Транзистор КТ316 — DataSheet

Параметр	Обозначение	Маркировка	Условия	Значение	Ед. изм.
Аналог		КТ316А		2N3010, 2N3681 *1, ST6125, KTC2348 *3
		КТ316Б		2N709, 2N709A,  MM8006, MM8007,  MRF5031HX,  MRF5031HXV,  MRF5031LT1,  BFR93 *3, 2SC772 *1, 2N3953, BF232 *1, BFW99 *1
		КТ316В		2N709A, MM8006, MM8007,  MRF5031HX,  MRF5031HXV,  MRF5031LT1,  BFR93 *3, 2SC772 *1, 2N3953, BF232 *1,  BFW99 *1
		КТ316Г		2SC40, 2N3681 *1, ST6125, KTC2348 *3
		КТ316Д		2N2784, 2SC772 *3, S822T *3, S852T *3, 2SC3195 *3, 2SC3880S *3
		КТ316АМ		2N4254, NTE107, КТС2348
		КТ316БМ		MPS6541, CD9018D,  2SC3801, 2SC3801M, КТС9018, 2SC3194,  P2N2369 *2, KSP5179, KSP24, KSP17
		КТ316ГМ		2N4255, KSC1395,КТС2348
		КТ316ДМ		KSC1730
Структура			—	n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора	PK max,P*K, τ max,P**K, и max	КТ316А	90 °C	150	мВт
		КТ316Б	90 °C	150
		КТ316В	90 °C	150
		КТ316Г	90 °C	150
		КТ316Д	90 °C	150
		КТ316АМ	85 °C	150
		КТ316БМ	85 °C	150
		КТ316ВМ	85 °C	150
		КТ316ГМ	85 °C	150
		КТ316ДМ	85 °C	150
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером	fгр, f*h31б, f**h31э, f***max	КТ316А	—	≥600	МГц
		КТ316Б	—	≥800
		КТ316В	—	≥800
		КТ316Г	—	≥600
		КТ316Д	—	≥800
		КТ316АМ	—	≥600
		КТ316БМ	—	≥800
		КТ316ВМ	—	≥800
		КТ316ГМ	—	≥600
		КТ316ДМ	—	≥800
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера	UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб.	КТ316А	3к	10*	В
		КТ316Б	3к	10*
		КТ316В	3к	10*
		КТ316Г	3к	10*
		КТ316Д	3к	10*
		КТ316АМ	3к	10*
		КТ316БМ	3к	10*
		КТ316ВМ	3к	10*
		КТ316ГМ	3к	10*
		КТ316ДМ	3к	10*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора	UЭБО проб.,	КТ316А	—	4	В
		КТ316Б	—	4
		КТ316В	—	4
		КТ316Г	—	4
		КТ316Д	—	4
		КТ316АМ	—	4
		КТ316БМ	—	4
		КТ316ВМ	—	4
		КТ316ГМ	—	4
		КТ316ДМ	—	4
Максимально допустимый постоянный ток коллектора	IK max, I*К , и max	КТ316А	—	50	мА
		КТ316Б	—	50
		КТ316В	—	50
		КТ316Г	—	50
		КТ316Д	—	50
		КТ316АМ	—	50
		КТ316БМ	—	50
		КТ316ВМ	—	50
		КТ316ГМ	—	50
		КТ316ДМ	—	50
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера	IКБО, I*КЭR, I**КЭO	КТ316А	10 В	≤0.5	мкА
		КТ316Б	10 В	≤0.5
		КТ316В	10 В	≤0.5
		КТ316Г	10 В	≤0.5
		КТ316Д	10 В	≤0.5
		КТ316АМ	10 В	≤0.5
		КТ316БМ	10 В	≤0.5
		КТ316ВМ	10 В	≤0.5
		КТ316ГМ	10 В	≤0.5
		КТ316ДМ	10 В	≤0.5
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером	h21э,  h*21Э	КТ316А	1 В; 10 мА	20…60*
		КТ316Б	1 В; 10 мА	40…120*
		КТ316В	1 В; 10 мА	40…120*
		КТ316Г	1 В; 10 мА	20…100*
		КТ316Д	1 В; 10 мА	60…300*
		КТ316АМ	1 В; 10 мА	20…60*
		КТ316БМ	1 В; 10 мА	40…120*
		КТ316ВМ	1 В; 10 мА	40…120*
		КТ316ГМ	1 В; 10 мА	20…100*
		КТ316ДМ	1 В; 10 мА	60…300*
Емкость коллекторного перехода	cк,  с*12э	КТ316А	5 В	≤3	пФ
		КТ316Б	5 В	≤3
		КТ316В	5 В	≤3
		КТ316Г	5 В	≤3
		КТ316Д	5 В	≤3
		КТ316АМ	5 В	≤3
		КТ316БМ	5 В	≤3
		КТ316ВМ	5 В	≤3
		КТ316ГМ	5 В	≤3
		КТ316ДМ	5 В	≤3
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером	rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р.	КТ316А	—	≤40	Ом, дБ
		КТ316Б	—	≤40
		КТ316В	—	≤40
		КТ316Г	—	≤40
		КТ316Д	—	≤40
		КТ316АМ	—	≤40
		КТ316БМ	—	≤40
		КТ316ВМ	—	≤40
		КТ316ГМ	—	≤40
		КТ316ДМ	—	≤40
Коэффициент шума транзистора	Кш, r*b, P**вых	КТ316А	—	—	Дб, Ом, Вт
		КТ316Б	—	—
		КТ316В	—	—
		КТ316Г	—	—
		КТ316Д	—	—
		КТ316АМ	—	—
		КТ316БМ	—	—
		КТ316ВМ	—	—
		КТ316ГМ	—	—
		КТ316ДМ	—	—
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте	τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс)	КТ316А	—	≤10*	пс
		КТ316Б	—	≤10*
		КТ316В	—	≤15*
		КТ316Г	—	≤150
		КТ316Д	—	≤150
		КТ316АМ	—	≤10*
		КТ316БМ	—	≤10*
		КТ316ВМ	—	≤15*
		КТ316ГМ	—	≤150
		КТ316ДМ	—	≤150

