Биполярные транзисторы справочник: портал и журнал для разработчиков электроники — RC74 — интернет-магазин радиоуправляемых моделей

Содержание

Справочник по транзисторам мощным отечественным биполярным. Импортные аналоги.

								На главную страницу \|\| Карта сайта Справочник транзисторов маломощных биполярных. Справочник транзисторов средней мощности высокочастотных, биполярных. Справочник полевых транзисторов отечественных. Справочник отечественных smd транзисторов . Каталог MOSFET транзисторов . Использование справочных данных транзисторов для расчета ключевой схемы с резистивной нагрузкой. Использование справочных данных транзистора для расчета ключевой схемы с индуктивной нагрузкой.
								От составителя: В справочник по мощным транзисторам вошла как документация из изданных еще при СССР каталогов, так и информация из справочных листков и документация с сайтов производителей. Основой является таблица, где приведено наименование транзистора, аналоги, тип проводимости, тип корпуса, максимально допустимые ток и напряжения и коэффициент усиления, то есть основные параметры, по которым выбирается транзистор. Руководствуясь этой таблицей, можно значительно сузить область поиска. Если транзистор по этим данным подходит, можно просмотреть краткий справочный листок (только для распространенных приборов, например, КТ502, КТ503, КТ814, КТ815, КТ816, КТ817, КТ818, КТ819, КТ825, КТ827, КТ829, КТ837, КТ838, КТ846, КТ940, КТ961, КТ972, КТ973, КТ8101, КТ8102), где приведены только основные параметры транзисторов (которых, впрочем, достаточно для грубых расчетов), фото с цоколевкой, аналоги и производители. Для более детального изучения характеристик нужно открыть datasheet, где уже есть графики зависимостей параметров и редко требующиеся характеристики. Фильтр параметров позволяет сформировать в справочнике списки по функциональным особенностям транзисторам Содержание: Раздел составных транзисторов (всего 49 штук) Раздел мощных высоковольтных транзисторов (всего 64 штук) Раздел p-n-p транзисторов (всего 56 штук) Раздел n-p-n транзисторов (всего 138 штук) Показать/скрыть краткое описание транзисторов Всего в справочнике приведено подробное описание более 140 отечественных мощных транзисторов и более 100 их импортных аналогов.
Фильтр параметров: n-p-n p-n-p Составные транзисторы Высоковольтные Показать все
Типы корпусов

Наименование	Аналог	Корпус	PDF	Тип	Imax, A	Umax, В	h31e max
КТ501(А-Е)	BC212	TO-18		pnp	0,3	30	240	КТ501 предназначен для применения в усилителях низкой частоты. Справочные данные транзистора КТ501 содержатся в даташит.
КТ502(А-Е)	MPSA56	TO-92		pnp	0,15	90	240	Транзистор КТ502(А-Е) в корпусе ТО-92, предназначен для применения в усилителях низкой частоты . Подробные параметры КТ502 и цоколевка приведены в даташит. Аналог КТ502 — MPSA56. Комплементарная пара КТ503.
КТ503(А-Е)	2SC2240	TO-92		npn	0,15	100	240	Универсальный транзистор КТ503(А-Е) в корпусе TO-92, предназначен для работы в усилителях НЧ. Подробные характеристики, графики зависимостей параметров и цоколевка КТ503 приведены в datasheet. Аналог КТ503 — 2SC2240. Комплементарная пара (транзистор обратной проводимости с близкими параметрами) — КТ502.
КТ504(А,Б,В)	BSS73	TO-39		npn	1	350	100	КТ504(А-В) в металлическом корпусе, для применения в преобразователях. Цоколевка и характеристики КТ504 содержатся в datasheet. Импортный аналог КТ504 — BSS73.
KТ505(А,Б)	BSS76	TO-39		pnp	1	300	100	КТ505(А,Б) в металлическом корпусе предназначен для применения в источниках вторичного электропитания (ИВЭП). Параметры и характеристики приведены в справочном листке.
КТ506(А,Б)	BUX54	TO-39		npn	2	800	30	КТ506А и КТ506Б для переключающих устройств. Импортным аналогом КТ506 является BUX54.
2Т509А		TO-39		pnp	0,02	450	60	2Т509 для высоковольтных стабилизаторов напряжения.
КТ520(А,Б)	MPSA42	TO-92 DPAK		npn	0.5	300	40	Высоковольтный транзистор КТ520 используется в выходных каскадах видеоусилителей и высоковольтных переключательных схемах.
КТ521(А,Б)	MPSA92	TO-92		pnp	0.5	300	40	Высоковольтный транзистор КТ521 является комплиментарной парой для КТ520.
КТ529А		TO-92		pnp	1	60	250	КТ529, его параметры рассчитаны под схемы с низким напряжением насыщения. Комплементарная пара — КТ530.
КТ530А		TO-92		npn	1	60	250	Описание транзистора КТ530. Его характеристики аналогичны КТ529, является его комплементарной парой.
КТ538А	MJE13001	TO-92		npn	0.5	600	90	Высоковольтный КТ538 используется в высоковольтных переключательных схемах. Подробно параметры описаны в справочном листке.
КТ704(А-В)	MJE18002			npn	2,5	500	100	КТ704, предназначен для применения в импульсных высоковольтных модуляторах.
ГТ705(А-Д)				npn	3,5	30	250	ГТ705 предназначен для применения в усилителях мощности НЧ .
2Т708(А-В)	2SB678	TO-39		pnp	2,5	100	1500	составной транзистор 2Т708 предназначен для применения в усилителях и переключательных устройствах.
2Т709(А-В)	BDX86	TO-3		pnp	10	100	2000	мощный составной транзистор 2Т709 для усилителей и переключательных устройств. Подробно характеристики описаны в справочном листке.
КТ710А		TO-3		npn	5	3000	40	КТ710А для применения в высоковольтных стабилизаторах и переключающих устройствах.
КТ712(А,Б)	BU806	TO-220		pnp	10	200	1000	мощные составные транзисторы КТ712А и КТ712Б. Характеристики заточены для применения в источниках вторичного электропитания и стабилизаторах.
2Т713А		TO-3		npn	3	2500	20	2Т713, параметры адаптированы для применения в высоковольтных стабилизаторах
2Т716 (А-В)	2SD472H	TO-3		npn	10	100	750	2Т716 для применения в усилителях и переключающих устройствах.
2Т716 (А1-В1)	BDX33	TO-220		npn	10	100	750	составной 2Т716А1 в пластиковом корпусе. Параметры аналогичны 2Т716.
КТ719А	BD139	TO-126		npn	1,5	120	70	КТ719А для применения в линейных и переключающих схемах. Подробные характеристики и описание КТ719 приведено в справочном листке.
КТ720А	BD140			pnp	1,5	100
КТ721А	BD237			npn	1,5	100		BD237, импортный аналог КТ721А
КТ722А	BD238			pnp	1,5	100		Справочные данные BD238, аналога КТ722А
КТ723А	MJE15028			npn	10	100		Справочные данные MJE15028, импортного аналога КТ723
КТ724А	MJE15029			pnp	10	100		Справочные данные MJE15029, аналога КТ724А
КТ729	2N3771			npn	30	60		Параметры 2N3771, аналога КТ729
КТ730	2N3773			npn	16	140		Характеристики 2N3773, аналога КТ730
КТ732А	MJE4343	TO-218		npn	16	160	15	КТ732 используется в преобразователях напряжения.
КТ733А	MJE4353	TO-218		pnp	16	160	15	КТ733 — Комплементарная пара для КТ732, их характеристики идентичны.
КТ738А	TIP3055	TO-218		npn	15	70	70	КТ738 используется в усилителях и ключевых схемах.
КТ739А	TIP2955	TO-218		pnp	15	70	70	КТ739 — Комплементарная пара для КТ738.
КТ740А,А1	MJE4343	TO-220 TO-218		npn	20	160	30	КТ740 предназначен для применения в регуляторах и преобразователях напряжения. Импортный аналог КТ740 — MJE4343
КТ805(А-ВМ)	KSD363 BD243	TO-220		npn	5	160	15	КТ805АМ, КТ805БМ, КТ805ВМ в корпусе ТО-220 предназначен для применения в выходных каскадах строчной развертки и переключающих устройствах. Подробные характеристики транзистора КТ805 приведены в datasheet. Транзисторы КТ805А, КТ805Б с аналогичными параметрами выпускаются в металлостеклянном корпусе. Импортные аналоги для КТ805 — транзисторы BD243 и KSD363. По характеристикам в качестве комплиментарной пары для КТ805 подходит транзистор КТ837.
КТ807(А-БМ)				npn	0,5	100	150	КТ807 для строчной и кадровой разверток, усилителей НЧ и ИВЭП (ИВЭП — источник вторичного электропитания)
КТ808(А-ГМ)		TO-3		npn	10	130	50	КТ808 для кадровой и строчной разверток
КТ812(А-В)		TO-3		npn	10	700	30	КТ812 для применения в импульсных устройствах. Цоколевка приведена в справочном листке.
КТ814(А-Г)	BD140 ZTX753	TO-126 DPAK		pnp	1,5	100	100	Транзистор КТ814. предназначен для усилителей НЧ, импульсных устройств. Подробные характеристики КТ814 и цоколевка приведены в datasheet. Там же графики: входной характеристики, зависимости h31e от тока эмиттера, напряжения насыщения от тока коллектора и другие. Импортный аналог КТ814 — транзистор BD140. Комплементарная пара для КТ814 (транзистор обратной проводимости с близкими характеристиками) — КТ815.
КТ815(А-Г)	BD139 ZTX653	TO-126 DPAK		npn	1,5	100	100	КТ815 является комплиментарной парой для КТ814. Транзисторы КТ815А, КТ815Б, КТ815В, КТ815 параметрами отличаются по напряжению. КТ815 предназначен для усилителей НЧ и ключевых схем. Подробные характеристики КТ815 и цоколевку см. в datasheet. Приведена входная характеристика КТ815, график зависимости h31e от тока, график для напряжения насыщения. Импортным аналогом КТ815 является транзистор BD139.
КТ816(А-Г)	BD238 MJE172	TO-126 DPAK		pnp	3	80	100	КТ816 в два раза мощнее по току, чем КТ814, предназначены для применения в ключевых и линейных схемах. Транзисторы КТ816А, КТ816Б, КТ816В, КТ816Г отличаются по предельному напряжению. Подробные характеристики КТ816 и цоколевка приведены в datasheet. Там же график входной характеристики КТ816, зависимости усиления от тока, графики для напряжения насыщения. Импортным аналогом КТ816 является транзистор BD238. Комплементарная пара — КТ817.
КТ817(А-Г)	BD237 MJE182	TO-126 DPAK		npn	3	80	100	КТ817 в два раза мощнее по току, чем КТ815. Применяются в ключевых и линейных схемах. Транзисторы КТ817А, КТ817Б, КТ817В, КТ817 параметрами отличаются по Uкэ(max). Подробные характеристики КТ817 и цоколевка даны в datasheet. Кроме характеристик по постоянному току приведены графики входной характеристики, зависимости параметра h31e от тока, взаимосвязи параметров Uкэнас и Iк . Аналоги КТ817Б — транзисторы BD233 и MJE180. Аналоги КТ817В — BD235 и MJE181, импортные аналоги КТ817Г — BD237 и MJE182. Комплементарная пара — КТ816.
КТ818(А-ГМ)	BDW22 BD912	TO-220 TO-3		pnp	10 15	100	100	Мощный транзистор КТ818 предназначен для применения в усилителях. КТ818А, КТ818Б, КТ818В и КТ818Г в корпусе TO-220, а КТ818АМ, КТ818БМ, КТ818ВМ и КТ818ГМ в металлическом корпусе. Подробные характеристики КТ818 и цоколевка приведены в datasheet. Там же графики зависимостей параметров, входная и выходная характеристика. Импортные аналоги КТ818 — BDW22 и BD912. Комплементарная пара — транзистор КТ819.
КТ819(А-ГМ)	BDW51 BD911	TO-220 TO-3		npn	10 15	100	100	Транзистор КТ819 является комплементарной парой для КТ818 и предназначен для применения в усилителях. Транзисторы КТ819А, КТ819Б, КТ819В и КТ819Г в корпусе TO-220, а КТ819АМ, КТ819БМ, КТ819ВМ и КТ819ГМ в корпусе TO-3. Подробные параметры КТ819 и цоколевка приведены в datasheet. Там же графики зависимостей, входная и выходная характеристика. Импортные аналоги КТ819 — BDW51 и BD911.
КТ825(Г-Е)	2Т6050	TO-220 TO-3		pnp	15 20	100	18000	Мощный составной pnp транзистор КТ825 для применения в усилителях и переключающих устройствах. 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В, КТ825Г, КТ825Д и КТ825Е в металлическом корпусе. Подробные характеристики приведены в datasheet. Различие в параметрах по напряжению. Комплементарная пара для КТ825 — транзистор КТ827. Импортный аналог — 2T6050.
КТ826(А-В)		TO-3		npn	1	700	120	Биполярный транзистор КТ826 для применения в преобразователях и высоковольтных стабилизаторах. Описание КТ826 и характеристики приведены в документации.
КТ827(А-В)	2N6057 BDX87	TO-3		npn	20	100	18000	Мощный составной npn транзистор КТ827 для применения в усилителях, стабилизаторах тока, устройствах автоматики. В металлическом корпусе. Подробные характеристики КТ827А, КТ827Б, КТ827В приведены в даташит. Различаются параметрами по напряжению. Комплементарная пара для КТ827 — транзистор КТ825. Импортный аналог — 2N6057.
КТ828(А-Г)	BU207	TO-3		npn	5	800	15	характеристики КТ828, графики и параметры см. в даташит
КТ829(А-Г)	TIP122 2N6045	TO-220		npn	8	100	3000	Составной транзистор КТ829 для применения в усилителях НЧ и переключательных устройствах. Графики входных характеристик. Подробные характеристики транзисторов КТ829А, КТ829Б, КТ829В,КТ829Г в datasheet . Аналоги КТ829 — транзисторы TIP122 и 2N6045.
2Т830(А-Г)	2N5781	TO-39		pnp	2	90	160	транзистор 2Т830 для применения в усилителях мощности и ИВЭП. Аналог 2Т830 — 2N5781.
2Т831(А-В)	2N4300	TO-39		npn	2	50	200	2Т831 для усилителей НЧ и преобразователей.
КТ834(А-В)	BU323	TO-3		npn	15	500	3000	составной транзистор КТ834 для источников тока и напряжения.
КТ835(А,Б)	2N6111	TO-220		pnp	7,5	30	100	транзистор КТ835 для усилителей и преобразователей. Аналог КТ835 — импортный 2N6111
2Т836(А-В)	BD180	TO-39		pnp	3	90	100	2Т836 для усилителей мощности и ИВЭП.
КТ837(А-Ф)	2N6108 2N6111	TO-220		pnp	8	70	200	pnp транзистор КТ837 предназначен для применения в усилителях и переключающих устройствах. Корпус пластмассовый TO-220. Подробные параметры КТ837А, КТ837Б, КТ837В, КТ837Г, КТ837Д, КТ837Е-Ф указаны в файле. Аналог для КТ837 — транзистор 2N6108 с близкими характеристиками.
КТ838А	2SD1554 BU208	TO-3		npn	5	1500	14	Высоковольтный транзистор КТ838А для строчной развертки телевизоров . Характеристики КТ838А приведены в файле. Импортные аналоги — 2SD1554 и BU208.
КТ839А	2SC1172 MJ16212	TO-3		npn	10	1500	12	Характеристики и параметры КТ839 аналогичны транзистору КТ838, но круче по току.
КТ840(А,Б)	BUX97	TO-3		npn	6	400	100	Биполярный транзисторы КТ840А и КТ840Б для применения в переключающих устройствах. Подробные параметры приведены в файле.
КТ841(А-В)	MJ413 2N3442	TO-3		npn	10	600	35	Мощный биполярный транзистор КТ841 для применения в мощных преобразователях. Подробные параметры транзисторов КТ841А, КТ841Б, КТ841В в даташит.
КТ842(А,Б)	2SB506	TO-3		pnp	5	300	30	Биполярный транзистор КТ842 для применения в мощных преобразователях и линейных стабилизаторах напряжения.
КТ844А	MJ15011	TO-3		npn	10	250	60	КТ844 предназначен для импульсных устройств, подробное описание приведено в datasheet
КТ845А		TO-3		npn	5	400	100	КТ845А разработан для применения в импульсных устройствах.
КТ846А	BU208	TO-3		npn	5	1500	15	Высоковольтный биполярный транзистор КТ846А, входные характеристики, графики приведены в datasheet.
КТ847А	BUX48 2N6678	TO-3		npn	15	650	100	Подробное описание КТ847А, входные и выходные характеристики. Аналогом для КТ847 является BUX48.
КТ848А	BUX37	TO-3		npn	15	400	1000	Составной транзистор КТ848А для систем электронного зажигания. Характеристики КТ848 в прикрепленном файле. Аналог КТ848 — BUX37.
КТ850(А-В)	2SD401	TO-220		npn	2	250	200	КТ850 заточен для применения в усилителях мощности и переключающих устройствах. Подробное описание КТ850А, КТ850Б, КТ850В и графики приведены в datasheet .
КТ851(А-В)	2SB546	TO-220		pnp	2	200	200	КТ851 для усилителей НЧ и переключающих устройств. Параметры КТ851А, КТ851Б, КТ851В см. в файле pdf
КТ852(А-Г)	TIP117	TO-220		pnp	2	100	1500	Составной КТ852 для усилителей и переключающих устройств. Параметры КТ852А в даташит.
КТ853(А-Г)	TIP127 2N6042	TO-220		pnp	8	100	750	Составной pnp транзистор КТ853. Предназначен для применения в усилительных схемах. Параметры КТ853А, КТ853Б, КТ853В, КТ853Г см. в pdf файле.
КТ854(А,Б)	MJE13006	TO-220		npn	10	500	50	КТ854 для применения в преобразователях и линейных стабилизаторах. Справочные данные приведены в datasheet.
КТ855(А-В)	MJE9780	TO-220		pnp	5	250	100	КТ855 для применения в преобразователях, линейных стабилизаторах. Аналог с близкими характеристиками — MJE9780.
2Т856(А-В)	BUX48	TO-3		npn	10	950	60	2Т856 для переключательных устройств. Аналог — BUX48.
КТ856(А1,Б1)	BUV48	TO-218		npn	10	600	60	КТ856 для применения в усилителях и переключающих устройствах. Справочные данные КТ856А1, КТ856Б1 см. в datasheet .
КТ857А	BU408	TO-220		npn	7	250	50	КТ857 для применения в усилителях и переключающих устройствах. Аналог — BU408.
КТ858А	BU406	TO-220		npn	7	400	60	транзистор КТ858 предназначен для применения в переключающих устройствах. Аналог — BU406. Подробное описание смотри в datasheet .
КТ859А	MJE13005	TO-220		npn	3	800	60	Высоковольтный КТ859 заточен для переключающих устройств. Параметры и цоколевка КТ859 приведены в datasheet. Импортный аналог с близкими характеристиками — MJE13005.
2Т860(А-В)		TO-39		pnp	2	90	100	2Т860 предназначен для усилителей мощности и преобразователей.
2Т862(А-Г)		TO-3		npn	15	400	100	2Т862 для применения в импульсных модуляторах и переключающих устройствах.
КТ863Б,В	D44Vh20	TO-220		npn	10	160	300	Транзистор КТ863 предназначен для применения в преобразователях, фотовспышках. Справочные характеристики см. в datasheet. Аналог КТ863 — D44Vh20.
КТ863БС	D44Vh20	TO-220 TO-263		npn	12	160	300	КТ863БС — более свежая разработка. Модификация КТ863БС1 предназначена для поверхностного монтажа.
КТ864А	2N3442	TO-3		npn	10	200	100	КТ864 для применения в ИВЭП, усилителях и стабилизаторах.
КТ865А	2SA1073	TO-3		pnp	10	200	60	Область применения транзистора КТ865 та же, что и у КТ864.
КТ867А	TIP35	TO-3		npn	25	200	100	КТ867 для применения в ИВЭП. В описании транзистора приведены графики зависимости коэффициента усиления от тока и график области максимальных режимов.
КТ868(А,Б)	BU426			pnp	6	400	60	КТ868 предназначен для применения в источниках питания телевизоров. Подробные характеристики см. в datasheet. Функциональный аналог КТ868 — BU426.
КТ872(А-В)	BU508 MJW16212	TO-218		npn	8	700	16	Высоковольтный npn транзистор КТ872 для применения в строчной развертке телевизоров. Подробное описание КТ872 приведено в справочном листе. Аналоги КТ872 — транзисторы BU508 и MJV16212.
2Т875(А-Г)	2SD1940	TO-3		npn	10	90	200	2Т875 для применения в усилителях и переключающих устройствах.
2Т876(А-Г)	MJE2955	TO-3		pnp	10	90	140	2Т876 для применения в усилителях и переключающих устройствах.
2Т877(А-В)	2N6285	TO-3		pnp	20	80	10000	Составной транзистор 2Т877 для применения в усилителях и переключающих устройствах.
КТ878(А-В)	BUX98	TO-3		npn	30	900	50	КТ878 для применения в переключающих устройствах, ИВЭП.
КТ879				npn	50	200	25	КТ879 для применения в переключающих устройствах.
2Т880(А-В)	2N6730			pnp	2	100	140	2Т880 — для усилителей и переключательных устройств.
2Т881(А-Г)	2N5150			npn	2	100	200	2Т881 — применение аналогично 2Т880
2Т882(А-В)		TO-220		npn	1	300	100	2Т882 в корпусе ТО-220 для применения в усилителях и переключающих устройствах. Цоколевка и характеристики приведены в pdf.
2Т883(А,Б)		TO-220		pnp	1	300	100	2Т883 для усилителей и переключающих устройств. Корпус ТО-220.
2Т884(А,Б)		TO-220		npn	2	800	40	2Т884 для применения в усилителях и переключающих устройствах. Подробные параметры см. в datasheet .
2Т885(А,Б)		TO-3		npn	40	500	12	мощный транзистор 2Т885 предназначен для применения в ИВЭП.
КТ886(А1,Б1)	MJW16212	TO-218		npn	10	1400	25	Высоковольтный транзистор КТ886 для применения в строчной развертке и ИВЭП. Характеристики см. в файле pdf. Аналог для КТ886 — MJW16212.
КТ887 А,Б		TO-3		pnp	2	700	120	КТ887 для переключательных схем, стабилизаторов напряжения.
КТ888 А,Б		TO-39		pnp	0,1	900	120	Высоковольтный транзистор КТ888 для применения в преобразователях и стабилизаторах напряжения ИВЭП.
КТ890(А-В)	BU323	TO-218		npn	20	350	700	Составной транзистор КТ890 предназначен для применения в схемах зажигания авто. Подробные характеристики КТ890А, КТ890Б и КТ890В приведены в pdf. Аналогом для КТ890 является BU323.
КТ892(А-В)	BU323A	TO-3		npn	15	400	300	мощный транзистор КТ892 предназначен для применения в схемах зажигания авто и других схемах с индуктивной нагрузкой.
КТ896 (А,Б)	BDW84	TO-218		pnp	20	80	10000	Составной мощный транзистор КТ896 для применения в линейных и переключающих схемах. Характеристики КТ896А и КТ896Б см. в datasheet файле. Аналог для КТ896 — BDW84.
КТ897(А,Б)	BU931Z	TO-3		npn	20	350	4000	Составной транзистор КТ897 для схем зажигания авто и других схем с индуктивной нагрузкой. Аналог для КТ897 — BU931.
КТ898 (А,Б)	BU931P	TO-218		npn	20	350	1500	Составной транзистор КТ898 для применения в ИВЭП. Параметры оптимизированы для работы на индуктивную нагрузку. Аналог КТ898 — BU931. Подробные характеристики КТ898А и КТ898Б см. в datasheet.
КТ899А	BU806	TO-220		npn	8	150	1000	Составной транзистор КТ899 для применения в усилительных и переключательных устройствах. Аналог с близкими характеристиками — BU806.
КТ8101(А,Б)	MJE4343 2SC3281	TO-218		npn	16	200	100	мощный транзистор КТ8101 предназначен для применения в усилителях НЧ, стабилизаторах и преобразователях. Подробные характеристики КТ8101А и КТ8101Б см. в datasheet. Аналог для КТ8101 — транзистор MJE4343. Комплементарная пара — КТ8102.
КТ8102(А,Б)	MJE4353 2SA1302	TO-218		pnp	16	200	100	Мощный транзистор КТ8102, область применения аналогична КТ8101, являющемуся его комплиментарной парой. Характеристики КТ8102А, КТ8102Б приведены в datasheet . Импортный аналог для КТ8102 — MJE4353.
КТ8106 (А,Б)	MJH6286	TO-218		npn	20	80	3000	Составной транзистор КТ8106 для применения в усилителях мощности и переключающих схемах. Аналог для КТ8106 — MJH6286.
КТ8107(А-В)	BU208	TO-218		npn	8	700	12	КТ8107 для применения в каскадах строчной развертки, ИВЭП, высоковольтных схемах. Подробные параметры в datasheet. Импортный аналог для КТ8107 — BU208.
КТ8109	TIP151	TO-220		npn	7	350	150	Составной транзистор КТ8109 для схем зажигания авто. Справочные данные см. в datasheet.
КТ8110 (А-В)	BUT11			npn	7	400	30	Справочные данные BUT11, импортного аналога КТ8110.
КТ8111(А9-Б9)	BDV67	TO-218		npn	20	100	750	Составной мощный транзистор КТ8111 для применения в усилителях НЧ, стабилизаторах тока и напряжения, переключателях. Аналог — BDV67.
КТ8115(А-В)	BD650 TIP127	TO-220		pnp	8 5	100	1000	Составной pnp транзистор КТ8115А для применения в усилительных и преобразователях напряжения. Аналог для КТ8115 — BD650. Комплементарная пара — КТ8116.
КТ8116(А-В)	TIP132	TO-220 DPAK		npn	8 5	100	1000	Составной транзистор КТ8116, область применения аналогична КТ8115, являющимся его комплементарной парой.
КТ8117А	BUV48	TO-218		npn	10	400	10	мощный транзистор КТ8117 предназначен для ИВЭП, управления двигателями, стабилизаторов тока.
КТ8118А	MJE8503	TO-220		npn	3	800	40	КТ8118 для высоковольтных переключательных схем, усилителей постоянного тока.
КТ8120А		TO-220		npn	8	450	10	КТ8120 для ИВЭП, схем управления электродвигателями.
КТ8121А,Б		TO-220		npn	4	400	60	КТ8121 для высоковольтных переключающих схем, преобразователей
КТ8123А		TO-220		npn	2	150	40	КТ8123 для схем вертикальной развертки ТВ, усилителей.
КТ8124(А-В)		TO-220		npn	10	400	7	Справочные данные КТ8124, предназначенного для применения в горизонтальной развертке ТВ, переключательных схемах.
КТ8126(А1,Б1)	MJE13007	TO-220		npn	8	400	30	мощный транзистор КТ8126 для применения в горизонтальной развертке ТВ, преобразователях. Справочные данные приведены в datasheet .
КТ8130 (А-В)	BD676			pnp	4	80	15000
КТ8131 (А,Б)	BD677			npn	4	80	15000
КТ8133 (А,Б)				npn	8	240	3000
КТ8137А	MJE13003	TO-126		npn	1,5	700	40	Для применения в строчной развертке ТВ, управления двигателями.
КТ8141 (А-Г)				npn	8	100	750
КТ8143 (А-Ш)		КТ-9М		npn	80	300	15	биполярный мощный высоковольтный n-p-n транзистор с диодом КТ8143 для низковольтных источников питания бортовой аппаратуры
КТ8144(А,Б)		TO-3		npn	25	800	55
КТ8146(А,Б) КТ8154(А,Б) КТ8155(А-Г)		ТО-3		npn	15 30 50	800 600 600		мощный высоковольтный транзистор для применения в источниках питания
КТ8156(А,Б)	BU807	TO-220		npn	8	200	1000	КТ8156 предназначен для применения в горизонтальных развертках малогабаритных ЭЛТ.
КТ8157(А-В)		TO-218		npn	15	1500	8	для строчных разверток ТВ с увеличенной диагональю экрана
КТ8158(А-В)	BDV65	TO-218		npn	12	100	1000	КТ8158, параметры заточены для применения в усилителях НЧ, в ключевых и линейных схемах.
КТ8159(А,Б,В)	BDV64	TO-218		pnp	12	100	1000	КТ8159, Комплементарная пара для КТ8158, параметры и область применения аналогичные.
КТ8163А				npn	7	500	40
КТ8164(А,Б)	MJE13005	TO-220		npn	4	400	60	Высоковольтный транзистор КТ8164 для импульсных источников питания.
КТ8167 (А-Г)				pnp	2	80	250
КТ8168 (А-Г)				npn	2	80	250
КТ8170(А1,Б1)	MJE13003	TO-126		npn	1.5	400	40	Высоковольтный транзистор КТ8170 для применения в импульсных источниках питания.
КТ8171 (А,Б)				npn	20	350	10000
КТ8176(А,Б,В)	TIP31	TO-220		npn	3	100	50	КТ8176 для усилителей и переключательных схем.
КТ8177(А,Б,В)	TIP32	TO-220		pnp	3	100	50	КТ8177 для усилителей и переключательных схем. Комплементарная пара для КТ8176.
КТ8192 (А-В)		ISOTOP		npn	75	1500	10	мощный npn транзистор КТ8192 для применения в электроприводе
КТ8196 (А-В)				npn	10	350	400
КТ8212(А,Б,В)	TIP41	TO-220		npn	6	100	75	КТ8212 для линейных и ключевых схем.
КТ8213(А,Б,В)	TIP42	TO-220		pnp	6	100	75	Комплементарная пара для КТ8212.
КТ8214(А,Б,В)	TIP112	TO-220		npn	2	100	1000	Составной транзистор КТ8214 предназначен для применения в ключевых и линейных схемах.
КТ8215(А,Б,В)	TIP117	TO-220		pnp	2	100	1000	Составной транзистор КТ8215 — Комплементарная пара КТ8214.
КТ8216 (А-Г)	MJD31B			npn	2	800	275
КТ8217 (А-Г)	MJD32B			pnp	10	100	275
КТ8218 (А-Г)				npn	4	100	750
КТ8219 (А-Г)				pnp	4	40	750
КТ8224(А,Б)	BU2508	TO-218		npn	8	700	7	Высоковольтный транзистор КТ8224 для применения в высоковольтных схемах ТВ приемников. Аналог — BU2508. Интегральный демпфирующий диод и резистор база-эмиттер.
КТ8228(А,Б)	BU2525	TO-218		npn	12	800	10	Высоковольтный транзистор КТ8228 для применения в высоковольтных схемах ТВ приемников. Белорусский аналог BU2525. Диод между коллектором э эмиттером, резистор между базой-эмиттером.
КТ8229А	TIP35F	TO-218		npn	25	180	75	КТ8229 для линейных и ключевых схем.
КТ8230А	TIP36F	TO-218		pnp	25	180	75	КТ8230 -Комплементарная пара для КТ8229.
КТ8231А	BU941			npn	15	500	300	datasheet на транзистор BU941
КТ8232 (А,Б)	BU941ZP	TO-218		npn	20	350	300	КТ8232 для применения в переключательных и импульсных схемах, параметры оптимизированы для схем зажигания.
КТ8246(А-Г)	КТ829	TO-220		npn	15	150	9000	Составной транзистор КТ8246 для применения в автотракторных регуляторах напряжения.
КТ8247А	BUL45D	TO-220		npn	5	700	22	Высоковольтный транзистор КТ8247 для применения в преобразователях напряжения. Аналог — BUL45. Интегральный демпфирующий диод и резистор база-эмиттер.
КТ8248А	BU2506	TO-218		npn	5	1500	60	Высоковольтный транзистор КТ8247 для применения в строчных развертках ТВ. Аналог — BU2506. Интегральный демпфирующий диод и резистор база-эмиттер.
КТ8251А	BDV65	TO-218		npn	10	180	1000	Составной npn транзистор КТ8251 для применения в линейных усилителях и ключевых преобразователях напряжения.
КТД8252(А-Г)	BU323Z	TO-220 TO-218		npn	15	350	2000	для работы на индуктивную нагрузку
КТ8254А				npn	2	800	30
КТ8255А	BU407	TO-220		npn	7	330	200	КТ8255 для применения линейных и ключевых схемах.
КТД8257(А-В)	SGSD96	TO-220		npn	20	180	1000	для применения в усилителях НЧ и переключающих устройствах.
КТ8258(А,Б)	MJE 13004	TO-220		npn	4	400	80	для использования в преобразователях, в линейных и ключевых схемах, аналог транзистора 13004
КТ8259(А,Б)	MJE13007 13007	TO-220		npn	8	400	80	для использования в преобразователях, в линейных и ключевых схемах, отечественный аналог импортного транзистора 13007
КТ8260(А-В)	MJE13008	TO-220		npn	15	500	15	для ИВЭП, преобразователей, аналог транзистора 13008.
КТ8261А	BUL44	TO-126		npn	2	400	20	КТ8261 для применения в преобразователях напряжения.
КТД8262(А-В)	SEC80	TO-220		npn	7	350	300	Для систем зажигания автотракторной техники
КТ8270А	MJE13001	TO-126		npn	0.5	600	90	КТ8270 для использования в преобразователях напряжения. Подробные справочные данные приведены в datasheet.
КТ8271(А,Б,В)	BD136	TO-126		pnp	1.5	80	250	КТ8271 для преобразователей напряжения. Подробные параметры приведены в datasheet.
КТ8272(А,Б,В)	BD135	TO-126		npn	1.5	80	250	КТ8272 для линейных усилителей и преобразователей напряжения. Комплементарная пара для КТ8271
КТД8278(А-В1)	SGSD93ST	TO-220		npn	20	180	1000	Для усилителей НЧ, переключательных устройств.
КТД8279(А-В)	2SD1071	TO-220 TO-218		npn	10	350	300	для работы на индуктивную нагрузку, в системах зажигания.
КТД8280(А-В)		TO-218		npn	60	120	1000	Составной транзистор КТД8280 для преобразователей напряжения, схем управления двигателями, источников бесперебойного питания.
КТД8281(А-В)		TO-218		pnp	60	120	1000	Составной транзистор КТД8281 для преобразователей напряжения, схем управления двигателями.
КТ8283(А-В)		TO-218		pnp	60	120	100	для преобразователей, схем управления двигателями. Параметры описаны в даташит.
КТ8284(А-В)	КТ829	TO-220		npn	12	100	500	для автотракторных регуляторов напряжения, линейных схем.
КТ8285(А-В)	BUF410	TO-218 TO-3		npn	30	450	40	для преобразователей напряжения, ИВЭП. Характеристики описаны в даташит.
КТ8286(А-В)	2SC1413	TO-218 TO-3		npn	5	800	40	для усилителей низкой частоты, переключающих устройствах, мощных регуляторах напряжения. Подробные характеристики см. в datasheet
КТ8290А	BUh200	TO-220		npn	10	700	15	Высоковольтный биполярный транзистор КТ8290 для использования в импульсных источниках питания.
КТ8296(А-Г)	KSD882	TO-126		npn	3	30	400	КТ8296 для использования в импульсных источниках питания, ключевых схемах и линейных усилителях.
КТ8297(А-Г)	KSD772	TO-126		pnp	3	30	400	КТ8297 — Комплементарная пара (транзистор с близкими характеристиками, но обратной проводимости) для КТ8296.
КТ8304А,Б		TO-220 D2PAK		npn	8	160	250	КТ8304 с демпферным диодом для автомобильных регуляторов напряжения.
ПИЛОН-3	TIP122	TO-220		npn	15	100	1000	для применения в переключающих схемах и преобразователях напряжения. Импортный аналог с близкими характеристиками — транзистор TIP122.
ПИР-1	BUV48	TO-218		npn	20	450	8	ПИР-1 для ключевых схем с индуктивной нагрузкой и усилителей с высокой линейностью.
ПИР-2	MJE4343	TO-220 TO-218		npn	20	160	30	ПИР-2 для линейных усилителей и ключевых схем.
								Справочник составлен в 2007 году, затем дополнялся и дорабатывался вплоть до 2015г. Соавторы: WWW и Ко

