Стабилитрон. Характеристики стабилитронов
Существует такой тип диода как стабилитрон или, как его ещё называют, диод Зенера. В стабилитроне используется тот же самый p-n переход, но работает диод Зенера совсем иначе!
При создании различных электронных устройств бывает нужно получить стабильное напряжение для питания какой-либо части этого устройства, так как некоторые схемы, особенно на транзисторах, достаточно чувствительны к колебаниям напряжения питания, которое неизбежно по чисто физическим и техническим причинам.
Один из способов получения такого стабилизированного напряжения — использование стабилитрона. В зависимости от модели стабилитрона можно поддерживать стабильным напряжение вплоть до 400В. Очень хорошо. Но в радиолюбительской практике высоковольтные стабилитроны редкость и чаще встречаются на 3.3В, 5В, 12В и т.д.
Конструкция стабилитрона такая же как у диода: p-n переход, два вывода, изолирующая или проводящая (встречается у некоторых советских стабилитронов) оболочка.
Но в схеме они используются совсем иначе! Во-первых, стабилитрон подключается минусом к плюсу, а плюсом к минусу. А ты уже знаешь, что при таком подключени диоды ток не проводят. Или проводят? Давай разберёмся.
Принцип работы стабилитрона
Сложно предположить, что еще 70-100 лет назад редкая квартира в городах имела собственную ванную комнату со привычной нам белой чугунной ванной. Если ты сейчас пойдёшь в свою ванную комнату и посмотришь на ванну, то увидишь в ней два отверстия. Одно сливное, расположено на дне ванны, а второе, поменьше, возле края верхнего борта ванны.
Зачем нужно второе отверстие? Чтобы не затопить соседей! С его помощью ограничивается уровень воды, до которого можно набрать воду в ванну. Как только уровень воды в достигнет защитного отверстия, то лишняя вода будет через это отверстие уходить в канализацию.
Так вот стабилитрон работает аналогично. Как только падение напряжения на нём превысит заданное на заводе значение (3.3В, 5В, 12В и т.
д.), стабилитрон отведёт через себя лишний ток, удерживая выходное напряжение на заданном уровне, например, 3.3В
Стабилитрон — это защита от перелива
Пример использования стабилитрона
Возьмём резистор, стабилитрон и соединим их так, как показано на схеме ниже. Стабилитрон включен катодом (минусом) к резистору, а анодом (плюсом) к минусу. Т.е. включен в обратном направлении. В таком положении через стабилитрон протекает ток Iобр — маленький, незначительный ток. Можно считать, что тока практически нет.
Если теперь подать Uвх, то на резисторе Rн будет приблизительно паспортное значение напряжения стабилизации стабилитрона Uст равное 3В, 3.3В, 5В, 12В и т.д. Приблизительное, так как номинал значения любой радиодетали имеет погрешность. Что поделать. Такова жизнь. Кстати, должно выполняться условие Uвх > Uст. Чтобы стбилизация была надежней следует иметь некоторый запас прочности по напряжению.
Если внимательно рассмотреть цепь R1-V1, то можно увидеть хорошо тебе знакомый делитель напряжения.
Разница между делителем напряжения из резисторов и делителем напряжения с использованием стабилитрона заключается в том, что если Uвх вдруг слегка увеличится, то и выходное напряжение резистивного делителя напряжения слегка увеличится. И наоборот.
А вот если вместо резистора в делителе напряжения используется стабилитрон, как на схеме выше, тогда таких изменений Uвых не будет. Конечно при условии, что Uвх ± небольшое изменение > Uвых.
Достигается это благодаря все тому же эффекту «переливного отверстия», модель которого я использовал, чтобы описать принцип работы стабилитрона.
Характеристики стабилитрона
При использовании стабилитронов следует помнить, что он не всемогущ, а является обычной полупроводниковой деталью. Это значит следует внимательно выбирать для своей схемы подходящий стабилитрон с учетом его характеристик. Для тебя наиболее важными параметрами стабилитрона являются:
- Максимальный ток стабилизации
- Напряжение стабилизации
Максимальный ток стабилизации
Если неправильно выбрать стабилитрон и ток, который будет через неко протекать во время работы схемы окажется больше, чем допустимое заводское значение, то он начнёт нагреваться и со временем перегрется и выйдет из строя.
Поэтому следует выбирать стабилитрон так, чтобы его допустимый максимальный ток был значительно больше, чем ток, который будет через него протекать во время работы схемы.
Напряжение стабилизации
Стабилитроны выпускаются с жестко заданным напряжением стабилизации. Это его паспортное значение, заложенное при изготовлении на заводе. Поэтому, когда ты выбираешь стабилитрон, то первоначально смотришь на паспортное значение напряжения стабилизации, а затем уже на допустимые ток и мощность.
Что ещё важно знать
Практически все радиодетали зависят от температуры окружающей среды. И стабилитрон тоже. Это означает, что паспортное напряжение стабилизации может измениться, если температура сильно возрастёт или упадёт. Вот пример, отечественный стабилитрон Д814 напряжение стабилизации при Iст = 5 мА:
| Маркировка | Напряжение стабилизации |
| При Т = +25°C | |
| Д814А | 7. ..8,5 В |
| Д814Б | 8…9,5 В |
| Д814В | 9…10,5 В |
| Д814Г | 10…12 В |
| Д814Д | 11,5…14 В |
| При Т = -60°C | |
| Д814А | 6…8,5 В |
| Д814Б | 7…9,5 В |
| Д814В | 8…10,5 В |
| Д814Г | 9…12 В |
| Д814Д | 10…14 В |
Как видно из таблицы при изменениии температуры меняется и напряжение стабилизации. Незначительно, но все же меняется. Хотел бы я посмотреть на любительский прибор, который должен работать при -60… Но знать о том, что напряжение стабилизации зависит от температуры все же надо.
