АО «НИИЭТ»

Продукция

Новинки и текущие разработки

 

Интегральные микросхемы

 

Микросхемы в пластиковых корпусах

ВЧ/СВЧ транзисторы и модули

Макетно-отладочные устройства

Испытательное оборудование

Новости

Все новости

О предприятии

 

АО «НИИЭТ» – один из ведущих производителей электронных компонентов в России.

Научно-исследовательский институт электронной техники – это одна из старейших отечественных школ разработки, большие производственные мощности, квалифицированные кадры.

На нашем предприятии в 1965 году была создана первая отечественная микросхема с диэлектрической изоляцией компонентов. Благодаря огромному опыту – с одной стороны – и умению оперативно меняться в соответствии с потребностями страны – с другой – мы предлагаем своим потребителям качественные услуги разработки, сборки и испытаний современной электронной компонентной базы.

Сегодня НИИЭТ — это единственное в России предприятие, которое занимается серийным производством и поставками GaN-транзисторов на кремнии.

 

Направления деятельности

Разработка

Мы выполняем полный комплекс работ по проектированию цифровых и аналоговых микросхем, силовых, ВЧ-, СВЧ-транзисторов и блоков на их базе.

Сборка

Наш институт располагает современной производственной линией для сборки ИМС, силовых, ВЧ-, СВЧ-транзисторов во всех типах металлокерамических корпусов.

Испытания и измерения

Современное собственное оборудование и квалифицированные кадры позволяют нам проводить комплексные испытания изделий электронной техники с применением современных методик.

Наши партнёры

Партнёры

Госкорпорация «Росатом»

АО «Российские космические системы»

АО «Концерн Радиоэлектронные технологии»

ООО «НПФ Вектор»

АО «ВЗПП-Микрон»

Госкорпорация «Роскосмос»

АО «Концерн ВКО „Алмаз-Антей“»

ГК «Элемент»

ЗАО НТЦ «Модуль»

АО «Конструкторско-технологический центр «ЭЛЕКТРОНИКА»

Госкорпорация «Ростех»

АО «Концерн «Радиотехнические и Информационные Системы»

АО «НИИМА «ПРОГРЕСС»

АО «Воронежский Завод Полупроводниковых Приборов-Сборка»

АО «СКТБ ЭС»

Вузы-партнёры

ФГБОУ ВО ВГЛТУ им. Г.Ф. Морозова

ФГБОУ ВО «Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники»

ФГБОУ ВО «Воронежский государственный университет»

Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники»

ФГБОУ ВО «Воронежский государственный технический университет»

Дилеры и дистрибьюторы

ООО «ЭНЭЛ»

ООО «Пятый элемент»

АО «ТЕСТПРИБОР»

АО «РТКТ»

ООО «Сигма-Проект»

Информационные партнеры

Научно-технический журнал «Электроника НТБ»

Журнал «Компоненты и технологии»

Единая отраслевая платформа по электронике, микроэлектронике и новым технологиям Industry Hunter

«РадиоЛоцман» — портал и журнал для разработчиков электроники

Журнал «Электронные компоненты»

Затвор сток исток перевод

Войдите , пожалуйста. Хабр Geektimes Тостер Мой круг Фрилансим. Мегапосты: День программиста Лесной детокс Выжить в киберпанке. Войти Регистрация.

Поиск данных по Вашему запросу:

Схемы, справочники, даташиты:

Прайс-листы, цены:

Обсуждения, статьи, мануалы:

Дождитесь окончания поиска во всех базах.

По завершению появится ссылка для доступа к найденным материалам.

Содержание:

• Физика решение задач контрольной, курсовой работы
• затвор-исток
• ГОСТ 19095-73: Транзисторы полевые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров
• сток полевого транзистора
• Когда и почему выходят из строя MOSFET?
• RU2393589C1 — Мощный свч полевой транзистор с барьером шотки — Google Patents
• Перевод «microelectronic» на русский
• Полевой транзистор принцип работы для чайников
• Сток исток ру

ПОСМОТРИТЕ ВИДЕО ПО ТЕМЕ: Проверка полевого транзистора

Физика решение задач контрольной, курсовой работы

Транзисторы являются активными компонентами и используются повсеместно в электронных цепях в качестве усилителей и коммутационных устройств транзисторных ключей.

