Site Loader

Содержание

Справочник по транзисторам мощным отечественным биполярным. Импортные аналоги.


На главную страницу || Карта сайта
  1. Справочник транзисторов маломощных биполярных.

  2. Справочник транзисторов средней мощности высокочастотных, биполярных.
  3. Справочник полевых транзисторов отечественных.
  4. Справочник отечественных smd транзисторов .
  5. Каталог MOSFET транзисторов .
  6. Использование справочных данных транзисторов
    для расчета ключевой схемы с резистивной нагрузкой.
  7. Использование справочных данных транзистора
    для расчета ключевой схемы с индуктивной нагрузкой.
От составителя:

В справочник по мощным транзисторам вошла как документация из изданных еще при СССР каталогов, так и информация из справочных листков и документация с сайтов производителей.

Основой является таблица, где приведено наименование транзистора, аналоги, тип проводимости, тип корпуса, максимально допустимые ток и напряжения и коэффициент усиления, то есть основные параметры, по которым выбирается транзистор. Руководствуясь этой таблицей, можно значительно сузить область поиска. Если транзистор по этим данным подходит, можно просмотреть краткий справочный листок (только для распространенных приборов, например, КТ502, КТ503, КТ814, КТ815, КТ816, КТ817, КТ818, КТ819, КТ825, КТ827, КТ829, КТ837, КТ838, КТ846, КТ940, КТ961, КТ972, КТ973, КТ8101, КТ8102), где приведены только основные параметры транзисторов (которых, впрочем, достаточно для грубых расчетов), фото с цоколевкой, аналоги и производители. Для более детального изучения характеристик нужно открыть datasheet, где уже есть графики зависимостей параметров и редко требующиеся характеристики.
Фильтр параметров позволяет сформировать в справочнике списки по функциональным особенностям транзисторам

Содержание:
  1. Раздел составных транзисторов (всего 49 штук)
  2. Раздел мощных высоковольтных транзисторов (всего 64 штук)
  3. Раздел p-n-p транзисторов (всего 56 штук)
  4. Раздел n-p-n транзисторов (всего 138 штук)
Показать/скрыть краткое описание транзисторов
Всего в справочнике приведено подробное описание более 140 отечественных мощных транзисторов и более 100 их импортных аналогов.
Фильтр параметров:
n-p-n
   p-n-p   Составные транзисторы   Высоковольтные  
Показать все
Типы корпусов
        
НаименованиеАналогКорпусPDFТипImax, AUmax, Вh31e max  
КТ501(А-Е)BC212 TO-18 pnp0,330240 КТ501 предназначен для применения в усилителях низкой частоты. Справочные данные транзистора КТ501 содержатся в даташит.
КТ502(А-Е)MPSA56 TO-92

pnp0,1590240Транзистор КТ502(А-Е) в корпусе ТО-92, предназначен для применения в
усилителях низкой частоты
. Подробные параметры КТ502 и цоколевка приведены в даташит. Аналог КТ502 — MPSA56. Комплементарная пара КТ503.
КТ503(А-Е)2SC2240TO-92
npn 0,15100240Универсальный транзистор КТ503(А-Е) в корпусе TO-92, предназначен для работы в усилителях НЧ. Подробные характеристики, графики зависимостей параметров и цоколевка КТ503 приведены в datasheet. Аналог КТ503 — 2SC2240. Комплементарная пара (транзистор обратной проводимости с близкими параметрами) — КТ502.
КТ504(А,Б,В)
BSS73
TO-39 npn 1350100 КТ504(А-В) в металлическом корпусе, для применения в преобразователях. Цоколевка и характеристики КТ504 содержатся в datasheet. Импортный аналог КТ504 — BSS73.
KТ505(А,Б)BSS76 TO-39 pnp1300100 КТ505(А,Б) в металлическом корпусе предназначен для применения в источниках вторичного электропитания (ИВЭП). Параметры и характеристики приведены в справочном листке.
КТ506(А,Б)BUX54 TO-39npn 280030 КТ506А и КТ506Б для  переключающих устройств. Импортным аналогом КТ506 является BUX54.
2Т509А
TO-39pnp0,0245060 2Т509 для высоковольтных стабилизаторов напряжения.
КТ520(А,Б)MPSA42 TO-92
DPAK
npn0.530040Высоковольтный транзистор КТ520 используется в выходных каскадах видеоусилителей и высоковольтных переключательных схемах.
КТ521(А,Б)MPSA92TO-92 pnp0.530040Высоковольтный транзистор КТ521 является комплиментарной парой для КТ520.
КТ529АTO-92pnp160250 КТ529, его параметры рассчитаны под схемы с низким напряжением насыщения. Комплементарная пара — КТ530.
КТ530АTO-92npn160250 Описание транзистора КТ530. Его характеристики аналогичны КТ529, является его комплементарной парой.
КТ538АMJE13001 TO-92 npn0.560090Высоковольтный КТ538 используется в высоковольтных переключательных схемах. Подробно параметры описаны в справочном листке.
КТ704(А-В)MJE18002   npn 2,5500100 КТ704, предназначен для применения в импульсных высоковольтных модуляторах.
ГТ705(А-Д)   npn 3,530250 ГТ705 предназначен для применения в усилителях мощности НЧ.
2Т708(А-В)2SB678TO-39 pnp2,51001500составной транзистор 2Т708 предназначен для применения в усилителях и переключательных устройствах.
2Т709(А-В)BDX86 TO-3 pnp101002000мощный составной транзистор 2Т709 для усилителей и переключательных устройств. Подробно характеристики описаны в справочном листке.
КТ710А TO-3 npn 5300040 КТ710А для применения в высоковольтных стабилизаторах и переключающих устройствах.
КТ712(А,Б)BU806 TO-220 pnp102001000мощные составные транзисторы КТ712А и КТ712Б. Характеристики заточены для применения в источниках вторичного электропитания и стабилизаторах.
2Т713А  TO-3npn 32500202Т713, параметры адаптированы для применения в высоковольтных стабилизаторах
2Т716 (А-В)2SD472HTO-3npn 10100750 2Т716 для применения в усилителях и переключающих устройствах.
2Т716 (А1-В1)BDX33 TO-220npn10100750составной 2Т716А1 в пластиковом корпусе. Параметры аналогичны 2Т716.
КТ719АBD139 TO-126 npn 1,512070 КТ719А для применения в линейных и переключающих схемах. Подробные характеристики и описание КТ719 приведено в справочном листке.
КТ720АBD140  pnp1,5100
КТ721АBD237  npn 1,5100BD237, импортный аналог КТ721А
КТ722АBD238  pnp1,5100Справочные данные BD238, аналога КТ722А
КТ723АMJE15028  npn 10100Справочные данные MJE15028, импортного аналога КТ723
КТ724АMJE15029  pnp10100Справочные данные MJE15029, аналога КТ724А
КТ7292N3771  npn 3060 Параметры 2N3771, аналога КТ729
КТ7302N3773  npn16140Характеристики 2N3773, аналога КТ730
КТ732АMJE4343 TO-218 npn1616015 КТ732 используется в преобразователях напряжения.
КТ733АMJE4353 TO-218 pnp1616015 КТ733 — Комплементарная пара для КТ732, их характеристики идентичны.
КТ738АTIP3055 TO-218 npn157070 КТ738 используется в усилителях и ключевых схемах.
КТ739АTIP2955 TO-218 pnp157070 КТ739 — Комплементарная пара для КТ738.
КТ740А,А1MJE4343 TO-220
TO-218
npn2016030 КТ740 предназначен для применения в регуляторах и преобразователях напряжения. Импортный аналог КТ740 — MJE4343
КТ805(А-ВМ)KSD363
BD243
TO-220

npn 516015 КТ805АМ, КТ805БМ, КТ805ВМ в корпусе ТО-220 предназначен для применения в выходных каскадах строчной развертки и переключающих устройствах. Подробные характеристики транзистора
КТ805
приведены в datasheet. Транзисторы КТ805А, КТ805Б с аналогичными параметрами выпускаются в металлостеклянном корпусе. Импортные аналоги для КТ805 — транзисторы BD243 и KSD363. По характеристикам в качестве комплиментарной пары для КТ805 подходит транзистор КТ837.
КТ807(А-БМ)   npn 0,5100150 КТ807 для строчной и кадровой разверток, усилителей НЧ и ИВЭП (ИВЭП — источник вторичного электропитания)
КТ808(А-ГМ) TO-3 npn 1013050 КТ808 для кадровой и строчной разверток
КТ812(А-В) TO-3 npn 1070030 КТ812 для применения в импульсных устройствах. Цоколевка приведена в справочном листке.
КТ814(А-Г)BD140
ZTX753
TO-126
DPAK


pnp1,5 100100 Транзистор КТ814. предназначен для усилителей НЧ, импульсных устройств. Подробные характеристики КТ814 и цоколевка приведены в datasheet. Там же графики: входной характеристики, зависимости h31e от тока эмиттера, напряжения насыщения от тока коллектора и другие. Импортный аналог КТ814 — транзистор BD140. Комплементарная
пара для КТ814 (транзистор обратной проводимости с близкими характеристиками) — КТ815.
КТ815(А-Г)BD139
ZTX653
TO-126
DPAK


npn 1,5100 100КТ815 является комплиментарной парой для КТ814. Транзисторы КТ815А, КТ815Б, КТ815В, КТ815 параметрами отличаются по напряжению. КТ815 предназначен для усилителей НЧ и ключевых схем. Подробные характеристики КТ815 и цоколевку см. в datasheet. Приведена входная характеристика КТ815, график зависимости h31e от тока, график для напряжения насыщения. Импортным аналогом КТ815 является транзистор BD139.
КТ816(А-Г)BD238
MJE172
TO-126
DPAK


pnp380100 КТ816 в два раза мощнее по току, чем КТ814, предназначены для применения в ключевых и линейных схемах. Транзисторы КТ816А, КТ816Б, КТ816В, КТ816Г отличаются по предельному напряжению. Подробные характеристики КТ816 и цоколевка приведены в datasheet. Там же график входной характеристики КТ816, зависимости усиления от тока, графики для напряжения насыщения. Импортным аналогом КТ816 является транзистор BD238. Комплементарная пара — КТ817.
КТ817(А-Г)BD237
MJE182
TO-126
DPAK


npn 380 100 КТ817 в два раза мощнее по току, чем КТ815. Применяются в ключевых и линейных схемах. Транзисторы КТ817А, КТ817Б, КТ817В, КТ817 параметрами отличаются по Uкэ(max). Подробные характеристики КТ817 и цоколевка даны в datasheet. Кроме характеристик по постоянному току приведены графики входной характеристики, зависимости параметра h31e от тока, взаимосвязи параметров Uкэнас и Iк . Аналоги КТ817Б — транзисторы BD233 и MJE180. Аналоги КТ817В — BD235 и MJE181, импортные аналоги КТ817Г — BD237 и MJE182. Комплементарная пара — КТ816.
КТ818(А-ГМ)BDW22
BD912
TO-220
TO-3


pnp10
15
100100Мощный транзистор КТ818 предназначен для применения в усилителях. КТ818А, КТ818Б, КТ818В и КТ818Г в корпусе TO-220, а КТ818АМ, КТ818БМ, КТ818ВМ и КТ818ГМ в металлическом корпусе. Подробные характеристики КТ818 и цоколевка приведены в datasheet. Там же графики зависимостей параметров, входная и выходная характеристика. Импортные аналоги КТ818 — BDW22 и BD912. Комплементарная пара — транзистор КТ819.
КТ819(А-ГМ)BDW51
BD911
TO-220
TO-3


npn 10
15
100 100Транзистор КТ819 является комплементарной парой для КТ818 и предназначен для применения в усилителях. Транзисторы КТ819А, КТ819Б, КТ819В и КТ819Г в корпусе TO-220, а КТ819АМ, КТ819БМ, КТ819ВМ и КТ819ГМ в корпусе TO-3. Подробные параметры КТ819 и цоколевка приведены в datasheet. Там же графики зависимостей, входная и выходная характеристика. Импортные аналоги КТ819 — BDW51 и BD911.
КТ825(Г-Е)2Т6050TO-220
TO-3

pnp15
20
10018000Мощный составной pnp транзистор КТ825 для применения в усилителях и переключающих устройствах. 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В, КТ825Г, КТ825Д и КТ825Е в металлическом корпусе. Подробные характеристики приведены в datasheet. Различие в параметрах по напряжению. Комплементарная пара для КТ825 — транзистор КТ827. Импортный аналог — 2T6050.
КТ826(А-В) TO-3 npn 1700120Биполярный транзистор КТ826 для применения в преобразователях и высоковольтных стабилизаторах. Описание КТ826 и характеристики приведены в документации.
КТ827(А-В)2N6057
BDX87
TO-3
npn 2010018000Мощный составной npn транзистор КТ827 для применения в усилителях, стабилизаторах тока, устройствах автоматики. В металлическом корпусе. Подробные характеристики КТ827А, КТ827Б, КТ827В приведены в даташит. Различаются параметрами по напряжению. Комплементарная пара для КТ827 — транзистор КТ825. Импортный аналог — 2N6057.
КТ828(А-Г)BU207TO-3 npn 580015характеристики КТ828, графики и параметры см. в даташит
КТ829(А-Г)TIP122
2N6045
TO-220
npn 81003000Составной транзистор КТ829 для применения в усилителях НЧ и переключательных устройствах. Графики входных характеристик. Подробные характеристики транзисторов КТ829А, КТ829Б, КТ829В,КТ829Г в datasheet . Аналоги КТ829 — транзисторы TIP122 и 2N6045.
2Т830(А-Г)2N5781 TO-39 pnp290160транзистор 2Т830 для применения в усилителях мощности и ИВЭП. Аналог 2Т830 — 2N5781.
2Т831(А-В)2N4300 TO-39 npn 250200 2Т831 для усилителей НЧ и преобразователей.
КТ834(А-В)BU323 TO-3 npn 155003000составной транзистор КТ834 для источников тока и напряжения.
КТ835(А,Б)2N6111 TO-220 pnp7,530100транзистор КТ835 для усилителей и преобразователей. Аналог КТ835 — импортный 2N6111
2Т836(А-В)BD180 TO-39 pnp390100 2Т836 для усилителей мощности и ИВЭП.
КТ837(А-Ф)2N6108
2N6111
TO-220

pnp870200pnp транзистор КТ837 предназначен для применения в усилителях и переключающих устройствах. Корпус пластмассовый TO-220. Подробные параметры КТ837А, КТ837Б, КТ837В, КТ837Г, КТ837Д, КТ837Е-Ф указаны в файле. Аналог для КТ837 — транзистор 2N6108 с близкими характеристиками.
КТ838А2SD1554
BU208
TO-3
npn 5150014 Высоковольтный транзистор КТ838А для строчной развертки телевизоров . Характеристики КТ838А приведены в файле. Импортные аналоги — 2SD1554 и BU208.
КТ839А2SC1172
MJ16212
TO-3 npn 10150012Характеристики и параметры КТ839 аналогичны транзистору КТ838, но круче по току.
КТ840(А,Б)BUX97 TO-3 npn 6400100Биполярный транзисторы КТ840А и КТ840Б для применения в переключающих устройствах. Подробные параметры приведены в файле.
КТ841(А-В)MJ413
2N3442
TO-3 npn 1060035Мощный биполярный транзистор КТ841 для применения в мощных преобразователях. Подробные параметры транзисторов КТ841А, КТ841Б, КТ841В в даташит.
КТ842(А,Б)2SB506 TO-3 pnp530030Биполярный транзистор КТ842 для применения в мощных преобразователях и линейных стабилизаторах напряжения.
КТ844АMJ15011 TO-3 npn 1025060 КТ844 предназначен для импульсных устройств, подробное описание приведено в datasheet
КТ845А TO-3 npn 5400100 КТ845А разработан для применения в импульсных устройствах.
КТ846АBU208 TO-3
npn 5150015 Высоковольтный биполярный транзистор КТ846А, входные характеристики, графики приведены в datasheet.
КТ847АBUX48
2N6678
TO-3 npn 15650100 Подробное описание КТ847А, входные и выходные характеристики. Аналогом для КТ847 является BUX48.
КТ848АBUX37 TO-3 npn 154001000Составной транзистор КТ848А для систем электронного зажигания. Характеристики КТ848 в прикрепленном файле. Аналог КТ848 — BUX37.
КТ850(А-В)2SD401 TO-220 npn 2250200 КТ850 заточен для применения в усилителях мощности и переключающих устройствах. Подробное описание КТ850А, КТ850Б, КТ850В и графики  приведены в datasheet .
КТ851(А-В)2SB546 TO-220 pnp2200200 КТ851 для усилителей НЧ и переключающих устройств. Параметры КТ851А, КТ851Б, КТ851В см. в файле pdf
КТ852(А-Г)TIP117 TO-220 pnp21001500Составной КТ852 для усилителей и переключающих устройств. Параметры КТ852А в даташит.
КТ853(А-Г)TIP127
2N6042
TO-220 pnp8100750Составной pnp транзистор КТ853. Предназначен для применения в усилительных схемах. Параметры КТ853А, КТ853Б, КТ853В, КТ853Г см. в pdf файле.
КТ854(А,Б)MJE13006 TO-220 npn 1050050 КТ854 для применения в преобразователях и линейных стабилизаторах. Справочные данные приведены в datasheet.
КТ855(А-В)MJE9780 TO-220 pnp5250100 КТ855 для применения в преобразователях, линейных стабилизаторах. Аналог с близкими характеристиками — MJE9780.
2Т856(А-В)BUX48 TO-3 npn 1095060 2Т856 для переключательных устройств. Аналог — BUX48.
КТ856(А1,Б1)BUV48 TO-218 npn 1060060 КТ856 для применения в усилителях и переключающих устройствах. Справочные данные КТ856А1, КТ856Б1 см. в datasheet .
КТ857АBU408 TO-220 npn 725050 КТ857 для применения в усилителях и переключающих устройствах. Аналог — BU408.
КТ858АBU406TO-220 npn 740060 транзистор КТ858 предназначен для применения в переключающих устройствах. Аналог — BU406. Подробное описание смотри в datasheet .
КТ859АMJE13005 TO-220 npn 380060Высоковольтный КТ859 заточен для переключающих устройств. Параметры и цоколевка КТ859 приведены в datasheet. Импортный аналог с близкими характеристиками — MJE13005.
2Т860(А-В) TO-39 pnp2901002Т860 предназначен для усилителей мощности и преобразователей.
2Т862(А-Г) TO-3 npn 15400100 2Т862 для применения в импульсных модуляторах и переключающих устройствах.
КТ863Б,ВD44Vh20 TO-220 npn 10160300Транзистор КТ863 предназначен для применения в преобразователях, фотовспышках. Справочные характеристики см. в datasheet. Аналог КТ863 — D44Vh20.
КТ863БСD44Vh20 TO-220
TO-263
npn 12160300 КТ863БС — более свежая разработка. Модификация КТ863БС1 предназначена для поверхностного монтажа.
КТ864А2N3442 TO-3 npn 10200100 КТ864 для применения в ИВЭП, усилителях и стабилизаторах.
КТ865А2SA1073 TO-3 pnp1020060Область применения транзистора КТ865 та же, что и у КТ864.
КТ867АTIP35 TO-3 npn 25200100 КТ867 для применения в ИВЭП. В описании транзистора приведены графики зависимости коэффициента усиления от тока и график области максимальных режимов.
КТ868(А,Б)BU426   pnp640060 КТ868 предназначен для применения в источниках питания телевизоров. Подробные характеристики см. в datasheet. Функциональный аналог КТ868 — BU426.
КТ872(А-В)BU508
MJW16212
TO-218
npn 870016Высоковольтный npn транзистор КТ872 для применения в строчной развертке телевизоров. Подробное описание КТ872 приведено в справочном листе. Аналоги КТ872 — транзисторы BU508 и MJV16212.
2Т875(А-Г)2SD1940TO-3 npn10902002Т875 для применения в усилителях и переключающих устройствах.
2Т876(А-Г)MJE2955TO-3 pnp10901402Т876 для применения в усилителях и переключающих устройствах.
2Т877(А-В)2N6285TO-3 pnp208010000Составной транзистор 2Т877 для применения в усилителях и переключающих устройствах.
КТ878(А-В)BUX98 TO-3 npn 3090050 КТ878 для применения в переключающих устройствах, ИВЭП.
КТ879 npn 5020025 КТ879 для применения в переключающих устройствах.
2Т880(А-В)2N6730 pnp2100140 2Т880 — для усилителей и переключательных устройств.
2Т881(А-Г)2N5150  npn 2100200 2Т881 — применение аналогично 2Т880
2Т882(А-В) TO-220 npn 1300100 2Т882 в корпусе ТО-220 для применения в усилителях и переключающих устройствах. Цоколевка и характеристики приведены в pdf.
2Т883(А,Б) TO-220 pnp1300100 2Т883 для усилителей и переключающих устройств. Корпус ТО-220.
2Т884(А,Б) TO-220 npn 280040 2Т884 для применения в усилителях и переключающих устройствах. Подробные параметры см. в datasheet .
2Т885(А,Б) TO-3 npn 4050012 мощный транзистор 2Т885 предназначен для применения в ИВЭП.
КТ886(А1,Б1)MJW16212 TO-218 npn 10140025Высоковольтный транзистор КТ886 для применения в строчной развертке и ИВЭП. Характеристики см. в файле pdf. Аналог для КТ886 — MJW16212.
КТ887 А,Б TO-3 pnp2 700 120 КТ887 для переключательных схем, стабилизаторов напряжения.
КТ888 А,Б TO-39 pnp 0,1 900 120 Высоковольтный транзистор КТ888 для применения в преобразователях и стабилизаторах напряжения ИВЭП.
КТ890(А-В)BU323 TO-218 npn 20350700Составной транзистор КТ890 предназначен для применения в схемах зажигания авто. Подробные характеристики КТ890А, КТ890Б и КТ890В приведены в pdf. Аналогом для КТ890 является BU323.
КТ892(А-В)BU323A TO-3 npn15400300 мощный транзистор КТ892 предназначен для применения в схемах зажигания авто и других схемах с индуктивной нагрузкой.
КТ896 (А,Б)BDW84TO-218 pnp208010000Составной мощный транзистор КТ896 для применения в линейных и переключающих схемах. Характеристики КТ896А и КТ896Б см. в datasheet файле. Аналог для КТ896 — BDW84.
КТ897(А,Б)BU931ZTO-3 npn 203504000Составной транзистор КТ897 для схем зажигания авто и других схем с индуктивной нагрузкой. Аналог для КТ897 — BU931.
КТ898 (А,Б)BU931PTO-218 npn203501500Составной транзистор КТ898 для применения в ИВЭП. Параметры оптимизированы для работы на индуктивную нагрузку. Аналог КТ898 — BU931. Подробные характеристики КТ898А и КТ898Б см. в datasheet.
КТ899АBU806 TO-220npn 81501000Составной транзистор КТ899 для применения в усилительных и переключательных устройствах. Аналог с близкими характеристиками — BU806.
КТ8101(А,Б)MJE4343
2SC3281
TO-218
npn16200100 мощный транзистор КТ8101 предназначен для применения в усилителях НЧ, стабилизаторах и преобразователях. Подробные характеристики КТ8101А и КТ8101Б см. в datasheet. Аналог для КТ8101 — транзистор MJE4343. Комплементарная пара — КТ8102.
КТ8102(А,Б)MJE4353
2SA1302
TO-218
pnp16200100Мощный транзистор КТ8102, область применения аналогична КТ8101, являющемуся его комплиментарной парой. Характеристики КТ8102А, КТ8102Б приведены в datasheet . Импортный аналог для КТ8102 — MJE4353.
КТ8106 (А,Б)MJH6286 TO-218 npn 20803000Составной транзистор КТ8106 для применения в усилителях мощности и переключающих схемах. Аналог для КТ8106 — MJH6286.
КТ8107(А-В)BU208 TO-218 npn 870012 КТ8107 для применения в каскадах строчной развертки, ИВЭП, высоковольтных схемах. Подробные параметры в datasheet. Импортный аналог для КТ8107 — BU208.
КТ8109TIP151 TO-220 npn 7350150Составной транзистор КТ8109 для схем зажигания авто. Справочные данные см. в datasheet.
КТ8110 (А-В)BUT11 npn 740030Справочные данные BUT11, импортного аналога КТ8110.
КТ8111(А9-Б9)BDV67 TO-218 npn 20100750Составной мощный транзистор КТ8111 для применения в усилителях НЧ, стабилизаторах тока и напряжения, переключателях. Аналог — BDV67.
КТ8115(А-В)BD650
TIP127
TO-220
pnp8
5
1001000Составной pnp транзистор КТ8115А для применения в усилительных и преобразователях напряжения. Аналог для КТ8115 — BD650. Комплементарная
пара — КТ8116.
КТ8116(А-В)TIP132TO-220
DPAK

