Транзистор полевой фото

В этой статье мы разберем, чем же примечателен этот маленький кусочек кремния, называемый транзистором. Транзисторы, как известно, делятся на 2 вида полевые и биполярные. Изготавливаются они из полупроводниковых материалов, в частности германия и кремния. И полевые и биполярные транзисторы имеют по 3 вывода. На приведенном ниже рисунке мы можем видеть устройство советского биполярного низкочастотного транзистора типа МПМП На следующем рисунке изображены транзисторы, также выпущенные в советское время, слева небольшой мощности, в центре и справа рассчитанные на среднюю и большую мощность:.

Поиск данных по Вашему запросу:

Схемы, справочники, даташиты:

Прайс-листы, цены:

Обсуждения, статьи, мануалы:

Дождитесь окончания поиска во всех базах.

По завершению появится ссылка для доступа к найденным материалам.

Содержание:

• Транзистор
• Что такое полевой транзистор и как его проверить
• Полевой транзистор
• Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный полевой с изолированным затвором 2П7234А
• Полевые транзисторы
• Что такое транзистор и как он работает?
• FM600TU-07A транзистор полевой mosfet купить в Минске

ПОСМОТРИТЕ ВИДЕО ПО ТЕМЕ: Полевые транзисторы

Транзистор

Развитие мощных полевых транзисторов носит беспрецедентный характер. Приборы имеют высокие динамические показатели и по существу являются специализированными мощными СБИС. Ныне в мире выпускаются многие тысячи типов мощных полевых транзисторов и силовых интегральных схем на их основе. Данный аналитический обзор описывает развитие этих приборов и отражает взгляд автора, принимавшего прямое участие в исследованиях, разработках, внедрении и популяризации этих приборов.

Они имели встроенный нормально открытые приборы или индуцированный нормально закрытые приборы канал n- или p- типа рис. Сопротивление включенного прибора составляло сотни Ом. Появление именно этих транзисторов не случайно. Каждый танк или самолет имел радиостанцию.

Понадобились десятилетия развития, прежде чем мощные полевые транзисторы стали заметно превосходить биполярные по этому важному параметру. V-образная канавка создавалась методом анизотропного травления [ 7 ]. Структура, показанная на рис. Такая форма ячеек обеспечивала высокую плотность упаковки их на площади кристалла приборов. Поэтому структуры этого класса оказались очень перспективными для создания силовых полевых транзисторов.

Таблица 2. Таблица 3. Параметры некоторых советских высоковольтных полевых транзисторов. Было создано несколько поколений таких транзисторов. IR является разработчиком многих типов корпусов рис. Сравнение эффективности наиболее распространенных корпусов фирмы IR наглядно показано на рис. Современные мощные полевые транзисторы имеют гораздо более равномерный нагрев рис.

Общедоступными стали многие типы зарубежных мощных полевых транзисторов. Таблица 4. Таблица 6. Мощные полевые транзисторы фирмы IR повышенной надежности. Они сертифицированы по автомобильному стандарту AEQ Таблица 7.

Помимо более низкого активного сопротивления выводов, данный корпус обладает улучшенными тепловыми характеристиками.

На рис. И это значение уже не является рекордным! Журналисты часто преувеличивают перспективы развития транзисторов, ссылаясь на последние успехи нанотехнологий. Кремниевые мощные полевые транзисторы почти достигли своих потенциальных возможностей. Опытные образцы высоковольтных транзисторов уже появились рис.

International Rectifier рассматривает технологию GaNpowIR как новый этап развития силовых полупроводниковых приборов рис. Компоненты силовой электроники. Силовые разъемы. Источники питания. Системы охлаждения. Индукционный нагрев. Электромагнитная совместимость. Автомобильная электроника. Качество электроэнергии. Технологии силовой электроники. Справочные материалы. Параметрический поиск источников питания. Поиск: Расширенный поиск. Классификация мощных полевых транзисторов.

Горизонтальная структура первых советских мощных МДП-транзисторов. Структура мощного МДП-транзистора, изготовленного методом двойной диффузии. Структуры СИТ: а обычная ; б фирмы Sony. Таблица 1. Разрез корпуса DirectFET. Эффективность современных корпусов фирмы IR. Корпуса специализированных силовых интегральных схем. Диаграммы распределения нагрева по площади кристаллов. Таблица 5. Сопротивление сток—исток полевых транзисторов, построенных на разных полупроводниковых материалах.

Рис Этапы развития различных технологий производства силовых приборов. Оцените, пожалуйста, удобство и практичность usability сайта: 0 1 1 1 Хорошо blue Нормально grey Плохо red. Компоненты силовой электроники Силовые разъемы Электроприводы Источники питания Системы охлаждения Индукционный нагрев Электромагнитная совместимость Оборудование Автомобильная электроника Качество электроэнергии Софт Технологии силовой электроники Справочные материалы Параметрический поиск источников питания.

Хорошо blue. Нормально grey. Плохо red. Тел: Факс:

Что такое полевой транзистор и как его проверить

В настоящее время транзистор является основой схемотехники подавляющего большинства электронных устройств и интегральных микросхем. Транзисторами также называются дискретные электронные приборы, которые, выполняя функцию одиночного транзистора, имеют в своем составе много элементов, конструктивно являясь интегральной схемой, например составной транзистор или многие транзисторы большой мощности [2]. В биполярном транзисторе используются полупроводники с обоими типами проводимости, он работает за счет взаимодействия двух, близко расположенных на кристалле, p-n переходов и управляется изменением тока через база-эмиттерный переход, при этом вывод эмиттера всегда является общим для управляющего и выходного токов. В полевом транзисторе используется полупроводник только одного типа проводимости, расположенный в виде тонкого канала, на который воздействует электрическое поле изолированного от канала затвора [3] , управление осуществляется изменением напряжения между затвором и истоком. Полевой транзистор, в отличие от биполярного, управляется напряжением, а не током. К м годам транзисторы, благодаря своей миниатюрности, экономичности, устойчивости к механическим воздействиям и невысокой стоимости практически полностью вытеснили электронные лампы из малосигнальной электроники.

Микросхемы ККП1 изготовлены по МОП-технологии на полевых транзисторах. Реализовано четыре переключающих 1 1 +0 к 1 1 +0 к 3 _.

Полевой транзистор

На сегодняшний день, среди достаточного количества разновидностей транзисторов выделяют два класса: p-n — переходные транзисторы биполярные и транзисторы с изолированным полупроводниковым затвором полевые. Другое название, которое можно встретить при описании полевых транзисторов — МОП металл — окисел — полупроводник. Обусловлено это тем, что в качестве диэлектрического материала в основном используется окись кремния SiO 2. Немного пояснений. Данный термин порой вводит в заблуждение новичков в электронике. Транзистор J-FET также является полевым, но управление им осуществляется за счёт применения в нём управляющего p-n перехода. Суть работы полевого транзистора заключается в возможности управления протекающим через него током с помощью электрического поля напряжения.

Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный полевой с изолированным затвором 2П7234А

На этих фото изображены выводные транзисторы, которые впаивают в отверстия в печатной плате. Но существуют транзисторы и для поверхностного или SMD монтажа, в таком случае отверстия не сверлятся и детали припаиваются со стороны печати, один из таких транзисторов в корпусе sot изображен на фотографии ниже, рядом на рисунке можно видеть его сравнительные размеры:. Устройства, созданные на основе КМОП транзисторов полевых транзисторов очень экономичны и имеют незначительное потребление питания. Привожу схемы включения полевых транзисторов:.

Подключение полевого транзистора. Рассмотрим самый простой способ подключения мотора к Arduino — использование транзистора для управления двигателем.

Полевые транзисторы

Компьютер — это сложная система, состоящая из отдельных частей. Разбирая, как работают эти отдельные части большие и малые , мы приобретаем знание. Обретая знание, мы получаем шанс помочь своему железному другу-компьютеру, если он вдруг забарахлит. Мы же ведь в ответе за тех, кого приручили, не правда ли? Из всех видов транзисторов их немало мы ограничимся сейчас рассмотрением работы полевых транзисторов.

Что такое транзистор и как он работает?

Транзистор «2ПА» кремниевый эпитаксиально-планарный полевой с изолированным затвором, с обогащенным р-каналом и встроенным обратносмещенным диодом, в металлокерамическом корпусе КТВ, предназначенный для использования в источниках вторичного электропитания и другой преобразовательной аппаратуре специального назначения. Транзистор пригоден для монтажа в аппаратуре методом групповой пайки оплавлением паяльных паст и паяльником. Температура пайки не выше С. Время пайки не более 4 с. Время лужения 2 с. Допустимое число перепаек выводов транзисторов при проведении монтажных сборочных операций не более трех. Расстояние от корпуса до места лужения и пайки по длине вывода не менее 5 мм. Допускаются другие режимы и условия пайки при обеспечении сохранения целостности конструкции и надежности транзистора, что должно подтверждаться проведением испытаний потребителем.

Мощные полевые ключевые транзисторы с изолированным затвором, характеристики описание фото рисунок маркировка габариты.

FM600TU-07A транзистор полевой mosfet купить в Минске

Полевые транзисторы другое название — униполярные — это полупроводниковые приборы, которые работают на базе управления электрическим сопротивлением токопроводящего канала поперечным электрическим полем, создаваемым приложенным к затвору напряжением. Области использования полевых транзисторов чрезвычайно широки — аналоговые и цифровые интегральные схемы, электронных часах, пультах дистанционного управления и так далее. Транзисторы всегда выбирают в соответствии с их видами и характеристиками.

Развитие мощных полевых транзисторов носит беспрецедентный характер. Приборы имеют высокие динамические показатели и по существу являются специализированными мощными СБИС. Ныне в мире выпускаются многие тысячи типов мощных полевых транзисторов и силовых интегральных схем на их основе. Данный аналитический обзор описывает развитие этих приборов и отражает взгляд автора, принимавшего прямое участие в исследованиях, разработках, внедрении и популяризации этих приборов.

В настоящее время мощные полевые транзисторы и не только мощные, но они нас интересовать не будут с изолированным затвором применяются очень широко. Большей частью в ключевом режиме.

Регистрация Забыл пароль. Теги каталога: инверторы, драйвер, затвор, режим, расчет, каскад, управление, блок, мощный, аналоги, даташит, распиновка, принцип работы, проверка, корпус, SMD, СМД, пайка, описание, наряжение, мощность, ток, характеристики, параметры, высокочастотные, оптом, схема, справочник, маркировка, цоколевка, фото. Это полупроводниковые компоненты, принцип работы которых основан на изменении электрического сопротивления токопроводящего канала канала для движения электронов. Управление каналом происходит через управлящий электрод, который назвается затвором. Сам канал состоит из двух электродов — в которую заходят электроны исток , и выходят сток. Более подробное описание по устройству и принципу работы, вы сможете найти в справочной литературе, а у нас, ниже, вы найдете информацию, по выбору, замене и особенностям этих электронных компонентов, необходимых для покупки.

Биполярные транзисторы в том числе с изолированным затвором , инжекционные транзисторы с обогащенным затвором. Полупроводниковые оптические устройства. Линейные интегральные схемы. Логические интегральные схемы.

Полевой транзистор фото

Войдите , пожалуйста. Хабр Geektimes Тостер Мой круг Фрилансим. Войти Регистрация. Полевые транзисторы.

Поиск данных по Вашему запросу:

Схемы, справочники, даташиты:

Прайс-листы, цены:

Обсуждения, статьи, мануалы:

Дождитесь окончания поиска во всех базах.

По завершению появится ссылка для доступа к найденным материалам.

Содержание:

• Аксессуары и комплектующие для электроники — транзистор полевой
• Транзисторы для импульсных блоков питания телевизоров. Замена
• Транзистор: виды, применение и принципы работы
• Некоторые особенности работы мощного полевого транзистора в линейном режиме.
• Обозначение полевого транзистора
• Полевой транзистор

ПОСМОТРИТЕ ВИДЕО ПО ТЕМЕ: Простые электронные самоделки на полевом транзисторе BS170.

Аксессуары и комплектующие для электроники — транзистор полевой

В настоящее время мощные полевые транзисторы и не только мощные, но они нас интересовать не будут с изолированным затвором применяются очень широко. Большей частью в ключевом режиме. Специалисты знают, что использование таких транзисторов в линейном режиме имеет свои особенности. Но вот новички и любители часто об этом забывают. Кроме того, линейный режим может встретится там, где его совсем не ожидают.

Статья рассчитана не на опытных специалистов электронщиков которые и так все это знают , а на тех, кто только начинает свой путь разработчика электронных устройств. И на любителей электроники. В статье будут графики, но не будет формул, так как ее цель наглядно показать процессы, а не дать их подробное строгое описание. Не правда ли, очень знакомый фрагмент схемы?

Вы такое видели много раз, и даже сами наверняка применяли. И частота переключения может быть очень низкой. Биполярный транзистор и резистор предназначены для исключения перегрузки полевого транзистора по току при возможной неисправности нагрузки. Но посмотрите на схему внимательнее. Что будет, если биполярный транзистор начнет открываться? Нет, он на закроет полевой транзистор. От будет ограничивать ток через полевой транзистор, который при этом будет работать в линейном режиме. А это означает, что спасти полевой транзистор может и не получиться.

