Схемы включения биполярных транзисторов
Транзистор, в схему включают так, что один из его выводов является входным, второй – выходным, а третий – общим для входной и выходной цепей. В зависимости от того, какой электрод является общим, различают три схемы включения транзисторов: ОБ, ОЭ и ОК. Для транзистора n-р-n в схемах включения изменяются лишь полярности напряжений и направление токов. При любой схеме включения транзистора, полярность включения источников питания должна быть выбрана такой, чтоб эмиттерный переход был включен в прямом направлении, а коллекторный – в обратном.
Статические характеристики биполярных транзисторов
Статическим режимом работы транзистора называется режим при отсутствии нагрузки в выходной цепи.
Статическими
характеристиками транзисторов называют
графически выраженные зависимости
напряжения и тока входной цепи (входные
ВАХ) и выходной цепи (выходные ВАХ).
Характеристики транзистора, включенного по схеме об
Входной характеристикой является зависимость:
IЭ = f(UЭБ) при UКБ = const (а).
Выходной характеристикой является зависимость:
IК = f(UКБ) при IЭ = const (б).
Статические характеристики биполярного транзистора, включенного по схеме ОБ. Выходные ВАХ имеют три характерные области: 1 – сильная зависимость Iк от UКБ; 2 – слабая зависимость Iк от UКБ; 3 – пробой коллекторного перехода. Особенностью характеристик в области 2 является их небольшой подъем при увеличении напряжения UКБ.
Характеристики транзистора, включённого по схеме оэ:
IБ = f(UБЭ) при UКЭ = const (б).
Выходной характеристикой является зависимость:
IК
= f(UКЭ)
при IБ
= const (а).
Режим работы биполярного транзистора
Транзистор может работать в трех режимах в зависимости от напряжения на его переходах. При работе в активном режиме на эмиттерном переходе напряжение прямое, а на коллекторном – обратное.
Режим отсечки, или запирания, достигается подачей обратного напряжения на оба перехода (оба р-n- перехода закрыты).
Если же на обоих переходах напряжение прямое (оба р-n- перехода открыты), то транзистор работает в режиме насыщения. В режиме отсечки и режиме насыщения управление транзистором почти отсутствует. В активном режиме такое управление осуществляется наиболее эффективно, причем транзистор может выполнять функции активного элемента электрической схемы — усиление, генерация.
Усилительный каскад на биполярном транзисторе
Наибольшее
применение находит схема включения
транзистора по схеме с общим
эмиттером. Основными элементами
схемы являются источник питания Ек,
управляемый элемент – транзистор VT и
резистор Rк.
Резистор RБ, включенный в цепь базы, обеспечивает работу транзистора при отсутствии входного сигнала. Режим покоя обеспечивается током базы покоя IБ = Ек/RБ. С помощью резистора Rк создается выходное напряжение. Rк выполняет функцию создания изменяющегося напряжения в выходной цепи за счет протекания в ней тока, управляемого по цепи базы.
Для коллекторной цепи усилительного каскада можно записать следующее уравнение электрического состояния:
Ек = Uкэ + IкRк,
сумма
падения напряжения на резисторе Rк
и напряжения коллектор-эмиттер Uкэ транзистора
всегда равна постоянной величине – ЭДС
источника питания Ек.
Процесс усиления основывается на преобразовании энергии источника постоянного напряжения Ек в энергию переменного напряжения в выходной цепи за счет изменения сопротивления управляемого элемента (транзистора) по закону, задаваемого входным сигналом.
5)Что такое полевой транзистор? Какие виды бывают?
Полевой транзистор (ПТ) – полупроводниковый прибор, в котором ре-
гулирование тока осуществляется изменением проводимости проводящего
канала с помощью поперечного электрического поля. В отличие от биполяр-
ного ток полевого транзистора обусловлен потоком основных носителей.
Электроды полевого транзистора называют истоком (И), стоком (С) и
током. От напряжения между затвором и истоком зависит проводимость кана-
ла,
следовательно, и величина тока.