Как усилительные приборы они применяются в приборах высокой и низкой частоты, генераторах сигналов, модуляторах, детекторах и многих других цепях. В цифровых схемах, в импульсных блоках питания и управляемых электроприводах они служат в качестве ключей.

Так называется наиболее распространенный тип транзистора. Они делятся на npn и pnp типы. Материалом для них наиболее часто является кремний или германий.

Поначалу транзисторы делались из германия, но они были очень чувствительны к температуре. Кремниевые приборы гораздо более стойки к ее колебаниям и дешевле в производстве.

Различные биполярные транзисторы показаны на фото ниже. Маломощные приборы расположены в небольших пластиковых прямоугольных или металлический цилиндрических корпусах. Они имеют три вывода: для базы Б , эмиттер Э и коллектор К.

Принципы работы транзистора нужно изучать, начиная с его устройства. Рассмотрим структуру npn-транзистора, которая изображена на рис. Как видим, он содержит три слоя: два с проводимостью n-типа и один — p-типа. Тип проводимости слоев определяется степенью легирования специальными примесями различных частей кремниевого кристалла.

Эмиттер n-типа очень сильно легирован, чтобы получить множество свободных электронов как основных носителей тока. Очень тонкая база p-типа слегка легирована примесями и имеет высокое сопротивление, а коллектор n- типа очень сильно легирован, чтобы придать ему низкое сопротивление.

Лучшим способом познакомиться с ними является экспериментальный путь. Ниже приведена схема простой цепи. Она использует силовой транзистор для управления свечением лампочки. Эти компоненты должны быть соединены, как показано на рисунке справа от схемы.

Поверните движок потенциометра в крайнее нижнее положение. Лампа не светится, что означает отсутствие тока через транзистор. Если теперь поворачивать рукоятку от ее нижней позиции, то UBE постепенно увеличивается. Когда оно достигает 0,6 В, ток начинает втекать в базу транзистора, и лампа начинает светиться.

Когда рукоятка сдвигается дальше, напряжение UBE остается на уровне 0,6 В, но ток базы увеличивается и это увеличивает ток через цепь коллектор-эмиттер. Если рукоятка сдвинута в верхнее положение, напряжение на базе будет немного увеличено до 0,75 В, но ток значительно возрастет и лампа будет светиться ярко. Если мы включим амперметр между коллектором C и лампой для измерения IC , другой амперметр между базой B и потенциометром для измерения IB , а также вольтметр между общим проводом и базой и повторим весь эксперимент, мы сможем получить некоторые интересные данные.

В итоге мы получаем от этого эксперимента следующие принципы работы транзистора: при отсутствии положительного для npn-типа напряжения смещения на базе токи через его выводы равны нулю, а при наличии напряжения и тока базы их изменения влияют на ток в цепи коллектор — эмиттер.

Во время нормальной работы, напряжение, приложенное к переходу база-эмиттер, распределяется так, что потенциал базы p-типа приблизительно на 0,6 В выше, чем у эмиттера n-типа.

При этом к данному переходу приложено прямое напряжение, он смещен в прямом направлении и открыт для протекания тока из базы в эмиттер.

Гораздо более высокое напряжение приложено к переходу база-коллектор, причем потенциал коллектора n-типа оказывается более высоким, чем у базы p-типа.

Так что к переходу приложено обратное напряжение и он смещен в обратном направлении. Это приводит к образованию довольно толстого обедненного электронами слоя в коллекторе вблизи базы, когда к транзистору прикладывается напряжение питания. В результате ток через цепь коллектор-эмиттер не проходит. Распределение зарядов в зонах переходов npn-транзистора показан на рисунке ниже.

