Site Loader

Содержание

Kyocera TASKalfa 2020 (taskalfa2020) монохромное мфу A3 (1102ZR3NL0)

Главная » МФУ » Монохромные МФУ Kyocera » Kyocera TASKalfa 2020 (taskalfa2020) монохромное мфу A3 (1102ZR3NL0)

Описание С этим товаром покупают Характеристики Отзывы (0)

Kyocera TASKalfa 2020 – недорогое, экономичное, надёжное, неприхотливое и очень компактное монохромное многофункциональное устройство формата A3, которое идеально подходит для небольших организаций с невысокой месячной нагрузкой. Копировальный аппарат обладает множеством современных цифровых функций, входящий в стандартный комплект поставки интерфейс принтера, позволит быстро распечатать необходимую документацию с высочайшим качеством изображения, а благодаря встроенному цветному модулю сканера устройство может быть использовано в компаниях занимающихся архивированием документации. В МФУ Kyocera TASKalfa 2020 используются только качественные компоненты с самым большим ресурсом среди всех конкурентных моделей в своём классе.

Гибкость в настройке, модульности ресурсных узлов многофункционального устройства, большой перечень дополнительных опций, интуитивно понятный интерфейс позволит получить максимальную выгоду от его функциональности в не зависимости от того что требуется копирование, печать или сканирование.

Общие характеристики

Тип: настольное монохромное многофункциональное устройство
Технология печати: однокомпонентная лазерная, Kyocera
Скорость копирования А4, ч/б стр./мин.: 20
Скорость копирования А3, ч/б стр./мин.: 10
Максимальный формат оригинала: A3
Формат копий: A3, A4, A5, A6, Ledger, Letter, Legal

Разрешение копирования, dpi: 600 х 600
Дисплей панели управления: 2х строчный ЖК-дисплей
Количество воспроизводимых полутонов: 256
Настройка изображения: текст, фото, текст + фото, схема, карта
Время выхода первой копии, сек. : 5,7
Время прогрева, сек.: 17,2
Непрерывное копирование, страниц: 1-999
Масштабирование, %: 25-400 с шагом 1%
Встроенные коды доступа: счётчик на 10 кодов
Память (стандартно/макс.), Мб: 256/256
Размеры базового устройства (Ширина x Глубина x Высота), мм: 565 x 527 x 455
Масса, кг: 27
Максимальный объём копирования в месяц, страниц: уточняйте по телефону в Москве +7 (495) 125-26-52

Система подачи бумаги в стандартной комплектации
Плотность бумаги, г/м2: 45-160
Количество кассет (стандартно) x ёмкость, листов: 1 x 300
Ёмкость системы подачи бумаги (максимально), листов: 1 300
Ёмкость лотка ручной подачи, листов: 100
Ёмкость выходного лотка, листов: 250

Принтер в стандартной комплектации
Скорость печати A4, ч/б стр./мин.: 20
Скорость печати А3, ч/б стр./мин.

: 10
Время выхода первого отпечатка, сек.: 5,7
Разрешение печати, dpi: Fast 1200 (1800 х 600 ), 600 х 600
Процессор: ARM v5, 500 МГц
Память (стандартно/макс.), Мб: 256/256
Эмуляции: GDI принтер
Интерфейсы (стандартно): USB 2.0 (High-Speed)
Поддерживаемые операционные системы: Windows 8.1, Windows 10,
Windows Server 2012/R2, Windows Server 2016, Windows Server 2019,
Mac OS 10.5 или новее, Linux

Сканер полноцветный в стандартной комплектации
Скорость сканирования A4, оригиналов в минуту: до 23 (разрешение 600 x 600)

Разрешение сканирования, dpi: 200, 300, 400, 600
Интерфейсы (стандартно): USB 2.0 (High-Speed)
Функциональность: Scan-to-PC (SMB), Scan-to-Email application Kyocera Client Tool, TWAIN, WIA сканирование
Поддерживаемые типы файлов: PDF, JPG, BMP, TIFF, PNG

Стандартная комплектация многофункционального устройства
Копир, GDI принтер, цветной сканер, универсальная кассета подачи бумаги на 300 листов формата А4/A3, стартовый тонер-картридж на 3 000 страниц, диск с ПО, кабель сетевой 230В.

Дополнительное оборудование (опции)
Platen Cover (H) Верхняя крышка
DP-480 Реверсивный автоподатчик оригиналов, 50 листов
PF-480 Кассета, 300 листов
DU-480 Дуплекс
CB-480H Тумба-подставка, дерево (высокая)
CB-480L Тумба-подставка, дерево (низкая)
CB-481H Тумба-подставка, металл (высокая)
CB-481L Тумба-подставка, металл (низкая)

Тонер-картриджи, тонер для заправки, сервисные комплекты и ресурсные блоки
TK-4145 Тонер-картридж (оригинальный) на 16 000 страниц по стандарту ISO/IEC 19752

MK-4105 Сервисный комплект на 150 000 страниц
DV-4145 Блок проявки на 300 000 страниц

FK-4105 Термоблок на 300 000 страниц

Гарантия
Стандартная гарантия 1 год. Компания Kyocera Document Solutions предоставляет гарантию на блок фотобарабана, термоблок и блок проявки 1 год или 150 000 страниц для барабана, 300 000 страниц для термоблока и блока проявки (в зависимости от того, что наступит раньше), при условии эксплуатации устройства и ухода за ним в соответствии с инструкциями по техническому обслуживанию.

Технические характеристики
Функциональность монохромный копир, монохромный принтер, полноцветный сканер
Скорость копирования А4, ч/б стр./мин. 20
Скорость копирования А3, ч/б стр./мин. 10
Максимальный рабочий формат A3
Формат отпечатков A3, A4, A5, A6, Ledger, Letter, Legal
Формат копий A3, A4, A5, A6, Ledger, Letter, Legal
Разрешение печати, dpi Fast 1200 (1800 х 600 ), 600 х 600
Разрешение копирования, dpi 600 х 600
Масштабирование, %
25-400 с шагом 1%
Время выхода первой копии, сек. 5,7
Время прогрева, сек. 17,2
Плотность бумаги, г/м2 45-160
Память (стандартно/макс.) 256/256
Процессор ARM v5, 500 МГц
Размеры (Ш x Г x В) 56.50см x 52.70см x 45.50см
Масса, кг 27
Максимальный объём печати в месяц, страниц Максимальный объём печати в месяц, страниц: уточняйте по телефону в Москве +7 (495) 125-26-52
Максимальный объём копирования в месяц, страниц Максимальный объём копирования в месяц, страниц: уточняйте по телефону в Москве +7 (495) 125-26-52

Ваше Имя:

Ваш отзыв: Внимание: HTML не поддерживается! Используйте обычный текст.

Оценка: Плохо            Хорошо

Введите код, указанный на картинке:

Вперёд

Метки: копировать, kyocera копир, taskalfa, 1102ZR3NL0, та2020, TA2020, taskalfa-2020, та-2020, таскалфа2020, TASKalfa 2020, таскальфа 2020, taskalfa2020, nfcrfkmaf2020, копирующее устройство, копировальный аппарат, копир формата А3,

Оценка эффективности схемы лечения ОРВИ, включающей этиотропную (энисамия йодид) и симптоматическую терапию

Аннотация

Цель. Оценка эффективности применения в рутинной клинической практике противовирусного препарата энисамия йодида в комплексной терапии острых респираторных вирусных инфекций (ОРВИ), вызванных различными возбудителями.
Материалы и методы. В проспективное рандомизированное исследование включены 134 пациента, проходивших лечение в эпидемический сезон гриппа и ОРВИ в 2018–2019 гг. Все пациенты обследованы на наличие вирусов гриппа А и B, респираторно-синцитиального вируса, метапневмовируса человека, вируса парагриппа, коронавирусов, риновирусов, аденовирусов в мазках из носоглотки методом полимеразной цепной реакции. Пациенты основной группы получали энисамия йодид наряду с симптоматической терапией, контрольная группа получала только симптоматическую терапию. Первичный параметр эффективности лечения оценивали по шкале общей выраженности проявлений ОРВИ (Total Symptom Score – TSS) со 2 по 4-й день и вторичным критериям эффективности: оценка продолжительности ОРВИ, выраженность лихорадки, доля пациентов с нормальной температурой тела, продолжительность основных клинических симптомов ОРВИ, доля больных, у которых отмечено развитие осложнений, требующих назначения антибиотиков, динамика интерферонового статуса на 6-й день.

Для проведения статистического анализа в зависимости от параметра эффективности применялся метод ANCOVA с фиксированным фактором группы и исходным баллом по шкале выраженности TSS в качестве ковариаты, критерий сравнения количественных показателей в двух независимых группах.
Результаты. По результатам анализа первичного параметра эффективности – медиана (межквартильный диапазон) средней оценки по шкале общей выраженности проявлений ОРВИ в основной группе составила 4,33 (3,67–5,83), в группе сравнения – 6,00 (4,67–7,25; p<0,001. Продолжительность системных и локальных проявлений ОРВИ была статистически значимо меньше в основной группе (р=0,002 и р=0,019 соответственно). Назначение дополнительной терапии потребовалось 2 (2,9%) пациентам основной группы (принимающие энисамия йодид) по сравнению с 8 (11,9%) пациентами из контрольной группы. Сывороточные уровни интерферона α и интерферона γ на последний день лечения были статистически значимо выше у пациентов основной группы по сравнению с контрольной (p<0,001). Оценку лечению «отлично» дали 42 (62,7%) пациента, в то время как в контрольной группе аналогичные оценки поставили только 17 (25,8%) больных. И пациенты (p<0,001), и врачи (p<0,002) оценивали переносимость терапии лучше в основной группе.
Заключение. Полученные результаты подтвердили безопасность и эффективность энисамия йодида как средства терапии ОРВИ и гриппа. Противовирусные, интерфероногенные и противовоспалительные свойства препарата участвуют в формировании противовирусного ответа и снижают риск осложнений, что дает возможность уменьшить количество применяемых симптоматических средств.

Ключевые слова: острые респираторные вирусные инфекции, грипп, энисамия йодид, противовирусная терапия, интерфероны, интерфероногены, индукторы интерферона, качество жизни, приверженность лечению, эффективность, безопасность.

________________________________________________

Aim. To assess the effectiveness of the use of the antiviral drug enisamium iodide in the complex treatment of acute respiratory viral infections (ARVI) caused by various pathogens in routine clinical practice.
Materials and methods. А prospective randomized study included 134 patients who were treated in the epidemic season of influenza and ARVI in 2018–2019. All patients were examined for the presence of influenza A and B viruses, respiratory syncytial virus, human metapneumovirus, parainfluenza virus, coronaviruses, rhinoviruses, adenoviruses in nasopharyngeal swabs by PCR. Patients of the main group received enisamium iodide along with symptomatic therapy, the control group received only symptomatic therapy. The primary parameter of the effectiveness of therapy was evaluated on the scale of the general severity of the manifestations of ARVI (Total Symptom Score – TSS) from the 2nd to the 4th day and by the secondary criteria of effectiveness: assessment of the duration of ARVI, the severity of fever, the proportion of patients with normal body temperature, the duration of the main clinical symptoms of acute respiratory viral infections, the proportion of patients in whom complications requiring antibiotics were noted, the dynamics of interferon status on the 6th day. To conduct a statistical analysis, depending on the efficiency parameter, the ANCOVA method with a fixed group factor and an initial score on the TSS severity scale was used as covariates, a criterion for comparing quantitative indicators in two independent groups.
Results. According to the results of the analysis of the primary efficacy parameter, the median (interquartile range) of the average score on the scale of the general severity of ARVI manifestations in the main group was 4.33 (3.67–5.83), in the comparison group – 6.00 (4.67–7.25; p<0.001). The duration of systemic and local manifestations of acute respiratory viral infections was statistically significantly less in the main group (p=0.002 and p=0.019, respectively). Prescription of additional therapy was required in 2 (2.9%) patients of the main group (patients taking enisamium iodide), compared with 8 (11.9%) patients in the control group. Serum levels of interferon α and interferon γ on the last day of treatment were statistically significantly higher in patients of the main group compared with the control group (p<0. 001). Treatment (excellent) was evaluated by 42 (62.7%) patients, while in the control group only 17 (25.8%) patients gave similar ratings. Both patients (p<0.001) and doctors (p<0.002) rated therapy tolerance better in the study group.
Conclusion. The results confirmed the safety and effectiveness of enisamium iodide as a treatment for ARVI and influenza. The antiviral, interferonogenic and anti-inflammatory properties of the drug are involved in the formation of an antiviral response and reduce the risk of complications, which makes it possible to reduce the number of symptomatic agents used.

Keywords: acute respiratory viral infections, influenza, enisamium iodide, antiviral therapy, interferons, interferonogens, interferon inducers, acute respiratory viral infections, acute respiratory viral infection, quality of life, adherence to treatment, efficacy, safety.

Список литературы

1. Понежева Ж.Б., Купченко А. Н., Маннанова И.В., Горелов А.В. Интерфероны и противовирусный иммунитет. Эффективная фармакотерапия. 2018;14:14-21 [Ponezheva ZhB, Kupchenko AN, Mannanova IV, Gorelov AV. Interferons and Antiviral Immunity. Jeffektivnaja farmakoterapija. Pediatrija. 2018;1(14):14-21 (In Russ.)].
2. Калюжин О.В. Острые респираторные вирусные инфекции: современные вызовы, противовирусный ответ, иммунопрофилактика и иммунотерапия. М.: МИА, 2014 [Kalyuzhin OV. Acute respiratory viral infections: sovrename calls, antiviral response, immunoprophylaxis, and immunotherapy. Moscow: MIA, 2014 (in Russ.)].
3. ОРВИ и грипп у детей. Диагностика, профилактика, лечение. Пособие для врачей. М., 2014 [ARVI and flu in children. Diagnosis, prevention, treatment. Manual for doctors. Moscow, 2014 (In Russ.)].
4. Spencer S, Nguyen H, Elal AA, et al. Surveillance for Oseltamivir-Resistant Influenza A (h2N1) pdm09 Virus Infections During 2016–2017 and 2017–2018, United States. In Open Forum Infectious Diseases. 2018;5(Suppl. 1):S267.
5. Bragstad K, Hungnes O, Litleskare I, et al. Community spread and late season increased incidence of oseltamivir-resistant influenza A (h2N1) viruses in Norway 2016. Influenza Other Respir Viruses. 2019;13(4):372-81.
6. Kruker AT, Krause M. Oseltamivir-induced delirium. Ther Umsch. 2010 Dec;67(12):613-5.
7. Okamoto E. Is oseltamivir (Tamiflu) safe? Re-examining the Tamiflu ado from Japan. Expert Rev Pharmacoecon Outcomes Res. 2010 Feb;10(1):17-24.
8. Ono H, Okamura M, Fukushima A. Similarity of Clinically Significant Neuropsychiatric Adverse Reactions Listed in Package Inserts between the Anti-influenza Drugs Oseltamivir and Amantadine (Possibility Attributable to Common Pharmacological Effects. Yakugaku Zasshi. 2018 Sep 1;138(9):1201-15.
9. WHO: Clinical management of human infection with pandemic (h2N1) 2009: revised guidance. https://www.who.int/csr/resources/publications/swineflu/clinical_management/en/ [Accessed 25. 11.2019]
10. Global influenza strategy 2019–2030. Geneva: World Health Organization, 2019. https://apps.who.int/iris/bitstream/handle/10665/311184/ 9789241515320-eng.pdf?ua=1 [Accessed 25.11.2019]
11. Нобазит, инструкция по применению. Интернет-ресурс [Nobazit, instructions for use. Internet resource (In Russ.)]. http://www.grls.rosminzdrav.ru/Grls_View_v2.aspx?routingGuid=fd084d2c-63a4-4360- bb5b-281e98c9c241&t=2d3c9fcf-1833-4c0e-8c37-82b0f568fa4d [Accessed 20.11.2019].
12. Пшеничная Н.Ю., Булгакова В.А., Волчкова Е.В. и др. Обзор текущих и перспективных направлений противовирусной терапии гриппа и острых респираторных вирусных инфекций в России. 
Терапевтический архив. 2019;91(11):105-9. [Review of current and future directions of antiviral therapy of influenza and acute respiratory viral infections in Russia. Pshenichnaya NY, Bulgakova VA, Volchkova EV, et al. 2019;91(11):105-9 (In Russ.)]. doi: 10.26442/ 00403660.2019.11.000454

