Описание микросхемы К155ЛА3 | joyta.ru
Микросхема К155ЛА3 является, по сути, базовым элементом 155-ой серии интегральных микросхем. Внешне по исполнению она выполнена в 14 выводном DIP корпусе, на внешней стороне которого выполнена маркировка и ключ, позволяющий определить начало нумерации выводов (при виде сверху — от точки и против часовой стрелки).
В функциональной структуре микросхемы К155ЛА3 имеется 4 самостоятельных логических элементов 2И-НЕ. Одно лишь их объединяет, а это линии питания (общий вывод — 7, вывод 14 – положительный полюс питания) Как правило, контакты питания микросхем не изображаются на принципиальных схемах.
Каждый отдельный 2И-НЕ элемент микросхемы К155ЛА3 на схеме обозначают DD1.1, DD1.2, DD1.3, DD1.4. По правую сторону элементов находятся выходы, по левую сторону входы. Аналогом отечественной микросхемы К155ЛА3 является зарубежная микросхема SN7400, а все серия К155 аналогична зарубежной SN74.
Таблица истинности микросхемы К155ЛА3
Опыты с микросхемой К155ЛА3
После подачи напряжения, измерьте напряжение на всех ножках К155ЛА3. При исправной микросхеме напряжение на выходных ножках (3, 6, 8 и 11) должно быть около 0,3 вольт, а на выводах (1, 2, 4, 5, 9, 10, 12, и 13) в районе 1,4 В.
Для исследования функционирования логического элемента 2И-НЕ микросхемы К155ЛА3 возьмем первый элемент. Как было сказано выше, его входом служат выводы 1 и 2, а выходом является 3. Сигналом логической 1 будет служить плюс источника питания через токоограничивающий резистор 1,5 кОм, а логическим 0 будем брать с минуса питания.
Опыт первый (рис.1): Подадим на ножку 2 логический 0 (соединим ее с минусом питания), а на ножку 1 логическую единицу (плюс питания через резистор 1,5 кОм). Замерим напряжение на выходе 3, оно должно быть около 3,5 В (напряжение лог. 1)
Вывод первый: Если на одном из входов лог.0, а на другом лог.1, то на выходе К155ЛА3 обязательно будет лог.1
Опыт второй (рис.2): Теперь подадим лог.1 на оба входа 1 и 2 и дополнительно к одному из входов (пусть будет 2) подключим перемычку, второй конец которой будет соединен с минусом питания. Подадим питание на схему и замерим напряжение на выходе.
Оно должно быть равно лог.1. Теперь уберем перемычку, и стрелка вольтметра укажет напряжение не более 0,4 вольта, что соответствует уровню лог. 0. Устанавливая и убирая перемычку можно наблюдать как «прыгает» стрелка вольтметра указывая на изменения сигнала на выходе микросхемы К155ЛА3.
Вывод второй: Сигнал лог. 0 на выходе элемента 2И-НЕ будет только в том случае, если на обоих его входах будет уровень лог.1
Следует отметить, что неподключенные входы элемента 2И-НЕ («висят в воздухе»), приводит к появлению низкого логического уровня на входе К155ЛА3.
Опыт третий (рис.3): Если соединить оба входа 1 и 2, то из элемента 2И-НЕ получится логический элемент НЕ (инвертор). Подавая на вход лог.0 на выходе будет лог.1 и наоборот.
Источник: «Энциклопедия начинающего радиолюбителя», Никулин С.А
Радиомикрофон на микросхеме 155ЛА3 | Кое-что из радиотехники
Микросхемы серий К130, К113, К155 хорошо работают на частотах до 10-15 МГц. Проведенные эксперименты показали, что они сохраняют свою работоспособность и на более высоких частотах – вплоть до 100 МГц. При этом, правда, снижается выходное напряжение. Но, невзирая на это, можно построить
Схема УКВ передатчика приведена на Рис. Сигнал с микрофона ВМ1 подаётся на вход (выводы 1 и 2) генератора, собранного на элементах DD1.1, DD1.4. На выходе (вывод 11) генератора, получается модулированные высокочастотные колебания, которые излучаются антенной
Настройка передатчика
В. Г. Белолапотков, А. П. Сембян “ШПИОНСКИЕ ШТУЧКИ И НЕ ТОЛЬКО, 500 схем для радиолюбителей”, Наука и техника, Санкт-Петербург, 2007г, стр. 57-58
Похожее
Эксперименты с RS-триггером.
Схемы RS-триггеров на микросхемах
После знакомства с принципом работы различных триггеров у начинающего радиолюбителя возникает естественное желание опробовать работу этих самых триггеров в «железе».
На практике изучение работы триггеров гораздо интересней и увлекательней, кроме того происходит знакомство с реальной элементной базой.
Далее будут рассмотрены несколько схем триггеров, выполненных на цифровых микросхемах так называемой жёсткой логики. Сами по себе схемы не являются завершёнными готовыми устройствами и служат лишь для наглядной демонстрации принципов работы RS-триггера.
Итак, начнём.
Для ускорения процесса сборки и тестирования схем применялась беспаечная макетная плата. С её помощью удаётся быстро сконфигурировать и изменить схему в соответствии с потребностями. Пайка, естественно, не применяется.
Схема RS-триггера на микросхеме К155ЛА3.
Данная схема уже приводилась на страницах сайта в статье про RS-триггер. Для её сборки потребуется сама микросхема К155ЛА3, два индикаторных светодиода разного цвета свечения (например, красный и синий), пара резисторов номиналом 330 Ом, а также стабилизированный блок питания с выходным напряжением 5 вольт. В принципе, подойдёт любой маломощный блок питания на 5 вольт.
Для дела сгодится даже 5-ти вольтовый зарядник от сотового телефона. Но стоит понимать, что не каждый зарядник держит стабильное напряжение. Оно может гулять в пределах 4,5 – 6 вольт. Поэтому всё-таки лучше использовать стабилизированный блок питания. При желании можно собрать блок питания своими руками. К выводу 14 микросхемы К155ЛА3 подключается «+» питания, а к 7 выводу «-» питания.
