Высокочастотные диоды: Краткие характеристики импортных полупроводниковых диодов — RC74 — интернет-магазин радиоуправляемых моделей

Содержание

Краткие характеристики импортных полупроводниковых диодов

Высокочастотные диоды входят в группу полупроводниковых диодов, которые предназначены для обработки ВЧ сигналов на частотах до 1000 МГц.
На таких частотах могут работать только диоды с малой ёмкостью перехода (не более 1-2 пФ). Поэтому в качестве высокочастотных в большинстве случаев используют точечные диоды. Поскольку высокочастотные диоды могут хорошо работать и на низких частотах, т.е. в широком диапазоне частот, их называют также универсальными.
Существуют 2 разновидности высокочастотных диодов:
1 – детекторные ВЧ диоды, которые выделяют НЧ сигнал из модулированного.
2 – смесительные ВЧ диоды, которые предназначены для перемножения двух ВЧ сигналов.

Условные обозначения электрических параметров высокочастотных диодов:

Uоб / Uимп — максимально допустимое постоянное (Uоб) или импульсное (Uимп) обратное напряжение на диоде.

Iпр / Iимп — максимально допустимый постоянный (Iпр) или импульсный (Iимп) прямой ток через диод.
Uпр / Iпр — максимальное падение напряжения (Uпр) на диоде при заданном прямом токе (Iпр) через него.
Cд / Uд — ёмкость диода (Cд) и напряжение на диоде (Uд), при котором она измеряется.
Io(25) / Ioм — обратный ток диода при предельном обратном напряжении. Приводится для температуры +25 (Iо(25)) и максимальной рабочей температуры (Iом).
Fmax — максимальная рабочая частота диода.

Диод	Uоб/Uимп В/В	Iпр/Iимп мА/мА	Uпр/Iпр В/мА	Cд/Uд пф/В	Io(25)/Ioм мкА/мкА	Fmax МГц	Кор- пус
2Д401А 2Д401Б 2Д401В	75/ 75/ 100/	30/90 30/90 30/90	1. 0/5 1.0/5 1.2/5	1.0/5 1.0/5 1.0/5	5/100 5/100 5/100	100 100 100	23 23 23
ГД402А ГД402Б	15/ 15/	30/100 30/100	0.45/15 —	0.8/5 0.5/5	100/ 100/		1 1
ГД403А	5/	5/					23
ГД404АР	3/	20/	0. 4/10				24
КД407А	24/24	50/500	1.0/50	1.0/5	0.5/10		1
2ДС408А1 2ДС408Б1 2ДС408В1 2ДС408Г1	12/12 12/12 12/12 12/12	10/100 10/100 10/100 10/100	0.83/0.1 0.83/0.1 0.83/0.1 0.83/0.1	1.3/.5 1.3/.5 1.3/.5 1.3/.5	0.01/ 0.01/ 0.01/ 0.1/		12 12 12 12
КД409А КД409Б КД409В КД409А9 КД409Б9	24/ 40/ 24/ 40/40 40/40	50/500 50/500 50/500 100/500 50/500	1. 0/50 1.0/50 1.0/50 1.0/50 1.0/50	2/15 1.5/20 2/15 1.5/20 1.5/15	0.5/10 0.5/10 0.5/10 0.5/10 0.5/10	— 1000 1000 — 1000	30 30 30 55 55
КД410А КД410Б	/1000 /600	50/ 50/	2.0/50 2.0/50		3 мА/5 мА 3 мА/5 мА	0.02 0.02	31 31
КД411АМ КД411БМ КД411ВМ КД411ГМ КД411ДМ КД411ЕМ КД411НМ	/700 /750 /600 /500 /550 /300 /800	2А/100А 2А/100А 2А/100А 2А/100А 2А/ 2А/ 2А/	1. 4/1 А 1.4/1 А 1.4/1 А 2.0/1 А 1.4/1 А 1.4/1 А 1.4/1 А		300/700 300/700 300/700 300/700 10/ 10/ 1/		5 5 5 5 5 5 5
КД412А КД412Б КД412В КД412Г	1000/1000 800/800 600/600 400/	10А/20А 10А/20А 10А/20А 10А/20А	2.0/10 А 2.0/10 А 2.0/10 А 2.0/10 А		100/2000 100/2000 100/2000 100/		8 8 8 8
КД413А КД413Б	24/ 24/	20/20 20/20	1. 0/20 1.0/20	0.7/0 0.7/0			13 13
КДС414А1 КДС414Б1 КДС414В1	20/30 20/30 20/30	10/20 10/20 10/20	0.75/1 0.75/1 0.75/1	3/0 3/0 3/0	0.01/ — —
КДС415А1 КДС415Б1 КДС415В1	20/30 20/30 20/30	10/20 10/20 10/20	0.75/1 0.75/1 0.75/1	3/0 3/0 3/0	0.01/ — —
КД416А КД416Б	400/400 200/200	0. 3/15 А 0.3/15 А	3/15А —	25/400 25/400	500/ 500/		5 5
КД417А	24/	20/	1/20	0.4/1
2Д419А 2Д419Б 2Д419В 2Д419Г 2Д419Д	15/ 30/ 50/ 15/ 10/	10/ 10/ 10/ 10/ 10/	0.15/0.1 0.4/1 0.4/1 0.5/1 0.4/1	1.5/0 1.5/0 1.5/0 2/0 1.5/0	10/ 10/ 10/ 10/ 10/	400 400 400 400 400	13 13 13 13 13
2Д420А	24/35	50/500	1. 0/50	1.0/0	1/		1
КД421А		5/	0.65/1	0.4/0			56
2Д422А 2Д422Б	1.5/ 1.5/	5/ 5/	0.35/5 0.35/5		70/ 70/
2Д423А 2Д423Б	1000/2000 800/1600	/400 /400	3/20 3/20		1500/ 1500/		48 48
КД424А КД424В КД424Г	250/250 200/200 150/150	350/2000 350/2000 350/2000	1. 1/300 1.1/300 1.1/300	10/0 10/0 10/0	0.1/10 0.1/10 0.1/10		33 33 33
АД425А АД425Б	600/600 400/400		2/2000 2/2000		2000 2000		8 8
КД427А КД427Б КД427В КД427Г КД427Д	/750 /650 /550 /350 /150	1000/8000 1000/8000 1000/8000 1000/8000 1000/8000	1.4/1000 1.4/1000 1.4/1000 1.4/1000 1.4/1000			30 30 30 30 30	1 1 1 1 1