Таким
образом, полевой транзистор можно
рассматривать как источник тока, управляемый напряжением затвор-исток. Ес-
ли амплитуда изменения управляющего сигнала достаточно велика, сопротив-
ление канала может изменяться в очень больших пределах. В этом случае поле-
По конструкции полевые транзисторы можно разбить на две группы:
-с управляющим p–n-переходом;
-с металлическим затвором, изолированным от канала диэлектриком.
Транзисторы второго вида называют МДП-транзисторами (металл –
диэлектрик – полупроводник). В большинстве случаев диэлектриком является
двуокись кремния SiO2, поэтому обычно используется название МОП-
транзисторы
(металл – окисел – полупроводник).
транзисторах для изготовления затвора часто используется поликристаллический
кремний. Однако название МОП-транзистор используют и для таких приборов.
Проводимость канала полевого транзистора может быть электронной
или дырочной. Если канал имеет электронную проводимость, то транзистор
называют n-канальным. Транзисторы с каналами, имеющими дырочную про-
водимость, называют p-канальными. В МОП- транзисторах канал может быть
обеднён носителями или обогащён ими. Таким образом, понятие «полевой
транзистор» объединяет шесть различных видов полупроводниковых прибо-
ров.
МОП-транзисторы находят широкое применение в современной электро-
нике. В ряде областей, в том числе в цифровой электронике, они почти полно-
стью
вытеснили биполярные транзисторы.
Это
объясняется следующими при-229
чинами. Во-первых, полевые транзисторы имеют высокое входное сопротивле-
ние и обеспечивают малое потребление энергии. Во-вторых, МОП-транзисторы
занимают на кристалле интегральной схемы значительно меньшую площадь,
чем биполярные. Поэтому плотность компоновки элементов в МОП-
интегральных схемах значительно выше. В-третьих, технологии производства
интегральных схем на МОП-транзисторах требуют меньшего числа операций,
чем технологии изготовления ИС на биполярных транзисторах.
6)Что такое стабилитрон? Объясните принцип его работы. Нарисуйте его вольт-амперные характеристики.
Стабилитронами называют
полупроводниковые диоды, использующие
особенность обратной ветви вольтамперной
характеристики на участке пробоя
изменяться в широком диапазоне изменения
токов при сравнительно небольшом
отклонении напряжения.
Напряжение пробоя стабилитрона зависит от ширины р-n-перехода, которая определяется удельным сопротивлением материала полупроводника. Поэтому существует определенная зависимость пробивного напряжения (т. е. напряжения стабилизации) от концентрации примесей.
Низковольтные стабилитроны выполняют на основе сильно легированного кремния. Ширина р-n
Вольт-амперная
характеристика стабилитрона представлена
на рис. 6.1 Рабочий ток стабилитрона
(его обратный ток) не должен превышать
максимально допустимого значения во
избежание перегрева полупроводниковой
структуры и выхода его из строя.
Рис. 6.1. Конструкция корпуса (а), вольт-амперная характеристика и условное графическое обозначение стабилитрона
Существенной особенностью стабилитрона является зависимость его напряжения стабилизации от температуры. В сильно легированных полупроводниках вероятность туннельного пробоя с увеличением температуры возрастает. Поэтому напряжение стабилизации у таких стабилитронов при нагревании уменьшается, т. е. они имеют отрицательный температурный коэффициент напряжения стабилизации (ТКН)
. | (2.4) |
В слабо легированных полупроводниках при увеличении температуры уменьшается длина свободного пробега носителей, что приводит к увеличению порогового значения напряжения, при котором начинается лавинный пробой. Такие стабилитроны имеют положительный ТКН. (рис. 6.2).
Рис.
6.2. Температурная зависимость вольт-амперной
характеристика стабилитрона
Для устранения этого недостатка и создания термокомпенсированных стабилитронов последовательно в цепь стабилитрона включают обычные диоды в прямом направлении. Как известно, у обычных диодов в прямом направлении падение напряжения на р-n-переходе при нагревании уменьшается. И если последовательно со стабилитроном (рис. 6.3) включить диодов в прямом направлении, где , (– изменение прямого падения напряжения на диоде при нагревании отдо), то можно почти полностью компенсировать температурную погрешность стабилитрона.