Давайте разбираться. Сразу оговорюсь, что я не буду рассматривать различные реальные физические структуры мощных полевых транзисторов. Речь будет идти о мощных полевых транзисторах в общем и целом. Это не позволит раскрыть тонкости и различия влияния топологии и технологии кристаллов на свойства транзисторов.

Но позволит показать картину в целом на достаточном уровне. Кроме того, в статье будет говориться только о транзисторах с индуцированным каналом! Приведу две микрофотографии из этой статьи которые показывают вид вышедшего из строя кристалла.

На левой фотографии виден шарик алюминия, а на правой место повреждения кристалла. Специалисты NASA обратились к производителю транзистора International Rectifier и получили ответ, что данная модель транзисторов IRF предназначена для работы только в режиме переключения, а не в областях, где напряжение на затворе не обеспечивает полностью открытого состояния транзистора. Другими словами, схема защиты как раз и способствовала выходу транзистора из строя. Давайте посмотрим на области безопасной работы реальных транзисторов.

Этот транзистор предназначен для работы в ключевом режиме, но его область безопасной работы включает и линейный режим обозначен DC. Хорошо видно, что с ростом напряжения сток-исток для открытого транзистора его допустимый ток стока уменьшается довольно быстро.

Причем он зависит и от длительности импульса. Например, при напряжении между стоком и истоком 10 В допустимый постоянный ток стока составляет лишь 6. При этом транзистор будет рассеивать лишь 65 Вт, в три раза меньше максимальной мощности. А ток стока 20А будет допустим лишь при длительности импульса менее 1 мс. Причем речь идет о единичном импульсе. Существенное ограничение. Теперь возьмем транзистор IRLU , который обладает, на первый взгляд, сходными параметрами только менее мощный.

И тут нас поджидает сюрприз. Область линейного режима DC отсутствует. При напряжении сток-исток 10 В будет допустим ток стока лишь 3 А, причем при длительности импульса единичного не более 10 мс. Почему же такие мощные транзисторы не могут работать в линейном режиме?

А если могут, то ограничения довольно существенные. Дело в том, что современные мощные полевые транзисторы, фактически, состоят из множества параллельно включенных менее мощных транзисторов. Для уменьшения времени переключения и уменьшения сопротивления канала сток-исток производители совершенствуют технологию. Это позволяет уменьшить размер кристалла и достичь отличных параметров при работе в ключевом режиме.

Но одновременно, меньший размер кристалла означает и меньшую допустимую мощность рассеивания в линейном режиме. Но причина такого поведения мощных транзисторов кроется в хорошо известном явлении теплого разгона. Вы скажете, что для полевых транзисторов это невозможно, тепловой разгон свойственен биполярным.

И будете не правы. Передаточная характеристика мощного полевого транзистора показывает зависимость тока стока от напряжения затвор-исток при фиксированной температуре канала.

Фирма ST приводит три графика передаточной характеристики при разных температурах канала. Эти три кривые пересекаются в точке, известной как точка температурной стабильности.

Если напряжение затвор-исток меньше напряжения термостабильной точки, то температурный коэффициент тока стока положительный ток стока растет с ростом температуры при неизменном напряжении затвор-исток. Это так называемый эффект Spirito, который очень похож на механизм вторичного теплового пробоя биполярных транзисторов. Если напряжение затвор-исток выше напряжения термостабильной точки, то температурный коэффициент тока стока отрицательный ток стока снижается с ростом температуры.

Я не буду приводить формулы описывающие возникновение и влияние эффекта Spirito. Думаю, они будут излишни для статьи формата Дзен.

В реальных расчетах они не помогут. Если кому то интересно более подробное изложение и формулы, могут найти их в двух уже упоминавшихся статьях, а так же в. При малом напряжении затвор-исток работа в линейном режиме , когда небольшая зона кристалла один или несколько транзисторов составляющих структуру мощного транзистора становится горячее прилегающих зон, ток через нее возрастает.

А это приводит к еще большему нагреву этой зоны, что вызывает еще больший рост тока. Это тот самый тепловой разгон. В конце концов эта зона разрушается, что приводит к выходу транзистора из строя. Откуда же может взяться эта горячая зона? Реальные мощные транзисторы не могут иметь идеально идентичные транзисторы ячейки , составляющие их структуру. Это приводит к различию теплового сопротивления ячеек в пределах кристалла, различию порогового напряжения, емкостей, токов утечки, и т.

Дополнительное влияние на разницу теплового сопротивление по площади кристалла вносят проволочки соединяющие кристалл с выводами. Вот так выглядит эта горячая зона горячая точка по материалам фирмы ST. Но почему область безопасной работы зависит от длительности импульсов и их частоты? Ведь описанный выше процесс должен протекать в любом случае при малых напряжениях затвор-исток.

Не совсем так. Дело в том, что тепловое сопротивление зависит и от временных параметров импульсов тока протекающих через транзистор.

Подобные графики приводятся в документации на многие современные мощные транзисторы. Этот конкретный график взят из документации на IRLU , который я уже упоминал. Хорошо видно, что чем более длинные импульсы тока и чем выше их коэффициент заполнения, тем выше тепловое сопротивление. Мощность выделившаяся в канале при коротких и редких импульсах успевает рассеяться через кристалл и корпус. Но чем чаще и длительнее импульсы, тем большее количество тепла не успевает рассеяться, что вызывает дополнительный рост температуры канала.

Многие современные мощные полевые транзисторы предназначены лишь для работы в ключевом режиме и не могут работать в линейном. При этом существуют и транзисторы специально адаптированные для линейного режима работы. Так же, в линейном режиме могут работать и многие «старые» транзисторы, которые не были так оптимизированы для ключевого режима.

Если предполагается работа в линейном режиме, необходимо обращать внимание на область безопасной работы в документации на транзистор. Если линейный режим там не предусмотрен, то никто не может гарантировать, что транзистор будет устойчиво работать. Даже, если отдельно взятый транзистор и будет на это способен. Линейный режим работы может возникать там, где на него не рассчитывают. И схема защиты мощного полевого транзистора от перегрузки по току может не защитить, а наоборот, стать причиной его преждевременного выхода из строя.

Транзисторы для импульсных блоков питания телевизоров. Замена

Полевые транзисторы IRF. Мощные полевые ключевые транзисторы с изолированным затвором, п-канальные, обогащенного типа. Тип транзистора Рис. Полевые транзисторы на напряжение до 40в кп Информация datasheet pdf техническая документация полевые транзисторы Справочник по биполярным. По полевым транзисторам Полевые транзисторы электрическим параметрам, для выбораимпортные mosfet. Полевых транзисторов 2п — кпс по напряжению Зарубежные полевые транзисторы.

