Site Loader

Условные графические обозначения

УСЛОВНЫЕ ГРАФИЧЕСКИЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ В СХЕМАХ, ПРИНЯТЫЕ В ЖУРНАЛЕ “РАДИО”

Отбирая материалы для публикации в журнале, редакция руководствуется прежде всего актуальностью тематики и интересом для широкого круга чита­телей. Но, разумеется, мы обращаем внимание и на степень их соответствия требованиям, предъявляемым к авто­рам. Чем выше эта степень, тем меньше возникает вопросов при редактирова­нии, тем легче и быстрее можно подго­товить статью к печати.

Сегодня речь пойдет о такой важной части статьи, как принципиальная элек­трическая и структурная схемы описы­ваемого устройства. Начнем с того, что схему желательно вычерчивать шари­ковой авторучкой с помощью линейки и трафаретов. Конечно, можно исполь­зовать чертежные инструменты и тушь, но это более трудоемко и вряд ли целе­сообразно. Разумеется, схема может быть выполнена и в электронном виде, но и в этом случае начертание и разме­ры условных графических обозначений (далее для краткости — УГО) элементов должны быть такими, как указано на с.

40, 41. Схемы следует выполнять с учетом требований по разрешению:

в масштабе, принятом в журнале, раз­решение должно быть не менее 300 dpi (300 точек на дюйм). Формат файлов со схемами — .bmp или .tif

Составляя схему устройства, следует придерживаться общепринятого пра­вила: вход — слева, выход — справа. Несоблюдение этого правила вынуж­дает редактора перестраивать схему, а это чревато возникновением ошибок схемотехнического характера и, кроме того, приведет к перенумерации эле­ментов, что тоже может породить ошибки (особенно в том случае, если в статье приводится и чертеж печатной платы).

УГО наиболее часто встречающихся в схемах элементов и их размеры в мас­штабе 1:1 (в журнале — 1:2, т. е. в два раза меньше) приведены на с. 40, 41. Об особенностях применения некото­рых из них будет сказано далее, а сей­час — еще несколько слов об общих требованиях к схемам. Возле каждого элемента (желательно сверху или спра­ва) должно быть указано его позицион­ное обозначение (R1, R2…, C1, C2 и т. д.). Нумеровать элементы необхо­димо слева направо — сверху вниз, на­пример, так:

R1 R4 R7 R9

R2 R5

RЗ R6 R8 R10…

Рядом с УГО резисторов и конден­саторов проставляют общепринятым способом их номиналы. Сопротивле­ние до 999 Ом указывают в омах без обозначения единицы измерения, от 1 до 999 кОм — в килоомах (используют сокращенное обозначение — букву «к»), от 1 МОм и выше — в мегаомах (обозначают буквой «М»). Так, номи­нал 2,2 на схеме обозначает 2,2 Ом;

330 — 330 Ом; 1,2 к — 1,2 к0м; 3,6 М — 3,6 МОм. Емкость до 9 999 пФ указыва­ют в пикофарадах без обозначения единицы измерения, а начиная со зна­чения 10000 пФ — в микрофарадах (используют буквы «мк»). Номинал 5,1 обозначает 5,1 пФ; 430 — 430 пФ;

9100 — 9 100 пФ; 0,01 мк — 0,01 мкФ;

470 мк — 470 мкФ и т. д. Для оксидных конденсаторов (а иногда и для конден­саторов других видов, если важно об­ратить внимание на этот параметр) указывают номинальное напряжение, присоединяя его через знак умножения (например, 100 мк х 400 В).

Номинальное значение основного параметра желательно указывать и у катушек индуктивности, особенно промышленного изготовления (напри­мер, унифицированных дросселей ДП, ДПМ и т. п.). Индуктивность до 999 мкГн обозначают в микрогенри (обозначение на схемах — мкГн), от 1 до 999 мГн — в миллигенри (мГн), от 1 Гн и выше — в генри (Гн).

Внутри УГО постоянных резисторов указывают мощность рассеяния, возле УГО диодов, транзисторов, микросхем и некоторых других элементов (оптронов, акустических головок, цифровых индикаторов, стрелочных измеритель­ных приборов) — их полное обозначе­ние (с буквенным индексом), а у выво­дов микросхем и контактов разъемных соединителей (вилок и розеток) — их номера.

Кроме того, рядом с УГО изме­рительного прибора желательно ука­зать предельные значения измеряемой величины (например, О…100 мкА). Для облегчения повторения и налажи­вания конструкций желательно указать на схеме переменные напряжения на вторичных обмотках трансформаторов питания, режимы работы транзисторов и микросхем (возле их выводов) по по­стоянному току, осциллограммы сигна­лов в характерных точках устройства.

Поблизости от УГО элементов, ис­пользуемых в качестве органов управ­ления (переменные резисторы, пере­ключатели и т. п.), присоединения (разъемные соединители, гнезда, за­жимы) и индикаторов (лампы накалива­ния, светодиоды, звукоизлучатели и т. п.), указывают надписи и знаки, по­ясняющие их функциональное назначе­ние в устройстве.