КТ316А, КТ316Б, КТ316В, КТ316Г, КТ316Д

Поиск по сайту

Транзистор КТ316 — усилительный и переключательный, эпитаксиально-планарный, кремниевый, структуры n-p-n. Коэффициент шума не нормирован. КТ316Г, КТ316Д, КТ316ГМ, КТ316ДМ, 2Т316Г, 2Т316Д применяются в УВЧ, КТ316А, КТ316Б, КТ316В, КТ316АМ, КТ316БМ, КТ316ВМ, 2Т316А, 2Т316Б, 2Т316В — в переключающих устройствах. Имеют металлостеклянный корпус, выводы гибкие. Тип указывается на корпусе. Масса не более 0.6 г. (КТ316АМ — КТ316ДМ имеют пластмассовый корпус. Маркируются сокращённо: 316А, 316Б, 316В, 316Г, 316Д. Масса не более 0.5 г.) Цоколевка КТ316 Цоколевка КТ316 показана на рисунке. Электрические параметры КТ316 • Коэффициент передачи тока (статический). Схема с общим эмиттером при Uкэ = 0, Iэ = 10 мА:   T = +25°C:     КТ316А, КТ316АМ, 2Т316А 20 ÷ 60     КТ316Б, КТ316В КТ316БМ, КТ316ВМ, 2Т316Б, 2Т316В 40 ÷ 120     КТ316Г, КТ316ГМ, 2Т316Г 20 ÷ 100     КТ316Д, КТ316ДМ, 2Т316Д 60 ÷ 300   T = −60°C:     2Т316А 10 ÷ 60     2Т316Б, 2Т216В 20 ÷ 120     2Т316Г 10 ÷ 100     2Т316Д 30 ÷ 300   T = +125°C:     2Т316А 20 ÷ 120     2Т316Б, 2Т216В 40 ÷ 240     2Т316Г 20 ÷ 200     2Т316Д 60 ÷ 600 • Граничная частота коэффициента передачи тока при Uкб = 5 В, Iэ = 10 мА: КТ316А, КТ316Г, КТ316АМ, КТ316ГМ, 2Т316А, 2Т316Г, не менее 600 МГц КТ316Б, КТ316В, КТ316Д, КТ316БМ, КТ316ВМ, КТ316ДМ, 2Т316Б, 2Т316В, 2Т316Д, не менее   800 МГц • Постоянная времени цепи обратной связи при Iэ = 10 мА, Uкб = 5 В, f = 10 МГц, для КТ316Г, КТ316Д, КТ316ГМ, КТ316ДМ, 2Т316Г, 2Т316Д, не более   150 пс • Время рассасывания при Iк = 10 мА, Iб1 = 1 мА, Rб2 = 1 мА, Rк = 75 Ом: КТ316А, КТ316Б, КТ316АМ, КТ316БМ, 2Т316А, 2Т316Б, не более 10 нс КТ316В, КТ316ВМ, 2Т316В, не более 15 нс • Граничное напряжение при Iэ = 1 мА, не менее 5 В • Напряжение насыщения К-Э при Iб = 1 мА, Iк = 10 мА, не более 0.4 В • Напряжение насыщения Б-Э при Iб = 1 мА, Iк = 10 мА, не более 1.1 В • Ток коллектора (обратный) при Uкб = 10 В, не более: T = +25°C 0.5 мкА T = +125°C 2Т316А, 2Т316Б, 2Т316В, 2Т316Г, 2Т316Д 5 мкА • Ток эмиттера (обратный) при T = +25°C, Uэб = 4 В, не более 1 мкА • Ёмкость коллекторного перехода при Uкб = 5 В, не более 3 пФ • Ёмкость эмиттерного перехода при Uэб = 0, не более 2.5 пФ • Конструктивная ёмкость между выводами эмиттера и коллектора КТ316А, КТ316Б, КТ316В, КТ316Г, КТ316Д, 2Т316А, 2Т316Б, 2Т316В, 2Т316Г, 2Т316Д 0.5 пФ • Индуктивность выводов базы и эмиттера КТ316А, КТ316Б, КТ316В, КТ316Г, КТ316Д, 2Т316А, 2Т316Б, 2Т316В, 2Т316Г, 2Т316Д при l = 3 мм 6 нГн Предельные эксплуатационные характеристики КТ316 • Постоянное напряжение Б-К 10 В • Напряжение К-Э (постоянное) при Rбэ = 3 кОм: 10 В • Постоянное напряжение Б-Э 4 В • Ток коллектора и эмиттера (постоянный) 30 мА • Ток коллектора и эмиттера в режиме насыщения (постоянный)   50 мА • Рассеиваемая мощность коллектора (постоянная)1: 2Т316А, 2Т316Б, 2Т316В, 2Т316Г, 2Т316Д:   при T ≤ +75°C, P ≥ 6550 Па 150 мВт   при T ≤ +75°C, P = 655 Па 100 мВт   при T = +125°C 60 мВт КТ316А, КТ316Б, КТ316В, КТ316Г, КТ316Д:   при T ≤ +90°C 150 мВт   при T = +125°C 60 мВт КТ316АМ, КТ316БМ, КТ316ВМ, КТ316ГМ, КТ316ДМ:   при T ≤ +85°C 150 мВт • Температура перехода (p-n) +150°C 1 В диапазонах температур +75…+125°C для 2Т316А ÷ 2T316Д и +90…+125°C для КТ316А ÷ КТ316Д допустимые значения рассеиваемой мощности снижаются линейно.

Транзисторы КТ316А, КТ316Б, КТ316В, КТ316Г, КТ316Д, КТ316АМ, КТ316БМ, КТ316ГМ, КТ316ДМ, 2Т316А, 2Т316Б, 2Т316В, 2Т316Г, 2Т316Д

Транзисторы КТ316А, КТ316Б, КТ316В, КТ316Г, КТ316Д, КТ316АМ, КТ316БМ, КТ316ГМ, КТ316ДМ, 2Т316А, 2Т316Б, 2Т316В, 2Т316Г, 2Т316Д

Транзисторы КТ342 — кремниевые, маломощные, высокочастотные, усилительные и перключательные, структуры — n-p-n.
Предназначены для усиления и генерирования в широком диапазоне частот. У транзисторов КТ316А, КТ316Б, КТ316В, КТ316Г, КТ316Д, 2Т316А, 2Т316Б, 2Т316В, 2Т316Г, 2Т316Д — корпус металлостеклянный с гибкими выводами, масса около 0,6 гр. Очень высокое содержание золота — свыше 10 грамм на 1000 транзисторов.
У модифицированных транзисторов КТ316АМ, КТ316БМ, КТ316ВМ, КТ316ГМ, КТ316ДМ — корпус пластиковый.
Маркировка буквенно — цифровая, на боковой поверхности корпуса.

Наиболее важные параметры.

Постоянная рассеиваемая мощность(Рк т max ) — 150 vВт.

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер- 10 в.

Максимальное напряжение коллектор-база- 10 в.