Прочитал про стабилитрон, прочитай ещё и про:
- Как подбирать резисторы?
- Электрический конденсатор. Виды конденсаторов.
/blog/stabilitron-printsip-dejstviya/ Существует много разновидностей диодов. Одним из таких необычных диодов является стабилитрон. В нём тот же самый p-n переход, но работает стабилитрон иначе! 2016-10-27 2016-11-16 стабилитрон, принцип действия, как работает стабилитрон, маркировка стабилитронов
Исследование характеристик стабилитрона – В помощь студентам БНТУ – курсовые, рефераты, лабораторные !
Цель работы: Исследование характеристик стабилитрона, определение параметров и изучить влияние температуры окружающей среды на его свойства.
1. КРАТКИЕ ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ СВЕДЕНИЯ
Стабилитрон – это полупроводниковый диод, предназначенный для стабилизации напряжения. Для этого используются диоды, у которых на ВАХ имеется участок со слабой зависимостью напряжения от проходящего тока. Такой участок наблюдается на обратной ветви ВАХ диода в режиме электрического пробоя. Поэтому рассмотрим вначале пробой р-п перехода.
1.1. Пробой р-п переходов
В реальном р-п переходе, когда обратное напряжение достигает некоторого критического значения, ток через переход резко возрастает, начинается пробой перехода. Величина напряжения, при котором наступает пробой Uпроб. зависит от типа р-п перехода и составляет от нескольких вольт до нескольких киловольт.
Различают следующие виды пробоя: электрический и тепловой, а электрический в свою очередь разделяют на туннельный и лавинный.
Туннельный пробой – в основе лежит туннельный эффект, т.е. просачивание электронов сквозь потенциальный барьер, высота которого больше, чем энергия носителей заряда. Это становится возможным при значительном электрическом поле, т.е. при высоких уровнях легирования (ширина р-п перехода мала). Вероятность туннельного перехода зависит от ширины запрещенной зоны полупроводников. При увеличении температуры ширина запрещенной зоны уменьшается, ширина перехода уменьшается, напряжение пробоя снижается.
Лавинный пробой вызывается ударной ионизацией: неосновные носители, образующие I0, ускоряются приложенным напряжением настолько, что при их соударении с атомами кристаллической решетки происходит ионизация атомов.
В результате генерируется пара свободных носителей заряда: электрон и дырка. Вновь появившиеся носители заряда также ускоряются электрическим полем и в свою очередь могут вызвать ионизацию других атомов. Процесс приобретает лавинообразный характер. Это приводит к резкому увеличению обратного тока, который может быть ограничен только внешним сопротивлением. Лавинный пробой возникает в высокоомных р-п переходах, имеющих большую ширину р-п перехода. Uпроб. в данном случае растет с увеличением температуры полупроводника, т.к. при увеличении температуры происходит уменьшение длины свободного пробега носителей.
Тепловой пробой возникает в результате разогрева р-п перехода, когда количество теплоты, выделяемой при протекании тока, больше отводимой. При этом происходит интенсивная тепловая генерация свободных носителей заряда. Это приводит к увеличению тока, что в свою очередь приводит к дальнейшему повышению температуры, т.е. возникает обратная положительная связь. Происходит тепловой пробой и прибор выходит из строя.
Следует отметить, что при электрическом пробое практически в той или иной степени могут иметь место одновременно и туннельный и лавинный механизм пробоя.
Необходимо подчеркнуть различие явлений теплового и электрического пробоя. Если при электрическом пробое процессы развиваются в области объемного заряда, то тепловой пробой является следствием нарушения теплового баланса полупроводникового прибора из-за наличия положительной обратной связи между выделением тепла и током.
1.2. Стабилитроны
Действие полупроводниковых стабилитронов основано на электрическом (лавинном или туннельном) пробое р-п перехода, при котором происходит резкое увеличение обратного тока, а обратное напряжение изменяется очень мало. Это свойство использовано для стабилизации напряжения в электрических цепях. В связи с тем, что лавинный пробой характерен для диодов, изготовленных на основе полупроводника с большой шириной запрещенной зоны, исходным материалом для стабилитронов служит кремний.
Кроме этого, кремний обладает малым тепловым током Iо и устойчивыми характеристиками в широком диапазоне температур.
Для работы в стабилитронах используют пологий участок ВАХ обратного тока диода (см. рис.1.) в пределах которого резкие изменения обратного тока от Iст.мин. до Iст.макс сопровождаются весьма малыми изменениями обратного напряжения (см. рис.1). Т.е. для стабилитрона пробой является нормальным режимом работы. Другими словами стабилитрон – это диод работающий в режиме электрического пробоя.
Пробивное напряжение диода является напряжением стабилизации, которая зависит от толщины р-п перехода или от удельного сопротивления базы диода. Поэтому разные типы стабилитронов имеют различные напряжения стабилизации Uст (от 3 до 400 В).
Низковольтные стабилитроны (с напряжением Uст.<6 В) выполняют на основе сильнолегированного кремния с малым удельным сопротивлением. В них возникает узкий р-п переход с высокой напряженностью поля, при которой получается туннельный пробой.
Высоковольтные стабилитроны изготовляют на основе слаболегированного кремния с высоким удельным сопротивлением. В них ширина перехода больше, напряженность поля меньше, чем в низковольтных, а характер пробоя меняется на лавинный.
