. Условные обозначения транзисторов обоих типов в электрических схемах приведены на рис.10.9. Кружок у транзистора типа означает, что кристалл помешен в корпус.
Изображение транзистора типа бескорпусное. Оно чаще применяется в интегральных схемах.
Для нормальной работы биполярного транзистора напряжение на его электроды следует подать так, чтобы эмиттерный переход был включен в прямом направлении, а коллекторный переход — в обратном.
Принцип работы биполярного транзистора основан на изменении сопротивления обратносмещенного коллекторного перехода за счет инжекции в него неосновных носителей тока (от англ, — преобразование резистора).
Сопротивление
обратносмещенного
перехода очень велико — несколько мегаом
и более. Но обратносмеценный переход
оказывает большое сопротивление только
потокам основных носителей тока,
неосновные же носители проходят его,
практически не встречая сопротивления.
Поэтому при достаточно высоком уровне
интенции можно значительно увеличить
ток в обратносмещенном
переходе и тем самым снизить его
сопротивление.
На рис.10.10, приведена вольт-амперная характеристика коллекторного перехода, включенного в обратном направлении при отключенном эмиттере.
Обратный ток коллектора обычно не превышает десятка микроампер и весьма слабо зависит от приложенного напряжения, т.к. определяется главным образом исходным материалом кристалла.
Если включить оба перехода, как это показано на рис.10.10, то за счет инжекции дырок из эмиттврного перехода в коллекторный переход ток коллектора уже будет определяться током эмиттера. Конечно, не все неосновные носители, введенные в базу из эмиттера, доходят до коллектора. Часть их создает ток в цепи база — эмиттер.
Иными словами, ток эмиттера как бы разветвляется на две части — ток коллектора и тон базы : .
Обычно зависимость от выражается через коэффициент передачи тока, который обозначается буквой альфа: . В современных транзисторах величина находится в пределах 0,9 0,998. Если выразим ток через , получим:
.
Отсюда
следует . (*)
Таким образом, изменяя величину тока базы, мы управляем током коллектора.
Усиление транзистора по току зависит от схемы включения транзистора. В зависимости от того, какой из трех электродов транзистора является общим для цепей двух других электродов, различаются три основные схемы включения: с общей базой ( ), общим эмиттером ( ) и общим коллектором ( ).
В настоящей работе исследуются статические характеристики транзистора, включенного по схеме о общим эмиттером. Для этого используется измерительная установка, схема которой приведена на рис. 10.II.
1. Включить источники питания. Напряжение в цепях база-эмиттер и коллектор-эмиттер производится потенциометрами, расположенными на передней панели установки.
2. Снять две входные характеристики при двух различных значения напряжения интервале 0 6 В. Построить графики .
3.
Установить ток базы .
Снять зависимость ,
увеличивая
с помощью потенциометра
и поддерживая
постоянным с помощью .
3 — 8 мА. Закончив измерения, уменьшить напряжения и токи в схеме до минимума.
4. Представить на графике полученное семейство выходных характеристик. С помощью графика определить коэффициент усиления транзистора по току по формуле
(5 6 значений).
5. Используя соотношение (*) , из которого следует, что
,
выразить коэффициент передачи тока через и определить 5-6 значений .
6. Сделать выводы по работе.
Таблица результатов
Таблица 1
Входные характеристики | Выходные характеристики | ||||||||
=0В | =5В | =1мА | =2мА | =6мА | |||||
, | , В | , | , В | , | , В | , | , В | , | |
Транзистор кт315 обозначение на схеме.
Цветовая и символьно – цветовая маркировка транзисторовТранзистор выступает основным компонентом любой электрической схемы. Он является своего рода усилительным ключом. В основе этого полупроводникового прибора находится кремниевый или германиевый кристалл. Транзисторы бывают однополярными и двухполярными и, соответственно, полевыми и биполярными. По типу проводимости они встречаются двух видов — прямые и обратные. Для начинающих радиолюбителей основной проблемой становится распознавание и расшифровка кодировки этих элементов. В нашей статье мы рассмотрим основные виды записи как отечественных, так и зарубежных изделий, а также разберем, что означает маркировка транзисторов.
Виды записи
Производители транзисторов применяют два основных типа шифрования — это цветовая и кодовая маркировки. Однако ни один, ни другой не имеют единых стандартов. Каждый завод, производящий полупроводниковые приборы (транзисторы, диоды, стабилитроны и т. д.), принимает свои кодовые и цветовые обозначения.
Можно встретить транзисторы одной группы и типа, изготовленные разными заводами, и маркированы они будут по-разному. Или наоборот: элементы будут различными, а обозначения на них — идентичными. В таких случаях различать их можно только по дополнительным признакам. Например, по длине выводов эмиттера и коллектора либо по окраске противоположной (или торцевой) поверхности. Маркировка ничем не отличается от меток на других приборах. Такая же ситуация и с полупроводниковыми элементами зарубежного производства: каждым заводом-изготовителем применяются свои типы обозначений.
Транзисторы в корпусе типа КТ-26
Рассмотрим, что означает маркировка транзисторов отечественного производства. Данный тип корпуса наиболее популярен среди производителей полупроводниковых приборов. Он имеет форму цилиндра с одной скошенной стороной, три вывода выходят из нижнего основания. В данном случае используют принцип смешанной маркировки, содержащий и кодовые символы, и цветовые. На верхнее основание наносят цветную точку, означающую группу транзистора, а на скошенную сторону — кодовый символ или цветную точку, соответствующие типу прибора.