npn 8
5
1001000Составной транзистор КТ8116, область применения аналогична КТ8115, являющимся его комплементарной парой.
КТ8117АBUV48 TO-218 npn 1040010 мощный транзистор КТ8117 предназначен для ИВЭП, управления двигателями, стабилизаторов тока.
КТ8118АMJE8503 TO-220 npn 380040 КТ8118 для высоковольтных переключательных схем, усилителей постоянного тока.
КТ8120А TO-220npn 845010 КТ8120 для ИВЭП, схем управления электродвигателями.
КТ8121А,Б TO-220npn 440060 КТ8121 для высоковольтных переключающих схем, преобразователей
КТ8123А TO-220npn 2150 40 КТ8123 для схем вертикальной развертки ТВ, усилителей.
КТ8124(А-В) TO-220npn 10400 7Справочные данные КТ8124, предназначенного для применения в горизонтальной развертке ТВ, переключательных схемах.
КТ8126(А1,Б1)MJE13007 TO-220
npn 840030 мощный транзистор КТ8126 для применения в горизонтальной развертке ТВ, преобразователях. Справочные данные приведены в datasheet .
КТ8130 (А-В)BD676  pnp48015000 
КТ8131 (А,Б)BD677  npn 48015000 
КТ8133 (А,Б)  npn 82403000
КТ8137АMJE13003 TO-126 npn 1,570040Для применения в строчной развертке ТВ, управления двигателями.
КТ8141 (А-Г)   npn 8100750
КТ8143 (А-Ш) КТ-9Мnpn 80 30015 биполярный мощный высоковольтный n-p-n транзистор с диодом КТ8143 для низковольтных источников питания бортовой аппаратуры
КТ8144(А,Б) TO-3npn2580055 
КТ8146(А,Б)
КТ8154(А,Б)
КТ8155(А-Г)
 ТО-3

npn 15
30
50
800
600
600
  мощный высоковольтный транзистор для применения в источниках питания
КТ8156(А,Б)BU807 TO-220 npn82001000  КТ8156 предназначен для применения в горизонтальных развертках малогабаритных ЭЛТ.
КТ8157(А-В) TO-218npn1515008для строчных разверток ТВ с увеличенной диагональю экрана
КТ8158(А-В)BDV65 TO-218 npn12 1001000 КТ8158, параметры заточены для применения в усилителях НЧ, в ключевых и линейных схемах.
КТ8159(А,Б,В)BDV64 TO-218 pnp121001000 КТ8159, Комплементарная пара для КТ8158, параметры и область применения аналогичные.
КТ8163А  npn750040
КТ8164(А,Б)MJE13005 TO-220 npn440060Высоковольтный транзистор КТ8164 для импульсных источников питания.
КТ8167 (А-Г)  pnp280250
КТ8168 (А-Г)  npn 280250
КТ8170(А1,Б1)MJE13003 TO-126 npn1.540040Высоковольтный транзистор КТ8170 для применения в импульсных источниках питания.
КТ8171 (А,Б)  npn 2035010000
КТ8176(А,Б,В)TIP31 TO-220 npn310050 КТ8176 для усилителей и переключательных схем.
КТ8177(А,Б,В)TIP32 TO-220 pnp310050КТ8177 для усилителей и переключательных схем. Комплементарная пара для КТ8176.
КТ8192 (А-В)  ISOTOPnpn 751500 10мощный npn транзистор КТ8192 для применения в электроприводе
КТ8196 (А-В)  npn 10350400
КТ8212(А,Б,В)TIP41 TO-220 npn610075КТ8212 для линейных и ключевых схем.
КТ8213(А,Б,В)TIP42 TO-220 pnp610075 Комплементарная пара для КТ8212.
КТ8214(А,Б,В)TIP112 TO-220 npn21001000Составной транзистор КТ8214 предназначен для применения в ключевых и линейных схемах.
КТ8215(А,Б,В)TIP117 TO-220 pnp21001000Составной транзистор КТ8215 — Комплементарная пара КТ8214.
КТ8216 (А-Г)MJD31B npn2800275
КТ8217 (А-Г)MJD32B pnp10100275
КТ8218 (А-Г)  npn 4100750
КТ8219 (А-Г)  pnp440750
КТ8224(А,Б)BU2508 TO-218 npn87007Высоковольтный транзистор КТ8224 для применения в высоковольтных схемах ТВ приемников. Аналог — BU2508. Интегральный демпфирующий диод и резистор база-эмиттер.
КТ8228(А,Б)BU2525 TO-218 npn1280010Высоковольтный транзистор КТ8228 для применения в высоковольтных схемах ТВ приемников. Белорусский аналог BU2525. Диод между коллектором э эмиттером, резистор между базой-эмиттером.
КТ8229АTIP35F TO-218 npn2518075КТ8229 для линейных и ключевых схем.
КТ8230АTIP36F TO-218 pnp2518075КТ8230 -Комплементарная пара для КТ8229.
КТ8231АBU941 npn 15500300 datasheet на транзистор BU941
КТ8232 (А,Б)BU941ZPTO-218npn 20350300КТ8232 для применения в переключательных и импульсных схемах, параметры оптимизированы для схем зажигания.
КТ8246(А-Г)КТ829TO-220npn 151509000Составной транзистор КТ8246 для применения в автотракторных регуляторах напряжения.
КТ8247АBUL45D TO-220 npn570022Высоковольтный транзистор КТ8247 для применения в преобразователях напряжения. Аналог — BUL45. Интегральный демпфирующий диод и резистор база-эмиттер.
КТ8248АBU2506 TO-218 npn5150060Высоковольтный транзистор КТ8247 для применения в строчных развертках ТВ. Аналог — BU2506. Интегральный демпфирующий диод и резистор база-эмиттер.
КТ8251АBDV65 TO-218npn101801000Составной npn транзистор КТ8251 для применения в линейных усилителях и ключевых преобразователях напряжения.
КТД8252(А-Г)BU323Z TO-220
TO-218
npn 153502000для работы на индуктивную нагрузку
КТ8254А  npn 280030
КТ8255АBU407 TO-220 npn7330200 КТ8255 для применения линейных и ключевых схемах.
КТД8257(А-В)SGSD96TO-220npn 20180 1000для применения в усилителях НЧ и переключающих устройствах.
КТ8258(А,Б)MJE 13004 TO-220npn 440080для использования в преобразователях, в линейных и ключевых схемах, аналог транзистора 13004
КТ8259(А,Б)MJE13007
13007
TO-220npn 840080для использования в преобразователях, в линейных и ключевых схемах, отечественный аналог импортного транзистора 13007
КТ8260(А-В)MJE13008TO-220npn 1550015для ИВЭП, преобразователей, аналог транзистора 13008.
КТ8261АBUL44TO-126 npn240020 КТ8261 для применения в преобразователях напряжения.
КТД8262(А-В)SEC80TO-220npn 7350 300Для систем зажигания автотракторной техники
КТ8270АMJE13001TO-126 npn0.560090 КТ8270 для использования в преобразователях напряжения. Подробные справочные данные приведены в datasheet.
КТ8271(А,Б,В)BD136TO-126 pnp1.580250 КТ8271 для преобразователей напряжения. Подробные параметры приведены в datasheet.
КТ8272(А,Б,В)BD135TO-126 npn1.580250 КТ8272 для линейных усилителей и преобразователей напряжения. Комплементарная
пара для КТ8271
КТД8278(А-В1)SGSD93STTO-220npn 201801000Для усилителей НЧ, переключательных устройств.
КТД8279(А-В)2SD1071TO-220
TO-218
npn 10 350 300для работы на индуктивную нагрузку, в системах зажигания.
КТД8280(А-В) TO-218npn 60 120 1000Составной транзистор КТД8280 для преобразователей напряжения, схем управления двигателями, источников бесперебойного питания.
КТД8281(А-В) TO-218pnp601201000Составной транзистор КТД8281 для преобразователей напряжения, схем управления двигателями.
КТ8283(А-В) TO-218pnp60120100для преобразователей, схем управления двигателями. Параметры описаны в даташит.
КТ8284(А-В)КТ829TO-220npn 12100500для автотракторных регуляторов напряжения, линейных схем.
КТ8285(А-В)BUF410 TO-218
TO-3
npn 3045040для преобразователей напряжения, ИВЭП. Характеристики описаны в даташит.
КТ8286(А-В)2SC1413 TO-218
TO-3
npn 5 800 40для усилителей низкой частоты, переключающих устройствах, мощных регуляторах напряжения. Подробные характеристики см. в datasheet
КТ8290АBUh200TO-220 npn1070015Высоковольтный биполярный транзистор КТ8290 для использования в импульсных источниках питания.
КТ8296(А-Г)KSD882TO-126 npn330400КТ8296 для использования в импульсных источниках питания, ключевых схемах и линейных усилителях.
КТ8297(А-Г)KSD772TO-126 pnp330400КТ8297 — Комплементарная
пара (транзистор с близкими характеристиками, но обратной проводимости) для КТ8296.
КТ8304А,БTO-220
D2PAK
npn8160250КТ8304 с демпферным диодом для автомобильных регуляторов напряжения.
ПИЛОН-3TIP122 TO-220npn 151001000для применения в переключающих схемах и преобразователях напряжения. Импортный аналог с близкими характеристиками — транзистор TIP122.
ПИР-1BUV48 TO-218npn 204508ПИР-1 для ключевых схем с индуктивной нагрузкой и усилителей с высокой линейностью.
ПИР-2MJE4343 TO-220
TO-218
npn 2016030ПИР-2 для линейных усилителей и ключевых схем.
Справочник составлен в 2007 году, затем дополнялся и дорабатывался вплоть до 2015г. Соавторы: WWW и Ко

Cоветские биполярные транзисторы — Онлайн справочник

Параметр Обозначение Еди-
ница
Тип транзистора
ГТ108А ГТ108Б ГТ108В ГТ108Г ГТ109А ГТ109Б ГТ109В
Обратный ток коллектора при UКБ, В*1 IКБО мкА 10/5 10/5 10/5 10/5 5/5 5/5 5/5
Обратный ток эмиттера при UЭБ, В*1 IЭБО мкА 15/5 15/5 15/5 15/5 5/5 5/5 5/5
Режим измерения h-параметров
напряжение коллектора
UК В 5 5 5 5 5 5 5
ток коллектора IК мА 1 1 1 1 1 1 1
Входное сопротивление
h11б Ом 15 15 15 15 27 27 27
Коэффициент передачи тока h21э 20…50 35…80 60…130 110…250 20…50 35…80 60…130
Коэффициент обратной связи h12б 0,5·10-3 0,5·10-3 0,5·10-3 0,5·10-3
Выходная полная проводимость h22б мкСм 3,3 3,3 3,3 3,3 3,3
Предельная частота коэффициента передачи fh21б МГц 1 1 1 1 1 1 1
Емкость коллекторного перехода Cк пФ 50 50 50 50 30 30 30
Постоянная времени цепи обратной связи
τк пс 5000 5000 5000 5000 5000 5000 5000
Коэффициент шума Kш дБ
Максимально допустимые параметры
постоянное напряжение коллектор-база
UКБ max В 10 10 10 10 10 10 10
постоянное напряжение коллектор-эмиттер IUKЭ max В 10 10 10 10 6 6 6
постоянный ток коллектора IК max мА 50 50 50 50 20 20 20
импульсный ток коллектора IK и max мА
рассеиваемая мощность без теплоотвода Pmax мВт 75 75 75 75 30 30 30
Максимальная температура окружающей среды Tmin °С +55 +55 +55 +55 +55 +55 +55
Минимальная температура окружающей среды Tmin °С -40 -40 -40 -40 -30 -30 -30
Общее тепловое сопротивление транзистора RТп.с °С/мВт 0,8 0,8 0,8 0,8
Тип перехода, материал
p-n-p германий
Конструкция, цоколевка (номер рисунка) Рис.1 б Рис.1 в
Основное назначение
Для усилителей и генераторов в малогабаритных радиовещательных приемниках Для усилителей радиовещательных приемников; ГТ109Е в медицинской аппаратуре;
ГТ109Ж для часовых механизмов

Пары и сборки биполярных транзисторов Справочник по биполярным транзисторам

Если приводится два значения параметра через черточку, это означает минимальное и максимальное значение.

Справочник по биполярным транзисторам

Пары и сборки биполярных транзисторов

Обозначение Параметр
B1-B2/Iк статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером; в справочнике приводятся минимальное (B1) и максимальное (B2) значение и ток (Iк) при котором этот параметр определяется
предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
Cк/Uк емкость коллекторного перехода (Cк) и напряжение на коллекторе (Uк), при котором она измеряется
Cэ/Uк емкость эмиттерного перехода (Cэ) и напряжение на коллекторе (Uэ), при котором она измеряется
Rб*Cк постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте биполярного транзистора
время рассасывания биполярного транзистора
Uкэ(Iк/Iб) напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Uкэ) биполярного транзистора при заданном токе коллектора (Iк) и заданном токе базы (Iб)
Uсм напряжение смещения нуля при дифференциальном включении транзисторов сборки
B1/B2 соотношение статических коэффициентов передачи тока биполярных транзисторов в сборке. Характеризует идентичность транзисторов
Iко обратный ток коллектора
Uкб максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база
Uэб максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база
Uкэ/R максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ) при заданной величине сопротивления, включенного между базой и эмиттером (R)
Iкм/Iкнас предельно допустимый постоянный (Iкм) ток коллектора предельно допустимый ток коллектора в режиме насыщения (Iкнас) или в импульсе
максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность на коллекторе
максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность на транзисторе без теплоотвода
Пер тип перехода транзистора
Цок номер рисунка с расположением выводов
ТИП B1-B2/Iк
/мА

МГц
Cк/Uк
пФ/В
Cэ/Uэб
пФ/В
Rб*Cк
псек
Uкэ/(Iк/Iб)
В/(мА/мА)
Uсм
мВ
B1/B2 Iко
мкА
Uкб
В
Uкэ/R
В/КОм
Uэб
В
Iкм/Iкн
мА/мА

мВт
Пер При.
КТС303А2 40-180/1 300 8/5   50000 0.9/(10/1) 30 0.7 0.5   45/10   100/500 250   NPN
и
PNP
2Т381А1
2Т381Б1
2Т381В1
2Т381Г1
2Т381Д1
50- /0.01
40- /0.01
30- /0.01
— /0.01
20- /0.01
          4
4
4
0.9
0.9
0.85
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
25
25
25
25
25
15/1
15/1
15/1
25/1
15/1
6.5
6.5
6.5
6.5
6.5
15
15
15
15
15
15
15
15
15
15
N-P-N
N-P-N
N-P-N
N-P-N
N-P-N
пара
пара
пара

пара
КТС393А9
КТС393Б9
2ТС393А93
2ТС393Б93
40-180/1
30-140/1
40-180/1
30-140/1
500
500
500
500
2/5
2/5
2/5
2/5
2/0
2/0
2/0
2/0
80
80
80
80
0.6(10/1)
0.6(10/1)
3
5
3
5
0.9
0.8
0.9
0.8
0.2
0.2
0.2
0.2
10
15
10
15
10/5
15/5
10/5
15/5
4
4
4
4
10/20
10/20
10/20
10/20
20
20
20
20
P-N-P
P-N-P
P-N-P
P-N-P
 
КТС394А
КТС394Б
40-120/1
100-300/1
300
300
8/10
8/10
    0.3(10/1)
0.3(10/1)
10
10
  0.5
0.5
45
45
45/10
45/10
4
4
100/
100/
300
300
P-N-P
P-N-P
 
КТС395А
КТС395Б
40-120/1
100-300/1
300
300
8/10
8/10
    0.3(10/1)
0.3(10/1)
10
10
  0.5
0.5
45
45
45/10
45/10
4
4
100/
100/
300
300
N-P-N
N-P-N
 
КТС398А94
КТС398Б94
40-250/1
40-250/1
1000
1000
1.5/5
1.5/5
2/1
2/1
50
50
  1.5
3
0.8
0.9
0.5
0.5
10
10
10/10
10/10
4
4
10/20
10/20
30
30
N-P-N
N-P-N
 
КТС3103А
КТС3103Б
КТС3103А1
КТС3103Б1
40-200/1
40-200/1
40-200/1
40-200/1
600
600
600
600
2.5/5
2.5/5
2.5/5
2.5/5
2.5/0
2.5/0
2.5/0
2.5/0
80
80
80
80
0.6/(10/1)
0.6/(10/1)
0.6/(10/1)
0.6/(10/1)
3
5
3
5
0.9
0.8
0.9
0.8
0.2
0.2
0.2
0.2
15
15
15
15
15/15
15/15
15/15
15/15
5
5
5
5
20/50
20/50
20/50
20/50
300
300
300
300
P-N-P
P-N-P
P-N-P
P-N-P
 
2ТС3111А1
2ТС3111Б1
2ТС3111В1
2ТС3111Г1
2ТС3111Д1
150-400/0.01
150-400/0.01
150-400/0.01
150-400/0.01
150-400/0.01
250
250
250
250
250
2.5/1
2.5/1
2.5/1
2.5/1
2.5/1
2.5/1
2.5/1
2.5/1
2.5/1
2.5/1
    2
5
10
3
30
0.9
0.9
0.9

0.5
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
30
30
30
30
30
15/3
15/3
15/3
15/3
15/3
7
7
7
7
7
1/
1/
1/
1/
1/
10
10
10
10
10
  Uдр= 5мкВ
Uдр=10мкВ
Uдр=20мкВ

Uдр=30мкВ
2ТС3136А1
2ТС3136Б1
70- /5
70- /5
500
500
2/5
2/5
2/0
2/0
80
80
  7
7
0.8
0.8
0.1
0.1
10
10
10/5
10/5
4
4
20/50
20/50
20
20
P-N-P
P-N-P
 
2Т3155АС1
2Т3155БС1
40-250/1
40-250/1
1000
1000
1.5/5
1.5/5
2/1
2/1
50
50
  1.5
3
0.8
0.9
0.5
0.5
10
10
10/10
10/10
4
4
10/20
10/20
30
30
N-P-N
N-P-N
 
КТ3174АС2 80-270/3   0.64т/5 0.7т/0     10 0.8 1 10   1 7.5/ 150 N-P-N  
159НТ1А
159НТ1Б
159НТ1В
159НТ1Г
159НТ1Д
159НТ1Е
20-80 /3
60-180/3
80- /0.05
20-80 /3
60-180/3
80- /0.05
200
200
200
200
200
200
4/5
4/5
4/5
4/5
4/5
4/5
5/1
5/1
5/1
5/1
5/1
5/1
    3
3
3

15
15
0.85
0.85
0.85
0.75
0.75
0.75
  20
20
20
20
20
20
20/
20/
20/
20/
20/
20/
4
4
4
4
4
4
10/40
10/40
10/40
10/40
10/40
10/40
50
50
50
50
50
50
N-P-N
N-P-N
N-P-N
N-P-N
N-P-N
N-P-N
 
159НТ101А
159НТ101Б
159НТ101В
30-90 /1
60-180/1
80- /0.05
250
250
250
3/
3/
3/
4/
4/
4/
    3
3
3
0.9
0.9
0.92
0.01
0.01
0.01
20
20
20
  4
4
4
10/40
10/40
10/40
75
75
75
N-P-N
N-P-N
N-P-N
 
198НТ1А
198НТ1Б
20-100/0.5
60-250/0.5
150
150
      0.7(3/0.5)
0.7(3/0.5)
5
5
0.85
0.85
0.1
0.1
15
15
15/0.4
15/0.4
4
4
10/30
10/30
80
80
N-P-N
N-P-N
 
198НТ2А
198НТ2Б
20-100/0.5
60-250/0.5
150
150
      0.7(3/0.5)
0.7(3/0.5)
5
5
0.85
0.85
0.1
0.1
15
15
15/0.4
15/0.4
4
4
10/30
10/30
80
80
N-P-N
N-P-N
Без T4
Без T4
198НТ3А
198НТ3Б
20-100/0.5
60-250/0.5
150
150
      0.7(3/0.5)
0.7(3/0.5)
    0.1
0.1
15
15
15/0.4
15/0.4
4
4
10/30
10/30
80
80
N-P-N
N-P-N
Без T1
Без T1
198НТ4А
198НТ4Б
20-100/0.5
60-250/0.5
150
150
      0.7(3/0.5)
0.7(3/0.5)
    0.1
0.1
15
15
15/0.4
15/0.4
4
4
10/30
10/30
80
80
N-P-N
N-P-N
Без T2, T5
Без T2, T5
198НТ5А
198НТ5Б
20-100/0.5
60-300/0.5
150
150
5/3
5/3
5/1
5/1
2000
2000
1 (3/0.5)
1 (3/0.5)
10
10
0.85
0.85
0.5
0.5
20
20
15/0.4
15/0.4
4
4
10/30
10/30
80
80
P-N-P
P-N-P
 
198НТ6А
198НТ6Б
20-100/0.5
60-300/0.5
150
150
5/3
5/3
5/1
5/1
2000
2000
1 (3/0.5)
1 (3/0.5)
4
4
0.85
0.85
0.5
0.5
20
20
15/0.4
15/0.4
4
4
10/30
10/30
80
80
P-N-P
P-N-P
Без T4
Без T4
198НТ7А
198НТ7Б
20-100/0.5
60-300/0.5
150
150
5/3
5/3
5/1
5/1
2000
2000
1 (3/0.5)
1 (3/0.5)
    0.5
0.5
20
20
15/0.4
15/0.4
4
4
10/30
10/30
80
80
P-N-P
P-N-P
Без T1
Без T1
198НТ8А
198НТ8Б
20-100/0.5
60-300/0.5
150
150
5/3
5/3
5/1
5/1
2000
2000
1 (3/0.5)
1 (3/0.5)
    0.5
0.5
20
20
15/0.4
15/0.4
4
4
10/30
10/30
80
80
P-N-P
P-N-P
Без T2, T5
Без T2, T5
1129НТ1В 80-360/   3/           0.01 15 13/ 4 10/40 75    
1133НТ1А
1133НТ1Б
100-350/
100-350/
        0.2
0.2
3
10
    15
15
15/
15/
4
4
10/30
10/30
100
100
N-P-N
N-P-N
 
1133НТ5А
1133НТ5Б
100-350/
100-350/
        0.5
0.5
5
5
  0.07 15
30
15/
30/
4
4
10/30
10/30
120
120
P-N-P
P-N-P
 

Зарубежные транзисторы и их отечественные аналоги — замена транзисторов на отечественные

Транзистор – популярный полупроводниковый прибор, выполняющий в электросхемах функции формирования, усиления или преобразования электросигналов и переключения электроимпульсов. Выделяют три типа этих приборов:

  • Однопереходные – иначе называются «двухбазовыми диодами». Представляют собой трехэлектродные полупроводники с одним p-n переходом;
  • Биполярные – имеют два p-n перехода;
  • Полевые – специальный класс, могут служить выключателями или регуляторами тока.

Домашним мастерам, специалистам по ремонту радиоаппаратуры, конструкторам часто требуется подобрать отечественный аналог импортных приборов или наоборот. В некоторых случаях это необходимо для экономии средств – российская продукция гораздо дешевле импортной. Это можно сделать несколькими способами:

  • Найти data sheets – техническую документацию к зарубежным электронным компонентам, в которой указываются основные параметры, обозначение на схемах и краткое описание. Затем воспользоваться справочниками на отечественные устройства. И методом подбора найти российские аналоги транзисторов или близкие по характеристикам устройства. Это длительный и сложный путь.
  • Использовать таблицу, представленную на нашем сайте. Она поможет заменить зарубежный транзистор отечественным или уменьшить диапазон поиска до нескольких экземпляров.

В нашем каталоге транзисторов вы можете подобрать и купить отечественные аналоги зарубежных транзисторов.

Таблицы зарубежных аналогов транзисторов

Если вы нашли неточность в таблицах аналогов или хотите дополнить их — напишите об этом в комментариях внизу страницы!