На рис. 1.а изображена вольтамперная характеристика диода, на рис.1.б вольтамперная характеристика стабилитрона, а на рис.2 – схема стабилизации постоянного напряжения на нагрузке с использованием стабилитрона. При увеличении, например, входного напряжения возрастут ток Iвх в общей цепи и ток через стабилитрон Iст.. Увеличится падение напряжения на балластном резисторе Rб а напряжения на стабилитроне Uст и нагрузке Rн останутся практически неизменными.
Для стабилизации напряжения разной полярности выпускаются симметричные стабилитроны, имеющие симметричную ВАХ. Для получения симметричной ВАХ с двух сторон пластинки кремния одновременно формируют два р-п перехода. При подаче напряжения на крайние области структуры эти переходы оказываются включенными встречно.
Помимо стабилизации напряжения источников, стабилитроны нашли применение в качестве ограничителей, фиксаторов уровня, развязывающих элементов переключающих устройств.
1.3. Стабисторы
Диоды, у которых для стабилизации напряжения используется прямая ветвь ВАХ, называются стабисторами. Для изготовления стабисторов используют кремний с относительно большой концентрацией примесей. Это необходимо для получения малого сопротивления базы диода, а следовательно, малого дифференциального сопротивления при прямом включении.
В отличие от стабилитронов стабисторы имеют малое напряжение стабилизации (у кремниевых – около 0.7 В, у германиевых – 0.4 В). Оно определяется прямым падением напряжения на диоде. Для расширения диапазона стабилизации напряжения используют последовательное соединение в одном корпусе нескольких стабисторов.
Параметры стабисторов аналогичны параметрам стабилитронов, а их максимальные ток, мощность и тепловые параметры те же, что у выпрямительных диодов.
Стабисторы имеют отрицательный ТКН стабилизации.
1.4. Параметры стабилитронов
Параметрами стабилитронов являются:
напряжение стабилизации Uст – напряжение на стабилитроне при заданном токе,
минимально допустимый ток стабилизации Iст.мин – ток, при котором пробой становится устойчивым и обеспечивается заданная надежность работы.
максимально допустимый ток стабилизации Iст.макс – ток, при котором достигается максимально допустимая рассеиваемая мощность Рмах,
Качество стабилитрона, т. е. его способность стабилизировать напряжение при изменении проходящего через него тока, характеризуется:
дифференциальным сопротивлением гст.диф. Оно определяется отношением приращения напряжения на стабилитроне к вызвавшему его малому приращению тока:
rст.диф .= ΔUст./ΔIст.
Так как для лучшей стабилизации максимальным изменениям тока должны соответствовать минимальные изменения напряжения, то качество стабилитрона тем выше, чем меньше его дифференциальное сопротивление.
Важным параметром стабилитрона является:
температурный коэффициент напряжения стабилизации (ТКН стабилизации), равный отношению относительного измерения напряжения стабилизации к абсолютному изменению температуры окружающей среды (%, 10С):
αТКН = ∆Uст./ (Uст ∆ Т)
Для низковольтных диодов с туннельным пробоем ТКН отрицателен, так как вероятность туннельного пробоя возрастает с повышением температуры. При Uст>6 В пробой принимает лавинный характер, а повышение температуры вызывает увеличение напряжения стабилизации, т.е. ТКН положителен. Это объясняется обратной зависимостью пробивного напряжения от подвижности носителей, поскольку ρ ~ 1/μ.
Для уменьшения ТКН стабилизации выпускаются термокомпенсированные стабилитроны, в которых соединены последовательно стабилитрон и р-n переход, включенный в прямом направлении. С повышением температуры падение напряжения на p-n-переходе (включенном в прямом направлении) уменьшается, а на обратносмещенном р-n-переходе (при лавинном пробое) растет.
Таким способом у термокомпенсированных стабилитронов, например КС211, удается получить малый ТКН.
Так как ширина запрещенной зоны Eq в Si, Ge и AsGa уменьшается с ростом температуры, то напряжение туннельного пробоя в этих полупроводниках имеет отрицательный температурный коэффициент, т.е. напряжение уменьшается с ростом температуры. Это происходит потому, что при более высоких температурах для достижения данной величины тока пробоя I требуются меньшие обратные напряжения. Температурная зависимость напряжения пробоя часто используется для того, чтобы отличить туннельный механизм от лавинного, т.к. последний имеет положительный температурный коэффициент, т.е. напряжение пробоя растет с ростом температуры.
2. ОПИСАНИЕ ЛАБОРАТОРНОГО МАКЕТА
Лабораторный макет состоит из унифицированного корпуса и ячейки стабилитронов. На передней панели корпуса расположены кнопки переключателей S1-S3. На панели сменного блока приведена блок-схема лабораторной работы (рис.3) и вмонтированы гнезда для подключения источника напряжения и измерительных приборов.
Переключение кнопки S1 приводит к изменению полярности напряжения, что позволяет исследовать прямую и обратную ветви ВАХ стабилитрона. При нажатой кнопке S2 производится измерение тока, протекающего через стабилитрон. Переключение кнопки S3 подключает вольтметр к одному из двух стабилитронов. Установка тока стабилитронов производится регулировкой напряжения источника питания ТЕС-88.
Ячейка стабилитронов представляет собой пластиковый корпус, в котором собраны нагреватель и два стабилитрона КС133, Д814. Нагреватель включается в сеть 220 В. После 15-20 мин. прогрева температура на радиаторе стабилитронов составляет 90 °C. Гнездо Т, °С предназначено для присоединения зонда, измеряющего температуру.
Внимание: нагрев осуществлять при выключенном источнике питания.
Рис. 3. Схема для измерения ВАХ стабилитронов.
Стабилитроны от ON Semiconductor: простое решение сложных проблем
Компания ON Semiconductor, основанная в 1999 году (Феникс, Аризона, США), является мировым лидером в поставках высококачественных дискретных компонентов, и далеко не последнее место здесь занимают стабилитроны.