Кроме типа, могут наноситься год и месяц выпуска.
Для обозначения группы используется следующая цветная маркировка транзисторов: группе А соответствует темно-красная точка, Б — желтая, В — темно-зеленая, Г — голубая, Д — синяя, Е — белая, Ж — темно-коричневая, И — серебристая, К — оранжевая, Л — светло-табачная, М — серая.
Тип обозначают посредством указанных ниже символов и красок.
Маркировка года и месяца изготовления
В соответствии с ГОСТ 25486-82, для обозначения даты используют две буквы или букву и цифру. Первый символ соответствует году, а второй — месяцу. Такой вид кодирования применяется не только для транзисторов, но и для других отечественных полупроводниковых элементов. На зарубежных приборах дата обозначается четырьмя цифрами, первые две из которых соответствуют году, а последние — номеру недели. Рассмотрим, что означает кодовая маркировка транзисторов, соответствующая дате изготовления. Год выпуска/символ: 1986 — U, 1987 — V, 1988 — W, 1989 — X, 1990 — А, 1991 — В, 1992 — С, 1993 — D, 1994 — Е, 1995 — F, 1996 — Н, 1997 — I, 1998 — К, 1999 — L, 2000 — М и т.
д. Месяц выпуска: первые девять месяцев соответствуют цифрам от 1 до 9 (январь — 1, февраль — 2), а последние — начальным буквам слова: октябрь — О, ноябрь — N, декабрь — D.
Транзисторы в корпусе типа КТ-27
На эти полупроводниковые элементы принято наносить либо буквенно-цифровой код, либо шифр, состоящий из геометрических фигур. Рассмотрим, что означает графическая маркировка транзисторов.
- КТ972А — один «лежачий» прямоугольник.
- КТ972Б — два прямоугольника: левый лежит, правый стоит.
- КТ973А — один квадрат.
- КТ973Б — два квадрата.
- КТ646А — один треугольник.
- КТ646Б — слева круг, справа треугольник.
Кроме того, существует и маркировка торца корпуса, который противоположен выводам:
- КТ 814 — серо-бежевый;
- КТ 815 — сиренево-фиолетовый или серый;
- КТ 816 — розово-красный;
- КТ 817 — серо-зеленый;
- КТ 683 — фиолетовый;
- КТ9115 — голубой.
Транзисторы серии КТ814-817 группы Б могут маркироваться только путем окрашивания торца, без нанесения символьного кода.
Европейская система PRO-ELECTRON
Маркировка транзисторов и других полупроводниковых приборов у европейских производителей осуществляется следующим образом. Код представляет собой символьную запись. Первая буква означает материал полупроводника: кремний, германий и т. п. Наиболее распространен кремний, ему соответствует литера В. Следующий символ — это тип прибора. Далее ставится номер серии продукта. У этого номера существует несколько диапазонов. Например, если указаны цифры от 100 до 999, то эти элементы относятся к изделиям общего назначения, а если перед ними ставится буква (Z10 — А99), то эти полупроводники считаются деталями специального или промышленного назначения. Кроме того, к общей кодировке может добавляться дополнительный символ модификации прибора. Ее определяет непосредственно производитель полупроводниковых элементов.
Первый символ (материал): А — германий, В — кремний, С — арсенид галлия, R — сульфид кадмия. Второй элемент означает тип транзистора: С — маломощный низкочастотный; D — мощный низкочастотный; F — маломощный высокочастотный; G — несколько приборов в одном корпусе; L — мощный высокочастотный; S — маломощный переключающий; U — мощный переключающий.
Американская система JEDEC
Американские производители полупроводниковых приборов используют символьную кодировку, состоящую из четырех элементов. Первая цифра означает число п-н переходов: 1 — диод; 2 — транзистор;3 — тиристор; 4 — оптопара. Вторая буква обозначает группу. Третий знак — это элемента (диапазон от 100 до 9999). Четвертый символ — буква, соответствующая модификации прибора.
Японская система JIS
Данная система состоит из символов и содержит в себе пять элементов. Первая цифра соответствует типу полупроводникового прибора: 0 — фотодиод или фототранзистор; 1 — диод; 2 — транзистор. Второй элемент — буква S, она ставится на всех элементах. Следующая буква соответствует типу транзистора: А — высокочастотный PNP; В — низкочастотный PNP; С — высокочастотный NPN; D — низкочастотный NPN; Н — однопереходной; J — полевой с N-каналом; К — полевой с P-каналом. Далее следует серийный номер продукта (10 — 9999). Последний, пятый, элемент — прибора (зачастую он может отсутствовать).
Иногда наносится и шестой символ — это дополнительный индекс (литеры N, M или S), означающий требование соответствия специальным стандартам. В японской системе цветовая маркировка транзисторов не применяется.
SMD элементы
Маркировка SMD-транзисторов бывает только символьной. Из-за миниатюрных размеров этих элементов цветовую кодировку не используют. Единого стандарта шифрования для них не существует. Каждый завод-производитель использует свои символы. Буквенно-цифровой код в данном случае может содержать от одной до трех букв или цифр. Каждый завод выпускает свои таблицы маркировок полупроводниковых элементов.
