Усилитель низкой частоты экономкласса
Главная→Радиолюбительские схемы и конструкции→Усилители низкой частоты→Усилитель низкой частоты экономкласса
Схема мощного пятиканального усилителя низкой частоты для домашнего аудиоцентра с минимальными затратами
В этой статье на сайте Радиолюбитель, мы рассмотрим очередную несложную радиолюбительскую схему – усилитель низкой частоты для домашнего аудиоцентра.
Особенность этого усилителя в низкой себестоимости при достаточно высоких параметрах. Усилитель построен по комбинированной схеме, в которой есть один мощный низкочастотный канал (40 Вт), воспроизводящий частоты до 400 Гц, и стереоусилитель , каналы которого выполнены по двухканальной СЧ (300-4000 Гц) – ВЧ (3000-30000 Гц) схеме обладающей мощностью 2х18 Вт. Таким образом суммарная выходная мощность усилителя составляет 106 Вт. Для каждого канала используются отдельные акустические системы, выполненные в отдельных корпусах.
Усилитель выполнен на однотипной и не дорогой элементной базе – микросхемы TDA2030A (КР174УН19А) и два транзистора КТ818ГМ и КТ819ГМ. Питается усилитель от трансформатора мощностью 200 Вт.
Принципиальная схема низкочастотного канала показана на рис№1:
На клеммы Х1, Х2, Х3 поступает стереосигнал номинальным уровнем 0,8 вольт. Микросхема способна развивать мощность до 18 Вт и для увеличения этого значения выход микросхемы усилен двухтактным каскадом на транзисторах VT1, VT2, который начинает работать при мощности более 15 Вт. Схема каскада выделяется тем, что коллекторы транзисторов соединены вместе, что позволяет для выходного каскада использовать один общий радиатор. Для микросхемы А1 требуется отдельный радиатор.
Плата усилителя (рис.№4) сделана так, что микросхема и транзисторы расположены у противоположных краев.
Схема средне-высокочастотного усилителя изображена на рисунке №2:
Приводится схема только одного стереоканала, второй точно такой-же.
ЗЧ одного из стерео-каналов поступает на клеммы Х1, Х2. Среднечастотный усилитель выполнен на микросхеме А1, а высокочастотный – А2. Микросхемы установлены на один общий радиатор. Поэтому на печатной плате (рис.№5) микросхемы расположены у одного ее края.
Всего в усилителе две такие платы – по одной на каждый стереоканал. На плате есть три перемычки, выполненные монтажным проводом. По одной подается сигнал на ВЧ усилитель (ее желательно сделать экранированным проводом) а по двум другим питание на ВЧ усилитель. Перемычки расположены со стороны печатных проводников и проложены кратчайшим направлением.
Схема межплатных соединений и источника питания показаны на рисунке №3. Источник питания не стабилизированный, он выполнен на силовом трансформаторе, мостовом выпрямителе и батареи сглаживающих конденсаторов.
Стереосигнал с выхода предварительного усилителя номинальным уровнем 0,8 В поступает на разъем ХР1. Непосредственно возле разъема установлены подстроечные сопротивления R1-R5 для установки соотношения уровней звучания стереоусилителей и низкочастотного канала для конкретного помещения.
Радиаторы сделаны из П-образного алюминиевого профиля, который используется для устройства подвесных потолков. Для каждого радиатора отрезается два куска длиной примерно 15 см. Для увеличения площади поверхности по всей поверхности через каждый сантиметр сверлится отверстие и нарезается резьба М4. В эти отверстия вворачиваются винты М4 длиной 55 мм, таким образом получается игольчато-пластинчатый радиатор (рис.№6):
В акустических системах используются наиболее доступные динамические громкоговорители со звуковыми катушками сопротивлением 4 Ом. Каждая акустическая система содержит 4 динамика (рис.№7). Низкочастотная АС содержит 4 динамика 10ГДШ-2, высокочастотные – четыре 4-ГДВ-1, среднечастотные – 5ГДШ-4.