Ну, а теперь — об особенностях применения УГО некоторых элементов в схемах. Знаки регулирования (на­клонная линия со стрелкой у конденса­торов переменной емкости, такая же линия с засечкой на верхнем конце у подстроечных конденсаторов, подст-роечников катушек индуктивности и наклонная линия с изломом внизу у нелинейных резисторов — терморе­зисторов, варисторов и т. д.), а также знаки фотоэлектрического эффекта (наклонные стрелки, направленные слева сверху — вниз направо в УГО фото­резистора, фотодиода и т. п. приборов) и оптического излучения (наклонные

стрелки, направленные слева снизу — вверх направо в УГО светодиодов) не должны изменять своей ориентации при повороте основного символа на любой угол. Иными словами, символ, например, диода в УГО светодиода мо­жет быть изображен горизонтально, вертикально, катодом влево, вправо, вверх, вниз (как удобно для построения схемы), но стрелки оптического излуче­ния во всех случаях должны быть на­правлены от него вверх направо.

Своего рода «привязанностью» обла­дают черточка, перпендикулярная ли­нии-символу катода в УГО стабилитрона, и симметричная засечка на конце сим­вола катода в УГО диода-ограничителя напряжения: при любой ориентации этих УГО они поворачиваются вместе с ними, как «приклеенные». Сохраняют «привязку» к основному символу при повороте УГО и наклонные черточки, обозначающие мощность рассеяния резистора менее 0,5 Вт.

Линии-выводы эмиттера и коллектора в УГО биполярного транзистора (за пре­делами окружности, символизирующей его корпус) можно располагать как пер­пендикулярно линии-выводу базы, так и параллельно ей — в некоторых случа­ях это позволяет «уплотнить» схему, сделать ее компактнее. Излом линии электрической связи, идущей к базе та­кого транзистора, а также к символам затвора, истока и стока полевого тран­зистора, допускается на расстоянии не менее 5 мм от окружности-корпуса (в масштабе 1:1).

Число полуокружностей, составляю­щих символы катушки индуктивности, входящей в колебательный контур, и дросселя, установлено равным четы­рем, а в символах обмоток асинхронно­го электродвигателя — трем. В катуш­ках связи и обмотках трансформаторов их число не нормируется и может быть любым (по необходимости). Жирной точкой у одного из выводов обозначают начало обмотки.

Знаки, характеризующие принцип действия звукового преобразователя, могут быть внесены не только в УГО мик­рофонов, как показано на с.

41, но и в УГО телефона, головки громкоговорителя, в этом случае их размеры соответствен­но увеличивают.

Если необходимо изобразить состав­ные части оптрона (источник излучения и приемник) в разных местах схемы, символ корпуса разрывают (у каждой из частей оставляют полуокружность, оканчивающуюся короткими отрезками прямых линий), а знак оптического взаи­модействия (две стрелки, параллельные длинной стороне корпуса) заменяют знаками фотоэлектрического эффекта и оптического излучения (наклонные стрелки, как в УГО фото- и светодиода). Позиционные обозначения источника излучения и приемника строят на осно­ве позиционного обозначения оптрона (например, светодиод — U1.1, фототи-ристор — U1.2).

Аналогично поступают и при разне­сенном способе изображения электро­магнитного реле (когда его обмотку и контакты для удобства построения изображают в разных местах схемы):

контактам присваивают обозначение, состоящее из позиционного обозначе­ния реле и условного номера контакт­ной группы (например, реле К1 может иметь контактные группы К1.

1, К1.2, К1.3 и т. д.). Точно также нумеруют сек­ции выключателей, переключателей (например, SА1.1, SА1.2 и т. д.), блоков конденсаторов переменной емкости (C1.1, C1.2 и т. д.), сдвоенных, строен­ных и счетверенных переменных резис­торов (R1.1, R1.2 и т. д.).

Для упрощения схем нередко ис­пользуют слияние линий электрической связи в одну так называемую групповую линию связи, которую изображают утолщенной линией (с. 41). В непосред­ственной близости от мест входа в групповую линии обычно нумеруют. Вместо номеров можно использовать буквенные обозначения сигналов, ино­гда это упрощает чтение схемы. Мини­мальное расстояние между соседними линиями, отходящими от групповой в разные стороны, должно быть не ме­нее 2 мм (в масштабе 1:1). Линии, вы­ходящие из конца линии групповой связи, изображают линиями нормаль­ной толщины.

Соединения, выполненные экрани­рованным проводом, выделяют штри­ховым кружком, от которого отводят линию, соединяющую его с общим проводом (корпусом) устройства или заземлением. Если необходимо пока­зать экранированные соединения в группе линий, идущих параллельно, значок экрана помещают над ними и проводят от него линию со стрелками, указывающими, какие именно соедине­ния помещены в экранирующую оплетку.

В некоторых случаях (например, для уменьшения наводок) провода скру­чивают. Знак скрутки (наклонная линия с противоположно направленными за­сечками на концах) охватывает все ли­нии связи, выполненные таким образом.

