Site Loader

Π‘ΠΎΠ΄Π΅Ρ€ΠΆΠ°Π½ΠΈΠ΅

ВСсты ΠΏΠΎ элСктротСхникС — Π‘Ρ‚Ρ€Π°Π½ΠΈΡ†Π° 3 ΠΈΠ· 6

ВСсты ΠΏΠΎ элСктротСхникС — Π‘Ρ‚Ρ€Π°Π½ΠΈΡ†Π° 3 ΠΈΠ· 6

1) ЭлСктричСским ΠΏΠΎΠ»Π΅ΠΌ, Π²Π»ΠΈΡΡŽΡ‰ΠΈΠΌ Π½Π° ΡˆΠΈΡ€ΠΈΠ½Ρƒ проводящСго ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π°; 2) ЭлСктричСским ΠΏΠΎΠ»Π΅ΠΌ, ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΌ ускорСниС двиТСния основных носитСлСй Π² проводящСм ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π΅; 3) Π’ΠΎΠΊΠΎΠΌ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ стоком; 4) Π’ΠΎΠΊΠΎΠΌ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ истоком; 5) Π’ΠΎΠΊΠΎΠΌ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ стоком ΠΈ истоком; Β 

1) Π°Π½ΠΎΠ΄, ΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΠ΄, ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΉ 2) Π±Π°Π·Π°, эмиттСр, ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ 3) сток, исток, Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ 4) Π°Π½ΠΎΠ΄, ΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΠ΄, сСтка 5) Π²Ρ…ΠΎΠ΄, Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄, ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ Β 

1) Π’ΡƒΠ½Π½Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Π΄ΠΈΠΎΠ΄; 2) Вринистор; 3) Π˜ΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½Ρ‹ΠΉ Π΄ΠΈΠΎΠ΄; 4) Биполярный транзистор; 5) ПолСвой транзистор; Β 

1) ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ сигнала 2) Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ кондСнсаторов 3) сопротивлСниС рСзисторов 4) ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ источника питания 5) Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ p-n ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° Β 

1) Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° возрастаСт 2) ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Π΅Ρ‚ΡΡ Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹ 3) возрастаСт сопротивлСниС транзистора 4) ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Π΅Ρ‚ΡΡ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ транзистора 5) ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Π΅Ρ‚ΡΡ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° Β 

1) 4 2) 1 3) 2 4) 3 5) 5 Β 

1) На эмиттСр ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€; 2) Вакая схСма Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ транзистора нСдопустима; 3) Один элСктрод — эмиттСр, Π° Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ ΠΈΠ»ΠΈ Π±Π°Π·Π°, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ€Π°Π²Π½ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π½ΠΎ; 4) На эмиттСр ΠΈ Π±Π°Π·Ρƒ; 5) На ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ ΠΈ Π±Π°Π·Ρƒ; Β 

1) Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠΎΠΉ 2) Π°ΠΌΠΏΠ»ΠΈΡ‚ΡƒΠ΄ΠΎΠΉ 3) частотой 4) Ρ„Π°Π·ΠΎΠΉ ΠΈ Π°ΠΌΠΏΠ»ΠΈΡ‚ΡƒΠ΄ΠΎΠΉ 5) частотой ΠΈ Π°ΠΌΠΏΠ»ΠΈΡ‚ΡƒΠ΄ΠΎΠΉ Β 

1) 1 2) 2 3) 3 4) 4 5) 0 Β 

1) Π°Π½ΠΎΠ΄, ΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΠ΄, ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΉ 2) Π±Π°Π·Π°, эмиттСр, ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ 3) сток, исток, Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ 4) Π°Π½ΠΎΠ΄, ΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΠ΄, сСтка 5) Π²Ρ…ΠΎΠ΄, Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄, ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ Β 

1) Π€ΠΎΡ‚ΠΎΠ΄ΠΈΠΎΠ΄ 2) Π‘Π²Π΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΈΠΎΠ΄ 3) Π‘Ρ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΠΈΡ‚Ρ€ΠΎΠ½ 4) Π”ΠΈΠΎΠ΄ Π¨ΠΎΡ‚Ρ‚ΠΊΠΈ 5) Π’Π°Ρ€ΠΈΠΊΠ°ΠΏ Β 

1) Π’Π°Ρ€ΠΈΠΊΠ°ΠΏ 2) Π”ΠΈΠΎΠ΄ Π¨ΠΎΡ‚Ρ‚ΠΊΠΈ 3) Π‘Ρ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΠΈΡ‚Ρ€ΠΎΠ½ 4) Π‘Π²Π΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΈΠΎΠ΄ 5) Π€ΠΎΡ‚ΠΎΠ΄ΠΈΠΎΠ΄ Β 

1) ΠΠ΅Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ увСличиваСтся; 2) ΠΠ΅Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Π΅Ρ‚ΡΡ; 3) Π—Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ увСличиваСтся; 4) Π—Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Π΅Ρ‚ΡΡ; 5) НС измСняСтся; Β 

1) фоторСзистор 2) фототранзистор 3) свСтодиод 4) Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠ΄ΠΈΠΎΠ΄ 5) фототиристор Β 

1) Π’ΡƒΠ½Π½Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π°; 2) Π‘Ρ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΠΈΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π°; 3) Биполярного транзистора; 4) ПолСвого транзистора; 5) Виристора; Β 

1) Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ пробоя 2) элСктронного пробоя 3) Π΄Ρ‹Ρ€ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ пробоя 4) элСктричСского пробоя 5) стабилизированного пробоя Β 

1) ΡΠ½ΠΈΠ·ΠΈΡ‚ΡŒ напряТСниС Π½Π° Π°Π½ΠΎΠ΄Π΅ 2) ΡΠ½ΠΈΠ·ΠΈΡ‚ΡŒ напряТСниС Π½Π° ΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΠ΄Π΅ 3) ΠΎΡ‚ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ напряТСниС Π½Π° ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰Π΅ΠΌ элСктродС 4) ΠΎΡ‚ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ напряТСниС Π°Π½ΠΎΠ΄-ΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΠ΄ 5) ΡΠ½ΠΈΠ·ΠΈΡ‚ΡŒ напряТСниС Π½Π° ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰Π΅ΠΌ элСктродС Β 

1) транзисторы 2) рСзисторы 3) стабилитроны 4) кондСнсаторы 5) Π΄ΠΈΠΎΠ΄Ρ‹ Β 

1) Π±Π°Π·Π°, эмиттСр, ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ 2) Π°Π½ΠΎΠ΄, ΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΠ΄ 3) сток, исток, Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ 4) ΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΠ΄, сСтка, Π°Π½ΠΎΠ΄ 5) Π°Π½ΠΎΠ΄, ΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΠ΄, ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Β 

1) Волько ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΡŒ тиристор; 2) Волько Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΡŒ тиристор; 3) И ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΈ Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΡŒ тиристор; 4) Плавно ΠΌΠ΅Π½ΡΡ‚ΡŒ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρƒ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, проходящСго Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· тиристор; 5) ΠœΡ‹ Π½Π΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅ΠΌ Π²ΠΎΠ·Π΄Π΅ΠΉΡΡ‚Π²ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π° тиристор.

Β 

Π“Π΄Π΅ Π²Π·ΡΡ‚ΡŒ транзистор. Π§Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠΉ транзистор ΠΈ ΠΊΠ°ΠΊ Π΅Π³ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΈΡ‚ΡŒ

Π­Π»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ½ΠΈΠΊΠ° ΠΎΠΊΡ€ΡƒΠΆΠ°Π΅Ρ‚ нас Π²ΡΡŽΠ΄Ρƒ. Но практичСски Π½ΠΈΠΊΡ‚ΠΎ Π½Π΅ задумываСтся ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΌ, ΠΊΠ°ΠΊ вся эта ΡˆΡ‚ΡƒΠΊΠ° Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚. На самом Π΄Π΅Π»Π΅ всС довольно просто. ИмСнно это ΠΌΡ‹ ΠΈ постараСмся сСгодня ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚ΡŒ. А Π½Π°Ρ‡Π½Π΅ΠΌ с Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ³ΠΎ Π²Π°ΠΆΠ½ΠΎΠ³ΠΎ элСмСнта, ΠΊΠ°ΠΊ транзистор. РасскаТСм, Ρ‡Ρ‚ΠΎ это Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π΄Π΅Π»Π°Π΅Ρ‚, ΠΈ ΠΊΠ°ΠΊ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ транзистор.

Π§Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ транзистор?

Вранзистор – ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€, ΠΏΡ€Π΅Π΄Π½Π°Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ для управлСния элСктричСским Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ.

Π“Π΄Π΅ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΡŽΡ‚ΡΡ транзисторы? Π”Π° Π²Π΅Π·Π΄Π΅! Π‘Π΅Π· транзисторов Π½Π΅ обходится практичСски Π½ΠΈ ΠΎΠ΄Π½Π° соврСмСнная элСктричСская схСма. Они повсСмСстно ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ ΠΏΡ€ΠΈ производствС Π²Ρ‹Ρ‡ΠΈΡΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΈΠΊΠΈ, Π°ΡƒΠ΄ΠΈΠΎ- ΠΈ Π²ΠΈΠ΄Π΅ΠΎ-Π°ΠΏΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹.

Π’Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π°, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° совСтскиС микросхСмы Π±Ρ‹Π»ΠΈ самыми большими Π² ΠΌΠΈΡ€Π΅ , ΠΏΡ€ΠΎΡˆΠ»ΠΈ, ΠΈ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€ соврСмСнных транзисторов ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ ΠΌΠ°Π». Π’Π°ΠΊ, самыС малСнькиС ΠΈΠ· устройств ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€ порядка Π½Π°Π½ΠΎΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°!

ΠŸΡ€ΠΈΡΡ‚Π°Π²ΠΊΠ° Π½Π°Π½ΠΎ- ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρƒ порядка Π΄Π΅ΡΡΡ‚ΡŒ Π² минус дСвятой стСпСни.

Однако ΡΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚ ΠΈ гигантскиС экзСмпляры, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ΡΡ прСимущСствСнно Π² областях энСргСтики ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠΌΡ‹ΡˆΠ»Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΠΈ.

Π‘ΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚ Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹Π΅ Ρ‚ΠΈΠΏΡ‹ транзисторов: биполярныС ΠΈ полярныС, прямой ΠΈ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ проводимости. Π’Π΅ΠΌ Π½Π΅ ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅, Π² основС Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ этих ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ΠΎΠ² Π»Π΅ΠΆΠΈΡ‚ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ ΠΈ Ρ‚ΠΎΡ‚ ΠΆΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ. Вранзистор — ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ. Как извСстно, Π² ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠ΅ носитСлями заряда ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ элСктроны ΠΈΠ»ΠΈ Π΄Ρ‹Ρ€ΠΊΠΈ.

ΠžΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ с ΠΈΠ·Π±Ρ‹Ρ‚ΠΊΠΎΠΌ элСктронов обозначаСтся Π±ΡƒΠΊΠ²ΠΎΠΉ n (negative), Π° ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ с Π΄Ρ‹Ρ€ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ –

p (positive).

Как Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ транзистор?

Π§Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ всС Π±Ρ‹Π»ΠΎ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ясно, рассмотрим Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρƒ биполярного транзистора (самый популярный Π²ΠΈΠ΄).

(Π΄Π°Π»Π΅Π΅ – просто транзистор) прСдставляСт собой кристалл ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠ° (Ρ‡Π°Ρ‰Π΅ всСго ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠΉ ΠΈΠ»ΠΈ Π³Π΅Ρ€ΠΌΠ°Π½ΠΈΠΉ ), Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ Π½Π° Ρ‚Ρ€ΠΈ Π·ΠΎΠ½Ρ‹ с Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΠΉ ΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ. Π—ΠΎΠ½Ρ‹ Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ соотвСтствСнно ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ , Π±Π°Π·ΠΎΠΉ ΠΈ эмиттСром . Устройство транзистора ΠΈ Π΅Π³ΠΎ схСматичСскоС ΠΈΠ·ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Ρ‹ Π½Π° рисункС Π½ΠΈ ΠΆΠ΅

Π Π°Π·Π΄Π΅Π»ΡΡŽΡ‚ транзисторы прямой ΠΈ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ проводимости.