Рис. 6.3. Термокомпенсация стабилитрона
Основные параметры стабилитронов:
Напряжение стабилизации – напряжение на стабилитроне при про-текании через него тока стабилизации;
Ток стабилизации – значение постоянного тока, протекающего через стабидитрон в режиме стабилизации;
Дифференциальное сопротивление стабилитрона – дифференциальное сопротивление при заданном значении тока стабилизации, т.
е.;Температурный коэффициент напряжения стабилизации – отношение относительного изменения напряжения стабилизации стабилитрона к абсолютному изменению температуры окружающей среды при постоянном значении тока стабилизации:;
е.;Предельные параметры стабилитронов:
Минимально допустимый ток стабилизации – наименьший ток через стабилитрон, при котором напряжение стабилизации находится в заданных пределах;
Максимально допустимый ток стабилизации – наибольший ток через стабилитрон, при котором напряжение стабилизациинаходится в заданных пределах, а температура перехода не выше допустимой;
Максимально допустимая рассеиваемая мощность – мощность, при которой не возникает теплового пробоя перехода.
Цифровая логика — Компьютерные системы, часть 3
12.
02.2022 |
Категория Информационная безопасность
Оглавление
- Общий взгляд
- Представление данных
- Цифровая логика
- Архитектура фон Неймана
Транзисторы
Транзистор является ключевым устройством, которое позволяет построить логический элемент. Существует несколько видов транзисторов, мы рассмотрим МОП-транзисторы (от слов металл-диэлектрик-полупроводник), как наиболее популярные. Что бы понять их детальное устройство требуются предварительные знания физики, поэтому тут мы рассмотрим лишь функциональную модель, которой будет вполне достаточно для наших целей. Существует два типа МОП-транзисторов: P-тип и N-тип. Что бы понять их использование, рассмотрим сначала простую электрическую цепь.
Тут мы видим источник тока, лампу и также переключатель. Если переключатель закрыт, то мы имеем замкнутую цепь, по которой идет ток, если открыт – то цепь незамкнута и, соответственно, тока не возникает.
Что бы проще изображать цепь, можно не показывать каждый раз источник питания целиком, а изобразить сверху место высокого напряжения (условно – 1.2 вольта), а снизу – место низкого (0 вольт).
Так вот, полезное для нас свойство транзистора заключается в том, что его можно использовать в качестве переключателя. Рассмотрим схему транзистора N-типа.
У него есть три терминала. Верхний называется сток, нижний исток, средний – затвор.
Смысл в том, что мы можем использовать его как переключатель. Если на затвор подать высокое напряжение, транзистор будет действовать как переключатель в закрытом состоянии, то есть пропускать ток. Если же на затвор подать низкое напряжение, транзистор действует как переключатель в открытом состоянии (или как разрыв в цепи) и не пропускает ток.
Рассмотрим тебе транзистор P-типа.
Он ведет себя противоположным образом, если на его затвор подать высокое напряжение, он действует как переключатель в открытом положении, если же низкое – как переключатель в закрытом.
Логические элементы
Как я уже писал, на основе транзисторов можно построить логические элементы (мы также будем их называть логическими гейтами или просто гейтами). Логический гейт – это устройство, которое принимает на вход одно или несколько значений битов и на основе их генерируют значение, которое подает на выход. С физическое точки зрения эти значения являются показателями напряжения. Высокое напряжение мы условно обозначаем единицей, низкое – нулем.
NOT-гейт
Самым простым гейтом является NOT-гейт. Он принимает на вход один бит и выдает на выход противоположный.
|
A |
Z |
|
0 |
1 |
|
1 |
0 |
Его электрическая схема выглядит так.
Если на вход подается высокое напряжение, то на выход низкое и наоборот.