Линии, соединяющие далеко распо­ложенные один от другого элементы, особенно в тех случаях, когда изобра­зить осуществляемые ими связи за­труднительно, обрывают, а концы остав­шихся отрезков снабжают стрелками, возле которых указывают адреса (буквы русского или латинского алфавита, по­зиционные обозначения элементов), однозначно восстанавливающие не по­казанное соединение. Например, при разрыве линии связи между резис­торами R5, R6 и конденсатором C42 у стрелки, соединенной с резисторами, пишут «К C42». а у стрелки, идущей от конденсатора, — «К R5, R6».

Несколько слов — об УГО микросхем цифровой и аналоговой техники. Они построены на основе прямоугольни­ков, называемых полями. УГО простей­ших устройств (например, логических элементов) состоят только из основно­го поля, в более сложных к нему добав­ляют одно или два дополнительных, располагаемых слева и справа. В ос­новном поле помещают надписи и зна­ки, обозначающие функциональное

назначение элемента или микросхемы, в дополнительных — так называемые метки, поясняющие назначение выво­дов. Ширина полей определяется чис­лом знаков (с учетом пробелов). Мини­мальная ширина основного поля — 10, дополнительных — 5 мм. Расстояние между выводами, а также между выво­дом и горизонтальной стороной УГО или границей зоны, отделяющей одни выводы от других, — 5 мм (все размеры в масштабе 1:1).

В местах присоединения линий-выводов изображают специальные знаки (указатели), характеризующие их особые свойства: небольшой кру­жок (инверсия), наклонную черточку («/» — прямой, «\» — инверсный дина­мический вход), крестик (вывод, не несущий логической информации, например, вывод питания).

В правом поле УГО цифровых микро­схем иногда помещают знаки, построен­ные на основе ромбика. Если он снабжен черточкой сверху, это означает, что дан­ный вывод соединен с коллектором p-n-p транзистора, эмиттером n-p-n транзис­тора, стоком полевого с p-каналом или истоком транзистора с n-каналом. Если же названные электроды принадлежат транзисторам противоположной струк­туры или приборам с каналом противо­положного типа, черточку помещают снизу. Ромбиком с черточкой внутри обозначают вывод с так называемым состоянием высокого выходного сопро­тивления (Z-состоянием).

Чтобы не загромождать схему цепями питания цифровых микросхем, соот­ветствующие выводы в их УГО обычно не изображают, а чтобы было ясно, к каким выводам подводится питание, в местах, откуда оно поступает (выход источника питания, цепь, к которой подключается внешний источник), по­мещают стрелки с адресами, напри­мер, «К выв. 14 DD1, DD2; выв. 10 DD3, DD4; выв. 16 DD5,DD6″.

И, наконец, — об УГО, используемых в структурных и функциональных схемах. Их основа — квадрат, в котором указыва­ется функциональное назначение уст­ройства. Большинство показанных на с. 41 УГО просты и понятны, и только некоторые требуют пояснений. В част­ности, символ генератора. Помимо буквы G, в его обозначении можно ука­зать область частот (одна синусоида — низкие частоты, две — звуковые, три — высокие), конкретное значение часто­ты (например, 500 кГц), форму колеба­ний в виде упрощенной осциллограммы, наличие стабилизации частоты и т. д.

Два или три символа синусоиды ис­пользуют также для указания назначе­ния фильтров, но здесь они обознача­ют полосы частот. Например, в УГО фильтров верхних (ФВЧ) и нижних час­тот (ФНЧ) две синусоиды символизи­руют колебания частот, лежащих выше и ниже частоты раздела (в первом слу­чае зачеркнута нижняя синусоида, сле­довательно, устройство пропускает сиг­налы с частотой выше частоты среза, во втором — верхняя, что говорит о про­пускании сигналов ниже этой частоты).

В УГО полосового и режекторного филь­тров — три синусоиды. Как и в преды­дущем случае, пропускаются полосы

частот, обозначенные не зачеркнутыми синусоидами: если зачеркнуты верхняя и нижняя, — фильтр полосовой, а если средняя, — режекторный.

Усилители обозначают либо квадра­том с треугольником — символом уси­ления — внутри, либо равносторонним треугольником (вершина с выводом вы­хода — направление передачи сигнала). Предпочтительно второе УГО: оно более наглядно и к тому же позволяет указать в нем, например, число каскадов уст­ройства (его вписывают в треугольник).

УГО линий задержки вместо симво­лов сосредоточенных и распределенных параметров могут содержать численное значение времени задержки, а также знаки, обозначающие способ преобра­зования: пьезоэлектрический (в виде символа кварцевого резонатора), маг-нитострикционный (две горизонтально расположенные полуокружности).

Выпрямительные диоды / Публикации / Energoboard.ru

9 июня 2012 в 10:00

Диод – двухэлектродный полупроводниковый прибор с одним p–n-переходом, обладающий односторонней проводимостью тока. Существует много различных типов диодов – выпрямительные, импульсные, туннельные, обращенные, сверхвысокочастотные диоды, а также стабилитроны, варикапы, фотодиоды, светодиоды и др.

Выпрямительные диоды

Работа выпрямительного диода объясняется свойствами электрического p–n-перехода.