________________________________________________

1. Ponezheva ZhB, Kupchenko AN, Mannanova IV, Gorelov AV. Interferons and Antiviral Immunity. Jeffektivnaja farmakoterapija. Pediatrija. 2018;1(14):14-21 (In Russ.)
2. Kalyuzhin OV. Acute respiratory viral infections: sovrename calls, antiviral response, immunoprophylaxis, and immunotherapy. Moscow: MIA, 2014 (in Russ.)
3. ARVI and flu in children. Diagnosis, prevention, treatment. Manual for doctors. Moscow, 2014 (In Russ.)
4. Spencer S, Nguyen H, Elal AA, et al. Surveillance for Oseltamivir-Resistant Influenza A (h2N1) pdm09 Virus Infections During 2016–2017 and 2017–2018, United States. In Open Forum Infectious Diseases. 2018;5(Suppl. 1):S267.
5. Bragstad K, Hungnes O, Litleskare I, et al. Community spread and late season increased incidence of oseltamivir-resistant influenza A (h2N1) viruses in Norway 2016. Influenza Other Respir Viruses. 2019;13(4):372-81.
6. Kruker AT, Krause M. Oseltamivir-induced delirium. Ther Umsch. 2010 Dec;67(12):613-5.
7. Okamoto E. Is oseltamivir (Tamiflu) safe? Re-examining the Tamiflu ado from Japan. Expert Rev Pharmacoecon Outcomes Res. 2010 Feb;10(1):17-24.
8. Ono H, Okamura M, Fukushima A. Similarity of Clinically Significant Neuropsychiatric Adverse Reactions Listed in Package Inserts between the Anti-influenza Drugs Oseltamivir and Amantadine (Possibility Attributable to Common Pharmacological Effects. Yakugaku Zasshi. 2018 Sep 1;138(9):1201-15.
9. WHO: Clinical management of human infection with pandemic (h2N1) 2009: revised guidance. https://www.who.int/csr/resources/publications/swineflu/clinical_management/en/ [Accessed 25.11.2019]
10. Global influenza strategy 2019–2030. Geneva: World Health Organization, 2019. https://apps.who.int/iris/bitstream/handle/10665/311184/ 9789241515320-eng.pdf?ua=1 [Accessed 25.11.2019]
11. Nobazit, instructions for use. Internet resource (In Russ.)
http://www.grls.rosminzdrav.ru/Grls_View_v2.aspx?routingGuid=fd084d2c-63a4-4360- bb5b-281e98c9c241&t=2d3c9fcf-1833-4c0e-8c37-82b0f568fa4d [Accessed 20. 11.2019].
12. Review of current and future directions of antiviral therapy of influenza and acute respiratory viral infections in Russia. Pshenichnaya NY, Bulgakova VA, Volchkova EV, et al. 2019;91(11):105-9 (In Russ.) doi: 10.26442/ 00403660.2019.11.000454

Авторы

Д.А. Лиознов1,2, Е.Ю. Карнаухова2, Т.Г. Зубкова1, Е.В. Шахланская1

1 ФГБУ «Научно-исследовательский институт гриппа им. А.А. Смородинцева» Минздрава России, Санкт-Петербург, Россия;
2 ФГБОУ ВО «Первый Санкт-Петербургский государственный медицинский университет им. акад. И.П. Павлова» Минздрава России, Санкт-Петербург, Россия

________________________________________________

D.A. Lioznov1,2, E.J. Karnaukhova2, T.G. Zubkova1, E.V. Shakhlanskaya1

1 Smorodintcev Research Institute of Influenza, Saint Petersburg, Russia;
2 Pavlov First Saint Petersburg State Medical University, Saint Petersburg, Russia

Микрочипы, изменившие наш мир — часть №4

Технологии Микропроцессоры История

Микрочипы, изменившие наш мир — часть №4

Егор Морозов —

И, наконец, завершающая статья о микрочипах, чье появление серьезно изменило индустрию компьютеров.

Tripath Technology TA2020 AudioAmplifier (1998)

Есть среди аудиофилов группа людей, которые настаивают на том, что усилители на основе вакуумных ламп давали и будут давать лучший звук. Поэтому, когда некоторые представители аудио сообществ заявили, что полупроводниковый усилитель класса D (усилитель с импульсным управлением выходными лампами — прим. перев.), созданный компанией Tripath Technology, располагающейся в Кремниевой долине, дает живой и теплый ламповый звук, это было серьезным заявлением. Весь трюк был в использовании 50-мегагерцовой системы отбора проб (сэмплирования) для управления усилителем. Компания хвасталась, что ее TA2020 работает лучше и стоит намного меньше, чем любой другой аналогичный полупроводниковый усилитель. Чтобы демонстрировать чип на выставках, «мы проигрывали с его помощью очень романтичную песню из «Титаника», — говорит Адья Трипати, основатель Tripath. Как и большинство усилителей класса D, 2020 был очень энергоэффективным: он не требовал теплоотвода и мог использоваться в компактном корпусе.  

Менее качественная 15-ваттная версия TA2020 от Tripath продавалась за 3 доллара и использовалась в бум-боксах и магнитофонах. Были и другие версии, самая мощная из которых имела на выходе 1000 Вт и использовалась в домашних кинотеатрах, высококачественных аудиосистемах и телевизорах от Sony, Sharp, Toshiba и других. В конце концов, крупные полупроводниковые компании тоже вышли на этот рынок, создав похожие чипы и отправив Tripath в забвение. Правда, вокруг их чипов создался своеобразный культ. Комплекты аудио аксессуаров и продукты на базе TA2020 по-прежнему доступны и продаются такими компаниями, как 41 Hz Audio, Sure Electronics и Winsome Labs.

Amati Communications Overture ADSL Chip Set (1994)

Помните, когда появилась технология DSL, и вы выбросили свой модем на жалкие 56,6 кбит/с в мусор? Вы и две трети пользователей широкополосного доступа в Интернет в мире должны поблагодарить за это Amati Communications, стартап из Стэнфордского университета.  В 1990-х годах они разработали метод DSL-модуляции, называемый дискретным мультитоном, или DMT. По своей сути он позволяет разбить одну телефонную линию на сотни подканалов и улучшить передачу данных, используя обратную стратегию Робин Гуда. «Биты крадутся у самых бедных каналов и передаются самым богатым», — говорит Джон М. Чиофи, соучредитель Amati, а теперь профессор инженерных наук в Стэнфорде. DMT выжила с рынка конкурирующие подходы, в том числе от таких гигантов, как AT&T, и стала глобальным стандартом для DSL. В середине 1990-х годов набор чипов DSL от Amati (один аналоговый, два цифровых) продавался не очень бойко, но к 2000 году объем продаж увеличился до миллионов штук. В начале 2000-х годов продажи превысили 100 млн чипов в год. Texas Instruments приобрела Amati в 1997 году.

Motorola MC68000 Microprocessor (1979)

Motorola опоздала на вечеринку 16-битных микропроцессоров, поэтому она решила появиться на рынке стильно. Гибридный 16/32-битный MC68000 состоит из 68 000 транзисторов, что более чем в два раза превышает число транзисторов в Intel 8086. Он имел внутренние 32-разрядные регистры, но 32-битная шина сделала бы его чрезмерно дорогим, поэтому MC68000 использовал 24-битную адресацию и 16-битные строки данных. MC68000, похоже, был последним крупным процессором, разработанным с использованием карандаша и бумаги, без компьютеров. «Я пересылал уменьшенные копии блок-схем, чертежи исполнительных блоков, декодеров и процессорной логики другим участникам проекта», — говорит Ник Треденник, разработчик логики для MC68000. Копии были небольшими и трудными для чтения, и его коллеги с уставшими глазами нашли способ донести это до шефа. «Однажды, когда я вошел в свой офис, я увидел на столе копию своих чертежей размером с кредитку», — вспоминает Треденник.

MC68000 использовался во всех ранних Macintosh, а также Amiga и Atari ST. Также продажи серьезно увеличились из-за компаний, которые встраивали этот чип в лазерные принтеры, аркадные автоматы и промышленные контроллеры. Но 68000 также стал одним из самых больших промахов в истории микропроцессоров, прямо как Пит Бест, потерявший место барабанщика в Beatles.  IBM хотела использовать 68000 в своей линейке ПК, но в итоге остановилась на Intel 8088, потому что, помимо прочего, 68000 по-прежнему было трудно найти в продаже. Как позже заметил один исследователь, если бы Motorola победила, дуополия Windows-Intel, известная как Wintel, возможно, была бы Winola.

Chips & Technologies AT Chip Set (1985)

К 1984 году, когда IBM представила свою линейку ПК на базе процессоров Intel 80286, компания уже стала явным лидером в производстве настольных компьютеров, и намерена была сохранить свое доминирование. Но планы Голубого Гиганта были сорваны крошечной компанией Chips & Technologies, расположенной в Сан-Хосе, штат Калифорния. C&T разработала пять чипов, которые дублировали функциональность материнской платы AT, в которой использовалось около 100 чипов. Чтобы убедиться, что набор микросхем совместим с IBM PC, инженеры C&T решили, что есть только один выход. «У нас была нервная, но, по общему признанию, интересная работа — игра в игры в течение нескольких недель», — говорит Рави Бхатнагар, ведущий дизайнер чипов, а теперь вице-президент Altierre Corp. , Сан-Хосе, Калифорния. Чипы C&T позволили тайваньской Acer делать более дешевые ПК и запустить производство клонов IBM PC. Intel купила C&T в 1997 году.

Computer Cowboys Sh-Boom Processor (1988)

Два разработчика чипов заходят в бар. Это Рассел Фиш III и Чак Мур, а бар называется Sh-Boom. Нет, это не начало анекдота. Это на самом деле часть технологической истории, наполненной раздорами и судебными процессами — множеством судебных процессов. Все началось в 1988 году, когда Фиш и Мур создали необычный процессор Sh-Boom. Чип был настолько оптимизирован, что он мог работать быстрее, чем тактовый генератор на материнской плате, который управлял остальной частью компьютера. Поэтому разработчики нашли способ заставить процессор работать по своему внутреннему тактовому генератору, оставаясь при этом синхронизированным с остальной частью компьютера. Sh-Boom никогда не имел коммерческого успеха, и после патентования своих инновационных деталей Мур и Фиш занялись чем-то другим.  Фиш позже продал свои патентные права фирме Patriot Scientific, Калифорния.

Эта компания была на гране разорения, пока ее директора не озарило — после выхода Sh-Boom частоты процессоров намного превзошли частоты внешних шин, поэтому практически все производители электроники должны использовать технологию, схожую с запатентованной Муром и Фишем. Оппа! Patrot запустил целый шквал судебных исков против американских и японских компаний. Вопрос — являются ли чипы этих компаний зависимыми от идей Sh-Boom — стал предметом жарких споров. В итоге с 2006 года Patriot и Мур получили более 125 миллионов долларов США лицензионных отчислений от Intel, AMD, Sony, Olympus и других. Что касается названия Sh-Boom, Мур, работающий теперь в IntellaSys, Купертино, штат Калифорния, говорит: «Оно якобы произошло от названия бара, где мы с Фиш пили бурбон и чертили на салфетках схемы. В этом на самом деле мало правды, но мне понравилось имя, которое он предложил».

Флэш-память Toshiba NAND (1989)

Повествование о изобретении флеш-памяти началось тогда, когда менеджер фабрики Toshiba по имени Фуджио Масуока решил, что переизобретет полупроводниковую память. Но начнем мы, как обычно, с истории.

До того, как появилась флэш-память, единственным способом хранения больших объемом информации были магнитные ленты, дискеты и жесткие диски. Многие компании пытались создать полупроводниковые альтернативы, но такие варианты, как EPROM (стираемая программируемая постоянная память, требующая ультрафиолетового света для стирания данных) и EEPROM (почти тоже самое, но стирается электрически, без УФ), стоили слишком дорого за байт хранимой информации.

Теперь поговорим, собственно, о Масуоки, работавшем, как я уже говорил, в Toshiba. В 1980 году он привлек четырех инженеров к полусекретному проекту, направленному на разработку микросхемы памяти, которая могла бы хранить большой объем данных и была бы при этом доступной по цене. Их стратегия была простой. «Мы знали, что стоимость чипа будет снижаться до тех пор, пока транзисторы будут уменьшаться в размерах», — говорит Масуока, ныне технический директор Unisantis Electronics, Токио.

Команда Масуоки придумала вариант EEPROM, в котором ячейка памяти состояла лишь из одного транзистора, в то время как обычная EEPROM нуждалась в двух транзисторах на ячейку. С виду это была небольшая разница, которая в итоге оказала огромное влияние на стоимость.

В поисках броского имени они остановились на «флеш» из-за сверхбыстрой стирания данных с чипа. Теперь, если вы думаете, что Toshiba сразу же стала производить новинку и смотреть, как капают деньги, то вы ничего не знаете о том, как огромные корпорации обычно используют внутренние инновации. Как выяснилось, боссы Масуоки в Toshiba сказали ему «стереть» эту идею.

Конечно, он этого делать не стал. В 1984 году он опубликовал статью о своих разработках в области памяти на IEEE International Electron Devices Meeting в Сан-Франциско. Это побудило Intel приступить к разработке нового типа флэш-памяти на основе логических вентилей NOR. В 1988 году компания представила чип на 256 килобит, который нашел применение в автомобилях, компьютерах и других массовых продуктах, создав для Intel новый источник дохода.

Этого хватило, чтобы Toshiba тоже решила продавать изобретение Масуоки. Его флеш-чип был основан на технологии NAND, которая предлагала большую плотность хранения данных, но оказалась и более сложной для производства.  Успех пришел в 1989 году, когда на рынок появилась первая NAND-флеш от Toshiba. И, как и предсказывал Масуока, цены продолжали падать.

Цифровая фотография дала мощный импульс к развитию флеш-памяти в конце 1990-х годов, и Toshiba стала одним из крупнейших игроков на многомиллиардном рынке. В то же время, однако, отношения Масуоки с другими руководителями испортились, и он ушел из Toshiba. (Позднее он подал в суд для причисления ему части этих огромных прибылей, и в итоге выиграл дело).

Теперь NAND-флеш является ключевым элементом для большинства мобильных гаджетов, камер, музыкальных проигрывателей и, конечно же, USB-накопителей, которые технари любят носить на шее. «У меня была на 4 ГБ», — говорит Масуоки.

На этом мы заканчиваем подборку из 25 самых важных чипов за всю историю компьютеров.