10N60, MOSFET, полевой транзистор., цена 16 грн., купить в Никополе — all-audio. pro (ID#) полевой транзистор,(FQP10N60C). Фото реальное.

Транзистор: виды, применение и принципы работы

Принцип полупроводникового управления электрическим током был известен ещё в начале ХХ века. Несмотря на то, что инженеры, работающие в областях радиоэлектроники, знали как работает транзистор, они продолжали конструировать устройства на основе вакуумных ламп. Причиной такого недоверия к полупроводниковым триодам было несовершенство первых точечных транзисторов. Семейство германиевых транзисторов не отличались стабильностью характеристик и сильно зависели от температурных режимов. Серьёзную конкуренцию электронным лампам составили монолитные кремниевые транзисторы лишь в конце х годов. С этого времени электронная промышленность начала бурно развиваться, а компактные полупроводниковые триоды активно вытесняли энергоёмкие лампы со схем электронных приборов. С появлением интегральных микросхем, где количество транзисторов может достигать миллиардов штук, полупроводниковая электроника одержала убедительную победу в борьбе за миниатюризацию устройств.

Некоторые особенности работы мощного полевого транзистора в линейном режиме.

Подключение полевого транзистора. Рассмотрим самый простой способ подключения мотора к Arduino — использование транзистора для управления двигателем. Рассмотрим на этом занятии устройство и применение транзисторов в электронной автоматике. Расскажем про распиновку и подключение транзистора к плате Arduino.

Очень распространенный полевой транзистор.

Обозначение полевого транзистора

Wire Bond Limited A. Теоретически набор транзисторов должен обеспечить необходимый рабочей режим, при условии абсолютной идентичности всех характеристик каждого транзистора, однако на деле там большой разброс. Для дорогостоящей электроники можно сказать ручной сборки на заводах могут проверять совместную работу всех транзисторов, но для этого требуется набор специального оборудования, которого за частую нет даже у хороших специалистов, к тому же такая проверка требует времени. Для RC моделей игрушек ни кто такими тестами заниматься не будет, сгорел регуль — купи новый, горят постоянно — стоит задуматься о покупке от другого производителя. И тут производитель не обманывает и пишет характеристики как они есть:.

Полевой транзистор

Компьютер — это сложная система, состоящая из отдельных частей. Разбирая, как работают эти отдельные части большие и малые , мы приобретаем знание. Обретая знание, мы получаем шанс помочь своему железному другу-компьютеру, если он вдруг забарахлит. Мы же ведь в ответе за тех, кого приручили, не правда ли? Из всех видов транзисторов их немало мы ограничимся сейчас рассмотрением работы полевых транзисторов.

Мощные полевые транзисторы с изолированным затвором применяются очень широко. Большей частью в ключевом режиме.

В настоящее время мощные полевые транзисторы и не только мощные, но они нас интересовать не будут с изолированным затвором применяются очень широко. Большей частью в ключевом режиме. Специалисты знают, что использование таких транзисторов в линейном режиме имеет свои особенности. Но вот новички и любители часто об этом забывают.

Интернет отсутствовал, а выручала литература. Практика замены транзисторов в блоках питания показывает, что данная методика работает, по крайней мере, возвратов нет. Импульсные блоки питания телевизоров в большинстве своем построены с использованием в качестве силового ключа, мощные биполярные или полевые транзисторы. Эти транзисторы не полные аналоги друг друга, но вполне взаимозаменяемы. Проверять их нагрев необходимо после выключения телевизора. Полный аналог подразумевает совпадение всех характеристик транзисторов, что не вполне необходимо.

На принципиальных схемах можно встретить обозначения полевого транзистора той или иной разновидности.

Область, из которой носители заряда уходят в канал, называется истоком , область, в которую они входят из канала, называется стоком , электрод, на который подается управляющее напряжение, называется затвором. Впервые идея регулировки потока основных носителей электрическим полем в транзисторе с изолированным затвором была предложена Лилиенфельдом в — годах. Однако трудности в реализации этой идеи на практике позволили создать первый работающий прибор только в году. В году Джеймс Маккаллахем из Bell Labs установил, что использование полевых транзисторов может существенно увеличить производительность существующих вычислительных систем. К основным параметрам полевых транзисторов причисляют: входное сопротивление, внутреннее сопротивление транзистора, также называемое выходным, крутизну стокозатворной характеристики, напряжение отсечки и некоторые другие. Источник постоянного смещения, включенный во входную цепь, создаёт на единственном p-n-переходе обратное запирающее напряжение. Во входную цепь также включается и источник усиливаемого сигнала.

Работаем: Пн. С до Без перерыва.

Принцип работы полевого транзистора

Транзисторами  называют полупроводниковые триоды, у которых расположено три выхода. Их основным свойством является возможность посредством сравнительно низких входных сигналов осуществлять управление высоким током на выходах цепи.

• Что представляет собой полевой транзистор
• Видео «Подробно о полевых транзисторах»
• Виды полевых транзисторов
• Принцип работы полевого транзистора
• Для чего нужен полевой транзистор

Для радиодеталей, которые используются в современных сложных электроприборах, применяются полевые транзисторы. Благодаря свойствам этих элементов выполняется включение или выключение тока в электрических цепях печатных плат, или его усиление.

Что представляет собой полевой транзистор

Полевые транзисторы — это трех или четырех контактные устройства, в которых ток, идущий на два контакта, может регулироваться посредством напряжения электрополя  третьего контакта.  На двух контактах регулируется напряжением электрического поля на третьем. В результате этого подобные транзисторы называются полевыми.

Название расположенных на устройстве контактов и их функции:

• Истоки – контакты с входящим электрическим током, которые находится на участке n;
• Стоки – контакты с исходящим, обработанным током, которые находятся  на участке n;
• Затворы – контакты, находящиеся на участке р, посредством изменения напряжения на котором, выполняется регулировка пропускной способности на устройстве.

Видео «Подробно о полевых транзисторах»

//www. youtube.com/embed/WKx_3fUtcSk?autohide=2&autoplay=0&mute=0&controls=1&fs=1&loop=0&modestbranding=0&playlist=&rel=1&showinfo=1&theme=dark&wmode=&playsinline=0

Виды полевых транзисторов

Полевой транзистор с n-р переходами подразделяется на несколько классов в зависимости:

1. От типа каналов проводников: n или р. Каналы воздействую на знаки, полярности, сигналы управления. Они должны быть противоположны по знакам n-участку.
2. От структуры приборов: диффузных, сплавных по р -n — переходам, с затворами Шоттки, тонкопленочными.
3. От общего числа контактов: могут быть трех или четырех контактными. Для четырех контактных приборов, подложки также являются затворами.
4. От используемых материалов: германия, кремния, арсенид галлия.

