→ %d0%91%d1%96%d0%bf%d0%be%d0%bb%d1%8f%d1%80%d0%bd%d0%b8%d0%b9%20%d1%82%d1%80%d0%b0%d0%bd%d0%b7%d0%b8%d1%81%d1%82%d0%be%d1%80

У 20-ті роки XVIII століття в державних установах їх замінили канцеляристи, підканцеляристи і копіїсти, яких, втім, у повсякденній мові продовжували називати «піддячими» аж до XIX століття.

В 20-е годы XVIII века в государственных учреждениях их заменили канцеляристы, подканцеляристы и копиисты, которых однако в обиходной речи продолжали называть «подьячими» вплоть до XIX века.

WikiMatrix

Я знала, як сильно Бог цінує людське тіло, але навіть це мене не зупиняло» (Жана, 20 років).

Я знала, как высоко Бог ценит человека и его тело, но даже это не останавливало меня. Дженнифер, 20 лет

jw2019

20 червня 1940 року одержав чергове підвищення, змінивши В. Маршалла на посаді командувача флотом.

20 июня 1940 года получил очередное повышение, сменив В. Маршалла на посту командующего флотом.

WikiMatrix

Від 22 березня 1992 року до 20 січня 1994 року був Представником Президента України в Тернопільській області.

С 22 марта 1992 года по 20 января 1994 года был Представителем Президента Украины в Тернопольской области.

WikiMatrix

Зрештою, найближчий приход Церкви на той час знаходився за більш як 96 км від пляжу.

В конце концов, ближайший приход Церкви на тот момент находился почти в ста километрах от нашего пляжа.

LDS

20 грудня 1850 (до 1857) визначено ректором Санкт-Петербурзької духовної академії.

20 декабря 1850 (1 января 1851) года (до 1857) определён ректором Санкт-Петербургской духовной академии.

WikiMatrix

Один тільки фонд друкованих видань збільшується приблизно на 20 000 томів на рік.

Один только состав печатных изданий фонда увеличивается примерно на 20 000 приобретенных по всему миру томов в год.

WikiMatrix

Хоча його було схвалено значною частиною населення, за проект віддало свої голоси лише 71 595 чоловік замість необхідних 80 000 осіб.

Хотя он был одобрен значительной частью населения, за проект проголосовало только 71 595 человек вместо необходимых 80 000 человек.

WikiMatrix

Ін’єкція ботокса у внутрішній сфінктер: місцева дезінфекція та ін’єкція 10-

20 одиниць Ботулінотоксин А (суспензія в 1 мл 0,9% розчину NaCl) безпосередньо у внутрішній анальний сфінктер на кожну зі сторін (загальна кількість: 20-40 одиниць).

Инъекция ботокса во внутренний сфинктер: местная дезинфекция и инъекция 10-20 единиц ботулинотоксина А (суспензия в 1 мл 0,9 % раствора NaCl) непосредственно во внутренний анальный сфинктер на каждую из сторон (общее количество: 20-40 единиц).

WikiMatrix

У прощі 2011 року брало участь близько 1100 осіб Товариство нараховує 30 дійсних членів і близько 20

симпатиків «Обнова» є членом Федерації Українських Католицьких Студентських та Академічних Товариств «Обнова» — об’єднанням локальних Студентських та Академічних Товариств «Обнова» для координації своєї діяльності та реалізації спільних проектів на національному рівні.

Общество насчитывает 30 действительных членов и около 20 сторонников «Обнова» является членом Федерации Украинских Католических Студенческих и Академических Обществ «Обнова» — объединением локальных Студенческих и Академических Обществ «Обнова» для координации своей деятельности и реализации совместных проектов на национальном уровне. (недоступная ссылка) (недоступная ссылка)

WikiMatrix

Британська бібліотека (150 000 000 одиниць зберігання) Бібліотека Конгресу США (155 000 000 одиниць зберігання) Російська державна бібліотека (42 000 000 одиниць зберігання) Національна бібліотека Франції (30 000 000 одиниць зберігання) Національна бібліотека Німеччини (23 500 000 одиниць зберігання) Національна бібліотека Китаю (22 000 000 одиниць зберігання) Бібліотека Академії наук Росії (20 000 000 одиниць зберігання) Національна бібліотека України імені В.І.Вернадського (15 000 000 одиниць зберігання) Бібліотека Народова (7 900 000 одиниць зберігання) Австрійська національна бібліотека (7 400 000 одиниць зберігання) Про бібліотеки і бібліотечну справу: Закон України, 27 січ.

Британская библиотека (150 000 000 единиц хранения) Библиотека Конгресса США (155 000 000 единиц хранения) Российская государственная библиотека (42 000 000 единиц хранения) Национальная библиотека Франции (30 000 000 единиц хранения) Национальная библиотека Германии (23 500 000 единиц хранения) Национальная библиотека Китая (22 000 000 единиц хранения) Библиотека Российской академии наук (

20 000 000 единиц хранения) Национальная библиотека Украины имени.

WikiMatrix

За неповні 4 роки виступів у ДЮФЛ Блізніченко провів 69 матчів, у яких забив 80 м’ячів.

За неполные 4 года выступлений в ДЮФЛ Близниченко в юношеской лиге провёл 69 матчей, в которых забил 80 мячей.

WikiMatrix

Оскільки лита башта продемонструвала погану стійкість навіть до вогню німецьких 20-мм гармат, а потовщення її броні було неможливо з цілого ряду конструктивних і виробничих причин, Т-70 оснастили зварною шестигранною баштою.

Поскольку литая башня продемонстрировала плохую стойкость даже к огню немецких 20-мм пушек, а утолщение её брони было невозможно по целому ряду конструктивных и производственных причин, Т-70 оснастили сварной шестигранной башней.

WikiMatrix

20 Батьківську турботу замінила Божа любов

20 Оставлена родителями, но любима Богом

jw2019

У черевному і спинному спинному корінні людини число нервових волокон зменшується приблизно на

20 відсотка від 30-літнього до 90-літнього віку.

В брюшном и спинном нервном корешке человека количество нервных волокон уменьшается приблизительно на 20 процентов от 30-летнего до 90-летнего возраста.

WikiMatrix

Коли члени «якудзи» побачили, наскільки легко стало брати в борг і заробляти гроші у 80-х роках, то вони заснували фірми та почали займатися махінаціями з нерухомим майном і біржовими спекуляціями.

Когда в 80-х годах люди якудзы увидели, как легко брать ссуды и «делать» деньги, они создали компании и занялись операциями с недвижимым имуществом и куплей-продажей акций.

jw2019

20 Навіть переслідування та ув’язнення не можуть затулити уста відданим Свідкам Єгови.

20 Даже преследование или заключение в тюрьму не может закрыть уста преданных Свидетелей Иеговы.

jw2019

Тепер дещо іще, на початку 20— го сторіччя, що ускладнило все ще більше.

Есть ещё кое- что в начале 20- го века, что усложняло вещи ещё сильнее.

QED

Дві стели історичного змісту (одна датована 1-м роком правління Сеті I), знайдені в містечку Бейт-Шеан за 20 км південніше Геннісаретського озера теж свідчать про те, що єгиптяни побували на східному березі Йордану.

Две стелы исторического содержания (одна датирована 1-м годом Сети I), найденные в городке Бейт-Шеане в 20 км южнее Геннисаретского озера тоже говорят о том, что египтяне побывали на восточном берегу Иордана.

WikiMatrix

б) Чого ми вчимося зі сказаного в Дії 4:18—20 і Дії 5:29?

б) Чему мы учимся из слов, записанных в Деяниях 4:18—20 и Деяниях 5:29?

jw2019

До приходу іспанців, у долині Калі жило близько 30 000 індіанців, потім їх стало менше 2 000, які в свою чергу належали 19 або 20 іспанцям.

К приходу испанцев в долине Кали жило ок. 30000 индейцев, потом их стало меньше 2000, которые в свою очередь принадлежали 19 или

20 испанцам.

WikiMatrix

Народилася в 1965 у Стамбулі, в районі Бешикташ, 20 серпня 1980 вийшла заміж за Абдуллу Гюля, майбутнього президента Турецької республіки.

Родилась в Стамбуле, в районе Бешикташ, 20 августа 1980 года в возрасте 15 лет вышла замуж за своего двоюродного брата Абдуллу Гюля, будущего президента Турции.

WikiMatrix

Був складений список і 5 липня 1941 року німці та колабораціоністи вивезли за місто і вбили 80 чоловік — найбільш авторитетних і освічених членів громади, хто потенційно міг організувати або очолити опір.

Был составлен список и 5 июля 1941 года немцы и коллаборационисты вывезли за город и убили 80 человек — самых авторитетных и образованных членов общины, кто потенциально мог организовать или возглавить сопротивление.

WikiMatrix

Роберт Коамс, доцент Торонтського університету, підсумував їхнє мислення: «Рак легенів буде через 20 років.

Роберт Коэмс, доцент Торонтского университета, обобщает их взгляды: «Рак легких — через 20 лет.

jw2019

Від Ніцци електричка йде близько 20 хвилин.

Электропоезд от Ниццы идёт около 20

минут.