Вблизи границы двух полупроводников образуется слой, лишенный подвижных носителей заряда (из-за рекомбинации) и обладающий высоким электрическим сопротивлением, – так называемый запирающий слой. Этот слой определяет контактную разность потенциалов (потенциальный барьер).

Если к p–n-переходу приложить внешнее напряжение, создающее электрическое поле в направлении, противоположном полю электрического слоя, то толщина этого слоя уменьшится и при напряжении 0,4 — 0,6 В запирающий слой исчезнет, а ток существенно возрастет (этот ток называют прямым).

При подключении внешнего напряжения другой полярности запирающий слой увеличится и сопротивление p–n-перехода возрастет, а ток, обусловленный движением неосновных носителей заряда, будет незначительным даже при сравнительно больших напряжениях.

Прямой ток диода создается основными, а обратный – неосновными носителями заряда. Положительный (прямой) ток диод пропускает в направлении от анода к катоду.

На рис. 1 показаны условное графическое обозначение (УГО) и характеристики выпрямительных диодов (их идеальная и реальная вольт-амперная характеристики). Видимый излом вольт-амперной характеристики диода (ВАХ) в начале координат связан с различными масштабами токов и напряжений в первом и третьем квадранте графика. Два вывода диода: анод А и катод К в УГО не обозначаются и на рисунке показаны для пояснения.

На вольт-амперная характеристика реального диода обозначена область электрического пробоя, когда при небольшом увеличении обратного напряжения ток резко возрастает.

Электрический пробой является обратимым явлением. При возвращении в рабочую область диод не теряет своих свойств. Если обратный ток превысит определенное значение, то электрический пробой перейдет в необратимый тепловой с выходом прибора из строя.

 

 

Рис. 1. Полупроводниковый выпрямительный диод: а – условное графическое изображение, б – идеальная вольт-амперная характеристика, в – реальная вольт-амперная характеристика

Промышленностью в основном выпускаются германиевые (Ge) и кремниевые (Si) диоды.

Кремниевые диоды обладают малыми обратными токами, более высокой рабочей температурой (150 — 200 °С против 80 — 100 °С), выдерживают большие обратные напряжения и плотности тока (60 — 80 А/см2 против 20 — 40 А/см2). Кроме того, кремний – широко распространенный элемент (в отличие от германиевых диодов, который относится к редкоземельным элементам).

К преимуществам германиевых диодов можно отнести малое падение напряжения при протекании прямого тока (0,3 — 0,6 В против 0,8 — 1,2 В). Кроме названных полупроводниковых материалов, в сверхвысокочастотных цепях используют арсенид галлия GaAs.

Полупроводниковые диоды по технологии изготовления делятся на два класса: точечные и плоскостные.

Точечный диод образуют Si- или Ge-пластина n-типа площадью 0,5 — 1,5 мм2 и стальная игла, образующая p–n-переход в месте контакта. В результате малой площади переход имеет малую емкость, следовательно, такой диод способен работать в высокочастотных цепях. Но ток через переход не может быть большим (обычно не более 100 мА).

Плоскостной диод состоит из двух соединенных Si- или Ge-пластин с разной электропроводностью. Большая площадь контакта ведет к большой емкости перехода и относительно низкой рабочей частоте, но проходящий ток может быть большим (до 6000 А).

Основными параметрами выпрямительных диодов являются:

  • максимально допустимый прямой ток Iпр.max,
  • максимально допустимое обратное напряжение Uобр. max,
  • максимально допустимая частота fmax.

По первому параметру выпрямительные диоды делят на диоды:

  • малой мощности, прямой ток до 300 мА,
  • средней мощности, прямой ток 300 мА — 10 А,
  • большой мощности – силовые, максимальный прямой ток определяется классом и составляет 10, 16, 25, 40,
  • 1600 А.

Импульсные диоды применяются в маломощных схемах с импульсным характером подводимого напряжения. Отличительное требование к ним – малое время перехода из закрытого состояния в открытое и обратно (типичное время 0,1 — 100 мкс). УГО импульсных диодов такое же, как у выпрямительных диодов.

 

 

Рис.2. Переходные процессы в импульсных диодах: а – зависимость тока при переключении напряжения с прямого на обратное, б – зависимость напряжения при прохождении через диод импульса прямого тока

К специфическим параметрам импульсных диодов относятся:

  • время восстановления Tвосст
  • это интервал времени между моментом переключения напряжения на диоде с прямого на обратное и моментом, когда обратный ток уменьшится до заданного значения (рис 2,а),
  • время установления Tуст – это интервал времени между началом протекания через диод прямого тока заданной величины и моментом, когда напряжение на диоде достигнет 1,2 установившегося значения (рис 2,б),
  • максимальный ток восстановления Iобр. имп.макс., равный наибольшему значению обратного тока через диод после переключения напряжения с прямого на обратное (рис 2,а).

Обращенные диоды получают при концентрации примесей в p- и n-областях большей, чем у обычных выпрямительных диодов. Такой диод оказывает малое сопротивление проходящему току при обратном включении (рис.3) и сравнительно большое сопротивление при прямом включении. Поэтому их применяют при выпрямлении малых сигналов с амплитудой напряжения в несколько десятых вольта.