Таблица аналогов биполярных транзисторов

Зарубежные Отечественные
2SC3217 2T9155A
2SC3660 2T9155B
2SC3218 2T9155Б
Bak0510-50 2T9156БС
BF423C 2Т3129В9-Г9,2Т3152В
KF423 2Т3129Д9, 2Т3152Б
BFY80 2Т3130А9
2N2463 2Т3130Б9
2N2459 2Т3130В9
2N735A 2Т3130Г9
2N844 2Т3130Д9
PBC108A, B 2Т3133А2
2N4260 2Т3135А1
2N4261 2Т3135Б1
S923TS 2Т3152А, Г, Д
PBC107B 2Т3158А2
2N2906A 2Т3160А2
DC5108 2Т370А9
CX954 2Т370Б9
BD825 2Т642А2
2N2218 2Т649А2
SF123A 2Т672А2
BD202 2Т818А
1561-1015 2Т874А
1561-1008 2Т874Б
SDT69504 2Т880Д
2N3584 2Т881Д
2SA1009AM 2Т887А, Б
BLY47A 2Т892А, 2Т892Б
2N5050 2Т892В
2SC2093 2Т9102А2, Б2, 2Т9103Б2
2307(A) 2Т9103А2
NE243499 2Т9108А2
NE080481E-12 2Т9109А
THA-15 2Т9111А
THX-15 2Т9111Б
AM1416200 2Т9114А, Б
SDR075 2Т9117А, 2Т9118А
2DR405B 2Т9117Б
MRF846 2Т9117В
LDR405B 2Т9118Б
MRF846 2Т9118В
NE3001 2Т9119А2
PZB27020V 2Т9122А
Ph2214-60 2Т9122Б
MSC81400M 2Т9127В, Г
MSC81325M 2Т9127Д, Е
TN20 2Т9130А
2SA1584 2Т9143А
2023-6 2Т9146А
2023-12 2Т9146Б
2023-16 2Т9146В
2SC3217 2Т9155А
2SC3218 2Т9155Б, КТ9142А
2SC3660 2Т9155В, КТ9152А
222430 2Т9158А
2023-6 2Т9158Б
MRF544 2Т9159А
AM1416200 2Т986А, Б
MPF873 2Т987А
AM1416200 2Т994А2—2Т994В2
2N5177 2Т998А
2SC3218* KT9142A
2SC3660* KT9152A
SD1483 KT9174A
SD1492* Г101A
ADY25 ГТ 701А, П210Б
SD1492 ГТ101А
AC128 ГТ402И
AC127 ГТ404Б
AD162 ГТ703Г
AU106 ГТ810А, КТ812Б
BC239B КТ 3102Ж
SS9012 КТ209
2N2784 КТ3101АМ
BC109BP КТ3102И
BC455D КТ3107Е1
BC456B КТ3107И1
BC526C КТ3107К1-Л1
BF680 КТ3109А1
BF979 КТ3109Б1
BF970 КТ3109В1
2N2615 КТ3132Д2
2N2616 КТ3132Е2
2N2906 КТ313А1
2N2906A КТ313Б1
2SA1090 КТ313В1
2SA876H КТ313Г1
PXT2222 КТ3153А9
BFP720 КТ315В1
2N3397 КТ315Р1
2SD1220Q КТ3169А9, 2Т3129А9
2SA1660 КТ3171А9, 2Т3129Б9
2SD814 КТ3176А9
MPS6513 КТ3184Б9
TBC547A КТ3186А
BCW47B КТ3187А
BC408 КТ342А
BC107B КТ342Б, КТ3102Б
2SC404 КТ359А3
SS9015 КТ361, КТ3107
2SA556 КТ361Ж (И)
BSW62A КТ361К (Л, М)
BSW63A КТ361Н (П)
MD5000A КТ363А
2N3839 КТ370А9
2N5651 КТ370Б9
BC147 КТ373А
2N3904 КТ375А, КТ375Б
2SC601 КТ396А2
2N709 КТ397А2
MJE13001 КТ538А
2SC64 КТ6110А (Б)
2N1051 КТ6110В (Г, Д)
BF337 КТ6113А (Б, В)
BF338 КТ6113Г (Д, Е)
2SA738B КТ6116А (Б)
2N3114 КТ6117А
2N3712 КТ6117Б
BD136 КТ626Е, КТ6109А
BC527-6 КТ629А2
BD386 КТ629А3
2N2368 КТ633А
2N3303 КТ635А
BD370A6 КТ639А1
BD372 КТ639Б1
2N2218A КТ647А2
MPS706 КТ648А2
2SA715C КТ664Б9
BF177 КТ671А2, 2Т3130Е9
BF179B КТ682Б2
BD166 КТ720А
2N4238 КТ721А
BD168 КТ722А
2N3054 КТ723А
BD170 КТ724А
BD165 КТ728А
BUY90 КТ8107В (Г)
MIE13005 КТ8121А2
MIE13004 КТ8121Б2
2SD401A КТ8146А
2SC4055 КТ8146Б
TIP41C КТ8212А—В
BU2506D КТ8248А1
BUD44D2 КТ8261А
STD18202 КТ828Г
BU205 КТ838Б
2SB834 КТ842В
2SD1279 КТ846Б
BVX14 КТ846В
BD223 КТ856А1
BD944 КТ856Б1
2N5839 КТ862Б
2N5840 КТ862В
2SC1173 КТ862Г
2SC1624 КТ863Б
2SC1625 КТ863В
2SC2794 КТ866А
2N4913 КТ866Б
BU508 КТ872
2SA1682-5 КТ9115А, Б, КТ9143А, Б, В
SD1015 КТ9116А
MRF422 КТ9116А, В
I02015A КТ9116Б
2SC3596F КТ9142А
TCC2023-6L КТ9150А, 2Т9155В
2SC3812 КТ9151АС
2023-15T КТ9152А
27AM05 КТ9170А
SDT3207 КТ9171А, Б
LT1739 КТ9171В
2SB596 КТ9176А
MJE2801T КТ9177А
SD1483 КТ917А
2N6180 КТ9180А, Б, 2Т877Г
2N6181 КТ9180В, Г
D44H7 КТ9181А, Б
MRF430 КТ9181В, Г
2N5102 КТ921А, В
2N2219 КТ928Б
BC303 КТ933А
2N5996 КТ945Б
2N5642 КТ945В, Г
2N5643 КТ949А
2SC2331 КТ961, КТ9171
2N4440 КТ972В
2N5995 КТ972Г
LOT-1000D1-12B КТ979А
2N4976 КТ996А2
2SC976 КТ996Б2
2N4128 КТ997В
MP42 МП42Б
ASZ18 П217В, ГТ711

Биполярные транзисторы до 40 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
SG769 2Т3133А npn 0.3 ТО-126
2Т837В,Е pnp 8 ТО-220
2SA1020 2Т860В pnp 2 ТО-39
2Т877В pnp 20 ТО-3
KT315H n-p-n 20 0.1
KT503A n-p-n 25 0.15
KT503B n-p-n 25 0.15
KT686F p-n-p 25 0.8
KTJ107B p-n-p 25 0.1
авзтт p-n-p 30 7.5
ГТ313А p-n-p 15 0.03
ГТ313Б p-n-p 15 0.03
ГТ313В p-n-p 15 0.03
ГТ328А p-n-p 15 0.01
ГТ328Б p-n-p 15 0.01
ГТ328В p-n-p 15 0.01
ГТ346А p-n-p 20 0.01
ГТ346Б p-n-p 20 0.01
ГТ346В p-n-p 20 0.01
К13115Г-2 n-p-n 7 0.08
КГ117Г n-база 30 0.05
КГ201А(М) n-p-n 20 0.02
КТ117А n-баэа 30 0.05
КТ117Б n-баэа 30 0.05
КТ117В n-база 30 0.05
КТ201Б(М) n-p-n 20 0.02
КТ201В(М) n-p-n 10 0.02
КТ201Г(М) n-p-n 10 0.02
КТ201Д(М) n-p-n 10 0.02
КТ203Б(М) p-n-p 30 0.01
КТ203В(М) p-n-p 15 0.01
КТ208А(1) p-n-p 20 0.3
КТ208Б(1) p-n-p 20 0.3
КТ208В(1) p-n-p 20 0.3
КТ208Г(1) p-n-p 30 0.3
КТ208Д(1) p-n-p 30 0.3
КТ208Е(1) p-n-p 30 0.3
КТ209А p-n-p 15 0.3
КТ209Б p-n-p 15 0.3
КТ209Б1 p-n-p 15 0.3
КТ209В p-n-p 15 0.3
КТ209В1 p-n-p 15 0.3
КТ209В2 p-n-p 15 0.3
КТ209Г p-n-p 30 0.3
КТ209Д p-n-p 30 0.3
КТ209Е p-n-p 30 0.3
КТ306Б(М) n-p-n 10 0.03
кт306в(М) n-p-n 10 0.03
кт306г(М) n-p-n 10 0.03
кт306д(М) n-p-n 10 0.03
КТ3101А-2 n-p-n 15 0.02
КТ3102K(M) n-p-n 20 0.1
КТ3102В(М) n-p-n 30 0.1
КТ3102Г(М) n-p-n 20 0.1
КТ3102Д(М) n-p-n 30 0.1
КТ3102Е(М) n-p-n 20 0.1
КТ3102Ж(М) n-p-n 20 0.1
КТ3102И(М) n-p-n 20 0.1
КТ3107Г p-n-p 25 0.1
BC179AP КТ3107Д p-n-p 25 0.1
BC179 КТ3107Е p-n-p 20 0.1
КТ3107Ж p-n-p 20 0.1
КТ3107К p-n-p 25 0.1
КТ3107Л p-n-p 20 0.1
КТ3109А p-n-p 25 0.05
КТ3109Б p-n-p 20 0.05
КТ3109В p-n-p 20 0.05
КТ3115А-2 n-p-n 10 0.08
КТ3115В-2 n-p-n 10 0.08
КТ3120А n-p-n 15 0.02
КТ3123А-2 p-n-p 15 0.03
КТ3123Б-2 p-n-p 15 0.03
КТ3123В-2 p-n-p 10 0.03
КТ3126А p-n-p 20 0.02
КТ3126Б p-n-p 20 0.02
КТ3127А p-n-p 20 0.02
кт3128А(1) p-n-p 40 0.02
КТ3129В-9 p-n-p 30 0.1
КТ3129Г-9 p-n-p 30 0.1
КТ3129Д-9 p-n-p 20 0.1
КТ312А n-p-n 20 0.03
BFY39 КТ312Б n-p-n 35 0.03
КТ312В n-p-n 20 0.03
КТ3130В-9 n-p-n 30 0.1
КТ3130Г-9 n-p-n 20 0.1
КТ3130Д-9 n-p-n 30 0.1
КТ3130Е-9 n-p-n 20 0.1
КТ3130Ж-9 n-p-n 30 0.1
2N2712 КТ315А n-p-n 25 0.1
2N2926 КТ315Б n-p-n 20 0.1
КТ315В n-p-n 40 0.1
КТ315Г n-p-n 35 0.1
BFP722 КТ315Г1 n-p-n 35 0.1
2SC634 КТ315Д n-p-n 40 0.1
КТ315Е n-p-n 35 0.1
2SC641 КТ315Ж n-p-n 20 0.05
КТ315Р n-p-n 35 0.1
КТ3168А-9 n-p-n 15 0.03
КТ316А(М) n-p-n 10 0.05
КТ316Б(М) n-p-n 10 0.05
КТ316В(М) n-p-n 10 0.05
КТ316Г(М) n-p-n 10 0.05
КТ316Д(М) n-p-n 10 0.05
КТ325А(М) n-p-n 15 0.03
КТ325Б(М) n-p-n 15 0.03
КТ325В(М) n-p-n 15 0.03
КТ326А(М) p-n-p 15 0.05
КТ326Б(М) p-n-p 15 0.05
КТ339А(М) n-p-n 25 0.03
КТ339Б n-p-n 15 0.03
КТ339В n-p-n 25 0.03
КТ339Г n-p-n 25 0.03
КТ339Д n-p-n 25 0.03
КТ342А(М) n-p-n 30 0.05
КТ342Б(М) n-p-n 25 0.05
КТ342В(М) n-p-n 10 0.05
КТ342ГМ n-p-n 30 0.05
КТ342ДМ n-p-n 25 0.05
КТ345А p-n-p 20 0.2
КТ345Б p-n-p 20 0.2
КТ345В p-n-p 20 0.2
КТ347А p-n-p 15 0.05
КТ347Б p-n-p 9 0.05
КТ347В p-n-p 6 0.05
КТ349А p-n-p 15 0.05
BC178 КТ349Б p-n-p 15 0.05
КТ349В p-n-p 15 0.05
КТ350А p-n-p 20 0.6
КТ351А p-n-p 15 (-0.4)
КТ351Б p-n-p 15 (-0.4)
КТ352А p-n-p 15 (-0.2)
КТ352Б p-n-p 15 (-0.2)
КТ355АМ n-p-n 15 0.03
2SA555 КТ361А p-n-p 25 0.1
КТ361Б p-n-p 20 0.1
КТ361В p-n-p 40 0.1
КТ361Г p-n-p 35 0.1
КТ361Г1 p-n-p 35 0.1
КТ361Д p-n-p 40 0.05
КТ361Е p-n-p 35 0.05
BC251 КТ361И p-n-p 15 0.05
КТ363А(М) p-n-p 15 0.03
КТ363Б(М) p-n-p 12 0.03
КТ368А(М) n-p-n 15 0.03
КТ371А n-p-n 10 0.02
КТ372А n-p-n 15 0.01
КТ372Б n-p-n 15 0.01
КТ382А(М) n-p-n 10 0.02
КТ382Б(М) n-p-n 10 0.02
КТ391А-2 n-p-n 10 0.01
КТ391Б-2 n-p-n 10 0.01
КТ391В-2 n-p-n 10 0.01
КТ399А n-p-n 15 0.02
КТ399АМ n-p-n 15 0.03
2N3906 КТ501 Ж,И,К pnp 0.3 ТО-92
КТ501А p-n-p 15 0.3
КТ501Б p-n-p 15 0.3
КТ501В p-n-p 15 0.3
КТ501Г p-n-p 30 0.3
КТ501Д p-n-p 30 0.3
КТ501Е p-n-p 30 0.3
КТ502А p-n-p 25 0.15
КТ502Б p-n-p 25 0.15
КТ502В p-n-p 40 0.15
КТ502Г p-n-p 40 0.15
2SC1815 КТ503 А,Б npn 0.15 ТО-92
КТ503В n-p-n 40 0.15
КТ503Г n-p-n 40 0.15
КТ603А n-p-n 30 0.3
КТ603Б n-p-n 30 0.3
Кт603в n-p-n 15 0.3
КТ603Г n-p-n 15 0.3
Кт603д n-p-n 10 0.3
КТ603Е n-p-n 10 0.3
Кт603и n-p-n 30 0.3
BC547  КТ6111 (А-Г) npn 0.1 ТО-92
2SA1266  КТ6112 (А-В) pnp 0.1 ТО-92
КТ6127Г p-n-p 30 2
КТ6127Д p-n-p 12 2
КТ6127Е p-n-p 12 2
2N4403  КТ626А pnp 0.5 ТО-126
КТ626Г p-n-p 20 0.5
КТ626Д p-n-p 20 0.5
BD136 КТ639А,Б,В pnp 1.5 ТО-126
КТ639И p-n-p 30 1.5
КТ644В p-n-p 40 0.6
КТ644Г p-n-p 40 0.6
2N3904 КТ645Б n-p-n 40 0.3 ТО-92
2N4401  КТ646Б n-p-n 40 1 ТО-126
BC337  КТ660А npn 0.8 ТО-92
КТ660Б n-p-n 30 0.8
BC557  КТ668 (А-В) pnp 0.1 ТО-92
КТ680А n-p-n 25 0.6
КТ681А p-n-p 25 0.6
BC635 КТ684А npn 1 ТО-92
КТ685 А,В pnp 40 0.6 ТО-92
КТ685д p-n-p 25 0.6
КТ685Е p-n-p 25 0.6
КТ685Ж p-n-p 25 0.6
BC327 КТ686 А,Б,В pnp 45 0.8 ТО-92
КТ686Г p-n-p 25 0.8
КТ686Д p-n-p 25 0.8
КТ686Ж p-n-p 25 0.8
BC636 КТ692А pnp 1 ТО-39
КТ695А n-p-n 25 0.03
КТ698Г n-p-n 30 2
КТ698Д n-p-n 12 2
КТ698Е n-p-n 12 2
КТ8111Б’ n-p-n 40 0.02
КТ8111В» n-p-n 30 0.02
КТ8130А* p-n-p 40 4
КТ8131А* n-p-n 40 4
КТ814А pnp 25 1.5 ТО-126
КТ814Б p-n-p 40 1.5
BD135 КТ815А npn 30 1.5 ТО-126
BD434 КТ816А p-n-p 40 3
КТ816А2 p-n-p 40 3
2SB856 КТ816Б pnp 3 ТО-126
BD435 КТ817А,Б npn 40 3 ТО-126
TIP33 КТ818А pnp 40 10 ТО-220
КТ818АМ p-n-p 40 15
TIP34 КТ819А,Б npn 40 10 ТО-220,
9527 КТ819АМ n-p-n 40 15
КТ825Е* p-n-p 30 0.02
КТ829Г npn 8 ТО-220
КТ835А p-n-p 30 3
КТ835Б pnp 7.5 ТО-220
КТ837Ж p-n-p 30 7.5
КТ837И p-n-p 30 7.5
КТ837К p-n-p 30 7.5
FMMT717 КТ852Г pnp 2 ТО-220
КТ853Г pnp 8 ТО-220
2SD1062 КТ863А npn 30 10 ТО-220
КТ896В* p-n-p 30 0.02
КТ943А npn 2 ТО-126
КТ972Б npn 4 ТО-126
2SB857 КТ973Б  pnp 4 ТО-126
ктзб1Ж p-n-p 10 0.05
ктзевБ(М) n-p-n 15 0.03
КТЗОвА(М) n-p-n 10 0.03
КТЭ72В n-p-n 15 10
СТ837У p-n-p 30 7.5
СТ837Ф p-n-p 30 7.5

Биполярные транзисторы до 60 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
2Т708Б pnp 2.5 ТО-39
MJE2955 2Т709В pnp 10  ТО-3
2Т709В2* p-n-p 60 10
BDX85 2Т716В,В1 npn 60 10 ТО-3
BDX78 2Т818В p-n-p 60 15
2Т819В p-n-p 60 15
2Т825В pnp 20 ТО-3
2Т825В2 pnp 60 15 ТО-220
2Т830Б pnp 2 ТО-39
2Т831Б npn 2 ТО-39
2Т836В pnp 3 ТО-39
2Т837Б,Д pnp 8 ТО-220
MJE3055 2Т875В npn 10 ТО-3
2Т877Б pnp 20 ТО-3
2Т880В pnp 2 ТО-39
2Т881В npn 2 ТО-39
2SC3402  503В,Г npn 0.15 ТО-92
ICT814B p-n-p 60 1.5
KT6S8B n-p-n 50 2
ГТ806Г p-n-p 50 15
ГТ905Б p-n-p 60 3
КТ203А(М) p-n-p 60 0.1
КТ208Ж(1) p-n-p 45 0.3
КТ208И(1) p-n-p 45 0.3
КТ208К(1) p-n-p 45 0.3
КТ208Л(1) p-n-p 60 0.3
КТ208М(1) p-n-p 60 0.3
КТ209Ж p-n-p 45 0.3
КТ209И p-n-p 45 0.3
КТ209К p-n-p 45 0.3
КТ209Л p-n-p 60 0.3
КТ209М p-n-p 60 0.3
BC182 КТ3102А(М) n-p-n 50 0.1
КТ3102Б(М) n-p-n 50 0.1
BC212 КТ3107А p-n-p 45 0.1
BCY78 КТ3107Б p-n-p 45 0.1
BCY78 КТ3107И p-n-p 45 0.1
КТ3108А p-n-p 60 0.2
КТ3108Б p-n-p 45 0.2
КТ3108В p-n-p 45 0.2
PN5132 КТ3117А(1) n-p-n 60 0.4
КТ3129А-9 p-n-p 50 0.1
КТ3129Б-9 p-n-p 50 0.1
КТ3130А-9 n-p-n 50 0.1
КТ3130Б-9 n-p-n 50 0.1
КТ313А(М) p-n-p 60 0.35
2N2907 КТ313Б(М) p-n-p 60 0.35
КТ315И n-p-n 60 0.05
КТ361К p-n-p 60 0.05
КТ501Ж p-n-p 45 0.3
КТ501И p-n-p 45 0.3
КТ501К p-n-p 45 0.3
КТ501Л p-n-p 60 0.3
КТ501М p-n-p 60 0.3
КТ502Д p-n-p 60 0.15
КТ502Е p-n-p 60 0.15
BSR41 КТ530А npn 1 TO-92
КТ6127В p-n-p 50 2
BD138  КТ626Б pnp 60 0.5 ТО-126
BC637  КТ630Д,Е npn 1 ТО-39
КТ639А p-n-p 45 1.5
КТ639Б p-n-p 45 1.5
КТ639В p-n-p 45 1.5
КТ639Г p-n-p 60 1.5
BD138 КТ639Г,Д pnp 60 1.5 ТО-126
2N3545 КТ644(А-Г) pnp 60 0.6 ТО-126
КТ645А npn 60 0.3 ТО-92
BD137  КТ646А npn 0.5 ТО-126
КТ659А npn 1.2 ТО-39
2SA684  КТ661А  pnp 0.6 ТО-39
BC556 КТ662А pnp 0.4 ТО-39
КТ668А p-n-p 45 0.1
КТ668Б p-n-p 45 0.1
КТ668В p-n-p 45 0.1
КТ683Д n-p-n 60 1
2SD1616 КТ683Д,Е npn 60 1 ТО-126
КТ685Б p-n-p 60 0.6
BC638 КТ685Б,Г pnp 60 0.6 ТО-92
SA1245 КТ686А p-n-p 45 0.8
КТ686Б p-n-p 45 0.8
КТ686В p-n-p 45 0.8
2SC2655  КТ698В npn 2 ТО-92
КТ801Б n-p-n 60 2
КТ8106Б n-p-n 45 0.02 ТО-220
КТ8111А’ n-p-n 50 0.02
КТ8111В9 npn 20 ТО-218
КТ8116В npn 8 ТО-220
КТ8118Б* n-p-n 60 8
2SA1469  КТ8130Б pnp 60 4 ТО-126
КТ8131Б’ n-p-n 60 4
КТ815Б n-p-n 45 1.5
2SB1366  КТ816В pnp 60 3 ТО-126
КТ817Б n-p-n 45 3
КТ817Б2 n-p-n 45 3
2N5191  КТ817В npn 60 3 ТО-126
КТ818Б p-n-p 50 10
9535 КТ818БМ p-n-p 50 15
КТ819Б n-p-n 50 10
2N3055 КТ819БМ n-p-n 50 15
КТ825Д* p-n-p 60 20
КТ827В npn 60 20 ТО-3
TIP3055 КТ8284А npn 12 ТО-220
TIP120 КТ829В npn 60 8 ТО-220
КТ837Б p-n-p 60 7.5
КТ837В p-n-p 60 7.5
КТ837Г p-n-p 45 7.5
КТ837Д p-n-p 45 7.5
КТ837Л p-n-p 60 7.5
КТ837М p-n-p 60 7.5
КТ852В pnp 2 ТО-220
КТ853В pnp 8 ТО-220
КТ896Б pnp 20 ТО-220
КТ908А n-p-n 60 10
КТ908Б n-p-n 60 10
BD137 КТ961В npn 45 1.5 ТО-126
BD677 КТ972А npn 60 4 ТО-126
BD678  КТ973А pnp 4 ТО-126
КТ973А’ p-n-p 60 4
КТ997А n-p-p 45 10
КТ997Б n-p-n 45 10
КТМ7Е p-n-p 45 7.5
ОГ837Н p-n-p 60 7.5
СГ837П p-n-p 45 7.5
СГ837Р p-n-p 45 7.5
Т852В* p-n-p 60 2.5
Т852Г p-n-p 45 2.5
Т853В* p-n-p 60 8
Т853Г p-n-p 45 8
Тв37С p-n-p 45 7.5

Биполярные транзисторы до 70 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
2Т831В npn 2 ТО-39
2Т837А,Г pnp 8 ТО-220
2Т860Б pnp 2 ТО-39
2Т875Б npn 10 ТО-3
2Т876Б pnp 10  ТО-3
КТ6127Б p-n-p 70 2
КТ698Б npn 2 ТО-92
КТ69ВБ n-p-n 70 2
КТ808ГМ npn 10 ТО-3
КТ814В pnp 65 1.5 ТО-126
КТ815В npn 1.5 ТО-126
КТ818В pnp 70 10 ТО-220,
КТ818ВМ p-n-p 70 15
КТ919В n-p-n 70 10
КТ919ВМ n-p-n 70 15
КТ943 Б,Д npn 2 ТО-126

Биполярные транзисторы до 80 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
TIP33B 2Т709Б pnp 10 ТО-3
2Т709Б2* p-n-p 80 10
2Т716Б,Б1 npn 10 ТО-3
2Т716б1* n-p-n 80 10
BD204 2Т818Б p-n-p 80 15
2Т819Б p-n-p 80 15
2Т825Б pnp 20 ТО-3
2Т825Б2 pnp 80 15 ТО-220
BD140  2Т830В pnp 2 ТО-39
2Т836А,Б pnp 3 ТО-39
2Т875А,Г npn 10 ТО-3
2Т876А,Г pnp 10 ТО-3
2Т877А pnp 20 ТО-3
2Т880Б pnp 2 ТО-39
BD139 2Т881Б npn 2 ТО-39
ГТ806А p-n-p 75 15
ГТ905А p-n-p 75 3
ГТ906А(М) p-n-p 75 6
КДТ8281А pnp 60 ТО-218
PN3691 КТ3117Б n-p-n 75 0.4
2SC1627 КТ503Д npn 0.15 ТО-92
КТ602В n-p-n 80 0.075
КТ602Г n-p-n 80 0.075
2SA935 КТ626В pnp 80 0.5 ТО-126
КТ684Б npn 1 ТО-92
КТ801А n-p-n 80 2
КТ808ВМ npn 10 ТО-3
КТ8106А npn 80 20 ТО-220
TIP151 КТ8111Б9 npn 20 ТО-218
2SD2025  КТ8116Б npn 80 8 ТО-220
КТ8130В* p-n-p 80 4
КТ8131В* n-p-n 80 4
TIP34B КТ819Б,В* npn 10 ТО-220
КТ827Б npn 80 20 ТО-3
КТ8284Б npn 12 ТО-220
BD679  КТ829Б npn 80 8 ТО-220
КТ837А p-n-p 80 7.5
КТ852Б pnp 2 ТО-220
BDX34B КТ853Б pnp 8 ТО-220
2N6039 КТ943В,Г npn 2 ТО-126
КТ961Б npn 1.5 ТО-126
КТД8280А npn 60 ТО-218
КТД8283А pnp 60 ТО-218
Т852Б* p-n-p 80 2.5
Т853Б’ p-n-p 80 8