И хотя сегодня наблюдается все больший акцент на микросхемных решениях, эти элементы обеспечивают максимальную экономию энергии в приложениях, чувствительных к энергопотреблению, таких как сетевые зарядные устройства (адаптеры), источники питания, осветительные приборы, компьютеры, промышленные устройства управления и автоматики, бытовая техника.
Введение
Стабилитроны являются уникальными устройствами среди полупроводниковых приборов, в широкую практику они вошли в 50-х годах прошлого века. В англоязычной технической литературе его называют «Диод Зенера» по имени Кларенса Мэлвина Зенера (Clarence Melvin Zener), открывшего эффект туннельного пробоя. Из-за своих необычных свойств, помимо других полезных функций, основное применение стабилитронов — это стабилизаторы напряжения и источники опорного напряжения. Современные стабилитроны доступны в широком диапазоне уровней напряжения и мощности.
Что такое стабилитрон
Стабилитрон хоть и привычен, но не так прост, как кажется.
Активная часть стабилитрона представляет собой полупроводниковый p-n-переход. У смещенного в прямом направлении p-n-перехода сопротивление весьма низкое. Это связано с тем, что дырки с положительным зарядом очень легко движутся через переход к отрицательной стороне. И наоборот, электроны легко движутся в другом направлении. Когда же p-n-переход смещен в обратном направлении, то область p-типа становится более отрицательной, чем область n—типа. При напряжениях ниже напряжения пробоя перехода через границы перехода протекает очень слабый ток. По мере того как обратное напряжение увеличивается до точки, называемой точкой напряжения пробоя, и выше, проводимость тока через переход быстро увеличивается. Переход от низкого значения обратного тока к области нарастания тока очень резкий и хорошо проявляется в большинстве
Рис. 1. Вольтамперная характеристика типичного 30-В стабилитрона
Как можно видеть на рис. 1, прямой ток IF является функцией прямого напряжения VF. Обратите внимание, что IF мало до тех пор, пока VF лежит ниже 0,65 В, после чего ток увеличивается очень быстро. Для VF> 0,65 В ток I
Поскольку обратный ток для уровней напряжения VR <V Z мал, а для VR> VZ велик, каждая из областей тока определяется своим символом. Для области тока утечки, то есть непроводящей области, между 0 В и V
Для большинства применений стабилитроны хорошо работают в области пробоя на токах IZT–IZM. Большинство производителей, для того чтобы указать минимальный рабочий ток для обеспечения разумного подхода к стабилизации напряжения, дают дополнительный параметр в виде тока IZK (на рис. 4 IZK = 5 мА). Этот минимальный ток IZK варьируется в зависимости от конкретного типа стабилитронов. Максимальный ток стабилитрона I
Значения IZM также указываются в спецификации.
Между границами токов IZK и IZM, которые в примере, приведенном на рис. 1, составляют 5 и 1400 мА (1,4 А) соответственно, напряжение на диоде по существу постоянно и примерно равно VZ. Эта область плоская, однако имеет большой положительный наклон, так что точное значение обратного напряжения в зависимости от установленного тока IZ будет слегка меняться.
Изготовление стабилитронов схоже с изготовлением полупроводниковых диодов, но имеет ряд отличий. Основные этапы изготовления стабилитронов представлены в [2]. Процесс начинается с выращивания ультрачистого защитного пассивирующего слоя диоксида кремния. Оксид обычно выращивают в интервале температур +900…+1200 °C. Как только защитный слой из диоксида кремния будет сформирован, его необходимо выборочно удалить из тех областей, куда будут вводиться атомы легирующей примеси. Это делается с помощью фотолитографических методов.
Затем оксид травится, образуя открытые участки, в которые будет вводиться легирующая добавка.
Внедрение легирующих примесей нередко проводят в двухстадийном процессе, разделяя фазы загонки примеси в приповерхностную область и разгонки загнанной примеси по требуемому объему (отжига). После того как легирующая добавка осаждена, p-n переходы образуются при последующей высокотемпературной обработке, типичный диапазон +1100…+1250 °С. Результирующий профиль перехода определяется фоновой концентрацией исходного субстрата, количеством легирующей примеси, нанесенной на поверхность, а также временем и температурой, использованными во время ввода легирующей примеси. Этот профиль соединения определяет электрические характеристики устройства. После еще ряда технологических операций, включая шлифовку пластин до нужной толщины, на завершающей стадии открывается область контакта, в которой осаждается металлизация анода.
Система соединительной металлизации для стабилитронов ON Semiconductor используется исходя из требований по корпусированию. Металл осаждают в ультрачистых вакуумных камерах с использованием методов электронно-лучевого испарения.
Качество пластин тщательно контролируется на протяжении всего процесса изготовления, а в самом процессе, для того чтобы минимизировать загрязнение и избежать повреждения заготовок, компанией ON Semiconductor используется специальное оборудование. Это дополнительно повышает качество и стабильность параметров стабилитронов.
Корпусирование
Корпусирование является важным этапом, определяющим качественные характеристики и надежность любого компонента РЭА. Стабилитроны компании ON Semiconductor выпускаются в пластмассовых и стеклянных корпусах, в выводном и SMD-исполнении, в том числе и в корпусах POWERMITE. Чертежи корпусов стабилитронов компании ON Semiconductor доступны по ссылке [4], а их внешний вид представлен на рис. 2.
Рис. 2. Типы корпусов стабилитронов, выпускаемых компанией ON Semiconductor
Кроме стабилитронов в стандартных выводных корпусах компанией ON Semiconductor предлагаются устройства в пластиковых корпусах Surmetic, которые, в отличие от DO-35 и DO-41 (рис.