Как же заставить работать наш электронный прибор? Принцип действия транзистора заключается во влиянии тока базы на состояние закрытого перехода база-коллектор.

Когда переход база-эмиттер смещен в прямом направлении, небольшой ток будет поступать в базу.

Здесь его носителями являются положительно заряженные дырки. Они комбинируются с электронами, поступающими из эмиттера, обеспечивая ток IBE. Однако вследствие того, что эмиттер очень сильно легирован, гораздо больше электронов поступает из него в базу, чем способно соединиться с дырками. Это означает, что возникает большая концентрация электронов в базе, и большинство из них пересекает ее и попадает в обедненный электронами слой коллектора.

Здесь они попадают под влияние сильного электрического поля, приложенного к переходу база-коллектор, проходят через обедненный электронами слой и основной объем коллектора к его выводу.

Изменения тока, втекающего в базу, влияют на количество привлеченных от эмиттера электронов. Таким образом, принципы работы транзистора могут быть дополнены следующим утверждением: очень небольшие изменения в базовом токе вызывают очень большие изменения в токе, протекающем от эмиттера к коллектору, то есть происходит усиление тока.

Хотя есть много путаницы в названиях для них, но встречаются в основном два основных их типа:. С управляющим pn-переходом. Это отличает принцип работы транзистора полевого от биполярного, в котором ток образуется одновременно обоими этими типами носителей. Третий вывод — затвор аналог сетки триода — присоединен к слою кремния с другим типом проводимости, чем у канала исток-сток.

Структура такого прибора показана на рисунке ниже. Как же работает полевой транзистор? Принцип работы его заключается в управлении поперечным сечением канала путем приложения напряжения к переходу затвор-канал.

Его всегда смещают в обратном направлении, поэтому транзистор практически не потребляет тока по цепи затвора, тогда как биполярному прибору для работы нужен определенный ток базы. При изменении входного напряжения область затвора может расширяться, перекрывая канал исток-сток вплоть до полного его закрытия, управляя таким образом током стока. При этом начинается инжекция электронов из коллектора в базу. Эта инжекция компенсирует переход из базы в коллектор электронов эмиттера.

Данный режим называют режимом насыщения. Проанализируем, почему малые изменения тока базы Iбвызывают значительные изменения коллекторного тока Iк. В этом случае коллекторный ток близок к эмиттерному току, а ток базы по физической природе рекомбинационный существенно меньше и коллекторного и эмиттерного тока. Увеличение базового тока в два раза должны прорекомбинировать две дырки вызовет в два раза большую инжекцию через эмиттерный переход должно инжектироваться дырок и соответственно экстракцию через коллекторный экстрагируется дырок.

Таким образом, малое изменение базового тока, например, с 5 до 10 мкА, вызывает большие изменения коллекторного тока, соответственно с мкА до мкА. Есть область, для которой полевые транзисторы подходят практически идеально. Это силовые устройства, где необходимо замыкать и размыкать силовые цепи постоянного тока. Это импульсные источники питания, регуляторы мощности потребителей постоянного тока, автоматика. Полевые транзисторы имеют высокое входное сопротивление постоянному току, что является неоспоримым преимуществом при относительно редком переключении.

Расход энергии на управление полевиком в этом случае минимален. Если переключаться надо часто, то в дело вступают емкости затвор — исток и затвор — сток. На их зарядку нужно тратить энергию. Так что по мере роста частоты переключений расход энергии растет, и у полевого транзистора появляются конкуренты, например, биполярные.

Но есть еще одно ключевое преимущество — отрицательный температурный коэффициент при большом токе нагрузки. Этот эффект проявляется в том, что по мере нагрева при большом токе стока сопротивление полевого транзистора нарастает. С одной стороны это позволяет соединять полевые транзисторы параллельно без всяких проблем. Токи в них быстро выравниваются самостоятельно, без всякого нашего участия. С другой стороны цельный мощный полевой транзистор можно представить, как соединенные параллельно маломощные такие полосочки токопроводящего канала полевика.