Максимальное постоянное напряжение эмиттер-база — 4 в.

Максимальный постоянный ток коллектора — 30мА .

Обратный ток коллектора при максимальном напряжении коллектор-база — 0,5 мкА.

Обратный ток эмиттера при максимальном напряжении эмиттер-база — 1 мкА.

Напряжение насыщeния коллектор-эмиттер при токе коллектора 10 мА и токе базы 1 мА — не более 0,4в.

Напряжение насыщeния база-эмиттер при токе коллектора 10 мА и токе базы 1 мА — не более 1,1в.

Граничная частота передачи тока( fh31э ):
У транзисторов КТ316А, КТ316Г, 2Т316АМ, КТ316ГМ, 2Т316А, 2Т316Г — 600 МГц.
У транзисторов КТ316Б, КТ316В, КТ316Д, КТ316БМ, КТ316ВМ, КТ316ДМ, 2Т316Б, 2Т316В, 2Т316Д — 800 МГц.

Коэффициент передачи тока:
У транзисторов КТ316А, КТ316АМ, 2Т316А — от 20 до 60.
У транзисторов КТ316Б, КТ316В, 2Т316БМ, КТ316ВМ, 2Т316Б, 2Т316В — от 40 до 120.
У транзисторов КТ316Г, КТ316ГМ, 2Т316Г — от 20 до 100.
У транзисторов КТ316Д, КТ316ДМ, 2Т316Д — от 60 до 300.

Зарубежные аналоги транзисторов КТ361.

КТ316А — MM1748.
КТ316Б — 2N709.
КТ316Г — 2SC40.

На главную страницу

КТ316 — Справочная — Каталог статей — Микроконтроллеры

Транзистор КТ316 — усилительный и переключательный, эпитаксиально-планарный, кремниевый, структуры n-p-n. Коэффициент шума не нормирован. КТ316Г, КТ316Д, КТ316ГМ, КТ316ДМ, 2Т316Г, 2Т316Д применяются в УВЧ, КТ316А, КТ316Б, КТ316В, КТ316АМ, КТ316БМ, КТ316ВМ, 2Т316А, 2Т316Б, 2Т316В — в переключающих устройствах. Имеют металлостеклянный корпус, выводы гибкие. Тип указывается на корпусе. Масса не более 0.6 г. (КТ316АМ — КТ316ДМ имеют пластмассовый корпус. Маркируются сокращённо: 316А, 316Б, 316В, 316Г, 316Д. Масса не более 0.5 г.) Цоколевка КТ316 Цоколевка КТ316 показана на рисунке. Электрические параметры КТ316 • Коэффициент передачи тока (статический). Схема с общим эмиттером при Uкэ = 0, Iэ = 10 мА:   T = +25°C:     КТ316А, КТ316АМ, 2Т316А 20 ÷ 60     КТ316Б, КТ316В КТ316БМ, КТ316ВМ, 2Т316Б, 2Т316В 40 ÷ 120     КТ316Г, КТ316ГМ, 2Т316Г 20 ÷ 100     КТ316Д, КТ316ДМ, 2Т316Д 60 ÷ 300   T = −60°C:     2Т316А 10 ÷ 60     2Т316Б, 2Т216В 20 ÷ 120     2Т316Г 10 ÷ 100     2Т316Д 30 ÷ 300   T = +125°C:     2Т316А 20 ÷ 120     2Т316Б, 2Т216В 40 ÷ 240     2Т316Г 20 ÷ 200     2Т316Д 60 ÷ 600   • Граничная частота коэффициента передачи тока при Uкб = 5 В, Iэ = 10 мА: КТ316А, КТ316Г, КТ316АМ, КТ316ГМ, 2Т316А, 2Т316Г, не менее 600 МГц КТ316Б, КТ316В, КТ316Д, КТ316БМ, КТ316ВМ, КТ316ДМ, 2Т316Б, 2Т316В, 2Т316Д, не менее   800 МГц   • Постоянная времени цепи обратной связи при Iэ = 10 мА, Uкб = 5 В, f = 10 МГц, для КТ316Г, КТ316Д, КТ316ГМ, КТ316ДМ, 2Т316Г, 2Т316Д, не более    150 пс   • Время рассасывания при Iк = 10 мА, Iб1 = 1 мА, Rб2 = 1 мА, Rк = 75 Ом: КТ316А, КТ316Б, КТ316АМ, КТ316БМ, 2Т316А, 2Т316Б, не более 10 нс КТ316В, КТ316ВМ, 2Т316В, не более 15 нс   • Граничное напряжение при Iэ = 1 мА, не менее 5 В   • Напряжение насыщения К-Э при Iб = 1 мА, Iк = 10 мА, не более 0.4 В   • Напряжение насыщения Б-Э при Iб = 1 мА, Iк = 10 мА, не более 1.1 В   • Ток коллектора (обратный) при Uкб = 10 В, не более: T = +25°C 0.5 мкА T = +125°C 2Т316А, 2Т316Б, 2Т316В, 2Т316Г, 2Т316Д 5 мкА   • Ток эмиттера (обратный) при T = +25°C, Uэб = 4 В, не более 1 мкА   • Ёмкость коллекторного перехода при Uкб = 5 В, не более 3 пФ   • Ёмкость эмиттерного перехода при Uэб = 0, не более 2.5 пФ   • Конструктивная ёмкость между выводами эмиттера и коллектора КТ316А, КТ316Б, КТ316В, КТ316Г, КТ316Д, 2Т316А, 2Т316Б, 2Т316В, 2Т316Г, 2Т316Д 0.5 пФ   • Индуктивность выводов базы и эмиттера КТ316А, КТ316Б, КТ316В, КТ316Г, КТ316Д, 2Т316А, 2Т316Б, 2Т316В, 2Т316Г, 2Т316Д при l = 3 мм 6 нГн     Предельные эксплуатационные характеристики КТ316 • Постоянное напряжение Б-К 10 В   • Напряжение К-Э (постоянное) при Rбэ = 3 кОм: 10 В   • Постоянное напряжение Б-Э 4 В   • Ток коллектора и эмиттера (постоянный) 30 мА • Ток коллектора и эмиттера в режиме насыщения (постоянный)    50 мА   • Рассеиваемая мощность коллектора (постоянная)1: 2Т316А, 2Т316Б, 2Т316В, 2Т316Г, 2Т316Д:   при T ≤ +75°C, P ≥ 6550 Па 150 мВт   при T ≤ +75°C, P = 655 Па 100 мВт   при T = +125°C 60 мВт КТ316А, КТ316Б, КТ316В, КТ316Г, КТ316Д:   при T ≤ +90°C 150 мВт   при T = +125°C 60 мВт КТ316АМ, КТ316БМ, КТ316ВМ, КТ316ГМ, КТ316ДМ:   при T ≤ +85°C 150 мВт   • Температура перехода (p-n) +150°C   1 В диапазонах температур +75…+125°C для 2Т316А ÷ 2T316Д и +90…+125°C для КТ316А ÷ КТ316Д допустимые значения рассеиваемой мощности снижаются линейно.