В свою очередь разделение классов происходит в зависимости от принципа работы транзистора:

• устройства под управлениями р-n переходов;
• устройства с изолированными затворами или с барьерами Шоттки.

Принцип работы полевого транзистора

Радиодетали состоят из двух участков: p-переходов и n-переходов.

По участку n проходит электроток.

Участок р является перекрывающей зоной, неким вентилем. 

Если оказывать определенное давление на нее, то она будет перекрывать участок и препятствовать прохождению тока.

Либо, же наоборот, при снижении давления количество проходящего тока возрастет.

В результате такого давления осуществляется увеличение напряжения на контактах затворов, находящихся на участке р.

Приборы с управляющими p-n канальными переходами — это полупроводниковые пластины, имеющие электропроводность с одним из данных типов. К торцевым сторонам пластин выполняется подсоединение контактов: стока и истока, в середину — контакты затвора.

Принцип работы прибора основан на изменении пространственных толщин p-n переходов. Так как в запирающих областях практически отсутствуют подвижные носители заряда, их проводимость равняется нулю. В полупроводниковых пластинах, на участках которых не воздействует запирающий слой, создаются проводящие ток каналы. Если подается отрицательное напряжение в отношении истока, на затворе образуется поток, через который протекают носителя заряда.

Для изолированных затворов, характерно расположение на них тонкого слоя диэлектрика. Такое устройство работает по принципу электрических полей.  Для его разрушения понадобится всего лишь небольшое электричество. В связи с этим, чтобы предотвратить статическое напряжение, которое может превышать 1000 В, необходимо создание специальных корпусов для приборов, которые минимизируют эффект от воздействия вирусных типов электричества.

Для чего нужен полевой транзистор

При рассмотрении работы сложных видов электротехники, стоит рассмотреть работу такого важного компонента интегральной схемы, как полевой транзистор.

Основная задача от использования данного элемента заключается в пяти ключевых направлениях, в связи с чем транзистор применяется для:

1. Усиления высокой частоты.
2. Усиления низкой частоты.
3. Модуляции.
4. Усиления постоянного тока.
5. Ключевых устройств (выключателей).

В качестве простого примера работа транзистора-выключателя, может быть представлена как микрофон и лампочка в одной компановке.  Благодаря микрофону улавливаются звуковые колебания, что влияет на появление электрического тока, поступающего на участок запертого устройства. Присутствие тока влияет на включение устройства и включение электрической цепи, к которой подключаются лампочки. Последние загораются после того как микрофон уловил звук, но горят они за счет источников питания не связанных с микрофоном и более мощных.

Модуляцию применяют с целью управления информационными сигналами. Сигналы управляют частотами колебаний. Модуляцию применяют для качественных звуковых радиосигналов, для передачи звуковых частот в телевизионные передачи, для трансляции цветовых изображений и телевизионных сигналов с высоким качеством. Модуляцию применяют повсеместно, где нужно проводить работу с высококачественными материалами.

Как усилители полевые транзисторы в упрощенном виде работают по такому принципу: графически любые сигналы, в частности, звукового ряда, могут быть представлены как ломаная линия, где ее длиной является временной промежуток, а высотой изломов – звуковая частотность. Чтобы усилить звук к радиодетали подается поток мощного напряжения, приобретаемого нужную частотность, но с более большим значением, из-за подачи слабых сигналов на управляющие контакты. Иначе говоря, благодаря устройству происходит пропорциональная перерисовка изначальной линии, но с более высоким пиковым значением.

Понравилась статья? Расскажите друзьям:

Оцените статью, для нас это очень важно:

Проголосовавших: 1 чел.
Средний рейтинг: 5 из 5.

Адаптация электрических и фотоэлектрических свойств полевого транзистора WS2 путем селективного химического легирования n-типа

Адаптация электрических и фотоэлектрических свойств полевого транзистора WS

₂ с помощью селективного химического легирования n-типа†

Мухаммад Вакас Икбал* ^и Мухаммад Захир Икбал, ^CD Мухаммад Фарук Хан, ^б Мухаммад Аршад Камрань, ^и Абдул Маджид, ^и Темер Альхарби ^и а также Чонхва Эом ^б

Принадлежности автора

* Соответствующие авторы

^и Кафедра физики, Научный колледж, Университет Маджмаа, Аль-Зульфи, 11932 года, Саудовская Аравия
Электронная почта: mw. [email protected]

^б Кафедра физики и научно-исследовательский институт графена, Университет Седжонг, Сеул 143-747, Корея

^с Факультет физики и астрономии, Университет штата Джорджия, Атланта, Джорджия 30303, США

^д Факультет инженерных наук, Институт инженерных наук и технологий ГИК, Топи 23640, Пакистан

Аннотация

rsc.org/schema/rscart38″> Здесь мы демонстрируем метод легирования, который значительно улучшает электрические и фотоэлектрические характеристики WS 9.0062 ₂ Полевой транзистор (FET) с химическим легированием. Сдвиг порогового напряжения в сторону отрицательного напряжения на затворе и красное смещение пиков E ¹ _2g и A _1g в спектрах КР подтверждают наличие эффекта легирования n-типа в WS . ₂ Полевые транзисторы. Пленки WS ₂ демонстрируют беспрецедентно высокую подвижность 255 см ² V ⁻¹ с ⁻¹ при комнатной температуре. Отношение включения/выключения выходного тока составляет ∼10 ⁸ при комнатной температуре. Подвижность многослойного МЛ-ВС ₂ полевого транзистора составила 425 см ² В ^-1 с ^-1 9006 с ^-1 9006 также наблюдалось при В _bg > 30 В. После легирования йодидом калия (KI) наблюдалось снижение контактного и поверхностного сопротивления. Фототок в WS ₂ Полевые транзисторы также были улучшены после легирования n-типа. Химическое легирование показало очень стабильный, эффективный и простой в применении метод улучшения характеристик полевого транзистора WS ₂ .

• Эта статья является частью тематического сборника: 2D-материалы: исследования за пределами графена

Полевой транзистор и фототранзистор из узкозонных массивов нанокристаллов с использованием ионных стекол

. 2019 12 июня; 19 (6): 3981-3986.

doi: 10.1021/acs.nanolett.9b01305. Эпаб 2019 10 мая.

