Site Loader

Π‘ΠΎΠ΄Π΅Ρ€ΠΆΠ°Π½ΠΈΠ΅

Π“Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π½Π° ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠΌ транзисторС.

Posted: 24 ноября, 2019 Under: Π­Π»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ½ΠΈΠΊΠ° By Π‘ΡƒΡ€Ρ‹ΠΊΠΈΠ½ Π’Π°Π»Π΅Ρ€ΠΈΠΉ No Comments

8 329

Π“Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π½Π° ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠΌ транзисторС.

     ΠŸΡ€ΠΎΡΡ‚ΠΎΠΉ Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π½Π° ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠΌ транзисторС. ΠŸΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π½Π° ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠΌ транзисторС Π½Π° ΠΏΡ€Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠΊΠ΅. Π”ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π» ΠΊ ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΠ΅ Β«Π“Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° (источник Ρ‚ΠΎΠΊΠ°). Различия ΠΈ сходства стабилизаторов Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΈ напряТСния»

     ***

     Π§Π°ΡΡ‚ΠΎ Π½Π° мою ΠΏΡ€Π΅Π΄Ρ‹Π΄ΡƒΡ‰ΡƒΡŽ ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΡŽ ΠΎ Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π°Ρ… Ρ‚ΠΎΠΊΠ° посСтитСли приходят ΠΏΠΎ запросу Β«Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π½Π° ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠΌ транзисторС». Π’Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ Ρ‚Π°ΠΌ Π½ΠΈΡ‡Π΅Π³ΠΎ ΠΎΠ± этом Π½Π΅ говорится я Ρ€Π΅ΡˆΠΈΠ» Π²ΠΎΡΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚ΡŒ этот ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π΅Π» Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΉ ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΡ‘ΠΉ.

     Π—Π΄Π΅ΡΡŒ расскаТу ΠΎΠ± ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ, Π½ΠΎ ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π»Π΅ΠΊΠ°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ схСмС Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π½Π° ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠΌ транзисторС КП303. Но сначала рассмотрим, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΈΠ· сСбя прСдставляСт этот транзистор.

     ΠŸΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Π΅ транзисторы сСрии КП303(А-И) это ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²Ρ‹Π΅ ΡΠΏΠΈΡ‚Π°ΠΊΡΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎ-ΠΏΠ»Π°Π½Π°Ρ€Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Π΅ транзисторы с Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ Π½Π° основС p-n ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° ΠΈ ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠΌ n-Ρ‚ΠΈΠΏΠ°. Или ΠΈΡ… Π΅Ρ‰Ρ‘ Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹ΠΌΠΈ транзисторами со встроСнным n-ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠΌ.

     Π‘ΡƒΠΊΠ²Π° n ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚ Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΊΠ°Π½Π°Π», Ρ‚ΠΎ Π΅ΡΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°ΡŽΡ‰Π΅ΠΌ ΠΎΡ‚ стока ΠΊ истоку, осущСствляСтся ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‡Π΅ΠΉ ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ истока, Рис. 1(Π°).

Рис. 1

     Π’ этом смыслС ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ ΡΠΏΠΈΡ‚Π°ΠΊΡΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎ-ΠΏΠ»Π°Π½Π°Ρ€Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторов, Ρ‚.Π΅. ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторов со встроСнным ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠΌ Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΈΡ‡Π½ΠΎ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅ элСктронной (Ρ€Π°Π΄ΠΈΠΎ) Π»Π°ΠΌΠΏΠ΅, Рис. 1(Π±)

     ΠŸΡ€ΠΈΠ±Π»ΠΈΠ·ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Π°Ρ Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° стока (Iс) ΠΎΡ‚ UΠ·ΠΈ для транзистора КП303И ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Π° Π½Π° Π³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΊΠ΅, Рис. 2.

Рис. 2

     Π”ля простоты Ρ‚ΠΎΠΊ Iси Π±ΡƒΠ΄Ρƒ ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°ΠΊ Ρ‚ΠΎΠΊ стока Iс, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ это ΠΎΠ΄Π½ΠΎ ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΆΠ΅.

     Π˜Π· Π³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΊΠ° Π²ΠΈΠ΄Π½ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈ UΠ·ΠΈ = 0, Iс = max.

     ΠœΠΈΠ½ΠΈΠΌΡƒΠΌΠ° Ρ‚ΠΎΠΊ стока достигаСт ΠΏΡ€ΠΈ UΠ·ΠΈ Ρ€Π°Π²Π½ΠΎΠΌ ΠΏΡ€ΠΈΠ±Π»ΠΈΠ·ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ минус 1,4Π’. На самом Π΄Π΅Π»Π΅ ΠΈΠ·-Π·Π° большого разброса характСристик Π³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΊ лишь ΠΏΡ€ΠΈΠ±Π»ΠΈΠ·ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΎΡ‚ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ°Π΅Ρ‚ Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ Ic ΠΎΡ‚ UΠ·ΠΈ.

     ΠŸΠΎΠ΄Π°Π²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π» Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ бСссмыслСнно Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΡ€ΠΈ UΠ·ΠΈ = 0 транзистор, ΠΈΡ‚Π°ΠΊ, ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ.

     Π’ΠΎΠΎΠ±Ρ‰Π΅ ΡΠΊΠ²ΠΈΠ²Π°Π»Π΅Π½Ρ‚Π½ΡƒΡŽ схСму транзистора КП303 ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡΡ‚Π°Π²ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ это ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ Π½Π° Рис. 3. Π‘ΠΎΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ рСзистора R1 β€” дСсятки МОм, рСзистора R2 ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 1кОм,.

Рис. 3

     Π’ΠΎΠ³Π΄Π°, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° напряТСниС UΠ·ΠΈ = 0 ΠΏΠΎΠ»Π·ΡƒΠ½ΠΎΠΊ рСзистора R1 находится Π² Π½ΠΈΠΆΠ½Π΅ΠΌ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΈ, Ρ‚ΠΎΠΊ Iс Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΡ‚ΡŒΡΡ ΠΏΠΎ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒΠ»Π΅:

     Ic = Uси / R2.

     Π’ΠΎ Π΅ΡΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ, Π½ΠΎ Π½Π΅ бСсконСчным.

     Π’ΠΎΠ³Π΄Π°, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ напряТСниС Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π΅ достигнСт Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ максимума, ΠΏΠΎΠ»Π·ΡƒΠ½ΠΎΠΊ рСзистора R1 окаТСтся Π² Π²Π΅Ρ€Ρ…Π½Π΅ΠΌ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΈ ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊ стока Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΡ‚ΡŒΡΡ ΠΏΠΎ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒΠ»Π΅:

     Ic = Uси / (R1 + R2).

     Π’ΠΎ Π΅ΡΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΌΠΈΠ½ΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ, Π½ΠΎ Π½Π΅ Π½ΡƒΠ»Π΅Π²Ρ‹ΠΌ.

     Π’акая Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° стока ΠΎΡ‚ напряТСния Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π΅ позволяСт ΡΠ΄Π΅Π»Π°Ρ‚ΡŒ ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ простой Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π½Π° ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠΌ транзисторС КП303. Π‘ΠΎΠ±Π΅Ρ€Ρ‘ΠΌ Ρ‚Π°ΠΊΡƒΡŽ схСму, Рис. 4.

Рис. 4

     ΠŸΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΠΌ ΠΊ ΠΊΠ»Π΅ΠΌΠΌΠ°ΠΌ 1-2 Ρ€Π΅Π³ΡƒΠ»ΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹ΠΉ источник напряТСния. Начнём ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ напряТСниС ΠΎΡ‚ нуля. Π˜Π·Π½Π°Ρ‡Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊ стока ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· рСзистор Ρ€Π°Π²Π½Ρ‹ Π½ΡƒΠ»ΡŽ. ПадСниС напряТСния Π½Π° рСзисторС Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Ρ€Π°Π²Π½ΠΎ Π½ΡƒΠ»ΡŽ, UΠ·ΠΈ = 0. Вранзистор ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚.

     ΠŸΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния Π½Π° ΠΊΠ»Π΅ΠΌΠΌΠ°Ρ… ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Ρ‘Ρ‚ ΠΊ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Π½ΠΈΡŽ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· транзистор ΠΈ рСзистор. ΠŸΠΎΡΠ²ΠΈΡ‚ΡΡ Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния Π½Π° рСзисторС, ΠΏΡ€ΠΈ этом минус этого напряТСния ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ ΠΊ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Ρƒ, Π° плюс ΠΊ истоку. Π§Π΅ΠΌ большС Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π° Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· рСзистор, Ρ‚Π΅ΠΌ больший Π·Π°ΠΏΠΈΡ€Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π» Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π΅.

     Π’ ΠΊΠΎΠ½Ρ†Π΅ ΠΊΠΎΠ½Ρ†ΠΎΠ² схСма Π²ΠΎΠΉΠ΄Ρ‘Ρ‚ Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ стабилизации Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠΎΠΏΡ‹Ρ‚ΠΊΠ° увСличСния Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΡŽ Π·Π°ΠΏΠΈΡ€Π°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»Π° Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π΅, Π° ΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, ΠΊ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ΠΈΡŽ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°. А ΠΏΠΎΠΏΡ‹Ρ‚ΠΊΠ° ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ΠΈΡŽ Π·Π°ΠΏΠΈΡ€Π°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»Π° Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π΅, Π° ΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, ΠΊ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΡŽ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°. ИзмСняя Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρƒ рСзистора, ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½ΡΡ‚ΡŒ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρƒ стабилизируСмого Ρ‚ΠΎΠΊΠ°.

     Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° собранная Π½Π° транзисторС КП303И ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ максимальноС Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡Π΅Π΅ напряТСниС 30Π’. Π’ΠΎΠΊ стабилизации Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ†Ρ‹ ΠΌΠΈΠ»Π»ΠΈΠ°ΠΌΠΏΠ΅Ρ€. НСдостаток схСмы Π² Ρ‚ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΈΠ·-Π·Π° большого разброса характСристик транзисторов Π½Π΅Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ΅Π½ ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΉ-Π»ΠΈΠ±ΠΎ осмыслСнный расчёт.

     ΠΠΎ Π² этом Π½Π΅Ρ‚ большой Π±Π΅Π΄Ρ‹. Π—Π°Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡƒΡŽ расчёт ΠΈ Π½Π΅ Π½ΡƒΠΆΠ΅Π½. Π’Π°ΠΌ, Π³Π΄Π΅ Π½ΡƒΠΆΠ΅Π½ просто простой ΠΈ ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ источник Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°. К Ρ‚ΠΎΠΌΡƒ ΠΆΠ΅ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΉ Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π½Π΅ Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅Ρ‚ Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ источника питания. Вакая схСма ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ Ρ…ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠ° Π² Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π°Ρ… ΠΏΠΈΠ»ΠΎΠΎΠ±Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния для получСния высокой линСйности ΠΏΠΈΠ»Ρ‹.

     Π”Π΅Π»ΠΎ Π² Ρ‚ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π² ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½Ρ‹Ρ…, Π½Π΅ Π»Π°Π±ΠΎΡ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹Ρ… Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π°Ρ… ΠΏΠΈΠ»ΠΎΠΎΠ±Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΈΠ»ΠΈ Ρ‚Ρ€Π΅ΡƒΠ³ΠΎΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ заряда-разряда кондСнсатора. Если этот самый заряд-разряд ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· рСзистор, Ρ‚ΠΎ напряТСниС Π½Π° кондСнсаторС Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½ΡΡ‚ΡŒΡΡ ΠΏΠΎ экспонСнтС. Если вмСсто рСзистора Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ источник (Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€) Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, Ρ‚ΠΎ напряТСниС Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½ΡΡ‚ΡŒΡΡ строго ΠΏΠΎ прямой Π»ΠΈΠ½ΠΈΠΈ.

     Π•ΡΡ‚ΡŒ Ρƒ этой схСмы Π΅Ρ‰Ρ‘ ΠΎΠ΄Π½ΠΎ достоинство. Π•Ρ‘ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ для стабилизации Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния, для этого схСму ΠΈΠ·ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΡ‘Π½Π½ΡƒΡŽ Π½Π° Рис. 4 Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Π² диагональ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ моста, Рис 5.

Рис. 5

     Π’ этой схСмС ΠΏΠΎΠ»ΡΡ€Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния Π½Π΅ Π²Π°ΠΆΠ½Π°. ИмСнно Ρ‚Π°ΠΊΡƒΡŽ схСму Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° Ρ‚ΠΎΠΊΠ° я ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΠΈΠ» Π² Π΄Π²ΡƒΡ…ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ ΠΏΡ€Π΅Ρ†ΠΈΠ·ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠΌ Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π΅ Ρ‚Ρ€Π΅ΡƒΠ³ΠΎΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния ШИМ-модулятора элСктронной Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ, описанной Π² ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΠ΅ Β«Π˜ΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½Π°Ρ элСктронная Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ°Β».

   


3.06. Π˜ΡΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π½Π° ПВ с p-n

ΠŸΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Π΅ транзисторы

ΠžΠ‘ΠΠžΠ’ΠΠ«Π• Π‘Π₯Π•ΠœΠ« НА ПВ


ΠŸΠΎΠ΄Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π»Ρ‹: 3.06 3.06a 3.07 3.08 3.09 3.10

ПВ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ Π² качСствС источников Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π² составС ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… схСм (Π² частности, Π² ОУ), Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΈΠ½ΠΎΠ³Π΄Π° ΠΈ Π² схСмах Π½Π° дискрСтных элСмСнтах. ΠŸΡ€ΠΎΡΡ‚Π΅ΠΉΡˆΠΈΠΉ источник Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π½Π° ПВ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ Π½Π° рис. 3.16:

Рис. 3.16.

ΠΌΡ‹ Π²Ρ‹Π±Ρ€Π°Π»ΠΈ ПВ с p-n β€” ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ, Π° Π½Π΅ МОП β€” транзистор, ΠΏΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ Π΅ΠΌΡƒ Π½Π΅ трСбуСтся смСщСния Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° (Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ с ΠΎΠ±Π΅Π΄Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ).

Из стоковых характСристик ПВ (рис. 3.17) Π²ΠΈΠ΄Π½ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΈΠ±Π»ΠΈΠ·ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ постоянным ΠΏΡ€ΠΈ Uси большС 2 Π’. Однако Π² силу разброса IΠ‘ΠΈΠ½Π°Ρ‡ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π° этого Ρ‚ΠΎΠΊΠ° нСпрСдсказуСма. НапримСр, устройство 2N5484 (Ρ‚ΠΈΠΏΠΈΡ‡Π½Ρ‹ΠΉ n- ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ транзистор с p-n β€” ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ) ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ ΠΏΠ°ΡΠΏΠΎΡ€Ρ‚Π½ΡƒΡŽ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρƒ IΠ‘Π½Π°Ρ‡ ΠΎΡ‚ 1 Π΄ΠΎ 5 мА. И всС ΠΆΠ΅ эта схСма ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π»Π΅ΠΊΠ°Π΅Ρ‚ своСй простотой Π΄Π²ΡƒΡ…Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ устройства, Π΄Π°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ постоянный Ρ‚ΠΎΠΊ. Π‘ΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚ Π΄Π΅ΡˆΠ΅Π²Ρ‹Π΅ сСрийныС Β«Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ стабилизаторы Ρ‚ΠΎΠΊΠ°Β», ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ собой всСго лишь ΠΎΡ‚ΠΎΠ±Ρ€Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ ПВ с p-n β€” ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ, Ρƒ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ соСдинСн со стоком. Π­Ρ‚ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ²Ρ‹Π΅ Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΈ стабилитронов (стабилизаторов напряТСния). ΠŸΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅ΠΌ характСристики Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ΠΎΠ² ΠΈΠ· сСрии 1N5283-1N5314:

ΠΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ стабилизации ΠΎΡ‚ 0,22 Π΄ΠΎ 4,7 мА

Допуск 10%

Π’Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π½Ρ‹ΠΉ коэффициСнт Β± 0,4%/Β°Π‘

Π”ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½ напряТСний 1 β€” 2,5 Π’ ΠΌΠΈΠ½., 100 Π’ макс.