Биполярные транзисторы до 130 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
1Т813А p-n-p 100 30
1Т813Б p-n-p 125 30
2Т708А pnp 2.5 ТО-39
BDX34C 2Т709А pnp 100 10  ТО-3
BDX33C 2Т716А,А1 npn 10 ТО-3
2Т716АГ* n-p-n 100 10
2Т819А p-n-p 100 15
2Т825А pnp 20 ТО-3
2Т825А2 pnp 15 ТО-220
2Т830Г pnp 2 ТО-39
SD1765 2Т831Г npn 2 ТО-39
2Т860А pnp 2 ТО-39
2Т880А,Г pnp 2 ТО-39
2Т881А,Г npn 2 ТО-39
2Т935Б npn 20 ТО-220
ГТ806Б p-n-p 100 15
ГТ806В p-n-p 120 15
КТ503Е npn 0.15 ТО-92
SK3835 КТ601А,АМ npn 100 0.03 ТО-126
КТ602А,АМ npn 0.075 ТО-126
КТ602Б(М) n-p-n 100 0.075
2SA715D КТ6102А pnp 1.5 ТО-92
BF336 КТ6103А npn 1.5 ТО-92
КТ6127А p-n-p 90 2
КТ6127Ж p-n-p 120 2
BSY52 КТ630А n-p-n 120 1 ТО-39
КТ630Б n-p-n 120 1 ТО-39
2N1613 КТ630Г n-p-n 100 1 ТО-39
2SC2240 КТ638А,Б npn 0.1 ТО-92
КТ639Е p-n-p 100 1.5
КТ6836 n-p-n 120 1
КТ683Б npn 120 1 ТО-126
КТ683В n-p-n 120 1 ТО-126
КТ683Г n-p-n 100 1 ТО-126
BC639 КТ684В npn 1 ТО-92
BD237 КТ698А npn 2 ТО-92
КТ698Ж n-p-n 120 2
2N4237 КТ719А npn 1.5 ТО-126
КТ802А n-p-n 130 5
КТ805БМ,ВМ npn 5 ТО-220
КТ807А n-p-n 100 0.5
КТ807А,Б npn 100 0.5 ТО-126
КТ808 АМ,БМ npn 10 ТО-3
TIP150 КТ8111А9 npn 20 ТО-218
КТ8115А pnp 8 ТО-220
КТ8116А npn 100 8 ТО-220
2N5400  КТ814Г pnp 1.5 ТО-126
КТ815Г npn 85 1.5 ТО-126
TIP42C  КТ816Г pnp 90 3 ТО-126
КТ817Г npn 90 3 ТО-126
КТ817Г2 n-p-n 90 3
TIP33B  КТ818Г pnp 90 10 ТО-220
КТ818ГМ p-n-p 90 15
TIP34C КТ819А,Г npn 100 10 ТО-220
2N3055 КТ819ГМ n-p-n 100 15
КТ8246 А,Б npn 15 ТО-220
КТ825* p-n-p 90 20
КТ827А npn 100 20 ТО-3
КТ8284В npn 12 ТО-220
TIP122 КТ829А npn 100 8 (5) ТО-220
КТ852А pnp 2 ТО-220
КТ853А pnp 8 ТО-220
BD946 КТ896А pnp 20 ТО-220
КТ961А npn 1.5 ТО-126
ктвзэж p-n-p 100 1.5
КТД8257А npn 20 ТО-220
КТД8278Б,В npn 20 ТО-220
КТД8280Б npn 60 ТО-218
КТД8281Б pnp 60 ТО-218
КТД8283Б pnp 60 ТО-218
ПИЛОН-3А npn 15 ТО-220
Т852А- p-n-p 100 2.5
Т853А- p-n-p 100 8

Биполярные транзисторы до 160 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
1Т813В p-n-p 150 30
ГТ806Д p-n-p 140 15
2N5401 КТ6116 pnp 0.6 ТО-92
2N5551 КТ6117 npn 0.6 ТО-92
2SC2383 КТ630В npn 150 1 ТО-39
КТ663А n-p-n 150 1
КТ683А npn 1 ТО-126
КТ698И n-p-n 160 2
2SA1186 КТ712Б pnp 10 ТО-220
КТ805АМ npn 5 ТО-220
BU289 КТ8101А n-p-n 160 16 ТО-218
КТ8101Б npn 16 ТО-218
2SA1294  КТ8102А p-n-p 160 16 ТО-218
2SA1216 КТ8102Б pnp 16 ТО-218
КТ8123А npn 150 2 ТО-220
КТ8246В,Г npn 15 ТО-220
КТ850В npn 2 ТО-220
2SA940  КТ851В pnp 2 ТО-220
КТ855Б p-n-p 150 5
КТ855Б,В pnp 150 5 ТО-220
2SC3907 КТ863БС npn 12 ТО-220
КТ899А npn 150 8 ТО-220
КТ940В npn 160 0.1 ТО-126
2N5996 КТ945А n-p-n 150 15 ТО-3
КТД8257Б npn 20 ТО-220
ПИР-2 (КТ740А) npn 20 ТО-220
2SC2230  Т611В,Г npn 0.1 ТО-126
Т850В n-p-n 150 2
Т851В p-n-p 150 2

Биполярные транзисторы до 200 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
КГвИ AM n-p-n 180 0.1
КТ504Б npn 200 1 ТО-39
2SC1473  КТ611А,Б npn 0.1 ТО-126
КТ611БМ n-p-n 180 0.1
КТ6127К p-n-p 200 2
КТ698К n-p-n 200 2
КТ712А pnp 10  ТО-220
КТ8105А n-p-n 200 20
КТ8124А n-p-n 200 7
КТ8124Б n-p-n 200 7
КТ8140А n-p-n 200 7
КТ842Б pnp 5 ТО-3
КТ851А pnp 2 ТО-220
BU406 КТ864А npn 10 ТО-3
КТ865А pnp 10 ТО-3
BVR11 КТ867А npn 25 ТО-3
КТ879А npn 200 50 КТ-5
BVT91 КТ879Б n-p-n 200 50
КТ897Б npn 200 20 ТО-218
2N6077 КТ898Б npn 200 20 ТО-218
КТД8257(А-Г) npn 20 ТО-220
КТД8278А npn 20 ТО-220
Т850А n-p-n 200 2
Т851А p-n-p 200 2

Биполярные транзисторы до 250 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
2Т862А,Б npn 15 ТО-3
2Т882В npn 1 ТО-220
2SA1837 2Т883Б pnp 1 ТО-220
КТ3157А p-n-p 250 0.03
КТ504В npn 1 ТО-39
КТ505Б pnp 250 1 ТО-39
КТ604А(М) n-p-n 250 0.2
КТ604Б(М) n-p-n 250 0.2
КТ605А(М) n-p-n 250 0.1
0.1 КТ605А,Б npn 250 0.1 ТО-126
КТ844А npn 10 ТО-3
КТ850А,Б npn 2 ТО-220
КТ851Б pnp 2 ТО-220
КТ855А pnp 5 ТО-220
MJE15032 КТ857А npn 250 7 ТО-220
КТ940Б npn 250 0.1 ТО-126
КТ969А npn 0.1 ТО-126
КТ999А n-p-n 250 0.05
КТЭвЭА n-p-n 250 0.1
Т850Б n-p-n 250 2
Т851Б p-n-p 250 2
Т855А p-n-p 250 5

Биполярные транзисторы до 300 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
MJE340  2Т882Б npn 1 ТО-220
2Т883А pnp 1 ТО-220
MJE13002 КТ504А npn 1 ТО-39
КТ505А p-n-p 300 1
2SA1371 КТ6104А pnp 0.15 ТО-92
BFJ57 КТ6105А npn 0.15 ТО-92
КТ8109А,Б npn 7 ТО-220
КТ8109Б* n-p-n 300 7
КТ8121Б npn 300 4 ТО-220
КТ8124В npn 7 ТО-220
КТ812В n-p-n 300 8
КТ8232А,Б npn 20 ТО-218
КТ8258Б npn 4 ТО-220
КТ8259Б npn 8 ТО-220
КТ8260А npn 15 ТО-220
КТ8285А npn 30 ТО-218
КТ842А pnp 5 ТО-3
КТ854Б npn 10 ТО-220
КТ890(А-В) npn 20 ТО-218
КТ892А,В npn 15 ТО-3
КТ897А npn 20 ТО-218
КТ898А npn 20 ТО-218
2SA1091  КТ9115А pnp 300 0.1 ТО-126
КТ940А n-p-n 300 0.1
КТД8252(А-Г) npn 15 ТО-220
КТД8262(А-В) npn 7 ТО-220
КТД8279(А-В) npn 10 ТО-220
MJE350 Т505А pnp 1 ТО-39
2SC2482  Т940А npn 0.1 ТО-126

Биполярные транзисторы до 400 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
2SA1625  2Т509А pnp 0.02 ТО-39
MJE13009  2Т862В npn 10 ТО-3
2SC4138 2Т862Г npn 10 ТО-3
MJE13003  2Т882А npn 1 ТО-220
2Т885А npn 40 ТО-3
ав40Б n-p-n 350 8
BUX84 КТ704Б,В npn 2.5
КТ809А n-p-n 400 3
BU208A КТ8104А n-p-n 350 20
2SC2625 КТ8117А npn 400 10 ТО-218
КТ8121А npn 400 4 ТО-220
2SC3039 КТ8124А,Б npn 7 ТО-220
MJE13007 КТ8126А npn 8 ТО-220
КТ8136А n-p-n 400 10
MJE13005 КТ8258А npn 4 ТО-220
2SC4834 КТ8259А npn 8 ТО-220
КТ8260Б npn 15 ТО-220
КТ8285Б npn 30 ТО-218
КТ834В npn 400 15 ТО-3
2SD1409 КТ840А,Б npn 6 ТО-3
2SC3306 КТ841Б npn 10 ТО-3
BUT11 КТ845А npn 5 ТО-3
КТ848А npn 15 ТО-3
2SC2335 КТ858А npn 400 7 ТО-220
2N4914 КТ890А* n-p-n 350 20
2N4915 КТ890Б* n-p-n 350 20
КТ890В* n-p-n 350 20
MI10000 КТ892Б npn 400 15 ТО-3
КТД8279А npn 10 ТО-220
Т840А n-p-n 400 6
Т848А n-p-n 400 15
Т854Б n-p-n 400 10

Биполярные транзисторы до 500 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
2Т812Б n-p-n 500 10
2Т856В npn 10 ТО-3
2Т885Б npn 40 ТО-3
ICT8110B n-p-n 450 7
KT8120A n-p-n 450 8
SF123C КТ6107А npn 0.13 ТО-92
BD140 КТ6108А pnp 0.13 ТО-92
2SC3970 КТ704А npn 2.5
КТ8108А n-p-n 500 5
КТ8108Б n-p-n 500 5
КТ8110А n-p-n 450 7
КТ8110Б n-p-n 450 7
BUL310 КТ8120А npn 3 ТО-220
КТ812Б npn 500 8 ТО-3
КТ8260В npn 15 ТО-220
КТ8285В npn 30 ТО-218
КТ834А n-p-n 500 15
КТ834А,Б npn 450 15 ТО-3
КТ854А npn 10 ТО-220
ПИР-1 npn 20 ТО-218

Биполярные транзисторы до 600 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
2SC5249 2Т884Б npn 2 ТО-220
КТ506Б npn 600 2 ТО-39
КТ8107В n-p-n 600 5
КТ8144Б npn 25 ТО-3
2SC5386 КТ8286А npn 5 ТО-218
2SC2027 КТ828Б n-p-n 600 5
2SD2499  КТ828Б,Г npn 5 ТО-3
2SC5387 КТ841А,В npn 10 ТО-3
2SC4706  КТ847А npn 15 ТО-3
ST1803 КТ856А1,Б1 npn 10 ТО-218
КТ878В npn 600 30 ТО-3
2SA1413 КТ887Б pnp 2 ТО-3
КТ888Б pnp 0.1 ТО-39
СТ841А n-p-n 600 10
СТ841В n-p-n 600 10
Т854А n-p-n 600 10

Биполярные транзисторы до 700 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
2Т812А n-p-n 700 10
2Т856Б npn 10 ТО-3
КТ8107(А-Г) npn 700 8 ТО-220
КТ8114А n-p-n 700 8
КТ8127А(1) n-p-n 700 5
КТ8127Б(1) n-p-n 700 5
КТ8127В(1) n-p-n 700 5
КТ8129А n-p-n 700 5
BUh200 КТ812А npn 700 10 ТО-3
КТ8137А npn 1.5 ТО-126
КТ826(А-В) npn 700 1 ТО-3
КТ8286Б npn 5 ТО-218
КТ887А pnp 2 ТО-3
Т847А n-p-n 650 15

Биполярные транзисторы до 800 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
2Т884А npn 2 ТО-220
КТ506А npn 2 ТО-39
КТ8118А npn 800 3 ТО-220
2SC3998 КТ8144А npn 25 ТО-3
КТ8286В npn 5 ТО-218
SML804 КТ828А,В npn 800 5 ТО-3
2SC3150 КТ859А npn 800 3 ТО-220
2SC5002  КТ868Б npn 6 КТ-9
BVP38 КТ878Б npn 800 30 ТО-3
СТ841Б n-p-n 800 10

Биполярные транзисторы до 900 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
КТ888А pnp 0.1 ТО-39
2SC3979 КТ868А npn 6 КТ-9
2Т856А npn 10 ТО-3
КТ878А npn 30 ТО-3

Биполярные транзисторы до 1500 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
BU108 КТ8107А n-p-n 1500 8
BU508 КТ838А npn 5 ТО-3
BU2520 КТ839А npn 10 ТО-3
BU2506 КТ846А npn 5 ТО-3
BU2508  КТ872А,Б npn 8 ТО-218
2SC5270 КТ886А1 npn 10 ТО-218
BU1508 КТ886Б1 npn 8 ТО-218
Т846А n-p-n 1500 5
Т846В n-p-n 1500 5
Т848Б n-p-n 1200 5

Биполярные транзисторы свыше 2000 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
2Т713А npn 2500 3 ТО-3
КТ710А npn 5 ТО-3

Однопереходные транзисторы

Зарубежные Отечественные
2N1573 КТ117ВМ
2N1923 КТ117АМ

Мощные полевые транзисторы

Импортные Отечественные
IRFZ10 КП739Б
IRFZ15 КП739В
IRF740 КП740
IRFZ24 КП740А
IRFZ20 КП740Б
IRFZ25 КП740В
IRFZ48 КП741А
IRFZ46 КП741Б
STH75N06 КП742А
STH75N05 КП742Б
IRF510 КП743А
IRF511 КП743Б
IRF512 КП743В
IRF520 КП744А
IRF521 КП744Б
IRF522 КП744В
IRL520 КП744Г
IRF530 КП745А
IRF531 КП745Б
IRF532 КП745В
IRL530 КП745Г
IRF540 КП746А
IRF541 КП746Б
IRF542 КП746В
IRL540 КП746Г
IRFP150 КП747А
IRF610 КП748А
IRF611 КП748Б
IRF612 КП748В
IRF620 КП749А
IRF621 КП749Б
IRF622 КП749В
IRF640 КП750А
IRF641 КП750Б
IRF642 КП750В
IRL640 КП750Г
IRF720 КП751А
IRF721 КП751Б
IRF722 КП751В
IRF730 КП752А
IRF731 КП752Б
IRF732 КП752В
IRF830 КП753А
IRF831 КП753Б
IRF832 КП753В
STP40N10 КП771А
IRF820 КП820
IRF830 КП830
IRF840 КП840
IRF150 КП150
IRF240 КП240
IRF250 КП250
IRF340 КП340
IRF350 КП350
BF410C КП365А
BF960 КП382А
IRF440 КП440
IRF450 КП450
ZVN2120 КП501А
BSS124 КП502
BSS129 КП503
BSS88 КП504
BSS295 КП505
IRF510 КП510
IRF520 КП520
IRF530 КП530
IRF540 КП540
IRF610 КП610
IRF620 КП620
IRF630 КП630
IRF640 КП640
BUZ90 КП707Б1
IRF710 КП710
IRF350 КП717Б
BUZ45 КП718А
IRF453 КП718Е1
IRF720 КП720
BUZ36 КП722А
IRFZ44 КП723А
IRFZ45 КП723Б
IRFZ40 КП723В
IRLZ44 КП723Г
MTP6N60 КП724А
IRF842 КП724Б
TPF450 КП725А
BUZ90A КП726А
BUZ71 КП727А
IRFZ34 КП727Б
IRLZ34 КП727В
BUZ80A КП728А
IRF730 КП730
IRGPH50F КП730А
IRF710 КП731А
IRF711 КП731Б
IRF712 КП731В
IRF630 КП737А
IRF634 КП737Б
IRF635 КП737В
IRFZ14 КП739А

Слабые полевые транзисторы

Импортные Отечественные
U1899E КП329A
2N2841 КП301Г
2N3332 КП301Б
2N3365 КП329A
2N3368 КП329A
2N3369 КП333A
2N3331 КП307B
2N3370 КП329A
2N3436 КП329A
2N3438 КП333A
2N3458 КП333A
2N3459 КП329A
2N3460 КП329A
2N3796 КП303B
2N3797 КП303Г
2N3819 КП307Б
2N3823 КП329A
2N3909 КП301B
2N3971 КП902A
2N3972 КП902A
2N4038 КП329A
2N4091 КП902A
2N4092 КП902A
2N4220 КП329Б
2N4220A КП329Б
2N4221 КП333A
2N4221A КП329A
2N4222A КП329A
2N4224 КП329A
2N4302 КП329Б
2N4303 КП329Б
2N4304 КП329Б
2N4351 КП333A
2N4352 КП304A
2N4360 КП301B
2N4393 КП902A
2N4416A КП329A
2N4860 КП333Б
2N4867 КП333A
2N5078 КП333A
2N5163 КП307Ж
2N5458 КП304A
2N5457 КП307E
2N5459 КП307Б
2N5654 КП329Б
2N6656 КП801Б
2SK11 КП303Д
2SK12 КП303Г
2SK15 КП303Г
2SK68A КП329A
2SK21H КП306A
2SK39 КП350A
BFW11 КП333Б
BF244 КП329А
BF245 КП329А
BF256B КП329А
BF960 КП327А
BF981 КП327Б
BSV79 КП333А
BSV80 КП333А
BUZ20 КП704А
CP652 КП907B
E100 КП333Б
E102 КП333Б
E111 КП329Б
E112 КП333Б
IRF120 КП922Б
MPF103 КП307Б
MPF102 КП303E
M103 КП304A
TIS68 КП307E
UC714 КП329Б
U1897E КП333A

Была ли статья полезна?

Да

Нет

Оцените статью

Что вам не понравилось?


Другие материалы по теме


Анатолий Мельник

Специалист в области радиоэлектроники и электронных компонентов. Консультант по подбору деталей в компании РадиоЭлемент.


Силовые транзисторы справочник. Транзисторы отечественные биполярные — справочник. Логические ИС КР1533, КР1554. Справочник

  • 20.09.2014

    Общие сведения об электропроводках Электропроводкой называется совокупность проводов и кабелей с относящимися к ним креплениями, поддерживающими и защитными конструкциями. Скрытая электропроводка имеет ряд преимуществ перед открытой: она более безопасна и долговечна, защищена от механических повреждений, гигиенична, не загромождает стен и потолков. Но она дороже, и ее труднее заменить при необходимости. …

  • 27.09.2014

    На основе К174УН7 можно собрать не сложный генератор с 3 под диапазонами: 20…200, 200…2000 и 2000…20000Гц. ПОС определяет частоту генерируемых колебаний, она построена на элементах R1-R4 и С1-С6. Цепь отрицательной ОС уменьшающая нелинейные искажения сигнала и стабилизирующая его амплитуду образована резистором R6 и лампой накаливания Н1. При указных номиналах схемы …

  • 23.09.2014

    Назначение: на основе предложенной схемы можно собрать уст-во которое будет считать прохожих, включать свет при проходе через дверь, охранную сигнализацию и тому подобное. Излучатель ИК VD4 на АЛ147А (он установлен в пультах ДУ ТВ типа 4-УСЦТ) излучает сигнал промодулированный импульсами 1000Гц. Генератор — источник импульсов выполнен на VT2 VT3. Частота …

  • 05.10.2014

    Источник вырабатывает двух полярное напряжение от 5 до 17В при токе нагрузке до 20А, при этом уровень пульсации 1 В при 17В установленном напряжении и токе на нагрузке 20А. Напряжение с трансформатора поступает на однополупериодные выпрямители на VD1-VD3 и С1-С3. Параллельное включение 3-х диодов необходимо для уменьшения рассеивающей мощности. Конденсаторы …

  • 27.01.2017

    KA78RXXC — линейка стабилизаторов с выходными напряжениями 3,3В, 5В, 9В, 12В и 15В и выходным током до 1 А. Стабилизаторы имеют малое падение напряжения 0,5 В и функцию отключения. Технические характеристики: Выходное напряжение (мин. / номин. / макс.): KA78R33C — 3.22 / 3.3 / 3.38 В KA78R05C — 4.88 / …

Справочник содержит Техническую документацию в формате.PDF на более чем 3500 типов микросхем памяти. Вся техническая документация на микросхемы памяти отсортирована по фирмам производителям микросхем памяти. Каждый файл можно скачать отдельно. Скачать файл содержания всех архивов 86 КБ, формат.xls Фирмы производители: ALLIANCE — размер файла 16 МБ. AMD — размер файла 15 МБ. ATMEL — размер файла 30 МБ. CATALYST — размер файла 2, 8 МБ. CROSSLINK — размер файла 5, 3 МБ. CYPRESS — размер файла 44 МБ.

Приведены технические характеристики действующего и нового электрооборудования: трансформаторов, электродвигателей, коммутационных аппаратов, кабельных и воздушных линий и т. д. Даны сведения по электрическим измерениям, электротехническим материалам, режимам нейтрали, нормам качества электроэнергии, осветительным устройствам и т. д. Книга предназначена для инженеров, техников и мастеров, работающих по эксплуатации систем электроснабжения как в промышленности, так и в сельском хозяйстве.

В первом томе справочного издания приводятся электрические и эксплуатационные характеристики полупроводниковых диодов — выпрямительных диодов и столбов, диодных сборок, блоков модулей и матриц. Даются классификация и система обозначений, основные стандарты для описанных в справочнике приборов. Для конкретных типов приборов приводятся сведения об основном назначении, габаритных и присоединительных размерах и маркировке. В приложении даются зарубежные аналоги полупроводниковых диодов, помещенных в справочнике, и названия фирм-изготовителей.

Данная книга посвящена маркировке микросхем, тиристоров, приборов индикации, звуковой сигнализации, коммутации и защиты электрических цепей. Помимо сведений по маркировке приведены типовые схемы включения, установочные размеры, логотипы и буквенные сокращения при маркировке микросхем ведущих зарубежных производителей. Представлена полезная информация, которая в целом поможет определить тип и назначение элемента, подобрать ему замену с учетом площади, определенной ему на плате. Книга предназначена для специалистов по ремонту радиоэлектронной аппаратуры, а также широкого круга радиолюбителей.

При практической работе, связанной в первую очередь с ремонтом электронной техники, возникает задача определить тип электронного компонента, его параметры, расположение выводов, принять решение о прямой замене или использовании аналога. В большинстве существующих справочников приводится информация по отдельным типам радиокомпонентов (транзисторы, диоды и т. д.). Однако ее недостаточно, и необходимым дополнением к таким книгам служит данное справочное пособие. Представляемая читателю книга по маркировке электронных компонентов содержит в отличие от издававшихся ранее подобных изданий, больший объем информации.

В первом томе пятитомного справочного издания приводятся электрические и эксплуатационные характеристики зарубежных маломощных биполярных транзисторов. Габаритные размеры корпусов указаны в российском стандарте, с указанием допусков по данным фирм изготовителей. В справочнике имеются также зарубежные аналоги транзисторов (причем помещены также аналоги приборов снятых с производства) и перечень фирм изготовителей. Для удобства работы со справочником составлен указатель типов приборов, по которому читатель с невероятной легкостью найдет необходимый ему прибор.