Чарли Гребоваль ¹ , Ульрих Нумбе ² , Николя Губе ^{1 3} , Клеман Ливаш ^{1 3} , Жюльен Рамад ¹ , Цзюньлин Цюй ¹ , Одри Чу ¹ , Бертиль Мартинес ^{1 3} , Йоанн Прадо ¹ , Сандрин Итуррия ³ , Абделькарим Уэрги ⁴ , Эрве Обен ⁴ , Жан-Франсуа Дайен ² , Эммануэль Луилье ¹

Принадлежности

• ¹ Университет Сорбонны, CNRS, Парижский институт нанонаук, INSP, F-75005 Париж, Франция.
• ² Страсбургский университет, CNRS, Институт физики и химии материалов в Страсбурге (IPCMS), UMR 7504, F-67000 Страсбург, Франция.
• ³ Laboratoire de Physique et d’Etude des Matériaux, ESPCI-Paris, PSL Research University, Sorbonne Université Univ Paris 06, CNRS UMR 8213, 10 rue Vauquelin, 75005 Париж, Франция.
• ⁴ Центр нанонаук и нанотехнологий, CNRS, Univ. Paris-Sud, Université Paris-Saclay, C2N-Palaiseau, 91120 Палезо, Франция.

• PMID: 31059646
• DOI: 10.1021/acs.nanolett.9b01305

Чарли Гребовал и др. Нано Летт. 2019 .

. 2019 12 июня; 19 (6): 3981-3986.

doi: 10.1021/acs.nanolett.9b01305. Эпаб 2019 10 мая.

Авторы

Чарли Гребоваль ¹ , Ульрих Нумбе ² , Николя Губе ^{1 3} , Клеман Ливаш ^{1 3} , Жюльен Рамад ¹ , Цзюньлин Цюй ¹ , Одри Чу ¹ , Бертиль Мартинес ^{1 3} , Йоанн Прадо ¹ , Сандрин Итуррия ³ , Абделькарим Уэрги ⁴ , Эрве Обен ⁴ , Жан-Франсуа Дайен ² , Эммануэль Луилье ¹

Принадлежности

• ¹ Университет Сорбонны, CNRS, Парижский институт нанонаук, INSP, F-75005 Париж, Франция.
• ² Страсбургский университет, CNRS, Институт физики и химии материалов в Страсбурге (IPCMS), UMR 7504, F-67000 Страсбург, Франция.
• ³ Laboratoire de Physique et d’Etude des Matériaux, ESPCI-Paris, PSL Research University, Sorbonne Université Univ Paris 06, CNRS UMR 8213, 10 rue Vauquelin, 75005 Париж, Франция.
• ⁴ Центр нанонаук и нанотехнологий, CNRS, Univ. Paris-Sud, Université Paris-Saclay, C2N-Palaiseau, 91120 Palaiseau, Франция.

• PMID: 31059646
• DOI: 10.1021/acs.nanolett.9b01305

Абстрактный

Затвор пленок нанокристаллов в настоящее время осуществляется двумя способами: либо с использованием диэлектрика, такого как SiO ₂ , либо с использованием электролита. SiO ₂ обеспечивает быстрое изменение смещения в широком диапазоне температур, но требует большого рабочего смещения. Электролиты, благодаря большим емкостям, приводят к значительному снижению рабочего смещения, но ограничены медленной работой и работой почти при комнатной температуре. Ни один из этих рабочих режимов не является оптимальным для узкозонных фототранзисторов на основе нанокристаллов, для которых необходимая большая емкость затвора должна сочетаться с низкотемпературной работой. Здесь мы исследуем использование LaF ₃ Ионное стекло как альтернатива высокоемкому затвору. Мы впервые демонстрируем использование таких ионных стекол для создания тонких пленок из нанокристаллов HgTe и PbS. Эта стратегия стробирования позволяет работать в диапазоне температур от 180 до 300 К с емкостью до 1 мкФ·см ^-2 . Мы раскрываем уникальное свойство ионно-стеклянного затвора, обеспечивающее беспрецедентную возможность настройки как величины, так и динамики фототока благодаря высокой способности легирования заряда в диапазоне рабочих температур, соответствующем инфракрасному фотодетектированию. Мы показываем, что при тщательном выборе рабочего смещения затвора отношение сигнал/шум может быть улучшено в 100 раз, а временная характеристика ускорена в 6 раз. Кроме того, хорошая прозрачность LaF ₃ подложка обеспечивает подсветку с обратной стороны в инфракрасном диапазоне, что очень ценно при разработке фототранзисторов.

Ключевые слова: HgTe; ЛаФ; полевой транзистор; инфракрасный нанокристалл; ионные стекла; твердотельные ворота.

Похожие статьи

• Реконфигурируемая 2D/0D p-n нанокристаллическая гетероструктура графена/HgTe для инфракрасного обнаружения.

  Нумбе УН, Гребоваль С., Ливаш С., Чу А., Маджад Х., Парра Лопес Л.Е., Муафо Л.Д.Н., Дуден Б., Берсио С., Част Дж., Уэрги А., Луилье Э., Дайен Дж.Ф. Нумбе ООН и др. АКС Нано. 2020 28 апреля; 14 (4): 4567-4576. doi: 10.1021/acsnano.0c00103. Epub 2020 3 апр. АКС Нано. 2020. PMID: 32223229

• Выталкивание поглощения нанокристаллов перовскита в инфракрасное излучение.

  Растоги П., Чу А., Гребовал С., Ку Дж., Нумбе У.Н., Чи С.С., Гоял М., Халили А., Сюй Х.З., Кругель Х., Итуррия С., Галлас Б., Дайен Дж.Ф., Дади Л., Глупый М.Г., Патриарх Г., Дегирон А., Винсент Г., Луилье Э. Растоги П. и соавт. Нано Летт. 2020 13 мая;20(5):3999-4006. doi: 10.1021/acs.nanolett.0c01302. Epub 2020 21 апр. Нано Летт. 2020. PMID: 32283029

• Гибридный полимер, обработанный раствором: фототранзистор с квантовыми точками HgTe с высокой чувствительностью и быстрым откликом в инфракрасном диапазоне до 2400 нм при комнатной температуре.

  Донг Ю. , Чен М., Ю В.К., Чжу К., Чжоу Г., Кершоу С.В., Ке Н., Вонг С.П., Рогач А.Л., Чжао Н. Донг И и др. Adv Sci (Вейн). 2020 10 мая; 7(12):2000068. doi: 10.1002/advs.202000068. электронная коллекция 2020 июнь. Adv Sci (Вейн). 2020. PMID: 32596115 Бесплатная статья ЧВК.

