drain – phrases

Sign in | English | Terms of Use

   German ⇄ ArabicChineseDanishDutchEnglishFinnishFrenchGreekHungarianItalianJapaneseLithuanianPolishPortugueseRussianSlovakSloveneSpanishSwedish

Terms for subject Microelectronics containing drain | all forms | exact matches only

German	Russian
Double-Implanted Lightly-Doped Drain/source process	технология МОП БИС с высокоомными стоками и истоками, сформированными двойной ионной имплантацией
Drain-Gate-Kapazität	ёмкость сток затвор
Drain-Gate-Spannung	напряжение сток затвор
Drain-Leckstrom	ток стока закрытого транзистора
Drain-pn-übergang	стоковый p-n-переход
Drain-pn-übergang	p-n-переход стока
Drain-Reststrom	остаточный ток стока
Drain-Schaltung	схема с общим стоком
Drain-Source-Kapazität	ёмкость сток-исток (при разомкнутом выводе)
Drain-Source-Spannung	напряжение между стоком и истоком
Drain-Source-Spannung	напряжение сток-исток
Drain-Source-Strecke	участок сток-исток
Drain-Source-Widerstand	сопротивление сток-исток (в открытом состоянии транзистора)
Drain-Substrat-pn-übergang	p-n-переход сток подложка
Drain-Substrat-Spannung	напряжение сток подложка
Gate-Drain-Kapazität	ёмкость затвор-сток
Gate-Drain-Kapazität	ёмкость затвор сток (при разомкнутом выводе)
Gate-Drain-Reststrom	остаточный ток в цепи стока
Gate-Drain-Reststrom	ток отсечки (тюлевого транзистора; ток отсечки состоит из обратного тока перехода затвор сток и тока утечки по поверхности пластины и через изоляторы выводов транзистора)
Gate-Drain-Reststrom	остаточный ток в цепи затвор-сток
Gate-Drain-Reststrom	остаточный ток в цепи затвор сток
Gate-Drain-Spannung	напряжение затвор сток
Gate-Drain-Sperrstrom	обратный ток перехода затвор-сток (при разомкнутом выводе)
Gate-Drain-Sperrstrom	обратный ток перехода затвор сток (при разомкнутом выводе)
Lightly-Doped Drain	слаболегированный сток (полевого транзистора)
Lightly-Doped Drain	слаболегированный сток
Open-Drain-Ausgang	выход с открытым стоком
Open-Drain-Treiber	формирователь на МОП-каскаде с открытым стоком
Source-Drain-Spannung	напряжение сток-исток
Source-Drain-Strecke	участок-исток сток
Source-Drain-Strom	ток в цепи исток-сток
Source-Drain-Strom	ток стока
Source-Drain-Strom	ток между истоком и стоком
Source-Drain-Strom	ток в цепи исток сток
Source-Drain-Widerstand	сопротивление исток-сток

Get short URL

 

Простые методы проверки исправности полевых транзисторов.

1. Основные характеристики N-канального полевого транзистора. Различных параметров важных, и не очень, у полевых транзисторов достаточно много. Но мы с прикладной точки зрения ограничимся рассмотрением практически необходимых нам параметров:

• Vds — Drain to Source Voltage — максимальное напряжение сток-исток;

• Vgs — Gate to Source -Voltage — максимальное напряжение затвор-исток;

• Id — Drain Current — максимальный ток стока;

• Vgs(th) — Gate to Source Threshold Voltage — пороговое напряжение затвор-исток при котором начинает открываться переход сток-исток;

• Rds(on) — Drain to Source On Resistance — сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии;

• Q(tot) — Total Gate Charge – полный заряд затвора.

Параметр Rds(on) может указываться при разных напряжениях затвор-исток, как правило это 10 и 4.5 вольта, это важная особенность которую нужно обязательно учитывать.