Акустические системы сделаны из древесностружечных плит толщиной 20 мм, применяемые при изготовлении корпусной мебели.
Фазоинвенторная труба сделана из 100 мм пластиковой канализационной серой трубы длиной 150 мм. Трубу вклеивают в отверстие клеем Момент-1.
Кт819гм схемы
Чем удобнее всего паять? Паяльником W. УКВ-ЧМ диапазон приемника. Мощный УМЗЧ. Категория: Усилители Одно из направлений приложения радиолюбительской энергии, — это сборка мощных усилителей мощности ЗЧ, предназначенных для работы в составе аудиоцентра, или для озвучивания каких-то мероприятий.
Поиск данных по Вашему запросу:
Кт819гм схемы
Схемы, справочники, даташиты:
Прайс-листы, цены:
Обсуждения, статьи, мануалы:
Дождитесь окончания поиска во всех базах.
По завершению появится ссылка для доступа к найденным материалам.
Содержание:
- Усилитель низкой частоты экономкласса
- КТ819ГМ / КТ8101, что лучше ?
- Транзистор КТ819ГМ
- Транзистор КТ819
- Аналоги для кт819гм
- Транзистор кт819
ПОСМОТРИТЕ ВИДЕО ПО ТЕМЕ: Лабораторный блок питания на 3-х транзисторах
Усилитель низкой частоты экономкласса
Схема мощного пятиканального усилителя низкой частоты для домашнего аудиоцентра с минимальными затратами. Особенность этого усилителя в низкой себестоимости при достаточно высоких параметрах. Усилитель построен по комбинированной схеме, в которой есть один мощный низкочастотный канал 40 Вт , воспроизводящий частоты до Гц, и стереоусилитель , каналы которого выполнены по двухканальной СЧ Гц — ВЧ Гц схеме обладающей мощностью 2х18 Вт.
Таким образом суммарная выходная мощность усилителя составляет Вт. Для каждого канала используются отдельные акустические системы, выполненные в отдельных корпусах. Всего пять акустических систем: дна низкочастотная и по две для средних и высоких частот. Питается усилитель от трансформатора мощностью Вт.
На клеммы Х1, Х2, Х3 поступает стереосигнал номинальным уровнем 0,8 вольт.
Микросхема способна развивать мощность до 18 Вт и для увеличения этого значения выход микросхемы усилен двухтактным каскадом на транзисторах VT1, VT2, который начинает работать при мощности более 15 Вт.
Схема каскада выделяется тем, что коллекторы транзисторов соединены вместе, что позволяет для выходного каскада использовать один общий радиатор. Для микросхемы А1 требуется отдельный радиатор. Плата усилителя рис. Приводится схема только одного стереоканала, второй точно такой-же. ЗЧ одного из стерео-каналов поступает на клеммы Х1, Х2. Среднечастотный усилитель выполнен на микросхеме А1, а высокочастотный — А2. Микросхемы установлены на один общий радиатор.
Поэтому на печатной плате рис. Всего в усилителе две такие платы — по одной на каждый стереоканал. На плате есть три перемычки, выполненные монтажным проводом. По одной подается сигнал на ВЧ усилитель ее желательно сделать экранированным проводом а по двум другим питание на ВЧ усилитель.
Перемычки расположены со стороны печатных проводников и проложены кратчайшим направлением.
Источник питания не стабилизированный, он выполнен на силовом трансформаторе, мостовом выпрямителе и батареи сглаживающих конденсаторов.
Стереосигнал с выхода предварительного усилителя номинальным уровнем 0,8 В поступает на разъем ХР1. Непосредственно возле разъема установлены подстроечные сопротивления R1-R5 для установки соотношения уровней звучания стереоусилителей и низкочастотного канала для конкретного помещения. Трансформатор сделан на основе трансформатора ТС от старого лампового телевизора. Все вторичные обмотки удалены и вместо них намотаны две новые — по 50 витков ПЭВ 1, Обмотки соединить согласно схеме.