Сила тока в этих полосочках при прогреве выравнивается, так что полевой транзистор проводит ток по всему сечению канала равномерно.

Это обуславливает способность полевых транзисторов работать при больших токах. Например, биполярный транзистор имеет положительный температурный коэффициент. Если в какой-то части кристалла появляется большая проводимость, чем вокруг, то это место прогревается сильнее, туда устремляется все больший ток.

Итак до прогорания. Полевые транзисторы с изолированным затвором следует хранить с закороченными выводами. При включении транзисторов в схему должны быть приняты все меры для снятия зарядов статического электричества. Необходимую пайку производить на заземленном металлическом листе, заземлить жало паяльника, а так же руки монтажника при помощи специального металлического браслета. Не следует применять одежду из синтетических тканей. Целесообразно подсоединять полевой транзистор к схеме, предварительно закоротив его выводы.

Основная области применения Биполярных транзисторов, как дискретных, так и в составе ИС,— генерирование, усиление или преобразование электрических сигналов. Максимально допустимые значения токов в Биполярных транзисторах лежат в пределах от десятков мкА до сотен А, напряжений коллектора — от нескольких В в ИС до нескольких кВ, допустимая мощность рассеяния — от единиц мкВт в составе ИС до 1 кВт и более.

Если к выводам коллектора и базы или коллектора и эмиттера прикладывают напряжение такой полярности, что коллекторный переход смещается в обратном направлении, то при прямом смещении на эмиттерном переходе Биполярного транзистора находится в активном режиме, или режиме усиления, а при обратном смещении — в режиме отсечки.

При прямом смещении на обоих переходах Биполярного транзистора находится в режиме насыщения. В активном режиме из эмиттерной области Биполярного транзистора в базовую область инжектируются неосновные носители заряда, которые, частично рекомбинируя, переносятся к коллекторному переходу и через коллекторную область попадают в коллекторный вывод, образуя ток коллектора.

Базовый ток во много раз меньше эмиттерного и коллекторного токов и равен их разности. Напряжением, прикладываемым к эмиттерному переходу, регулируют количество неосновных носителей заряда, инжектируемых в базовую область, т. При прямом смещении эмиттерного перехода токи через транзистор также могут сохранять малые значения, пока приложенное напряжение не превышает порогового значения для кремниевых транзисторов около 0,6 В; для германиевых — около 0,3 В.

Если соединить транзисторы, как показано на рисунке, то полученная схема будет работать как один транзистор, причем его коэффициент будет равен произведению коэффициентов составляющих транзисторов. Этот прием полезен для схем, работающих с большими токами например, для стабилизаторов напряжения или выходных каскадов усилителей мощности или для входных каскадов усилителей, если необходимо обеспечить большой входной импеданс.

Сопротивление резистора выбирают так, чтобы токи утечки измеряемые в наноамперах для малосигнальных транзисторов и в сотнях микроампер для мощных транзисторов создавали на нем падение напряжения, не превышающее падения напряжения на диоде, и вместе с тем, чтобы через него протекал ток, малый по сравнению с базовым током транзистора. Обычно сопротивление R составляет несколько сотен ом в мощном транзисторе Дарлингтона и несколько тысяч ом в малосигнальном транзисторе Дарлингтона.

Схема обладает высоким входным сопротивлением, которое ограничивается сопротивлением затвора КПГ — утечка 0,1нА , и достаточно высоким выходным сопротивлением, также, как и в схемах с ОЭ. Однако, из-за нелинейности выходной характеристики возникают большие нелинейные искажения, особенно для большого сигнала.

затвор-исток

Солнечный город — Обустройство, ремонт, полезные советы для дома и квартир. В технике и радиолюбительской практике часто применяются полевые транзисторы. Такие устройства отличаются от обычных, биполярных, транзисторов тем, что в них управление выходным сигналом осуществляется управляющим электрическим полем. Особенно часто используются полевые транзисторы с изолированным затвором. В зависимости от технологии изготовления такие транзисторы могут быть n- или p-канальными.