Во втором томе справочного издания приводятся данные по элект рическим параметрам габаритным размерам, предельным эксплуата ционным характеристикам сведения по основному функциональному назначению отечественных силовых тиристоров Приводятся динами-ческие импульсные частотные температурные зависимости парамет ров а также описываются особенности применения тиристоров в ра диоэлектронной аппаратуре Для инженерно-технических рабогникои занимающихся разработ кой эксплуатацией и ремонтом радиоэлектронной аппаратуры Год выпуска: 2002

Приведены данные по зарубежным аналогам микросхем со ветского производства применяемым в бытовой радиоаппара туре, включая конструктивное исполнение и функциональное назначение. Содержит информацию по более чем 600 наиме нований микросхем. Для специалистов по ремонту импортной бытовой радиоап паратуры, а также широкого круга радиолюбителей. Год выпуска: 1992 Автор: Пирогов Е.В. Жанр: Справочник Издательство: М.: БИАР Формат: DjVu Размер: 1, 4 МБ Качество: Отсканированные страницы Количество страниц: 48 Скачать книгу >>> Отечественные аналоги зарубежных микросхем для бытовои радиоаппара туры: Справочник Программа для чтения книги: DjVuReader СОДЕРЖАНИЕ Предисловие Фирменные знаки и сокращенные обозначен фирм изготовителей микросхем 1.

В справочнике содержится подробная информация по современным логическим ИС; быстродействующим маломощным ТТЛШ микросхемам серии КР1533 и быстродействующим КМОП микросхемам серии КР1554 Серия КР1533 Маломощные быстродействующие цифровые интегральные микросхемы серии KPJ53S предназначены для орга низации высокоскоростного обмена и обработки цифровой информации, вре менного и электрического согласования сигналов в вычислительных системах. Микросхемы серии КР1533 по сравне нию с известными сериями логических ТТЛ микросхем обладают минималь ным значением произведения быстро действия на рассеиваемую мощность.

Цель издания настоящего справочника из серии «Ин тегральные микросхемы» — предоставить разработчи кам и техническим специалистам наиболее полную ин формацию по всему спектру микросхем АЦП и ЦАП, уст ройств выборки и хранения (УВХ), систем сбора данных, а также преобразователей напряжение — частота (ПНЧ) и частота — напряжение (ПЧН). По сравнению с первым выпуском справочника «Мик росхемы для аналого-цифрового преобразования и средств мультимедиа», вышедшим в 1996 году, в котором были представлены микросхемы АЦП серий 572 и 1175, а также их аналоги, настоящее издание существенно рас ширено.

Справочные данные биполярных транзисторов

От составителя

Настоящий справочник является попыткой совместить в одном издании полноту охвата приборов, компактность представления информации, а также удобство ее использования.

Справочник предназначен для широкого круга пользователей от разработчиков радиоэлектронных устройств, до радиолюбителей.

В справочнике представлены основные электрические параметры биполярных транзисторов. Для компактности и удобства использования настоящего справочника, в нем использована табличная форма представления информации. Кроме электрических параметров в справочнике приводятся габаритные и присоединительные размеры, а также типовая область применения биполярных транзисторов. Описанный подход позволил создать компактный, удобный и недорогой справочник, который принесет практическую пользу его владельцу.

В справочнике собраны параметры биполярных транзисторов, рассеянные по отечественной литературе. Поскольку главным принципом при составлении справочника являлась полнота охвата номенклатуры, то для некоторых приборов приведены всего несколько параметров (которые приводились в научной статье разработчиков прибора). По мере появления дополнительной информации, она включалась в справочник.
Для некоторых приборов приводятся вместо предельных параметров типовые, когда информация о предельных параметрах отсутствует, а о типовых значениях есть.

Как появился этот справочник? В середине 70-х годов, составитель справочника столкнулся в своей работе с отсутствием справочника, устраивающего его самого и его коллег. Существующие справочники обладали многими недостатками, наиболее очевидные из которых описываются ниже.

1. Большая избыточность:

А) Многие справочники имели массу графиков, которые либо достаточно хорошо описывались теоретическими кривыми, либо отражали малосущественные зависимости;
б) Большинство разработчиков не интересуют такие параметры, как время хранения на складе и степень устойчивости полупроводниковых приборов против воздействия плесени и грибков;
в) От 10% до 30% объема справочников занимали общеизвестные вещи- условные обозначения на электрических схемах, классификация приборов и тому подобные многократно описанные в разнообразной литературе понятия.

2. Неполнота- долгий срок прохождения через издательства приводил к быстрому устареванию справочника. Большинство составителей имели тяготение к определенному кругу изготовителей полупроводниковых приборов и если изделия одного изготовителя были представлены достаточно полно, то изделия другого производителя не включали новых разработок. Для работы приходилось пользоваться одновременно несколькими справочниками одновременно (тем более что разные составители включали разное количество известных для данного прибора параметров) и рядом журнальных статей, в которых описывались новые полупроводниковые приборы.

3. Неудобство в пользовании- большинство составителей вводили разбивку справочника на части по таким критериям как мощность рассеивания, рабочая частота, тип перехода. Кроме этого, очень часто внутри раздела материал дополнительно группировался по аналогичным принципам. Все это существенно затрудняло поиск нужного прибора и особенно сравнение нескольких полупроводниковых приборов по ряду параметров.

4. Недостоверность- в процессе издания в любом справочнике накапливались ошибки. Если ошибки в обычном тексте легко обнаруживаются при вычитке, то ошибки в числовой информации даже специалистом обнаруживаются с трудом.

Все описанные причины побудили составить справочник более удобный для разработчика электронной аппаратуры. Благодаря компактной форме, справочник получился достаточно дешевым и удовлетворяющим большинство потребностей. Если же разработчику потребуются более подробные характеристики какого-либо изделия (это случается достаточно редко), он всегда может обратиться либо к специализированному изданию, либо к отраслевому стандарту. В повседневной же работе ему достаточно этой маленькой книжечки.

Справочник составлен в 1993 году, переведен в HTML в 2000 году.

Составитель: Козак Виктор Романович, email: kozak @ inp.nsk.su

Для радиолюбителей, скачать справочник радиодеталей по транзисторам, микросхемам, SMD компонентам отечественного и импортного производства.

Справочник «микросхемы современных телевизоров». В этом справочном пособии собраны данные о наиболее распространенных интегральных микросхемах, которые применяются в современной телевизионной технике. В книге представлена справочная информация о более чем 100 микросхемах таких известных фирм-производителей, как SAMSUNG, SANYO, SONY, SIEMENS, MATSUSHITA, PHILIPS, SGS-THOMSON и других.

Формат книги DjView. Размер архива – 3,29Mb. СКАЧАТЬ

Справочник «микросхемы для современных мониторов». Данная книга является справочным пособием по микросхемам для современных LCD и CRT мониторов. В ней приведена исчерпывающая информация о 150 микросхемах ведущих производителей полупроводниковых компонентов для мониторов.

Формат книги DjView. Размер архива – 5,77Mb. СКАЧАТЬ

Справочник «отечественные транзисторы для бытовой, промышленной и специальной аппаратуры». В этом справочнике представлена полная информация о номенклатуре, изготовителях, параметрах, корпусах и аналогах 5000 наименований транзисторов!

Формат книги DjView. Размер архива – 16,4Mb СКАЧАТЬ

Сборник их 3х справочников по импортным микросхемам, транзисторам, диодам, тиристорам и SMD компонентам. Книга 1 из 3х . В этом справочнике представлена информация по радиоэлектронным компонентам зарубежных производителей с буквенным индексом от A до R . Приводятся характеристики, цоколевка, аналоги и производители компонентов.

Размер файла – 198Mb. Формат книги DjView. Скачать с Deposit Files

Справочник по импортным микросхемам, тиристорам, диодам, транзисторам и SMD компонентам. Книга 2 из 3х . В этом справочнике представлена информация по радиоэлектронным компонентам зарубежных производителей с буквенным индексом от R до Z .

Размер файла – 319Mb. Формат книги DjView. Скачать с Deposit Files

Справочник по импортным микросхемам, тиристорам, диодам, транзисторам и SMD компонентам. Книга 3 из 3х . В этом справочнике представлена информация по радиоэлектронным компонентам зарубежных производителей с цифровым индексом от 0 до 9 .

Размер файла – 180Mb. Формат книги DjView. СКАЧАТЬ

Справочник по активным SMD компонентам. Приводятся SMD коды для 33 тысяч транзисторов, тиристоров, микросхем и диодов, типовые схемы включения SMD микросхем, маркировка, характеристики, замена.

Размер архива — 16Mb. Формат книги DjView. СКАЧАТЬ

Справочник «транзисторы и их зарубежные аналоги» том 1. В первом томе справочника приводятся электрические и эксплуатационные характеристики полупроводниковых приборов – полевых и биполярных транзисторов малой мощности. Даются классификация и система обозначений, основные стандарты для описанных в справочнике приборов. Для конкретных типов приборов приводятся сведения об основном назначении, габаритных и присоединительных размерах, маркировке, предельных эксплуатационных режимах и условиях работы. В приложении даются зарубежные аналоги транзисторов, помещенных в справочнике.

Формат книги DjView. Размер архива – 6,19Mb СКАЧАТЬ

Справочник «транзисторы и их зарубежные аналоги» том 2. Во втором томе справочника приводится информация по низкочастотным биполярным транзисторам средней и большой мощности с указанием их зарубежных аналогов.

Формат книги DjView. Размер архива – 5,62Mb. СКАЧАТЬ

Справочник «транзисторы и их зарубежные аналоги» том 3. В третьем томе приводится справочная информация по полевым и высокочастотным биполярным транзисторам средней и большой мощности с указанием их зарубежных аналогов.

Формат книги DjView. Размер архива – 6,28Mb . СКАЧАТЬ

Справочник «маркировка радиодеталей» том 1. В книге приведены данные по буквенной, цветовой и кодовой маркировке компонентов, по кодовой маркировке зарубежных полупроводниковых приборов для поверхностного монтажа (SMD). Приведены рекомендации по использованию и проверке исправности электронных компонентов.

Формат книги DjView. Размер архива – 8Mb СКАЧАТЬ

Справочник «маркировка радиодеталей» том 2. В этой книге читатель найдет много полезной информации по маркировке микросхем, некоторых типов полупроводниковых приборов, установочных и коммутационных изделий и много другой полезной информации.

Формат книги DjView. Размер архива – 3,95Mb СКАЧАТЬ

Справочник «маркировка радиодеталей». В книге описана система маркировки отечественных и зарубежных: резисторов, конденсаторов, индуктивностей, кварцевых резонаторов, пьезоэлектрических и ПАВ-фильтров, полупроводниковых приборов, SMD-компонентов, микросхем. Описаны особенности тестирования электронных компонентов.

Формат книги DjView. Размер архива – 3,60Mb СКАЧАТЬ

Справочник по микросхемам для импортных телевизоров. В книге на Русском языке приводятся структурные схемы и назначение выводов более трехсот микросхем, применяемых в европейских и восточно-азиатских цветных телевизорах. Описание каждого прибора сопровождается функциональными диаграммами и характеристиками.

Формат книги DjWiev. Размер архива – 16Mb СКАЧАТЬ

Справочник по микросхемам для аудио и радиоаппаратуры: генераторы, ключи и переключатели, УНЧ, малошумящие и предварительные усилители, операционные усилители, регуляторы громкости и тембра, схемы управления индикаторами. В книге представлены основные особенности, цоколевки, структурные схемы и типовые схемы применения свыше 300 типов микросхем для аудиотехники.

Формат книги DjWiev. Размер архива – 10,7Mb СКАЧАТЬ

Справочник по интегральным микросхемам для промышленной электронной аппаратуры. В книге приведены условные обозначения, электрические параметры, структурные схемы, функциональное назначение (цоколевка) и конструкции корпусов широко распространенных зарубежных аналоговых и цифровых микросхем.

Формат книги DjWiev. Размер архива – 2,68Mb СКАЧАТЬ

Лучший в Европе справочник по УНЧ . В нем обобщены и систематизированы сведения о большинстве ИМС УНЧ в интегральном исполнении, выпускаемых мировыми производителями. Приведены наиболее важные характеристики микросхем, типы корпусов, цоколевка, внешний вид, аналоги, производители, функциональное назначение .

Формат книги DjWiev. Размер архива – 19,9Mb СКАЧАТЬ

Справочник по интегральным микросхемам для телевидения. В книге дан обзор интегральных микросхем, применяемых в современных телевизионных приемниках, видео- и аудиотехнике. Приведены основные параметры и характеристики микросхем, блок-схемы внутренней структуры и типовые схемы их включения.

Формат книги DjWiev. Размер архива – 2,30Mb СКАЧАТЬ

Справочник — Мощные биполярные транзисторы для импульсных источников питания, TV-приемников и мониторов — Справочники


В справочнике Мощные биполярные транзисторы для импульсных источников питания, TV-приемников и мониторов приведены электрические характеристики мощных биполярных транзисторов, имеющих высокую скорость переключения. Данные приборы применяются в импульсных источниках питания различного назначения, в промышленном оборудовании, в бытовой и профессиональной видео- и аудиотехнике.

В книге представлены изделия следующих ведущих производителей полупроводниковых приборов: FAIRCHILD, HITACHI, MOTOROLA (ON SEMICONDUCTOR), PANASONIC, PHILIPS, SANKEN, SAMSUNG, SANYO, SHINDENGEN, ST-MICROELECTRONICS, TOSHIBA и ZETEX. Таблица аналогов полупроводниковых приборов составлена на основании руководства Master Replacement Guide.

Справочник рассчитан на специалистов, занимающихся обслуживанием и ремонтом радиоэлектронной аппаратуры, а также на радиолюбителей.

Название: Мощные биполярные транзисторы для импульсных источников питания, TV-приемников и мониторов. Справочник
Автор: сост. Авраменко Ю.Ф.
Издательство: Додэка-ХХI
Год: 2006
Язык: Русский
Формат: DJVU
Качество: отличное
Размер: 87,1 Mб

Содержание:

Алфавитный список полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства FAIRCHILD
FJA13009; FJAF6806D; FJAF6808D; FJAF6810; FJAF6810D; FJAF6812; FJAF6815; FJAF6820; FJAF6910; FJAF6916; FJAF6920; FJD5304D; FJE3303; FJE5304D; FJL6820; FJL6825; FJL6920; FJN13003; FJP3305; FJP5021; FJP5304D; FJP5321; FJP5355; FJP5554; FJP5555; FJPF13007; FJPF13009; FJPF3305; FJPF5021; FJPF5027; FJPF5321; FJPF5555; FJPF6806D; KSA1156; KSC2233; KSC2333; ICSC2335; KSC2518; KSC2751; KSC2752; KSC3552; KSC5026M; KSC5027; KSC5039F; KSC5042F; KSC5042M; KSC5338D; KSC5338DW; KSC5367F; KSC5386; KSC5504D; KSC5504DT; KSC5801; KSC5802; KSC5803; KSD362; KSD363; KSD5701; KSD5703; KSD5707; KSE5020

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства HITACHI
2SC1942; 2SC2928; 2SC3025; 2SC3026; 2SC3322; 2SC3336; 2SC3365; 2SC3658; 2SC3659; 2SC4589; 2SC4692; 2SC4742; 2SC4743; 2SC4744; 2SC4745; 2SC4746; 2SC4747; 2SC4789; 2SC4796; 2SC4797; 2SC4877; 2SC4878; 2SC4879; 2SC4880; 2SC4897; 2SC4927; 2SC4928; 2SC4962; 2SC5058; 2SC5068A; 2SC5105; 2SC5132A; 2SC5207A; 2SC5219; 2SC5250; 2SC5251; 2SC5252; 2SC5447; 2SC5448; 2SC5470; 2SD2294; 2SD2295; 2SD2296; 2SD2297; 2SD2298; 2SD2299; 2SD2300; 2SD2301; 2SD2311; 2SD2337; 2SD2342; 2SD2381; 2SD2491; 2SD2492

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства ON SEMICONDUCTOR (MOTOROLA)
BU406; BU407; BUL44; BUL45; BUV21; BUV22; BUV26; BUX85; MJE13003; MJE13005; MJE13007; MJE13009; MJE16002; MJE16004; MJE16106; MJE18002; MJE18004; MJE18206; MJF18002; MJF18004; MJF18206; MJW16212

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PANASONIC
2SC3506; 2SC3507; 2SC3974; 2SC4420; 2SC5243; 2SC5244; 2SC5244A; 2SC5270; 2SC5270A; 2SC5406; 2SC5406A; 2SC5407; 2SC5412; 2SC5423; 2SC5440; 2SC5478; 2SC5513; 2SC5514; 2SC5515; 2SC5516; 2SC5517; 2SC5518; 2SC5519; 2SC5546; 2SC5552; 2SC5553; 2SC5583; 2SC5584; 2SC5591; 2SC5597; 2SC5622; 2SC5686; 2SC5739; 2SC5779; 2SC5788; 2SC5884; 2SC5885; 2SC5902; 2SC5904; 2SC5905; 2SC5909; 2SC5912; 2SC5913; 2SC5914; 2SC5931; 2SC5993; 2SC6012; 2SD1439; 2SD1440; 2SD1441; 2SD1541; 2SD1632; 2SD1729; 2SD1730; 2SD1731; 2SD1732; 2SD1739; 2SD1846; 2SD1849; 2SD1850; 2SD2057

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS
BU505; BU505D; BU505DF; BU505F; BU506; BU506D; BU506DF; BU506F; BU508AF; BU508AW; BU508DF; BU508DW; BU1506DX; BU1507AX; BU1507DX; BU1508AX; BU1508DX; BU2506DF; BU2506DX; BU2507AF; BU2507AX; BU2507DF; BU2507DX; BU2508A; BU2508AF; BU2508AW; BU2508AX; BU2508D; BU2508DF; BU2508DW; BU2508DX; BU2515AF; BU2515AX; BU2515DF; BU2515DX; BU2520A; BU2520AF; BU2520AW; BU2520AX; BU2520D; BU2520DF; BU2520DW; BU2520DX; BU2522A; BU2522AF; BU2522AW 145; BU2522AX; BU2522DF; BU2522DX; BU2523AF; BU2523AX; BU2523DF; BU2523DX; BU2525A; BU2525AF; BU2525AW; BU2525AX; BU2525DF; BU2525DW; BU2525DX; BU2527A; BU2527AF; BU2527AW; BU2527AX; BU2527DF; BU2527DX; BU2530AL; BU2530AW; BU2532AL; BU2532AW; BU2708AF; BU2708AX; BU2708DF; BU2708DX; BU2720AF; BU2720AX; BU2720DF; BU2720DX; BU2722AF; BU2722AX; BU2722DF; BU2722DX; BU2725AF; BU2725AX; BU2725DF; BU2725DX; BU2727A; BU2727AF; BU2727AW; BU2727AX; BU2730AL; BU4506AF; BU4506AX; BU4506AZ; BU4506DF; BU4506DX; BU4506DZ; BU4507AF; BU4507AX; BU4507AZ; BU4507DF; BU4507DX; BU4507DZ; BU4508AF; BU4508AX; BU4508AZ; BU4508DF; BU4508DX; BU4508DZ; BU4515AF; BU4515AX; BU4515DF; BU4515DX; BU4522AF; BU4522AX; BU4522DF; BU4522DX; BU4523AF; BU4523AW; BU4523AX; BU4523DF; BU4523DW; BU4523DX; BU4525AF; BU4525AL; BU4525AW; BU4525AX; BU4525DF; BU4525DL; BU4525DW; BU4525DX; BU4530AL; BU4530AW; BU4530AX; BU4540AL; BU4540AW; BU4550AL; BUJ101A; BUJ101AU; ВUJ101АХ; BUJ103A; BUJ103AU; ВUJ103АХ; BUJ105A; BUJ105AB; BUJ105AX; BUJ106A; BUJ106AX; BUJ202A; BUJ202AX; ВUJ204А; ВUJ204АХ; ВUJ205А; ВUJ205АХ; BUJ301A; ВUJ301АХ; BUJ302A; BUJ302AX; ВUJЗОЗА; ВUJ303АХ; BUJ304A; BUJ304AX; BUJ403A; BUJ403AX; ВUJ403ВХ; BUT11; BUT11A; BUT11AF; BUT11AI; BUT11AX; BUT11APX; BUT11APX-1200; BUT11F; BUT11XI; BUT12; BUT12A; BUT12AF; BUT12AI; BUT12F; BUT12XI; BUT18; BUT18A; BUT18AF; BUT18F; BUW11AF; BUW11F; BUW11AW; BUW11W; BUW13AF; BUW13F; BUW13AW; BUW13W; BUW14; BUX84; BUX84F; BUX84S; BUX85; BUX85F; BUX86P; BUX87P; BUX87-1100

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SAMSUNG
KSD5001; KSD5002; KSD5003; KSD5004; KSD5005; KSD5007; KSD5011; KSD5013; KSD5015; KSD5017

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANKEN
2SC3678; 2SC3679; 2SC3680; 2SC3830; 2SC3831; 2SC3832; 2SC3833; 2SC3890; 2SC3927; 2SC4020; 2SC4130; 2SC4138; 2SC4139; 2SC4140; 2SC4296; 2SC4297; 2SC4298; 2SC4299; 2SC4300; 2SC4304; 2SC4418; 2SC4434; 2SC4445; 2SC4517; 2SC4517A; 2SC4518; 2SC4518A; 2SC4546; 2SC4557; 2SC4662; 2SC4706; 2SC4907; 2SC4908; 2SC5002; 2SC5003; 2SC5071; 2SC5124; 2SC5130; 2SC5239; 2SC5249; 2SC5271; 2SC5287

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANYO
2SA1402; 2SA1403; 2SA1404; 2SA1405; 2SA1406; 2SA1407; 2SA1474; 2SA1475; 2SA1476; 2SA1536; 2SA1537; 2SA1538; 2SA1539; 2SA1540; 2SA1541; 2SA1967; 2SA1968LS; 2SC3176; 2SC3591; 2SC3595; 2SC3596; 2SC3597; 2АС3598; 2SC3599; 2SC3600; 2SC3601; 2SC3636; 2SC3637; 2SC3638; 2SC3642; 2SC3643; 2SC3675; 2SC3676; 2SC3685; 2SC3686; 2SC3687; 2SC3688; 2SC3780; 2SC3781; 2SC3782; 2SC3894; 2SC3895; 2SC3896; 2SC3897; 2SC3950; 2SC3951; 2SC3952; 2SC3953; 2SC3954; 2SC3955; 2SC3956; 2SC3995; 2SC3996; 2SC3997; 2SC3998; 2SC4030; 2SC4031; 2SC4123; 2SC4124; 2SC4125; 2SC4256; 2SC4257; 2SC4271; 2SC4291; 2SC4293; 2SC4411; 2SC4423; 2SC4425; 2SC4426; 2SC4427; 2SC4428; 2SC4429; 2SC4430; 2SC4435; 2SC4437; 2SC4440; 2SC4441; 2SC4450; 2SC4451; 2SC4475; 2SC4476; 2SC4478; 2SC4493; 2SC4563; 2SC4572; 2SC4578; 2SC4579; 2SC4630; 2SC4631; 2SC4632; 2SC4633; 2SC4634; 2SC4635; 2SC4636; 2SC4637; 2SC4660; 2SC4710; 2SC4710LS; 2SC4769; 2SC4770; 2SC4924; 2SC5041; 2SC5042; 2SC5043; 2SC5044; 2SC5045; 2SC5046; 2SC5047; 2SC5238; 2SC5296; 2SC5297; 2SC5298; 2SC5299; 2SC5300; 2SC5301; 2SC5302; 2SC5303; 2SC5443; 2SC5444; 2SC5450; 2SC5451; 2SC5452; 2SC5453; 2SC5506; 2SC5577; 2SC5578; 2SC5637; 2SC5638; 2SC5639; 2SC5680; 2SC5681; 2SC5682; 2SC5683; 2SC5689; 2SC5690; 2SC5696;2SC5698; 2SC5699; 2SC5722; 2SC5723; 2SC5776; 2SC5777; 2SC5778; 2SC5791; 2SC5792; 2SC5793; 2SC5794; 2SC5811; 2SC5899; 2SC5900; 2SC5932; 2SC5933; 2SC5966; 2SC5967; 2SC5968; 2SD1159; 2SD1876; 2SD1877; 2SD1878; 2SD1879; 2SD1880; 2SD1881; 2SD1882; 2SD1883; 2SD1884; 2SD1885; 2SD1886; 2SD1887; 2SD1908; 2SD1958; 2SD2251; 2SD2252; 2SD2578; 2SD2579; 2SD2580; 2SD2581; 2SD2624; 2SD2627LS; 2SD2629; 2SD2634; 2SD2645; 2SD2646; 2SD2648; 2SD2649; 2SD2650; 2SD2658LS; 2SD2688LS; 2SD2689LS; TS7988; TS7990; TS7992; TS7994; TT2138LS; TT2140LS; ТТ2142; TT2170LS; TT2190LS; ТТ2202

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SHINDENGEN
2SA1598; 2SA1599; 2SA1600; 2SA1601; 2SA1795; 2SA1796; 2SA1876; 2SA1877; 2SA1878; 2SA1879; 2SB1282; 2SB1283; 2SB1284; 2SB1285; 2SB1448; 2SC4051; 2SC4052; 2SC4053; 2SC4054; 2SC4055; 2SC4056; 2SC4057; 2SC4058; 2SC4059; 2SC4060; 2SC4148; 2SC4149; 2SC4150; 2SC4151; 2SC4230; 2SC4231; 2SC4232; 2SC4233; 2SC4234; 2SC4235; 2SC4236; 2SC4237; 2SC4580; 2SC4582; 2SC4583; 2SC4584; 2SC4585; 2SC4663; 2SC4664; 2SC4668; 2SC4669; 2SC4833; 2SC4834; 2SC4876; 2SC4914; 2SC4940; 2SC4941; 2SC4978; 2SC4979; 2SC4980; 2SC4981; 2SC4982; 2SC5241; 2SD1022; 2SD1023; 2SD1024; 2SD1025; 2SD1026; 2SD1027; 2SD1788; 2SD1789; 2SD1790; 2SD1791; 2SD1792; 2SD1793; 2SD1794; 2SD1795; 2SD2196