WikiMatrix

BC856B транзистор біполярний PNP Infineon от 0.25 грн

BC856B Код товара: 73249 Производитель: Nexperia Транзисторы — Биполярные PNP Корпус: SOT-23 fT: 100 MHz Uке, В: 65 V Uкб, В: 80 V Iк, А: 0,1 A h31,max: 475	1554 шт — склад Киев	5+  1 грн 10+  0.75 грн 100+  0.45 грн 1000+  0.25 грн
BC856B Производитель: NXP BC856B количество в упаковке: 3000 шт	под заказ 483000 шт срок поставки 21-35&nbspдня (дней)
BC856B Производитель: import PNP 100mA 65V 250mW 100MHz 220 количество в упаковке: 500 шт	под заказ 1000 шт срок поставки 14-28&nbspдня (дней)
BC856B Производитель: HOTTECH PNP 100mA 65V 250mW 100MHz 220 количество в упаковке: 500 шт	под заказ 4000 шт срок поставки 14-28&nbspдня (дней)
BC856B Производитель: Kingtronics Транзистор PNP; Ptot, Вт = 0,3; Uceo, В = 65; Ic = 100 мА; Тип монт. = smd; ft, МГц = 100; hFE = 475 @ 5 В, 2 мА; Icutoff-max = 15 нА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,65 @ ; Тексп, °С = -65…+150; SOT-23-3	под заказ 535 шт срок поставки 2-3&nbspдня (дней)	1905+  0.3 грн 2106+  0.27 грн 2223+  0.26 грн
BC856B Производитель: SLKOR (polish version) Tranzystor PNP; 475; 200mW; 65V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC856B,215; BC856B,235; BC856BLT1G; BC856BLT3G; BC856B RFG; BC856B-7-F; BC856B-13-F; BC856B-TP; Trans. BC856B SOT23 SLKOR TBC856b SLK количество в упаковке: 500 шт	под заказ 3000 шт срок поставки 14-28&nbspдня (дней)
BC856B Производитель: UMW (polish version) Tranzystor PNP; 475; 200mW; 65V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Zamiennik dla: BC856B,215, BC856B,235, BC856BLT1G, BC856BLT3G, BC856B RFG, BC856B-7-F, BC856B-13-F, BC856B-TP Trans. BC856B SOT23 UMW TBC856b UMW количество в упаковке: 500 шт	под заказ 3000 шт срок поставки 14-28&nbspдня (дней)
BC856B Производитель: NXP BC856B количество в упаковке: 3000 шт	под заказ 21000 шт срок поставки 21-35&nbspдня (дней)
BC856B Производитель: Diotec Semiconductor Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R	под заказ 42000 шт срок поставки 7-21&nbspдня (дней)
BC856B Производитель: Diotec Semiconductor Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R	под заказ 3538 шт срок поставки 7-21&nbspдня (дней)
BC856B Производитель: DIOTEC Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R Tranz. BC856B DIOTEC TBC856b DIOTEC количество в упаковке: 500 шт	под заказ 3000 шт срок поставки 14-28&nbspдня (дней)
BC856B Производитель: KEC Транзистор PNP; Uceo, В = 65; Ic = 100 мА; ft, МГц = 150; Р, Вт = 0,3 Вт; Тексп, °C = -55…+150; Тип монт. = smd; SOT-23-3	под заказ 16 шт срок поставки 2-3&nbspдня (дней)	1213+  0.48 грн 1291+  0.45 грн 1380+  0.42 грн
BC856B Производитель:	под заказ 600 шт срок поставки 2-3&nbspдня (дней)
BC856B Производитель: DIOTEC количество в упаковке: 3000 шт	под заказ 62080 шт срок поставки 18-28&nbspдня (дней)
BC856B Производитель: Diotec Semiconductor Description: BJT SOT-23 65V 100MA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Voltage — Collector Emitter Breakdown (Max): 65V Current — Collector (Ic) (Max): 100mA Transistor Type: PNP Part Status: Active Packaging: Tape & Reel (TR) Manufacturer: Diotec Semiconductor Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Frequency — Transition: 100MHz Power — Max: 250mW DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Current — Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)	под заказ 3000 шт срок поставки 7-22&nbspдня (дней)
BC856B Производитель: DIOTEC	под заказ 11634 шт срок поставки 16-23&nbspдня (дней)	500+  0.77 грн 800+  0.73 грн 4400+  0.63 грн 18000+  0.58 грн
BC856B Производитель: DC	под заказ 6020 шт срок поставки 16-23&nbspдня (дней)	422+  0.92 грн 500+  0.87 грн
BC856B Производитель: MCC	под заказ 445 шт срок поставки 16-23&nbspдня (дней)	422+  0.92 грн 800+  0.82 грн 4100+  0.68 грн
BC856B Производитель: CDIL Material: BC856B-CDI PNP SMD transistors	под заказ 1980 шт срок поставки 7-14&nbspдня (дней)	31+  1.73 грн 100+  0.72 грн 500+  0.62 грн 1180+  0.46 грн 3220+  0.43 грн
BC856 B Производитель: sot-23 Транзистор	под заказ 224 шт срок поставки 3-5&nbspдня (дней)
BC856B Производитель: DIOTEC SEMICONDUCTOR Material: BC856B-DIO PNP SMD transistors	под заказ 265236 шт срок поставки 7-14&nbspдня (дней)	29+  1.84 грн 100+  0.64 грн 500+  0.48 грн 1340+  0.4 грн 3670+  0.38 грн
BC856B Производитель: MULTICOMP PRO Description: MULTICOMP PRO — BC856B — Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 65 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Surface Mount Transistor Polarity: PNP Product Range: — Power Dissipation Pd: 250 DC Current Gain hFE: 220 Operating Temperature Max: 150 Transistor Mounting: Surface Mount MSL: — Automotive Qualification Standard: — DC Collector Current: 100 Transistor Case Style: SOT-23 Transition Frequency ft: 100 No. of Pins: 3 Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 65 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)	под заказ 13316 шт срок поставки 10-18&nbspдня (дней)	128+  4.47 грн 160+  3.57 грн 223+  2.55 грн 500+  1.66 грн 1000+  1.1 грн 5000+  0.96 грн
BC856B Производитель: Транзисторы биполярные PNP	под заказ 4 шт срок поставки 1-2&nbspдня (дней)
BC856B Производитель: BC856B	под заказ 6000 шт срок поставки 2-3&nbspдня (дней)
BC856B Производитель: BC856B	под заказ 122 шт срок поставки 2-3&nbspдня (дней)
BC856B Производитель: SHENZHEN GUO JING WEI TECHNOLOGY CO., LTD.	под заказ 7096 шт срок поставки 4&nbspдня (дней)
BC856B Производитель: YANGJIE TECHNOLOGY Material: BC856B-YAN PNP SMD transistors	товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину
BC856B Производитель: Infineon Technologies Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 330mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R	товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину
BC856B Производитель: ON Semiconductor Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R	товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину
BC856B Производитель: Diotec Semiconductor Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R	товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину
BC856B Производитель: Taiwan Semiconductor Bipolar Transistors — BJT Transistor 200mW	товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину
BC856B Производитель: onsemi / Fairchild Bipolar Transistors — BJT SOT-23 PNP GP AMP	товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину
BC856B Производитель: ON Semiconductor / Fairchild Bipolar Transistors — BJT SOT-23 PNP GP AMP	товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину
BC856B Производитель: Diotec Semiconductor Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R	товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину
BC856B Производитель: Diotec Semiconductor Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R	товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину
BC856-B Производитель:	под заказ 2700 шт срок поставки 14-28&nbspдня (дней)

Транзистор біполярний 2N3906 TO-92 PNP купити в Києві та Україні

Список порівняння: Каталог Новинки магазину Подарункові сертифікати Arduino контролери Міні-компьютери Raspberry Pi Засоби розробки, програматори Карти пам’яті SD, Флешки Набори (DIY Kits), конструктори RF, Wi-Fi, Bluetooth, GSM, GPS, FM, XBee SONOFF Розумний будинок Метеостанції Плати розширень, модулі, шилди TFT, LCD, OLED, E-Ink дисплеЇ Audio, Звук, mp3 Датчики Звук, ультразвук Освітлення, ІЧ, вогонь, ультрафіолет Рух, відстань Температура, вологість Акселерометри, гіроскопи Напруга, струм Газ, дим, пил, повітря Тиск Для рідини Ph, хімічний аналіз Механічний вплив Індуктивні датчики Магнітне поле Медицина, здоров’я Інше Робототехніка Радіокеровані іграшки, STEM-конструктори Мотори, крокові двигуни, сервомотори, драйвера Насоси, помпи, електромагнітні клапани Кабелі, дроти, перехідники, шнури живлення, хаби Макетування Роз’єми, конектори, клемники Радіодеталі Реле Генератори сигналів Вимикачі, перемикачі, кнопки, дистанційні перемикачі Конвертори, перетворювачі LED освітлення, фонарики Світлодіоди світлодіодні індикатори, лазери Джерела живлення, подовжувачі Перетворювачі напруги, стабілізатори Диммери, силові ключі, регулятори потужності Зарядні пристрої, зарядні модулі Пристрої введення, клавіатури, джойстики Акумулятори, батарейки, батарейні відсіки Деталі для літаючих апаратів Охолодження Інструменти, обладнання Клеї Кусачки, бокорізи, пасатижі Ножі, скальпелі, ножиці Викрутки, ключі Пінцети, набори для ремонту Шуруповерти, дрилі, свердла Мультитул Клеєві пістолети Ізолента, скотч, термоусадка Лінійки, рулетки Кліщі (обтиск, опресовування), знімачі ізоляції Набори компонентів Інші інструменти Паяльне обладнання Касетниці, органайзери, сортовики Вимірювальні прилади, мультиметри, осцилографи, вимірювальні модулі Готові пристрої 3D принтери і ЧПУ 3D пластик Monofilament 3D пластик Plexiwire Filament Термопластик полікапролактон для ліплення 3D Ручки Магніти неодимові Інше Література Розпродаж Корпуси універсальні Xiaomi Архівні товари

Опис Відгуки Задати питання Біполярний поширений PNP транзистор широкого застосування в корпусі TO-92. Характеритики: Провідність: PNP Максимальна напруга колектор-емітер: 40 В Максимальна напруга колектор-база: 40 В Максимальна напруга емітер-база: 5.0 В Коефіцієнт посилення (hFE): від 100 до 300 Максимальний струм колектора: 200 мА Тип корпусу: TO-92 Максимальна потужність, що розсіюється: 250 мВт (60 °C) Посилання: Відгуки покупців про Транзистор биполярный 2N3906 TO-92 PNP поки немає жодного відгуку — станьте першим! Написати відгук: Є питання по «Транзистор біполярний 2N3906 TO-92 PNP» ? Також рекомендуємо ознайомитися: Шановні друзі! Ми намагаємося тримати на сайті інформацію про наявність товарів та ціни на них в актуальному стані. Коригування відбуваються постійно. Якщо ви знаходите ціну на товар завищеною, напишіть нам про це із посиланням на товар. Ми розглянемо лист та чи обгрунтуємо ціну, чи підкоригуємо її. Асортимент магазину дуже великий та іноді бувають помилки в ціноутворенні, особливо при скачках курсу долара. Дякуємо за розуміння.