Как видим, схема очень простая и выполнена на логических элементах 2И-НЕ. Собранная схема имеет всего лишь два устойчивых состояния 0 или 1.
После того, как на схему будет подано напряжение питания, загорится один из светодиодов. В данном случае загорался синий светодиод, который подключен к инверсному выходу триггера (Q).
При однократном нажатии на кнопку
Это свидетельствует о том, что триггер «запомнил» 1 и выдал сигнал об этом на прямой выход Q.
Светодиод (синий), который же подключен к инверсному выходу Q, должен погаснуть. Инверсный – это значит обратный прямому. Если на прямом выходе 1, то на инверсном 0. При повторном нажатии на кнопку
Чтобы сбросить RS-триггер в нуль (т.е. записать в триггер логический 0) нужно один раз нажать на кнопку Reset (сброс). При этом красный светодиод погаснет, а синий загорится. Повторные нажатия на кнопку Reset состояние триггера не изменят.
Показанную схему можно считать примитивной, так как собранный RS-триггер не имеет никакой защиты от помех, а сам триггер является одноступенчатым. Но зато в схеме применяется микросхема К155ЛА3, которая очень часто встречается в электронной аппаратуре и поэтому она легкодоступна.
Также стоит отметить, что на этой схеме выводы установки S, сброса R, прямого Q и инверсного выхода Q показаны условно – их можно поменять местами и суть работы схемы не изменится. Это всё потому, что схема выполнена на неспециализированной микросхеме.
Видео работы RS-триггера на микросхеме К155ЛА3.
Далее же мы разберём пример реализации RS-триггера на специализированной микросхеме-триггере.
Схема RS-триггера на микросхеме КМ555ТМ2.
В данной схеме используется специализированная микросхема КМ555ТМ2, в составе которой 2 D-триггера. Эта микросхема выполнена в керамическом корпусе, поэтому в названии присутствует сокращение КМ. Также можно применить микросхемы К555ТМ2 и К155ТМ2. Они имеют пластмассовый корпус.
Как мы знаем, D-триггер несколько отличается от RS-триггера, но у него также присутствуют входы для установки (S) и сброса (R). Если не использовать вход данных (D) и тактирования (C), то на базе микросхемы КМ555ТМ2 легко собрать RS-триггер. Вот схема.
В схеме применён только один из двух D-триггеров микросхемы КМ555ТМ2. Второй D-триггер не используется. Его выводы никуда не подключаются.
Так как входы S и R микросхемы КМ555ТМ2 являются инверсными (отмечены кружком), то переключение триггера из одного устойчивого состояния в другое происходит при подаче на входы S и R логического 0.
Чтобы подать на входы 0, нужно просто соединить эти входы с минусовым проводом питания (с минусом «-»). Сделать это можно как с помощью специальных кнопок, например, тактовых, как на схеме, так и с помощью обычного проводника. Кнопками, конечно, это делать гораздо удобнее.
Жмём кнопку SB1 (Set) и устанавливаем RS-триггер в единицу. Засветится красный светодиод.
А теперь жмём кнопку SB2 (Reset) и сбрасываем триггер в нуль. Засветится синий светодиод, который подключен к инверсному выходу триггера (Q).
Стоит отметить, что входы S и R у микросхемы КМ555ТМ2 являются приоритетными. Это значит, что сигналы на этих входах для триггера являются главными. Поэтому если на входе R нулевое состояние, то при любых сигналах на входах C и D состояние триггера не изменится. Это утверждение относится к работе D-триггера.
Видео работы RS-триггера на микросхеме КМ555ТМ2.
Если найти микросхемы К155ЛА3, КМ155ЛА3, КМ155ТМ2, К155ТМ2, К555ТМ2 и КМ555ТМ2 не удастся, то можно использовать зарубежные аналоги этих микросхем стандартной транзисторно-транзисторной логики (ТТЛ): 74LS74 (аналог К555ТМ2), SN7474N и SN7474J (аналоги К155ТМ2), SN7400N и SN7400J (аналоги К155ЛА3).
Главная » Цифровая электроника » Текущая страница
Также Вам будет интересно узнать:
Мультивибратор на двух элементах микросхемы К155ЛА3
Автоколебательный мультивибратор является одним из элементов электронных схем, довольно часто использующийся на практике. Данный мультивибратор на микросхеме К155ЛА3 внешне весьма схожа с типовой схемой мультивибратора на транзисторах. Единственно, что тут в роли функциональных элементов использованы логические элементы микросхемы К155ЛА3, подключенные инверторами.
Емкости С1, С2 формируют 2 цепи ПОС. Первая цепь — вход DD1.1, емкость С2, выход DD1.2. Вторая цепь входа DD1.2, емкость С1, выход DD1.1. По причине данных связей схема самовозбуждается, что приводит к возникновению импульсов. Частота импульсов определяется сопротивлением R1, R2 и номиналами емкостей в цепях ОС К155ЛА3.
Исследование работы мультивибратора на К155ЛА3
Для изучения выходных сигналов желательно использовать логический пробник или стрелочный вольтметр. При тех номиналах, которые указаны на схеме, частота импульсов составит около 30 раз в минуту или примерно 0,5 Гц.
Следовательно, стрелка вольтметра, подсоединенного, к примеру, к выходу DD1.2 К155ЛА3, будет двигаться от 0 и почти до 5 вольт. Если подсоединить вольтметр к выходу DD1.1 К155ЛА3 можно увидеть точно такую же картину. Поэтому данный вид мультивибратора назван симметричным.
Теперь если к каждому конденсатору параллельно подключить еще по одному такому же, то можно заметить, что частота колебаний стрелка вольтметра снизилась примерно в 2 раза. Если теперь заменить первоначальные конденсаторы конденсаторами по 200 мкф, то сразу будет заметно увеличение частоты колебаний.
