характеристики, datasheet на русском и аналоги

Главная » Транзисторы

В статье рассмотрен мощный биполярный транзистор с маркировкой D209L и его основные характеристики на русском языке. Практически во всех технических описаниях (datasheet) отмечены надёжность устройства, высокая скорость переключений и большое напряжение пробоя (до 400 В). Этот полупроводниковый триод имеет кремниевую NPN-структуру.

D209L применяется в различных переключающих схемах, ультразвуковых генераторах, высокочастотных инверторах, усилителях мощности и импульсных блоках питания. Довольно часто встречается в недорогих бытовых приборах, преимущественно китайского производства.

Содержание

1. Цоколевка
2. Технические характеристики
3. Максимальные значения параметров
4. Электрические параметры
5. Аналоги
6. Производители

Цоколевка

Внешний вид и распиновка D209L представлены на рисунке. На фотографии видно, что устройство изготавливается в усиленном пластмассовом корпусе ТО-3PN и его разнообразных модификациях. Слева на право расположены выводы: база (Б), коллектор (К), эмиттер (Э).

Технические характеристики

При первом знакомстве с datasheet на D209L становится ясно, что перед нами именно силовой транзистор с неплохим коэффициентом усиления по току (H_FE от 8 до 40). Несмотря на небольшие габариты корпуса ТО-3P, он хорошо справляется с большими нагрузками, обеспечивая при этом высокую скорость переключений. Стоит отметить, что максимальные значения параметров указаны в datasheet для температуры окружающего среды (T_A) не более +25^ОС (если нет иных данных). К сожалению, в реальной жизни невозможно создать такие условия эксплуатации. Поэтому, в случае применения устройства в своих проектах, необходимо предусматривать запас по прочности в 20-30% от указанных ниже величин.

Максимальные значения параметров

Приведём максимальные значения эксплуатационных параметров для транзистора D209L (T_A < +25^ОС):

• напряжение между выводами : К-Б (V_CBO) до 700 В; К-Э (V_CEO) до 400 В; Э-Б (V_EBO) до 9 В;
• ток коллектора (I_C) до 12 А;
• рассеиваемая мощность (P_C) до 100 Вт;
• температуры: кристалла (T_J) до +150 ^ОС; хранения (T_stg) от -55 до +150 ^ОС.

Не рекомендуется превышать указанные значения характеристик. При длительном функционировании на предельно допустимых режимах транзистор проработает недолго и быстро выйдет из строя. Для снижения вероятности перегрева и повышения стабильности в работе его необходимо установить на радиатор.

Электрические параметры

Ниже представленные электрические параметры транзистора (на русском). В столбце «режимы измерений» указаны условия получения заявленных производителем характеристик. Температура окружающей среды (T_A) не превышает +25^ОС (если нет иных данных).

Аналоги

В последнее время стало появляться много подделок D209L, однако подобрать ему аналог не составляет особых проблем. Поэтому при первой возможности данный транзистор стараются заменить на более качественную альтернативу. Идентичными по параметрам считаются: MJE13009, ST13009L, 2SC3320, 2SC4242, 2SC2625. Из отечественных можно рекомендовать серию КТ872.

Производители

D209L производится следующими китайскими компаниями: Shenzhen Winsemi Microelectronics, Inchange Semiconductor, New Jersey Semi-Conductor Products. Его очень сложно найти на прилавках отечественных магазинов радиотоваров, но довольно часто встречается в продаже на интернет-площадках, например Алиэкспресc, eBay и др. Скачать datasheet на устройство возможно кликнув по наименованию производителя.

Биполярные

D209L транзистор: характеристики (параметры), цоколевка, аналоги

Главная » Транзистор

• Кремниевый;
• Биполярный силовой;
• Структура NPN;
• Высокая скорость переключения;
• Устойчивость к высокому напряжению;
• Широкой диапазон безопасной работы в обратносмещенном режиме;
• Корпус ТО-3Р.