Cоветские биполярные транзисторы — Онлайн справочник

Параметр	Обозначение	Еди- ница	Тип транзистора
Параметр	Обозначение	Еди- ница	ГТ108А	ГТ108Б	ГТ108В	ГТ108Г	ГТ109А	ГТ109Б	ГТ109В
Обратный ток коллектора при U_КБ, В*¹	I_КБО	мкА	10/5	10/5	10/5	10/5	5/5	5/5	5/5
Обратный ток эмиттера при U_ЭБ, В*¹	I_ЭБО	мкА	15/5	15/5	15/5	15/5	5/5	5/5	5/5
Режим измерения h-параметров
напряжение коллектора	U_К	В	5	5	5	5	5	5	5
ток коллектора	I_К	мА	1	1	1	1	1	1	1
Входное сопротивление	h_11б	Ом	15	15	15	15	27	27	27
Коэффициент передачи тока	h_21э	—	20…50	35…80	60…130	110…250	20…50	35…80	60…130
Коэффициент обратной связи	h_12б	—	—	—	—	0,5·10^-3	0,5·10^-3	0,5·10^-3	0,5·10^-3
Выходная полная проводимость	h_22б	мкСм	—	—	3,3	3,3	3,3	3,3	3,3
Предельная частота коэффициента передачи	fh_21б	МГц	1	1	1	1	1	1	1
Емкость коллекторного перехода	C_к	пФ	50	50	50	50	30	30	30
Постоянная времени цепи обратной связи	τ_к	пс	5000	5000	5000	5000	5000	5000	5000
Коэффициент шума	K_ш	дБ	—	—	—	—	—	—	—
Максимально допустимые параметры
постоянное напряжение коллектор-база	U_{КБ max}	В	10	10	10	10	10	10	10
постоянное напряжение коллектор-эмиттер	IU_{KЭ max}	В	10	10	10	10	6	6	6
постоянный ток коллектора	I_{К max}	мА	50	50	50	50	20	20	20
импульсный ток коллектора	I_{K и max}	мА	—	—	—	—	—	—	—
рассеиваемая мощность без теплоотвода	P_max	мВт	75	75	75	75	30	30	30
Максимальная температура окружающей среды	T_min	°С	+55	+55	+55	+55	+55	+55	+55
Минимальная температура окружающей среды	T_min	°С	-40	-40	-40	-40	-30	-30	-30
Общее тепловое сопротивление транзистора	R_Тп.с	°С/мВт	0,8	0,8	0,8	0,8	—	—	—
Тип перехода, материал			p-n-p германий
Конструкция, цоколевка (номер рисунка)			Рис.1 б				Рис.1 в
Основное назначение			Для усилителей и генераторов в малогабаритных радиовещательных приемниках				Для усилителей радиовещательных приемников; ГТ109Е в медицинской аппаратуре; ГТ109Ж для часовых механизмов

Пары и сборки биполярных транзисторов Справочник по биполярным транзисторам

Если приводится два значения параметра через черточку, это означает минимальное и максимальное значение.

Справочник по биполярным транзисторам

Пары и сборки биполярных транзисторов

Обозначение

Параметр

B1-B2/Iк

статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером; в справочнике приводятся минимальное (B1) и максимальное (B2) значение и ток (Iк) при котором этот параметр определяется

Fт

предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора

Cк/Uк

емкость коллекторного перехода (Cк) и напряжение на коллекторе (Uк), при котором она измеряется

Cэ/Uк

емкость эмиттерного перехода (Cэ) и напряжение на коллекторе (Uэ), при котором она измеряется

Rб*Cк

постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте биполярного транзистора

tр

время рассасывания биполярного транзистора

Uкэ(Iк/Iб)

напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Uкэ) биполярного транзистора при заданном токе коллектора (Iк) и заданном токе базы (Iб)

Uсм

напряжение смещения нуля при дифференциальном включении транзисторов сборки

B1/B2

соотношение статических коэффициентов передачи тока биполярных транзисторов в сборке. Характеризует идентичность транзисторов

Iко

обратный ток коллектора

Uкб

максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база

Uэб

максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база

Uкэ/R

максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ) при заданной величине сопротивления, включенного между базой и эмиттером (R)

Iкм/Iкнас

предельно допустимый постоянный (Iкм) ток коллектора предельно допустимый ток коллектора в режиме насыщения (Iкнас) или в импульсе

Pк

максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность на коллекторе

Pк

максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность на транзисторе без теплоотвода

Пер

тип перехода транзистора

Цок

номер рисунка с расположением выводов

ТИП

B1-B2/Iк
/мА

Fт
МГц

Cк/Uк
пФ/В

Cэ/Uэб
пФ/В

Rб*Cк
псек

Uкэ/(Iк/Iб)
В/(мА/мА)

Uсм
мВ

B1/B2

Iко
мкА

Uкб
В

Uкэ/R
В/КОм

Uэб
В

Iкм/Iкн
мА/мА

Pк
мВт

Пер

При.

КТС303А2

40-180/1

300

8/5

50000

0.9/(10/1)

0.7

0.5

45/10

100/500

250

NPN
и
PNP

2Т381А1
2Т381Б1
2Т381В1
2Т381Г1
2Т381Д1

50- /0.01
40- /0.01
30- /0.01
— /0.01
20- /0.01

4
4
4

0.9
0.9
0.85

0.01
0.01
0.01
0.01
0.01

25
25
25
25
25

15/1
15/1
15/1
25/1
15/1

6.5
6.5
6.5
6.5
6.5

15
15
15
15
15

N-P-N
N-P-N
N-P-N
N-P-N
N-P-N

пара
пара
пара
—
пара

КТС393А9
КТС393Б9
2ТС393А93
2ТС393Б93

40-180/1
30-140/1
40-180/1
30-140/1

500
500
500
500

2/5
2/5
2/5
2/5

2/0
2/0
2/0
2/0

80
80
80
80

0.6(10/1)
0.6(10/1)

3
5
3
5

0.9
0.8
0.9
0.8

0.2
0.2
0.2
0.2

10
15
10
15

10/5
15/5
10/5
15/5

4
4
4
4

10/20
10/20
10/20
10/20

20
20
20
20

P-N-P
P-N-P
P-N-P
P-N-P

КТС394А
КТС394Б

40-120/1
100-300/1

300
300

8/10
8/10

0.3(10/1)
0.3(10/1)

10
10

0.5
0.5

45
45

45/10
45/10

4
4

100/
100/

300
300

P-N-P
P-N-P

КТС395А
КТС395Б

40-120/1
100-300/1

300
300

8/10
8/10

0.3(10/1)
0.3(10/1)

10
10

0.5
0.5

45
45

45/10
45/10

4
4

100/
100/

300
300

N-P-N
N-P-N

КТС398А94
КТС398Б94

40-250/1
40-250/1

1000
1000

1.5/5
1.5/5

2/1
2/1

50
50

1.5
3

0.8
0.9

0.5
0.5

10
10

10/10
10/10

4
4

10/20
10/20

30
30

N-P-N
N-P-N

КТС3103А
КТС3103Б
КТС3103А1
КТС3103Б1

40-200/1
40-200/1
40-200/1
40-200/1

600
600
600
600

2.5/5
2.5/5
2.5/5
2.5/5

2.5/0
2.5/0
2.5/0
2.5/0

80
80
80
80

0.6/(10/1)
0.6/(10/1)
0.6/(10/1)
0.6/(10/1)

3
5
3
5

0.9
0.8
0.9
0.8

0.2
0.2
0.2
0.2

15
15
15
15

15/15
15/15
15/15
15/15

5
5
5
5

20/50
20/50
20/50
20/50

300
300
300
300

P-N-P
P-N-P
P-N-P
P-N-P

2ТС3111А1
2ТС3111Б1
2ТС3111В1
2ТС3111Г1
2ТС3111Д1

150-400/0.01
150-400/0.01
150-400/0.01
150-400/0.01
150-400/0.01

250
250
250
250
250

2.5/1
2.5/1
2.5/1
2.5/1
2.5/1

2
5
10
3
30

0.9
0.9
0.9
—
0.5

0.1
0.1
0.1
0.1
0.1

30
30
30
30
30

15/3
15/3
15/3
15/3
15/3

7
7
7
7
7

1/
1/
1/
1/
1/

10
10
10
10
10

Uдр= 5мкВ
Uдр=10мкВ
Uдр=20мкВ
—
Uдр=30мкВ

2ТС3136А1
2ТС3136Б1

70- /5
70- /5

500
500

2/5
2/5

2/0
2/0

80
80

7
7

0.8
0.8

0.1
0.1

10
10

10/5
10/5

4
4

20/50
20/50

20
20

P-N-P
P-N-P

2Т3155АС1
2Т3155БС1

40-250/1
40-250/1

1000
1000

1.5/5
1.5/5

2/1
2/1

50
50

1.5
3

0.8
0.9

0.5
0.5

10
10

10/10
10/10

4
4

10/20
10/20

30
30

N-P-N
N-P-N

КТ3174АС2

80-270/3

0.64т/5

0.7т/0

0.8

7.5/

150

N-P-N

159НТ1А
159НТ1Б
159НТ1В
159НТ1Г
159НТ1Д
159НТ1Е

20-80 /3
60-180/3
80- /0.05
20-80 /3
60-180/3
80- /0.05

200
200
200
200
200
200

4/5
4/5
4/5
4/5
4/5
4/5

5/1
5/1
5/1
5/1
5/1
5/1

3
3
3
—
15
15

0.85
0.85
0.85
0.75
0.75
0.75

20
20
20
20
20
20

20/
20/
20/
20/
20/
20/

4
4
4
4
4
4

10/40
10/40
10/40
10/40
10/40
10/40

50
50
50
50
50
50

N-P-N
N-P-N
N-P-N
N-P-N
N-P-N
N-P-N

159НТ101А
159НТ101Б
159НТ101В

30-90 /1
60-180/1
80- /0.05

250
250
250

3/
3/
3/

4/
4/
4/

3
3
3

0.9
0.9
0.92

0.01
0.01
0.01

20
20
20

4
4
4

10/40
10/40
10/40

75
75
75

N-P-N
N-P-N
N-P-N

198НТ1А
198НТ1Б

20-100/0.5
60-250/0.5

150
150

0.7(3/0.5)
0.7(3/0.5)

5
5

0.85
0.85

0.1
0.1

15
15

15/0.4
15/0.4

4
4

10/30
10/30

80
80

N-P-N
N-P-N

198НТ2А
198НТ2Б

20-100/0.5
60-250/0.5

150
150

0.7(3/0.5)
0.7(3/0.5)

5
5

0.85
0.85

0.1
0.1

15
15

15/0.4
15/0.4

4
4

10/30
10/30

80
80

N-P-N
N-P-N

Без T4
Без T4

198НТ3А
198НТ3Б

20-100/0.5
60-250/0.5

150
150

0.7(3/0.5)
0.7(3/0.5)

0.1
0.1

15
15

15/0.4
15/0.4

4
4

10/30
10/30

80
80

N-P-N
N-P-N

Без T1
Без T1

198НТ4А
198НТ4Б

20-100/0.5
60-250/0.5

150
150

0.7(3/0.5)
0.7(3/0.5)

0.1
0.1

15
15

15/0.4
15/0.4

4
4

10/30
10/30

80
80

N-P-N
N-P-N

Без T2, T5
Без T2, T5

198НТ5А
198НТ5Б

20-100/0.5
60-300/0.5

150
150

5/3
5/3

5/1
5/1

2000
2000

1 (3/0.5)
1 (3/0.5)

10
10

0.85
0.85

0.5
0.5

20
20

15/0.4
15/0.4

4
4

10/30
10/30

80
80

P-N-P
P-N-P

198НТ6А
198НТ6Б

20-100/0.5
60-300/0.5

150
150

5/3
5/3

5/1
5/1

2000
2000

1 (3/0.5)
1 (3/0.5)

4
4

0.85
0.85

0.5
0.5

20
20

15/0.4
15/0.4

4
4

10/30
10/30

80
80

P-N-P
P-N-P

Без T4
Без T4

198НТ7А
198НТ7Б

20-100/0.5
60-300/0.5

150
150

5/3
5/3

5/1
5/1

2000
2000

1 (3/0.5)
1 (3/0.5)

0.5
0.5

20
20

15/0.4
15/0.4

4
4

10/30
10/30

80
80

P-N-P
P-N-P

Без T1
Без T1

198НТ8А
198НТ8Б

20-100/0.5
60-300/0.5

150
150

5/3
5/3

5/1
5/1

2000
2000

1 (3/0.5)
1 (3/0.5)

0.5
0.5

20
20

15/0.4
15/0.4

4
4

10/30
10/30

80
80

P-N-P
P-N-P

Без T2, T5
Без T2, T5

1129НТ1В

80-360/

0.01

13/

10/40

1133НТ1А
1133НТ1Б

100-350/
100-350/

0.2
0.2

3
10

15
15

15/
15/

4
4

10/30
10/30

100
100

N-P-N
N-P-N

1133НТ5А
1133НТ5Б

100-350/
100-350/

0.5
0.5

5
5

0.07

15
30

15/
30/

4
4

10/30
10/30

120
120

P-N-P
P-N-P

Зарубежные транзисторы и их отечественные аналоги — замена транзисторов на отечественные

Транзистор – популярный полупроводниковый прибор, выполняющий в электросхемах функции формирования, усиления или преобразования электросигналов и переключения электроимпульсов. Выделяют три типа этих приборов:

Однопереходные – иначе называются «двухбазовыми диодами». Представляют собой трехэлектродные полупроводники с одним p-n переходом;
Биполярные – имеют два p-n перехода;
Полевые – специальный класс, могут служить выключателями или регуляторами тока.

Домашним мастерам, специалистам по ремонту радиоаппаратуры, конструкторам часто требуется подобрать отечественный аналог импортных приборов или наоборот. В некоторых случаях это необходимо для экономии средств – российская продукция гораздо дешевле импортной. Это можно сделать несколькими способами:

Найти data sheets – техническую документацию к зарубежным электронным компонентам, в которой указываются основные параметры, обозначение на схемах и краткое описание. Затем воспользоваться справочниками на отечественные устройства. И методом подбора найти российские аналоги транзисторов или близкие по характеристикам устройства. Это длительный и сложный путь.
Использовать таблицу, представленную на нашем сайте. Она поможет заменить зарубежный транзистор отечественным или уменьшить диапазон поиска до нескольких экземпляров.

В нашем каталоге транзисторов вы можете подобрать и купить отечественные аналоги зарубежных транзисторов.

Таблицы зарубежных аналогов транзисторов

Если вы нашли неточность в таблицах аналогов или хотите дополнить их — напишите об этом в комментариях внизу страницы!