Биполярный транзистор КТ316В — описание, параметры и цоколевка

Описание транзистора КТ316В

Транзистор КТ316А кремниевый эпитаксиально-планарный структура n-p-n универсальный.
Предназначен для применения в переключающих устройствах.
Выпускается в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,6 г.

Цоколевка и размеры транзистора КТ316В

Характеристики транзистора КТ316В

Структура	n-p-n
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	10 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	10 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	50 мА
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	0,15 Вт
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	40-120
Обратный ток коллектора
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	=>800 МГц
Коэффициент шума транзистора	-

Биполярный транзистор КТ316Г — описание, параметры и цоколевка

Описание транзистора КТ316Г

Транзистор КТ316Г кремниевый эпитаксиально-планарный структура n-p-n универсальный.
Предназначен для применения в усилителях высокой частоты.
Выпускается в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора е более 0,6 г.

Цоколевка и размеры транзистора КТ316Г

Характеристики транзистора КТ316Г

Структура	n-p-n
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	10 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	10 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	50 мА
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	0,15 Вт
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	20-100
Обратный ток коллектора
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	=>600 МГц
Коэффициент шума транзистора	-

Биполярный транзистор КТ316Д — описание, параметры и цоколевка

Описание транзистора КТ316Д

Транзистор КТ316Д кремниевый эпитаксиально-планарный структура n-p-n универсальный.
Предназначен для применения в усилителях высокой частоты.
Выпускается в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора е более 0,6 г.

Цоколевка и размеры транзистора КТ316Д

Характеристики транзистора КТ316Д

Структура	n-p-n
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	10 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	10 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	50 мА
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	0,15 Вт
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	60-300
Обратный ток коллектора
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	=>800 МГц
Коэффициент шума транзистора	-