Источник:

25 Microchips That Shook the World

Купить рекламу

Рекомендации

  • Глава «Тинькофф» рассказал, что делать с долларами, чтобы не потерять сбережения
  • Российские банки массово отказываются брать у клиентов доллары, евро и другую валюту (ОБНОВЛЕНО)
  • Рекомендации

    «Яндекс» сильно ухудшил условия подписки «Яндекс.Плюс»

    Глава «Тинькофф» рассказал, что делать с долларами, чтобы не потерять сбережения

    Российские банки массово отказываются брать у клиентов доллары, евро и другую валюту (ОБНОВЛЕНО)

    Подписку «Яндекс.Плюс» отдают за гроши на AliExpress. Срочно забирайте

    Купить рекламу

    Читайте также

    YouTube Россия

    Игровой процесс Diablo 4 слили в сеть.
    Более 40 минут контента

    Diablo Игры

    За сколько iPhone 14 и 14 Pro можно купить на «Горбушке»

    iPhone 14

    Data Sheet. Автоматика в быту. Авторская страница Кравцова Виталия

    Data Sheet. Автоматика в быту. Авторская страница Кравцова Виталия


     

    Авторский сайт

    Кравцова Виталия Николаевича.

    Представленные конструкции уникальны

    и разработаны только автором

     

     

    На  странице представлена  документация (Data Sheet) в формате .pdf  на наиболее распространённые  электронные элементы иностранного производства. Информация почерпнута  из открытых источников — сайтов фирм производителей.   При конструировании электронных схем всегда полезно заранее иметь документацию на различные элементы, чтобы путём анализа их технических характеристик выбрать подходящий — разработчик не всегда представляет всю номенклатуру  выпускаемой подходящей элементной базы, а поисковые сервера выдают документацию только на конкретно запрошенный элемент. Размещение страницы преследует цель помочь выбрать необходимые элементы при  разработке схем  и облегчить поиск нужной документации при ремонте различной электронной техники.

     

    1.  Усилители низкой частоты

    AN7148 AN7176 BA5406 HA1358 KA2206 KIA6210 KIA6248 LM1875 SSM2250 STK422
    STK4065 STK4192 STK4231 STK4241 STK4331 TA7171K TA7233 TA8200AH TA8201AK TA8208
    TA8210AH TDA1010A TDA1011 TDA1013B TDA1015 TDA1015T TDA1016 TDA1020 TDA1083 TDA1510A
    TDA1514 TDA1515BQ TDA1516B TDA1517 TDA1518B TDA1519 TDA1519A TDA1521 TDA1523 TDA1551Q
    TDA1552 TDA1553 TDA1554Q TDA1555Q TDA1556 TDA1557 TDA1558 TDA1560 TDA1561Q TDA1562
    TDA1563Q TDA1564J TDA1576T TDA1593 TDA1596 TDA1597 TDA1599 TDA1904 TDA1905 TDA1910
    TDA2003 TDA2004 TDA2005 TDA2006 TDA2007 TDA2008 TDA2009 TDA2020 TDA2030 TDA2040
    TDA2050 TDA2051 TDA2052 TDA2611 TDA2613 TDA2614 TDA2615 TDA2616 TDA2822 TDA2822D
    TDA2822M TDA2824 TDA5153 TDA7050 TDA7052A TDA7053 TDA7056A TDA7056B TDA7057AQ TDA7057Q
    TDA7231A TDA7233 TDA7240A TDA7241B TDA7245 TDA7245A TDA7250 TDA7253 TDA7256 TDA7261
    TDA7262 TDA7263 TDA7263M TDA7264 TDA7264A TDA7265 TDA7266 TDA7267 TDA7269 TDA7294
    TDA7295 TDA7296 TDA7298 TDA7490 TDA7494S TDA7496L TDA7560 TDA8510 TDA8541 TDA8542
    TDA8543 TDA8547 TDA8551 TDA8552T TDA8560 TDA8561 TDA8563 TDA8564 TDA8565 TDA8566
    TDA8567 TDA8580 TDA8581 TDA8586 TDA8588J TDA8920 TDA8927 TEA2025

    2.  Мощные полевые транзисторы (MOSFET)

    Все MOSFET IRF520 IRF530 IRF620 IRF640 IRF730 IRF740 IRF1010 IRF1104 IRF1310
    IRF1405 IRF2807 IRF3415 IRF3704 IRF3710 IRF9520 IRFP264 IRFZ24N IRFZ34N IRLU120N
    MMDF3200Z MMSF3305 MRF136 MRF137 2N6439 2N7000 2SK2094 2SK2095 2SK2103 2SK2294
    2SK2299 2SK2459 2SK2460 2SK2463 2SK2503 2SK2504 2SK2711 2SK2713 2SK2714 2SK2715
    2SK2731 2SK2739 2SK2740 2SK2792 2SK2793 2SK2887

    3.  Оптоэлектронные элементы

    4N25 4N29 4N35 4N38 h21A1 h21AA1 h21AV1 h21B1 h21G1 h21L1
    M4N25 M4N26 M4N37 MCT2 MOC119 MOC205 MOC215 MOC223 MOC2A60 MOC2R60 MOC3010 MOC3020 MOC23041 MOC3051 MOC3061 MOC3081 MOC5007 MOC8020 MOC8050 MOC8080 MOC8101 MOC8106 MOC8111 MOC8204 MOCD211 MOCD213 MOCD217 MOCD223 MOCZ500 MTIL113 TLP250 TLP523 TLP504A PVU414 PS2501 опто приёмники ДУ

    4.  Тиристоры , симисторы , динисторы

    BT134 BT134W BT136 BT137 BT138 BT139 BT145 BT148 BT149 BT150
    BT151 BT152 BT168 BT169 BT258 BT300 BTA140 BTA151 BTA208 BTA212
    BTA216 BTA225 TYN1012 MAC08BT1 MAC12_SE MAC15ARE MAC15FPA MAC15S MAC15_DR MAC16_DR
    MAC210 MAC210FP MAC212 MAC212FP MAC218 MAC223 MAC224 MAC228 MAC229 MAC310
    MAC320 MAC321 MAC4DCM MAC4DHM MAC4DSM MAC6071R MAC8D MAC8S MAC9 MAC97
    2N5060 2N5064 2N6027 2N6071 2N6237 2N6342 2N6346A 2N6504 BRX44 BRY55
    C106REV0 C122REV0 MBS4991 MCR08BT1 MCR102 MCR106 MCR12 MCR16 MCR218 MCR22
    MCR225 MCR264 MCR265 MCR310 MCR506 MCR703 MCR72 MCR8DCM MKP1V120 MKP3V110
    MT10V275 S2800 T2500 T2800 BR100 MCR100

    5.  Стабилитроны

    1N5283 1N5333 1N5333…5388 1N821 … 829 SA170A P6KE6,8 … 200V 1N4728_54

    Уважаемые посетители!
    Все материалы сайта в случае их некоммерческого использования предоставляются бесплатно, хотя автор затрачивает достаточно большие средства на их обновление расширение и размещение.
    Если Вы хотите, чтобы автор отвечал на Ваши письма, обновлял и добавлял  новые материалы — активней используйте контекстную рекламу,  размещённую на страницах — для себя  Вы  узнаете много нового и полезного,
    а автору  позволит частично компенсировать собственные затраты  чтобы  уделять
    Вам больше внимания.

    ВНИМАНИЕ!

    Вам нужно разработать сложное электронное устройство?

    Тогда Вам сюда. ..

     

    404 error — electronicroom

    Съжаляваме, но уеб адресът, който въведохте вече не е достъпен.

    За да намерите продукт, моля напишете името му в полето по-долу.

    Начална страница

    Производители
    • AEG HOME
    • AEG POWER TOOLS
    • AG THERMOPASTY
    • AKASA
    • alpha fry solder

    Всички производителиAEG HOMEAEG POWER TOOLSAG THERMOPASTYAKASAalpha fry solderASRINPLAST TURKEYATTEN INSTRUMENTAUTONICS CONTROLLERSAXOR SRLBAKU TOOLSBAOFENGbest electronic toolsBESTPRICEBIOLEDEX GERMANYBlack & DeckerBOMANNBORO GLUEBOSCHMANNBROQUETAS SOLDERCADENCECAMELIONCASIOCHS CHINACK TOOLS GERMANYCLICKTRONIC GMBHCMCOBRACOMAR CONTESTATORICOOPER TOOLSCRAMOLINCRC spayCrescent toolsCT BRAND TOOLScynel solderingDHC BATTERY TESTERDREMELDSC SECURITYDUE-CIENDA AUTOMATIONENGELEUROLAMPFATO GroupFERMAXFERRARAFIXPOINTFOCUS ALARMforce toolsfuba antennaG. B.S ELETTRONICAGARMINGOLDTOOLSGRUNDIGHQ — easy life solutionsHYELEC INSTRUMENTIBIZA SOUNDIMOUNTINFOMIRingco toolsiroda solderiron-spider TOOLSJAKEMY TOOLSJTS PROFESSIONALKANGTAI TOOLSKEBO POWERKEMEIkemper groupKINZO — EDCOKönig — Your World, Our Technologykontakt sprayKONUSKSS TAIWANLEATHERMANlelon electronicsLIGHTNING AUDIOLOTRONIC BelgiumLowranceLudwig FeldhoffLuxtekMAGLITEMAGMONT INDUSTRIALMASTECH MULTIMETERMELICONI ITALYMikroTikMINWA TAIWANMISTRAL ELECTRONICSNATIONAL GEOGRAPHICNICHOLSONNITECOREOEM PRODUCTSOLIMEXolympia electronicsPANASONICPASTORINO ITALYPHILIPSPHOCOSpiergiakomi tools italyPLANO ITALYPLASTRONICPLATINETPROSKITRANGE MULTIMETERROCKFORD FOSGATERUWIDO AUSTRIASAFEWELLSAMSUNGSIMRADSKROUTZSOLOMON SOLDERsprotek toolsST MICROELECTRONICSstartec products germanySUNONSUPERIORTE CONNECTIVITYTele-Technik AUSTRIATESLANOLubiquitiULTIMAXUNI-TVAKOSSVARIANTW.E.P / YIHUAweller solderWOLFCRAFTWONDER TAPEXENO ENERGYXINDALI SWITCHYOGA SOUND TAIWANYongTaiLongYU-YUAN TOOLS TAIWANZhongdi toolsZIPPO USA

    Нови продукти
    Промоции
    • Title

      Mr.

      Mrs.

      First name *

      Last name *

      Email *

      Password * (Five characters minimum)

      Date of Birth

      -1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  18  19  20  21  22  23  24  25  26  27  28  29  30  31  

      -January February March April May June July August September October November December 

      -2022  2021  2020  2019  2018  2017  2016  2015  2014  2013  2012  2011  2010  2009  2008  2007  2006  2005  2004  2003  2002  2001  2000  1999  1998  1997  1996  1995  1994  1993  1992  1991  1990  1989  1988  1987  1986  1985  1984  1983  1982  1981  1980  1979  1978  1977  1976  1975  1974  1973  1972  1971  1970  1969  1968  1967  1966  1965  1964  1963  1962  1961  1960  1959  1958  1957  1956  1955  1954  1953  1952  1951  1950  1949  1948  1947  1946  1945  1944  1943  1942  1941  1940  1939  1938  1937  1936  1935  1934  1933  1932  1931  1930  1929  1928  1927  1926  1925  1924  1923  1922  1921  1920  1919  1918  1917  1916  1915  1914  1913  1912  1911  1910  1909  1908  1907  1906  1905  1904  1903  1902  1901  1900  

      Sign up for our newsletter!

      Your company information

      Company

      Website

      Your address

      First name *

      Last name *

      Address * Street address, P. O. Box, Company name, etc.

      Address (Line 2) Apartment, suite, unit, building, floor, etc…

      Zip/Postal Code *

      City *

      Country * -BulgariaCyprusGreece

      Additional information

      Home phone **

      Mobile phone **

      ** You must register at least one phone number.

      Assign an address alias for future reference. *

      Tax identification

      Identification number * DNI / NIF / NIE

      Sign in

    • Please enter the email address you used to register. We will then send you a new password.

      Email address

      Sign in

    • Title

      Mr.

      Mrs.

      First name *

      Last name *

      Email *

      Password * (Five characters minimum)

      Date of Birth

      -1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  18  19  20  21  22  23  24  25  26  27  28  29  30  31  

      -January February March April May June July August September October November December 

      -2022  2021  2020  2019  2018  2017  2016  2015  2014  2013  2012  2011  2010  2009  2008  2007  2006  2005  2004  2003  2002  2001  2000  1999  1998  1997  1996  1995  1994  1993  1992  1991  1990  1989  1988  1987  1986  1985  1984  1983  1982  1981  1980  1979  1978  1977  1976  1975  1974  1973  1972  1971  1970  1969  1968  1967  1966  1965  1964  1963  1962  1961  1960  1959  1958  1957  1956  1955  1954  1953  1952  1951  1950  1949  1948  1947  1946  1945  1944  1943  1942  1941  1940  1939  1938  1937  1936  1935  1934  1933  1932  1931  1930  1929  1928  1927  1926  1925  1924  1923  1922  1921  1920  1919  1918  1917  1916  1915  1914  1913  1912  1911  1910  1909  1908  1907  1906  1905  1904  1903  1902  1901  1900  

      Sign up for our newsletter!

      Your company information

      Company

      Website

      Your address

      First name *

      Last name *

      Address * Street address, P. O. Box, Company name, etc.

      Address (Line 2) Apartment, suite, unit, building, floor, etc…

      Zip/Postal Code *

      City *

      Country * -BulgariaCyprusGreece

      Additional information

      Home phone **

      Mobile phone **

      ** You must register at least one phone number.

      Assign an address alias for future reference. *

      Tax identification

      Identification number * DNI / NIF / NIE

      Sign in

    • Please enter the email address you used to register. We will then send you a new password.

      Email address

      Sign in

    20 w ta2020 такса цифров усилвател усилвател стерео cl

    20 w ta2020 такса цифров усилвател усилвател стерео cl | изход > www.frcemexambookstore.co.uk

    [email protected]

    Безплатна доставка по целия свят

    В наличност

    sku: w19871
    • 0

    (0 )

    44. 10лв. 32.64лв.

    • Описание
    • Допълнителна информация
    • Коментари(0)

    Свързани продукти

    • 5.00

    (1 Коментари)

    Анодизиран Алуминий Hi End Източник на Захранване Камерата Предусилителя Корпус Усилвател САМ КПР ЗАХРАНВАНЕ Усилвател Корпус За слушалки W323 h220 D312

    Алуминиев Висок Клас Усилвател На Мощност За Захранване Предусилвател Шаси Корпус усилвател САМ Корпус усилвател на КПР Корпус за слушалки Описание Процесът

    171.78лв. 161.48лв.

    Добави в количката

    Разпродажба

    • Добави в желания

    • 5

    (3 Коментари)

    За монтиране върху шасито на 9-пинов Керамични Конектор за вакуумна Тръба Основание ЗА 12AX7 ECC82 6922 EL84 6DJ8 12AU7 12AT7 Hifi Аудио Китара Клиенти Усилвател САМ 10P

    Чисто нов 9-пинов конектор за керамични тръби Материал: Керамика корпус, луженые щифтове и фиксирующее пръстен Отвор на панела: 21,50 мм Разстояние между дупките

    20. 86лв.

    Добави в количката

    • Добави в желания

    • 3

    (2 Коментари)

    DLHiFi IRS2092+IRFB4227 Клас D 1000 W Моноцифровая такса усилвател на мощност Сценична аудиоплата усилвател на мощност

    1000 W HIFI висока мощност IRS2092+IRFB4227 Клас D Моноцифровая такса усилвател на мощност Ние сме професионален екип за усилвател на www.frcemexambookstore.co.uk, Най-новата серията такса

    182.11лв. 122.02лв.