Таблица аналогов биполярных транзисторов

Зарубежные	Отечественные
2SC3217	2T9155A
2SC3660	2T9155B
2SC3218	2T9155Б
Bak0510-50	2T9156БС
BF423C	2Т3129В9-Г9,2Т3152В
KF423	2Т3129Д9, 2Т3152Б
BFY80	2Т3130А9
2N2463	2Т3130Б9
2N2459	2Т3130В9
2N735A	2Т3130Г9
2N844	2Т3130Д9
PBC108A, B	2Т3133А2
2N4260	2Т3135А1
2N4261	2Т3135Б1
S923TS	2Т3152А, Г, Д
PBC107B	2Т3158А2
2N2906A	2Т3160А2
DC5108	2Т370А9
CX954	2Т370Б9
BD825	2Т642А2
2N2218	2Т649А2
SF123A	2Т672А2
BD202	2Т818А
1561-1015	2Т874А
1561-1008	2Т874Б
SDT69504	2Т880Д
2N3584	2Т881Д
2SA1009AM	2Т887А, Б
BLY47A	2Т892А, 2Т892Б
2N5050	2Т892В
2SC2093	2Т9102А2, Б2, 2Т9103Б2
2307(A)	2Т9103А2
NE243499	2Т9108А2
NE080481E-12	2Т9109А
THA-15	2Т9111А
THX-15	2Т9111Б
AM1416200	2Т9114А, Б
SDR075	2Т9117А, 2Т9118А
2DR405B	2Т9117Б
MRF846	2Т9117В
LDR405B	2Т9118Б
MRF846	2Т9118В
NE3001	2Т9119А2
PZB27020V	2Т9122А
Ph2214-60	2Т9122Б
MSC81400M	2Т9127В, Г
MSC81325M	2Т9127Д, Е
TN20	2Т9130А
2SA1584	2Т9143А
2023-6	2Т9146А
2023-12	2Т9146Б
2023-16	2Т9146В
2SC3217	2Т9155А
2SC3218	2Т9155Б, КТ9142А
2SC3660	2Т9155В, КТ9152А
222430	2Т9158А
2023-6	2Т9158Б
MRF544	2Т9159А
AM1416200	2Т986А, Б
MPF873	2Т987А
AM1416200	2Т994А2—2Т994В2
2N5177	2Т998А
2SC3218*	KT9142A
2SC3660*	KT9152A
SD1483	KT9174A
SD1492*	Г101A
ADY25	ГТ 701А, П210Б
SD1492	ГТ101А
AC128	ГТ402И
AC127	ГТ404Б
AD162	ГТ703Г
AU106	ГТ810А, КТ812Б
BC239B	КТ 3102Ж
SS9012	КТ209
2N2784	КТ3101АМ
BC109BP	КТ3102И
BC455D	КТ3107Е1
BC456B	КТ3107И1
BC526C	КТ3107К1-Л1
BF680	КТ3109А1
BF979	КТ3109Б1
BF970	КТ3109В1
2N2615	КТ3132Д2
2N2616	КТ3132Е2
2N2906	КТ313А1
2N2906A	КТ313Б1
2SA1090	КТ313В1
2SA876H	КТ313Г1
PXT2222	КТ3153А9
BFP720	КТ315В1
2N3397	КТ315Р1
2SD1220Q	КТ3169А9, 2Т3129А9
2SA1660	КТ3171А9, 2Т3129Б9
2SD814	КТ3176А9
MPS6513	КТ3184Б9
TBC547A	КТ3186А
BCW47B	КТ3187А
BC408	КТ342А
BC107B	КТ342Б, КТ3102Б
2SC404	КТ359А3
SS9015	КТ361, КТ3107
2SA556	КТ361Ж (И)
BSW62A	КТ361К (Л, М)
BSW63A	КТ361Н (П)
MD5000A	КТ363А
2N3839	КТ370А9
2N5651	КТ370Б9
BC147	КТ373А
2N3904	КТ375А, КТ375Б
2SC601	КТ396А2
2N709	КТ397А2
MJE13001	КТ538А
2SC64	КТ6110А (Б)
2N1051	КТ6110В (Г, Д)
BF337	КТ6113А (Б, В)
BF338	КТ6113Г (Д, Е)
2SA738B	КТ6116А (Б)
2N3114	КТ6117А
2N3712	КТ6117Б
BD136	КТ626Е, КТ6109А
BC527-6	КТ629А2
BD386	КТ629А3
2N2368	КТ633А
2N3303	КТ635А
BD370A6	КТ639А1
BD372	КТ639Б1
2N2218A	КТ647А2
MPS706	КТ648А2
2SA715C	КТ664Б9
BF177	КТ671А2, 2Т3130Е9
BF179B	КТ682Б2
BD166	КТ720А
2N4238	КТ721А
BD168	КТ722А
2N3054	КТ723А
BD170	КТ724А
BD165	КТ728А
BUY90	КТ8107В (Г)
MIE13005	КТ8121А2
MIE13004	КТ8121Б2
2SD401A	КТ8146А
2SC4055	КТ8146Б
TIP41C	КТ8212А—В
BU2506D	КТ8248А1
BUD44D2	КТ8261А
STD18202	КТ828Г
BU205	КТ838Б
2SB834	КТ842В
2SD1279	КТ846Б
BVX14	КТ846В
BD223	КТ856А1
BD944	КТ856Б1
2N5839	КТ862Б
2N5840	КТ862В
2SC1173	КТ862Г
2SC1624	КТ863Б
2SC1625	КТ863В
2SC2794	КТ866А
2N4913	КТ866Б
BU508	КТ872
2SA1682-5	КТ9115А, Б, КТ9143А, Б, В
SD1015	КТ9116А
MRF422	КТ9116А, В
I02015A	КТ9116Б
2SC3596F	КТ9142А
TCC2023-6L	КТ9150А, 2Т9155В
2SC3812	КТ9151АС
2023-15T	КТ9152А
27AM05	КТ9170А
SDT3207	КТ9171А, Б
LT1739	КТ9171В
2SB596	КТ9176А
MJE2801T	КТ9177А
SD1483	КТ917А
2N6180	КТ9180А, Б, 2Т877Г
2N6181	КТ9180В, Г
D44H7	КТ9181А, Б
MRF430	КТ9181В, Г
2N5102	КТ921А, В
2N2219	КТ928Б
BC303	КТ933А
2N5996	КТ945Б
2N5642	КТ945В, Г
2N5643	КТ949А
2SC2331	КТ961, КТ9171
2N4440	КТ972В
2N5995	КТ972Г
LOT-1000D1-12B	КТ979А
2N4976	КТ996А2
2SC976	КТ996Б2
2N4128	КТ997В
MP42	МП42Б
ASZ18	П217В, ГТ711

Биполярные транзисторы до 40 В

Зарубежные	Отечественные	Тип перехода	U max, В	I max, А	Корпус
SG769	2Т3133А	npn		0.3	ТО-126
	2Т837В,Е	pnp		8	ТО-220
2SA1020	2Т860В	pnp		2	ТО-39
	2Т877В	pnp		20	ТО-3
	KT315H	n-p-n	20	0.1
	KT503A	n-p-n	25	0.15
	KT503B	n-p-n	25	0.15
	KT686F	p-n-p	25	0.8
	KTJ107B	p-n-p	25	0.1
	авзтт	p-n-p	30	7.5
	ГТ313А	p-n-p	15	0.03
	ГТ313Б	p-n-p	15	0.03
	ГТ313В	p-n-p	15	0.03
	ГТ328А	p-n-p	15	0.01
	ГТ328Б	p-n-p	15	0.01
	ГТ328В	p-n-p	15	0.01
	ГТ346А	p-n-p	20	0.01
	ГТ346Б	p-n-p	20	0.01
	ГТ346В	p-n-p	20	0.01
	К13115Г-2	n-p-n	7	0.08
	КГ117Г	n-база	30	0.05
	КГ201А(М)	n-p-n	20	0.02
	КТ117А	n-баэа	30	0.05
	КТ117Б	n-баэа	30	0.05
	КТ117В	n-база	30	0.05
	КТ201Б(М)	n-p-n	20	0.02
	КТ201В(М)	n-p-n	10	0.02
	КТ201Г(М)	n-p-n	10	0.02
	КТ201Д(М)	n-p-n	10	0.02
	КТ203Б(М)	p-n-p	30	0.01
	КТ203В(М)	p-n-p	15	0.01
	КТ208А(1)	p-n-p	20	0.3
	КТ208Б(1)	p-n-p	20	0.3
	КТ208В(1)	p-n-p	20	0.3
	КТ208Г(1)	p-n-p	30	0.3
	КТ208Д(1)	p-n-p	30	0.3
	КТ208Е(1)	p-n-p	30	0.3
	КТ209А	p-n-p	15	0.3
	КТ209Б	p-n-p	15	0.3
	КТ209Б1	p-n-p	15	0.3
	КТ209В	p-n-p	15	0.3
	КТ209В1	p-n-p	15	0.3
	КТ209В2	p-n-p	15	0.3
	КТ209Г	p-n-p	30	0.3
	КТ209Д	p-n-p	30	0.3
	КТ209Е	p-n-p	30	0.3
	КТ306Б(М)	n-p-n	10	0.03
	кт306в(М)	n-p-n	10	0.03
	кт306г(М)	n-p-n	10	0.03
	кт306д(М)	n-p-n	10	0.03
	КТ3101А-2	n-p-n	15	0.02
	КТ3102K(M)	n-p-n	20	0.1
	КТ3102В(М)	n-p-n	30	0.1
	КТ3102Г(М)	n-p-n	20	0.1
	КТ3102Д(М)	n-p-n	30	0.1
	КТ3102Е(М)	n-p-n	20	0.1
	КТ3102Ж(М)	n-p-n	20	0.1
	КТ3102И(М)	n-p-n	20	0.1
	КТ3107Г	p-n-p	25	0.1
BC179AP	КТ3107Д	p-n-p	25	0.1
BC179	КТ3107Е	p-n-p	20	0.1
	КТ3107Ж	p-n-p	20	0.1
	КТ3107К	p-n-p	25	0.1
	КТ3107Л	p-n-p	20	0.1
	КТ3109А	p-n-p	25	0.05
	КТ3109Б	p-n-p	20	0.05
	КТ3109В	p-n-p	20	0.05
	КТ3115А-2	n-p-n	10	0.08
	КТ3115В-2	n-p-n	10	0.08
	КТ3120А	n-p-n	15	0.02
	КТ3123А-2	p-n-p	15	0.03
	КТ3123Б-2	p-n-p	15	0.03
	КТ3123В-2	p-n-p	10	0.03
	КТ3126А	p-n-p	20	0.02
	КТ3126Б	p-n-p	20	0.02
	КТ3127А	p-n-p	20	0.02
	кт3128А(1)	p-n-p	40	0.02
	КТ3129В-9	p-n-p	30	0.1
	КТ3129Г-9	p-n-p	30	0.1
	КТ3129Д-9	p-n-p	20	0.1
	КТ312А	n-p-n	20	0.03
BFY39	КТ312Б	n-p-n	35	0.03
	КТ312В	n-p-n	20	0.03
	КТ3130В-9	n-p-n	30	0.1
	КТ3130Г-9	n-p-n	20	0.1
	КТ3130Д-9	n-p-n	30	0.1
	КТ3130Е-9	n-p-n	20	0.1
	КТ3130Ж-9	n-p-n	30	0.1
2N2712	КТ315А	n-p-n	25	0.1
2N2926	КТ315Б	n-p-n	20	0.1
	КТ315В	n-p-n	40	0.1
	КТ315Г	n-p-n	35	0.1
BFP722	КТ315Г1	n-p-n	35	0.1
2SC634	КТ315Д	n-p-n	40	0.1
	КТ315Е	n-p-n	35	0.1
2SC641	КТ315Ж	n-p-n	20	0.05
	КТ315Р	n-p-n	35	0.1
	КТ3168А-9	n-p-n	15	0.03
	КТ316А(М)	n-p-n	10	0.05
	КТ316Б(М)	n-p-n	10	0.05
	КТ316В(М)	n-p-n	10	0.05
	КТ316Г(М)	n-p-n	10	0.05
	КТ316Д(М)	n-p-n	10	0.05
	КТ325А(М)	n-p-n	15	0.03
	КТ325Б(М)	n-p-n	15	0.03
	КТ325В(М)	n-p-n	15	0.03
	КТ326А(М)	p-n-p	15	0.05
	КТ326Б(М)	p-n-p	15	0.05
	КТ339А(М)	n-p-n	25	0.03
	КТ339Б	n-p-n	15	0.03
	КТ339В	n-p-n	25	0.03
	КТ339Г	n-p-n	25	0.03
	КТ339Д	n-p-n	25	0.03
	КТ342А(М)	n-p-n	30	0.05
	КТ342Б(М)	n-p-n	25	0.05
	КТ342В(М)	n-p-n	10	0.05
	КТ342ГМ	n-p-n	30	0.05
	КТ342ДМ	n-p-n	25	0.05
	КТ345А	p-n-p	20	0.2
	КТ345Б	p-n-p	20	0.2
	КТ345В	p-n-p	20	0.2
	КТ347А	p-n-p	15	0.05
	КТ347Б	p-n-p	9	0.05
	КТ347В	p-n-p	6	0.05
	КТ349А	p-n-p	15	0.05
BC178	КТ349Б	p-n-p	15	0.05
	КТ349В	p-n-p	15	0.05
	КТ350А	p-n-p	20	0.6
	КТ351А	p-n-p	15	(-0.4)
	КТ351Б	p-n-p	15	(-0.4)
	КТ352А	p-n-p	15	(-0.2)
	КТ352Б	p-n-p	15	(-0.2)
	КТ355АМ	n-p-n	15	0.03
2SA555	КТ361А	p-n-p	25	0.1
	КТ361Б	p-n-p	20	0.1
	КТ361В	p-n-p	40	0.1
	КТ361Г	p-n-p	35	0.1
	КТ361Г1	p-n-p	35	0.1
	КТ361Д	p-n-p	40	0.05
	КТ361Е	p-n-p	35	0.05
BC251	КТ361И	p-n-p	15	0.05
	КТ363А(М)	p-n-p	15	0.03
	КТ363Б(М)	p-n-p	12	0.03
	КТ368А(М)	n-p-n	15	0.03
	КТ371А	n-p-n	10	0.02
	КТ372А	n-p-n	15	0.01
	КТ372Б	n-p-n	15	0.01
	КТ382А(М)	n-p-n	10	0.02
	КТ382Б(М)	n-p-n	10	0.02
	КТ391А-2	n-p-n	10	0.01
	КТ391Б-2	n-p-n	10	0.01
	КТ391В-2	n-p-n	10	0.01
	КТ399А	n-p-n	15	0.02
	КТ399АМ	n-p-n	15	0.03
2N3906	КТ501 Ж,И,К	pnp		0.3	ТО-92
	КТ501А	p-n-p	15	0.3
	КТ501Б	p-n-p	15	0.3
	КТ501В	p-n-p	15	0.3
	КТ501Г	p-n-p	30	0.3
	КТ501Д	p-n-p	30	0.3
	КТ501Е	p-n-p	30	0.3
	КТ502А	p-n-p	25	0.15
	КТ502Б	p-n-p	25	0.15
	КТ502В	p-n-p	40	0.15
	КТ502Г	p-n-p	40	0.15
2SC1815	КТ503 А,Б	npn		0.15	ТО-92
	КТ503В	n-p-n	40	0.15
	КТ503Г	n-p-n	40	0.15
	КТ603А	n-p-n	30	0.3
	КТ603Б	n-p-n	30	0.3
	Кт603в	n-p-n	15	0.3
	КТ603Г	n-p-n	15	0.3
	Кт603д	n-p-n	10	0.3
	КТ603Е	n-p-n	10	0.3
	Кт603и	n-p-n	30	0.3
BC547	КТ6111 (А-Г)	npn		0.1	ТО-92
2SA1266	КТ6112 (А-В)	pnp		0.1	ТО-92
	КТ6127Г	p-n-p	30	2
	КТ6127Д	p-n-p	12	2
	КТ6127Е	p-n-p	12	2
2N4403	КТ626А	pnp		0.5	ТО-126
	КТ626Г	p-n-p	20	0.5
	КТ626Д	p-n-p	20	0.5
BD136	КТ639А,Б,В	pnp		1.5	ТО-126
	КТ639И	p-n-p	30	1.5
	КТ644В	p-n-p	40	0.6
	КТ644Г	p-n-p	40	0.6
2N3904	КТ645Б	n-p-n	40	0.3	ТО-92
2N4401	КТ646Б	n-p-n	40	1	ТО-126
BC337	КТ660А	npn		0.8	ТО-92
	КТ660Б	n-p-n	30	0.8
BC557	КТ668 (А-В)	pnp		0.1	ТО-92
	КТ680А	n-p-n	25	0.6
	КТ681А	p-n-p	25	0.6
BC635	КТ684А	npn		1	ТО-92
	КТ685 А,В	pnp	40	0.6	ТО-92
	КТ685д	p-n-p	25	0.6
	КТ685Е	p-n-p	25	0.6
	КТ685Ж	p-n-p	25	0.6
BC327	КТ686 А,Б,В	pnp	45	0.8	ТО-92
	КТ686Г	p-n-p	25	0.8
	КТ686Д	p-n-p	25	0.8
	КТ686Ж	p-n-p	25	0.8
BC636	КТ692А	pnp		1	ТО-39
	КТ695А	n-p-n	25	0.03
	КТ698Г	n-p-n	30	2
	КТ698Д	n-p-n	12	2
	КТ698Е	n-p-n	12	2
	КТ8111Б’	n-p-n	40	0.02
	КТ8111В»	n-p-n	30	0.02
	КТ8130А*	p-n-p	40	4
	КТ8131А*	n-p-n	40	4
	КТ814А	pnp	25	1.5	ТО-126
	КТ814Б	p-n-p	40	1.5
BD135	КТ815А	npn	30	1.5	ТО-126
BD434	КТ816А	p-n-p	40	3
	КТ816А2	p-n-p	40	3
2SB856	КТ816Б	pnp		3	ТО-126
BD435	КТ817А,Б	npn	40	3	ТО-126
TIP33	КТ818А	pnp	40	10	ТО-220
	КТ818АМ	p-n-p	40	15
TIP34	КТ819А,Б	npn	40	10	ТО-220,
9527	КТ819АМ	n-p-n	40	15
	КТ825Е*	p-n-p	30	0.02
	КТ829Г	npn		8	ТО-220
	КТ835А	p-n-p	30	3
	КТ835Б	pnp		7.5	ТО-220
	КТ837Ж	p-n-p	30	7.5
	КТ837И	p-n-p	30	7.5
	КТ837К	p-n-p	30	7.5
FMMT717	КТ852Г	pnp		2	ТО-220
	КТ853Г	pnp		8	ТО-220
2SD1062	КТ863А	npn	30	10	ТО-220
	КТ896В*	p-n-p	30	0.02
	КТ943А	npn		2	ТО-126
	КТ972Б	npn		4	ТО-126
2SB857	КТ973Б	pnp		4	ТО-126
	ктзб1Ж	p-n-p	10	0.05
	ктзевБ(М)	n-p-n	15	0.03
	КТЗОвА(М)	n-p-n	10	0.03
	КТЭ72В	n-p-n	15	10
	СТ837У	p-n-p	30	7.5
	СТ837Ф	p-n-p	30	7.5

Биполярные транзисторы до 60 В

Зарубежные	Отечественные	Тип перехода	U max, В	I max, А	Корпус
	2Т708Б	pnp		2.5	ТО-39
MJE2955	2Т709В	pnp		10	ТО-3
	2Т709В2*	p-n-p	60	10
BDX85	2Т716В,В1	npn	60	10	ТО-3
BDX78	2Т818В	p-n-p	60	15
	2Т819В	p-n-p	60	15
	2Т825В	pnp		20	ТО-3
	2Т825В2	pnp	60	15	ТО-220
	2Т830Б	pnp		2	ТО-39
	2Т831Б	npn		2	ТО-39
	2Т836В	pnp		3	ТО-39
	2Т837Б,Д	pnp		8	ТО-220
MJE3055	2Т875В	npn		10	ТО-3
	2Т877Б	pnp		20	ТО-3
	2Т880В	pnp		2	ТО-39
	2Т881В	npn		2	ТО-39
2SC3402	503В,Г	npn		0.15	ТО-92
	ICT814B	p-n-p	60	1.5
	KT6S8B	n-p-n	50	2
	ГТ806Г	p-n-p	50	15
	ГТ905Б	p-n-p	60	3
	КТ203А(М)	p-n-p	60	0.1
	КТ208Ж(1)	p-n-p	45	0.3
	КТ208И(1)	p-n-p	45	0.3
	КТ208К(1)	p-n-p	45	0.3
	КТ208Л(1)	p-n-p	60	0.3
	КТ208М(1)	p-n-p	60	0.3
	КТ209Ж	p-n-p	45	0.3
	КТ209И	p-n-p	45	0.3
	КТ209К	p-n-p	45	0.3
	КТ209Л	p-n-p	60	0.3
	КТ209М	p-n-p	60	0.3
BC182	КТ3102А(М)	n-p-n	50	0.1
	КТ3102Б(М)	n-p-n	50	0.1
BC212	КТ3107А	p-n-p	45	0.1
BCY78	КТ3107Б	p-n-p	45	0.1
BCY78	КТ3107И	p-n-p	45	0.1
	КТ3108А	p-n-p	60	0.2
	КТ3108Б	p-n-p	45	0.2
	КТ3108В	p-n-p	45	0.2
PN5132	КТ3117А(1)	n-p-n	60	0.4
	КТ3129А-9	p-n-p	50	0.1
	КТ3129Б-9	p-n-p	50	0.1
	КТ3130А-9	n-p-n	50	0.1
	КТ3130Б-9	n-p-n	50	0.1
	КТ313А(М)	p-n-p	60	0.35
2N2907	КТ313Б(М)	p-n-p	60	0.35
	КТ315И	n-p-n	60	0.05
	КТ361К	p-n-p	60	0.05
	КТ501Ж	p-n-p	45	0.3
	КТ501И	p-n-p	45	0.3
	КТ501К	p-n-p	45	0.3
	КТ501Л	p-n-p	60	0.3
	КТ501М	p-n-p	60	0.3
	КТ502Д	p-n-p	60	0.15
	КТ502Е	p-n-p	60	0.15
BSR41	КТ530А	npn		1	TO-92
	КТ6127В	p-n-p	50	2
BD138	КТ626Б	pnp	60	0.5	ТО-126
BC637	КТ630Д,Е	npn		1	ТО-39
	КТ639А	p-n-p	45	1.5
	КТ639Б	p-n-p	45	1.5
	КТ639В	p-n-p	45	1.5
	КТ639Г	p-n-p	60	1.5
BD138	КТ639Г,Д	pnp	60	1.5	ТО-126
2N3545	КТ644(А-Г)	pnp	60	0.6	ТО-126
	КТ645А	npn	60	0.3	ТО-92
BD137	КТ646А	npn		0.5	ТО-126
	КТ659А	npn		1.2	ТО-39
2SA684	КТ661А	pnp		0.6	ТО-39
BC556	КТ662А	pnp		0.4	ТО-39
	КТ668А	p-n-p	45	0.1
	КТ668Б	p-n-p	45	0.1
	КТ668В	p-n-p	45	0.1
	КТ683Д	n-p-n	60	1
2SD1616	КТ683Д,Е	npn	60	1	ТО-126
	КТ685Б	p-n-p	60	0.6
BC638	КТ685Б,Г	pnp	60	0.6	ТО-92
SA1245	КТ686А	p-n-p	45	0.8
	КТ686Б	p-n-p	45	0.8
	КТ686В	p-n-p	45	0.8
2SC2655	КТ698В	npn		2	ТО-92
	КТ801Б	n-p-n	60	2
	КТ8106Б	n-p-n	45	0.02	ТО-220
	КТ8111А’	n-p-n	50	0.02
	КТ8111В9	npn		20	ТО-218
	КТ8116В	npn		8	ТО-220
	КТ8118Б*	n-p-n	60	8
2SA1469	КТ8130Б	pnp	60	4	ТО-126
	КТ8131Б’	n-p-n	60	4
	КТ815Б	n-p-n	45	1.5
2SB1366	КТ816В	pnp	60	3	ТО-126
	КТ817Б	n-p-n	45	3
	КТ817Б2	n-p-n	45	3
2N5191	КТ817В	npn	60	3	ТО-126
	КТ818Б	p-n-p	50	10
9535	КТ818БМ	p-n-p	50	15
	КТ819Б	n-p-n	50	10
2N3055	КТ819БМ	n-p-n	50	15
	КТ825Д*	p-n-p	60	20
	КТ827В	npn	60	20	ТО-3
TIP3055	КТ8284А	npn		12	ТО-220
TIP120	КТ829В	npn	60	8	ТО-220
	КТ837Б	p-n-p	60	7.5
	КТ837В	p-n-p	60	7.5
	КТ837Г	p-n-p	45	7.5
	КТ837Д	p-n-p	45	7.5
	КТ837Л	p-n-p	60	7.5
	КТ837М	p-n-p	60	7.5
	КТ852В	pnp		2	ТО-220
	КТ853В	pnp		8	ТО-220
	КТ896Б	pnp		20	ТО-220
	КТ908А	n-p-n	60	10
	КТ908Б	n-p-n	60	10
BD137	КТ961В	npn	45	1.5	ТО-126
BD677	КТ972А	npn	60	4	ТО-126
BD678	КТ973А	pnp		4	ТО-126
	КТ973А’	p-n-p	60	4
	КТ997А	n-p-p	45	10
	КТ997Б	n-p-n	45	10
	КТМ7Е	p-n-p	45	7.5
	ОГ837Н	p-n-p	60	7.5
	СГ837П	p-n-p	45	7.5
	СГ837Р	p-n-p	45	7.5
	Т852В*	p-n-p	60	2.5
	Т852Г	p-n-p	45	2.5
	Т853В*	p-n-p	60	8
	Т853Г	p-n-p	45	8
	Тв37С	p-n-p	45	7.5

Биполярные транзисторы до 70 В

Зарубежные	Отечественные	Тип перехода	U max, В	I max, А	Корпус
	2Т831В	npn		2	ТО-39
	2Т837А,Г	pnp		8	ТО-220
	2Т860Б	pnp		2	ТО-39
	2Т875Б	npn		10	ТО-3
	2Т876Б	pnp		10	ТО-3
	КТ6127Б	p-n-p	70	2
	КТ698Б	npn		2	ТО-92
	КТ69ВБ	n-p-n	70	2
	КТ808ГМ	npn		10	ТО-3
	КТ814В	pnp	65	1.5	ТО-126
	КТ815В	npn		1.5	ТО-126
	КТ818В	pnp	70	10	ТО-220,
	КТ818ВМ	p-n-p	70	15
	КТ919В	n-p-n	70	10
	КТ919ВМ	n-p-n	70	15
	КТ943 Б,Д	npn		2	ТО-126

Биполярные транзисторы до 80 В

Зарубежные	Отечественные	Тип перехода	U max, В	I max, А	Корпус
TIP33B	2Т709Б	pnp		10	ТО-3
	2Т709Б2*	p-n-p	80	10
	2Т716Б,Б1	npn		10	ТО-3
	2Т716б1*	n-p-n	80	10
BD204	2Т818Б	p-n-p	80	15
	2Т819Б	p-n-p	80	15
	2Т825Б	pnp		20	ТО-3
	2Т825Б2	pnp	80	15	ТО-220
BD140	2Т830В	pnp		2	ТО-39
	2Т836А,Б	pnp		3	ТО-39
	2Т875А,Г	npn		10	ТО-3
	2Т876А,Г	pnp		10	ТО-3
	2Т877А	pnp		20	ТО-3
	2Т880Б	pnp		2	ТО-39
BD139	2Т881Б	npn		2	ТО-39
	ГТ806А	p-n-p	75	15
	ГТ905А	p-n-p	75	3
	ГТ906А(М)	p-n-p	75	6
	КДТ8281А	pnp		60	ТО-218
PN3691	КТ3117Б	n-p-n	75	0.4
2SC1627	КТ503Д	npn		0.15	ТО-92
	КТ602В	n-p-n	80	0.075
	КТ602Г	n-p-n	80	0.075
2SA935	КТ626В	pnp	80	0.5	ТО-126
	КТ684Б	npn		1	ТО-92
	КТ801А	n-p-n	80	2
	КТ808ВМ	npn		10	ТО-3
	КТ8106А	npn	80	20	ТО-220
TIP151	КТ8111Б9	npn		20	ТО-218
2SD2025	КТ8116Б	npn	80	8	ТО-220
	КТ8130В*	p-n-p	80	4
	КТ8131В*	n-p-n	80	4
TIP34B	КТ819Б,В*	npn		10	ТО-220
	КТ827Б	npn	80	20	ТО-3
	КТ8284Б	npn		12	ТО-220
BD679	КТ829Б	npn	80	8	ТО-220
	КТ837А	p-n-p	80	7.5
	КТ852Б	pnp		2	ТО-220
BDX34B	КТ853Б	pnp		8	ТО-220
2N6039	КТ943В,Г	npn		2	ТО-126
	КТ961Б	npn		1.5	ТО-126
	КТД8280А	npn		60	ТО-218
	КТД8283А	pnp		60	ТО-218
	Т852Б*	p-n-p	80	2.5
	Т853Б’	p-n-p	80	8