• Динамика края полосы и генерация мультиэкситона в узкозонных нанокристаллах HgTe.

  Ливаш С., Губе Н., Мартинес Б., Джагтап А., Ку Дж., Итуррия С., Глупый М.Г., Дюбертре Б., Люлье Э. Ливаш С и др. Интерфейсы приложений ACS. 2018 11 апреля; 10 (14): 11880-11887. doi: 10.1021/acsami.8b00153. Epub 2018 2 апр. Интерфейсы приложений ACS. 2018. PMID: 29578678

• Функционализированные органические тонкопленочные транзисторы для биодатчиков.

  Ван Н, Ян А, Фу Ю, Ли Ю, Ян Ф. Ван Н и др. Acc Chem Res. 2019 19 февраля; 52 (2): 277-287. doi: 10.1021/acs.accounts.8b00448. Epub 2019 8 января. Acc Chem Res. 2019. PMID: 30620566 Обзор.

Посмотреть все похожие статьи

Цитируется

• Инфракрасная фотопроводимость на пределе длины диффузии в массивах нанокристаллов HgTe.

  Чу А., Гребовал С., Прадо Ю., Маджад Х., Делерю С., Дайен Дж. Ф., Винсент Г., Луилье Э. Чу А и др. Нац коммун. 2021 19 марта; 12 (1): 1794. doi: 10.1038/s41467-021-21959-x. Нац коммун. 2021. PMID: 33741921 Бесплатная статья ЧВК.

Типы публикаций

Поставщики беспроводных радиочастот и ресурсы

Веб-сайт RF Wireless World является домом поставщиков и ресурсов RF и Wireless. На сайте представлены статьи, учебные пособия, поставщики, терминология, исходный код (VHDL, Verilog, MATLAB, Labview), тесты и измерения, калькуляторы, новости, книги, загрузки и многое другое.

Сайт RF Wireless World охватывает ресурсы по различным темам, таким как RF, беспроводная связь, vsat, спутник, радар, оптоволокно, микроволновая печь, wimax, wlan, zigbee, LTE, 5G NR, GSM, GPRS, GPS, WCDMA, UMTS, TDSCDMA, Bluetooth, Lightwave RF, z-wave, Интернет вещей (IoT), M2M, Ethernet и т. д. Эти ресурсы основаны на стандартах IEEE и 3GPP. Он также имеет академический раздел, который охватывает колледжи и университеты по инженерным дисциплинам и дисциплинам MBA.

Статьи о системах на основе IoT

Система обнаружения падений для пожилых людей на основе IoT : В статье рассматривается архитектура системы обнаружения падений, используемой для пожилых людей. В нем упоминаются преимущества или преимущества системы обнаружения падения IoT. Подробнее➤
См. также другие статьи о системах на основе IoT:
• Система очистки туалетов AirCraft. • Система измерения удара при столкновении • Система отслеживания скоропортящихся продуктов и овощей • Система помощи водителю • Система умной розничной торговли • Система мониторинга качества воды • Система интеллектуальной сети • Умная система освещения на основе Zigbee • Умная система парковки на базе Zigbee • Умная система парковки на базе LoRaWAN.

---

Изделия для беспроводных радиочастот

Этот раздел статей охватывает статьи о физическом уровне (PHY), уровне MAC, стеке протоколов и сетевой архитектуре на основе WLAN, WiMAX, zigbee, GSM, GPRS, TD-SCDMA, LTE, 5G NR, VSAT, Gigabit Ethernet на основе IEEE/3GPP и т. д. , стандарты. Он также охватывает статьи, связанные с испытаниями и измерениями, посвященные испытаниям на соответствие, используемым для испытаний устройств на соответствие RF/PHY. СМ. УКАЗАТЕЛЬ СТАТЕЙ >>.

---

Физический уровень 5G NR : Обработка физического уровня для канала 5G NR PDSCH и канала 5G NR PUSCH была рассмотрена поэтапно. Это описание физического уровня 5G соответствует спецификациям физического уровня 3GPP. Подробнее➤

---

Основные сведения о повторителях и типы повторителей : В нем объясняются функции различных типов повторителей, используемых в беспроводных технологиях. Подробнее➤

---

Основы и типы замираний : В этой статье рассматриваются мелкомасштабные замирания, крупномасштабные замирания, медленные замирания, быстрые замирания и т. д., используемые в беспроводной связи. Подробнее➤

---

Архитектура сотового телефона 5G : в этой статье рассматривается блок-схема сотового телефона 5G с внутренними модулями 5G. Архитектура сотового телефона. Подробнее➤

---

Основы помех и типы помех: В этой статье рассматриваются помехи по соседнему каналу, помехи в одном канале, Электромагнитные помехи, ICI, ISI, световые помехи, звуковые помехи и т. д. Подробнее➤

---

Раздел 5G NR

В этом разделе рассматриваются функции 5G NR (новое радио), нумерология, диапазоны, архитектура, развертывание, стек протоколов (PHY, MAC, RLC, PDCP, RRC) и т. д. 5G NR Краткий справочный указатель >>
• Мини-слот 5G NR • Часть полосы пропускания 5G NR • БАЗОВЫЙ НАБОР 5G NR • Форматы 5G NR DCI • 5G NR UCI • Форматы слотов 5G NR • IE 5G NR RRC • 5G NR SSB, SS, PBCH • 5G NR PRACH • 5G NR PDCCH • 5G NR PUCCH • Опорные сигналы 5G NR • 5G NR m-Sequence • Золотая последовательность 5G NR • 5G NR Zadoff Chu Sequence • Физический уровень 5G NR • MAC-уровень 5G NR • Уровень 5G NR RLC • Уровень PDCP 5G NR

---

Руководства по беспроводным технологиям

В этом разделе рассматриваются учебные пособия по радиочастотам и беспроводным сетям. Он охватывает учебные пособия по таким темам, как сотовая связь, WLAN (11ac, 11ad), wimax, bluetooth, zigbee, zwave, LTE, DSP, GSM, GPRS, GPS, UMTS, CDMA, UWB, RFID, радар, VSAT, спутник, беспроводная сеть, волновод, антенна, фемтосота, тестирование и измерения, IoT и т. д. См. ИНДЕКС УЧЕБНЫХ ПОСОБИЙ >>

---

Учебное пособие по 5G — В этом учебном пособии по 5G также рассматриваются следующие подтемы, посвященные технологии 5G:
Учебник по основам 5G Диапазоны частот учебник по миллиметровым волнам Рамка волны 5G мм Зондирование канала миллиметровых волн 5G 4G против 5G Испытательное оборудование 5G Архитектура сети 5G Сетевые интерфейсы 5G NR звучание канала Типы каналов 5G FDD против TDD Нарезка сети 5G NR Что такое 5G NR Режимы развертывания 5G NR Что такое 5G ТФ

---

В этом руководстве GSM рассматриваются основы GSM, сетевая архитектура, сетевые элементы, системные спецификации, приложения, Типы пакетов GSM, структура кадров GSM или иерархия кадров, логические каналы, физические каналы, Физический уровень GSM или обработка речи, вход в сеть мобильного телефона GSM или настройка вызова или процедура включения питания, Вызов MO, вызов MT, модуляция VAMOS, AMR, MSK, GMSK, физический уровень, стек протоколов, основы мобильного телефона, Планирование RF, нисходящая линия связи PS и восходящая линия связи PS.
➤Читать дальше.