 

 

Рис. 3. УГО и ВАХ обращенных диодов

Диоды Шоттки получают, используя переход металл-полупроводник. При этом применяют подложки из низкоомного n-кремния (или карбида кремния) с высокоомным тонким эпитаксиальным слоем того же полупроводника (рис.4).

 

Рис. 4. УГО и структура диода Шоттки: 1 – низкоомный исходный кристалл кремния, 2 – эпитаксиальный слой высокоомного кремния, 3 – область объемного заряда, 4 – металлический контакт

На поверхность эпитаксиального слоя наносят металлический электрод, обеспечивающий выпрямление, но не инжектирующий неосновные носители в базовую область (чаще всего золото). Благодаря этому в этих диодах нет таких медленных процессов, как накопление и рассасывание неосновных носителей в базе. Поэтому инерционность диодов Шоттки не высока. Она определяется величиной барьерной емкости выпрямляющего контакта (1 — 20 пФ).

Кроме этого, у диодов Шоттки оказывается значительно меньшее, чем у выпрямительных диодов последовательное сопротивление, так как металлический слой имеет малое сопротивление по сравнению с любым даже сильно легированным полупроводником. Это позволяет использовать диоды Шоттки для выпрямления значительных токов (десятки ампер). Обычно их применяют в импульсных вторичных источниках питания для выпрямления высокочастотных напряжений (частотой до нескольких МГц).

Потапов Л. А.

Источник: Школа для Электрика

1668

Закладки

Курскэнерго перевыполнило план ремонтных работ

Вчера, в 11:52 30

Роман Старовойт и Игорь Маковский подвели итоги масштабного проекта по выполнению наружного освещения в Курской области

11 ноября в 11:24 38

Александр Гусев и Игорь Маковский создадут систему автоматизации сбора и анализа данных для решения ряда региональных задач в Воронежской области

10 ноября в 21:31 40

Сотрудники Завьяловского РЭС «Удмуртэнерго» приняли участие в командно-штабных учениях по гражданской обороне

10 ноября в 15:20 61

Сделано в России!

10 ноября в 12:30 53

Игорь Маковский ввел в эксплуатацию новый центр питания в Белгородской области

10 ноября в 11:15 52

Игорь Маковский: представители спецштаба несут персональную ответственность за надежность электроснабжения приграничья и новых территорий РФ

9 ноября в 21:22 39

TDM ELECTRIC в 2023 году увеличит выпуск продукции в ассортименте строительно-монтажных инструментов в два раза

9 ноября в 21:19 50

Realme 10: идеальное воплощение мощности с процессором MediaTek Helio G99 и AMOLED экраном 90 Гц

9 ноября в 20:47 55

Realme C33 — новый доступный смартфон с уникальным дизайном и камерой 50 МП

9 ноября в 20:46 75

Новая газотурбинная ТЭЦ в Касимове выдаст в энергосистему Рязанской области более 18 МВт мощности

4 июня 2012 в 11:00 249786

Выключатель элегазовый типа ВГБ-35, ВГБЭ-35, ВГБЭП-35

12 июля 2011 в 08:56 52996

Выключатели нагрузки на напряжение 6, 10 кВ

28 ноября 2011 в 10:00 43906

Распределительные устройства 6(10) Кв с микропроцессорными терминалами БМРЗ-100

16 августа 2012 в 16:00 27967

Элегазовые баковые выключатели типа ВЭБ-110II

21 июля 2011 в 10:00 23044

Признаки неисправности работы силовых трансформаторов при эксплуатации

29 февраля 2012 в 10:00 20931

Оформляем «Ведомость эксплуатационных документов»

24 мая 2017 в 10:00 19275

Правильная утилизация батареек

14 ноября 2012 в 10:00 14982

Схемы и группы соединений обмоток трансформаторов

7 января 2012 в 10:00 13801

Элегаз и его применение. Свойства и производство

7 октября 2011 в 10:00 13710

публикации Выпрямительные диоды

1668

Сегодня, в 02:11

пользователи Профиль пользователя ID6387

370

Сегодня, в 02:11

пользователи Профиль пользователя ID16480

361

Сегодня, в 02:11

пользователи Профиль пользователя ID15709

823

Сегодня, в 02:11

товары и услуги Сальник У260

1145

Сегодня, в 02:10

товары и услуги Куплю кабель дорого!

2211

Сегодня, в 02:10

товары и услуги Трансформатор ТМГ11 630/6

970

Сегодня, в 02:10

товары и услуги Куплю кабель дорого!

1354

Сегодня, в 02:10

товары и услуги Контакт втычной пластинчатый КП 1600А кру крун

990

Сегодня, в 02:10

товары и услуги Ремонт трансформаторов, гарантия.