А что выйдет, если поменять емкость всего лишь одного конденсатора? К примеру, один конденсатор заменим на 100 мкф, а другой оставим как есть 500 мкф. Частота заметно возрастет, но еще плюс ко всему изменится отношение паузы и импульсов. Уменьшив емкость до 1…5 мкф, схема будет вырабатывать звуковую частоту в районе 500…1000 Гц.
Если один из постоянных резисторов убрать и на его место поставить переменный, то изменяя его сопротивление можно в небольшом диапазоне изменять частоту работы мультивибратора.
Но, бывает, что мультивибратор функционирует нестабильно или вообще не запускается. А все дело в том, что эмиттерный вход микросхем К155ЛА3 достаточно зависим от сопротивления резисторов, находящихся в его цепи. Эта специфика эмиттерного входа микросхемы К155ЛА3 состоит в следующем. Резистор на входе включен как составная часть одного из плеч мультивибратора. Из-за тока эмиттера на данном резисторе появляется напряжение, которое запирает транзистор.
Если же сопротивление данного резистора будет в диапазоне 2…2,5 кОм, то падение напряжения на нем окажется значительным, и это приведет к тому, что транзистор элементарно перестанет обрабатывать входной сигнал. И наоборот, если установить сопротивление в диапазоне 500…700 Ом, то транзистор окажется постоянно в открытом состоянии.
В связи с этим, сопротивление данных резисторов следует подбирать в диапазоне 800…2200 Ом. Только так возможно достичь стабильной работы мультивибратора на К155ЛА3, построенный по данной схеме. Так же на работу данного мультивибратора действуют такие моменты, как нестабильность питания, температура. От того мультивибратор на К155ЛА3, построенный по такой схеме фактически используется крайне редко.
Источник: «Энциклопедия начинающего радиолюбителя», Никулин С.А., Повный А.В.
«Брелок принятия решений»
Если у тебя системный блок, монитор или ноутбук постоянно подвергается моддингу значит, на этих предметах фантазия не останавливается. Так мне пришла идея сделать оригинальный «Брелок принятия решений».
Суть в том, чтобы при нажатии на кнопку загорелся рандомно (наугад) один из 2х светодиодов в брелоке, что будет символизировать ответ (например, синий загорелся – ответ «ДА», красный – «НЕТ»). «Принятия решений» — потому, что если вдруг станет сложный вопрос, на который нельзя дать ответ, а нужно, то таким способом можно его решить (по типу орла и решки у монеты).
Принципиальная схема такого самодельного брелка собранного на микросхеме к155ла3 (забугорный аналог SN7400N) довольно проста и не требует каких-либо особых умений в сфере радиолюбительства. В принципе, если есть желание, но отсутствует микросхема к155ла3 или аналог SN7400N, то можно использовать и другие микросхемы, в которых содержатся элементы «И-НЕ», только нужно быть тогда внимательным с цоколевкой.
На микросхеме к155ла3 собран генератор импульсов, который начинает работать при нажатии кнопки «ON». Светодиоды при этом загораются поочередно с большой частотой. При нажатии кнопки «Stop» генератор отключается и на выходах 8й и 11й ноге микросхемы к155ла3 появляется один из логических уровней – 0 или 1. В результате чего загорится один из 2х светодиодов.
Монтажной платы данная схема не требует, на корпус микросхемы к155ла3 без труда можно расположить все элементы схемы брелка.
От емкости конденсатора зависит скорость переключения между светодиодами (чем меньше емкость, тем выше скорость). Изначально я взял советские светодиоды, но из-за того, что микросхема к155ла3 относительно энергоемка, светодиоды загорались весьма тускло. Решение было принято о замене светодиодов на сверхяркие. Кнопки использовал от старой компьютерной мышки.
Корпусом для брелка на микросхеме к155ла3 послужил «светлячок» на герконе для освещения элементов корпусной мебели. Такие продаются в наборе по 10 шт и стоят чуть больше $1 (за набор). После небольшой доработки корпус брелка стал именно таким, как задумывалось.
К155ЛА3, КМ155ЛА3 — четыре логических элемента 2И-НЕ.
Что-то не так?
Пожалуйста, отключите Adblock.
Портал QRZ.RU существует только за счет рекламы, поэтому мы были бы Вам благодарны если Вы внесете сайт в список исключений. Мы стараемся размещать только релевантную рекламу, которая будет интересна не только рекламодателям, но и нашим читателям. Отключив Adblock, вы поможете не только нам, но и себе. Спасибо.
Как добавить наш сайт в исключения AdBlockКорпус ИМС К155ЛА3
Корпус ИМС КМ155ЛА3
Условное графическое обозначение
Электрические параметры
Зарубежные аналоги
Литература
Микросхема представляет собой четыре логических элемента 2И-НЕ. Корпус К155ЛА3 типа 201.14-1, масса не более 1 г и у КМ155ЛА3 типа 201.14-8, масса не более 2,2 г.
Корпус ИМС К155ЛА3
Корпус ИМС КМ155ЛА3
Условное графическое обозначение
1,2,4,5,9,10,12,13 — входы X1-X8;
3 — выход Y1;
6 — выход Y2;
7 — общий;
8 — выход Y3;
11 — выход Y4;
14 — напряжение питания;
Электрические параметры
| 1 | Номинальное напряжение питания | 5 В 5 % |
| 2 | Выходное напряжение низкого уровня | не более 0,4 В |
| 3 | Выходное напряжение высокого уровня | не менее 2,4 В |
| 4 | Напряжение на антизвонном диоде | не менее -1,5 В |
| 5 | Входной ток низкого уровня | не более -1,6 мА |
| 6 | Входной ток высокого уровня | не более 0,04 мА |
| 7 | Входной пробивной ток | не более 1 мА |
| 8 | Ток короткого замыкания | -18…-55 мА |
| 9 | Ток потребления при низком уровне выходного напряжения | не более 22 мА |
| 10 | Ток потребления при высоком уровне выходного напряжения | не более 8 мА |
| 11 | Потребляемая статическая мощность на один логический элемент | не более 19,7 мВт |
| 12 | Время задержки распространения при включении | не более 15 нс |
| 13 | Время задержки распространения при выключении | не более 22 нс |
Зарубежные аналоги
SN7400N, SN7400J
Литература
Интегральные микросхемы и их зарубежные аналоги: Справочник. Том 2./А. В. Нефедов. — М.:ИП РадиоСофт, 1998г. — 640с.:ил.