Радиаторы сделаны из П-образного алюминиевого профиля, который используется для устройства подвесных потолков. Для каждого радиатора отрезается два куска длиной примерно 15 см. Для увеличения площади поверхности по всей поверхности через каждый сантиметр сверлится отверстие и нарезается резьба М4.
В эти отверстия вворачиваются винты М4 длиной 55 мм, таким образом получается игольчато-пластинчатый радиатор рис.
В акустических системах используются наиболее доступные динамические громкоговорители со звуковыми катушками сопротивлением 4 Ом.
Каждая акустическая система содержит 4 динамика рис. Акустические системы сделаны из древесностружечных плит толщиной 20 мм, применяемые при изготовлении корпусной мебели.
Фазоинвенторная труба сделана из мм пластиковой канализационной серой трубы длиной мм. Трубу вклеивают в отверстие клеем Момент Вообще не критично. Добрый день. Хотел сделать по вашей схеме усилитель низких чистот, но сталкнулся с рядом вопросов. Конденсаторы с4 и с6 по 2,2мф неполярные или полярные для неполярных большая ёмкость 2.
Можно ли заменить кт на кт и кт на кт правдо предпологаю что выходная мощность упадёт и если можно то надо ли будет менять что-то ещё в схеме. Можно ли заиенить диоды кд на какиенибуть другие. Ваш email не будет опубликован. Поставьте этот флажок, чтобы подписаться на получение уведомлений о новых публикациях.
Перейти к основному содержимому.
Перейти к дополнительному содержимому. Оставить комментарий Отмена ответа Ваш email не будет опубликован.
КТ819ГМ / КТ8101, что лучше ?
Антенна АА 05 Антенна АА, представляет собой всеволновый комнатный вариант оригинального внешнего вида с усилителем. В ней объединены собственно две антенны: одна — слабонаправленный полуволновый вибратор с плечами телескопической конструкции для работы на MB, вторая — направленная Ослабление уровня сигнала Ослабление уровня сигнала, проходящего внутрь здания, по сравнению с уровнем сигнала вне его зависит от конструкции и материалов стен, а также от того, на каком этаже находится комната. Результаты измерений уровня напряженности поля показали, что при разбросе значений напряженности, равном 14 дБ в пять раз , Коллекторы Коллекторы www. Настоящая статья имеет целью познакомить радиолюбителей со схемотехническими решениями высоколинейных выходных каскадов УМЗЧ.
Аналоги для ктгм — Аналоги, Поиск аналогов микросхем и транзисторов.
Результаты поиска аналогов для ктгм. Производитель, Элемент, Аналог Замена возможна с изменением схемы печатной платы. Возможный.
Транзистор КТ819ГМ
Под КТ понимают целое семейство кремниевых биполярных транзисторов с n-p-n структурой. Параметры транзистора КТ сильно зависят от модификации от букв следующих после КТ Основных групп четыре, они образуются по тому из чего сделан корпус: пластик КТ или металл КТ-9 и применению: гражданскому КТ и военному 2Т В следующей таблице представлена зависимость максимально допустимого импульсного напряжения коллектор-эмиттер от типа транзистора КТ Сразу стоит упомянуть, что КТ имеет комплементарную пару — транзистор КТ с p-n-p структурой. Параметры КТ аналогичны параметрам КТ с совпадающими буквами. И вот в паре с КТ, КТ часто применялся в оконечных каскадах звуковоспроизводящей аппаратуры. Также благодаря своей дешевизне нашел применение в ключевых и линейных стабилизаторах постоянного напряжения. КТ имеет серьезные минусы:.
Транзистор КТ819
Что нового? Если это ваш первый визит, рекомендуем почитать справку по сайту.
Для того, чтобы начать писать сообщения, Вам необходимо зарегистрироваться. Для просмотра сообщений регистрация не требуется. Забыли пароль?
Дневники Файлы Справка Социальные группы Все разделы прочитаны.