    Добави в количката

    Разпродажба

    • Добави в желания

    • 5

    (1 Коментари)

    Корпус усилвател Q3 корпус усилвател с алуминиев панел / Предусилвател/ Корпус усилвател клас А / Скоростна усилвател

    [xlmodel]-[потребителски]-[40497] [xlmodel]-[потребителски]-[8888] Детайлите на корпуса на усилвател 1: Име и брой: Корпус усилвател от алуминиеви панели Q3. 2: Състояние: Ново

    100.38лв. 64.25лв.

    Добави в количката

    Разпродажба

    • Добави в желания

    • 5.00

    (1 Коментари)

    Плеър грамофонни плочи Такса Предусилителя Винил Фоно ММ MC Такса Усилвател Фоно-плейър, Усилвател на Звукозаписната главата F10-006

    Плеър грамофонни плочи Такса предусилителя винил Фоно ММ Такса усилвател Фоно-плейър MC Такса усилвател на Главата на фонограф F10-006 Винил плейър ММ Такса фоно-плейър с патрон

    24.33лв. 16.79лв.

    Добави в количката

    Разпродажба

    • Добави в желания

    • 5. 00

    (2 Коментари)

    EH 12AX7 12AU7 6922 Прецизионное съвпадение усилительной тръба с вакуумна лампа

    Electro-Harmonix-голяма марка на американската група NEWSENSOR.Тя има богата история и опит в производството на електронни лампи.Той предоставя висококачествени електронни тръби

    66.73лв. 50.05лв.

    Добави в количката

    Разпродажба

    • Добави в желания

    • 0

    (0 Коментари)

    Аудиоплата усилватели клас D AIYIMA Amplificador TDA7498 2.1 Такса Цифров Усилвател на Мощност

    TDA7498 2.1 Такса цифров усилвател (200 W + 100 W + 100 W) е по-висока, отколкото TPA3116 Основните работни параметри: Възраст: Клас D Ток на покой: 50 ma Ефективност: 90% от Номиналната изходна

    85. 01лв. 64.60лв.

    Добави в количката

    Разпродажба

    • Добави в желания

    • 5

    (1 Коментари)

    Умен Дом Android Bluetooth-съвместими WiFi Стенен Аудио Усилвател PA Тавана Високоговорител Безжичен Микрофон Стерео Караоке Пеене

    Умен Дом Android Bluetooth, WiFi Голяма Мощност Стенен Аудио Усилвател PA Тавана Високоговорител Безжичен Микрофон Стерео Караоке Пеене WI-FI Bluetooth В настенном усилвател на Клавиатурата

    1 305.21лв. 1 253.00лв.

    Добави в количката

    Разпродажба

    • Добави в желания

    • 5

    (4 Коментари)

    AIYIMA Bluetooth Усилвател на 220 В 12 В 24 В Моно Субуфер Усилвател С Двоен Микрофон за Караоке Усилватели За 6-12 Инчови Високоговорители

    Описание на продукта: Характеристики: 1. Подкрепа за четене на MP3 песни на TF картата и U-диск; 2. Подкрепа за независима настройка на високи, ниски и основната сила на звука;

    49.48лв. 37.60лв.

    Добави в количката

    Разпродажба

    • Добави в желания

    • 0

    (0 Коментари)

    DC 5 В Стерео Музикален Гама от Часовници DIY Комплект LED индикатор за Нивото на Звука на Усилвателя VU Измерване ритъм Светлини Ki

    Набор от часа на музикалния спектър от наръчник по заваряване: https://www.bilibili.com/video/BV1vh511y7ZA/ Копирайте връзката в браузър, за да отворите един учебник по границите Характеристики

    48. 79лв. 39.03лв.

    Добави в количката

    Разпродажба

    • Добави в желания

    • 5.00

    (5 Коментари)

    КОМПЛЕКТИ за САМ/Готови MX100 A1943 TTC5200 Двуканална Интегрирана Такса Усилвател Усилвател с блок захранване и защита на високоговорители

    КОМПЛЕКТИ MX100 DIY/Готови Такса Двуканална Интегрирана карта с Блок захранване и Усилване защита на високоговорители, Готова такса Имате две възможности: ● КОМПЛЕКТ

    77.90лв. 56.09лв.

    Добави в количката

    Разпродажба

    • Добави в желания

    • 0

    (0 Коментари)

    Предусилвател Phono Предусилвател PP500 С Регулатор на силата на Звука на Ниво, За Винил Плеър LP Вход RCA 1/4″ TRS Конектор Уикенд Интерфейси

    Предусилвател Phono Предусилвател PP500 с Регулатор на силата на Звука на Ниво, за винил плеър LP Вход RCA 1/4 TRS Конектор Уикенд интерфейси Описание: 100% чисто нов и високо

    25. 59лв. 16.63лв.

    Добави в количката

    Разпродажба

    • Добави в желания

    • 5.00

    (1 Коментари)

    Личност Пълен с черен Алуминиев усилвател на мощност САМ шаси усилвател клас А радиатора на шасито инсталирате Корпус с регулатор на силата на звука

    Стандартен Размер-Клас Усилвател на Мощност Шаси Анодиране САМ Алуминиев Корпус музикален Усилвател Корпус КПР Предусилвател Външни размери: ширина 430 * височина 150

    224.91лв. 213.67лв.

    Добави в количката

    Разпродажба

    • Добави в желания

    • 0

    (0 Коментари)

    Направи си САМ КОМПЛЕКТИ MINIPA100 1,8-54 Mhz 100 W SSB Линеен HF Усилвател на Мощност за YAESU FT-817 KX3 FT-818 IC-703 CW, AM FM

    Поддръжка на дропшиппинга и търговия на едро. 100% Оригинални и безплатен гаранция след продажбата. 1. Работна честота 1,8-54 Mhz 2. Захранващо напрежение: 12-16 В 3. Ток:

    102.98лв. 86.51лв.

    Добави в количката

    Разпродажба

    • Добави в желания

    • 5.00

    (1 Коментари)

    Клас A EL34 Одноконцевой Клиенти Усилвател за Hifi Аудио Стерео Вграден Клиенти УСИЛВАТЕЛ Тенис на Ретро Домашен УСИЛВАТЕЛ PSVANE EL34B 5Z3P 8 W

    Чисто нов стерео одноконцовый клиенти интегрирани усилвател на EL34 Цвят: Бял, Черен Изходна мощност: 8Wx2 (ультралинейное връзка) PSVANE HIFI el34bx2 бр. НОМЕР 5Z2Px1PC Входяща

    352. 42лв.

    Добави в количката

    • Добави в желания

    • 0

    (0 Коментари)

    6 Канала, 5.1 Предусилвател dc 12-24 В независими канала регулиране на силата на звука, бас кросоувър

    5.1 такса предусилителя независимо регулиране на силата на звука на канал за Корекция на честотата на ниските честоти Източник на захранване 12-24 vdc В Предварително в подкрепа

    43.90лв. 30.73лв.

    Добави в количката

    Разпродажба

    • Добави в желания

    • 4. 00

    (1 Коментари)

    Комплект високоговорители Bluetooth FM радио аудио карта Акрилни детайлите на корпуса с led индикатор за нивото на контрол на звука

    Име на продукт: Говорител Bluetooth с индикатор за нивото на гласово управление Модел на продукта: DJN-V100 Работно напрежение: DC 5 vdc (5 12A USB зарядно устройство може да се

    53.36лв. 37.35лв.

    Добави в количката

    Разпродажба

    • Добави в желания

    • 5

    (1 Коментари)

    2612 с Изцяло алуминиев корпус МИНИ-клас A Корпус усилвател на мощност 260x120x311 мм

    Размер: Външни размери: Ширина 260 мм, Височина 120 мм Дълбочина 311 mm Вътрешни размери: Широчина-160 mm Височина 112 мм, Дълбочина 300 мм Списък: Приложение X1 Гумени

    150. 51лв.

    Добави в количката

    • Добави в желания

    • 0

    (0 Коментари)

    Fu19/FU29 Вакуум Клиенти Усилвател Сам Kit 6n2 Vu Метър Одноконтурный Усилвател на Мощност Клас A Допълнителен Продукт Bluetooth 4,8 W*2

    На вниманието на купувача: КОМПЛЕКТИ FU19: Без Bluetooth, трябва да защитна себе си FU19 е Готов: без Bluetooth, готова машина С готов БТ: С Bluetooth, готова машина FU29 Крайния продукт:

    201.89лв.

    Добави в количката

    • Добави в желания

    • 4

    (1 Коментари)

    15A 250 vac IEC Един ВХОД 3 P Гнездо за ПРОМЕНЛИВ ТОК ДЪРЖАЧ на ПРЕДПАЗИТЕЛЯ RONGFENG 2 бр.

    Безплатна доставка

    КАТОЛОГЕ: ВХОД IEC ИМЕ: SS-7B СТАНДАРТ: IEC 62320 C14 МАТЕРИАЛ: PBT ,месингови луженые контакти НОМИНАЛЕН ТОК: (1)10A (2)15A НОМИНАЛНО НАПРЕЖЕНИЕ: (1)250 V AC (2) 250 V AC ПРИЛОЖЕНИЯ:

    10.77лв. 10.01лв.

    Добави в количката

    Разпродажба

    • Добави в желания

    • 0

    (0 Коментари)

    Breeze&Weiliang Audio TPA3116 усилвател висока мощност 5.1-канален домашно кино LDAC Bluetooth 5.0 усилвател на мощност на събуфъра звук

    TPA3116 Усилвател висока мощност 5.1-канален домашно кино LDAC Bluetooth 5.0 усилвател на мощност на събуфъра звук Описание на продукта: 1: Това е професионален висококачествен

    152. 66лв.

    Добави в количката

    • Добави в желания

    • 0

    (0 Коментари)

    Можете да персонализирате/Конфигуриране на 2 диапазон 2-лентов Високоговорител Активен Делител на Честотата на Кросоувъра Схема Линквица-Райли Такса DSP

    Профил на схемата: Тази разделителната плоча честота се отнася до дизайн на компанията ESP.Той определя стереофоническую четырехканальную изходната структура. Въведете

    86.46лв. 60.51лв.

    Добави в количката

    Разпродажба

    • Добави в желания

    • 0

    (0 Коментари)

    1000 W Усилвател Bluetooth, Hifi Цифров Усилвател 33BT Стерео LED Цифров Аудио Усилвател, USB, Карта с Памет Aux вход FM Усилвател

    {инфомодуль} Характеристики: — Цифров MP3-плейър. — Bluetooth интерфейс за стрийминг на музика от мобилен телефон — Слот, USB / SD възпроизвеждане на MP3 файлове от карта

    71.42лв. 41.42лв.

    Добави в количката

    Разпродажба

    • Добави в желания

    • 4.75

    (4 Коментари)

    Цвети HIFI, Мощност IRS2092 500 W Моноканальный Цифров усилвател такса клас D С усилвател на мощност такса I3-007

    Такса усилвател на мощност 500 W HIFI висока мощност IRS2092 клас D Моноцифровая такса усилвател на мощност Параметри: 1. Източник на захранване: двойно захранване dc ± 58 — ±

    61.15лв. 42.80лв.

    Добави в количката

    Разпродажба

    • Добави в желания

    Моята Поръчка

    Елементи кошница:

    0

    Да обобщим

    0лв.

    Преминете към разплащане

    Моя списък с желания

    Елементи списъка с желания:

    0

    Разгледай списъка с желания

    Chip Зал славы: аудиоусилитель Tripath Technology TA2020

    Этот успех отчасти можно отнести к Киму, ныне почетному профессору KAIST. Среднего роста, с седыми волосами с середины 30-х годов, он был первым профессором в Южной Корее, который систематически преподавал полупроводниковую инженерию. С 1975 года, когда страна только начала производить свои первые транзисторы, до 2008 года, когда он ушел с преподавательской работы, Ким обучил более 100 студентов, фактически создав первые два поколения южнокорейских специалистов по полупроводникам.

    Ким, его бывшие ученики и их семьи отмечают свое 60-летие на вершине горы Деокю в Южной Корее. Чан Хэ-Джа

    Фонд благосостояния Samsung признал влияние Кима, когда в 1993 году присудил ему престижную премию Ho-Am за «закладку прочного фундамента для корейской полупроводниковой промышленности». С тех пор южнокорейские СМИ почитают его как «крестного отца» индустрии. Тем не менее, даже сегодня Ким остается в значительной степени неизвестным за пределами южнокорейского сообщества чипов. Кто же тогда этот неприметный босс полупроводниковой «мафии»?

    A Старт в чипах камеры


    Ким Чун Ки родился в Сеуле в 1942 году, когда Корея была колонией Японской империи. Его мать преподавала в начальной школе; его отец, Ким Бьюнг-Вун, был текстильным инженером в Kyungbang, культовый корейский производитель пряжи и тканей. Старший Ким помог построить первую прядильную фабрику компании, и его инженерная смекалка и, как следствие, известность произвели впечатление на его сына. «Он совершал ежедневную экскурсию по фабрике, — вспоминает младший Ким. «Он сказал мне, что может определить, какие машины в беде и почему, просто слушая их». Такие уроки посеяли семена идеала, который стал движущей силой карьеры Ким Чун Ки — того, что он стал называть «инженерным умом».

    В детстве Ким Чун Ки был образцовым южнокорейским студентом: начитанным, послушным и молчаливым. Хотя его семья настаивала на том, чтобы он присоединился к отцу в текстильной промышленности, вместо этого он решил заняться электротехникой. Он учился в Сеульском национальном университете, а затем в Колумбийском университете в Нью-Йорке, где защитил докторскую диссертацию. Эдвард С. Ян, специалист по теории транзисторов. Вскоре после этого, летом 1970 года, Fairchild Camera and Instrument наняла Кима для работы в своей лаборатории исследований и разработок в Пало-Альто, Калифорния.

    Ким, изображенный в кампусе Колумбийского университета, готовился к докторской степени. в университете под руководством Эдварда С. Янга, специалиста по теории транзисторов. Чан Хэ-Джа

    Мать и отец Кима, известный корейский текстильный инженер, навещают его в Пало-Альто, Калифорния, в 1972 году. Чан Хэ-Джа

    После Второй мировой войны Fairchild Camera была ведущим мировым разработчиком оборудования для обработки изображений, включая радарные камеры, радиокомпасы и рентгеновские аппараты. В 1957 года компания запустила подразделение Fairchild Semiconductor для производства транзисторов и интегральных схем из кремния, что стало новаторским шагом, поскольку в большинстве полупроводниковых устройств того времени использовался германий. Предприятие породило десятки продуктов, в том числе первую кремниевую интегральную схему, что способствовало подъему Силиконовой долины. Будучи новичком в научно-исследовательской лаборатории Fairchild, Ким поручили работать над одним из этих новых видов микросхем: устройством с зарядовой связью.

    Всего годом ранее, в 1969, Джордж Э. Смит и Уиллард Бойл из Bell Laboratories. предложили идею ПЗС, за которую позже получили Нобелевскую премию. Но именно Ким и его коллеги из Fairchild разработали первые ПЗС-устройства, которые превратились в коммерческие продукты, широко используемые в цифровой фотографии, радиографии и астрономии. Ким стал настолько опытным в технологии ПЗС, что другие инженеры компании регулярно заходили к нему в офис в конце дня, чтобы поковыряться в его мозгу. «Вскоре меня стали называть профессором КДД, — вспоминает он.

    Коллеги Кима из научно-исследовательской лаборатории Fairchild Semiconductor называли его «профессор CCD». Чан Хэ-Джа

    Среди других изобретений Ким помог разработать Зональный ПЗС-датчик изображения, который значительно улучшил обнаружение при слабом освещении, и первый двухфазный линейный ПЗС-датчик изображения, который, по его словам, гарантировал «простоту использования и высокое качество воспроизведения изображения». «ПЗС-матрицы Fairchild — или лучше назвать их Choong-Ki — сделали возможным широкое применение в камерах с высоким разрешением», — говорит Янг из Columbia. Без этих функциональных устройств, добавляет он, «не было бы Нобелевской премии за ПЗС».