Вранзисторы p-n-p Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ транзисторами с прямой ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ, Π° транзисторы n-p-n – с ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ.

Π’Π΅ΠΏΠ΅Ρ€ΡŒ ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΌ, ΠΊΠ°ΠΊΠΈΠ΅ Π΅ΡΡ‚ΡŒ Π΄Π²Π° Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ° Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ транзисторов. Π‘Π°ΠΌΠ° Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π° транзистора ΠΏΠΎΡ…ΠΎΠΆΠ° Π½Π° Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρƒ Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΡ€Π°Π½Π° ΠΈΠ»ΠΈ вСнтиля. Волько вмСсто Π²ΠΎΠ΄Ρ‹ – элСктричСский Ρ‚ΠΎΠΊ. Π’ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½Ρ‹ Π΄Π²Π° состояния транзистора – Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡Π΅Π΅ (транзистор ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚) ΠΈ состояниС покоя (транзистор Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚).

Π§Ρ‚ΠΎ это Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚? Когда транзистор Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚, Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π½Π΅Π³ΠΎ Π½Π΅ Ρ‚Π΅Ρ‡Π΅Ρ‚ Ρ‚ΠΎΠΊ. Π’ ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΎΠΌ состоянии, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° Π½Π° Π±Π°Π·Ρƒ подаСтся ΠΌΠ°Π»Ρ‹ΠΉ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ, транзистор открываСтся, ΠΈ большой Ρ‚ΠΎΠΊ Π½Π°Ρ‡ΠΈΠ½Π°Π΅Ρ‚ Ρ‚Π΅Ρ‡ΡŒ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· эмиттСр-ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€.

ЀизичСскиС процСссы Π² транзисторС

А Ρ‚Π΅ΠΏΠ΅Ρ€ΡŒ ΠΏΠΎΠ΄Ρ€ΠΎΠ±Π½Π΅Π΅ ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΌ, ΠΏΠΎΡ‡Π΅ΠΌΡƒ всС происходит ΠΈΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊ, Ρ‚ΠΎ Π΅ΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΡ‡Π΅ΠΌΡƒ транзистор открываСтся ΠΈ закрываСтся. Π’ΠΎΠ·ΡŒΠΌΠ΅ΠΌ биполярный транзистор. ΠŸΡƒΡΡ‚ΡŒ это Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚

n-p-n транзистор.

Если ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ источник питания ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ эмиттСром, элСктроны ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° Π½Π°Ρ‡Π½ΡƒΡ‚ ΠΏΡ€ΠΈΡ‚ΡΠ³ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ ΠΊ ΠΏΠ»ΡŽΡΡƒ, ΠΎΠ΄Π½Π°ΠΊΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ эмиттСром Π½Π΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚. Π­Ρ‚ΠΎΠΌΡƒ ΠΌΠ΅ΡˆΠ°Π΅Ρ‚ прослойка Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΈ сам слой эмиттСра.

Если ΠΆΠ΅ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ источник ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ ΠΈ эмиттСром, элСктроны ΠΈΠ· n области эмиттСра Π½Π°Ρ‡Π½ΡƒΡ‚ ΠΏΡ€ΠΎΠ½ΠΈΠΊΠ°Ρ‚ΡŒ Π² ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ Π±Π°Π·. Π’ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΎΠ±ΠΎΠ³Π°Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ свободными элСктронами, Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒ ΠΈΠ· ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… Ρ€Π΅ΠΊΠΎΠΌΠ±ΠΈΠ½ΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚ с Π΄Ρ‹Ρ€ΠΊΠ°ΠΌΠΈ, Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Ρ‡Π΅Ρ‚ ΠΊ ΠΏΠ»ΡŽΡΡƒ Π±Π°Π·Ρ‹, Π° Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒ (большая Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒ) направится ΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Ρƒ.

Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, транзистор получаСтся ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚, ΠΈ Π² Π½Π΅ΠΌ Ρ‚Π΅Ρ‡Π΅Ρ‚ Ρ‚ΠΎΠΊ эмиттСр ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€. Если напряТСниС Π½Π° Π±Π°Π·Π΅ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ, увСличится ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ эмиттСр. ΠŸΡ€ΠΈΡ‡Π΅ΠΌ, ΠΏΡ€ΠΈ ΠΌΠ°Π»ΠΎΠΌ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΈ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ напряТСния Π½Π°Π±Π»ΡŽΠ΄Π°Π΅Ρ‚ΡΡ Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ рост Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр. ИмСнно Π½Π° этом эффСктС ΠΈ основана Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π° транзисторов Π² усилитСлях.

Π’ΠΎΡ‚ Π²ΠΊΡ€Π°Ρ‚Ρ†Π΅ ΠΈ вся ΡΡƒΡ‚ΡŒ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ транзисторов. НуТно Ρ€Π°ΡΡΡ‡ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ мощности Π½Π° биполярных транзисторах Π·Π° ΠΎΠ΄Π½Ρƒ Π½ΠΎΡ‡ΡŒ, ΠΈΠ»ΠΈ Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚ΡŒ Π»Π°Π±ΠΎΡ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π½ΡƒΡŽ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρƒ ΠΏΠΎ исслСдованию Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ транзистора? Π­Ρ‚ΠΎ Π½Π΅ ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌΠ° Π΄Π°ΠΆΠ΅ для Π½ΠΎΠ²ΠΈΡ‡ΠΊΠ°, Ссли Π²ΠΎΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ спСциалистов нашСго студСнчСского сСрвиса .

НС ΡΡ‚Π΅ΡΠ½ΡΠΉΡ‚Π΅ΡΡŒ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‰Π°Ρ‚ΡŒΡΡ Π·Π° ΠΏΡ€ΠΎΡ„Π΅ΡΡΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ Π² Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… Π²Π°ΠΆΠ½Ρ‹Ρ… вопросах, ΠΊΠ°ΠΊ ΡƒΡ‡Π΅Π±Π°! А Ρ‚Π΅ΠΏΠ΅Ρ€ΡŒ, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° Ρƒ вас ΡƒΠΆΠ΅ Π΅ΡΡ‚ΡŒ прСдставлСниС ΠΎ транзисторах, ΠΏΡ€Π΅Π΄Π»Π°Π³Π°Π΅ΠΌ Ρ€Π°ΡΡΠ»Π°Π±ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ ΠΈ ΠΏΠΎΡΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ»ΠΈΠΏ Π³Ρ€ΡƒΠΏΠΏΡ‹ Korn β€œTwisted transistor”! НапримСр, Π²Ρ‹ Ρ€Π΅ΡˆΠΈΠ»ΠΈ , ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‰Π°ΠΉΡ‚Π΅ΡΡŒ Π² Π—Π°ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊ.

Π”ΠΎΠ±Ρ€Ρ‹ΠΉ дСнь, Π΄Ρ€ΡƒΠ·ΡŒΡ!

НСдавно ΠΌΡ‹ с Π²Π°ΠΌΠΈ Π½Π°Ρ‡Π°Π»ΠΈ ΠΏΠ»ΠΎΡ‚Π½Π΅Π΅ знакомились с Ρ‚Π΅ΠΌ, ΠΊΠ°ΠΊ устроСно ΠΊΠΎΠΌΠΏΡŒΡŽΡ‚Π΅Ρ€Π½ΠΎΠ΅ Β«ΠΆΠ΅Π»Π΅Π·ΠΎΒ». И познакомились ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΌ ΠΈΠ· Π΅Π³ΠΎ Β«ΠΊΠΈΡ€ΠΏΠΈΡ‡ΠΈΠΊΠΎΠ²Β» β€” ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΌ Π΄ΠΈΠΎΠ΄ΠΎΠΌ. – это слоТная систСма, состоящая ΠΈΠ· ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… частСй. Разбирая, ΠΊΠ°ΠΊ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽΡ‚ эти ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ части (большиС ΠΈ ΠΌΠ°Π»Ρ‹Π΅), ΠΌΡ‹ ΠΏΡ€ΠΈΠΎΠ±Ρ€Π΅Ρ‚Π°Π΅ΠΌ Π·Π½Π°Π½ΠΈΠ΅.

ΠžΠ±Ρ€Π΅Ρ‚Π°Ρ Π·Π½Π°Π½ΠΈΠ΅, ΠΌΡ‹ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π°Π΅ΠΌ шанс ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‡ΡŒ своСму ΠΆΠ΅Π»Π΅Π·Π½ΠΎΠΌΡƒ Π΄Ρ€ΡƒΠ³Ρƒ-ΠΊΠΎΠΌΠΏΡŒΡŽΡ‚Π΅Ρ€Ρƒ, Ссли ΠΎΠ½ Π²Π΄Ρ€ΡƒΠ³ Π·Π°Π±Π°Ρ€Π°Ρ…Π»ΠΈΡ‚

. ΠœΡ‹ ΠΆΠ΅ вСдь Π² ΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚Π΅ Π·Π° Ρ‚Π΅Ρ…, ΠΊΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΡ€ΡƒΡ‡ΠΈΠ»ΠΈ, Π½Π΅ ΠΏΡ€Π°Π²Π΄Π° Π»ΠΈ?

БСгодня ΠΌΡ‹ ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΠΎΠ»ΠΆΠΈΠΌ это интСрСсноС Π΄Π΅Π»ΠΎ, ΠΈ ΠΏΠΎΠΏΡ€ΠΎΠ±ΡƒΠ΅ΠΌ Ρ€Π°Π·ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΡŒΡΡ, ΠΊΠ°ΠΊ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ самый, ΠΏΠΎΠΆΠ°Π»ΡƒΠΉ, Π³Π»Π°Π²Π½Ρ‹ΠΉ Β«ΠΊΠΈΡ€ΠΏΠΈΡ‡ΠΈΠΊΒ» элСктроники – транзистор. Из всСх Π²ΠΈΠ΄ΠΎΠ² транзисторов (ΠΈΡ… Π½Π΅ΠΌΠ°Π»ΠΎ) ΠΌΡ‹ ограничимся сСйчас рассмотрСниСм Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторов.

ΠŸΠΎΡ‡Π΅ΠΌΡƒ транзистор – ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠΉ?

Π‘Π»ΠΎΠ²ΠΎ «транзистор» ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Π½ΠΎ ΠΎΡ‚ Π΄Π²ΡƒΡ… английских слов translate ΠΈ resistor, Ρ‚ΠΎ Π΅ΡΡ‚ΡŒ, ΠΈΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ словами, это ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ сопротивлСния.

Π‘Ρ€Π΅Π΄ΠΈ всСго многообразия транзисторов Π΅ΡΡ‚ΡŒ ΠΈ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Π΅, Ρ‚.Π΅. Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠ΅, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ элСктричСским ΠΏΠΎΠ»Π΅ΠΌ.

ЭлСктричСскоС ΠΏΠΎΠ»Π΅ создаСтся напряТСниСм. Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠΉ транзистор – это ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€, управляСмый напряТСниСм.

Π’ англоязычной Π»ΠΈΡ‚Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π΅ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ Ρ‚Π΅Ρ€ΠΌΠΈΠ½ MOSFET (MOS Field Effect Transistor). Π•ΡΡ‚ΡŒ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΈΠΏΡ‹ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… транзисторов, Π² частности, биполярныС, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ. ΠŸΡ€ΠΈ этом Π½Π° ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ затрачиваСтся ΠΈ нСкоторая ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΊ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ элСктродам Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠΊΠ»Π°Π΄Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ напряТСниС.