Аналоги для кт819гм
Уже при беглой проверке транзисторов из той партии выяснилось, что некоторые их основные параметры далеки от нормы, что сделало невозможным их установку в выходные каскады усилителей звуковой частоты или, например, в качестве мощных регулирующих элементов в линейных стабилизаторах напряжения. Явно некондиционным оказался каждый второй транзистор, из-за чего вся партия была забракована. Основной недостаток приобретенных транзисторов заключался в аномальном обратном токе переходов, который даже при напряжении в несколько вольт в несколько раз превышал норму. Приобретенные транзисторы пролежали более десятка лет. За это время запас отбракованных мощных биполярных низковольтных и высоковольтных транзисторов заметно пополнился транзисторами разных типов, поэтому было решено найти для них те области применения, где их ухудшенные параметры не играли бы существенной роли.
Транзистор кт819
Электронные компоненты и оборудование Транзисторы Отечественные Ктгм. Uкбо макс ,В: 50 Макс. Uкэr макс ,В: 50 Макс. Uкэо макс ,В: — Максимально допустимый постоянный ток коллектора Iк макс. Написать новый отзыв. Покупая Транзисторы отечественные , мы рассчитываем, что наш интернет-магазин поможет вам с выбором. В нашем хайтек-маркете Эскор вы можете подобрать Транзисторы отечественные и узнать стоимость.
Схема мощного пятиканального усилителя низкой частоты для домашнего TDAA (КРУН19А) и два транзистора КТГМ и КТГМ.
Такая схема уже есть на сайте Ненужный материал на сайте! Я против размещения этой статьи на сайте. Транзистор 2N уже не раз упоминался нами. Начинать показ со страницы: Download «Схема умзч на оу транзисторах кт кт».
Транзисторы КТ для работы в схемах звуковых усилителей и радиочастот есть в наличии. Транзисторы готовы к отгрузке. Изготовление под заказ: любое количество. Наша цена будет наилучшей. Продление гарантии до 5 лет.
Поиск новых сообщений в разделах Все новые сообщения Компьютерный форум Электроника и самоделки Софт и программы Общетематический. Проблема с транзисторами КТГМ.
Электронные компоненты и оборудование Транзисторы Отечественные Ктгм. Uкбо макс ,В: 50 Макс. Uкэr макс ,В: 50 Макс. Uкэо макс ,В: — Максимально допустимый постоянный ток коллектора Iк макс. Написать новый отзыв. Покупая Транзисторы отечественные , мы рассчитываем, что наш интернет-магазин поможет вам с выбором.
Портал QRZ. RU существует только за счет рекламы, поэтому мы были бы Вам благодарны если Вы внесете сайт в список исключений. Мы стараемся размещать только релевантную рекламу, которая будет интересна не только рекламодателям, но и нашим читателям.
kt+819+транзистор технический паспорт и примечания по применению
org/Product»>
org/Product»>kt+819+транзистор Листы данных Context Search
| Каталог Лист данных | MFG и тип | ПДФ | Теги документов |
|---|---|---|---|
