Генератор свч на полевом транзисторе

Авторы патента:

Богданов Ю.М.

Балыко А.К.

Пашковский А.Б.

Петров К.И.

Тагер А.С.

Яцюк Ю.А.

Гусельников Н.А.

H01L29/812 — с затвором типа барьера Шотки

 

Применение: изобретение относится к электронной технике, а именно к полупроводниковым приборам, предназначенным для генерации СВЧ-сигналов. Сущность изобретения: изобретение позволяет снизить фазовые (частичные) шумы генератора, что достигается тем, что активный слой полевого транзистора с барьером Шотки выполнен со ступенчатым профилем легирования, причем отношения толщины слоя под затвором A₁ к толщине второго слоя A₂ и концентрацией примеси в них соответственно удовлетворяют соотношениям A₂/A₁ 3, . 5 ил.

Изобретение относится к электронной технике, а именно к полупроводниковым приборам, предназначенным для генерации СВЧ-сигналов.

Одной из основных задач, стоящих перед разработчиками генераторов СВЧ на полевых транзисторах, предназначенных для использования в качестве гетеродинов и задающих источников СВЧ-сигнала в доплеровский РЛС, является снижение фазовых (частотных) шумов в спектре выходного сигнала. Эта задача решается как путем создания новых структурных схем генератора, так и путем поиска новых конструкторских решений в рамках известных структурных схем.

Известна конструкция генератора СВЧ на биполярном транзисторе (ГВТ) [1] , имеющая низкий уровень фазовых шумов.

Существенным недостатком такого генератора является ограничение по частотному диапазону, верхняя граница которого для биполярных транзисторов не превышает 10-12 ГГц.

Наиболее близким техническим решением является конструкция генератора СВЧ на полевом транзисторе, содержащая полевой транзистор с барьером Шотки (ПТШ), гибридно-монолитную генераторную схему и диэлектрический резонатор, включенный в цепь затвора [2] .

Использование диэлектрического резонатора в схеме позволило на 10-15 дБ уменьшить фазовые (частотные) шумы генератора.

Однако они по-прежнему остаются высокими по сравнению с генераторами на биполярных транзисторах.

Это обстоятельство существенно ограничивает возможности использования генераторов на ПТШ в качестве гетеродинов и задающих генераторов доплеровских РЛС.

Целью изобретения является снижение фазовых шумов генератора путем получения не зависящих от напряжения на затворе входной емкости ПТШ.

Цель достигается тем, что в известной конструкции транзисторного СВЧ-генератора, содержащей полевой транзистор с барьером Шотки, гибридно-монолитную генераторную схему и диэлектрический резонатор, включенный в цепь затвора, активный слой транзистора выполнен со ступенчатым профилем легирования, причем отношения толщины слоя под затвором A

1 к толщине второго слоя A₂ и концентрацией примеси в них ND₁и ND₂ соответственно удовлетворяют соотношениям: A₂/A₁ 3, ND₁/ND₂ 3.

На фиг. 1 изображена структура ПТШ, поперечный разрез; на фиг. 2 — ступенчатый профиль легирования активного слоя ПТШ; на фиг. 3 схематически показана одна из схем генератора СВЧ на полевом транзисторе с барьером Шотки; на фиг. 4 даны зависимости входной емкости C

3 от напряжения на затворе U₃ и для полевого транзистора со ступенчатым профилем легирования; на фиг. 5 приведены экспериментальные зависимости частоты отстройки от несущей f_о фазовых шумов генератора.

На фиг. 1 обозначены полуизолирующая подложка 1, электроды затвора 2, истока 3 и стока 4, активный слой 5, область, обедненная зарядами 6.

На фиг. 3 обозначены полевой транзистор 7, диэлектрический резонатор 8, сопротивление 9 (R₁), конденсатор 10 (C₁), индуктивность 11 (L₁), сопротивление нагрузки 12 (R_н), конденсатор 13 (С₂), индуктивность 14 (L₂

), сопротивление 15 (R₃), конденсатор 16 (С₃), комплексное сопротивление 17 (Z_о) полосковой линии.

На фиг. 4 обозначены кривая 18 со ступенчатым профилем легирования полевого транзистора, кривая 19 — с однородным профилем легирования.

На фиг. 5 обозначены кривая 20, показывающая уровень шумов генератора конструкции по изобретению, кривая 21 — уровень шумов прототипа, кривая 22 — уровень шумов генератора на биполярном транзисторе.