OR-гейт
OR-гейт (от английского OR – или) принимает на вход два значения, если какое-либо из них равно единице, то и на выход подается единица, если оба нуля, то на выходе мы имеем ноль.
|
A |
B |
Z |
|
0 |
0 |
0 |
|
0 |
1 |
1 |
|
1 |
0 |
1 |
|
1 |
1 |
1 |
Электрическая схема.
NOR-гейт
NOR-гейт работает как OR наоборот. То есть, если на обоих входах нули, то на выходе будет единица, во всех остальных случаях на выходе будет ноль.
|
A |
B |
Z |
|
0 |
0 |
1 |
|
0 |
1 |
0 |
|
1 |
0 |
0 |
|
1 |
1 |
0 |
Электрическая схема.
AND-гейт
AND-гейт (от английского and – или) выдает единицу только если на обоих его входах единицы. В остальных случаях он выдает ноль.
|
A |
B |
Z |
|
0 |
0 |
0 |
|
0 |
1 |
0 |
|
1 |
0 |
0 |
|
1 |
1 |
1 |
Электрическая схема.
NAND-гейт
NAND-гейт является обратным к AND. Он выдает ноль, если на обоих его входах единицы. В других случаях он выдает единицу.
|
A |
B |
Z |
|
0 |
0 |
1 |
|
0 |
1 |
1 |
|
1 |
0 |
1 |
|
1 |
1 |
0 |
Электрическая схема.
Комбинационные логические схемы
Комбинируя логические гейты между собой можно создавать логические схемы. Можно выделить два вида логических схем: комбинационные и последовательные. Начнем с первых.
Декодер
Декодер – это такая схема, которая имеет несколько выходов, но только один ее выход всегда выдает единицу (какой именно – зависит от входных значений), а остальные всегда выдают ноль. Рассмотрим декодер 2×4.
2 означает количество входов, а 4 – количество выходов. 2 бита могут образовывать четыре комбинации, соответственно каждому возможному входу соответствует уникальная выходная комбинация. Таким же образом можно создавать и более большие регистры, например 3×8, 4×16 и т.д.
Мультиплексер
Мультиплексер имеет несколько входов и один выход.
Его смысл в том, что из нескольких входных сигналов (I0, I1, I2, I3) один и только один он пропускает на выход. Какой именно – мы можем выбрать с помощью входов A и B. Можно создавать мультиплексеры и с большим количеством входных сигналов.
Сумматор
Когда мы побитого складываем два бинарных числа мы должны сложить два текущих бита, перенести единицу если результат больше 1 и еще добавить результат предыдущего переноса, если он есть.
Схема, которая реализует подобный функционал, должна иметь три входа (два бита, которые мы складываем, а также предыдущий перенос) и два выхода (результат сложения двух битов и значение переноса). Вот ее таблица истинности.
|
Первый бит |
Второй бит |
Входящий перенос |
Сумма |
Перенос |
|
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
|
0 |
1 |
0 |
1 |
0 |
|
1 |
0 |
0 |
1 |
0 |
|
1 |
1 |
0 |
0 |
1 |
|
0 |
0 |
1 |
1 |
0 |
|
0 |
1 |
1 |
0 |
1 |
|
1 |
0 |
1 |
0 |
1 |
|
1 |
1 |
1 |
1 |
1 |
Теперь построим такую схему с помощью логических элементов.
Последовательные логические схемы
В комбинационных логических схемах выходные значение зависят только от входных. Но что бы реализовать, например, запоминающий элемент такие схемы не годятся, ведь понятие памяти по отношению к схеме означает ее способность иметь несколько возможных состояний, переходить из одного состояния в другое под действием входных сигналов и сохраняться в этом состоянии. Схемы такого рода еще называют триггерами. Рассмотрим один из них.
R-S триггер
Возьмем два NAND-гейта и соединим таким образом.
Представим, что на A и на B поданы единицы, какие значения будут на C и на D? На самом деле мы будем иметь неопределенность, поскольку значение C зависит от значения D, а мы не знаем не того не другого.
Теперь подадим единицу на A и ноль на B.