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства ST — MICROELECTRONICS
BU208A; BU505; BU508A; BU508AFI; BU508DFI; BU808DFI; BUF405A; BUF405AFP; BUF410; BUF410A; BUF420; BUF420A; BUF420M; BUh2015; BUh2015HI; BUh2215; BUh3M20AP; BUh415; BUh415D; BUh415DFH; BUH515; BUH515D; BUH615D; BUH715; BUL1101E; BUL1102E; BUL118; BUL1203E; BUL1403ED; BUL213; BUL216; BUL310; BUL310FP; BUL312FH; BUL312FP; BUL381; BUL381D; BUL382; BUL382D; BUL38D; BUL39D; BUL416; BUL49D; BUL510; BUL57; BUL57FP; BUL58D; BUL59; BUL654; BUL67; BUL742; BUL810; BUL89; BULB128D-1; BULB39D; BULB49D; BULD118D-1; BULK128D; BULT118; BULT118D; BUV48C; BUV48CFI; BUW1015; BUW1215; BUX48C; HD1520FX; HD1530FX; HD1530JL; HD1750FX; HD1750JL; HD1760JL; MD1803DFX; MD2310FX; MJD47T4; MJD49T4; MJD50T4; S2000AFI; SGSF313; SGSF313PI; SGSF344; SGSF464; SGSFI464; ST13003; ST13005; ST13007; ST13007FP; ST13007N; ST13007NFP; ST1802FH; ST1803DFH; ST1803DHI; ST2001FX; ST2009DXI; ST2310DXI; ST2310FX; ST2317DFX; ST2408h2; ST83003; STB13005-1; STD13003-1; STD13003-T4; STD83003-1; STD83003-T4; STK13003; STX13005; THD200F1; THD215HI; THD218DHI; THD277HI

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства TOSHIBA
2SC3307; 2SC3425; 2SC3657; 2SC3715; 2SC3716; 2SC3884A; 2SC3885A; 2SC3886A; 2SC3887; 2SC3887A; 2SC3888; 2SC3888A; 2SC3889; 2SC3889A; 2SC3892; 2SC3892A; 2SC3893; 2SC3893A; 2SC4157; 2SC4288; 2SC4288A; 2SC4289; 2SC4289A; 2SC4290; 2SC4290A; 2SC4531; 2SC4532; 2SC4542; 2SC4560; 2SC4608; 2SC4757; 2SC4758; 2SC4759; 2SC4760; 2SC4761; 2SC4762; 2SC4763; 2SC4764; 2SC4765; 2SC4766; 2SC4806; 2SC4830; 2SC4916; 2SC5048; 2SC5129; 2SC5142; 2SC5143; 2SC5144; 2SC5148; 2SC5149; 2SC5150; 2SC5172; 2SC5266; 2SC5279; 2SC5280; 2SC5331; 2SC5332; 2SC5339; 2SC5353; 2SC5354; 2SC5386; 2SC5387; 2SC5404; 2SC5411; 2SC5421; 2SC5422; 2SC5439; 2SC5445; 2SC5446; 2SC5570; 2SC5587; 2SC5588; 2SC5589; 2SC5590; 2SC5612; 2SC5695; 2SC5716; 2SC5717; 2SC5748; 2SC5855; 2SC5856; 2SC5857; 2SC5858; 2SC5859; 2SD1279; 2SD1425; 2SD1426; 2SD1427; 2SD1428; 2SD1429; 2SD1430; 2SD1431; 2SD1432; 2SD1433; 2SD1543; 2SD1544; 2SD1545; 2SD1546; 2SD1547; 2SD1548; 2SD1553; 2SD1554; 2SD1555; 2SD1556; 2SD2089; 2SD2095; 2SD2125; 2SD2253; 2SD2348; 2SD2349; 2SD2428; 2SD2454; 2SD2498; 2SD2499; 2SD2500; 2SD2539; 2SD2550; 2SD2551; 2SD2553; 2SD2559; 2SD2586; 2SD2599; 2SD2638; 2SD811; 2SD818; 2SD819; 2SD820; 2SD821; 2SD822; 2SD868; 2SD869; 2SD870; 2SD871; S2000; S2000A; S2000AF; S2000F; S2000N; S2055; S2055A; S2055AF; S2055F; S2055N

Транзисторы с высокой скоростью переключения производства ZETEX
BST39; FMMT458; FMMT459; FMMT497; FZT458; FZT658; FZT857; FZTA42

Аналоги полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике
Типовое использование транзистора с высокой скоростью переключения в схемах строчной развертки

Обновлено: 02.06.2021


Поделитесь записью в своих социальных сетях!


Григорьев А.П. Транзисторы. Справочник | PRO-TechInfo

В справочнике в табличной форме приведены сведения об основных электрических параметрах, предельно допустимых режимах работы современной номенклатуры транзисторов, выпускаемых отечественной промышленностью. Даны габаритные чертежи приборов.

Книга предназначена для широкого круга радиолюбителей.

В справочнике приведены сведения о параметрах биполярных и палевых транзисторов (в том числе лавинных, однопереходных, двухэмиттерных, силовых) , а также сборок на их основе, режимах измерения, предельно допустимых параметрах режимов эксплуатации. Изложены принципы работы транзисторов, системы их классификации, даны габаритные чертежи. Приведены графические обозначения условные обозначения параметров и основные нормативно-технические документы по транзисторам. Рассмотрены некоторые особенности применения транзисторов, даны рекомендации по их использованию в аппаратуре. Для удобства поиска данных транзисторы сгруппированы в справочнике как по максимально допустимой рассеиваемой мощности (для мощных транзисторов — с применением теплоотвода), так и по частоте.

В последнее время разработано большое число составных транзисторов (транзисторов Дарлингтона) , данные о них представлены в самостоятельных таблицах. В связи с различным составом параметров генераторных и переключательных ВЧ транзисторов большой мощности и СВЧ транзисторов средней и большой мощностей данные о них разделены по функциональным признакам и также приведены в самостоятельных таблицах. В пределах каждой таблицы биполярные транзисторы расположены по мере возрастания основного определяющего параметра — постоянного тока коллектора. А полевые транзисторы — по мере увеличения рассеиваемой мощности на транзисторе. В конце справочника даны указатель типов транзисторов и указатель таблиц.

Знаком «*» отмечены типы приборов, предназначенные для применения в устройствах с пониженными эксплуатационными характеристиками.

Буква «т» рядом со значением параметра обозначает, что приведенная величина является типовой, а буква «и» соответствует импульсному режиму работы транзистора.

Год издания: 1989.

Формат: Djvu.

Биполярный транзистор

— обзор

3.3.1 Введение

В системах интеллектуальных датчиков температуры и микроэлектромеханических системах (MEMS) часто используются встроенные датчики, которые объединяют чувствительные элементы с интерфейсной электроникой, необходимой для связи, например, с микроконтроллерами. Помимо встроенных датчиков, в таких системах могут применяться и дискретные чувствительные элементы. Дискретные элементы используются, например, для калибровки и тестирования. Дискретные элементы также используются в средах, в которых температуры выходят за пределы допустимого диапазона интерфейсной электроники.Таблица 3.1 (Meijer, 2008a) суммирует основные характеристики некоторых обычно используемых на кристалле и дискретных чувствительных элементов для систем датчиков температуры и MEMS.

Таблица 3.1. Основные характеристики различных типов термочувствительных элементов, согласно Meijer (2008a)

Характеристики Транзисторы (BJT) Термопары Платиновые резисторы Термисторы
Диапазон температур (° C ) Средняя
от −50 до +180
Очень большая
от −270 до +3500
Большая
от −260 до +1000
Средняя
от −80 до +180
Точность Средняя Проблема, потому что опорного спая Высокая в широком диапазоне Высокая в малом диапазоне
Точность для измерения небольших перепадов температур Средняя Высокая Средняя Средняя
Подходит для интеграции на кремнии чип Да Да Нет в стандартной технологии Нет в стандартной технологии y
Чувствительность Высокая (2 мВК −1 ) Низкая (0.05–1 мВК −1 ) Низкое (0,4% K −1 ) Высокое (5% K −1 )
Линейность Хорошо Хорошо Хорошо Очень сильная нелинейность
Электрическая величина, представляющая температуру Напряжение Напряжение Сопротивление Сопротивление

Биполярные переходные транзисторы (БЮТ) и термисторы относятся к наиболее чувствительным устройствам в этой таблице.Часто BJT используются с короткозамкнутым соединением коллектор-база 1 и смещены с помощью хорошо контролируемого тока. Этот способ смещения имеет то преимущество, что результирующее напряжение база-эмиттер почти линейно связано с температурой (Meijer, 2008a). Также характеристики термистора можно линеаризовать, применяя последовательные или шунтирующие резисторы за счет снижения чувствительности (Meijer, 2008a). Высокая чувствительность может быть полезна, поскольку снижает требования к точности схем обработки.Фактически, любая эквивалентная входная ошибка схем обработки будет разделена на чувствительность датчика при вычислении соответствующей температурной погрешности. Часто создать хорошую схему обработки не так уж и сложно. В этом случае точность сенсорных элементов важнее их чувствительности.

По большей части неточность чувствительных к температуре элементов вызвана перекрестным воздействием механического напряжения и, следовательно, также изменениями механического напряжения во время, например, термоциклирования или старения.По тем же причинам на точность сенсора влияет механическое напряжение, остающееся после изготовления и упаковки сенсорных элементов. При сравнении свойств транзистора и термистора в важном диапазоне температур около 300K термисторы имеют лучшую точность. По этой причине термисторы часто используются в сенсорных системах. С другой стороны, транзисторы относятся к основным компонентам микросхем. Следовательно, транзисторы могут быть изготовлены как компонент датчика температуры на кристалле.Следовательно, инновации в датчиках температуры на основе BJT последовали за быстрым развитием и инновациями в технологии IC. По этой причине в интеллектуальных датчиках и МЭМС BJT являются излюбленными элементами измерения температуры. Поэтому данная глава будет в основном посвящена датчикам температуры на основе BJT и соответствующим системам датчиков температуры.

Термопары генерируют напряжение, которое пропорционально разнице температуры между, например, эталонным спаем и измерительным спаем.

Термобатареи состоят из ряда последовательно соединенных термопар и также используются для измерения разницы температур . Термобатареи могут быть изготовлены с использованием ИС-технологии и очень подходят для применения в термодатчиках. В термодатчиках физические величины измеряются путем преобразования физических сигналов сначала в разность температур, а затем преобразование этой разности температур в напряжение термобатареи. Обычно в таких датчиках также измеряется эталонная температура, например, с помощью биполярного транзистора или термочувствительного резистора.Инфракрасные датчики, в том числе популярные клинические ушные термометры, являются примерами тепловых датчиков, в которых излучение поглощается консольным лучом (Herwaarden van, 2008), что вызывает разницу температур, измеряемую с помощью термобатареи. Измерение абсолютной температуры с помощью термопары или ИК-датчика также требует использования датчика абсолютной температуры, например термистора или транзистора, для измерения эталонной температуры.

В промышленных системах часто используются дискретные термочувствительные элементы из-за их высокой точности и превосходной долговременной стабильности.Чаще всего используются платиновые резисторы, термопары и термисторы. Из-за своей стабильности платиновые резисторы перечислены в Международной температурной шкале 1990 г. как интерполирующий температурный стандарт в диапазоне температур от -259,4 ° C до 961,9 ° C (Michalski et al., 2001). Для более высоких температур используются другие типы датчиков, например, определенные типы термопар. Из-за их низкой стоимости и высокой надежности дискретные термопары широко используются в промышленных приложениях, где доступны разные типы для разных температурных диапазонов.

Термисторы очень чувствительны, но не так стабильны, как платиновые резисторы. Они широко применяются в диапазоне температур от -80 ° C до 180 ° C. Помимо высокой чувствительности, термисторы обладают небольшими размерами и недорого. Однако их сильная нелинейность затрудняет обработку сигнала термистора. Линеаризацию можно получить с помощью шунтирующих и последовательных резисторов (Meijer, 2008a) за счет снижения чувствительности. Некоторые сенсорные интерфейсы, такие как универсальный сенсорный интерфейс Smartec (2016a), предлагают специальные режимы обработки термисторов, включая линеаризацию.

За последние десятилетия инновации в системах датчиков температуры, реализованных с использованием дискретных чувствительных элементов, в основном касались разработки электронных интерфейсов (Smartec, 2016a; Meijer, 2008b; Khadouri et al., 1997). Для получения более подробной информации, касающейся дискретных термочувствительных элементов и соответствующих систем измерения, читатель может отослать читателя к специальной литературе (Michalski et al., 2001).

Руководство по выбору силовых биполярных транзисторов

: типы, характеристики, применение

Силовые биполярные транзисторы — это полупроводники, в которых базовый слой n-типа или p-типа зажат между эмиттерным и коллекторным слоями противоположного типа.Доступны две полярности: PNP и NPN.

В обоих вариантах переходы между полупроводниковыми секциями усиливают слабые входящие сигналы. Кроме того, толстая и низколегированная область коллектора приводит к большому запирающему напряжению.

Обычно силовые биполярные транзисторы работают при более низких плотностях тока, чтобы улучшить рассеивание мощности на единицу площади. Устройства большего размера используются с большими токами. Кремний — наиболее часто используемый материал из-за его высокой теплопроводности и относительно низкой стоимости.Карбид кремния дает преимущества в эксплуатационных характеристиках, но является более дорогим материалом.

Технические характеристики

Технические характеристики силовых биполярных транзисторов включают:

  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер — это максимально допустимое значение напряжения, которое может непрерывно применяться в обратном направлении коллекторного перехода при открытом эмиттере.

  • Напряжение пробоя коллектор-база при разомкнутом выводе эмиттера.
  • Максимальный ток коллектора — это максимальный ток, который может выдерживать коллектор при активном транзисторе.

  • Произведение коэффициента усиления по току на ширину полосы — это частота, на которой статический коэффициент передачи прямого тока равен единице.

  • Статический коэффициент передачи прямого тока , который также известен как коэффициент усиления по току с общим эмиттером, представляет собой отношение входного постоянного тока и выходного постоянного тока.

  • Рассеиваемая мощность , общая потребляемая мощность устройства, обычно измеряется в ваттах (Вт) или милливаттах (мВт).

  • Другие технические характеристики биполярных транзисторов включают:

    • Прирост мощности

    • Выходная мощность

    • Диапазон температур

Некоторые устройства поддерживают определенный температурный диапазон и обладают механическими и электрическими характеристиками, подходящими для коммерческого, промышленного или автомобильного применения.Другие силовые биполярные транзисторы соответствуют требованиям военных спецификаций (MIL-SPEC).

Типы упаковки

Базовые типы корпусов ИС для силовых биполярных транзисторов: контур транзистора (TO), малый контур (SO) и транзистор с малым контуром (SOT).

Для каждого типа упаковки доступно множество вариантов. Контурные пакеты транзисторов включают:

  • TO-92, одинарный линейный корпус, часто используемый для маломощных устройств

  • TO-220, который подходит для силовых устройств большой мощности, среднего тока и с быстрым переключением.

  • TO-263, версия корпуса TO-220 для поверхностного монтажа.

Пакеты транзисторов малого размера включают:

  • SOT23, который часто используется в бытовой технике, офисном и промышленном оборудовании, персональных компьютерах, принтерах и коммуникационном оборудовании.

  • SOT89, пластиковый корпус для поверхностного монтажа с тремя выводами и площадкой коллектора для хорошей теплопередачи.

  • SOT223, герметичный корпус, обеспечивающий отличную производительность в условиях высоких температур и влажности.

Типы корпусов ИС для БТИЗ также включают дискретный или дека-ваттный корпус (DPAK) и плоский корпус (FPAK).

Способы упаковки

Методы упаковки силовых биполярных транзисторов включают в себя катушку с лентой, направляющую, объемную упаковку и ламповую технологию.

  • Катушка с лентой Метод упаковывает компоненты в ленточную систему путем наматывания определенной длины или количества для транспортировки, обработки и конфигурирования в стандартном для отрасли автоматизированном оборудовании для сборки плат.

  • Rail , еще один стандартный метод упаковки, обычно используется только в производственных условиях.

  • Пакетная упаковка Устройства распространяются как отдельные части, а компоненты лотков доставляются в лотках.

  • Трубчатый или стержневой магазин Метод используется для подачи силовых биполярных переходных транзисторов в автоматические установочные машины для сквозного или поверхностного монтажа.

Стандарты

  • IEC 60747-7 — Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 7. Биполярные транзисторы.
  • JEDEC JESD 24-4 — Измерения термического импеданса биполярных транзисторов (метод дельта-база-эмиттер)

Список литературы

Кредиты изображений:

Motorola | NXP | Jameco


BJT (биполярный переходной транзистор) | Microsemi

Обзор

Биполярные переходные транзисторы

, или BJT, обладают более высокой проводимостью, чем МОП-транзисторы, и не требуют отдельных драйверов затвора.Особая сила заключается в том, что они представляют собой усилители тока, способные создавать очень высокие плотности тока. Они могут использоваться в качестве усилителей, переключателей и генераторов и способны работать на очень высоких частотах. Их также можно использовать в качестве датчиков температуры и логарифмических преобразователей. Microsemi предлагает BJT в дискретной конфигурации NPN или PNP, а также в собранном виде, который можно использовать для приложений интерфейса или преобразования мощности.
Microsemi BJT могут использоваться в приложениях Space , Commercial Aviation , Hi-Reliability , Military и Industrial .
Дискретные решения Microsemi соответствуют требованиям MIL-PRF-19500 , и компания имеет больше квалификаций DLA, чем любой другой производитель космического уровня.

Приложения

Рекомендуемые приложения для BJT (биполярный переходный транзистор)

Параметрический поиск

  • «Предыдущая
  • {{n + 1}}
  • Следующий »
  • Показано 2550100 на страницу
Упаковка
Детали Статус детали Тип Перевозчик пакетов {{attribute.имя | noComma}} ({{attribute.type}})

В этой категории нет параметрических данных! попробуйте другие категории

Вертикальный биполярный плазменный транзистор со скрытым металлическим слоем

Каника Надда

1 Департамент электротехники, Индийский технологический институт, Нью-Дели 110 016, Индия

М. Джагадеш Кумар

1 Департамент электротехники , Индийский технологический институт, Нью-Дели 110 016, Индия

1 Департамент электротехники, Индийский технологический институт, Нью-Дели 110 016, Индия

Получено 14 января 2014 г .; Принята в печать 28 ноября 2014 г.

Авторские права © 2015, Macmillan Publishers Limited. Все права защищены. Эта работа находится под лицензией Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivs 4.0 International License. Изображения или другие сторонние материалы в этой статье включены в лицензию Creative Commons для статьи, если иное не указано в кредитной линии; если материал не включен в лицензию Creative Commons, пользователям потребуется получить разрешение от держателя лицензии, чтобы воспроизвести материал.Чтобы просмотреть копию этой лицензии, посетите http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/

Abstract

Самовыравнивающийся вертикальный биполярный зарядно-плазменный транзистор (V-BCPT) со скрытым металлическим слоем между нелегированным кремнием и скрытым оксидом подложки кремний-на-изоляторе, сообщается в этой статье. С помощью двухмерного моделирования устройства детально оцениваются электрические характеристики предлагаемого устройства. Результаты нашего моделирования демонстрируют, что V-BCPT не только имеет очень высокий коэффициент усиления по току, но также демонстрирует высокое значение BV CEO · f T , что делает его очень подходящим для высокоскоростных схем со смешанными сигналами.Предлагаемая структура устройства также подходит для реализации бездопингового биполярного зарядового плазменного транзистора с использованием сложных полупроводников, таких как GaAs, SiC, с низким тепловым балансом. Устройство также невосприимчиво к неидеальным эффектам скапливания тока, возникающим при высоких плотностях тока.

Биполярные транзисторы широко используются в конструкции токовых зеркал, усилителей и опорного напряжения в запрещенной зоне во многих высокоскоростных схемах смешанных сигналов. Боковые биполярные транзисторы на КНИ оказались очень интересными с появлением технологий BiCMOS 1 , 2 , 3 .Однако боковые биполярные транзисторы на КНИ страдают от более низкой частоты среза и меньшего усиления по току из-за сложности реализации узкой ширины базы. В вертикальных биполярных транзисторах малая глубина перехода может быть легко реализована путем управления процессами диффузии, ионной имплантации и эпитаксиального роста. Ряд недавних публикаций демонстрирует большие достижения в области вертикального комплементарного BiCMOS 4 , 5 . Ячейка памяти с произвольным доступом с резистивной коммутацией 6 была экспериментально реализована для применений со сверхвысокой плотностью и низким напряжением, масштабируемый трехмерный вертикальный биполярный транзистор n-p-n (V-NPN BJT).V-NPN BJT, обеспечиваемый посредством процесса BiCMOS, также использовался для реализации конструкции преобразователя с большой крутизной г м , низким уровнем шума и высокой линейностью 7 для приложений в радиочастотных и аналоговых схемах. В последнее время последовательное сопротивление коллектора биполярных транзисторов было значительно уменьшено за счет включения высокопроводящего скрытого слоя силицида 8 , 9 , 10 , 11 между верхним слоем кремния и скрытым оксидным слоем (BOX). подложек кремний-на-изоляторе.

Ряд металлических слоев, таких как вольфрам 8 , 9 , 10 , кобальт 12 , молибден 13 и другие, были включены с помощью технологии склеивания с низким тепловым балансом. Однако в устройствах с агрессивным масштабированием флуктуация легирующей примеси 14 , 15 и активация легирующей примеси 16 высоколегированного эмиттера и базовой области БЮТ с высокими тепловыми балансами могут быть узким местом при интеграции биполярного процесса с КМОП процесс на КНИ, включающий скрытый металлический слой.

Недавно было сообщено о боковом биполярном транзисторе без легирования (Bipolar Charge Plasma Transistor), основанном на концепции зарядовой плазмы 17 , как показано на. В этом транзисторе области n-типа и p-типа создаются путем индуцирования электронной и дырочной плазмы в нелегированной кремниевой пленке с использованием металлических электродов с соответствующими рабочими функциями. Для создания эмиттерной и коллекторной областей работа выхода металлических электродов φ M, E и φ M, C , соответственно, должна быть меньше работы выхода φ Si пленки Si.Для создания p-базовой области выбран металлический электрод с работой выхода φ M, B > φ Si . Ни ионная имплантация, ни примесные атомы не диффундируют в собственный кремний, чтобы сформировать области эмиттера, базы и коллектора. Отсутствие легированных областей позволяет этому устройству устранять необходимость в сложных тепловых балансах, необходимых для обычных биполярных транзисторов. Как показано на фиг.4, индуцированная концентрация носителей поддерживается в BCPT в условиях теплового равновесия, а также в условиях прямого активного смещения.Поскольку BCPT представляет собой боковую структуру, он демонстрирует низкую частоту среза по сравнению с его традиционным аналогом, как показано на. Кроме того, в боковом BJT трудно контролировать ширину основания, тогда как ширина тонкого основания может быть легко реализована в вертикальных BJT.

(a) Схематическое сечение, (b) чистая концентрация носителей и (c) частота отсечки бокового BCPT.

В этой статье мы представляем подробное исследование бездопингового вертикального биполярного зарядового плазменного транзистора (V-BCPT) со скрытым металлическим слоем на собственном кремнии 17 , 18 , 19 , 20 , 21 , 22 , 23 , 24 , 25 , 26 , 27 , 28 .Новизной предлагаемой структуры по сравнению с боковыми структурами биполярных транзисторов 17 , 20 , 22 , 23 является то, что это самовыравнивающееся вертикальное устройство с заглубленным металлическим слоем. Мы демонстрируем, что предлагаемый V-BCPT демонстрирует высокий коэффициент усиления по току и большой продукт BV CEO · f T , необходимый для аналоговых схем. В структуре V-BCPT, без необходимости диффузии легирующей примеси, эмиттер «n + », коллектор «n» и база «p» индуцируются в собственном кремниевом теле путем выбора эмиттера, коллектора и основного металла. электроды с подходящими рабочими функциями.

Предлагаемая структура устройства может иметь потенциальные применения при реализации BCPT с использованием сложных полупроводниковых материалов, таких как GaAs и SiC. Используя двумерное моделирование, мы демонстрируем, что V-BCPT не только демонстрирует значительно более высокое усиление по току и частоту отсечки f T , но также невосприимчив к эффекту скапливания тока, возникающему на краях эмиттера на высоком коллекторе. текущие плотности.