Уровень фазовых шумов в спектре выходного сигнала генератора определяется низкочастотными шумами транзистора, обусловленными в основном локальными флюктуациями концентрации носителей заряда в активном слое транзистора. Флюктуации концентрации носителей, вызванные процессами захвата и эмиссии электронов легирующими примесями и дефектами решетки в активном слоем, модулируют размеры обедненного слоя под затвором и обуславливают флюктуации напряжения на затворе транзистора.

В известных конструкциях генераторов на ПТШ, в том числе и в прототипе, используется полевой транзистор с равномерным (одинаковым по толщине активного слоя) профилем легирования.

Входная емкость С_зи такого транзистора существенно зависит от напряжения на затворе U_зи. Флюктуации напряжения U_зи приводят к изменениям емкости С_зи и, как следствие этого, к флюктуации частоты генератора.

Конструкция генератора на полевом транзисторе со ступенчатым профилем легирования (фиг. 1) и предлагаемыми параметрами профиля легирования обеспечивает независимость емкости С_зи от напряжения на затворе в достаточно широких пределах изменения U_зи (фиг. 4). В этом случае флюктуации напряжения U_зи, вызванные локальными флюктуациями концентрации зарядов в активном слое ПТШ, практически не изменяют величину емкости С

зи и, следовательно, частоты генератора. Это обеспечивает значительное снижение уровня фазовых (частотных) шумов в спектре выходного сигнала генератора (фиг. 5).

П р и м е р. В качестве примера рассмотрен генератор, эквивалентная схема которого изображена на фиг. 3.

Гибридная интегральная схема выполнена на диэлектрической подложке толщиной h = 0,5 мм и диэлектрической проницаемостью = 9,6. В цепи затвора расположен диэлектрический резонатор с собственной добротностью Q

R 5000 и частотой f_R = 10 ГГц, связанной с полосковой линией сильной боковой связью (коэффициент связи _c = 5). Свободный конец линии согласован с 50-омной нагрузкой. В цепь истока включена емкость с параметрами С_р= 0,3 пФ.

Полевой транзистор выполнен на полуизолирующий арсенид-галлиевой высокоомной пластине с активным слоем толщиной A = A₁ + A₂ = 0,15 мкм со ступенчатым профилем легирования (фиг. 2). Длина затвора l_з = 0,7 мкм, ширина затвора W_з= = 300 мкм. Диапазон рабочих частот генератора f_о = 10-12 ГГц.

Как видно из фиг. 5, предлагаемая конструкция позволит снизить фазовые шумы генератора на ПТШ на 7-10 дБ по сравнению с прототипом и максимально приблизиться к шумам генератора на биполярном транзисторе.

Формула изобретения

ГЕНЕРАТОР СВЧ НА ПОЛЕВОМ ТРАНЗИСТОРЕ, содержащий полевой транзистор с барьером Шотки, гибридно-монолитную генераторную схему и диэлектрический резонатор, включенный в цепь затвора полевого транзистора, отличающийся тем, что, с целью снижения фазовых шумов генератора путем получения не зависящей от напряжения на затворе входной емкости полевого транзистора, активный слой транзистора выполнен со ступенчатым профилем легирования, причем отношения толщины слоя под затвором A

1 к толщине второго слоя A₂ и концентрацией примеси в них соответственно N_D1 и N_D2 удовлетворяют соотношениям a₂/A₁ 3, N_D1 / N_D2 3

РИСУНКИ

Рисунок 1, Рисунок 2, Рисунок 3, Рисунок 4, Рисунок 5

 

Похожие патенты:

Транзистор шоттки с двухсторонним управлением канала // 2000631

Полевой вертикальный транзистор // 1482479

Изобретение относится к полевым транзисторам, предназначенным для работы в диапазоне сверхвысоких частот и применяемым в усилителях, генераторах и сверхбыстродействующих переключательных схемах

Полевой свч-транзистор // 1118245

Изобретение относится к электронной технике, а именно к полупроводниковым приборам, предназначенным для усиления СВЧ-электромагнитных колебаний

Полевой трансистор // 1005224

Полевой транзистор // 646391

Интегральный полевой транзистор шоттки со статической индукцией // 2183885

Изобретение относится к области вычислительной техники и интегральной электроники, а более конкретно к интегральным полевым транзисторным структурам СБИС