Как работает NAND-гейт? Он выдает ноль, только если на обоих его входах единицы. То есть в данном случае у нас уже есть ноль на входе B, значит нижний NAND будет выдавать единицу.
Тогда верхний гейт будет выдавать ноль.
Подадим теперь единицу на B. Как видно, это никак не повлияет на значения C и D
Теперь подадим ноль на A и единицу на B.
В данном случае верхний гейт будет выдавать единицу, поскольку на его вернем входе ноль, следовательно нижний гейт будет выдавать ноль.
Теперь подадим единицу на A. Верхний и нижний гейт продолжат выдавать предыдущие значения!
Как видно, при единицах на A и B, гейты сохраняют свои предыдщие выходные значения.
Такая схема называется R-S триггером. Ее свойство, позволяющее хранить предыдущее состояние и используется для создания запоминающего элемента. У гейтов может быть два варианта выходных значений, один из будет использовать для хранение единицы, другой – для хранения нуля.
В зависимости от того, какое значение мы хотим записать мы либо подаем ноль на A и единицу на B – либо наоборот. Если после этого подать единицу на тот вход, на котором до этого был подан ноль, входные значения сохранятся.
Теперь можно сделать полноценный запоминающий элемент
Если на S единица, то на B мы также будем иметь единицу, а на A – либо единицу (если на i – ноль), либо ноль (если на i – единица). Таким образом мы записываем нужное нам значение, которое гейт выдает на C. Если на S ноль – то в независимости от значения i схема будет сохранять предыдущее значение, которое было записано, когда на S была единица. Таким образом, с помощью входа S мы открывает схему для записи, с помощью входа i записываем какое-либо значение. Такое устройство может хранить 1 байт.
Регистр
Мы можем объединить несколько запоминающих устройств, емкостью 1 байт в одно.
Получившиеся устройство называют регистром. Тут мы привели регистр емкостью в один байт. В современных же процессорах размер регистра может достигать восьми байт.
ОШИБКА — 404 — НЕ НАЙДЕНА
- Главная
- ЭТО ЛОВУШКА!
Наши серверные гномы не смогли найти страницу, которую вы ищете.
Похоже, вы неправильно набрали URL-адрес в адресной строке или перешли по старой закладке.
Возможно, некоторые из них могут вас заинтересовать?
SparkFun GPS Dead Reckoning Breakout — NEO-M8U (Qwiic)
Нет в наличии GPS-16329
74,95 $
2
Избранное Любимый 19
Список желаний
Процессор SparkFun MicroMod ESP32
В наличии WRL-16781
16,95 $
1
Избранное Любимый 6
Список желаний
Модуль GPS — GP1818MK (56 каналов)
В наличии GPS-19166
19,95 $
Избранное Любимый 2
Список желаний
MIKROE UART MUX 2 Click
Нет в наличии DEV-19280
35,95 $
Избранное Любимый 0
Список желаний
Создание искусства: «Ожидание» с Хайме Каррехо
6 июля 2021 г.
Узнайте об инсталляции Хайме Каррехо «Ожидание» и о том, как мы создавали художественную кинетическую инсталляцию.
Избранное Любимый 0
Лучшие школы производителей по всему миру
2 ноября 2021 г.
Согласно результатам сотрудничества Newsweek и Make, это лучшие школы Maker в мире
Избранное Любимый 0
Стартовый набор mbed Руководство по проведению экспериментов
27 ноября 2014 г.
Это руководство по экспериментам поможет вам начать знакомство с удивительным миром микроконтроллеров mbed. Нужно найти следующий шаг после освоения Arduino? Это отличное место, чтобы поднять эти навыки на новый уровень.
Избранное Любимый 8
Урок 2: Схема транзисторного таймера
Создано: 27 июля 2012 г.
Обновлено: 12 января 2023 г.
Схема транзисторного таймера для начинающих в электронике, использующая один транзистор. Когда схема питается от батареи 9В, светодиод включается. Переключатель (или ссылка на макетной плате) замыкается, чтобы запустить таймер, в результате чего светодиод выключается на определенный период времени. По истечении периода времени светодиод снова загорается. Это очень простая схема транзисторного таймера, которая поможет новичкам создавать макетные схемы. Следующее видео демонстрирует схему.