2. Проверка ПТ обычным омметром. При проверке ПТ чаще всего пользуются обычным стрелочным омметром (предел х100). Для прозвонки подойдет обычный стрелочный омметр (но, цифровым прибором в режиме контроля р-n-переходов это делать более удобно). При проверке сопротивления между истоком и стоком надо обязательно не забыть снять заряд с затвора после предыдущих измерений (кратковременно замкните его с истоком), а то можно получить неповторяющийся результат.

У исправного полевого транзистора между всеми его выводами должно быть бесконечное сопротивление. Причем бесконечное сопротивление прибор должен показывать независимо от прикладываемого тестового напряжения.

Но имеются некоторые исключения. Если при проверке приложить положительный щуп тестового прибора к затвору (G) транзистора n-типа, а отрицательный — к истоку (S), зарядится емкость затвора и транзистор откроется.

При замере сопротивления между стоком (D) и истоком (S) прибор покажет некоторое значение сопротивления, которое зависит от ряда факторов. Неопытные ремонтники могут принять такое поведение транзистора за его неисправность. Поэтому перед «прозвонкой» канала «сток-исток» замкните накоротко все ножки транзистора, чтобы разрядить емкость затвора. После этого сопротивление сток-исток должно стать бесконечным. В противном случае транзистор признается неисправным.

Как уже было упомянуто выше, в современных мощных полевых транзисторах между стоком и истоком имеется встроенный диод поэтому канал «сток-исток» при проверке ведет себя как обычный диод. Для того чтобы избежать досадных ошибок при контроле, необходимо помнить о наличии такого диода и не принимать это за неисправность транзистора. А убедиться в наличии такого диода достаточно просто — нужно поменять местами щупы тестера, и он должен показать бесконечное сопротивлениемежду стоком и истоком. Если этого не произошло, то, скорее всего, транзистор пробит.

В остальном проверка транзистора не отличается от приведенной выше. Таким образом, имея под рукой обычный омметр, можно легко и быстро проверить и мощный полевой транзистор.

транзисторов — короткое замыкание в MOSFET между затвором и стоком

спросил

1 год, 11 месяцев назад

Изменено 1 год, 11 месяцев назад

Просмотрено 5к раз

\$\начало группы\$

Я пытаюсь понять схему, где это часть:

Для меня это выглядит как короткое замыкание между Drain и Gate в pmos вверху и nmos внизу. Линия от верхнего pmos вправо используется в качестве ворот некоторых ворот nmos, линия от нижнего nmos вправо используется как ворота некоторых ворот pmos. (Здесь нет шорт)

Теперь мой вопрос: Как ведет себя эта схема в отношении «короткого замыкания»? Это вообще шорты, или я упускаю что-то очевидное?

• транзисторы
• мосфет
• короткое замыкание
• nmos
• pmos

\$\конечная группа\$

4

\$\начало группы\$

Когда сток и затвор MOSFET соединены вместе, получается двухвыводное устройство, известное как «транзистор с диодным соединением». если сток и затвор закорочены, то МОП-транзистор будет вести себя как нагрузка, подключенная к диоду, и он никогда не перейдет в область триода и может использоваться в качестве резистивной нагрузки, обеспечивающей сопротивление, равное 1 / гм. если сток и исток закорочены, то МОП-конденсатор, в котором SiO2 будет вести себя как изолятор. т.е. это резистор. Спасибо за предложение. Как видите, я просто добавил его в качестве ответа.

\$\конечная группа\$

4

\$\начало группы\$

В дополнение к ответу @Gil, транзисторное устройство с диодным соединением также стабилизирует коэффициент усиления по напряжению следующим образом: —

Вы можете визуализировать транзистор с диодным соединением как это

, где M1 — оригинальный транзистор, а M2 — диод

Теперь, В МОДЕЛИ МАЛОГО СИГНАЛА:

Как мы видим, коэффициент усиления по напряжению зависит только от геометрических параметров (ширины, W и длины, L) МОП-устройств и не зависит от некоторых изменений окружающей среды или схемы, таких как температура, уровень сигнала и другие изменения. Их можно считать постоянными. Следовательно, устройства, подключенные к диоду, стабилизируют усиление транзистора, и это привлекательная особенность этого устройства.