Біполярний транзистор | Allref.com.ua

Біполярний транзистор — напівпровідниковий елемент електронних схем, із трьома електродами, один з яких служить для керування струмом між двома іншими. Термін «біполярний» підкреслює той факт, що принцип роботи приладу полягає у взаємодії з електричним полем часток, що мають як позитивний, так і негативний заряд.

Виходи біполярного транзистора називаються емітером, базою й колектором. Струм у транзисторі протікає від емітера, який інжектує носії заряду, до колектора через тонку базу. Величина цього струму визначається напругою між базою й емітором. В залежності від типу носіїв заряду, які використовуються в транзисторі, біполярні транзистори поділяються на транзистори NPN та PNP типу. В транзисторі NPN типу емітер і колектор легуються донорами, а база — акцепторами. В транзисторі PNP типу — навпаки.

Історія винаходу

Біполярний транзистор винайшли в 1947 році Джон Бардін і Волтер Браттейн під кервіництвом Шоклі із Bell Labs за що отримали Нобелівську премію з фізики. Вперше його продемонстрували 16 грудня, а 23 грудня відбулось офіційне представлення винаходу і саме ця дата вважається днем відкриття транзистора. [1]

На рисунку схематично показана будова біполярного транзистора NPN типу. Колектором служить напівпровідник n-типу, легований донорами до невисокої концентрації 1013-1015 см-3. Перед створенням бази напівпровідник покривають фоторезистом і за допомогою літографії звільняють вікно для легування акцепторами. Атоми акцептора дифундують в глибину напівпровідника, створюючи область із доволі високою концентрацією — 1017-1018 см-3. На третьому етапі знову створюється вікно для легування донорами й утворюють емітер із ще вищою концентрацією домішок, необхідною для того, щоб спочатку компенсувати акцептори, а потім створити напівпровідник n-типу Відношення домішок у емітері й у базі повинно бути якомога більшим для забезпечення гарних характеристик транзистора.

Ще кращих характеристик можна досягти, якщо перехід між базою й емітером зробити гетеропереходом, у якому емітер має набагато більшу ширину забороненої зони, хоча це збільшує собівартість транзистора. В такому випадку на поверхню бази через вікно напилюється інша речовина.

Принцип дії

Дія біполярного транзистора базується на використанні двох p-n переходів між базою та емітором і базою та колектором. В області p-n переходів виникають шари просторового заряду, між якими лежить тонка нейтральна база. Якщо між базою й емітером створити напругу в прямому напрямку, то носії заряду інжектуються в базу й дифундують до колектора. Оскільки вони є неосновними носіями в базі, то легко проникають через p-n перехід між базою й колектором. База виготовляється достатньо тонкою, щоб носії зараду не встигли прорекомбінувати, створивши значний струм бази. Якщо між базою й емітером прикласти запірну напругу, то струм до колектора не протікатиме.

Класифікація

Транзистори класафікуються по вихідному матеріалу, розсіюваній потужності, діапазону робочих частот, принципу дії. В залежносі від вихідного матеріалу їх поділяють на дві групи: германієві та кремнієві. По діапазону робочих частот їх ділять на транзистори низький, середніх і високих частот, по потужності — на класи транзисторів малої, середньої та великої потужності. Транзистори малої потужності ділять на шість груп: підсилювачі низький і високих частот, малошумні підсилювачі, перемикачі насичені, ненасичені та молого струму; транзистори великої потужності — на три групи: підсилювачі, генератори, перемикачі. По технологічних ознаках розрізняють сплавні, сплавно-дифузійні, дифузійно-сплавні, конверсійні, епітаксіальні, планарні, епітаксіально-планарні транзистори.

Позначення типу транзистора

Позначення

2n3055: все про біполярний транзистор NPN

Існує багато транзисторів NPN, таких як 2N3045 тощо, але одним з найбільш відомих і використовуваних є 2N3055. Цей біполярний транзистор є загальним призначенням для ланцюгів живлення. Він створюється завдяки епітаксичним процесам для вирощування напівпровідникових шарів, з яких він складається, а потім інкапсулюється в металевий пакет.

Інформації про цей напівпровідниковий пристрій, звичайно, не так багато, оскільки він не дуже складний, але ви ми розповідаємо все, що вам потрібно про нього знати так що ви можете додати його у свої майбутні реалізації своїх схем та більш цікаві проекти.

Характеристики та розсипка 2n3055

Як і інші транзистори, Ел 2N3055 має 3 з’єднання для випромінювача, основи та колектора. Ми вже обговорювали це в інших статтях про транзистори. Тому нульових сумнівів щодо виводу цього транзистора NPN. Конфігурація така, як на штифті 1 для основи, який буде використовуватися як перемикач для проходження струму через напівпровідник чи ні, штифт 2 — це випромінювач (зазвичай підключений до GND або заземлення), а колектор, який фактично є TAB оскільки немає третього штифта (зазвичай підключений до електромережі).

Може використовуватися транзистор 2n3055 для ланцюгів середньої потужності, це безпечно, він має низьку насиченість між напругою колектора-випромінювача, упаковка доступна без свинцю, вона має коефіцієнт підсилення більше 70 hFE для постійного струму (лінійний), максимальну напругу, яку може витримати або пройти через колектор та випромінювач складають 60 В для постійного струму, так само, як максимальний струм, який може проходити через колектор, становить 15 А безперервно.

Пов’язана стаття:

Транзистор BC547: все, що вам потрібно знати

Для основи межі становлять 7 в (базовий випромінювач) та 7 А постійного струму в обох випадках. У разі напруги між колектором і базою вона може досягати 100 В. Якщо ми подивимося на температуру, при якій він може працювати, діапазон знаходиться між Від -65 до + 200ºC. Тому він працює при екстремальних температурах без проблем, чого не всі електронні пристрої переносять, особливо якщо дивитись на максимально підтримувану температуру. До речі, з точки зору розсіювання потужності вона досягає 115 Вт, що не є незначним …

Короткий опис особливостей:

• Тип: NPN
• Для ланцюгів середньої потужності
• Посилення 70 hFE
• Колектор-випромінювач 60 В постійного струму
• Струм колектора 15 А постійного струму
• Базовий випромінювач 7v
• База 7А
• Колектор-база 100в
• Робоча температура -65 до + 200ºC
• Розсіювана потужність 115 Вт
• Металевий капсулювання

Еквівалент і доповнення

Існує кілька еквівалентних транзисторів для 2n3055. Ви можете використовувати їх як замінники типу 2n6673 та 2n6675. Іншими подібними транзисторами, хоча і не однаковими, є MJ10023, BUX98 та BDW51. Без проблем ви можете використовувати їх у своїх схемах як альтернативу, тепер вам слід добре прочитати таблиці даних усіх них, щоб побачити можливі відмінності, оскільки вони можуть бути не однаковими в деяких випадках, а в крайніх випадках можуть створювати проблеми.

Якщо вам цікаво додатковий, тобто протилежний, ви можете бачити MJ2955. У цьому випадку це майже побратимський транзистор, ідентичний за багатьма характеристиками, описаними в попередньому розділі, але це біполярний PNP замість NPN. Знання доповнень іноді може нам дуже допомогти в наших композиціях, тому ми завжди включаємо їх у свої публікації.

Технічні таблиці

в складайте свої схеми безпечно і підтримуючи підтримувані діапазони Для цього пристрою ви повинні побачити таблиці даних цих пристроїв. Його можуть виготовляти самі різні виробники, і всі вони мають власну таблицю даних, в якій можуть бути деякі відмінності. Freescale, STMicroelectronics та Siemens — одні з найвідоміших виробників, хоча їх є і більше.

Пов’язана стаття:

Транзистор 2N2222: все, що вам потрібно знати

Так що ваші майбутні схеми комутації живлення, підсилювачі, ШІМ, регулятори, підсилювачі сигналу та довгі тощо. з ланцюгів, які можуть складатися з 2n3055, ви можете отримати таблиці даних тут:

• Різні таблиці даних від різних виробників.
• ON Напівпровідник 2n3055: оскільки інший раз ми використовували таблицю даних ON Semiconductor для інших електронних пристроїв, ось опис цієї компанії для відповідного транзистора …

Біполярний транзистор в динамічному режимі. — Основи електроніки та електротехніки

Біполярний транзистор в динамічному режимі.