затвор- сток, ранном нулю, и заданном напряженки сток—исток. 2r. Остаточный .. transfer admittance. F. Admittance de transfert direct, la sortie etant en.

ГОСТ 19095-73: Транзисторы полевые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

Интерес к статическим параметрам полевого транзистора с p-n-переходом на затворе, таким как начальный ток стока и напряжение отсечки, проявляется чаще всего инженерами и радиолюбителями либо как к приводимым в справочниках характеристикам для сравнения транзисторов различных типов, либо в связи с подбором близких по параметрам транзисторов для дифференциального каскада. В настоящей статье речь пойдёт об использовании статических параметров при расчёте схем на полевых транзисторах. Основными статическими параметрами полевого транзистора с p-n-переходом на затворе являются начальный ток стока и напряжение отсечки. Начальный ток стока полевого транзистора определяется как ток, протекающий через его канал при заданном постоянном напряжении сток-исток и равном нулю напряжении затвор-исток. В англоязычной технической документации этот параметр обозначают как I. Напряжение отсечки — это такое пороговое значение напряжения затвор-исток, по достижении которого ток через канал полевого транзистора уже не изменяется и практически равен нулю. Его также измеряют при фиксированном значении напряжения сток-исток и в англоязычной документации обозначают как V описывает так называемая передаточная характеристика транзистора.

сток полевого транзистора

Название русское: Транзисторы полевые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров. Область и условия применения: Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров полевых транзисторов. Опубликован: официальное издание Электроника. Термины и определения.

Лугинский, М.

Когда и почему выходят из строя MOSFET?

Войдите , пожалуйста. Хабр Geektimes Тостер Мой круг Фрилансим. Войти Регистрация. Как разрабатываются и производятся процессоры: изготовление чипа Автор оригинала: William Gayde. Источник бесперебойного питания на источнике бесперебойной подачи информации Читайте на Хабре. Читают сейчас.

RU2393589C1 — Мощный свч полевой транзистор с барьером шотки — Google Patents

Область, из которой носители заряда уходят в канал, называется истоком , область, в которую они входят из канала, называется стоком , электрод, на который подается управляющее напряжение, называется затвором. Впервые идея регулировки потока основных носителей электрическим полем в транзисторе с изолированным затвором была предложена Лилиенфельдом в — годах. Однако трудности в реализации этой идеи на практике позволили создать первый работающий прибор только в году. В году Джеймс Маккаллахем из Bell Labs установил, что использование полевых транзисторов может существенно увеличить производительность существующих вычислительных систем. К основным параметрам полевых транзисторов причисляют: входное сопротивление, внутреннее сопротивление транзистора, также называемое выходным, крутизну стокозатворной характеристики, напряжение отсечки и некоторые другие. Источник постоянного смещения, включенный во входную цепь, создаёт на единственном p-n-переходе обратное запирающее напряжение. Во входную цепь также включается и источник усиливаемого сигнала. При изменении входного напряжения изменяется обратное напряжение на p-n-переходе, в связи с чем меняется толщина обедненного слоя, то есть изменяется площадь поперечного сечения области в криcталле, через которую проходит поток основных носителей заряда.

Перевод когда затвор включён, а pMOS-устройства пропускают ток при Зарядка затвора образует канал между истоком и стоком.

Перевод «microelectronic» на русский

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в качестве активных элементов СВЧ устройств различного назначения. Выходная мощность и коэффициент усиления по мощности далее коэффициент усиления — одни из основных параметров мощных СВЧ полевых транзисторов с барьером Шотки далее полевой транзистор. С целью снижения паразитного электрического сопротивления электрода затвора полевого транзистора используют известное и широко используемое на сегодня конструктивное решение, заключающееся в том, что электрод затвора полевого транзистора с барьером Шотки выполнен так называемой Т-образной конфигурацией субмикронной длины [1]. При этом диэлектрический слой расположен под верхней частью электрода затвора Т-образной конфигурации, как со стороны электрода истока, так и со стороны электрода стока.