LTE Tutorial , описывающий архитектуру системы LTE, включая основы LTE EUTRAN и LTE Evolved Packet Core (EPC). Он предоставляет ссылку на обзор системы LTE, радиоинтерфейс LTE, терминологию LTE, категории LTE UE, структуру кадра LTE, физический уровень LTE, Стек протоколов LTE, каналы LTE (логические, транспортные, физические), пропускная способность LTE, агрегация несущих LTE, Voice Over LTE, расширенный LTE, Поставщики LTE и LTE vs LTE advanced.➤Подробнее.

---

RF Technology Материал

На этой странице мира беспроводных радиочастот описывается пошаговое проектирование преобразователя частоты на примере повышающего преобразователя частоты 70 МГц в диапазон C. для микрополосковой платы с использованием дискретных радиочастотных компонентов, а именно. Смесители, гетеродин, MMIC, синтезатор, опорный генератор OCXO, амортизирующие прокладки. ➤Читать дальше.
➤ Проектирование и разработка радиочастотного приемопередатчика ➤Дизайн радиочастотного фильтра ➤Система VSAT ➤Типы и основы микрополосковых ➤Основы волновода

---

Секция испытаний и измерений

В этом разделе рассматриваются ресурсы по контролю и измерению, контрольно-измерительное оборудование для тестирования тестируемых устройств на основе Стандарты WLAN, WiMAX, Zigbee, Bluetooth, GSM, UMTS, LTE. ИНДЕКС испытаний и измерений >>
➤Система PXI для контрольно-измерительных приборов. ➤ Генерация и анализ сигналов ➤ Измерения физического уровня ➤ Тестирование устройства WiMAX на соответствие ➤ Тест на соответствие Zigbee ➤ Тест на соответствие LTE UE ➤ Тест на соответствие TD-SCDMA

---

Волоконно-оптические технологии

Волоконно-оптический компонент основы, включая детектор, оптический соединитель, изолятор, циркулятор, переключатели, усилитель, фильтр, эквалайзер, мультиплексор, разъемы, демультиплексор и т. д. Эти компоненты используются в оптоволоконной связи. ИНДЕКС оптических компонентов >>
➤Руководство по оптоволоконной связи ➤APS в SDH ➤Основы SONET ➤ Структура кадра SDH ➤ SONET против SDH

---

Поставщики беспроводных радиочастот, производители

Сайт RF Wireless World охватывает производителей и поставщиков различных радиочастотных компонентов, систем и подсистем для ярких приложений, см. ИНДЕКС поставщиков >>.

Поставщики ВЧ-компонентов, включая ВЧ-изолятор, ВЧ-циркулятор, ВЧ-смеситель, ВЧ-усилитель, ВЧ-адаптер, ВЧ-разъем, ВЧ-модулятор, ВЧ-трансивер, PLL, VCO, синтезатор, антенну, осциллятор, делитель мощности, сумматор мощности, фильтр, аттенюатор, диплексер, дуплексер, чип-резистор, чип-конденсатор, чип-индуктор, ответвитель, ЭМС, программное обеспечение RF Design, диэлектрический материал, диод и т. д. Поставщики радиочастотных компонентов >>
➤Базовая станция LTE ➤ РЧ-циркулятор ➤РЧ-изолятор ➤Кристаллический осциллятор

---

MATLAB, Labview, Embedded Исходные коды

Раздел исходного кода RF Wireless World охватывает коды, связанные с языками программирования MATLAB, VHDL, VERILOG и LABVIEW. Эти коды полезны для новичков в этих языках. СМОТРИТЕ ИНДЕКС ИСТОЧНИКОВ КОДА >>
➤ 3–8 код декодера VHDL ➤Скремблер-дескремблер Код MATLAB ➤32-битный код ALU Verilog ➤ T, D, JK, SR коды лаборатории триггеров

*Общая медицинская информация*

Сделайте эти пять простых вещей, чтобы остановить коронавирус (COVID-19).
СДЕЛАЙТЕ ПЯТЬ
1. РУКИ: Мойте их чаще
2. ЛОКТ: кашляйте в него
3. ЛИЦО: Не прикасайтесь к нему
4. НОГИ: Держитесь на расстоянии более 3 футов (1 м) друг от друга
5. ЧУВСТВУЙТЕ: Болен? Оставайтесь дома

Используйте технологию отслеживания контактов >> , следуйте рекомендациям по социальному дистанцированию >> и установить систему наблюдения за данными >> спасти сотни жизней. Использование концепции телемедицины стало очень популярным в таких стран, как США и Китай, чтобы остановить распространение COVID-19так как это заразное заболевание.

---

Радиочастотные калькуляторы и преобразователи

Раздел «Калькуляторы и преобразователи» охватывает ВЧ-калькуляторы, беспроводные калькуляторы, а также преобразователи единиц измерения. Они охватывают беспроводные технологии, такие как GSM, UMTS, LTE, 5G NR и т. д. СМ. КАЛЬКУЛЯТОРЫ Указатель >>.
➤ Калькулятор пропускной способности 5G NR ➤ 5G NR ARFCN и преобразование частоты ➤ Калькулятор скорости передачи данных LoRa ➤ LTE EARFCN для преобразования частоты ➤ Калькулятор антенны Yagi ➤ Калькулятор времени выборки 5G NR

---

IoT-Интернет вещей Беспроводные технологии

В разделе, посвященном IoT, рассматриваются беспроводные технологии Интернета вещей, такие как WLAN, WiMAX, Zigbee, Z-wave, UMTS, LTE, GSM, GPRS, THREAD, EnOcean, LoRa, SIGFOX, WHDI, Ethernet, 6LoWPAN, RF4CE, Bluetooth, Bluetooth с низким энергопотреблением (BLE), NFC, RFID, INSTEON, X10, KNX, ANT+, Wavenis, Dash7, HomePlug и другие.