Интегральный логический элемент «не» на основе туннельного эффекта // 2287896

Изобретение относится к области вычислительной техники и интегральной электроники

Интегральный логический элемент «не» на основе сверхрешетки второго типа // 2377693

Изобретение относится к области вычислительной техники и интегральной электроники, а более конкретно к интегральным логическим элементам СБИС

Мощный свч полевой транзистор с барьером шотки // 2393589

Изобретение относится к электронной технике

Мощный полевой транзистор свч // 2463685

Изобретение относится к электронной технике

Полевой транзистор // 2093925

Изобретение относится к электронной технике, а именно к полупроводниковым транзисторам

Оксид р-типа, получение оксидной композиции р-типа, способ получения оксида р-типа, полупроводниковый прибор, индикаторное устройство, аппаратура воспроизведения изображения и система // 2556102

Изобретение относится к оксиду р-типа, оксидной композиции р-типа, способу получения оксида р-типа, полупроводниковому прибору, аппаратуре воспроизведения изображения и системе. Оксид р-типа является аморфным соединением и представлен следующей композиционной формулой: xAO∙yCu2O, где x обозначает долю молей AO и y обозначает долю молей Cu2O, x и y удовлетворяют следующим условиям: 0≤x<100 и x+y=100 и А является любым одним из Mg, Са, Sr и Ва или смесью, содержащей, по меньшей мере, два элемента, выбранные из группы, состоящей из Mg, Са, Sr и Ва. Оксид р-типа производится при относительно низкой температуре и в реальных условиях и способен проявлять отличные свойства, то есть достаточную удельную электропроводность. 7 н. и 4 з.п. ф-лы, 36 ил., 8 табл., 52 пр.

Генератор свч на транзисторе

Новые книги Шпионские штучки: Новое и лучшее схем для радиолюбителей: Шпионские штучки и не только 2-е издание Arduino для изобретателей. Обучение электронике на 10 занимательных проектах Конструируем роботов. Руководство для начинающих Компьютер в лаборатории радиолюбителя Радиоконструктор 3 и 4 Шпионские штучки и защита от них. Сборник 19 книг Занимательная электроника и электротехника для начинающих и не только Arduino для начинающих: самый простой пошаговый самоучитель Радиоконструктор 1

Поиск данных по Вашему запросу:

Генератор свч на транзисторе

Схемы, справочники, даташиты:

Прайс-листы, цены:

Обсуждения, статьи, мануалы:

Дождитесь окончания поиска во всех базах.

По завершению появится ссылка для доступа к найденным материалам.

Содержание:

• МАЛОШУМЯЩИЙ СВЧ ГЕНЕРАТОР
• Транзисторные генераторы свч
• Генератор на транзисторе
• Мощный ВЧ-СВЧ генератор на одном транзисторе.
• Справочник химика 21
• Широкополосный вч генератор своими руками. Мощный генератор ВЧ на MOSFET-транзисторе
• Вы точно человек?
• Проверенные схемы

ПОСМОТРИТЕ ВИДЕО ПО ТЕМЕ: СВЧ НА ДВУХ ДЕТАЛЯХ

МАЛОШУМЯЩИЙ СВЧ ГЕНЕРАТОР

Автореферат — бесплатно , доставка 10 минут , круглосуточно, без выходных и праздников. Беляев Илья Викторович. Моделирование и схемотехника СВЧ-транзисторного генератора с невзаимным элементом в цепи обратной связи : диссертация Актуальность проблемы.

Транзисторные генераторы СВЧ-диапазона нашли широкое применение в современной радиоэлектронной технике. Эти устройства представляют собой схему, в состав которой, кроме активного элемента, каким является транзистор, входят пассивные элементы. Пассивные элементы, которые обычно выполняются на отрезках микрополосковой линии МПЛ , входят в состав цепи обратной связи. Особое место в этой цепи занимает колебательная система, которая определяет генерируемую частоту.

При создании новых типов СВЧ-транзисторных генераторов или модернизации ранее созданных перед конструкторско-технологической реализацией экспериментальных образцов решается комплекс схемотехнических задач, позволяющий конкретизировать состав генератора, в том числе выбрать тип используемого транзистора, а также определить параметры его электрического режима и пассивных элементов, обеспечивающих требуемые выходные параметры устройства.

Решение схемотехнических задач, как правило, осуществляется при использовании моделирования. Именно такой подход позволяет существенно сократить сроки разработки и материальные затраты за счет уменьшения числа экспериментальных образцов. Транзисторные генераторы СВЧ могут выполняться как с внешней, так и с внутренней цепями обратной связи.