677

Сегодня, в 02:10

публикации Новая газотурбинная ТЭЦ в Касимове выдаст в энергосистему Рязанской области более 18 МВт мощности

249786

Сегодня, в 02:04

справочник Инструкция по монтажу контактных соединений шин между собой и с выводами электротехнических устройств

73811

Сегодня, в 01:16

справочник Измерение сопротивления обмоток постоянному току

61381

Сегодня, в 02:04

публикации Выключатель элегазовый типа ВГБ-35, ВГБЭ-35, ВГБЭП-35

52996

Сегодня, в 00:31

справочник Инструкция по осмотру РП, ТП, КТП, МТП

49316

Сегодня, в 00:33

пользователи Профиль пользователя ID7667

47147

Сегодня, в 00:33

справочник Эксплуатация, хранение и транспортировка кислородных баллонов

46063

Сегодня, в 00:54

публикации Выключатели нагрузки на напряжение 6, 10 кВ

43906

Сегодня, в 00:32

справочник Методика измерения сопротивления изоляции

43618

Сегодня, в 00:33

справочник Положение об оперативно-выездной бригаде района электрических сетей

41122

Сегодня, в 00:34

Информация обновлена сегодня, в 02:10

[email protected] ru 719 Объявлений

Евгений 248 Объявлений

Сергей 178 Объявлений

Николай 69 Объявлений

522889 53 Объявления

Анатолий 44 Объявления

Елена Владимировна 42 Объявления

Неликвиды 39 Объявлений

volokno 36 Объявлений

[email protected] ru 34 Объявления

Информация обновлена сегодня, в 02:10

Елена Владимировна 1037 Объявлений

Ирина 972 Объявления

[email protected] 719 Объявлений

Евгений 684 Объявления

Евгений 426 Объявлений

Сергей 267 Объявлений

Сергей 178 Объявлений

522889 136 Объявлений

Сергей 134 Объявления

Владимир 111 Объявлений

Информация обновлена сегодня, в 02:10

Уго Франческутти Изобретения, патенты и патентные заявки

Патенты изобретателя Уго Франческутти

Уго Франческутти подал заявку на патент для защиты следующих изобретений. Этот список включает заявки на патенты, находящиеся на рассмотрении, а также патенты, которые уже были выданы Ведомством США по патентам и товарным знакам (USPTO).

  • Устройство ограничителя импульса тока светодиода

    Номер патента: 7443109

    Реферат: Устройство для подачи постоянного тока по крайней мере на один светодиод включает источник тока (2; 2а, 2b) с выходным конденсатором (3), подключенным к клеммам тока источник. Выходной индуктор (4) связан с выходным конденсатором (3), благодаря чему подаваемый ток протекает через индуктор (4). Сглаживающий резистор (5) желательно подключить параллельно выходному дросселю (4).

    Тип: Грант

    Подано: 16 августа 2005 г.

    Дата патента: 28 октября 2008 г.

    Правопреемник: Patent-Treuhand-Gesellschaft für Elektrische Glühlampen mbH

    Изобретатели: Паоло Де Анна, Уго Франческутти

  • Устройство ограничителя импульса тока светодиода

    Номер публикации: 20060043904

    Реферат: Устройство для подачи постоянного тока хотя бы на один светодиод включает в себя источник тока (2; 2а, 2б) с выходным конденсатором (3), подключенным к клеммам тока источник. Выходной индуктор (4) связан с выходным конденсатором (3), благодаря чему подаваемый ток протекает через индуктор (4). Сглаживающий резистор (5) желательно подключить параллельно выходному дросселю (4).

    Тип: Заявка

    Подано: 16 августа 2005 г.

    Дата публикации: 2 марта 2006 г.

    Заявитель: ПАТЕНТ TREUHAND-GESELLSCHAFT FUR ELEKTRISCH GLUHLAMPEN MBH

    Изобретатели: Паоло Де Анна, Уго Франческутти

  • Схема выпрямителя, подходящая для коррекции коэффициента мощности

    Номер патента: 6778373

    Резюме: Согласованная схема выпрямителя для коррекции коэффициента мощности. Первый диод (D1), второй диод (D2), третий диод (D3) и четвертый диод (D4) имеют мостовую схему. Первый полюс (10) и второй полюс (12) перемычки соединены с источником (U), который имеет по меньшей мере одну составляющую напряжения переменного тока. Индуктивность (L1) включена последовательно с третьим полюсом (14) или четвертым полюсом (16) мостовой схемы. Емкость (C1) подключена между первым полюсом (10) и вторым полюсом (12), а два из четырех диодов (D1, D2, D3, D4) выполнены в виде быстродействующих диодов.

    Тип: Грант

    Подано: 7 марта 2002 г.

    Дата патента: 17 августа 2004 г.

    Правопреемник: Patent-Treuhand-Gesellschaft für Elektrische Glühlampen mbH

    Изобретатели: Уго Франческутти, Феликс Франк

  • Импульсный источник питания

    Номер публикации: 20040114401

    Реферат: Импульсный источник питания, имеющий последовательное соединение электронного ключа (Т1) и первичной обмотки (W1) трансформатора (ТХ1). Источник питания также имеет коммутационное демпфирующее устройство, в котором при выключении электронного переключателя (Т1) энергия первичной обмотки (W1) накапливается в конденсаторе (С1). Согласно изобретению коммутационное демпфирующее устройство имеет дополнительный электронный переключатель (D1, T2), который остается включенным до тех пор, пока энергия, накопленная в конденсаторе (C1), не будет возвращена обратно в трансформатор (TX1).