Содержание

1. Цоколевка и размеры
2. Общее описание
3. Таблица предельно допустимых значений
4. Таблица тепловых характеристик
5. Таблица электрических характеристик при температуре корпуса 25℃
6. Импортные и отечественные аналоги
7. Размеры корпусов аналогов транзистора D209L
8. Графические данные

Цоколевка и размеры

Общее описание

Транзистор используется в высоковольтных устройствах, высокоскоростных переключающих схемах, например, в системах освещения и источниках напряжения со ступенчатым режимом работы.

Таблица предельно допустимых значений

Работа транзистора с превышением значений, указанных в таблице, может его повредить или нарушить функционирование: пропадут или изменятся усилительные и переключающие характеристики полупроводникового прибора. Не рекомендуется допускать режимы с такими нагрузками. Кроме того, длительная работа с превышением предельных значений может повлиять на надежность радиокомпонента в будущем.

Параметры таблицы действительны для температуры окружающей среды +25°C.

Обозначение	Параметр	Режим изм.	Величина	Ед.изм.
VCES	Напряжение коллектор-эмиттер	VBE = 0	700	V
VCEO	Напряжение коллектор-эмиттер	IB = 0	400	V
VEBO	Напряжение эмиттер-база	IC = 0	9	V
IC	Ток коллектора			A
ICP	Импульсный ток коллектора		25 A	A
IB	Ток базы		6. 0 A	A
IBM	Пиковый ток базы	tP = 5ms	12	A
PC	Мощность рассеяния при Tc* = 25℃		130	W
	Мощность рассеяния при Ta**= 25℃		2,3
TJ	Рабочая температура перехода		-40…+150	℃
TSTG	Температура хранения		-40…+150	℃

*Tc: Температура корпуса при хорошем охлаждении

**Ta: Температура воздуха, транзистор без теплоотвода

Таблица тепловых характеристик

Таблица электрических характеристик при температуре корпуса 25℃

Обозна-чение	Параметр	Условия изм.	Величина			Ед. изм.
VCEO(sus)	Пробивное напряжение коллектор-эмиттер	Ic=10mA,Ib=0	400			V
VCE(sat)	Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	Ic=5.0A,Ib=1.0A			0,5	V
		Ic=8.0A,Ib=1.6A			1
		Ic=12A,Ib=3.0A			1,5
		Ic=8.0A,Ib=1.6A Tc=100℃			2	V
VBE(sat)	Напряжение насыщения база-эмиттер	Ic=5.0A,Ib=1.0A			1,2	V
		Ic=8.0A,Ib=1.6A			1,6
		Ic=8.0A,Ib=1.6A Tc=100℃			1,5	V
ICBO	Ток отсечки коллектор-база (Vbe=-1.5V)	Vcb=700V			1	mA
		Vcb=700V, Tc=100℃			5
hFE	Коэффициент усиления по постоянному току	Vce=5V,IС=5A	10		40
		Vce=5V, IС=8A	6		40
Активная нагрузка
ts	Продолжительность	VCC=125V , Ic=6. 0A		1,5	3	㎲
		IB1=1.6A , IB2=-1.6A
tf	Время спада	Tp=25㎲		0,16	0,4
Индуктивная нагрузка
ts	Продолжительность	VCC=15V, Ic=5A		0,6	2	㎲
		IB1=1.6A , Vbe(off)=5V
tf	Время спада	L=0.35mH, Vclamp=300V		0,04	0,1
Индуктивная нагрузка
ts	Продолжительность	VCC=15V, Ic=1A IB1=0.4A , Vbe(off)=5V		0,8	2,5	㎲
tf	Время спада	L=0.2mH, Vclamp=300V Tc=100℃		0,05	0,15

Параметры импульсного режима: длительность 300㎲, скважность 2%.

Импортные и отечественные аналоги

Размеры корпусов аналогов транзистора D209L

Примечание: параметры транзисторов в таблице взяты из даташип производителя.

Графические данные

Рис. 1. Зависимость коэффициента усиления по постоянному току (h_FE) от тока коллектора (I_C).

Рис. 2. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер (V_CE(sat)) от тока коллектора (I_C).