    Время, проведенное Кимом в Fairchild, изменило его не меньше, чем технологию камеры. Его обучение в Южной Корее и Колумбии в первую очередь делало упор на изучение книг и теорию. Но его опыт работы в Fairchild укрепил его убеждение, впервые вдохновленное его отцом, что настоящий «инженерный ум» требует не только теоретических знаний, но и практических навыков. В дополнение к проведению экспериментов он имел привычку читать внутренние технические отчеты и заметки, которые он нашел в библиотеке компании, некоторые из которых он позже принес в KAIST и использовал в качестве учебного материала.

    В Fairchild Ким также научилась общаться с другими инженерами и руководить ими. Когда он начинал там, он был тихим и интровертным, но его наставники в Fairchild поощряли его выражать себя уверенно и ясно. Позже новообращенный Ким стал «самым громким» профессором в KAIST, по словам нескольких коллег-преподавателей, и они говорят, что из-за его отсутствия весь кампус казался тихим.

    Ким быстро поднялась в иерархии Fairchild. Но всего через пять лет своего пребывания в должности он вернулся в Южную Корею. Его любимый отец умер, и, как старший сын, он чувствовал тяжелую ответственность заботиться о своей овдовевшей матери. Расовая дискриминация, с которой он столкнулся в Fairchild, также задела его гордость. Но самое главное, он нашел идеальное место для работы дома.

    Тогда он назывался KAIS (буква «Т» была добавлена ​​в 1981 году). Новый работодатель Кима был первым научно-техническим университетом в Южной Корее и остается одним из самых престижных. Правительство Южной Кореи учредило этот институт в 1971 году при финансовой поддержке Агентства США по международному развитию и пригласило Фредерику Э. Терману, легендарному декану инженерной школы Стэнфордского университета и «отцу» Силиконовой долины, разработать план ее направления. Терман подчеркнул, что KAIS должна быть нацелена на «удовлетворение потребностей корейской промышленности и корейских промышленных предприятий в высококвалифицированных и инновационных специалистах, а не на пополнение мировой базы базовых знаний». Это было идеальное место для Кима, чтобы распространять свою новую философию «инженерного ума».

    Учредительная лаборатория Южной Кореи


    Лаборатория Кима в KAIS привлекла множество амбициозных магистров и докторантов практически с того момента, как он прибыл туда весной 1975 года. Основная причина популярности лаборатории была очевидна: южнокорейские студенты жаждали узнать о полупроводниках. Правительство рекламировало важность этих устройств, как и компании по производству электроники, такие как GoldStar и Samsung, которые нуждались в них для производства своих радиоприемников, телевизоров, микроволновых печей и часов. Но отрасли еще предстояло массово производить свои собственные микросхемы помимо базовых интегральных схем, таких как микросхемы для часов CMOS, в значительной степени из-за нехватки специалистов по полупроводникам. В течение 20 лет, до середины 19В 90-е годы работа в лаборатории Кима была, по сути, единственным способом для начинающих инженеров-полупроводников в Южной Корее пройти практическое обучение; КАИС был единственным университетом в стране, имевшим способных преподавателей и надлежащее оборудование, в том числе чистые помещения для сборки высококачественных микросхем.

    Но не фактическая монополия KAIST на обучение работе с полупроводниками сделала Ким непревзойденным наставником. Он представил стиль преподавания и овладения инженерным делом, который был новым для Южной Кореи. Например, его убежденность в том, что «инженерный ум» требует в равной степени теории и применения, поначалу озадачивала его учеников, считавших инженерное дело главным образом научной дисциплиной. Хотя они хорошо разбирались в математике и начитаны, большинство из них никогда не занимались серьезной работой в области проектирования и строительства.

    Поэтому одним из первых уроков, которые Ким преподал своим ученикам, было то, как пользоваться руками. Прежде чем они приступили к своим собственным проектам, он поручил им очистить лабораторию, отремонтировать и модернизировать оборудование и отыскать необходимые детали. Таким образом, они научились самостоятельно решать задачи и импровизировать в ситуациях, к которым их не подготовил ни один учебник. Их взгляд на то, что значит быть инженером, изменился глубоко и навсегда. Многие из них признаются, что до сих пор повторяют изречение Кима. Например: «Не выбирайте темы, которые другие уже выбросили в мусорное ведро». И: «Ученые считают , почему сначала , но мы, инженеры, должны сначала подумать о , как о ». И еще: «Неправильное решение лучше, чем медленное решение».

    Бывшие ученики Кима помнят его как доброго, с чувством юмора, неавторитарного, дотошного и трудолюбивого. Но они также говорят, что он был строгим и мог быть вспыльчивым и даже пугающим, особенно когда он думал, что они ленивы или неряшливы. Легенда гласит, что некоторые из его учеников вошли в лабораторию по лестнице с крыши, чтобы обойти кабинет Кима. Одно из его самых больших недовольств было, когда студенты не смогли должным образом сбалансировать теорию и практику. «Сделай сам; тогда мы начнем дискуссию», — ругал он тех, кто слишком сосредоточился на интеллектуальном обучении. С другой стороны, он сказал: «Почему бы тебе не использовать что-то податливое внутри твердого ореха на шее?» как упрек тем, кто слишком много времени строил, подразумевая, что они должны также использовать свои мозги.

    Kyung Chong-Min : Будучи первым докторантом Кима в KAIST, Кён стал профессором своей альма-матер в возрасте 30 лет. Он наиболее известен разработкой микропроцессорных микросхем в начале 1990-х годов, которые были полностью совместимы с Intel 80386. и 80486 чипов. Он также создал и управлял двумя центрами проектирования микросхем.

    Квон О-Хён: Квон получил степень магистра под руководством Кима и докторскую степень в Стэнфордском университете. В Samsung Electronics он разработал 64-мегабитную DRAM в начале 19 века. 90-х и способствовал развитию подразделения компании System LSI в 2000-х. Он занимал пост генерального директора и вице-председателя компании на протяжении большей части 2010-х годов.

    Лим Хён-Кью: Лим изучал устройства PMOS под руководством Кима, а позже стал первым зарубежным стипендиатом Samsung (в Университете Флориды). Он был наиболее известен разработкой флэш-памяти NAND в начале 1990-х годов, и его часто называли «мистером». Флэш-память NAND». После ухода из Samsung он занимал пост вице-председателя конгломерата SK.

    Су Кан-Деог: Су получил степени магистра и доктора под руководством Кима. В Samsung Electronics он участвовал в различных проектах памяти, включая флэш-память NAND. В 2006 году он был избран почетным сотрудником Samsung, что является высшей наградой компании, за его вклад и надежды на его будущую работу.

    Чо Бьюнг-Джин: Чо является автором более 300 технических статей по различным вопросам. Некоторое время он работал в Hyundai Electronics (теперь Hynix), а затем на 10 лет стал звездным профессором инженерии в Национальном университете Сингапура. Он вернулся в KAIST в 2007 году и стал пионером в исследованиях графена и термоэлектрических устройств.

    Ха Йонг-Мин: Ха является мастером технологий TFT-LCD и OLED в LG Display, работая над этой темой с момента окончания учебы под руководством Кима до настоящего времени. Благодаря его усилиям LG Display стала крупным поставщиком TFT-LCD и OLED-панелей для средних и малых электронных устройств, в том числе продаваемых Apple, HP, Dell и Lenovo.

    Park Sung-Kye: Park, которую иногда называют «сокровищем Hynix», разработала почти все типы микросхем памяти, включая высокоэффективные и более быстрые DRAM и самые маленькие ячейки флэш-памяти NAND. Он также отвечал за разработку 9-го6-слойная флэш-память 3-D NAND в конце 2010-х.

    Чанг Хан: Чанг, пожалуй, самый успешный инженер, ставший предпринимателем среди бывших студентов Кима. Его i3system разрабатывает сложные датчики инфракрасного изображения как для оборонного, так и для коммерческого рынка. Благодаря его более чем 30-летнему труду Южная Корея стала седьмой страной в мире, которая начала массово производить датчики инфракрасного изображения.

    Ким повлиял не только на своих учеников, но и на бесчисленное множество других своей открытостью. Он сотрудничал и даже делил лабораторное пространство с другими профессорами KAIST, и ему нравилось посещать другие факультеты и университеты, чтобы проводить семинары или просто получать новые идеи и точки зрения — поведение, которое было и остается очень необычным в южнокорейской академической культуре. В своей автобиографии, Чин Дэ-Дже, разработавший 16-мегабитную DRAM в Samsung в 1919 г.89, а позже занимал пост министра информации и технологий Южной Кореи, рассказывает, как искал опеки Кима, когда Чин был аспирантом Сеульского национального университета в середине 1970-х годов. «Между SNU и KAIST царил сильный дух соперничества», — вспоминает Чин, чья альма-матер назвала его «проблемным студентом» за то, что он учился у конкурирующего профессора.

    Коллегиальность Кима распространилась не только на академические круги, но и на промышленность и правительство. В начале 1980-х, во время творческого отпуска, он руководил исследованиями и разработками в области полупроводников в финансируемом государством Корейский институт электронных технологий, который под его руководством разработал как 32-килобитные, так и 64-килобитные ПЗУ. Его популярные семинары по полупроводникам в KAIST вдохновили GoldStar (LG с 1995), Hyundai Electronics (Hynix с 2001 г.) и Samsung, чтобы спонсировать свои собственные учебные программы в KAIST в 1990-х годах. Тесное партнерство Кима с этими компаниями также помогло запустить другие новаторские инициативы в KAIST, финансируемые в основном промышленностью, в том числе Центр высокопроизводительных интегрированных систем и Учебный центр проектирования интегральных схем, которыми руководит бывший ученик Кима Кён Чонг-Мин. А полупроводниковая промышленность, в свою очередь, выиграла от все более высококвалифицированной рабочей силы, появившейся на орбите Кима.

    Ким [первый ряд, оранжевый галстук] также был директором Корейского центра электрооптики, спонсируемого государством научно-исследовательского института, созданного для разработки технологий тепловидения, волоконной оптики и лазеров. Chang Hae-Ja

    Эволюция полупроводниковой промышленности Южной Кореи


    Chung Jin-Yong [справа], бывший ученик Кима [слева], окончил KAIST в 1976 году и позже разработал DRAM для Hynix. Чан Хэ-Джа

    Лаборатория Кима в KAIST развивалась параллельно с ростом сектора полупроводников в Южной Корее, который можно разделить на три периода. В течение первого периода, начиная с середины 1960-х годов, правительство возглавило работу, приняв законы и разработав планы развития промышленности, создав научно-исследовательские институты и заставив компании и университеты уделять больше внимания полупроводниковым технологиям. Samsung и другие компании, производящие электронику, серьезно не относились к производству полупроводниковых устройств до начала 19 века.80-е годы. Поэтому, когда почти десять лет назад Ким открыл свою лабораторию, он обучал инженеров соответствовать требованиям отрасли. будущее потребностей.

    Его первая группа студентов работала в основном над проектированием и изготовлением полупроводников с использованием технологий PMOS, NMOS и CMOS, которые, хотя и не были передовыми по мировым стандартам, были довольно передовыми для Южной Кореи того времени. Поскольку рабочих мест в отрасли было мало, многие выпускники лаборатории Кима заняли должности в государственных научно-исследовательских институтах, где разрабатывали современные экспериментальные чипы. Исключением стал Лим Хюнг-Кью, один из первых магистров Кима, которого Samsung отправила учиться в KAIST в 1976. Лим возглавил разработку различных устройств памяти в Samsung, в первую очередь флэш-памяти NAND в 1990-х годах.

    Второй период начался в 1983 году, когда Samsung заявила, что будет активно развивать полупроводники, начиная с DRAM. Этот шаг заставил конкурирующие конгломераты, такие как Hyundai и GoldStar, поступить так же. В результате южнокорейская индустрия чипов быстро расширилась. KAIST и другие университеты предоставили необходимые кадры, а правительство уменьшило его роль. В лаборатории Кима студенты начали изучать новые технологии, в том числе поликремниевые тонкопленочные транзисторы (для ЖК-панелей), инфракрасные датчики (для использования в военных целях) и быструю термическую обработку (которая повысила эффективность и снизила затраты на производство полупроводников), и опубликовали свои результаты в престижных международных журналах.

    Профессора технических наук KAIST Ким [в центре, серый халат] и Квон Ён-Се [справа, синий капюшон] позируют с выпускниками магистратуры в 1982 году. , дослужился до вице-председателя и генерального директора Samsung Electronics. Сол Леб/AFP/Getty Images

    Выпускники KAIST устремились в Samsung, GoldStar/LG и Hyundai/Hynix. По мере того как влияние правительства уменьшалось, некоторые выпускники первого периода, работавшие в государственных исследовательских институтах, также устроились на корпоративные должности. В то же время все больше и больше бывших учеников Кима становились профессорами университетов. После выхода из лаборатории Ким в 1991, например, Чо Бьюнг-Джин провел четыре года, разрабатывая DRAM и флэш-память в Hyundai, прежде чем стать звездным профессором в Национальном университете Сингапура, а затем в KAIST. Кьюнг Чонг-Мин, первый докторант Кима, поступил на факультет KAIST в 1983 году; к моменту выхода на пенсию в 2018 году Кён подготовил больше специалистов по полупроводникам, чем сам Ким.

    В течение третьего периода, начиная с 2000 г., промышленность взяла на себя управление развитием полупроводников. Академия выпустила больше специалистов, а также провела значительные исследования при минимальном участии правительства. Выпускники лаборатории Кима продолжали руководить разработкой полупроводников, некоторые из них стали высокопоставленными руководителями. Например, Квон О Хён, получивший степень магистра в KAIST в 1977-й, занимал должность генерального директора Samsung Electronics большую часть 2010-х годов, когда компания доминировала на мировом рынке не только памяти, но и мобильных телефонов, телевизоров и бытовой техники.

    Другие выпускники сыграли ключевую роль в исследованиях и разработках полупроводников. Ха Йонг-Мин из LG Display освоил TFT-LCD и OLED-экраны для планшетов, ноутбуков и мобильных телефонов; Пак Сунг-Ке, которого иногда называют «сокровищем Hynix», разработал большую часть продуктов компании для памяти. Тем временем в академических кругах Ким стала образцом для подражания. Многие из его стажеров переняли его методы и принципы в обучении и наставничестве своих учеников, чтобы стать лидерами в этой области, обеспечив стабильный приток высококвалифицированных инженеров-полупроводников для будущих поколений.

    Весной 2007 года, менее чем за год до того, как Киму исполнилось 65 лет — возраст обязательного выхода на пенсию в южнокорейском научном сообществе, — KAIST избрала его одним из своих первых выдающихся профессоров, тем самым продлив срок его полномочий на всю жизнь. Помимо премии Ho-Am, он за эти годы получил множество других наград, в том числе Орден «За гражданские заслуги» за «выдающиеся заслуги… в интересах повышения благосостояния граждан и содействия национальному развитию». А в 2019 году он был удостоен звания «За выдающиеся заслуги перед наукой и технологиями», что является одной из высших наград страны.