КТ 819 транзистор Реферат: 2N2222A 338 SF129D SF137D SSY20B KT819W SF127E KFY18 321 KP303W KFY18 | OCR-сканирование | ||
КТ 839 Реферат: КТ 828 А КТ 829 КТ 8232 КТ-119кт 505 кт 818 кт 201 500 кт 907 кт 382 | Оригинал | КТ-19 КТ-26 КТ 839 КТ 828 А КТ 829 Кт 8232 КТ-119 КТ 505 КТ 818 201 500 кт КТ 907 КТ 382 | |
КТ 819 транзистор Реферат: KT819W RFT SV 3930 vq 123 SERVICE-MITTEILUNGEN HMKD KT 819RFT Transistoren Tonica KT 818 | OCR-сканирование | ||
диод си 345 Реферат: диод SY 192 sd 339 sy 320 диод SD 338 SY 345 КТ 829 б к3451 КТ 828 А SD337 | OCR-сканирование | 18.03.379 диод сы 345 диод СИ 192 сд 339 си 320 диод СД 338 СИ 345 КТ 829 б к3451 КТ 828 А SD337 | |
1999 — ТРАНЗИСТОР КТ 838 Реферат: КТ 819 транзистор 2SC4854 | Оригинал | EN4579 2SC4854 S21e2 2018Б 2SC4854] ТРАНЗИСТОР КТ 838 Транзистор КТ 819 2SC4854 | |
Д 1413 транзистор Реферат: Транзистор КТ 819 | OCR-сканирование | EN5036B 2SC5231 0021b2b Транзистор Д 1413 Транзистор КТ 819 | |
1999 — КТ 819 транзистор Реферат: транзистор c 4977 ТРАНЗИСТОР КТ 837 технические характеристики ic 7405 EN5043 2SC4868 50431 | Оригинал | EN5043 2SC4868 S21e2 2018Б 2SC4868] Транзистор КТ 819 c 4977 транзистор ТРАНЗИСТОР КТ 837 технические характеристики ic 7405 EN5043 2SC4868 50431 | |
2010 — КТ 819 Резюме: нет абстрактного текста | Оригинал | КТ-2117QB25Z1S-VFS 15ммХ 2000шт ДСАК2885 07 января 2010 г. КТ 819 | |
1999 — КТ 819 транзистор Реферат: кт 784 кт 818 55123 2SC5347 кт 814 09PF8 | Оригинал | EN5512A 2SC5347 S21e2 2SC5347] 25макс Транзистор КТ 819 784 кт КТ 818 55123 2SC5347 814 кт 09PF8 | |
1999 — 2SC5374 Реферат: Транзистор КТ 819 Спецификация зо 607 | Оригинал | EN5535A 2SC5374 2SC5374] 2SC5374 Транзистор КТ 819 Спецификация зо 607 | |
1999 — 2sc5231 Реферат: Транзистор 2SC5231A КТ 819 маркировка с7 ТА-0156 | OCR-сканирование | 151-Э -15iw-ese22mv21 КТ 819 LTJ3 | |
КТ 819 Аннотация: ЭСЭ22Мх34 | OCR-сканирование | ЭСЭ22Мх34 22Мх34 КТ 819 | |
2004 — Недоступно Резюме: нет абстрактного текста | Оригинал | CD542 | |
ДМЭ 2000 Реферат: BEF-KHS-K01 din 43651 BEF-WG-W12 Sensick WTa 24-2 BEF-S-R2-16 BEF-GH-Mini01 Датчики болезни wll 170 BEF-WN-M30 BEF-KHS-C01 | Оригинал | 130-С13, 130-С33* БЭФ-130-СТ ДМЭ 2000 БЭФ-КХС-К01 дин 43651 BEF-WG-W12 Сенсик WTa 24-2 БЭФ-С-Р2-16 BEF-GH-Mini01 больные датчики wll 170 БЭФ-ВН-М30 БЭФ-КХС-C01 | |
2010 — Недоступно Резюме: нет абстрактного текста | OCR-сканирование | 05А-К КТ808 ку 606 КТ808АМ транзистор д 808 транзистор кт транзистор 805А 2110-Б1 КТ 805 РФТ Транзисторен 2107Б-2 | |
2008 — 2SC5347 Резюме: ITR08157 ITR08158 ITR08159 ITR08160 | Оригинал | 2SC5347 EN5512C S21e2 2SC5347 ITR08157 ITR08158 ITR08159 ITR08160 | |
2008 — ITR08169 Резюме: 2SC5374 ITR08168 ITR08170 ITR08171 ITR08172 | Оригинал | ENN5535A 2SC5374 S21e2 2SC5374] ITR08169 2SC5374 ITR08168 ITR08170 ITR08171 ITR08172 | |