В выходной день, решил собрать видеоусилитель для своей игровой приставки Dendy, для улучшения качества видео изображения. Схема довольно простая, и насчитывает не больше десятка радиодеталей. Собрана она, на очень распространённых советских транзисторах, визуально очень похожих, читаем полезную статью,
Немого о транзисторах кт315 и кт361
Одни из самых распространенных высокочастотных транзисторов, изготавливаемые из кремния, запасы которого, на нашей планете, весьма впечатляющие.
КТ 315, имеет проводимость n-p-n, кт 361 имеет противоположенную. Их объединяет тип корпуса, кт 13, и очень часто, эти биполярные транзисторы используются в паре. Получили огромное распространение в отечественной электронике, в схемах усиления и преобразования.
Как отличить кт315 от кт361
Как правило, данные транзисторы выпускаются в пластиковом корпусе, нескольких цветовых вариантах, желтые, красные, коричневые. Для их сличения, располагаем их маркировкой к себе. Смотрим на маркировку, точнее на её расположение, на корпусе транзистора.
Для определения транзистора кт315, на его корпусе будет отпечатана буква, размещаться она будет, в левой его части сверху. У кт361, буква будет расположена строго по центру.
В данной статье речь пойдет об определению основных параметров как отечественных так и зарубежных транзисторов по таблицам цветовой и символьно – цветовой маркировке.
Цветовая маркировка транзисторов
В данной маркировке используют цветные точки для кодирования параметров транзисторов в корпусах КТ-26 (ТО-92) и КТП-4. При полной цветовой маркировке кодирование типономинала, группы и даты выпуска наносится на срезе боковой поверхности согласно принятой цветовой гамме.
Точку, обозначающую типономинал наносят в левом верхнем углу. Она является началом отсчета. Далее, по часовой стрелке наносятся три точки, означающие группу, год и месяц выпуска соответственно.
При сокращении цветовой маркировке дату выпуска опускают (указывается на вкладыше упаковки). Типономинал указывается на срезе боковой поверхности корпуса. Группа указывается на торце корпуса.
Символьно — цветовая маркировка транзисторов
Отличительная особенность данной маркировки – отсутствие цифр и букв. Типономинал транзистора обозначается на срезе боковой поверхности специальными символом (точки, горизонтальные, вертикальные или пунктирные линии) или цветной геометрической фигурой (круг, полукруг, квадрат, треугольник, ромб и др.
). Маркировка группы относится одной (несколькими) точками на торце корпуса (КТ-26, КТП-4).
Цветовая гамма точек, обозначающих группу при данной маркировке, не совпадает со стандартной цветовой гаммой по ГОСТ 24709-81. Она определяется производителем.
Символ круга на боковом срезе транзистора необходимо отличать от точки, которая не имеет четкой формы, т.к. наносится кистью.
Ряд зарубежных фирм использует цветовую маркировку для обозначения коэффициента усиления радиочастотных транзисторов. В таблице показана цветовая маркировка радиочастотных транзисторов фирмы MOTOROLLA. Возможно либо нанесение буквенного кода, либо цветной точки.
Пожалуй, нет какого-то более или менее сложного электронного устройства, произведенного в СССР на протяжении семидесятых, восьмидесятых и девяностых годов, в схеме которого не использовался бы транзистор КТ315. Не утратил популярности он и поныне.
В обозначении использована буква К, означающая «кремниевый», как и большинство полупроводниковых приборов, изготавливаемых с тех времен.
Цифра «3» означает, что транзистор КТ315 относится к группе широкополосных приборов небольшой мощности.
Пластиковый корпус не предполагал высокой мощности, но был дешев.
Выпускался транзистор КТ315 в двух вариантах, плоском (оранжевый или желтый) и цилиндрическом (черный).
Для того чтобы удобнее было определять, как его монтировать, на его «лицевой» стороне в плоской версии выполнен скос, коллектор — в середине, база — слева, коллектор — справа.
Черный транзистор имел плоский срез, если расположить транзистор им к себе, то эмиттер оказывался справа, коллектор — слева, а база — посередине.
Маркировка состояла из буквы, в зависимости от допустимого напряжения питания, от 15 до 60 Вольт. От литеры зависит и мощность, она может достигать 150 мВт, и это при микроскопических по тем временам размерах — ширина — семь, высота — шесть, а толщина — менее трех миллиметров.
Транзистор КТ315 — высокочастотный, этим объясняется широта его применения. до 250 мГц гарантирует его устойчивую работу в радиосхемах приемников и передатчиков, а также усилителях диапазона.
Проводимость — обратная, n-p-n. Для пары при использовании двухтактной схемы усиления создан КТ361, с прямой проводимостью. Внешне эти «близнецы-братья» практически не отличаются, только наличие двух черных рисок указывает на p-n-p проводимость. Еще вариант маркировки, буква расположена точно посередине корпуса, а не с краю.
При всех своих достоинствах, транзистор КТ315 обладает и недостатком. Его выводы плоские, тонкие, и очень легко отламываются, поэтому монтаж следует производить очень осторожно. Впрочем, даже испортив деталь, многие радиолюбители умудрялись починить ее, подпилив немного корпус, и «присоплив» проволочку, хотя это и трудно, да и смысла особого не было.
Корпус настолько своеобразен, что точно указывает на советское происхождение КТ315. Аналог ему найти можно, например, ВС546В или 2N9014 — из импорта, КТ503, КТ342 или КТ3102 — из наших транзисторов, но рекордная дешевизна лишает смысла такие ухищрения.
Выпущены миллиарды КТ315, и, хотя в наше время существуют микросхемы, в которых встроены десятки и сотни таких полупроводниковых приборов, иногда их все же используют для сборки несложных вспомогательных схем.
|
Заглавная страница
КАТЕГОРИИ: Археология Генетика География Информатика История Логика Маркетинг Математика Менеджмент Механика Педагогика Религия Социология Технологии Физика Философия Финансы Химия Экология ТОП 10 на сайте Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрации Техника нижней прямой подачи мяча. Франко-прусская война (причины и последствия) Организация работы процедурного кабинета Смысловое и механическое запоминание, их место и роль в усвоении знаний Коммуникативные барьеры и пути их преодоления Обработка изделий медицинского назначения многократного применения Образцы текста публицистического стиля Четыре типа изменения баланса Задачи с ответами для Всероссийской олимпиады по праву Мы поможем в написании ваших работ! ЗНАЕТЕ ЛИ ВЫ? Влияние общества на человека Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрации Практические работы по географии для 6 класса Организация работы процедурного кабинета Изменения в неживой природе осенью Уборка процедурного кабинета Сольфеджио. Балочные системы. Определение реакций опор и моментов защемления |
⇐ ПредыдущаяСтр 2 из 4Следующая ⇒ БПТ – это трёхэлектродный полупроводниковый прибор, выводы которого называются эмиттер (Э), коллектор (К) и база (Б). Рис. 1. Обозначение биполярных транзисторов на схемах.
Рис 2. Биполярные транзисторы
Существует два варианта конструкции БПТ, отличающиеся порядком чередования областей различного типа проводимости n-p-n и p-n-p транзисторы. Они практически, кроме полярностей используемого напряжения, ничем не отличаются. А наличие разных типов позволяет строить эффективные схемы, которые объединяют разнополярные транзисторы в т.н. комплементарные пары. Кстати, наличие разнополярных транзисторов легло в основу их названия. Направление стрелки показывает направление тока через эмиттерный переход, и служит для идентификации. Биполярный транзистор, подобно сэндвичу, состоит из двух близко расположенных («спина к спине») переходов, образующих две отдельные области (рисунок 3). Поэтому возможны два типа транзисторов: p-n-p и n-p-n. В транзисторе входная внешняя область называется эмиттером, средняя область — базой, а выходная внешняя область – коллектором.
Рис. 3. Устройство транзистора типа p-n-p.
В основе принципа действия биполярного транзистора лежит т.н. транзисторный эффект. Он возникает благодаря специальной конструкции (соотношению размеров и толщин областей) транзистора и распределению концентраций основных, как правило, примесных. носителей зарядов (дырок в р – областях и электронов в n –области. Рисунок.4 иллюстрирует действие транзисторного эффекта.
Рис. 4. К пояснению действия транзисторного эффекта.
Схема, при которой общим для входной и выходной цепи является база. Такая схема называется схемой с общей базой (ОБ). Представленное на схеме распределение токов является следствием т.н. транзисторного эффекта. Его суть заключается в том, что благодаря специально сделанной малой толщине базы электроны, инжектируемые (эмиттируемые) областью эмиттера в базу через открытый рn переход эмиттер – база из-за малой толщины базы и вызванной этим близостью запертого коллекторного перехода не успевают встретиться и провзаимодействовать (этот процесс «аннигиляции» пары электрон – дырка называется рекомбинацией) в базе и втягиваются в коллекторный переход, т.к. он для электронов является не запертым, а открытым ( уф, эта сложная фраза обязательно должна быть понята, т.к. без этого суть транзистора понята быть не может!) Как мы видим, ток базы намного меньше тока коллектора. Этому способствует и специально созданное в областях распределение концентраций: в эмиттере и коллекторе концентрации электронов значительно выше концентрации дырок в база. Другой крайне важной для понимания принципа работы транзистора является то обстоятельство, что ток коллектора – это ток запертого перехода, определяется не напряжением коллектор – база, а величиной тока эмиттера. Т. о. транзистор в выходной цепи является источником тока, величина тока через который, как нам уже известно, не зависит от напряжения на нём. Это обстоятельство определяет вид выходных характеристик транзистора, т. е. зависимость тока коллектора от напряжения коллектор – база. Это позволяет включать в выходную цепь высокоомную нагрузку (десятки кОм) и получать большое усиление по напряжению, т.к. входное сопротивление схемы определяется сопротивлением открытого эмиттерного перехода и очень мало (100 -200 Ом). Схемы включения БПТ На рисунке 5 транзистор включён таким образом, что входным является ток эмиттера, а бволд базы является общим для взолдного и выходного контуров.
Рис. 5. Схема включения транзистора с ОБ
В этой схеме практически весь ток эмиттера передаётся в коллектор. Коэффициент передачи тока эмиттера в цепь коллектора (обозначается α (альфа) достигает α=0.99-0.999. А это значит ток базы равен 0.01 – 0.001 от тока эмиттера и коллектора. И если сделать схему, в которой входным будет ток базы, а выходным – ток коллектора, то мы получим усиление тока, равное α/(1-α) = β (бэтта), причем, [β>>1]. Т.е. усиление по мощности схемы будет значительно выше, чем в схеме с ОБ.
Рис. 6. Схема включения транзистора с ОЭ
Схема на рисунке 6 называется схемой с общим эмиттером –(ОЭ) и является основой для построения усилительных схем на БПТ. Приведём входную и выходную характеристики БПТ в качестве иллюстрации вышесказанного.