    Тип: Заявка

    Подано: 10 декабря 2003 г.

    Дата публикации: 17 июня 2004 г.

    Заявитель: ПАТЕНТ TREUHAND-GESELLSCHAFT FUR ELEKTRISCH GLUHLAMPEN MBH

    Изобретатели: Паоло Де Анна, Уго Франческутти

  • Электронный трансформатор

    Номер патента: 6600667

    Реферат: Электронный преобразователь, имеющий входную цепь и выходную цепь, который, помимо функции преобразователя, выполняет коррекцию коэффициента мощности. Цепь управления размыкает и замыкает электронный переключатель в зависимости от выходного напряжения схемы преобразователя и напряжения, падающего на датчик измерения тока. Схема имеет логическую землю LM и силовую землю PM с разными электрическими потенциалами.

    Тип: Грант

    Подано: 27 февраля 2002 г.

    Дата патента: 29 июля 2003 г.

    Правопреемник: Patent-Treuhand-Gesellschaft für Elektrische Glühlampen mbH

    Изобретатели: Уго Франческутти, Феликс Франк

  • Электронный трансформатор

    Номер публикации: 20020154521

    Abstract: Изобретение относится к электронным преобразователям, имеющим входную цепь и выходную цепь, которые в дополнение к своей функции преобразователя выполняют коррекцию коэффициента мощности. Они содержат схему управления, которая размыкает и замыкает электронный переключатель, если быть точным, в зависимости от выходного напряжения схемы преобразователя и напряжения, падающего на датчик измерения тока. Изобретение отличается тем, что схема имеет логическую землю LM и силовую землю PM с разными электрическими потенциалами.

    Тип: Заявка

    Подано: 27 февраля 2002 г.

    Дата публикации: 24 октября 2002 г.

    Изобретатели: Уго Франческутти, Феликс Франк

  • Схема выпрямителя, подходящая для коррекции коэффициента мощности

    Номер публикации: 20020122325

    Abstract: Изобретение относится к согласованной схеме выпрямителя для коррекции коэффициента мощности, содержащей первый диод (D1), второй диод (D2), третий диод (D3) и четвертый диод. диод (D4) в мостовой схеме, индуктивность (L1) и емкость (C1), причем первый полюс (10) и второй полюс (12) мостовой схемы подключены к источнику (U), имеющему не менее одна составляющая переменного напряжения, а индуктивность (L1) последовательно соединена с третьим полюсом (14) или четвертым полюсом (16), где емкость (C1) подключена между первым полюсом (10) и вторым полюсом ( 12), а два из четырех диодов (D1, D2, D3, D4) выполнены в виде быстродействующих диодов.

    Тип: Заявка

    Подано: 7 марта 2002 г.

    Дата публикации: 5 сентября 2002 г.

    Изобретатели: Уго Франческутти, Феликс Франк

Использование диодного лазера 980 нм в качестве дополнительной терапии при лечении хронического пародонтита.

Рандомизированное контролируемое клиническое исследование

Рандомизированное контролируемое исследование

. 2008 г., 31 октября (4): 513-8.

Уго Карузо 1 , Ливия Настри, Раффаэле Пикколомини, Симонетта д’Эрколе, Клелия Мацца, Луиджи Гуида

принадлежность

  • 1 Кафедра одонтостоматологии, ортодонтии и хирургии, Второй университет Неаполя, Италия.
  • PMID: 19123307

Бесплатная статья

Рандомизированное контролируемое исследование

Ugo Caruso et al. Новый микробиол. 2008 Октябрь

Бесплатная статья

. 2008 г., 31 октября (4): 513-8.

Авторы

Уго Карузо 1 , Ливия Настри, Раффаэле Пикколомини, Симонетта д’Эрколе, Клелия Мацца, Луиджи Гуида

принадлежность

  • 1 Кафедра одонтостоматологии, ортодонтии и хирургии, Второй университет Неаполя, Италия.
  • PMID: 19123307

Абстрактный

Первичной целью пародонтологического лечения является удаление над- и поддесневых бактериальных отложений путем механической обработки, заключающейся в скейлинге и полировании корней (SRP) с использованием ручных или механических инструментов. Полное удаление бактерий и их токсинов из пародонтальных карманов не всегда достигается при традиционной механической обработке. Использование лазеров в качестве дополнительной терапии заболеваний пародонта может улучшить заживление тканей за счет бактерицидного и дезинтоксикационного действия. Цель этого исследования состояла в том, чтобы сравнить эффективность диодного лазера, используемого в качестве дополнительной терапии SRP, с эффективностью только SRP для нехирургического лечения пародонта у пациентов с хроническим пародонтитом. У 13 пациентов было отобрано 19 пар зубов с нелеченым хроническим пародонтитом, которые случайным образом лечились только СРП (контрольная группа) или СРП + лазерное облучение (испытуемая группа). Клинические измерения (PPD, CAL, BOP, GI, PI) проводились до начала лечения на исходном уровне (Т0) и в Т1 (через 4 недели), Т2 (8 недель), Т3 (12 недель), Т4 (6 месяцев). Образцы поддесневого зубного налета были взяты в начале и после лечения и исследованы на наличие 8 периопатогенных бактерий с использованием метода ПЦР. Настоящее исследование показало, что дополнительное лечение диодным лазером может привести к незначительному улучшению клинических показателей, тогда как существенных различий между опытной и контрольной группой в снижении пародонтопатогенов обнаружено не было.