2008 — 2SC5231 Резюме: ITR07963 ITR07964 ITR07965 ITR07966 ITR07967 Спецификация zo 607, маркировка C7 | Оригинал | ENN5036B 2SC5231 S21e2 2SC5231] 2SC5231 ITR07963 ITR07964 ITR07965 ITR07966 ITR07967 Спецификация зо 607 маркировка С7 | |
2005 — Недоступно Резюме: нет абстрактного текста | Оригинал | ENN5036B 2SC5231 S21e2 2SC5231] | |
2005 — ТРАНЗИСТОР КТ 837 Аннотация: транзистор а1046 А1046 А1684 | Оригинал | ENN5535A 2SC5374 2SC5374] ТРАНЗИСТОР КТ 837 а1046 транзистор А1046 А1684 | |
2008 — КТ 819 транзистор Реферат: 2SC4868 ITR07675 ITR07676 ITR07677 ITR07678 ТРАНЗИСТОР КТ 837 | Оригинал | ENN5043 2SC4868 S21e2 2018Б 2SC4868] Транзистор КТ 819 2SC4868 ITR07675 ITR07676 ITR07677 ITR07678 ТРАНЗИСТОР КТ 837 | |
2005 — КТ 819 транзистор Реферат: ТРАНЗИСТОР КТ 838 | Оригинал | ENN4579 2SC4854 S21e2 2018Б 2SC4854] Транзистор КТ 819 ТРАНЗИСТОР КТ 838 | |
org/Product»>
org/Product»>
(VCE=1В, IC=1мА) : S21e2=7дБ тип. (f=1ГГц). : NF=2,6 дБ тип. (f=1 ГГц). единица измерения: мм 2018B [2SC4854] 0,4 3 0,5 Характеристики 0,16 0,95 0,95 2 1,9 2,9 2,5 1 : Основание 2 : Излучатель 3 , 90,1 0,136 54,6 0,551 43,0 1200 0,257 108,4 2,940 81,9 0,153 54,3
org/Product»>
] Пиковое значение dom [1] Значение 445 450 20 2,7 VF [2] 3,5 4,0 IR 10 8,19 A лм/Вт нм/ °C нм/ °C мВ
org/Product»>
$ £, £ L когда-либо 1 W
000 450.000 1.36 1.37 8.27 8.19 Назад
8352236 DDR-Typ, Транзистор KT 805 A, EDV-Hr. 8313205 в типе KT 808 AM. EDV-ч. 8383314 ersetzt, was die , Bohrungen indi viduell zu ändern. Die schwarze Farbe ist im Bereich der Transistor auflage vom Kühlblech zu
org/Product»>
(f=1 ГГц). · Высокий коэффициент усиления: S21e2=12 дБ тип. (f=1 ГГц). · Высокая частота среза: fT=7 ГГц тип. · Ультракомпактный корпус, позволяющий сделать прикладные наборы компактными и тонкими. единица измерения: мм 2106A [2SC5231] 0,75 0,6 0,3 0,4 , 0,120 35,8 0,475 51,2 1000 0,566 150,7 2,995 81,9 0,125 35,7 0,434
Размеры упаковки Единица измерения: мм 2106A [2SC5231] 0,3 0,4 0,75 0,6 3 0 , 116,7 101,4 90,4 81,9 74,2 67,5 62,0 55,9 50,9 | С12 | 0,038 0,067 0,098 0,112 0,120 0,125 0,131 0,137
org/Product»>
(VCE=1В, IC=1мА) : S21e2=7дБ тип. (f=1ГГц). : NF=2,6 дБ тип. (f=1 ГГц). Размеры упаковки Единица измерения: мм 2018B [2SC4854] 0,5 0,4 0,16 0–0,1 3 1 0,95 0,95 2 1,9 2,9 0,8 1,1 0,5 1,5 , | 7,561 5,976 4,789 3,976 3,365 2,940 2,600 2,340 2,135 1,989 S21 147,5 125,9 111,3 99,3 90,1 81,9 75,1Предыдущий 1 2 3 … 23 24 25 Далее
Каута: Produse
| |||||||||||
MJ15015 ON Semiconductor
Preturile 907 83 INCLUD4 TVA (1907 TVA) Preturile NU включает транспортные таксели. Минимальная команда с номером 30 RON . Совместная процедура в соответствии с программой: Luni-Vineri: 09:00 — 18:00 Echipa magazinului nostru face toate eforturile pentru a pastra informatiile corecte pe acest site.
Produsele cu status « comanda speciala » pot suferi modificari de pret si disponibilitate fara notificare prealabila.  |
..) 