Полевой транзистор принцип работы для чайников

ВИДЕО ПО ТЕМЕ: Простой метод проверки исправности полевого …

Мощные транзисторы MOSFET хорошо известны своей исключительной скоростью переключения при весьма малой мощности управления, которую нужно прикладывать к затвору. Основная причина в том, что затвор изолирован, поэтому требуется мощность только на перезаряд емкости затвор-исток, и в статическом режиме цепь затвора практически не потребляет тока. Основные недостатки, которые не дают MOSFET стать «идеальным», это сопротивление открытого канала R DS on , и значительная величина положительного температурного коэффициента чем выше температура, тем выше сопротивление открытого канала. В этом апноуте обсуждаются эти и другие основные особенности высоковольтных N-канальных мощных MOSFET, и предоставляется полезная информация по выбору транзисторов и их применению перевод статьи [1].

Результатов: Точных совпадений:

Сток исток ру

Интерес к статическим параметрам полевого транзистора с p-n -переходом на затворе, таким как начальный ток стока и напряжение отсечки, проявляется чаще всего инженерами и радиолюбителями либо как к приводимым в справочниках характеристикам для сравнения транзисторов различных типов, либо в связи с подбором близких по параметрам транзисторов для дифференциального каскада. В настоящей статье речь пойдёт об использовании статических параметров при расчёте схем на полевых транзисторах. На рис. Основными статическими параметрами полевого транзистора с p-n -переходом на затворе являются начальный ток стока и напряжение отсечки. Начальный ток стока полевого транзистора определяется как ток, протекающий через его канал при заданном постоянном напряжении сток-исток и равном нулю напряжении затвор-исток. В англоязычной технической документации этот параметр обозначают как I DSS.

Транзисторы являются активными компонентами и используются повсеместно в электронных цепях в качестве усилителей и коммутационных устройств транзисторных ключей. Как усилительные приборы они применяются в приборах высокой и низкой частоты, генераторах сигналов, модуляторах, детекторах и многих других цепях. В цифровых схемах, в импульсных блоках питания и управляемых электроприводах они служат в качестве ключей. Так называется наиболее распространенный тип транзистора.

mosfet — Что происходит, когда на стоке есть источник тока, а затвор заземлен?

\$\начало группы\$

В схеме ниже Vin = 0 В и источник тока 10 мкА подключен к 5 В и стоку NMOS. Предположим, что в истоке имеется большое сопротивление R1, а отношение W/L транзистора большое, а Vth = 1 В,

1. Какое напряжение источника?
2. Как включится транзистор? Vgs всегда будет отрицательным, если ток течет через R1 к GND. Если транзистор не включается, куда девается ток 10 мкА от источника тока?
3. Может ли полярность истока и стока быть такой, чтобы транзистор поглощал мощность, а не рассеивал ее, чтобы уменьшить ток?

• MOSFET
• аналоговый
• источник тока
• NMOS

\$\конечная группа\$

5

\$\начало группы\$

Это напоминает мне вопрос: «Что происходит, когда непреодолимая сила сталкивается с неподвижным объектом?»

Идеальный источник тока подобен непреодолимой силе.

Идеальный полевой транзистор подобен неподвижному объекту.

В действительности приходится уступать:

1. Источник тока имеет соответствующее напряжение.
2. Полевой транзистор имеет напряжение пробоя.

Какое напряжение источника?

Если напряжение соответствия достигается до напряжения пробоя, то источник тока преобразуется в источник напряжения. Через полевой транзистор не будет проходить заряд, поэтому напряжение источника будет равно 0 В. 9{-5}R_{1} \text{V}\$ в этом случае.

Как включится транзистор?