Биполярные транзисторы до 130 В

Зарубежные	Отечественные	Тип перехода	U max, В	I max, А	Корпус
	1Т813А	p-n-p	100	30
	1Т813Б	p-n-p	125	30
	2Т708А	pnp		2.5	ТО-39
BDX34C	2Т709А	pnp	100	10	ТО-3
BDX33C	2Т716А,А1	npn		10	ТО-3
	2Т716АГ*	n-p-n	100	10
	2Т819А	p-n-p	100	15
	2Т825А	pnp		20	ТО-3
	2Т825А2	pnp		15	ТО-220
	2Т830Г	pnp		2	ТО-39
SD1765	2Т831Г	npn		2	ТО-39
	2Т860А	pnp		2	ТО-39
	2Т880А,Г	pnp		2	ТО-39
	2Т881А,Г	npn		2	ТО-39
	2Т935Б	npn		20	ТО-220
	ГТ806Б	p-n-p	100	15
	ГТ806В	p-n-p	120	15
	КТ503Е	npn		0.15	ТО-92
SK3835	КТ601А,АМ	npn	100	0.03	ТО-126
	КТ602А,АМ	npn		0.075	ТО-126
	КТ602Б(М)	n-p-n	100	0.075
2SA715D	КТ6102А	pnp		1.5	ТО-92
BF336	КТ6103А	npn		1.5	ТО-92
	КТ6127А	p-n-p	90	2
	КТ6127Ж	p-n-p	120	2
BSY52	КТ630А	n-p-n	120	1	ТО-39
	КТ630Б	n-p-n	120	1	ТО-39
2N1613	КТ630Г	n-p-n	100	1	ТО-39
2SC2240	КТ638А,Б	npn		0.1	ТО-92
	КТ639Е	p-n-p	100	1.5
	КТ6836	n-p-n	120	1
	КТ683Б	npn	120	1	ТО-126
	КТ683В	n-p-n	120	1	ТО-126
	КТ683Г	n-p-n	100	1	ТО-126
BC639	КТ684В	npn		1	ТО-92
BD237	КТ698А	npn		2	ТО-92
	КТ698Ж	n-p-n	120	2
2N4237	КТ719А	npn		1.5	ТО-126
	КТ802А	n-p-n	130	5
	КТ805БМ,ВМ	npn		5	ТО-220
	КТ807А	n-p-n	100	0.5
	КТ807А,Б	npn	100	0.5	ТО-126
	КТ808 АМ,БМ	npn		10	ТО-3
TIP150	КТ8111А9	npn		20	ТО-218
	КТ8115А	pnp		8	ТО-220
	КТ8116А	npn	100	8	ТО-220
2N5400	КТ814Г	pnp		1.5	ТО-126
	КТ815Г	npn	85	1.5	ТО-126
TIP42C	КТ816Г	pnp	90	3	ТО-126
	КТ817Г	npn	90	3	ТО-126
	КТ817Г2	n-p-n	90	3
TIP33B	КТ818Г	pnp	90	10	ТО-220
	КТ818ГМ	p-n-p	90	15
TIP34C	КТ819А,Г	npn	100	10	ТО-220
2N3055	КТ819ГМ	n-p-n	100	15
	КТ8246 А,Б	npn		15	ТО-220
	КТ825*	p-n-p	90	20
	КТ827А	npn	100	20	ТО-3
	КТ8284В	npn		12	ТО-220
TIP122	КТ829А	npn	100	8 (5)	ТО-220
	КТ852А	pnp		2	ТО-220
	КТ853А	pnp		8	ТО-220
BD946	КТ896А	pnp		20	ТО-220
	КТ961А	npn		1.5	ТО-126
	ктвзэж	p-n-p	100	1.5
	КТД8257А	npn		20	ТО-220
	КТД8278Б,В	npn		20	ТО-220
	КТД8280Б	npn		60	ТО-218
	КТД8281Б	pnp		60	ТО-218
	КТД8283Б	pnp		60	ТО-218
	ПИЛОН-3А	npn		15	ТО-220
	Т852А-	p-n-p	100	2.5
	Т853А-	p-n-p	100	8

Биполярные транзисторы до 160 В

Зарубежные	Отечественные	Тип перехода	U max, В	I max, А	Корпус
	1Т813В	p-n-p	150	30
	ГТ806Д	p-n-p	140	15
2N5401	КТ6116	pnp		0.6	ТО-92
2N5551	КТ6117	npn		0.6	ТО-92
2SC2383	КТ630В	npn	150	1	ТО-39
	КТ663А	n-p-n	150	1
	КТ683А	npn		1	ТО-126
	КТ698И	n-p-n	160	2
2SA1186	КТ712Б	pnp		10	ТО-220
	КТ805АМ	npn		5	ТО-220
BU289	КТ8101А	n-p-n	160	16	ТО-218
	КТ8101Б	npn		16	ТО-218
2SA1294	КТ8102А	p-n-p	160	16	ТО-218
2SA1216	КТ8102Б	pnp		16	ТО-218
	КТ8123А	npn	150	2	ТО-220
	КТ8246В,Г	npn		15	ТО-220
	КТ850В	npn		2	ТО-220
2SA940	КТ851В	pnp		2	ТО-220
	КТ855Б	p-n-p	150	5
	КТ855Б,В	pnp	150	5	ТО-220
2SC3907	КТ863БС	npn		12	ТО-220
	КТ899А	npn	150	8	ТО-220
	КТ940В	npn	160	0.1	ТО-126
2N5996	КТ945А	n-p-n	150	15	ТО-3
	КТД8257Б	npn		20	ТО-220
	ПИР-2 (КТ740А)	npn		20	ТО-220
2SC2230	Т611В,Г	npn		0.1	ТО-126
	Т850В	n-p-n	150	2
	Т851В	p-n-p	150	2

Биполярные транзисторы до 200 В

Зарубежные	Отечественные	Тип перехода	U max, В	I max, А	Корпус
	КГвИ AM	n-p-n	180	0.1
	КТ504Б	npn	200	1	ТО-39
2SC1473	КТ611А,Б	npn		0.1	ТО-126
	КТ611БМ	n-p-n	180	0.1
	КТ6127К	p-n-p	200	2
	КТ698К	n-p-n	200	2
	КТ712А	pnp		10	ТО-220
	КТ8105А	n-p-n	200	20
	КТ8124А	n-p-n	200	7
	КТ8124Б	n-p-n	200	7
	КТ8140А	n-p-n	200	7
	КТ842Б	pnp		5	ТО-3
	КТ851А	pnp		2	ТО-220
BU406	КТ864А	npn		10	ТО-3
	КТ865А	pnp		10	ТО-3
BVR11	КТ867А	npn		25	ТО-3
	КТ879А	npn	200	50	КТ-5
BVT91	КТ879Б	n-p-n	200	50
	КТ897Б	npn	200	20	ТО-218
2N6077	КТ898Б	npn	200	20	ТО-218
	КТД8257(А-Г)	npn		20	ТО-220
	КТД8278А	npn		20	ТО-220
	Т850А	n-p-n	200	2
	Т851А	p-n-p	200	2

Биполярные транзисторы до 250 В

Зарубежные	Отечественные	Тип перехода	U max, В	I max, А	Корпус
	2Т862А,Б	npn		15	ТО-3
	2Т882В	npn		1	ТО-220
2SA1837	2Т883Б	pnp		1	ТО-220
	КТ3157А	p-n-p	250	0.03
	КТ504В	npn		1	ТО-39
	КТ505Б	pnp	250	1	ТО-39
	КТ604А(М)	n-p-n	250	0.2
	КТ604Б(М)	n-p-n	250	0.2
	КТ605А(М)	n-p-n	250	0.1
0.1	КТ605А,Б	npn	250	0.1	ТО-126
	КТ844А	npn		10	ТО-3
	КТ850А,Б	npn		2	ТО-220
	КТ851Б	pnp		2	ТО-220
	КТ855А	pnp		5	ТО-220
MJE15032	КТ857А	npn	250	7	ТО-220
	КТ940Б	npn	250	0.1	ТО-126
	КТ969А	npn		0.1	ТО-126
	КТ999А	n-p-n	250	0.05
	КТЭвЭА	n-p-n	250	0.1
	Т850Б	n-p-n	250	2
	Т851Б	p-n-p	250	2
	Т855А	p-n-p	250	5

Биполярные транзисторы до 300 В

Зарубежные	Отечественные	Тип перехода	U max, В	I max, А	Корпус
MJE340	2Т882Б	npn		1	ТО-220
	2Т883А	pnp		1	ТО-220
MJE13002	КТ504А	npn		1	ТО-39
	КТ505А	p-n-p	300	1
2SA1371	КТ6104А	pnp		0.15	ТО-92
BFJ57	КТ6105А	npn		0.15	ТО-92
	КТ8109А,Б	npn		7	ТО-220
	КТ8109Б*	n-p-n	300	7
	КТ8121Б	npn	300	4	ТО-220
	КТ8124В	npn		7	ТО-220
	КТ812В	n-p-n	300	8
	КТ8232А,Б	npn		20	ТО-218
	КТ8258Б	npn		4	ТО-220
	КТ8259Б	npn		8	ТО-220
	КТ8260А	npn		15	ТО-220
	КТ8285А	npn		30	ТО-218
	КТ842А	pnp		5	ТО-3
	КТ854Б	npn		10	ТО-220
	КТ890(А-В)	npn		20	ТО-218
	КТ892А,В	npn		15	ТО-3
	КТ897А	npn		20	ТО-218
	КТ898А	npn		20	ТО-218
2SA1091	КТ9115А	pnp	300	0.1	ТО-126
	КТ940А	n-p-n	300	0.1
	КТД8252(А-Г)	npn		15	ТО-220
	КТД8262(А-В)	npn		7	ТО-220
	КТД8279(А-В)	npn		10	ТО-220
MJE350	Т505А	pnp		1	ТО-39
2SC2482	Т940А	npn		0.1	ТО-126

Биполярные транзисторы до 400 В

Зарубежные	Отечественные	Тип перехода	U max, В	I max, А	Корпус
2SA1625	2Т509А	pnp		0.02	ТО-39
MJE13009	2Т862В	npn		10	ТО-3
2SC4138	2Т862Г	npn		10	ТО-3
MJE13003	2Т882А	npn		1	ТО-220
	2Т885А	npn		40	ТО-3
	ав40Б	n-p-n	350	8
BUX84	КТ704Б,В	npn		2.5
	КТ809А	n-p-n	400	3
BU208A	КТ8104А	n-p-n	350	20
2SC2625	КТ8117А	npn	400	10	ТО-218
	КТ8121А	npn	400	4	ТО-220
2SC3039	КТ8124А,Б	npn		7	ТО-220
MJE13007	КТ8126А	npn		8	ТО-220
	КТ8136А	n-p-n	400	10
MJE13005	КТ8258А	npn		4	ТО-220
2SC4834	КТ8259А	npn		8	ТО-220
	КТ8260Б	npn		15	ТО-220
	КТ8285Б	npn		30	ТО-218
	КТ834В	npn	400	15	ТО-3
2SD1409	КТ840А,Б	npn		6	ТО-3
2SC3306	КТ841Б	npn		10	ТО-3
BUT11	КТ845А	npn		5	ТО-3
	КТ848А	npn		15	ТО-3
2SC2335	КТ858А	npn	400	7	ТО-220
2N4914	КТ890А*	n-p-n	350	20
2N4915	КТ890Б*	n-p-n	350	20
	КТ890В*	n-p-n	350	20
MI10000	КТ892Б	npn	400	15	ТО-3
	КТД8279А	npn		10	ТО-220
	Т840А	n-p-n	400	6
	Т848А	n-p-n	400	15
	Т854Б	n-p-n	400	10

Биполярные транзисторы до 500 В

Зарубежные	Отечественные	Тип перехода	U max, В	I max, А	Корпус
	2Т812Б	n-p-n	500	10
	2Т856В	npn		10	ТО-3
	2Т885Б	npn		40	ТО-3
	ICT8110B	n-p-n	450	7
	KT8120A	n-p-n	450	8
SF123C	КТ6107А	npn		0.13	ТО-92
BD140	КТ6108А	pnp		0.13	ТО-92
2SC3970	КТ704А	npn		2.5
	КТ8108А	n-p-n	500	5
	КТ8108Б	n-p-n	500	5
	КТ8110А	n-p-n	450	7
	КТ8110Б	n-p-n	450	7
BUL310	КТ8120А	npn		3	ТО-220
	КТ812Б	npn	500	8	ТО-3
	КТ8260В	npn		15	ТО-220
	КТ8285В	npn		30	ТО-218
	КТ834А	n-p-n	500	15
	КТ834А,Б	npn	450	15	ТО-3
	КТ854А	npn		10	ТО-220
	ПИР-1	npn		20	ТО-218

Биполярные транзисторы до 600 В

Зарубежные	Отечественные	Тип перехода	U max, В	I max, А	Корпус
2SC5249	2Т884Б	npn		2	ТО-220
	КТ506Б	npn	600	2	ТО-39
	КТ8107В	n-p-n	600	5
	КТ8144Б	npn		25	ТО-3
2SC5386	КТ8286А	npn		5	ТО-218
2SC2027	КТ828Б	n-p-n	600	5
2SD2499	КТ828Б,Г	npn		5	ТО-3
2SC5387	КТ841А,В	npn		10	ТО-3
2SC4706	КТ847А	npn		15	ТО-3
ST1803	КТ856А1,Б1	npn		10	ТО-218
	КТ878В	npn	600	30	ТО-3
2SA1413	КТ887Б	pnp		2	ТО-3
	КТ888Б	pnp		0.1	ТО-39
	СТ841А	n-p-n	600	10
	СТ841В	n-p-n	600	10
	Т854А	n-p-n	600	10

Биполярные транзисторы до 700 В

Зарубежные	Отечественные	Тип перехода	U max, В	I max, А	Корпус
	2Т812А	n-p-n	700	10
	2Т856Б	npn		10	ТО-3
	КТ8107(А-Г)	npn	700	8	ТО-220
	КТ8114А	n-p-n	700	8
	КТ8127А(1)	n-p-n	700	5
	КТ8127Б(1)	n-p-n	700	5
	КТ8127В(1)	n-p-n	700	5
	КТ8129А	n-p-n	700	5
BUh200	КТ812А	npn	700	10	ТО-3
	КТ8137А	npn		1.5	ТО-126
	КТ826(А-В)	npn	700	1	ТО-3
	КТ8286Б	npn		5	ТО-218
	КТ887А	pnp		2	ТО-3
	Т847А	n-p-n	650	15

Биполярные транзисторы до 800 В

Зарубежные	Отечественные	Тип перехода	U max, В	I max, А	Корпус
	2Т884А	npn		2	ТО-220
	КТ506А	npn		2	ТО-39
	КТ8118А	npn	800	3	ТО-220
2SC3998	КТ8144А	npn		25	ТО-3
	КТ8286В	npn		5	ТО-218
SML804	КТ828А,В	npn	800	5	ТО-3
2SC3150	КТ859А	npn	800	3	ТО-220
2SC5002	КТ868Б	npn		6	КТ-9
BVP38	КТ878Б	npn	800	30	ТО-3
	СТ841Б	n-p-n	800	10

Биполярные транзисторы до 900 В

Зарубежные	Отечественные	Тип перехода	U max, В	I max, А	Корпус
	КТ888А	pnp		0.1	ТО-39
2SC3979	КТ868А	npn		6	КТ-9
	2Т856А	npn		10	ТО-3
	КТ878А	npn		30	ТО-3

Биполярные транзисторы до 1500 В

Зарубежные	Отечественные	Тип перехода	U max, В	I max, А	Корпус
BU108	КТ8107А	n-p-n	1500	8
BU508	КТ838А	npn		5	ТО-3
BU2520	КТ839А	npn		10	ТО-3
BU2506	КТ846А	npn		5	ТО-3
BU2508	КТ872А,Б	npn		8	ТО-218
2SC5270	КТ886А1	npn		10	ТО-218
BU1508	КТ886Б1	npn		8	ТО-218
	Т846А	n-p-n	1500	5
	Т846В	n-p-n	1500	5
	Т848Б	n-p-n	1200	5

Биполярные транзисторы свыше 2000 В

Зарубежные	Отечественные	Тип перехода	U max, В	I max, А	Корпус
	2Т713А	npn	2500	3	ТО-3
	КТ710А	npn		5	ТО-3

Однопереходные транзисторы

Зарубежные	Отечественные
2N1573	КТ117ВМ
2N1923	КТ117АМ

Мощные полевые транзисторы

Импортные	Отечественные
IRFZ10	КП739Б
IRFZ15	КП739В
IRF740	КП740
IRFZ24	КП740А
IRFZ20	КП740Б
IRFZ25	КП740В
IRFZ48	КП741А
IRFZ46	КП741Б
STH75N06	КП742А
STH75N05	КП742Б
IRF510	КП743А
IRF511	КП743Б
IRF512	КП743В
IRF520	КП744А
IRF521	КП744Б
IRF522	КП744В
IRL520	КП744Г
IRF530	КП745А
IRF531	КП745Б
IRF532	КП745В
IRL530	КП745Г
IRF540	КП746А
IRF541	КП746Б
IRF542	КП746В
IRL540	КП746Г
IRFP150	КП747А
IRF610	КП748А
IRF611	КП748Б
IRF612	КП748В
IRF620	КП749А
IRF621	КП749Б
IRF622	КП749В
IRF640	КП750А
IRF641	КП750Б
IRF642	КП750В
IRL640	КП750Г
IRF720	КП751А
IRF721	КП751Б
IRF722	КП751В
IRF730	КП752А
IRF731	КП752Б
IRF732	КП752В
IRF830	КП753А
IRF831	КП753Б
IRF832	КП753В
STP40N10	КП771А
IRF820	КП820
IRF830	КП830
IRF840	КП840
IRF150	КП150
IRF240	КП240
IRF250	КП250
IRF340	КП340
IRF350	КП350
BF410C	КП365А
BF960	КП382А
IRF440	КП440
IRF450	КП450
ZVN2120	КП501А
BSS124	КП502
BSS129	КП503
BSS88	КП504
BSS295	КП505
IRF510	КП510
IRF520	КП520
IRF530	КП530
IRF540	КП540
IRF610	КП610
IRF620	КП620
IRF630	КП630
IRF640	КП640
BUZ90	КП707Б1
IRF710	КП710
IRF350	КП717Б
BUZ45	КП718А
IRF453	КП718Е1
IRF720	КП720
BUZ36	КП722А
IRFZ44	КП723А
IRFZ45	КП723Б
IRFZ40	КП723В
IRLZ44	КП723Г
MTP6N60	КП724А
IRF842	КП724Б
TPF450	КП725А
BUZ90A	КП726А
BUZ71	КП727А
IRFZ34	КП727Б
IRLZ34	КП727В
BUZ80A	КП728А
IRF730	КП730
IRGPH50F	КП730А
IRF710	КП731А
IRF711	КП731Б
IRF712	КП731В
IRF630	КП737А
IRF634	КП737Б
IRF635	КП737В
IRFZ14	КП739А

Слабые полевые транзисторы

Импортные	Отечественные
U1899E	КП329A
2N2841	КП301Г
2N3332	КП301Б
2N3365	КП329A
2N3368	КП329A
2N3369	КП333A
2N3331	КП307B
2N3370	КП329A
2N3436	КП329A
2N3438	КП333A
2N3458	КП333A
2N3459	КП329A
2N3460	КП329A
2N3796	КП303B
2N3797	КП303Г
2N3819	КП307Б
2N3823	КП329A
2N3909	КП301B
2N3971	КП902A
2N3972	КП902A
2N4038	КП329A
2N4091	КП902A
2N4092	КП902A
2N4220	КП329Б
2N4220A	КП329Б
2N4221	КП333A
2N4221A	КП329A
2N4222A	КП329A
2N4224	КП329A
2N4302	КП329Б
2N4303	КП329Б
2N4304	КП329Б
2N4351	КП333A
2N4352	КП304A
2N4360	КП301B
2N4393	КП902A
2N4416A	КП329A
2N4860	КП333Б
2N4867	КП333A
2N5078	КП333A
2N5163	КП307Ж
2N5458	КП304A
2N5457	КП307E
2N5459	КП307Б
2N5654	КП329Б
2N6656	КП801Б
2SK11	КП303Д
2SK12	КП303Г
2SK15	КП303Г
2SK68A	КП329A
2SK21H	КП306A
2SK39	КП350A
BFW11	КП333Б
BF244	КП329А
BF245	КП329А
BF256B	КП329А
BF960	КП327А
BF981	КП327Б
BSV79	КП333А
BSV80	КП333А
BUZ20	КП704А
CP652	КП907B
E100	КП333Б
E102	КП333Б
E111	КП329Б
E112	КП333Б
IRF120	КП922Б
MPF103	КП307Б
MPF102	КП303E
M103	КП304A
TIS68	КП307E
UC714	КП329Б
U1897E	КП333A

Была ли статья полезна?

Да

Нет

Оцените статью

Что вам не понравилось?

Другие материалы по теме

Анатолий Мельник

Специалист в области радиоэлектроники и электронных компонентов. Консультант по подбору деталей в компании РадиоЭлемент.

Силовые транзисторы справочник. Транзисторы отечественные биполярные — справочник. Логические ИС КР1533, КР1554. Справочник

20.09.2014
Общие сведения об электропроводках Электропроводкой называется совокупность проводов и кабелей с относящимися к ним креплениями, поддерживающими и защитными конструкциями. Скрытая электропроводка имеет ряд преимуществ перед открытой: она более безопасна и долговечна, защищена от механических повреждений, гигиенична, не загромождает стен и потолков. Но она дороже, и ее труднее заменить при необходимости. …
27.09.2014
На основе К174УН7 можно собрать не сложный генератор с 3 под диапазонами: 20…200, 200…2000 и 2000…20000Гц. ПОС определяет частоту генерируемых колебаний, она построена на элементах R1-R4 и С1-С6. Цепь отрицательной ОС уменьшающая нелинейные искажения сигнала и стабилизирующая его амплитуду образована резистором R6 и лампой накаливания Н1. При указных номиналах схемы …
23.09.2014
Назначение: на основе предложенной схемы можно собрать уст-во которое будет считать прохожих, включать свет при проходе через дверь, охранную сигнализацию и тому подобное. Излучатель ИК VD4 на АЛ147А (он установлен в пультах ДУ ТВ типа 4-УСЦТ) излучает сигнал промодулированный импульсами 1000Гц. Генератор — источник импульсов выполнен на VT2 VT3. Частота …
05.10.2014
Источник вырабатывает двух полярное напряжение от 5 до 17В при токе нагрузке до 20А, при этом уровень пульсации 1 В при 17В установленном напряжении и токе на нагрузке 20А. Напряжение с трансформатора поступает на однополупериодные выпрямители на VD1-VD3 и С1-С3. Параллельное включение 3-х диодов необходимо для уменьшения рассеивающей мощности. Конденсаторы …
27.01.2017
KA78RXXC — линейка стабилизаторов с выходными напряжениями 3,3В, 5В, 9В, 12В и 15В и выходным током до 1 А. Стабилизаторы имеют малое падение напряжения 0,5 В и функцию отключения. Технические характеристики: Выходное напряжение (мин. / номин. / макс.): KA78R33C — 3.22 / 3.3 / 3.38 В KA78R05C — 4.88 / …

Справочник содержит Техническую документацию в формате.PDF на более чем 3500 типов микросхем памяти. Вся техническая документация на микросхемы памяти отсортирована по фирмам производителям микросхем памяти. Каждый файл можно скачать отдельно. Скачать файл содержания всех архивов 86 КБ, формат.xls Фирмы производители: ALLIANCE — размер файла 16 МБ. AMD — размер файла 15 МБ. ATMEL — размер файла 30 МБ. CATALYST — размер файла 2, 8 МБ. CROSSLINK — размер файла 5, 3 МБ. CYPRESS — размер файла 44 МБ.

Приведены технические характеристики действующего и нового электрооборудования: трансформаторов, электродвигателей, коммутационных аппаратов, кабельных и воздушных линий и т. д. Даны сведения по электрическим измерениям, электротехническим материалам, режимам нейтрали, нормам качества электроэнергии, осветительным устройствам и т. д. Книга предназначена для инженеров, техников и мастеров, работающих по эксплуатации систем электроснабжения как в промышленности, так и в сельском хозяйстве.

В первом томе справочного издания приводятся электрические и эксплуатационные характеристики полупроводниковых диодов — выпрямительных диодов и столбов, диодных сборок, блоков модулей и матриц. Даются классификация и система обозначений, основные стандарты для описанных в справочнике приборов. Для конкретных типов приборов приводятся сведения об основном назначении, габаритных и присоединительных размерах и маркировке. В приложении даются зарубежные аналоги полупроводниковых диодов, помещенных в справочнике, и названия фирм-изготовителей.

Данная книга посвящена маркировке микросхем, тиристоров, приборов индикации, звуковой сигнализации, коммутации и защиты электрических цепей. Помимо сведений по маркировке приведены типовые схемы включения, установочные размеры, логотипы и буквенные сокращения при маркировке микросхем ведущих зарубежных производителей. Представлена полезная информация, которая в целом поможет определить тип и назначение элемента, подобрать ему замену с учетом площади, определенной ему на плате. Книга предназначена для специалистов по ремонту радиоэлектронной аппаратуры, а также широкого круга радиолюбителей.

При практической работе, связанной в первую очередь с ремонтом электронной техники, возникает задача определить тип электронного компонента, его параметры, расположение выводов, принять решение о прямой замене или использовании аналога. В большинстве существующих справочников приводится информация по отдельным типам радиокомпонентов (транзисторы, диоды и т. д.). Однако ее недостаточно, и необходимым дополнением к таким книгам служит данное справочное пособие. Представляемая читателю книга по маркировке электронных компонентов содержит в отличие от издававшихся ранее подобных изданий, больший объем информации.