    Легенда и наследие

    Сегодня для молодых инженеров-полупроводников в Южной Корее Ким Чунг-Ки — легенда, великий невоспетый герой, стоящий за доминированием своей страны в производстве микросхем. Но ее господство на мировом рынке сейчас под угрозой. Хотя Южная Корея яростно конкурировала с Тайванем в последние десятилетия, ее самым грозным соперником в будущем, вероятно, станет Китай, чей амбициозный В плане «Сделано в Китае 2025» приоритет отдается развитию полупроводников. С 2000 года страна является крупным импортером чипсов из Южной Кореи. Но недавние крупные инвестиции Китая в полупроводники и наличие высокообразованных китайских инженеров, в том числе специалистов по полупроводникам, прошедших обучение в США, Японии и Южной Корее, означают, что китайские полупроводниковые компании вскоре могут стать крупными глобальными конкурентами.

    Проблема усугубляется тем, что правительство Южной Кореи пренебрегает своей ролью в поддержке разработки микросхем в 21 веке. Спустя почти 50 лет после того, как Ким начал обучать своих первых инженеров-полупроводников, отрасль снова столкнулась со значительной нехваткой рабочей силы. Эксперты оценивают, что Ежегодно требуется несколько тысяч новых инженерных специалистов, а страна выпускает лишь несколько сотен. Тем не менее, несмотря на просьбы компаний о большем количестве рабочих и призывы университетов к политике, которая продвигает академическое образование и исследования, правительство мало что сделало.

    Ближе к концу своей карьеры Кима стали беспокоить ограничения того типа «инженерного ума», который прижился в Южной Корее. «Экономическое развитие Кореи зависело от обратного проектирования и следования за развитыми странами», — сказал он в интервью в 1997 году. Он добавил, что этот подход «быстрого следования» опирается на образовательную систему, которая учит студентов «читать карты» — т.е. определить известную цель продукта и проложить курс для ее достижения. «А кто делал карты? Передовые страны». Таким образом, он заключил: «Теперь мы должны изменить нашу образовательную политику и научить наших студентов рисовать карты».

    Сам Ким, возможно, не полностью реализовал это амбициозное видение развития страны творчески мыслящих инженеров, способных внедрять действительно революционные технологии, которые могли бы обеспечить лидерство его страны на мировой арене. Но, надеюсь, его преемники приняли его совет близко к сердцу. От этого зависит будущее Южной Кореи.

    Подробнее см. « Передача «инженерного разума»: Ким Чун Ки и полупроводниковая промышленность в Южной Корее», Engineering Studies 11:2 (2019), 83-108.

    Усилители класса D, часть 2

    Усилители класса D, часть 2
     Эллиот Саунд Продактс Усилители класса D

    Авторские права © Июнь 2022 г., Род Эллиотт


    Основной индекс Указатель статей
    Содержимое
    • Введение
    • 1 Основные принципы
    • 2   IRS2092 (ИК)
    • 3   TDA8954 (НСП)
    • 4   TPA3251 (ТИ)
    • 5   TAS5630 (ТИ)
    • 6   TPA6404 (ТИ)
    • 7   TA2020 (Tripath)
    • Выводы
    • Ссылки

    Введение Усилители

    класса D в настоящее время являются одними из самых популярных аудиоусилителей и используются в огромном количестве потребительских товаров. Одна из причин этого заключается в том, что радиатор может быть намного меньше, а для малой мощности печатная плата часто обеспечивает адекватный радиатор для нормального прослушивания. Онлайн-продавцы предлагают широкий выбор различных плат, и многие из них стоят меньше, чем детали, используемые для их сборки.

    Однако не все можно использовать, а некоторые настолько плохи, что любой, кто серьезно относится к качеству звука, не сможет их слушать. Это может иметь место даже в том случае, когда используются идентичные детали. Поскольку усилители класса D работают на очень высоких частотах переключения (обычно выше 300 кГц), небольшая ошибка в компоновке платы может существенно повлиять на конечный результат. У меня есть несколько усилителей класса D, которые были куплены для оценки и с учетом этой статьи.

    Некоторые из них очень хорошие, с низким уровнем искажений и ровной частотной характеристикой, хотя многие из них зависят от нагрузки, и высокочастотная характеристика будет меняться в зависимости от импеданса нагрузки. Учтите, что почти все громкоговорители будут иметь импеданс, который намного выше номинального/номинального импеданса на частотах выше 10 кГц или около того. Это может сделать результат чем-то вроде лотереи с усилителем класса D, который сильно зависит от нагрузки.

    Я сомневаюсь, что какие-либо из производимых в настоящее время ИС класса D по своей природе «плохие». Это предрешенный вывод, что некоторые из них лучше, чем другие, но основной причиной плохого качества звука является разводка печатной платы. Большинство «линейных» усилителей, по крайней мере, сносно терпимы к конструкции платы, но если это не сделано должным образом, вы можете получить в два раза больше искажений, чем ожидали. При плохой компоновке искажения от усилителя класса D могут быть в 10 раз больше, чем при хорошей компоновке, даже при использовании одних и тех же деталей.

    Если вы не знаете, как работают эти усилители, я предлагаю вам прочитать Class-D (Часть 1), который находится на сайте ESP с 2005 года. Это статья, написанная одним из владельцев ColdAmp (на основе в Испании), но с тех пор компания прекратила свою деятельность. Важно отметить, что он охватывает работу «стандартного» усилителя класса D, но концентрируется на типах с фиксированной частотой. Сейчас они в меньшинстве, а переключение с переменной скоростью сейчас более распространено. Они часто классифицируются как использующие «1-битную» сигма-дельта модуляцию. Очень распространенной (и популярной) микросхемой является IRS209.2, и хотя это довольно ранняя ИС (представленная примерно в 2007 г.), она до сих пор используется во многих конструкциях класса D.

    Одна вещь, которая более чем раздражает, — это настойчивое требование многих производителей устройств класса D указывать выходную мощность при 10% THD (суммарные искажения и шум). Обычный способ получить максимальную мощность — просто использовать напряжение источника питания. Например, если питание составляет ±40 В, при нулевых потерях среднеквадратичное значение напряжения составляет 28,3 В, поэтому заявленная мощность составляет 200 Вт при сопротивлении 4 Ом. Более реалистичная цифра примерно на 2 дБ меньше, или 160 Вт, но это все еще предполагает регулируемый источник питания, который поддерживает напряжение под нагрузкой. В большинстве случаев выходная мощность 10% THD должна быть разделена на два (-3 дБ), поэтому заявленная мощность 200Вт более реально только 100Вт. Некоторые усилители класса D становятся очень «рваными», когда выходное напряжение приближается к напряжению на шине, о чем свидетельствует скриншот, показанный ниже.

    Некоторые также указывают выходную мощность 1% THD, когда усилитель (предположительно) находится на грани ограничения. Большинству людей не свойственно запускать усилитель на полную мощность, и нужно просмотреть таблицу данных, чтобы найти значения THD при реалистичной выходной мощности. Вы можете быть уверены, что приведенные цифры относятся к печатной плате, которая была очень хорошо спроектирована, с первоклассными компонентами, используемыми повсюду, и регулируемыми расходными материалами. Если вы покупаете что-то на eBay или подобных сайтах, вы получаете то, что получаете. Иногда вполне нормально, а иногда катастрофа. У меня есть примеры того и другого.

    Я не публиковал проект класса D, и после прочтения этой статьи вы поймете почему. Некоторые детали вызывают проблемы, например, выходной индуктор. Наилучшие характеристики могут быть достигнуты только при использовании компонентов SMD, которые минимизируют паразитную индуктивность, вызывающую проблемы при очень высоких скоростях переключения. Печатная плата должна быть идеальной , что часто требует нескольких итераций, чтобы получить ее правильно. Если конструктор не может получить точно указанные части, нет гарантии, что производительность будет приемлемой. Это становится минным полем, где малейшая ошибка в конструкции может привести к мгновенному отказу, и это просто не то, что я готов пытаться поддерживать.

    В следующих описаниях и схемах часто упоминается несколько напряжений питания. +VDD — это напряжение стока верхнего МОП-транзистора, а -VSS — напряжение истока нижнего МОП-транзистора. Сигнал ШИМ переключается между ними — нет промежуточного состояния, кроме мертвого времени, когда оба полевых МОП-транзистора выключены. Дополнительные поставки могут обозначаться различными терминами, но обычно их достаточно легко идентифицировать. Все, что включает в себя «A» (например, VDDA), означает, что это питание для аналоговой схемы (входные каскады, модуляторы и т. д.). Условных обозначений нет даже у одного и того же производителя ИС, поэтому там, где это необходимо, они поясняются в описании каждой представленной схемы.


    1 Основные принципы

    класса D был изобретен британским ученым Алеком Ривзом в 1950-х годах [ 1 ] . Строго говоря, он изобрел импульсно-кодовую модуляцию (ИКМ), лежащую в основе класса D. Как и многие другие вещи, которые мы считаем само собой разумеющимися, PCM был разработан для телефонии, а первый патент был получен Ривзом в 1938 году (с использованием ламповой схемы). Класс D не был практичным, пока не был разработан полевой МОП-транзистор. Это «новое» устройство было представлено в 1960 году, через год после его разработки. Идея была предложена в 1926, но изготовить устройство в то время не представлялось возможным. Термин «Класс-D» появился потому, что это была следующая буква в алфавите, а у нас уже были классы-A, B и C. «D» означает , а не , цифровое значение, но это различие со временем стало размытым. . Хотя некоторые усилители класса D могут использовать внутреннюю цифровую обработку, операция полностью аналоговая. Для тех усилителей класса D с цифровыми входами после любой внутренней обработки сигнала перед самим усилителем мощности имеется ЦАП (цифро-аналоговый преобразователь) (например, см. SSM2518 — Стереоусилитель с цифровым входом, 2 Вт, усилитель мощности звука класса D). Лист данных [Rev. B] лист данных).

    Рисунок 1.1. Получение ШИМ-сигнала из аудиосигнала и опорного сигнала

    «Стандартная» форма сигнала ШИМ с фиксированной частотой получается путем сравнения входного (аудио) сигнала и эталонного сигнала в виде треугольника (иногда линейного). Это частота переключения, и она не должна быть меньше, чем в десять раз выше самой высокой звуковой частоты. Два сигнала подаются на компаратор, который выдает «высокое» или «низкое» напряжение в зависимости от относительных амплитуд двух входов. Без входа выход представляет собой прямоугольную волну 1: 1, в результате чего чистое выходное напряжение равно нулю. Однако всегда есть некоторый прорыв сигнала переключения, и в идеальном случае это синусоида на частоте переключения. Повышенная частота коммутации делает выходной фильтр менее критичным, но увеличивает коммутационные потери. Низкие частоты переключения уменьшают коммутационные потери, но усложняют выходной фильтр. Большинство современных усилителей класса D используют частоту переключения не менее 300кГц. В случае автоколебательных типов частота переключения обычно самая высокая при низких входных уровнях и уменьшается по мере того, как усилитель приближается к отсечению.

    Принцип работы усилителя класса D в принципе достаточно прост, но сделать его правильно не так-то просто. Первым коммерчески доступным усилителем класса D был комплект производства Sinclair, получивший обозначение X10, за которым вскоре последовал X20. Когда X10 был выпущен ок. В 1965 году он первым использовал класс D, но у него было много проблем. В выходном каскаде использовались биполярные транзисторы, которые были недостаточно быстродействующими для чистого переключения, а поскольку не было «настоящего» выходного фильтра, он излучал гармоники формы сигнала переключения. Это вызвало радиочастотные помехи, и это (наряду с полупроводниками сомнительного качества) стало причиной его упадка. X20 был не лучше, и хотя заявлено, что он выдает 20 Вт, это было просто невозможно. Наборы исчезли очень быстро, как только были обнаружены проблемы. За ними последовали многие другие производители, но до начала 2000-х Class-D оставался чем-то вроде нишевого продукта.

    Рисунок 1.2 — Усилитель Sinclair X20 класса D (ок. 1965 г.)

    Вышеприведенное взято из оригинальной схемы Синклера. (Сэр) Клайв Синклер был очень скромным ( не! ), поэтому фотография включена в схему, которую я сохранил, потому что это часть легенды. Сам усилитель был катастрофой не только из-за излучаемых радиочастотных помех, но и из-за склонности Клайва приобретать самые дешевые транзисторы, доступные в любое время. Вот почему типы транзисторов не показаны, потому что они, вероятно, изменятся. Обратите внимание, что усилитель использует отрицательное напряжение питания (не редкость для германиевых схем того времени). Однако маловероятно, что в X20 использовались германиевые транзисторы. Фотография печатной платы, которую я видел, показывает, что TR11 и TR12 расходятся с тем, что показано на схеме, где TR12 является устройством TO-3, а транзистор TO-66 не виден.

    Хотя во многих усилителях класса D используется ШИМ (широтно-импульсная модуляция), существует несколько альтернатив [ 2 ] . К ним относятся сигма-дельта (ΣΔ, также известная как дельта-сигма) и так называемая 1-битная модуляция. Иногда встречается вариант «PDM» — импульс 9.0229 плотность модуляции , где количество импульсов зависит от уровня сигнала. Во многих новых конструкциях используется «автоколебательный» преобразователь, который решает некоторые проблемы, но создает другие. Когда несколько усилителей класса D объединены в шасси, всегда есть вероятность того, что разница между частотами генераторов вызовет слышимые свистки (иногда называемые «птицами»). В конструкциях, использующих фиксированную частоту модуляции, генераторы в каждом усилителе могут быть подключены к внешнему «задающему» генератору, а некоторые ИС имеют входы и выходы синхронизации тактовой частоты.

    Показанные ниже конструкции представляют собой комбинацию фиксированного и автоколебательного типов. Автоколебательные усилители класса D не могут использовать тактовую синхронизацию, потому что «часов» как таковых нет. Частота переключения автоколебательных усилителей обычно меняется в зависимости от уровня сигнала. Количество вариаций зависит от дизайна. Использование модулированной тактовой частоты уменьшает излучаемые помехи (радиочастотные помехи), поскольку помехи рассредоточены, а не сосредоточены на одной частоте.

    Одним из основных утверждений является то, что усилители класса D очень эффективны, но для этого требуется определенная квалификация. При работе на полной (или близкой к ней) мощности они более эффективны, чем конструкции класса B (включая класс AB), обычно до 90%. Однако при (скажем) одной десятой мощности она может резко упасть, в зависимости от тока покоя. МОП-транзисторы не способны к мгновенному переключению, и при малой мощности коммутационные потери и рабочий ток для модулятора становятся значительными. При очень малой мощности они обычно не более эффективны, чем усилители класса B с малым током покоя. Для домашнего использования необычно использовать любой усилитель почти на полную мощность, если только это не маломощная конструкция, но это также зависит от эффективности громкоговорителя, типа музыки и предпочтений слушателя. Многое, конечно, зависит от конструкции, поэтому нужно смотреть графики эффективности в техпаспорте.

    При проектировании усилителя класса D необходимо учитывать множество факторов, большинство из которых полностью игнорировалось в конструкции Sinclair. Хотя в то время они были новаторскими, не было необходимых технологий, чтобы заставить их работать хорошо. Большинство описанных здесь конструкций обеспечивают уровни искажений ниже 0,1%, что не соответствует большинству лучших усилителей класса B (включая класс AB), но есть и другие конструкции (в основном патентованные), которые обеспечивают уровни шума и искажений. которые конкурируют с чем-либо еще доступным. Даже IRS2092 IC легко способна к искажению значительно ниже 0,05% на любой частоте, но разводка печатной платы должна быть идеальной.

    Важно понимать, что блок питания важнее. В то время как источник питания усилителя класса B должен только подавать ток , источник питания класса D как источника, так и потребляет ток . Если он не может потреблять (поглощать) ток от усилителя, напряжение питания будет увеличиваться (накачка шины). Этот эффект можно уменьшить, используя большие конденсаторы фильтра. Источник питания по-прежнему должен обеспечивать максимальный пиковый ток, требуемый нагрузкой. В то время как операция переключения действительно уменьшает ток питания при более низких выходных уровнях, при пиковой амплитуде (при отсечении или близком к нему) источник питания должен обеспечивать V/R-амперы (при резистивной нагрузке). Источник питания ±50 В должен быть способен выдавать пики ±12,5 А, а если это не так, усилитель либо преждевременно отключится, либо источник питания может отключиться (если он импульсного типа).