Я полагаю, что вы знаете коэффициент усиления по напряжению МОП-устройства с общим источником, который -gm*(резистор подключен между стоком и заземлением переменного тока).

В модели с малым сигналом 1/gm был единственным резистором, подключенным между клеммой стока и заземлением переменного тока.

\$\конечная группа\$

Зарегистрируйтесь или войдите в систему

Зарегистрируйтесь с помощью Google

Зарегистрироваться через Facebook

Зарегистрируйтесь, используя электронную почту и пароль

Опубликовать как гость

Электронная почта

Требуется, но никогда не отображается

Опубликовать как гость

Электронная почта

Требуется, но не отображается

Нажимая «Опубликовать свой ответ», вы соглашаетесь с нашими условиями обслуживания, политикой конфиденциальности и политикой использования файлов cookie

.

При использовании выхода с открытым стоком для управления транзистором NPN можно ли заменить базовый резистор подтягивающим резистором?

спросил 2 года 3 месяца назад

Изменено 2 года, 3 месяца назад

Просмотрено 633 раза

\$\начало группы\$

Предполагая, что значение R1 является правильным значением базового резистора для данного двигателя L1, можно ли исключить дополнительный базовый резистор, используемый в двухтактных приложениях, для выхода с открытым коллектором?

Насколько я понимаю, когда выход с открытым коллектором становится низким, путь с низким импедансом не повлияет отрицательно на транзистор, так как между выходом с открытым коллектором, непосредственно подключенным к базе и землей, нет / минимальная разность потенциалов, поэтому -выключить транзистор.

Это мое предлагаемое решение с использованием N-канального МОП-транзистора, основанное на полезном ответе @Spehro Pefhany:

Буду признателен за отзывы об этом предложении. Будет ли он работать с хорошим запасом как при напряжении двигателя 5В и 12В (L1), так и в диапазоне температур от 10°С до примерно 85°С?

Это ссылки на таблицы данных:

• N-канальный МОП-транзистор: https://assets.nexperia.com/documents/data-sheet/2N7002BK.pdf
• Датчик температуры IC с термостатом с открытым сливом: https://www.ti.com/lit/ds/symlink/tmp101.pdf

• npn
• с открытым стоком
• с открытым коллектором

\$\конечная группа\$

\$\начало группы\$

Возможно, но вам нужно убедиться, что Vol от выхода с открытым стоком гарантированно будет достаточно низким, чтобы гарантировать, что транзистор полностью закрыт в наихудших условиях со значением R1, которое вам нужно для правильного управления базой ( обычно что-то вроде тока катушки реле, деленного на 10 или 20).

Обычно достаточно гарантии 300 мВ.

В противном случае вы можете использовать подтягивающий резистор и делитель напряжения к базе или, возможно, использовать MOSFET, что позволит увеличить значение R1.

Например, вот типичные характеристики выходов с открытым стоком в техническом описании микроконтроллера STM8S103F3 (которое у меня сейчас открыто): два, похоже, 3 мА было бы безопасно с питанием 5 В , поэтому реле 30-60 мА может управляться, как было предложено.

\$\конечная группа\$

3

\$\начало группы\$

можно ли отказаться от (дополнительного) базового резистора для выхода с открытым коллектором

ДА

Но не думайте, что R1 оптимален.

Чтобы получить номинальный ток в катушке, в техническом описании будет указано, что его DCR использует 10-кратное значение для подтягивания, масштабированное на отношение напряжения 4,3/12, таким образом, если DCR = 80 Ом, R1 = 800 * 4,3/12 = 287 Ом или ближайшее предпочтение .