Структура и параметры устройства

Поперечное сечение V-BCPT показано вместе с индуцированным распределением электронов и дырок в условиях теплового равновесия.В V-BCPT электронная плазма индуцируется в нелегированной пленке Si для создания эмиттерной области за счет использования гафния (работа выхода ϕ м, E = 3,9 эВ) в качестве металла эмиттерного электрода. Пакет из TiN / HfSiO x / SOI, легированного фтором (работа выхода ϕ м, B = 5,4 эВ) 29 используется в качестве основного электрода для индуцирования дырочной плазмы для создания основной области с не — равномерное распределение отверстий. Во время распыления эмиттера и основного металла можно использовать смещение подложки, чтобы избежать возможности образования силицида. 30 .Поскольку нам нужна более низкая концентрация электронов в области коллектора по сравнению с тем, что требуется в области эмиттера транзистора, алюминий (работа выхода ϕ м, C = 4,28 эВ) используется как коллекторный электрод, расположенный между кремнием. и КОРОБКА СОИ. Этот скрытый алюминиевый электрод (как описано в разделе IV) может быть сформирован с использованием технологий соединения пластин 8 , 9 , 10 , 11 , 12 , 13 . Хотя пленка Si является внутренней, мы предположили, что она непреднамеренно легирована N D = 1 × 10 14 / см 3 .Зазор (L S ) в 10 нм отделяет эмиттер от основных металлических электродов по обе стороны от эмиттерного электрода.

Схематический разрез V-BCPT.

Моделирование выполняется с помощью инструмента моделирования устройств ATLAS [ATLAS Device Simulation Software, Silvaco Int., Santa Clara, CA, 2014.] с использованием распределения Ферми-Дирака статистики операторов связи с унифицированной моделью мобильности Philip 31 , все с параметры кремния по умолчанию. В симуляторе используется набор фундаментальных уравнений, которые связывают электростатический потенциал и плотности носителей.Эти уравнения получены из законов Максвелла и состоят из уравнения Пуассона, уравнений неразрывности и уравнений переноса. Для транспорта носителей используется обычная дрейфово-диффузионная модель (DD). Стандартная модель термоэлектронной эмиссии [ ATLAS Device Simulation Software , Silvaco Int., Santa Clara, CA, 2014.] используется для эмиттерного контакта V-BCPT со скоростью поверхностной рекомбинации 2,2 × 10 6 см / с и 1,6 × 10 6 см / с для электронов и дырок соответственно.Точно так же идеальные омические контакты предполагались при моделировании зарядового плазменного диода 18 . Результаты изготовленного CP-диода 19 показывают, что контактное сопротивление не оказывает серьезного влияния на характеристики устройства, если при формировании электрода будут приняты соответствующие меры. Следует отметить, что мы не учли пиннинг уровня Ферми и эффекты понижения барьера в наших расчетах. Для учета ударной ионизации используется модель Зельберхерра 32 .Для рекомбинации мы включили модель Клаассена для зависимых от концентрации времен жизни для рекомбинации Шокли-Рида-Холла (SRH) с собственными временами жизни носителей n , т.е. = n ih = 0,2 μ с 33 . Скоростное насыщение электрического поля моделируется с помощью модели подвижности, зависящей от поля [Программное обеспечение моделирования устройств ATLAS, Silvaco Int., Санта-Клара, Калифорния, 2014.]. Эффекты экранирования в инверсионном слое также учитываются с использованием модели мобильности Сирахата 34 .

Результаты

Концентрации электронов и дырок для V-BCPT вдоль оси y (линия разреза на краю эмиттерного электрода) при тепловом равновесии и прямом активном смещении показаны на. Индуцированные концентрации свободных носителей заряда поддерживаются в областях эмиттера, базы и коллектора либо в условиях теплового равновесия (V BE = 0 В и V CE = 0 В), либо в условиях прямого активного смещения (V BE = 0,7 В. и V CE = 1 В). Как видно на фиг.2, для данных условий смещения из-за прямого контакта металл-полупроводник чистая концентрация носителей выше вблизи границы раздела металл-Si.В условиях теплового равновесия переход база-эмиттер и переход база-коллектор четко очерчены. В условиях прямого активного смещения концентрация инжектированных носителей увеличивается на переходе база-эмиттер. Кроме того, чистая концентрация электронов в области обеднения коллектор-база увеличивается из-за конечного коллекторного тока, протекающего через устройство. Графики Гаммеля показывают, что базовый ток V-BCPT почти на два порядка ниже по величине по сравнению с током коллектора.Низкий базовый ток структуры V-BCPT связан с накоплением электронов на границе раздела металл-полупроводник эмиттера. показывает накопленную концентрацию электронов под контактом эмиттера по оси ординат. Как поясняется в литературе 17 , 35 , 36 , электроны накапливаются, когда металл с низкой работой выхода контактирует с эмиттером n-типа. Как показано, это накопление электронов приводит к возникновению электрического поля, что приводит к задержке дырок, инжектированных из базовой области.В результате градиент концентрации дырок, вводимых в эмиттер, уменьшается, что приводит к низкому базовому току, как показано на рис. Следовательно, коэффициент усиления по току β V-BCPT очень высок, как показано на, с приблизительным пиковым значением 10,000.

Смоделированные чистые концентрации носителей в V-BCPT для различных условий смещения.

Графики Гаммеля V-BCPT.

(а) Концентрация электронов и (б) распределение электрического поля в эмиттерной области V-BCPT.

Изменение текущего усиления V-BCPT.

Частота отсечки транзистора является важным показателем для характеристики частотной характеристики биполярных транзисторов. Он определяется как где, g m — крутизна, а C — сумма обедненной емкости эмиттер-база, обедненной емкости база-коллектор и диффузионной емкости эмиттер-база. Выполняя анализ переменного тока, имитатор сначала вычисляет емкости электродов и крутизну, а затем дает частоту отсечки устройства для заданных условий смещения.Пиковая частота среза V-BCPT () составляет ~ 63 ГГц, что делает его пригодным для схем со смешанными сигналами. Это улучшение частоты отсечки по сравнению с таковой у бокового BCPT 17 связано с 1) меньшим временем прохождения несущих из-за более тонкой базы и 2) высокой крутизной 20 . Модель BV CEO · f T продукт считается добротой BJT. V-BCPT имеет высокий BV CEO · f T продукт из 126.6 В ГГц (на BV CEO = 2 В). Выходные характеристики V-BCPT показаны на. Мы видим, что для разных базовых токов ток коллектора не увеличивается равномерно, указывая на то, что коэффициент усиления устройства изменяется с увеличением базового тока. Это связано с сильными эффектами инжекции при высоких токах коллектора, из-за которых ток коллектора не увеличивается с той же скоростью, что и при более низких токах базы. Следовательно, коэффициент усиления устройства по току уменьшается аналогично тому, что происходит в обычных BJT.Результаты нашего моделирования показывают, что напряжение пробоя V-BCPT ниже, чем у обычных вертикальных BJT, и это связано с высоким коэффициентом усиления по току, который демонстрирует V-BCPT 36 .

Частота среза V-BCPT.

Выходные характеристики V-BCPT.

Когда происходит скопление тока, большая часть тока эмиттера протекает через края эмиттера в базовую область, оставляя большую часть центральной области эмиттера неактивной.Однако из контурного графика общей плотности тока V-BCPT, показанного на, видно, что в V-BCPT большая часть тока протекает через середину области эмиттера, а не по краям. Это происходит из-за неоднородной концентрации индуцированных дырок по оси X вдали от электродов основания. Это приводит к более низкому встроенному потенциальному барьеру () и, следовательно, к увеличению тока, протекающего в середине области эмиттера по сравнению с краями, что можно наблюдать на рис.Следовательно, большая часть тока проходит через середину устройства, что делает его невосприимчивым к скоплению тока на краях эмиттера, как это наблюдается в обычных BJT при высоких плотностях тока. Одним из преимуществ структуры V-BCPT является реализация поперечного изменения концентрации дырок в области основания, которое невозможно получить в обычном BJT.

Контурный график общей плотности тока V-BCPT для V BE = 0,7 В и V CE = 1 В.

Диаграмма энергетических зон V-BCPT вдоль оси Y.

Отличительной особенностью V-BCPT по сравнению с обычным BJT является наличие перехода металл-полупроводник на контактах эмиттера и базы. В зависимости от методов подготовки поверхности и осаждения металла нельзя исключать возможность наличия ловушек как донорного, так и акцепторного типов 37 на этих переходах металл-полупроводник. Концентрация ловушек может достигать 10 11 / см 2 , и их присутствие может влиять на усиление тока, как показано в литературе 17 , 35 .

Для моделирования влияния ловушек на коэффициент усиления по току мы рассмотрели оба типа ловушек с уровнем энергии ловушки (E.level) на 0,49 эВ от зоны проводимости (или валанса) 35 . Фактор вырождения (degen) составляет 12 35 , 38 , а сечения захвата для электронов (знак) и дырок (sigp) составляют 2,85 × 10 −15 / см 2 и 2,85 × 10 −14. / см 2 35 , [Программа моделирования устройств ATLAS, Silvaco Int., Санта-Клара, Калифорния, 2014.] соответственно.

С увеличением плотности ловушек, базовый ток V-BCPT увеличивается, и в результате наблюдается уменьшение коэффициента усиления по току V-BCPT, как показано на рис. Однако пиковый коэффициент усиления по току V-BCPT существенно высок даже для плотности ловушек 10 11 / см 2 . Как это принято в большинстве современных производственных процессов, подготовка поверхности должна хорошо регулироваться, чтобы контролировать плотность ловушек на переходе металл-полупроводник.Влияние поверхностных ловушек минимизирует 35 , 39 за счет введения естественного оксида на ~ 10–15 Å между контактами металл-полупроводник.

Пиковое усиление тока в зависимости от плотности ловушки для V-BCPT.

Обсуждение

В этой статье описывается вертикальный биполярный транзистор без легирования со скрытым металлическим слоем на КНИ. V-BCPT с алюминием в качестве скрытого металлического слоя может быть реализован с низким тепловым балансом. Результаты двухмерного моделирования V-BCPT показывают отличные электрические характеристики с точки зрения высокого коэффициента усиления по току, частоты отсечки и BV CEO · f T продукт.Также наблюдается, что предлагаемое устройство невосприимчиво к эффекту скопления тока на краях эмиттера при высоких плотностях тока коллектора. Наши результаты могут послужить стимулом для дальнейшего экспериментального исследования концепции V-BCPT.

Методы

Изготовление

Возможные этапы изготовления V-BCPT схематически показаны на. Сначала очистите Si-пластину пускового устройства и Si-пластину ручки () с помощью стандартного процесса RCA. Удалите естественный оксид на поверхности Si с помощью разбавленного раствора HF, а после этого сразу же распылите металлический Al, чтобы сформировать слой толщиной 100 нм на подложке Si.Используйте плазменную технологию соединения при комнатной температуре 13 , чтобы прикрепить Si-пластину устройства к Si-пластине ручки с верхним оксидным слоем толщиной 50 нм (). Отожгите склеенные пластины при 200 ° C в течение 2 часов, чтобы увеличить прочность склеивания. Утончите верхний слой кремния до толщины 250 нм.

Возможный процесс изготовления V-BCPT.

Поверх этой кремниевой пленки напыляют слой металлического гафния толщиной 10 нм с последующим нанесением оксидного слоя (200–350 ° C) методом химического осаждения из паровой плазмы (PECVD) ().Силицирование Hf происходит в интервале температур 600–765 ° C 40 . Необходимо следить за тем, чтобы последующая температура процесса не превышала указанный выше диапазон температур. Сформируйте эмиттерный электрод длиной 40 нм путем нанесения рисунка и травления (). После этого шага нанесите конформный низкотемпературный оксидный слой хорошего качества () и используйте реактивное ионное травление, чтобы сформировать боковую прокладку из оксида толщиной 10 нм с обеих сторон эмиттерного электрода (). Протравите кремний на глубину 60 нм по обе стороны от эмиттерного электрода с помощью RIE ().Затем распылите основной металл () и нанесите на него узор (). Путем химико-механической полировки с последующим нанесением пассивирующего оксидного слоя может быть получена предложенная структура, как показано на. Для контакта с коллекторным электродом можно открыть канавку в кремниевой пленке и распылить металлический алюминий, как показано на рис. Используя предложенный процесс изготовления, может быть реализован самовыравнивающийся плазменный транзистор с вертикальным биполярным зарядом со скрытым металлическим слоем.

Вклад авторов

M.J.K. концептуализировал и руководил проектом. К. провели моделирование. Все проанализировали данные и написали в соавторстве.

Список литературы

  • Рой С. Р. и Кумар М. Дж. Повышенное напряжение пробоя, уменьшение эффектов квазинасыщения и самонагрева в тонкопленочных биполярных транзисторах с КНИ для повышения надежности: исследование методом TCAD. IEEE Trans. Device Mater. Отн. 6. С. 306–314 (2006). [Google Scholar]
  • Sun I. S. M. et al. Боковые высокоскоростные биполярные транзисторы на SOI для приложений RF SoC.IEEE Trans. Электрон Дев. 52, 1376–1383 (2005). [Google Scholar]
  • Nii H. et al. Новый боковой биполярный транзистор с частотой 67 ГГц f (макс.) На тонкопленочной КНИ для аналоговых радиочастотных приложений. IEEE Trans. Электрон Дев. 47, 1536–1541 (2000). [Google Scholar]
  • Фогели Б. Т. et al. Высокопроизводительный, малосложный вертикальный PNP BJT, интегрированный в технологию SiGe BiCMOS 0,18 г Proc. IEEE BCTM 136–140 (2005). [Google Scholar]
  • Эль-Каре Б. et al. Технология SiGe BiCMOS с дополнительным напряжением 5 В для высокоскоростных прецизионных аналоговых схем. Proc. IEEE BCTM 211–214 (2003). [Google Scholar]
  • Ван К. Х. et al. Трехмерный 4F 2 ReRAM с вертикальным драйвером BJT с помощью процесса, совместимого с логикой CMOS. IEEE Trans. Электрон Дев. 58, 2466–2472 (2011). [Google Scholar]
  • Квон К. и Нам И. Метод линеаризации для преобразователя с использованием транзисторов с вертикальным биполярным переходом в процессе CMOS.IEEE Trans. Микроу. Теория и техн. 61, 195–203 (2013). [Google Scholar]
  • Бейн М. et al. SiGe HBT на связанных КНИ, включающих скрытые слои силицида. IEEE Trans. Электрон Дев. 52, 317–324 (2005). [Google Scholar]
  • Араи Т. et al. Предложение о биполярном транзисторе с гетеропереходом в металле и изготовлении HBT со скрытым вольфрамом. Proc. IPRM. 183–186 (1999). [Google Scholar]
  • Наяр В. et al. Оптические свойства связанного силицида кремния на изоляторе (S2OI): новая подложка для электронных и оптических устройств.Тонкие твердые пленки 313, 276–280 (1998). [Google Scholar]
  • Mitrovic I. Z., Buiu O., Hall S., Bagnall D. M. & Ashburn P. Обзор SiGe HBT на SOI. Твердотельный электрон. 49, 1556–1567 (2005). [Google Scholar]
  • Zhu S. Y., Ru G. P. и Huang Y. P. Изготовление подложек из силицида кремния на изоляторе с использованием методов соединения пластин и резки слоев. Proc. ICSICT 1. С. 673–675 (2001). [Google Scholar]
  • Chen C. et al. Исследование подложек кремний-на-изоляторе с заглубленным слоем MoSi 2 .Тонкие твердые пленки 517, 2724–2728 (2009). [Google Scholar]
  • Chiang M.-H., Lin J.-N., Kim K. & Chuang C.-T. Случайные колебания примеси в технологиях FinFET ограниченной ширины. IEEE Trans. Электрон Дев. 54, 2055–2060 (2007). [Google Scholar]
  • Мартинес А., Баркер Дж. Р., Свиженко А., Анантрам М. П. и Асенов А. Влияние случайной агрегации примесей в истоке и стоках на характеристики баллистических DG Nano-MOSFET: исследование NEGF. IEEE Trans. Нанотехнологии. 6. С. 438–445 (2007). [Google Scholar]
  • Хо Дж.С. et al. Контролируемое наноразмерное легирование полупроводников через молекулярные монослои. Nat. Матер. 7. С. 62–67 (2008). [PubMed] [Google Scholar]
  • Кумар М. Дж. И Надда К. Биполярный зарядовый плазменный транзистор: новое трехконтактное устройство. IEEE Trans. Электрон Дев. 59, 962–967 (2012). [Google Scholar]
  • Hueting R. J. E., Rajasekharan B., Salm V. & Schmitz J. Заряд плазменного p-n диода. IEEE Electron Dev. Lett. 29, 1367–369 (2008). [Google Scholar]
  • Раджасекхаран Б. et al. Изготовление и характеристика зарядно-плазменного диода. IEEE Electron Dev. Lett. 31, 528–530 (2010). [Google Scholar]
  • Надда К. и Кумар М. Дж. Биполярный транзистор с коллектором Шоттки без примесного эмиттера и базы: конструкция и характеристики. IEEE Trans. на Electron Dev. 60, 2956–2959 (2013). [Google Scholar]
  • Кумар М. Дж. И Джанардханан С. Туннельный полевой транзистор Doping-les: разработка и исследование. IEEE Trans. Электрон Дев. 60, 3285–3290 (2013).[Google Scholar]
  • Надда К. и Кумар М. Дж. Бездопинговый биполярный транзистор с f T Превосходя обычный биполярный транзистор. Proc. NSTI Nanotech. Конф. и Экспо 12–16 (2013). [Google Scholar]
  • Надда К. и Кумар М. Дж. Тонкопленочные биполярные транзисторы на рекристаллизованном поликристаллическом кремнии без примесных переходов: предложение и исследование. Журнал IEEE / OSA Disp. Technol. 10, 590–594 (2014). [Google Scholar]
  • Ссуда ​​С.А., Башир Ф., Рафат М., Аламуд А. Р. и Аббаси С. А. Боковой биполярный транзистор на основе высокоэффективной плазмы заряда на селективном скрытом оксиде. Полуконд. Sci. Technol. 29, 015011 (2014). [Google Scholar]
  • Саху К. и Сингх Дж. Зарядно-плазменный технологический беспереходный транзистор с иммунитетом. IEEE Electron Dev. Lett. 35, 411–413 (2014). [Google Scholar]
  • Башир Ф., Лоан С. А., Низамуддин М. и Шабир Х. Новый высокопроизводительный безмасштабированный боковой PNP-транзистор на кремнии на изоляторе.Proc. IMECS 2, 1–4 (2014). [Google Scholar]
  • Сингх С. и Кондекар П. Н. Бездопинговая сверхкрутая ударная ионизация МОП (бездопинговая ИМОС), основанная на инженерии работы выхода. Electronics Lett. 2014. Т. 50. С. 888–889. [Google Scholar]
  • Саху К., Гангули А. и Сингх Дж. Проектирование и проектирование характеристик симметричного биполярного зарядно-плазменного транзистора на КНИ. Electronics Lett. 50, 1461–1463 (2014) [Google Scholar]
  • Fet A., Häublein V., Bauer A. J., Ryssel H. & Frey L.Эффективная настройка работы выхода в пакетах металл-оксид-полупроводник с высоким κ диэлектриком с помощью легирования фтором и лантанидом. Прил. Phys. Латыши. 96, 053506-3 (2010). [Google Scholar]
  • Ши Дж., Кодзима Д. и Хашимото М. Взаимодействие между платиновыми пленками и кремниевыми подложками: эффекты смещения подложки во время напыления. J. Appl. Phys. 88, 1679–1683 (2000). [Google Scholar]
  • Клаассен Д. Б. М. Единая модель мобильности для моделирования устройств — I: Уравнения модели и концентрационная зависимость.Твердотельный электрон. 35, 953–959 (1992). [Google Scholar]
  • Selberherr S. Анализ и моделирование полупроводниковых приборов. (Вена, Нью-Йорк: Springer-Verlag, 1984). [Google Scholar]
  • Клаассен Д. Б. М. Единая модель подвижности для моделирования устройств — II: Температурная зависимость подвижности носителей и времени жизни. Твердотельный электрон. 35, 961–967 (1992). [Google Scholar]
  • Сирахата М., Кусано Х., Котани Н. Кусаноки С., Акасака Ю. Модель мобильности, включая эффект экранирования в инверсионном слое МОП.IEEE Trans. Comput.-Aided Design Integr. Circuits Syst. 11. С. 1114–1119 (1992). [Google Scholar]
  • Кумар М. Дж. И Парихар В. Транзистор с поверхностным накопительным слоем (SALTran): новый биполярный транзистор для увеличения коэффициента усиления по току и уменьшения деградации горячих носителей. IEEE Trans. Dev. и матер. Надежность 4. С. 509–515 (2004). [Google Scholar]
  • Кумар М. Дж. И Сингх П. Биполярный супер-бета-транзистор, использующий концепцию транзистора с поверхностным накопительным слоем на основе SiGe (SALTran): исследование моделирования IEEE Trans .на Electron Dev. 53, 577–579 (2006). [Google Scholar]
  • Зиглер К. Различие донорного и акцепторного характера поверхностных состояний на границе Si-SiO 2 . Прил. Phys. Lett. 32, 249–251 (1978). [Google Scholar]
  • Ли С. Полупроводниковая физическая электроника. (Springer-Verlag, Нью-Йорк, 2006). [Google Scholar]
  • Элтухи А. и Рулстон Д. Дж. Роль межфазного слоя в поликремниевых эмиттерных биполярных транзисторах. IEEE Trans. Электрон Дев. 29, 1862–1869 (1982).[Google Scholar]
  • Джонсон-Стейгельман Х. Т., Бринк А. В., Парихар С. С. и Лайман П. Ф. Образование силицида гафния на Si (001). Phys. Ред. B 69, 235322–6 (2004). [Google Scholar]

PMP9044 Обратный ход с регулировкой на первичной стороне для универсального трехфазного входа переменного тока с эталонной конструкцией биполярного транзистора


См. Важное примечание и Заявление об ограничении ответственности, относящиеся к эталонным проектам и другим ресурсам TI.


Описание

В эталонной конструкции PMP9044 используется регулируемый обратный регулятор первичной стороны UCC28720 для генерации выходного сигнала 3,3 В / 0,5 А от трехфазного универсального входа переменного тока. Биполярный транзистор используется в качестве переключателя на первичной стороне, чтобы минимизировать стоимость схемы.

См. Важное примечание и заявление об ограничении ответственности, относящиеся к эталонным проектам и другим ресурсам TI.

Устройства TI (1)

Закажите образцы, получите инструменты и найдите дополнительную информацию о продуктах TI в этом справочном дизайне.

Номер детали Имя Семейство продуктов Образец и покупка Конструкторские комплекты и оценочные модули
UCC28720 Регулятор постоянного напряжения и постоянного тока с регулировкой на первичной стороне для биполярных силовых устройств Автономные и изолированные контроллеры и преобразователи постоянного / постоянного тока Образец и покупка Посмотреть конструкторские комплекты и оценочные модули

Символы CAD / CAE

Texas Instruments and Accelerated Designs, Inc.сотрудничали друг с другом, чтобы предоставить клиентам TI схематические символы и посадочные места на печатных платах для продуктов TI.

Шаг 1 : Загрузите и установите бесплатную загрузку.

Шаг 2 : Загрузите символ и посадочное место из таблицы файла CAD.bxl.

Texas Instruments и Accelerated Designs, Inc. сотрудничали друг с другом, чтобы предоставить клиентам TI схематические символы и посадочные места на печатных платах для продуктов TI.

Шаг 1 : Загрузите и установите бесплатную загрузку.

Шаг 2 : Загрузите символ и посадочное место из таблицы файла CAD.bxl.

Шаг 3 : Откройте файл .bxl с помощью программного обеспечения Ultra Librarian.

Вы всегда можете получить доступ к полной базе данных символов CAD / CAE по адресу https://webench.ti.com/cad/

Посадочные места печатной платы и условные обозначения доступны для загрузки в формате, не зависящем от производителя, который затем может быть экспортирован в ведущие инструменты проектирования EDA CAD / CAE с помощью Ultra Librarian Reader.Ридер доступен в виде (скачать бесплатно).

UL Reader — это подмножество набора инструментов Ultra Librarian, которое может создавать, импортировать и экспортировать компоненты и их атрибуты практически в любом формате EDA CAD / CAE.


Техническая документация

См. Важное примечание и Заявление об ограничении ответственности, относящиеся к эталонным проектам и другим ресурсам TI.

Руководство пользователя (1)
Файлы дизайна (3)

Поддержка и обучение

Выполните поиск в нашей обширной онлайн-базе знаний, где доступны миллионы технических вопросов и ответов круглосуточно и без выходных.

Найдите ответы от экспертов TI

Контент предоставляется «КАК ЕСТЬ» соответствующими участниками TI и Сообществом и не является спецификациями TI.
См. Условия использования.

Если у вас есть вопросы о качестве, упаковке или заказе продукции TI, посетите нашу страницу поддержки.


В чем разница между MOSFET и BJT?

ОСНОВНЫЕ ЗНАНИЯ — MOSFET VS.BJT В чем разница между MOSFET и BJT?

