Транзистор TIP122: характеристики, datasheet и аналоги
Если взглянуть на технические характеристики транзистора TIP122 взятые, например, из документации от производителя STMicroelectronic, можно увидеть, что он является мощным, кремниевым, составным биполярным устройством структуры n-p-n, изготовленным по эпитаксиально-планарной технологии. Прибор представляет собой два транзистора, соединённых между собой по стандартному методу Дарлингтона.
Данный полупроводник предназначен для использования в преобразователях напряжения, усилителях постоянного тока и коммутационных системах. Изделие отличается высоким коэфф-ом усиления, при этом имеет низкое U насыщения.
Цоколевка
Распиновка TIP122, т.е. расположение его выводов представлена на рисунке.
Если держать транзистор к себе стороной, на которой нанесена надпись, то цоколевка будет (слева направо): база, коллектор, эмиттер.
Корпус, в котором располагается рассматриваемый прибор, пластмассовый, выполненный по стандарту TO-220АВ с жёсткими ножками.
Его вес не превышает 2,5 грамм.
Технические характеристики
Ниже приведены технические данные транзистора согласно документации, предоставленной производителем — компанией STMicroelectronic. Среди самых важных характеристик данного транзистора можно назвать следующие:
В следующей таблице приведены максимальные характеристики, которые не вошли в приведённый выше список. При планировании использования в своих схемах транзистора TIP122 необходимо понимать, что устройство должно работать в режимах, не превышающих условия эксплуатации, заложенные производителем. Поэтому нагружать его на грани этих уровней не рекомендуется, а выше — категорически запрещено. Кроме того, длительное воздействие напряжений выше рекомендуемых может повлиять на надёжность устройства.
Приведём так же электрические характеристики. Все значения справедливы при стандартной температуре 250С.
Очень важными являются так же тепловые характеристики транзистора TIP122.
Они показывают, насколько кристалл транзистора нагревается при увеличении выделяемой мощности. Зная все эти данные, можно рассчитать надёжность работы прибора, ведь при превышении допустимой температуры транзистор выйдет из строя.
Аналоги
Отечественными аналогами TIP122 являются транзисторы KT8116B, KT829A, KT716A. Среди зарубежных аналогов можно назвать такие:
Обязательно изучите параметры и учитывайте выполняемый им в схеме функционал при замени на другой.
Комплементарной парой данного изделия являются p-n-p транзисторы TIP125,TIP126 и TIP127.
Как проверить
Проверяется транзистор следующим способом:
- Подсоединяем эмиттер к «минусу» источника питания.
- К коллектору через лампочку подсоединяем плюс источника питания.
- Через переменный резистор на базу подаётся положительное напряжение. Постепенно увеличиваем напряжение на базе от нуля и до того момента, пока лампочка загорится.
Производители
Транзистор TIP122 изготавливают следующие фирмы:
Чтобы скачать Datasheet, кликните на одного из производителей: Diotec-Semiconductor, Micro-Commercial-Components, JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO.
— LTD.
Транзисторы КТ837(2Т837) Транзисторы КТ837(2Т837) — кремниевые, мощные,
низкочастотные, структуры — p-n-p. Коэффициент передачи тока У транзисторов КТ837А, КТ837Б, КТ837Г, КТ837Д, КТ837Ж, КТ837И, КТ837Т
— от 10 до 40 У транзисторов КТ837Н, КТ837Ф — от 50 до 150 У транзисторов 2Т837А, 2Т837Г — от 15 до 120 У транзисторов 2Т837Б, 2Т837Д — от 30 до 150 У транзисторов 2Т837В, 2Т837Е — от 40 до 180 Граничная частота передачи тока. Максимальное напряжение коллектор — эмиттер. У транзисторов КТ837А, КТ837Б, КТ837В, КТ837М, КТ837Л, КТ837Н
— Максимальный ток коллектора(постоянный). У всех транзисторов КТ837
— 7,5 А. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер. У транзисторов КТ837А, КТ837Б, КТ837В, КТ837Ж, КТ837К, КТ837Л, КТ837М, КТ837Н — не более 2,5 в.  У транзисторов КТ837Г, КТ837Д, КТ837Е, КТ837Т, КТ837У, КТ837Ф — не более 0,5 в. У транзисторов КТ837П, КТ837Р, КТ837С — не более 0,9 в. Обратный ток коллектора. — не более 0,15 мА. Рассеиваемая мощность коллектора. — 30 Вт(с радиатором). Зарубежные аналоги транзисторов КТ837 КТ837А — 2SD685 Транзисторы КТ829 Транзисторы КТ829 — кремниевые, мощные,
низкочастотные,составные(схема Дарлингтона) структуры — n-p-n. Внешний вид и расположение выводов на рисунке: Наиболее важные параметры. Коэффициент передачи тока — 750. Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер: Максимальный ток коллектора — 8 А. Обратный ток коллектор-эмиттер при напряжении эмиттер-коллектор близкому к максимальному и
температуре окружающей среды от -60 до +25 по Цельсию
— не более 1,5 мА. Обратный ток эмиттера при напряжении база-эмиттер 5в — не более 2 мА. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при коллекторном токе 3,5А и базовом 14мА
— не более 2 в. Напряжение насыщения база-эмиттер при коллекторном токе 3,5А и базовом 14мА: Рассеиваемая мощность коллектора. — Граничная частота передачи тока — 4 МГц. Зарубежные аналоги транзисторов КТ829 КТ829А — 2SD686 Особености проверки(прозвонки)на целосность транзисторов КТ829.Так как транзистор КТ829 является составным, его вполне можно заменить несложной схемой КТ817+КТ819. Не удивительно, что при проверки тестером переход база-эмиттер будет звониться в
обе стороны, причем у разных КТ829 может наблюдаться значительный разброс по значению
обратного сопротивления. От суммы сопротивлений изображенных в схеме на картинке,
до гораздо меньших значений (7 кОм, к примеру).
Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто». |
— 3МГц.
STMicroelectronics TIP122 NPN Транзистор Дарлингтона, 8 А 100 В HFE:1000, 3-контактный TO-220
Посмотреть все пары Дарлингтона
100 В наличии для доставки в течение 1 рабочего дня
Цена (например, GST) каждая (в трубке 50)
$ 0,917
(Exc. GST)
$ 1,009
(INC. GST)
| UNITS | FER FER | 88. PERTICS | FER FOR FER | 88888. PERP PERBIT | FER FER | 8888888. PERP PERBIT* PERBIE |
| 50 — 200 | $0.917 | $45.85 | ||||
| 250 + | $0.825 | $41.25 | ||||
| *price indicative | ||||||
- RS Stock No.:
- 103-1078
- производитель Артикул:
- TIP122
- Производитель:
- STMicroelectronics
Листы технических данных
- 0077
- docZipSchematic Symbol & PCB Footprint
Legislation and Compliance
Product Details
NPN Darlington Transistors, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and Биполярные транзисторы PNP от STMicroelectronics, включая устройства общего назначения, Дарлингтона, силовые и высоковольтные устройства в корпусах SMT и сквозных отверстиях.
Specifications
| Attribute | Value |
| Transistor Type | NPN |
| Maximum Continuous Collector Current | 8 A |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 100 V |
| Максимальное базовое напряжение эмиттера | 5 В |
| Тип корпуса | TO-220 |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Minimum DC Current Gain | 1000 |
| Maximum Базовое напряжение коллектора | 100 В |
| Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 4 В |
| Максимальный ток отсечки коллектора | 0. 2mA |
| Length | 10.4mm |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -65 °C |
| Height | 9.15mm |
| Ширина | 4,6 мм |
| Размеры | 10,4 x 4,6 x 9,15 мм |
Ошибка 414
изображение/svg+xml
Страна
Язык
Валюта
Цены
нетто
брутто
сеть
валовой
Воспользуйтесь поисковой системой, чтобы найти интересующие вас вопросы, или перейдите в одну из следующих областей:
Каталог Как купить Помощь
или вернуться к: Главная страница
Мы рекомендуем вам подписаться
В каждом информационном бюллетене вы найдете важную и интересную информацию о новых продуктах, распространении и изменениях на сайте TME.
Здесь же можно отписаться от рассылки.
* обязательное поле
ПодписатьсяОтписаться
Я прочитал и понял Политику новостной рассылки TME и настоящим даю свое согласие на отправку цифровой информационной рассылки службы TME на мой адрес электронной почты. Политика информационного бюллетеня TME
* 1. Transfer Multisort Elektronik sp. о.о., ул. Ustronna 41, 93-350 Łódź настоящим информирует вас о том, что он будет контролером ваших личных данных.
2. Контроллер персональных данных назначил ответственного за защиту данных, с которым можно связаться по электронной почте: [email protected].
3. Ваши данные будут обрабатываться на основании пункта (а) статьи 6(1) Регламента Европейского парламента и Совета (ЕС) 2016/679 от 27 апреля 2016 г. о защите физических лиц в отношении обработки персональных данных и о свободном перемещении таких данных и отмене Директивы 95/46/ЕС (далее: GDPR), для отправки на указанный адрес электронной почты электронного информационного бюллетеня TME .
4. Предоставление данных является добровольным, однако необходимо направить информационный бюллетень.
5. Ваши персональные данные будут храниться до тех пор, пока вы не отзовете свое согласие на обработку ваших персональных данных. 6. Вы имеете право получить доступ к своим личным данным и запросить их исправление, удаление или ограничение их обработки;
7. Если ваши личные данные обрабатываются на основании вашего согласия, вы имеете право отозвать это согласие. Отзыв согласия не влияет на законность обработки, которая была выполнена до отзыва.
8. Вы также имеете право подать жалобу в надзорный орган по защите данных.
более меньше
Подпишитесь на информационный бюллетень TME
Специальные предложения — скидки — новинки. Будьте в курсе предложений TME
Информационный бюллетень Правила и условия Отписаться
Идет обработка данных
Задача успешно выполнена.