Отечественные микросхемы и зарубежные аналоги Справочник. Перельман Б.Л.,Шевелев В.И. «НТЦ Микротех», 1998г.,376 с. - ISBN-5-85823-006-7
О использовании К155ЛА3 вместо К155ЛА8: 1500py470 — LiveJournal
Некто с ником Разумный мир поделился тем, как использовал ЛА3 для управления нагрузкой запитанной от +18-20 Вольт, когда у него ЛА8 закончились. У меня в детстве и юности наоборот завал был схем с открытым коллектором, и подобные мысли даже в голову не приходили. Если смотреть на количество таких корпусов на платах от ЕС ЭВМ, то их там мало, а если на запасы в разных нычках/ЗИПах/нелеквидах итп то много. Очевидно их первыми перестали делать, и сейчас какую-нибудь ЛЛ1 можно и не найти, но неужели в 90-х у кого-нибудь проблемы с ЛА8 уже были?!
Великая и могучая К155ЛА3, или немного о нестандартном. О хитростях «былых времен»
Во времена СССР любителям раздобыть нужные радиодетали было трудно. Поэтому пытались выжать всё, что возможно, из имеющегося. В ход шли и схемотехнические ухищрения, и использование режимов, далеко выходящих за пределы допустимых для деталей. Написано об этом много, но я хочу немного добавить и от себя. То, что я опишу в этой статье, нигде больше встречать не доводилось.
Сразу скажу, что статья имеет, по большей части, лишь исторический интерес. И ни в коей мере не является руководством к действию.
В бурные 90-е годы прошлого века были популярны так называемые АОНы, телефоны с определителем номера. Их собирали и для себя, и на продажу. Не обошло стороной это и меня. Зарплату задерживали, а как то жить и кормить семью было надо. Но оставлю в стороне лирику…
Популярность АОНов делала дорогими и еще более дефицитными комплектующие для их сборки. Кроме того, хотелось как то выделиться на фоне остальных.
Первым делом наша небольшая компания решила избавиться от внешнего блока питания. Небольшие тороидальные трансформаторы стали устанавливать прямо к корпусе телефона. Но возникла проблема с перегревом микросхем стабилизаторов КР142ЕН5. Для радиаторов места не было. Я решил проблему разработав импульсный (релейный, по своей сути) понижающий стабилизатор на КР140УД608. Габариты получились лишь немного больше, чем у КР142ЕН5, но проблема перегрева ушла. На первый взгляд, это не имеет отношения к теме, вынесенной в заголовок статьи. Но это не так, наберитесь немного терпения.
Следующей модификацией стала замена многоразрядного светодиодного индикатора на вакуумный люминесцентный. Это была вынужденная замена, так светодиодные стали слишком дорогими и дефицитными. А люминесцентные появились в продаже (из неликвидов) в большом количестве и не пользовались большим спросом, а потому были дешевы. Но тут возникало две проблемы, переменное напряжение для накала, причем напряжение было разным, для разных моделей, и относительно высокое (25 В) для сеток и анодов. Вот тут то и помог мой импульсный стабилизатор. Намотав на дроссель дополнительные обмотки получили необходимые напряжения.
Для управления индикатором использовали микросхемы К155ЛА8, с открытым коллектором. Их выходные транзисторы вполне успешно работали при напряжении 25 В. Но тут в разряд острого дефицита попали ЛА8. Это был тяжелый удар…
И тут я обратил внимание на схему элемента ТТЛ логики. Вот она
Мое внимание привлек диод входящий в состав выходного каскада. Этот диод должен отсекать верхний транзистор от выхода, когда напряжение на выходе превышает напряжение питания. Фактически, в этом случае можно считать, что мы получаем открытый коллектор. Не полный аналог, конечно, монтажное ИЛИ тут не реализовать, но нам ведь это и не надо. Но какое напряжение будет допустимым для такого включения? Оно должно значительно превышать допустимое по паспорту, иначе ничего не выйдет.
Эксперименты показали, что подавляющее большинство микросхем спокойно выдерживают подъем потенциала коллектора внешним источником до, примерно, 20 В при условии ограничения тока. Дальше начинал появляться ток утечки. Сложно сказать, чем он был вызван, начинавшимся пробоем транзистора, или диода. Для надежности пришлось снизить напряжение сеток и анодов до 18 В, уменьшим количество витком на дополнительной обмотке дросселя блока питания. На яркость свечения индикатора это повлияло не сильно. Зато дефицитная микросхема была заменена на самую распространенную и дешевую.
Вот так знание внутреннего устройства микросхемы позволило использовать ее в режимах, совершенно не предусмотренных производителем. А герой моего рассказа, К155ЛА3, показала себя с неожиданной стороны. Можно сказать, продемонстрировала свои скрытые резервы и внутреннюю силу. Да и о запасе прочности выпускаемых в СССР деталей это немного говорит.