Канал ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ напряТСниСм , Π±Π΅Π· протСкания Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ элСктроды (Π·Π° ΠΈΡΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ нСбольшого Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΡƒΡ‚Π΅Ρ‡ΠΊΠΈ). Π’.Π΅. ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π½Π° ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π½Π΅ затрачиваСтся. На ΠΏΡ€Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠΊΠ΅, ΠΎΠ΄Π½Π°ΠΊΠΎ, ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Π΅ транзисторы ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ большСй Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒΡŽ Π½Π΅ Π² статичСском Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅, Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΡŽΡ‚ΡΡ с Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ частотой.

ΠšΠΎΠ½ΡΡ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ†ΠΈΡ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора обуславливаСт Π½Π°Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ Π² Π½Π΅ΠΌ Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½Π΅ΠΉ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Смкости, Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΡƒΡŽ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Π΅Ρ‚ Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ, зависящий ΠΎΡ‚ частоты (Ρ‡Π΅ΠΌ большС частота, Ρ‚Π΅ΠΌ большС Ρ‚ΠΎΠΊ). Π’Π°ΠΊ Ρ‡Ρ‚ΠΎ, строго говоря, нСкоторая ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π½Π° ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ всС-Ρ‚Π°ΠΊΠΈ затрачиваСтся.

Π“Π΄Π΅ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Π΅ транзисторы?

Настоящий ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ позволяСт ΡΠ΄Π΅Π»Π°Ρ‚ΡŒ сопротивлСниС ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора (ПВ) достаточно ΠΌΠ°Π»Ρ‹ΠΌ – Π² нСсколько сотых ΠΈΠ»ΠΈ тысячных Π΄ΠΎΠ»Π΅ΠΉ Ома!

И это являСтся большим прСимущСством, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Π½ΠΈΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π΄Π°ΠΆΠ΅ Π² дСсяток Π°ΠΌΠΏΠ΅Ρ€ рассСиваСмая Π½Π° ПВ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π½Π΅ прСвысит дСсятых ΠΈΠ»ΠΈ сотых Π΄ΠΎΠ»Π΅ΠΉ Π’Π°Ρ‚Ρ‚Π°.

Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΎΡ‚ΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚ΡŒΡΡ ΠΎΡ‚ Π³Ρ€ΠΎΠΌΠΎΠ·Π΄ΠΊΠΈΡ… Ρ€Π°Π΄ΠΈΠ°Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ² ΠΈΠ»ΠΈ сильно ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠΈΡ‚ΡŒ ΠΈΡ… Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Ρ‹.

ПВ ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ Π² ΠΊΠΎΠΌΠΏΡŒΡŽΡ‚Π΅Ρ€Π½Ρ‹Ρ… ΠΈ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π½Ρ‹Ρ… ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½Ρ‹Ρ… стабилизаторах Π½Π° ΠΌ ΠΊΠΎΠΌΠΏΡŒΡŽΡ‚Π΅Ρ€Π°.

Из всСго многообразия Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠ² ПВ для этих Ρ†Π΅Π»Π΅ΠΉ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ ПВ с ΠΈΠ½Π΄ΡƒΡ†ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌ ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠΌ.

Как Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠΉ транзистор?

ПВ с ΠΈΠ½Π΄ΡƒΡ†ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌ ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠΌ содСрТит Ρ‚Ρ€ΠΈ элСктрода β€” исток (source), сток (drain), ΠΈ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ (gate).

ΠŸΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ ПВ Π½Π°ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠ²ΠΈΠ½Ρƒ понятСн ΠΈΠ· графичСского обозначСния ΠΈ названия элСктродов.

Канал ПВ – это «водяная Ρ‚Ρ€ΡƒΠ±Π°Β», Π² ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΡƒΡŽ Π²Ρ‚Π΅ΠΊΠ°Π΅Ρ‚ Β«Π²ΠΎΠ΄Π°Β» (ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΊ заряТСнных частиц, ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ… элСктричСский Ρ‚ΠΎΠΊ) Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· «источник» (исток).

Β«Π’ΠΎΠ΄Π°Β» Π²Ρ‹Ρ‚Π΅ΠΊΠ°Π΅Ρ‚ ΠΈΠ· Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΠΎΠ½Ρ†Π° Β«Ρ‚Ρ€ΡƒΠ±Ρ‹Β» Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· «слив» (сток). Π—Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ – это Β«ΠΊΡ€Π°Π½Β», ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ ΠΈΠ»ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΡ€Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΊ. Π§Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Β«Π²ΠΎΠ΄Π°Β» пошла ΠΏΠΎ Β«Ρ‚Ρ€ΡƒΠ±Π΅Β», Π½Π°Π΄ΠΎ ΡΠΎΠ·Π΄Π°Ρ‚ΡŒ Π² Π½Π΅ΠΉ Β«Π΄Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅Β», Ρ‚.Π΅. ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚ΡŒ напряТСниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ стоком ΠΈ истоком.

Если напряТСниС Π½Π΅ ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΎ («давлСния Π² систСмС Π½Π΅Ρ‚Β»), Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π² ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π΅ Π½Π΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚.

Если ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΎ напряТСниС, Ρ‚ΠΎ Β«ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΊΡ€Π°Π½Β» ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‡Π΅ΠΉ напряТСния Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ истока.

Π§Π΅ΠΌ большСС ΠΏΠΎΠ΄Π°Π½ΠΎ напряТСниС, Ρ‚Π΅ΠΌ сильнСС ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ Β«ΠΊΡ€Π°Π½Β», большС Ρ‚ΠΎΠΊ Π² ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π΅ «сток-исток» ΠΈ мСньшС сопротивлСниС ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π°.

Π’ источниках питания ПВ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ Π² ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅, Ρ‚.Π΅. ΠΊΠ°Π½Π°Π» ΠΈΠ»ΠΈ ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚, ΠΈΠ»ΠΈ ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚.

ЧСстно ΡΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚ΡŒ, ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΡ‹ дСйствия ПВ Π³ΠΎΡ€Π°Π·Π΄ΠΎ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ слоТны, ΠΎΠ½ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π΅ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Π² ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ . Π•Π³ΠΎ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π° описываСтся ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΈΠΌΠΈ Π·Π°ΡƒΠΌΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒΠ»Π°ΠΌΠΈ, Π½ΠΎ ΠΌΡ‹ Π½Π΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅ΠΌ здСсь всС это ΠΎΠΏΠΈΡΡ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ, Π° ограничимся этими простыми аналогиями.

Π‘ΠΊΠ°ΠΆΠ΅ΠΌ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ПВ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ с n-ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠΌ (ΠΏΡ€ΠΈ этом Ρ‚ΠΎΠΊ Π² ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π΅ создаСтся ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ заряТСнными частицами) ΠΈ p-ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠΌ (Ρ‚ΠΎΠΊ создаСтся ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ заряТСнными частицами). На графичСском ΠΈΠ·ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΈ Ρƒ ПВ с n-ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠΌ стрСлка Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½Π° Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€ΡŒ, Ρƒ ПВ с p-ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠΌ – Π½Π°Ρ€ΡƒΠΆΡƒ.

БобствСнно, Β«Ρ‚Ρ€ΡƒΠ±Π°Β» β€” это кусочСк ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠ° (Ρ‡Π°Ρ‰Π΅ всСго – крСмния) с примСсями химичСских элСмСнтов Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΈΠΏΠ°, Ρ‡Ρ‚ΠΎ обуславливаСт Π½Π°Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… ΠΈΠ»ΠΈ ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… зарядов Π² ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π΅.

Π’Π΅ΠΏΠ΅Ρ€ΡŒ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌ ΠΊ ΠΏΡ€Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠΊΠ΅ ΠΈ ΠΏΠΎΠ³ΠΎΠ²ΠΎΡ€ΠΈΠΌ ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΌ,

Как ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠΉ транзистор?

Π’ Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ΅ сопротивлСниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π»ΡŽΠ±Ρ‹ΠΌΠΈ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ ПВ бСсконСчно Π²Π΅Π»ΠΈΠΊΠΎ.

И, Ссли тСстСр ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠ΅-Ρ‚ΠΎ нСбольшоС сопротивлСниС, Ρ‚ΠΎ ПВ, скорСС всСго, ΠΏΡ€ΠΎΠ±ΠΈΡ‚ ΠΈ ΠΏΠΎΠ΄Π»Π΅ΠΆΠΈΡ‚ Π·Π°ΠΌΠ΅Π½Π΅.

Π’ΠΎ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΈΡ… ПВ имССтся встроСнный Π΄ΠΈΠΎΠ΄ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ стоком ΠΈ истоком для Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Ρ‹ ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° ΠΎΡ‚ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния (напряТСния ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ полярности).

Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, Ссли ΠΏΠΎΡΡ‚Π°Π²ΠΈΡ‚ΡŒ Β«+Β» тСстСра (красный Ρ‰ΡƒΠΏ, соСдинСнный с «красным» Π²Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ тСстСра) Π½Π° исток, Π° Β«-Β» (Ρ‡Π΅Ρ€Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‰ΡƒΠΏ, соСдинСнный с Ρ‡Π΅Ρ€Π½Ρ‹ΠΌ Π²Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ тСстСра) Π½Π° сток, Ρ‚ΠΎ ΠΊΠ°Π½Π°Π» Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Β«Π·Π²ΠΎΠ½ΠΈΡ‚ΡŒΡΡΒ», ΠΊΠ°ΠΊ ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½Ρ‹ΠΉ Π΄ΠΈΠΎΠ΄ Π² прямом Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ.

Π­Ρ‚ΠΎ справСдливо для ПВ с n-ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠΌ. Для ПВ с p-ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠΌ ΠΏΠΎΠ»ΡΡ€Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ‰ΡƒΠΏΠΎΠ² Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ .

Как ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΈΡ‚ΡŒ Π΄ΠΈΠΎΠ΄ с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ тСстСра, описано Π² ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΉ . Π’.Π΅. Π½Π° участкС «сток β€” исток» Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΏΠ°Π΄Π°Ρ‚ΡŒ напряТСниС 500-600 ΠΌΠ’.

Если ΠΏΠΎΠΌΠ΅Π½ΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ»ΡΡ€Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ‰ΡƒΠΏΠΎΠ², ΠΊ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Ρƒ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΎ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС, ΠΎΠ½ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ ΠΈ тСстСр это зафиксируСт.

Однако ΠΈΡΠΏΡ€Π°Π²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π° Π΅Ρ‰Π΅ Π½Π΅ Π³ΠΎΠ²ΠΎΡ€ΠΈΡ‚ ΠΎΠ± исправности транзистора Π² Ρ†Π΅Π»ΠΎΠΌ. Π‘ΠΎΠ»Π΅Π΅ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, Ссли Β«ΠΏΡ€ΠΎΠ·Π²Π°Π½ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒΒ» ПВ, Π½Π΅ выпаивая ΠΈΠ· схСмы, Ρ‚ΠΎ ΠΈΠ·-Π·Π° ΠΏΠ°Ρ€Π°Π»Π»Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… Ρ†Π΅ΠΏΠ΅ΠΉ Π½Π΅ всСгда ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡΠ΄Π΅Π»Π°Ρ‚ΡŒ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π½Ρ‹ΠΉ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ Π΄Π°ΠΆΠ΅ ΠΎΠ± исправности Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π°.

Π’ Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… случаях ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π²Ρ‹ΠΏΠ°ΡΡ‚ΡŒ транзистор, ΠΈ, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡ Π½Π΅Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΡƒΡŽ схСму для тСстирования, ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π½ΠΎ ΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒ Π½Π° вопрос – исправСн Π»ΠΈ ПВ ΠΈΠ»ΠΈ Π½Π΅Ρ‚.

Π’ исходном состоянии ΠΊΠ½ΠΎΠΏΠΊΠ° S1 Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌΠΊΠ½ΡƒΡ‚Π°, напряТСниС Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π΅ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ стока Ρ€Π°Π²Π½ΠΎ Π½ΡƒΠ»ΡŽ. ПВ Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚, ΠΈ свСтодиод HL1 Π½Π΅ свСтится.