Транзистор не включается! Он либо будет цел (отключен), либо сломается (пробит) сток-исток. Он может быть уничтожен или не уничтожен в зависимости от других ограничений реального мира.

Может ли полярность истока и стока быть такой, чтобы транзистор поглощал мощность, а не рассеивал ее, чтобы уменьшить ток?

Транзистор никогда не может поглощать энергию. Он может только рассеяться. При представлении этих схем компоненты должны быть смоделированы соответствующим образом.

\$\конечная группа\$

Зарегистрируйтесь или войдите в систему

Зарегистрируйтесь с помощью Google

Зарегистрироваться через Facebook

Зарегистрируйтесь, используя электронную почту и пароль

Опубликовать как гость

Электронная почта

Требуется, но никогда не отображается

Опубликовать как гость

Электронная почта

Требуется, но не отображается

Нажимая «Опубликовать свой ответ», вы соглашаетесь с нашими условиями обслуживания, политикой конфиденциальности и политикой использования файлов cookie

.

mosfet — Ток через сток-исток без напряжения затвора

\$\начало группы\$

Я новичок в электронике и экспериментировал с МОП-транзисторами. У меня есть МОП-транзистор IRFZ44N от International Rectifier, который показывает необычное поведение.

Затвор MOSFET ни к чему не был подключен, но ток протекал от стока к истоку. Величина протекающего тока составляла около 0,7 мА, что достаточно для питания светодиода.

Подозревая, что я каким-то образом убил MOSFET, я купил еще один, и произошло то же самое. Новый также допускал ток 1 мА от стока к истоку без напряжения на затворе. Напряжение между затвором и истоком в обоих случаях равно 5 В.

Я пытался сделать это целый день, и я застрял. Оба моих МОП-транзистора повреждены или я упустил что-то важное?

• МОП-транзистор
• с плавающим затвором

\$\конечная группа\$

2

\$\начало группы\$

Это не является чем-то необычным для полевого транзистора с плавающим затвором. Вы можете ожидать чего угодно, когда гейт остается неподключенным.

Не оставляйте ворота неподключенными.

Возможно, на затворе накопился заряд, поэтому напряжения на затворе достаточно для включения полевого транзистора.

Так что в основном, вопреки тому, что вы говорите, полевой транзистор не без напряжения затвора. Он явно имеет напряжение, накопленное при прикосновении или токах утечки. Просто вы не подавали какое-то конкретное напряжение в цепь, поэтому не знаете, что это за напряжение.

\$\конечная группа\$

2

\$\начало группы\$

Оба моих МОП-транзистора повреждены? или я упускаю что-то важное?

Плавающие ворота неизбежно приобретут заряд, потому что это всего лишь конденсатор. Как только на затворе появится заряд на один или два вольта по отношению к истоку, полевой МОП-транзистор начнет включаться. Еще несколько вольт накопления заряда и, вуаля, полевой МОП-транзистор начинает сильно проводить ток от стока к истоку.

Никогда не оставляйте затвор плавающим (за исключением исключительных обстоятельств) в случае накопления достаточного заряда, вызывающего пробой напряжения затвор-исток (около 20 вольт).

Таким образом, если ток утечки в затвор составляет 1 нА, а емкость затвор-исток составляет 1 нФ (довольно типично для многих полевых МОП-транзисторов), вы можете использовать следующую формулу для оценки того, как быстро нарастает напряжение затвор-исток. -up: —

$$I = C\dfrac{dv}{dt}\hspace{1cm}\rightarrow\hspace{1cm}\text{1 нА} = \text{1 нФ}\cdot\dfrac{dv }{dt}$$

Следовательно, при протекании 1 нА потребуется 1 секунда, чтобы получить 1 вольт между затвором и истоком, т. е. не очень много времени, чтобы получить достаточное напряжение для полного включения MOSFET.

\$\конечная группа\$

\$\начало группы\$

Для полевого МОП-транзистора типа NPN Чтобы включить полевой МОП-транзистор, необходимо повысить напряжение на затворе.