    Во многих отношениях может быть полезно думать об усилителе класса D как о «4-квадрантном импульсном понижающем преобразователе», с мгновенным выходным напряжением (и полярностью), определяемым аудиовходом. «4-квадрантный» просто означает, что усилитель может подавать и втекающий ток любой полярности. «Обычный» усилитель отличается, и блок питания должен только подавать ток, а любая мощность, возвращаемая от (реактивной) нагрузки, рассеивается в виде тепла на выходных транзисторах. Рассеивание выходного устройства в линейном усилителе зависит от напряжения и тока через выходные устройства. Для усилителя класса D рассеяние полевого МОП-транзистора представляет собой комбинацию коммутационных потерь и R DS-on (сопротивление MOSFET во включенном состоянии).

    Рисунок 1.3 — «Современный» усилитель класса D со схемой начальной загрузки

    Одна вещь, которую вы почти всегда видите в усилителях класса D, — это схема начальной загрузки. Это используется для обеспечения напряжения «высокой стороны», которое больше, чем VDD (положительное напряжение стока). В каждой конструкции, описанной в этой статье, используется принцип бутстрапа, позволяющий управлять полевым МОП-транзистором верхнего плеча положительным напряжением на затворе. Можно использовать P-канальные МОП-транзисторы, но они неизменно имеют более низкие характеристики, чем N-канальные «эквиваленты». Для обеспечения оптимальной производительности почти во всех усилителях класса D используются только N-канальные МОП-транзисторы. Принцип бутстрепной схемы показан выше. На осциллограмме также показано мертвое время, преувеличенное для ясности. Мертвое время очень важно. Слишком мало, и вы получите перекрестную проводимость, поскольку оба полевых МОП-транзистора проводят одновременно, слишком много, и вы получите высокие искажения.

    Когда на выходе (VS) низкий уровень (либо земля, либо -VSS, Q2 включен), загрузочный элемент C заряжается через быстродействующий диод (загрузочный элемент D , который смещен в прямом направлении, с дополнительным ограничением тока с помощью R ). загрузка ). Когда выход переключается на высокий уровень (VDD), D boot смещается в обратном направлении (ток отсутствует), и напряжение, удерживаемое на C boot , используется для обеспечения верхнего MOSFET (Q1) с напряжением затвора, которое на 12 В больше, чем напряжение на затворе. Напряжение питания +VDD. Это дополнительное напряжение необходимо для переключения затвора на высокий уровень, на 12 В выше источника («VS», который является выходом). Начальная загрузка не требуется для нижнего МОП-транзистора (Q2), потому что это обеспечивается источником питания 12 В, называемым -VSS (VCC).

    Принцип начальной загрузки не особенно интуитивен, и вам может понадобиться набросать схему и решить для двух выходных условий (высокий и низкий). Показанная упрощенная схема должна прояснить ситуацию, но напряжение VS + +12 В составляет 90 229 относительно 90 230 для VS (выход). Напряжение на C boot относительно постоянно и составляет чуть менее 12 В, но напряжение (VB), относящееся к GND, варьируется от -38 В до +62 В. Во многих случаях значение C boot кажется слишком маленьким, но он должен подавать ток только в течение короткого промежутка времени, пока заряжается емкость затвора верхнего полевого МОП-транзистора. Пик тока может длиться всего несколько наносекунд.

    Несколько производителей экспериментировали с «трехуровневым» классом D с рядом возможных реализаций. Общая идея заключается в том, что полевые МОП-транзисторы не должны переключаться между двумя шинами питания, а только между нулем и положительным/отрицательным значением по мере необходимости. Информации об этой схеме не так много, но есть ряд патентов, описывающих принципы. Я не знаю о каких-либо коммерческих предложениях, но Crown действительно выпустила усилитель под названием «Класс-I», в котором используется «симметричный чередующийся ШИМ» (см. Технический документ). Я не знаю о текущем статусе этого, но, учитывая дикие претензии и отсутствие какой-либо обновленной информации, его, вероятно, можно игнорировать до дальнейшего уведомления.

    Некоторые термины, используемые с классом D, поначалу могут вызвать недоумение. В технических описаниях обычно объясняется, что все это значит, но их бывает трудно найти. Наиболее распространены следующие …

    ШИМ Широтно-импульсная модуляция, как показано на рис. 1.1
    SE Односторонний. Либо с использованием двух источников питания [+Ve и -Ve], либо с выходным конденсатором для усилителей с однополярным питанием.
    BTL Мостовая нагрузка. Два усилителя мощности с нагрузкой, подключенной между выходами. Два усилителя работают в противофазе (фазовый сдвиг/инверсия 180°).
    Пиковый размах выходного напряжения в два раза превышает напряжение питания, поэтому источник питания 50 В дает выходное напряжение 100 В пик-пик (среднеквадратичное значение 70 В)
    PBTL Параллельный BTL. Два усилителя работают параллельно, чтобы удвоить доступный ток. Обычно требуется, чтобы микросхема была рассчитана на параллельную работу.

    Существует также множество различных терминов, используемых для описания напряжения питания, а также любых других напряжений, генерируемых микросхемой или необходимых для ее работы. Пример их показан на следующих рисунках, но другие устройства часто используют другую терминологию для одного и того же напряжения, даже от одного и того же производителя.

    Одной из вещей, которые используют почти все мощные машины класса D, является переключатель уровней. Это преобразует напряжение в нормальном рабочем диапазоне (обычно около ± 5 В) в более высокое (или более низкое) напряжение, которое может достигать 200 В. Производители очень осторожно раскрывают детали используемых схем, но для низкоскоростных схем это не представляет особой сложности. Это меняется, когда микросхема переключается на частоте 300 кГц или выше, особенно потому, что нарастающий и спадающий фронты очень важны. Смещение всего на несколько наносекунд может привести к тому, что сигнал переключения создаст сквозной ток, если два полевых МОП-транзистора включаются одновременно. К счастью, все это обрабатывается самой ИС, и пользователю не нужно слишком беспокоиться об этом.


    2   IRS2092

    IR (международный выпрямитель) IRS2092 существует уже давно. Хотя его нельзя считать «современным», с хорошо спроектированной печатной платой он действительно работает очень хорошо. Он не в той же лиге, что и некоторые из лучших примеров, но, в частности, для низкочастотных драйверов он может соответствовать многим другим предложениям. Единственным недостатком является то, что для этого требуется отдельный регулятор — он не сложный, но его неудобно включать. Также требуются внешние полевые МОП-транзисторы, которые на удивление критичны. Поскольку ток управления затвором довольно ограничен (+1 А, -1,2 А), вы не можете использовать хорошие большие МОП-транзисторы, так как максимальный рекомендуемый заряд затвора (Q г ) составляет всего 40 нКл (нанокулонов). Чтобы представить это в перспективе, (теперь) довольно низкий IRF640 имеет общий заряд затвора 63 нКл, а IRF540 — 94 нКл.

    Рисунок 2.1 — Схема усилителя IRS2092 (из эталонного проекта IRAUDAMP7D)

    Схема обманчиво проста. Однако определение некоторых значений резисторов представляет собой минное поле, поскольку существуют взаимозависимости, которые делают его сложным процессом. Выводы CSH и OCSET используются для программирования ограничения тока. Мертвое время — обязательный период, когда оба полевых МОП-транзистора выключены — также программируется. Мертвое время предотвращает «сквозной» ток, который может протекать в течение небольшого периода времени, когда оба полевых МОП-транзистора (частично) проводят ток. Если мертвое время слишком велико, производительность искажений серьезно ухудшается, если слишком мало, вероятен отказ выходного каскада.

    Я не предлагаю здесь разбирать все варианты, потому что в даташите, примечании к заявке [ 3, 4 ] и других опубликованных материалах (по IR) все очень подробно расписано. Вероятно, об этой микросхеме доступно больше информации, чем о любой другой, и я полагаю, что это одна из причин, по которой она так долго остается популярной.

    Подходящими полевыми МОП-транзисторами являются IRF6645 с зарядом затвора 14 нКл, рассчитанные на 100 В и 25 А (при 25 °C), допускающие напряжение питания до ~ ± 45 В. Другой двойной IRFI4019, заряд затвора 13 нКл, 150 В и 8,7 А (при 25 °C), которые могут использовать источники питания до ± 70 В. Однако ограниченный ток означает, что только нагрузки с высоким импедансом могут использоваться с максимальным напряжением (минимум 8 Ом). Как показано на рис. 1, нагрузка 4 Ом подойдет, но только если она «мягкая». Если ожидается, что усилитель (как показано на рисунке) будет сильно нагружен на 4 Ом, напряжение питания следует уменьшить.

    Обратите внимание, что IRS2092 инвертирует по умолчанию, поэтому динамик должен быть подключен с заземлением «плюсовой» клеммы. Если используются два усилителя, один из них должен иметь инвертирующий каскад с единичным коэффициентом усиления перед одним каналом. Это помещает два усилителя в «противофазу», что сводит к минимуму эффект «накачки шины». Это состояние возникает из-за того, что нагрузка на динамик является реактивной и усугубляется на низких частотах и/или из-за недостаточной емкости фильтра источника питания. Напряжение одного или обоих источников питания может быть повышено настолько, чтобы вызвать отключение «OVP» (защита от перенапряжения). При правильной настройке это будет активировано до того, как напряжение станет достаточно высоким, чтобы вызвать отказ MOSFET.

    Накачка шины является потенциальной проблемой для всех усилителей класса D, и большинство стереоконфигураций будут инвертировать один канал. Это показано на некоторых других схемах, показанных в этой статье. В эталонных проектах IRS2092 (их несколько) показаны дополнительные схемы, которые не нужны для основной работы. Если он не используется, защиты от перегрева нет, поэтому интенсивное использование с нагрузками с низким импедансом может привести к выходу из строя выходного каскада. IR опубликовала ряд конкурирующих проектов, включая дополнительные схемы защиты и обширные измерения. В большинстве случаев должно быть возможно получить искажение менее 0,05% с отличная разводка печатной платы . К сожалению, многие печатные платы, которые вы можете купить, не соответствуют требованиям. Тот, который я тестировал, имеет более 3% искажений даже при скромных выходных уровнях, что совершенно неудовлетворительно … и очень слышно !

    Другой, использующий почти те же детали, имеет искажение, которое остается значительно ниже 0,1% на любом уровне ниже отсечения. Однако разводка печатной платы является лишь одним из факторов. Неправильно рассчитанная выходная катушка индуктивности и (в меньшей степени) несоответствующий конденсатор выходного фильтра могут легко нанести ущерб производительности. Если индуктор насыщается, искажения резко возрастают. Катушка индуктивности также должна иметь низкое сопротивление, иначе она будет нагреваться, характеристики феррита изменятся, и это приведет к потере мощности.

    Рисунок 2.2. Производительность усилителя IRS2092 (хорошая)

    Приведенный выше захват сделан усилителем на базе IRS2092, искажения ниже 0,1%. Печатная плата выглядит хорошо разложенной, и на ней установлены крышки фильтров приличного размера. Он тестирует и звучит как любой другой усилитель. В моей мастерской акустической системе есть ограничение, исключающее «аудиофильские» сравнения, но я слушал на разных уровнях и не обнаружил ничего «неприятного». В целом, это то, что я ожидал от бюджетного усилителя, использующего IRS29. 02 ИК. У меня есть другой, получше, но приведенный выше снимок показывает, чего вам следует ожидать. На этих (и следующих) дорожках фиолетовая дорожка — это остаточное искажение от моего измерителя искажений, а желтая дорожка — звук.

    Рисунок 2.3. Характеристики усилителя IRS2092 (уродливые)

    Резко контрастирует снимок, показанный на рис. 2.3. На этой плате также используется микросхема IRS2092 и такой же двойной полевой МОП-транзистор, но искажения значительны, и очень слышны. Большинство деталей практически одинаковы, но «дизайнер» решил не использовать резисторы затвора и любую форму обхода питания. Тест был проведен после того, как я добавил резисторы затвора и конденсаторы обхода питания, но результат все равно ужасен. В этом разница между внешне похожими платами усилителей, хотя обычно вы ожидаете, что они почти идентичны. Обратите внимание на рваную форму звуковой волны, которая свидетельствует о том, что не все в порядке. Компоновка и выбор компонентов имеют решающее значение !

    Рисунок 2. 4 – Характеристики отсечения IRS2092

    Снимок осциллографа выше показывает, что происходит, когда автоколебательный усилитель ограничивается. Легко заметить, что частота модуляции падает по мере того, как выходной сигнал усилителя приближается к шине питания. При «полном» отсечении колебание полностью прекращается, что неудивительно. При снижении частоты модуляции ее амплитуда увеличивается, поскольку выходной фильтр менее эффективен. Это примерно 10% цифра, которая часто указывается для выходной мощности, и, как вы можете видеть, это неприемлемо как «показатель качества». Кривая искажения не показана, потому что мой измеритель не смог понять форму волны с наложенными остатками осциллятора.

    IR (International Rectifier), вероятно, имеет более подробную информацию о конструкции и реализации усилителей класса D, чем любой другой производитель. Многие из них уже устарели, но опубликованные документы очень полны. Естественно упор везде на ИК устройства, но для понимания ничего лучше я не нашел. Если вы выполните поиск «classdtutorial.pdf» и «classdtutorial606.pdf», вы увидите, о чем я говорю. В этих документах содержится много подробностей о вещах, которые вам, вероятно, не нужны, но они также охватывают то, что вам нужно 9.0229 сделать нужно знать.


    3 TDA8954 (NXP)

    NXP (Philips Semiconductors) TDA8954 — популярная микросхема, теоретически рассчитанная на выходную мощность 120 Вт. Это очень оптимистично для , поскольку предел с питанием ±30 В составляет 112 Вт на 4 Ом (заявлено 120 Вт на 2 Ом). На самом деле ожидайте не более 100 Вт (4 Ом). Эти ИС используются в самых разных конфигурациях, включая параллельный BTL (два усилителя BTL, включенные параллельно, для удвоения выходного напряжения и тока, в результате чего мощность до 400 Вт на 4 Ом). Несмотря на заявленный высокий КПД (83%), имеет относительно высокое рассеивание в состоянии покоя, около 3 Вт, и нагревается в режиме ожидания. Многие усилители класса B будут меньше, чем это, но, конечно, они будут рассеивать гораздо больше при любой значительной выходной мощности.

    Рисунок 3.1 – Схема усилителя мощности TDA8954

    Схема адаптирована из таблицы данных, и она несколько непонятна, потому что почти все внутри. Хотя вы не можете видеть внутренние функции, базовая диаграмма, показанная на рис. 1.3, является достаточно общей, чтобы вы могли понять, что происходит внутри. IC имеет дифференциальные входы, но несимметричный режим работы достигается за счет заземления входов, как показано выше. Обратите внимание, что два канала работают в «инверсной фазе», чтобы предотвратить накачку шины. Этот подход распространен и встречается и в других примерах. При подключении как BTL положительный вход одного канала подключается к отрицательному входу другого и наоборот. Входной сигнал может быть балансным или несимметричным. Он имеет модулятор, регуляторы уровня и схемы управления затвором, показанные на рис. 1.3, а также дополнительные схемы защиты от перегрева и перегрузки по току, а также дифференциальные входы и функции режима ожидания/отключения звука.