ΠŸΡ€ΠΈ Π·Π°ΠΌΡ‹ΠΊΠ°Π½ΠΈΠΈ ΠΊΠ½ΠΎΠΏΠΊΠΈ Π½Π° рСзисторС R3 появляСтся ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния (ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 4 Π’), ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½Π½ΠΎΠ΅ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ истоком ΠΈ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ. ПВ открываСтся, ΠΈ свСтодиод HL1 свСтится.

Π­Ρ‚Ρƒ схСму ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΡŒ Π² Π²ΠΈΠ΄Π΅ модуля с Ρ€Π°Π·ΡŠΠ΅ΠΌΠΎΠΌ для ПВ. Вранзисторы Π² корпусС D2 pack (ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π½Π°Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ для ΠΌΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΆΠ° Π½Π° ΠΏΠ΅Ρ‡Π°Ρ‚Π½ΡƒΡŽ ΠΏΠ»Π°Ρ‚Ρƒ) Π² Ρ€Π°Π·ΡŠΠ΅ΠΌ Π½Π΅ Π²ΡΡ‚Π°Π²ΠΈΡˆΡŒ, Π½ΠΎ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΊ Π΅Π³ΠΎ элСктродам ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΈ, ΠΈ ΡƒΠΆΠ΅ ΠΈΡ… Π²ΡΡ‚Π°Π²ΠΈΡ‚ΡŒ Π² Ρ€Π°Π·ΡŠΠ΅ΠΌ. Для ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠΈ ПВ с p-ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠΌ ΠΏΠΎΠ»ΡΡ€Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ питания ΠΈ свСтодиода Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ Π½Π° ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΡƒΡŽ.

Иногда ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Π΅ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Ρ‹ выходят ΠΈΠ· строя Π±ΡƒΡ€Π½ΠΎ, с пиротСхничСскими, Π΄Ρ‹ΠΌΠΎΠ²Ρ‹ΠΌΠΈ ΠΈ свСтовыми эффСктами.

Π’ этом случаС Π½Π° корпусС ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ Π΄Ρ‹Ρ€Ρ‹, ΠΎΠ½ трСскаСтся ΠΈΠ»ΠΈ разлСтаСтся Π½Π° куски. И ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡΠ΄Π΅Π»Π°Ρ‚ΡŒ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π½Ρ‹ΠΉ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ ΠΎΠ± ΠΈΡ… нСисправности, Π½Π΅ прибСгая ΠΊ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π°ΠΌ.

Π’ Π·Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ скаТСм, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π±ΡƒΠΊΠ²Ρ‹ MOS Π² Π°Π±Π±Ρ€Π΅Π²ΠΈΠ°Ρ‚ΡƒΡ€Π΅ MOSFET Ρ€Π°ΡΡˆΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ ΠΊΠ°ΠΊ Metal β€” Oxide β€” Semiconductor (ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π» – оксид – ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊ). Π’Π°ΠΊΠΎΠ²Π° структура ПВ – мСталличСский Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ (Β«ΠΊΡ€Π°Π½Β») ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»Π΅Π½ ΠΎΡ‚ ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° ΠΈΠ· ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠ° слоСм диэлСктрика (оксида крСмния).

НадСюсь, с Β«Ρ‚Ρ€ΡƒΠ±Π°ΠΌΠΈΒ», Β«ΠΊΡ€Π°Π½Π°ΠΌΠΈΒ» ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΡ‡Π΅ΠΉ «сантСхникой» Π²Ρ‹ сСгодня Ρ€Π°Π·ΠΎΠ±Ρ€Π°Π»ΠΈΡΡŒ.

Однако, тСория, ΠΊΠ°ΠΊ извСстно, Π±Π΅Π· ΠΏΡ€Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠΊΠΈ ΠΌΠ΅Ρ€Ρ‚Π²Π°! Надо ΠΎΠ±ΡΠ·Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΡΠΊΡΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Ρ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ с ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΈΠΊΠ°ΠΌΠΈ, ΠΏΠΎΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ€ΡΡ‚ΡŒΡΡ, ΠΏΠΎΠ²ΠΎΠ·ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ с ΠΈΡ… ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠΎΠΉ, ΠΏΠΎΡ‰ΡƒΠΏΠ°Ρ‚ΡŒ, Ρ‚Π°ΠΊ ΡΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚ΡŒ.

ΠšΡΡ‚Π°Ρ‚ΠΈ, ΠΊΡƒΠΏΠΈΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Π΅ транзисторы ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ .

Для ΠΎΠΏΡ‹Ρ‚Π° ΠΌΡ‹ возьмСм простой ΠΈ всСми Π½Π°ΠΌΠΈ Π»ΡŽΠ±ΠΈΠΌΡ‹ΠΉ транзистор КВ815Π‘:

Π‘ΠΎΠ±Π΅Ρ€Π΅ΠΌ Π·Π½Π°ΠΊΠΎΠΌΡƒΡŽ Π²Π°ΠΌ схСмку:


Для Ρ‡Π΅Π³ΠΎ я поставил ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ рСзистор, Ρ‡ΠΈΡ‚Π°Π΅ΠΌ .

На Bat1 Π²Ρ‹ΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽ напряТСниС Π² 2,5 Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π°. Если ΠΏΠΎΠ΄Π°Π²Π°Ρ‚ΡŒ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ 2,5 Π’ΠΎΠ»ΡŒΡ‚, Ρ‚ΠΎ Π»Π°ΠΌΠΏΠΎΡ‡ΠΊΠ° ΡƒΠΆΠ΅ ярчС Π³ΠΎΡ€Π΅Ρ‚ΡŒ Π½Π΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚. Π‘ΠΊΠ°ΠΆΠ΅ΠΌ Ρ‚Π°ΠΊ, это Π³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ†Π°, послС ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ дальнСйшСС ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСниС Π½Π° Π±Π°Π·Π΅ Π½Π΅ ΠΈΠ³Ρ€Π°Π΅Ρ‚ Π½ΠΈΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΉ Ρ€ΠΎΠ»ΠΈ Π½Π° силу Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π² Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ΅


На Bat2 я выставил 6 Π’ΠΎΠ»ΡŒΡ‚, хотя Π»Π°ΠΌΠΏΠΎΡ‡ΠΊΠ° Ρƒ мСня Π½Π° 12 Π’ΠΎΠ»ΡŒΡ‚. ΠŸΡ€ΠΈ 12 Π’ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ… транзистор Ρƒ мСня ΠΎΡ‰ΡƒΡ‚ΠΈΠΌΠΎ грСлся, ΠΈ я Π½Π΅ Ρ…ΠΎΡ‚Π΅Π» Π΅Π³ΠΎ ΡΠΏΠ°Π»ΠΈΡ‚ΡŒ. Π—Π΄Π΅ΡΡŒ ΠΌΡ‹ Π²ΠΈΠ΄ΠΈΠΌ, ΠΊΠ°ΠΊΡƒΡŽ силу Ρ‚ΠΎΠΊΠ° потрСбляСт наша Π»Π°ΠΌΠΏΠΎΡ‡ΠΊΠ° ΠΈ Π΄Π°ΠΆΠ΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅ΠΌ Ρ€Π°ΡΡΡ‡ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΡƒΡŽ ΠΎΠ½Π° потрСбляСт, ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ½ΠΎΠΆΠΈΠ² эти Π΄Π²Π° значСния.


Ну ΠΈ ΠΊΠ°ΠΊ Π²Ρ‹ Π²ΠΈΠ΄Π΅Π»ΠΈ, Π»Π°ΠΌΠΏΠΎΡ‡ΠΊΠ° Π³ΠΎΡ€ΠΈΡ‚ ΠΈ схСма Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚:


Но Ρ‡Ρ‚ΠΎ случится, Ссли ΠΌΡ‹ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΏΡƒΡ‚Π°Π΅ΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ ΠΈ эмиттСр? По Π»ΠΎΠ³ΠΈΠΊΠ΅, Ρƒ нас Ρ‚ΠΎΠΊ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ Ρ‚Π΅Ρ‡ΡŒ ΠΎΡ‚ эмиттСра ΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Ρƒ, ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΌΡƒ ΠΊΠ°ΠΊ Π±Π°Π·Ρƒ ΠΌΡ‹ Π½Π΅ Ρ‚Ρ€ΠΎΠ³Π°Π»ΠΈ, Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ ΠΈ эмиттСр состоят ΠΈΠ· N ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠ°.


Но Π½Π° ΠΏΡ€Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠΊΠ΅ Π»Π°ΠΌΠΏΠΎΡ‡ΠΊΠ° Π³ΠΎΡ€Π΅Ρ‚ΡŒ Π½Π΅ Ρ…ΠΎΡ‡Π΅Ρ‚.


ΠŸΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π±Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π½Π° Π±Π»ΠΎΠΊΠ΅ питания Bat2 ΠΊΠ°ΠΊΠΈΡ…-Ρ‚ΠΎ 10 ΠΌΠΈΠ»Π»ΠΈΠ°ΠΌΠΏΠ΅Ρ€. Π—Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚, Ρ‚ΠΎΠΊ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π»Π°ΠΌΠΏΠΎΡ‡ΠΊΡƒ всС-Ρ‚Π°ΠΊΠΈ Ρ‚Π΅Ρ‡Π΅Ρ‚, Π½ΠΎ ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ слабый.


ΠŸΠΎΡ‡Π΅ΠΌΡƒ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ транзистора Ρ‚ΠΎΠΊ Ρ‚Π΅Ρ‡Π΅Ρ‚ Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎ, Π° ΠΏΡ€ΠΈ Π½Π΅ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ Π½Π΅Ρ‚? Π”Π΅Π»ΠΎ всС Π² Ρ‚ΠΎΠΌ, транзистор Π΄Π΅Π»Π°ΡŽΡ‚ Π½Π΅ симмСтричным.


Π’ транзисторах ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΡŒ соприкосновСния ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° с Π±Π°Π·ΠΎΠΉ Π½Π°ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ большС, Ρ‡Π΅ΠΌ эмиттСра ΠΈ Π±Π°Π·Ρ‹. ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° элСктроны ΡƒΡΡ‚Ρ€Π΅ΠΌΠ»ΡΡŽΡ‚ΡΡ ΠΈΠ· эмиттСра ΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Ρƒ, Ρ‚ΠΎ ΠΏΠΎΡ‡Ρ‚ΠΈ всС ΠΎΠ½ΠΈ β€œΠ»ΠΎΠ²ΡΡ‚ΡΡβ€ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ, Π° ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° ΠΌΡ‹ ΠΏΡƒΡ‚Π°Π΅ΠΌ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρ‹, Ρ‚ΠΎ Π½Π΅ всС элСктроны ΠΈΠ· ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° β€œΠ»ΠΎΠ²ΡΡ‚ΡΡβ€ эмиттСром.

ΠšΡΡ‚Π°Ρ‚ΠΈ, Ρ‡ΡƒΠ΄ΠΎΠΌ Π½Π΅ ΠΏΡ€ΠΎΠ±ΠΈΠ»ΠΎ P-N ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ эмиттСр-Π±Π°Π·Π°, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ напряТСниС ΠΏΠΎΠ΄Π°Π²Π°Π»ΠΈ Π² ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ полярности. ΠŸΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ Π² Π΄Π°Ρ‚Π°ΡˆΠΈΡ‚Π΅ U Π­Π‘ макс . Для этого транзистора критичСскоС напряТСниС считаСтся 5 Π’ΠΎΠ»ΡŒΡ‚, Ρƒ нас ΠΆΠ΅ ΠΎΠ½ΠΎ Π±Ρ‹Π»ΠΎ Π΄Π°ΠΆΠ΅ Ρ‡ΡƒΡ‚ΡŒ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅:


Π˜Ρ‚Π°ΠΊ, ΠΌΡ‹ с Π²Π°ΠΌΠΈ ΡƒΠ·Π½Π°Π»ΠΈ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ ΠΈ эмиттСр Π½Π΅Ρ€Π°Π²Π½ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π½Ρ‹ . Если Π² схСмС ΠΌΡ‹ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΏΡƒΡ‚Π°Π΅ΠΌ эти Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρ‹, Ρ‚ΠΎ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·ΠΎΠΉΡ‚ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ±ΠΎΠΉ эмиттСрного ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° ΠΈ транзистор Π²Ρ‹ΠΉΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΈΠ· строя. Π’Π°ΠΊ Ρ‡Ρ‚ΠΎ, Π½Π΅ ΠΏΡƒΡ‚Π°ΠΉΡ‚Π΅ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρ‹ биполярного транзистора Π½ΠΈ Π² ΠΊΠΎΠ΅ΠΌ случаС!