В практичних при­строях промислової електроніки найбільшого поширення набула схе­ма ЗЕ, що має найбільше підсилення потужності. При цьому в коло вихідного електрода транзистора вмикається опір навантаження R_C, а в коло вхідного електрода — джерело вхідного сигналу з електрорушійною силою e_Д ( ). Лише при наявності опору наванта­ження можливий процес підсилення напруги і потужності вхідного сигналу.

В схемі на рис. зміни колекторного струму транзистора за­лежать не лише від змін базового струму, а й від змін напруги на ко­лекторі

яка, в свою чергу, визначається змінами як базового, так і колектор­ного струмів. Таким чином, одночасно змінюються всі струми і напру­ги в транзисторі. Такий режим роботи транзистора називають дина­мічним, а характеристики, що визначають зв’язок між струмами і на­пругами транзистора при наявності опору навантаження, динаміч­ними характеристиками.

Динамічні характеристики будують на сім’ї статичних характе­ристик за заданими значеннями напруги джерела живлення колекторного кола e_c та опору навантаження R_С. Для побудови вихідної динамічної характеристики (рис.) використовують рівняння динамічного режиму (), яке являє собою рівняння прямої, оскіль­ки при змінній величині I_с стоїть сталий коефіцієнт, що дорівнює чи­сельно R_С. Тому достатньо знайти відрізки, що відсікаються прямою на осях координатної системи (I_C,U_CE).

Якщо I_C = 0, то u_ce = e_c і при u_ce = 0  I_C= E_C/R_C . Відклавши на відповідних осях напругу, що дорівнює Е_C, і струм, що дорів­нює E_C/R_C, через одержані точки проводять пряму AG, яку назива­ють лінією навантаження. Вихідна динамічна характеристика є гео­метричним місцем точок перетину лінії навантаження зі статичними характеристиками. Використовуючи динамічну колекторну харак­теристику, можна для будь-якого значення колекторного струму знай­ти відповідні значення напруги на колекторі та струму у вхідному ко­лі I_B. Лінію навантаження можна побудувати також, якщо з точки G провести пряму лінію під кутом y = arctg R_C.

Для визначення напруги на базі транзистора u_be (вхідної напру­ги) будують вхідну динамічну характеристику простим перенесенням точок I_B, u_ce з вихідної динамічної характеристики на сім’ю статич­них вхідних характеристик (рис.). Значення відповідних базо­вих напруг визначаються абсцисами цих точок (на рис. в зображе­но лише ділянки C‘D‘ вхідної динамічної характеристики).

Точку перетину лінії навантаження зі статичною характеристи­кою при заданому струмі І_В2=І_0В, що визначається джерелом змі­щення Е_В , називають робочою точкою, а її початкове положення на лінії навантаження (за відсутності вхідного змінного сигналу) — точ­кою спокою р. Точка спокою визначає струм спокою вихідного кола І_0С та напругу спокою U_ОС . При цьому рівняння динамічного ре­жиму має вигляд

Місцезнаходження точки спокою визначається призначенням схе­ми, в якій використовується транзистор, значенням та формою вхідно­го сигналу і т. д. Якщо, наприклад, вхідний сигнал симетричний (на рис. показаний такий сигнал синусоїдальної форми) з амплітудою вхідної напруги U_Bm та амплітудою вхідного струму I_bm, то точку спокою р вибирають приблизно посередині лінії навантаження. При цьому в колекторному колі протікає струм з амплітудою I_{cm, а на ко­лекторі виділяється напруга з амплітудою Ucm.}

Якщо в вихідне коло транзистора ввімкнути зовнішнє навантажен­ня (на рис. це коло показане пунктирною лінією), то, оче­видно, що загальним опором колекторного навантаження змінному струмові буде опір R’_H=R_CR_H/(R_C+R_H), і динамічну характеристи­ку змінного струму слід провести через точку спокою під кутом y’=arctgR’_H  (пунктирна лінія на рис.).

Режим роботи транзистора, за якого робоча точка не виходить за межі ділянки BF лінії навантаження, називають лінійним, або підсилювальним режимом. При цьому зі зміною вхідного (базового) струму пропорційно змінюється вихідний (колекторний) струм.

Біполярні транзистори широко використовують у пристроях під­силення, генерації та перетворення електричних сигналів як безпе­рервної, так і імпульсної дії. Вони є також основою інтегральних мік­росхем.

 

 

34

Біполярний транзистор з ізоляційною брамою (IGBT)

IGBT має високий вхідний опір і швидкісні характеристики MOSFET з характеристикою провідності(низька напруга насичення) біполярного транзистора. IGBT включається шляхом застосування позитивного напруги між затвором і випромінювачем, і, як у MOSFET, він вимикається, роблячи затворний сигнал нульовим або злегка негативним.

IGBT має набагато менше падіння напруги, ніж MOSFET аналогічних рейтингів.

Структура IGBT більше схожа на a тиристор і MOSFET. Для даного IGBT, є критичне значення струму колектора, що призведе до досить великого падіння напруги для активації тиристора. Отже, виробник пристрою вказує піковий допустимий струм колектора, який може протікати без виникнення засувки. Існує також відповідна напруга джерела затвора, яка дозволяє перетікати цей струм, який не повинен перевищуватися. Подібно до потужності MOSFET, IGBT не має феномена вторинного пробою, звичайного для біполярних транзисторів.

Проте слід дотримуватися обережності, щоб не перевищуватиМаксимальна потужність розсіювання і задана максимальна температура з’єднання пристрою при всіх умовах для гарантованої надійної роботи. Стан напруги IGBT сильно залежить від напруги затвора. Щоб отримати низьке напруга на стан, необхідно застосувати досить високу напругу затвора.

Загалом, IGBTs можуть бути класифіковані як пунш-через (PT) і non-Punch-через (NPT) структур, як показано на малюнку нижче. У PT IGBT, звичайно введений Nþ буферний шар між P⁺ субстрат і N^¯ епітаксіальний шар, так що весь N¯ дрейфуєобласть виснажується, коли пристрій блокує напругу вимкненого стану, а форма електричного поля всередині області дрейфу НП близька до прямокутної форми.

Оскільки в IGBT може бути використана більш коротка область N¯, то можна досягти кращого компромісу між прямим падінням напруги і часом вимкнення. PT IGBT доступні приблизно до 1200 В.

(a) Непунктурний IGBT, (b) пробивання

IGBT еквівалентна схема

IGBTs високої напруги реалізуються за допомогою процесу безперебійного підключення. Пристрої побудовані на N^¯ підкладка пластин, яка служить N^¯ база дрейфу області. В літературі повідомляється про експериментальні IGBT від NPT до приблизно 4 кВ. NPT IGBT є більш надійними, ніж PT IGBT, особливо в умовах короткого замикання. Але NPT IGBTs мають більш високий перепад напруги вперед, ніж PT IGBTs. PT IGBTs не може бути так легко паралельно, як MOSFETs.

Фактори, які перешкоджають поточному розподілупаралельно-з’єднані IGBT — це (1) розбалансування струму в стані, викликане розподілом VCE (sat) розподілу напруг і основного ланцюга, і (2) розбалансуванням струму при включенні і виключенні, викликаним різницею часу перемикання паралельно з’єднані пристрої та схема розподілу індуктивності ланцюга.

IGBT NPT можуть бути паралельними через їхню позитивну властивість температурного коефіцієнта.

SOURCE: Kaushik Rajashekara — Автомобільні системи Delphi

Биполярный транзистор

— обзор

3.3.1 Введение

В системах интеллектуальных датчиков температуры и микроэлектромеханических системах (MEMS) часто используются встроенные датчики, которые объединяют чувствительные элементы с интерфейсной электроникой, необходимой для связи, например, с микроконтроллерами. Помимо встроенных датчиков, в таких системах могут применяться дискретные чувствительные элементы. Дискретные элементы используются, например, для калибровки и тестирования. Дискретные элементы также используются в средах, в которых температуры выходят за пределы допустимого диапазона интерфейсной электроники.Таблица 3.1 (Meijer, 2008a) суммирует основные характеристики некоторых обычно используемых на кристалле и дискретных чувствительных элементов для систем датчиков температуры и MEMS.

Таблица 3.1. Основные характеристики различных типов термочувствительных элементов, согласно Meijer (2008a)

Характеристики	Транзисторы (BJT)	Термопары	Платиновые резисторы	Термисторы
Диапазон температур (° C )	Средняя от −50 до +180	Очень большая от −270 до +3500	Большая от −260 до +1000	Средняя от −80 до +180
Точность	Средняя	Проблема, потому что опорного спая	Высокая в широком диапазоне	Высокая в малом диапазоне
Точность для измерения небольших перепадов температур	Средняя	Высокая	Средняя	Средняя
Подходит для интеграции на кремнии чип	Да	Да	Не в стандартной технологии	Нет в стандартной технологии y
Чувствительность	Высокая (2 мВК −1 )	Низкая (0.05–1 мВК −1 )	Низкое (0,4% K −1 )	Высокое (5% K −1 )
Линейность	Хорошо	Хорошо	Хорошо	Очень сильная нелинейность
Электрическая величина, представляющая температуру	Напряжение	Напряжение	Сопротивление	Сопротивление

Биполярные переходные транзисторы (БЮТ) и термисторы относятся к наиболее чувствительным устройствам в этой таблице.Часто BJT используются с короткозамкнутым соединением коллектор-база ¹ и смещены с помощью хорошо контролируемого тока. Этот способ смещения имеет то преимущество, что результирующее напряжение база-эмиттер почти линейно связано с температурой (Meijer, 2008a). Также характеристики термистора можно линеаризовать, применяя последовательные или шунтирующие резисторы за счет снижения чувствительности (Meijer, 2008a). Высокая чувствительность может быть полезна, поскольку снижает требования к точности схем обработки.Фактически, любая эквивалентная входная ошибка схем обработки будет разделена на чувствительность датчика при вычислении соответствующей температурной погрешности. Часто создать хорошую схему обработки не так уж и сложно. В этом случае точность сенсорных элементов важнее их чувствительности.