    Во многих случаях функции «Отключение звука» и «Режим ожидания» не нужны, в которых контакт «Режим» просто переводится в высокий уровень (+5 В). Техническое описание довольно обширно и содержит множество графиков искажений, рассеиваемой мощности, частотных характеристик и всего остального, что может вас заинтересовать. Поскольку ИС представляет собой только SMD, ожидается, что большинство вспомогательных резисторов и конденсаторов также будут SMD. Сверху на микросхеме имеется термопрокладка, поэтому радиатор просто прижимается к верхней части корпуса (разумеется, с помощью термопасты). Его производительность на удивление хороша, как показано далее.

    Рисунок 3.2. Характеристики усилителя мощности TDA8954

    Остаточная частота переключения незначительна, а остаточные искажения не показывают никаких признаков гармоник. Это не значит, что их нет, конечно, но мой измеритель искажений «сбивается», когда вместе со звуком присутствуют высокие частоты. Показания измерителя были ниже минимума, который измеритель может надежно показать, но я использовал то же выходное напряжение и нагрузку, что и для двух показанных выше захватов. В целом, это хороший результат, и качество звука кажется очень хорошим (хотя мои акустические системы в мастерской не являются настоящим Hi-Fi).

    Хотя, безусловно, можно собрать усилитель с нуля, TDA8954 указан как «больше не производится», что усложняет задачу. Тем не менее, есть много готовых усилителей из Китая, которые до сих пор используют его. К сожалению, многие микросхемы этого типа имеют удручающе короткие производственные циклы, и в некоторых случаях микросхемы могут стать недоступными до того, как печатная плата будет разработана и изготовлена ​​любителем или «мелкосерийным» поставщиком.


    4   TPA3251 (ТИ)

    Эта микросхема (вместе со следующей) принадлежит TI (Texas Instruments) и представляет собой усилитель BTL Class-D с однополярным питанием. Рекомендуемое напряжение питания (PVDD) составляет 36 В, для него требуется отдельный источник питания 12 В (VDD). Почти все, что нужно для усилителя класса D, находится внутри, но, как вы можете видеть, есть много внешних вспомогательных компонентов. В основном это конденсаторы для шин питания, бутстрапа и входной связи. Входы могут использоваться как балансные или небалансные, с входным сопротивлением 24 кОм. Напряжение постоянного тока на каждом входном контакте микросхемы не указано, но я ожидаю, что оно будет 6 В. В техническом описании входные конденсаторы указаны как неполяризованные (предположительно керамические), но электролитические конденсаторы, вероятно, будут иметь несколько меньшие искажения. Керамические конденсаторы High-K имеют значительные колебания значений в зависимости от приложенного напряжения и температуры.

    Усилитель может управлять нагрузкой 4 Ом в BTL с заявленной выходной мощностью 140 Вт с коэффициентом нелинейных искажений 1%. Заявленная выходная мощность при 10% THD составляет 175 Вт, но это неприемлемое количество искажений. Говорят, что THD при 1 Вт составляет 0,005%, и если это достигается, это очень хороший результат. К сожалению, у меня нет платы, использующей микросхему для тестирования, поэтому я могу привести только данные из таблицы данных. Хотя в техническом описании утверждается, что последовательность питания не требуется, в нем также говорится, что для минимального шума вывод «/ RESET» должен быть переведен в низкий уровень для включения и выключения питания. Другие контрольные контакты показывают «НЕИСПРАВНОСТЬ» и предупреждение об отсечении или перегреве («CLIP-OTW»). Если ИС производит отключение из-за перегрева, необходимо применить «/RESET», чтобы разрешить работу. Микросхема также имеет защиту от повышенного/пониженного напряжения и перегрузки по току как для полевых МОП-транзисторов высокого, так и для нижнего плеча. Контакты «Mode» («M1», «M2» и «M3») показаны для стандартной работы BTL.

    Рисунок 4.1 – Схема усилителя мощности TPA3251 BTL

    Эту микросхему также можно использовать в несимметричном режиме, но из-за смещения постоянного тока на 1/2 PVDD (номинально 18 В) динамики должны быть подключены через конденсаторы. Значение зависит от импеданса, но я бы не рекомендовал ничего меньше 2200 мкФ (-3 дБ при 18 Гц с нагрузкой 4 Ом). Другим вариантом является PBTL (параллельный BTL), который соединяет два выхода вместе параллельно, что позволяет снизить импеданс нагрузки до 2 Ом. ИМО, это бесполезно в большинстве случаев, потому что провода динамика должны быть большой для предотвращения значительных потерь мощности. Для коробок с питанием это не проблема, поскольку усилитель напрямую подключен к динамикам в корпусе.


    5   TAS5630 (ТИ)

    TAS5630 — еще одна микросхема от TI. Он имеет более высокую номинальную мощность (более высокое напряжение питания до 50 В) и может использоваться в несимметричном режиме, BTL или PBTL. Заявленная максимальная выходная мощность составляет до 480 Вт (1% THD) при 2 Ом при использовании в PBTL или 240 Вт при BTL при 4 Ом. Номинальные искажения составляют 0,05% при выходной мощности 180 Вт (4 Ом) или менее. Есть много общего с TPA3251, но по причинам, которые я нахожу несколько загадочными, распиновка отличается.

    Рисунок 5.1 – Схема усилителя мощности TAS5630DKD BTL

    Показанная схема относится к версии TAS5630DKD (пакет HSSOP). Есть альтернативный корпус (TAS5630PHD, HTQFP), который имеет 64 контакта. Я не знаю, какой из них является наиболее распространенным, но показанная схема по-прежнему является репрезентативной, хотя в версии «PHD» отсутствуют несколько контактов.

    Входной импеданс 33кОм, а постоянное напряжение на входных контактах 6В (приблизительно, так как не разглашается). На входах установлены последовательные резисторы, которых нет в схеме TPA3251, а также конденсаторы емкостью 100 пФ, которые уменьшат количество ВЧ-шума, достигающего входных контактов. Кажется, что схема и общий дизайн были сделаны разными людьми, без ссылки на другие ИС или схемы (в той же компании), где можно было бы ожидать, что проекты будут почти идентичными.

    Как и в предыдущем примере, у меня нет ни одного из них для тестирования, поэтому я должен полагаться на таблицу данных. Контрольные контакты (‘/RESET’, ‘/SD’, ‘/OTW’ и ‘READY’) не требуют пояснений. В отличие от TPA3251, здесь нет индикации отсечения. Контакты «Mode» («M1», «M2» и «M3») показаны для стандартной работы BTL. Эти выводы (как для микросхем TPA3251, так и для микросхем TAS5630) используются для выбора режима SE (несимметричный), BTL или PBTL.


    6   TPA6304 (ТИ)

    Следующий рисунок — еще один от TI, но на этот раз это специализированная автомобильная ИС TPA6304-Q1. Автомобильные ИС — очень конкурентоспособный по цене продукт, поэтому вспомогательные детали сведены к минимуму. Он рассчитан на 25 Вт на канал, но, конечно, это очень оптимистично (заявлено 1% THD, но я сомневаюсь). Как и в более «традиционных» автомобильных усилителях мощности, каждый канал является BTL, но у него есть возможность использовать PBTL для управления нагрузками с более низким импедансом, вплоть до 2 Ом.

    Рисунок 6.1. Схема автомобильного четырехъядерного усилителя мощности BTL TPA6304

    Реальная выходная мощность (при 13,8 В) будет ближе к ~ 18 Вт на канал при КНИ около 1%, и я включил следующую цитату из таблицы данных . ..

    Устройство TPA6304-Q1 представляет собой четырехканальный аудиоусилитель Burr-Brown класса D с аналоговым входом, в котором реализована частота переключения ШИМ 2,1 МГц, позволяющая оптимизировать затраты. решение с очень маленькой печатной платой площадью 2,7 см², несимметричными входами с высоким импедансом и полной работоспособностью до 4,5 В для событий пуска/останова.

    Аудиоусилитель класса D TPA6304-Q1 имеет оптимальную конструкцию для использования в автомобильных головных устройствах начального уровня, которые обеспечивают аналоговые входные аудиосигналы как часть конструкции своей системы. Топология класса D значительно повышает эффективность по сравнению с традиционными линейными усилителями.

    IC имеет встроенную расширенную диагностику, и подробные сведения можно получить с помощью интерфейса I²C. Многие аспекты работы интегральных схем также могут быть изменены, но есть предустановленные значения (также известные как значения по умолчанию), которые подходят для большинства целей. Учтите, что техническое описание составляет 122 страницы, поэтому объем информации огромен. Конечно, не все это необходимо, но для получения максимальной производительности некоторая степень конфигурации (через шину I²C) необходима. Поскольку он разработан для автомобильных приложений, он защищен от переходных процессов до 40 В (обычно вызванных «сбросом нагрузки», когда электрическая система отключает сильноточную нагрузку).


    7  TA2020 (Tripath)

    Я включил Tripath TA2020, потому что какое-то время всем казалось, что это лучшая вещь после нарезки хлеба. Выпущенный в 1998 году, он даже успел попасть в «Зал славы чипов» (по версии IEEE Spectrum), хотя их описание было неверным, заявляя о частоте дискретизации 50 МГц (это не указано в техническом описании, но сомнительно, чтобы она превышала 400 кГц). . Топология этого не показывает, но эти ИС основывались на автоколебательной архитектуре, которая в то время была достаточно другой, чтобы быть «примечательной». На одном этапе у меня была пара более крупных версий (4 x TA2022 в BTL, насколько я помню), установленных в шасси, которое предназначалось для использования в мощных испытаниях, но в первый раз его призвали «выполнять свои обязанности». он сразу взорвался. В то время я тестировал динамики сабвуфера, и пока в блоке питания было очень больших колпачков фильтра, он, по-видимому, «накачивал» напряжение питания достаточно высоко, чтобы вызвать отказ ИС.

    Рисунок 7.1 – Схема однотактного усилителя мощности TA2020

    Компания Tripath подала заявление о банкротстве в соответствии с Главой 11 (США) в 2007 году, всего через 9 лет после подачи первого патента. Их «претензией на славу» была техника модуляции (получившая название Class-T, но технически это все еще Class-D). Class-T был зарегистрированной торговой маркой, , а не , «новым» классом усилителей. В течение нескольких лет было много шумихи, многие утверждали, что они «звучат как ламповые (ламповые) усилители». Использовав один из них время от времени (пока он не взорвался), я могу с уверенностью сказать, что это конкретное утверждение было просто чепухой, но, тем не менее, миф продолжал существовать. Насколько я помню, при разумной громкости прослушивания в моей мастерской он звучал почти так же, как любой обычный усилитель класса AB, с которым в то время могли справиться немногие другие усилители класса D, которые я тестировал.

    Микросхемы использовались в ряде коммерческих продуктов, и хотя Cirrus Logic приобрела компанию Tripath, они так и не вернулись в производство. Осталось лишь несколько воспоминаний, которые во всех случаях (в том числе и в моем) не следует считать особо полезными. TA2020 рассчитан на 20 Вт на 4 Ом. Было несколько версий с довольно широким диапазоном выходной мощности, и они были доступны в течение некоторого времени после закрытия Tripath. Насколько я могу судить, запасов больше нет, но время от времени они все еще появляются.

    Спецификации большинства интегральных схем Tripath сейчас легко сравнить с другими микросхемами или даже превзойти их, поэтому никому не нужно пытаться получить одну из них. Как и в любом усилителе класса D, разводка печатной платы имеет решающее значение, как и выбор выходной катушки индуктивности. Если вы ошибетесь в одном из этих пунктов, производительность будет ужасной. К сожалению, я не могу предоставить какие-либо снимки прицела, так как у меня больше нет досок Tripath.


    Выводы

    Эта статья не является серией проектов, а предназначена только для демонстрации некоторых примеров современных ИС. Исключение составляет TDA89.54, который в настоящее время устарел, но все еще легко доступен в готовых печатных платах, доступных в Китае. Усилители не предназначены для демонстрации «современности», но если печатная плата хорошо спроектирована и используется высококачественная выходная катушка индуктивности, они будут равны или превосходят многие усилители класса AB. Есть и другие запатентованные конструкции, которые можно приобрести, но они, как правило, довольно дорогие. Я ожидаю, что многие читатели узнают о них, но у меня нет привычки давать бесплатную рекламу.

    Нет сомнений в том, что класс D стал мейнстримом, но также нет сомнений в том, что некоторые реализации более чем бесполезны. Тот, который я тестировал, имеет серьезную ошибку в печатной плате и имеет выходной резистор Цобеля 9.0229 в серии с выводом на один канал. Другие ошибки включают в себя плохо разложенные печатные платы, неправильный тип катушки индуктивности (вызывающий насыщение) и множество других проблем. Эти ошибки не будут очевидны до тех пор, пока вы не купите плату, так что это в значительной степени случай «покупатель остерегается». Продавцам на аукционах все равно, что товар дерьмовый, потому что люди все равно его купят. Невозможно даже «назвать и опозорить», потому что они просто закрывают аккаунт и открывают новый с другим именем. К счастью, у меня не было никаких ожиданий от купленных плат, потому что это было предвкушение написания этой статьи.

    В разгар тестирования имеющихся у меня усилителей я провел сравнение с ранней версией усилителя для сабвуфера Project 68. Он не претендует на звание «hi-fi», так как он предназначен для сабвуферов, где невозможно услышать (мизерное) количество кроссоверных искажений. По сравнению с «хорошими» усилителями класса D он был немного хуже на очень низкой громкости, но с величайшей легкостью побеждал посредственные и «уродливые» (плохо спроектированные и выполненные) усилители класса D. Сравнение хороших усилителей класса D с усилителем мощности с малыми искажениями не выявило слышимых различий в моих системах в мастерской. Более показательный динамик может выдать разницу в качестве звука, но когда искажения ниже 0,1%, разницу трудно услышать — при условии, что частотная характеристика одинакова. Мои стареющие уши больше не работают на частоте 20 кГц, поэтому я полагаюсь на инструменты, которые не только показывают разницу, но и определить количественно любую существующую разницу. Услышать разницу в 0,1 дБ нелегко, но измерение точное. То же самое относится к искажениям всех видов.


    Каталожные номера

    Обратите внимание, что большинство ссылок не связаны напрямую, потому что производители постоянно меняют расположение справочного материала (по причинам, которые я не могу понять), и ссылки будут разорваны.

    1. Усилитель класса D — Википедия
    2. Замечания по применению AN-1138 IRS2092(S) Функциональное описание (International Rectifier)
    3. Аудиоусилители класса D: что, почему и как (аналоговые устройства)
    4. IRS2092 — защищенный цифровой аудиоусилитель (ИК)
    5. Эталонный проект IRAUDAMP7D (ИК)
    6. TDA8954 Лист данных (NXP)
    7. TPA3251 Лист данных (ТИ)
    8. TAS5630 Лист данных (TI)
    9. TA2020 Технические данные (технология Tripath)


    Основной индекс Указатель статей
    Уведомление об авторских правах. Эта статья, включая, помимо прочего, весь текст и диаграммы, является интеллектуальной собственностью Рода Эллиотта и защищена авторским правом © 2022. Воспроизведение или повторная публикация любыми средствами, будь то электронными, механическими или электромеханическими, строго запрещены в соответствии с Международные законы об авторском праве. Автор (Род Эллиотт) предоставляет читателю право использовать эту информацию только в личных целях, а также разрешает сделать одну (1) копию для справки. Коммерческое использование запрещено без письменного разрешения Рода Эллиотта.

    Журнал изменений: Страница опубликована в июне 2022 г.


    Комплект проводки Arjen TA2020 MkIII

    Перейти к последнему

    пеан
    Член

    #1