Π‘Ρ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° 5% Ρ‚ΠΈΠΏ.

ДинамичСскоС (Π΄ΠΈΡ„Ρ„Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅) сопротивлСниС 1 МОм (Ρ‚ΠΈΠΏ.) для устройств с Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ 1 мА

Рис. 3.16.


Рис. 3.17. БСмСйство Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… характСристик n- канального ПВ с p-n β€” ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ Ρ‚ΠΈΠΏΠ° 2N5484: Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ I

c (Uси) ΠΏΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… значСниях UΠ·ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΠΌ ΠΌΠ°ΡΡˆΡ‚Π°Π±Π΅ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΉ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² (Π°) ΠΈ Π½Π° Π½Π°Ρ‡Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ участкС (Π±).

Рис. 3.18. Β«Π”ΠΈΠΎΠ΄ β€” рСгулятор Ρ‚ΠΎΠΊΠ°Β» 1N5294. Π° β€” ΠΏΠΎΠ»Π½Ρ‹ΠΉ ΠΌΠ°ΡΡˆΡ‚Π°Π± измСнСния напряТСния; Π± β€” Π½Π°Ρ‡Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ участок.

ΠœΡ‹ построили Π³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΊ Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚-Π°ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π½ΠΎΠΉ характСристики устройства 1N5294, ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ Π½ΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ стабилизации 0.75 мА: рис. 3.18, Π° дСмонстрируСт Ρ…ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠ΅Π΅ постоянство Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π²ΠΏΠ»ΠΎΡ‚ΡŒ Π΄ΠΎ напряТСния пробоя (140Π’ для Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΠΎΠ½ΠΊΡ€Π΅Ρ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·Ρ†Π°), Ρ‚ΠΎΠ³Π΄Π° ΠΊΠ°ΠΊ ΠΈΠ· рис. 3.18. Π± Π²ΠΈΠ΄Π½ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΠΎΠ»Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ устройства достигаСтся ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠΈ напряТСния Π½Π° Π½Π΅ΠΌ нСсколько мСньшС 1.5 Π’. Π’ Ρ€Π°Π·Π΄. 5.13 ΠΌΡ‹ ΠΏΠΎΠΊΠ°ΠΆΠ΅ΠΌ, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ³ΠΎ Ρ€ΠΎΠ΄Π° устройство для создания Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° ΠΏΠΈΠ»ΠΎΠΎΠ±Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния с острыми Π²Π΅Ρ€ΡˆΠΈΠ½Π°ΠΌΠΈ сигнала.

Π˜ΡΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° с автоматичСским смСщСниСм. Вариация ΠΏΡ€Π΅Π΄Ρ‹Π΄ΡƒΡ‰Π΅ΠΉ схСмы Π΄Π°Π΅Ρ‚ Ρ€Π΅Π³ΡƒΠ»ΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹ΠΉ источник Ρ‚ΠΎΠΊΠ° (рис. 3.19). РСзистор автоматичСского смСщСния R Π·Π°Π΄Π°Π΅Ρ‚ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠ΅ смСщСниС Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° IсR, ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Ρ Iс ΠΈ приводя ПВ с p-n β€” ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ Π² состояниС, Π±Π»ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ΅ ΠΊ отсСчкС. МоТно Ρ€Π°ΡΡΡ‡ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ R ΠΏΠΎ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ характСристикам для ΠΊΠΎΠ½ΠΊΡ€Π΅Ρ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ ПВ. Π­Ρ‚Π° схСма Π½Π΅ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Π΄Π°Π΅Ρ‚ Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΡƒΡΡ‚Π°Π½Π°Π²Π»ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊ (ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ мСньшС IΠ‘Π½Π°Ρ‡), Π½ΠΎ ΠΈ ΡΠ΄Π΅Π»Π°Ρ‚ΡŒ это Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ прСдсказуСмым ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ. ΠšΡ€ΠΎΠΌΠ΅ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, эта схСма являСтся Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠΈΠΌ источником Ρ‚ΠΎΠΊΠ° (с Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ высоким динамичСским сопротивлСниСм) Π² силу Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ истоковый рСзистор обСспСчиваСт ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΡƒΡŽ связь ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ (ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΡƒΡŽ ΠΌΡ‹ рассмотрим Π² Ρ€Π°Π·Π΄. 4.07), Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΌΡƒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ характСристики ПВ с p-n-ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ ΠΊΠ°ΠΊ источника Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΏΡ€ΠΈ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΌ смСщСнии Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° всСгда ΡƒΠ»ΡƒΡ‡ΡˆΠ°ΡŽΡ‚ΡΡ, ΠΊΠ°ΠΊ это Π²ΠΈΠ΄Π½ΠΎ ΠΈΠ· ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… Π½Π° рис. 3.2 ΠΈ 3.17 характСристик, Π³Π΄Π΅ Ρ‡Π΅ΠΌ Π½ΠΈΠΆΠ΅ кривая зависимости I

с ΠΎΡ‚ UΠ·ΠΈ, Ρ‚Π΅ΠΌ ΠΎΠ½Π° Π±Π»ΠΈΠΆΠ΅ ΠΊ Π³ΠΎΡ€ΠΈΠ·ΠΎΠ½Ρ‚Π°Π»ΠΈ. Однако, ΠΊΠΎΠ½Π΅Ρ‡Π½ΠΎ, Π½Π°Π΄ΠΎ ΠΏΠΎΠΌΠ½ΠΈΡ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Iс, ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½Π½ΠΎΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΌ-Ρ‚ΠΎ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ UΠ·ΠΈ для Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΠΎΠ½ΠΊΡ€Π΅Ρ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ ПВ, ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡Π°Ρ‚ΡŒΡΡ ΠΎΡ‚ взятого ΠΈΠ· характСристики Π½Π° Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΡƒΡŽ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρƒ Π²Π²ΠΈΠ΄Ρƒ тСхнологичСского разброса. Если Π½Π°Π΄ΠΎ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ строго Π·Π°Π΄Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ. Ρ‚ΠΎ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ истока подстроСчный рСзистор.

Π£ΠΏΡ€Π°ΠΆΠ½Π΅Π½ΠΈΠ΅ 3.1. ΠŸΠΎΠ΄Π±Π΅Ρ€ΠΈΡ‚Π΅ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ R для получСния Ρ‚ΠΎΠΊΠ° 1 мА Π² схСмС источника Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π½Π° ПВ с p-n β€” ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ 2N5484, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ измСрСниями ΠΊΡ€ΠΈΠ²Ρ‹Π΅, прСдставлСнныС Π½Π° рис. 3.17. Π’Π΅ΠΏΠ΅Ρ€ΡŒ ΠΎΡ†Π΅Π½ΠΈΡ‚Π΅, ΠΊ Ρ‡Π΅ΠΌΡƒ ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ Ρ‚ΠΎΡ‚ Ρ„Π°ΠΊΡ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ паспортныС Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ IΠ‘Π½Π°Ρ‡ для 2N5484 ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ разброс ΠΎΡ‚ 1 Π΄ΠΎ 5 мА.