в К155ЛА18 — Меандр — занимательная электроника
схема:
Микросхема К155ЛА18 представляет собой два двухвходных ИЛИ-элемента 2И, выходы которых сформированы по схеме с открытым коллектором. Схема допускает выходной ток до 300 мА, при этом максимально допустимое напряжение в журнале состояния. 1 выходы по 30 В. Эти параметры позволяют использовать его не только для прямого управления различными исполнительными механизмами — шаговыми двигателями, электромагнитными реле, электродвигателями, лампочками, светодиодами, но и говорят о возможности его использования в преобразователях напряжения и тока.На рисунке выше показан пример практической реализации повышающего преобразователя напряжения. Устройство:
В состав преобразователя входят: задающий генератор, выполненный на микросхеме STTL КР1533ЛАЗ, представляет собой 4-элементный 2И-НЕ, два дифференцирующих контура C2R2, C3R3, трансформатор напряжения, расположенный на трансформаторе Т1 и ТТЛ-микросхему К155ЛА18, выпрямитель переменного тока и фильтр, предусмотренный на четырех диодах VD3 — VD6 и конденсаторах C5, C6. Задающий генератор выполнен на трех инверторах, работает на частоте около 120 кГц.Дифференцирующая схема R2C2, R3C3 уменьшенной длительности импульсов в противофазе, поступающих на входы DD2. Это необходимо для того, чтобы исключить одновременное нахождение выходных транзисторов логических элементов DD2.1, DD2.2 в открытом состоянии. Кроме того, после замыкания выхода DD2.1 выходной инверторный транзистор DD2.2 транзистор инвертора открывается с небольшой задержкой, и наоборот. Я качаю амплитуду напряжения на выходах DD2 примерно 15 В. Конденсаторы С5, С6 сглаживают пульсации выпрямленного напряжения. диоды VD1, VD2 защищают выходные транзисторы DD2 от обратного напряжения.Преобразователь обеспечивает нерегулируемое выходное напряжение постоянного тока 12… 15 В при токе нагрузки 80 мА. В этом случае ток потребления составит около 250 мА, нагревательный элемент DD2 превышает 50 ° С.
Вместо отечественной микросхемы КР1533ЛАЗ можно установить импортную СН74АЛС00Н. Может применяться с другими инверторами этой серии. Возможно и использование вместо микросхем DD1 серий К155, К555, но, при этом, резистор R1 нужно будет уменьшить примерно в 5 раз и заодно увеличить емкость конденсатора С1.Диоды 1N4148 можно заменить любыми из серий КД212, КД247, КД510 или диодами Шоттки MBR0540T1 (0,5 А, 40 В), MBRS140T3, MBRS1100T3, 1N5819, MBR150, MBR160. Стоимость устройства с использованием диодов Шоттки будет выше.
Трансформатор изготовлен на ферритовом кольце К16х8х6 М2000НН, М2000НМ. Первичная обмотка намотана проволокой диаметром НДВ 2 0,35 мм — 2х55 витков. Вторичная обмотка состоит из 170 витков того же провода. Между обмотками уложены два слоя липкой ленты. Острые края кольца перед укладкой затупляются, после чего кольцо наматывается в два-три слоя тканевым лаком или липкой лентой.Каждую обмотку после монтажа нужно пропитать изоляционным лаком или компаундом, можно использовать цапонлак. Конденсаторы оксидные — К50-29, К50-35 или аналоги, неполярные — К10-17, К10-50, СМ-5, КМ-6. Резисторы — малогабаритные для любого типа МЛТ общего назначения, С1-14, С2-23, 1-4. В данной статье рассмотрены микросхемы цифрового преобразователя напряжения, созданные с экспериментальными целями. В ходе экспериментов было обнаружено, что для повышения КПД и увеличения выходной мощности желательно использовать низкочастотный магнитопровод из феррита несколько большего размера.Использование этого преобразователя может быть выгодным, если уже имеется в аппарате генератор частотой 80… 120 кГц, или он может быть собран на оставшихся свободных логических элементах. При необходимости увеличения мощности передатчика можно включить две, три параллельные цепи К155ЛА18. Если требуется более высокое выходное напряжение инвертора, например, для питания вакуумного электролюминесцентного дисплея, количество витков вторичной обмотки трансформатора должно пропорционально увеличиваться, а для того, чтобы поместиться на обмоточное кольцо, выбирается провод меньшего диаметра. . Электронный комплект №4 2009 г. р. 14
.Significado de MICROCIRCUIT en el Diccionario Cambridge inglés
Система контроля позволила пользователю сканировать поверхность гибридных микросхем. Это создает эксклюзивные микросхемы для обработки информации, которая отражается в свойствах рецептивного поля каждого типа ганглиозных клеток.Las views mostradas en los ejemplos no репрезентативные lasviewes de los editores de Cambridge University Press или de sus licenciantes.
Еще примеры Меньше примеров
Кружки представляют собой абстрактные нейроны (или нейронные микросхемы), состояния которых представлены активациями.Выдвинута гипотеза о том, что синапсы коленных кортикальных афферентных и корзиночных клеток могут быть пространственно спарены в микросхеме позвоночника-стержня. На основе этого потенциального числового сходства выдвинута гипотеза о синаптическом соединении коленчатой корзины в микросхеме позвоночник-стержень .Однако общая анестезия изменяет как отдельные клетки, так и динамику сети, ограничивая нашу способность понимать правила функционирования кортикальной микросхемы .В оргтехнике, компьютерах, бытовой электронике, электрических компонентах и микросхемах дефицит существенно увеличился. DeАрхив Hansard
Ejemplo del archivo Hansard.Contiene información parlamentaria bajo la licencia.Circuit intégré — Википедия
Le circuit intégré ( CI ), aussi appelé puce électronique , est un composant électronique, basé sur un semi-conducteur, repisant une, ou plusieurs, fonction (s) electronique (s) plus s), интегрируемые сувенирные дополнительные типы электронных компонентов на основе базового объема (sur une petite plait), переставленные легкие электрические схемы в меттре en œuvre [1] .
Существуют разные большие категории композитов, разделенные на две категории: analogique et numérique.