По большей части неточность термочувствительных элементов вызвана перекрестным воздействием механического напряжения и, следовательно, также изменениями механического напряжения во время, например, термоциклирования или старения.По тем же причинам на точность сенсора влияет механическое напряжение, остающееся после изготовления и упаковки сенсорных элементов. При сравнении свойств транзистора и термистора в важном диапазоне температур около 300K термисторы имеют лучшую точность. По этой причине термисторы часто используются в сенсорных системах. С другой стороны, транзисторы относятся к основным компонентам микросхем. Следовательно, транзисторы могут быть изготовлены как компонент датчика температуры на кристалле.Следовательно, инновации в датчиках температуры на основе BJT последовали за быстрым развитием и инновациями в технологии IC. По этой причине в интеллектуальных датчиках и МЭМС BJT являются излюбленными элементами измерения температуры. Поэтому данная глава будет в основном посвящена датчикам температуры на основе BJT и соответствующим системам датчиков температуры.

Термопары генерируют напряжение, которое пропорционально разнице температуры между, например, эталонным спаем и измерительным спаем.

Термобатареи состоят из ряда последовательно соединенных термопар и также используются для измерения разницы температур . Термобатареи могут быть изготовлены с использованием ИС-технологии и очень подходят для применения в термодатчиках. В термодатчиках физические величины измеряются путем преобразования физических сигналов сначала в разность температур, а затем преобразование этой разности температур в напряжение термобатареи. Обычно в таких датчиках также измеряется эталонная температура, например, с помощью биполярного транзистора или термочувствительного резистора.Инфракрасные датчики, в том числе популярные клинические ушные термометры, являются примерами тепловых датчиков, в которых излучение поглощается консольным лучом (Herwaarden van, 2008), что вызывает разницу температур, измеряемую с помощью термобатареи. Измерение абсолютной температуры с помощью термопары или ИК-датчика также требует использования датчика абсолютной температуры, например термистора или транзистора, для измерения эталонной температуры.

В промышленных системах часто используются дискретные термочувствительные элементы из-за их высокой точности и превосходной долговременной стабильности.Чаще всего используются платиновые резисторы, термопары и термисторы. Из-за своей стабильности платиновые резисторы перечислены в Международной температурной шкале 1990 г. как интерполирующий температурный стандарт в диапазоне температур от -259,4 ° C до 961,9 ° C (Michalski et al., 2001). Для более высоких температур используются другие типы датчиков, например, определенные типы термопар. Из-за их низкой стоимости и высокой надежности дискретные термопары широко используются в промышленных приложениях, где доступны разные типы для разных температурных диапазонов.

Термисторы очень чувствительны, но не так стабильны, как платиновые резисторы. Они широко применяются в диапазоне температур от -80 ° C до 180 ° C. Помимо высокой чувствительности, термисторы обладают небольшими размерами и недорого. Однако их сильная нелинейность усложняет обработку сигнала термистора. Линеаризацию можно получить с помощью шунтирующих и последовательных резисторов (Meijer, 2008a) за счет снижения чувствительности. Некоторые сенсорные интерфейсы, такие как универсальный сенсорный интерфейс Smartec (2016a), предлагают специальные режимы обработки термисторов, включая линеаризацию.

За последние десятилетия инновации в системах датчиков температуры, реализованных с использованием дискретных чувствительных элементов, в основном касались разработки электронных интерфейсов (Smartec, 2016a; Meijer, 2008b; Khadouri et al., 1997). Для получения более подробной информации о дискретных элементах, чувствительных к температуре, и соответствующих измерительных системах, читатель отсылается к специализированной литературе (Michalski et al., 2001).

Силовые биполярные транзисторы | SpringerLink

• Ранбир Сингх
• B.Джаянт Балига

Часть Серия Springer International в области инженерии и информатики Книжная серия (PEPS)

Abstract

Силовой биполярный транзистор представляет собой трехполюсное устройство, как показано на рис. 5.1. Основная проводимость тока через эмиттер и выводы коллектора контролируется через вывод базы. Биполярный транзистор может быть n-p-n или p-n-p с очень легированной эмиттерной областью, тонкой средней областью базы и ступенчатой ​​слегка легированной — сильно легированной областью коллектора.В «нормальном» режиме работы переход эмиттер-база смещен в прямом направлении, а переход коллектор-база — в обратном направлении. В этом режиме достигается разумное усиление по току (которое определяется как отношение тока эмиттера к току базы). Обычно в устройство подается достаточный базовый ток, так что устройство работает в режиме насыщения, когда переходы эмиттер-база и база-коллектор смещены в прямом направлении. Это приводит к очень низкому падению напряжения коллектор-эмиттер.Толщина и легирование областей базы и коллектора определяют напряжение пробоя коллектор-база устройства, а напряжение пробоя коллектор-эмиттер определяется пробоем коллектор-база и коэффициентом усиления по току транзистора. В то время как силовые биполярные транзисторы обеспечивают очень низкое падение напряжения по отношению к основному току, управление током затвора постоянно требуется для нормальной работы устройства. Силовые биполярные транзисторы используются для управления двигателями и электронных балластов.Криогенная работа силовых биполярных транзисторов была объяснена в Singh and Baliga, 1996b.

Ключевые слова

Напряжение пробоя Усиление тока Смещение тока Концентрация собственных носителей Базовое легирование

Эти ключевые слова были добавлены машиной, а не авторами. Это экспериментальный процесс, и ключевые слова могут обновляться по мере улучшения алгоритма обучения.

Это предварительный просмотр содержимого подписки,

войдите в

, чтобы проверить доступ.

Предварительный просмотр

Невозможно отобразить предварительный просмотр.Скачать превью PDF.

Информация об авторских правах

© Springer Science + Business Media New York 1998

Авторы и аффилированные лица

• Ранбир Сингх
• Б. Джаянт Балига

1. 1. Исследовательский центр по энергетическим полупроводникам, Северная Каролина,

   , Государственный университет Северной Каролины,

, США. Смеситель »Электроника

Биполярные транзисторы, BJT часто используются для создания простых и недорогих активных устройств для ВЧ-смесителей в различных схемах ВЧ-схем..

---

РЧ-микшеры и руководство по микшированию Включает:
Основы радиочастотного микширования Теория и математика Технические характеристики и данные Транзисторный смеситель Смеситель на полевых транзисторах Двойной сбалансированный микшер Смеситель клеток Гилберта Смеситель отклонения изображения

---

Биполярные транзисторы можно найти во многих приложениях ВЧ смесителя для различных приложений радио и других приложений проектирования ВЧ схем.

Типичным примером смесителя на биполярных транзисторах являются схемы, которые можно увидеть в недорогих радиостанциях, где используется один транзистор, иногда обеспечивающий усиление ВЧ и функции гетеродина, а также являющийся смесителем ВЧ.Хотя количество электронных компонентов и стоимость этой функции невелики, производительность также оставляет желать лучшего.

Смесители на биполярных транзисторах

также можно найти в некоторых ВЧ интегральных схемах, и часто эти смесители могут обеспечить хорошие уровни производительности, даже составляя основу двойных балансных смесителей.

Биполярные транзисторы

очень полезны в качестве основы ВЧ-смесителей, и поэтому они используются во многих формах ВЧ-смесителей и во многих ВЧ-конструкциях.

Смесители на транзисторах BJT Basic

Для транзисторного смесителя можно использовать множество различных схем.Возможно, наиболее очевидный метод — подать оба сигнала на базу транзистора.

Базовая схема смесителя на биполярных транзисторах

В этой схеме фильтр на выходе необходим для удаления любых высокочастотных сигналов гетеродина и радиочастоты. Обычно эта схема используется для преобразования сигналов с высокой частоты на гораздо более низкую частоту. Если фильтр состоит из конденсатора, его можно выбрать для короткого замыкания входов LO и RF, не влияя при этом на сигналы IF.

Кроме того, настроенные схемы на входе предотвращают попадание сигналов гетеродина и радиочастоты на противоположные источники. Можно видеть, что эти две цепи являются последовательными резонансными, позволяя сигналам проходить на их резонансной частоте. В результате они должны быть настроены на частоту подключенного к нему сигнала, то есть РЧ-входа или гетеродина. Это также предотвратит утечку RF и LO обратно в другой входной порт.

В более распространенной схеме транзисторного смесителя гетеродин подключается к базе, а ВЧ-вход — к эмиттеру транзистора.

Схема смесителя на биполярных транзисторах с РЧ-входом, подаваемым на эмиттер

. Стоит отметить, что входы LO и RF меняются местами в некоторых схемах — уровни гетеродина и входные схемы для двух сигналов необходимо будет соответствующим образом отрегулировать внутри RF-цепи. дизайн.

ВЧ-смесители на биполярных транзисторах

BJT или биполярный переходной транзистор часто используется во многих недорогих приложениях. Здесь единственный транзистор составляет основу смесителя во многих старых транзисторных портативных радиоприемниках.

Смеситель на биполярных транзисторах был идеальным, поскольку в нем использовалось сравнительно мало электронных компонентов, и ни один из них не был особенно дорогим. Кроме того, требовалось сравнительно небольшое количество гетеродина — преимущество во многих приложениях для проектирования ВЧ.

Тем не менее, производительность самого простого однотранзисторного ВЧ смесителя не особенно хороша, но он хорошо работает во многих домашних радиоприемниках, где его производительность вполне адекватна.