Π˜ΡΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π½Π° ПВ с p-n β€” ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ. Π΄Π°ΠΆΠ΅ с рСзистором Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ истока, Π΄Π°Π΅Ρ‚ нСсколько ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΉΡΡ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΈ напряТСния, Ρ‚. Π΅. ΠΎΠ½ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ ΠΊΠΎΠ½Π΅Ρ‡Π½ΠΎΠ΅ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС, Π° Π½Π΅ ΠΆΠ΅Π»Π°Π΅ΠΌΠΎΠ΅ бСсконСчноС Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ZΠ²Ρ‹Ρ…. ΠšΡ€ΠΈΠ²Ρ‹Π΅ рис. 3.17 ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρƒ транзистора 2N5484 ΠΏΡ€ΠΈ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΈ напряТСния стока Π² Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡Π΅ΠΌ Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π΅ ΠΎΡ‚ 5 Π΄ΠΎ 20 Π’ Ρ‚ΠΎΠΊ стока ΠΏΡ€ΠΈ Π·Π°ΠΌΠΊΠ½ΡƒΡ‚Ρ‹Ρ… Π½Π°ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡ‚ΠΊΠΎ истокС ΠΈ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π΅ (Ρ‚.Π΅. IΠ‘Π½Π°Ρ‡) измСняСтся Π½Π° 5%. Π­Ρ‚Ρƒ Π²Π°Ρ€ΠΈΠ°Ρ†ΠΈΡŽ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠΈΡ‚ΡŒ Π΄ΠΎ 2% ΠΈΠ»ΠΈ ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΠ² Π² Ρ†Π΅ΠΏΡŒ истока рСзистор Π’ΠΎΡ‚ ΠΆΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈΠ΅ΠΌ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ Π±Ρ‹Π» использован Π² схСмС рис. 2.24 ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΈ для источников Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π½Π° ПВ с p-n β€” ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ, ΠΊΠ°ΠΊ это ΠΈ сдСлано Π½Π° рис. 3.20. ИдСя (ΠΊΠ°ΠΊ ΠΈ Π² случаС с биполярными транзисторами) состоит Π² Ρ‚ΠΎΠΌ. Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ ПВ с p-n β€” ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ для поддСрТания постоянным напряТСния сток-исток Π² источникС Ρ‚ΠΎΠΊΠ°. Π’1 Π² этом случаС являСтся ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½Ρ‹ΠΌ источником Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π½Π° ПВ с p-n β€” ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ с истоковым рСзистором.

Π’2 β€” ПВ с p-n β€” ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ с большим Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ IΠ‘Π½Π°Ρ‡, Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ Β«ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΒ» с источником Ρ‚ΠΎΠΊΠ°. Он пропускаСт постоянный Ρ‚ΠΎΠΊ стока Π’1 Π² Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΡƒ, удСрТивая Π² Ρ‚ΠΎ ΠΆΠ΅ врСмя напряТСниС Π½Π° стокС Π’1 Π½Π΅ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ, Π° Ρ‚Π΅ΠΌ самым ΠΈ напряТСниС Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€-исток, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π²Ρ‹Π½ΡƒΠΆΠ΄Π°Π΅Ρ‚ Π’2 Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ с Ρ‚Π΅ΠΌ ΠΆΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΈ Π’1. Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, Π’2 «экранируСт» Π’1 ΠΎΡ‚ ΠΊΠΎΠ»Π΅Π±Π°Π½ΠΈΠΉ напряТСния Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅; ΠΏΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ Π’1 Π½Π΅ ΠΏΠΎΠ΄Π²Π΅Ρ€ΠΆΠ΅Π½ вариациям напряТСния стока, ΠΎΠ½ «сидит Π½Π° мСстС» ΠΈ обСспСчиваСт постоянный Ρ‚ΠΎΠΊ. Если Π²Π΅Ρ€Π½ΡƒΡ‚ΡŒΡΡ ΠΊ схСмС Π·Π΅Ρ€ΠΊΠ°Π»Π° Вилсона (рис. 2.48). Ρ‚ΠΎ ΠΌΡ‹ ΡƒΠ²ΠΈΠ΄ΠΈΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ здСсь ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ Ρ‚Π° ΠΆΠ΅ идСя фиксации напряТСния.

Π’Ρ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚Π΅ Ρ€Π°ΡΠΏΠΎΠ·Π½Π°Ρ‚ΡŒ Π² этой схСмС Π½Π° ПВ с p-n β€” ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ Β«ΠΊΠ°ΡΠΊΠΎΠ΄Π½ΡƒΡŽΒ» схСму, которая ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ для прСодолСния эффСкта ΠœΠΈΠ»Π»Π΅Ρ€Π° (Ρ€Π°Π·Π΄. 2.19). Каскодная схСма Π½Π° ПВ с p-n β€” ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ ΠΏΡ€ΠΎΡ‰Π΅, Ρ‡Π΅ΠΌ Π½Π° биполярных транзисторах, ΠΏΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ здСсь Π½Π΅ трСбуСтся напряТСния смСшСния Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π΅ Π²Π΅Ρ€Ρ…Π½Π΅Π³ΠΎ ПВ Π²Π²ΠΈΠ΄Ρƒ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ½ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ с ΠΎΠ±Π΅Π΄Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ, ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ просто Π·Π°Π·Π΅ΠΌΠ»ΠΈΡ‚ΡŒ Π΅Π³ΠΎ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ (сравнитС с рис. 2.74).

Π£ΠΏΡ€Π°ΠΆΠ½Π΅Π½ΠΈΠ΅ 3.2. ΠžΠ±ΡŠΡΡΠ½ΠΈΡ‚Π΅, ΠΏΠΎΡ‡Π΅ΠΌΡƒ Π²Π΅Ρ€Ρ…Π½ΠΈΠΉ ПВ с p-n β€” ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ Π² каскодной схСмС Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚ΡŒ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ высокоС Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ IΠ‘Π½Π°Ρ‡, Ρ‡Π΅ΠΌ Π½ΠΈΠΆΠ½ΠΈΠΉ ПВ. ΠŸΠΎΠΌΠΎΡ‡ΡŒ Π² этом ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ рассмотрСниС каскодной схСмы Π½Π° ПВ с p-n β€” ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ Π±Π΅Π· истокового рСзистора.

Π’Π°ΠΆΠ½ΠΎ ΠΎΡΠΎΠ·Π½Π°Π²Π°Ρ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ источник Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π½Π° Ρ…ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠΈΡ… биполярных транзисторах обСспСчит Π½Π°ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠΈΠ΅ ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡΠΊΠ°Π·ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΈ ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ, Ρ‡Π΅ΠΌ источник Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π½Π° ПВ с p-n β€” ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ. Π‘ΠΎΠ»Π΅Π΅ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, построСнныС Π½Π° ОУ источники Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΌΡ‹ ΡƒΠ²ΠΈΠ΄ΠΈΠΌ Π² ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΉ Π³Π»Π°Π²Π΅, Π΅Ρ‰Π΅ Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅. НапримСр, источник Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π½Π° ПВ Π² Ρ‚ΠΈΠΏΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΌ Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π΅ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€ ΠΈ Π²Π°Ρ€ΠΈΠ°Ρ†ΠΈΠΉ напряТСния Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π΄Π°Π²Π°Ρ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊ с отклонСниями Π½Π° 5%, Π΄Π°ΠΆΠ΅ Ссли ΠΏΠΎΠ΄Π³ΠΎΠ½ΠΊΠΎΠΉ истокового рСзистора ΡƒΡΡ‚Π°Π½ΠΎΠ²ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΆΠ΅Π»Π°Π΅ΠΌΡ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ; Π² Ρ‚ΠΎ ΠΆΠ΅ врСмя источник Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π½Π° ОУ ΠΈΠ· биполярных ΠΈΠ»ΠΈ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторов даст Π±Π΅Π· особых усилий со стороны Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠ° ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡΠΊΠ°Π·ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΈ ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅ 0,5%.

ΠŸΠΎΠ΄Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π»Ρ‹: 3.06 3.06a 3.07 3.08 3.09 3.10

ΠšΠ»ΡŽΡ‡ΠΈ Π½Π° ПВ


Π˜ΡΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° β€” Π˜ΡΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊΠΈ питания


Π˜ΡΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊΠΈ питания

Π˜Π΄Π΅Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ источник Ρ‚ΠΎΠΊΠ° β€” это устройство, производящСС Ρ‚ΠΎΠΊ i ( t ), ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ Π½Π΅ зависит ΠΎΡ‚ напряТСния Π½Π° ΠΊΠ»Π΅ΠΌΠΌΠ°Ρ… источника. Π­Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊ источника остаСтся i ( t ) нСзависимо ΠΎΡ‚ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΎ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΊΠ»Π΅ΠΌΠΌΡ‹ источника. Если i ( t ) постоянная, источник называСтся источник постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ° .

Если Π½Π° ΠΊΠ»Π΅ΠΌΠΌΠ°Ρ… источника имССтся сопротивлСниС Ом , Ρ‚ΠΎ напряТСниС ( Ri ). Π­Ρ‚ΠΎ напряТСниС Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ ΠΏΡ€ΠΈ Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΡ… значСниях R , ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΌΡƒ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊ остаСтся нСзависимым ΠΎΡ‚ R . Π‘ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ R ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ, отдаваСмая источником Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, увСличиваСтся, ΠΈ это ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ бСсконСчным, Ссли R Π±Ρ‹Π»ΠΈ бСсконСчными. Π­Ρ‚ΠΎ нСобоснованная ситуация, это ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ источник Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π½Π΅ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌΠΊΠ½ΡƒΡ‚. источник Ρ‚ΠΎΠΊΠ° простаиваСт ΠΏΡ€ΠΈ ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡ‚ΠΊΠΎΠΌ Π·Π°ΠΌΡ‹ΠΊΠ°Π½ΠΈΠΈ, ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΌΡƒ Ρ‡Ρ‚ΠΎ напряТСниС Π½Π° Π΅Π³ΠΎ ΠΊΠ»Π΅ΠΌΠΌΡ‹ Ρ€Π°Π²Π½Ρ‹ Π½ΡƒΠ»ΡŽ, ΠΈ источник питания Π½Π΅ подаСтся. ΠšΠΎΠ½Ρ†Π΅ΠΏΡ†ΠΈΡ идСального источника Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΏΠΎΠ΄Ρ€Π°Π·ΡƒΠΌΠ΅Π²Π°Π΅Ρ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ½ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚ΡŒ нулСвая внутрСнняя ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ.

Π˜ΡΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ ΠΊΡ€ΡƒΠΆΠΊΠΎΠΌ с i ( t ) написано рядом (см. рисунок Π½ΠΈΠΆΠ΅). Бсылка Π½Π° Ρ‚Π΅ΠΊΡƒΡ‰ΠΈΠΉ ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΎ стрСлкой Π»ΠΈΠ±ΠΎ рядом с ΠΊΡ€ΡƒΠ³ΠΎΠΌ, Π»ΠΈΠ±ΠΎ Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€ΠΈ Π½Π΅Π³ΠΎ, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ Π½Π° Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°.

Π’Π΅ΠΊΡƒΡ‰ΠΈΠΉ источник.


РСгуляторы Ρ‚ΠΎΠΊΠ°

Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ°, ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰Π°Ρ постоянный Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ, называСтся стабилизатором постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΈΠ»ΠΈ просто Ρ‚ΠΎΠΊ рСгулятор . Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ°, показанная Π½Π° рисункС Π½ΠΈΠΆΠ΅, упрощСнная схСма рСгулятора Ρ‚ΠΎΠΊΠ°. ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ Π½Π° схСмС ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ рСзистор ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ для ΠΈΠ»Π»ΡŽΡΡ‚Ρ€ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚ ΠΊΠΎΠ½Ρ†Π΅ΠΏΡ†ΠΈΡŽ Π΄Π΅ΠΉΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ рСгулирования. ΠžΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΠΈΡ‚Π΅ Π²Π½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π°ΠΌΠΏΠ΅Ρ€ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Π±Ρ‹Π» Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ Π² эту Ρ†Π΅ΠΏΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΡƒΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ†Π΅ΠΏΡŒ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ рСгулятор Ρ‚ΠΎΠΊΠ°. Когда Ρ†Π΅ΠΏΡŒ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ исправно, Ρ‚Π΅ΠΊΡƒΡ‰Π΅Π΅ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΈΠ΅ Π°ΠΌΠΏΠ΅Ρ€ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π° остаСтся постоянным. Π’ этом случаС ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ рСзистор ( Π  Π’ ) компСнсируСт измСнСния Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ ( R L ) ΠΈΠ»ΠΈ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ°. Π›ΡŽΠ±ΠΎΠ΅ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ сопротивлСния Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ Π²Ρ‹Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°. Π§Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΏΠΎΠ΄Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ постоянный Ρ‚ΠΎΠΊ, сопротивлСниС R V Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½ΠΎ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Ρ‚ΡŒΡΡ всякий Ρ€Π°Π·, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ° сопротивлСниС увСличиваСтся. Π­Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΠΌΡƒ ΡΠΎΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΡŽ ΠžΡΡ‚Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Π½Π΅ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹ΠΌΠΈ. Π£Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½ΠΎ компСнсируСтся ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ сопротивлСния R V , Ρ‚Π΅ΠΌ самым поддСрТивая постоянный Ρ‚ΠΎΠΊ.

РСгулятор Ρ‚ΠΎΠΊΠ° (ΡƒΠΏΡ€ΠΎΡ‰Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ).

ΠŸΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ использованиС ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ рСзистора нСцСлСсообразно для управлСния флуктуациями ΠΈΠ»ΠΈ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° транзистор ΠΈ стабилитрон вмСстС с Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΡ‹ΠΌΠΈ рСзисторами. ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ (см. Π½ΠΈΠΆΠ΅). Π‘Ρ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΠΈΡ‚Ρ€ΠΎΠ½ обСспСчиваСт постоянноС ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС. РСзистор R 1 Π΅ΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ с Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΎΠΉ ΠΈ воспринимаСт любой Ρ‚ΠΎΠΊ измСнСния Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ. R 2 ΠΏΡ€Π΅Π΄Π½Π°Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ для Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ ΠΊΠ°ΠΊ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ рСзистор для стабилитрона Π΄ΠΈΠΎΠ΄.

Вранзисторный рСгулятор Ρ‚ΠΎΠΊΠ°.

Π”Π°Π²Π°ΠΉΡ‚Π΅ ΠΏΠΎΠ΄Ρ€ΠΎΠ±Π½ΠΎ рассмотрим, ΠΊΠ°ΠΊ Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Π΅ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Ρ‹ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽΡ‚ для поддСрТания Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ°. Π‘Π½ΠΈΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ сопротивлСния Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ Π²Ρ‹Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰Π΅Π΅ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°. Π­Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠ΅ΠΌΡƒ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π½Π° R 1 ΠΈΠ·-Π·Π° увСличСния Ρ‚ΠΎΠΊΠ°. ПадСниС напряТСния Π½Π° D 1 остаСтся постоянный. Из-Π·Π° ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ падСния напряТСния Π½Π° R 1 , прямоС смСщСниС Q 1 Π΅ΡΡ‚ΡŒ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Π΅Ρ‚ΡΡ, Π° сопротивлСниС транзистора увСличиваСтся. Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, общая сопротивлСниС Π²ΠΎΠΊΡ€ΡƒΠ³ внСшнСго ΠΊΠΎΠ½Ρ‚ΡƒΡ€Π° Ρ†Π΅ΠΏΠΈ остаСтся постоянным. ΠŸΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ схСма прСдставляСт собой рСгулятор Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΌΠ΅Π½ΡΡ‚ΡŒΡΡ, ΠΏΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ рСгулятор ΠΏΠΎΠ΄Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΈΠ²Π°Π΅Ρ‚ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ°.

Π˜ΡΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊ постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ° JFET

Π”ΠΈΠΎΠ΄ постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ°

Π˜ΡΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊ постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ сформирован ΠΈΠ· JFET (см. рисунок Π²Ρ‹ΡˆΠ΅). Π­Ρ‚Ρƒ ΠΊΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΡŽ ΠΈΠ½ΠΎΠ³Π΄Π° Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ Π΄ΠΈΠΎΠ΄ΠΎΠΌ постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ°. НапряТСниС Π½Π° истокС JFET ( V S ) автоматичСски поддСрТиваСтся рядом с напряТСниС отсСчки ΠΈ

ΠŸΡ€ΠΈ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ ΠΈΠ»ΠΈ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ΠΈΠΈ напряТСния питания (стока) соотвСтствСнно измСняСтся сопротивлСниС JFET r DS , Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ ΠΏΠΎΠ΄Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠ°Π½ΠΈΠ΅ I Π½Π° ΠΏΠΎΡ‡Ρ‚ΠΈ постоянном ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅.




Π˜ΡΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΈ стоки | mbedded.ninja

Π‘ΠΎΠ΄Π΅Ρ€ΠΆΠ°Π½ΠΈΠ΅

ΠžΠ±Π·ΠΎΡ€

Π˜ΡΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΈ стоки Ρ‚ΠΎΠΊΠ° β€” это элСктронныС схСмы, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΡΡŽΡ‚ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Ρ‚ΡŒ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π½ΠΈΡ… фиксированному Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ, нСзависимо ΠΎΡ‚ напряТСния Π½Π° Π½ΠΈΡ…. Π˜ΡΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° (ΠΈΠ»ΠΈ сток) β€” это Π½Π΅ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ пассивный ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚, Π° нСбольшая схСма, ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ состоящая ΠΈΠ· Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠ³ΠΎ элСмСнта (транзистора, ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠ³ΠΎ усилитСля) ΠΈ Π½Π΅ΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΈΡ… пассивных элСмСнтов (Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… ΠΊΠ°ΠΊ рСзисторы). Π˜ΡΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊΠΈ/ΠΏΡ€ΠΈΠ΅ΠΌΠ½ΠΈΠΊΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ Π² качСствС подсхСмы Π²ΠΎ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΈΡ… ΠΊΡ€ΡƒΠΏΠ½Ρ‹Ρ… схСмах.

ИспользованиС источников Ρ‚ΠΎΠΊΠ°:

  • ΠŸΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ свСтодиоды (особСнно ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Π΅ свСтодиоды).
  • Π‘ΠΌΠ΅Ρ‰Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ рСзисторы для подтягивания/подтягивания.
  • Зарядка кондСнсаторов для обСспСчСния Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎΠ³ΠΎ увСличСния напряТСния Π½Π° Π½ΠΈΡ… (Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, для создания ΠΏΠΈΠ»ΠΎΠΎΠ±Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΠΉ ΠΈΠ»ΠΈ Ρ‚Ρ€Π΅ΡƒΠ³ΠΎΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡ‹ Π²ΠΎΠ»Π½Ρ‹).

Π˜ΡΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ распространСны Π² схСмотСхникС, ΠΈ поэтому ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ ΠΈΠ·ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ°ΡŽΡ‚ΡΡ с использованиСм схСматичСских символов, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ Π½ΠΈΠΆΠ΅. НСзависимый источник Ρ‚ΠΎΠΊΠ° β€” это ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ Ρ€Π°Π·, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Π·Π°Ρ€Π°Π½Π΅Π΅ Π·Π°Π΄Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ фиксированный Ρ‚ΠΎΠΊ. УправляСмый (ΠΈΠ»ΠΈ зависимый ) источник Ρ‚ΠΎΠΊΠ° β€” это источник, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ опрСдСляСтся Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠΌ измСряСмым Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ, ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ напряТСниСм (Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, \(I_{источник} = ΠΊΠ’_{\text{Π³Π΄Π΅-Ρ‚ΠΎ Π΅Ρ‰Π΅}}\) ). Π’ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ, Π²Ρ‹ Π²ΠΈΠ΄Π΅Π»ΠΈ символ управляСмого источника Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π² ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈ слабого сигнала для BJT. МногиС Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ схСмы ИБ Π±ΡƒΠ΄ΡƒΡ‚ ΠΎΡ‚ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ°Ρ‚ΡŒ источники Ρ‚ΠΎΠΊΠ° с этими символами, скрывая дискрСтныС ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Ρ‹, ΠΈΠ· ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… ΠΎΠ½ΠΈ сдСланы.

ΠŸΠΎΠΏΡƒΠ»ΡΡ€Π½Ρ‹Π΅ символы Π½Π° схСмах для обозначСния источников Ρ‚ΠΎΠΊΠ°.

БоотвСтствиС источника Ρ‚ΠΎΠΊΠ° β€” это Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½ напряТСния, Π² ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ источник Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ ΠΈ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎ. Π—Π° ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π°ΠΌΠΈ этого Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π° Π»ΠΈΠ±ΠΎ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Ρ‹ ΠΏΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΆΠ΄Π΅Π½Ρ‹ (ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½Ρ‹ ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ Π½ΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ значСния напряТСния), Π»ΠΈΠ±ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΈΠ·-ΠΏΠΎΠ΄ контроля.

Π˜ΡΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π»ΠΈΠ±ΠΎ ΠΏΠΎΠ΄Π°Π²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΠΈΡ‚Π°Π½ΠΈΠ΅ Π² Ρ†Π΅ΠΏΡŒ (Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, источник питания), Π»ΠΈΠ±ΠΎ Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ внСшнСго питания для Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹.

Π‘Ρ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΠΈΡ‚Ρ€ΠΎΠ½ ΠΈ источник Ρ‚ΠΎΠΊΠ° BJT

НиТС ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ ΠΈΠ· популярных способов построСния источника Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΈΠ· стабилитрона ΠΈ BJT.

Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° стабилитрона + источник Ρ‚ΠΎΠΊΠ° BJT.

Как это Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚

. Π‘Ρ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΠΈΡ‚Ρ€ΠΎΠ½ \(D1\) , смСщСнный Π² свой Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½ рСгулирования напряТСния рСзистором \(R1\) , ΠΏΠΎΠ΄Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΈΠ²Π°Π΅Ρ‚ постоянноС напряТСниС \(V_B\) Π½Π° Π±Π°Π·Π΅ транзистора BJT. . Π˜ΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡ ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΠΎ, согласно ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌΡƒ Π½Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ Π±Π°Π·Π°-эмиттСр BJT имССтся ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния \(0,7 Π’\), это Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ‰Π°Π΅Ρ‚ фиксированноС напряТСниС Π½Π° эмиттСр. . ΠŸΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ это ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· \(R_E\) ΠΏΡ€ΠΎΡ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ фиксированноС напряТСниС, это ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΠΎ Π·Π°ΠΊΠΎΠ½Ρƒ Ома Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· \(R_E\) ΠΏΡ€ΠΎΡ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ фиксированный Ρ‚ΠΎΠΊ. . ΠŸΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ большая Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, ΠΏΠΎΠ΄Π°Π²Π°Π΅ΠΌΠΎΠ³ΠΎ Π½Π° эмиттСр биполярного транзистора, поступаСт с ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° (Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 100-800-ΠΉ части Ρ‚ΠΎΠΊΠ° поступаСт с Π±Π°Π·Ρ‹, Π² зависимости ΠΎΡ‚ коэффициСнта усилСния 9).0150 \(h_{FE}\) BJT), это ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· \(R_{load}\) Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΏΡ€ΠΎΡ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ фиксированный Ρ‚ΠΎΠΊ!

Π’ΠΎΠΊ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΡƒ опрСдСляСтся ΠΊΠ°ΠΊ:

\begin{align} I_{Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ°} = \frac{V_Z β€” 0,7 Π’} {R_E} \end{align}

Π³Π΄Π΅:
\(V_Z\) β€” напряТСниС стабилитрона Π² \(V\)\(R_E\) β€” сопротивлСниС рСзистора \(R_E\) Π² \(\Omega\) \(I_{Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ°}\) β€” Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΎΡ‡Π½Ρ‹ΠΉ рСзистор, Π² \(А\)

Π”ΠΈΠΎΠ΄ постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ° (источник Ρ‚ΠΎΠΊΠ° JFET)

Π”ΠΈΠΎΠ΄ постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ° (ΠΎΠ½ ΠΆΠ΅ JFET источник Ρ‚ΠΎΠΊΠ° , Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Π΄ΠΈΠΎΠ΄ (CLD) ΠΈΠ»ΠΈ Ρ€Π΅Π³ΡƒΠ»ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Π΄ΠΈΠΎΠ΄ 1 ) прСдставляСт собой ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ простой источник Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, состоящий ΠΈΠ· JFET ΠΈ Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ рСзистора.

НиТС ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Π° схСма Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π° постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ°:

Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π° постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ извСстного ΠΊΠ°ΠΊ источник Ρ‚ΠΎΠΊΠ° JFET. Π˜ΡΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ прост ΠΈ состоит Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ ΠΈΠ· N-канального JFET ΠΈ (Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ) рСзистора. Π­Ρ‚ΠΎΡ‚ Π΄Π²ΡƒΡ…ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹ΠΉ источник Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π½Π΅ привязан ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΉ-Π»ΠΈΠ±ΠΎ шинС, поэтому Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ° ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π½Π° сторонС высокого напряТСния, Π½Π° сторонС Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ³ΠΎ напряТСния ΠΈΠ»ΠΈ Π³Π΄Π΅-Ρ‚ΠΎ посСрСдинС!

Как это Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚

Π”ΠΈΠΎΠ΄ постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ Π·Π° счСт использования рСзистора \(R_S\) для ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ смСщСния N-канального JFET Π² ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡Π΅ΠΉ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ΅. Π’ этой Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡Π΅ΠΉ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΎΡ‚ стока ΠΊ истоку (ΠΈ, ΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, ΠΊ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ΅) Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ постоянным 2 .

Π‘ΠžΠ’Π•Π’: Из-Π·Π° ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΡ… \(R_S > 100\ОмСга\) эта схСма ΠΏΠΎΠ΄Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ для создания ΠΌΠ°Π»ΠΎΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Ρ… источников Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π΄ΠΎ \(10мА-100мА\) 9Π”ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½ 0151. ΠšΡ€ΠΎΠΌΠ΅ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, ΠΈΠ·-Π·Π° большой нСопрСдСлСнности Π² \(V_{GS(off)}\) (Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, для 2N5457 Π² тСхничСском описании ΡƒΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ это Π³Π΄Π΅-Ρ‚ΠΎ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ \(-0,5 Π’\) ΠΈ \(-6,0 Π’). \) ! 3 ), ΠΈΠ· Π½ΠΈΡ… ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Π½Π΅ ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ Ρ‚ΠΎΡ‡Π½Ρ‹Π΅ источники Ρ‚ΠΎΠΊΠ° (Π±Π΅Π· ΠΎΠ±Ρ€Π΅Π·ΠΊΠΈ). Но ΠΎΠ½ΠΈ ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹!

Как Ρ€Π°ΡΡΡ‡ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Π½ΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π» рСзистора

\(R_S\)
  1. Π Π΅ΡˆΠΈΡ‚Π΅, ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΉ N-ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ JFET Π²Ρ‹ ΡΠΎΠ±ΠΈΡ€Π°Π΅Ρ‚Π΅ΡΡŒ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ, ΠΈ ΠΆΠ΅Π»Π°Π΅ΠΌΡ‹ΠΉ постоянный Ρ‚ΠΎΠΊ, 9{1/ΠΊ} \справа] \end{align}

    Π³Π΄Π΅:\(V_{GS}\) - напряТСниС Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€-исток, Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΠ΅ для смСщСния JFET ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠ΅, Π² \(V\)\(V_{GS(off)}\) это напряТСниС отсСчки Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€-исток, ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ Π²Ρ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚Π΅ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΈΠ· Ρ‚Π°Π±Π»ΠΈΡ†Ρ‹ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… JFET, Π² \(V\)\(I_D\) - это Ρ‚ΠΎΠΊ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ Π²Ρ‹ Ρ…ΠΎΡ‚ΠΈΡ‚Π΅, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ источник Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠ» Π² \(A\)\(I_ {DSS}\) - это Π½ΡƒΠ»Π΅Π²ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ стока Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€-исток, ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ Π²Ρ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚Π΅ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΈΠ· Ρ‚Π°Π±Π»ΠΈΡ†Ρ‹ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… JFET, Π² \(A\)\(k\) - это ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ проводимости JFET, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ зависит ΠΎΡ‚ Π³Π΅ΠΎΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΈΠΈ устройства. ΠžΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ это Π½Π΅ упоминаСтся Π² Ρ‚Π°Π±Π»ΠΈΡ†Π΅ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ…, ΠΎΠ΄Π½Π°ΠΊΠΎ для этого уравнСния Π²Ρ‹ ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚Π΅ ΠΏΡ€Π΅Π΄ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ½ΠΎ Ρ€Π°Π²Π½ΠΎ \(2\).

  2. Π—Π°Ρ‚Π΅ΠΌ Π²Ρ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚Π΅ Π½Π°ΠΉΡ‚ΠΈ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ \(R_S\) с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ:

    \begin{align} \label{eq:rs-vgs-id} R_S = \frac{|V_{GS}|}{I_D} \end{align}

Π Π°Π±ΠΎΡ‡ΠΈΠΉ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€: Π΄ΠΈΠΎΠ΄ постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ° 1,0 мА

Π”Π°Π²Π°ΠΉΡ‚Π΅ спроСктируСм Π΄ΠΈΠΎΠ΄ постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡ вСздСсущий 2N5457 JFET (ΠΌΡ‹ Π²Ρ‹Π±Π΅Ρ€Π΅ΠΌ Ρ‚ΠΎΡ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΎΡ‚ On Semi) для постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ° \( I_D\) ΠΈΠ· \(1,0 мА\) .

Из Π΄Π°Ρ‚Π°ΡˆΠΈΡ‚Π° OnSemi 2N5457 ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π°Π΅ΠΌ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ значСния: 9{1/2} \справа] \Π½ΠΎΠΌΠ΅Ρ€\\ &= -2,54 Π’ \end{align}

Зная Ρ‚ΠΎΠΊ \(I_D\) Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· рСзистор ΠΈ напряТСниС \(V_{GS}\) Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π½Π΅Π³ΠΎ, ΠΌΡ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ΅ΠΌ Π½Π°ΠΉΡ‚ΠΈ сопротивлСниС, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡ \(Π£Ρ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅\ \ref {eq:rs-vgs-id}\) :

\begin{align} R_S &= \frac{V_{GS}}{I_D} \nonumber \\ &= \frac{|-2,54 Π’|}{1,0 мА} \Π½ΠΎΠΌΠ΅Ρ€ \\ &= 2.54k\ОмСга\\ \end{align}

Π“ΠΎΡ‚ΠΎΠ²ΠΎ!

РСзистор \(R_S\) ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π·Π°ΠΌΠ΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠΎΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠΌ для создания источника ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΈΠ»ΠΈ для настройки/ΠΊΠ°Π»ΠΈΠ±Ρ€ΠΎΠ²ΠΊΠΈ источника Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π½Π° Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠ΅ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ (ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ для этого ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ подстроСчный ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠΎΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€) .

Π’Π°ΠΆΠ½Ρ‹ΠΌ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠΌ, ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΌ Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ/ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π° постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, являСтся выходная ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ \(g_{oss}\) JFET. Π­Ρ‚ΠΎ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ измСнСния \(I_D\) ΠΊ измСнСнию \(V_{DS}\) . Π­Ρ‚ΠΎ ΠΌΠ΅Ρ€Π° Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, насколько устойчивым Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ источник постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊ измСнСниям напряТСния Π½Π° Π½Π΅ΠΌ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ происходят ΠΏΡ€ΠΈ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΈ напряТСния питания ΠΈΠ»ΠΈ сопротивлСния Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ. Π§Π΅ΠΌ мСньшС \(g_{oss}\) , Ρ‚Π΅ΠΌ Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅ (ΠΈΠ΄Π΅Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ источник Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚ΡŒ \(g_{oss} = 0\) , Ρ‡Ρ‚ΠΎ эквивалСнтно ΡΠΎΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΡŽ \(\infty\) ).

Π”ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ свСдСния ΠΎ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π΅ постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ° см. Π½Π° страницС https://www.vishay.com/docs/70596/70596.pdf.

Π˜ΡΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° MOSFET Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ истощСния

TODO: Π”ΠΎΠ±Π°Π²ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΈΠ½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΡŽ.

ΠŸΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π±ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠ³ΠΎ усилитСля

На ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΉ схСмС ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ устройство, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ ΠΎΡ‚ 0 Π΄ΠΎ 1 А Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΡƒ (обозначаСтся ΠΊΠ°ΠΊ \(R_{load}\) ):

Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠ³ΠΎ усилитСля Π½Π° основС Ρ‚Π΅ΠΊΡƒΡ‰Π΅Π³ΠΎ стока.