В этом уроке вы узнаете:
- Как собрать немного более сложную макетную схему, чем предыдущая светодиодная схема
- Подробнее о принципиальных схемах
- О транзисторах и конденсаторах
Предварительные требования
Вам необходимо пройти первое учебное пособие, в котором вы узнали бы о макетных платах, резисторах, светодиодах и принципиальных схемах.
Узнайте о конденсаторах, транзисторах и переключателях, прежде чем приступить к этому руководству.
Компоненты схемы транзисторного таймера
Для сборки схемы транзисторного таймера вам потребуется макетная плата, проволочные перемычки, батарея 9 В, зажим для батареи 9 В и следующие компоненты:
| Кол-во | Деталь | Обозначение | Примечания | Тип |
|---|---|---|---|---|
| 1 | Резистор 470 Ом (желто-фиолетово-коричневый) | Р1 | 1/4 Вт, 5% или выше | Резисторы |
| 1 | Резистор 1 кОм (коричневый-черный-красный) | Р3 | 1/4 Вт, 5% или выше | |
| 1 | Резистор 22k (красный-красный-оранжевый) | Р2 | 1/4 Вт, 5% или выше | |
| 1 | Конденсатор 470 мкФ | С1 | 16 В или более Также попробуйте схему с конденсаторами 1000 мкФ и 100 мкФ, чтобы увидеть изменение периода времени таймера | Конденсаторы |
| 1 | Красный светодиод 5 мм | Д1 | Полупроводники | |
| 1 | 2N2222 или PN2222 | Q1 | Транзистор NPN Можно также использовать BC107, BC108 или BC109 | |
| 1 | Тумблер | С1 | Тумблер с припаянным к его клеммам одножильным проводом для подключения к макетной плате. В качестве альтернативы вместо тумблера можно использовать проводную связь. | Переключатели |
Как партнер Amazon я зарабатываю на соответствующих покупках:
Необходимые детали показаны ниже:
Электронные компоненты схемы транзисторного таймераЧтение схемы транзисторного таймера
Принципиальная схема транзисторного таймера для простого транзисторного таймера показана ниже . Далее следует объяснение частей схемы.
Принципиальная схема транзисторного таймераСсылочные обозначения
Принципиальная схема транзисторного таймера отличается от принципиальной схемы в учебнике 1 тем, что компонентам теперь присвоены позиционные обозначения. Обозначение — это метки R1, R2, R3, D1, C1, Q1 и S1, которые вы видите.
Обозначения позволяют легко найти компоненты схемы – например, в инструкции может быть указано: подключите резистор R1 к макетной плате . Они также используются для идентификации компонентов на печатной плате.
Печатные платы обычно имеют позиционные обозначения, нанесенные шелкографией на плате рядом с каждым компонентом. Таким образом легко найти соответствующие компоненты на принципиальной схеме и на печатной плате.
Блок питания
Схема транзисторного таймера показывает, что он должен питаться от 9V. Положительная клемма источника питания (наша батарея 9В) должна быть подключена к проводу +9В схемы, а отрицательная клемма источника питания должна быть подключена к проводу с маркировкой 0В .
Конденсатор
Электролитический конденсатор должен быть правильно подключен к цепи – соблюдайте полярность конденсатора – это означает подключение плюсовой или + клеммы конденсатора, где показано, и минусовой или минусовой клеммы конденсатора, где показано. показано на принципиальной схеме.
Светодиод
Также необходимо соблюдать полярность светодиода – правильно подключить светодиод.
Резисторы
Как вы узнали из урока 1, резисторы можно подключать к любому выводу на 9В.
Обязательно поместите резистор правильного номинала в правильное место в цепи.
Обратите внимание, что значение R1 равно 470R. Это еще один способ записи 470 Ом (или 470 Ом), который часто появляется на принципиальных схемах, где программное обеспечение, используемое для рисования принципиальной схемы, не имеет возможности вставлять символ ома.