Похожие статьи

  • Клиническая эффективность диодной лазерной терапии в качестве дополнения к нехирургическому лечению пародонта: рандомизированное клиническое исследование.

    Дукич В., Баго И., Аурер А., Рогулич М. Дукич В. и др. J Пародонтол. 2013 авг;84(8):1111-7. doi: 10.1902/jop.2012.110708. Epub 2012 17 октября. J Пародонтол. 2013. PMID: 23075433 Клиническое испытание.

  • Квадрантное полирование корней по сравнению с полным полированием корней в тот же день. I. Клинические данные.

    Апациду Д.А., Кинане Д.Ф. Апатзиду Д.А. и соавт. Дж. Клин Пародонтол. 2004 г., 31 февраля (2): 132–40. doi: 10.1111/j.0303-6979.2004.00461.x. Дж. Клин Пародонтол. 2004. PMID: 15016039 Клиническое испытание.

  • IL-1бета, ФНО-альфа, общий антиоксидантный статус и микробиологические данные при хроническом пародонтите, леченном флуоресцентно-контролируемым излучением Er:YAG-лазера.

    Домингес А., Гомес С., Гарсия-Касс А.И., Гарсия-Нуньес Х.А. Домингес А. и др. Лазерная хирургия Мед. 2010 Январь; 42(1):24-31. doi: 10.1002/lsm.20873. Лазерная хирургия Мед. 2010. PMID: 20077495 Клиническое испытание.

  • Роль диодных лазеров (800-980 нм) в качестве дополнения к скейлингу и полировке корней при лечении хронического периодонтита: систематический обзор.

    Кадри Т., Джавед Ф., Йоханнсен Г., Густафссон А. Кадри Т. и др. Фотомед лазерная хирургия. 2015 ноябрь;33(11):568-75. дои: 10.1089/фо.2015.3914. Epub 2015 5 октября. Фотомед лазерная хирургия. 2015. PMID: 26436596 Обзор.

  • Клиническая эффективность дополнительного диодного лазера для удаления зубного камня и полировки корней при лечении пародонтита: существует ли оптимальное сочетание режима использования и схемы применения? Систематический обзор и метаанализ.

    Ю С, Чжао С, Чжан Ю, Лю Ю, Ли А, Пей Д. Ю С и др. Лазеры Med Sci. 2022 март; 37 (2): 759-769. doi: 10.1007/s10103-021-03412-z. Epub 2021 18 сентября. Лазеры Med Sci. 2022. PMID: 34536183 Обзор.

Посмотреть все похожие статьи

Цитируется

  • Влияние низкоинтенсивного диодного лазера на рост streptococcus mutans и lactobacillus acidophilus : исследование in vitro.

    Робати М., Юсефиманеш Х., Шокухи Фар М.Р., Багери С. Робати М. и соавт. J Oral Biol Craniofac Res. 2022 май-июнь;12(3):396-400. doi: 10.1016/j.jobcr.2022.05.001. Epub 2022 13 мая. J Oral Biol Craniofac Res. 2022. PMID: 35619599 Бесплатная статья ЧВК.

  • Активация фотонаномедицины в глубоких тканях: обновление и клинические перспективы.

    Шах Н., Сквайр Дж., Гиргуис М., Саха Д., Хойт К., Ван К.К., Агарвал В., Обейд Г. Шах Н и др. Раков (Базель). 2022 15 апреля; 14(8):2004. doi: 10.3390/cancers14082004. Раков (Базель). 2022. PMID: 35454910 Бесплатная статья ЧВК. Обзор.

  • Потенциал дезинфекции диодного лазера с длиной волны 980 нм и перекиси водорода (3%) в пародонтальных карманах «критической глубины зондирования»: ретроспективное исследование.

    Эль Мобаддер М., Наммур С., Намур М., Намур А., Гжех-Лесняк К. Эль Мобаддер М. и др. Жизнь (Базель). 2022 3 марта; 12 (3): 370. дои: 10.3390/жизнь12030370. Жизнь (Базель). 2022. PMID: 35330121 Бесплатная статья ЧВК.

  • Сравнение эффективности лечения эндо-перио поражений с использованием стандартного протокола лечения и расширенного с помощью диодного лазера (940 нм).

    Дембовска Э., Яронь А., Хомик-Родзиньска А., Габрыш-Трибек Э., Бладовска Ю., Трибек Г. Дембовска Э. и соавт. Дж. Клин Мед. 2022 3 февраля; 11 (3): 811. doi: 10.3390/jcm11030811. Дж. Клин Мед. 2022. PMID: 35160262 Бесплатная статья ЧВК.

  • Клиническая эффективность диодного лазера с длиной волны 940 нм при лечении рецидивирующих карманов на этапе поддержания пародонта.

alexxlab

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *