Малосигнальная эквивалентная схема мдп транзистора

Содержание

1. Малосигнальные эквивалентные схемы полевого транзистора с изолированным затвором. Математическая модель.
2. 5. Малосигнальные эквивалентные схемы и параметры
3. Маршрутная карта изготовления транзистора
4. Малосигнальная эквивалентная схема
5. Распределение донорной и акцепторной примесей

Все ПТ по своим конструктивным особенностям можно разделить на

1) полевые транзисторы с управляющим р-п переходом (канальные, или

2) полевые транзисторы с изолированным затвором (МДП- или

Малосигнальная модель МДП-транзистора. Малосигнальная эквивалентная схема показана на рис. 5. Одновременно штриховыми линиями изображены элементы МДП-структуры, что наглядно поясняет связь параметров эквивалентной схемы с этими элементами.

Из четырех конденсаторов, показанных на рис. 5, только Сиз и Ссз непосредственно связаны с МДП-структурой. Быстродействие, определяемое перезарядом этих конденсаторов, принципиально связано со временем пролета через канал. Емкости Сиз и Ссз зависят от напряжений. Если Uси мало, то обе емкости равны друг другу Когда МДП-транзистор входит в режим насыщения, принимают а Соз=0 Еще два конденсатора включены между подложкой и истоком (Сип) и подложкой и стоком (Ссп) и отображают барьерные емкости обедненных областей соответствующих обратновключенных р-n переходов.

1. Пассивные фильтры: низкой и высокой частоты, полосовые пропускающие. Примеры построения и расчёта.

2. Пассивные полосовые заграждающие фильтры. Примеры построения и расчёта.

3. Электропроводность полупроводников. Генерация, рекомбинация носителей зарядов.

4. Электронно-дырочный переход при подаче внешнего напряжения. Вольт-амперная характеристика идеализированного электронно-дырочного перехода. Параметры.

5. Отличие реального полупроводникового диода от идеального.

6. Специальные типы полупроводниковых диодов.

7. Математическая модель (уравнение Эберса – Молла) идеального и реального диода. Эквивалентные модели диодов.

8. Схемы на полупроводниковых диодах. Параллельный диодный ключ и ограничитель. Передаточные характеристики. Эпюры выходного напряжения при синусоидальном входном напряжении.

9. Схемы на полупроводниковых диодах. Последовательный диодный ключ и ограничитель. Передаточные характеристики. Эпюры выходного напряжения при синусоидальном входном напряжении.

10. Физические основы функционирования биполярных транзисторов. Статический коэффициент передачи эмиттерного тока.

11. Типы биполярных транзисторов, режимы работы, схемы включения.

12. Статические характеристики и параметры биполярного транзистора включённого по схеме с общей базой.

13. Статические характеристики и параметры биполярного транзистора включённого по схеме с общим эмиттером.

14. Анализ параметров биполярных транзисторов для различных схем включения.

15. Малосигнальные Т-образные эквивалентные схемы биполярного транзистора в физических параметрах.

16. Малосигнальные эквивалентные схемы биполярного транзистора в h-параметрах.

17. Связь h-параметров с физическими параметрами транзистора.

18. Работа транзистора с нагрузкой. Построение нагрузочной прямой. Принцип усиления.

19. Особенности работы биполярного транзистора на высоких частотах. Предельная и граничная частоты, эквивалентная схема транзистора на высоких частотах.

20. Работа транзистора в импульсном режиме. Импульсные параметры транзистора.

21. Полевые транзисторы с p–n-переходом: устройство; принцип действия; ВАХ; параметры.

22. Полевые транзисторы с изолированным затвором: устройство; принцип действия; ВАХ; параметры.

23. Малосигнальные эквивалентные схемы полевого транзистора с p–n-переходом. Математическая модель.

24. Малосигнальные эквивалентные схемы полевого транзистора с изолированным затвором. Математическая модель.

Источник

Большому классу так называемых линейных электронных схем свойствен такой режим работы транзистора, при котором на фоне сравнительно больших постоянных токов и напряже­ний действуют малые переменные составляющие. Именно эти составляющие представляют в таких схемах основной интерес.

Запишем напряжения и токи в виде

где U 0 и 1 0 – постоянные составляющие;

ΔU и ΔI – перемен­ные составляющие, много меньшие постоянных.

Постоянные и переменные составляющие анализируются и рассчитываются раздельно. При анализе постоянных состав­ляющих, как мы уже и делали, используется нелинейная физическая модель Молла–Эберса. При анализе переменных со­ставляющих использование нелинейной модели не имеет смыс­ла, так как связь между малыми приращениями определяется не самими функциями, а их производными. Поэтому для ана­лиза переменных составляющих пользуются специальными – малосигнальными моделями (эквивалентными схемами), со­стоящими из линейных элементов. Эти элементы отображают те производные, которые связывают между собой малые прира­щения токов и напряжений.

Для заданного эмиттерного тока (условие, свойственное включению ОБ) малосигнальную эквивалентную схему транзистора легко получить из рис. 9, заменяя эмиттерный и коллекторный диоды их дифференциальными сопротивлениями. Поскольку в линейных электронных схемах режим двойной инжекции недопустим, можно исключить из схемы источник тока а₁I₂. С другой стороны, учет сопротивления базового слоя не усложняет анализа малосигнальной схемы; поэтому добавим в схему сопротивление r_б. Можно было бы учесть и сопротивле­ние коллекторного слоя, но его роль оказывается несуществен­ной. Таким образом, малосигналь­ная (и, добавим, низкочастотная) эквивалентная схема транзистора при заданном токе эмиттера при­нимает такой вид, как показано на рис. 12. Емкости С_э и С_к бу­дут учтены позднее.

Рис. 12. Малосигнальная модель транзистора при включении ОБ

Положительное направление тока эмиттера выбрано произволь­но, поскольку знак приращения ΔI_э может быть любым. Обозначе­ния Δ для простоты опущены.

Заметим, что коэффициент α в малосигнальной схеме (индекс N опущен) является дифференциальным, в отличие от интегрального, которым мы пользовались до сих пор. Дифференциальный коэффициент α определяется как производная dI_K/dI_э, тогда как интегральный коэффициент α есть отноше­ние I_к/I_э. Оба коэффициента несколько различаются, но это различие не существенно.

Дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода r_эвыражается по аналогии с обычным диодом формулой

(39)

где I_э – постоянная составляющая тока. При токе 1 мА сопротивление r_э составляет 25 Ом.

Дифференциальное сопротивление коллекторного перехода r_к обусловлено эффектом Эрли. Это сопротивление можно вы­числить, подставляя в (13) значение а = к из (20б), дифференцируя ток I_к по ширине базы w и считая dw = —dl_K (прира­щение dl_K легко связать с dU_K). В результате вычислений полу­чаем:

(40)

где U_к – модуль обратного напряжения.

Следует обратить вни­мание на то, что сопротивление r_к, как и r_э, обратно пропорцио­нально постоянной составляющей тока. Кроме того, оно несколько возрастает с увеличением напряжения, однако эта зависимость мало существенна. Для ориентировки подставим в (40) значения L = 10 мкм, w – 1 мкм, N = 10 16 см -3 и U_K = 4 В. Тогда r_к ≈ 10 3 /I_э; при токе 1 мА получается r_к = 1 МОм.

Сопротивление базы r_б, вообще говоря, является суммой сопротивлений активной и пассивной областей базы. Расчет этих сопротивлений затрудняется сложной траекторией базового тока, сложной геометрией базового слоя, а также его неодно­родностью. Типичными для планарных транзисторов можно считать значения r_б = 50-200 Ом.

огда заданной исходной величиной является ток базы (при включении ОЭ), целесообразна другая эквивалентная схема (рис. 13), в которой источник тока в коллектор­ной цепи управляется то­ком базы. Поскольку схема малосигнальная, испо­льзуется не интегральный коэффициент усиленияB, а дифференциальный, для которого принято особое обозначение β. Связь между малосигнальными параметрами β и α определяется по аналогии с общим выражением:

(41)

В области малых токов коэффициент β несколько больше, а в области больших токов несколько меньше, чем B. В целом же значения β близки к значениям B.

Рис. 13. Малосигнальная модель транзистора при включении ОЭ

Заменяя источник тока αI_э на βI_б, необходимо одновремен­но заменить сопротивление коллекторного перехода r_к на меньшую величину

(42)

Величина r * _к получается из следующих соображений. Для того чтобы обе эквивалентные схемы были равноценны, они, как четырехполюсники, должны иметь одинаковые параметры в режимах холостого хода и короткого замыкания. Напряже­ния холостого хода в схемах на рис. 12 и 13 близки соответ­ственно к αI_эr_к и βI_бr * _к. Приравнивая эти значения и учитывая, что в режиме холостого хода I_э ≈ I_б, получаем (42). Причина уменьшения сопротивления в схеме ОЭ пояснялась ранее. Если выше мы получили для r_к значение 1 МОм, то значение r * при β = 100 составит всего 10 кОм.

Источник

Маршрутная карта изготовления транзистора

Окисление подложки для формирования маскирующего окисла.

Легирование области скрытого слоя.

Выращивание эпитаксиального слоя.

Формирование маскирующего окисла.

Травление изолирующих канавок.

Создание толстого изолирующего окисла.

Формирование маскирующего окисла, фотолитография, легирование области базы

(маска – изолирующий окисел).

Легирование области эмиттера и подлегирование области контакта к коллектору (маска – изолирующий окисел + фоторезист).

Формирование маскирующего окисла.

Травление окисла для создания контактных окон (маска – фоторезист).

Нанесение пленки Al.

Создание линий межсоединений в схеме (маска – фоторезист).

Малосигнальная эквивалентная схема (рисунок 2) описывает работу транзистора в нормальном режиме, что позволяет существенно упростить схему, а так же учесть элементы которыми обычно пренебрегают.

Се_,Сс – барьерные емкости эмиттерного и коллекторного переходов.

Сеd – диффузионная емкость эмиттерного перехода.

r_e – дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода.

Н

а рисунке приведена эквивалентная схема биполярного транзистора, построенная на основе модели Эберса-Молла. Схема описывает только малые переменные составляющие токов и напряжений, поэтому в ней нет источника тока, моделирующего тепловой ток закрытого коллекторного перехода. Инерционные свойства коэффициента передачи тока учитываются путем введения диффузионной емкости эмиттераС_ed. При этом коэффициент передачи  в генераторе тока является действительным числом, не зависящим от частоты. Эмиттерный диод заменен дифференциальным сопротивлением эмиттерного перехода , которое может быть определено из соотношения:

.

Сопротивление r_c и источник тока

связаны с эффектом Эрли. Транзисторный эффект моделируется генератором тока . Ток этого генератора связан не с полным током эмиттера , а только с той его частью, которая течет через сопротивление r_e. Часть эмиттерного тока, протекающая через барьерную емкость эмиттерного перехода C_e, не связана с инжекцией носителей заряда в базу и не может отразиться на коллекторном токе.

Распределение донорной и акцепторной примесей

Концентрация акцепторов в базе вычисляется по формуле:

(1)

L_b – диффузионная длина примеси в базе,

N_bs – поверхностная концентрация базовой примеси.

Чтобы найти диффузионную длину примеси в базе L_b, воспользуемся условием что в точке равной глубине технологического перехода коллектор-база x_jc, концентрация акцепторной примеси в базе N_ab равно концентрации примеси в коллекторе N_c:

Подставляя в (1) и выражая L_B получим:

(3)

Подставляя исходные данные получим L_B = 0.239 мкм.

Концентрация доноров в эмиттере равна:

(4)

Le – диффузионная длина неосновных носителей в эмиттере,

N_es – поверхностная концентрация эмиттерной примеси.

На границе технологического перехода эмиттер-база x_je концентрация доноров в эмиттере равна:

(5)

Подставляя в (4) и выражая L_e получим:

(6)

Зная концентрации в эмиттере, базе, коллекторе и подложке можно построить график распределения примеси.

(7)

величина N_dmax составляет 4.3*10 18 см -3 для кремния легированного фосфором.

Источник

Полупроводниковые и оптоэлектронные приборы | Схемы включения транзистора. Характеристики и параметры

Схемы включения транзистора. Для полевого транзис­тора, как и для биполярного, выделяют три схемы вклю­чения. Для полевого транзистора это схемы с общим за­твором (ОЗ), общим истоком (ОИ) и общим стоком (ОС). Наиболее часто используются схемы с общим истоком.

При объяснении влияния напряжения uис на ширину р-n-перехода фактически использовалась схема с общим истоком (см. рис. 1.75). Рассмотрим характеристики, со­ответствующие этой схеме (что общепринято).

Так как в рабочем режиме iз >>0, iи >> iс, входными харак­теристиками обычно не пользуются, изобразим схему с общим истоком (рис. 1.76).

Рис. 1.76

Выходные (стоковые) характеристики.Выходной ха­рактеристикой называют зависимость вида

где f – некоторая функция.

Изобразим выходные характеристики для кремниево­го транзистора типа КП103Л с р-n-переходом и каналом р-типа (рис. 1.77).

Рис. 1.77

Обратимся к характеристике, соответствующей усло­вию uзи = 0. В линейной области (uис<4В) характеристика почти линейна (все характеристики этой области представляют собой почти прямые линии, вееро­образно выходящие из начала координат). Она определя­ется сопротив­лением канала. Транзистор, работающий в линейной области, можно использовать в качестве линей­ного управляемого сопротивления.

При uис >> 3 В канал в области стока перекрывается. Дальнейшее увеличение напряжения приводит к очень незначительному росту тока iс, так как с увеличением на­пряжения область, в которой канал перекрыт (характери­зующаяся очень большим удельным сопротивлением), расширяется. При этом сопротивление на постоянном токе промежутка исток–сток увеличивается, а ток iс прак­тически не изменяется.

Ток стока в области насыщения при uзи = 0 и при за­данном напряжении uис называют начальным током сто­ка и обозначают через Iс нач. Для рассматриваемых характеристик Iс нач = 5 мА при uис = 10 В. При uис>22 В возникает пробой р-n-перехода и начинается быстрый рост тока.

Графический анализ схем с полевыми транзисторами. Проведем графический анализ одной из схем с полевы­ми транзисторами (рис. 1.78). Пусть Ес = 4В; определим, в ка­ких пределах будет изменяться напряжение uис при изме­нении напряжения uзи от 0 до 2В.

Рис. 1.78

При графическом анализе используется тот же подход, который был использован при анализе схем с диодами и биполярными транзисторами. Для рассматриваемой схе­мы, в которой напряжение между затвором и истоком рав­но напряжению источника напряжения uзи, нет необходи­мости строить линию нагрузки для входной цепи. Линия нагрузки для выходной цепи задается выражением Ec = ic · Rс + uис.

Построим линию нагрузки на выходных характеристи­ках транзистора, представленных на рис. 1.79. Из рисун­ка следует, что при указанном выше изменении напряже­ния uзи напряжение uис будет изменяться в пределах от 1 до 2,6 В, что соответствует перемещению начальной рабо­чей точки от точки А до точки В. При этом ток стока бу­дет изменяться от 1,5 до 0,7 мА.

Рис. 1.79

Стокозатворные характеристики (характеристики пе­редачи, передаточные, переходные, проходные характерис­тики). Стокозатворной характеристикой называют зави­симость вида

где f – некоторая функция.

Такие характеристики не дают принципиально новой информации по сравнению с выходными, но иногда бо­лее удобны для использования. Изобразим стокозатворные характеристики для транзистора КП103Л (рис. 1.80).

Рис. 1.80

Для некоторых транзисторов задается максимальное (по модулю) допустимое отрицательное напряжение, например, для транзистора 2П103Д это напряжение не должно быть по модулю больше чем 0,5 В.

Параметры, характеризующие свойства транзистора усиливать напряжение. Крутизна стокозатворной характеристики S (крутизна характеристики полевого транзистора)

Обычно задается uзи = 0. При этом для транзисторов рас­сматриваемого типа крутизна максимальная.

Внутреннее дифференциальное сопротивление Rис.диф (внутреннее сопротивление)

.

Коэффициент усиления

.

Можно заметить, что M = S·Rис.диф.

Инверсное включение транзистора. Полевой транзистор, как и биполярный, может работать в инверсном режиме. При этом роль истока играет сток, а роль стока – исток.

Прямые (нормальные) характеристики могут отличать­ся от инверсных, так как области стока и истока различа­ются конструктивно и технологически.

Частотные (динамические) свойства транзистора. В полевом транзисторе, в отличие от биполярного отсутству­ют инжекция неосновных носителей и их перемещение по каналу и поэтому не эти явления определяют динамичес­кие свойства. Инерционность полевого транзистора опре­деляется в основном процессами перезаряда барьерной емкости р-n-перехода. Свое влияние оказывают также па­разитные емкости между выводами и паразитные индук­тивности выводов.

В справочных данных часто указывают значения сле­дующих дифференциальных емкостей, которые перечис­лим ниже:

· входная емкость Сзи – это емкость между затвором и истоком при коротком замыкании по переменно­му току выходной цепи;

· проходная емкость Сзс – это емкость между затво­ром и стоком при разомкнутой по переменному току входной цепи;

· выходная емкость Сис – это емкость между истоком и стоком при коротком замыкании по переменно­му току входной цепи.

Для транзистора КП103Л Сзи = 20 пФ, Сзс =8 пФ при uис = 10В и uзи = 0.

[PDF] Моделирование и симуляция схем переключения полевых транзисторов с изолированным затвором

• title={Моделирование и симуляция схем включения полевых транзисторов с изолированным затвором}, автор = {Гарольд Шичман и Дэвид А. Ходжес}, journal={Журнал IEEE о твердотельных схемах}, год = {1968}, объем = {3}, страницы = {285-289} }
  • Х. Шичман, Д. Ходжес
  • Опубликовано 1 сентября 1968 г.
  • Физика
  • IEEE Journal of Solid-state Circuits

  Описана новая эквивалентная схема полевого транзистора с изолированным затвором (IGFET). [] Ключевой результат В качестве примера практического применения показаны результаты моделирования для ячейки памяти IGFET на интегральной схеме.

  Просмотр через Publisher

  ece. jhu.edu

  Усовершенствованная статическая модель полевого транзистора для моделирования интегральных схем

  • В. Вонг, Дж. Лиу, Дж. Прентис

  • Физика

  • 1990

  Разработана статическая модель полевого транзистора (JFET) для моделирования интегральных схем. Модель охватывает поведение областей линейного тока и тока насыщения без…

  Улучшенная модель эквивалентной схемы GaAs MESFET для аналоговых интегральных схем

  • L. Larson

  • Инженерия, информатика

  • 1987

  Описана усовершенствованная модель эквивалентной схемы полевого транзистора на основе арсенида галлия (GaAs), оптимизированная для проектирования и анализа прецизионных аналоговых интегральных схем. Эти схемы влекут за собой…

  Модель MESFET для использования в разработке интегральных схем GaAs

  • W. Curtice

  • Engineering

  • 1980

  Представлена ​​традиционная модель MESFET, пригодная для использования во времени программы моделирования доменных цепей. Параметры модели оцениваются либо по экспериментальным данным, либо по более…

  Статические модели полевых транзисторов с большим сигналом

  • B.D. Wedlock

  • Физика

  • 1970

  Серия статических полевых транзисторов с большим сигналом состоит из знакомых моделей полевых транзисторов (FET). блоки плюс новый нелинейный элемент, идеальный полевой диод. The…

  Моделирование и имитация токов утечки затвора OTFT, обработанных раствором

  • S. Hengen, M. Alt, G. Hernández-Sosa, J. Giehl, U. Lemmer, Norman Mechau

  • Engineering

  • 2014

  GAAS MESFET Modeling и нелинейный CAD

  • W. Curtice

  • Инженерные модели

  • 1988

  Эквивалентные модели модели с цепи. GaAs MESFET. Использование модели большого сигнала в интерактивной программе для анализа усилителя…

  Моделирование реакции переключения КМОП-инвертора для субмикронных устройств

  • L. Bisdounis, O. Koufopavlou, C. Goutis, S. Nikolaidis

  • Engineering

    Proceedings Design, Automation and Test in Europe

  • 1998
  , 1998,7 Proceeding Design, Automation and Test in Europe задержка инвертора в субмикронном режиме представлена ​​и ясно показывает влияние конструктивных характеристик инвертора, емкости нагрузки и наклона формы входного сигнала, управляющего инверторами, на задержку распространения.

  Моделирование зависимости от температуры для моделирования схемы МОП-СБИС

  Для моделирования схемы МОП-СБИС была разработана точная и эффективная методология температурного моделирования для полуэмпирического BSIM (модель Беркли с коротким каналом IGFET), которая показала хорошее согласие с экспериментальными данными по транзисторному выходу. характеристики, передаточные характеристики инвертора и частота колебаний 31-каскадного кольцевого генератора.

  Унифицированное моделирование полевых устройств

  • F. Lindholm

  • Информатика

  • 1971

  Унифицирующий подход к построению моделей полевых устройств содержит модели поведения двух основных типов полевых эффектов при малых и больших сигналах. транзистор и другие связанные устройства, такие как полупроводниковый ограничитель тока и защемляющий резистор.

  Модели MOSFET со слабым сигналом для разработки аналоговых схем

  • S. Liu, L. Nagel

  • Engineering, Computer Science

  • 1982

  Представляет модели MOSFET первого порядка с большим сигналом и выводит соответствующие модели с малым сигналом, связанные со смещением рабочей точки и параметрами процесса ИС, используемого для изготовления устройства, и исследует влияние на характеристики слабого сигнала многих эффектов второго порядка, присутствующих в MOSFET с малой геометрией.

  ПОКАЗАНЫ 1-9 ИЗ 9 ССЫЛОК

  Теория конструкции поверхностного полевого транзистора

  • H. Ihantola, J. Moll

  • Physics

  • 1961

  Аннотация Представлена ​​теория проектирования поверхностных полевых транзисторов с изолированным затвором. Показано, что при близких размерах поверхностный полевой транзистор имеет частотную характеристику…

  Компьютерные модели полевого транзистора

  • B. D. Roberts, C. Harbourt

  • Информатика

  • 1967
  910207 A 90 нелинейная представлена ​​модель полевого транзистора для использования в приложениях с большим сигналом, и получено несколько кусочно-линейных моделей, подходящих для использования с программой анализа электронных цепей (ECAP).

  Концепция управления зарядом в виде эквивалентных схем, представляющая собой связующее звено между классическими моделями диодов и транзисторов с большим сигналом концепцию управления зарядом можно рассматривать как особую форму модели Линвилла для полупроводников. Вместо математических инструментов модели управления зарядом становятся…

  Влияние фиксированного объемного заряда на характеристики транзисторов металл-оксид-полупроводник

  • C. Sah, H. Pao

  • Физика

  • 1966

  Теория характеристик МОП-транзисторов разработана на основе модели, в которой оба объемных заряда обусловлены ионизированной примесью в полупроводнике подложка и разность…

  Численное интегрирование систем жестких нелинейных дифференциальных уравнений

  • И. Сандберг, Х. Шичман

  • Математика

  • 1968

  Например, при проектировании транзисторных схем часто необходимо получить численное решение системы нелинейных обыкновенных дифференциальных уравнений. В некоторых случаях…

  Сетевой анализ на цифровом компьютере

  • Ф. Куо

  • Информатика

  • 1966

  Методы и программы для лестничных сетей, ячеистого и узлового анализа, анализа топологии сети, состояния электронных схем Обсуждаются анализ переменных, n-портовый гибридный матричный анализ и анализ нелинейных цепей.

  Компьютерное проектирование и характеристика интегральных схем МОП

  • Д. Фрохман-Бенчковски, Л. Вадаш

  • Информатика

  • 1968

  Компьютерные модели полевого транзистора Harbour;

  • Проц. IEEE,

  • 1921

  Итерационные методы решения уравнений

  • Энглвуд Клиффс, Нью-Джерси: Pren t ice-Hall,

  190014

  ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ — ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

  НАЖМИТЕ ЗДЕСЬ, ЧТОБЫ ПОЛУЧИТЬ СТРАНИЦУ ИНДЕКСА

  ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ — FETS

  В.Райан © 2019-2022

  PDF-ФАЙЛ — НАЖМИТЕ ЗДЕСЬ, ЧТОБЫ ПЕЧАТЬ РАБОЧИЙ ЛИСТ

  Полевые транзисторы имеют исток, сток и затвор, которые расположены аналогично «выводам» биполярного переходного транзистора (BJT), такого как транзистор NPN или PNP — коллектор, база и эмиттер. Затвор полевого транзистора играет ту же роль, что и основание биполярного транзистора. Когда затвор срабатывает, он позволяет току течь через сток и исток. Однако для запуска затвора требуется небольшой ток, в отличие от BJT.

  Полевые транзисторы — это цифровые устройства, действующие как «переключатель» или «усилитель». Они имеют относительно высокое входное сопротивление, что является преимуществом перед биполярными транзисторами. Полевые транзисторы имеют то преимущество, что они являются устройствами, управляемыми напряжением, тогда как биполярные транзисторы, такие как NPN-транзисторы, управляются током, потребляя больший ток из цепи. Полевые транзисторы обеспечивают большую защиту вторичной цепи. Следовательно, они идеально подходят для обеспечения выходного сигнала для соленоидов и двигателей, обеспечивая их правильную работу. Полевые транзисторы физически меньше, чем BJT. Следовательно, готовая коммерческая схема будет занимать меньшую площадь, чем схема, включающая биполярные транзисторы. Хотя полевые транзисторы более дороги в производстве, чем биполярные транзисторы, они предпочтительнее в большинстве коммерческих схем, за исключением схем усилителей. Транзисторы с биполярным переходом предпочтительнее использовать в схемах усилителя, так как они обеспечивают больший коэффициент усиления, чем полевые транзисторы.

  КЛАССИФИКАЦИЯ ОБЫЧНЫХ ПТ

  Доступны различные полевые транзисторы, некоторые из которых показаны ниже. JFET-Junction Полевой транзистор Полевой транзистор MESFET-Metal Semiconductor HEMT-транзистор с высокой подвижностью электронов MOSFET-металлооксидный полупроводниковый полевой транзистор

  Две схемы ниже включают N-канальный МОП-транзистор. Вход на затвор запускает полевой МОП-транзистор, позволяя току течь через сток и исток, приводя в действие двигатель и зуммер.

  СХЕМА МАСТЕРА ВЕРСИЯ С ПОЛЕВЫМИ ЦЕПЯМИ / ДВИГАТЕЛЬНОЙ ЦЕПЬЮ

  ИЗОБРАЖЕНИЕ СХЕМЫ ПТ / ДВИГАТЕЛЯ

  КОНТРОЛЬНАЯ ВЕРСИЯ МАСТЕРА С ЗУММЕРОМ / МОТОРНОЙ ЦЕПЬЮ

  ИЗОБРАЖЕНИЕ СХЕМЫ ПТ / ДВИГАТЕЛЯ

  Цепь датчика температуры, показанная ниже, частично зависит от МОП-транзистора. alexxlab Добавить комментарий Отменить ответ Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены * Комментарий * Имя * Email * Сайт Рубрики Прост Радио Разное Своими руками Советы Схем Схемы Транзист Транзисторы Электрон Электроника