В генераторах первого типа информация с выхода транзистора на его вход передается по цепи обратной связи, проходящей вне прибора. В генераторах второго типа такой специальной цепи нет, а передача информации с выхода прибора осуществляется через транзистор. Первыми создавались транзисторные генераторы низкочастотного и высокочастотного диапазонов. В основном они строились, как и генераторы на триодах, по трехточечной схеме, в которой реализуется внешняя обратная связь, на базе элементов с сосредоточенными параметрами.

Для таких генераторов создана целая иерархия математических моделей О. Челноков, В. Богачев, Ю. Хотунцев, А.. Балыко и др. Попытки распространения модельных представлений, свойственных генераторам низкочастотного и высокочастотного диапазонов, на СВЧ-генераторы не дают должного эффекта, поскольку при таком подходе не учитываются многие факторы, характерные для СВЧ-диапазона.

Разработка транзисторных генераторов СВЧ — диапазона потребовала создания математических моделей, в которых учитывалась специфика этого диапазона. Созданные модели, как правило, отражают работу генераторов с внутренней обратной связью М. Фурсаев, С. А Фартушнов, Д. Горбачев, A. Такие генераторы содержат меньше пассивных СВЧ-элементов, но обладают существенным недостатком, связанным с возникновением в транзисторе опасных для него перенапряжений, создаваемых полем стоячей волны, которая возникает из-за наличия рассогласования цепей на выходе и входе транзистора.

Перенапряжений можно избежать, уменьшив питающие напряжения, но это приводит к снижению выходной мощности. Генераторы с внешней цепью обратной связи лишены этого недостатка. Но, как показано в работах М. Фурсаева и Е. Мазеевой, при отсутствии в цепи обратной связи невзаимного элемента, который обеспечивает развязку входной и выходной цепей, только половина мощности транзистора передается в нагрузку, что приводит к снижению КПД.

Однако в объеме, достаточном для практического применения, вопросы математического моделирования и схемотехнические решения транзисторных генераторов СВЧ с внешней обратной связью, содержащей невзаимные элементы, не рассматривались. Этим объясняется актуальность дальнейшего развития модельных представлений относительно СВЧ-транзисторных генераторов с внешней обратной связью и разработки методик решения задач их схемотехники, что необходимо для создания таких устройств высокого уровня мощности и КПД.

Цель работы. Построение математической модели стационарного режима СВЧ-транзисторного генератора с внешней обратной связью, содержащей невзаимный элемент, решение задачи синтеза элементов цепи внешней обратной связи, анализ работы генератора при изменении напряжений источников питания и параметров нагрузки, а также решение задачи обеспечения устойчивости стационарного режима генераторов данного типа. Эти вопросы решаются на примере использования в генераторе биполярного транзистора, работающего в недонапряженном режиме с отсечкой тока, и ферритового вентиля в качестве невзаимного элемента.

Достоверность результатов и выводов диссертационной работы обосновывается применением методов математического моделирования, апробированных в современной технике СВЧ, соответствием используемого математического аппарата классу задач, решаемых теорией электрических цепей, соответствием исходных положений реальным условиям, свойственным исследуемому объекту. Результаты выполненного анализа подтверждены экспериментальными данными.

Математическая модель СВЧ-транзисторного генератора с внешней обратной связью, включающей ферритовый вентиль, может использоваться для решения задач схемотехники устройств этого типа с высоким уровнем мощности и КПД при их разработке, а также при прогнозировании их выходных параметров в условиях эксплуатации;. Алгоритм решения задачи синтеза цепи внешней обратной связи с невзаимным элементом СВЧ-транзисторного генератора, при задании значений параметров электрического режима транзистора позволяет определять величины параметров элементов этой цепи, а также их топологию;.

Схемное решение обеспечения устойчивости СВЧ-генератора с внешней обратной связью на биполярном транзисторе, работающем в недонапряженном режиме с отсечкой тока, может быть использовано при создании устройств этого типа. Личный вклад автора. Автором разработаны алгоритмы и методики решения задач схемотехники рассматриваемого типа СВЧ-транзисторных генераторов, проведены необходимые расчеты и теоретические исследования, выполнен анализ полученных результатов.

Апробация работы. По материалам научных исследований, проведенных в рамках диссертации, опубликовано 12 печатных работ, одна из которых — в издании, рекомендованном ВАК РФ. Структура и объем диссертации. Диссертационная работа содержит страниц, состоит из введения, четырех глав, заключения и приложения, включает 35 рисунков, 7 таблиц.

Список используемой литературы включает 50 наименований. Моделирование электрических характеристик СВЧ-генераторов с внутренней обратной связью на биполярном транзисторе Мазеев, Евгений Валентинович. Схемотехника и моделирование полупроводниковых структур мощных аналогов негатронов, дефензоров и автогенераторов на их основе Заруба Денис Владимирович.

Схемотехника СВЧ — систем на кристалле с использованием кремниевых гетероструктурных биполярных транзисторов Тимошенков, Валерий Петрович. Развитие теории и методов анализа электромагнитной совместимости цепей линий связи при передаче аналоговых и цифровых сигналов Андреев, Владимир Александрович. Развитие теории и методов расчета параметров передачи несимметричных цепей кабельных линий связи Калюжный, Владимир Федорович.

Применение адаптивных технологий обработки цифровых сигналов в искусственных цепях симметричных кабелей связи Иванов Сергей Алексеевич. Разработка метода и исследование параметров передачи неспецифицированных цепей слаботочных и силовых кабелей узлов связи Крутяков Константин Александрович.

Разработка методов и исследование реальных коаксиальных цепей кабельных линий передачи магистральной сети связи России Воронцов, Анатолий Сергеевич. А Вам нравится? Моделирование и схемотехника СВЧ-транзисторного генератора с невзаимным элементом в цепи обратной связи Беляев Илья Викторович. Введение к работе Актуальность проблемы. Задачи исследования : — построение математической модели стационарного режима СВЧ — транзисторного генератора с внешней обратной связью, в состав которой введен невзаимный элемент, обеспечивающий развязку входной и выходной цепей; — поиск путей схемного решения задачи обеспечения устойчивости СВЧ-генератора с внешней обратной связью на биполярном транзисторе, работающем в недонапряженном режиме с отсечкой тока; — моделирование фазовых характеристик биполярного транзистора, работающего в недонапряженном режиме с отсечкой тока; — разработка алгоритмов решения задачи определения параметров пассивных элементов цепи внешней обратной связи с ферритовым вентилем; — применение построенной математической модели СВЧ — генератора на биполярном транзисторе с внешней обратной связью, содержащей ферритовый вентиль, для исследования работы такого устройства в составе аппаратуры.

Достоверность результатов работы. Практическая значимость работы: 1. Математическая модель СВЧ-транзисторного генератора с внешней обратной связью, включающей ферритовый вентиль, может использоваться для решения задач схемотехники устройств этого типа с высоким уровнем мощности и КПД при их разработке, а также при прогнозировании их выходных параметров в условиях эксплуатации; 2.

Алгоритм решения задачи синтеза цепи внешней обратной связи с невзаимным элементом СВЧ-транзисторного генератора, при задании значений параметров электрического режима транзистора позволяет определять величины параметров элементов этой цепи, а также их топологию; 3. Похожие диссертации на Моделирование и схемотехника СВЧ-транзисторного генератора с невзаимным элементом в цепи обратной связи. Подробная информация. Каталог диссертаций. Служба поддержки. Каталог диссертаций России.

Англоязычные диссертации. Диссертации бесплатно. Предстоящие защиты. Рецензии на автореферат. Отчисления авторам. Мой кабинет. Заказы: забрать, оплатить. Мой личный счет. Мой профиль. Мой авторский профиль. Подписки на рассылки. Для нормальной работы сайта необходимо включить JavaScript. Математика Фармацевтика. Химия Биология. Геология Техника.

Военные История. Экономика Философия. Филология География. Право Физика. Педагогика Медицина. Ветеринария Искусство. Архитектура Психология. Социология Сельск-хоз. Политика Культура.

Транзисторные генераторы свч

Генератор — это автоколебательная система, формирующая импульсы электрического тока, в которой транзистор играет роль коммутирующего элемента. Изначально, с момента изобретения, транзистор позиционировался как усилительный элемент. Презентация первого транзистора произошла в году. Презентация полевого транзистора произошла несколько позже — в г. В генераторах импульсов он играет роль переключателя и только в генераторах переменного тока он реализует свои усилительные свойства, одновременно участвуя в создании положительной обратной связи для поддержки колебательного процесса. Диапазон частот — величина субъективная, но для стандартизации принято такое деление частотного диапазона:. Таково деление частотного диапазона в области радиоволн.

