — эмиттер при Iк = 20 мА, IБ — 2 мА не более:
КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г 1,1 В
КТ315Д, КТ315Е 1,5 В
КТ315Ж 0,9 В
Статический коэффициент
передачи тока в схеме с общим эмиттером
при U
КТ315А, КТ315В, КТ315Д 20 — 90
КТ315Б, КТ315Г, КТ315Е 50 — 350
КТ315Ж 30 — 250
КТ315И не менее 30
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте при Uкб = 10 В, Iэ = 5 мА не более:
КТ315А 300 нс
КТ315Б, КТ315В, КТ315Г 500 нс
КТ315Д, КТ315Е, КТ315Ж 1000 нс
Модуль коэффициента передачи тока при Uкэ =10 В, Iк = 1 мА, f= 100 МГц не менее:
КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е, КТ315И 2,5
КТ315Ж 1,5
Емкость коллекторного перехода при Uкб = 10 В, f= 10 МГц не более:
КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е, КТ315И 7 пФ
КТ315Ж 10 пФ
Входное сопротивление при Uкэ = 10 В, Iк = 1 мА, не менее 40 Ом
Выходная проводимость при Uкэ = 10 В, Iк = 1 мА 0,3 мкСм
Обратный ток коллектора при Uкб = 10 В не более 1 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Uбэ = 10 кОм, Т= 213 … 373 К:
КТ315А 25 В
КТ315Б 20 В
КТ315В, КТ315Д 40 В
КТ315Г, КТ315Е 35 В
КТ315Ж 15 В
КТ315И 60 В
Постоянное напряжение база-эмиттер при Т = 213 … 373К 6В
Постоянный ток коллектора при Т =213 … 373 К:
КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е 100 мА
КТ315Ж, КТ315И 50 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Т =213 … 298 К:
КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е 150 мВт
КТ315Ж, КТ315И 100 мВт
Температура перехода 393 К.
Температура окружающей среды От 213 до 373 К
Примечания: 1. Постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт, при Т =298 … 373 К определяется по формуле
РК.макс = (393 — Т)/0,67.
Допускается эксплуатация транзисторов в режиме Рк = 250 мВт при UКБ = 12,5 В, Iк = 20 мА.
2. Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 2 мм от корпуса транзистора.
При включении транзистора в схему, находящуюся под напряжением, базовый вывод должен подсоединяться первым и отсоединяться последним.
Не рекомендуется работа транзисторов при рабочих токах, соизмеримых с неуправляемыми обратными токами во всем интервале температур
Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока эмиттера.
Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора.
Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока эмиттера | Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер от тока коллектора |
Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер от тока базы
Transistor KT315 — ny fahagagana momba ny Советика электроника
Angamba, misy ny sasany mihoatra na latsaka sarotra fitaovana elektronika novokarina tany amin’ny Firaisana Советика nandritra ny fitopololahy, восьмидесятые сы девяностые, ао м3аминный транзистор тетика.
Цы очень изи на диа аминьизао андро изао лазаны.
Нью антони, ары математика ны игрушка изаны Полупроводниковая фитаована кели. Voalohany indrindra, ny kalitao. Нохо ны конвейер дингана фехикибо диа революционера ао амин’ны фарампараньи шестидесятых, ао анатинны масонкарена диа нахена хо фаран’изай кели аминны фамписехоана ара-техника цара индриндра. Noho izany, ny tombony faharoa — хо takatry ny vidiny, mamela hampiasa KT315 транзисторы amin’ny mpanjifa sy ny orinasa marobe elektronika, ary koa ny fangatahana onjam-peo tsy matihanina fitaovana.
Ао аминный тарехимарика ны таратасы ампиасаинны К, изай мидика хо «силисимома», той ны анкамароанны фитаована Полупроводниковая вокарина ны фотоана. Ny isa «3» Midika izany fa ny KT315 транзистор manondro ambany fahefana vondrona fitaovana haingam-pandeha.
Новая пластика трано фоненана диа цы токоны хэри амбони кокоа, нефа диа мора види.
Транзистор КТ315 вокарина роа исполнения, физака (воасары, на маво) сы ны цилиндрические (маинты).
Мба ны цара кокоа мба хахафантарана ны фомба хаметрака эо ан-«анолоана» лафины ао аминьны дикан-тенинны фисака бевел атао, ны хетра — эо афовоаны, фототра — хо аминьны анкавия, ны хетра — хо амин какая царица.
Черный транс манана фисака кросс-физарана, раха маметрака азы ао амин’ны транзисторные михицы, нью эмиттер нивадика хо марина, нью хетра — хо аминьны анкавиа, ары ны фаладианы — ео афовоаны.
Марика ахитана тарехин-цоратра, аракарака нью лахарана фаматсиан малефака нью 15 ка хатрамин’ний 60 вольт. Авы амины таратасы мянкина амины фахефана, диаметр меты хахатратра 150 МВт, ари амины фотоана битика хабе — сакани — фито хаавоны — энина, ары ны хатевины — лацаки ны тела миллиметры.
Транзистор КТ315 — аво, изаны диано ны саканны ны фампихарана. Passante 250 Mhz manome antoka ny hetsika milamina ao amin’ny fitaovana fandefasam-peo sy ny mpandray onjam-peo sy ny fanamafisam-peo faritra onja tabataba re isan-karazany.
Электропроводность — хелако, npn.