Переключатель
Нам не нужно использовать настоящий переключатель в цепи, но вместо этого мы можем использовать проводную связь, которая действует как переключатель, подключив его к макетной плате, чтобы замкнуть переключатель, или отсоединив его, чтобы разомкнуть переключатель.
Транзистор
Необходимо соблюдать схему выводов транзистора – коллектор (c), база (b) и эмиттер (e) физического транзистора должны быть соединены, как показано на принципиальной схеме. Будьте осторожны, чтобы не подключить ни один из выводов транзистора к неправильной части схемы, например, убедитесь, что коллектор транзистора подключен к светодиоду, а не к базе или эмиттеру.
Сопоставление символа NPN-транзистора с физическим транзистором в корпусе из металлической банки TO-18 показано здесь:
2N2222, BC107, BC108 и BC109 Схема контактов NPN-транзистораВ качестве альтернативы транзистор PN2222 или KSP2222 в пластиковом корпусе TO-92 можно использовать, как показано на следующем рисунке. Сюда входят транзисторы 2N2222, упакованные в черный пластиковый корпус вместо металлической банки.
PN2222 и KSP2222 Схема контактов транзистора NPNСборка схемы транзисторного таймера
Вставьте электролитический конденсатор емкостью 470 мкФ (C1)
Отогните более длинный (положительный) вывод конденсатора влево и вставьте его в макетную плату так, чтобы между двумя выводами конденсатора было 5 пустых отверстий (соединительных точек). На фото минусовой вывод конденсатора справа. Отрицательный вывод отмечен на корпусе конденсатора.
Шаг 1: Вставьте конденсаторВставьте резистор 470 Ом (R1)
R1 соединяется с положительным выводом C1, поэтому соедините его с соединительной точкой на той же проводящей полосе макетной платы.
Другой вывод R1 подключается к верхней направляющей макетной платы, к которой подключается положительный вывод батареи.
Вставьте резистор 22 кОм (R2)
Подсоедините R2 между верхней рейкой и отрицательным выводом C1.
Шаг 3: Вставьте резистор R2 (22 кОм)Вставьте проводную перемычку
Подсоедините проводную перемычку от отрицательной клеммы C1 через средний изолирующий канал.
Шаг 4. Вставьте проводную перемычкуВставьте транзистор 2N2222 (Q1)
Транзистор подключается так, чтобы эмиттер находился справа (вывод, ближайший к металлическому выступу). Базовый вывод посередине соединяется с оранжевым звеном на фотографии. Коллектор подключается к точке привязки слева от основания.
Шаг 5: Вставьте транзистор Q1 При использовании транзистора PN2222 или аналогичной детали из черного пластика с такой же схемой контактов вставьте его плоской стороной к конденсатору. Тогда эмиттер будет справа, а коллектор слева.
Соедините средний контакт (базу) этого транзистора с перемычкой, соединяющей его с отрицательным выводом конденсатора.
Подсоедините эмиттер транзистора к нижней шине
С помощью проволочной перемычки соедините эмиттер справа от транзистора с нижней шиной, которая соединится с отрицательной клеммой аккумулятора и помечена в цепи как 0 В.
Шаг 6: Вставьте второе проводное соединениеЭто то, что мы построили из схемы транзисторного таймера:
Части схемы транзисторного таймера завершеныВставьте коллекторное соединение в цепь транзисторного таймера
Вставьте ссылку на соедините коллектор транзистора с соединительной точкой справа – лиловая ссылка на фото ниже.
Шаг 7: Вставьте третью перемычкуВставьте светодиод
Катод (более короткий вывод) соединяется с коллектором транзистора через перемычку.
Шаг 8: Вставьте светодиодВставьте резистор 1 кОм (R3)
R3 подключается от анода светодиода к верхней направляющей.
Шаг 9: Вставьте резистор R3 (1 кОм)Вставьте перемычку «Переключатель»
Перемычка должна быть подключена туда, где соединяются положительный вывод конденсатора и вывод от R1 – красный провод на фото.