3а), собирают в два этапа. Вначале сборочный автомат припаивает кремниевый кристалл диода встык к уширенным торцам выводов. Выводы изготавливаются из бескислородной меди, а их сечение сопоставимо с площадью кремниевого кристалла или превышают его, в результате улучшается отвод тепла. Потом торцы выводов формуются в форме шляпки гвоздя и обычно предварительно облуживаются. После пайки в сборочном автомате полуфабрикаты упаковываются в герметичные пластиковые цилиндры из термореактивной пластмассы (рис. 3б). На сайтах некоторые поставщики идентифицируют корпуса Surmetic 30 и 40, как DO-35 и DO-41, хотя это в корне не верно.
Рис. 3. Варианты корпусирования стабилитронов, используемые компанией ON Semiconductor: а) в корпусе типа DO-35; б) в пластиковом корпусе Surmetic 30
После сборки стабилитроны компании ON Semiconductor подвергаются проверке в ходе приемо-сдаточных и периодических испытаний. Подробно эти процессы и методы контроля изложены в [2].
Перечень коммерчески доступных на текущий момент стабилитронов компании ON Semiconductor одиночного исполнения общего применения приведен в таблице.
Таблица. Стабилитроны компании ON Semiconductor
Основной тип/серия | Описание | Мощность, Вт | Диапазон напряжений, В | Тип корпуса | |
|---|---|---|---|---|---|
ном. | макс. | ||||
1SMA59xxBT3G SZ1SMA59xxBT3G* | 1,5-Вт стабилитроны для поверхностного монтажа | 0,5 | 1,5 | 3,3–68 | DO-214AC, SMA-2 |
1SMF5920B | Стабилитрон 2,5 Вт в корпусе с плоскими выводами (Flat Lead) | 0,35 | 2,5 | 6,2 | SOD-123FL-2 |
1N59xxB | 3-Вт стабилитрон в корпусе DO-41, Surmetic 30 | 1 | 3 | 3,3–200 | DO-204AL, DO-41 |
MZP4729A | 3-Вт стабилитрон в корпусе DO-41, Surmetic 30 | 1 | 3 | 3,6–30 | DO-204AL, DO-41 |
3EZ6. | 3-Вт стабилитрон в корпусе DO-41, Surmetic 30 | 1 | 3 | 6,2–18 | DO-204AL, DO-41 |
1SMB59xxBT3G SZ1SMB59xxT3G* | 3-Вт стабилитроны поверхностного монтажа | 0,55 | 3 | 3,3–200 | DO-214AA, SMB-2 |
1PMT5920B | 3,2-Вт пластиковый корпус для поверхностного монтажа POWERMITE | 0,5 | 3,2 | 6,2–47 | DO-216AA |
1N59xxBRNG | 3-Вт стабилитрон в корпусе DO-41, Surmetic 30 | 1 | 3 | 3,3–200 | DO-204AL, DO-41, выводной |
1N53 | 5-Вт стабилитрон в корпусе Surmetic 40 |
| 5 | 3,3–200 | 017AA-2, выводной |
1N5221B | 500-мВт стабилитрон общего назначения | 0,5 |
| 2,4–56 | DO-35-2, выводной |
BZX79C | 500-мВт стабилитрон общего назначения в корпусе DO-35 | 0,5 |
| 2,6–60 | DO-35, выводной |
BZX84CxxxET1G SZBZX84CxxxET1G* | SOT-23 для поверхностного монтажа, подавляющий выбросы напряжения, пиковая мощность 225 Вт (8×20 мкс) | 0,225 | 0,25, 0,30 | 2,4–75 | SOT-23 |
MMBZ52xxELT1G SZMMBZ52xxELT1G* | SOT-23 для поверхностного монтажа, подавляющий выбросы напряжения, пиковая мощность 225 Вт (8×20 мкс) | 0,225 | 0,3 | 2,4–91 | SOT-23 |
MMSZ52xxET1G SZMMSZ52xxET1G* | Подавляющий выбросы напряжения, пиковая мощность 225 Вт (8×20 мкс) | 0,225 | 0,5, 0,34 | 2,4–110 | SOD-123 |
MMSZxxxET1G SZMMSZxxxET1G* | SOD-123 для поверхностного монтажа, подавляющий выбросы напряжения, пиковая мощность 225 Вт (8×20 мкс) | 0,225 | 0,5, 0,34 | 2,4–56 | SOD-123 |
MMSZ4xxxET1G SZMMSZ4xxxET1G* | SOD-123 для поверхностного монтажа, подавляющий выбросы напряжения, пиковая мощность 225 Вт (8×20 мкс) | 0,225 | 0,5, 0,34 | 1,8–43 | SOD-123 |
MM3Z2V4B-MM3Z75VB | Стабилитроны общего назначения в небольшом тонком корпусе | 0,2 |
| 2,4–75 | SOD-323F |
MMSZ | Стабилитроны общего назначения | 1 | 2,3 | 5,6–36 | SOD-123 F |
NZ9F2V4ST5G, SZNZ9F2V4ST5G* | Стабилитроны общего и специального назначения | 0,25 |
| 2,4–18 | SOD-923 |
NZ9F2V4T5G, SZNZ9F2V4T5G* | Стабилитроны общего и автомобильного назначения | 0,25 |
| 2,4–24 | SOD-923 |
MMSZ4xxxT1G SZMMSZ4xxxT1G* | 500 мВт, с низким IZT, SOD-123 для поверхностного монтажа | 0,5 |
| 1,8–43 | SOD-123 |
MMSZ52xxxT1G SZMMSZ52xxxT1G | 500 мВт, SOD-123 для поверхностного монтажа | 0,5 |
| 2,4–110 | SOD-123 |
MM3ZxxxST1G SZMM3ZxxxST1G* | 300 мВт SOD−323 серия стабилитронов с жесткими допусками по размерам | 0,3 |
| 3,3–36 | SOD-323 |
BZG03C15 | Стабилитроны с пиковой мощностью 600 Вт (100 мкс) | 1,5 |
| 15–150 | SMA |