Как ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρ‹ транзистора

Бпособ β„–1

Π”ΡƒΠΌΠ°ΡŽ, самый простой. Π‘ΠΊΠ°Ρ‡Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π° этот транзистор Π΄Π°Ρ‚Π°ΡˆΠΈΡ‚. Π’ ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠΌ Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ Π΄Π°Ρ‚Π°ΡˆΠΈΡ‚Π΅ Π΅ΡΡ‚ΡŒ рисуночСк с ΠΏΠΎΠ΄Ρ€ΠΎΠ±Π½Ρ‹ΠΌΠΈ надписями, Π³Π΄Π΅ ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΉ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄. Для этого Π²Π²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌ Π² Π³ΡƒΠ³Π» ΠΈΠ»ΠΈ яндСкс ΠΊΡ€ΡƒΠΏΠ½Π΅Π½ΡŒΠΊΠΈΠ΅ Ρ†ΠΈΡ„Π΅Ρ€ΠΊΠΈ ΠΈ Π±ΡƒΠΊΠΎΠ²ΠΊΠΈ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ написаны Π½Π° транзисторС, ΠΈ Ρ€ΡΠ΄Ρ‹ΡˆΠΊΠΎΠΌ добавляСм слово β€œΠ΄Π°Ρ‚Π°ΡˆΠΈΡ‚β€. Пока Π΅Ρ‰Π΅ Π½Π΅ Π±Ρ‹Π»ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ³ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ я Π½Π΅ отыскивал Π΄Π°Ρ‚Π°ΡˆΠΈΡ‚ Π½Π° ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΉ-Ρ‚ΠΎ радиоэлСмСнт.

Бпособ β„–2

Π”ΡƒΠΌΠ°ΡŽ, с поиском Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π° Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌ Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ½ΡƒΡ‚ΡŒ Π½Π΅ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½ΠΎ, Ссли ΡƒΡ‡Π΅ΡΡ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ транзистор состоит ΠΈΠ· Π΄Π²ΡƒΡ… Π΄ΠΈΠΎΠ΄ΠΎΠ², Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΈΠ»ΠΈ ΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ, ΠΈΠ»ΠΈ Π°Π½ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ:



Π—Π΄Π΅ΡΡŒ всС просто, ставим ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ Π½Π° Π·Π½Π°Ρ‡ΠΎΠΊ ΠΏΡ€ΠΎΠ·Π²ΠΎΠ½ΠΊΠΈ β€œ )))” ΠΈ Π½Π°Ρ‡ΠΈΠ½Π°Π΅ΠΌ ΠΏΡ€ΠΎΠ±ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ всС Π²Π°Ρ€ΠΈΠ°Ρ†ΠΈΠΈ, ΠΏΠΎΠΊΠ° Π½Π΅ Π½Π°ΠΉΠ΄Π΅ΠΌ эти Π΄Π²Π° Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π°. Π’Ρ‹Π²ΠΎΠ΄, Π³Π΄Π΅ эти Π΄ΠΈΠΎΠ΄Ρ‹ ΡΠΎΠ΅Π΄ΠΈΠ½ΡΡŽΡ‚ΡΡ Π»ΠΈΠ±ΠΎ Π°Π½ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ, Π»ΠΈΠ±ΠΎ ΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ – это ΠΈ Π΅ΡΡ‚ΡŒ Π±Π°Π·Π°. Π§Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Π½Π°ΠΉΡ‚ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ ΠΈ эмиттСр, сравниваСм ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСниС Π½Π° этих Π΄Π²ΡƒΡ… Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π°Ρ…. ΠœΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ ΠΎΠΌ ΠΎΠ½ΠΎ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½ΠΎ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ мСньшС, Ρ‡Π΅ΠΌ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ эмиттСром ΠΈ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ. Π”Π°Π²Π°ΠΉΡ‚Π΅ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΈΠΌ, Ρ‚Π°ΠΊ Π»ΠΈ это?

Для Π½Π°Ρ‡Π°Π»Π° рассмотрим транзистор КВ315Π‘:

Π­ – эмиттСр

К – ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€

Π‘ – Π±Π°Π·Π°

Π‘Ρ‚Π°Π²ΠΈΠΌ ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ Π½Π° ΠΏΡ€ΠΎΠ·Π²ΠΎΠ½ΠΊΡƒ ΠΈ Π±Π°Π·Ρƒ Π½Π°Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌ Π±Π΅Π· ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌ. Π’Π΅ΠΏΠ΅Ρ€ΡŒ замСряСм ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния Π½Π° ΠΎΠ±ΠΎΠΈΡ… ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π°Ρ…. ПадСниС напряТСния Π½Π° Π±Π°Π·Π΅-эмиттСрС 794 ΠΌΠΈΠ»Π»ΠΈΠ²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚


ПадСниС напряТСния Π½Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π΅-Π±Π°Π·Π΅ 785 ΠΌΠΈΠ»Π»ΠΈΠ²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚. ΠœΡ‹ ΡƒΠ±Π΅Π΄ΠΈΠ»ΠΈΡΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ мСньшС, Ρ‡Π΅ΠΌ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ эмиттСром ΠΈ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ. Π‘Π»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, срСдний синий Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ – это ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€, Π° красный слСва – эмиттСр.


ΠŸΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΈΠΌ Π΅Ρ‰Π΅ транзистор КВ805АМ. Π’ΠΎΡ‚ Π΅Π³ΠΎ Ρ†ΠΎΠΊΠΎΠ»Π΅Π²ΠΊΠ° (располоТСниС Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠ²):


Π­Ρ‚ΠΎ Ρƒ нас транзистор структуры NPN. ΠŸΡ€Π΅Π΄ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΠΌ, Π±Π°Π·Ρƒ нашли (красный Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄). Π£Π·Π½Π°Π΅ΠΌ, Π³Π΄Π΅ Ρƒ Π½Π΅Π³ΠΎ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€, Π° Π³Π΄Π΅ эмиттСр.

Π”Π΅Π»Π°Π΅ΠΌ ΠΏΠ΅Ρ€Π²Ρ‹ΠΉ Π·Π°ΠΌΠ΅Ρ€.


Π”Π΅Π»Π°Π΅ΠΌ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ Π·Π°ΠΌΠ΅Ρ€:


Π‘Π»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, срСдний синий Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ – это ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€, Π° ΠΆΠ΅Π»Ρ‚Ρ‹ΠΉ слСва – эмиттСр.

ΠŸΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΈΠΌ Π΅Ρ‰Π΅ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ транзистор – КВ814Π‘. Он Ρƒ нас PNP структуры. Π‘Π°Π·Π° Ρƒ Π½Π΅Π³ΠΎ – синий Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄. ЗамСряСм напряТСниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ синим ΠΈ красным Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ:


Π° ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΌ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ синим ΠΈ ΠΆΠ΅Π»Ρ‚Ρ‹ΠΌ:


Π’ΠΎ Ρ„Π°ΠΊ! И Ρ‚Π°ΠΌ ΠΈ Ρ‚Π°ΠΌ 720 ΠΌΠΈΠ»Π»ΠΈΠ²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚.

Π­Ρ‚ΠΎΡ‚ способ этому транзистору Π½Π΅ ΠΏΠΎΠΌΠΎΠ³. Ну Π½Π΅ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠ²Π°ΠΉΡ‚Π΅, для этого Π΅ΡΡ‚ΡŒ Ρ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΠΈΠΉ способ…

Бпособ β„–3

ΠŸΠΎΡ‡Ρ‚ΠΈ Π² ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠΌ соврСмСнном Π΅ΡΡ‚ΡŒ 6 ΠΌΠ°Π»Π΅Π½ΡŒΠΊΠΈΡ… отвСрстий, ΠΈ рядом ΠΊΠ°ΠΊΠΈΠ΅-Ρ‚ΠΎ Π±ΡƒΠΊΠΎΠ²ΠΊΠΈ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ-Ρ‚ΠΎ Ρ‚ΠΈΠΏΠ° NPN, PNP, E, C, B. Π’ΠΎΡ‚ эти ΡˆΠ΅ΡΡ‚ΡŒ ΠΊΡ€ΠΎΡ…ΠΎΡ‚Π½Ρ‹Ρ… отвСрстий ΠΊΠ°ΠΊ Ρ€Π°Π· ΠΈ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π½Π°Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½Ρ‹ для Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Π·Π°ΠΌΠ΅Ρ€ΡΡ‚ΡŒ . Π― ΠΆΠ΅ эти отвСрстия Π±ΡƒΠ΄Ρƒ Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ Π΄Ρ‹Ρ€ΠΊΠ°ΠΌΠΈ. На отвСрстия ΠΎΠ½ΠΈ Π½Π΅ ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ ΠΏΠΎΡ…ΠΎΠΆΠΈ))).

Π‘Ρ‚Π°Π²ΠΈΠΌ ΠΊΡ€ΡƒΡ‚ΠΈΠ»ΠΊΡƒ ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π° Π½Π° Π·Π½Π°Ρ‡ΠΎΠΊ β€œh FE β€œ.

ΠžΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΠ΅ΠΌ ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΉ ΠΎΠ½ проводимости, Ρ‚ΠΎ Π΅ΡΡ‚ΡŒ NPN ΠΈΠ»ΠΈ PNP, Π² Ρ‚Π°ΠΊΡƒΡŽ ΡΠ΅ΠΊΡ†ΠΈΡŽ Π΅Π³ΠΎ ΠΈ Ρ‚ΠΎΠ»ΠΊΠ°Π΅ΠΌ. ΠŸΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ опрСдСляСм располоТСниСм Π΄ΠΈΠΎΠ΄ΠΎΠ² Π² транзисторС, Ссли Π½Π΅ ΠΏΠΎΠ΄Π·Π°Π±Ρ‹Π»ΠΈ. Π‘Π΅Ρ€Π΅ΠΌ наш транзистор, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ Π² ΠΎΠ±Π΅ стороны ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π» ΠΎΠ΄ΠΈΠ½Π°ΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ΅ ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния Π½Π° ΠΎΠ±ΠΎΠΈΡ… P-N ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π°Ρ…, ΠΈ суСм Π±Π°Π·Ρƒ Π² Ρ‚Ρƒ Π΄Ρ‹Ρ€ΠΎΡ‡ΠΊΡƒ, Π³Π΄Π΅ Π±ΡƒΠΊΠΎΠ²ΠΊΠ° β€œΠ’β€.



Π‘Π°Π·Ρƒ Π½Π΅ Ρ‚Ρ€ΠΎΠ³Π°Π΅ΠΌ, Π° Ρ‚ΡƒΠΏΠΎ мСняСм мСстами Π΄Π²Π° Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°. Опа-Π½Π°, ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΊ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π» Π½Π°ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ большС, Ρ‡Π΅ΠΌ Π² ΠΏΠ΅Ρ€Π²Ρ‹ΠΉ Ρ€Π°Π·. Π‘Π»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, Π² Π΄Ρ‹Ρ€ΠΎΡ‡ΠΊΠ΅ Π• находится Π² настоящСС врСмя эмиттСр, Π° Π² Π΄Ρ‹Ρ€ΠΎΡ‡ΠΊΠ΅ Π‘ – ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€. ВсС элСмСнтарно ΠΈ просто;-).


Бпособ β„–4

Π”ΡƒΠΌΠ°ΡŽ, являСтся самым Π»Π΅Π³ΠΊΠΈΠΌ ΠΈ Ρ‚ΠΎΡ‡Π½Ρ‹ΠΌ способом ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠΈ распиновки транзистора. Для этого достаточно приобрСсти Π£Π½ΠΈΠ²Π΅Ρ€ΡΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ R/L/C/Transistor-metr ΠΈ ΡΡƒΠ½ΡƒΡ‚ΡŒ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρ‹ транзистора Π² ΠΊΠ»Π΅ΠΌΠΌΡ‹ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π°:


Он сразу Π²Π°ΠΌ ΠΏΠΎΠΊΠ°ΠΆΠ΅Ρ‚, ΠΆΠΈΠ² Π»ΠΈ ваш транзистор. И Ссли ΠΎΠ½ ΠΆΠΈΠ², Ρ‚ΠΎ выдаст Π΅Π³ΠΎ распиновку.

Radartutorial

ΠŸΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Π΅ транзисторы

ΠšΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€

Π‘Π°Π·Π°

Π­ΠΌΠΈΡ‚Ρ‚Π΅Ρ€

Π‘Ρ‚ΠΎΠΊ

Π—Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€

Π˜ΡΡ‚ΠΎΠΊ

Рисунок 1: Π‘Ρ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠΉ JFET ΠΈ транзистора

ΠšΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€

Π‘Π°Π·Π°

Π­ΠΌΠΈΡ‚Ρ‚Π΅Ρ€

Π‘Ρ‚ΠΎΠΊ

Π—Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€

Π˜ΡΡ‚ΠΎΠΊ

Рисунок 1: Π‘Ρ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠΉ JFET ΠΈ транзистора

НСсмотря Π½Π° Ρ€Π΅Π²ΠΎΠ»ΡŽΡ†ΠΈΡŽ Π² Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠ΅ элСктронного оборудования, биполярный (НПН/ПНП) Ρƒ транзистора Π΅ΡΡ‚ΡŒ Π΅Ρ‰Π΅ ΠΎΠ΄Π½Π° ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ Π½Π΅ΠΆΠ΅Π»Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Π°Ρ характСристика. Низкий Π²Ρ…ΠΎΠ΄ импСданс, связанный с ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ Π±Π°Π·Π°-эмиттСр, Π²Ρ‹Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌΡ‹ с согласованиСм импСдансов ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ мСТкаскадными усилитСлями. Π’ ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ ΠΎΡ‚ биполярного транзистора, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ Ρ‚ΠΎΠΊ смСщСния ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ ΠΈ эмиттСром для управлСния ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ, F ΠΏΠΎΠ»Π΅ E эффСкт T транзистор ( FET ) ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ напряТСниС для управлСния элСктростатичСским ΠΏΠΎΠ»Π΅ΠΌ Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€ΠΈ транзистора.

Π­Π»Π΅ΠΌΠ΅Π½Ρ‚Ρ‹ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΈΠΏΠ° ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора, Ρ‚ΠΈΠΏΠ° j ( JFET ), ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Ρ‹ Π½Π° рисункС 1. Π­Π»Π΅ΠΌΠ΅Π½Ρ‚ Β«Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Β» ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора JFET Π² Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅ ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ Π±Π»ΠΈΠ·ΠΊΠΎ соотвСтствуСт Π±Π°Π·Π° биполярного транзистора. Π­Π»Π΅ΠΌΠ΅Π½Ρ‚Ρ‹ «исток» ΠΈ «сток» JFET ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚ эмиттСру ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Ρƒ транзистора.

Рис. Рис.

ΠšΠΎΠ½ΡΡ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ†ΠΈΡ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора JFET ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Π° Π½Π° рис. 2. Бплошной ΡΡ‚Π΅Ρ€ΠΆΠ΅Π½ΡŒ, Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ ΠΈΠ· n-Ρ‚ΠΈΠΏΠ° ΠΈΠ»ΠΈ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π» Ρ€-Ρ‚ΠΈΠΏΠ°, Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚ основной корпус устройства. РассСянный Π² ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠΉ сторонС этого Π±Π°Ρ€Π° ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‚ собой Π΄Π²Π΅ Π·Π°Π»Π΅ΠΆΠΈ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π° ΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²ΠΎΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΈΠΏΠ° ΠΈΠ· Π±Π°Ρ€ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π°, ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ «Π²ΠΎΡ€ΠΎΡ‚Π°». Π§Π°ΡΡ‚ΡŒ стСрТня ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ отлоТСниями Π»ΠΈΡ‚Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π° ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ мСньшСго ΠΏΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ сСчСния, Ρ‡Π΅ΠΌ ΠΎΡΡ‚Π°Π»ΡŒΠ½Π°Ρ Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒ стСрТня, ΠΈ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΡƒΠ΅Ρ‚ Β«ΠΊΠ°Π½Π°Π»Β», ΡΠΎΠ΅Π΄ΠΈΠ½ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΉ источник ΠΈ сток. На рис. 2 ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ брусок ΠΈΠ· ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π° n-Ρ‚ΠΈΠΏΠ°. ΠΈ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ ΠΈΠ· ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π° Ρ€-Ρ‚ΠΈΠΏΠ°. ΠŸΠΎΡ‚ΠΎΠΌΡƒ Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π» Π½Π° ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π΅ n-Ρ‚ΠΈΠΏ, устройство называСтся N-ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ JFET .

Π’ P-канальном JFET ΠΊΠ°Π½Π°Π» Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½ ΠΈΠ· p-Ρ‚ΠΈΠΏΠ° ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π» ΠΈ Π²ΠΎΡ€ΠΎΡ‚Π° ΠΈΠ· ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π° n-Ρ‚ΠΈΠΏΠ°. Как ΠΈ Ρ‚ΠΈΠΏΡ‹ биполярных транзисторов, Π΄Π²Π° Ρ‚ΠΈΠΏΠ° JFET ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ ΠΊΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΠ΅ΠΉ Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Ρ… напряТСний смСщСния ΠΈ Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ стрСлки Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€ΠΈ символа. Как ΠΈ Π² символах биполярных транзисторов, стрСлка Π² символС JFET всСгда ΡƒΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ Π½Π° ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π» n-Ρ‚ΠΈΠΏΠ°. Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, символ N-канального JFET ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ стрСлку, ΡƒΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‰ΡƒΡŽ Π½Π° сток/исток. ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π°, Ρ‚ΠΎΠ³Π΄Π° ΠΊΠ°ΠΊ символ P-ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ стрСлку, ΡƒΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‰ΡƒΡŽ Π² сторону ΠΎΡ‚ ΠΊΠ°Π½Π°Π» сток/исток ΠΏΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΡŽ ΠΊ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Ρƒ.

Π Π°Π±ΠΎΡ‚Π° ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора

ΠšΠ»ΡŽΡ‡ΠΎΠΌ ΠΊ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора являСтся эффСктивная ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΡŒ ΠΏΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ сСчСния ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π°, которая ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡ‚ΡŒΡΡ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ напряТСния, ΠΏΠΎΠ΄Π°Π²Π°Π΅ΠΌΠΎΠ³ΠΎ Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€. Π­Ρ‚ΠΎ продСмонстрировано Π½Π° ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ… рисунках.

Рис.Рис.

Drain

GATE

Π˜ΡΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊ

V DD =+5V

Π˜ΡΡ‚ΠΎΡ‰Π΅Π½ΠΈΠ΅
Π Π΅Π³ΠΈΠΎΠ½Π°

Рисунок 3: Π Π°Π±ΠΎΡ‚Π° JFET с ноль -Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ

DRAIN

Source

V 1 = DD

4

V 1 =1 =11111111. 5Π’

Π’ Π“Π“ =-1Π’

истощСниС
ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ

Рис. 4: JFET с ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΌ смСщСниСм
Β 

На рис. 3 ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ, ΠΊΠ°ΠΊ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ JFET Π² условиях Π½ΡƒΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ смСщСния Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π°. ΠŸΡΡ‚ΡŒ Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚ Π΅ΡΡ‚ΡŒ примСняСтся Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· JFET, Ρ‚Π°ΠΊ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊ Ρ‚Π΅Ρ‡Π΅Ρ‚ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΡΡ‚Π΅Ρ€ΠΆΠ΅Π½ΡŒ ΠΎΡ‚ истока ΠΊ стоку. Π’Π΅Ρ€ΠΌΠΈΠ½Π°Π» Π²ΠΎΡ€ΠΎΡ‚ привязан ΠΊ Π·Π΅ΠΌΠ»Π΅. Π­Ρ‚ΠΎ условиС Π½ΡƒΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ смСщСния Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π°. Π’ этом состоянии типичная полоса соотвСтствуСт ΡΠΎΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΡŽ ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 500 Ом. ΠœΠΈΠ»Π»ΠΈΠ°ΠΌΠΏΠ΅Ρ€ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€, соСдинСнный ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ с Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ стока ΠΈ источником постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ количСство Ρ‚Π΅ΠΊΡƒΡ‰Π΅Π³ΠΎ ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΊΠ°. Π‘ΠΎ сливным ΠΏΠΎΠ΄Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ (Π’ DD ) 5 Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚, ΠΌΠΈΠ»Π»ΠΈΠ°ΠΌΠΏΠ΅Ρ€ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ Π΄Π°Π΅Ρ‚ Ρ‚ΠΎΠΊ стока (I D ) ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΈΠ΅ 10 ΠΌΠΈΠ»Π»ΠΈΠ°ΠΌΠΏΠ΅Ρ€. НапряТСниС ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊ Π½ΠΈΠΆΠ½ΠΈΠ΅ Π±ΡƒΠΊΠ²Ρ‹ (V DD , I D ), ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Π΅ для ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора, ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚ элСмСнтов ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора Ρ‚Π°ΠΊ ΠΆΠ΅, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΈ для элСмСнтов транзисторов.

На рис. 4 Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора подаСтся нСбольшоС напряТСниС ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ смСщСния. НапряТСниС Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€-исток (V GG ) ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ 1Β Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π°, ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½Π½ΠΎΠ΅ ΠΊ транзистору p-Ρ‚ΠΈΠΏΠ°. ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π» Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ Ρ‚ΠΎΠΌΡƒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ соСдинСниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π°ΠΌΠΈ p- ΠΈ n-Ρ‚ΠΈΠΏΠ° ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΌ смСщСниСм. Π’Π°ΠΊ ΠΆΠ΅, ΠΊΠ°ΠΊ это Π±Ρ‹Π»ΠΎ Π² Π²Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΉ Π΄ΠΈΠΎΠ΄, условиС ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ смСщСния Π²Ρ‹Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ Β«ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ истощСния» Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ Π²ΠΎΠΊΡ€ΡƒΠ³ p-n ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора. ΠŸΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ этот Ρ€Π΅Π³ΠΈΠΎΠ½ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ количСство носитСлСй Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, эффСкт ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ смСщСния Π·Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ Π² ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ΠΈΠΈ эффСктивного ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΡŒ ΠΏΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ сСчСния Β«ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π°Β». Π­Ρ‚ΠΎ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΠΈ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°Π΅Ρ‚ сопротивлСниС исток-сток устройства ΠΈ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Π΅Ρ‚ Ρ‚ΠΎΠΊ.

ΠŸΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ достаточно большого ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния ΠΊ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Ρƒ Π²Ρ‹Π·ΠΎΠ²Π΅Ρ‚ истощСниС ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ становится Π½Π°ΡΡ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ большой, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΡΡ‚Π΅Ρ€ΠΆΠ΅Π½ΡŒ ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ прСкращаСтся. напряТСниС, Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΠ΅ для ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° стока (I D ) Π΄ΠΎ нуля, называСтся напряТСниС «отсСчки» ΠΈ сравнимо с напряТСниСм «отсСчки» Π² Π²Π°ΠΊΡƒΡƒΠΌΠ΅ Ρ‚Ρ€ΡƒΠ±ΠΊΠ°. На рисункС 4 ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ 1Β Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚, хотя ΠΈ нСдостаточно большой, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΏΡ€Π΅ΠΊΡ€Π°Ρ‰Π΅Π½ΠΈΠ΅ проводимости, ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π»ΠΎ ΠΊ Π·Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Π½ΠΎΠΌΡƒ сниТСнию Ρ‚ΠΎΠΊΠ° стока (с 10 ΠΌΠΈΠ»Π»ΠΈΠ°ΠΌΠΏΠ΅Ρ€ Π² условиях Π½ΡƒΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ смСщСния Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° Π΄ΠΎ 5 мА). РасчСт ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ 1-Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ смСщСниС Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ»ΠΎ сопротивлСниС JFET (с 500 Ом Π΄ΠΎ 1 кОм). Π’ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΡ… Π”Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠΌΠΈ словами, ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° Π½Π° 1 Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚ ΡƒΠ΄Π²ΠΎΠΈΠ»ΠΎ сопротивлСниС устройства ΠΈ сократило Ρ‚Π΅ΠΊΡƒΡ‰ΠΈΠΉ расход ΠΏΠΎΠΏΠΎΠ»Π°ΠΌ.

Π­Ρ‚ΠΈ измСрСния, ΠΎΠ΄Π½Π°ΠΊΠΎ, ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Ρ‚ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ JFET Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΈΡ‡Π½ΠΎ биполярный транзистор, хотя устроСны ΠΎΠ½ΠΈ ΠΏΠΎ-Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΠΌΡƒ. Как Π±Ρ‹Π»ΠΎ сказано Ρ€Π°Π½Π΅Π΅, ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹ΠΌ прСимущСством ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора являСтся Ρ‚ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π΅Π³ΠΎ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅, Ρ‡Π΅ΠΌ Ρƒ биполярный транзистор. Π‘ΠΎΠ»Π΅Π΅ высокий Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ импСданс JFET ΠΏΡ€ΠΈ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΌ смСщСнии Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° условия ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡƒΠ²ΠΈΠ΄Π΅Ρ‚ΡŒ, ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΠ² ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠ°ΠΌΠΏΠ΅Ρ€ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ с напряТСниСм Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€-исток (Π’ Π“Π“ ). ΠŸΡ€ΠΈ V GG Π½Π° 1 Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚ ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠ°ΠΌΠΏΠ΅Ρ€ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ 0,5 ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠ°ΠΌΠΏΠ΅Ρ€. ΠŸΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π·Π°ΠΊΠΎΠ½Π° Ома (1 Π’ / 0,5 мкА) ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ это ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ малСнькоС количСство ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ высокому Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌΡƒ ΡΠΎΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΡŽ (ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 2 МОм). Напротив, биполярный транзистор Π² Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… ΠΎΠ±ΡΡ‚ΠΎΡΡ‚Π΅Π»ΡŒΡΡ‚Π²Π°Ρ… ΠΏΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅Ρ‚ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ высокой мощности. Ρ‚ΠΎΠΊ (Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, ΠΎΡ‚ 0,1 Π΄ΠΎ -1 мА), Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ Π³ΠΎΡ€Π°Π·Π΄ΠΎ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠΌΡƒ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌΡƒ импСдансу (ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 1000 Ом ΠΈΠ»ΠΈ ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅). Π’ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ΅Π½ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ высокий Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ импСданс JFET. ΠΈΠ·-Π·Π° Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, ΠΊΠ°ΠΊ напряТСниС Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ смСщСния влияСт Π½Π° ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΡŒ ΠΏΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ сСчСния ΠΊΠ°Π½Π°Π».

Π’ ΠΏΡ€Π΅Π΄Ρ‹Π΄ΡƒΡ‰Π΅ΠΌ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π΅ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ JFET ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ N-ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ JFET. Однако, P-ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ JFET Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ Π½Π° Ρ‚Π΅Ρ… ΠΆΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΠ°Ρ…. ΠŸΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Π΅ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Ρ‹ Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ полоса ΠΈ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ помСнялись мСстами, Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΏΠΎΠΌΠ΅Π½ΡΡ‚ΡŒ мСстами ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»Ρ‹ напряТСния источника. ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ P-ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ JFET Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅Ρ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ напряТСниС Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° Π±Ρ‹Π»ΠΎ смСщСно Π² ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΌ Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ. ΠΏΠΎ Π½Π΅ΠΌΡƒ Ρ‚Π΅Ρ‡Π΅Ρ‚ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΎΡ‚ стока ΠΊ истоку.

ΠŸΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ JFET

Π²

Π²Ρ‹Ρ…

Рис. 5: Π£ΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ истоком Π½Π° JFET

Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅

Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅

Рис. 5: Π£ΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ истоком Π½Π° ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторах

На рис. 5 ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Π° базовая схСма усилитСля с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ истоком, содСрТащая N-ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ JFET. Π₯арактСристики этой схСмы Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΡŽΡ‚ высокий Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ импСданс ΠΈ высокий коэффициСнт усилСния ΠΏΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ. Ѐункция ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ² схСмы Π² этом рисунок ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ ΠΏΠΎΡ…ΠΎΠΆ Π½Π° рисунок Π² схСмС усилитСля с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ ΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ Π½Π° Ρ‚Ρ€ΠΈΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ элСктронной Π»Π°ΠΌΠΏΠ΅. C1 ΠΈ C3 β€” Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ ΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ кондСнсаторы. R1 β€” рСзистор Π²ΠΎΠ·Π²Ρ€Π°Ρ‚Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π°. Π­Ρ‚ΠΎ Π΄Π΅Π»Π°Π΅Ρ‚ Π²ΠΎΡ€ΠΎΡ‚Π° ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ ΠΏΠΎ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΡŽ ΠΊ источнику. Π­Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€Π΅Π΄ΠΎΡ‚Π²Ρ€Π°Ρ‰Π°Π΅Ρ‚ Π½Π΅ΠΆΠ΅Π»Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ Π½Π°ΠΊΠΎΠΏΠ»Π΅Π½ΠΈΠ΅ заряда Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π΅ Π·Π° счСт ΠΊΡ€ΠΎΠΌΠ΅ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, обСспСчивая ΠΏΡƒΡ‚ΡŒ разряда для C1. R2 ΠΈ C2 ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ самосмСщСниС истока для JFET. ПадСниС напряТСния Π½Π° R2 Π΄Π΅Π»Π°Π΅Ρ‚ источник Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ, Ρ‡Π΅ΠΌ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ Π·Π΅ΠΌΠ»ΠΈ. C2 позволяСт ΠΈΠ·Π±Π΅ΠΆΠ°Ρ‚ΡŒ эффСкта ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ связи R2. R3 β€” это рСзистор Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ стока, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ дСйствуСт ΠΊΠ°ΠΊ рСзистор Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°.

U out

t

U in

t

Рис. 6: УсилитСли Π½Π° ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторах с Ρ„Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΌ сдвигом

Π€Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ сдвиг Π½Π° 180 градусов ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ ΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ сигналами Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΉ ΠΆΠ΅, ΠΊΠ°ΠΊ Ρƒ схСмы Π½Π° транзисторах с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром. ΠŸΡ€ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρƒ Ρ„Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ сдвига Π»Π΅Π³ΠΊΠΎ ΡƒΠ²ΠΈΠ΄Π΅Ρ‚ΡŒ ΠΏΠΎ наблюдСниС Π·Π° Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΎΠΉ N-канального ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора. ΠŸΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠΈ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ сигнала Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π° ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ смСщСния Π½Π° p-Ρ‚ΠΈΠΏΠ΅ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π» Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Π΅Ρ‚ΡΡ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°Π΅Ρ‚ ΡΡ„Ρ„Π΅ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΡƒΡŽ ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΡŒ ΠΏΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ сСчСния ΠΊΠ°Π½Π°Π» ΠΈ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ сопротивлСния исток-сток. Когда сопротивлСниС ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Π΅Ρ‚ΡΡ, Ρ‚ΠΎΠΊ Ρ‚Π΅Ρ‡Π΅Ρ‚ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· JFET увСличиваСтся. Π­Ρ‚ΠΎ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΡŽ падСния напряТСния Π½Π° рСзисторС R3. Ρ‡Ρ‚ΠΎ, Π² свою ΠΎΡ‡Π΅Ρ€Π΅Π΄ΡŒ, ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ΠΈΡŽ напряТСния стока. ΠŸΡ€ΠΈ ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠΈ Ρ†ΠΈΠΊΠ», Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π° ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ смСщСния Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π΅ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора увСличиваСтся, ΠΈ дСйствиС Ρ†Π΅ΠΏΡŒ обратная. Π’ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ получаСтся Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ сигнал, усилСнный ВСрсия Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ сигнала со сдвигом ΠΏΠΎ Ρ„Π°Π·Π΅ Π½Π° 180 градусов.

U out

t

U in

t

Рис. 6: УсилитСли Π½Π° ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторах с Ρ„Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΌ сдвигом

Π§Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ транзистор? (ΠžΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅, ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹, ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€)

Вранзисторы ΠΈΠ·Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²Π»Π΅Π½Ρ‹ ΠΈΠ· Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ², ΠΊΠ°ΠΊ ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠΉ ΠΈΠ»ΠΈ Π³Π΅Ρ€ΠΌΠ°Π½ΠΈΠΉ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ способны ΠΏΡ€ΠΎΠΏΡƒΡΠΊΠ°Ρ‚ΡŒ элСктричСский Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹ΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ. ΠœΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Ρ‹ транзисторов Π»Π΅Π³ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Ρ‹ ΠΈΠ»ΠΈ Β«ΠΎΠ±Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π½Ρ‹Β» примСсями для создания структуры, Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅ΠΌΠΎΠΉ p-n ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ. Π’ этом случаС Β«pΒ» ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚, Π° Β«nΒ» β€” ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ. Π­Ρ‚ΠΈ обозначСния относятся ΠΊ Ρ‚ΠΈΠΏΡƒ Π»Π΅Π³ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ… Π°Ρ‚ΠΎΠΌΠΎΠ² (примСсСй), Π΄ΠΎΠ±Π°Π²Π»Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… Π² ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π».

НаиболСС распространСнным Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠΌ транзистора являСтся ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠΉ транзистор ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»-оксид-ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊ (MOSFET), ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ Π² элСктронных устройствах, Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… ΠΊΠ°ΠΊ ΠΊΠΎΠΌΠΏΡŒΡŽΡ‚Π΅Ρ€Ρ‹, смартфоны ΠΈ Ρ‚Π΅Π»Π΅Π²ΠΈΠ·ΠΎΡ€Ρ‹.

ΠšΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Ρ‹ транзистора

Вранзистор состоит ΠΈΠ· Ρ‚Ρ€Π΅Ρ… основных частСй: эмиттСра, Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°. Π­ΠΌΠΈΡ‚Ρ‚Π΅Ρ€ слуТит источником элСктронов, ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ — стоком, Π° Π±Π°Π·Π° — Ρ‚Π΅Ρ€ΠΌΠΈΠ½Π°Π»ΠΎΠΌ управлСния.

Π•Ρ‰Π΅ ΠΎΡ‚ этого экспСртаЧто Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ диэлСктричСская ΠΏΡ€ΠΎΠ½ΠΈΡ†Π°Π΅ΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ?

Β 

Как Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽΡ‚ транзисторы?

Когда нСбольшой Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Π΅Ρ‚ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π±Π°Π·Ρƒ, ΠΎΠ½ управляСт ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ Π³ΠΎΡ€Π°Π·Π΄ΠΎ большСго Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ эмиттСром ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ. Π­Ρ‚ΠΎ связано с Ρ‚Π΅ΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ Π±Π°Π·Π°-эмиттСр смСщСн Π² прямом Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ позволяСт элСктронам Ρ‚Π΅Ρ‡ΡŒ ΠΎΡ‚ эмиттСра ΠΊ Π±Π°Π·Π΅. ΠŸΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ Π±Π°Π·Π°-ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠ΅ смСщСниС, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ элСктроны Π½Π΅ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Ρ‚Π΅Ρ‡ΡŒ ΠΎΡ‚ Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Ρƒ. Однако, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π±Π°Π·Ρƒ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Π΅Ρ‚ Ρ‚ΠΎΠΊ, ΠΎΠ½ ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ Π±Π°Π·Π°-ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ ΠΈ позволяСт элСктронам Ρ‚Π΅Ρ‡ΡŒ ΠΎΡ‚ эмиттСра ΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Ρƒ.

Π­Ρ‚ΠΎΡ‚ процСсс позволяСт Π±Π°Π·Π΅ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ эмиттСром ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ, поэтому ΠΌΡ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ΅ΠΌ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ транзистор Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹ΠΌΠΈ способами.

Виповая структура транзистора, состоящСго ΠΈΠ· эмиттСра, ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΈ Π±Π°Π·Ρ‹. | Π˜Π·ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅: Shutterstock

Β 

ΠŸΠΎΡ‡Π΅ΠΌΡƒ ΠΌΡ‹ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌ транзисторы?

Вранзистор ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π΄Π΅ΠΉΡΡ‚Π²ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ ΠΈΠ»ΠΈ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ для элСктронных сигналов. На ΠΏΡ€Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠΊΠ΅ это ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΌΡ‹ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌ транзисторы Π² качСствС элСктронных ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΡŽΡ‚ ΠΈΠ»ΠΈ Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΡŽΡ‚ элСктронныС схСмы. Π­Ρ‚ΠΎ основная функция, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΡƒΡŽ ΠΌΡ‹ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌ Π² Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… логичСских схСмах, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, Π² ΠΊΠΎΠΌΠΏΡŒΡŽΡ‚Π΅Ρ€Π°Ρ…, Π³Π΄Π΅ ΠΌΡ‹ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌ транзисторы для прСдставлСния Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ† ΠΈ Π½ΡƒΠ»Π΅ΠΉ Π΄Π²ΠΎΠΈΡ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΠΎΠ΄Π°.

ΠœΡ‹ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅ΠΌ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ транзисторы для управлСния ΠΏΠΈΡ‚Π°Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… элСктронных ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ². Вранзистор дСйствуСт ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ для Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ ΠΈ Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°. ΠšΡ€ΠΎΠΌΠ΅ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, ΠΌΡ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ΅ΠΌ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ транзисторы для Ρ€Π΅Π³ΡƒΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠΈ уровня напряТСния, Ρ‡Ρ‚ΠΎ позволяСт эффСктивно ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π² элСктронных устройствах.

Одним ΠΈΠ· Π½Π°ΠΈΠ±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Π²Π°ΠΆΠ½Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΉ транзисторов являСтся ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ. ΠœΡ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ΅ΠΌ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ транзисторы для усилСния слабых сигналов, Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… ΠΊΠ°ΠΊ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ сигнал ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΡ„ΠΎΠ½Π°, Π΄ΠΎ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ΠΉ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡ‚ΡŒ Π³Ρ€ΠΎΠΌΠΊΠΎΠ³ΠΎΠ²ΠΎΡ€ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΌ.

Вранзисторы: ΠΊΠ°ΠΊ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽΡ‚ транзисторы. | Π’ΠΈΠ΄Π΅ΠΎ: ΠžΠ±Ρ€Π°Π· ΠΌΡ‹ΡˆΠ»Π΅Π½ΠΈΡ ΠΈΠ½ΠΆΠ΅Π½Π΅Ρ€ΠΎΠ²

Β 

КакиС ΡΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚ Π΄Π²Π° основных Ρ‚ΠΈΠΏΠ° транзисторов?

BJT

Π’ BJT ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ Π±Π°Π·Π°-эмиттСр смСщСн Π² прямом Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ нСбольшим Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ. Π­Ρ‚Π° конфигурация позволяСт элСктронам Ρ‚Π΅Ρ‡ΡŒ ΠΎΡ‚ эмиттСра ΠΊ Π±Π°Π·Π΅. ΠŸΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ Π±Π°Π·Π°-ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠ΅ смСщСниС, Ρ‚Π΅ΠΌ самым дСйствуя ΠΊΠ°ΠΊ Π±Π°Ρ€ΡŒΠ΅Ρ€ для ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΊΠ° элСктронов. Однако ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ Π±Π°Π·Π°-эмиттСр с прямым смСщСниСм позволяСт Π½Π΅Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΎΠΌΡƒ количСству элСктронов ΠΏΡ€ΠΎΡ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ Π±Π°Π·Π°-ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€. Π­Ρ‚ΠΎΡ‚ процСсс создаСт нСбольшой Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠ»Π΅ΠΌΠΌΠ°ΠΌΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΈ эмиттСра, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ контролируСтся Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ.

Π₯ΠΎΡ‚ΠΈΡ‚Π΅ ΡƒΠ·Π½Π°Ρ‚ΡŒ большС ΠΎ Ρ„ΠΈΠ·ΠΈΠΊΠ΅? ΠœΡ‹ вас поняли. Π§Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ЭМИ?

Β 

FET

Π’ FET ΠΊΠ»Π΅ΠΌΠΌΠ° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π° ΠΎΡ‚ ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° изоляционным ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»ΠΎΠΌ. ΠŸΠΎΠ΄Π°Ρ‡Π° напряТСния Π½Π° ΠΊΠ»Π΅ΠΌΠΌΡƒ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° создаСт элСктричСскоС ΠΏΠΎΠ»Π΅, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΈΡ‚ΡΠ³ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΈΠ»ΠΈ ΠΎΡ‚Ρ‚Π°Π»ΠΊΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ свободныС элСктроны Π² ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π΅. Π­Ρ‚ΠΎΡ‚ процСсс измСняСт ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° ΠΈ, Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ истока ΠΈ стока. ΠŸΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Π΅ транзисторы ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ высокий Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ импСданс, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ½ΠΈ ΠΏΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π±Π»ΡΡŽΡ‚ ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ ΠΌΠ°Π»ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΎΡ‚ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ сигнала.

Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, транзисторы Π΄Π΅ΠΉΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ ΠΈΠ»ΠΈ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ, Π² зависимости ΠΎΡ‚ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΎΠ½ΠΈ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Ρ‹ ΠΈ ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Π΅Ρ‚ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π½ΠΈΡ…. Π’Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ управляСт Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ ΠΌΡ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ΅ΠΌ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ для усилСния ΠΈΠ»ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ сигналов.

Β 

ΠŸΠΎΡ‡Π΅ΠΌΡƒ Π²Π°ΠΆΠ½Ρ‹ транзисторы?

На ΠΈΠ·ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΈ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Π° пСчатная ΠΏΠ»Π°Ρ‚Π° с транзисторами. | Π˜Π·ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅: Shutterstock

Вранзисторы ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ основными ΡΡ‚Ρ€ΠΎΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ Π±Π»ΠΎΠΊΠ°ΠΌΠΈ соврСмСнной элСктроники. Π­Ρ‚ΠΎ ΡƒΠ½ΠΈΠ²Π΅Ρ€ΡΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ устройства, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π΄Π΅ΠΉΡΡ‚Π²ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»ΠΈ, усилитСли ΠΈ рСгуляторы сигнала, Ρ‡Ρ‚ΠΎ позволяСт ΠΎΠ±Ρ€Π°Π±Π°Ρ‚Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΈ Ρ…Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²ΡƒΡŽ ΠΈΠ½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΡŽ. Π¨ΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ΅ использованиС транзисторов Π² элСктронных устройствах сильно повлияло Π½Π° Π½Π°ΡˆΡƒ ΠΏΠΎΠ²ΡΠ΅Π΄Π½Π΅Π²Π½ΡƒΡŽ Тизнь, ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΠΈΠ² ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ соврСмСнныС Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ связи, Ρ€Π°Π·Π²Π»Π΅Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠΉ, транспорта ΠΈ здравоохранСния. НапримСр, транзисторы ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΠΈΠ»ΠΈ ΠΌΠΈΠ½ΠΈΠ°Ρ‚ΡŽΡ€ΠΈΠ·ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ элСктронныС схСмы, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π»ΠΎ ΠΊ созданию ΠΏΠΎΡ€Ρ‚Π°Ρ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹Ρ… устройств, Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… ΠΊΠ°ΠΊ смартфоны, Π½ΠΎΡƒΡ‚Π±ΡƒΠΊΠΈ ΠΈ носимыС устройства.

Если Π±Ρ‹ Π½Π΅ ΠΈΠ·ΠΎΠ±Ρ€Π΅Π»ΠΈ транзисторы, наш ΠΌΠΈΡ€ Π±Ρ‹Π» Π±Ρ‹ совсСм Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠΌ. Π’ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅ вСроятно, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΊΠΎΠΌΠΏΡŒΡŽΡ‚Π΅Ρ€Π½ΠΎΠΉ Ρ€Π΅Π²ΠΎΠ»ΡŽΡ†ΠΈΠΈ ΠΈ ΡΡ‚Ρ€Π΅ΠΌΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ развития элСктроники Π½Π΅ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·ΠΎΡˆΠ»ΠΎ Π±Ρ‹, ΠΏΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ транзисторы ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²Ρ‹ΠΌ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠΌ Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… схСм ΠΈ соврСмСнных вычислСний. Π­Ρ‚ΠΎ Π·Π°ΠΌΠ΅Π΄Π»ΠΈΠ»ΠΎ Π±Ρ‹ тСхнологичСский прогрСсс Π² Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… областях, ΠΊΠ°ΠΊ связь, развлСчСния, транспорт ΠΈ Π·Π΄Ρ€Π°Π²ΠΎΠΎΡ…Ρ€Π°Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅. Π­Π»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π½Ρ‹Π΅ устройства Π±Ρ‹Π»ΠΈ Π±Ρ‹ Π½Π°ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ большС, ΠΌΠ΅Π΄Π»Π΅Π½Π½Π΅Π΅ ΠΈ ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅ эффСктивны. ΠœΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Ρ‚Π΅ΠΌ, ΠΏΠΎΡ€Ρ‚Π°Ρ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹Ρ… устройств, Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… ΠΊΠ°ΠΊ смартфоны, Π½ΠΎΡƒΡ‚Π±ΡƒΠΊΠΈ ΠΈ носимыС устройства, Π²ΠΎΠΎΠ±Ρ‰Π΅ Π½Π΅ сущСствовало Π±Ρ‹.

Π£Π·Π½Π°ΠΉΡ‚Π΅ большС с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ встроСнного тСхничСского словаряЧто Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ элСктричСский заряд?

Β 

ΠŸΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Ρ‹ транзисторов

Вранзисторы ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ Π² самых Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹Ρ… элСктронных устройствах ΠΈ ΠΎΠ±ΠΎΡ€ΡƒΠ΄ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠΈ, Π²ΠΎΡ‚ Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ распространСнныС области примСнСния:

  • ΠšΠΎΠΌΠΏΡŒΡŽΡ‚Π΅Ρ€Ρ‹ : Вранзисторы ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ основным ΡΡ‚Ρ€ΠΎΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ Π±Π»ΠΎΠΊΠΎΠΌ соврСмСнных ΠΊΠΎΠΌΠΏΡŒΡŽΡ‚Π΅Ρ€ΠΎΠ². ΠœΡ‹ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌ ΠΈΡ… Π² Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… логичСских схСмах, микросхСмах памяти ΠΈ микропроцСссорах, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ ваТнСйшими ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Π°ΠΌΠΈ ΠΊΠΎΠΌΠΏΡŒΡŽΡ‚Π΅Ρ€Π°.

alexxlab

Π”ΠΎΠ±Π°Π²ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠΌΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ€ΠΈΠΉ

Π’Π°Ρˆ адрСс email Π½Π΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΎΠΏΡƒΠ±Π»ΠΈΠΊΠΎΠ²Π°Π½. ΠžΠ±ΡΠ·Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ поля ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ‡Π΅Π½Ρ‹ *