В 1958 году американский американец Джек Килби изобрел первоклассную интегральную трассу [2] , основанную на современной информационной базе. Джек Килби, он вернулся в компанию, совершил открытый вызов для прибыльных организаций, работающих в компании Texas Instruments. В эпоху, Килби хотел бы, чтобы все транзисторы были простыми. Это еще не все, что нужно для того, чтобы пройти стадию прототипа в массовом производстве и на кремниевых транзисторах.Сюда входят ансамбли транзисторов, соединяющие соединения и микросхемы в одном блоке, обеспечивающие реализацию воспоминаний, логические и арифметические блоки. Эта революционная концепция концентрируется в увеличивающемся объеме, в максимальном объеме логических функций, а также в дополнительных элементах, которые проходят через соединения, связанные с цепью [3] . Cette découverte a value à Kilby un prix Nobel de Physique en 2000, alors que ce dernier siégeait toujours au directoire de Texas Instruments et détenait plus 60 brevets à son nom [4] .
Использование премьер [модификатор | модификатор кода файла]
Программа баллистических ракет Minuteman II является основным элементом экономического развития внутренней сети [5] . C’est le premier objet produit en série qui intégrait un ordinateur conçu à partir de ceux-ci (le D-37C d’Autonetics), il a d’ailleurs été le seul consommateur de ce type d’ordinateur с 1962 по 1967 год. Координатор сборных цепей изготовленных Texas Instruments типов DTL и DL.Le seul autre ordinateur qui a fait appel à cette technologie est celui destiné à contrôler les mission Apollo, ordinateur qui avait des contraintes semblables du point de vue de la masse et de la fiabilité.
Цепь аналоговая интегральная [модификатор | модификатор кода файла]
Интегрированные аналоговые схемы и простые элементы, которые являются простыми транзисторами, инкапсулированы, не содержат компонентов, не связанных с подключением, объединяют комплексные сборки, связанные с реунирными объектами, необходимыми для использования в качестве функциональных элементов. [6] .
Операционные усилители, представляющие современные сложные семейные системы с большим количеством элементов, отозванных с использованием резервных композитных материалов для высокой частоты и электросвязи. Использует аналогичные приложения как базовые операционные усилители.
Цепь intégré numérique [модификатор | модификатор кода файла]
Цепи, состоящие из номеров, плюс простые логические элементы ( и , или и , отличные от ), плюс комплексы и микропроцессоры, и плюс плотные воспоминания.В нескольких схемах, интегрированных с конкретными приложениями (или ASIC для Интегральная схема для конкретного приложения), отмечаются особенности обработки сигнала (обработка изображения, видео сжатия …) номер сигнала (или DSP для цифрового сигнального процессора ). Важное семейство интегральных схем представляет собой составную часть программируемых логических компонентов (FPGA, CPLD). Ces composants sont amenés à remplacer les portes logiques simples en raison de leur grande densité d’integration.
Le boîtier [модификатор | модификатор кода файла]
Цепи целые, нижнее белье DIP.
Les circuit intégrés se présentent généralement sous la forme de boîtiers pleins rectangulaires, noirs, équipés sur un ou plusieurs côtés voire sur une face, de «pattes» (appelées aussi broches или булавки) permettant Лечебные соединения изысканных предметов du Boîtier. Ces composants sont brasés, (soudé, terme impropre) sur un circuit imprimé, ou enfichés, à des fins de démontage, dans des support eux-mêmes brasés sur un circuit imprimé.№
Sur le boîtier peuvent être peints: le logo du fabricant, une rérence qui permet d’identifier le composant, un code Соответствует различным вариантам или изменениям, la date de factory (4 кода шифра AASS: année et semaine). Прогресс интеграции с участием цепей, интегрированных в peuvent devenir très petits. Leur taille ne depend plus guère que de la capacity du boîtier à disiper la chaleur produite par effet Joule et, bien souvent du nombre, de la taille des broches de sortie du circuit ainsi que de leur espacement.
Различные типы лодок, позволяющие адаптировать интегральную схему к окружающей среде назначения.
- Le format le plus ancien a pour nom Dual Inline Package (DIP or DIL) qui se traduit sommairement par «boîtier avec deux lignes».
- Средство для миниатюризации, позволяющее избежать ошибок на поверхности: формат файла SO .
Существующие типы Bien d’autres:
Le Die [модификатор | модификатор кода файла]
Un die de circuit intégré VLSILe die est la partie élémentaire, de forme rectangulaire, воспроизводит античный à l’aide d’une matrice sur une tranche de silicium en Cours de Fabrication.Соответствует единой цепи, которая полностью закрыта, и к ней добавляется puce avant qu’elle ne soit encapsulée pour donner un circuit intégré Complete, prêt être monté sur une carte.
Le Die d’un circuit intégré comprend sous des formes miniaturisées принципиально транзисторов, диодов, сопротивлений, конденсаторов, а также уменьшения индуктивностей, автомобилей и миниатюрных компонентов.
L’échelle d’intégration (интеграция в английском масштабе), определяющая номер порта логики для ботье:
| Ном. | Значение | Année de sortie | Количество транзисторов [7] | Nombre de portes logiques par boîtier [8] |
|---|---|---|---|---|
| SSI | малая интеграция | 1964 | 1–10 | 1–12 |
| MSI | средняя интеграция | 1968 | 10–500 | 13–99 |
| LSI | крупномасштабная интеграция | 1971 | 500 до 20 000 | 100 до 9 999 |
| СБИС | очень крупномасштабная интеграция | 1980 | 20 000–1 000 000 | 10 000–99 999 |
| ULSI | сверхбольшая интеграция | 1984 [9] | 1 000 000 и т. Д. Плюс | 100 000 и т. Д. |
Это различие, которое можно получить в результате использования с круассанами в экспоненциальной форме.Дополнительные сведения о миллионах транзисторов (плюс дизайн миллионов транзисторов) представлены на chiffre normal (для микропроцессора или для интегрированной графической схемы с высокой гаммой). Afin de parvenir à de tels niveaux d’intégrations, un flot de concept complexe est utilisé.