ГД402, КД407, КД427	КД411, КД416	2Д123-91
2ДС408	2Д419	2Д401, ГД403
ГД404	КД409А-В	КД410
КД424	2Д423	КД409А9-Б9
КД421

Высокочастотный диод — Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1

Cтраница 1

Структурные схемы плоскостного ( а и точечного ( б диодов.

[1]

Высокочастотные диоды предназначены для использования в качестве ключевых элементов в импульсных схемах. Для диода состояние включено соответствует прямому смещению р-и-перехода, состояние выключено — обратному. Чем меньше их диффузионная емкость, тем быстрее протекают переходные процессы в диоде, тем меньше время переключения т, тем больше быстродействие. Для уменьшения диффузионной емкости диода необходимо уменьшить время жизни неравновесных носителей, что достигается увеличением удельной проводимости базы диода. [2]

Высокочастотные диоды характеризуются теми же параметрами номинальных и предельных режимов работы, что и выпрямительные диоды. Кроме того, высокочастотные диоды часто характеризуются дифференциальным ( внутренним) сопротивлением и коэффициентом шума. Шумовые свойства диода можно характеризовать величиной эквивалентного омического сопротивления R3KB, мощность тепловых шумов которого равна мощности шума диода. [3]

Структурные схемы плоскостного ( а и точечного ( б диодов. [4]

Высокочастотные диоды предназначены для использования в качестве ключевых элементов в импульсных схемах. Для диода состояние включено соответствует прямому смещению / ьл-перехода, состояние выключено — обратному. Чем меньше их диффузионная емкость, тем быстрее протекают переходные процессы в диоде, тем меньше время переключения т, тем больше быстродействие. Для уменьшения диффузионной емкости диода необходимо уменьшить время жизни неравновесных носителей, что достигается увеличением удельной проводимости базы диода. [5]

Высокочастотные диоды предназначены для работы в различных схемах преобразования элекрических сигналов в диапазоне частот до нескольких сотен мегагерц. Точечные диоды отличаются от плоскостных более сложными процессами, протекающими в них при выпрямлении. В большинстве случаев основой точечных диодов служиг кристалл германия, в который упирается тонкая металлическая игла. Точечный контакт получают путем специальной формовки. Через диод пропускается несколько сравнительно мощных, но-коротких импульсов прямого тока. При этом возникает сильный местный нагрев контакта и происходит сплавление кончика иглы с полупроводником. Процесс формовки сопровождается изменением типа электропроводности части исходного полупроводника, которая примыкает к контакту. В месте контакта иглы и полупроводниковой пластины возникает р-л-переход. [6]

Высокочастотные диоды предназначены для выпрямления и детектирования сигналов в диапазоне частот до 600 Мгц. Они изготавливаются, как правило, из германия или кремния и имеют точечную структуру. [7]

Вольт-амперная характеристика ( а и внешний вид ( б диода. [8]

Высокочастотные диоды применяются для детектирования ( выпрямления токов высокой частоты), модуляции, преобразования частоты, а также в маломощных измерительных схемах. [9]

Высокочастотные диоды применяют для детектирования ( выпрямления токов высокой частоты), модуляции, преобразования частоты, а также в маломощных измерительных схемах. [10]

Высокочастотные диоды являются приборами универсального назначения. Они могут быть использованы для выпрямления токов в широком диапазоне частот ( до сотен МГц), детектирования, модуляции и других нелинейных преобразований электрических сигналов. Свойства высокочастотных диодов характеризуют следующие параметры. [11]

Высокочастотные диоды могут работать в различных схемах преобразования электрических сигналов вплоть до частот порядка нескольких сотен мегагерц. В этой группе диодов в большинстве случаев используется точечный переход. Полупроводниковый диод с точечным переходом обычно называется точечным диодом. [12]

Высокочастотные диоды являются универсальными приборами. Они могут работать в выпрямителях переменного тока широкого диапазона частот ( до нескольких сотен мегагерц и даже до десятков гигагерц), а также в модуляторах, детекторах и других нелинейных преобразователях электрических сигналов. [13]

Германиевые точечные высокочастотные диоды могут иметь обратное напряжение до 350 В и прямой ток до 100 мА при Unp 1 — 2 В. Барьерная емкость точечных германиевых диодов мала ( около 1 пФ), но при СВЧ они применяться не могут из-за эффекта накопления. При частоте выше 150 МГц инжектированные носители заряда за время действия обратного напряжения не успевают ре-комбинировать и уйти из базы. [14]

Высокочастотные диоды ранних разработок содержат точечный р-л-переход ( § 1.3), в связи с чем до настоящего времени за ними сохранилось название точечные. [15]

Страницы: 1 2 3 4

Как моделировать диоды для анализа высокочастотной восприимчивости | Steve Newson

Недавно возник вопрос о том, как моделировать нелинейные цепи при выполнении анализа восприимчивости к излучению с помощью EMI Analyst™. То же самое относится и к кондуктивной восприимчивости.

На первый взгляд кажется очевидным. Не могли бы вы просто моделировать активные цепи так же, как вы моделируете их в PSpice или любом другом инструменте анализа цепей во временной области?

Если коротко, то нет. Вы не можете.

Проблема в том, что большинство компьютерных моделей нелинейных компонентов, таких как диоды и транзисторы, действительны только для низких частот, диапазона частот, для которого они предназначены.

Эффекты паразитных элементов, таких как емкость перехода, которые существенны на высоких частотах, часто не учитываются в моделях.

Невосприимчивость цепи — это преследование в частотной области.

Требования к восприимчивости к радиочастотам чаще всего определяются как уровень поля или уровень введенного сигнала в широком диапазоне частот. Например, требование RS103 в MIL-STD-461G указывает 20 В/м в диапазоне от 2 МГц до 18 ГГц для космических аппаратов.

При анализе в частотной области необходимо смоделировать схему в одной рабочей точке, а затем выполнить анализ в указанном диапазоне частот. Если схема имеет несколько рабочих точек, анализ необходимо проводить несколько раз, по одному разу в каждой рабочей точке.

Ну да, но не для всех уровней сигнала.

Для больших сигналов диоды нелинейны. Однако для малых сигналов диоды ведут себя достаточно линейно.

Небольшие изменения тока через диод с прямым смещением при насыщении приводят к незначительным изменениям напряжения на диоде. Точно так же небольшие изменения напряжения, подаваемые на диод с обратным смещением или диод с прямым смещением, который не включен, вызывают незначительные изменения тока.

Диоды часто используются для защиты от обратного смещения, защиты от перенапряжения и, конечно же, для выпрямления сигналов переменного тока и мощности переменного тока.

В заданной рабочей точке диоды могут быть смоделированы как резистор, подключенный параллельно конденсатору. Значение резистора модели получается путем деления напряжения в рабочей точке на ток в рабочей точке. Емкость модели — это емкость перехода, которая также зависит от рабочей точки.

В обратном смещении сопротивление диода равно обратному напряжению, деленному на ток утечки. Для большинства приложений сопротивление намного больше, чем реактивное сопротивление емкости перехода, и им можно пренебречь.

В прямое смещение сопротивление слабого сигнала определяется как

где ID — прямой ток диода, VT — тепловое напряжение (kT/q, около 26 мВ при нормальных температурах), n — идеальность диода коэффициент (приблизительно 1 к 2 для кремниевых диодов.)

При напряжениях ниже напряжения включения диода сопротивление модели диода велико. В режиме насыщения сопротивление модели диода мало.

Емкость перехода диода зависит от того, смещен ли диод в прямом или обратном направлении.

В обратном смещении емкость перехода является функцией накопления заряда в области обеднения, определяемой как

, где CJ0 — значение емкости перехода при нулевом смещении, V0 — барьерный потенциал, mj — функция профиль легирования в устройстве (обычно от 0,2 до 0,5).

В прямом смещении емкость диодного перехода приблизительно равна

Кроме того, при прямом смещении p-n-переходы диодов демонстрируют накопление неосновных несущих, что приводит к диффузионной емкости слабого сигнала, определяемой как

где tF — время прямого прохождения. Суммарная емкость диода, смещенного в прямом направлении, равна Cj + Cd.

Если диод включается и выключается во время нормальной работы схемы, может потребоваться анализ цепи в двух или более рабочих точках, возможно, один анализ с обратным смещением диода и один анализ с насыщением диода.

К счастью, время расчета для большинства проектов EMI Analyst быстрое. Выполнение двух или более анализов с разными значениями компонентов обычно заключается в простом изменении значений компонентов и повторном нажатии кнопки «Рассчитать».

Если вам нужно определить, какие условия приводят к наихудшим результатам, просто наложите графики каждого анализа.

Когда приведенная ниже простая схема подвергается воздействию электрического поля, в паре проводов индуцируется ток.

Напряжение, индуцируемое на резисторах на обоих концах кабеля, зависит от того, смещен ли диод в прямом или обратном направлении.

Чтобы зафиксировать наведенное напряжение в наихудшем случае, анализ выполняется дважды. Один раз с диодом в насыщении и один раз с выключенным диодом. На двух графиках ниже показаны результаты для резистора слева.

Зеленый график слева показывает напряжение, индуцируемое при насыщении диода при прямом смещении. В состоянии насыщения импеданс диода намного ниже импеданса согласования 100 Ом, поэтому большая часть низкочастотного индуцированного напряжения возникает на согласующем резисторе.

Оранжевый график слева показывает напряжение, индуцированное на резисторе, когда диод смещен в обратном направлении. В выключенном состоянии импеданс диода больше, чем импеданс согласования, поэтому большая часть низкочастотного индуцированного напряжения падает на диод, а меньшее напряжение появляется на согласующем резисторе.

На высоких частотах существует лишь небольшая разница между диодами с прямым и обратным смещением, в основном из-за разницы в емкости диодного перехода.

Наведенное напряжение для наихудшего случая на каждой частоте является большим из двух результатов анализа.

При выполнении анализа восприимчивости цепей, содержащих нелинейные цепи, вычисления в частотной области легко выполняются путем выполнения анализа в каждой рабочей точке цепи. Нелинейные компоненты могут быть аппроксимированы как линейные устройства для слабых сигналов.

Когда сигналы наведенного шума правильно контролируются, их амплитуда обычно достаточно мала, чтобы нелинейные элементы схемы можно было смоделировать как линейные элементы в каждой рабочей точке.

Узнайте больше о том, как программное обеспечение EMI Analyst™ можно использовать для анализа электромагнитных помех для всех типов электроники. Ознакомьтесь с EMI Analyst™ на сайте https://www.emisoftware.com.

Первоначально опубликовано по адресу www.emisoftware.com .

Высокочастотные и растяжимые полимерные диоды

. 2021 Декабрь; 600 (7888): 246-252.

doi: 10.1038/s41586-021-04053-6. Epub 2021 8 декабря.

Наодзи Мацухиса ^# ^{1
2
3
4} , Симиао Ню ^# ¹ , Стивен Дж. К. О’Нил ¹ , Чжихён Кан ¹ , Юто Очиай ¹ , Тору Кацумата ^{1
5} , Хун-Чин Ву ¹ , Минору Асидзава ^{1
6} , Гинг-Джи Натан Ван ¹ , Дунлай Чжун ¹ , Сюэлинь Ван ^{1
7} , Сивэнь Гонг ¹ , Руй Нин ⁸ , Хуаксинь Гонг ¹ , Инсан Ю ¹ , Ю Чжэн ¹, Читао Чжан ¹ , Джеффри Б-Х Ток ¹ , Сяодун Чен ² , Чжэнань Бао ⁹

Принадлежности

¹ Факультет химического машиностроения, Стэнфордский университет, Стэнфорд, Калифорния, США.
² Инновационный центр гибких устройств (iFLEX), Школа материаловедения и инженерии, Наньянский технологический университет, Сингапур, Сингапур.
³ Факультет электроники и электротехники, Университет Кейо, Иокогама, Япония.
⁴ Японское агентство науки и техники, ПРЕСТО, Кавагути, Япония.
⁵ Корпоративные исследования и разработки, Центр технологий материалов с высокими эксплуатационными характеристиками, корпорация Asahi Kasei, Фудзи, Япония.
⁶ Департамент материаловедения и инженерии, Токийский технологический институт, Токио, Япония.
⁷ Школа медицинских наук и инженерии, Бейханский университет, Пекин, Китай.
⁸ Факультет материаловедения и инженерии, Стэнфордский университет, Стэнфорд, Калифорния, США.
⁹ Факультет химического машиностроения, Стэнфордский университет, Стэнфорд, Калифорния, США. [email protected].

^# Внесли поровну.

PMID: 34880427
DOI: 10.1038/с41586-021-04053-6

Наоджи Мацухиса и др. Природа. 2021 Декабрь

. 2021 Декабрь; 600 (7888): 246-252.

doi: 10. 1038/s41586-021-04053-6. Epub 2021 8 декабря.

Авторы

Наодзи Мацухиса ^# ^{1
2
3
4} , Симиао Ню ^# ¹ , Стивен Дж. К. О’Нил ¹ , Чжихён Кан ¹ , Юто Очиай ¹ , Тору Кацумата ^{1
5} , Хун-Чин Ву ¹ , Минору Асидзава ^{1
6} , Гинг-Джи Натан Ван ¹ , Дунлай Чжун ¹ , Сюэлинь Ван ^{1
7}, Сивэнь Гонг ¹ , Руй Нин ⁸ , Хуаксинь Гонг ¹ , Инсан Ю ¹ , Ю Чжэн ¹ , Читао Чжан ¹ , Джеффри Б-Х Ток ¹ , Сяодун Чен ² , Чжэнань Бао ⁹

Принадлежности

¹ Факультет химического машиностроения, Стэнфордский университет, Стэнфорд, Калифорния, США.
² Инновационный центр гибких устройств (iFLEX), Школа материаловедения и инженерии, Наньянский технологический университет, Сингапур, Сингапур.
³ Факультет электроники и электротехники, Университет Кейо, Иокогама, Япония.
⁴ Японское агентство науки и техники, ПРЕСТО, Кавагути, Япония.
⁵ Корпоративные исследования и разработки, Центр технологий материалов с высокими эксплуатационными характеристиками, корпорация Asahi Kasei, Фудзи, Япония.
⁶ Департамент материаловедения и инженерии, Токийский технологический институт, Токио, Япония.
⁷ Школа медицинских наук и инженерии, Бейханский университет, Пекин, Китай.
⁸ Факультет материаловедения и инженерии, Стэнфордский университет, Стэнфорд, Калифорния, США.
⁹ Факультет химического машиностроения, Стэнфордский университет, Стэнфорд, Калифорния, США. [email protected].

^# Внесли поровну.

PMID: 34880427
DOI: 10.1038/с41586-021-04053-6

Абстрактный

Похожие на кожу эластичные мягкие электронные устройства необходимы для реализации дистанционной и превентивной медицины следующего поколения для передового личного здравоохранения ^1-4 . Недавняя разработка внутренне растяжимых проводников и полупроводников позволила создать механически прочные и удобные для кожи электронные схемы или оптоэлектронные устройства ^2,5-10 . Однако их рабочие частоты были ограничены менее чем 100 Гц, что намного ниже, чем требуется для многих приложений. Здесь мы сообщаем о растяжимых диодах на основе растяжимых органических и наноматериалов, способных работать на частоте до 13,56 мегагерц. Эта рабочая частота достаточно высока для беспроводной работы мягких датчиков и пикселей электрохромного дисплея с использованием радиочастотной идентификации, в которой базовая несущая частота составляет 6,78 мегагерц или 13,56 мегагерц. Это было достигнуто за счет сочетания рационального проектирования материалов и разработки устройств. В частности, мы разработали растяжимый анод, катод, полупроводник и токосъемник, которые могут удовлетворить строгие требования к работе на высоких частотах. Наконец, мы показываем эксплуатационную осуществимость нашего диода, объединяя его с растягиваемым датчиком, электрохромным пикселем дисплея и антенной для реализации растягиваемой беспроводной метки. Эта работа является важным шагом на пути к расширению функциональных возможностей и возможностей носимой электроники, похожей на кожу.

Цитируется

Полностью резиновый диод Шоттки и интегрированные устройства.
Чан С., Шим Х. , Ю С. Джанг С. и др. Научная реклама 2022 ноябрь 25;8(47):eade4284. doi: 10.1126/sciadv.ade4284. Epub 2022 23 ноября. Научная реклама 2022. PMID: 36417509Бесплатная статья ЧВК.
Иерархические биогибридные роботы с беспроводным питанием, напечатанные на 3D-принтере, с многоуровневыми механическими свойствами.
Тецука Х., Пиррами Л., Ван Т., Демарчи Д., Шин С.Р. Тецука Х. и др. Adv Funct Mater. 2022 1 августа; 32 (31): 2202674. doi: 10.1002/adfm.202202674. Epub 2022 3 мая. Adv Funct Mater. 2022. PMID: 36313126
Полноцветные нанокристаллы перовскита со сверхвысоким разрешением для сверхтонких дисплеев, прикрепляемых к коже.
Квон Джи, Пак Джи, Ли Х.Х., Чан Ч.Х., Сун Н.Дж., Ким С.И., Ю Ч., Ли К. , Ма Х., Карл М., Шин Т.Дж., Сонг М.Х., Ян Дж., Чхве М.К. Квон Джи и др. Научная реклама 2022 Октябрь 28;8(43):eadd0697. doi: 10.1126/sciadv.add0697. Epub 2022 26 октября. Научная реклама 2022. PMID: 36288304 Бесплатная статья ЧВК.
Растяжимый и самовосстанавливающийся ложный плазмонный метаволновод для носимой системы беспроводной связи.
Yu BY, Yue DW, Hou KX, Ju L, Chen H, Ding C, Liu ZG, Dai YQ, Bisoyi HK, Guan YS, Lu WB, Li CH, Li Q. Ю БЮ и соавт. Легкие научные приложения. 2022 25 октября; 11 (1): 307. doi: 10.1038/s41377-022-01005-1. Легкие научные приложения. 2022. PMID: 36280662 Бесплатная статья ЧВК.
Новые электрохромные материалы и устройства для дисплеев будущего.
Gu C, Jia AB, Zhang YM, Zhang SX. Гу С и др. Chem Rev. 2022, 28 сентября; 122(18):14679-14721. doi: 10.1021/acs.chemrev.1c01055. Epub 2022 18 августа. Химическая версия 2022. PMID: 35980039 Бесплатная статья ЧВК. Рассмотрение.

Просмотреть все статьи «Цитируется по»

использованная литература

1. Сим, К. и др. Эпикардиальный биоэлектронный пластырь, изготовленный из мягких эластичных материалов и способный к пространственно-временному картированию электрофизиологической активности. Нац. Электрон. 3, 775–784 (2020). — DOI
1. Ван, С. и др. Электроника кожи из масштабируемого изготовления массива транзисторов с возможностью растяжения. Природа 555, 83–88 (2018). — пабмед — DOI
1. Миямото, А. и соавт. Невоспламеняющаяся, газопроницаемая, легкая, растягивающаяся на коже электроника с наносетками. Нац. нанотехнологии. 12, 907–913 (2017). — пабмед — DOI
1. Ким, Д.

Краткие характеристики импортных полупроводниковых диодов

Высокочастотный диод — Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1

Как моделировать диоды для анализа высокочастотной восприимчивости | Steve Newson

Высокочастотные и растяжимые полимерные диоды

Принадлежности

Авторы

Принадлежности

Абстрактный

Похожие статьи

Цитируется

использованная литература

alexxlab

Добавить комментарий Отменить ответ

Рубрики