В базовой схеме смесителя используется транзистор, смещенный с использованием схемы делителя потенциала для базы.Входной РЧ-сигнал также подается на базу.

Сигнал гетеродина вводится в соединение эмиттера схемы, и, следовательно, отсутствует обход эмиттера для дополнительного ВЧ усиления.

Коллектор этой схемы ВЧ для однотранзисторного смесителя имеет настроенную схему — обычно это первый трансформатор ПЧ, обеспечивающий селективность для удаления нежелательных сигналов.

Эта схема не сбалансирована, и в результате на выходе будут появляться высокие уровни как гетеродина, так и радиочастотного сигнала, и, поскольку они не требуются, они удаляются радиочастотной настройкой на выходе.

Базовая схема смесителя ВЧ с одним транзистором

Часто для радиостанций внутреннего вещания на длинные и средние волны входной транзистор был многоцелевым, обеспечивающим некоторое усиление ВЧ, гетеродин и смеситель.

Именно эта схема транзисторного смесителя составляет основу многих схем в транзисторных радиоприемниках, использующих дискретные транзисторы. Часто используется автоколебательный смеситель, где единственная транзисторная схема, основанная на этой конфигурации, действует как ВЧ-усилитель с предварительным выбором, осциллятором и смесителем.

ВЧ-схема входного каскада от транзисторного радиоприемника с автоколебательным смесителем

В этой конструкции ВЧ-цепи сигнал обычно улавливается ферритовой стержневой антенной. Эта катушка этого электронного компонента вместе с переменным конденсатором образует настроенную схему, позволяющую настраивать вход и ограничивать прием внеполосных сигналов.

Применяется к базе транзистора, где он усиливается и где он входит в процесс микширования.

Сигнал гетеродина генерируется узлом катушки, подключенным к схемам эмиттера и коллектора.Обратная связь от коллектора к эмиттеру настраивается через дополнительный резонансный контур. Переменный конденсатор для этого совмещен с конденсатором входного ВЧ-интерфейса, так что при настройке радио и гетеродин, и настройка ВЧ остаются (почти) оптимизированными для используемой частоты.

Трансформатор в коллекторной цепи настроен на промежуточную частоту радио, и таким образом удаляются гетеродин и РЧ-сигналы, а также обеспечивается селективность по соседнему каналу для радио, причем селективность обеспечивается дополнительными каскадами ПЧ.

Опять же, эта схема предлагает высокий уровень преобразования, что делает ее идеальной для очень недорогих домашних радиоприемников. Однако процесс микширования не является линейным и генерирует множество паразитных сигналов, что неудивительно, поскольку конструкция схемы должна выполнять так много функций и не может быть оптимизирована ни для одной из них.

Другие конфигурации транзисторных смесителей

Хотя нельзя ожидать, что транзисторные смесители, построенные на основе одного транзистора, обеспечат высочайший уровень производительности, тем не менее, можно значительно улучшить характеристики смесителя на одном биполярном транзисторе, используя более совершенные топологии схем.

Одна из форм транзисторного смесителя, которая очень хорошо работает, известна как ячейка Гилберта. Эта топология ВЧ-смесителя была разработана в 1960-х годах, но в ней используется ряд транзисторов и других электронных компонентов.

Используя подходы с двойной балансировкой, ячейка Гилберта может предложить очень высокий уровень производительности.

Смеситель ячеек Гилберта нашел свое применение, будучи встроенным во многие интегральные схемы, поскольку его схемотехника позволяет очень легко встраивать его.

Биполярные транзисторы

могут быть очень успешно использованы в качестве частотных или ВЧ смесителей.Производительность, естественно, зависит от используемой конструкции электронной схемы, очень простая конструкция схемы смесительного генератора обеспечивает адекватную производительность, особенно с учетом количества электронных компонентов, используемых для всех этих функций.

Однако для повышения производительности необходимы более сложные схемы с дополнительными электронными компонентами. Возможны конфигурации схем, обеспечивающие возможности двойного балансного смесителя и т.п., и в этих условиях транзисторы с биполярным переходом способны обеспечить отличные характеристики в схемах ВЧ смесителя.

Другие важные темы по радио:
Радиосигналы Типы и методы модуляции Амплитудная модуляция Модуляция частоты OFDM ВЧ микширование Петли фазовой автоподстройки частоты Синтезаторы частот Пассивная интермодуляция ВЧ аттенюаторы RF фильтры Радиочастотный циркулятор Типы радиоприемников Радио Superhet Избирательность приемника Чувствительность приемника Обработка сильного сигнала приемника Динамический диапазон приемника
Вернуться в меню тем Радио.. .

Массивы биполярных переходных транзисторов NPN — BJT

ULN2004D1013TR

95M7596

Биполярный (BJT) матричный транзистор, Дарлингтон, NPN, 50 В, 500 мА, 1000, SOIC Соответствует RoHS: Да СТМИКРОЭЛЕКТРОНИКА

Каждый (поставляется на отрезанной ленте) Доставка в течение 2-4 рабочих дней с нашего склада в Великобритании для товаров, имеющихся в наличии.

Запрещенный товар Минимальный заказ 5 шт. Только кратное 5 Пожалуйста, введите действительное количество Добавлять Мин .: 5 Mult: 5

NPN

50 В

500 мА

—

1000hFE

SOIC

16 контактов

Поверхностное крепление

85 ° С

—

—

ULN2002A

26M4664

Биполярная транзисторная матрица, Дарлингтон, NPN, 50 В, 500 мА, 1000 hFE, DIP СТМИКРОЭЛЕКТРОНИКА

Каждый

Запрещенный товар Минимальный заказ от 1 шт. Только кратное 1 Пожалуйста, введите действительное количество Добавлять Мин .: 1 Mult: 1

NPN

50 В

500 мА

—

1000hFE

ОКУНАТЬ

16 контактов

Сквозное отверстие

85 ° С

—

—

ULN2004A

26M4666

Биполярная транзисторная матрица, Дарлингтон, NPN, 50 В, 500 мА, 1000 hFE, DIP СТМИКРОЭЛЕКТРОНИКА

Каждый

Запрещенный товар Минимальный заказ от 1 шт. Только кратное 1 Пожалуйста, введите действительное количество Добавлять Мин .: 1 Mult: 1

NPN

50 В

500 мА

—

1000hFE

ОКУНАТЬ

16 контактов

Сквозное отверстие

85 ° С

—

—

ULN2003D1013TR

89K1131

Биполярная транзисторная матрица, Дарлингтон, NPN, 50 В, 500 мА, 1000 hFE, SOIC СТМИКРОЭЛЕКТРОНИКА

Каждый (поставляется на отрезанной ленте)

Запрещенный товар Минимальный заказ от 1 шт. Только кратное 1 Пожалуйста, введите действительное количество Добавлять Мин .: 1 Mult: 1

NPN

50 В

500 мА

—

1000hFE

SOIC

16 контактов

Поверхностное крепление

85 ° С

—

—

ULN2003A

89K1130

Биполярная транзисторная матрица, Дарлингтон, NPN, 50 В, 500 мА, 1000 hFE, DIP СТМИКРОЭЛЕКТРОНИКА

Каждый

Запрещенный товар Минимальный заказ от 1 шт. Только кратное 1 Пожалуйста, введите действительное количество Добавлять Мин .: 1 Mult: 1

NPN

50 В

500 мА

—

1000hFE

ОКУНАТЬ

16 контактов

Сквозное отверстие

85 ° С

—

—

ULN2074B

59M3321

Биполярный (BJT) матричный транзистор, Дарлингтон, NPN, 50 В, 1 Вт, 1.5 А, соответствие DIP RoHS: Да СТМИКРОЭЛЕКТРОНИКА

Каждый Доставка в течение 2-4 рабочих дней с нашего склада в Великобритании для товаров, имеющихся в наличии.

Запрещенный товар Минимальный заказ от 1 шт. Только кратное 1 Пожалуйста, введите действительное количество Добавлять Мин .: 1 Mult: 1

NPN

50 В

1.5А

1 Вт

—

ОКУНАТЬ

16 контактов

Сквозное отверстие

85 ° С

—

—

SN75468D

29AH7717

ТРАНЗИСТОРНАЯ МАССА, 75468, SOIC16 ТЕХАС ИНСТРУМЕНТЫ

Каждый Доставка в течение 2-4 рабочих дней с нашего склада в Великобритании для товаров, имеющихся в наличии.

Запрещенный товар Минимальный заказ от 1 шт. Только кратное 1 Пожалуйста, введите действительное количество Добавлять Мин .: 1 Mult: 1

NPN

100 В

500 мА

—

—

SOIC

16 контактов

Поверхностное крепление

70 ° С

—

—

THAT300P14-U

50M5196

Биполярная транзисторная матрица, малошумящая, NPN, 40 В, 20 мА, 100 hFE, DIP ТО КОРПОРАЦИЯ

Каждый Доставка в течение 2-4 рабочих дней с нашего склада в Великобритании для товаров, имеющихся в наличии.

Запрещенный товар Минимальный заказ от 1 шт. Только кратное 1 Пожалуйста, введите действительное количество Добавлять Мин .: 1 Mult: 1

NPN

40В

20 мА

—

100hFE

ОКУНАТЬ

14 контактов

Сквозное отверстие

70 ° С

—

—

ULN2004AN

29AH8399

DARLINGTON ARRAY, 2004, DIP16 ТЕХАС ИНСТРУМЕНТЫ

Каждый Доставка в течение 2-4 рабочих дней с нашего склада в Великобритании для товаров, имеющихся в наличии.

Запрещенный товар Минимальный заказ от 1 шт. Только кратное 1 Пожалуйста, введите действительное количество Добавлять Мин .: 1 Mult: 1

NPN

—

—

—

—

ОКУНАТЬ

16 контактов

Сквозное отверстие

85 ° С

—

—

MMPQ3904

78K6028

Биполярная транзисторная матрица, NPN, 40 В, 200 мА, 1 Вт, 30 hFE, SOIC ONSEMI

Каждый (поставляется на отрезанной ленте)

Запрещенный товар Минимальный заказ от 1 шт. Только кратное 1 Пожалуйста, введите действительное количество Добавлять Мин .: 1 Mult: 1

NPN

40В

200 мА

1 Вт

30hFE

SOIC

16 контактов

Поверхностное крепление

150 ° С

—

—

ULN2064B

26M4667

Биполярный (BJT) матричный транзистор, Дарлингтон, NPN, 50 В, 1 Вт, 1.5 А, соответствие DIP RoHS: Да СТМИКРОЭЛЕКТРОНИКА

Каждый Доставка в течение 2-4 рабочих дней с нашего склада в Великобритании для товаров, имеющихся в наличии.

Запрещенный товар Минимальный заказ от 1 шт. Только кратное 1 Пожалуйста, введите действительное количество Добавлять Мин .: 1 Mult: 1

NPN

50 В

1.5А

1 Вт

—

ОКУНАТЬ

16 контактов

Сквозное отверстие

85 ° С

—

—

BC846S, 115

87W9081

Биполярная транзисторная матрица, NPN, 65 В, 100 мА, 200 мВт, 110 hFE, SOT-363 NEXPERIA

Каждый (поставляется на отрезанной ленте)

Запрещенный товар Минимальный заказ от 1 шт. Только кратное 1 Пожалуйста, введите действительное количество Добавлять Мин .: 1 Mult: 1

NPN

65 В

100 мА

200 мВт

110hFE

СОТ-363

6 контактов

Поверхностное крепление

150 ° С

—

—

BCV61B, 215

84Y9600

ТРАНС, NPN, 30 В, 100 МГц, SOT143B-4 NEXPERIA

Каждый (поставляется на отрезанной ленте) Доставка в течение 2-4 рабочих дней с нашего склада в Великобритании для товаров, имеющихся в наличии.

Запрещенный товар Минимальный заказ 5 шт. Только кратное 5 Пожалуйста, введите действительное количество Добавлять Мин .: 5 Mult: 5

NPN

30 В

100 мА

250 мВт

100hFE

СОТ-143Б

4 контакта

Поверхностное крепление

150 ° С

—

—

ULQ2003AD

29AH8400

ТРАНЗИСТОР ДАРЛИНГТОНА, NPN, 50 В, SOIC-16 ТЕХАС ИНСТРУМЕНТЫ

Каждый Доставка в течение 2-4 рабочих дней с нашего склада в Великобритании для товаров, имеющихся в наличии.

Запрещенный товар Минимальный заказ от 1 шт. Только кратное 1 Пожалуйста, введите действительное количество Добавлять Мин .: 1 Mult: 1

NPN

50 В

500 мА

—

—

SOIC

16 контактов

Поверхностное крепление

85 ° С

—

—

MMDT5551-7-F

51R6838

Матрица биполярных транзисторов, сдвоенная, NPN, 160 В, 200 мА, 200 мВт, 80 hFE, SOT-363 DIODES INC.

Каждый (поставляется на отрезанной ленте) Доставка в течение 2-4 рабочих дней с нашего склада в Великобритании для товаров, имеющихся в наличии.

Запрещенный товар Минимальный заказ 5 шт. Только кратное 5 Пожалуйста, введите действительное количество Добавлять Мин .: 5 Mult: 5

NPN

160 В

200 мА

200 мВт

80hFE

СОТ-363

6 контактов

Поверхностное крепление

150 ° С

—

—

DMMT3904W

65T8215

Матрица биполярных транзисторов, двойная, NPN, 40 В, 200 мА, 200 мВт, 100 hFE, SOT-363 DIODES INC.

Каждый (поставляется на отрезанной ленте) Доставка в течение 2-4 рабочих дней с нашего склада в Великобритании для товаров, имеющихся в наличии.

Запрещенный товар Минимальный заказ 5 шт. Только кратное 5 Пожалуйста, введите действительное количество Добавлять Мин .: 5 Mult: 5

NPN

40В

200 мА

200 мВт

100hFE

СОТ-363

6 контактов

Поверхностное крепление

150 ° С

—

—

MC1413BDR2G

50AC5977

ТРАНЗИСТОРНАЯ МАССА, NPN, 1.1В, SOIC ONSEMI

Каждый (поставляется на отрезанной ленте) Доставка в течение 2-4 рабочих дней с нашего склада в Великобритании для товаров, имеющихся в наличии.

Запрещенный товар Минимальный заказ 5 шт. Только кратное 5 Пожалуйста, введите действительное количество Добавлять Мин .: 5 Mult: 5

NPN

1.1В

500 мА

—

1000hFE

SOIC

16 контактов

Поверхностное крепление

85 ° С

—

—

FMB2222A

31Y1473

Биполярный (BJT) матричный транзистор, NPN, 40 В, 700 мВт, 500 мА, 35, SuperSOT Соответствие RoHS: Да ONSEMI

Каждый (поставляется на отрезанной ленте) Доставка в течение 2-4 рабочих дней с нашего склада в Великобритании для товаров, имеющихся в наличии.

Запрещенный товар Минимальный заказ 5 шт. Только кратное 5 Пожалуйста, введите действительное количество Добавлять Мин .: 5 Mult: 5

NPN

40В

500 мА

700 мВт

35hFE

SuperSOT

6 контактов

Поверхностное крепление

150 ° С

—

—

ULN2802A

34X5258

Биполярный (BJT) матричный транзистор, Дарлингтон, NPN, 50 В, 2.25 Вт, 500 мА, 1000, соответствие DIP RoHS: Да СТМИКРОЭЛЕКТРОНИКА

Каждый Доставка в течение 2-4 рабочих дней с нашего склада в Великобритании для товаров, имеющихся в наличии.

Запрещенный товар Минимальный заказ от 1 шт. Только кратное 1 Пожалуйста, введите действительное количество Добавлять Мин .: 1 Mult: 1

NPN

50 В

500 мА

2.25 Вт

1000hFE

ОКУНАТЬ

18 контактов

Сквозное отверстие

85 ° С

Транзисторы Дарлингтона

—

ULN2003D1013TR

04X9117

Биполярный (BJT) матричный транзистор, Дарлингтон, NPN, 50 В, 500 мА, 1000, SOIC Соответствует RoHS: Да СТМИКРОЭЛЕКТРОНИКА

Каждый (поставляется на полной катушке) Доставка в течение 2-4 рабочих дней с нашего склада в Великобритании для товаров, имеющихся в наличии.

Запрещенный товар Минимальный заказ 2500 шт. Только кратные 2500 Пожалуйста, введите действительное количество Добавлять Мин .: 2500 Mult: 2500

NPN

50 В

500 мА

—

1000hFE

SOIC

16 контактов

Поверхностное крепление

85 ° С

—

—

ULN2002AN

33AH5505

ТРАНЗИСТОР ДАРЛИНГТОНА, NPN, 50 В, DIP-16 ТЕХАС ИНСТРУМЕНТЫ

Каждый Доставка в течение 2-4 рабочих дней с нашего склада в Великобритании для товаров, имеющихся в наличии.

Запрещенный товар Минимальный заказ от 1 шт. Только кратное 1 Пожалуйста, введите действительное количество Добавлять Мин .: 1 Mult: 1

NPN

50 В

500 мА

—

—

ОКУНАТЬ

16 контактов

Сквозное отверстие

70 ° С

—

—

ULQ2003AN

29AH8401

TRANS ARRAY, DARL ТЕХАС ИНСТРУМЕНТЫ

Каждый Доставка в течение 2-4 рабочих дней с нашего склада в Великобритании для товаров, имеющихся в наличии.

Запрещенный товар Минимальный заказ от 1 шт. Только кратное 1 Пожалуйста, введите действительное количество Добавлять Мин .: 1 Mult: 1

NPN

50 В

500 мА

—

1000hFE

ОКУНАТЬ

16 контактов

Сквозное отверстие

85 ° С

—

—

ULN2003AIN

28AH6391

ТРАНЗИСТОР ДАРЛИНГТОНА, NPN, 50 В, DIP-16 ТЕХАС ИНСТРУМЕНТЫ

Каждый Доставка в течение 2-4 рабочих дней с нашего склада в Великобритании для товаров, имеющихся в наличии.

Запрещенный товар Минимальный заказ от 1 шт. Только кратное 1 Пожалуйста, введите действительное количество Добавлять Мин .: 1 Mult: 1

NPN

50 В

500 мА

—

—

ОКУНАТЬ

16 контактов

Сквозное отверстие

105 ° С

—

—

SN75469N

29AH7718

ТРАНЗИСТОРНАЯ МАССА, DARLINGTON ТЕХАС ИНСТРУМЕНТЫ

Каждый Доставка в течение 2-4 рабочих дней с нашего склада в Великобритании для товаров, имеющихся в наличии.

Запрещенный товар Минимальный заказ от 1 шт. Только кратное 1 Пожалуйста, введите действительное количество Добавлять Мин .: 1 Mult: 1

NPN

100 В

500 мА

—

—

ОКУНАТЬ

16 контактов

Сквозное отверстие

70 ° С

—

—

UMX1NTN

40P3417

Матрица биполярных транзисторов, сдвоенная, NPN, 50 В, 150 мА, 150 мВт, 120 hFE, SOT-363 ROHM

Каждый Доставка в течение 2-4 рабочих дней с нашего склада в Великобритании для товаров, имеющихся в наличии.