Технология изготовления la plus courante [модификатор | модификатор кода файла]
Производство интегральной схемы представляет собой комплексную обработку, не требующую ухода за соблюдением требований и требований.
- Основа транзистора и так далее связаны с металлическими соединениями между транзисторами, обеспечивающими работу конкретной схемы.
- L’aluminium est souvent Employé dans ce but, mais une technologie plus Performante permet l’emploi du cuivre, qui pipe mieux l’électricité et la chaleur.
- При использовании кремниевого поликристаллина, également conducteur, notamment pour la grille du transistor.
Matière première [модификатор | модификатор кода файла]
Первоначальный материал базового жилого элемента, используемого для изготовления металлических цепей, состоящих из кремния, неанмуэнов, мате-риалов, изготовленных на основе парфюмированных материалов, напоминающих германий или арсенал галлия.
Кремний — это полупроводник в форме монокристалла. Ce matériau doit être pur à 99,99%.
On fabrique d’abord un barreau cylindrique de silicium en le cristallisant très lentement. Барро находится в закрытом помещении для использования в форме галет от 100 до 800 мкм, мм, диаметр 300 мм, диаметр , аппеле , пластина (galette, en anglais). Пластина поддерживает несколько целых цепей.
La фотолитогравюра [модификатор | модификатор кода файла]
Фотолитография, дизайн ансамбля операций, позволяющий ограничить латеральное расширение материалов на поверхности полупроводникового субстрата, не имеющая структуры, плюс наши двумерные машины, основанные на кушетках на поверхности ‘une plaquette de silicium. Les motifs deviendront par la suite les différentes zone actives des composants électroniques (пример: контакт, дренаж …) или les jonctions Entre ces composants.Ce procédé est actuellement le plus répandu.
Изготовление лент [модификатор | модификатор кода файла]
Встроенная схема Intel 8742Le nombre d’étapes de la Manufacturing des Circuit Integrés a crû considérablement depuis 20 ans. Il peut atteindre plusieurs dizaines для некоторых специальных постановок. Тутефуа, в ретрове à peu près toujours la même série d’étapes:
- Подготовка кушетки: на открытом воздухе пластина диоксигена для ткани на поверхности (изолятор), ванная комната с открытой пластиной светочувствительная .
- Transfert: on transfère le dessin du circuit à воспроизводить на светочувствительной поверхности с l’aide d’un masque, com pour la peinture au pochoir, en l’exposant aux ultraviolets, (ou aux rayons X, pour les gravures les plus fines). ). Le vernis non soumis aux rayonnements est disous grâce à un solvant spécifique.
- Глубокая печать: оксид кремния защищен от воздействия ультрафиолета. Un agent corrosif va creuser la couche d’oxyde aux endroits non protégés.
- Dopage: на отдельной странице раскрытия истинного растворителя и металических ионов, на добавлении легирующих добавок , не вводится информация о кремнии, подвергающемся воздействию кремния, после его обработки.
- Couche suivante: l’opération est renouvelée pour créer les couches following du circuit intégré ou du microprocesseur (jusqu’à 13).
- При определении качества глубокой печати плюс мелкие мотивы, которые могут быть серьезнее, в случае возникновения большой решетки транзистора MOS.
- En 2004, les gravures les plus fines en production sont de 0,13 мкм (или 130 нм) и 90 нм .
- En 2006, les gravures les plus fines en production sont de 60 nm et 30 nm .
- En 2015, les gravures les plus fines en production sont de 14 nm .
- En 2018, les gravures les plus fines en production sont de 10 nm et 7 nm [10] .
- IBM утвержден на 5-нм техпроцессе, после того, как будет доставлен в производство в 2019/2020.
Фазы финала [модификатор | модификатор кода файла]
- По запросу на металлическую пленку, в которой находится контур, можно найти и связаться с нами.
- Цепи интегрированы, не проверяя их непосредственно на пластинах. Les puces défectueuses sont marquées (нанесение чернил). Il s’agit de l’EWS.
- Окончательная пластина завершена в моей системе циркуляции с диаметром 0,02 мм мм или с помощью лазерной обработки для обработки штампа .
- Les puces ainsi obtenues sont insérées dans unboîtier Individual de protection et reliées aux broches qui vont leur permettre de communiquer avec l’extérieur.
- Для проверок проверочных наборов и отдельных лиц, которые вводят квалификаторы для микропроцессоров, в частном порядке и в темп.
Les 20 plus Важные производители электрических цепей в 2011 году и другие производители (за исключением фабрик):
| Рейтинг 2011 | Рейтинг 2010 | Société | Nationalité / локализация | Chiffre d’affaires ( миллионов долларов от долларов США) | 2011/2010 | Часть марта |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 1 | Корпорация Intel (1) |  États-Unis | 49 685 | +23,0% | 15,9% |
| 2 | 2 | Samsung Electronics |  Corée du Sud | 29 242 | +3,0% | 9,3% |
| 3 | 4 | Texas Instruments (2) | États-Unis | 14081 | +8,4% | 4,5% |
| 4 | 3 | Toshiba Semiconductors |  Япония | 13 362 | +2,7% | 4,3% |
| 5 | 5 | Renesas Technology | Япония | 11 153 | -6,2% | 3,6% |
| 6 | 9 | Qualcomm (3) | États-Unis | 10 080 | +39,9% | 3,2% |
| 7 | 7 | STMicroelectronics |  Франция  Италия | 9 792 | -5,4% | 3,1% |
| 8 | 6 | Hynix | Corée du Sud | 8 911 | -14,2% | 2,8% |
| 9 | 8 | Технология Micron | États-Unis | 7 344 | -17,3% | 2,3% |
| 10 | 10 | Broadcom | États-Unis | 7 153 | +7,0% | 2,3% |
| 11 | 12 | Advanced Micro Devices | États-Unis | 6 483 | +2,2% | 2,1% |
| 12 | 13 | Infineon Technologies |  Allemagne | 5 403 | -14,5% | 1,7% |
| 13 | 14 | Sony | Япония | 5 153 | -1,4% | 1,6% |
| 14 | 16 | Freescale Semiconductor | États-Unis | 4 465 | +2,5% | 1,4% |
| 15 | 11 | Elpida Память | Япония | 3 854 | -40,2% | 1,2% |
| 16 | 17 | NXP |  Pays-Bas | 3 838 | -4,7% | 1,2% |
| 17 | 20 | NVIDIA | États-Unis | 3 672 | +14,9% | 1,2% |
| 18 | 18 | Технологическая группа Marvell | États-Unis | 3 448 | -4,4% | 1,1% |
| 19 | 26 | ON Semiconductor (4) | États-Unis | 3 423 | +49,4% | 1,1% |
| 20 | 15 | Корпорация Panasonic | Япония | 3 365 | -32,0% | 1,1% |
| Верх 20 | 203 907 | 3,5% | 65,2% | |||
| Все остальные предприятия | 108 882 | -1,1% | 34,8% | |||
| ИТОГО | 312 789 | 1,9% | 100,0% | |||
Источник: IHS iSuppli, 2011 г.