MM3ZxxxT1G SZMM3ZxxxT1G* | 300 мВт, SOD-123 для поверхностного монтажа | 0,3 |
| 2,4–75 | SOD-323 |
BZX84BxxxLT1G BZX84CxxxLT1G SZBZX84BxxxLT1G* SZBZX84CxxxLT1G* | 250 мВ SOT-23 для поверхностного монтажа | 0,25 | 0,3 | 2,4–75 | SOT-23 |
NZ8F** | 225 мВ, со смачиваемыми фланцами (Wettable Flank) для лучшего оптического контроля | 0,25 | 0,5 | 2,4–47 | X2DFNW2 |
1N4728A–1N4758A | Стабилитроны общего назначения |
| 1 | 3,3–56 | DO-41 |
BZX85C | Стабилитроны общего назначения | 1 | 1. | 3,3–56 | DO-41 |
BZX79C | Стабилитроны общего назначения | 0.5 |
| 2,4–56 | DO-35 |
NZD5V1MU/D | 200 мВт, в микрокорпусе | 0,2 |
| 2,2–9,1 | X3DFN2 |
MM5ZxxxT1G SZMM5ZxxxT1G* | 500 мВт SOD-523 для поверхностного монтажа | 0,5 |
| 2,4–75 | SOD-523 |
MM5Z4xxxT1G SZMM5Z4xxxT1G | 500 мВт, с низким IZT, SOD-523 для поверхностного монтажа | 0,5 |
| 1,8–43 | SOD-523 |
MMBZ52xxBLT1G** SZMMBZ52xxBLT1G* | 225 мВт, общего назначения, SOT-23 для поверхностного монтажа | 0,25 | 0,3 | 2,4–91 | SOT-23 |
MMSZxxxT1G SZMMSZxxxT1G* | 500 мВт, SOD-123 для поверхностного монтажа | 0,5 |
| 2,4–56 | SOD-123 |
NSZ5V6V2 | 200 мВт, общего назначения SOD-523 для поверхностного монтажа | 0,2 |
| 5,6 | SOD-523 |
MM5ZxxxST1G SZMM5ZxxxST1G* | 500 мВт, SOD-523 для поверхностного монтажа | 0,5 |
| 2,4–18 | SOD-523 |
2D5
3Примечание.
*Префикс SZ исполнение для автомобильной промышленности. **Новинка.
Применение
Рекомендации по применению стабилитронов компании ON Semiconductor доступны в [1] и в документации, приведенной на сайте компании [3]. Информация по корпусированию доступна по ссылке [4].
Стабилитроны используются не только по своему прямому назначению в качестве источников опорного напряжения и параметрических стабилизаторов, но еще как нелинейные сопротивления, генераторы шума (наибольший уровень шумов наблюдается в области перелома ВАХ, в полосе частот 0–200 кГц имеет характер белого шума), перестраиваемые конденсаторы (стабили трон может использоваться в качестве своеобразного варикапа большой емкости), ограничители, формирователи прямоугольных сигналов и еще в ряде приложений.
Заключение
Компания ON Semiconductor ведет агрессивную рыночную политику: так, ее позиции в области дискретных компонентов, в том числе и стабилитронов, значительно усилились после поглощения в 2016 году одной из старейших полупроводниковых компаний — Fairchild Semiconductor, которая была основана в далеком 1957 году и сделала ставку именно на кремний.
Как можно видеть из перечисленных в таблице предлагаемых компанией ON Semiconductor стабилитронов одиночного исполнения, их номенклатура достаточно широка, чтобы удовлетворить потребности самых разнообразных приложений.
Zeners
Любая модель SPICE Zener, установленная в библиотеке SIMetrix, может быть преобразована для использования в ПРОСТО. Когда стабилитрон помещается на схему SIMPLIS, извлечение параметров модели подпрограмма вызывается для преобразования моделей SPICE для использования в SIMPLIS — Обзор. Во время модели процесс извлечения параметров, SIMetrix/SIMPLIS автоматически запускает несколько симуляций SPICE на модели SPICE и извлекает параметры модели SIMPLIS. После кусочно-линейного (PWL) были извлечены параметры модели, результирующая модель Zener будет работать в ПРОСТО.
Полученную модель Зенера затем можно использовать для создания модели для одного из двух конфигурации:
| Конфигурация | Описание |
| Одноместный | Одиночный стабилитрон |
| Двусторонние стабилитроны | Два стабилитрона последовательно, но с
противоположных полярностей, создавая двунаправленный зажим. |
Эти конфигурации Zener больше, чем просто удобство; С ними SIMPLIS будет работать быстрее. моделей и сталкиваться с меньшим количеством проблем с ошибками.
В этом разделе:
Извлечение параметров стабилитрона
При размещении символа стабилитрона на схеме открывается диалоговое окно «Извлечение параметров стабилитрона». для вас, чтобы изменить условия тестирования по умолчанию. Условия тестирования по умолчанию определены с помощью меню командной оболочки Файл > Опции > Параметры SIMPLIS… . Для получения дополнительной информации см. SIMPLIS Варианты Зенера.