Автор / Редактор: Люк Джеймс / Erika Granath

Полевой транзистор металл-оксид-полупроводник (MOSFET) и биполярный переходный транзистор (BJT) — это два типа транзисторов, которые выпускаются в различных корпусах, и тем, кто не знаком с электроникой, часто сложно решить, какой из них следует использовать. в своих проектах.

Связанные компании

Хотя и MOSFET, и BJT являются транзисторами, они работают по-разному и ведут себя по-разному.

(Источник: Юрий Захачевский)

Хотя и MOSFET, и BJT являются транзисторами, они работают по-разному и ведут себя по-разному, поэтому используются по-разному.

Что такое полевой МОП-транзистор?

Рисунок 1: Структура полевого МОП-транзистора.

(Источник: Electronic Tutorials)

Полевой транзистор металл-оксид-полупроводник (MOSFET) представляет собой разновидность полевого транзистора (FET) , который состоит из трех выводов — затвора, истока и стока.В полевом МОП-транзисторе сток управляется напряжением на выводе затвора, поэтому полевой МОП-транзистор является устройством, управляемым напряжением. Напряжение, приложенное к затвору, определяет, сколько тока течет в сток. MOSFET доступны двух типов: « p-channel » и « n-channel ». Оба эти типа могут находиться в режиме увеличения или истощения (см. Рисунок 1). Это означает, что всего существует четыре различных типа полевых МОП-транзисторов.

В полевых МОП-транзисторах с каналом p-типа выводы истока и стока выполнены из полупроводника p-типа.Аналогичным образом, в n-канальных полевых МОП-транзисторах выводы истока и стока сделаны из полупроводника n-типа. Сам вывод затвора сделан из металла и отделяется от выводов истока и стока с помощью оксида металла. Такой уровень изоляции обеспечивает низкое энергопотребление и является основным преимуществом транзисторов этого типа. Часто полевые МОП-транзисторы используются в маломощных устройствах или в качестве строительных блоков для снижения энергопотребления.

Режим истощения: Когда напряжение на клемме затвора низкое, канал демонстрирует максимальную проводимость.Поскольку напряжение на зажимах затвора является положительным или отрицательным, проводимость канала снижается.

Режим улучшения: , когда напряжение на клемме затвора низкое, устройство не проводит ток, если на клемму затвора не подается большее напряжение.

Что такое BJT?

Биполярный переходной транзистор (BJT) — это устройство, управляемое током (в отличие от MOSFET, управляемое напряжением), которое, среди прочего, широко используется в качестве усилителя, генератора или переключателя. Биполярный транзистор имеет три контакта — базу, коллектор и эмиттер — и два перехода: p-переход и n-переход.

Существует два типа BJT — PNP и NPN . Каждый тип имеет большой коллекторный элемент и большой эмиттерный элемент, которые легированы одинаковым образом. Между этими структурами находится небольшой слой другого легирующего агента, называемого «основой». Ток течет в коллекторе PNP и выходит из эмиттера. В NPN полярность противоположная, и ток течет в эмиттере и выходит из коллектора. В любом случае направление тока в базе такое же, как и на коллекторе.

Рисунок 2: Принцип работы BJT.

(Источник: Electronic Tutorials)

По сути, работа BJT-транзистора определяется током на его базовом выводе. Например, небольшой базовый ток равен небольшому току коллектора. Выходной ток BJT всегда равен входному току, умноженному на коэффициент, известный как «усиление», обычно в 10-20 раз превышающий базовый ток.

MOSFET vs BJT: в чем разница?

Рисунок 3: Разница между BJT и MOSFET.

(Источник: Electronic Tutorials)

Между MOSFET и BJT есть много различий.

  • MOSFET (управляемый напряжением) представляет собой металлооксидный полупроводник, тогда как BJT (управляемый током) представляет собой транзистор с биполярным переходом.
  • Хотя оба имеют по три клеммы, они отличаются. MOSFET имеет исток, сток и затвор, тогда как BJT имеет базу, эмиттер и коллектор.
  • MOSFET идеально подходят для приложений большой мощности, тогда как BJT чаще используются в приложениях с низким током.
  • BJT зависит от тока на его базовом выводе, тогда как MOSFET зависит от напряжения на электроде затвора с оксидной изоляцией.
  • Структура MOSFET по своей природе более сложна, чем структура BJT.

Что лучше?

И MOSFET, и BJT имеют уникальные характеристики, а также свои плюсы и минусы. К сожалению, мы не можем сказать, что «лучше», потому что вопрос очень субъективен. На этот вопрос нет однозначного и однозначного ответа.

При выборе того, что использовать в проекте, необходимо учитывать множество различных факторов, чтобы прийти к решению. Сюда входят уровень мощности , напряжение привода, эффективность, стоимость и скорость переключения, среди прочего — вот где действительно полезно знать ваш проект!

Как правило, полевые МОП-транзисторы более эффективны в источниках питания. В устройстве с батарейным питанием, где нагрузка переменная, а источник питания ограничен, например, использование BJT было бы плохой идеей. Однако, если BJT используется для питания чего-то с предсказуемым потреблением тока (например, светодиодов), тогда это будет хорошо, потому что ток база-эмиттер может быть установлен на долю тока светодиода для повышения эффективности.

(ID: 46385462)

Обзор биполярных транзисторов

Биполярный транзистор, полное название биполярного переходного транзистора (BJT), представляет собой электронное устройство с тремя выводами, сделанное из трех частей полупроводников с разными уровнями легирования. Поток заряда в транзисторе происходит в основном из-за диффузионного и дрейфового движения носителей в PN-переходе …

Bipolar T ransistor , full name bipolar junction transistora> (BJT), представляет собой электронное устройство с тремя клеммы, выполненные из трех частей из полупроводников с разным уровнем легирования.Поток заряда в транзисторе в основном происходит из-за диффузионного и дрейфового движения носителей в PN-переходе.

Работа этого типа транзистора связана с потоком электронов и дырок, поэтому он является биполярным и называется биполярным транзистором-носителем. Этот режим работы отличается от униполярных транзисторов, таких как полевые транзисторы, которые включают дрейф только одного типа несущей. Граница между двумя различными областями накопления примеси образована PN-переходом.

Биполярные транзисторы

могут усиливать сигналы и обладают хорошим регулированием мощности, высокой скоростью работы и долговечностью, поэтому их часто используют для формирования схем усилителя или привода динамиков, двигателей и другого оборудования. Они также широко используются в аэрокосмической технике, медицинском оборудовании и роботах.

Основы биполярных транзисторов

Каталог

I Транзистор биполярный и униполярный

Биполярный транзистор — революционное изобретение в истории электроники.Его изобретатели Уильям Шокли, Джон Бардинг и Уолтер Брэтон были удостоены Нобелевской премии по физике в 1956 году.

Работа этого типа транзистора включает поток как носителей электронов , так и дырочных носителей , поэтому он является биполярным и называется биполярным транзистором-носителем. Этот режим работы отличается от униполярных транзисторов, таких как полевые транзисторы, которые включают дрейф только одного типа несущей. Граница между двумя различными областями накопления легирующей примеси образована PN-переходом.

BJT

полевой транзистор

Устройство контроля тока

Устройство, управляемое напряжением

Имеет низкое входное сопротивление

Имеет очень высокое входное сопротивление

Биполярное устройство

Устройство униполярное

Более шумный

Менее шумный

Менее термостабильный

Более стабильная температура

Обычно большой размер

Обычно небольшие по размеру

Биполярные транзисторы

состоят из трех частей полупроводников с различными уровнями легирования .Поток заряда в транзисторе в основном происходит из-за диффузионного и дрейфового движения носителей в PN-переходе. Если взять в качестве примера NPN-транзистор, согласно конструкции, электроны в высоколегированной области эмиттера перемещаются к базе посредством диффузии. В основной области дырки являются основными носителями, а электроны — неосновными носителями. Поскольку площадь основания очень тонкая, эти электроны достигают коллектора посредством дрейфующего движения, тем самым формируя ток коллектора, поэтому биполярные транзисторы классифицируются как устройства с неосновными носителями.

Биполярные транзисторы

могут усиливать сигналы и обладают хорошим регулированием мощности, возможностью высокоскоростной работы и долговечностью, поэтому они часто используются для формирования схем усилителя или привода динамиков, двигателей и другого оборудования и широко используются в аэрокосмической технике, медицинском оборудовании и роботы.

II Как работает биполярный транзистор?

Здесь мы берем биполярный транзистор NPN в качестве цели для обсуждения принципа работы биполярных транзисторов.

Биполярный транзистор типа NPN можно рассматривать как два диода с общим анодом, соединенных вместе. При нормальной работе биполярного транзистора переход база-эмиттер («коллекторный переход») находится в состоянии прямого смещения, в то время как база-коллектор («коллекторный переход») находится в состоянии обратного смещения.

Рисунок 1. Поперечное сечение биполярного транзистора PNP

Когда нет приложенного напряжения, концентрация электронов в N-области эмиттерного перехода (большинство носителей в этой области) больше, чем концентрация электронов в P-области, и часть электронов будет диффундировать в P-область. .Таким же образом часть отверстий в области P также будет распространяться в область N. Таким образом, на эмиттерном переходе образуется область пространственного заряда (также известная как обедненный слой), генерирующая внутреннее электрическое поле, направление которого — от области N к области P. Это электрическое поле будет препятствовать дальнейшему протеканию вышеупомянутого процесса диффузии и достичь динамического баланса.

В это время, если прямое напряжение приложено к эмиттерному переходу, динамический баланс между вышеупомянутой диффузией носителей и внутренним электрическим полем в обедненном слое будет нарушен, что вызовет инжекцию термически возбужденных электронов в базовый регион.В NPN-транзисторе базовая область легирована P-типом, где дырки являются основной примесью, поэтому электроны в этой области называются «неосновными носителями».

С одной стороны, электроны, инжектированные из эмиттера в базовую область, здесь рекомбинируют с дырками основных носителей заряда, с другой стороны, потому что базовая область слабо легирована с тонким физическим размером, а коллекторный переход находится в обратном смещении. В таком состоянии большая часть электронов достигнет области коллектора посредством дрейфующего движения, образуя ток коллектора.

Чтобы минимизировать рекомбинацию электронов до того, как они достигнут коллекторного перехода, базовая область транзистора должна быть сделана достаточно тонкой, чтобы время, необходимое для диффузии носителей, было меньше, чем время жизни неосновных полупроводниковых носителей.

При этом толщина базы должна быть намного меньше диффузионной длины электронов (см. Закон Фика). В современных биполярных транзисторах толщина базовой области обычно составляет несколько десятых микрон.

Следует отметить, что, хотя коллектор и эмиттер легированы N-типом, степень легирования и физические свойства у них не одинаковы. Следовательно, биполярный транзистор следует отличать от двух диодов, соединенных последовательно в противоположных направлениях.

III Типы биполярных транзисторов

Биполярный транзистор состоит из трех различных легированных полупроводниковых областей, которые представляют собой эмиттерную область , базовую область и коллекторную область .Эти области представляют собой полупроводники N-типа, P-типа и N-типа в транзисторах типа NPN и полупроводники P-типа, N-типа и P-типа в транзисторах типа PNP. У каждой полупроводниковой области есть штыревой конец, обычно с буквами E, B и C, обозначающими эмиттер, базу и коллектор.

База физически расположена между эмиттером и коллектором, и она сделана из легированных материалов с высоким удельным сопротивлением. Коллектор окружает основание. Из-за обратного смещения коллекторного перехода отсюда электронам трудно инжектировать в область базы.Это приводит к тому, что коэффициент усиления по току общей базы становится примерно равным 1, в то время как коэффициент усиления по току общего эмиттера больше. Числовое значение.

В биполярном транзисторе NPN площадь коллекторного перехода больше, чем эмиттерного перехода. Кроме того, эмиттер имеет относительно высокую концентрацию легирования.

В нормальных условиях некоторые области биполярных транзисторов асимметричны по физическим свойствам и геометрическим размерам. Предполагая, что транзистор, включенный в схему, расположен в области прямого усилителя, если в это время поменять местами соединение коллектора и эмиттера транзистора в схеме, транзистор выйдет из области прямого усилителя и войдет в рабочую область обратного направления.

Внутренняя структура транзистора определяет, что он подходит для работы в области прямого усилителя, поэтому коэффициент усиления по току общей базы и коэффициент усиления по току общего эмиттера в обратной рабочей области намного меньше, чем в области прямого усилителя.

Эта функциональная асимметрия в основном связана с разными уровнями легирования эмиттера и коллектора. Следовательно, в NPN-транзисторе, хотя коллектор и эмиттер оба легированы N-типом, электрические свойства и функции обоих не могут быть взаимозаменяемы вообще.

Эмиттерная область имеет наивысшую степень легирования , коллекторная область является второй, а базовая область имеет самую низкую степень легирования. Кроме того, физические размеры трех регионов также различаются. Базовая область очень тонкая, а площадь коллектора больше, чем площадь эмиттера. Поскольку биполярный транзистор имеет такую ​​структуру материала, он может обеспечивать обратное смещение для коллекторного перехода, но при этом предполагается, что обратное смещение не может быть слишком большим, иначе транзистор будет поврежден.Целью сильного легирования эмиттера является повышение эффективности инжекции электронов из эмиттера в базовую область для достижения максимально возможного усиления по току.

При соединении биполярных транзисторов с общим эмиттером небольшие изменения напряжения, приложенного к базе и эмиттеру, вызовут значительные изменения тока между эмиттером и коллектором. Используя это свойство, вы можете усилить входной ток или напряжение.

Что касается базы биполярного транзистора в качестве входа и коллектора в качестве выхода, двухпортовая сеть может быть проанализирована с помощью теоремы Тевенина.Используя принцип эквивалентности, биполярный транзистор можно рассматривать как источник тока, управляемый напряжением, или источник напряжения, управляемый током.

1.

NPN Тип

NPN-транзистор — это один из двух типов биполярных транзисторов. Он состоит из двух слоев легированных областей N-типа и слоя легированного полупроводника P-типа (основы) между ними. Крошечный ток, подаваемый на базу, будет усилен, создавая больший ток коллектор-эмиттер.

Когда базовое напряжение NPN-транзистора выше, чем напряжение эмиттера, а напряжение коллектора выше, чем базовое напряжение, транзистор находится в состоянии прямого усилителя.В этом состоянии между коллектором и эмиттером транзистора есть ток. Усиленный ток является результатом того, что электроны инжектируются эмиттером в базовую область (неосновные носители в базовой области) и перемещаются к коллектору под действием электрического поля. Поскольку подвижность электронов выше подвижности дырок , большинство используемых сегодня биполярных транзисторов относятся к типу NPN.

Электрический символ биполярного транзистора NPN показан справа, а стрелка между базой и эмиттером указывает на эмиттер.

Рисунок 2. a) Символ биполярного транзистора NPN b) Символ биполярного транзистора PNP

2.

PNP Тип

Другой тип — биполярный транзистор PNP, который состоит из двух слоев легированных областей P-типа и слоя легированных полупроводников N-типа между ними. Крошечный ток, протекающий через базу, можно усилить на конце эмиттера. Другими словами, когда базовое напряжение PNP-транзистора ниже, чем у эмиттера, напряжение коллектора ниже, чем базовое напряжение, и транзистор находится в области прямого усилителя.

В символе биполярного транзистора стрелка между базой и эмиттером указывает направление тока. В отличие от типа NPN, стрелка транзистора типа PNP указывает от эмиттера к базе.

3.

Гетеропереход

Биполярный транзистор с гетеропереходом — это улучшенный биполярный транзистор, способный к высокоскоростной работе . Исследования показали, что этот транзистор может обрабатывать сверхвысокочастотные сигналы с частотами до нескольких сотен ГГц, поэтому он подходит для приложений, требующих жестких рабочих скоростей, таких как усилители мощности ВЧ и драйверы лазеров.

Гетеропереход — это тип PN-перехода. Два конца этого перехода изготовлены из различных полупроводниковых материалов . В этом типе биполярного транзистора эмиттерный переход обычно имеет структуру гетероперехода, то есть материал с широкой запрещенной зоной используется в области эмиттера, а материал с узкой запрещенной зоной используется в области базы. Обычный гетеропереход использует GaAs для создания основной области и AlxGa1-xAs для создания области эмиттера. С такой структурой гетероперехода эффективность инжекции биполярного транзистора может быть улучшена, а коэффициент усиления по току также может быть увеличен на несколько порядков.

Концентрация легирования в базовой области биполярного транзистора с гетеропереходом может быть значительно увеличена, так что сопротивление базового электрода и ширина базовой области могут быть уменьшены. В традиционном биполярном транзисторе, то есть транзисторе с гомопереходом, эффективность инжекции носителей из эмиттера в базу в основном определяется соотношением легирования эмиттера и базы. В этом случае, чтобы получить более высокую эффективность инжекции, базовая область должна быть слегка легирована, что неизбежно увеличивает базовое сопротивление.

В базовой области состав полупроводникового материала распределен неравномерно, что приводит к постепенному изменению ширины запрещенной зоны базовой области. Эта медленно изменяющаяся ширина запрещенной полосы может создавать внутреннее электрическое поле для неосновных носителей, ускоряющее их через базовую область. Это дрейфовое движение будет иметь синергетический эффект с диффузионным движением, чтобы уменьшить время прохождения электронов через базовую область, тем самым улучшая высокочастотные характеристики биполярного транзистора.

Параметры

Si Биполярный

SiGe HBT

GaAs полевой транзистор

GaAs HEMT

GaAs HBT

Прирост

Обычный

Хорошо

Хорошо

Хорошо

Хорошо

Плотность мощности

Хорошо

Хорошо

Обычный

Отлично

Хорошо

Эффективность

Обычный

Хорошо

Отлично

Хорошо

Хорошо

Знак отличия

Отлично

Хорошо

Отлично

Отлично

Хорошо

Напряжение пробоя

Отлично

Отлично

Хорошо

Хорошо

Хорошо

Одиночный источник питания

×

×

Хотя для создания транзисторов с гетеропереходом можно использовать множество различных полупроводников, чаще используются транзисторы с гетеропереходом кремний-германий и транзисторы с гетеропереходом на основе арсенида алюминия и галлия.Процесс изготовления транзисторов с гетеропереходом представляет собой кристаллическую эпитаксию, такую ​​как эпитаксия из паровой фазы металлоорганических соединений (MOCVD) и молекулярно-лучевая эпитаксия.

IV Параметры

1.

Рассеиваемая мощность коллектора

Максимальная рассеиваемая мощность коллектора биполярного транзистора — это максимальная мощность, при которой устройство может нормально работать при определенной температуре и условиях рассеивания тепла. В тех же условиях, если фактическая мощность превышает это значение, температура транзистора превысит максимально допустимое значение, что ухудшит производительность устройства и даже приведет к физическому повреждению.

2.

Ток и напряжение

Когда ток коллектора увеличивается до определенного значения, хотя биполярный транзистор не будет поврежден, коэффициент усиления по току будет значительно уменьшен. Чтобы транзистор нормально работал, как задумано, необходимо ограничить значение тока коллектора. Кроме того, поскольку биполярные транзисторы имеют два PN перехода, их обратное напряжение смещения не может быть слишком большим, чтобы предотвратить обратный пробой PN перехода.В техническом описании биполярного переходного транзистора эти параметры подробно перечислены.

Когда напряжение обратного смещения коллектора силового биполярного транзистора превышает определенное значение, а ток, протекающий через транзистор, превышает определенный допустимый диапазон, в результате чего мощность транзистора превышает критическую мощность вторичного пробоя, возникает своего рода возникнет опасное явление « секундная поломка ». В этом случае ток, выходящий за пределы расчетного диапазона, вызовет локальный температурный дисбаланс в различных областях внутри устройства, а температура в некоторых областях выше, чем в других областях.

Поскольку легированный кремний имеет отрицательный температурный коэффициент , его проводимость выше, когда он находится при более высокой температуре. Таким образом, более горячая часть может проводить больше тока, и эта часть тока будет генерировать дополнительное тепло, в результате чего локальная температура превысит нормальное значение, и устройство не сможет нормально работать.

Вторичный пробой — это разновидность теплового разгона. При повышении температуры проводимость будет еще больше увеличиваться, вызывая порочный круг и в конечном итоге серьезно разрушая структуру транзистора.Весь процесс вторичной поломки может быть завершен за миллисекунды или микросекунды.

Если эмиттерный переход биполярного транзистора обеспечивает обратное смещение, которое превышает допустимый диапазон и не ограничивает ток, протекающий через транзистор, в эмиттерном переходе произойдет лавинный пробой, который приведет к повреждению устройства.

3.

Температурный дрейф

Как аналоговое устройство, все параметры биполярных транзисторов в той или иной степени зависят от температуры, особенно на коэффициент усиления по току.Согласно исследованиям, каждый раз при повышении температуры на 1 градус Цельсия коэффициент усиления тока увеличивается примерно на 0,5–1%.

4.

Радиационная стойкость

Биполярные транзисторы более чувствительны к ионизирующему излучению . Если транзистор находится в среде ионизирующего излучения, устройство будет повреждено излучением. Повреждение происходит из-за того, что излучение вызывает дефекты в области основания, которые образуют центры рекомбинации в энергетической зоне.Это приведет к более короткому сроку службы неосновных носителей, которые работают в устройстве, что, в свою очередь, постепенно снизит производительность транзистора.

Биполярные транзисторы

типа NPN имеют большую эффективную площадь рекомбинации носителей в радиационной среде, и отрицательное влияние более значимо, чем у транзисторов типа PNP. В некоторых специальных приложениях, таких как электронные системы управления в ядерных реакторах или космических кораблях, должны использоваться специальные меры для смягчения негативного воздействия ионизирующего излучения.

В Рабочая область

В зависимости от состояния смещения трех выводов транзистора можно определить несколько различных рабочих областей биполярного транзистора. В полупроводниках NPN (примечание: профили напряжения PNP-транзисторов и NPN-транзисторов прямо противоположны) по смещению эмиттерного перехода и коллекторного перехода рабочую область можно разделить на:

1.

Область усилителя биполярного транзистора

(1) Область прямого усилителя

Когда эмиттерный переход смещен в прямом направлении, а коллекторный переход — в обратном, транзистор работает в области усилителя.Конструктивная цель большинства биполярных транзисторов — получить максимальное усиление по току с общим эмиттером , бф в области прямого усилителя. Когда транзистор работает в этой области, ток коллектор-эмиттер и ток базы примерно линейны. Из-за усиления тока, когда ток базы немного нарушен, ток коллектор-эмиттер значительно изменится.

(2) Область обратного усилителя

Если вышеупомянутые напряжения смещения эмиттера и коллектора транзистора в области прямого усилителя поменять местами, биполярный транзистор будет работать в области обратного усилителя.В этом режиме работы области эмиттера и коллектора полностью противоположны функциям в области прямого усилителя. Однако, поскольку концентрация легирования коллектора транзистора ниже, чем у эмиттера, эффект, производимый областью обратного усилителя, не такой, как в области прямого усилителя.

Целью конструкции большинства биполярных транзисторов является получение максимального усиления по току прямого усилителя. Следовательно, коэффициент усиления по току в области обратного усилителя будет меньше, чем в области прямого усилителя.Фактически, этот режим работы вряд ли принят, но для предотвращения повреждения устройства или других опасностей, вызванных неправильным подключением, его необходимо учитывать при проектировании. Кроме того, некоторые типы биполярных логических устройств также учитывают область обратного усилителя.

Рис. 3. Отсечка и насыщение в прямом и обратном направлении BJT

2. Область насыщенности

Когда два PN перехода в биполярном транзисторе оба смещены в прямом направлении, транзистор будет в области насыщения.В это время ток от эмиттера до коллектора транзистора достигает максимального значения. Даже если базовый ток увеличится, выходной ток больше не будет увеличиваться. Область насыщения может использоваться для обозначения высокого уровня логических устройств.

3.

Обрезка

Если смещение двух PN переходов биполярного транзистора точно противоположно смещению в области насыщения, то транзистор будет в области отсечки.В этом режиме работы выходной ток очень мал (менее 1 мкА для маломощных кремниевых транзисторов и менее даже мкА для германиевых транзисторов), что можно использовать для представления низких уровней в цифровой логике.

4.

Лавина

Когда обратное смещение, приложенное к коллекторному переходу, превышает диапазон, который может выдержать коллекторный переход, PN-переход будет поврежден. Если сила тока достаточно велика, устройство выйдет из строя.

Кроме того, когда мы анализируем и проектируем схемы биполярных транзисторов, следует отметить, что максимальная мощность рассеяния коллектора Pcm биполярного транзистора не может быть превышена. Если рабочая мощность транзистора меньше этого значения, совокупность этих рабочих состояний называется безопасной рабочей зоной. Если рабочая мощность транзистора превышает этот предел, температура устройства выйдет за пределы нормального диапазона, и производительность устройства значительно изменится и даже вызовет повреждение.

Допустимая температура перехода кремниевых транзисторов составляет от 150 до 200 градусов Цельсия. Максимально допустимое рассеивание мощности может быть увеличено за счет уменьшения внутреннего теплового сопротивления, использования радиаторов и таких мер, как воздушное охлаждение, водяное охлаждение и масляное охлаждение.

alexxlab

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *