Site Loader

Π‘ΠΎΠ΄Π΅Ρ€ΠΆΠ°Π½ΠΈΠ΅

ΠœΠΈΠΊΡ€ΠΎΡΡ…Π΅ΠΌΡ‹ FLASH-памяти Ρ„ΠΈΡ€ΠΌΡ‹ SAMSUNG

ΠœΠΈΠΊΡ€ΠΎΡΡ…Π΅ΠΌΡ‹ FLASH-памяти Ρ„ΠΈΡ€ΠΌΡ‹ SAMSUNG

   Π’ ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΠ΅ описаны микросхСмы Ρ„Π»ΡΡˆ-памяти объСмом 4 Π“Π±ΠΈΡ‚Π° K9K4G08Q0M-YCB0/YIB0, K9K4G16Q0M- YCBO/YIBO, K9K4G08U0M- YCBO/YIBO, K9K4G16U0M-YCB0/YIB0. Π­Ρ‚ΠΈ микросхСмы ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ Π² качСствС энСргонСзависимой памяти Π² Π±Ρ‹Ρ‚ΠΎΠ²Ρ‹Ρ…, ΠΏΡ€ΠΎΠΌΡ‹ΡˆΠ»Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΈ ΠΊΠΎΠΌΠΏΡŒΡŽΡ‚Π΅Ρ€Π½Ρ‹Ρ… устройствах. Π’ Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… Π²ΠΈΠ΄Π΅ΠΎ- ΠΈ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠΊΠ°ΠΌΠ΅Ρ€Π°Ρ…, Π΄ΠΈΠΊΡ‚ΠΎΡ„ΠΎΠ½Π°Ρ… ΠΈ Π°Π²Ρ‚ΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠ°Ρ… эти микросхСмы ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ Π² качСствС памяти для изобраТСния ΠΈ Π·Π²ΡƒΠΊΠ° Π² составС Ρ‚Π²Π΅Ρ€Π΄ΠΎΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Ρ„Π»ΡΡˆ-дисков.

   ΠœΠΈΠΊΡ€ΠΎΡΡ…Π΅ΠΌΡ‹ Ρ„Π»ΡΡˆ-памяти Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ Π½Π° Π³Ρ€ΡƒΠΏΠΏΡ‹ ΠΏΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ питания ΠΈ Π°Ρ€Ρ…ΠΈΡ‚Π΅ΠΊΡ‚ΡƒΡ€Π΅ (Ρ‚Π°Π±Π». 1). Π’ Ρ‚Π°Π±Π». 2 прСдставлСно Π½Π°Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠ² микросхСм Ρ„Π»ΡΡˆ-памяти.

Π’Π°Π±Π»ΠΈΡ†Π° 1

ΠžΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π° НапряТСниС питания (номинальноС Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅) АрхитСктура Π’ΠΈΠΏ корпуса
K9K4G08Q0M-Y 1,70…1,95Π’(1,8 Π’) 512 ΠœΠ±ΠΈΡ‚ Ρ… 8 TS0P1
K9K4G16Q0M-Y 1,70…1,95 Π’ (1,8 Π’) 256 ΠœΠ±ΠΈΡ‚ Ρ… 16 TS0P1
K9K4G08U0M-Y 2,7…3,6 Π’ (3,3 Π’) 512 ΠœΠ±ΠΈΡ‚ Ρ… 8 TS0P1
K9K4G16U0M-Y 2,7…3,6 Π’ (3,3 Π’) 256 ΠœΠ±ΠΈΡ‚ Ρ… 16 TS0P1

Π’Π°Π±Π»ΠΈΡ†Π° 2

β„– Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠ² ΠžΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π° (Ρ‚ΠΈΠΏ микросхСмы) НазначСниС Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠ²
29-32; 41-44 I/O(0-7) (K9K4G08X0M-Y) Π’Π²ΠΎΠ΄/Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ…. Π’Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρ‹ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ для Π²Π²ΠΎΠ΄Π°/Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π° адрСсов ячССк, Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΈΠ»ΠΈ ΠΊΠΎΠΌΠ°Π½Π΄ Π² Ρ‚Π΅Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ†ΠΈΠΊΠ»ΠΎΠ² считывания/записи. Когда микросхСма Π½Π΅ Π²Ρ‹Π±Ρ€Π°Π½Π°, ΠΈΠ»ΠΈ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‰Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΊ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°ΠΌ Π·Π°ΠΏΡ€Π΅Ρ‰Π΅Π½ΠΎ, ΠΎΠ½ΠΈ пСрСводятся Π² состояниС высокого импСданса
26, 28, 30, 32, 40, 42, 44, 46, 27, 29, 31, 33, 41, 43, 45, 47 I/0(0-15) (K9K4G16X0M-Y)  
16 CLE Π Π°Π·Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ фиксации ΠΊΠΎΠΌΠ°Π½Π΄Ρ‹. Высокий ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ сигнала Π½Π° этом Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π΅ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΏΠ»Π΅ΠΊΡΠΎΡ€Ρ‹ Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π°Ρ… I/O ΠΏΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΡŽ рСгистра ΠΊΠΎΠΌΠ°Π½Π΄. Π—Π°ΠΏΠΈΡΡŒ ΠΊΠΎΠΌΠ°Π½Π΄Ρ‹ Π² рСгистр производится ΠΏΠΎ Ρ„Ρ€ΠΎΠ½Ρ‚Ρƒ сигнала WE
17 ALE Π Π°Π·Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ фиксации адрСса. Высокий ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ сигнала Π½Π° этом Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΏΠ»Π΅ΠΊΡΠΎΡ€Ρ‹ Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π°Ρ… I/O ΠΏΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΡŽ адрСсного рСгистра. Π—Π°Π³Π½ΠΈΡΡŒ ΠΊΠΎΠΌΠ°Π½Π΄Ρ‹ Π² рСгистр производится ΠΏΠΎ Ρ„Ρ€ΠΎΠ½Ρ‚Ρƒ сигнала WE
9 Π‘Π• Π’Ρ‹Π±ΠΎΡ€ микросхСмы. Низкий ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ Ρ€Π°Π·Ρ€Π΅ΡˆΠ°Π΅Ρ‚ ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΡŽ чтСния Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ…, Π° высокий, ΠΏΡ€ΠΈ отсутствии ΠΊΠ°ΠΊΠΈΡ…-Π»ΠΈΠ±ΠΎ ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΉ, ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ микросхСму Π² Π΄Π΅ΠΆΡƒΡ€Π½Ρ‹ΠΉ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ. Π’ΠΎ врСмя ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΉ записи/стирания, высокий ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ Π½Π° этом Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ игнорируСтся
8 RE Π Π°Π·Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ чтСния. Π’Ρ…ΠΎΠ΄ управляСт ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ…, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡Π° Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… Π½Π° ΡˆΠΈΠ½Ρƒ Π²Π²ΠΎΠ΄Π°/Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°. Π”Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ Π΄Π΅ΠΉΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ послС спада сигнала RE ΠΈ Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ Π½ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€ΠΊΠΈ. Π‘ΠΈΠ³Π½Π°Π» RE Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°Π΅Ρ‚ Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½ΠΈΠΉ счСтчик адрСса столбца Π½Π° Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ†Ρƒ
18 WE Π Π°Π·Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ записи. Π’Ρ…ΠΎΠ΄ управляСт записью Π² ΠΏΠΎΡ€Ρ‚ Π²Π²ΠΎΠ΄Π°/Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°. ΠšΠΎΠΌΠ°Π½Π΄Ρ‹, адрСс ΠΈ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ Ρ„ΠΈΠΊΡΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ ΠΏΠΎ Ρ„Ρ€ΠΎΠ½Ρ‚Ρƒ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ° WE
19 WP Π‘Π»ΠΎΠΊΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠ° записи. Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ обСспСчиваСт Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Ρƒ ΠΎΡ‚ случайной записи/стирания Π²ΠΎ врСмя Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ питания. Π’Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½ΠΈΠΉ Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€ ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ напряТСния Π±Π»ΠΎΠΊΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° Π½Π° Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π΅ WP Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹ΠΉ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΉ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ
7 R/B Π‘Π²ΠΎΠ±ΠΎΠ΄Π½ΠΎ/занято. Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ R/B ΡƒΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ состояниС микросхСмы. Низкий ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ ΡƒΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ выполняСтся опСрация записи, стирания ΠΈΠ»ΠΈ чтСния с ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€ΠΊΠΎΠΉ, высокий ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ устанавливаСтся послС Π·Π°Π²Π΅Ρ€ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ этих ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΉ. Π­Ρ‚ΠΎΡ‚ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ с ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΌ стоком Π½Π΅ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ ΡΠΎΡΡ‚ΠΎΡΠ½ΠΈΡŽ высокого импСданса, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° микросхСма Π½Π΅ Π²Ρ‹Π±Ρ€Π°Π½Π°, ΠΈΠ»ΠΈ ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Ρ‹ Π·Π°Π±Π»ΠΎΠΊΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Ρ‹
38 PRE Π Π°Π·Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ чтСния ΠΏΡ€ΠΈ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ питания. Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ PRE управляСт ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠ΅ΠΉ авточтСния, выполняСмой ΠΏΡ€ΠΈ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ питания. АвточтСниС ΠΏΡ€ΠΈ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ питания Ρ€Π°Π·Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΎ, Ссли Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ PRE ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ ΠΊ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρƒ VCC
12 VCC НапряТСниС питания
13 VSS ΠžΠ±Ρ‰ΠΈΠΉ

   ΠœΠΈΠΊΡ€ΠΎΡΡ…Π΅ΠΌΡ‹ K9K4GXXX0M ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ 4 Π“Π±ΠΈΡ‚Π° с Ρ€Π΅Π·Π΅Ρ€Π²ΠΎΠΌ 128 ΠœΠ±ΠΈΡ‚ (фактичСская Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ составляСт 4 429 185 024 Π±ΠΈΡ‚Π°) ΠΈ Π°Ρ€Ρ…ΠΈΡ‚Π΅ΠΊΡ‚ΡƒΡ€Ρƒ 512 ΠœΠ±ΠΈΡ‚ Ρ… 8 ΠΈΠ»ΠΈ 256 ΠœΠ±ΠΈΡ‚ Ρ… 16 с Π½Π°Π΄Π΅ΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ Π΄ΠΎ 1 ΠΌΠ»Π½. Ρ†ΠΈΠΊΠ»ΠΎΠ² записи/стирания. 8-разрядныС микросхСмы ΠΎΡ€Π³Π°Π½ΠΈΠ·ΠΎΠ²Π°Π½Ρ‹ Π² 2112 Ρ… 8 страниц, Π° 16-разрядныС β€” Π² 1056 Ρ… 16 столбцов. Π’ΠΎ всСх микросхСмах Π΅ΡΡ‚ΡŒ Ρ€Π΅Π·Π΅Ρ€Π²Π½Ρ‹Π΅ Π±ΠΈΡ‚Ρ‹, Ρ€Π°ΡΠΏΠΎΠ»Π°Π³Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ΡΡ Π² 128 строках с адрСсами 2048-2111 Ρƒ 8-разрядных микросхСм, ΠΈΠ»ΠΈ Π² 64 столбцах с адрСсами 1024-1055 β€” Ρƒ 16-разрядных. Для ΠΎΡ€Π³Π°Π½ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… Π² Ρ‚Π΅Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ чтСния/записи страницы ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ячСйками памяти ΠΈ ΠΏΠΎΡ€Ρ‚Π°ΠΌΠΈ Π²Π²ΠΎΠ΄Π°-Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π° Ρƒ этих микросхСм ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ΡΡ ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ связанныС Π΄Ρ€ΡƒΠ³ с Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΌ рСгистры Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΎΠΌ 2112 Π±Π°ΠΉΡ‚ для 8-разрядной, ΠΈΠ»ΠΈ 1056-словный для β€” 16-разрядной микросхСмы ΠΈ рСгистры кэша ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ объСма. Массив памяти строится ΠΈΠ· 32 связанных ячССк, находящихся Π½Π° Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹Ρ… страницах ΠΈ ΠΎΠ±ΡŠΠ΅Π΄ΠΈΠ½Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… структурой И-НЕ. 32 ячСйки, ΠΎΠ±ΡŠΠ΅Π΄ΠΈΠ½ΡΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ 135168 структур 2И-НЕ ΠΈ располоТСнныС Π½Π° 64 страницах, ΡΠΎΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‚ Π±Π»ΠΎΠΊ. Π‘ΠΎΠ²ΠΎΠΊΡƒΠΏΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ 8- ΠΈΠ»ΠΈ 16-разрядных Π±Π»ΠΎΠΊΠΎΠ² составляСт массив памяти.

   ΠžΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΡ чтСния выполняСтся постранично, Π² Ρ‚ΠΎ врСмя ΠΊΠ°ΠΊ опСрация стирания β€” Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ ΠΏΠΎΠ±Π»ΠΎΡ‡Π½ΠΎ: 2048 ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ стираСмых Π±Π»ΠΎΠΊΠΎΠ² пс 128 ΠšΠ±Π°ΠΉΡ‚ (для 8-разрядных микросхСм), ΠΈΠ»ΠΈ Π±Π»ΠΎΠΊΠΎΠ² ΠΏΠΎ 64 Кслов (для 16-разрядных микросхСм). Π‘Ρ‚ΠΈΡ€Π°Π½ΠΈΠ΅ ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Π±ΠΈΡ‚ΠΎΠ² Π½Π΅Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ.

   Π—Π°ΠΏΠΈΡΡŒ страницы Π² микросхСмы выполняСтся Π·Π° 300 мкс, стираниС β€” Π·Π° 2 мс Π½Π° Π±Π»ΠΎΠΊ (128 ΠšΠ±Π°ΠΉΡ‚ β€” для 8-разрядных, ΠΈΠ»ΠΈ Π½Π° 64 Кслов β€” для 16-разрядных микросхСм). Π‘Π°ΠΉΡ‚ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… считываСтся со страницы Π·Π° 50 Π½c.

   Π”ля записи ΠΈ контроля Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… Π² микросхСмах имССтся встроСнный ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€, ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ вСсь процСсс, Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ, Ссли трСбуСтся, ΠΏΠΎΠ²Ρ‚ΠΎΡ€Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΉ Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½Π΅ΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠΈ ΠΈ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΊΠΈ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ…. Π£ микросхСм K9K4GXXX0M Ρ€Π΅Π°Π»ΠΈΠ·ΠΎΠ²Π°Π½Π° систСма обСспСчСния ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠΈ ΠΈΠ½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΠΈ с исправлСниСм ошибок ΠΈ Π²Ρ‹Π±Ρ€Π°ΠΊΠΎΠ²ΠΊΠΎΠΉ ΠΎΡˆΠΈΠ±ΠΎΡ‡Π½Ρ‹Ρ… Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… Π΅ Ρ€Π΅Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ.

   ΠœΠΈΠΊΡ€ΠΎΡΡ…Π΅ΠΌΡ‹ ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ 8 ΠΈΠ»ΠΈ 16 ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΏΠ»Π΅ΠΊΡΠ½Ρ‹Ρ… адрСсов Π²Π²ΠΎΠ΄Π°/Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°. Π’Π°ΠΊΠΎΠ΅ Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ€Π΅Π·ΠΊΠΎ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Π΅Ρ‚ число задСйствованных Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠ², ΠΈ позволяСт ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ ΠΌΠΎΠ΄Π΅Ρ€Π½ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ устройств, Π½Π΅ увСличивая ΠΈΡ… Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΎΠ². Π’Π²ΠΎΠ΄ ΠΊΠΎΠΌΠ°Π½Π΄, адрСса ΠΈ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… производится ΠΏΡ€ΠΈ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠΌ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ Π½Π° Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π΅ Π‘Π• ΠΏΠΎ спаду сигнала WE Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΎΠ΄Π½ΠΈ ΠΈ Ρ‚Π΅ ΠΆΠ΅ Π½ΠΎΠΆΠΊΠΈ Π²Π²ΠΎΠ΄Π°/Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°. Вводимая информация записываСтся Π² Π±ΡƒΡ„Π΅Ρ€Π½Ρ‹Π΅ рСгистры ΠΏΠΎ Ρ„Ρ€ΠΎΠ½Ρ‚Ρƒ сигнала WE. Π‘ΠΈΠ³Π½Π°Π»Ρ‹ Ρ€Π°Π·Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ записи ΠΊΠΎΠΌΠ°Π½Π΄Ρ‹ (CLE) ΠΈ Ρ€Π°Π·Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ записи адрСса (ALE) ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΏΠ»Π΅ΠΊΡΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠΌΠ°Π½Π΄Ρƒ ΠΈ адрСс соотвСтствСнно Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΎΠ΄Π½ΠΈ ΠΈ Ρ‚Π΅ ΠΆΠ΅ Π½ΠΎΠΆΠΊΠΈ Π²Π²ΠΎΠ΄Π°/Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°.

Π’Π°Π±Π»ΠΈΡ†Π° 3

ΠžΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΡ НЕΠ₯-ΠΊΠΎΠ΄ 1-Π³ΠΎ Ρ†ΠΈΠΊΠ»Π° НЕΠ₯-ΠΊΠΎΠ΄ 2-Π³ΠΎ Ρ†ΠΈΠΊΠ»Π°
Π§Ρ‚Π΅Π½ΠΈΠ΅ 00 30
Π§Ρ‚Π΅Π½ΠΈΠ΅ для пСрСзаписи 00 35
Π§Ρ‚Π΅Π½ΠΈΠ΅ сигнатуры 90 β€”
Бброс FF β€”
Π—Π°ΠΏΠΈΡΡŒ Π½Π° страницу 80 10
Π—Π°ΠΏΠΈΡΡŒ Π² кэш 80 15
ΠŸΠ΅Ρ€Π΅Π·Π°ΠΏΠΈΡΡŒ 85 10
Π‘Ρ‚ΠΈΡ€Π°Π½ΠΈΠ΅ Π±Π»ΠΎΠΊΠ° 60 DO
ΠŸΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Π²Π²ΠΎΠ΄ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ…* 85 β€”
ΠŸΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ…* 05 Π•0
Π§Ρ‚Π΅Π½ΠΈΠ΅ статуса 70 β€”

   * ΠŸΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Π²Π²ΠΎΠ΄/Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ΅Π½ Π² ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π°Ρ… ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ страницы

   Π’ Ρ‚Π°Π±Π». 3 ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Ρ‹ ΠΊΠΎΠΌΠ°Π½Π΄Ρ‹ управлСния микросхСм. ΠŸΠΎΠ΄Π°Ρ‡Π° Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Ρ‹ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΡ…, Π½Π΅ пСрСчислСнных Π² Ρ‚Π°Π±Π»ΠΈΡ†Π΅, ΡˆΠ΅ΡΡ‚Π½Π°Π΄Ρ†Π°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… (HEX) ΠΊΠΎΠ΄ΠΎΠ² ΠΊΠΎΠΌΠ°Π½Π΄, Π²Π΅Π΄Π΅Ρ‚ ΠΊ нСпрСдсказуСмым послСдствиям, ΠΈ поэтому Π·Π°ΠΏΡ€Π΅Ρ‰Π΅Π½Π°.

   Π§Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡΠΈΡ‚ΡŒ ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒ записи Π²ΠΎ врСмя ΠΏΡ€ΠΈΠ΅ΠΌΠ° Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΡ… объСмов Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ…, Ρƒ встроСнного ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Π° прСдусмотрСна Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ записи Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… Π² рСгистры кэш-памяти. ΠŸΡ€ΠΈ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ питания встроСнный ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€ автоматичСски обСспСчиваСт доступ ΠΊ массиву памяти, начиная с ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠΉ страницы Π±Π΅Π· Π²Π²ΠΎΠ΄Π° ΠΊΠΎΠΌΠ°Π½Π΄Ρ‹ ΠΈ адрСса. Π’ Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΊ ΡƒΡΠΎΠ²Π΅Ρ€ΡˆΠ΅Π½ΡΡ‚Π²ΠΎΠ²Π°Π½Π½ΠΎΠΉ Π°Ρ€Ρ…ΠΈΡ‚Π΅ΠΊΡ‚ΡƒΡ€Π΅ ΠΈ интСрфСйсу, ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€ ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°Π΅Ρ‚ Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ копирования (пСрСзаписи)содСр ΠΆΠΈΠΌΠΎΠ³ΠΎ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ страницы памяти Π½Π° Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΡƒΡŽ Π±Π΅Π· обращСния ΠΊ внСшнСй Π±ΡƒΡ„Π΅Ρ€Π½ΠΎΠΉ памяти. Π’ этом случаС обСспС чиваСтся Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ высокая ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒ пСрСноса Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ…, Ρ‡Π΅ΠΌ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΎΡ‚Π½ΠΈΠΌΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ доступ ΠΈ Ρ†ΠΈΠΊΠ»Ρ‹ Π²Π²ΠΎΠ΄Π° Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΎΡ‚ΡΡƒΡ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚.

Π’Ρ‹Π±Ρ€Π°ΠΊΠΎΠ²ΠΊΠ° Π±Π»ΠΎΠΊΠΎΠ²

   Π‘Π»ΠΎΠΊΠΈ памяти Π² микросхСмах K9K4GXXX0M ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ ΠΊΠ°ΠΊ нСдопустимыС, Ссли содСрТат ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ иль Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ нСдопустимых Π±ΠΈΡ‚ΠΎΠ², ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ чтСния ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… Π½Π΅ гарантируСтся. Π˜Π½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΡ ΠΈΠ· нСдопустимых Π±Π»ΠΎΠΊΠΎΠ² трактуСтся ΠΊΠ°ΠΊ «нСдопустимая информация Π±Π»ΠΎΠΊΠ°Β». ΠœΠΈΠΊΡ€ΠΎΡΡ…Π΅ΠΌΡ‹ с нСдопустимыми Π±Π»ΠΎΠΊΠ°ΠΌΠΈ Π½Π΅ ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡Π°ΡŽΡ‚ΡΡ ΠΏΠΎ статичСским ΠΈ динамичСским характСристикам ΠΈ ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ Ρ‚ΠΎΡ‚ ΠΆΠ΅ самый качСствСнный ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΈ микросхСмы со всСми ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ Π±Π»ΠΎΠΊΠ°ΠΌΠΈ. НСдопустимыС Π±Π»ΠΎΠΊΠΈ Π½Π΅ Π²Π»ΠΈΡΡŽΡ‚ Π½Π° Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρƒ Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Π±Π»ΠΎΠΊΠΎΠ², ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΌΡƒ Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ½ΠΈ ΠΈΠ·ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΡŒ ΠΎΡ‚ разрядной ΠΈ ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΉ ΡˆΠΈΠ½Ρ‹ питания транзистором Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€Π°. БистСма спроСктирована Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρƒ нСдопустимых Π±Π»ΠΎΠΊΠΎΠ² Π±Π»ΠΎΠΊΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ адрСса. БоотвСтствСнно, ΠΊ Π½Π΅ΠΊΠΎΡ€Ρ€Π΅ΠΊΡ‚Π½Ρ‹ΠΌ Π±ΠΈΡ‚Π°ΠΌ попросту Π½Π΅Ρ‚ доступа.

Π˜Π΄Π΅Π½Ρ‚ΠΈΡ„ΠΈΠΊΠ°Ρ†ΠΈΡ нСдопустимого Π±Π»ΠΎΠΊΠ°

   Π‘ΠΎΠ΄Π΅Ρ€ΠΆΠΈΠΌΠΎΠ΅ всСх ячССк микросхСмы (ΠΊΡ€ΠΎΠΌΠ΅ Ρ‚Π΅Ρ…, Π³Π΄Π΅ хранится информация ΠΎ нСдопустимых Π±Π»ΠΎΠΊΠ°Ρ…) с адрСсами FFh для 8-разрядных ΠΈ FFFFh для 16-разрядных, ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ стСрта. АдрСса нСдопустимых Π±Π»ΠΎΠΊΠΎΠ², находящихся Π² Ρ€Π΅Π·Π΅Ρ€Π²Π½ΠΎΠΉ области массива памяти, опрСдСляСт ΠΏΠ΅Ρ€Π²Ρ‹ΠΉ Π±Π°ΠΉΡ‚ для 8-разрядных микросхСм ΠΈΠ»ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠ΅ слово β€” для 16-разрядных. ΠŸΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ Π³Π°Ρ€Π°Π½Ρ‚ΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΈΠ»ΠΈ 1-я ΠΈΠ»ΠΈ 2-я страница ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠ³ΠΎ Π±Π»ΠΎΠΊΠ° с адрСсами нСдопустимых ячССк ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ Π² столбцах с адрСсами 2048 (для 8-разрядных) ΠΈΠ»ΠΈ 1024 (для 16-разрядных) Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Π΅, ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Π΅, соотвСтствСнно, ΠΎΡ‚ FFh ΠΈΠ»ΠΈ FFFFh. Π’Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ информация ΠΎ нСдопустимых Π±Π»ΠΎΠΊΠ°Ρ… Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ являСтся стираСмой, Ρ‚ΠΎ Π² Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΠ½ΡΡ‚Π²Π΅ случаСв стирания адрСсов Π±Ρ€Π°ΠΊΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… Π±Π»ΠΎΠΊΠΎΠ² ΠΈΡ… Π²ΠΎΡΡΡ‚Π°Π½ΠΎΠ²ΠΈΡ‚ΡŒ Π½Π΅Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ. ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ Π² систСмС Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π·Π°Π»ΠΎΠΆΠ΅Π½ Π°Π»Π³ΠΎΡ€ΠΈΡ‚ΠΌ, способный ΡΠΎΠ·Π΄Π°Ρ‚ΡŒ Ρ‚Π°Π±Π»ΠΈΡ†Ρƒ нСдопустимых Π±Π»ΠΎΠΊΠΎΠ², Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‰Π΅Π½Π½ΡƒΡŽ ΠΎΡ‚ стирания ΠΈ ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π°Π½Π½ΡƒΡŽ Π½Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠ½Π°Ρ‡Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΠΈΠ½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΎ Π±Ρ€Π°ΠΊΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… Π±Π»ΠΎΠΊΠ°Ρ….

   ΠŸΠΎΡΠ»Π΅ очистки массива-памяти адрСса этих Π±Π»ΠΎΠΊΠΎΠ² снова Π·Π°Π³Ρ€ΡƒΠΆΠ°ΡŽΡ‚ΡΡ ΠΈΠ· этой Ρ‚Π°Π±Π»ΠΈΡ†Ρ‹. Π›ΡŽΠ±ΠΎΠ΅ Π½Π°ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½Π½ΠΎΠ΅ стираниС ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠ½Π°Ρ‡Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΠΈΠ½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΎ нСдопустимых Π±Π»ΠΎΠΊΠ°Ρ… Π·Π°ΠΏΡ€Π΅Ρ‰Π΅Π½ΠΎ, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ Π²Π΅Π΄Π΅Ρ‚ ΠΊ Π½Π΅ΠΊΠΎΡ€Ρ€Π΅ΠΊΡ‚Π½ΠΎΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅ систСмы Π² Ρ†Π΅Π»ΠΎΠΌ.

   Π‘ΠΎ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π΅ΠΌ число нСдопустимых Π±Π»ΠΎΠΊΠΎΠ² ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ возрасти, поэтому Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ пСриодичСски ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΡΡ‚ΡŒ Ρ„Π°ΠΊΡ‚ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΡƒΡŽ Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ памяти, свСряя адрСса Π·Π°Π±Ρ€Π°ΠΊΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… Π±Π»ΠΎΠΊΠΎΠ² с Π΄Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌΠΈ ΠΈΠ· Ρ€Π΅Π·Π΅Ρ€Π²Π½ΠΎΠΉ Ρ‚Π°Π±Π»ΠΈΡ†Ρ‹ нСдопустимых Π±Π»ΠΎΠΊΠΎΠ². Для систСм, Π³Π΄Π΅ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠ° высокая ΠΎΡ‚ΠΊΠ°Π·ΠΎΡƒΡΡ‚ΠΎΠΉΡ‡ΠΈΠ²ΠΎΡΡ‚ΡŒ, Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅ всСго ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡƒΡΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ±Π»ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ пСрСписывания массива памяти со сравнСниСм Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚ΠΎΠ² с фактичСскими Π΄Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌΠΈ, ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎ выявляя ΠΈ замСняя Π±Π»ΠΎΠΊΠΈ Π½Π΅ΠΊΠΎΡ€Ρ€Π΅ΠΊΡ‚Π½ΠΎΠΉ ΠΈΠ½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΠΈ. Π”Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ ΠΈΠ· выявлСнного нСдопустимого Π±Π»ΠΎΠΊΠ° пСрСносятся Π² Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΉ, Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ пустой Π±Π»ΠΎΠΊ, Π½Π΅ затрагивая сосСдниС Π±Π»ΠΎΠΊΠΈ массива ΠΈ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡ встроСнный Π±ΡƒΡ„Π΅Ρ€, Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ соотвСтствуСт Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Ρƒ Π±Π»ΠΎΠΊΠ°. Для этого ΠΈ прСдусмотрСны ΠΊΠΎΠΌΠ°Π½Π΄Ρ‹ для ΠΏΠΎΠ±Π»ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠΉ пСрСзаписи.

Π§Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ Ρ‡ΠΈΠΏ памяти ΠΈ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ микросхСмы

Главная страница Β» Π§Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ Ρ‡ΠΈΠΏ памяти ΠΈ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ микросхСмы

ΠœΠΈΠΊΡ€ΠΎΡΡ…Π΅ΠΌΡ‹ Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΠ³ΠΎ назначСния ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΡŽΡ‚ΡΡ Π² составС элСктроники соврСмСнной Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΈΠΊΠΈ. ΠžΠ³Ρ€ΠΎΠΌΠ½ΠΎΠ΅ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΈΠ΅ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ³ΠΎ Ρ€ΠΎΠ΄Π° ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ² Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΡΡŽΡ‚ микросхСмы памяти. Π­Ρ‚ΠΎΡ‚ Π²ΠΈΠ΄ Ρ€Π°Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π΅Ρ‚Π°Π»Π΅ΠΉ (срСди элСктронщиков ΠΈ Π² Π½Π°Ρ€ΠΎΠ΄Π΅) Π·Π°Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡƒΡŽ Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ просто – Ρ‡ΠΈΠΏΡ‹. ОсновноС Π½Π°Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‡ΠΈΠΏΠΎΠ² памяти – Ρ…Ρ€Π°Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Ρ‘Π½Π½ΠΎΠΉ ΠΈΠ½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΠΈ с Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ внСсСния (записи), измСнСния (пСрСзаписи) ΠΈΠ»ΠΈ ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΠ³ΠΎ удалСния (стирания) ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ срСдствами. ВсСобщий интСрСс ΠΊ Ρ‡ΠΈΠΏΠ°ΠΌ памяти понятСн. ΠœΠ°ΡΡ‚Π΅Ρ€Π°ΠΌ, Π·Π½Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΌ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ микросхСмы памяти, ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΈΠ΅ просторы Π² области Ρ€Π΅ΠΌΠΎΠ½Ρ‚Π° ΠΈ настройки соврСмСнных элСктронных устройств.

Π‘ΠžΠ”Π•Π Π–Π˜ΠœΠžΠ• ΠŸΠ£Π‘Π›Π˜ΠšΠΠ¦Π˜Π˜ :

О Ρ‡ΠΈΠΏΠ°Ρ… – микросхСмах хранСния ΠΈΠ½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΠΈ

ΠœΠΈΠΊΡ€ΠΎΡΡ…Π΅ΠΌΠ° памяти β€” это элСктронный ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚, внутрСнняя структура ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ способна ΡΠΎΡ…Ρ€Π°Π½ΡΡ‚ΡŒ (Π·Π°ΠΏΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Ρ‚ΡŒ) внСсённыС ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΡ‹, ΠΊΠ°ΠΊΠΈΠ΅-Π»ΠΈΠ±ΠΎ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ ΠΈΠ»ΠΈ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎ Ρ‚ΠΎ ΠΈ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠ΅.

По сути, Π·Π°Π³Ρ€ΡƒΠΆΠ΅Π½Π½Ρ‹Π΅ Π² Ρ‡ΠΈΠΏ свСдСния ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‚ собой ΡΠ΅Ρ€ΠΈΡŽ ΠΊΠΎΠΌΠ°Π½Π΄, состоящих ΠΈΠ· Π½Π°Π±ΠΎΡ€Π° Π²Ρ‹Ρ‡ΠΈΡΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ† микропроцСссора.

Π‘Π»Π΅Π΄ΡƒΠ΅Ρ‚ ΠΎΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒ: Ρ‡ΠΈΠΏΡ‹ памяти всСгда ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ Π½Π΅ΠΎΡ‚ΡŠΠ΅ΠΌΠ»Π΅ΠΌΡ‹ΠΌ Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ микропроцСссоров – ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΡ… микросхСм. Π’ свою ΠΎΡ‡Π΅Ρ€Π΅Π΄ΡŒ микропроцСссор являСтся основой элСктроники любой соврСмСнной Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΈΠΊΠΈ.

МИКРОБΠ₯Π•ΠœΠ«

Набор элСктронных компонСнтовНабор элСктронных ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ² Π½Π° ΠΏΠ»Π°Ρ‚Π΅ соврСмСнного элСктронного устройства. Π“Π΄Π΅-Ρ‚ΠΎ срСди этой массы Ρ€Π°Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π΅Ρ‚Π°Π»Π΅ΠΉ ΠΏΡ€ΠΈΡŽΡ‚ΠΈΠ»ΡΡ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚, способный Π·Π°ΠΏΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Ρ‚ΡŒ ΠΈΠ½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΡŽ

Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, микропроцСссор управляСт Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΎΠΉ элСктронной Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΈΠΊΠΈ, Π° Ρ‡ΠΈΠΏ памяти Ρ…Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‚ свСдСния, Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΡ‹Π΅ микропроцСссору.

ΠŸΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΡ‹ ΠΈΠ»ΠΈ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ хранятся Π² Ρ‡ΠΈΠΏΠ΅ памяти ΠΊΠ°ΠΊ ряд чисСл β€” Π½ΡƒΠ»Π΅ΠΉ ΠΈ Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ† (Π±ΠΈΡ‚Ρ‹). Один Π±ΠΈΡ‚ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ прСдставлСн логичСскими Π½ΡƒΠ»Π΅ΠΌ (0) Π»ΠΈΠ±ΠΎ Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ†Π΅ΠΉ (1).

Π’ Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΌ Π²ΠΈΠ΄Π΅ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠ° Π±ΠΈΡ‚ΠΎΠ² видится слоТной. ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ Π±ΠΈΡ‚Ρ‹ ΠΎΠ±ΡŠΠ΅Π΄ΠΈΠ½ΡΡŽΡ‚ΡΡ Π² Π³Ρ€ΡƒΠΏΠΏΡ‹. Π¨Π΅ΡΡ‚Π½Π°Π΄Ρ†Π°Ρ‚ΡŒ Π±ΠΈΡ‚ ΡΠΎΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‚ Π³Ρ€ΡƒΠΏΠΏΡƒ «слов», восСмь Π±ΠΈΡ‚ ΡΠΎΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‚ Π±Π°ΠΉΡ‚  β€” Β«Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒ слова», Ρ‡Π΅Ρ‚Ρ‹Ρ€Π΅ Π±ΠΈΡ‚Π° β€” «кусочСк слова».

ΠŸΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ½Ρ‹ΠΌ Ρ‚Π΅Ρ€ΠΌΠΈΠ½ΠΎΠΌ для Ρ‡ΠΈΠΏΠΎΠ², Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ Ρ‡Π°Ρ‰Π΅ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΡ…,  ΡΠ²Π»ΡΠ΅Ρ‚ся Π±Π°ΠΉΡ‚. Π­Ρ‚ΠΎ Π½Π°Π±ΠΎΡ€ ΠΈΠ· восьми Π±ΠΈΡ‚, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΈΠ½ΠΈΠΌΠ°Ρ‚ΡŒ ΠΎΡ‚ 2 Π΄ΠΎ 8 числовых Π²Π°Ρ€ΠΈΠ°Ρ†ΠΈΠΉ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π² ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΉ слоТности Π΄Π°Ρ‘Ρ‚ 256 Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠΉ.

Для прСдставлСния Π±Π°ΠΉΡ‚Π° ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ ΡˆΠ΅ΡΡ‚Π½Π°Π΄Ρ†Π°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΡ‡Π½Π°Ρ систСма счислСния, Π³Π΄Π΅ прСдусматриваСтся использованиС 16 Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠΉ ΠΈΠ· Π΄Π²ΡƒΡ… Π³Ρ€ΡƒΠΏΠΏ:

  1.  Π¦ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… (ΠΎΡ‚ 0 Π΄ΠΎ 9).
  2.  Π‘ΠΈΠΌΠ²ΠΎΠ»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… (ΠΎΡ‚ А Π΄ΠΎ F).

ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ Π² комбинациях Π΄Π²ΡƒΡ… Π·Π½Π°ΠΊΠΎΠ² ΡˆΠ΅ΡΡ‚Π½Π°Π΄Ρ†Π°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ систСмы Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΡƒΠΊΠ»Π°Π΄Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ 256 Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠΉ (ΠΎΡ‚ 00h Π΄ΠΎ FFh). ΠšΠΎΠ½Π΅Ρ‡Π½Ρ‹ΠΉ символ Β«hΒ» ΡƒΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ Π½Π° ΠΏΡ€ΠΈΠ½Π°Π΄Π»Π΅ΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΊ ΡˆΠ΅ΡΡ‚Π½Π°Π΄Ρ†Π°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΡ‡Π½Ρ‹ΠΌ числам.

ΠžΡ€Π³Π°Π½ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΡ микросхСм (Ρ‡ΠΈΠΏΠΎΠ²) памяти

Для 8-Π±ΠΈΡ‚Π½Ρ‹Ρ… Ρ‡ΠΈΠΏΠΎΠ² памяти (Π½Π°ΠΈΠ±ΠΎΠ»Π΅Π΅ распространСнный Ρ‚ΠΈΠΏ) Π±ΠΈΡ‚Ρ‹ ΠΎΠ±ΡŠΠ΅Π΄ΠΈΠ½ΡΡŽΡ‚ΡΡ Π² Π±Π°ΠΉΡ‚Ρ‹ (8 Π±ΠΈΡ‚) ΠΈ ΡΠΎΡ…Ρ€Π°Π½ΡΡŽΡ‚ΡΡ ΠΏΠΎΠ΄ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Ρ‘Π½Π½Ρ‹ΠΌ «адрСсом».

По Π½Π°Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½Π½ΠΎΠΌΡƒ адрСсу открываСтся доступ ΠΊ Π±Π°ΠΉΡ‚Π°ΠΌ. Π’Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ восьми Π±ΠΈΡ‚ΠΎΠ² адрСса доступа осущСствляСтся Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· восСмь ΠΏΠΎΡ€Ρ‚ΠΎΠ² Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ….

Π›ΠžΠ“Π˜ΠšΠ

ΠžΡ€Π³Π°Π½ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΡ структуры ΠΏΠ°ΠΌΡΡ‚ΠΈΠžΡ€Π³Π°Π½ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΡ структуры Π·Π°ΠΏΠΎΠΌΠΈΠ½Π°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ устройства. На ΠΏΠ΅Ρ€Π²Ρ‹ΠΉ взгляд слоТный ΠΈ нСпонятный Π°Π»Π³ΠΎΡ€ΠΈΡ‚ΠΌ. Но ΠΏΡ€ΠΈ ΠΆΠ΅Π»Π°Π½ΠΈΠΈ Ρ€Π°Π·ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΡŒΡΡ, ΠΏΠΎΠ½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈΡ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ быстро

НапримСр, 8-ΠΌΠ΅Π³Π°Π±ΠΈΡ‚Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‡ΠΈΠΏ сСрии 27c801 ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Π² ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΉ слоТности 1048576 Π±Π°ΠΉΡ‚ (8388608 Π±ΠΈΡ‚). ΠšΠ°ΠΆΠ΄Ρ‹ΠΉ Π±Π°ΠΉΡ‚ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ свой собствСнный адрСс, ΠΏΡ€ΠΎΠ½ΡƒΠΌΠ΅Ρ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ ΠΎΡ‚ 00000h Π΄ΠΎ FFFFFh (дСсятичноС Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ 0 β€” 1048575).

Помимо 8-Π±ΠΈΡ‚Π½Ρ‹Ρ… Ρ‡ΠΈΠΏΠΎΠ² памяти, ΡΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ 16-Π±ΠΈΡ‚Π½Ρ‹Π΅ Ρ‡ΠΈΠΏΡ‹ памяти. Π•ΡΡ‚ΡŒ микросхСмы ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ доступа, Ρ…Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ·ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Π΅ ΠΊΠ°ΠΊ 1-Π±ΠΈΡ‚Π½Ρ‹Π΅ ΠΈ 4-Π±ΠΈΡ‚Π½Ρ‹Π΅ Ρ‡ΠΈΠΏΡ‹ памяти. ΠŸΡ€Π°Π²Π΄Π°, послСдниС ΠΈΠ· ΠΎΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‡Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… микросхСм Ρ‚Π΅ΠΏΠ΅Ρ€ΡŒ ΡƒΠΆΠ΅ практичСски Π½Π΅ Π²ΡΡ‚Ρ€Π΅Ρ‡Π°ΡŽΡ‚ΡΡ.

 

ΠœΠΈΠΊΡ€ΠΎΡΡ…Π΅ΠΌΡ‹ памяти EPROM (сСрия 27… 27C …)

Π’Π΅Ρ€ΠΌΠΈΠ½ΠΎΠΌ Β«EPROMΒ» Π·Π°ΡˆΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²Π°Π½Π° Π°Π±Π±Ρ€Π΅Π²ΠΈΠ°Ρ‚ΡƒΡ€ΠΎΠΉ тСхничСская характСристика микросхСм β€” стираСмая программируСмая ΠΏΠ°ΠΌΡΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ читаСмая (Erasable Programmable Read Only Memory). Π§Ρ‚ΠΎ это Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚ Π² дСталях?

Π‘Π•Π Π˜Π― 27Π‘256

Π§ΠΈΠΏ памяти 27 ΡΠ΅Ρ€ΠΈΠΈΠžΠ΄Π½Π° ΠΈΠ· ΠΌΠΎΠ΄ΠΈΡ„ΠΈΠΊΠ°Ρ†ΠΈΠΉ Π·Π°ΠΏΠΎΠΌΠΈΠ½Π°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… устройств, ΠΎΡΠΎΠ±Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ исполнСния ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ Π·Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ Π² Π½Π°Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠΈ ΡΠΏΠ΅Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΎΠΊΠ½Π°. Благодаря этому ΠΎΠΊΠ½Ρƒ, ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΎΠ»Π΅Ρ‚ΠΎΠΌ стираСтся информация

НСсмотря Π½Π° Ρ€Π°ΡΡˆΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²ΠΊΡƒ куска Π°Π±Π±Ρ€Π΅Π²ΠΈΠ°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ – Β«Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ для чтСния» (Read Only Memory), информация доступна для стирания ΠΈ пСрСзаписи, Π½ΠΎ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ°Ρ‚ΠΎΡ€Π°. Π§Π°ΡΡ‚ΡŒ Π°Π±Π±Ρ€Π΅Π²ΠΈΠ°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ β€” Β«ErasableΒ», сообщаСт ΠΎ возмоТности стирания Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ….

Π‘Ρ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ‚ΡƒΡ€Π° Ρ‡ΠΈΠΏΠΎΠ² сСрии 27… 27C… ΠΏΠΎΠ΄Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΈΠ²Π°Π΅Ρ‚ стираниС ΠΈΠ½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ воздСйствия Π½Π° ячСйки хранСния интСнсивным ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΎΠ»Π΅Ρ‚ΠΎΠ²Ρ‹ΠΌ ΠΈΠ·Π»ΡƒΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ  (Π΄Π»ΠΈΠ½Π° Π²ΠΎΠ»Π½Ρ‹ 254 Π½ΠΌ).

ΠžΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π°Π±Π±Ρ€Π΅Π²ΠΈΠ°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ Β«ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹ΠΉΒ» (Programmable) ΡƒΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ Π½Π° Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ программирования, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° любая цифровая информация ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π·Π°Π»ΠΎΠΆΠ΅Π½Π° Π² Ρ‡ΠΈΠΏ.

Для программирования Ρ‡ΠΈΠΏΠΎΠ² трСбуСтся ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ°Ρ‚ΠΎΡ€. К ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Ρƒ, 27 сСрия ΡƒΡΠΏΠ΅ΡˆΠ½ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΡˆΠΈΠ²Π°Π΅Ρ‚ΡΡ устройствами Β«Batronix EprommerΒ» ΠΈΠ»ΠΈ Β«Galep-4Β».

ΠŸΠ ΠžΠ“Π ΠΠœΠœΠΠ’ΠžΠ 

ΠŸΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ°Ρ‚ΠΎΡ€ микросхСм BatronixΠŸΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ°Ρ‚ΠΎΡ€ микросхСм Batronix β€” эффСктивный ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΡƒΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹ΠΉ инструмСнт программирования Π·Π°ΠΏΠΎΠΌΠΈΠ½Π°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… устройств. ΠŸΠΎΠ΄Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΈΠ²Π°Π΅Ρ‚ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρƒ с ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΈΠΌ Π½Π°Π±ΠΎΡ€ΠΎΠΌ Ρ‡ΠΈΠΏΠΎΠ², Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ 27 ΡΠ΅Ρ€ΠΈΡŽ

Π’ΠΈΠΏ памяти сСрии 27… 27C… сохраняСт записанныС ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ°Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ Π΄ΠΎ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ программирования с Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠ΅ΠΉ стирания ΠΈΠ»ΠΈ Π±Π΅Π· Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ²ΠΎΠΉ.

ДопускаСтся ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎΠΊΡ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠ΅ ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ Π±Π΅Π· стирания, ΠΏΡ€ΠΈ условии измСнСния Π±ΠΈΡ‚ΠΎΠ² Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ ΠΎΡ‚ состояния Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ†Ρ‹ Π΄ΠΎ состояния нуля ΠΈΠ»ΠΈ ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‰ΠΈΡ… состояниС Π½ΡƒΠ»ΡŒ.

Если ΠΆΠ΅ трСбуСтся Π·Π°ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Ρ‡ΠΈΠΏ памяти с ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Π±ΠΈΡ‚Π° ΠΎΡ‚ состояния нуля Π΄ΠΎ состояния Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ†Ρ‹, ΠΏΡ€Π΅ΠΆΠ΄Π΅ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΡŽ стирания.

ΠšΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΡ исполнСния сСрии 27…, 27C..

ΠœΠΈΠΊΡ€ΠΎΡΡ…Π΅ΠΌΡ‹ 27 сСрии Π²Ρ‹ΠΏΡƒΡΠΊΠ°ΡŽΡ‚ΡΡ с ΠΎΠΊΠ½ΠΎΠΌ ΠΈΠ· ΠΊΠ²Π°Ρ€Ρ†Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ стСкла для засвСтки ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΎΠ»Π΅Ρ‚ΠΎΠΌ ΠΈΠ»ΠΈ Π±Π΅Π· ΠΎΠΊΠ½Π°. ΠšΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΡ Ρ‡ΠΈΠΏΠ° Π±Π΅Π· ΠΎΠΊΠ½Π° Π½Π΅ ΠΏΠΎΠ΄Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΈΠ²Π°Π΅Ρ‚ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΡŽ ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΎΠ»Π΅Ρ‚ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ стирания.

Π’Π°ΠΊΠΎΠΉ Ρ‚ΠΈΠΏ микросхСм (Π±Π΅Π· ΠΎΠΊΠ½Π°) относят ΠΊ Ρ‡ΠΈΠΏΠ°ΠΌ EPROM, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ Π·Π° ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ Ρ€Π°Π·. ΠœΠ°Ρ€ΠΊΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ Ρ‡ΠΈΠΏΡ‹ ΠΊΠ°ΠΊ OTP (One Time Programmable) β€” ΠΎΠ΄Π½ΠΎΡ€Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅.

27C512

ΠœΠΈΠΊΡ€ΠΎΡΡ…Π΅ΠΌΠ° памяти ΠΎΠ΄Π½ΠΎΡ€Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠΉ Π·Π°ΠΏΠΈΡΠΈΠ—Π°ΠΏΠΎΠΌΠΈΠ½Π°ΡŽΡ‰Π΅Π΅ ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΠ΅ устройство ΠΈΠ· Π³Ρ€ΡƒΠΏΠΏΡ‹ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΊΡ€Π°Ρ‚Π½ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Ρ… EPROM (One Time Programmable). Π’ настоящСС врСмя Ρ€Π΅Π΄ΠΊΠΎ примСняСмыС

На устройствах с ΠΎΠΊΠ½ΠΎΠΌ послС стирания ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΎΠ»Π΅Ρ‚ΠΎΠΌ ΠΈ ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ программирования, ΠΊΠ²Π°Ρ€Ρ†Π΅Π²ΠΎΠ΅ ΠΎΠΊΠ½ΠΎ Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ Π½Π°ΠΊΠ»Π΅ΠΉΠΊΠΎΠΉ. Π’Π°ΠΊ Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‰Π°ΡŽΡ‚ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ ΠΎΡ‚ Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΠ³ΠΎ поврСТдСния свСтом.

Π‘ΠΎΠ»Π½Π΅Ρ‡Π½Ρ‹Π΅ Π»ΡƒΡ‡ΠΈ содСрТат ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΎΠ»Π΅Ρ‚, Π° это Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚ – свСт солнца способСн ΡΡ‚ΠΈΡ€Π°Ρ‚ΡŒ ΠΈΠ½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΡŽ, Π·Π°ΠΏΠΈΡΠ°Π½Π½ΡƒΡŽ Π² микросхСмС. ΠŸΡ€Π°Π²Π΄Π°, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΡΡ‚Π΅Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ солнСчным свСтом, потрСбуСтся нСсколько сотСн часов прямого воздСйствия солнСчных Π»ΡƒΡ‡Π΅ΠΉ.

Π’Π°ΠΊΠΆΠ΅ слСдуСт ΠΎΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒ особСнности EPROM сСрии 27C… Π‘ΠΈΠΌΠ²ΠΎΠ» Β«Π‘Β» Π² Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΌ случаС ΡƒΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ Π½Π° ΠΏΡ€ΠΈΠ½Π°Π΄Π»Π΅ΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ‡ΠΈΠΏΠ° ΠΊ сСмСйству CMOS (Complimentary Metal Oxide Semiconductor) β€” ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ»Π΅ΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ€Π½Ρ‹ΠΉ ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»-оксидный ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊ.

Π­Ρ‚ΠΎΡ‚ Π²ΠΈΠ΄ микросхСм памяти отличаСтся сниТСнной ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΏΠΎ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΡŽ ΠΊ сСмСйству NMOS (N-channel Metal Oxide Semiconductor) β€” N-ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»-оксидный ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊ.

ΠšΡ€ΠΎΠΌΠ΅ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, сСрия 27C Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅Ρ‚ мСньшСго напряТСния питания (12,5Π’). ΠœΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Ρ‚Π΅ΠΌ ΠΎΠ±Π΅ ΠΊΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ исполнСния совмСстимы. ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ, ΠΊ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Ρƒ, микросхСма 2764 Π²ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅ Π·Π°ΠΌΠ΅Π½ΠΈΠΌΠ° Π½Π° Ρ‡ΠΈΠΏ 27C64.

ΠœΠΈΠΊΡ€ΠΎΡΡ…Π΅ΠΌΡ‹ памяти EEPROM сСрии 28C…

Π—Π΄Π΅ΡΡŒ ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠ΅ ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ Π·Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Π½ΠΎ Π² Π°Π±Π±Ρ€Π΅Π²ΠΈΠ°Ρ‚ΡƒΡ€Π΅ Ρ‚ΠΈΠΏΠ° памяти – EEPROM, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚ элСктричСски стираСмоС ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΠ΅ постоянноС Π·Π°ΠΏΠΎΠΌΠΈΠ½Π°ΡŽΡ‰Π΅Π΅ устройство (Electrically Erasable Programmable Read Only Memory).

ΠŸΠΎΡΡ‚Ρ€ΠΎΠ΅Π½ΠΈΠ΅ этой сСрии практичСски ΠΈΠ΄Π΅Π½Ρ‚ΠΈΡ‡Π½ΠΎ 27 Ρ‡ΠΈΠΏΠ°ΠΌ. Однако 28 сСрия позволяСт ΡΡ‚ΠΈΡ€Π°Ρ‚ΡŒ ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ Π±Π°ΠΉΡ‚Ρ‹ ΠΈΠ»ΠΈ всё пространство памяти элСктричСским способом, Π±Π΅Π· примСнСния ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΎΠ»Π΅Ρ‚Π°.

Π‘Π•Π Π˜Π― 28C

ΠœΠΈΠΊΡ€ΠΎΡΡ…Π΅ΠΌΡ‹ памяти сСрии 28БСрия Π·Π°ΠΏΠΎΠΌΠΈΠ½Π°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… устройств, ΠΏΠΎΠ΄Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰Π°Ρ элСктричСский ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ стирания ΠΈΠ½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΠΈ. Π­Ρ‚ΠΎΡ‚ Π²ΠΈΠ΄ Π²Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΡƒΠΆΠ΅ Π² состав Π³Ρ€ΡƒΠΏΠΏΡ‹ EEPROM β€” элСктричСски стираСмых постоянных Π·Π°ΠΏΠΎΠΌΠΈΠ½Π°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… устройств

ΠŸΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ Π±Π°ΠΉΡ‚Ρ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡΡ‚Π΅Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ, Π½Π΅ удаляя всю Ρ…Ρ€Π°Π½ΠΈΠΌΡƒΡŽ ΠΈΠ½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΡŽ, эти ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ Π±Π°ΠΉΡ‚Ρ‹ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ пСрСзаписаны. Однако процСсс записи EEPROM Π·Π°Π½ΠΈΠΌΠ°Π΅Ρ‚ большС Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ, Ρ‡Π΅ΠΌ ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ EPROM. Π Π°Π·Π½ΠΈΡ†Π° Π΄ΠΎ Π½Π΅ΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΈΡ… миллисСкунд Π½Π° Π±Π°ΠΉΡ‚.

Π§Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ΅Π½ΡΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ этот нСдостаток, Ρ‡ΠΈΠΏΡ‹ ΠΏΠΎΠ΄ΠΎΠ±Π½Ρ‹Π΅ AT28C256, ΠΎΡΠ½Π°Ρ‰Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠ΅ΠΉ Π±Π»ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ программирования. ΠŸΡ€ΠΈ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΌ ΠΏΠΎΠ΄Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ ΠΊ ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΡŽ, ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎ (Π±Π»ΠΎΠΊΠΎΠΌ) Π·Π°Π³Ρ€ΡƒΠΆΠ°ΡŽΡ‚ΡΡ 64, 128 ΠΈΠ»ΠΈ 256 Π±Π°ΠΉΡ‚.  Π‘Π»ΠΎΡ‡Π½Ρ‹ΠΉ способ сокращаСт врСмя программирования.

Π§ΠΈΠΏΡ‹ памяти FLASH EEPROM сСрии 28F …, 29C …, 29F …

Π­Ρ‚ΠΈ Ρ‡ΠΈΠΏΡ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡΡ‚ΠΈΡ€Π°Ρ‚ΡŒ элСктричСски β€” ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΈΠ»ΠΈ Π±Π»ΠΎΠΊΠ°ΠΌΠΈ, Π° Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ (ΠΏΠΎΠ΄ΠΎΠ±Π½Ρ‹Π΅ AT28C …) ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ Π±Π»ΠΎΠΊΠ°ΠΌΠΈ.

ΠœΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Ρ‚Π΅ΠΌ Flash-ΠΏΠ°ΠΌΡΡ‚ΡŒ Π½Π΅ всСгда ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΠΈΠΌΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π² качСствС Π·Π°ΠΌΠ΅Π½Ρ‹ ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‡ΠΈΠΏΠ°. ΠŸΡ€ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρ‹, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΠΎ, Π·Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Π² Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΠΉ ΠΊΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ корпусного исполнСния.

Π‘Π•Π Π˜Π― 29C

Π§ΠΈΠΏΡ‹ памяти ΠΈΠ· Π³Ρ€ΡƒΠΏΠΏΡ‹ Flash-memoryУстройства записи ΠΈ хранСния Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ…, ΠΏΠΎΠ΄Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΡŽ программирования Flash-memory. ΠžΡ‚Π»ΠΈΡ‡Π°ΡŽΡ‚ΡΡ исполнСниСм корпуса с большим числом ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠ² (32). Входят Π² Π³Ρ€ΡƒΠΏΠΏΡƒ EPROM

ΠŸΡ€ΠΎΡΡ‚ΠΎΠΉ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° Flash-ΠΏΠ°ΠΌΡΡ‚ΡŒ доступна Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Π² корпусах Π½Π° 32 ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π° ΠΈΠ»ΠΈ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅. ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ, допустим, Ρ‡ΠΈΠΏ 28F256 Π½Π° 32 Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π° Π½Π΅ совмСстим с Ρ‡ΠΈΠΏΠΎΠΌ 27C256, ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‰ΠΈΠΌ 28 ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹Ρ… Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠ². ΠŸΡ€ΠΈ этом микросхСмы ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½Π°ΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ ΠΎΠ±ΡŠΡ‘ΠΌ памяти ΠΈ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠ΅ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹, подходящиС для Π·Π°ΠΌΠ΅Π½Ρ‹.

Π§ΠΈΠΏΡ‹ EEPROM с ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ доступом (24C …, 25C …, 93C …)

ΠœΠΈΠΊΡ€ΠΎΡΡ…Π΅ΠΌΡ‹ памяти с ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ интСрфСйсом ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Ρ‚Π΅ΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΈ Π½Π°ΠΈΠΌΠ΅Π½ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ ΠΈΠΌΠ΅Π½ Π² Π½ΠΈΡ… происходят частями (ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ).

ΠŸΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ процСсс позволяСт ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ доступ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ ΠΊ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌΡƒ Π±ΠΈΡ‚Ρƒ Π·Π° Ρ€Π°Π·, ΠΈ доступный адрСс Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ пСрСдаётся ΠΏΠΎ Π±ΠΈΡ‚Π°ΠΌ. ΠΠΎ ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ явноС прСимущСство Π² ΠΏΠ»Π°Π½Π΅ ΠΊΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ корпусов.

Π‘Π•Π Π˜Π― 24C

Π§ΠΈΠΏΡ‹ ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ памяти сСрии 24ВсСго восСмь ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹Ρ… Π½ΠΎΠΆΠ΅ΠΊ достаточно Π·Π°ΠΏΠΎΠΌΠΈΠ½Π°ΡŽΡ‰Π΅ΠΌΡƒ устройству сСрии 24C ΠΈ ΠΏΠΎΠ΄ΠΎΠ±Π½Ρ‹ΠΌ для ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΡ†Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ Π½Π° запись ΠΈ Ρ…Ρ€Π°Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ…

Π­Ρ‚ΠΎ прСимущСство ΡƒΡΠΏΠ΅ΡˆΠ½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ. ΠŸΡ€Π°ΠΊΡ‚ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠΈ всС EEPROM ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ доступа ΠΈΠ·Π³ΠΎΡ‚Π°Π²Π»ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Π² Π²ΠΈΠ΄Π΅ 8-ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹Ρ… ΠΌΠ°Π»ΠΎΠ³Π°Π±Π°Ρ€ΠΈΡ‚Π½Ρ‹Ρ… микросхСм. Π’Π°ΠΊΠΎΠ΅ исполнСниС корпуса видится Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ ΠΏΡ€Π°ΠΊΡ‚ΠΈΡ‡Π½Ρ‹ΠΌ, ΡƒΠ΄ΠΎΠ±Π½Ρ‹ΠΌ.

Π—Π°ΠΏΠΎΠΌΠΈΠ½Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ устройства ΠžΠ—Π£  сСрии 52 …, 62 …, 48Z …, DS12 …, XS22 …

АббрСвиатура ΠžΠ—Π£ (RAM) Ρ€Π°ΡΡˆΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ΡΡ ΠΊΠ°ΠΊ Β«ΠΏΠ°ΠΌΡΡ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ доступа» (Random Access Memory). Π’Π°ΠΊΠΆΠ΅ микросхСмы сСрии 52 …, 62 … ΠΈ ΠΏΠΎΠ΄ΠΎΠ±Π½Ρ‹Π΅ часто Ρ…Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ Β«ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹ΠΌΠΈ Π·Π°ΠΏΠΎΠΌΠΈΠ½Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΌΠΈ устройствами».

Π˜Ρ… ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ Ρ‡Π΅Ρ€Ρ‚Ρ‹ – скоростная запись Π±Π΅Π· нСобходимости ΠΏΡ€Π΅Π΄Π²Π°Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ стирания. Π—Π΄Π΅ΡΡŒ видится Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ прСимущСство ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΡ… ΠΈΠ·Π΄Π΅Π»ΠΈΠΉ.

Но Π΅ΡΡ‚ΡŒ ΠΈ нСдостаток – Ρ‡ΠΈΠΏΡ‹ ΠžΠ—Π£ ΠΎΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‡Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ ΠΈ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΡ… сСрий ΡƒΡ‚Ρ€Π°Ρ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ всС записанныС ΠΈ сохранённыС Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΎΡ‚ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ питания.

Однако имССтся Π°Π»ΡŒΡ‚Π΅Ρ€Π½Π°Ρ‚ΠΈΠ²Π° – ΠΏΠ°ΠΌΡΡ‚ΡŒ NVRAM (Non Volatile Random Access Memory) – энСргонСзависимая ΠΏΠ°ΠΌΡΡ‚ΡŒ сСрий 48, DS, XS ΠΈ подобная, с ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ доступом.

Π­Ρ‚ΠΎΡ‚ Π²ΠΈΠ΄ Ρ‡ΠΈΠΏΠΎΠ² выдСляСтся срСди основных прСимущСств микросхСм RAM высокой ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ пСрСзаписи ΠΈ простым ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ΠΌ. ΠŸΠΎΡ‚Π΅Ρ€Ρ питания Π½Π΅ ΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ влияниС Π½Π° ΡΠΎΡ…Ρ€Π°Π½Ρ‘Π½Π½ΡƒΡŽ ΠΈΠ½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΡŽ.

ПАМЯВЬ NVRAM

Π§ΠΈΠΏ ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹ΠΉ nvramУстройства записи ΠΈ хранСния ΠΈΠ½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΠΈ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ Π½Π΅ боятся ΠΎΡ‚ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ питания. Π˜Ρ… структура прСдусматриваСт ΡΡ„Ρ„Π΅ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΡƒΡŽ Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Ρƒ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ…

Как ΠΆΠ΅ способом достигаСтся энСргСтичСская Π½Π΅Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ NVRAM? ΠžΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ΡΡ, производитСлями ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ Π΄Π²Π΅ ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΈΠΊΠΈ:

  1. ВстраиваСмый Π² корпус ΠΌΠΈΠ½ΠΈ аккумулятор.
  2. Π‘ΠΎΠ²ΠΌΠ΅Ρ‰Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π² ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ корпусС NVRAM ΠΈ EEPROM.

Для ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠ³ΠΎ Π²Π°Ρ€ΠΈΠ°Π½Ρ‚Π°: ΠΏΡ€ΠΈ ΠΎΡ‚ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ питания происходит автоматичСский ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ Π½Π° Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½ΠΈΠΉ источник энСргии. По словам ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ Ρ‡ΠΈΠΏΠΎΠ² с ΠΠšΠ‘, энСргии встроСнного ΡƒΠ½ΠΈΠΊΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Π°ΠΊΠΊΡƒΠΌΡƒΠ»ΡΡ‚ΠΎΡ€Π° Π²ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅ достаточно Π½Π° 10 Π»Π΅Ρ‚ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹.

Для Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ Π²Π°Ρ€ΠΈΠ°Π½Ρ‚Π°: тСхнология прСдусматриваСт ΠΊΠΎΠΏΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… пространства памяти NVRAM Π½Π° встроСнноС пространство EEPROM. Если утрачиваСтся ΠΏΠΈΡ‚Π°Π½ΠΈΠ΅, копия ΠΈΠ½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΠΈ остаётся Π½Π΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ½ΡƒΡ‚ΠΎΠΉ ΠΈ послС восстановлСния энСргии, автоматичСски копируСтся Π½Π° NVRAM.

ΠœΠ°Ρ€ΠΊΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠ° ΠΈ Π²Π·Π°ΠΈΠΌΠΎΠ·Π°ΠΌΠ΅Π½ΡΠ΅ΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ²

ВывСдСнная Π½Π° корпусС ΠΌΠ°Ρ€ΠΊΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠ° Ρ‡ΠΈΠΏΠ° памяти Ρ‚Ρ€Π°Π΄ΠΈΡ†ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎ содСрТит:

  • Π°Π±Π±Ρ€Π΅Π²ΠΈΠ°Ρ‚ΡƒΡ€Ρƒ производитСля,
  • Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΡŽ производства,
  • Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€ (ΠΎΠ±ΡŠΡ‘ΠΌ) памяти,
  • максимально Ρ€Π°Π·Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½Π½ΡƒΡŽ ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒ доступа,
  • Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€,
  • Ρ‚ΠΈΠΏ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡ‹ корпуса.

Π’Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π½Π° корпусах Π½Π΅Ρ€Π΅Π΄ΠΊΠΎ ΠΎΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‡Π°ΡŽΡ‚ΡΡ свСдСния ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅. НСзависимо ΠΎΡ‚ производитСля, ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΈΠ΅ микросхСмы памяти совмСстимы.

ΠΠ”ΠΠŸΠ’Π•Π Π«

ΠœΠ°Ρ€ΠΊΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠ° Ρ‡ΠΈΠΏΠΎΠ² ΠΏΠ°ΠΌΡΡ‚ΠΈΠœΠ°Ρ€ΠΊΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠ° β€” структура записи Π½Π° корпусС ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΠ³ΠΎ устройства, Ρ€Π°ΡΠΊΡ€Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‰Π°Ρ основныС свСдСния, ΠΏΠΎ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΌ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΠ΄ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΡŒ Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ Π½Π° Π·Π°ΠΌΠ΅Π½Ρƒ ΠΏΡ€ΠΈ нСобходимости

Для быстрой, Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠΉ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Ρ€ΠΏΡ€Π΅Ρ‚Π°Ρ†ΠΈΠΈ памяти, ΠΊΠΎΠ½Π΅Ρ‡Π½ΠΎ ΠΆΠ΅, Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠ° ΠΏΡ€Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠΊΠ°. Но ΠΏΡ€ΠΈ ΠΆΠ΅Π»Π°Π½ΠΈΠΈ ΠΈΠ·ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ всС тонкости Π½Π΅ Ρ‚Π°ΠΊ слоТно, ΠΊΠ°ΠΊ это видится ΠΈΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎ.

Если Π΄Π΅Π»ΠΎ касаСтся Π²Π·Π°ΠΈΠΌΠ½ΠΎΠΉ Π·Π°ΠΌΠ΅Π½Ρ‹, Π² ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΡƒΡŽ ΠΎΡ‡Π΅Ρ€Π΅Π΄ΡŒ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Π° ΠΏΠΎΠ΄Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ тСхнология (EPROM, EEPROM , FLASH ΠΈ Ρ‚.Π΄.),

Π’Π°ΠΊΠΆΠ΅ микросхСмы памяти Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Ρ‹ ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚ΡŒ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½Π°ΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€ (ΠΎΠ±ΡŠΡ‘ΠΌ) ΠΈ Ρ€Π°Π²Π½ΠΎΡ†Π΅Π½Π½ΠΎΠ΅ ΠΈΠ»ΠΈ мСньшСС врСмя доступа. Π–Π΅Π»Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π²Ρ‹Π±ΠΈΡ€Π°Ρ‚ΡŒ корпус, подходящий ΠΏΠΎ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π½ΠΎΠΌΡƒ Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Ρƒ.

Π‘Π»Π΅Π΄ΡƒΠ΅Ρ‚ ΠΎΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒ: Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€ памяти задаСтся Π² Π±ΠΈΡ‚Π°Ρ…, Π½Π΅ Π² Π±Π°ΠΉΡ‚Π°Ρ…. Π—Π° Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠΉ ΠΎΠ±ΡŠΡ‘ΠΌΠ° ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ слСдуСт ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ вСрсии (Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, Β«FΒ»).

Π”Π°Π»Π΅Π΅, Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· дСфис, отмСчаСтся максимально Ρ€Π°Π·Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½Π½Π°Ρ ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒ доступа Π² наносСкундах β€” врСмя Π·Π°Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΊΠΈ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Ρ†ΠΈΠΊΠ»Π°ΠΌΠΈ Π²Π²ΠΎΠ΄Π° адрСса ΠΈ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π° Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… Π½Π° ΠΏΠΎΡ€Ρ‚Ρ‹ Ρ‡ΠΈΠΏΠ° памяти.

ВрСмя Π·Π°Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΊΠΈ обозначаСтся двумя Ρ†ΠΈΡ„Ρ€Π°ΠΌΠΈ (Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, Β«70Β» соотвСтствуСт 70 нс, Π° Π²ΠΎΡ‚ Β«10Β» соотвСтствуСт 100 нс). НаконСц, Π·Π°Π²Π΅Ρ€ΡˆΠ°ΡŽΡ‚ ΠΌΠ°Ρ€ΠΊΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΡƒ издСлия Ρ‚ΠΈΠΏ корпуса ΠΈ допустимый Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€.

ΠŸΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€ Ρ€Π°ΡΡˆΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²ΠΊΠΈ ΠΌΠ°Ρ€ΠΊΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠΈ микросхСмы памяти M27C1001-10F1:

  • ΠΏΠ°ΠΌΡΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΈΠΏΠ° EPROM,
  • ΠΎΠ±ΡŠΡ‘ΠΌ хранСния Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… 1 ΠœΠ±ΠΈΡ‚ (1001),
  • максимальноС врСмя доступа 100 нс (10),
  • Ρ‚ΠΈΠΏ корпуса DIP (F),
  • Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π½Ρ‹ΠΉ Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½ 0 β€” 70ΒΊΠ‘ (1).
Из ΠΏΡ€Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠΊΠΈ программирования Π·Π°ΠΏΠΎΠΌΠΈΠ½Π°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… устройств


Написано ΠΏΠΎ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π°ΠΌ: Batronix

Flash-ΠΏΠ°ΠΌΡΡ‚ΡŒ ΠΈ RAM / Habr


ΠŸΡ€Π΅Π΄ΠΈΡΠ»ΠΎΠ²ΠΈΠ΅

Новый Π“ΠΎΠ΄ – приятный, свСтлый ΠΏΡ€Π°Π·Π΄Π½ΠΈΠΊ, Π² ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ ΠΌΡ‹ всС ΠΏΠΎΠ΄Π²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌ ΠΈΡ‚ΠΎΠ³ΠΈ Π³ΠΎΠ΄ ΡƒΡˆΠ΅Π΄ΡˆΠ΅Π³ΠΎ, смотрим с Π½Π°Π΄Π΅ΠΆΠ΄ΠΎΠΉ Π² Π±ΡƒΠ΄ΡƒΡ‰Π΅Π΅ ΠΈ Π΄Π°Ρ€ΠΈΠΌ ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ€ΠΊΠΈ. Π’ этой связи ΠΌΠ½Π΅ Ρ…ΠΎΡ‚Π΅Π»ΠΎΡΡŒ Π±Ρ‹ ΠΏΠΎΠ±Π»Π°Π³ΠΎΠ΄Π°Ρ€ΠΈΡ‚ΡŒ всСх Ρ…Π°Π±Ρ€Π°-ΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ Π·Π° ΠΏΠΎΠ΄Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΊΡƒ, ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒ ΠΈ интСрСс, проявлСнный ΠΊ ΠΌΠΎΠΈΠΌ ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΡΠΌ (1, 2, 3, 4). Если Π±Ρ‹ Π’Ρ‹ ΠΊΠΎΠ³Π΄Π°-Ρ‚ΠΎ Π½Π΅ ΠΏΠΎΠ΄Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠ°Π»ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΡƒΡŽ, Π½Π΅ Π±Ρ‹Π»ΠΎ ΠΈ ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ… (ΡƒΠΆΠ΅ 5 статСй)! Бпасибо! И, ΠΊΠΎΠ½Π΅Ρ‡Π½ΠΎ ΠΆΠ΅, я Ρ…ΠΎΡ‡Ρƒ ΡΠ΄Π΅Π»Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ€ΠΎΠΊ Π² Π²ΠΈΠ΄Π΅ Π½Π°ΡƒΡ‡Π½ΠΎ-популярно-ΠΏΠΎΠ·Π½Π°Π²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΠΈ ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΌ, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ вСсСло, интСрСсно ΠΈ с пользой (ΠΊΠ°ΠΊ Π»ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΈ общСствСнной) ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΡ‚ΡŒ довольно суровоС Π½Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π²Ρ‹ΠΉ взгляд аналитичСскоС ΠΎΠ±ΠΎΡ€ΡƒΠ΄ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅. БСгодня ΠΏΠΎΠ΄ Новый Π“ΠΎΠ΄ Π½Π° ΠΏΡ€Π°Π·Π΄Π½ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΌ ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠΌ столС Π»Π΅ΠΆΠ°Ρ‚: USB-Flash Π½Π°ΠΊΠΎΠΏΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ ΠΎΡ‚ A-Data ΠΈ ΠΌΠΎΠ΄ΡƒΠ»ΡŒ SO-DIMM SDRAM ΠΎΡ‚ Samsung.
ВСорСтичСская Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒ

ΠŸΠΎΡΡ‚Π°Ρ€Π°ΡŽΡΡŒ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΊΡ€Π°Ρ‚ΠΎΠΊ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ всС ΠΌΡ‹ успСли ΠΏΡ€ΠΈΠ³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²ΠΈΡ‚ΡŒ салат оливьС с запасом ΠΊ ΠΏΡ€Π°Π·Π΄Π½ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΌΡƒ столу, поэтому Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π° Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Π² Π²ΠΈΠ΄Π΅ ссылок: Π·Π°Ρ…ΠΎΡ‚ΠΈΡ‚Π΅ – ΠΏΠΎΡ‡ΠΈΡ‚Π°Π΅Ρ‚Π΅ Π½Π° досугС…
Какая ΠΏΠ°ΠΌΡΡ‚ΡŒ Π±Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚?

На настоящий ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚ Π΅ΡΡ‚ΡŒ мноТСство Π²Π°Ρ€ΠΈΠ°Π½Ρ‚ΠΎΠ² хранСния ΠΈΠ½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΠΈ, ΠΊΠ°ΠΊΠΈΠ΅-Ρ‚ΠΎ ΠΈΠ· Π½ΠΈΡ… Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΡŽΡ‚ постоянной ΠΏΠΎΠ΄ΠΏΠΈΡ‚ΠΊΠΈ элСктричСством (RAM), ΠΊΠ°ΠΊΠΈΠ΅-Ρ‚ΠΎ навсСгда Β«Π²ΡˆΠΈΡ‚Ρ‹Β» Π² ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ микросхСмы ΠΎΠΊΡ€ΡƒΠΆΠ°ΡŽΡ‰Π΅ΠΉ нас Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΈΠΊΠΈ (ROM), Π° ΠΊΠ°ΠΊΠΈΠ΅-Ρ‚ΠΎ ΡΠΎΡ‡Π΅Ρ‚Π°ΡŽΡ‚ Π² сСбС качСства ΠΈ Ρ‚Π΅Ρ…, ΠΈ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΡ… (Hybrid). К послСдним, Π² частности, ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠ½Π°Π΄Π»Π΅ΠΆΠΈΡ‚ flash. Π’Ρ€ΠΎΠ΄Π΅ Π±Ρ‹ ΠΈ энСргонСзависимая ΠΏΠ°ΠΌΡΡ‚ΡŒ, Π½ΠΎ Π·Π°ΠΊΠΎΠ½Ρ‹ Ρ„ΠΈΠ·ΠΈΠΊΠΈ ΠΎΡ‚ΠΌΠ΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ слоТно, ΠΈ пСриодичСски Π½Π° Ρ„Π»Π΅ΡˆΠΊΠ°Ρ… ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π·Π°ΠΏΠΈΡΡ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΈΠ½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΡŽ всё-Ρ‚Π°ΠΊΠΈ приходится.

Π’ΡƒΡ‚ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΠ΄Ρ€ΠΎΠ±Π½Π΅Π΅ ΠΎΠ·Π½Π°ΠΊΠΎΠΌΠΈΡ‚ΡŒΡΡ с Π½ΠΈΠΆΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Ρ‘Π½Π½ΠΎΠΉ схСмой ΠΈ сравнСниСм характСристик Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠ² Β«Ρ‚Π²Π΅Ρ€Π΄ΠΎΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ памяти». Или Ρ‚ΡƒΡ‚ – Таль, Ρ‡Ρ‚ΠΎ я Π±Ρ‹Π» Π΅Ρ‰Ρ‘ Ρ€Π΅Π±Ρ‘Π½ΠΊΠΎΠΌ Π² 2003 Π³ΠΎΠ΄Ρƒ, Π² Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΌ ΠΏΡ€ΠΎΠ΅ΠΊΡ‚Π΅ Π½Π΅ Π΄Π°Π»ΠΈ ΠΏΠΎΡƒΡ‡Π°ΡΡ‚Π²ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒβ€¦


Π‘ΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹Π΅ Ρ‚ΠΈΠΏΡ‹ Β«Ρ‚Π²Π΅Ρ€Π΄ΠΎΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ памяти». Π˜ΡΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊ

ЕдинствСнноС, Ρ‡Ρ‚ΠΎ, ΠΏΠΎΠΆΠ°Π»ΡƒΠΉ, ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΎΠ±ΡŠΠ΅Π΄ΠΈΠ½ΡΡ‚ΡŒ всС эти Ρ‚ΠΈΠΏΡ‹ памяти – Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅-ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½Π°ΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹. Π•ΡΡ‚ΡŒ нСкоторая двумСрная ΠΈΠ»ΠΈ трёхмСрная ΠΌΠ°Ρ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°, которая заполняСтся 0 ΠΈ 1 ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ ΠΈ ΠΈΠ· ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ ΠΌΡ‹ впослСдствии ΠΌΠΎΠΆΠ΅ΠΌ эти значСния Π»ΠΈΠ±ΠΎ ΡΡ‡ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ, Π»ΠΈΠ±ΠΎ Π·Π°ΠΌΠ΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ, Ρ‚.Π΅. всё это прямой Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡˆΠ΅ΡΡ‚Π²Π΅Π½Π½ΠΈΠΊΠ° – памяти Π½Π° Ρ„Π΅Ρ€Ρ€ΠΈΡ‚ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΠΊΠΎΠ»ΡŒΡ†Π°Ρ….

Π§Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ flash-ΠΏΠ°ΠΌΡΡ‚ΡŒ ΠΈ ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΉ ΠΎΠ½Π° Π±Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ (NOR ΠΈ NAND)?

Начнём с flash-памяти. Когда-Ρ‚ΠΎ Π΄Π°Π²Π½ΠΎ Π½Π° нСбСзызвСстном ixbt Π±Ρ‹Π»Π° ΠΎΠΏΡƒΠ±Π»ΠΈΠΊΠΎΠ²Π°Π½Π° довольно подробная ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΡ ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ прСдставляСт собой Flash, ΠΈ ΠΊΠ°ΠΊΠΈΠ΅ 2 основных сорта Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π²ΠΈΠ΄Π° памяти Π±Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚. Π’ частности, Π΅ΡΡ‚ΡŒ NOR (логичСскоС Π½Π΅-ΠΈΠ»ΠΈ) ΠΈ NAND (логичСскоС Π½Π΅-ΠΈ) Flash-ΠΏΠ°ΠΌΡΡ‚ΡŒ (Ρ‚ΡƒΡ‚ Ρ‚ΠΎΠΆΠ΅ всё ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ ΠΏΠΎΠ΄Ρ€ΠΎΠ±Π½ΠΎ описано), ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ нСсколько ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡Π°ΡŽΡ‚ΡΡ ΠΏΠΎ своСй ΠΎΡ€Π³Π°Π½ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ (Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, NOR – двумСрная, NAND ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΈ Ρ‚Ρ€Π΅Ρ…ΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎΠΉ), Π½ΠΎ ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΉ элСмСнт – транзистор с ΠΏΠ»Π°Π²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΌ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ.


БхСматичСскоС прСдставлСниС транзистора с ΠΏΠ»Π°Π²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΌ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ. Π˜ΡΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊ

Π˜Ρ‚Π°ΠΊ, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΆΠ΅ это Ρ‡ΡƒΠ΄ΠΎ ΠΈΠ½ΠΆΠ΅Π½Π΅Ρ€Π½ΠΎΠΉ мысли Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚? ВмСстС с Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΌΠΈ физичСскими Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒΠ»Π°ΠΌΠΈ это описано Ρ‚ΡƒΡ‚. Если Π²ΠΊΡ€Π°Ρ‚Ρ†Π΅, Ρ‚ΠΎ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΌ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠΌ, ΠΏΠΎ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌΡƒ Ρ‚ΠΎΠΊ Ρ‚Π΅Ρ‡Ρ‘Ρ‚ ΠΎΡ‚ истока ΠΊ стоку, ΠΌΡ‹ ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ‰Π°Π΅ΠΌ Ρ‚ΠΎΡ‚ самый ΠΏΠ»Π°Π²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€, ΠΎΠΊΡ€ΡƒΠΆΡ‘Π½Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠ½ΠΊΠΈΠΌ слоСм диэлСктрика. Π’ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅, ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Π½ΠΈΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΉ Β«ΠΌΠΎΠ΄ΠΈΡ„ΠΈΡ†ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉΒ» ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠΉ транзистор Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒ элСктронов с высокой энСргиСй Ρ‚ΡƒΠ½Π½Π΅Π»ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚ сквозь диэлСктрик ΠΈ ΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€ΠΈ ΠΏΠ»Π°Π²Π°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π°. ΠŸΠΎΠ½ΡΡ‚Π½ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΠΎΠΊΠ° элСктроны Ρ‚ΡƒΠ½Π½Π΅Π»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π»ΠΈ, Π±Ρ€ΠΎΠ΄ΠΈΠ»ΠΈ Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€ΠΈ этого Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π°, ΠΎΠ½ΠΈ потСряли Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒ энСргии ΠΈ Π½Π°Π·Π°Π΄ практичСски Π²Π΅Ρ€Π½ΡƒΡ‚ΡŒΡΡ Π½Π΅ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚.

NB: «практичСски» β€” ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²ΠΎΠ΅ слово, вСдь Π±Π΅Π· пСрСзаписи, Π±Π΅Π· обновлСния ячССк хотя Π±Ρ‹ Ρ€Π°Π· Π² нСсколько Π»Π΅Ρ‚ Flash «обнуляСтся» Ρ‚Π°ΠΊ ΠΆΠ΅, ΠΊΠ°ΠΊ опСративная ΠΏΠ°ΠΌΡΡ‚ΡŒ, послС Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ ΠΊΠΎΠΌΠΏΡŒΡŽΡ‚Π΅Ρ€Π°.

Π’Π°ΠΌ ΠΆΠ΅, Π½Π° ixbt, Π΅ΡΡ‚ΡŒ Π΅Ρ‰Ρ‘ ΠΎΠ΄Π½Π° ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΡ, которая посвящСна возмоТности записи Π½Π° ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ транзистор с ΠΏΠ»Π°Π²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΌ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ Π½Π΅ΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΈΡ… Π±ΠΈΡ‚ ΠΈΠ½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΠΈ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ сущСствСнно ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°Π΅Ρ‚ ΠΏΠ»ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ записи.

Π’ случаС рассматриваСмой Π½Π°ΠΌΠΈ Ρ„Π»Π΅ΡˆΠΊΠΈ ΠΏΠ°ΠΌΡΡ‚ΡŒ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚, СстСствСнно, NAND ΠΈ, скорСС всСго, multi-level cell (MLC).

Если интСрСсно ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΠΎΠ»ΠΆΠΈΡ‚ΡŒ Π·Π½Π°ΠΊΠΎΠΌΠΈΡ‚ΡŒΡΡ с тСхнологиями Flash-памяти, Ρ‚ΠΎ Ρ‚ΡƒΡ‚ прСдставлСн взгляд ΠΈΠ· 2004 Π³ΠΎΠ΄Π° Π½Π° Π΄Π°Π½Π½ΡƒΡŽ ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌΠ°Ρ‚ΠΈΠΊΡƒ. А здСсь (1, 2, 3) Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ Π»Π°Π±ΠΎΡ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹Π΅ Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ для памяти Π½ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ поколСния. НС Π΄ΡƒΠΌΠ°ΡŽ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ эти ΠΈΠ΄Π΅ΠΈ ΠΈ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ ΡƒΠ΄Π°Π»ΠΎΡΡŒ Ρ€Π΅Π°Π»ΠΈΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π° ΠΏΡ€Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠΊΠ΅, Π½ΠΎ, ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ, ΠΊΡ‚ΠΎ-Ρ‚ΠΎ Π·Π½Π°Π΅Ρ‚ Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅ мСня?!

Π§Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ DRAM?

Если ΠΊΡ‚ΠΎ-Ρ‚ΠΎ Π·Π°Π±Ρ‹Π», Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ DRAM, Ρ‚ΠΎ милости просим сюда.

ΠžΠΏΡΡ‚ΡŒ ΠΌΡ‹ ΠΈΠΌΠ΅Π΅ΠΌ Π΄Π²ΡƒΠΌΠ΅Ρ€Π½Ρ‹ΠΉ массив, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ Π·Π°ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚ΡŒ 0 ΠΈ 1. Π’Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ Π½Π° Π½Π°ΠΊΠΎΠΏΠ»Π΅Π½ΠΈΠ΅ заряда Π½Π° ΠΏΠ»Π°Π²Π°ΡŽΡ‰Π΅ΠΌ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π΅ ΡƒΡ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ довольно ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΠΎΠ»ΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ врСмя, Ρ‚ΠΎ Π² случаС RAM примСняСтся ΠΈΠ½ΠΎΠ΅ Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅. Π―Ρ‡Π΅ΠΉΠΊΠ° памяти состоит ΠΈΠ· кондСнсатора ΠΈ ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора. ΠŸΡ€ΠΈ этом сам кондСнсатор ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚, с ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ стороны, ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠΈΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠ΅ физичСскоС устройство, Π½ΠΎ, с Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΉ стороны, Π½Π΅Ρ‚Ρ€ΠΈΠ²ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎ Ρ€Π΅Π°Π»ΠΈΠ·ΠΎΠ²Π°Π½ Π² ΠΆΠ΅Π»Π΅Π·Π΅:


Устройство ячСйки RAM. Π˜ΡΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊ

ΠžΠΏΡΡ‚ΡŒ-Ρ‚Π°ΠΊΠΈ Π½Π° ixbt Π΅ΡΡ‚ΡŒ нСплохая ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΡ, посвящённая DRAM ΠΈ SDRAM памяти. Она, ΠΊΠΎΠ½Π΅Ρ‡Π½ΠΎ, Π½Π΅ Ρ‚Π°ΠΊ свСТа, Π½ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚Ρ‹ описаны ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ Ρ…ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠΎ.

ЕдинствСнный вопрос, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ мСня ΠΌΡƒΡ‡Π°Π΅Ρ‚: Π° ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π»ΠΈ DRAM ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚ΡŒ, ΠΊΠ°ΠΊ flash, multi-level cell? Π’Ρ€ΠΎΠ΄Π΅ Π΄Π°, Π½ΠΎ всё-таки…

Π§Π°ΡΡ‚ΡŒ практичСская

Flash

Π’Π΅, ΠΊΡ‚ΠΎ ΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ Ρ„Π»Π΅ΡˆΠΊΠ°ΠΌΠΈ довольно Π΄Π°Π²Π½ΠΎ, Π½Π°Π²Π΅Ρ€Π½ΠΎΠ΅, ΡƒΠΆΠ΅ Π²ΠΈΠ΄Π΅Π»ΠΈ Β«Π³ΠΎΠ»Ρ‹ΠΉΒ» Π½Π°ΠΊΠΎΠΏΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ, Π±Π΅Π· корпуса. Но я всё-Ρ‚Π°ΠΊΠΈ ΠΊΡ€Π°Ρ‚ΠΊΠΎ упомяну основныС части USB-Flash-накопитСля:


ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ элСмСнты USB-Flash накопитСля: 1. USB-ΠΊΠΎΠ½Π½Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€, 2. ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€, 3. PCB-многослойная пСчатная ΠΏΠ»Π°Ρ‚Π°, 4. ΠΌΠΎΠ΄ΡƒΠ»ΡŒ NAND памяти, 5. ΠΊΠ²Π°Ρ€Ρ†Π΅Π²Ρ‹ΠΉ Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠΉ частоты, 6. LED-ΠΈΠ½Π΄ΠΈΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΡ€ (сСйчас, ΠΏΡ€Π°Π²Π΄Π°, Π½Π° ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΈΡ… Ρ„Π»Π΅ΡˆΠΊΠ°Ρ… Π΅Π³ΠΎ Π½Π΅Ρ‚), 7. ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Ρ‹ ΠΎΡ‚ записи (Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΈΡ‡Π½ΠΎ, Π½Π° ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΈΡ… Ρ„Π»Π΅ΡˆΠΊΠ°Ρ… отсутствуСт), 8. мСсто для Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ микросхСмы памяти. Π˜ΡΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊ

ΠŸΠΎΠΉΠ΄Ρ‘ΠΌ ΠΎΡ‚ простого ΠΊ слоТному. ΠšΠ²Π°Ρ€Ρ†Π΅Π²Ρ‹ΠΉ Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€ (ΠΏΠΎΠ΄Ρ€ΠΎΠ±Π½Π΅Π΅ ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΠ΅ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ Ρ‚ΡƒΡ‚). К ΠΌΠΎΠ΅ΠΌΡƒ Π³Π»ΡƒΠ±ΠΎΠΊΠΎΠΌΡƒ соТалСнию, Π·Π° врСмя ΠΏΠΎΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠΈ сама кварцСвая пластинка исчСзла, поэтому Π½Π°ΠΌ остаётся Π»ΡŽΠ±ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ корпусом.


ΠšΠΎΡ€ΠΏΡƒΡ ΠΊΠ²Π°Ρ€Ρ†Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π°

Π‘Π»ΡƒΡ‡Π°ΠΉΠ½ΠΎ, ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π΄Π΅Π»ΠΎΠΌ, Π½Π°ΡˆΡ‘Π»-Ρ‚Π°ΠΊΠΈ, ΠΊΠ°ΠΊ выглядит Π°Ρ€ΠΌΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰Π΅Π΅ Π²ΠΎΠ»ΠΎΠΊΠ½ΠΎ Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€ΠΈ тСкстолита ΠΈ ΡˆΠ°Ρ€ΠΈΠΊΠΈ, ΠΈΠ· ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… Π² массС своСй ΠΈ состоит тСкстолит. ΠšΡΡ‚Π°Ρ‚ΠΈ, Π° Π²ΠΎΠ»ΠΎΠΊΠ½Π° всё-Ρ‚Π°ΠΊΠΈ ΡƒΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½Ρ‹ со скруткой, это Ρ…ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠΎ Π²ΠΈΠ΄Π½ΠΎ Π½Π° Π²Π΅Ρ€Ρ…Π½Π΅ΠΌ ΠΈΠ·ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΈ:


ΠΡ€ΠΌΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰Π΅Π΅ Π²ΠΎΠ»ΠΎΠΊΠ½ΠΎ Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€ΠΈ тСкстолита (красными стрСлками ΡƒΠΊΠ°Π·Π°Π½Ρ‹ Π²ΠΎΠ»ΠΎΠΊΠ½Π°, пСрпСндикулярныС срСзу), ΠΈΠ· ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ ΠΈ состоит основная масса тСкстолита

А Π²ΠΎΡ‚ ΠΈ пСрвая ваТная Π΄Π΅Ρ‚Π°Π»ΡŒ Ρ„Π»Π΅ΡˆΠΊΠΈ – ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€:


ΠšΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€. Π’Π΅Ρ€Ρ…Π½Π΅Π΅ ΠΈΠ·ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½ΠΎ объСдинСниСм Π½Π΅ΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΈΡ… БЭМ-ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΡ„ΠΎΡ‚ΠΎΠ³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΉ

ΠŸΡ€ΠΈΠ·Π½Π°ΡŽΡΡŒ чСстно, Π½Π΅ совсСм понял Π·Π°Π΄ΡƒΠΌΠΊΡƒ ΠΈΠ½ΠΆΠ΅Π½Π΅Ρ€ΠΎΠ², ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ Π² самой Π·Π°Π»ΠΈΠ²ΠΊΠ΅ Ρ‡ΠΈΠΏΠ° помСстили Π΅Ρ‰Ρ‘ ΠΊΠ°ΠΊΠΈΠ΅-Ρ‚ΠΎ Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΈ. ΠœΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ, это с Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΈ зрСния тСхнологичСского процСсса ΠΏΡ€ΠΎΡ‰Π΅ ΠΈ дСшСвлС ΡΠ΄Π΅Π»Π°Ρ‚ΡŒ.

ПослС ΠΎΠ±Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠΈ этой ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΠΈ я ΠΊΡ€ΠΈΡ‡Π°Π»: «Яяяяязь!Β» ΠΈ Π±Π΅Π³Π°Π» ΠΏΠΎ ΠΊΠΎΠΌΠ½Π°Ρ‚Π΅. Π˜Ρ‚Π°ΠΊ, Π’Π°ΡˆΠ΅ΠΌΡƒ вниманию прСдставляСт тСхпроцСсс 500 Π½ΠΌ Π²ΠΎ всСй свой красС с ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡Π½ΠΎ прорисованными Π³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ†Π°ΠΌΠΈ стока, истока, ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° ΠΈ Π΄Π°ΠΆΠ΅ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Ρ‹ ΡΠΎΡ…Ρ€Π°Π½ΠΈΠ»ΠΈΡΡŒ Π² ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ цСлостности:


«Язь!Β» микроэлСктроники – тСхпроцСсс 500 Π½ΠΌ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Π° с прСкрасно прорисованными ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ стоками (Drain), истоками (Source) ΠΈ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΌΠΈ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π°ΠΌΠΈ (Gate)

Π’Π΅ΠΏΠ΅Ρ€ΡŒ приступим ΠΊ дСсСрту – Ρ‡ΠΈΠΏΠ°ΠΌ памяти. Начнём с ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠ², ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ эту ΠΏΠ°ΠΌΡΡ‚ΡŒ Π² прямом смыслС этого слова ΠΏΠΈΡ‚Π°ΡŽΡ‚. Помимо основного (Π½Π° рисункС самого «толстого» ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π°) Π΅ΡΡ‚ΡŒ Π΅Ρ‰Ρ‘ ΠΈ мноТСство ΠΌΠ΅Π»ΠΊΠΈΡ…. ΠšΡΡ‚Π°Ρ‚ΠΈ, «толстый» < 2 Π΄ΠΈΠ°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² чСловСчСского волоса, Ρ‚Π°ΠΊ Ρ‡Ρ‚ΠΎ всё Π² ΠΌΠΈΡ€Π΅ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ:


БЭМ-изобраТСния ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠ², ΠΏΠΈΡ‚Π°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… Ρ‡ΠΈΠΏ памяти

Если Π³ΠΎΠ²ΠΎΡ€ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΎ самой памяти, Ρ‚ΠΎ Ρ‚ΡƒΡ‚ нас Ρ‚ΠΎΠΆΠ΅ ΠΆΠ΄Ρ‘Ρ‚ успСх. Удалось ΠΎΡ‚ΡΠ½ΡΡ‚ΡŒ ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ Π±Π»ΠΎΠΊΠΈ, Π³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ†Ρ‹ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… Π²Ρ‹Π΄Π΅Π»Π΅Π½Ρ‹ стрСлочками. Глядя Π½Π° ΠΈΠ·ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ с ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ, ΠΏΠΎΡΡ‚Π°Ρ€Π°ΠΉΡ‚Π΅ΡΡŒ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΡ‡ΡŒ взгляд, этот контраст Ρ€Π΅Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎ Ρ‚Ρ€ΡƒΠ΄Π½ΠΎ Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠΌ, Π½ΠΎ ΠΎΠ½ Π΅ΡΡ‚ΡŒ Π½Π° ΠΈΠ·ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΈ (для наглядности я ΠΎΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΈΠ» ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½ΡƒΡŽ ячСйку линиями):


Π―Ρ‡Π΅ΠΉΠΊΠΈ памяти 1. Π“Ρ€Π°Π½ΠΈΡ†Ρ‹ Π±Π»ΠΎΠΊΠΎΠ² Π²Ρ‹Π΄Π΅Π»Π΅Π½Ρ‹ стрСлочками. Линиями ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½Ρ‹ ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ ячСйки

МнС самому сначала это показалось ΠΊΠ°ΠΊ Π°Ρ€Ρ‚Π΅Ρ„Π°ΠΊΡ‚ изобраТСния, Π½ΠΎ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π² всС Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎ Π΄ΠΎΠΌΠ°, я понял, Ρ‡Ρ‚ΠΎ это Π»ΠΈΠ±ΠΎ вытянутыС ΠΏΠΎ Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΈΠΊΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ оси ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Ρ‹ ΠΏΡ€ΠΈ SLC-ячСйкС, Π»ΠΈΠ±ΠΎ это нСсколько ячССк, собранных Π² MLC. Π₯ΠΎΡ‚ΡŒ я ΠΈ упомянул MLC Π²Ρ‹ΡˆΠ΅, Π½ΠΎ всё-Ρ‚Π°ΠΊΠΈ это вопрос. Для справки, Β«Ρ‚ΠΎΠ»Ρ‰ΠΈΠ½Π°Β» ячСйки (Ρ‚.Π΅. расстояниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ двумя свСтлыми Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ°ΠΌΠΈ Π½Π° Π½ΠΈΠΆΠ½Π΅ΠΌ ΠΈΠ·ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΈ) ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 60 Π½ΠΌ.

Π§Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Π½Π΅ Π»ΡƒΠΊΠ°Π²ΠΈΡ‚ΡŒ – Π²ΠΎΡ‚ Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Π΅ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎ с Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΉ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠ²ΠΈΠ½ΠΊΠΈ Ρ„Π»Π΅ΡˆΠΊΠΈ. ΠŸΠΎΠ»Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ аналогичная ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½Π°:


Π―Ρ‡Π΅ΠΉΠΊΠΈ памяти 2. Π“Ρ€Π°Π½ΠΈΡ†Ρ‹ Π±Π»ΠΎΠΊΠΎΠ² Π²Ρ‹Π΄Π΅Π»Π΅Π½Ρ‹ стрСлочками. Линиями ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½Ρ‹ ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ ячСйки

ΠšΠΎΠ½Π΅Ρ‡Π½ΠΎ, сам Ρ‡ΠΈΠΏ – это Π½Π΅ просто Π½Π°Π±ΠΎΡ€ Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… ячССк памяти, Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€ΠΈ Π½Π΅Π³ΠΎ Π΅ΡΡ‚ΡŒ Π΅Ρ‰Ρ‘ ΠΊΠ°ΠΊΠΈΠ΅-Ρ‚ΠΎ структуры, ΠΏΡ€ΠΈΠ½Π°Π΄Π»Π΅ΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… ΠΌΠ½Π΅ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒ Π½Π΅ ΡƒΠ΄Π°Π»ΠΎΡΡŒ:


Π”Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠ΅ структуры Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€ΠΈ Ρ‡ΠΈΠΏΠΎΠ² NAND памяти
 

DRAM

Π’ΡΡŽ ΠΏΠ»Π°Ρ‚Ρƒ SO-DIMM ΠΎΡ‚ Samsung я, ΠΊΠΎΠ½Π΅Ρ‡Π½ΠΎ ΠΆΠ΅, Π½Π΅ стал Ρ€Π°ΡΠΏΠΈΠ»ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ, лишь с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ ΡΡ‚Ρ€ΠΎΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ„Π΅Π½Π° «отсоСдинил» ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ ΠΈΠ· ΠΌΠΎΠ΄ΡƒΠ»Π΅ΠΉ памяти. Π‘Ρ‚ΠΎΠΈΡ‚ ΠΎΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚ΡƒΡ‚ пригодился ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ ΠΈΠ· совСтов, ΠΏΡ€Π΅Π΄Π»ΠΎΠΆΠ΅Π½Π½Ρ‹Ρ… Π΅Ρ‰Ρ‘ послС ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠΉ ΠΏΡƒΠ±Π»ΠΈΠΊΠ°Ρ†ΠΈΠΈ – Ρ€Π°ΡΠΏΠΈΠ»ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ΄ ΡƒΠ³Π»ΠΎΠΌ. ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ, для Π΄Π΅Ρ‚Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ погруТСния Π² ΡƒΠ²ΠΈΠ΄Π΅Π½Π½ΠΎΠ΅ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ этот Ρ„Π°ΠΊΡ‚, Ρ‚Π΅ΠΌ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Ρ‡Ρ‚ΠΎ распил ΠΏΠΎΠ΄ 45 градусов ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΠΈΠ» Π΅Ρ‰Ρ‘ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΊΠ°ΠΊ Π±Ρ‹ «томографичСскиС» срСзы кондСнсатора.

Однако ΠΏΠΎ Ρ‚Ρ€Π°Π΄ΠΈΡ†ΠΈΠΈ Π½Π°Ρ‡Π½Ρ‘ΠΌ с ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠ². ΠŸΡ€ΠΈΡΡ‚Π½ΠΎ Π±Ρ‹Π»ΠΎ ΡƒΠ²ΠΈΠ΄Π΅Ρ‚ΡŒ, ΠΊΠ°ΠΊ выглядит «скол» BGA ΠΈ Ρ‡Ρ‚ΠΎ собой прСдставляСт сама ΠΏΠ°ΠΉΠΊΠ°:


Β«Π‘ΠΊΠΎΠ»Β» BGA-ΠΏΠ°ΠΉΠΊΠΈ

А Π²ΠΎΡ‚ ΠΈ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ Ρ€Π°Π· ΠΏΠΎΡ€Π° ΠΊΡ€ΠΈΡ‡Π°Ρ‚ΡŒ: «Язь!Β», Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ ΡƒΠ΄Π°Π»ΠΎΡΡŒ ΡƒΠ²ΠΈΠ΄Π΅Ρ‚ΡŒ ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ Ρ‚Π²Π΅Ρ€Π΄ΠΎΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ кондСнсаторы – концСнтричСскиС ΠΊΡ€ΡƒΠ³ΠΈ Π½Π° ΠΈΠ·ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΈ, ΠΎΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‡Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ стрСлочками. ИмСнно ΠΎΠ½ΠΈ хранят наши Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ Π²ΠΎ врСмя Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ ΠΊΠΎΠΌΠΏΡŒΡŽΡ‚Π΅Ρ€Π° Π² Π²ΠΈΠ΄Π΅ заряда Π½Π° своих ΠΎΠ±ΠΊΠ»Π°Π΄ΠΊΠ°Ρ…. Будя ΠΏΠΎ фотографиям Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Ρ‹ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ³ΠΎ кондСнсатора ΡΠΎΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‚ ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 300 Π½ΠΌ Π² ΡˆΠΈΡ€ΠΈΠ½Ρƒ ΠΈ ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 100 Π½ΠΌ Π² Ρ‚ΠΎΠ»Ρ‰ΠΈΠ½Ρƒ.

Из-Π·Π° Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‡ΠΈΠΏ Ρ€Π°Π·Ρ€Π΅Π·Π°Π½ ΠΏΠΎΠ΄ ΡƒΠ³Π»ΠΎΠΌ, ΠΎΠ΄Π½ΠΈ кондСнсаторы рассСчСны Π°ΠΊΠΊΡƒΡ€Π°Ρ‚Π½ΠΎ ΠΏΠΎ сСрСдинС, Ρƒ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΡ… ΠΆΠ΅ срСзаны Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Β«Π±ΠΎΠΊΠ°Β»:


DRAM ΠΏΠ°ΠΌΡΡ‚ΡŒ Π²ΠΎ всСй красС

Если ΠΊΡ‚ΠΎ-Ρ‚ΠΎ сомнСваСтся Π² Ρ‚ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ эти структуры ΠΈ Π΅ΡΡ‚ΡŒ кондСнсаторы, Ρ‚ΠΎ Ρ‚ΡƒΡ‚ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΡΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Β«ΠΏΡ€ΠΎΡ„Π΅ΡΡΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅Β» Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎ (ΠΏΡ€Π°Π²Π΄Π° Π±Π΅Π· ΠΌΠ°ΡΡˆΡ‚Π°Π±Π½ΠΎΠΉ ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΊΠΈ).

ЕдинствСнный ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ мСня смутил, Ρ‡Ρ‚ΠΎ кондСнсаторы располоТСны Π² 2 ряда (Π»Π΅Π²ΠΎΠ΅ Π½ΠΈΠΆΠ½Π΅Π΅ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎ), Ρ‚.Π΅. получаСтся, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π½Π° 1 ячСйку приходится 2 Π±ΠΈΡ‚Π° ΠΈΠ½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΠΈ. Как ΡƒΠΆΠ΅ Π±Ρ‹Π»ΠΎ сказано Π²Ρ‹ΡˆΠ΅, информация ΠΏΠΎ ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠ±ΠΈΡ‚ΠΎΠ²ΠΎΠΉ записи имССтся, Π½ΠΎ насколько эта тСхнология ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΠΈΠΌΠ° ΠΈ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ Π² соврСмСнной ΠΏΡ€ΠΎΠΌΡ‹ΡˆΠ»Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΠΈ – остаётся для мСня ΠΏΠΎΠ΄ вопросом.

ΠšΠΎΠ½Π΅Ρ‡Π½ΠΎ, ΠΊΡ€ΠΎΠΌΠ΅ самих ячССк памяти Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€ΠΈ модуля Π΅ΡΡ‚ΡŒ Π΅Ρ‰Ρ‘ ΠΈ ΠΊΠ°ΠΊΠΈΠ΅-Ρ‚ΠΎ Π²ΡΠΏΠΎΠΌΠΎΠ³Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ структуры, ΠΎ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π½Π°Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… я ΠΌΠΎΠ³Ρƒ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Π΄ΠΎΠ³Π°Π΄Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ:


Π”Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠ΅ структуры Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€ΠΈ Ρ‡ΠΈΠΏΠ° DRAM-памяти

ПослСсловиС

Помимо Ρ‚Π΅Ρ… ссылок, Ρ‡Ρ‚ΠΎ раскиданы ΠΏΠΎ тСксту, Π½Π° ΠΌΠΎΠΉ взгляд, довольно интСрСсСн Π΄Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ ΠΎΠ±Π·ΠΎΡ€ (ΠΏΡƒΡΡ‚ΡŒ ΠΈ ΠΎΡ‚ 1997 Π³ΠΎΠ΄Π°), сам сайт (ΠΈ фотогалСрСя, ΠΈ chip-art, ΠΈ ΠΏΠ°Ρ‚Π΅Π½Ρ‚Ρ‹, ΠΈ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ-ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ всСго) ΠΈ данная ΠΊΠΎΠ½Ρ‚ΠΎΡ€Π°, которая фактичСски занимаСтся рСвСрс-ΠΈΠ½ΠΆΠΈΠ½ΠΈΡ€ΠΈΠ½Π³ΠΎΠΌ.

К соТалСнию, большого количСства Π²ΠΈΠ΄Π΅ΠΎ Π½Π° Ρ‚Π΅ΠΌΡƒ производства Flash ΠΈ RAM Π½Π°ΠΉΡ‚ΠΈ Π½Π΅ ΡƒΠ΄Π°Π»ΠΎΡΡŒ, поэтому Π΄ΠΎΠ²ΠΎΠ»ΡŒΡΡ‚Π²ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ придётся лишь сборкой USB-Flash-Π½Π°ΠΊΠΎΠΏΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ:

P.S.: Π•Ρ‰Ρ‘ Ρ€Π°Π· всСх с Π½Π°ΡΡ‚ΡƒΠΏΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠΌ Новым Π“ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ Ρ‡Ρ‘Ρ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ водяного Π΄Ρ€Π°ΠΊΠΎΠ½Π°!!!
Π‘Ρ‚Ρ€Π°Π½Π½ΠΎ получаСтся: ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΡŽ ΠΏΡ€ΠΎ Flash Ρ…ΠΎΡ‚Π΅Π» Π½Π°ΠΏΠΈΡΠ°Ρ‚ΡŒ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ ΠΈΠ· ΠΏΠ΅Ρ€Π²Ρ‹Ρ…, Π½ΠΎ ΡΡƒΠ΄ΡŒΠ±Π° Ρ€Π°ΡΠΏΠΎΡ€ΡΠ΄ΠΈΠ»Π°ΡΡŒ ΠΈΠ½Π°Ρ‡Π΅. БкрСстив ΠΏΠ°Π»ΡŒΡ†Ρ‹, Π±ΡƒΠ΄Π΅ΠΌ Π½Π°Π΄Π΅ΡΡ‚ΡŒΡΡ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΌΠΈΠ½ΠΈΠΌΡƒΠΌ 2, ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΠΈ (ΠΏΡ€ΠΎ Π±ΠΈΠΎΠΎΠ±ΡŠΠ΅ΠΊΡ‚Ρ‹ ΠΈ дисплСи) увидят свСт Π² Π½Π°Ρ‡Π°Π»Π΅ 2012 Π³ΠΎΠ΄Π°. А ΠΏΠΎΠΊΠ° Π·Π°Ρ‚Ρ€Π°Π²ΠΊΠ° β€” ΡƒΠ³Π»Π΅Ρ€ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΉ скотч:


Π£Π³Π»Π΅Ρ€ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΉ скотч, Π½Π° ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ Π±Ρ‹Π»ΠΈ Π·Π°ΠΊΡ€Π΅ΠΏΠ»Π΅Π½Ρ‹ исслСдуСмыС ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·Ρ†Ρ‹. Π”ΡƒΠΌΠ°ΡŽ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΈ ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½Ρ‹ΠΉ скотч выглядит ΠΏΠΎΡ…ΠΎΠΆΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ



Π’ΠΎ-ΠΏΠ΅Ρ€Π²Ρ‹Ρ…, ΠΏΠΎΠ»Π½Ρ‹ΠΉ список ΠΎΠΏΡƒΠ±Π»ΠΈΠΊΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… статСй Π½Π° Π₯Π°Π±Ρ€Π΅:

ВскрытиС Ρ‡ΠΈΠΏΠ° Nvidia 8600M GT, Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ ΠΎΠ±ΡΡ‚ΠΎΡΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Π°Ρ ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΡ Π΄Π°Π½Π° Ρ‚ΡƒΡ‚: Π‘ΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹Π΅ Ρ‡ΠΈΠΏΡ‹ – взгляд ΠΈΠ·Π½ΡƒΡ‚Ρ€ΠΈ
Взгляд ΠΈΠ·Π½ΡƒΡ‚Ρ€ΠΈ: CD ΠΈ HDD
Взгляд ΠΈΠ·Π½ΡƒΡ‚Ρ€ΠΈ: свСтодиодныС Π»Π°ΠΌΠΏΠΎΡ‡ΠΊΠΈ
Взгляд ΠΈΠ·Π½ΡƒΡ‚Ρ€ΠΈ: БвСтодиодная ΠΏΡ€ΠΎΠΌΡ‹ΡˆΠ»Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π² России
Взгляд ΠΈΠ·Π½ΡƒΡ‚Ρ€ΠΈ: Flash-ΠΏΠ°ΠΌΡΡ‚ΡŒ ΠΈ RAM
Взгляд ΠΈΠ·Π½ΡƒΡ‚Ρ€ΠΈ: ΠΌΠΈΡ€ Π²ΠΎΠΊΡ€ΡƒΠ³ нас
Взгляд ΠΈΠ·Π½ΡƒΡ‚Ρ€ΠΈ: LCD ΠΈ E-Ink дисплСи
Взгляд ΠΈΠ·Π½ΡƒΡ‚Ρ€ΠΈ: ΠΌΠ°Ρ‚Ρ€ΠΈΡ†Ρ‹ Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΠΊΠ°ΠΌΠ΅Ρ€
Взгляд ΠΈΠ·Π½ΡƒΡ‚Ρ€ΠΈ: Plastic Logic
Взгляд ΠΈΠ·Π½ΡƒΡ‚Ρ€ΠΈ: RFID ΠΈ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠ΅ ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΊΠΈ
Взгляд ΠΈΠ·Π½ΡƒΡ‚Ρ€ΠΈ: аспирантура Π² EPFL. Π§Π°ΡΡ‚ΡŒ 1
Взгляд ΠΈΠ·Π½ΡƒΡ‚Ρ€ΠΈ: аспирантура Π² EPFL. Π§Π°ΡΡ‚ΡŒ 2
Взгляд ΠΈΠ·Π½ΡƒΡ‚Ρ€ΠΈ: ΠΌΠΈΡ€ Π²ΠΎΠΊΡ€ΡƒΠ³ нас β€” 2
Взгляд ΠΈΠ·Π½ΡƒΡ‚Ρ€ΠΈ: ΠΌΠΈΡ€ Π²ΠΎΠΊΡ€ΡƒΠ³ нас β€” 3
Взгляд ΠΈΠ·Π½ΡƒΡ‚Ρ€ΠΈ: ΠΌΠΈΡ€ Π²ΠΎΠΊΡ€ΡƒΠ³ нас β€” 4
Взгляд ΠΈΠ·Π½ΡƒΡ‚Ρ€ΠΈ: 13 LED-Π»Π°ΠΌΠΏ ΠΈ Π±ΡƒΡ‚Ρ‹Π»ΠΊΠ° Ρ€ΠΎΠΌΠ°. Π§Π°ΡΡ‚ΡŒ 1
Взгляд ΠΈΠ·Π½ΡƒΡ‚Ρ€ΠΈ: 13 LED-Π»Π°ΠΌΠΏ ΠΈ Π±ΡƒΡ‚Ρ‹Π»ΠΊΠ° Ρ€ΠΎΠΌΠ°. Π§Π°ΡΡ‚ΡŒ 2
Взгляд ΠΈΠ·Π½ΡƒΡ‚Ρ€ΠΈ: 13 LED-Π»Π°ΠΌΠΏ ΠΈ Π±ΡƒΡ‚Ρ‹Π»ΠΊΠ° Ρ€ΠΎΠΌΠ°. Π§Π°ΡΡ‚ΡŒ 3
Взгляд ΠΈΠ·Π½ΡƒΡ‚Ρ€ΠΈ: IKEA LED наносит ΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚Π½Ρ‹ΠΉ ΡƒΠ΄Π°Ρ€
Взгляд ΠΈΠ·Π½ΡƒΡ‚Ρ€ΠΈ: Π° Ρ‚Π°ΠΊ Π»ΠΈ Ρ…ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠΈ Filament-Π»Π°ΠΌΠΏΡ‹?

ΠΈ 3DNews:
ΠœΠΈΠΊΡ€ΠΎΠ²Π·Π³Π»ΡΠ΄: сравнСниС дисплССв соврСмСнных смартфонов

Π’ΠΎ-Π²Ρ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ…, ΠΏΠΎΠΌΠΈΠΌΠΎ Π±Π»ΠΎΠ³Π° Π½Π° HabraHabr, ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΠΈ ΠΈ Π²ΠΈΠ΄Π΅ΠΎΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Ρ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Ρ‡ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ ΠΈ ΡΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ Π½Π° Nanometer.ru, YouTube, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Dirty.

Π’-Ρ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒΠΈΡ…, Ссли Ρ‚Π΅Π±Π΅, Π΄ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎΠΉ Ρ‡ΠΈΡ‚Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ, ΠΏΠΎΠ½Ρ€Π°Π²ΠΈΠ»Π°ΡΡŒ ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΡ ΠΈΠ»ΠΈ Ρ‚Ρ‹ Ρ…ΠΎΡ‡Π΅ΡˆΡŒ ΠΏΡ€ΠΎΡΡ‚ΠΈΠΌΡƒΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ написаниС Π½ΠΎΠ²Ρ‹Ρ…, Ρ‚ΠΎ дСйствуй согласно ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΉ максимС: Β«pay what you wantΒ»

Yandex.Money 41001234893231
WebMoney (R296920395341 ΠΈΠ»ΠΈ Z333281944680)



Иногда ΠΊΡ€Π°Ρ‚ΠΊΠΎ, Π° ΠΈΠ½ΠΎΠ³Π΄Π° Π½Π΅ ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ ΠΎ новостях Π½Π°ΡƒΠΊΠΈ ΠΈ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΉ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΡ‡ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π° ΠΌΠΎΡ‘ΠΌ Π’Π΅Π»Π΅Π³Ρ€Π°ΠΌ-ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π΅ β€” милости просим;)

Π’Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ Ρ„Π»ΡΡˆ-памяти

Π‘ΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠΌΡƒ Ρ‡Π΅Π»ΠΎΠ²Π΅ΠΊΡƒ нравится Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΌΠΎΠ±ΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ ΠΈ ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΈ сСбС Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Π΅ высокотСхнологичныС Π³Π°Π΄ΠΆΠ΅Ρ‚Ρ‹ (Π°Π½Π³Π». gadget β€” устройство), ΠΎΠ±Π»Π΅Π³Ρ‡Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ Тизнь, Π΄Π° Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΌ ΡΠΊΡ€Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ, Π΄Π΅Π»Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ Π΅Π΅ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ насыщСнной ΠΈ интСрСсной. И появились-Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ½ΠΈ всСго Π·Π° 10-15 Π»Π΅Ρ‚! ΠœΠΈΠ½ΠΈΠ°Ρ‚ΡŽΡ€Π½Ρ‹Π΅, Π»Π΅Π³ΠΊΠΈΠ΅, ΡƒΠ΄ΠΎΠ±Π½Ρ‹Π΅, цифровыС… ВсСго этого Π³Π°Π΄ΠΆΠ΅Ρ‚Ρ‹ достигли благодаря Π½ΠΎΠ²Ρ‹ΠΌ микропроцСссорным тСхнологиям, Π½ΠΎ всС ΠΆΠ΅ больший Π²ΠΊΠ»Π°Π΄ Π±Ρ‹Π» сдСлан ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Π·Π°ΠΌΠ΅Ρ‡Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠ΅ΠΉ хранСния Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ…, ΠΎ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ сСгодня ΠΌΡ‹ ΠΈ Π±ΡƒΠ΄Π΅ΠΌ Π³ΠΎΠ²ΠΎΡ€ΠΈΡ‚ΡŒ. Π˜Ρ‚Π°ΠΊ, Ρ„Π»ΡΡˆ-ΠΏΠ°ΠΌΡΡ‚ΡŒ.

Π‘Ρ‹Ρ‚ΡƒΠ΅Ρ‚ ΠΌΠ½Π΅Π½ΠΈΠ΅, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π½Π°Π·Π²Π°Π½ΠΈΠ΅ FLASH ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΊ Ρ‚ΠΈΠΏΡƒ памяти пСрСводится ΠΊΠ°ΠΊ Β«Π²ΡΠΏΡ‹ΡˆΠΊΠ°Β». На самом Π΄Π΅Π»Π΅ это Π½Π΅ совсСм Ρ‚Π°ΠΊ. Одна ΠΈΠ· вСрсий Π΅Π³ΠΎ появлСния Π³ΠΎΠ²ΠΎΡ€ΠΈΡ‚ ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π²ΠΏΠ΅Ρ€Π²Ρ‹Π΅ Π² 1989-90 Π³ΠΎΠ΄Ρƒ компания Toshiba ΡƒΠΏΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π±ΠΈΠ»Π° слово Flash Π² контСкстС «быстрый, ΠΌΠ³Π½ΠΎΠ²Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉΒ» ΠΏΡ€ΠΈ описании своих Π½ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… микросхСм. Π’ΠΎΠΎΠ±Ρ‰Π΅, ΠΈΠ·ΠΎΠ±Ρ€Π΅Ρ‚Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΌ считаСтся Intel, ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡΡ‚Π°Π²ΠΈΠ²ΡˆΠ°Ρ Π² 1988 Π³ΠΎΠ΄Ρƒ Ρ„Π»ΡΡˆ-ΠΏΠ°ΠΌΡΡ‚ΡŒ с Π°Ρ€Ρ…ΠΈΡ‚Π΅ΠΊΡ‚ΡƒΡ€ΠΎΠΉ NOR. Π“ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ ΠΏΠΎΠ·ΠΆΠ΅ Toshiba Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π»Π° Π°Ρ€Ρ…ΠΈΡ‚Π΅ΠΊΡ‚ΡƒΡ€Ρƒ NAND, которая ΠΈ сСгодня ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ наряду с Ρ‚ΠΎΠΉ ΠΆΠ΅ NOR Π² микросхСмах Ρ„Π»ΡΡˆ. БобствСнно, сСйчас ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ это Π΄Π²Π° Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… Π²ΠΈΠ΄Π° памяти, ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ Π² Ρ‡Π΅ΠΌ-Ρ‚ΠΎ ΡΡ…ΠΎΠΆΡƒΡŽ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΡŽ производства. Π’ этой ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΠ΅ ΠΌΡ‹ попытаСмся ΠΏΠΎΠ½ΡΡ‚ΡŒ ΠΈΡ… устройство, ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ рассмотрим Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Π΅ Π²Π°Ρ€ΠΈΠ°Π½Ρ‚Ρ‹ практичСского использования.

NOR

 

ΠŸΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ ΠΏΠ°ΠΌΡΡ‚ΡŒ с Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΉ ΠΎΡ€Π³Π°Π½ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠ΅ΠΉ считаСтся ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠΉ ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡΡ‚Π°Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΈΡ†Π΅ΠΉ сСмСйства Flash, с Π½Π΅Π΅ ΠΈ Π½Π°Ρ‡Π½Π΅ΠΌ. Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° логичСского элСмСнта, собствСнно давшСго Π΅ΠΉ Π½Π°Π·Π²Π°Π½ΠΈΠ΅ (NOR β€” Not OR β€” Π² Π±ΡƒΠ»Π΅Π²ΠΎΠΉ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅ΠΌΠ°Ρ‚ΠΈΠΊΠ΅ ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚ ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Π½ΠΈΠ΅ Β«Π˜Π›Π˜Β»), ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π° Π½Π° рисункС.

Π‘ ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ Π½Π΅Π΅ осущСствляСтся ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… напряТСний Π² Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅, ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ Β«0Β» ΠΈ Β«1Β». Они Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΡ‹, ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΌΡƒ Ρ‡Ρ‚ΠΎ для чтСния/записи Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… Π² ячСйкС памяти ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Π΅ напряТСния. Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° ячСйки ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π° Π½Π° рисункС Π½ΠΈΠΆΠ΅.

Она Ρ…Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€Π½Π° для Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΠ½ΡΡ‚Π²Π° Ρ„Π»ΡΡˆ-Ρ‡ΠΈΠΏΠΎΠ² ΠΈ прСдставляСт ΠΈΠ· сСбя транзистор с двумя ΠΈΠ·ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌΠΈ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π°ΠΌΠΈ: ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΌ (control) ΠΈ ΠΏΠ»Π°Π²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΌ (floating). Π’Π°ΠΆΠ½ΠΎΠΉ ΠΎΡΠΎΠ±Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ послСднСго являСтся ΡΠΏΠΎΡΠΎΠ±Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΡƒΠ΄Π΅Ρ€ΠΆΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ элСктроны, Ρ‚ΠΎ Π΅ΡΡ‚ΡŒ заряд. Π’Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π² ячСйкС ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ΡΡ Ρ‚Π°ΠΊ Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅ΠΌΡ‹Π΅ «сток» ΠΈ «исток». ΠŸΡ€ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠΈ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π½ΠΈΠΌΠΈ, вслСдствиС воздСйствия ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ поля Π½Π° ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰Π΅ΠΌ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π΅, создаСтся ΠΊΠ°Π½Π°Π» β€” ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΊ элСктронов. НСкоторыС ΠΈΠ· элСктронов, благодаря Π½Π°Π»ΠΈΡ‡ΠΈΡŽ большСй энСргии, ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ΄ΠΎΠ»Π΅Π²Π°ΡŽΡ‚ слой изолятора ΠΈ ΠΏΠΎΠΏΠ°Π΄Π°ΡŽΡ‚ Π½Π° ΠΏΠ»Π°Π²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€. На Π½Π΅ΠΌ ΠΎΠ½ΠΈ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Ρ…Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ Π² Ρ‚Π΅Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π½Π΅ΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΈΡ… Π»Π΅Ρ‚. ΠžΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½ количСства элСктронов (заряда) Π½Π° ΠΏΠ»Π°Π²Π°ΡŽΡ‰Π΅ΠΌ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π΅ соотвСтствуСт логичСской Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ†Π΅, Π° всС, Ρ‡Ρ‚ΠΎ большС Π΅Π³ΠΎ, β€” Π½ΡƒΠ»ΡŽ. ΠŸΡ€ΠΈ Ρ‡Ρ‚Π΅Π½ΠΈΠΈ эти состояния Ρ€Π°ΡΠΏΠΎΠ·Π½Π°ΡŽΡ‚ΡΡ ΠΏΡƒΡ‚Π΅ΠΌ измСрСния ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния транзистора. Для стирания ΠΈΠ½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΠΈ Π½Π° ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ подаСтся высокоС ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ напряТСниС, ΠΈ элСктроны с ΠΏΠ»Π°Π²Π°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° пСрСходят (Ρ‚ΡƒΠ½Π½Π΅Π»ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚) Π½Π° исток. Π’ тСхнологиях Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ этот ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡Π°Ρ‚ΡŒΡΡ ΠΏΠΎ способу ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‡ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΈ Ρ‡Ρ‚Π΅Π½ΠΈΡŽ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΈΠ· ячСйки. Π₯ΠΎΡ‡Ρƒ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒ вашС Π²Π½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅ Π½Π° Ρ‚ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π² структурС Ρ„Π»ΡΡˆ-памяти для хранСния 1 Π±ΠΈΡ‚Π° ΠΈΠ½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΠΈ задСйствуСтся Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ элСмСнт (транзистор), Π² Ρ‚ΠΎ врСмя ΠΊΠ°ΠΊ Π² энСргозависимых Ρ‚ΠΈΠΏΠ°Ρ… памяти для этого трСбуСтся нСсколько транзисторов ΠΈ кондСнсатор. Π­Ρ‚ΠΎ позволяСт сущСствСнно ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠΈΡ‚ΡŒ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Ρ‹ выпускаСмых микросхСм, ΡƒΠΏΡ€ΠΎΡΡ‚ΠΈΡ‚ΡŒ тСхнологичСский процСсс, Π°, ΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, ΠΈ ΡΠ½ΠΈΠ·ΠΈΡ‚ΡŒ ΡΠ΅Π±Π΅ΡΡ‚ΠΎΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ. Но ΠΈ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ Π±ΠΈΡ‚ Π΄Π°Π»Π΅ΠΊΠΎ Π½Π΅ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»: Intel ΡƒΠΆΠ΅ выпускаСт ΠΏΠ°ΠΌΡΡ‚ΡŒ StrataFlash, каТдая ячСйка ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Ρ…Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎ 2 Π±ΠΈΡ‚Π° ΠΈΠ½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΠΈ. ΠšΡ€ΠΎΠΌΠ΅ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, ΡΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚ ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π½Ρ‹Π΅ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·Ρ†Ρ‹, с 4-Ρ… ΠΈ Π΄Π°ΠΆΠ΅ 9-Π±ΠΈΡ‚Π½Ρ‹ΠΌΠΈ ячСйками! Π’ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΉ памяти ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ тСхнология ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅Π²Ρ‹Ρ… ячССк. Они ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΡƒΡŽ структуру, Π° ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ Π·Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ Π² Ρ‚ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ заряд ΠΈΡ… дСлится Π½Π° нСсколько ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ΠΉ, ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠΌΡƒ ΠΈΠ· ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… Π² соотвСтствиС ставится опрСдСлСнная комбинация Π±ΠΈΡ‚. ВСорСтичСски ΠΏΡ€ΠΎΡ‡ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ/Π·Π°ΠΏΠΈΡΠ°Ρ‚ΡŒ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ 4-Ρ… Π±ΠΈΡ‚, ΠΎΠ΄Π½Π°ΠΊΠΎ, Π½Π° ΠΏΡ€Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠΊΠ΅ Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ°ΡŽΡ‚ ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌΡ‹ с устранСниСм ΡˆΡƒΠΌΠΎΠ² ΠΈ с постСпСнной ΡƒΡ‚Π΅Ρ‡ΠΊΠΎΠΉ элСктронов ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΠΎΠ»ΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ Ρ…Ρ€Π°Π½Π΅Π½ΠΈΠΈ. Π’ΠΎΠΎΠ±Ρ‰Π΅, Ρƒ ΡΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ… сСгодня микросхСм памяти для ячССк Ρ…Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€Π½ΠΎ врСмя хранСния ΠΈΠ½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΠΈ, измСряСмоС Π³ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ ΠΈ число Ρ†ΠΈΠΊΠ»ΠΎΠ² чтСния/записи β€” ΠΎΡ‚ 100 тысяч Π΄ΠΎ Π½Π΅ΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΈΡ… ΠΌΠΈΠ»Π»ΠΈΠΎΠ½ΠΎΠ². Из нСдостатков, Π² частности, Ρƒ Ρ„Π»ΡΡˆ-памяти с Π°Ρ€Ρ…ΠΈΡ‚Π΅ΠΊΡ‚ΡƒΡ€ΠΎΠΉ NOR стоит ΠΎΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΏΠ»ΠΎΡ…ΡƒΡŽ ΠΌΠ°ΡΡˆΡ‚Π°Π±ΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ: нСльзя ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Ρ‚ΡŒ ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΡŒ Ρ‡ΠΈΠΏΠΎΠ² ΠΏΡƒΡ‚Π΅ΠΌ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΎΠ² транзисторов. Π­Ρ‚Π° ситуация связана со способом ΠΎΡ€Π³Π°Π½ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΌΠ°Ρ‚Ρ€ΠΈΡ†Ρ‹ ячССк: Π² NOR Π°Ρ€Ρ…ΠΈΡ‚Π΅ΠΊΡ‚ΡƒΡ€Π΅ ΠΊ ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠΌΡƒ транзистору Π½Π°Π΄ΠΎ подвСсти ΠΈΠ½Π΄ΠΈΠ²ΠΈΠ΄ΡƒΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚. Π“ΠΎΡ€Π°Π·Π΄ΠΎ Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅ Π² этом ΠΏΠ»Π°Π½Π΅ обстоят Π΄Π΅Π»Π° Ρƒ Ρ„Π»ΡΡˆ-памяти с Π°Ρ€Ρ…ΠΈΡ‚Π΅ΠΊΡ‚ΡƒΡ€ΠΎΠΉ NAND.

NAND

NAND β€” Not AND β€” Π² Ρ‚ΠΎΠΉ ΠΆΠ΅ Π±ΡƒΠ»Π΅Π²ΠΎΠΉ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅ΠΌΠ°Ρ‚ΠΈΠΊΠ΅ ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚ ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Π½ΠΈΠ΅ «И». ΠžΡ‚Π»ΠΈΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ такая ΠΏΠ°ΠΌΡΡ‚ΡŒ ΠΎΡ‚ ΠΏΡ€Π΅Π΄Ρ‹Π΄ΡƒΡ‰Π΅ΠΉ Ρ€Π°Π·Π²Π΅ Ρ‡Ρ‚ΠΎ логичСской схСмой.

Устройство ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ ячССк Ρƒ Π½Π΅Π΅ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΉ ΠΆΠ΅, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΈ Ρƒ NOR. Π₯отя, ΠΊΡ€ΠΎΠΌΠ΅ Π»ΠΎΠ³ΠΈΠΊΠΈ, всС-Ρ‚Π°ΠΊΠΈ Π΅ΡΡ‚ΡŒ Π΅Ρ‰Π΅ ΠΎΠ΄Π½ΠΎ Π²Π°ΠΆΠ½ΠΎΠ΅ ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ β€” Π°Ρ€Ρ…ΠΈΡ‚Π΅ΠΊΡ‚ΡƒΡ€Π° размСщСния ячССк ΠΈ ΠΈΡ… ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠ². Π’ ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ ΠΎΡ‚ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ΠΎΠΏΠΈΡΠ°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ случая, здСсь имССтся контактная ΠΌΠ°Ρ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°, Π² пСрСсСчСниях строк ΠΈ столбцов ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ Ρ€Π°ΡΠΏΠΎΠ»Π°Π³Π°ΡŽΡ‚ΡΡ транзисторы. Π­Ρ‚ΠΎ сравнимо с пассивной ΠΌΠ°Ρ‚Ρ€ΠΈΡ†Π΅ΠΉ Π² дисплСях πŸ™‚ (Π° NOR β€” с Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΉ TFT). Π’ случаС с ΠΏΠ°ΠΌΡΡ‚ΡŒΡŽ такая организация нСсколько Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅ β€” ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΡŒ микросхСмы ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠΈΡ‚ΡŒ Π·Π° счСт Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΎΠ² ячССк. НСдостатки (ΠΊΡƒΠ΄Π° ΡƒΠΆ Π±Π΅Π· Π½ΠΈΡ…) Π·Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Π² Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠΉ ΠΏΠΎ ΡΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΡŽ с NOR скорости Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ Π² опСрациях ΠΏΠΎΠ±Π°ΠΉΡ‚ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ доступа.

Π‘ΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚ Π΅Ρ‰Π΅ ΠΈ Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠ΅ Π°Ρ€Ρ…ΠΈΡ‚Π΅ΠΊΡ‚ΡƒΡ€Ρ‹ ΠΊΠ°ΠΊ: DiNOR (Mitsubishi), superAND (Hitachi) ΠΈ ΠΏΡ€. ΠŸΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π½ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ Π½ΠΈΡ‡Π΅Π³ΠΎ ΠΎΠ½ΠΈ Π½Π΅ ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‚, Π° лишь ΠΊΠΎΠΌΠ±ΠΈΠ½ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚ Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠΈΠ΅ свойства NAND ΠΈ NOR.

И всС ΠΆΠ΅, ΠΊΠ°ΠΊ Π±Ρ‹ Ρ‚Π°ΠΌ Π½ΠΈ Π±Ρ‹Π»ΠΎ, NOR ΠΈ NAND Π½Π° сСгодняшний дСнь Π²Ρ‹ΠΏΡƒΡΠΊΠ°ΡŽΡ‚ΡΡ Π½Π° Ρ€Π°Π²Π½Ρ‹Ρ… ΠΈ практичСски Π½Π΅ ΠΊΠΎΠ½ΠΊΡƒΡ€ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ собой, ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΌΡƒ ΠΊΠ°ΠΊ Π² силу своих качСств находят ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π² Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹Ρ… областях хранСния Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ…. Об этом ΠΈ ΠΏΠΎΠΉΠ΄Π΅Ρ‚ Π΄Π°Π»Π΅Π΅ Ρ€Π΅Ρ‡ΡŒβ€¦

Π“Π΄Π΅ Π½ΡƒΠΆΠ½Π° ΠΏΠ°ΠΌΡΡ‚ΡŒβ€¦

Π‘Ρ„Π΅Ρ€Π° примСнСния ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠ³ΠΎ-Π»ΠΈΠ±ΠΎ Ρ‚ΠΈΠΏΠ° Ρ„Π»ΡΡˆ-памяти зависит Π² ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΡƒΡŽ ΠΎΡ‡Π΅Ρ€Π΅Π΄ΡŒ ΠΎΡ‚ Π΅Π³ΠΎ скоростных ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ ΠΈ надСТности хранСния ΠΈΠ½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΠΈ. АдрСсноС пространство NOR-памяти позволяСт Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ с ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ Π±Π°ΠΉΡ‚Π°ΠΌΠΈ ΠΈΠ»ΠΈ словами (2 Π±Π°ΠΉΡ‚Π°). Π’ NAND ячСйки Π³Ρ€ΡƒΠΏΠΏΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ Π² нСбольшиС Π±Π»ΠΎΠΊΠΈ (ΠΏΠΎ Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ с кластСром ТСсткого диска). Из этого слСдуСт, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ Ρ‡Ρ‚Π΅Π½ΠΈΠΈ ΠΈ записи прСимущСство ΠΏΠΎ скорости Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Ρƒ NAND. Однако с Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΉ стороны NAND Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ³Ρ€Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ Π² опСрациях с ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ доступом ΠΈ Π½Π΅ позволяСт Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΌΡƒΡŽ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ с Π±Π°ΠΉΡ‚Π°ΠΌΠΈ ΠΈΠ½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΠΈ. К ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Ρƒ, для измСнСния ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π±Π°ΠΉΡ‚Π° трСбуСтся:

  1. ΡΡ‡ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Π² Π±ΡƒΡ„Π΅Ρ€ Π±Π»ΠΎΠΊ ΠΈΠ½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΠΈ, Π² ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΎΠ½ находится
  2. Π² Π±ΡƒΡ„Π΅Ρ€Π΅ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ Π½ΡƒΠΆΠ½Ρ‹ΠΉ Π±Π°ΠΉΡ‚
  3. Π·Π°ΠΏΠΈΡΠ°Ρ‚ΡŒ Π±Π»ΠΎΠΊ с ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ Π±Π°ΠΉΡ‚ΠΎΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎ

Если Π΅Ρ‰Π΅ ΠΊΠΎ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ выполнСния пСрСчислСнных ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΉ ΠΏΡ€ΠΈΠ±Π°Π²ΠΈΡ‚ΡŒ Π·Π°Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΊΠΈ Π½Π° Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€ΠΊΡƒ Π±Π»ΠΎΠΊΠ° ΠΈ Π½Π° доступ, Ρ‚ΠΎ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΠΌ ΠΎΡ‚Π½ΡŽΠ΄ΡŒ нСконкурСнтоспособныС с NOR ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚Π΅Π»ΠΈ (ΠΎΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‡Ρƒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΈΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎ для случая ΠΏΠΎΠ±Π°ΠΉΡ‚ΠΎΠ²ΠΎΠΉ записи). Π”Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠ΅ Π΄Π΅Π»ΠΎ ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Π°Ρ запись/Ρ‡Ρ‚Π΅Π½ΠΈΠ΅ β€” здСсь NAND Π½Π°ΠΎΠ±ΠΎΡ€ΠΎΡ‚ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ высокиС скоростныС характСристики. ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΈΠ·-Π·Π° возмоТностСй увСличСния объСма памяти Π±Π΅Π· увСличСния Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΎΠ² микросхСмы, NAND-Ρ„Π»ΡΡˆ нашСл ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π² качСствС хранитСля Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΡ… объСмов ΠΈΠ½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΈ для Π΅Π΅ пСрСноса. НаиболСС распространСнныС сСйчас устройства, основанныС Π½Π° этом Ρ‚ΠΈΠΏΠ΅ памяти, это Ρ„Π»ΡΡˆΠ΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Ρ‹ ΠΈ ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚Ρ‹ памяти. Π§Ρ‚ΠΎ касаСтся NOR-Ρ„Π»ΡΡˆΠ°, Ρ‚ΠΎ Ρ‡ΠΈΠΏΡ‹ с Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΉ ΠΎΡ€Π³Π°Π½ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠ΅ΠΉ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ Π² качСствС Ρ…Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΠΎΠ΄Π° (BIOS, RAM ΠΊΠ°Ρ€ΠΌΠ°Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΊΠΎΠΌΠΏΡŒΡŽΡ‚Π΅Ρ€ΠΎΠ², ΠΌΠΎΠ±ΠΈΠ»ΠΎΠΊ ΠΈ Ρ‚. п.), ΠΈΠ½ΠΎΠ³Π΄Π° Ρ€Π΅Π°Π»ΠΈΠ·ΠΎΠ²Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Π² Π²ΠΈΠ΄Π΅ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠΉ (ΠžΠ—Π£, ΠŸΠ—Π£ ΠΈ процСссор Π½Π° ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ ΠΌΠΈΠ½ΠΈ-ΠΏΠ»Π°Ρ‚Π΅, Π° Ρ‚ΠΎ ΠΈ Π² ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ Ρ‡ΠΈΠΏΠ΅). Π£Π΄Π°Ρ‡Π½Ρ‹ΠΉ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ³ΠΎ использования β€” ΠΏΡ€ΠΎΠ΅ΠΊΡ‚ Gumstix: ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΏΠ»Π°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΉ ΠΊΠΎΠΌΠΏΡŒΡŽΡ‚Π΅Ρ€ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΎΠΌ с пластинку ΠΆΠ²Π°Ρ‡ΠΊΠΈ. ИмСнно NOR-Ρ‡ΠΈΠΏΡ‹ ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹ΠΉ для Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… случаСв ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ надСТности хранСния ΠΈΠ½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΈ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Π³ΠΈΠ±ΠΊΠΈΠ΅ возмоТности ΠΏΠΎ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅ с Π½Π΅ΠΉ. ОбъСм NOR-Ρ„Π»ΡΡˆ ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ измСряСтся Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ†Π°ΠΌΠΈ ΠΌΠ΅Π³Π°Π±Π°ΠΉΡ‚ ΠΈ Ρ€Π΅Π΄ΠΊΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π²Π°Π»ΠΈΠ²Π°Π΅Ρ‚ Π·Π° дСсятки.

И Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Ρ„Π»ΡΡˆβ€¦

БСзусловно, Ρ„Π»ΡΡˆ β€” пСрспСктивная тСхнология. Однако, нСсмотря Π½Π° высокиС Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΡ‹ роста объСмов производства, устройства хранСния Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ…, основанныС Π½Π° Π½Π΅ΠΉ, Π΅Ρ‰Π΅ достаточно Π΄ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΈ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΊΠΎΠ½ΠΊΡƒΡ€ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ с ТСсткими дисками для Π½Π°ΡΡ‚ΠΎΠ»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… систСм ΠΈΠ»ΠΈ Π½ΠΎΡƒΡ‚Π±ΡƒΠΊΠΎΠ². Π’ основном, сСйчас сфСра господства Ρ„Π»ΡΡˆ-памяти ограничиваСтся ΠΌΠΎΠ±ΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ устройствами. Как Π²Ρ‹ ΠΏΠΎΠ½ΠΈΠΌΠ°Π΅Ρ‚Π΅, этот сСгмСнт ΠΈΠ½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΉ Π½Π΅ Ρ‚Π°ΠΊ ΡƒΠΆ ΠΈ ΠΌΠ°Π». ΠšΡ€ΠΎΠΌΠ΅ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, со слов ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ, Π½Π° Π½Π΅ΠΌ экспансия Ρ„Π»ΡΡˆ Π½Π΅ остановится. Π˜Ρ‚Π°ΠΊ, ΠΊΠ°ΠΊΠΈΠ΅ ΠΆΠ΅ основныС Ρ‚Π΅Π½Π΄Π΅Π½Ρ†ΠΈΠΈ развития ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ мСсто Π² этой области.

Π’ΠΎ-ΠΏΠ΅Ρ€Π²Ρ‹Ρ…, ΠΊΠ°ΠΊ ΡƒΠΆΠ΅ ΡƒΠΏΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»ΠΎΡΡŒ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅, большоС Π²Π½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅ удСляСтся ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌ Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡΠΌ. ΠŸΡ€ΠΈΡ‡Π΅ΠΌ ΠΏΡ€ΠΎΠ΅ΠΊΡ‚Ρ‹ Π²Ρ€ΠΎΠ΄Π΅ Gumstix лишь ΠΏΡ€ΠΎΠΌΠ΅ΠΆΡƒΡ‚ΠΎΡ‡Π½Ρ‹Π΅ этапы Π½Π° ΠΏΡƒΡ‚ΠΈ ΠΊ Ρ€Π΅Π°Π»ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ всСх Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΉ Π² ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ микросхСмС.

Пока Ρ‡Ρ‚ΠΎ, Ρ‚Π°ΠΊ Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅ΠΌΡ‹Π΅ on-chip (single-chip) систСмы ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‚ собой ΠΊΠΎΠΌΠ±ΠΈΠ½Π°Ρ†ΠΈΠΈ Π² ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ Ρ‡ΠΈΠΏΠ΅ Ρ„Π»ΡΡˆ-памяти с ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€ΠΎΠΌ, процСссором, SDRAM ΠΈΠ»ΠΈ ΠΆΠ΅ со ΡΠΏΠ΅Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ ПО. Π’Π°ΠΊ, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, Intel StrataFlash Π² сочСтании с ПО Persistent Storage Manager (PSM) Π΄Π°Π΅Ρ‚ Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ объСм памяти ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎ ΠΊΠ°ΠΊ для хранСния Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ…, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΈ для выполнСния ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΠΎΠ΄Π°. PSM ΠΏΠΎ сути Π΄Π΅Π»Π° являСтся Ρ„Π°ΠΉΠ»ΠΎΠ²ΠΎΠΉ систСмой, ΠΏΠΎΠ΄Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰Π΅ΠΉΡΡ ОБ Windows CE 2.1 ΠΈ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅. ВсС это Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΎ Π½Π° сниТСниС количСства ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ² ΠΈ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ Π³Π°Π±Π°Ρ€ΠΈΡ‚ΠΎΠ² ΠΌΠΎΠ±ΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… устройств с ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ ΠΈΡ… Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ. НС ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅ интСрСсна ΠΈ Π°ΠΊΡ‚ΡƒΠ°Π»ΡŒΠ½Π° Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠ° ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Π½ΠΈΠΈ Renesas β€” Ρ„Π»ΡΡˆ-ΠΏΠ°ΠΌΡΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΈΠΏΠ° superAND с встроСнными функциями управлСния. Π”ΠΎ этого ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π° ΠΎΠ½ΠΈ Ρ€Π΅Π°Π»ΠΈΠ·ΠΎΠ²Ρ‹Π²Π°Π»ΠΈΡΡŒ ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π² ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Π΅, Π° Ρ‚Π΅ΠΏΠ΅Ρ€ΡŒ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Ρ‹ прямо Π² Ρ‡ΠΈΠΏ. Π­Ρ‚ΠΎ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΈ контроля бэд-сСкторов, ΠΊΠΎΡ€Ρ€Π΅ΠΊΡ†ΠΈΠΈ ошибок (ECC β€” error check and correct), равномСрности износа ячССк (wear leveling). ΠŸΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ Π² Ρ‚Π΅Ρ… ΠΈΠ»ΠΈ ΠΈΠ½Ρ‹Ρ… вариациях ΠΎΠ½ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΡΡƒΡ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚ Π² Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΠ½ΡΡ‚Π²Π΅ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΡ… Π±Ρ€Π΅Π½Π΄ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΎΡˆΠΈΠ²ΠΎΠΊ Π²Π½Π΅ΡˆΠ½ΠΈΡ… ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€ΠΎΠ², Π΄Π°Π²Π°ΠΉΡ‚Π΅ Π²ΠΊΡ€Π°Ρ‚Ρ†Π΅ ΠΈΡ… рассмотрим. НачнСм с бэд-сСкторов. Π”Π°, Π²ΠΎ Ρ„Π»ΡΡˆ-памяти ΠΎΠ½ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΆΠ΅ Π²ΡΡ‚Ρ€Π΅Ρ‡Π°ΡŽΡ‚ΡΡ: ΡƒΠΆΠ΅ с ΠΊΠΎΠ½Π²Π΅ΠΉΠ΅Ρ€Π° сходят Ρ‡ΠΈΠΏΡ‹, ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ Π² срСднСм Π΄ΠΎ 2% Π½Π΅Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡ΠΈΡ… ячССк β€” это обычная тСхнологичСская Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ°. Но со Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π΅ΠΌ ΠΈΡ… количСство ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ (ΠΎΠΊΡ€ΡƒΠΆΠ°ΡŽΡ‰ΡƒΡŽ срСду Π² этом Π²ΠΈΠ½ΠΈΡ‚ΡŒ особо Π½Π΅ стоит β€” элСктромагнитноС, физичСскоС (тряска ΠΈ Ρ‚. п.) влияниС Ρ„Π»ΡΡˆ-Ρ‡ΠΈΠΏΡƒ Π½Π΅ ΡΡ‚Ρ€Π°ΡˆΠ½ΠΎ). ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΈ Π² ТСстких дисках, Π²ΠΎ Ρ„Π»ΡΡˆ-памяти прСдусмотрСн Ρ€Π΅Π·Π΅Ρ€Π²Π½Ρ‹ΠΉ объСм. Если появляСтся ΠΏΠ»ΠΎΡ…ΠΎΠΉ сСктор, функция контроля подмСняСт Π΅Π³ΠΎ адрСс Π² Ρ‚Π°Π±Π»ΠΈΡ†Π΅ размСщСния Ρ„Π°ΠΉΠ»ΠΎΠ² адрСсом сСктора ΠΈΠ· Ρ€Π΅Π·Π΅Ρ€Π²Π½ΠΎΠΉ области.

БобствСнно, выявлСниСм бэдов занимаСтся Π°Π»Π³ΠΎΡ€ΠΈΡ‚ΠΌ ECC β€” ΠΎΠ½ сравниваСт Π·Π°ΠΏΠΈΡΡ‹Π²Π°Π΅ΠΌΡƒΡŽ ΠΈΠ½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΡŽ с Ρ€Π΅Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎ записанной. Π’Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π² связи с ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ рСсурсом ячССк (порядка Π½Π΅ΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΈΡ… ΠΌΠΈΠ»Π»ΠΈΠΎΠ½ΠΎΠ² Ρ†ΠΈΠΊΠ»ΠΎΠ² чтСния/записи для ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠΉ) Π²Π°ΠΆΠ½ΠΎ Π½Π°Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΈ ΡƒΡ‡Π΅Ρ‚Π° равномСрности износа. ΠŸΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Ρƒ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΉ Ρ€Π΅Π΄ΠΊΠΈΠΉ, Π½ΠΎ Π²ΡΡ‚Ρ€Π΅Ρ‡Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉΡΡ случай: Π±Ρ€Π΅Π»ΠΎΠΊ с 32 ΠœΠ±Π°ΠΉΡ‚, ΠΈΠ· ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… 30 ΠœΠ±Π°ΠΉΡ‚ заняты, Π° Π½Π° свободноС мСсто постоянно Ρ‡Ρ‚ΠΎ-Ρ‚ΠΎ записываСтся ΠΈ удаляСтся. ΠŸΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ΄Π½ΠΈ ячСйки ΠΏΡ€ΠΎΡΡ‚Π°ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚, Π° Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠ΅ интСнсивно ΠΈΡΡ‡Π΅Ρ€ΠΏΡ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ свой рСсурс. Π§Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ³ΠΎ Π½Π΅ Π±Ρ‹Π»ΠΎ, Π² Ρ„ΠΈΡ€ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹Ρ… устройствах свободноС пространство условно разбиваСтся Π½Π° участки, для ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠ³ΠΎ ΠΈΠ· ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… осущСствляСтся ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»ΡŒ ΠΈ ΡƒΡ‡Π΅Ρ‚ количСства ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΉ записи.

Π•Ρ‰Π΅ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ слоТныС ΠΊΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ класса «всС-Π²-ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌΒ» сСйчас ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎ прСдставлСны Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠΌΠΈ компаниями ΠΊΠ°ΠΊ, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, Intel, Samsung, Hitachi ΠΈ Π΄Ρ€. Π˜Ρ… издСлия ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‚ собой ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎΡ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ устройства, Ρ€Π΅Π°Π»ΠΈΠ·ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ Π² ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ лишь микросхСмС (стандартно Π² Π½Π΅ΠΉ имССтся процСссор, Ρ„Π»ΡΡˆ-ΠΏΠ°ΠΌΡΡ‚ΡŒ ΠΈ SDRAM). ΠžΡ€ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Ρ‹ ΠΎΠ½ΠΈ Π½Π° ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π² ΠΌΠΎΠ±ΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… устройствах, Π³Π΄Π΅ Π²Π°ΠΆΠ½Π° высокая ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΌΠΈΠ½ΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Π°Ρ… ΠΈ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠΌ энСргопотрСблСнии. К Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠΌ относятся: PDA, смартфоны, Ρ‚Π΅Π»Π΅Ρ„ΠΎΠ½Ρ‹ для сСтСй 3G. ΠŸΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Ρƒ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€ ΠΏΠΎΠ΄ΠΎΠ±Π½Ρ‹Ρ… Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΎΠΊ β€” Ρ‡ΠΈΠΏ ΠΎΡ‚ Samsung, ΠΎΠ±ΡŠΠ΅Π΄ΠΈΠ½ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Π² сСбС ARM-процСссор (203 ΠœΠ“Ρ†), 256 ΠœΠ±Π°ΠΉΡ‚ NAND памяти ΠΈ 256 SDRAM. Он совмСстим с распространСнными ОБ: Windows CE, Palm OS, Symbian, Linux ΠΈ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ ΠΏΠΎΠ΄Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΊΡƒ USB. Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ Π½Π° Π΅Π³ΠΎ основС Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ созданиС ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎΡ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… ΠΌΠΎΠ±ΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… устройств с Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΌ энСргопотрСблСниСм, способных Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ с Π²ΠΈΠ΄Π΅ΠΎ, Π·Π²ΡƒΠΊΠΎΠΌ, голосом ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΡ‡ΠΈΠΌΠΈ рСсурсоСмкими прилоТСниями.

Π”Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠΌ Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ ΡΠΎΠ²Π΅Ρ€ΡˆΠ΅Π½ΡΡ‚Π²ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΡ Ρ„Π»ΡΡˆ являСтся ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ энСргопотрСблСния ΠΈ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΎΠ² с ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ объСма ΠΈ быстродСйствия памяти. Π’ большСй стСпСни это касаСтся микросхСм с NOR Π°Ρ€Ρ…ΠΈΡ‚Π΅ΠΊΡ‚ΡƒΡ€ΠΎΠΉ, ΠΏΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ с Ρ€Π°Π·Π²ΠΈΡ‚ΠΈΠ΅ΠΌ ΠΌΠΎΠ±ΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… ΠΊΠΎΠΌΠΏΡŒΡŽΡ‚Π΅Ρ€ΠΎΠ², ΠΏΠΎΠ΄Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρƒ Π² бСспроводных сСтях, ΠΈΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎ NOR-Ρ„Π»ΡΡˆ, благодаря нСбольшим Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Π°ΠΌ ΠΈ ΠΌΠ°Π»ΠΎΠΌΡƒ ΡΠ½Π΅Ρ€Π³ΠΎΠΏΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π±Π»Π΅Π½ΠΈΡŽ, станСт ΡƒΠ½ΠΈΠ²Π΅Ρ€ΡΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ для хранСния ΠΈ выполнСния ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΠΎΠ΄Π°. Π’ скором Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ Π² сСрийноС производство Π±ΡƒΠ΄ΡƒΡ‚ Π·Π°ΠΏΡƒΡ‰Π΅Π½Ρ‹ 512 ΠœΠ±ΠΈΡ‚ Ρ‡ΠΈΠΏΡ‹ NOR Ρ‚ΠΎΠΉ ΠΆΠ΅ Renesas. НапряТСниС питания ΠΈΡ… составит 3,3 Π’ (напомню, Ρ…Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΈΠ½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΡŽ ΠΎΠ½ΠΈ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ ΠΈ Π±Π΅Π· ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‡ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°), Π° ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π² опСрациях записи β€” 4 ΠœΠ±Π°ΠΉΡ‚/сСк. Π’ Ρ‚ΠΎ ΠΆΠ΅ врСмя Intel ΡƒΠΆΠ΅ прСдставляСт свою Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΡƒ StrataFlash Wireless Memory System (LV18/LV30) β€” ΡƒΠ½ΠΈΠ²Π΅Ρ€ΡΠ°Π»ΡŒΠ½ΡƒΡŽ систСму Ρ„Π»ΡΡˆ-памяти для бСспроводных Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΉ. ОбъСм Π΅Π΅ памяти ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π΄ΠΎΡΡ‚ΠΈΠ³Π°Ρ‚ΡŒ 1 Π“Π±ΠΈΡ‚, Π° Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡Π΅Π΅ напряТСниС Ρ€Π°Π²Π½ΠΎ 1.8 Π’. ВСхнология изготовлСния Ρ‡ΠΈΠΏΠΎΠ² β€” 0,13 Π½ΠΌ, Π² ΠΏΠ»Π°Π½Π°Ρ… ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ Π½Π° 0,09 Π½ΠΌ тСхпроцСсс. Π‘Ρ€Π΅Π΄ΠΈ ΠΈΠ½Π½ΠΎΠ²Π°Ρ†ΠΈΠΉ Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΉ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Π½ΠΈΠΈ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ стоит ΠΎΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΎΡ€Π³Π°Π½ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΡŽ ΠΏΠ°ΠΊΠ΅Ρ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ° Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ с NOR-ΠΏΠ°ΠΌΡΡ‚ΡŒΡŽ. Он позволяСт ΡΡ‡ΠΈΡ‚Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΈΠ½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΡŽ Π½Π΅ ΠΏΠΎ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌΡƒ Π±Π°ΠΉΡ‚Ρƒ, Π° Π±Π»ΠΎΠΊΠ°ΠΌΠΈ β€” ΠΏΠΎ 16 Π±Π°ΠΉΡ‚: с использованиСм 66 ΠœΠ“Ρ† ΡˆΠΈΠ½Ρ‹ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΎΠ±ΠΌΠ΅Π½Π° ΠΈΠ½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΠ΅ΠΉ с процСссором достигаСт 92 ΠœΠ±ΠΈΡ‚/с!

Π§Ρ‚ΠΎ ΠΆ, ΠΊΠ°ΠΊ Π²ΠΈΠ΄ΠΈΡ‚Π΅, тСхнология развиваСтся ΡΡ‚Ρ€Π΅ΠΌΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ. Π’ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅ Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΊ ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚Ρƒ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π° ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΠΈ появится Π΅Ρ‰Π΅ Ρ‡Ρ‚ΠΎ-Π½ΠΈΠ±ΡƒΠ΄ΡŒ новСнькоС. Π’Π°ΠΊ Ρ‡Ρ‚ΠΎ, Ссли Ρ‡Ρ‚ΠΎ β€” Π½Π΅ Π²Π·Ρ‹Ρ‰ΠΈΡ‚Π΅ πŸ™‚ НадСюсь, ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π» Π±Ρ‹Π» Π²Π°ΠΌ интСрСсСн.

ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Ρ‹ Ρ„Π»ΡΡˆ-памяти

Ѐлэш-ΠΏΠ°ΠΌΡΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΈΠΏΠ° Boot Block слуТит для хранСния обновляСмых ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌ ΠΈ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… Π² самых Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹Ρ… систСмах, Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ сотовыС Ρ‚Π΅Π»Π΅Ρ„ΠΎΠ½Ρ‹, ΠΌΠΎΠ΄Π΅ΠΌΡ‹, BIOS, систСмы управлСния Π°Π²Ρ‚ΠΎΠΌΠΎΠ±ΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ двигатСлями ΠΈ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎΠ΅ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠ΅. Π˜ΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡ Ρ„Π»ΡΡˆ-ΠΏΠ°ΠΌΡΡ‚ΡŒ вмСсто EEPROM для хранСния парамСтричСских Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ…, Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΈ Π΄ΠΎΠ±ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ сниТСния стоимости ΠΈ ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ надСТности своих систСм.

НапримСр, Π² Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠ°Ρ… сотовых Ρ‚Π΅Π»Π΅Ρ„ΠΎΠ½ΠΎΠ² парамСтричСскиС Π±Π»ΠΎΠΊΠΈ Ρ„Π»ΡΡˆ-памяти ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ для хранСния Ρ‚Π΅Π»Π΅Ρ„ΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… Π½ΠΎΠΌΠ΅Ρ€ΠΎΠ², ΡƒΡ‡Π΅Ρ‚Π° Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ использования ΠΈ ΠΈΠ΄Π΅Π½Ρ‚ΠΈΡ„ΠΈΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΡ€Π° ΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»Ρ (SIM-ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚Π°). ΠŸΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΠΈ Π°Π²Ρ‚ΠΎΠΌΠΎΠ±ΠΈΠ»Π΅ΠΉ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ парамСтричСскиС Π±Π»ΠΎΠΊΠΈ Ρ„Π»ΡΡˆ-памяти Π² систСмах управлСния двигатСлями для хранСния ΠΊΠΎΠ΄ΠΎΠ² ошибок ΠΈ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² ΠΎΠΏΡ‚ΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠΎΠ² Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹. Π’ ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠΌ ΠΈΠ· ΠΏΠΎΠ΄ΠΎΠ±Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€ΠΎΠ² ΠΈΠ·Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΠΈ экономят ΠΊΠ°ΠΊ Π½Π° Π½Π΅Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎΠΉ микросхСмС EEPROM, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΈ Π½Π° расходах, связанных с Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ содСрТания складского запаса Β«ΠΏΡ€ΠΎΡˆΠΈΡ‚Ρ‹Ρ…Β» Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹ΠΌΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ°ΠΌΠΈ EEPROM, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡ Ρ„Π»ΡΡˆ-ΠΏΠ°ΠΌΡΡ‚ΡŒ Boot Block Flash Memory Π½Π΅ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ для хранСния ΠΏΡ€ΠΈΠΊΠ»Π°Π΄Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌ, Π½ΠΎ ΠΈ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ². Π—Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ΄Π° Π² Ρ‡ΠΈΡΡ‚ΡƒΡŽ ΠΏΠ°ΠΌΡΡ‚ΡŒ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ Π² составС Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²ΠΎΠΉ систСмы Π½Π° Ρ„ΠΈΠ½Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ стадии изготовлСния издСлия. ΠšΡ€ΠΎΠΌΠ΅ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, Π·Π° счСт сниТСния числа ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ»Π΅ΠΊΡ‚ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ… ΠΈ Π²Π½Π΅ΡˆΠ½ΠΈΡ… ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠ² достигаСтся Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ высокая Π½Π°Π΄Π΅ΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π°Π²Ρ‚ΠΎΠΌΠΎΠ±ΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… систСм Π² Ρ†Π΅Π»ΠΎΠΌ. И, Π½Π°ΠΊΠΎΠ½Π΅Ρ†, ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ°Π΅Ρ‚ΡΡ объСм Ρ…Ρ€Π°Π½ΠΈΠΌΡ‹Ρ… ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² ΠΈ частота ΠΈΡ… измСнСния.

Π’ настоящСй ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΠ΅ обсуТдаСтся структура связных списков для хранСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² Π² Π±Π»ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠΉ Ρ„Π»ΡΡˆ-памяти с ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ схСмы, ΡΠΌΡƒΠ»ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΉ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π·Π°ΠΏΠΈΡΡŒ Π±Π°ΠΉΡ‚ΠΎΠ². ΠžΠ±Π·ΠΎΡ€ основ Ρ„Π»ΡΡˆ-памяти приводится для пояснСния Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ Ρ„Π»ΡΡˆ-ΠΏΠ°ΠΌΡΡ‚ΡŒ Π² систСмС, ΠΈ описываСт ограничСния Π½Π° Ρ€Π΅Π°Π»ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΡŽ схСмы программирования. ОсновноС Π²Π½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅ ΡƒΠ΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄ΠΎΠ²ΠΎΠΉ, Π² настоящий ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚, Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ β€” SmartVoltage.

ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Ρ‹ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ

Ѐлэш-тСхнология позволяСт ΠΎΡΠ½Π°ΡΡ‚ΠΈΡ‚ΡŒ ΡΠΈΡΡ‚Π΅ΠΌΠ½ΡƒΡŽ ΠΏΠ°ΠΌΡΡ‚ΡŒ ΡƒΠ½ΠΈΠΊΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ свойствами. Подобно ΠžΠ—Π£, Ρ„Π»ΡΡˆ-ΠΏΠ°ΠΌΡΡ‚ΡŒ модифицируСтся элСктричСски внутрисистСмно, Π½ΠΎ ΠΏΠΎΠ΄ΠΎΠ±Π½ΠΎ ΠŸΠ—Π£, Ρ„Π»ΡΡˆ энСргонСзависима ΠΈ Ρ…Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‚ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ Π΄Π°ΠΆΠ΅ послС ΠΎΡ‚ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ питания. Однако, Π² ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ ΠΎΡ‚ ΠžΠ—Π£, Ρ„Π»ΡΡˆ нСльзя ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΏΠΈΡΡ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ±Π°ΠΉΡ‚Π½ΠΎ. Ѐлэш-ΠΏΠ°ΠΌΡΡ‚ΡŒ читаСтся ΠΈ записываСтся Π±Π°ΠΉΡ‚ Π·Π° Π±Π°ΠΉΡ‚ΠΎΠΌ ΠΈ ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡŠΡΠ²Π»ΡΠ΅Ρ‚ Π½ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅: Π΅Π΅ Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ ΡΡ‚Π΅Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄ Ρ‚Π΅ΠΌ, ΠΊΠ°ΠΊ Π·Π°ΠΏΠΈΡΡ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ Π½ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Π΅.

ΠžΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ Π½Π°Π΄ Ρ„Π»ΡΡˆ-ΠΏΠ°ΠΌΡΡ‚ΡŒΡŽ

ΠžΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΡΠœΠΈΠ½ΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ сСгмСнтВипичноС Π²Ρ€Π΅ΠΌΡΠœΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ врСмя
Π§Ρ‚Π΅Π½ΠΈΠ΅Byte60 нс60 нс
Π—Π°ΠΏΠΈΡΡŒByte9 мкснС Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ 100 мкс
Π‘Ρ‚ΠΈΡ€Π°Π½ΠΈΠ΅8KB-Block0.6 с4.3 с
ΠŸΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ‡Π°Π½ΠΈΠ΅: ΠΏΠΎ спСцификации Π½Π° ИБ SmartVoltage 4Мbit Boot Block Π² 8-bit Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈ VCC=5.0V ΠΈ VPP=5.0V

Π—Π°ΠΏΠΈΡΡŒ (ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅) Ρ„Π»ΡΡˆ-памяти β€” это процСсс Π·Π°ΠΌΠ΅Π½Ρ‹ Β«1Β» Π½Π° Β«0Β». Π‘Ρ‚ΠΈΡ€Π°Π½ΠΈΠ΅ β€” это процСсс Π·Π°ΠΌΠ΅Π½Ρ‹ Β«0Β» Π½Π° Β«1Β», Π³Π΄Π΅ Ρ„Π»ΡΡˆ стираСтся Π±Π»ΠΎΠΊ Π·Π° Π±Π»ΠΎΠΊΠΎΠΌ. Π‘Π»ΠΎΠΊΠΈ β€” это области с фиксированными адрСсами, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ Π½Π° ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚Π΅ 4Мbit Boot Block микросхСмы.

ΠšΠ°Ρ€Ρ‚Π° памяти Boot Block

16KByte BOOT BLOCK
8KByte PARAMETER BLOCK
8KByte PARAMETER BLOCK
96KByte PARAMETER BLOCK
128KByte MAIN BLOCK
128KByte MAIN BLOCK
128KByte MAIN BLOCK

Когда Π±Π»ΠΎΠΊ стираСтся, ΡΡ‚ΠΈΡ€Π°ΡŽΡ‚ΡΡ ΠΏΠ°Ρ€Π°Π»Π»Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ всС ячСйки Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€ΠΈ Π±Π»ΠΎΠΊΠ°, нСзависимо ΠΎΡ‚ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΡ… Π±Π»ΠΎΠΊΠΎΠ² этого ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π° Ρ„Π»ΡΡˆ-памяти.

ΠœΠΈΠΊΡ€ΠΎΡΡ…Π΅ΠΌΡ‹ Flash Memory Boot Block Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Ρ‹ Π²Ρ‹Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π΅ ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅ 100 тысяч Ρ†ΠΈΠΊΠ»ΠΎΠ² стирания ΠΏΡ€ΠΈ напряТСнии питания VCC=5V. Π¦ΠΈΠΊΠ» считаСтся Π·Π°ΠΊΠΎΠ½Ρ‡Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ, Ссли 8ΠšΠ’ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΈΠ· парамСтричСских Π±Π»ΠΎΠΊΠΎΠ² ΡƒΡΠΏΠ΅ΡˆΠ½ΠΎ Π·Π°ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΎ ΠΈ послС этого стСрто. Π­Ρ‚ΠΎΡ‚ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ Π²Π°ΠΆΠ½Ρ‹ΠΉ, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΎΡ‚ Π½Π΅Π³ΠΎ зависит Ρ‚ΠΎ, ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΉ объСм Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Ρ…Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΈ ΠΊΠ°ΠΊ часто ΠΈΡ… ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΎΠ±Π½ΠΎΠ²Π»ΡΡ‚ΡŒ.

ΠŸΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ Ρ„Π»ΡΡˆ-ΠΏΠ°ΠΌΡΡ‚ΡŒ Π½Π΅ допускаСт пСрСзаписи ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ячСйки Π±Π΅Π· ΠΏΡ€Π΅Π΄Π²Π°Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ стирания всСго Π±Π»ΠΎΠΊΠ° памяти, Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΡŽΡ‚ΡΡ ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ½Ρ‹Π΅ ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄Ρ‹ эмуляции пСрСзаписи Π±Π°ΠΉΡ‚Π° с использованиСм Π΄Π²ΡƒΡ… 8ΠšΠ’ парамСтричСских Π±Π»ΠΎΠΊΠΎΠ², ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… Π½Π° ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π΅ ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚Ρ‹ памяти.

Π€ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ Π² систСмС

ΠšΡ€ΠΎΠΌΠ΅ хранСния парамСтричСских Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ…, Π±Π»ΠΎΡ‡Π½ΡƒΡŽ Ρ„Π»ΡΡˆ-ΠΏΠ°ΠΌΡΡ‚ΡŒ часто ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ ΠΏΠΎΠ΄ Ρ…Ρ€Π°Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ смСнного ΠΊΠΎΠ΄Π° ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌ. Часто Π² систСмах Π² Π·Π°Π±Π»ΠΎΠΊΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½ΠΎΠΌ Boot-Π±Π»ΠΎΠΊΠ΅ хранится ядро ΠΊΠΎΠ΄Π°, Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΠ³ΠΎ для ΠΈΠ½ΠΈΡ†ΠΈΠ°Π»ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ систСмы ΠΈ Π·Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ ΠΏΠΎΠ΄ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΡ‹ восстановлСния, Π½Π° случай Ρ€Π°Π·Ρ€ΡƒΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΡ‹. Π’ Β«Π±ΡƒΡ‚ΠΎΠ²ΠΎΠΌΒ» Π±Π»ΠΎΠΊΠ΅ ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ хранится Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ° для программирования ΠΈ стирания Ρ„Π»ΡΡˆ-памяти. Π’Π°ΠΊ, Ρ„Π»ΡΡˆ-ΠΏΠ°ΠΌΡΡ‚ΡŒ Π½Π΅ допускаСт ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠ΅ Ρ‡Ρ‚Π΅Π½ΠΈΠ΅ ячСйки с ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΌ адрСсом ΠΈ запись Π² ячСйку с Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠΌ адрСсом Π² ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π°Ρ… ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ микросхСмы. Π­Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ любой ΠΊΠΎΠ΄ ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΡ‹ записи Π²ΠΎ Ρ„Π»ΡΡˆ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π³Ρ€ΡƒΠΆΠ°Ρ‚ΡŒΡΡ Π² ΠžΠ—Π£.

Π’ΠΎΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Π²ΡˆΠΈΡΡŒ двумя парамСтричСскими Π±Π»ΠΎΠΊΠ°ΠΌΠΈ Ρ„Π»ΡΡˆ-памяти ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ, ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡΠΎΡ…Ρ€Π°Π½ΡΡ‚ΡŒ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΠΎΠ±Π°ΠΉΡ‚Π½ΠΎ, Π° ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΡŽ стирания Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½ΡΡ‚ΡŒ ΠΊΠ°ΠΊ Ρ„ΠΎΠ½ΠΎΠ²ΡƒΡŽ Π·Π°Π΄Π°Ρ‡Ρƒ. Π’Π΅ΠΌ самым Π΄ΠΎΠ±ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ эмуляции пСрСзаписи содСрТимого Π½Π° Π±Π°ΠΉΡ‚Π½ΠΎΠΉ основС β€” схСма программирования для эмуляции ΠΏΠΎΠ±Π°ΠΉΡ‚Π½ΠΎΠΉ Π·Π°ΠΌΠ΅Π½Ρ‹.

Π‘Ρ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ‚ΡƒΡ€Π° парамСтричСских Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ…

Π‘Ρ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ‚ΡƒΡ€Π° Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… Π² Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ΅ связных списков обСспСчиваСт ΠΎΡ€Π³Π°Π½ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΡŽ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ…, ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ ΡƒΠ΄ΠΎΠ±Π½ΡƒΡŽ для Ρ„Π»ΡΡˆ-памяти. НапримСр, ΠΏΡ€Π΅Π΄ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ ΡΠΎΡ…Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‚ΡŒ 3 ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ Π±ΡƒΠ΄ΡƒΡ‚ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½ΡΡ‚ΡŒΡΡ ΠΏΡ€ΠΈ условии, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΊΠ°ΠΆΠ΄Ρ‹ΠΉ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ хранится Π² Π²ΠΈΠ΄Π΅ записи. КаТдая запись состоит ΠΈΠ· Π΄Π²ΡƒΡ… ΠΏΠΎΠ»Π΅ΠΉ: Parameter_Value ΠΈ Next_Record. Π’ ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠΌ ΠΏΠΎΠ»Π΅ хранится Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°. Π’Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ ΠΏΠΎΠ»Π΅ β€” это ΡƒΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ, содСрТащий адрСс ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΉ записи для этого ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°. ParameterX β€” это ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ ΡƒΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ, содСрТащий адрСс ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠΉ записи для этого ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°, поэтому Parameter1 прСдставляСт адрСс. Π’ ячСйкС с этим адрСсом хранится адрСс ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠΉ записи ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π° Parameter1, которая содСрТит ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠ΅ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Parameter1 ΠΈ адрСс Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ записи Parameter1. Вторая запись содСрТит послСднСС Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ этого ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π° ΠΈ адрСс Ρ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒΠ΅ΠΉ записи, ΠΈ Ρ‚.Π΄.. Π’ послСднСй записи Π² ΠΏΠΎΠ»Π΅ Next_Record содСрТится ΠΊΠΎΠ΄ FFh, ΡƒΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΈΠ΅ Π½Π° Ρ‚ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ записСй большС Π½Π΅Ρ‚. Код FFh Π²Ρ‹Π±Ρ€Π°Π½ для указания, Ρ‡Ρ‚ΠΎ записСй большС Π½Π΅Ρ‚, ΠΈΠ·-Π·Π° Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΈΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎ этот ΠΊΠΎΠ΄ прСдставляСт собой Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ стСртого Π±Π°ΠΉΡ‚Π° Ρ„Π»ΡΡˆ-памяти ΠΏΠΎ ΡƒΠΌΠΎΠ»Ρ‡Π°Π½ΠΈΡŽ. ΠŸΡ€ΠΈ ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠΌ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΈ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ° ΠΈΡ‰Π΅Ρ‚ ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΡƒΡŽ Π΄ΠΎΡΡ‚ΡƒΠΏΠ½ΡƒΡŽ ячСйку Π² парамСтричСском Π±Π»ΠΎΠΊΠ΅, записываСт Π½ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π² ΠΏΠΎΠ»Π΅ значСния Π½ΠΎΠ²ΠΎΠΉ записи, Π° ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΌ обновляСт ΠΏΠΎΠ»Π΅ Next_Record Π² ΠΏΡ€Π΅Π΄Ρ‹Π΄ΡƒΡ‰Π΅ΠΉ записи. Π˜Ρ‚Π°ΠΊ, каТдая запись содСрТит Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΈ ΡƒΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ, ΠΈΠ»ΠΈ связь со ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΉ записью. Π’Π°ΠΊΠΈΠ΅ структуры Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… Ρ…ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠΎ извСстны программистам, ΠΈ Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ связными списками, ΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡΡΡŒ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΌΠΈ систСма ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ быстро Π½Π°ΠΉΡ‚ΠΈ послСднСС Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°.

ΠŸΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€ структуры связного списка

АдрСс

Π—Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅

ΠŸΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€

Parameter101HParameter 1 Pointer Variable
Parameter203HParameter 2 Pointer Variable
Parameter305HParameter 3 Pointer Variable
01HF8HParameter 1 Value = F8H
02H07HParameter 1 Next_Record = 07H
03H22HParameter 2 Value = 22H
04H09HParameter 2 Next_Record = 09H
05H44HParameter 3 Value = 44H
06HFFHParameter 3 Next_Record = FFH = latest
07H55HParameter 1 Value = 55H
08H0BHParameter 1 Next_Record = 0BH
09HF2HParameter 2 Value = F2H
0AHFFHParameter 2 Next_Record = FFH = latest
0BHF4HParameter 1 Value = F4H
0CHFFHParameter 1 Next_Record = FFH = latest

Для простоты Π² ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π΅ использовано ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ±Π°ΠΉΡ‚Π½ΠΎΠ΅ ΠΏΠΎΠ»Π΅ для Parameter_Value ΠΈ Next_Record. Π’ Π΄Π΅ΠΉΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ, для кодирования поля Next_Record потрСбуСтся ΠΊΠ°ΠΊ ΠΌΠΈΠ½ΠΈΠΌΡƒΠΌ Π΄Π²Π° Π±Π°ΠΉΡ‚Π° указатСля Π½Π° Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΡƒΡŽ ячСйку парамСтричСского Π±Π»ΠΎΠΊΠ°. ΠšΠΎΠ»ΠΈΡ‡Π΅ΡΡ‚Π²ΠΎ Π±Π°ΠΉΡ‚ΠΎΠ², Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΡ‹Ρ… для кодирования поля Parameter_Value, зависит ΠΎΡ‚ спСцифики ΠΈΠ½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΠΈ, Ρ…Ρ€Π°Π½ΠΈΠΌΠΎΠΉ Π² этом ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π΅.

ΠΠ»ΡŒΡ‚Π΅Ρ€Π½Π°Ρ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠΎΠ΄Ρ…ΠΎΠ΄ ΠΊ использованию связного списка состоит Π² ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΈ поля parameter ID ΠΈ поля статуса ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ ΡƒΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚, являСтся Π»ΠΈ тСкущая запись ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π° самой ΠΏΠΎΠ·Π΄Π½Π΅ΠΉ. Π’ Π°Π»ΡŒΡ‚Π΅Ρ€Π½Π°Ρ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΉ схСмС для Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ послСднСС Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°, систСма считываСт ΠΊΠ°ΠΆΠ΄Ρ‹ΠΉ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ Π΄ΠΎ Ρ‚Π΅Ρ… ΠΏΠΎΡ€, ΠΏΠΎΠΊΠ° Π½Π΅ Π½Π°ΠΉΠ΄Π΅Ρ‚ послСднСС Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°.

Π—Π°ΠΏΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² продолТаСтся Π΄ΠΎ Ρ‚Π΅Ρ… ΠΏΠΎΡ€, ΠΏΠΎΠΊΠ° парамСтричСский Π±Π»ΠΎΠΊ Π½Π΅ заполнится ΠΈΠ»ΠΈ ΠΏΠΎΠΊΠ° Π² парамСтричСском Π±Π»ΠΎΠΊΠ΅ Ρ…Π²Π°Ρ‚Π°Π΅Ρ‚ мСста для Ρ†Π΅Π»ΠΎΠΉ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΉ записи. По достиТСнии этой Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΈ послСдниС значСния ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Π²ΠΎ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ парамСтричСский Π±Π»ΠΎΠΊ, Π° связный список ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΠΎΠ»ΠΆΠ°Π΅Ρ‚ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ Π²ΠΎ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ Π±Π»ΠΎΠΊΠ΅ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ². Π—Π°ΠΏΠΈΡΡŒ Π·Π°Π³ΠΎΠ»ΠΎΠ²ΠΊΠ° (Block_Header) Π² Π½Π°Ρ‡Π°Π»Π΅ ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠ³ΠΎ парамСтричСского Π±Π»ΠΎΠΊΠ° ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ состояниС Π±Π»ΠΎΠΊΠ°. БостояниС β€” это информация, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ парамСтричСский Π±Π»ΠΎΠΊ Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π΅Π½, Ρ‚.Π΅. Π»ΠΈΠ±ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Π΅Ρ‚ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Π΅, Π»ΠΈΠ±ΠΎ стираСтся. Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ ΠΈ ΠΎΡΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ Π±Π»ΠΎΡ‡Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ.

Π‘Ρ‚ΠΈΡ€Π°Π½ΠΈΠ΅ парамСтричСского Π±Π»ΠΎΠΊΠ°

ПослС ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Π΄Π΅ΠΉΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠΉ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² ΠΈΠ· ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠ³ΠΎ Π±Π»ΠΎΠΊΠ° Π²ΠΎ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ, ΠΏΠ΅Ρ€Π²Ρ‹ΠΉ Π±Π»ΠΎΠΊ стираСтся. Вспомним, Ρ‡Ρ‚ΠΎ стираниС Ρ„Π»ΡΡˆ-памяти Π·Π°Π½ΠΈΠΌΠ°Π΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎ 0,5s Π½Π° ΠΊΠ°ΠΆΠ΄Ρ‹ΠΉ парамСтричСский Π±Π»ΠΎΠΊ. ΠŸΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ Ρ‚Π°ΠΊ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ Π²ΠΎ врСмя Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ систСмы ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π½Π΅ ΠΎΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚ΡŒΡΡ, Π²ΠΎ Ρ„Π»ΡΡˆ-памяти ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ ΠΊΠΎΠΌΠ°Π½Π΄Π° приостановки стирания (Erase Suspend). По этой ΠΊΠΎΠΌΠ°Π½Π΄Π΅ ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΡŽ стирания ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠΎΡΡ‚Π°Π½ΠΎΠ²ΠΈΡ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ систСма смогла ΡΡ‡ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ ΠΈΠ· Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠ³ΠΎ Π±Π»ΠΎΠΊΠ° Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π° памяти. Когда ΠΊΠΎΠΌΠ°Π½Π΄Π° Erase Suspend поступаСт Π² микросхСму, опСрация стирания останавливаСтся, Π° ΠΏΠ°ΠΌΡΡ‚ΡŒ Π²Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ Π² «подвСшСнноС» состояниС, ΠΈ Ρ‚ΠΎΠ³Π΄Π° ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΡ‡Π΅ΡΡ‚ΡŒ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ ΠΈΠ· Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠ³ΠΎ Π±Π»ΠΎΠΊΠ°. Когда снова Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡΡ‚ΠΈΡ€Π°Ρ‚ΡŒ, ΠΊΠΎΠΌΠ°Π½Π΄Π° Erase Resume ΠΏΡ€ΠΈΠΊΠ°ΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Ρƒ ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΠΎΠ»ΠΆΠΈΡ‚ΡŒ стираниС с Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ мСста, Π³Π΄Π΅ ΠΎΠ½ΠΎ Π±Ρ‹Π»ΠΎ ΠΏΡ€Π΅Ρ€Π²Π°Π½ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ позволяСт Ρ€Π΅Π°Π»ΠΈΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΡŽ стирания Π² ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π°Ρ… ΠΊΠΎΠ½Π΅Ρ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ†ΠΈΠΊΠ»Π°, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡ нСсколько Π²Ρ‹Π·ΠΎΠ²ΠΎΠ² (Call). ПослС ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΠ³ΠΎ стирания ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠ³ΠΎ Π±Π»ΠΎΠΊΠ° ΠΎΠ½ снова Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ² ΠΊ записи ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ², ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° заполнится Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ Π±Π»ΠΎΠΊ. Π’Π°ΠΆΠ½ΠΎ Ρ‚ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π½ΠΈΠΊΠ°ΠΊΠΈΠ΅ Π½ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ нСльзя Π·Π°ΠΏΠΈΡΠ°Ρ‚ΡŒ, ΠΏΠΎΠΊΠ° Π½Π΅ закончится опСрация стирания Π±Π»ΠΎΠΊΠ°. Π’Π΅ΠΊΡƒΡ‰ΠΈΠ΅ вСрсии Ρ„Π»ΡΡˆ-памяти Boot Block Π½Π΅ Π΄ΠΎΠΏΡƒΡΠΊΠ°ΡŽΡ‚ запись Π² ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚Ρ‹, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° стираниС приостановлСно.

Эмуляция ΠΏΠΎΠ±Π°ΠΉΡ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ обновлСния

Π‘Ρ‚ΡƒΠΏΠ΅Π½ΡŒ 1. Π Π΅Π·Π΅Ρ€Π²ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ парамСтричСских записСй Π² парамСтричСском Π±Π»ΠΎΠΊΠ΅ 1 (Parameter Block 1)
PARAMETER BLOCK 1
block_status record
parameter records
 
PARAMETER BLOCK 2
block_status record
erased
Π‘Ρ‚ΡƒΠΏΠ΅Π½ΡŒ 2. Когда Parameter Block 1 Π·Π°ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½, осущСствляСтся ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡Π° послСднСго ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π° записи Π² Parameter Block 2 ΠΈ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ block_status record.
PARAMETER BLOCK 1
block_status record
parameter records
 
 
PARAMETER BLOCK 2
block_status record
 
Π‘Ρ‚ΡƒΠΏΠ΅Π½ΡŒ 3. Π Π΅Π·Π΅Ρ€Π²ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π° записи Π² Parameter Block 2. Π‘Ρ‚ΠΈΡ€Π°Π½ΠΈΠ΅ Parameter Block 1, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡ ΠΊΠΎΠΌΠ°Π½Π΄Ρƒ приостановки стирания (Erase Suspend) для Π²ΠΎΠ·Π²Ρ€Π°Ρ‚Π° Π² Ρ„Π°Π·Ρƒ чтСния Ρ„Π»ΡΡˆΠ°, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° это Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ.
PARAMETER BLOCK 1
block_status record
erased
 
PARAMETER BLOCK 2
block_status record
parameter records

ВрСбования ΠΊ систСмС

Как ΠΎΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‡Π΅Π½ΠΎ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅, для исполнСния ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΡ‹ Π² ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚Ρ‹ программирования ΠΈ стирания Ρ„Π»ΡΡˆ-памяти трСбуСтся ΠžΠ—Π£. НСобходимый объСм ΠžΠ—Π£ зависит ΠΎΡ‚ слоТности Π±Π°Π·Ρ‹ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ². ΠŸΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ°, которая Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Π° Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π·Π°Π³Ρ€ΡƒΠΆΠ΅Π½Π° Π² ΠžΠ—Π£, Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ ΠΏΠΎΠ΄ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΡ‹ чтСния, записи ΠΈ стирания Ρ„Π»ΡΡˆ-памяти. Π Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€ Π΅Π΅ ΠΊΠΎΠ΄Π° Π»Π΅ΠΆΠΈΡ‚ Π² Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π΅ ΠΎΡ‚ 512 Π±Π°ΠΉΡ‚ Π΄ΠΎ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΠΈΠ»ΠΎΠ±Π°ΠΉΡ‚Π°. ΠšΡ€ΠΎΠΌΠ΅ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, для хранСния этой ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΡ‹ потрСбуСтся мСсто Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€ΠΈ самой Ρ„Π»ΡΡˆ-памяти. ΠžΠ±Ρ€Π°Π·Π΅Ρ† ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΡ‹ Π·Π°Π½ΠΈΠΌΠ°Π΅Ρ‚ ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 15KB, Π½ΠΎ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ нСбольшая Π΅Π΅ Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒ (ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 1KB) выгруТаСтся Π² ΠžΠ—Π£.

Π”Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠ΅ систСмноС Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ β€” Π°Π΄Π΅ΠΊΠ²Π°Ρ‚Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС программирования (VPP) для записи ΠΈ стирания. Π‘ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΠ½ΡΡ‚Π²ΠΎ соврСмСнных микросхСм Ρ„Π»ΡΡˆ-памяти Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅Ρ‚ ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‡ΠΈ 12V для внутрисистСмной записи ΠΈ стирания. НапримСр, микросхСмы сСмСйства SmartVoltage ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΡΡŽΡ‚ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ напряТСниС 5 Π’ для ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΉ записи ΠΈ стирания, Ссли источник 12 Π’ Π² систСмС отсутствуСт.

ΠšΡ€ΠΎΠΌΠ΅ 12V ΠΈ 5V SmartVoltage стандартов сущСствуСт тСхнология 3.3 Π’ SmartVoltage β€” микросхСмы Flash-памяти Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ 4 MΠ±ΠΈΡ‚, ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ Π°Ρ€Ρ…ΠΈΡ‚Π΅ΠΊΡ‚ΡƒΡ€Ρƒ Boot Block. Π­Ρ‚ΠΈ микросхСмы Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΡΡŽΡ‚ ΡΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΉ ряд ΠΈ ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΡΡŽΡ‚ Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠ°ΠΌ ΠΎΠΏΡ‚ΠΈΠΌΠΈΠ·ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΈ энСргопотрСблСниС Π·Π°ΠΏΠΎΠΌΠΈΠ½Π°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… устройств, ΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡΡΡŒ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΌ Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠΌ памяти. SmartVoltage β€” тСхнология, ΡΠΎΠ΅Π΄ΠΈΠ½ΡΡŽΡ‰Π°Ρ Π² сСбС свойства Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠΉ потрСбляСмой мощности, самого быстрого программирования ΠΈ СдинствСнного напряТСния питания Π² ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π΅. АрхитСктура Boot Block позволяСт ΡΠΎΠ²ΠΌΠ΅ΡΡ‚ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΈ ROM, Flash ΠΈΠ»ΠΈ EPROM ΠΈ EEPROM памяти Π² ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ микросхСмС.

Данная ΠΏΠ°ΠΌΡΡ‚ΡŒ позволяСт эффСктивно ΡƒΠ΄ΠΎΠ²Π»Π΅Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²ΠΎΡ€Π΅Ρ‡ΠΈΠ²Ρ‹Π΅ трСбования ΠΊ Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠ΅ издСлия, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡ напряТСния программирования VPP ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ΠΉ 5 Π’ ΠΈΠ»ΠΈ 12 Π’, ΠΈ VCC со значСниями 3.3 Π’ ΠΈΠ»ΠΈ 5 Π’ Π² любой ΠΊΠΎΠΌΠ±ΠΈΠ½Π°Ρ†ΠΈΠΈ. Π­Ρ‚ΠΎ позволяСт ΠΎΠΏΡ‚ΠΈΠΌΠΈΠ·ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ врСмя записи, выбирая напряТСниС VPP=l2 Π’, ΠΈΠ»ΠΈ Ρ†Π΅Π½Ρƒ устройства, Π²Ρ‹Π±Ρ€Π°Π² СдинствСнноС напряТСниС питания VΠ‘Π‘=VPP=5 Π’. Π”Π°Π½Π½ΠΎΠ΅ сСмСйство ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ самоС Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ΅ ΠΏΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π±Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ энСргии Π±Π΅Π· ΠΏΠΎΡ‚Π΅Ρ€ΡŒ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ. ΠŸΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π±Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ 150 ΠΌΠ’Ρ‚ Π½Π° 6 MΠ³Ρ†, 3V-read Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ Π½Π° 40% Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ эффСктивСн, Ρ‡Π΅ΠΌ 5V-only. Π”ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, SmartVoltage Flash Π² 3V-read Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ обСспСчиваСт доступ Π·Π° 110 нс, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π²Π΄Π²ΠΎΠ΅ быстрСС, Ρ‡Π΅ΠΌ Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠΈΠ΅ 3V-EEPROM. Π’Π΅ΠΏΠ΅Ρ€ΡŒ ΠΆΠ΅ Π΅Ρ‰Π΅ микросхСмы ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ Ρ€Π΅ΠΊΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€ΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΡƒΡŽ ΡˆΠΈΠ½Ρƒ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ…, поэтому ΠΈΡ… ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΡ‚ΡŒ ΠΊΠ°ΠΊ с 16bit, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΈ с 8bit микропроцСссорами.

Π’Π°ΠΊ, Ссли ΡΠΎΠ΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ‚ΡŒ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρ‹ VPP ΠΈ VCC, Ρ‚ΠΎ ΠΏΠ°ΠΌΡΡ‚ΡŒ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π»Π°Π³Π°Π΅Ρ‚ ΡΠ°ΠΌΡƒΡŽ Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΡƒΡŽ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΈ СдинствСнном напряТСнии питания. ΠŸΡ€ΠΈ ΠΏΠΈΡ‚Π°Π½ΠΈΠΈ ΠΎΡ‚ 5 Π’ SmartVortage обСспСчиваСт Ρ‡Ρ‚Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… Π·Π° 60 нс, ΠΈ запись Π·Π° 13 мкс, Ρ‡Ρ‚ΠΎ прСвосходит Ρ‚Π΅ ΠΆΠ΅ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ Ρƒ сопоставимых 5V-only ΠΈΠ·Π΄Π΅Π»ΠΈΠΉ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΉ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ. ΠšΡ€ΠΎΠΌΠ΅ этого, 3.3 Π’ SmartVoltage позволяСт ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΎΡ‚ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ° с СдинствСнным напряТСниСм питания ΠΊ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Π³ΠΈΠ±ΠΊΠΎΠΌΡƒ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΡƒ 3V-read/5V-write Π² ΠΏΠΎΡ€Ρ‚Π°Ρ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΉ Π°ΠΏΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π΅ Π±Π΅Π· Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Π·Π°Ρ‚Ρ€Π°Ρ‚ Π½Π° ΡΠ΅Ρ€Ρ‚ΠΈΡ„ΠΈΠΊΠ°Ρ†ΠΈΡŽ Flash-микросхСм. Для максимальной скорости программирования Π² процСссС производства, ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Ρ‹ SmartVoltage ΠΌΠΎΠ³Ρƒ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π·Π°ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Ρ‹ ΠΏΡ€ΠΈ VPP=12 Π’, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π²Π΄Π²ΠΎΠ΅ сокращаСт врСмя записи ΠΈ сниТаСт Π·Π°Ρ‚Ρ€Π°Ρ‚Ρ‹ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΈΠ·Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΡ… ΠΏΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠΉ Π°ΠΏΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹.

Π’Π°ΠΊ, Β«Π½ΠΎΠ²Ρ‹Π΅Β» микросхСмы Π²Ρ‹ΠΏΡƒΡΠΊΠ°ΡŽΡ‚ΡΡ Π² 44-Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… пластиковых корпусах (PSOP β€” Plastic Small Outline Package) ΠΈ 48-Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… корпусах с ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½Π½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠ»Ρ‰ΠΈΠ½ΠΎΠΉ (TSOP β€” Thin Small Outline Package), ΠΈ ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ Ρ€Π°Π·Π²ΠΎΠ΄ΠΊΡƒ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠ² Π² соотвСтствии со стандартом JEDEC, Ρ‡Ρ‚ΠΎ позволяСт Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±Π°Ρ‚Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΠ»Π°Ρ‚Ρ‹, Π½Π° ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡƒΡΡ‚Π°Π½ΠΎΠ²ΠΈΡ‚ΡŒ микросхСмы 2-8 MΠ±ΠΈΡ‚. Π’ настоящСС врСмя доступны микросхСмы с Ρ‚ΠΈΠΏΠ°ΠΌΠΈ ΡƒΠΏΠ°ΠΊΠΎΠ²ΠΊΠΈ, начиная Β«ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½Ρ‹ΠΌΒ» пластиковым Π²Π°Ρ€ΠΈΠ°Π½Ρ‚ΠΎΠΌ двухстороннСго располоТСния Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠ² (PDIP β€” Plastic Dual In-line Package) ΠΈ заканчивая соврСмСнным Β«ΠΌΠ°ΡΡˆΡ‚Π°Π±ΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹ΠΌΒ» Π²Π°Ρ€ΠΈΠ°Π½Ρ‚ΠΎΠΌ (SCP β€” Chip Scale Package), комбинируя для Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹Ρ… ситуаций ΡΡ‚Π΅ΠΏΠ΅Π½ΡŒ ΡƒΠΏΠ°ΠΊΠΎΠ²ΠΊΠΈ, расстояниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ, Π³Π°Π±Π°Ρ€ΠΈΡ‚Π½Ρ‹Π΅ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Ρ‹ ΠΈ, Π½Π°ΠΊΠΎΠ½Π΅Ρ†, условия эксплуатации. Π­Ρ‚ΠΈ микросхСмы ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ Ρ‚Ρƒ ΠΆΠ΅ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€Π΅Π½Π½ΡƒΡŽ Π΄Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ эксплуатациСй Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΡŽ Π·Π°ΠΏΠΎΠΌΠΈΠ½Π°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… ΠΌΠ°Ρ‚Ρ€ΠΈΡ† Π½Π° транзисторах с ΠΏΠ»Π°Π²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΌ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ (тСхнология Π•Π’ΠžΠ₯ IV β€” EPROM Tunnel OXide), ΠΈ поэтому ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ Ρ‚Π΅ ΠΆΠ΅ характСристики надСТности ΠΈ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ ΠΆΠΈΠ·Π½ΠΈ, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΈ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠ΅ микросхСмы Flash-памяти. Они ΠΏΡ€Π΅Π΄Π½Π°Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½Ρ‹ для ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΡ€ΡƒΠ³Π° ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΉ, Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ BIOS, сотовыС Ρ‚Π΅Π»Π΅Ρ„ΠΎΠ½Ρ‹, ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄Ρ‹ ТСстких дисков, point-of-sale Ρ‚Π΅Ρ€ΠΌΠΈΠ½Π°Π»Ρ‹, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π±Π»ΠΎΠΊΠΈ управлСния Π΄Π²ΠΈΠ³Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΌ ΠΈ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠΌΠΈ Π°Π²Ρ‚ΠΎΠΌΠΎΠ±ΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ систСмами.

Π˜Π½Ρ‚Π΅Ρ€Π΅ΡΠ½Ρ‹ΠΌ ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚ΠΎΠΌ являСтся вопрос пропадания питания Π²ΠΎ врСмя стирания ΠΈΠ»ΠΈ Π² процСссС обновлСния Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠΉ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ². Π‘ ситуациСй исчСзновСния питания ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π½Π°Π΄Π΅ΠΆΠ½ΠΎ ΡΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ, Π΄ΠΎΠ±Π°Π²ΠΈΠ² Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ поля ΠΊΠ°ΠΊ ΠΊ парамСтричСским, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΈ ΠΊ Π±Π»ΠΎΡ‡Π½Ρ‹ΠΌ записям. НапримСр, Π² Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΊ полям Parameter_Value ΠΈ Next_Record, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ Π²Π²Π΅Π»ΠΈ для парамСтричСской записи, ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡƒΡΡ‚Π°Π½ΠΎΠ²ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ»Π΅ статуса (Parameter_Status). Один Π±ΠΈΡ‚ поля состояния ΡƒΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ±Π½ΠΎΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π° Π½Π°Ρ‡Π°Π»ΠΎΡΡŒ, Π° Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΉ Π±ΠΈΡ‚ β€” Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ±Π½ΠΎΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π° Π·Π°Π²Π΅Ρ€ΡˆΠΈΠ»ΠΎΡΡŒ. Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, Ссли ΠΏΠΈΡ‚Π°Π½ΠΈΠ΅ исчСзнСт Π² процСссС ΠΌΠΎΠ΄ΠΈΡ„ΠΈΠΊΠ°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°, Ρ‚ΠΎ ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° ΠΏΠΈΡ‚Π°Π½ΠΈΠ΅ восстановится, ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡƒΠ·Π½Π°Ρ‚ΡŒ состояниС ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°. К ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Ρƒ, Ссли ΠΏΠΈΡ‚Π°Π½ΠΈΠ΅ появилось, ΠΈ Π²ΠΈΠ΄Π½ΠΎ ΠΏΠΎ Π±ΠΈΡ‚Π°ΠΌ состояния, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ±Π½ΠΎΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π° Π½Π°Ρ‡Π°Ρ‚ΠΎ, Π½ΠΎ Π½Π΅ Π·Π°ΠΊΠΎΠ½Ρ‡Π΅Π½ΠΎ, Ρ‚ΠΎ ΠΎΡ‚ΡΡŽΠ΄Π° слСдуСт, Ρ‡Ρ‚ΠΎ запись испорчСна ΠΈ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Π° Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ исправлСна. Π­Ρ‚Ρƒ ΠΆΠ΅ ΠΊΠΎΠ½Ρ†Π΅ΠΏΡ†ΠΈΡŽ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ Π² ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠΈ записи Block_Status, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π±Π°Ρ‚Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ ошибки ΠΏΡ€ΠΈ стирании, вслСдствиС прСрывания процСсса стирания ΠΈΠ·-Π·Π° ΠΎΡ‚ΠΊΠ°Π·Π° питания, Π»ΠΈΠ±ΠΎ ΠΈΠ·-Π·Π° пСрСсылки ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π±Π»ΠΎΠΊΠ°ΠΌΠΈ.

Π’ процСссС ΠΈΠ½ΠΈΡ†ΠΈΠ°Π»ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ опрСдСляСтся состояниС парамСтричСских Π±Π»ΠΎΠΊΠΎΠ². Π‘Ρ‡ΠΈΡ‚Π°Π² запись Block_Status, ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡƒΡΡ‚Π°Π½ΠΎΠ²ΠΈΡ‚ΡŒ, ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΉ Π±Π»ΠΎΠΊ Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π΅Π½ ΠΈ Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ Π»ΠΈ ΡΡ‚ΠΈΡ€Π°Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΉ-Π½ΠΈΠ±ΡƒΠ΄ΡŒ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΉ Π±Π»ΠΎΠΊ. Π’ ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚ ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠΉ ΠΈΠ½ΠΈΡ†ΠΈΠ°Π»ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ парамСтричСскиС Π±Π»ΠΎΠΊΠΈ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡΡ‚Π΅Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ ΠΈ ΡΡ„ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ для Π½ΠΈΡ… записи Block_Status.

Π Π°Π½Π΅Π΅ ΠΎΠ±ΡΡƒΠΆΠ΄Π°Π»ΠΎΡΡŒ, ΠΊΠ°ΠΊ Ρ‡ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Ρ„Π»ΡΡˆ-ΠΏΠ°ΠΌΡΡ‚ΡŒ Π½Π° ΠΏΠΎΠ±Π°ΠΉΡ‚Π½ΠΎΠΉ основС. Ѐлэш-ΠΏΠ°ΠΌΡΡ‚ΡŒ, Π² Π΄Π΅ΠΉΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ, допускаСт ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ Π½Π° ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ Π±ΠΈΡ‚ΠΎΠ² (ΠΈΠ»ΠΈ Π³Ρ€ΡƒΠΏΠΏΡ‹ Π±ΠΈΡ‚ΠΎΠ²) Π·Π° ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ Ρ€Π°Π·. Надо ΠΏΠΎΠΌΠ½ΠΈΡ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ Ρ„Π»ΡΡˆ-памяти β€” это процСсс Π·Π°ΠΌΠ΅Π½Ρ‹ логичСских Β«1Β» Π½Π° Β«0Β». ΠžΠ΄ΠΈΠ½ΠΎΡ‡Π½Ρ‹Π΅ Π±ΠΈΡ‚Ρ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π·Π°ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΡƒΡ‚Π΅ΠΌ маскирования ΠΎΡΡ‚Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Π±ΠΈΡ‚ΠΎΠ² Π² Π±Π°ΠΉΡ‚Π΅ ΠΈΠ»ΠΈ словС Β«Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ†Π°ΠΌΠΈΒ». ΠŸΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡΡΡŒ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΉ ΡƒΠ΄ΠΎΠ±Π½ΠΎΠΉ ΠΎΡΠΎΠ±Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ, ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΌΠΈΠ½ΠΈΠΌΠΈΠ·ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π·Π°Ρ‚Ρ€Π°Ρ‚Ρ‹ памяти, ΠΎΡ‚Π²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΠΉ ΠΏΠΎΠ΄ Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹Π΅ поля состояния.

ΠŸΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€ 1
1111 1111
0111 1111
0111 1111
Π‘ΠΎΠ΄Π΅Ρ€ΠΆΠ°Π½ΠΈΠ΅ памяти
ΠŸΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Π΅ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Π΅
Π Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰Π΅Π΅ состояниС памяти
ΠŸΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€ 2
0111 1111
1011 1111
0011 1111
Π‘ΠΎΠ΄Π΅Ρ€ΠΆΠ°Π½ΠΈΠ΅ памяти
ΠŸΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Π΅ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Π΅
Π Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰Π΅Π΅ состояниС памяти
ΠŸΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€ 3
0011 1111
0001 1111
0001 1111
Π‘ΠΎΠ΄Π΅Ρ€ΠΆΠ°Π½ΠΈΠ΅ памяти
ΠŸΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Π΅ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Π΅
Π Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰Π΅Π΅ состояниС памяти

ВрСмСнная Π΄ΠΈΠ°Π³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ° Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹

ДинамичСский Π°Π½Π°Π»ΠΈΠ· Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ систСмы Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒ Π΄Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ, Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΠ³ΠΎ для чтСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ², Π²Ρ‹Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ ΠΊΠΎΠ΄Π° ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΡ‹ Write/Erase Π² ΠžΠ—Π£, записи ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ², ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² Π² Π½ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Π±Π»ΠΎΠΊ ΠΈ стирания парамСтричСского Π±Π»ΠΎΠΊΠ°.

Π’ΠΎΡ‡Π½Ρ‹Π΅ значСния Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² зависят ΠΎΡ‚ особСнностСй Ρ€Π΅Π°Π»ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ систСмы. ΠšΡ€ΠΎΠΌΠ΅ Π·Π°Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠ΅ΠΊ самого ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π°, Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ½Ρ‹Π΅ Π·Π°Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΊΠΈ.

ВрСмя, Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΠ΅ для чтСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ², зависит ΠΎΡ‚ Π΄Π»ΠΈΠ½Ρ‹ записи ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π° ΠΈ количСства ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ², ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ придСтся ΡΡ‡ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ, ΠΏΡ€Π΅ΠΆΠ΄Π΅ Ρ‡Π΅ΠΌ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Π½Π°ΠΉΠ΄Π΅Π½Π° Π΄Π΅ΠΉΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Π°Ρ запись этого ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°. Π£ΠΌΠ½ΠΎΠΆΠΈΠ² число Π±Π°ΠΉΡ‚ΠΎΠ² ΠΈΠ»ΠΈ слов Π½Π° Π΄Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ†ΠΈΠΊΠ»Π° чтСния систСмы, ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Ρ€Π°ΡΡΡ‡ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ ΠΎΠ±Ρ‰Π΅Π΅ врСмя чтСния Π΄Π΅ΠΉΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°.

ΠŸΡ€ΠΈ Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½ΠΈΠΈ ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠΉ ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ записи ΠΈΠ»ΠΈ стирания (Write/Erase) Ρ„Π»ΡΡˆ-памяти, Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΈΠ· Π½Π΅Π΅ Π² ΠžΠ—Π£ ΠΊΠΎΠ΄ ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΡ‹, содСрТащий Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€Ρ‹ программирования ΠΈ стирания. ВрСмя, Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΠ΅ для этой ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ ΠΊΠΎΠ΄Π° Π² ΠžΠ—Π£, зависит ΠΎΡ‚ объСма ΠΊΠΎΠ΄Π° (ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ 1 KΠ±Π°ΠΉΡ‚ ΠΈΠ»ΠΈ мСньшС). Π£ΠΌΠ½ΠΎΠΆΠΈΠ² Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€ ΠΊΠΎΠ΄Π° Π½Π° Π΄Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ†ΠΈΠΊΠ»Π° записи, ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΠΌ Π΄Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π·Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ ΠΊΠΎΠ΄Π° Π² ΠžΠ—Π£.

Для опрСдСлСния максимального Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ, Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎΡΡ для записи ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°, Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ Π²ΠΎΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π΅ΠΌ записи слова ΠΈΠ»ΠΈ Π±Π°ΠΉΡ‚Π° для Π½Π°ΠΈΡ…ΡƒΠ΄ΡˆΠ΅Π³ΠΎ случая, ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ Π² спСцификации Π½Π° ИБ Ρ„Π»ΡΡˆ-памяти. Π£ΠΌΠ½ΠΎΠΆΠΈΠ² максимальноС врСмя записи слова Π½Π° количСство слов Π² записи ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°, ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡƒΠ·Π½Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π°ΠΈΡ…ΡƒΠ΄ΡˆΠ΅Π΅ врСмя записи ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°.

ΠŸΠΎΠ½ΡΡ‚Π½ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ врСмя ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Π΄Π΅ΠΉΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² ΠΈΠ· ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π±Π»ΠΎΠΊΠ° (парамСтричСского) Π² Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΉ зависит ΠΎΡ‚ количСства Ρ…Ρ€Π°Π½ΠΈΠΌΡ‹Ρ… ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ². Если эта опСрация выполняСтся ΠΊΠ°ΠΊ Π·Π°Π΄Π°Ρ‡Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π½Π΅Π³ΠΎ ΠΏΠ»Π°Π½Π°, Ρ‚ΠΎ Π½Π° Π½Π΅Π΅ потрСбуСтся Π±Π»ΠΎΠΊ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ, состоящий ΠΈΠ· Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ чтСния Π΄Π΅ΠΉΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² ΠΈ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ записи этих ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² Π² Π½ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Π±Π»ΠΎΠΊ. Π­Ρ‚Ρƒ ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΡŽ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Ρ€Π°ΡΡΠΌΠ°Ρ‚Ρ€ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°ΠΊ часто Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½ΡΠ΅ΠΌΡƒΡŽ Ρ„ΠΎΠ½ΠΎΠ²ΡƒΡŽ Π·Π°Π΄Π°Ρ‡Ρƒ. Для Ρ‚Π΅Ρ… ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΉ, Π³Π΄Π΅ извСстна Π΄Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ выполнСния основного ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ†ΠΈΠΊΠ»Π°, опСрация ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½ΡΡ‚ΡŒΡΡ исходя ΠΈΠ· Π½Π°Π»ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ Π² ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π°Ρ… ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ†ΠΈΠΊΠ»Π°, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡Π° ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² начинаСтся, Π° Π·Π°Ρ‚Π΅ΠΌ приостанавливаСтся Π² ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚Ρ‹, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° врСмя основного Ρ†ΠΈΠΊΠ»Π° ΠΏΠΎΠ΄Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ ΠΊΠΎΠ½Ρ†Ρƒ. ΠœΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π±ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ нСсколько основных Ρ†ΠΈΠΊΠ»ΠΎΠ² для ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΠΉ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ всСх ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² Π² Π½ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Π±Π»ΠΎΠΊ Ρ„Π»ΡΡˆ-памяти. ΠžΠ±Ρ‰Π΅Π΅ врСмя выполнСния Π·Π°Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Π·Π°Π²ΠΈΡΠ΅Ρ‚ΡŒ ΠΎΡ‚ рСсурса Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ, доступного Π² ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠΌ Ρ†ΠΈΠΊΠ»Π΅ ΠΈ ΠΎΡ‚ количСства Π²Ρ‹Π·ΠΎΠ²ΠΎΠ² Ρ†ΠΈΠΊΠ»Π°, Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΠ³ΠΎ для Π·Π°Π²Π΅Ρ€ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ.

Как ΠΈ Π² случаС ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ², стираниС Π±Π»ΠΎΠΊΠ° ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Ρ€Π°ΡΡΠΌΠ°Ρ‚Ρ€ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°ΠΊ Π·Π°Π΄Π°Ρ‡Ρƒ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π½Π΅Π³ΠΎ ΠΏΠ»Π°Π½Π° ΠΈΠ»ΠΈ ΠΊΠ°ΠΊ Ρ„ΠΎΠ½ΠΎΠ²ΡƒΡŽ. Π’ случаС Ρ„ΠΎΠ½ΠΎΠ²ΠΎΠΉ Π·Π°Π΄Π°Ρ‡ΠΈ, ΠΎΠ±Ρ‰Π΅Π΅ врСмя стирания зависит ΠΎΡ‚ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρ‹ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ Β«ΠΎΠΊΠ½Π°Β» Π² Ρ€Π°ΠΌΠΊΠ°Ρ… ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ†ΠΈΠΊΠ»Π°. Число Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΡ‹Ρ… Π²Ρ‹Π·ΠΎΠ²ΠΎΠ² опрСдСляСтся ΠΏΡƒΡ‚Π΅ΠΌ дСлСния ΠΎΠ±Ρ‰Π΅Π³ΠΎ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ стирания Π½Π° Π΄Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ, доступного Π² ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π°Ρ… ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠ³ΠΎ Ρ†ΠΈΠΊΠ»Π°. Π£ΠΌΠ½ΠΎΠΆΠΈΠ² число Π²Ρ‹Π·ΠΎΠ²ΠΎΠ² Ρ†ΠΈΠΊΠ»Π° Π½Π° Π΄Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ†ΠΈΠΊΠ»Π°, ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΠΌ ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΠ΅ врСмя стирания парамСтричСского Π±Π»ΠΎΠΊΠ°.

Π’Π°ΠΊ, для микросхСм Ρ„Π»ΡΡˆ-памяти Ρ‚ΠΈΠΏΠ° Boot Block Π² спСцификации гарантируСтся Π½Π΅ ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅ 100 тысяч Ρ†ΠΈΠΊΠ»ΠΎΠ² стирания. Как это влияСт Π½Π° Ρ…Ρ€Π°Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² (Ρ†ΠΈΠΊΠ»ΠΈΡ‡Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ), Π»Π΅Π³ΠΊΠΎ Ρ€Π°ΡΡΡ‡ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ, воспользовавшись Π²Ρ‹Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ:
100000 Cycles=[8KB-(Block_Record size)/Parameter_Record size]*number of Parameter_Record

Π­Ρ‚ΠΎ ΡƒΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Ρ€Π΅ΡˆΠΈΡ‚ΡŒ ΠΊΠ°ΠΊ для искомого числа записСй ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ², Ρ‚Π°ΠΊ ΠΈ для Π΄Π»ΠΈΠ½Ρ‹ поля Parameter_Record, Π² зависимости ΠΎΡ‚ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ извСстно. По ΡΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΡŽ с EEPROM ΡƒΡΡ‚ΠΎΠΉΡ‡ΠΈΠ²ΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ„Π»ΡΡˆ-памяти ΠΊ Ρ€Π΅-ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΡŽ Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅.

Π—Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅

Π’ настоящСй ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΠ΅ Π±Ρ‹Π»ΠΈ описаны основныС ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚Ρ‹ ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ½Ρ‹Ρ… ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΎΠ² эмуляции ΠΏΠΎΠ±Π°ΠΉΡ‚ΠΎΠ²ΠΎΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ с использованиСм Π΄Π²ΡƒΡ… парамСтричСских Π±Π»ΠΎΠΊΠΎΠ² Ρ„Π»ΡΡˆ-памяти. Π Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΈ систСм, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡ для хранСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² вмСсто EEPROM парамСтричСскиС Π±Π»ΠΎΠΊΠΈ микросхСм Boot Block, ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ ΡΠ½ΠΈΠ·ΠΈΡ‚ΡŒ ΡΡ‚ΠΎΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΈ ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡΠΈΡ‚ΡŒ Π½Π°Π΄Π΅ΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ своих систСм. Π’Π°ΠΊ, ΡƒΠΆΠ΅ Π΄Π°Π²Π½ΠΎ осознали прСимущСства ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° ΠΎΡ‚ микросхСм, стираСмых Ρ†Π΅Π»ΠΈΠΊΠΎΠΌ, ΠΊ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π°ΠΌ, основанным Π½Π° Π±Π»ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠΉ Π°Ρ€Ρ…ΠΈΡ‚Π΅ΠΊΡ‚ΡƒΡ€Π΅. Ѐлэш-ΠΏΠ°ΠΌΡΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΈΠΏΠ° Bulk Erase, изготавливаСмая ΠΏΠΎ ΡƒΡΡ‚Π°Ρ€Π΅Π²ΡˆΠ΅ΠΉ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ, пСрСстала ΠΌΠΎΠ΄Π΅Ρ€Π½ΠΈΠ·ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ ΠΈ ΡƒΠΆΠ΅ Π΄Π°Π²Π½ΠΎ вытСснСна Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ соврСмСнными сСмСйствами.

Устройство Ρ„Π»Π΅ΡˆΠΊΠΈ ΠΈ ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚Ρ‹ памяти

ΠšΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€ Ρ„Π»Π΅ΡˆΠΊΠΈ

НаиболСС слоТной ΠΈ Π·Π°Π³Π°Π΄ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠΉ Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒΡŽ Ρ„Π»Π΅ΡˆΠΊΠΈ являСтся, бСзусловно, Π΅Ρ‘ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€.

ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ Π΅Π³ΠΎ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΈ β€” Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π° с микросхСмами памяти (Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΉ постраничного чтСния, Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€ΠΊΠΈ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ…, ΠΏΠΎΠ±Π»ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠΉ записи, Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ‰Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΈ адрСсация Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… Π² Π½Π΅ΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΈΡ… микросхСмах памяти, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠ΅ ΡΠΏΠ΅Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΈ) ΠΈ прСдоставлСниС интСрфСйса ΠΊ хост-устройству.

Когда поступаСт ΠΊΠΎΠΌΠ°Π½Π΄Π° Π½Π° Ρ‡Ρ‚Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ ячСйки Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ…, ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒ Π² ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΉ микросхСмС находится данная ячСйка, Π² ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΌ Π±Π»ΠΎΠΊΠ΅ этой микросхСмы, Π² ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΉ страницС Π±Π»ΠΎΠΊΠ°, ΠΈ Π·Π°Ρ‚Π΅ΠΌ собствСнно адрСс ячСйки Π² страницС. ΠŸΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ считываниС Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ страницы Ρ†Π΅Π»ΠΈΠΊΠΎΠΌ, ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€ считываСт Π΅Ρ‘ Π² свой Π±ΡƒΡ„Π΅Ρ€, Π½Π°Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ Π² Π½Π΅ΠΉ Π½ΡƒΠΆΠ½ΡƒΡŽ ячСйку, ΠΈ отправляСт Π΅Ρ‘ содСрТимоС хост-устройству.

ΠŸΡ€ΠΈ поступлСнии ΠΊΠΎΠΌΠ°Π½Π΄Ρ‹ Π½Π° запись Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ находится Π½ΡƒΠΆΠ½Ρ‹ΠΉ Π±Π»ΠΎΠΊ, Π½ΠΎ, Π½Π° этот Ρ€Π°Π·, ΠΎΠ½ считываСтся Π½Π΅ постранично, Π° – Ρ†Π΅Π»ΠΈΠΊΠΎΠΌ. Π—Π°Ρ‚Π΅ΠΌ Π² Π±ΡƒΡ„Π΅Ρ€Π΅ производятся Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΡ‹Π΅ измСнСния, Π±Π»ΠΎΠΊ ΠΈΠ· микросхСмы Ρ†Π΅Π»ΠΈΠΊΠΎΠΌ стираСтся ΠΈ вновь записываСтся ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ Π±Π»ΠΎΠΊ ΠΈΠ· Π±ΡƒΡ„Π΅Ρ€Π° ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Π°.

ΠšΡ€ΠΎΠΌΠ΅ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, для выравнивания износа Π±Π»ΠΎΠΊΠΎΠ², ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€ пСриодичСски ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π½Π°Π·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚ ΠΈΡ… (ΠΏΠΎ сути β€” мСняСт мСстами). Π’ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ Ρ‡Π΅Π³ΠΎ достигаСтся достаточно Ρ€Π°Π²Π½ΠΎΠΌΠ΅Ρ€Π½Ρ‹ΠΉ износ ΠΏΠΎ Ρ†ΠΈΠΊΠ»Π°ΠΌ записи, ΠΈ микросхСмы памяти, Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, слуТат дольшС. ΠšΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€ слСдит Π·Π° состояниСм ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠ³ΠΎ Π±Π»ΠΎΠΊΠ° Π² ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ, ΠΈ Ссли ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΉ-Π»ΠΈΠ±ΠΎ ΠΈΠ· Π±Π»ΠΎΠΊΠΎΠ² прСвысил допустимоС количСство Ρ†ΠΈΠΊΠ»ΠΎΠ² пСрСзаписи β€” ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ Β«Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Ρ‡Ρ‚Π΅Π½ΠΈΠ΅Β» β€” Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ ΡΡ‡ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ с Π½Π΅Π³ΠΎ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ, Π° Π·Π°ΠΏΠΈΡΠ°Ρ‚ΡŒ ΡƒΠΆΠ΅ нСльзя. Π’Π°ΠΊΠΈΠ΅ Π½Π°ΠΊΠΎΠΏΠΈΡ‚Π΅Π»ΠΈ Π½Π΅ ΠΏΡ€ΠΈΠ³ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ для дальнСйшСго использования.

Π’ этом случаС слСдуСт ΡΠΊΠΎΠΏΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ с носитСля, ΠΈ Π·Π°ΠΌΠ΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ Π΅Π³ΠΎ.

ΠšΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Π² сСбС ΠΏΡ€ΠΎΡˆΠΈΠ²ΠΊΡƒ, Ρ‚Π°Π±Π»ΠΈΡ†Ρ‹ ΠΊΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈ хранят Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€ΠΈ сСбя Ρ‚Π°Π±Π»ΠΈΡ†Ρ‹ износа Π±Π»ΠΎΠΊΠΎΠ² памяти, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ мноТСство Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΉ слуТСбной ΠΈΠ½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΠΈ. Π Π°Π·Π½ΠΎΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΈΠ΅ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€ΠΎΠ² ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ Π²Π΅Π»ΠΈΠΊΠΎ, Π° ΠΈΡ… вСрсий просто бСсчислСнноС мноТСство. Π’ связи с этим, ΠΏΡ€ΠΈ любом ΠΏΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΆΠ΄Π΅Π½ΠΈΠΈ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Π°, ΠΈΡΠΊΠ°Ρ‚ΡŒ Π΅ΠΌΡƒ Π·Π°ΠΌΠ΅Π½Ρƒ для восстановлСния ΠΈΠ½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΠΈ бСссмыслСнно.

ЀлСш ΠΏΠ°ΠΌΡΡ‚ΡŒ микросхСм ΠΎΡ‚ ΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ памяти Flash

ЀлСш ΠΏΠ°ΠΌΡΡ‚ΡŒΠ€Π»Π΅Ρˆ ΠΏΠ°ΠΌΡΡ‚ΡŒ

ЀлСш ΠΏΠ°ΠΌΡΡ‚ΡŒ микросхСм популярных ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ

ΠœΠΈΠΊΡ€ΠΎΡΡ…Π΅ΠΌΡ‹ FLASH памяти Alliance

Part N

Density

Organization

Voltage
(V)

Speeds
(ns)


Packages

Sector

AS29F002

2M

256Kx8

5

55, 70, 90, 120

TSOP, PLCC, PDIP

Boot

AS29F200

2M

256Kx8; 128Kx16

5

55, 70, 90, 120

TSOP, SO
AS29LV800

8M

1Mx8; 512Kx16

3.3

80, 100, 120, 150

TSOP, SO

ΠœΠΈΠΊΡ€ΠΎΡΡ…Π΅ΠΌΡ‹ FLASH памяти Catalyst

Part N

Density

Organization

Voltage
(V)

Speeds
(ns)

Packages

Sector

AS29F002

2M

256Kx8

5

55, 70, 90, 120

TSOP, PLCC, PDIP

Boot

AS29F200

2M

256Kx8; 128Kx16

5

55, 70, 90, 120

TSOP, SO
AS29LV800

8M

1Mx8; 512Kx16

3.3

80, 100, 120, 150

TSOP, SO

ΠœΠΈΠΊΡ€ΠΎΡΡ…Π΅ΠΌΡ‹ FLASH памяти Hitachi

Part N

Capacy
(bit)

Confign
(word x bit)

Access
time
(ns)

Version

Power supply

Package

HN29V51211

512M

64M x 8

50

-50

2.7V to 3.6V

TSOP48

HN29W25611

256M

32M x 8

50

-50H

3.3V Β± 0.3V

TSOP48

HN29W25611T

50

-50

3.3VΒ±0.3V / 5VΒ±0.5V

HN29W12811T

128M

8M x 8 x 2

60

-60

3.3VΒ±0.3V / 5VΒ±0.5V

TSOP48

HN29W12814ATT

50

-50

3.3VΒ±0.3V / 5VΒ±0.5V

ΠœΠΈΠΊΡ€ΠΎΡΡ…Π΅ΠΌΡ‹ FLASH памяти Mosel Vitelic

Density

Part N

Organization

Supply
(V)

Speed
(ns)

Icc max
(ma)

Isb max
(Β΅A)

Package

Flash Memory (EPROM/OTP Replacement)

512K

V29LC51000

64K x 8

5

90

50

100

P, J

1 Meg

V29LC51001

128K x 8

5

90

50

100

P, J

2 Meg

V29LC51002

256K x 8

5

90

50

100

P, J

Flash Memory (Standard)

512K

V29C51000

64K x 8

5

45, 70, 90

50

100

P, J, T

1 Meg

V29C51001

128K x 8

5

45, 70, 90

50

100

P, J, T

2 Meg

V29C51002

256K x 8

5

55, 90

50

100

P, J, T

V29C51200

128K x 16/ 256K x 8

5

70, 90

TBD

TBD

T

V29C31200

128K x 16/ 256K x 8

3

90, 120

TBD

TBD

T

4 Meg

V29C51004

512K x 8

5

70, 90

50

100

J, T

V29C31004

512K x 8

3

90, 120

30

10

J, T

V29C51400

256K x 16/ 512K x 8

5

70, 90, 120

50

100

T

V29C31400

256K x 16/ 512K x 8

3

90, 120

TBD

TBD

T

ΠœΠΈΠΊΡ€ΠΎΡΡ…Π΅ΠΌΡ‹ FLASH памяти Winbond

Flash Memories (Page Write)

Part N

Density

Supply
(V)

Organization

Access Time

Page Size

Packages

W29EE512

512K

5V

64K x 8

70,90 nS

128 bytes

PLCC 32, TSOP 32 (70 nS only)

W29EE011

1M

5V

128K x 8

90, 150 nS

128 bytes

PLCC 32, TSOP 3 2

W29C020C

2M

5V

256K x 8

90, 120 nS

128 bytes

DIP 32, PLCC 32, TSOP 32

W29C040

4M

5V

512K x 8

90, 120 nS

256 bytes

PLCC 32, TSOP 32, DIP32

Flash Memories (Block Erase, Word/Byte Program)

Part N

Density

Supply
(V)

Organization

Access Time

Packages

W49F102

1M

5V

64K x 16

40, 45 nS

PLCC 44, TSOP 40

W49L102

3V

64K x 16

70 nS

PLCC 44, TSOP 40

W49F002U

2M

5V

256K x 8

70, 90 nS

DIP 32, PLCC 32, TSOP 32

W49F020

70, 90 nS

DIP 32, PLCC 32, TSOP 32

W49F201

128K x 16

45, 55 nS

SOP 44, TSOP 48

W49L201

3.3V

128K x 16

70, 90 nS

SOP 44, TSOP 48

W49V002

33MHz

PLCC32, TSOP 32

ΠœΠΈΠΊΡ€ΠΎΡΡ…Π΅ΠΌΡ‹ FLASH памяти Toshiba

Flash β€” SmartMedia

Products

Density
Mbits

Organization

Page Size,
bytes

Block Size,
bytes

Voltage

Erase
Speed,
ms (typ)

Time To
Program
(typ)

Write/Erase
Endurance
Cycles

Serial
Access
Read,
ns

TC58128DC

128

16M x 8

512 + 16

16 KB

3.3

2

200Β΅s

250K

50

TC5816BDC

16

2MB x 8

256+8

4K + 128

5.0

6

1.2Β΅s/byte

250,000

80

TC58256DC

256

32 MB x 8

512 + 16

16K + 512

3.3

3

0.4Β΅s/byte

1,000,000

50

TC5832DC

32

4MB x 8

512+16

8K + 256

5.0

6

0.6Β΅s/byte

1,000,000

50

TC58V16BDC

16

2MB x 8

256+8

4K + 128

3.3

6

1.2Β΅s/byte

250,000

80

TC58V32ADC

32

4MB x 8

512+16

8K + 256

3.3

6

0.6Β΅s/byte

1,000,000

50

TC58V64DC

64

8MB x 8

512+16

8K + 256

3.3

2

0.4Β΅s/byte

1,000,000

50

TH58512DC

512

64M x 8

512 + 16

16 KB

3.3

2

200Β΅s

250K

50

TH58V128DC

128

16MB x 8

512 + 16

16K + 512

3.3

2

0.4Β΅s/byte

1,000,000

50

Flash β€” NOR

Products

Organization

Speed

Vcc

Standby Icc Max (uA)

Read Icc Max (mA)

Boot Block

Pkg-Pins

TC58FVB160

2M x 8/1M x 16

85/100/120ns

3.3

10

30

Bottom

FT-48

TC58FVT160

2M x 8/1M x 16

85/100/120ns

3.3

10

30

Top

FT-48

TC58FYB160

2M X 8/1M X 16

120/150ns

1.8

5

30

Bottom

FT-48

TC58FYT160

2M X 8/1M X 16

120/150ns

1.8

5

30

Top

FT-48

Flash – NAND

Products

Organization

Access Speed

Voltage

Program
Icc-Avg.
mA

Erase
Icc-Avg.
mA

Page Size

Block Size

Package

Random,
Β΅s

Serial,
ns

TC5816BFT

2M X 8

25

80

5

40

20

264

TSOP-2 44 pin

4kB

TC58V32AFT

4M X 8

10

50

3-5

40

20

528

TSOP-2 44 pin

8kB

TC58V16BFT

2M X 8

25

80

3.3

40

20

264

TSOP-2 44 pin

4kB

TC58V32AFT

4M X 8

10

50

3-5

40

20

528

TSOP-2 44 pin

8kB

TC58V64FT

8Mx8

7

50

3.3

10

10

528

TSOP-2 44 pin

8kB

TH58V128FT

16M X 8

7

50

3.3

10

10

528

TSOP-2 44 pin

16kB

TC58128FT

16M X 8

25

50

3.3

10

10

528

TSOP-1 48 pin

16kB

TC58256FT

32M X 8

10

50

3.3

10

10

528

TSOP-1 48 pin

16kB

TH58512FT

64M X 8

25

50

3.3

10

10

528

TSOP-1 48 pin

16kB

ΠœΠΈΠΊΡ€ΠΎΡΡ…Π΅ΠΌΡ‹ FLASH памяти STMicroelectronics

Type

Size,
bits

Organisation

Speed,
ns

Package

Notes

Single Supply 5V

M29F512B

512Kb

64K x 8

45,70

PLCC32, TSOP32BBulk
M29F010B

1Mb

128K x 8

45-120

PDIP32, PLCC32, TSOP32AUniform Block
M29F100BT

128K x 8/64K x 16

45-120

TSOP48, SO44Top Boot
M29F100BB

128K x 8/64K x 16

45-120

TSOP48, SO44Bottom Boot
M29F102BB

128K x 16

35-70

PLCC44, TSOP40BBottom Boot
M29F002BNT

2Mb

256K x 8

45-120

PDIP32, PLCC32, TSOP32ANo RP, Top Boot
M29F002BT

256K x 8

45-120

PDIP32, PLCC32, TSOP32ATop Boot
M29F002BB

256K x 8

45-120

PDIP32, PLCC32, TSOP32ABottom Boot
M29F200BT

256K x 8/128K x 16

45-90

TSOP48, SO44Top Boot
M29F200BB

256K x 8/128K x 16

45-90

TSOP48, SO44Bottom Boot
M29F040B

4Mb

512K x 8

45-90

DIP32, PLCC32, TSOP32AUniform Block
M29F400BT

512K x 8/256K x 16

45-90

TSOP48, SO44Top Boot
M29F400BB

512K x 8/256K x 16

45-90

TSOP48, SO44Bottom Boot
M29F080A

8Mb

1M x 8

55-120

TSOP40A, SO44Uniform Block
M29F800AT

1M x 8/512K x 16

55-90

TSOP48, SO44Top Boot
M29F800AB

1M x 8/512K x 16

55-90

TSOP48, SO44Bottom Boot
M29F016B

16Mb

2M x 8

55-90

TSOP40A, SO44Uniform Block
M29F160BT

2M x 8/1M x 16

55-90

TSOP48Top Boot
M29F160BB

2M x 8/1M x 16

55-90

TSOP48Bottom Boot

Single Supply 3V

M29W512B

512Kb

64K x 8

55-120

PLCC32, TSOP32BBulk
M29W010B

1Mb

128K x 8

45-90

PLCC32, TSOP32AUniform Block
M29W102BT

128K x 16

50-90

TSOP40BTop Boot
M29W102BB

128K x 16

50-90

TSOP40BBottom Boot
M29W002BT

2Mb

256K x 8

55-90

TSOP40ATop Boot
M29W002BB

256K x 8

55-90

TSOP40ABottom Boot
M29W022BT

256K x 8

50-90

TSOP32B, PLCC32Top Boot
M29W022BB

256K x 8

50-90

TSOP32B, PLCC32Bottom Boot
M29W200BT

256K x 8/128K x 16

55-120

TSOP48, SO44Top Boot
M29W200BB

256K x 8/128K x 16

55-120

TSOP48, SO44Bottom Boot
M29W004BT

4Mb

512K x 8

55-120

TSOP40ATop Boot
M29W004BB

512K x 8

55-120

TSOP40ABottom Boot
M29W040B

512K x 8

55-120

PLCC32, TSOP32A, TSOP32BUniform Block
M29W400BT

512K x 8/256K x 16

55-120

TSOP48, SO44, FBGA48Top Boot
M29W400BB

512K x 8/256K x 16

55-120

TSOP48, SO44, FBGA48Bottom Boot
M29W008AT

8Mb

1M x 8

80-120

TSOP40ATop Boot
M29W008AB

1M x 8

80-120

TSOP40ABottom Boot
M29W800AT

1M x 8/512K x 16

80-120

TSOP48, SO44, FBGA48Top Boot
M29W800AB

1M x 8/512K x 16

80-120

TSOP48, SO44, FBGA48Bottom Boot
M29W116BT

16Mb

2M x 8

70-120

TSOP40ATop Boot
M29W116BB

2M x 8

70-120

TSOP40ABottom Boot
M29W160BT

2M x 8/1M x 16

70-120

TSOP48, SO44, FBGA48Top Boot
M29W160BB

2M x 8/1M x 16

70-120

TSOP48, SO44, FBGA48Bottom Boot
SMD ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Ρ‹

alexxlab

Π”ΠΎΠ±Π°Π²ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠΌΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ€ΠΈΠΉ

Π’Π°Ρˆ адрСс email Π½Π΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΎΠΏΡƒΠ±Π»ΠΈΠΊΠΎΠ²Π°Π½. ΠžΠ±ΡΠ·Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ поля ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ‡Π΅Π½Ρ‹ *