Запрещенный товар Минимальный заказ 5 шт. Только кратное 5 Пожалуйста, введите действительное количество Добавлять Мин .: 5 Mult: 5

NPN

50 В

150 мА

150 мВт

120hFE

СОТ-363

6 контактов

Поверхностное крепление

150 ° С

—

—

Биполярные переходные транзисторы

Что такое BJT?

Рис.3.1.1 Биполярные переходные транзисторы

Биполярные транзисторы являются одними из наиболее широко используемых устройств для усиления всех типов электрических сигналов в дискретных схемах, то есть схем, состоящих из отдельных компонентов, а не интегральных схем (I / C). Биполярные транзисторы также используются в схемах вместе с I / C, поскольку часто более практично использовать дискретные выходные транзисторы, где требуется более высокая выходная мощность, чем может обеспечить I / C. Например, интегральная схема может выполнять всю обработку сигналов в системе, но затем передавать обработанный сигнал на один дискретный транзистор или пару согласованных транзисторов для усиления мощности для управления громкоговорителем или другим устройством вывода.Также часто бывает удобнее использовать дискретный транзистор для отдельной схемы в более крупной системе, для которой недоступны I / C.

Транзисторы бывают разных форм и типов. Выбор типичных транзисторов с биполярным переходом (BJT) показан на рис. 3.1.2

.

Рис. 3.1.2 Типичные биполярные переходные транзисторы

• 1. BUH515

  Высоковольтный (1500 В) высокомощный (50 Вт) NPN транзистор с быстрым переключением в корпусе ISOWATT218, первоначально разработанный для использования в аналоговых ТВ-часах, но также используемый в импульсных источниках питания.

• 2. 2N3055

  Силовой кремниевый транзистор NPN (115 Вт), предназначенный для коммутации и применения в усилителях. Может использоваться как половина дополнительной двухтактной выходной пары с транзистором PNP MJ2955.

• 3. 2N2219

  Кремниевый транзистор NPN в металлическом корпусе TO-39, разработанный для использования в качестве высокоскоростного переключателя или для усиления на частотах от постоянного тока (0 Гц) до УВЧ на частоте около 500 МГц.

• 4. 2N6487

  Выходной NPN-транзистор общего назначения мощностью до 75Вт в корпусе ТО-220.

• 5. BD135 / BD136

  Пара дополнительных (NPN / PNP) транзисторов аудиовыхода малой и средней мощности в корпусе SOT-32.

• 6, 7 и 8. 2N222

  Малосигнальный усилитель общего назначения и переключающие транзисторы, такие как 2N2222 и 2N3904, обычно доступны в различных типах корпусов, таких как корпус TO-18 в металлическом корпусе (6) и более дешевый пластиковый TO -92 версия (7) для сквозного монтажа на печатных платах, а также в версиях SOT-23 для поверхностного монтажа (8).

Рис. 3.1.3 Варианты комплектации ТО-92

Также доступны многие типы корпусов транзисторов с альтернативными схемами подключения. Корпус TO-92, например, имеет варианты TO-94, TO-96, TO-97 и TO-98, все с похожим внешним видом, но каждый с разной конфигурацией контактов. Если доступны различные варианты корпусов, они обычно указываются в технических данных для каждого конкретного типа транзистора. Типичные варианты, например, для серий TO-92-98 корпусов, используемых для транзисторов, таких как 2N2222, показаны на рис.3.1.3.

Начало страницы.>

Биполярный транзистор

(BJT) — что это? — ES Components

Биполярные транзисторы названы так потому, что они проводят с использованием как мажоритарных, так и неосновных носителей. Биполярный переходной транзистор, первый тип транзистора, который будет производиться серийно, представляет собой комбинацию двух переходных диодов и состоит из тонкого слоя полупроводника p-типа, зажатого между двумя полупроводниками n-типа (n – p– n-транзистор), или тонкий слой полупроводника n-типа, зажатый между двумя полупроводниками p-типа (p – n – p транзистор).Эта конструкция создает два p − n-перехода: переход база-эмиттер и переход база-коллектор, разделенные тонкой полупроводниковой областью, известной как базовая область (два переходных диода, соединенные вместе, не разделяя промежуточную полупроводниковую область, не будут составлять транзистор. ).

Биполярный транзистор

имеет три вывода, соответствующих трем слоям полупроводника — эмиттер , основание и коллектор . Они полезны в усилителях, поскольку токами на эмиттере и коллекторе можно управлять с помощью относительно небольшого тока базы.В n − p − n-транзисторе, работающем в активной области, переход эмиттер-база смещен в прямом направлении (электроны и дырки рекомбинируют на переходе), а переход база-коллектор смещен в обратном направлении (электроны и дырки образуются при удаляются от перехода), а электроны инжектируются в базовую область. Поскольку база узкая, большинство этих электронов диффундируют в переход база-коллектор с обратным смещением и уносятся в коллектор; возможно, одна сотая электронов рекомбинирует в базе, что является доминирующим механизмом в токе базы.Кроме того, поскольку база слегка легирована (по сравнению с областями эмиттера и коллектора), скорость рекомбинации низка, что позволяет большему количеству носителей диффундировать через область базы. Управляя числом электронов, которые могут покинуть базу, можно контролировать количество электронов, попадающих в коллектор. Ток коллектора приблизительно равен β (коэффициент усиления тока общего эмиттера), умноженный на ток базы. Обычно оно больше 100 для малосигнальных транзисторов, но может быть меньше для транзисторов, предназначенных для мощных приложений.

В отличие от полевого транзистора (см. Ниже), BJT представляет собой устройство с низким входным сопротивлением. Кроме того, по мере увеличения напряжения база-эмиттер ( В, BE) ток база-эмиттер и, следовательно, ток коллектор-эмиттер ( I CE) возрастают экспоненциально в соответствии с моделью диода Шокли и моделью Эберса-Молла. Из-за этой экспоненциальной зависимости BJT имеет более высокую крутизну, чем FET.

Биполярные транзисторы можно сделать проводящими под воздействием света, потому что поглощение фотонов в основной области генерирует фототок, который действует как базовый ток; ток коллектора примерно в β раз больше фототока.Устройства, предназначенные для этой цели, имеют в корпусе прозрачное окошко и называются фототранзисторами.

Источник: Википедия

Биполярный транзистор | PSpice

2N1613	0,5 А, 50 В, биполярный транзистор общего назначения NPN (с включением АА)
2N1711	Биполярные транзисторы низкого среднего напряжения, 1 А, 50 В, NPN (с поддержкой AA)
2N1893	0.Биполярные транзисторы низкого среднего напряжения, 5A, 80V, NPN (с поддержкой AA)
2N1893	Биполярные транзисторы средней мощности, 0,5 А, 80 В, NPN
2N2060	Кремниевый биполярный транзистор общего назначения, 500 мА, 60 В, NPN (с поддержкой AA)
2N2060A	Кремниевый биполярный транзистор общего назначения, 500 мА, 60 В, NPN (с поддержкой AA)
2N2102	Биполярный транзистор общего назначения, 1 А, 65 В, NPN (с включением АА)
2N2218	0.Биполярный транзистор общего назначения, 8 А, 30 В, NPN (с включением АА)
2N2219	Биполярный транзистор общего назначения, 800 мА, 30 В, NPN (с поддержкой AA)
2N2219A	Биполярные транзисторы низкого среднего напряжения, 800 мА, 30 В, NPN (с поддержкой AA)
2N2221	0.Биполярный транзистор общего назначения, 8 А, 30 В, NPN (с включением АА)
2N2221A	0,8 А, 40 В, NPN биполярный транзистор общего назначения (с включением АА)
2N2222	Биполярный транзистор общего назначения, 800 мА, 30 В, NPN (с поддержкой AA)
2N2222	Коммутационный транзистор общего назначения, 800 мА, 30 В, NPN
2N2222A	Биполярные транзисторы низкого среднего напряжения, 800 мА, 40 В, NPN (с поддержкой AA)
2N2222A / ZTX	Биполярный переключающий транзистор, 800 мА, 40 В, NPN
2N2223	Двойной биполярный транзистор общего назначения, 500 мА, 60 В, NPN (с поддержкой AA)
2N2223	Двойной биполярный транзистор общего назначения, 500 мА, 60 В, NPN (с поддержкой AA)
2N2223A	Двойной биполярный транзистор общего назначения, 500 мА, 60 В, NPN (с поддержкой AA)
2N2223A	Двойной биполярный транзистор общего назначения, 500 мА, 60 В, NPN (с поддержкой AA)
2N2368	Биполярный транзистор малой мощности, 200 мА, 15 В, NPN (с поддержкой AA)
2N2369	Биполярный транзистор общего назначения, 200 мА, 15 В, NPN (с поддержкой AA)
2N2369A	Биполярный транзистор общего назначения, 200 мА, 15 В, NPN (с поддержкой AA)
2N2405	1 А, 90 В, силовой биполярный транзистор NPN
2N2480	Биполярный транзистор малой мощности, 500 мА, 40 В, NPN (с поддержкой AA)
2N2480A	Биполярный транзистор малой мощности, 500 мА, 40 В, NPN (с поддержкой AA)
2N2481	Биполярный транзистор малой мощности, 200 мА, 15 В, NPN (с поддержкой AA)
2N2484	Биполярный транзистор общего назначения, 50 мА, 60 В, NPN (с поддержкой AA)
2N2501	0. alexxlab Добавить комментарий Отменить ответ Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены * Комментарий * Имя * Email * Сайт Рубрики Прост Радио Разное Своими руками Советы Схем Схемы Транзист Транзисторы Электрон Электроника