Рис. 3. Области безопасной работы: ось X – напряжение коллектор-эмиттер (V_CE), ось Y – ток коллектора (I_C).

Рис. 4. Зависимость относительного снижения мощности рассеяния от температуры корпуса (T_C).

Рис. 5. Области безопасной работы в обратносмещенном режиме: ось X – напряжение коллектор-эмиттер (V_CE), ось Y – ток коллектора (I_C).

Рис. 6. Схема включения транзистора под активной нагрузкой для проведения замеров.

Рис. 7. Схема включения транзистора для проведения замеров под индуктивной нагрузкой и в обратносмещенном режиме.

DataSheet PDF Search Site

Вы устали рыскать по Интернету в поисках нужных спецификаций? Не ищите ничего, кроме Datasheet39.com, основного источника таблиц данных. С обширной коллекцией спецификаций электронных компонентов, от транзисторов до микроконтроллеров, на Datasheet39.com есть все, что вам нужно для завершения ваших электронных проектов.

Преимущества использования сайта

Вы можете бесплатно скачать все спецификации на Datasheet39.com. Для доступа к необходимой информации не требуется абонентской платы или требований к подписке. Найдите нужную спецификацию и сразу же загрузите ее. Мы стремимся предоставить нашим пользователям максимально возможное качество и скорость.

Новые листы технических данных

Номер детали	ПДФ	Функция	Производители
2SK1305		Кремниевый N-канальный МОП-транзистор на полевых транзисторах	Ренесас
АД2С1210		Преобразователь R/D из 10-бит в 16-бит	Аналоговые устройства
АД2С1210-ЭП		Преобразователь R/D из 10-бит в 16-бит	Аналоговые устройства
АУ7845		USB-хост Декодер MP3/WMA SOC	Мвсиликон
B101UAT02. 2		WUXGA 16:10 Цветной TFT-LCD	АУО
ДС16149		DS16149 DS36149 DS16179 DS36179 Шестнадцатеричные драйверы MOS (версия A)	Техас Инструментс
ДС16179		DS16149 DS36149 DS16179 DS36179 Шестнадцатеричные драйверы MOS (версия A)	Техас Инструментс
ДС1628		Драйверы Octal TRI-STATE(RM) MOS для DS1628 DS3628 (Rev. A)	Техас Инструментс
ДС1631		Драйверы для двух периферийных устройств DS1631/3631/1632/3632/1633/3633/1634/3634 CMOS (версия A)	Техас Инструментс
ДС1632		Драйверы для двух периферийных устройств DS1631/3631/1632/3632/1633/3633/1634/3634 CMOS (версия A)	Техас Инструментс

Карты сайта

Лист данных PDF Поиск по сайту

Вы устали рыскать по Интернету в поисках нужных спецификаций? Не смотрите дальше, чем Datasheet39. com, основной источник таблиц данных. С обширной коллекцией спецификаций электронных компонентов, от транзисторов до микроконтроллеров, на Datasheet39.com есть все, что вам нужно для завершения ваших электронных проектов.

Преимущества использования сайта

Вы можете бесплатно скачать все спецификации на Datasheet39.com. Для доступа к необходимой информации не требуется абонентской платы или требований к подписке. Найдите нужную спецификацию и сразу же загрузите ее. Мы стремимся предоставить нашим пользователям максимально возможное качество и скорость.

Новые листы технических данных

Номер детали	ПДФ	Функция	Производители
2SK1305		Кремниевый N-канальный МОП-транзистор на полевых транзисторах	Ренесас
АД2С1210		Преобразователь R/D из 10-бит в 16-бит	Аналоговые устройства
АД2С1210-ЭП		Преобразователь R/D из 10-бит в 16-бит	Аналоговые устройства
АУ7845		USB-хост Декодер MP3/WMA SOC	Мвсиликон
B101UAT02. alexxlab Добавить комментарий Отменить ответ Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены * Комментарий * Имя * Email * Сайт Рубрики Прост Радио Разное Своими руками Советы Схем Схемы Транзист Транзисторы Электрон Электроника