Π’Ρ‹ устанавливаСтС ΠΆΠ΅Π»Π°Π΅ΠΌΡ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ, обСспСчивая напряТСниС Π΄ΠΎ \(V_{in}\) . Π­Ρ‚ΠΎ напряТСниС ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ поступаСт ΠΎΡ‚ рСзисторного дСлитСля (фиксированный Ρ‚ΠΎΠΊ), ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠΎΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π° (Ρ€ΡƒΡ‡Π½ΠΎΠΉ Ρ€Π΅Π³ΡƒΠ»ΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ) ΠΈΠ»ΠΈ ЦАП (Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²ΠΎΠΉ Ρ€Π΅Π³ΡƒΠ»ΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ). Π’ΠΎΠΊ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ опрСдСляСтся простым ΡƒΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Π·Π°ΠΊΠΎΠ½Π° Ома:

\begin{align} I_{Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ°} = \frac{V_{in}}{R_{смысл}} \end{align}

Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ Ρ‚Π°ΠΊ:

. Π’Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΠ΅ напряТСниС для установки Ρ‚ΠΎΠΊΠ° обСспСчиваСтся Π΄ΠΎ \(V_{in}\) , ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ подаСтся Π½Π° ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Π²Ρ…ΠΎΠ΄ ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠ³ΠΎ усилитСля, \(V_{op+}\) . . Π—Π°Ρ‚Π΅ΠΌ ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹ΠΉ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ установит Π½Π° своСм Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ высокий ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ, ΠΏΡ‹Ρ‚Π°ΡΡΡŒ привСсти Π΅Π³ΠΎ \(V_{op-}\) ΠΊ Ρ‚ΠΎΠΌΡƒ ΠΆΠ΅ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ. . Когда ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹ΠΉ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ°Π΅Ρ‚ напряТСниС Π½Π° своСм Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅, ΠΎΠ½ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ ΠΊ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Ρƒ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ МОП-транзистора, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ Π½Π°Ρ‡ΠΈΠ½Π°Π΅Ρ‚ Π΅Π³ΠΎ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚ΡŒ. . Когда МОП-транзистор Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ, Ρ‚ΠΎΠΊ Π½Π°Ρ‡ΠΈΠ½Π°Π΅Ρ‚ Ρ‚Π΅Ρ‡ΡŒ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΡƒ ΠΈ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ рСзистор, \(R_{sense}\) . . ΠžΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹ΠΉ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠΉ МОП-транзистор Π΄ΠΎ Ρ‚Π΅Ρ… ΠΏΠΎΡ€, ΠΏΠΎΠΊΠ° напряТСниС Π½Π΅ ΡƒΠΏΠ°Π΄Π΅Ρ‚ Π½Π° \(R_{смысл}\) Ρ€Π°Π²Π½ΠΎ \(V_{in}\) , Ρ‚ΠΎ Π΅ΡΡ‚ΡŒ \(V_{op-}\) Ρ€Π°Π²Π½ΠΎ \(V_{op+}\) . . Π­Ρ‚ΠΎ ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·ΠΎΠΉΠ΄Π΅Ρ‚, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π½Π΅Π³ΠΎ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Ρ‚ΡŒ ΠΆΠ΅Π»Π°Π΅ΠΌΠΎΠ΅ количСство Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Ρ‚ ΠΊ ΡƒΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΡŽ \( I_{load} = \frac{V_{in}}{R_{sense}} \) .

На Ρ‡Ρ‚ΠΎ слСдуСт ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒ Π²Π½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅:

  • ΠžΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹ΠΉ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ питаСтся здСсь со слСгка ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ шиной напряТСния Π½Π° Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π΅ \(V_{SS}\) . Π­Ρ‚ΠΎ Π·Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ Π² Ρ‚ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹ΠΉ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ остаСтся работоспособным, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° Π²Ρ‹ устанавливаСтС Π΅Π³ΠΎ Π½Π° Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠ΅ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°. ΠŸΡ€ΠΈ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΡ… уровнях Ρ‚ΠΎΠΊΠ° напряТСния Π½Π° 92 R\) ΠΏΡ€ΠΈ максимальном Ρ‚ΠΎΠΊΠ΅. РассСиваСмая ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ MOSFET Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Π·Π°Π²ΠΈΡΠ΅Ρ‚ΡŒ ΠΎΡ‚ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ ΠΈ падСния напряТСния Π½Π° Π½Π΅ΠΌ. МОП-транзистор ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ Π² своСй Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΉ области β€” области, Π³Π΄Π΅ ΠΎΠ½ Π½Π΅ ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ ΠΈ Π½Π΅ ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½. МОП-транзистор сбрасываСт ΠΎΡΡ‚Π°Π²ΡˆΠ΅Π΅ΡΡ напряТСниС ΠΎΡ‚ источника напряТСния, ΠΏΠΎΠ΄Π°Π²Π°Π΅ΠΌΠΎΠ³ΠΎ Π½Π° Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΡƒ, послС вычитания падСния напряТСния Π½Π° Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ΅ ΠΈ падСния напряТСния Π½Π° Ρ‡ΡƒΠ²ΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ рСзисторС. Π˜ΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠΉΡ‚Π΅ ΡƒΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ \(P = VI\) для опрСдСлСния рассСиваСмой мощности Π² МОП-транзисторном транзисторС.
  • Π•ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ МОП-транзистора ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΈΡ‚ΡŒ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠ³ΠΎ усилитСля Π΄ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΉ стСпСни, Ρ‡Ρ‚ΠΎ это ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Ρ‚ ΠΊ достаточному ΠΎΡ‚ΡΡ‚Π°Π²Π°Π½ΠΈΡŽ ΠΏΠΎ Ρ„Π°Π·Π΅, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Ρ‚ ΠΊ Π½Π΅ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ схСмы. НиТС ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Ρ‹ Ρ€Π΅ΠΊΠΎΠΌΠ΅Π½Π΄ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Π΅ схСмы компСнсации, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π΄ΠΎΠ±Π°Π²ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΊ Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠΉ схСмС, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΡΠ΄Π΅Π»Π°Ρ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠ½ΡΡ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ†ΠΈΡŽ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ.

Π’ΠΎΡ‡Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ втСкания Ρ‚ΠΎΠΊΠ°

Π’ΠΎΡ‡Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ втСкания Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π² основном зависит ΠΎΡ‚ Ρ‚Ρ€Π΅Ρ… аспСктов:

  • Π’Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС смСщСния ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠ³ΠΎ усилитСля.
  • Π’ΠΎΡ‡Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ЦАП (ΠΈΠ»ΠΈ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠ³ΠΎ источника напряТСния), ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ напряТСниС Π΄ΠΎ \(V_{in}\) .
  • Допуск Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ рСзистора.

ΠšΠΎΠΌΠΏΠ΅Π½ΡΠ°Ρ†ΠΈΡ Смкости Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ МОП-транзистора

Π•ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ МОП-транзистора ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΈΡ‚ΡŒ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠ³ΠΎ усилитСля Π΄ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΉ стСпСни, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ½Π° Π²Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ Π΄ΠΎΡΡ‚Π°Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΡƒΡŽ Ρ„Π°Π·ΠΎΠ²ΡƒΡŽ Π·Π°Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΊΡƒ, Π²Ρ‹Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‰ΡƒΡŽ Π½Π΅ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ схСмы. Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° компСнсации ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π΄ΠΎΠ±Π°Π²Π»Π΅Π½Π°, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ Π½Π° схСмС Π½ΠΈΠΆΠ΅, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ отставаниС ΠΏΠΎ Ρ„Π°Π·Π΅ ΠΈ ΠΏΡ€Π΅Π΄ΠΎΡ‚Π²Ρ€Π°Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒ Π½Π΅ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ схСмы.

Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ°, ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‰Π°Ρ схСму компСнсации Смкости Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° Π½Π° стокС Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π½Π° основС ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠ³ΠΎ усилитСля с использованиСм LT1492 5 .

alexxlab

Π”ΠΎΠ±Π°Π²ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠΌΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ€ΠΈΠΉ

Π’Π°Ρˆ адрСс email Π½Π΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΎΠΏΡƒΠ±Π»ΠΈΠΊΠΎΠ²Π°Π½. ΠžΠ±ΡΠ·Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ поля ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ‡Π΅Π½Ρ‹ *