Мощный генератор ВЧ на MOSFET-транзисторе Для диапазона СВЧ ( выше 30 МГц) большое значение имеют простая и надежная.

Генератор на транзисторе

С помощью Google:. Поиск по сайту 1. Экспресс-поиск по номеру патента введите номер патента 7 цифр 3. По номеру патента и году публикации Целью изобретения является снижение уровня частотных шумов. На чертеже изображен предложенный СВЧ-генератор. Он содержит транзистор 1, к эмиттеру которого подключен одним концом первый микрополосковый шлейф 2 полуволновой длины, к коллектору первым концом — второй микрополосковый шлейф 3 полуволновой длины, электромагнитно связанный через высокодобротный резонатор 4 с третьим микрополосковым шлейфом 5, разомкнутым на первом конце и соединенным вторым концом с вторым входом блока 6 частотной автоматической подстройки частоты ЧАПЧ. Первый вход блока 6 подключен к другому концу первого шлейфа 2, а к точке их соединения одними концами подключены четвертый полуволновый и пятый четвертьволновый шлейфы 7 и 8. Другой конец шлейфа 8 разомкнут, а шлейф 7 соединен с одним выводом варикапа 9 и с первым выходом блока 6, второй выход которого является выходом генератора. На чертеже также показаны элементы L, C, R фильтров цепей питания транзистора 1.

Мощный ВЧ-СВЧ генератор на одном транзисторе.

Последний раз редактировалось profrotter Сделал заголовок с большой буквы. Здравствуйте всем! Изучаю схемы генераторов в Интернете Колпитца, Клаппа и др и др. Пробую в Мультисим, даже что-то получается.

Схема генератора на постоянном токе:. R 1 — сопротивление в цепи затвора; R 2 — ограничивающее сопротивление в цепи стока; Д — стабилитрон.

Справочник химика 21

Изобретение относится к электронной технике, а именно к генераторам СВЧ на транзисторе с электрической перестройкой частоты. Технический результат изобретения — достижение линейного закона перестройки частоты от управляющего напряжения и увеличение верхнего предела диапазона перестройки частоты генератора СВЧ. Генератор содержит полевой транзистор с барьером Шотки, выполненный из полупроводникового материала группы А III В V , соединенную с ним колебательную систему и второй полевой транзистор с барьером Шотки, выполненный также из полупроводникового материала группы А III В V , и соединенный по схеме с общим истоком, при этом другой конец колебательной системы соединен со стоком второго полевого транзистора. На сток второго полевого транзистора подают постоянное напряжение положительной полярности, а на затвор подают управляющее напряжение и постоянное напряжение отрицательной полярности величиной, равной 0,,8 Uo, где Uo — напряжение отсечки второго полевого транзистора с баръером Шотки. Генератор СВЧ может быть выполнен как в гибридном интегральном, так и в монолитном интегральном исполнении.

Широкополосный вч генератор своими руками. Мощный генератор ВЧ на MOSFET-транзисторе

Акционерное общество «Научно-производственное предприятие «Исток» имени А. Шокина» ,. Мякиньков Виталий Юрьевич ,. Балыко Александр Карпович ,. Балыко Илья Александрович ,. Савельева Людмила Геннадьевна. Балыко Илья Александрович,.

хочу собрать генератор на этом транзисторе на 3ггц чтобы как для чего генератор если не секрет? а транзисторы надо СВЧ и.

Вы точно человек?

Генератор свч на транзисторе

Но путь, от желания до воплощения мечты долог и непредсказуем…. В то время я думал, что она состоит из динамика, антенны и батарейки. Стоит только соединить их в правильном порядке и можно будет разговаривать с друзьями где-бы они не находились… Я изрисовал не одну тетрадку возможными схемами, добавлял всевозможные лампочки, катушки и проводки. Сегодня эти воспоминания вызывают у меня лишь улыбку, но тогда мне казалось, что еще чуть-чуть и чудо-устройство будет у меня в руках….

Проверенные схемы

ВИДЕО ПО ТЕМЕ: Мощный ВЧ-СВЧ генератор на одном транзисторе КТ9104Б.

Автореферат — бесплатно , доставка 10 минут , круглосуточно, без выходных и праздников. Беляев Илья Викторович. Моделирование и схемотехника СВЧ-транзисторного генератора с невзаимным элементом в цепи обратной связи : диссертация Актуальность проблемы. Транзисторные генераторы СВЧ-диапазона нашли широкое применение в современной радиоэлектронной технике.

С помощью Google:.

Предлагаемый высокочастотный генератор сигналов привлекает простотой конструкции и обеспечивает стабилизацию выходного напряжения в широкой полосе частот. Общеизвестны требования, предъявляемые к широкополосному генератору сигналов. В первую очередь, это достаточно малая величина выходного сопротивления, позволяющая согласовать его выход с волновым сопротивлением коаксиального кабеля обычно 50 Ом , и наличие автоматической регулировки амплитуды выходного напряжения, поддерживающей его уровень практически постоянным независимо от изменения частоты выходного сигнала. Для диапазона СВЧ выше 30 МГц большое значение имеют простая и надежная коммутация диапазонов, а также рациональная конструкция генератора. Высокочастотный сигнал с генератора через конденсатор С4 поступает на затвор полевого транзистора VT3.

Изобретение относится к электронной технике, а именно к генераторам на полупроводниковых приборах СВЧ со стабилизацией частоты. Совершенствование методов стабилизации частоты является одной из актуальных задач при разработке генераторов и других радиоэлектронных устройств и систем на полупроводниковых приборах СВЧ различного назначения. Нежелательные изменения частоты генераторов СВЧ, определяющие нестабильность частоты, условно можно разделить на два вида — медленные и быстрые. Медленные изменения частоты возникают в результате изменения внешних условий — температуры, влажности, непостоянства напряжения источников питания, режима генератора СВЧ, внешней нагрузки и т.

404: Страница не найдена

Страница, которую вы пытались открыть по этому адресу, похоже, не существует. Обычно это результат плохой или устаревшей ссылки. Мы приносим свои извинения за доставленные неудобства.

Что я могу сделать сейчас?

Если вы впервые посещаете TechTarget, добро пожаловать! Извините за обстоятельства, при которых мы встречаемся. Вот куда вы можете пойти отсюда:

Поиск

• Пожалуйста, свяжитесь с нами, чтобы сообщить, что эта страница отсутствует, или используйте поле выше, чтобы продолжить поиск
• Наша страница «О нас» содержит дополнительную информацию о сайте, на котором вы находитесь, WhatIs.com.
• Посетите нашу домашнюю страницу и просмотрите наши технические темы

Просмотр по категории

Сеть

• DHCP (протокол динамической конфигурации хоста)

  DHCP (Dynamic Host Configuration Protocol) — это протокол управления сетью, используемый для динамического назначения IP-адреса любому …

• облачная сеть радиодоступа (C-RAN)

  Облачная сеть радиодоступа (C-RAN) — это централизованная архитектура на основе облачных вычислений для сетей радиодоступа.

• потоковая телеметрия сети

  Потоковая сетевая телеметрия — это служба сбора данных в режиме реального времени, в которой сетевые устройства, такие как маршрутизаторы, коммутаторы и …

Безопасность

• кража учетных данных

  Кража учетных данных — это тип киберпреступления, связанный с кражей удостоверения личности жертвы.

• суверенная идентичность

  Самостоятельная суверенная идентификация (SSI) — это модель управления цифровой идентификацией, в которой отдельные лица или предприятия владеют единолично …

• Сертифицированный специалист по безопасности информационных систем (CISSP) Сертифицированный специалист по безопасности информационных систем

  (CISSP) — это сертификат информационной безопасности, разработанный …

ИТ-директор

• рассказывание историй о данных

  Рассказывание историй о данных — это процесс перевода анализа данных в понятные термины с целью повлиять на деловое решение. ..

• оншорный аутсорсинг (внутренний аутсорсинг)

  Оншорный аутсорсинг, также известный как внутренний аутсорсинг, представляет собой получение услуг от кого-то вне компании, но в пределах …

• FMEA (анализ видов и последствий отказов)

  FMEA (анализ видов и последствий отказов) представляет собой пошаговый подход к сбору сведений о возможных точках отказа в …

HRSoftware

• самообслуживание сотрудников (ESS)

  Самообслуживание сотрудников (ESS) — это широко используемая технология управления персоналом, которая позволяет сотрудникам выполнять множество связанных с работой …

• платформа обучения (LXP)

  Платформа обучения (LXP) — это управляемая искусственным интеллектом платформа взаимного обучения, предоставляемая с использованием программного обеспечения как услуги (…

• Поиск талантов

  Привлечение талантов — это стратегический процесс, который работодатели используют для анализа своих долгосрочных потребностей в талантах в контексте бизнеса . ..