Рис.7. ВАХ маломощного БПТ МП114, включённого по схеме с ОБ.
⇐ Предыдущая1234Следующая ⇒ Читайте также: Формы дистанционного обучения Передача мяча двумя руками снизу Значение правильной осанки для жизнедеятельности человека Основные ошибки при выполнении передач мяча на месте |
|
Последнее изменение этой страницы: 2021-05-27; просмотров: 161; Нарушение авторского права страницы; Мы поможем в написании вашей работы! infopedia.su Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Обратная связь — 161. |
Наличие окружности символизирует транзистор в индивидуальном корпусе, отсутствие — транзистор в составе микросхемы.
Ниже приведены основные соотношения, иллюстрирующее вышесказанное.
Поэтому такая схема включения называется схемой с общей базой (ОБ).
97.168.212 (0.006 с.)Как будет выглядеть эта схема транзистора, если мы нарисуем ее со всеми замкнутыми цепями?
Спросил
Изменено 1 год, 8 месяцев назад
Просмотрено 141 раз
\$\начало группы\$
В книге о компьютерах у меня есть такая схема транзисторов:
первые два транзистора p-типа, а вторые два — n-типа. Мне интересно, как это должно было быть нарисовано, если мы замкнем электрические цепи, потому что, насколько я знаю, у нас должны быть закрытые электрические цепи, чтобы получить электричество.
1. Первая идея, которая у меня есть, это то, что мы должны замкнуть землю с источником питания, это правильно? Эта часть будет выглядеть так? Обратите внимание на вершину здесь, я нарисовал красную линию над горизонтальной линией, но, может быть, она должна быть чуть ниже горизонтальной линии?
Во-вторых, они говорят о том, что C подключен к земле или 1,2 Вольт, значит ли это, что мы замыкаем цепь C следующим образом:?
Теперь я должен провести линию в подложке в транзисторах, здесь у меня есть два варианта.
Я рисую только один p-транзистор и один n-транзистор. Вариант 3а)
Я рисую только один p-транзистор и один n-транзистор. Вариант 3а)Или 3b:
Увядание 3a oe 3b правильно?
И, может быть, они были бы закорочены, если бы я нарисовал это, так что, может быть, я должен был добавить еще и резисторы? Если рисунок неправильный, не могли бы вы объяснить, как мы будем рисовать полную схему?
- транзисторы
- схема-анализ
- схема
\$\конечная группа\$
1
\$\начало группы\$
Ваша первая картинка почти правильная, но вы не можете напрямую соединить верхнюю и нижнюю части. Если бы вы соединили их, вы бы создали короткое замыкание, и у вас больше не было бы напряжения в цепи транзистора.
То, как нарисована схема в книге, является типичным способом показать, где подключены (+) и (-) источника напряжения. Я нарисовал батарею (красную) в цепи, чтобы показать, что именно это означает. Вверху у вас есть положительное напряжение, скажем, 1,2 В, а символы заземления подключены к отрицательной клемме и интерпретируются как 0 В.С подключен не к 1,2В или земле на выходе (как вы нарисовали), а транзисторами. В этом вся цель этой схемы. C — это выход, который (в зависимости от входных сигналов) либо подключен двумя верхними транзисторами к положительной клемме (1,2 В), либо к отрицательной клемме (0 В). Я нарисовал эти две дорожки синим и зеленым цветом.
Таким образом, схема выполняет роль логического элемента: два входа A и B должны иметь НИЗКИЙ потенциал, чтобы два верхних транзистора были проводящими. Таким образом, с обоими входами LOW, выход C подключен к логическому HIGH (напряжение питания). Нижние два транзистора в этом случае непроводящие. Но если один из входов находится под ВЫСОКИМ потенциалом, один из двух верхних транзисторов больше не проводит, поэтому выход не подключен к источнику питания. Вместо этого один из нижних транзисторов становится проводящим, и выходы становятся «НИЗКИМИ».
Схема представляет вентиль ИЛИ-НЕ.
Вверху у вас есть положительное напряжение, скажем, 1,2 В, а символы заземления подключены к отрицательной клемме и интерпретируются как 0 В.
\$\конечная группа\$
6
\$\начало группы\$
Чтобы завершить схему, сначала добавьте идеальный источник напряжения для каждого из входов (A и B). Положительный конец источника напряжения подключается к входному сигналу, а отрицательный конец подключается к земле. Эти источники представляют логические входные сигналы и могут иметь значения 1,2 В или 0 В.
Другим идеальным источником напряжения является блок питания. Его положительный конец соединяется с горизонтальной планкой в самом верху, а отрицательный конец соединяется с землей. Он имеет значение 1,2 В
Все подложки PMOS подключены к положительному концу источника питания. Все подложки NMOS подключены к земле. Это не является строго обязательным, но это наиболее распространенная ситуация для логических схем.
Все сигналы, описанные как «земля», соединены вместе. Вы можете нарисовать настоящий провод, чтобы сделать это, но обычно мы соединяем их со специальным символом заземления, таким как треугольник на вашей диаграмме, и понимаем, что эти символы на самом деле соединены вместе.
Все дополнительные компоненты и соединения, которые я описал, были намеренно исключены из вашей схемы, потому что большинство читателей поймут, что они подразумевают , и чертеж будет просто загроможден, если они будут вычерчены.
\$\конечная группа\$
1
\$\начало группы\$
«Пузырь» на вентилях устройства PMOS указывает на то, что это входы с «активным низким уровнем». При низком уровне A и B два верхних PMOS «включены», что означает, что существует прямое соединение между их выводами стока и истока (верхним и нижним). Поскольку один конец этой последовательности подключен к напряжению питания, а другой конец к выходу C, низкий уровень A и B делает C высоким, поскольку он подключен.
Аналогичным образом, два нижних NMOS-устройства не имеют кружка на воротах, что указывает на то, что они являются устройствами с «активным высоким уровнем». Когда A и/или B имеют высокий , один или оба из них включены, соединяя выход C с землей.
\$\конечная группа\$
\$\начало группы\$
смоделируйте эту схему — схема создана с помощью CircuitLab
Рис. 1. Рассмотрим КМОП-транзисторы как простые пары взаимодополняющих переключателей.
Во всех случаях, кроме одного, выход подается в низкий уровень с помощью переключателей на стороне заземления. Они эффективно соединяют выход с землей и поглощают любой ток, обеспечиваемый нагрузкой.
В первом случае, когда оба входа на землю, отключается, а выход подключается к плюсу питания. Выход становится высоким и будет источником любого тока, требуемого нагрузкой.
\$\конечная группа\$
Зарегистрируйтесь или войдите в систему
Зарегистрируйтесь с помощью Google
Зарегистрироваться через Facebook
Зарегистрируйтесь, используя электронную почту и пароль
Опубликовать как гость
Электронная почта
Требуется, но никогда не отображается
Опубликовать как гость
Электронная почта
Требуется, но не отображается
Нажимая «Опубликовать свой ответ», вы соглашаетесь с нашими условиями обслуживания, политикой конфиденциальности и политикой использования файлов cookie
.
Использование транзистора — принцип, применение, примеры и часто задаваемые вопросы
Если мы почитаем историю электронных устройств, то увидим, что одним из наиболее важных компонентов этих устройств была вакуумная лампа (электронная лампа). Эта трубка использовалась для управления электрическим током. Эти лампы были больше, требовали более высокого рабочего напряжения, высокое энергопотребление означало высокое тепловыделение, что, в свою очередь, влияло на срок службы лампы из-за ее низкого КПД.
На этой странице мы узнаем о следующем:
Чтобы решить эту проблему, три американских физика Джон Бардин, Уолтер Браттейн и Уильям Шокли изобрели компактный и эффективный полупроводниковый прибор, названный точечным контактным транзистором в компании Bell. Лаборатория в декабре.
Транзистор
Транзистор представляет собой разновидность полупроводника, который используется в качестве проводника и изоляции электрического тока или напряжения.
Проще говоря, транзистор — это регулятор потока электрических сигналов. Прочтите следующие пункты, чтобы узнать больше о транзисторе:
Транзисторы являются мощными устройствами из-за их способности управлять током, протекающим по цепи (устройство управления током), который генерируется потоком электронов и дырок. Существует два типа: NPN (отрицательный-положительный-отрицательный) и PNP (положительный-отрицательный-положительный).
Наиболее широко используемыми транзисторами являются NPN-транзисторы, поскольку большинство носителей заряда представляют собой электроны, которые являются более мобильными частицами заряда с меньшей массой, благодаря чему они могут легко ускоряться.
Это полупроводниковое устройство, которое действует как переключатель и усилитель. Транзисторы могут работать от низковольтного источника питания для большей безопасности, что означает, что они обеспечивают более высокий КПД и очень долгий срок службы.
Транзисторы используют полупроводниковые переходы вместо нагревательных электродов, но выполняют ту же функцию, что и вакуумный триод.
Транзисторы могут управлять потоком тока через один канал, изменяя интенсивность небольшого количества тока, протекающего через второй канал. Вот почему они называются устройством управления током.
Детали транзистора
Транзистор представляет собой комбинацию трех выводов, изготовленных из полупроводниковых материалов, которые помогают выполнить соединение с внешней цепью и обеспечивают протекание тока. Три клеммы:
База: База активирует транзистор. Он тонкий и слегка легированный. Он расположен в центре транзистора.
Эмиттер: Эмиттер представляет собой отрицательный вывод транзистора.
Он сильно легирован и имеет умеренный размер.Коллектор: Коллектор — это отрицательный вывод транзистора. Он расположен на правой стороне транзистора и умеренно легирован. Он больше излучателя.
Он сильно легирован и имеет умеренный размер.Как работает транзистор?
Биполярный переходной транзистор или BJT состоит из трех выводов: базы, эмиттера и коллектора. Между базой и эмиттером существует p-n переход, а между базой и коллектором существует еще один переход. Обычно в BJT, когда ток протекает через переход база-эмиттер, ток будет течь в цепи коллектора. Это называется смещением, и переход база-эмиттер смещен в прямом направлении, тогда как переход база-коллектор смещен в обратном направлении.
Основы транзисторов с биполярным переходом
Поскольку контролируемый ток должен проходить через два типа полупроводниковых материалов, ток состоит как из потока электронов, так и из потока дырок в разных частях транзистора, и они бывают двух типов:
n-p-n Транзистор с переходом
Транзистор с переходом p-n-p
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT): IGBT — силовой полупроводниковый прибор, используемый в качестве электронного переключателя во многих мощных и современных устройствах, таких как электромобили, поезда, холодильники с регулируемой скоростью, системы кондиционирования воздуха.
Каковы характеристики транзистора?
Характеристика транзистора представляет собой график, построенный для каждого типа конфигурации, который показывает зависимость между током и напряжением транзистора.
В основном существует два типа характеристик:
Входные характеристики: Показывает изменение входного тока при изменении выходного тока при постоянном выходном напряжении.
Выходные характеристики: На этом графике показан график изменения выходного тока по отношению к изменению выходного напряжения при постоянном входном токе.
Преимущества использования транзисторов
Было доказано, что транзистор является очень важным изобретением в науке. Он имеет множество применений и преимуществ:
Он небольшого размера и очень экономичен.
Для работы требуется очень низкое напряжение.
Он имеет долгий срок службы и не требует питания для работы.
С помощью транзистора можно разработать одну интегральную схему.
Ток на клеммах быстро переключается.
Ограничения использования транзисторов
Несмотря на то, что транзисторы чрезвычайно эффективны, существуют некоторые ограничения их использования:
Транзисторы очень легко выходят из строя из-за изменений электрических и температурных условий.
Им не хватает более высокой подвижности электронов.
Они могут пострадать от радиации.
Узнайте больше о транзисторах, посетив наш веб-сайт, где вы найдете примечания, вопросы, ответы, решения и многое другое! Вы можете скачать все, что вам нужно бесплатно!
Использование транзистора
Напряжение смещения Vbe, создаваемое в переходе база-эмиттер. Из-за прямого смещения перехода база-эмиттер электроны начинают течь от эмиттера для рекомбинации с дырками в базе, база становится отрицательно заряженной. Если ток базы Ib увеличить на небольшую величину, рекомбинация дырочных электронов будет нейтрализована, ток коллектора Ic увеличится. Поэтому небольшое изменение тока Iб в базе.
Микрофон: Микрофон — это преобразователь, который преобразует наш голос или звуковую волну в электронный сигнал. Поскольку звуковая волна не имеет постоянной величины, величина звуковой волны меняется со временем в зависимости от нашего голоса.
Электрический выход микрофона меняется в зависимости от звуковых волн, поскольку базовый ток Ib изменяется из-за небольшого переменного напряжения, создаваемого микрофоном, что означает, что небольшое изменение Ib может вызвать большое изменение Ic.
При этом выход микрофона подается на транзистор как на вход. Изменяющийся ток коллектора Ic течет в громкоговоритель, и мы знаем, что если есть изменения на входе транзистора, это приведет к большим изменениям на выходе транзистора. Таким образом, транзистор усиливает электронный сигнал микрофона.
Частота остается постоянной, но амплитуда звуковой волны из громкоговорителя выше, чем звуковая волна, поступающая в микрофон.
Электронный генератор представляет собой устройство, генерирующее непрерывные электрические колебания. В простой схеме генератора параллельный LC-контур используется в качестве резонансного контура, а усилитель используется для подачи энергии в резонансный контур.
Частота резонансно усиливается, и выход действует как источник переменного напряжения этой частоты.
Резюме
При нормальной работе транзистора переход эмиттер-база всегда смещен в прямом направлении, тогда как переход коллектор-база смещен в обратном направлении.
В транзисторах с n-p-n переходом большое количество электронов в эмиттере и большое количество дырок в базе.
В реальной конструкции транзисторов n-p-n средний слой очень тонкий (микрометр) по сравнению с шириной двух боковых слоев.
Техническая документация
Тип документа
Замечания по применению
Брошюра о залоге
Отчеты о соответствии
Спецификации
Средства проектирования и разработки
Примечания к дизайну
Чертеж: схема применения
Чертеж: Схема соединения
Чертеж: Маркировка Spec
Чертеж: Чертеж упаковки
Чертеж: Распиновка
Исправления/дополнение
Оценочная плата: Спецификация
Оценочная плата: Gerber
Eval Board: Руководство
Eval Board: Схема
Eval Board: Процедура тестирования
Имитационные модели
Чертежи упаковки
Эталонные конструкции
Справочные руководства
Модели Simplis
Технический документ
Учебник
Руководство пользователя
Видео
Белая книга
Таксономия продуктов
Дискретные и силовые модули
Аудиотранзисторы
Диоды для защиты от электростатических разрядов
Диоды переключения слабого сигнала
Радиочастотные диоды
JFET
Выпрямители
МОП-транзисторы
Транзисторы общего назначения и с низким VCE(sat)
Защищенные МОП-транзисторы
Транзисторы Дарлингтона
РЧ транзисторы
БТИЗ
Диоды Шоттки и выпрямители Шоттки
Цифровые транзисторы (БРЦ)
Стабилитроны
Монолитные микроволновые интегральные схемы (MMIC)
Карбид кремния (SiC)
Диоды из карбида кремния (SiC)
Карбид кремния (SiC) МОП-транзисторы
Силовые модули
БТИЗ-модули
МОП-транзисторы
Гибридные модули Si/SiC
Интеллектуальные силовые модули (IPM)
Модули из карбида кремния (SiC)
Управление питанием
Регуляторы терминации DDR
Устройства с питанием от PoE
Защищенные силовые выключатели
Преобразование постоянного тока в постоянный
Зарядные насосы
Контроллеры
Преобразователи
Эталоны напряжения и супервизоры
Источники опорного напряжения
Контролеры напряжения