Примечания:
Принципиальные предприятия производственной сети представляют собой предварительные схемы во Франции:
- Altis Semiconductor (Корбей-Эссонн)
- Атмель (Сен-Кантен-ан-Ивелин, Сен-Эгрев)
- Freescale (Тулуза, Париж)
- Ипдиа (Кан)
- L Фабрика (Руссе, бывшая Atmel)
- MHS Electronics (Nantes, ex Atmel) [1]
- NXP (Ренн, София-Антиполис, Ле-Ман)
- ON Semiconductor (Тулуза)
- STMicroelectronics (Гренобль, Crolles, Tours, Rousset, Rennes, Paris)
- Soitec (Bernin) Soitec n’est pas à proprement parler une entreprise de composants, elle produit le subrat en SOI, позволяющий производить определенные компоненты de ces composants.
Неизвестный количественный предварительный материал для электронного производства: sac à dos écologique (qui représente la Quantité de matières premières nécessaires à la fabrication du produit) d’une puce électron39 909177 de 20 кг [11] .
- ↑ интегральная схема (ИС) https://www.jedec.org/standards-documents/dictionary/terms/integrated-circuit-ic
- ↑ (ru) Персонал по обслуживанию, « Чип, который построил Джек », Texas Instruments, (см. От 29 июля 2010 г.)
- ↑ Жан-Батист Вальднер, Nano-informatique et Intelligence Ambiante: Inventer l’Ordinateur du XXI и siècle , Лондон, Hermes Science, , 302 с. (ISBN 978-2-7462-1516-0) , стр. 37
- ↑ (ru) «за основную работу по информационным и коммуникационным технологиям […] за участие в изобретении интегральной схемы» в Персонал по редакции, « Нобелевская премия по физике 2000 », Fondation Nobel, 2010. Consulté le 28 июля 2010 г.
- ↑ Маккензи, Дональд , Изобретая точность: историческая социология наведения ракет. MIT Press, (1993) p = 156
- ↑ Джим Уильямс, Проектирование аналоговых схем: искусство, наука и личности , Newnes, , 389 стр. (ISBN 0-7506-9640-0, lire en ligne) , p. 238
«Даже в компаниях, производящих как аналоговую, так и цифровую продукцию …»
- ↑ http://www.iutbayonne.univ-pau.fr/~dalmau/documents/cours/archi/MICROPancien.pdf
- ↑ Bulletin de la Societe fribourgeoise des Sciences naturelles, Том 62–63 , (lire en ligne)
- ↑ http://ieeexplore.ieee.org/xpl/login.jsp?tp=&arnumber=1484037&url=http%3A%2F%2Fieeexplore.ieee.org% 2Fstamp% 2Fstamp.jsp% 3Ftp% 3D% 26arnumber% 3D1484037
- ↑ https://www.igen.fr/iphone/2018/05/10-nm-7-nm-5-nm-la-finesse-de-gravure-enjeu-du-monde-mobile-103886
- ↑ Marine Fabre et Wiebke Winkler, Les Amis de la Terre / CNIID, «Программа устаревания, символ общества газпилляжа, le cas des produits electriques et electroniques», Отчет • Сентябрь 2010 г., Qui Citent l’Institut de Wupper pour le climat, l’environnement et l’énergie: «Infobrief Forschungsgruppe nachhaltiges Produzieren und Konsumieren», 2008, с.4
Sur les autres projets Wikimedia:
Статьи коннексов [модификатор | модификатор кода файла]
.МИКРОСХЕМА | определение, значение — che cosa è MICROCIRCUIT nel dizionario Inglese
Система контроля позволила пользователю сканировать поверхность гибридных микросхем. Это создает эксклюзивные микросхемы для обработки информации, которая отражается в свойствах рецептивного поля каждого типа ганглиозных клеток.Качественное мнение, представленное негласным эмпирическим редактором Кембриджского словаря или издательства Кембриджского университета, не являющегося лицензионным.
Altri Esempi Meno esempi
Кружки представляют собой абстрактные нейроны (или нейронные микросхемы), состояния которых представлены активациями.Выдвинута гипотеза о том, что синапсы коленных кортикальных афферентных и корзиночных клеток могут быть пространственно спарены в микросхеме позвоночника-стержня. На основе этого потенциального числового сходства выдвинута гипотеза о синаптическом соединении коленчатой корзины в микросхеме позвоночник-стержень .Однако общая анестезия изменяет как отдельные клетки, так и динамику сети, ограничивая нашу способность понимать правила функционирования кортикальной микросхемы .В оргтехнике, компьютерах, бытовой электронике, электрических компонентах и микросхемах дефицит существенно увеличился. Tratta daАрхив Hansard
.