В первом томе пятитомного справочного издания приводятся электрические и эксплуатационные характеристики зарубежных маломощных биполярных транзисторов. Габаритные размеры корпусов указаны в российском стандарте, с указанием допусков по данным фирм изготовителей. В справочнике имеются также зарубежные аналоги транзисторов (причем помещены также аналоги приборов снятых с производства) и перечень фирм изготовителей. Для удобства работы со справочником составлен указатель типов приборов, по которому читатель с невероятной легкостью найдет необходимый ему прибор.

Во втором томе справочного издания приводятся данные по элект рическим параметрам габаритным размерам, предельным эксплуата ционным характеристикам сведения по основному функциональному назначению отечественных силовых тиристоров Приводятся динами-ческие импульсные частотные температурные зависимости парамет ров а также описываются особенности применения тиристоров в ра диоэлектронной аппаратуре Для инженерно-технических рабогникои занимающихся разработ кой эксплуатацией и ремонтом радиоэлектронной аппаратуры Год выпуска: 2002

Приведены данные по зарубежным аналогам микросхем со ветского производства применяемым в бытовой радиоаппара туре, включая конструктивное исполнение и функциональное назначение. Содержит информацию по более чем 600 наиме нований микросхем. Для специалистов по ремонту импортной бытовой радиоап паратуры, а также широкого круга радиолюбителей. Год выпуска: 1992 Автор: Пирогов Е.В. Жанр: Справочник Издательство: М.: БИАР Формат: DjVu Размер: 1, 4 МБ Качество: Отсканированные страницы Количество страниц: 48 Скачать книгу >>> Отечественные аналоги зарубежных микросхем для бытовои радиоаппара туры: Справочник Программа для чтения книги: DjVuReader СОДЕРЖАНИЕ Предисловие Фирменные знаки и сокращенные обозначен фирм изготовителей микросхем 1.

В справочнике содержится подробная информация по современным логическим ИС; быстродействующим маломощным ТТЛШ микросхемам серии КР1533 и быстродействующим КМОП микросхемам серии КР1554 Серия КР1533 Маломощные быстродействующие цифровые интегральные микросхемы серии KPJ53S предназначены для орга низации высокоскоростного обмена и обработки цифровой информации, вре менного и электрического согласования сигналов в вычислительных системах. Микросхемы серии КР1533 по сравне нию с известными сериями логических ТТЛ микросхем обладают минималь ным значением произведения быстро действия на рассеиваемую мощность.

Цель издания настоящего справочника из серии «Ин тегральные микросхемы» — предоставить разработчи кам и техническим специалистам наиболее полную ин формацию по всему спектру микросхем АЦП и ЦАП, уст ройств выборки и хранения (УВХ), систем сбора данных, а также преобразователей напряжение — частота (ПНЧ) и частота — напряжение (ПЧН). По сравнению с первым выпуском справочника «Мик росхемы для аналого-цифрового преобразования и средств мультимедиа», вышедшим в 1996 году, в котором были представлены микросхемы АЦП серий 572 и 1175, а также их аналоги, настоящее издание существенно рас ширено.

Справочные данные биполярных транзисторов

От составителя

Настоящий справочник является попыткой совместить в одном издании полноту охвата приборов, компактность представления информации, а также удобство ее использования.

Справочник предназначен для широкого круга пользователей от разработчиков радиоэлектронных устройств, до радиолюбителей.

В справочнике представлены основные электрические параметры биполярных транзисторов. Для компактности и удобства использования настоящего справочника, в нем использована табличная форма представления информации. Кроме электрических параметров в справочнике приводятся габаритные и присоединительные размеры, а также типовая область применения биполярных транзисторов. Описанный подход позволил создать компактный, удобный и недорогой справочник, который принесет практическую пользу его владельцу.

В справочнике собраны параметры биполярных транзисторов, рассеянные по отечественной литературе. Поскольку главным принципом при составлении справочника являлась полнота охвата номенклатуры, то для некоторых приборов приведены всего несколько параметров (которые приводились в научной статье разработчиков прибора). По мере появления дополнительной информации, она включалась в справочник.
Для некоторых приборов приводятся вместо предельных параметров типовые, когда информация о предельных параметрах отсутствует, а о типовых значениях есть.

Как появился этот справочник? В середине 70-х годов, составитель справочника столкнулся в своей работе с отсутствием справочника, устраивающего его самого и его коллег. Существующие справочники обладали многими недостатками, наиболее очевидные из которых описываются ниже.

1. Большая избыточность:

А) Многие справочники имели массу графиков, которые либо достаточно хорошо описывались теоретическими кривыми, либо отражали малосущественные зависимости;
б) Большинство разработчиков не интересуют такие параметры, как время хранения на складе и степень устойчивости полупроводниковых приборов против воздействия плесени и грибков;
в) От 10% до 30% объема справочников занимали общеизвестные вещи- условные обозначения на электрических схемах, классификация приборов и тому подобные многократно описанные в разнообразной литературе понятия.

2. Неполнота- долгий срок прохождения через издательства приводил к быстрому устареванию справочника. Большинство составителей имели тяготение к определенному кругу изготовителей полупроводниковых приборов и если изделия одного изготовителя были представлены достаточно полно, то изделия другого производителя не включали новых разработок. Для работы приходилось пользоваться одновременно несколькими справочниками одновременно (тем более что разные составители включали разное количество известных для данного прибора параметров) и рядом журнальных статей, в которых описывались новые полупроводниковые приборы.

3. Неудобство в пользовании- большинство составителей вводили разбивку справочника на части по таким критериям как мощность рассеивания, рабочая частота, тип перехода. Кроме этого, очень часто внутри раздела материал дополнительно группировался по аналогичным принципам. Все это существенно затрудняло поиск нужного прибора и особенно сравнение нескольких полупроводниковых приборов по ряду параметров.

4. Недостоверность- в процессе издания в любом справочнике накапливались ошибки. Если ошибки в обычном тексте легко обнаруживаются при вычитке, то ошибки в числовой информации даже специалистом обнаруживаются с трудом.

Все описанные причины побудили составить справочник более удобный для разработчика электронной аппаратуры. Благодаря компактной форме, справочник получился достаточно дешевым и удовлетворяющим большинство потребностей. Если же разработчику потребуются более подробные характеристики какого-либо изделия (это случается достаточно редко), он всегда может обратиться либо к специализированному изданию, либо к отраслевому стандарту. В повседневной же работе ему достаточно этой маленькой книжечки.

Справочник составлен в 1993 году, переведен в HTML в 2000 году.

Составитель: Козак Виктор Романович, email: kozak @ inp.nsk.su

Для радиолюбителей, скачать справочник радиодеталей по транзисторам, микросхемам, SMD компонентам отечественного и импортного производства.

Справочник «микросхемы современных телевизоров». В этом справочном пособии собраны данные о наиболее распространенных интегральных микросхемах, которые применяются в современной телевизионной технике. В книге представлена справочная информация о более чем 100 микросхемах таких известных фирм-производителей, как SAMSUNG, SANYO, SONY, SIEMENS, MATSUSHITA, PHILIPS, SGS-THOMSON и других.

Формат книги DjView. Размер архива – 3,29Mb. СКАЧАТЬ

Справочник «микросхемы для современных мониторов». Данная книга является справочным пособием по микросхемам для современных LCD и CRT мониторов. В ней приведена исчерпывающая информация о 150 микросхемах ведущих производителей полупроводниковых компонентов для мониторов.

Формат книги DjView. Размер архива – 5,77Mb. СКАЧАТЬ

Справочник «отечественные транзисторы для бытовой, промышленной и специальной аппаратуры». В этом справочнике представлена полная информация о номенклатуре, изготовителях, параметрах, корпусах и аналогах 5000 наименований транзисторов!

Формат книги DjView. Размер архива – 16,4Mb СКАЧАТЬ

Сборник их 3х справочников по импортным микросхемам, транзисторам, диодам, тиристорам и SMD компонентам. Книга 1 из 3х . В этом справочнике представлена информация по радиоэлектронным компонентам зарубежных производителей с буквенным индексом от A до R . Приводятся характеристики, цоколевка, аналоги и производители компонентов.

Размер файла – 198Mb. Формат книги DjView. Скачать с Deposit Files

Справочник по импортным микросхемам, тиристорам, диодам, транзисторам и SMD компонентам. Книга 2 из 3х . В этом справочнике представлена информация по радиоэлектронным компонентам зарубежных производителей с буквенным индексом от R до Z .

Размер файла – 319Mb. Формат книги DjView. Скачать с Deposit Files

Справочник по импортным микросхемам, тиристорам, диодам, транзисторам и SMD компонентам. Книга 3 из 3х . В этом справочнике представлена информация по радиоэлектронным компонентам зарубежных производителей с цифровым индексом от 0 до 9 .

Размер файла – 180Mb. Формат книги DjView. СКАЧАТЬ

Справочник по активным SMD компонентам. Приводятся SMD коды для 33 тысяч транзисторов, тиристоров, микросхем и диодов, типовые схемы включения SMD микросхем, маркировка, характеристики, замена.

Размер архива — 16Mb. Формат книги DjView. СКАЧАТЬ

Справочник «транзисторы и их зарубежные аналоги» том 1. В первом томе справочника приводятся электрические и эксплуатационные характеристики полупроводниковых приборов – полевых и биполярных транзисторов малой мощности. Даются классификация и система обозначений, основные стандарты для описанных в справочнике приборов. Для конкретных типов приборов приводятся сведения об основном назначении, габаритных и присоединительных размерах, маркировке, предельных эксплуатационных режимах и условиях работы. В приложении даются зарубежные аналоги транзисторов, помещенных в справочнике.

Формат книги DjView. Размер архива – 6,19Mb СКАЧАТЬ

Справочник «транзисторы и их зарубежные аналоги» том 2. Во втором томе справочника приводится информация по низкочастотным биполярным транзисторам средней и большой мощности с указанием их зарубежных аналогов.

Формат книги DjView. Размер архива – 5,62Mb. СКАЧАТЬ

Справочник «транзисторы и их зарубежные аналоги» том 3. В третьем томе приводится справочная информация по полевым и высокочастотным биполярным транзисторам средней и большой мощности с указанием их зарубежных аналогов.

Формат книги DjView. Размер архива – 6,28Mb . СКАЧАТЬ

Справочник «маркировка радиодеталей» том 1. В книге приведены данные по буквенной, цветовой и кодовой маркировке компонентов, по кодовой маркировке зарубежных полупроводниковых приборов для поверхностного монтажа (SMD). Приведены рекомендации по использованию и проверке исправности электронных компонентов.

Формат книги DjView. Размер архива – 8Mb СКАЧАТЬ

Справочник «маркировка радиодеталей» том 2. В этой книге читатель найдет много полезной информации по маркировке микросхем, некоторых типов полупроводниковых приборов, установочных и коммутационных изделий и много другой полезной информации.

Формат книги DjView. Размер архива – 3,95Mb СКАЧАТЬ

Справочник «маркировка радиодеталей». В книге описана система маркировки отечественных и зарубежных: резисторов, конденсаторов, индуктивностей, кварцевых резонаторов, пьезоэлектрических и ПАВ-фильтров, полупроводниковых приборов, SMD-компонентов, микросхем. Описаны особенности тестирования электронных компонентов.

Формат книги DjView. Размер архива – 3,60Mb СКАЧАТЬ

Справочник по микросхемам для импортных телевизоров. В книге на Русском языке приводятся структурные схемы и назначение выводов более трехсот микросхем, применяемых в европейских и восточно-азиатских цветных телевизорах. Описание каждого прибора сопровождается функциональными диаграммами и характеристиками.

Формат книги DjWiev. Размер архива – 16Mb СКАЧАТЬ

Справочник по микросхемам для аудио и радиоаппаратуры: генераторы, ключи и переключатели, УНЧ, малошумящие и предварительные усилители, операционные усилители, регуляторы громкости и тембра, схемы управления индикаторами. В книге представлены основные особенности, цоколевки, структурные схемы и типовые схемы применения свыше 300 типов микросхем для аудиотехники.

Формат книги DjWiev. Размер архива – 10,7Mb СКАЧАТЬ

Справочник по интегральным микросхемам для промышленной электронной аппаратуры. В книге приведены условные обозначения, электрические параметры, структурные схемы, функциональное назначение (цоколевка) и конструкции корпусов широко распространенных зарубежных аналоговых и цифровых микросхем.

Формат книги DjWiev. Размер архива – 2,68Mb СКАЧАТЬ

Лучший в Европе справочник по УНЧ . В нем обобщены и систематизированы сведения о большинстве ИМС УНЧ в интегральном исполнении, выпускаемых мировыми производителями. Приведены наиболее важные характеристики микросхем, типы корпусов, цоколевка, внешний вид, аналоги, производители, функциональное назначение .

Формат книги DjWiev. Размер архива – 19,9Mb СКАЧАТЬ

Справочник по интегральным микросхемам для телевидения. В книге дан обзор интегральных микросхем, применяемых в современных телевизионных приемниках, видео- и аудиотехнике. Приведены основные параметры и характеристики микросхем, блок-схемы внутренней структуры и типовые схемы их включения.

Формат книги DjWiev. Размер архива – 2,30Mb СКАЧАТЬ

Справочник — Мощные биполярные транзисторы для импульсных источников питания, TV-приемников и мониторов — Справочники

В справочнике Мощные биполярные транзисторы для импульсных источников питания, TV-приемников и мониторов приведены электрические характеристики мощных биполярных транзисторов, имеющих высокую скорость переключения. Данные приборы применяются в импульсных источниках питания различного назначения, в промышленном оборудовании, в бытовой и профессиональной видео- и аудиотехнике.

В книге представлены изделия следующих ведущих производителей полупроводниковых приборов: FAIRCHILD, HITACHI, MOTOROLA (ON SEMICONDUCTOR), PANASONIC, PHILIPS, SANKEN, SAMSUNG, SANYO, SHINDENGEN, ST-MICROELECTRONICS, TOSHIBA и ZETEX. Таблица аналогов полупроводниковых приборов составлена на основании руководства Master Replacement Guide.

Справочник рассчитан на специалистов, занимающихся обслуживанием и ремонтом радиоэлектронной аппаратуры, а также на радиолюбителей.

Название: Мощные биполярные транзисторы для импульсных источников питания, TV-приемников и мониторов. Справочник
Автор: сост. Авраменко Ю.Ф.
Издательство: Додэка-ХХI
Год: 2006
Язык: Русский
Формат: DJVU
Качество: отличное
Размер: 87,1 Mб

Содержание:

Алфавитный список полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства FAIRCHILD
FJA13009; FJAF6806D; FJAF6808D; FJAF6810; FJAF6810D; FJAF6812; FJAF6815; FJAF6820; FJAF6910; FJAF6916; FJAF6920; FJD5304D; FJE3303; FJE5304D; FJL6820; FJL6825; FJL6920; FJN13003; FJP3305; FJP5021; FJP5304D; FJP5321; FJP5355; FJP5554; FJP5555; FJPF13007; FJPF13009; FJPF3305; FJPF5021; FJPF5027; FJPF5321; FJPF5555; FJPF6806D; KSA1156; KSC2233; KSC2333; ICSC2335; KSC2518; KSC2751; KSC2752; KSC3552; KSC5026M; KSC5027; KSC5039F; KSC5042F; KSC5042M; KSC5338D; KSC5338DW; KSC5367F; KSC5386; KSC5504D; KSC5504DT; KSC5801; KSC5802; KSC5803; KSD362; KSD363; KSD5701; KSD5703; KSD5707; KSE5020

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства HITACHI
2SC1942; 2SC2928; 2SC3025; 2SC3026; 2SC3322; 2SC3336; 2SC3365; 2SC3658; 2SC3659; 2SC4589; 2SC4692; 2SC4742; 2SC4743; 2SC4744; 2SC4745; 2SC4746; 2SC4747; 2SC4789; 2SC4796; 2SC4797; 2SC4877; 2SC4878; 2SC4879; 2SC4880; 2SC4897; 2SC4927; 2SC4928; 2SC4962; 2SC5058; 2SC5068A; 2SC5105; 2SC5132A; 2SC5207A; 2SC5219; 2SC5250; 2SC5251; 2SC5252; 2SC5447; 2SC5448; 2SC5470; 2SD2294; 2SD2295; 2SD2296; 2SD2297; 2SD2298; 2SD2299; 2SD2300; 2SD2301; 2SD2311; 2SD2337; 2SD2342; 2SD2381; 2SD2491; 2SD2492

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства ON SEMICONDUCTOR (MOTOROLA)
BU406; BU407; BUL44; BUL45; BUV21; BUV22; BUV26; BUX85; MJE13003; MJE13005; MJE13007; MJE13009; MJE16002; MJE16004; MJE16106; MJE18002; MJE18004; MJE18206; MJF18002; MJF18004; MJF18206; MJW16212

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PANASONIC
2SC3506; 2SC3507; 2SC3974; 2SC4420; 2SC5243; 2SC5244; 2SC5244A; 2SC5270; 2SC5270A; 2SC5406; 2SC5406A; 2SC5407; 2SC5412; 2SC5423; 2SC5440; 2SC5478; 2SC5513; 2SC5514; 2SC5515; 2SC5516; 2SC5517; 2SC5518; 2SC5519; 2SC5546; 2SC5552; 2SC5553; 2SC5583; 2SC5584; 2SC5591; 2SC5597; 2SC5622; 2SC5686; 2SC5739; 2SC5779; 2SC5788; 2SC5884; 2SC5885; 2SC5902; 2SC5904; 2SC5905; 2SC5909; 2SC5912; 2SC5913; 2SC5914; 2SC5931; 2SC5993; 2SC6012; 2SD1439; 2SD1440; 2SD1441; 2SD1541; 2SD1632; 2SD1729; 2SD1730; 2SD1731; 2SD1732; 2SD1739; 2SD1846; 2SD1849; 2SD1850; 2SD2057

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS
BU505; BU505D; BU505DF; BU505F; BU506; BU506D; BU506DF; BU506F; BU508AF; BU508AW; BU508DF; BU508DW; BU1506DX; BU1507AX; BU1507DX; BU1508AX; BU1508DX; BU2506DF; BU2506DX; BU2507AF; BU2507AX; BU2507DF; BU2507DX; BU2508A; BU2508AF; BU2508AW; BU2508AX; BU2508D; BU2508DF; BU2508DW; BU2508DX; BU2515AF; BU2515AX; BU2515DF; BU2515DX; BU2520A; BU2520AF; BU2520AW; BU2520AX; BU2520D; BU2520DF; BU2520DW; BU2520DX; BU2522A; BU2522AF; BU2522AW 145; BU2522AX; BU2522DF; BU2522DX; BU2523AF; BU2523AX; BU2523DF; BU2523DX; BU2525A; BU2525AF; BU2525AW; BU2525AX; BU2525DF; BU2525DW; BU2525DX; BU2527A; BU2527AF; BU2527AW; BU2527AX; BU2527DF; BU2527DX; BU2530AL; BU2530AW; BU2532AL; BU2532AW; BU2708AF; BU2708AX; BU2708DF; BU2708DX; BU2720AF; BU2720AX; BU2720DF; BU2720DX; BU2722AF; BU2722AX; BU2722DF; BU2722DX; BU2725AF; BU2725AX; BU2725DF; BU2725DX; BU2727A; BU2727AF; BU2727AW; BU2727AX; BU2730AL; BU4506AF; BU4506AX; BU4506AZ; BU4506DF; BU4506DX; BU4506DZ; BU4507AF; BU4507AX; BU4507AZ; BU4507DF; BU4507DX; BU4507DZ; BU4508AF; BU4508AX; BU4508AZ; BU4508DF; BU4508DX; BU4508DZ; BU4515AF; BU4515AX; BU4515DF; BU4515DX; BU4522AF; BU4522AX; BU4522DF; BU4522DX; BU4523AF; BU4523AW; BU4523AX; BU4523DF; BU4523DW; BU4523DX; BU4525AF; BU4525AL; BU4525AW; BU4525AX; BU4525DF; BU4525DL; BU4525DW; BU4525DX; BU4530AL; BU4530AW; BU4530AX; BU4540AL; BU4540AW; BU4550AL; BUJ101A; BUJ101AU; ВUJ101АХ; BUJ103A; BUJ103AU; ВUJ103АХ; BUJ105A; BUJ105AB; BUJ105AX; BUJ106A; BUJ106AX; BUJ202A; BUJ202AX; ВUJ204А; ВUJ204АХ; ВUJ205А; ВUJ205АХ; BUJ301A; ВUJ301АХ; BUJ302A; BUJ302AX; ВUJЗОЗА; ВUJ303АХ; BUJ304A; BUJ304AX; BUJ403A; BUJ403AX; ВUJ403ВХ; BUT11; BUT11A; BUT11AF; BUT11AI; BUT11AX; BUT11APX; BUT11APX-1200; BUT11F; BUT11XI; BUT12; BUT12A; BUT12AF; BUT12AI; BUT12F; BUT12XI; BUT18; BUT18A; BUT18AF; BUT18F; BUW11AF; BUW11F; BUW11AW; BUW11W; BUW13AF; BUW13F; BUW13AW; BUW13W; BUW14; BUX84; BUX84F; BUX84S; BUX85; BUX85F; BUX86P; BUX87P; BUX87-1100

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SAMSUNG
KSD5001; KSD5002; KSD5003; KSD5004; KSD5005; KSD5007; KSD5011; KSD5013; KSD5015; KSD5017

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANKEN
2SC3678; 2SC3679; 2SC3680; 2SC3830; 2SC3831; 2SC3832; 2SC3833; 2SC3890; 2SC3927; 2SC4020; 2SC4130; 2SC4138; 2SC4139; 2SC4140; 2SC4296; 2SC4297; 2SC4298; 2SC4299; 2SC4300; 2SC4304; 2SC4418; 2SC4434; 2SC4445; 2SC4517; 2SC4517A; 2SC4518; 2SC4518A; 2SC4546; 2SC4557; 2SC4662; 2SC4706; 2SC4907; 2SC4908; 2SC5002; 2SC5003; 2SC5071; 2SC5124; 2SC5130; 2SC5239; 2SC5249; 2SC5271; 2SC5287

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANYO
2SA1402; 2SA1403; 2SA1404; 2SA1405; 2SA1406; 2SA1407; 2SA1474; 2SA1475; 2SA1476; 2SA1536; 2SA1537; 2SA1538; 2SA1539; 2SA1540; 2SA1541; 2SA1967; 2SA1968LS; 2SC3176; 2SC3591; 2SC3595; 2SC3596; 2SC3597; 2АС3598; 2SC3599; 2SC3600; 2SC3601; 2SC3636; 2SC3637; 2SC3638; 2SC3642; 2SC3643; 2SC3675; 2SC3676; 2SC3685; 2SC3686; 2SC3687; 2SC3688; 2SC3780; 2SC3781; 2SC3782; 2SC3894; 2SC3895; 2SC3896; 2SC3897; 2SC3950; 2SC3951; 2SC3952; 2SC3953; 2SC3954; 2SC3955; 2SC3956; 2SC3995; 2SC3996; 2SC3997; 2SC3998; 2SC4030; 2SC4031; 2SC4123; 2SC4124; 2SC4125; 2SC4256; 2SC4257; 2SC4271; 2SC4291; 2SC4293; 2SC4411; 2SC4423; 2SC4425; 2SC4426; 2SC4427; 2SC4428; 2SC4429; 2SC4430; 2SC4435; 2SC4437; 2SC4440; 2SC4441; 2SC4450; 2SC4451; 2SC4475; 2SC4476; 2SC4478; 2SC4493; 2SC4563; 2SC4572; 2SC4578; 2SC4579; 2SC4630; 2SC4631; 2SC4632; 2SC4633; 2SC4634; 2SC4635; 2SC4636; 2SC4637; 2SC4660; 2SC4710; 2SC4710LS; 2SC4769; 2SC4770; 2SC4924; 2SC5041; 2SC5042; 2SC5043; 2SC5044; 2SC5045; 2SC5046; 2SC5047; 2SC5238; 2SC5296; 2SC5297; 2SC5298; 2SC5299; 2SC5300; 2SC5301; 2SC5302; 2SC5303; 2SC5443; 2SC5444; 2SC5450; 2SC5451; 2SC5452; 2SC5453; 2SC5506; 2SC5577; 2SC5578; 2SC5637; 2SC5638; 2SC5639; 2SC5680; 2SC5681; 2SC5682; 2SC5683; 2SC5689; 2SC5690; 2SC5696;2SC5698; 2SC5699; 2SC5722; 2SC5723; 2SC5776; 2SC5777; 2SC5778; 2SC5791; 2SC5792; 2SC5793; 2SC5794; 2SC5811; 2SC5899; 2SC5900; 2SC5932; 2SC5933; 2SC5966; 2SC5967; 2SC5968; 2SD1159; 2SD1876; 2SD1877; 2SD1878; 2SD1879; 2SD1880; 2SD1881; 2SD1882; 2SD1883; 2SD1884; 2SD1885; 2SD1886; 2SD1887; 2SD1908; 2SD1958; 2SD2251; 2SD2252; 2SD2578; 2SD2579; 2SD2580; 2SD2581; 2SD2624; 2SD2627LS; 2SD2629; 2SD2634; 2SD2645; 2SD2646; 2SD2648; 2SD2649; 2SD2650; 2SD2658LS; 2SD2688LS; 2SD2689LS; TS7988; TS7990; TS7992; TS7994; TT2138LS; TT2140LS; ТТ2142; TT2170LS; TT2190LS; ТТ2202

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SHINDENGEN
2SA1598; 2SA1599; 2SA1600; 2SA1601; 2SA1795; 2SA1796; 2SA1876; 2SA1877; 2SA1878; 2SA1879; 2SB1282; 2SB1283; 2SB1284; 2SB1285; 2SB1448; 2SC4051; 2SC4052; 2SC4053; 2SC4054; 2SC4055; 2SC4056; 2SC4057; 2SC4058; 2SC4059; 2SC4060; 2SC4148; 2SC4149; 2SC4150; 2SC4151; 2SC4230; 2SC4231; 2SC4232; 2SC4233; 2SC4234; 2SC4235; 2SC4236; 2SC4237; 2SC4580; 2SC4582; 2SC4583; 2SC4584; 2SC4585; 2SC4663; 2SC4664; 2SC4668; 2SC4669; 2SC4833; 2SC4834; 2SC4876; 2SC4914; 2SC4940; 2SC4941; 2SC4978; 2SC4979; 2SC4980; 2SC4981; 2SC4982; 2SC5241; 2SD1022; 2SD1023; 2SD1024; 2SD1025; 2SD1026; 2SD1027; 2SD1788; 2SD1789; 2SD1790; 2SD1791; 2SD1792; 2SD1793; 2SD1794; 2SD1795; 2SD2196

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства ST — MICROELECTRONICS
BU208A; BU505; BU508A; BU508AFI; BU508DFI; BU808DFI; BUF405A; BUF405AFP; BUF410; BUF410A; BUF420; BUF420A; BUF420M; BUh2015; BUh2015HI; BUh2215; BUh3M20AP; BUh415; BUh415D; BUh415DFH; BUH515; BUH515D; BUH615D; BUH715; BUL1101E; BUL1102E; BUL118; BUL1203E; BUL1403ED; BUL213; BUL216; BUL310; BUL310FP; BUL312FH; BUL312FP; BUL381; BUL381D; BUL382; BUL382D; BUL38D; BUL39D; BUL416; BUL49D; BUL510; BUL57; BUL57FP; BUL58D; BUL59; BUL654; BUL67; BUL742; BUL810; BUL89; BULB128D-1; BULB39D; BULB49D; BULD118D-1; BULK128D; BULT118; BULT118D; BUV48C; BUV48CFI; BUW1015; BUW1215; BUX48C; HD1520FX; HD1530FX; HD1530JL; HD1750FX; HD1750JL; HD1760JL; MD1803DFX; MD2310FX; MJD47T4; MJD49T4; MJD50T4; S2000AFI; SGSF313; SGSF313PI; SGSF344; SGSF464; SGSFI464; ST13003; ST13005; ST13007; ST13007FP; ST13007N; ST13007NFP; ST1802FH; ST1803DFH; ST1803DHI; ST2001FX; ST2009DXI; ST2310DXI; ST2310FX; ST2317DFX; ST2408h2; ST83003; STB13005-1; STD13003-1; STD13003-T4; STD83003-1; STD83003-T4; STK13003; STX13005; THD200F1; THD215HI; THD218DHI; THD277HI

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства TOSHIBA
2SC3307; 2SC3425; 2SC3657; 2SC3715; 2SC3716; 2SC3884A; 2SC3885A; 2SC3886A; 2SC3887; 2SC3887A; 2SC3888; 2SC3888A; 2SC3889; 2SC3889A; 2SC3892; 2SC3892A; 2SC3893; 2SC3893A; 2SC4157; 2SC4288; 2SC4288A; 2SC4289; 2SC4289A; 2SC4290; 2SC4290A; 2SC4531; 2SC4532; 2SC4542; 2SC4560; 2SC4608; 2SC4757; 2SC4758; 2SC4759; 2SC4760; 2SC4761; 2SC4762; 2SC4763; 2SC4764; 2SC4765; 2SC4766; 2SC4806; 2SC4830; 2SC4916; 2SC5048; 2SC5129; 2SC5142; 2SC5143; 2SC5144; 2SC5148; 2SC5149; 2SC5150; 2SC5172; 2SC5266; 2SC5279; 2SC5280; 2SC5331; 2SC5332; 2SC5339; 2SC5353; 2SC5354; 2SC5386; 2SC5387; 2SC5404; 2SC5411; 2SC5421; 2SC5422; 2SC5439; 2SC5445; 2SC5446; 2SC5570; 2SC5587; 2SC5588; 2SC5589; 2SC5590; 2SC5612; 2SC5695; 2SC5716; 2SC5717; 2SC5748; 2SC5855; 2SC5856; 2SC5857; 2SC5858; 2SC5859; 2SD1279; 2SD1425; 2SD1426; 2SD1427; 2SD1428; 2SD1429; 2SD1430; 2SD1431; 2SD1432; 2SD1433; 2SD1543; 2SD1544; 2SD1545; 2SD1546; 2SD1547; 2SD1548; 2SD1553; 2SD1554; 2SD1555; 2SD1556; 2SD2089; 2SD2095; 2SD2125; 2SD2253; 2SD2348; 2SD2349; 2SD2428; 2SD2454; 2SD2498; 2SD2499; 2SD2500; 2SD2539; 2SD2550; 2SD2551; 2SD2553; 2SD2559; 2SD2586; 2SD2599; 2SD2638; 2SD811; 2SD818; 2SD819; 2SD820; 2SD821; 2SD822; 2SD868; 2SD869; 2SD870; 2SD871; S2000; S2000A; S2000AF; S2000F; S2000N; S2055; S2055A; S2055AF; S2055F; S2055N

Транзисторы с высокой скоростью переключения производства ZETEX
BST39; FMMT458; FMMT459; FMMT497; FZT458; FZT658; FZT857; FZTA42

Аналоги полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике
Типовое использование транзистора с высокой скоростью переключения в схемах строчной развертки

Обновлено: 02.06.2021

Поделитесь записью в своих социальных сетях!

Григорьев А.П. Транзисторы. Справочник | PRO-TechInfo
В справочнике в табличной форме приведены сведения об основных электрических параметрах, предельно допустимых режимах работы современной номенклатуры транзисторов, выпускаемых отечественной промышленностью. Даны габаритные чертежи приборов.
Книга предназначена для широкого круга радиолюбителей.
В справочнике приведены сведения о параметрах биполярных и палевых транзисторов (в том числе лавинных, однопереходных, двухэмиттерных, силовых) , а также сборок на их основе, режимах измерения, предельно допустимых параметрах режимов эксплуатации. Изложены принципы работы транзисторов, системы их классификации, даны габаритные чертежи. Приведены графические обозначения условные обозначения параметров и основные нормативно-технические документы по транзисторам. Рассмотрены некоторые особенности применения транзисторов, даны рекомендации по их использованию в аппаратуре. Для удобства поиска данных транзисторы сгруппированы в справочнике как по максимально допустимой рассеиваемой мощности (для мощных транзисторов — с применением теплоотвода), так и по частоте.
В последнее время разработано большое число составных транзисторов (транзисторов Дарлингтона) , данные о них представлены в самостоятельных таблицах. В связи с различным составом параметров генераторных и переключательных ВЧ транзисторов большой мощности и СВЧ транзисторов средней и большой мощностей данные о них разделены по функциональным признакам и также приведены в самостоятельных таблицах. В пределах каждой таблицы биполярные транзисторы расположены по мере возрастания основного определяющего параметра — постоянного тока коллектора. А полевые транзисторы — по мере увеличения рассеиваемой мощности на транзисторе. В конце справочника даны указатель типов транзисторов и указатель таблиц.
Знаком «*» отмечены типы приборов, предназначенные для применения в устройствах с пониженными эксплуатационными характеристиками.
Буква «т» рядом со значением параметра обозначает, что приведенная величина является типовой, а буква «и» соответствует импульсному режиму работы транзистора.
Год издания: 1989.
Формат: Djvu.
Биполярный транзистор
— обзор
3.3.1 Введение
В системах интеллектуальных датчиков температуры и микроэлектромеханических системах (MEMS) часто используются встроенные датчики, которые объединяют чувствительные элементы с интерфейсной электроникой, необходимой для связи, например, с микроконтроллерами. Помимо встроенных датчиков, в таких системах могут применяться и дискретные чувствительные элементы. Дискретные элементы используются, например, для калибровки и тестирования. Дискретные элементы также используются в средах, в которых температуры выходят за пределы допустимого диапазона интерфейсной электроники.Таблица 3.1 (Meijer, 2008a) суммирует основные характеристики некоторых обычно используемых на кристалле и дискретных чувствительных элементов для систем датчиков температуры и MEMS.
Таблица 3.1. Основные характеристики различных типов термочувствительных элементов, согласно Meijer (2008a)
Характеристики Транзисторы (BJT) Термопары Платиновые резисторы Термисторы
Диапазон температур (° C ) Средняя
от −50 до +180 Очень большая
от −270 до +3500 Большая
от −260 до +1000 Средняя
от −80 до +180
Точность Средняя Проблема, потому что опорного спая Высокая в широком диапазоне Высокая в малом диапазоне
Точность для измерения небольших перепадов температур Средняя Высокая Средняя Средняя
Подходит для интеграции на кремнии чип Да Да Нет в стандартной технологии Нет в стандартной технологии y
Чувствительность Высокая (2 мВК ⁻¹) Низкая (0.05–1 мВК ⁻¹) Низкое (0,4% K ⁻¹) Высокое (5% K ⁻¹)
Линейность Хорошо Хорошо Хорошо Очень сильная нелинейность
Электрическая величина, представляющая температуру Напряжение Напряжение Сопротивление Сопротивление
Биполярные переходные транзисторы (БЮТ) и термисторы относятся к наиболее чувствительным устройствам в этой таблице.Часто BJT используются с короткозамкнутым соединением коллектор-база ¹ и смещены с помощью хорошо контролируемого тока. Этот способ смещения имеет то преимущество, что результирующее напряжение база-эмиттер почти линейно связано с температурой (Meijer, 2008a). Также характеристики термистора можно линеаризовать, применяя последовательные или шунтирующие резисторы за счет снижения чувствительности (Meijer, 2008a). Высокая чувствительность может быть полезна, поскольку снижает требования к точности схем обработки.Фактически, любая эквивалентная входная ошибка схем обработки будет разделена на чувствительность датчика при вычислении соответствующей температурной погрешности. Часто создать хорошую схему обработки не так уж и сложно. В этом случае точность сенсорных элементов важнее их чувствительности.
По большей части неточность чувствительных к температуре элементов вызвана перекрестным воздействием механического напряжения и, следовательно, также изменениями механического напряжения во время, например, термоциклирования или старения.По тем же причинам на точность сенсора влияет механическое напряжение, остающееся после изготовления и упаковки сенсорных элементов. При сравнении свойств транзистора и термистора в важном диапазоне температур около 300K термисторы имеют лучшую точность. По этой причине термисторы часто используются в сенсорных системах. С другой стороны, транзисторы относятся к основным компонентам микросхем. Следовательно, транзисторы могут быть изготовлены как компонент датчика температуры на кристалле.Следовательно, инновации в датчиках температуры на основе BJT последовали за быстрым развитием и инновациями в технологии IC. По этой причине в интеллектуальных датчиках и МЭМС BJT являются излюбленными элементами измерения температуры. Поэтому данная глава будет в основном посвящена датчикам температуры на основе BJT и соответствующим системам датчиков температуры.
Термопары генерируют напряжение, которое пропорционально разнице температуры между, например, эталонным спаем и измерительным спаем.
Термобатареи состоят из ряда последовательно соединенных термопар и также используются для измерения разницы температур . Термобатареи могут быть изготовлены с использованием ИС-технологии и очень подходят для применения в термодатчиках. В термодатчиках физические величины измеряются путем преобразования физических сигналов сначала в разность температур, а затем преобразование этой разности температур в напряжение термобатареи. Обычно в таких датчиках также измеряется эталонная температура, например, с помощью биполярного транзистора или термочувствительного резистора.Инфракрасные датчики, в том числе популярные клинические ушные термометры, являются примерами тепловых датчиков, в которых излучение поглощается консольным лучом (Herwaarden van, 2008), что вызывает разницу температур, измеряемую с помощью термобатареи. Измерение абсолютной температуры с помощью термопары или ИК-датчика также требует использования датчика абсолютной температуры, например термистора или транзистора, для измерения эталонной температуры.
В промышленных системах часто используются дискретные термочувствительные элементы из-за их высокой точности и превосходной долговременной стабильности.Чаще всего используются платиновые резисторы, термопары и термисторы. Из-за своей стабильности платиновые резисторы перечислены в Международной температурной шкале 1990 г. как интерполирующий температурный стандарт в диапазоне температур от -259,4 ° C до 961,9 ° C (Michalski et al., 2001). Для более высоких температур используются другие типы датчиков, например, определенные типы термопар. Из-за их низкой стоимости и высокой надежности дискретные термопары широко используются в промышленных приложениях, где доступны разные типы для разных температурных диапазонов.
Термисторы очень чувствительны, но не так стабильны, как платиновые резисторы. Они широко применяются в диапазоне температур от -80 ° C до 180 ° C. Помимо высокой чувствительности, термисторы обладают небольшими размерами и недорого. Однако их сильная нелинейность затрудняет обработку сигнала термистора. Линеаризацию можно получить с помощью шунтирующих и последовательных резисторов (Meijer, 2008a) за счет снижения чувствительности. Некоторые сенсорные интерфейсы, такие как универсальный сенсорный интерфейс Smartec (2016a), предлагают специальные режимы обработки термисторов, включая линеаризацию.
За последние десятилетия инновации в системах датчиков температуры, реализованных с использованием дискретных чувствительных элементов, в основном касались разработки электронных интерфейсов (Smartec, 2016a; Meijer, 2008b; Khadouri et al., 1997). Для получения более подробной информации, касающейся дискретных термочувствительных элементов и соответствующих систем измерения, читатель может отослать читателя к специальной литературе (Michalski et al., 2001).
Руководство по выбору силовых биполярных транзисторов
: типы, характеристики, применение
Силовые биполярные транзисторы — это полупроводники, в которых базовый слой n-типа или p-типа зажат между эмиттерным и коллекторным слоями противоположного типа.Доступны две полярности: PNP и NPN.
В обоих вариантах переходы между полупроводниковыми секциями усиливают слабые входящие сигналы. Кроме того, толстая и низколегированная область коллектора приводит к большому запирающему напряжению.
Обычно силовые биполярные транзисторы работают при более низких плотностях тока, чтобы улучшить рассеивание мощности на единицу площади. Устройства большего размера используются с большими токами. Кремний — наиболее часто используемый материал из-за его высокой теплопроводности и относительно низкой стоимости.Карбид кремния дает преимущества в эксплуатационных характеристиках, но является более дорогим материалом.
Технические характеристики
Технические характеристики силовых биполярных транзисторов включают:
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер — это максимально допустимое значение напряжения, которое может непрерывно применяться в обратном направлении коллекторного перехода при открытом эмиттере.
Напряжение пробоя коллектор-база при разомкнутом выводе эмиттера.
Максимальный ток коллектора — это максимальный ток, который может выдерживать коллектор при активном транзисторе.
Произведение коэффициента усиления по току на ширину полосы — это частота, на которой статический коэффициент передачи прямого тока равен единице.
Статический коэффициент передачи прямого тока , который также известен как коэффициент усиления по току с общим эмиттером, представляет собой отношение входного постоянного тока и выходного постоянного тока.
Рассеиваемая мощность , общая потребляемая мощность устройства, обычно измеряется в ваттах (Вт) или милливаттах (мВт).
Другие технические характеристики биполярных транзисторов включают:
Прирост мощности
Выходная мощность
Диапазон температур
Некоторые устройства поддерживают определенный температурный диапазон и обладают механическими и электрическими характеристиками, подходящими для коммерческого, промышленного или автомобильного применения.Другие силовые биполярные транзисторы соответствуют требованиям военных спецификаций (MIL-SPEC).
Типы упаковки
Базовые типы корпусов ИС для силовых биполярных транзисторов: контур транзистора (TO), малый контур (SO) и транзистор с малым контуром (SOT).
Для каждого типа упаковки доступно множество вариантов. Контурные пакеты транзисторов включают:
TO-92, одинарный линейный корпус, часто используемый для маломощных устройств
TO-220, который подходит для силовых устройств большой мощности, среднего тока и с быстрым переключением.
TO-263, версия корпуса TO-220 для поверхностного монтажа.
Пакеты транзисторов малого размера включают:
SOT23, который часто используется в бытовой технике, офисном и промышленном оборудовании, персональных компьютерах, принтерах и коммуникационном оборудовании.
SOT89, пластиковый корпус для поверхностного монтажа с тремя выводами и площадкой коллектора для хорошей теплопередачи.
SOT223, герметичный корпус, обеспечивающий отличную производительность в условиях высоких температур и влажности.
Типы корпусов ИС для БТИЗ также включают дискретный или дека-ваттный корпус (DPAK) и плоский корпус (FPAK).
Способы упаковки
Методы упаковки силовых биполярных транзисторов включают в себя катушку с лентой, направляющую, объемную упаковку и ламповую технологию.
Катушка с лентой Метод упаковывает компоненты в ленточную систему путем наматывания определенной длины или количества для транспортировки, обработки и конфигурирования в стандартном для отрасли автоматизированном оборудовании для сборки плат.
Rail , еще один стандартный метод упаковки, обычно используется только в производственных условиях.
Пакетная упаковка Устройства распространяются как отдельные части, а компоненты лотков доставляются в лотках.
Трубчатый или стержневой магазин Метод используется для подачи силовых биполярных переходных транзисторов в автоматические установочные машины для сквозного или поверхностного монтажа.
Стандарты
IEC 60747-7 — Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 7. Биполярные транзисторы.
JEDEC JESD 24-4 — Измерения термического импеданса биполярных транзисторов (метод дельта-база-эмиттер)
Список литературы
Кредиты изображений:
Motorola | NXP | Jameco

BJT (биполярный переходной транзистор) | Microsemi
Обзор
Биполярные переходные транзисторы
, или BJT, обладают более высокой проводимостью, чем МОП-транзисторы, и не требуют отдельных драйверов затвора.Особая сила заключается в том, что они представляют собой усилители тока, способные создавать очень высокие плотности тока. Они могут использоваться в качестве усилителей, переключателей и генераторов и способны работать на очень высоких частотах. Их также можно использовать в качестве датчиков температуры и логарифмических преобразователей. Microsemi предлагает BJT в дискретной конфигурации NPN или PNP, а также в собранном виде, который можно использовать для приложений интерфейса или преобразования мощности.
Microsemi BJT могут использоваться в приложениях Space , Commercial Aviation , Hi-Reliability , Military и Industrial .
Дискретные решения Microsemi соответствуют требованиям MIL-PRF-19500 , и компания имеет больше квалификаций DLA, чем любой другой производитель космического уровня.
Приложения
Рекомендуемые приложения для BJT (биполярный переходный транзистор)
Параметрический поиск
«Предыдущая
{{n + 1}}
Следующий »
Показано 2550100 на страницу
Упаковка
Детали Статус детали Тип Перевозчик пакетов {{attribute.имя | noComma}} ({{attribute.type}})
В этой категории нет параметрических данных! попробуйте другие категории
Вертикальный биполярный плазменный транзистор со скрытым металлическим слоем
Каника Надда
¹ Департамент электротехники, Индийский технологический институт, Нью-Дели 110 016, Индия
М. Джагадеш Кумар
¹ Департамент электротехники , Индийский технологический институт, Нью-Дели 110 016, Индия
¹ Департамент электротехники, Индийский технологический институт, Нью-Дели 110 016, Индия
Получено 14 января 2014 г .; Принята в печать 28 ноября 2014 г.
Авторские права © 2015, Macmillan Publishers Limited. Все права защищены. Эта работа находится под лицензией Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivs 4.0 International License. Изображения или другие сторонние материалы в этой статье включены в лицензию Creative Commons для статьи, если иное не указано в кредитной линии; если материал не включен в лицензию Creative Commons, пользователям потребуется получить разрешение от держателя лицензии, чтобы воспроизвести материал.Чтобы просмотреть копию этой лицензии, посетите http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/
Abstract
Самовыравнивающийся вертикальный биполярный зарядно-плазменный транзистор (V-BCPT) со скрытым металлическим слоем между нелегированным кремнием и скрытым оксидом подложки кремний-на-изоляторе, сообщается в этой статье. С помощью двухмерного моделирования устройства детально оцениваются электрические характеристики предлагаемого устройства. Результаты нашего моделирования демонстрируют, что V-BCPT не только имеет очень высокий коэффициент усиления по току, но также демонстрирует высокое значение BV _CEO · f _T , что делает его очень подходящим для высокоскоростных схем со смешанными сигналами.Предлагаемая структура устройства также подходит для реализации бездопингового биполярного зарядового плазменного транзистора с использованием сложных полупроводников, таких как GaAs, SiC, с низким тепловым балансом. Устройство также невосприимчиво к неидеальным эффектам скапливания тока, возникающим при высоких плотностях тока.
Биполярные транзисторы широко используются в конструкции токовых зеркал, усилителей и опорного напряжения в запрещенной зоне во многих высокоскоростных схемах смешанных сигналов. Боковые биполярные транзисторы на КНИ оказались очень интересными с появлением технологий BiCMOS ¹ ^{, 2} ^{, 3}.Однако боковые биполярные транзисторы на КНИ страдают от более низкой частоты среза и меньшего усиления по току из-за сложности реализации узкой ширины базы. В вертикальных биполярных транзисторах малая глубина перехода может быть легко реализована путем управления процессами диффузии, ионной имплантации и эпитаксиального роста. Ряд недавних публикаций демонстрирует большие достижения в области вертикального комплементарного BiCMOS ⁴ ^{, 5}. Ячейка памяти с произвольным доступом с резистивной коммутацией ⁶ была экспериментально реализована для применений со сверхвысокой плотностью и низким напряжением, масштабируемый трехмерный вертикальный биполярный транзистор n-p-n (V-NPN BJT).V-NPN BJT, обеспечиваемый посредством процесса BiCMOS, также использовался для реализации конструкции преобразователя с большой крутизной г _м , низким уровнем шума и высокой линейностью ⁷ для приложений в радиочастотных и аналоговых схемах. В последнее время последовательное сопротивление коллектора биполярных транзисторов было значительно уменьшено за счет включения высокопроводящего скрытого слоя силицида ⁸ ^{, 9} ^{, 10} ^{, 11} между верхним слоем кремния и скрытым оксидным слоем (BOX). подложек кремний-на-изоляторе.
Ряд металлических слоев, таких как вольфрам ⁸ ^{, 9} ^{, 10}, кобальт ¹², молибден ¹³ и другие, были включены с помощью технологии склеивания с низким тепловым балансом. Однако в устройствах с агрессивным масштабированием флуктуация легирующей примеси ¹⁴ ^{, 15} и активация легирующей примеси ¹⁶ высоколегированного эмиттера и базовой области БЮТ с высокими тепловыми балансами могут быть узким местом при интеграции биполярного процесса с КМОП процесс на КНИ, включающий скрытый металлический слой.
Недавно было сообщено о боковом биполярном транзисторе без легирования (Bipolar Charge Plasma Transistor), основанном на концепции зарядовой плазмы ¹⁷, как показано на. В этом транзисторе области n-типа и p-типа создаются путем индуцирования электронной и дырочной плазмы в нелегированной кремниевой пленке с использованием металлических электродов с соответствующими рабочими функциями. Для создания эмиттерной и коллекторной областей работа выхода металлических электродов φ _{M, E} и φ _{M, C}, соответственно, должна быть меньше работы выхода φ _Si пленки Si.Для создания p-базовой области выбран металлический электрод с работой выхода φ _{M, B}> φ _Si. Ни ионная имплантация, ни примесные атомы не диффундируют в собственный кремний, чтобы сформировать области эмиттера, базы и коллектора. Отсутствие легированных областей позволяет этому устройству устранять необходимость в сложных тепловых балансах, необходимых для обычных биполярных транзисторов. Как показано на фиг.4, индуцированная концентрация носителей поддерживается в BCPT в условиях теплового равновесия, а также в условиях прямого активного смещения.Поскольку BCPT представляет собой боковую структуру, он демонстрирует низкую частоту среза по сравнению с его традиционным аналогом, как показано на. Кроме того, в боковом BJT трудно контролировать ширину основания, тогда как ширина тонкого основания может быть легко реализована в вертикальных BJT.
(a) Схематическое сечение, (b) чистая концентрация носителей и (c) частота отсечки бокового BCPT.
В этой статье мы представляем подробное исследование бездопингового вертикального биполярного зарядового плазменного транзистора (V-BCPT) со скрытым металлическим слоем на собственном кремнии ¹⁷ ^{, 18} ^{, 19} ^{, 20} ^{, 21} ^{, 22} ^{, 23} ^{, 24} ^{, 25} ^{, 26} ^{, 27} ^{, 28}.Новизной предлагаемой структуры по сравнению с боковыми структурами биполярных транзисторов ¹⁷ ^{, 20} ^{, 22} ^{, 23} является то, что это самовыравнивающееся вертикальное устройство с заглубленным металлическим слоем. Мы демонстрируем, что предлагаемый V-BCPT демонстрирует высокий коэффициент усиления по току и большой продукт BV _CEO · f _T , необходимый для аналоговых схем. В структуре V-BCPT, без необходимости диффузии легирующей примеси, эмиттер «n ⁺», коллектор «n» и база «p» индуцируются в собственном кремниевом теле путем выбора эмиттера, коллектора и основного металла. электроды с подходящими рабочими функциями.
Предлагаемая структура устройства может иметь потенциальные применения при реализации BCPT с использованием сложных полупроводниковых материалов, таких как GaAs и SiC. Используя двумерное моделирование, мы демонстрируем, что V-BCPT не только демонстрирует значительно более высокое усиление по току и частоту отсечки f _T , но также невосприимчив к эффекту скапливания тока, возникающему на краях эмиттера на высоком коллекторе. текущие плотности.
Структура и параметры устройства
Поперечное сечение V-BCPT показано вместе с индуцированным распределением электронов и дырок в условиях теплового равновесия.В V-BCPT электронная плазма индуцируется в нелегированной пленке Si для создания эмиттерной области за счет использования гафния (работа выхода ϕ _{м, E} = 3,9 эВ) в качестве металла эмиттерного электрода. Пакет из TiN / HfSiO _x / SOI, легированного фтором (работа выхода ϕ _{м, B} = 5,4 эВ) ²⁹ используется в качестве основного электрода для индуцирования дырочной плазмы для создания основной области с не — равномерное распределение отверстий. Во время распыления эмиттера и основного металла можно использовать смещение подложки, чтобы избежать возможности образования силицида. ³⁰.Поскольку нам нужна более низкая концентрация электронов в области коллектора по сравнению с тем, что требуется в области эмиттера транзистора, алюминий (работа выхода ϕ _{м, C} = 4,28 эВ) используется как коллекторный электрод, расположенный между кремнием. и КОРОБКА СОИ. Этот скрытый алюминиевый электрод (как описано в разделе IV) может быть сформирован с использованием технологий соединения пластин ⁸ ^{, 9} ^{, 10} ^{, 11} ^{, 12} ^{, 13}. Хотя пленка Si является внутренней, мы предположили, что она непреднамеренно легирована N _D = 1 × 10 ¹⁴ / см ³.Зазор (L _S) в 10 нм отделяет эмиттер от основных металлических электродов по обе стороны от эмиттерного электрода.
Схематический разрез V-BCPT.
Моделирование выполняется с помощью инструмента моделирования устройств ATLAS [ATLAS Device Simulation Software, Silvaco Int., Santa Clara, CA, 2014.] с использованием распределения Ферми-Дирака статистики операторов связи с унифицированной моделью мобильности Philip ³¹, все с параметры кремния по умолчанию. В симуляторе используется набор фундаментальных уравнений, которые связывают электростатический потенциал и плотности носителей.Эти уравнения получены из законов Максвелла и состоят из уравнения Пуассона, уравнений неразрывности и уравнений переноса. Для транспорта носителей используется обычная дрейфово-диффузионная модель (DD). Стандартная модель термоэлектронной эмиссии [ ATLAS Device Simulation Software , Silvaco Int., Santa Clara, CA, 2014.] используется для эмиттерного контакта V-BCPT со скоростью поверхностной рекомбинации 2,2 × 10 ⁶ см / с и 1,6 × 10 ⁶ см / с для электронов и дырок соответственно.Точно так же идеальные омические контакты предполагались при моделировании зарядового плазменного диода ¹⁸. Результаты изготовленного CP-диода ¹⁹ показывают, что контактное сопротивление не оказывает серьезного влияния на характеристики устройства, если при формировании электрода будут приняты соответствующие меры. Следует отметить, что мы не учли пиннинг уровня Ферми и эффекты понижения барьера в наших расчетах. Для учета ударной ионизации используется модель Зельберхерра ³².Для рекомбинации мы включили модель Клаассена для зависимых от концентрации времен жизни для рекомбинации Шокли-Рида-Холла (SRH) с собственными временами жизни носителей n _{, т.е.} = n _ih = 0,2 μ с ³³ . Скоростное насыщение электрического поля моделируется с помощью модели подвижности, зависящей от поля [Программное обеспечение моделирования устройств ATLAS, Silvaco Int., Санта-Клара, Калифорния, 2014.]. Эффекты экранирования в инверсионном слое также учитываются с использованием модели мобильности Сирахата ³⁴.
Результаты
Концентрации электронов и дырок для V-BCPT вдоль оси y (линия разреза на краю эмиттерного электрода) при тепловом равновесии и прямом активном смещении показаны на. Индуцированные концентрации свободных носителей заряда поддерживаются в областях эмиттера, базы и коллектора либо в условиях теплового равновесия (V _BE = 0 В и V _CE = 0 В), либо в условиях прямого активного смещения (V _BE = 0,7 В. и V _CE = 1 В). Как видно на фиг.2, для данных условий смещения из-за прямого контакта металл-полупроводник чистая концентрация носителей выше вблизи границы раздела металл-Si.В условиях теплового равновесия переход база-эмиттер и переход база-коллектор четко очерчены. В условиях прямого активного смещения концентрация инжектированных носителей увеличивается на переходе база-эмиттер. Кроме того, чистая концентрация электронов в области обеднения коллектор-база увеличивается из-за конечного коллекторного тока, протекающего через устройство. Графики Гаммеля показывают, что базовый ток V-BCPT почти на два порядка ниже по величине по сравнению с током коллектора.Низкий базовый ток структуры V-BCPT связан с накоплением электронов на границе раздела металл-полупроводник эмиттера. показывает накопленную концентрацию электронов под контактом эмиттера по оси ординат. Как поясняется в литературе ¹⁷ ^{, 35} ^{, 36}, электроны накапливаются, когда металл с низкой работой выхода контактирует с эмиттером n-типа. Как показано, это накопление электронов приводит к возникновению электрического поля, что приводит к задержке дырок, инжектированных из базовой области.В результате градиент концентрации дырок, вводимых в эмиттер, уменьшается, что приводит к низкому базовому току, как показано на рис. Следовательно, коэффициент усиления по току β V-BCPT очень высок, как показано на, с приблизительным пиковым значением 10,000.
Смоделированные чистые концентрации носителей в V-BCPT для различных условий смещения.
Графики Гаммеля V-BCPT.
(а) Концентрация электронов и (б) распределение электрического поля в эмиттерной области V-BCPT.
Изменение текущего усиления V-BCPT.
Частота отсечки транзистора является важным показателем для характеристики частотной характеристики биполярных транзисторов. Он определяется как где, g _m — крутизна, а C — сумма обедненной емкости эмиттер-база, обедненной емкости база-коллектор и диффузионной емкости эмиттер-база. Выполняя анализ переменного тока, имитатор сначала вычисляет емкости электродов и крутизну, а затем дает частоту отсечки устройства для заданных условий смещения.Пиковая частота среза V-BCPT () составляет ~ 63 ГГц, что делает его пригодным для схем со смешанными сигналами. Это улучшение частоты отсечки по сравнению с таковой у бокового BCPT ¹⁷ связано с 1) меньшим временем прохождения несущих из-за более тонкой базы и 2) высокой крутизной ²⁰. Модель BV _CEO · f _T продукт считается добротой BJT. V-BCPT имеет высокий BV _CEO · f _T продукт из 126.6 В ГГц (на BV _CEO = 2 В). Выходные характеристики V-BCPT показаны на. Мы видим, что для разных базовых токов ток коллектора не увеличивается равномерно, указывая на то, что коэффициент усиления устройства изменяется с увеличением базового тока. Это связано с сильными эффектами инжекции при высоких токах коллектора, из-за которых ток коллектора не увеличивается с той же скоростью, что и при более низких токах базы. Следовательно, коэффициент усиления устройства по току уменьшается аналогично тому, что происходит в обычных BJT.Результаты нашего моделирования показывают, что напряжение пробоя V-BCPT ниже, чем у обычных вертикальных BJT, и это связано с высоким коэффициентом усиления по току, который демонстрирует V-BCPT ³⁶.
Частота среза V-BCPT.
Выходные характеристики V-BCPT.
Когда происходит скопление тока, большая часть тока эмиттера протекает через края эмиттера в базовую область, оставляя большую часть центральной области эмиттера неактивной.Однако из контурного графика общей плотности тока V-BCPT, показанного на, видно, что в V-BCPT большая часть тока протекает через середину области эмиттера, а не по краям. Это происходит из-за неоднородной концентрации индуцированных дырок по оси X вдали от электродов основания. Это приводит к более низкому встроенному потенциальному барьеру () и, следовательно, к увеличению тока, протекающего в середине области эмиттера по сравнению с краями, что можно наблюдать на рис.Следовательно, большая часть тока проходит через середину устройства, что делает его невосприимчивым к скоплению тока на краях эмиттера, как это наблюдается в обычных BJT при высоких плотностях тока. Одним из преимуществ структуры V-BCPT является реализация поперечного изменения концентрации дырок в области основания, которое невозможно получить в обычном BJT.
Контурный график общей плотности тока V-BCPT для V _BE = 0,7 В и V _CE = 1 В.
Диаграмма энергетических зон V-BCPT вдоль оси Y.
Отличительной особенностью V-BCPT по сравнению с обычным BJT является наличие перехода металл-полупроводник на контактах эмиттера и базы. В зависимости от методов подготовки поверхности и осаждения металла нельзя исключать возможность наличия ловушек как донорного, так и акцепторного типов ³⁷ на этих переходах металл-полупроводник. Концентрация ловушек может достигать 10 ¹¹ / см ², и их присутствие может влиять на усиление тока, как показано в литературе ¹⁷ ^{, 35}.
Для моделирования влияния ловушек на коэффициент усиления по току мы рассмотрели оба типа ловушек с уровнем энергии ловушки (E.level) на 0,49 эВ от зоны проводимости (или валанса) ³⁵. Фактор вырождения (degen) составляет 12 ³⁵ ^{, 38}, а сечения захвата для электронов (знак) и дырок (sigp) составляют 2,85 × 10 ⁻¹⁵ / см ² и 2,85 × 10 ^−14. / см ² ³⁵, [Программа моделирования устройств ATLAS, Silvaco Int., Санта-Клара, Калифорния, 2014.] соответственно.
С увеличением плотности ловушек, базовый ток V-BCPT увеличивается, и в результате наблюдается уменьшение коэффициента усиления по току V-BCPT, как показано на рис. Однако пиковый коэффициент усиления по току V-BCPT существенно высок даже для плотности ловушек 10 ¹¹ / см ². Как это принято в большинстве современных производственных процессов, подготовка поверхности должна хорошо регулироваться, чтобы контролировать плотность ловушек на переходе металл-полупроводник.Влияние поверхностных ловушек минимизирует ³⁵ ^{, 39} за счет введения естественного оксида на ~ 10–15 Å между контактами металл-полупроводник.
Пиковое усиление тока в зависимости от плотности ловушки для V-BCPT.
Обсуждение
В этой статье описывается вертикальный биполярный транзистор без легирования со скрытым металлическим слоем на КНИ. V-BCPT с алюминием в качестве скрытого металлического слоя может быть реализован с низким тепловым балансом. Результаты двухмерного моделирования V-BCPT показывают отличные электрические характеристики с точки зрения высокого коэффициента усиления по току, частоты отсечки и BV _CEO · f _T продукт.Также наблюдается, что предлагаемое устройство невосприимчиво к эффекту скопления тока на краях эмиттера при высоких плотностях тока коллектора. Наши результаты могут послужить стимулом для дальнейшего экспериментального исследования концепции V-BCPT.
Методы
Изготовление
Возможные этапы изготовления V-BCPT схематически показаны на. Сначала очистите Si-пластину пускового устройства и Si-пластину ручки () с помощью стандартного процесса RCA. Удалите естественный оксид на поверхности Si с помощью разбавленного раствора HF, а после этого сразу же распылите металлический Al, чтобы сформировать слой толщиной 100 нм на подложке Si.Используйте плазменную технологию соединения при комнатной температуре ¹³, чтобы прикрепить Si-пластину устройства к Si-пластине ручки с верхним оксидным слоем толщиной 50 нм (). Отожгите склеенные пластины при 200 ° C в течение 2 часов, чтобы увеличить прочность склеивания. Утончите верхний слой кремния до толщины 250 нм.
Возможный процесс изготовления V-BCPT.
Поверх этой кремниевой пленки напыляют слой металлического гафния толщиной 10 нм с последующим нанесением оксидного слоя (200–350 ° C) методом химического осаждения из паровой плазмы (PECVD) ().Силицирование Hf происходит в интервале температур 600–765 ° C ⁴⁰. Необходимо следить за тем, чтобы последующая температура процесса не превышала указанный выше диапазон температур. Сформируйте эмиттерный электрод длиной 40 нм путем нанесения рисунка и травления (). После этого шага нанесите конформный низкотемпературный оксидный слой хорошего качества () и используйте реактивное ионное травление, чтобы сформировать боковую прокладку из оксида толщиной 10 нм с обеих сторон эмиттерного электрода (). Протравите кремний на глубину 60 нм по обе стороны от эмиттерного электрода с помощью RIE ().Затем распылите основной металл () и нанесите на него узор (). Путем химико-механической полировки с последующим нанесением пассивирующего оксидного слоя может быть получена предложенная структура, как показано на. Для контакта с коллекторным электродом можно открыть канавку в кремниевой пленке и распылить металлический алюминий, как показано на рис. Используя предложенный процесс изготовления, может быть реализован самовыравнивающийся плазменный транзистор с вертикальным биполярным зарядом со скрытым металлическим слоем.
Вклад авторов
M.J.K. концептуализировал и руководил проектом. К. провели моделирование. Все проанализировали данные и написали в соавторстве.
Список литературы
Рой С. Р. и Кумар М. Дж. Повышенное напряжение пробоя, уменьшение эффектов квазинасыщения и самонагрева в тонкопленочных биполярных транзисторах с КНИ для повышения надежности: исследование методом TCAD. IEEE Trans. Device Mater. Отн. 6. С. 306–314 (2006). [Google Scholar]
Sun I. S. M. et al. Боковые высокоскоростные биполярные транзисторы на SOI для приложений RF SoC.IEEE Trans. Электрон Дев. 52, 1376–1383 (2005). [Google Scholar]
Nii H. et al. Новый боковой биполярный транзистор с частотой 67 ГГц f (макс.) На тонкопленочной КНИ для аналоговых радиочастотных приложений. IEEE Trans. Электрон Дев. 47, 1536–1541 (2000). [Google Scholar]
Фогели Б. Т. et al. Высокопроизводительный, малосложный вертикальный PNP BJT, интегрированный в технологию SiGe BiCMOS 0,18 г Proc. IEEE BCTM 136–140 (2005). [Google Scholar]
Эль-Каре Б. et al. Технология SiGe BiCMOS с дополнительным напряжением 5 В для высокоскоростных прецизионных аналоговых схем. Proc. IEEE BCTM 211–214 (2003). [Google Scholar]
Ван К. Х. et al. Трехмерный 4F ² ReRAM с вертикальным драйвером BJT с помощью процесса, совместимого с логикой CMOS. IEEE Trans. Электрон Дев. 58, 2466–2472 (2011). [Google Scholar]
Квон К. и Нам И. Метод линеаризации для преобразователя с использованием транзисторов с вертикальным биполярным переходом в процессе CMOS.IEEE Trans. Микроу. Теория и техн. 61, 195–203 (2013). [Google Scholar]
Бейн М. et al. SiGe HBT на связанных КНИ, включающих скрытые слои силицида. IEEE Trans. Электрон Дев. 52, 317–324 (2005). [Google Scholar]
Араи Т. et al. Предложение о биполярном транзисторе с гетеропереходом в металле и изготовлении HBT со скрытым вольфрамом. Proc. IPRM. 183–186 (1999). [Google Scholar]
Наяр В. et al. Оптические свойства связанного силицида кремния на изоляторе (S2OI): новая подложка для электронных и оптических устройств.Тонкие твердые пленки 313, 276–280 (1998). [Google Scholar]
Mitrovic I. Z., Buiu O., Hall S., Bagnall D. M. & Ashburn P. Обзор SiGe HBT на SOI. Твердотельный электрон. 49, 1556–1567 (2005). [Google Scholar]
Zhu S. Y., Ru G. P. и Huang Y. P. Изготовление подложек из силицида кремния на изоляторе с использованием методов соединения пластин и резки слоев. Proc. ICSICT 1. С. 673–675 (2001). [Google Scholar]
Chen C. et al. Исследование подложек кремний-на-изоляторе с заглубленным слоем MoSi ₂.Тонкие твердые пленки 517, 2724–2728 (2009). [Google Scholar]
Chiang M.-H., Lin J.-N., Kim K. & Chuang C.-T. Случайные колебания примеси в технологиях FinFET ограниченной ширины. IEEE Trans. Электрон Дев. 54, 2055–2060 (2007). [Google Scholar]
Мартинес А., Баркер Дж. Р., Свиженко А., Анантрам М. П. и Асенов А. Влияние случайной агрегации примесей в истоке и стоках на характеристики баллистических DG Nano-MOSFET: исследование NEGF. IEEE Trans. Нанотехнологии. 6. С. 438–445 (2007). [Google Scholar]
Хо Дж.С. et al. Контролируемое наноразмерное легирование полупроводников через молекулярные монослои. Nat. Матер. 7. С. 62–67 (2008). [PubMed] [Google Scholar]
Кумар М. Дж. И Надда К. Биполярный зарядовый плазменный транзистор: новое трехконтактное устройство. IEEE Trans. Электрон Дев. 59, 962–967 (2012). [Google Scholar]
Hueting R. J. E., Rajasekharan B., Salm V. & Schmitz J. Заряд плазменного p-n диода. IEEE Electron Dev. Lett. 29, 1367–369 (2008). [Google Scholar]
Раджасекхаран Б. et al. Изготовление и характеристика зарядно-плазменного диода. IEEE Electron Dev. Lett. 31, 528–530 (2010). [Google Scholar]
Надда К. и Кумар М. Дж. Биполярный транзистор с коллектором Шоттки без примесного эмиттера и базы: конструкция и характеристики. IEEE Trans. на Electron Dev. 60, 2956–2959 (2013). [Google Scholar]
Кумар М. Дж. И Джанардханан С. Туннельный полевой транзистор Doping-les: разработка и исследование. IEEE Trans. Электрон Дев. 60, 3285–3290 (2013).[Google Scholar]
Надда К. и Кумар М. Дж. Бездопинговый биполярный транзистор с f _T Превосходя обычный биполярный транзистор. Proc. NSTI Nanotech. Конф. и Экспо 12–16 (2013). [Google Scholar]
Надда К. и Кумар М. Дж. Тонкопленочные биполярные транзисторы на рекристаллизованном поликристаллическом кремнии без примесных переходов: предложение и исследование. Журнал IEEE / OSA Disp. Technol. 10, 590–594 (2014). [Google Scholar]
Ссуда С.А., Башир Ф., Рафат М., Аламуд А. Р. и Аббаси С. А. Боковой биполярный транзистор на основе высокоэффективной плазмы заряда на селективном скрытом оксиде. Полуконд. Sci. Technol. 29, 015011 (2014). [Google Scholar]
Саху К. и Сингх Дж. Зарядно-плазменный технологический беспереходный транзистор с иммунитетом. IEEE Electron Dev. Lett. 35, 411–413 (2014). [Google Scholar]
Башир Ф., Лоан С. А., Низамуддин М. и Шабир Х. Новый высокопроизводительный безмасштабированный боковой PNP-транзистор на кремнии на изоляторе.Proc. IMECS 2, 1–4 (2014). [Google Scholar]
Сингх С. и Кондекар П. Н. Бездопинговая сверхкрутая ударная ионизация МОП (бездопинговая ИМОС), основанная на инженерии работы выхода. Electronics Lett. 2014. Т. 50. С. 888–889. [Google Scholar]
Саху К., Гангули А. и Сингх Дж. Проектирование и проектирование характеристик симметричного биполярного зарядно-плазменного транзистора на КНИ. Electronics Lett. 50, 1461–1463 (2014) [Google Scholar]
Fet A., Häublein V., Bauer A. J., Ryssel H. & Frey L.Эффективная настройка работы выхода в пакетах металл-оксид-полупроводник с высоким κ диэлектриком с помощью легирования фтором и лантанидом. Прил. Phys. Латыши. 96, 053506-3 (2010). [Google Scholar]
Ши Дж., Кодзима Д. и Хашимото М. Взаимодействие между платиновыми пленками и кремниевыми подложками: эффекты смещения подложки во время напыления. J. Appl. Phys. 88, 1679–1683 (2000). [Google Scholar]
Клаассен Д. Б. М. Единая модель мобильности для моделирования устройств — I: Уравнения модели и концентрационная зависимость.Твердотельный электрон. 35, 953–959 (1992). [Google Scholar]
Selberherr S. Анализ и моделирование полупроводниковых приборов. (Вена, Нью-Йорк: Springer-Verlag, 1984). [Google Scholar]
Клаассен Д. Б. М. Единая модель подвижности для моделирования устройств — II: Температурная зависимость подвижности носителей и времени жизни. Твердотельный электрон. 35, 961–967 (1992). [Google Scholar]
Сирахата М., Кусано Х., Котани Н. Кусаноки С., Акасака Ю. Модель мобильности, включая эффект экранирования в инверсионном слое МОП.IEEE Trans. Comput.-Aided Design Integr. Circuits Syst. 11. С. 1114–1119 (1992). [Google Scholar]
Кумар М. Дж. И Парихар В. Транзистор с поверхностным накопительным слоем (SALTran): новый биполярный транзистор для увеличения коэффициента усиления по току и уменьшения деградации горячих носителей. IEEE Trans. Dev. и матер. Надежность 4. С. 509–515 (2004). [Google Scholar]
Кумар М. Дж. И Сингх П. Биполярный супер-бета-транзистор, использующий концепцию транзистора с поверхностным накопительным слоем на основе SiGe (SALTran): исследование моделирования IEEE Trans .на Electron Dev. 53, 577–579 (2006). [Google Scholar]
Зиглер К. Различие донорного и акцепторного характера поверхностных состояний на границе Si-SiO ₂. Прил. Phys. Lett. 32, 249–251 (1978). [Google Scholar]
Ли С. Полупроводниковая физическая электроника. (Springer-Verlag, Нью-Йорк, 2006). [Google Scholar]
Элтухи А. и Рулстон Д. Дж. Роль межфазного слоя в поликремниевых эмиттерных биполярных транзисторах. IEEE Trans. Электрон Дев. 29, 1862–1869 (1982).[Google Scholar]
Джонсон-Стейгельман Х. Т., Бринк А. В., Парихар С. С. и Лайман П. Ф. Образование силицида гафния на Si (001). Phys. Ред. B 69, 235322–6 (2004). [Google Scholar]
PMP9044 Обратный ход с регулировкой на первичной стороне для универсального трехфазного входа переменного тока с эталонной конструкцией биполярного транзистора

См. Важное примечание и Заявление об ограничении ответственности, относящиеся к эталонным проектам и другим ресурсам TI.

Описание
В эталонной конструкции PMP9044 используется регулируемый обратный регулятор первичной стороны UCC28720 для генерации выходного сигнала 3,3 В / 0,5 А от трехфазного универсального входа переменного тока. Биполярный транзистор используется в качестве переключателя на первичной стороне, чтобы минимизировать стоимость схемы.
См. Важное примечание и заявление об ограничении ответственности, относящиеся к эталонным проектам и другим ресурсам TI.
Устройства TI (1)
Закажите образцы, получите инструменты и найдите дополнительную информацию о продуктах TI в этом справочном дизайне.
Номер детали Имя Семейство продуктов Образец и покупка Конструкторские комплекты и оценочные модули
UCC28720 Регулятор постоянного напряжения и постоянного тока с регулировкой на первичной стороне для биполярных силовых устройств Автономные и изолированные контроллеры и преобразователи постоянного / постоянного тока Образец и покупка Посмотреть конструкторские комплекты и оценочные модули
Символы CAD / CAE
Texas Instruments and Accelerated Designs, Inc.сотрудничали друг с другом, чтобы предоставить клиентам TI схематические символы и посадочные места на печатных платах для продуктов TI.
Шаг 1 : Загрузите и установите бесплатную загрузку.
Шаг 2 : Загрузите символ и посадочное место из таблицы файла CAD.bxl.
Texas Instruments и Accelerated Designs, Inc. сотрудничали друг с другом, чтобы предоставить клиентам TI схематические символы и посадочные места на печатных платах для продуктов TI.
Шаг 1 : Загрузите и установите бесплатную загрузку.
Шаг 2 : Загрузите символ и посадочное место из таблицы файла CAD.bxl.
Шаг 3 : Откройте файл .bxl с помощью программного обеспечения Ultra Librarian.
Вы всегда можете получить доступ к полной базе данных символов CAD / CAE по адресу https://webench.ti.com/cad/
Посадочные места печатной платы и условные обозначения доступны для загрузки в формате, не зависящем от производителя, который затем может быть экспортирован в ведущие инструменты проектирования EDA CAD / CAE с помощью Ultra Librarian Reader.Ридер доступен в виде (скачать бесплатно).
UL Reader — это подмножество набора инструментов Ultra Librarian, которое может создавать, импортировать и экспортировать компоненты и их атрибуты практически в любом формате EDA CAD / CAE.

Техническая документация
См. Важное примечание и Заявление об ограничении ответственности, относящиеся к эталонным проектам и другим ресурсам TI.
Руководство пользователя (1)
Файлы дизайна (3)

Поддержка и обучение
Выполните поиск в нашей обширной онлайн-базе знаний, где доступны миллионы технических вопросов и ответов круглосуточно и без выходных.
Найдите ответы от экспертов TI
Контент предоставляется «КАК ЕСТЬ» соответствующими участниками TI и Сообществом и не является спецификациями TI.
См. Условия использования.
Если у вас есть вопросы о качестве, упаковке или заказе продукции TI, посетите нашу страницу поддержки.

В чем разница между MOSFET и BJT?
ОСНОВНЫЕ ЗНАНИЯ — MOSFET VS.BJT В чем разница между MOSFET и BJT?
27.02.2020 Автор / Редактор: Люк Джеймс / Erika Granath
Полевой транзистор металл-оксид-полупроводник (MOSFET) и биполярный переходный транзистор (BJT) — это два типа транзисторов, которые выпускаются в различных корпусах, и тем, кто не знаком с электроникой, часто сложно решить, какой из них следует использовать. в своих проектах.
Связанные компании
Хотя и MOSFET, и BJT являются транзисторами, они работают по-разному и ведут себя по-разному.
(Источник: Юрий Захачевский)
Хотя и MOSFET, и BJT являются транзисторами, они работают по-разному и ведут себя по-разному, поэтому используются по-разному.
Что такое полевой МОП-транзистор?
Рисунок 1: Структура полевого МОП-транзистора.
(Источник: Electronic Tutorials)
Полевой транзистор металл-оксид-полупроводник (MOSFET) представляет собой разновидность полевого транзистора (FET) , который состоит из трех выводов — затвора, истока и стока.В полевом МОП-транзисторе сток управляется напряжением на выводе затвора, поэтому полевой МОП-транзистор является устройством, управляемым напряжением. Напряжение, приложенное к затвору, определяет, сколько тока течет в сток. MOSFET доступны двух типов: « p-channel » и « n-channel ». Оба эти типа могут находиться в режиме увеличения или истощения (см. Рисунок 1). Это означает, что всего существует четыре различных типа полевых МОП-транзисторов.
В полевых МОП-транзисторах с каналом p-типа выводы истока и стока выполнены из полупроводника p-типа.Аналогичным образом, в n-канальных полевых МОП-транзисторах выводы истока и стока сделаны из полупроводника n-типа. Сам вывод затвора сделан из металла и отделяется от выводов истока и стока с помощью оксида металла. Такой уровень изоляции обеспечивает низкое энергопотребление и является основным преимуществом транзисторов этого типа. Часто полевые МОП-транзисторы используются в маломощных устройствах или в качестве строительных блоков для снижения энергопотребления.
Режим истощения: Когда напряжение на клемме затвора низкое, канал демонстрирует максимальную проводимость.Поскольку напряжение на зажимах затвора является положительным или отрицательным, проводимость канала снижается.
Режим улучшения: , когда напряжение на клемме затвора низкое, устройство не проводит ток, если на клемму затвора не подается большее напряжение.
Что такое BJT?
Биполярный переходной транзистор (BJT) — это устройство, управляемое током (в отличие от MOSFET, управляемое напряжением), которое, среди прочего, широко используется в качестве усилителя, генератора или переключателя. Биполярный транзистор имеет три контакта — базу, коллектор и эмиттер — и два перехода: p-переход и n-переход.
Существует два типа BJT — PNP и NPN . Каждый тип имеет большой коллекторный элемент и большой эмиттерный элемент, которые легированы одинаковым образом. Между этими структурами находится небольшой слой другого легирующего агента, называемого «основой». Ток течет в коллекторе PNP и выходит из эмиттера. В NPN полярность противоположная, и ток течет в эмиттере и выходит из коллектора. В любом случае направление тока в базе такое же, как и на коллекторе.
Рисунок 2: Принцип работы BJT.
(Источник: Electronic Tutorials)
По сути, работа BJT-транзистора определяется током на его базовом выводе. Например, небольшой базовый ток равен небольшому току коллектора. Выходной ток BJT всегда равен входному току, умноженному на коэффициент, известный как «усиление», обычно в 10-20 раз превышающий базовый ток.
MOSFET vs BJT: в чем разница?
Рисунок 3: Разница между BJT и MOSFET.
(Источник: Electronic Tutorials)
Между MOSFET и BJT есть много различий.
MOSFET (управляемый напряжением) представляет собой металлооксидный полупроводник, тогда как BJT (управляемый током) представляет собой транзистор с биполярным переходом.
Хотя оба имеют по три клеммы, они отличаются. MOSFET имеет исток, сток и затвор, тогда как BJT имеет базу, эмиттер и коллектор.
MOSFET идеально подходят для приложений большой мощности, тогда как BJT чаще используются в приложениях с низким током.
BJT зависит от тока на его базовом выводе, тогда как MOSFET зависит от напряжения на электроде затвора с оксидной изоляцией.
Структура MOSFET по своей природе более сложна, чем структура BJT.
Что лучше?
И MOSFET, и BJT имеют уникальные характеристики, а также свои плюсы и минусы. К сожалению, мы не можем сказать, что «лучше», потому что вопрос очень субъективен. На этот вопрос нет однозначного и однозначного ответа.
При выборе того, что использовать в проекте, необходимо учитывать множество различных факторов, чтобы прийти к решению. Сюда входят уровень мощности , напряжение привода, эффективность, стоимость и скорость переключения, среди прочего — вот где действительно полезно знать ваш проект!
Как правило, полевые МОП-транзисторы более эффективны в источниках питания. В устройстве с батарейным питанием, где нагрузка переменная, а источник питания ограничен, например, использование BJT было бы плохой идеей. Однако, если BJT используется для питания чего-то с предсказуемым потреблением тока (например, светодиодов), тогда это будет хорошо, потому что ток база-эмиттер может быть установлен на долю тока светодиода для повышения эффективности.
(ID: 46385462)
Обзор биполярных транзисторов
Биполярный транзистор, полное название биполярного переходного транзистора (BJT), представляет собой электронное устройство с тремя выводами, сделанное из трех частей полупроводников с разными уровнями легирования. Поток заряда в транзисторе происходит в основном из-за диффузионного и дрейфового движения носителей в PN-переходе …
Bipolar T ransistor , full name bipolar junction transistora> (BJT), представляет собой электронное устройство с тремя клеммы, выполненные из трех частей из полупроводников с разным уровнем легирования.Поток заряда в транзисторе в основном происходит из-за диффузионного и дрейфового движения носителей в PN-переходе.
Работа этого типа транзистора связана с потоком электронов и дырок, поэтому он является биполярным и называется биполярным транзистором-носителем. Этот режим работы отличается от униполярных транзисторов, таких как полевые транзисторы, которые включают дрейф только одного типа несущей. Граница между двумя различными областями накопления примеси образована PN-переходом.
Биполярные транзисторы
могут усиливать сигналы и обладают хорошим регулированием мощности, высокой скоростью работы и долговечностью, поэтому их часто используют для формирования схем усилителя или привода динамиков, двигателей и другого оборудования. Они также широко используются в аэрокосмической технике, медицинском оборудовании и роботах.

Основы биполярных транзисторов
Каталог
I Транзистор биполярный и униполярный
Биполярный транзистор — революционное изобретение в истории электроники.Его изобретатели Уильям Шокли, Джон Бардинг и Уолтер Брэтон были удостоены Нобелевской премии по физике в 1956 году.
Работа этого типа транзистора включает поток как носителей электронов , так и дырочных носителей , поэтому он является биполярным и называется биполярным транзистором-носителем. Этот режим работы отличается от униполярных транзисторов, таких как полевые транзисторы, которые включают дрейф только одного типа несущей. Граница между двумя различными областями накопления легирующей примеси образована PN-переходом.
BJT
полевой транзистор
Устройство контроля тока
Устройство, управляемое напряжением
Имеет низкое входное сопротивление
Имеет очень высокое входное сопротивление
Биполярное устройство
Устройство униполярное
Более шумный
Менее шумный
Менее термостабильный
Более стабильная температура
Обычно большой размер
Обычно небольшие по размеру
Биполярные транзисторы
состоят из трех частей полупроводников с различными уровнями легирования .Поток заряда в транзисторе в основном происходит из-за диффузионного и дрейфового движения носителей в PN-переходе. Если взять в качестве примера NPN-транзистор, согласно конструкции, электроны в высоколегированной области эмиттера перемещаются к базе посредством диффузии. В основной области дырки являются основными носителями, а электроны — неосновными носителями. Поскольку площадь основания очень тонкая, эти электроны достигают коллектора посредством дрейфующего движения, тем самым формируя ток коллектора, поэтому биполярные транзисторы классифицируются как устройства с неосновными носителями.
Биполярные транзисторы
могут усиливать сигналы и обладают хорошим регулированием мощности, возможностью высокоскоростной работы и долговечностью, поэтому они часто используются для формирования схем усилителя или привода динамиков, двигателей и другого оборудования и широко используются в аэрокосмической технике, медицинском оборудовании и роботы.
II Как работает биполярный транзистор?
Здесь мы берем биполярный транзистор NPN в качестве цели для обсуждения принципа работы биполярных транзисторов.
Биполярный транзистор типа NPN можно рассматривать как два диода с общим анодом, соединенных вместе. При нормальной работе биполярного транзистора переход база-эмиттер («коллекторный переход») находится в состоянии прямого смещения, в то время как база-коллектор («коллекторный переход») находится в состоянии обратного смещения.
Рисунок 1. Поперечное сечение биполярного транзистора PNP
Когда нет приложенного напряжения, концентрация электронов в N-области эмиттерного перехода (большинство носителей в этой области) больше, чем концентрация электронов в P-области, и часть электронов будет диффундировать в P-область. .Таким же образом часть отверстий в области P также будет распространяться в область N. Таким образом, на эмиттерном переходе образуется область пространственного заряда (также известная как обедненный слой), генерирующая внутреннее электрическое поле, направление которого — от области N к области P. Это электрическое поле будет препятствовать дальнейшему протеканию вышеупомянутого процесса диффузии и достичь динамического баланса.
В это время, если прямое напряжение приложено к эмиттерному переходу, динамический баланс между вышеупомянутой диффузией носителей и внутренним электрическим полем в обедненном слое будет нарушен, что вызовет инжекцию термически возбужденных электронов в базовый регион.В NPN-транзисторе базовая область легирована P-типом, где дырки являются основной примесью, поэтому электроны в этой области называются «неосновными носителями».
С одной стороны, электроны, инжектированные из эмиттера в базовую область, здесь рекомбинируют с дырками основных носителей заряда, с другой стороны, потому что базовая область слабо легирована с тонким физическим размером, а коллекторный переход находится в обратном смещении. В таком состоянии большая часть электронов достигнет области коллектора посредством дрейфующего движения, образуя ток коллектора.
Чтобы минимизировать рекомбинацию электронов до того, как они достигнут коллекторного перехода, базовая область транзистора должна быть сделана достаточно тонкой, чтобы время, необходимое для диффузии носителей, было меньше, чем время жизни неосновных полупроводниковых носителей.
При этом толщина базы должна быть намного меньше диффузионной длины электронов (см. Закон Фика). В современных биполярных транзисторах толщина базовой области обычно составляет несколько десятых микрон.
Следует отметить, что, хотя коллектор и эмиттер легированы N-типом, степень легирования и физические свойства у них не одинаковы. Следовательно, биполярный транзистор следует отличать от двух диодов, соединенных последовательно в противоположных направлениях.
III Типы биполярных транзисторов
Биполярный транзистор состоит из трех различных легированных полупроводниковых областей, которые представляют собой эмиттерную область , базовую область и коллекторную область .Эти области представляют собой полупроводники N-типа, P-типа и N-типа в транзисторах типа NPN и полупроводники P-типа, N-типа и P-типа в транзисторах типа PNP. У каждой полупроводниковой области есть штыревой конец, обычно с буквами E, B и C, обозначающими эмиттер, базу и коллектор.
База физически расположена между эмиттером и коллектором, и она сделана из легированных материалов с высоким удельным сопротивлением. Коллектор окружает основание. Из-за обратного смещения коллекторного перехода отсюда электронам трудно инжектировать в область базы.Это приводит к тому, что коэффициент усиления по току общей базы становится примерно равным 1, в то время как коэффициент усиления по току общего эмиттера больше. Числовое значение.
В биполярном транзисторе NPN площадь коллекторного перехода больше, чем эмиттерного перехода. Кроме того, эмиттер имеет относительно высокую концентрацию легирования.
В нормальных условиях некоторые области биполярных транзисторов асимметричны по физическим свойствам и геометрическим размерам. Предполагая, что транзистор, включенный в схему, расположен в области прямого усилителя, если в это время поменять местами соединение коллектора и эмиттера транзистора в схеме, транзистор выйдет из области прямого усилителя и войдет в рабочую область обратного направления.
Внутренняя структура транзистора определяет, что он подходит для работы в области прямого усилителя, поэтому коэффициент усиления по току общей базы и коэффициент усиления по току общего эмиттера в обратной рабочей области намного меньше, чем в области прямого усилителя.
Эта функциональная асимметрия в основном связана с разными уровнями легирования эмиттера и коллектора. Следовательно, в NPN-транзисторе, хотя коллектор и эмиттер оба легированы N-типом, электрические свойства и функции обоих не могут быть взаимозаменяемы вообще.
Эмиттерная область имеет наивысшую степень легирования , коллекторная область является второй, а базовая область имеет самую низкую степень легирования. Кроме того, физические размеры трех регионов также различаются. Базовая область очень тонкая, а площадь коллектора больше, чем площадь эмиттера. Поскольку биполярный транзистор имеет такую структуру материала, он может обеспечивать обратное смещение для коллекторного перехода, но при этом предполагается, что обратное смещение не может быть слишком большим, иначе транзистор будет поврежден.Целью сильного легирования эмиттера является повышение эффективности инжекции электронов из эмиттера в базовую область для достижения максимально возможного усиления по току.
При соединении биполярных транзисторов с общим эмиттером небольшие изменения напряжения, приложенного к базе и эмиттеру, вызовут значительные изменения тока между эмиттером и коллектором. Используя это свойство, вы можете усилить входной ток или напряжение.
Что касается базы биполярного транзистора в качестве входа и коллектора в качестве выхода, двухпортовая сеть может быть проанализирована с помощью теоремы Тевенина.Используя принцип эквивалентности, биполярный транзистор можно рассматривать как источник тока, управляемый напряжением, или источник напряжения, управляемый током.
1.
NPN Тип
NPN-транзистор — это один из двух типов биполярных транзисторов. Он состоит из двух слоев легированных областей N-типа и слоя легированного полупроводника P-типа (основы) между ними. Крошечный ток, подаваемый на базу, будет усилен, создавая больший ток коллектор-эмиттер.
Когда базовое напряжение NPN-транзистора выше, чем напряжение эмиттера, а напряжение коллектора выше, чем базовое напряжение, транзистор находится в состоянии прямого усилителя.В этом состоянии между коллектором и эмиттером транзистора есть ток. Усиленный ток является результатом того, что электроны инжектируются эмиттером в базовую область (неосновные носители в базовой области) и перемещаются к коллектору под действием электрического поля. Поскольку подвижность электронов выше подвижности дырок , большинство используемых сегодня биполярных транзисторов относятся к типу NPN.
Электрический символ биполярного транзистора NPN показан справа, а стрелка между базой и эмиттером указывает на эмиттер.
Рисунок 2. a) Символ биполярного транзистора NPN b) Символ биполярного транзистора PNP
2.
PNP Тип
Другой тип — биполярный транзистор PNP, который состоит из двух слоев легированных областей P-типа и слоя легированных полупроводников N-типа между ними. Крошечный ток, протекающий через базу, можно усилить на конце эмиттера. Другими словами, когда базовое напряжение PNP-транзистора ниже, чем у эмиттера, напряжение коллектора ниже, чем базовое напряжение, и транзистор находится в области прямого усилителя.
В символе биполярного транзистора стрелка между базой и эмиттером указывает направление тока. В отличие от типа NPN, стрелка транзистора типа PNP указывает от эмиттера к базе.
3.
Гетеропереход
Биполярный транзистор с гетеропереходом — это улучшенный биполярный транзистор, способный к высокоскоростной работе . Исследования показали, что этот транзистор может обрабатывать сверхвысокочастотные сигналы с частотами до нескольких сотен ГГц, поэтому он подходит для приложений, требующих жестких рабочих скоростей, таких как усилители мощности ВЧ и драйверы лазеров.
Гетеропереход — это тип PN-перехода. Два конца этого перехода изготовлены из различных полупроводниковых материалов . В этом типе биполярного транзистора эмиттерный переход обычно имеет структуру гетероперехода, то есть материал с широкой запрещенной зоной используется в области эмиттера, а материал с узкой запрещенной зоной используется в области базы. Обычный гетеропереход использует GaAs для создания основной области и AlxGa1-xAs для создания области эмиттера. С такой структурой гетероперехода эффективность инжекции биполярного транзистора может быть улучшена, а коэффициент усиления по току также может быть увеличен на несколько порядков.
Концентрация легирования в базовой области биполярного транзистора с гетеропереходом может быть значительно увеличена, так что сопротивление базового электрода и ширина базовой области могут быть уменьшены. В традиционном биполярном транзисторе, то есть транзисторе с гомопереходом, эффективность инжекции носителей из эмиттера в базу в основном определяется соотношением легирования эмиттера и базы. В этом случае, чтобы получить более высокую эффективность инжекции, базовая область должна быть слегка легирована, что неизбежно увеличивает базовое сопротивление.
В базовой области состав полупроводникового материала распределен неравномерно, что приводит к постепенному изменению ширины запрещенной зоны базовой области. Эта медленно изменяющаяся ширина запрещенной полосы может создавать внутреннее электрическое поле для неосновных носителей, ускоряющее их через базовую область. Это дрейфовое движение будет иметь синергетический эффект с диффузионным движением, чтобы уменьшить время прохождения электронов через базовую область, тем самым улучшая высокочастотные характеристики биполярного транзистора.
Параметры
Si Биполярный
SiGe HBT
GaAs полевой транзистор
GaAs HEMT
GaAs HBT
Прирост
Обычный
Хорошо
Хорошо
Хорошо
Хорошо
Плотность мощности
Хорошо
Хорошо
Обычный
Отлично
Хорошо
Эффективность
Обычный
Хорошо
Отлично
Хорошо
Хорошо
Знак отличия
Отлично
Хорошо
Отлично
Отлично
Хорошо
Напряжение пробоя
Отлично
Отлично
Хорошо
Хорошо
Хорошо
Одиночный источник питания
√
×
×
√
Хотя для создания транзисторов с гетеропереходом можно использовать множество различных полупроводников, чаще используются транзисторы с гетеропереходом кремний-германий и транзисторы с гетеропереходом на основе арсенида алюминия и галлия.Процесс изготовления транзисторов с гетеропереходом представляет собой кристаллическую эпитаксию, такую как эпитаксия из паровой фазы металлоорганических соединений (MOCVD) и молекулярно-лучевая эпитаксия.
IV Параметры
1.
Рассеиваемая мощность коллектора
Максимальная рассеиваемая мощность коллектора биполярного транзистора — это максимальная мощность, при которой устройство может нормально работать при определенной температуре и условиях рассеивания тепла. В тех же условиях, если фактическая мощность превышает это значение, температура транзистора превысит максимально допустимое значение, что ухудшит производительность устройства и даже приведет к физическому повреждению.
2.
Ток и напряжение
Когда ток коллектора увеличивается до определенного значения, хотя биполярный транзистор не будет поврежден, коэффициент усиления по току будет значительно уменьшен. Чтобы транзистор нормально работал, как задумано, необходимо ограничить значение тока коллектора. Кроме того, поскольку биполярные транзисторы имеют два PN перехода, их обратное напряжение смещения не может быть слишком большим, чтобы предотвратить обратный пробой PN перехода.В техническом описании биполярного переходного транзистора эти параметры подробно перечислены.
Когда напряжение обратного смещения коллектора силового биполярного транзистора превышает определенное значение, а ток, протекающий через транзистор, превышает определенный допустимый диапазон, в результате чего мощность транзистора превышает критическую мощность вторичного пробоя, возникает своего рода возникнет опасное явление « секундная поломка ». В этом случае ток, выходящий за пределы расчетного диапазона, вызовет локальный температурный дисбаланс в различных областях внутри устройства, а температура в некоторых областях выше, чем в других областях.
Поскольку легированный кремний имеет отрицательный температурный коэффициент , его проводимость выше, когда он находится при более высокой температуре. Таким образом, более горячая часть может проводить больше тока, и эта часть тока будет генерировать дополнительное тепло, в результате чего локальная температура превысит нормальное значение, и устройство не сможет нормально работать.
Вторичный пробой — это разновидность теплового разгона. При повышении температуры проводимость будет еще больше увеличиваться, вызывая порочный круг и в конечном итоге серьезно разрушая структуру транзистора.Весь процесс вторичной поломки может быть завершен за миллисекунды или микросекунды.
Если эмиттерный переход биполярного транзистора обеспечивает обратное смещение, которое превышает допустимый диапазон и не ограничивает ток, протекающий через транзистор, в эмиттерном переходе произойдет лавинный пробой, который приведет к повреждению устройства.
3.
Температурный дрейф
Как аналоговое устройство, все параметры биполярных транзисторов в той или иной степени зависят от температуры, особенно на коэффициент усиления по току.Согласно исследованиям, каждый раз при повышении температуры на 1 градус Цельсия коэффициент усиления тока увеличивается примерно на 0,5–1%.
4.
Радиационная стойкость
Биполярные транзисторы более чувствительны к ионизирующему излучению . Если транзистор находится в среде ионизирующего излучения, устройство будет повреждено излучением. Повреждение происходит из-за того, что излучение вызывает дефекты в области основания, которые образуют центры рекомбинации в энергетической зоне.Это приведет к более короткому сроку службы неосновных носителей, которые работают в устройстве, что, в свою очередь, постепенно снизит производительность транзистора.
Биполярные транзисторы
типа NPN имеют большую эффективную площадь рекомбинации носителей в радиационной среде, и отрицательное влияние более значимо, чем у транзисторов типа PNP. В некоторых специальных приложениях, таких как электронные системы управления в ядерных реакторах или космических кораблях, должны использоваться специальные меры для смягчения негативного воздействия ионизирующего излучения.
В Рабочая область
В зависимости от состояния смещения трех выводов транзистора можно определить несколько различных рабочих областей биполярного транзистора. В полупроводниках NPN (примечание: профили напряжения PNP-транзисторов и NPN-транзисторов прямо противоположны) по смещению эмиттерного перехода и коллекторного перехода рабочую область можно разделить на:
1.
Область усилителя биполярного транзистора
(1) Область прямого усилителя
Когда эмиттерный переход смещен в прямом направлении, а коллекторный переход — в обратном, транзистор работает в области усилителя.Конструктивная цель большинства биполярных транзисторов — получить максимальное усиление по току с общим эмиттером , бф в области прямого усилителя. Когда транзистор работает в этой области, ток коллектор-эмиттер и ток базы примерно линейны. Из-за усиления тока, когда ток базы немного нарушен, ток коллектор-эмиттер значительно изменится.
(2) Область обратного усилителя
Если вышеупомянутые напряжения смещения эмиттера и коллектора транзистора в области прямого усилителя поменять местами, биполярный транзистор будет работать в области обратного усилителя.В этом режиме работы области эмиттера и коллектора полностью противоположны функциям в области прямого усилителя. Однако, поскольку концентрация легирования коллектора транзистора ниже, чем у эмиттера, эффект, производимый областью обратного усилителя, не такой, как в области прямого усилителя.
Целью конструкции большинства биполярных транзисторов является получение максимального усиления по току прямого усилителя. Следовательно, коэффициент усиления по току в области обратного усилителя будет меньше, чем в области прямого усилителя.Фактически, этот режим работы вряд ли принят, но для предотвращения повреждения устройства или других опасностей, вызванных неправильным подключением, его необходимо учитывать при проектировании. Кроме того, некоторые типы биполярных логических устройств также учитывают область обратного усилителя.
Рис. 3. Отсечка и насыщение в прямом и обратном направлении BJT
2. Область насыщенности
Когда два PN перехода в биполярном транзисторе оба смещены в прямом направлении, транзистор будет в области насыщения.В это время ток от эмиттера до коллектора транзистора достигает максимального значения. Даже если базовый ток увеличится, выходной ток больше не будет увеличиваться. Область насыщения может использоваться для обозначения высокого уровня логических устройств.
3.
Обрезка
Если смещение двух PN переходов биполярного транзистора точно противоположно смещению в области насыщения, то транзистор будет в области отсечки.В этом режиме работы выходной ток очень мал (менее 1 мкА для маломощных кремниевых транзисторов и менее даже мкА для германиевых транзисторов), что можно использовать для представления низких уровней в цифровой логике.
4.
Лавина
Когда обратное смещение, приложенное к коллекторному переходу, превышает диапазон, который может выдержать коллекторный переход, PN-переход будет поврежден. Если сила тока достаточно велика, устройство выйдет из строя.
Кроме того, когда мы анализируем и проектируем схемы биполярных транзисторов, следует отметить, что максимальная мощность рассеяния коллектора Pcm биполярного транзистора не может быть превышена. Если рабочая мощность транзистора меньше этого значения, совокупность этих рабочих состояний называется безопасной рабочей зоной. Если рабочая мощность транзистора превышает этот предел, температура устройства выйдет за пределы нормального диапазона, и производительность устройства значительно изменится и даже вызовет повреждение.
Допустимая температура перехода кремниевых транзисторов составляет от 150 до 200 градусов Цельсия. Максимально допустимое рассеивание мощности может быть увеличено за счет уменьшения внутреннего теплового сопротивления, использования радиаторов и таких мер, как воздушное охлаждение, водяное охлаждение и масляное охлаждение.

Характеристики	Транзисторы (BJT)	Термопары	Платиновые резисторы	Термисторы
Диапазон температур (° C )	Средняя от −50 до +180	Очень большая от −270 до +3500	Большая от −260 до +1000	Средняя от −80 до +180
Точность	Средняя	Проблема, потому что опорного спая	Высокая в широком диапазоне	Высокая в малом диапазоне
Точность для измерения небольших перепадов температур	Средняя	Высокая	Средняя	Средняя
Подходит для интеграции на кремнии чип	Да	Да	Нет в стандартной технологии	Нет в стандартной технологии y
Чувствительность	Высокая (2 мВК ⁻¹)	Низкая (0.05–1 мВК ⁻¹)	Низкое (0,4% K ⁻¹)	Высокое (5% K ⁻¹)
Линейность	Хорошо	Хорошо	Хорошо	Очень сильная нелинейность
Электрическая величина, представляющая температуру	Напряжение	Напряжение	Сопротивление	Сопротивление

BJT	полевой транзистор
Устройство контроля тока	Устройство, управляемое напряжением
Имеет низкое входное сопротивление	Имеет очень высокое входное сопротивление
Биполярное устройство	Устройство униполярное
Более шумный	Менее шумный
Менее термостабильный	Более стабильная температура
Обычно большой размер	Обычно небольшие по размеру

Параметры	Si Биполярный	SiGe HBT	GaAs полевой транзистор	GaAs HEMT	GaAs HBT
Прирост	Обычный	Хорошо	Хорошо	Хорошо	Хорошо
Плотность мощности	Хорошо	Хорошо	Обычный	Отлично	Хорошо
Эффективность	Обычный	Хорошо	Отлично	Хорошо	Хорошо
Знак отличия	Отлично	Хорошо	Отлично	Отлично	Хорошо
Напряжение пробоя	Отлично	Отлично	Хорошо	Хорошо	Хорошо
Одиночный источник питания	√		×	×	√

Справочник по транзисторам мощным отечественным биполярным. Импортные аналоги.

На главную страницу || Карта сайта

Справочник транзисторов маломощных биполярных.

Использование справочных данных транзисторов

Использование справочных данных транзистора

От составителя:

Cоветские биполярные транзисторы — Онлайн справочник

Пары и сборки биполярных транзисторов Справочник по биполярным транзисторам

Зарубежные транзисторы и их отечественные аналоги — замена транзисторов на отечественные

Таблицы зарубежных аналогов транзисторов

Таблица аналогов биполярных транзисторов

Биполярные транзисторы до 40 В

Биполярные транзисторы до 60 В

Биполярные транзисторы до 70 В

Биполярные транзисторы до 80 В

Биполярные транзисторы до 130 В

Биполярные транзисторы до 160 В

Биполярные транзисторы до 200 В

Биполярные транзисторы до 250 В

Биполярные транзисторы до 300 В

Биполярные транзисторы до 400 В

Биполярные транзисторы до 500 В

Биполярные транзисторы до 600 В

Биполярные транзисторы до 700 В

Биполярные транзисторы до 800 В

Биполярные транзисторы до 900 В

Биполярные транзисторы до 1500 В

Биполярные транзисторы свыше 2000 В

Однопереходные транзисторы

Мощные полевые транзисторы

Слабые полевые транзисторы

Была ли статья полезна?

Другие материалы по теме

Силовые транзисторы справочник. Транзисторы отечественные биполярные — справочник. Логические ИС КР1533, КР1554. Справочник

20.09.2014

27.09.2014

23.09.2014

05.10.2014

27.01.2017

Справочник — Мощные биполярные транзисторы для импульсных источников питания, TV-приемников и мониторов — Справочники

Григорьев А.П. Транзисторы. Справочник | PRO-TechInfo

— обзор

3.3.1 Введение

: типы, характеристики, применение

Технические характеристики

Типы упаковки

Способы упаковки

Стандарты

Список литературы

Кредиты изображений:

BJT (биполярный переходной транзистор) | Microsemi

Обзор

Приложения

Рекомендуемые приложения для BJT (биполярный переходный транзистор)

Параметрический поиск

Вертикальный биполярный плазменный транзистор со скрытым металлическим слоем

Каника Надда

М. Джагадеш Кумар

Abstract

Структура и параметры устройства

Результаты

Обсуждение

Методы

Изготовление

Вклад авторов

Список литературы

PMP9044 Обратный ход с регулировкой на первичной стороне для универсального трехфазного входа переменного тока с эталонной конструкцией биполярного транзистора

Описание

Устройства TI (1)

Символы CAD / CAE

Техническая документация

Руководство пользователя (1)

Файлы дизайна (3)

Поддержка и обучение

В чем разница между MOSFET и BJT?

ОСНОВНЫЕ ЗНАНИЯ — MOSFET VS.BJT В чем разница между MOSFET и BJT?

Что такое полевой МОП-транзистор?

Что такое BJT?

MOSFET vs BJT: в чем разница?

Что лучше?