- Драйверы светодиодов
AC-DC Драйверы для светодиодов
DC-DC драйверы светодиодов
Линейные драйверы светодиодов
Защита
Токовая защита
Защита от напряжения
Фильтры электромагнитных помех
Управление батареями
Встроенный драйвер и МОП-транзистор
Линейные регуляторы (LDO)
Драйверы затвора
Преобразование переменного тока в постоянный
Автономные контроллеры
Автономные регуляторы
Контроллеры коэффициента мощности
Контроллеры вторичной стороны
Контроллеры GFCI
Идеальные диодные контроллеры
Формирование сигналов и управление
Редрайверы
Усилители и компараторы
Усилители измерения тока
Усилители мощности звука
Операционные усилители (ОУ)
Видеоусилители
Компараторы
Микроконтроллеры
Специальные микроконтроллеры
Микроконтроллеры общего назначения
Цифровые потенциометры (POT)
Преобразователи данных (АЦП)
Формирование сигнала датчика
Управление двигателем
Контроллеры двигателей ecoSpin™
Драйверы двигателей
Драйверы нагрузки и драйверы реле
Моторные драйверы, матовый
Драйверы двигателей, бесщеточные
- Драйверы двигателей
, шаговый двигатель
Пользовательский и ASSP
Интерфейсы
Аналоговые переключатели
Интерфейсы для смарт-карт и SIM-карт
USB Type-C
Высокопроизводительные оптопары
Высокопроизводительные транзисторные оптопары
Высокоскоростные оптопары с логическими вентилями
Низковольтные высокоэффективные оптопары
Оптопары специального назначения
Цифровые изоляторы
Ethernet-контроллеры
Проводные трансиверы и модемы
Драйвер симисторных оптронов
Драйверы затворов IGBT/MOSFET Оптопары
Фототранзисторные оптопары
Изолированные оптопары усилителя ошибки
Выходные оптопары Фото Дарлингтона
Выход фототранзистора — оптопары для измерения постоянного тока
Выход фототранзистора — входные оптопары для измерения переменного тока
Инфракрасный
Беспроводное подключение
Синхронизация, логика и память
Генерация часов
Детекторы фазы/частоты
Тактовые генераторы PLL
Часы с подавлением электромагнитных помех с расширенным спектром
Генераторы, управляемые напряжением (VCO)
Буферы с нулевой задержкой
Часы и распределение данных
Арифметические функции
Драйверы и буферы разветвления
Триггеры, защелки и регистры
Логические элементы
Мультиплексоры и коммутаторы
Последовательные/параллельные преобразователи
Управление перекосами
Переводчики
Память
Флэш-память
Память статического ОЗУ
Память EEPROM
Стандартная логика
Арифметико-логические функции
Буферы
Шинные приемопередатчики
D-триггеры и JK-триггеры
Расширители ввода/вывода
Защелки и регистры
Логические ворота
Мультиплексоры
Переводчики уровней
Раствор
Автомобильная промышленность
АДАС
Просмотр
В салоне
Электрификация транспортных средств
Преобразователь постоянного тока высокого напряжения в постоянный
Быстрая зарядка электромобиля постоянным током
48-вольтовый стартер-генератор
Тяговый инвертор
Бортовое зарядное устройство (OBC)
Электроника кузова и светодиодное освещение
Силовой агрегат, безопасность и защита
Модуль управления коробкой передач (TCM)
Модуль управления силовым агрегатом (PCM)
Промышленный
Энергетическая инфраструктура
Быстрая зарядка электромобиля постоянным током
Источник бесперебойного питания (ИБП)
Решения для солнечной энергетики
Промышленная автоматизация
5G и облачная мощь
Мощность сервера
Блок питания для стойки
Интернет вещей (IoT)
Медицинский
Приборы медицинской визуализации
Аудиологический фокус
Клинический пункт оказания медицинской помощи
Портативные медицинские устройства
Примечание по применению
get(@keywordPaths.KEYWORDS, ‘Provides experienced analysis on how to solve a problem using our product.’)}»>
Предоставляет опытный анализ того, как решить проблему с помощью нашего продукта.Белая книга
Предоставляет информацию, которая поможет вам понять новые рыночные и технологические тенденции.
Примечание разработчика
Предоставляет экспертную информацию о предлагаемых реализациях схем.
Технический паспорт
Краткое описание производительности и других характеристик продукта.
Справочное руководство
Предоставляйте справочную информацию, информацию о приложениях, продуктах и решениях по конкретной предметной области.
Инструмент для проектирования и разработки
get(@keywordPaths.KEYWORDS, ‘Downloadable tool for designing with a product or technology.’)}»>
Загружаемый инструмент для разработки продукта или технологии.Чертеж упаковки
Справочные символы и примеры размеров для габаритных чертежей упаковки.
Ошибки
Предоставьте информацию об аномалиях, связанных с конкретными версиями микросхем.
Дополнительные брошюры
Руководства по выбору продуктов и брошюры, в которых представлены продукты, подходящие для ваших решений.
Руководство пользователя
Руководство по различным режимам работы и возможным конфигурациям продукта или технологии.
СИМПЛИС Модель
get(@keywordPaths.KEYWORDS, ‘Simulation models designed for Simulation Piecewise Linear Systems (SIMPLIS).’)}»>
Модели моделирования, разработанные для кусочно-линейных систем моделирования (SIMPLIS).Модель моделирования
Имитационные модели, предназначенные для анализа симуляций цепей с использованием программного обеспечения.
Эталонный дизайн
Предлагайте полные технические чертежи для полнофункционального дизайна.