Обслуживание клиентов

• виртуальный помощник (помощник ИИ)

  Виртуальный помощник, также называемый помощником ИИ или цифровым помощником, представляет собой прикладную программу, которая понимает естественный язык …

• жизненный цикл клиента

  В управлении взаимоотношениями с клиентами (CRM) жизненный цикл клиента — это термин, используемый для описания последовательности шагов, которые проходит клиент…

• интерактивный голосовой ответ (IVR)

  Интерактивный голосовой ответ (IVR) — это автоматизированная система телефонии, которая взаимодействует с вызывающими абонентами, собирает информацию и маршрутизирует …

Масштабирование длины канала в микроволновых графеновых полевых транзисторах

Аннотация

Для работы на микроволновых частотах и ​​выше длина канала полевого транзистора должна быть очень короткой ($\sim25$нм на частоте 1 ТГц), чтобы минимизировать входную емкость и время дрейфа носителей через канал. Однако это масштабирование не может продолжаться бесконечно, поскольку эффекты короткого канала ограничивают производительность полевых транзисторов при очень коротких длинах затвора. Эти эффекты в значительной степени связаны с ухудшением способности затвора электростатически контролировать легирование канала, поскольку расстояние между затвором и каналом и конечная толщина канала 2DEG становятся сравнимыми с длиной канала. Этого геометрического ограничения можно избежать, используя графен, двумерный материал с нулевой запрещенной зоной, состоящий из атомов углерода в гексагональной решетке, в качестве материала канала из-за его высокой подвижности носителей, действительно атомной толщины и способности интегрироваться с другими элементами Вана. дер-ваальсовы материалы для сверхтонких подзатворных диэлектриков. В настоящее время сложность создания электрических контактов с низким сопротивлением для графена и отсутствие характеристик насыщения в графеновых транзисторах с коротким каналом приводят к плохим характеристикам радиочастот, особенно для устройств с коротким каналом. В этой диссертации мы стремимся изучить поведение масштабирования длины канала в однослойных графеновых полевых транзисторах и изучить перспективы их использования в качестве очень высокочастотных транзисторов. Чтобы достичь максимальной внутренней подвижности и скорости насыщения, а также свести к минимуму паразитные эффекты контактного сопротивления, мы используем самые современные технологии изготовления для создания эксфолиированных графеновых полевых транзисторов с краевыми контактами, инкапсулированных гексагональным нитридом бора. Мы встроили эти транзисторы в микроволновую схему, предназначенную для точной калибровки и деэмбеддинга. Были выполнены измерения линейного отклика по постоянному и переменному току нескольких полевых транзисторов с длиной затвора от 1 мкм до 140 нм, которые были проанализированы путем подгонки комплексных данных S-параметров к модели эквивалентной схемы полевого транзистора с малым сигналом. Эти измерения демонстрируют характеристики насыщения в устройстве размером 1 мкм, что, вероятно, вызвано насыщением скорости из-за зависящего от энергии излучения оптических фононов. Однако для устройств с коротким каналом наблюдается отчетливая потеря характеристик насыщения, возможно возникающая из-за более длинной, чем ожидалось, длины свободного пробега излучения оптических фононов или других механизмов индуцированной проводимости с высоким смещением, которые конкурируют с излучением оптических фононов. Тем не менее, графеновые полевые транзисторы, изготовленные в рамках этой диссертации, демонстрируют самые современные характеристики f$_T$ и f$_{max}$ для их длин каналов, особенно 140-нм GFET с f$_T > 300$ГГц. В отличие от усилителей GFET, работающих в сильном поле и с высокой плотностью носителей, при смещении вблизи точки Дирака с нулевой плотностью состояний низкопольная проводимость графена демонстрирует отчетливо нелинейное поведение по отношению к напряжению на затворе. Используя эту нелинейность для выпрямления падающих волн напряжения, GFET можно превратить в очень широкополосный детектор мощности. В GFET с длиной затвора 1 мкм при 30K достигается чувствительность от 1 до 20 ГГц 55 В / Вт с эквивалентной мощностью шума, ограниченной показанием комнатной температуры до 1 нВт / $ \ sqrt {\ mathrm {Гц} }$.