В следующей таблице описывается тест диалогового окна «Извлечение параметров стабилитрона». условия.
| Условия испытаний | Значение по умолчанию | шт. | Описание |
| Модель SPICE | БЗС79-4В7 | Модель SPICE, используемая для извлечения Параметры СИМПЛИС. | |
| Тип модели | Извлечено | Вызывает извлечение параметров модели алгоритмы. |
| Тест текущий | 5м | А | Пика вперед и назад
ток, используемый для подгонки кривой. Алгоритм соответствует прямой линии между 50%
и 100% от этого значения. |
| Модель температура | 50 | °С | Температура, используемая для всех симуляции извлечения. |
| Количество Сегменты | 3 | Стабилитронов может быть два
сегменты, представляющие Zener Resistance и Off Resistance или
три сегмента, третий сегмент представляет собой переход между
Зинера и выключенных состояниях. | |
| Начальный Состояние | 2 Выкл. | Комплекты начальной проводки сегмент. | |
| Максимальный предел от сопротивления | Проверено | нет | Ограничивает сопротивление отключения для диод. Для некоторых моделей SPICE это создаст модель SIMPLIS, которая работает Быстрее. |
Максимум выкл. сопротивление | 100Мб | Вт | Максимальное сопротивление отключения диод. Это значение используется, только если установлен флажок «Ограничить максимальное сопротивление в выключенном состоянии». проверено. |
Параметр «Показать извлеченные осциллограммы PWL»
Начиная с версии 8.2, появилась возможность отображать извлеченные параметры на графике.
как набор кривых PWL. Чтобы включить эту опцию, выберите Показать извлеченный PWL
waveforms и извлеките модель. После извлечения модели
будет создан набор кривых, сравнивающих извлеченные кривые PWL с
смоделированные кривые SPICE.
Отображаемые кривые будут зависеть от уровня модели
извлекается.
Ниже приведена типичная аппроксимация PWL Характеристика тока обратного смещения стабилитрона с кривой SPICE в красный, а кривая PWL — синий.
Модель SIMPLIS Zener
SIMPLIS извлекает модель на основе параметров в диалоговом окне Extract Zener Parameters. Хотя модель Зенера внутренне сохранена как текст ASCII, следующая иллюстрация показывает модель в схематическом виде.
Ниже представлена схема модели Zener:
| Зенер моделирует этот элемент схемы | Схема | ||
|
Пользовательские модели
Пользовательская модель использует параметры, введенные непосредственно в окне редактирования параметров Зенера
без вызова алгоритмов извлечения модели.
Зенер может быть переключен с
извлеченная модель в пользовательскую модель в любой момент; однако извлеченные параметры
по умолчанию копируются в пользовательские параметры, заменяя любые введенные пользователем
ценности. Вы можете отключить это поведение в параметрах SIMPLIS, сняв флажок
помечено Автоматически копировать извлеченные параметры в Пользовательский параметр. Вы можете
получить доступ к этим параметрам из меню командной оболочки
Файл
>
Опции
>
Параметры SIMPLIS…
. Для получения дополнительной информации см. Параметры SIMPLIS Zener.
| Параметры | По умолчанию Значение | шт. | Описание |
| Этикетка: | ПОЛЬЗОВАТЕЛЬСКАЯ_МЕТКА | Любой описательный текст. Не может содержать пробельные символы. | |
| Тип модели: | Определяется пользователем | Используются значения в этом диалоговом окне буквально. | |
| Напряжение Зенера: | 4,7 | В | Напряжение Зенера. Зенер
диод эффективно включается в обратном направлении при этом напряжении. |
| Зенеровское сопротивление: | 3 | Ом | Сопротивление Зенера при напряжения выше, чем напряжение Зенера . |
| Прямое напряжение: | 750м | В | Стабилитрон прямое падение напряжения.
Зенеровский диод эффективно включается в прямом направлении при этом
Напряжение. |
| Прямое сопротивление: | 10м | Ом | Сопротивление Зенера при напряжения выше, чем прямое напряжение . |
| Сопротивление отключения: | 1G | Ом | Сопротивление стабилитрона на напряжения меньше, чем Прямое напряжение . |
Модель, определяемая пользователем
| Модели этих элементов схемы | Пользовательская схема | ||
|
Ручное создание и настройка моделей Зенера
Вы можете настроить или вручную создать свои собственные модели Зенера, используя строку параметров
с несколькими парами ключ-значение PARAM_NAME=PARAM_VALUE.
Имена параметров и их
функции описаны в модели Зенера
Раздел параметров ниже. Вы можете интерпретировать значения параметров SIMPLIS
из технических характеристик устройства и кривых.
Строку параметра можно составить в текстовом редакторе, электронной таблице или скрипте. порядок имен параметров в строке параметров и использование заглавных букв имена параметров не имеют значения.
Вы можете включить пару ключ-значение PROTECTED=1, чтобы предотвратить извлечение модели и перезапись сгенерированных вручную параметров. Пара ключ-значение PROTECTED=1 не используется в симуляции.
Примечание. Если щелкнуть устройство после добавления пары ключ-значение PROTECTED=1, Появится следующее окно сообщения, предупреждающее вас о том, что это модель, отредактированная вручную.
Чтобы настроить или сгенерировать собственную модель Зенера, выполните следующие действия:
- Создайте строку параметров из нескольких пар ключ-значение PARAM_NAME=PARAM_VALUE
с помощью предпочитаемого вами текстового редактора, электронной таблицы или скрипта.
- Добавьте пару ключ-значение PROTECTED=1 в строку параметра.
- Извлеките модель Зенера и поместите ее на схему.
- Щелкните правой кнопкой мыши символ и выберите Изменить/Добавить свойства… .
- Дважды щелкните свойство PARAM_VALUES .
Результат: Откроется диалоговое окно «Редактировать свойство». В этот момент вы можете изменить отдельные параметры в поле «Значение» или заменить все значения по умолчанию свойства со строкой параметра, созданной на шаге 2.
- Чтобы заменить всю строку, выполните следующие действия:
- Щелкните в поле Значение и введите Ctrl A , чтобы выбрать все существующую строку параметров и нажмите Удалить .
- Скопируйте строку параметра, введенную на шаге 2, и вставьте в поле Значение. коробка.
- Нажмите Хорошо .
- Чтобы изменить имя пользовательской модели, дважды щелкните значок ЗНАЧЕНИЕ . свойство в диалоговом окне «Редактировать свойства» и измените имя в поле Value коробка.
- Чтобы вернуться к схеме, нажмите Ok .
коробка.В качестве альтернативы вы можете записать свойство PARAM_VALUES в символ с помощью команды Prop в командной строке со следующим синтаксисом:
реквизит PARAM_VALUES параметр_string
куда параметр_строка — это созданный вами набор пар ключ-значение. в шагах 1 и 2 выше.
Важно: Поскольку параметр_строка содержит пробелы,
вся строка должна быть заключена в двойные кавычки.
Параметры модели Зенера
В следующих таблицах подробно описаны параметры, определяющие электрические характеристики модель Зинера. Некоторые другие параметры в свойстве PARAM_VALUES не действуют. на электрическое поведение модели. Эти параметры используются для заполнения Диалоговое окно «Извлечь параметры стабилитрона».
Примечание. Значения по умолчанию вряд ли появятся в извлеченной модели. Если эти значения параметров появляются в вашем проекте, произошла ошибка при составлении строка параметров.
Модель проводимости
Стабилитроны моделируются в SIMPLIS с помощью кусочно-линейных (PWL) резисторов. PWL сегменты представлены точками X,Y
- Точки определяются напряжением по оси X и током на ось Y.
- Сопротивление обратно пропорционально наклону любого сегмента.
- Нижние индексы на IDx и VDx указывают расположение пары точек от самого нижнего
напряжение, т. е. с обратным смещением, к максимальному напряжению, т. е. прямому
проводимость.
е. с обратным смещением, к максимальному напряжению, т. е. прямому
проводимость.| Имена параметров | Значение по умолчанию | Описание | |
| НУМСЭГ | 3 | Количество сегментов в
модель Зинера.
| |
| В0 | ID0 | 1.123456789 | Определения точек X-Y
для стабилитрона:
|
| В1 | ID1 | 1. 123456789 | |
| В2 | ID2 | 1.123456789 | |
| В3 | ID3 | 1.123456789 | |
| В4 | ID4 | 1.123456789 | |
| В5 | ID5 | 1. 123456789 | |
| V6 | ID6 | 1.123456789 | |
▲ вернуться к началу
Понимание технического описания стабилитрона0001
Я буду краток. (Я предполагаю, что вы просто спрашиваете в целом, а не о конкретном приложении. Написание книги обо всех применениях стабилитрона выходит за рамки этой статьи.)
Напряжение стабилитрона стабилитрон с обратным смещением. Если вы подадите на него более высокое напряжение, он рухнет от приложенного напряжения и позволит протекать огромным токам, если нет чего-то еще, чтобы ограничить эти токи.
Итак, если вы возьмете 6V2 и подключите к нему источник питания \$10\:\text{V}\$, вы практически уничтожите стабилитрон.
Однако, если поставить резистор \$680\:\Omega\$ последовательно со стабилитроном и тем же блоком питания \$10\:\text{V}\$, то сначала тока не будет (для всех намерения), и падение напряжения на резисторе начинается с \$0\:\text{V}\$ (на самый короткий момент). Это впечатляет все \$10\:\text{V}\$ на стабилитроне, что тут же начинает разрушаться и начинает течь ток. Ток быстро растет, и вместе с ним увеличивается падение напряжения на резисторе \$680\:\Omega\$, тем самым уменьшая разность напряжений на стабилитроне (хорошо). В конце концов, весь процесс стабилизируется, когда падение напряжения на этом резисторе составляет около \$3.8\:\text{V}\$, оставляя желаемое \$6.2\:\text{V}\$ через сам стабилитрон. В этот момент стабилитрон прекращает увеличивать ток и просто позволяет приложенному к нему напряжению оставаться стабильным на этом значении.
Различные стабилитроны будут разработаны для достижения этой стабильной точки при различных напряжениях. Ваша работа как проектировщика заключается в том, чтобы убедиться, что ток, вырабатываемый стабилитроном, соответствует номинальному значению (приблизительно).
В вашем примере таблицы данных этот ток равен \$5\:\text{мА}\$. Итак, с резистором \$680\:\Omega\$, о котором я упоминал, мы можем ожидать около \$\frac{3,8\:\text{V}}{680\:\Omega}\примерно 5,6\:\text{мА }\$. И это достаточно близко к спецификации, которую вы можете ожидать от правильного напряжения на стабилитроне 6V2.
Из этого обсуждения вы получили ответ о \$I_Z\$.
Также обратите внимание, что в этой таблице данных указаны максимальные и минимальные значения напряжения стабилитрона. Это означает, что на самом деле вы не можете ожидать точного \$6.2\:\text{V}\$ от 6V2, а вместо этого \$6.2\pm 0.4\:\text{V}\$. Это больше, чем количество деталей, которые вы можете найти в коробке или в куче разных коробок, купленных в разное время. Они говорят вам, что вы не можете ожидать слишком большой точности от этих устройств.
Значение \$Z_Z\$ можно использовать для оценки изменения напряжения на стабилитроне в наихудшем случае, если известны изменения тока. Итак, давайте продолжим с 6V2 с \$Z_Z=10\:\Omega\$.
Мы только что вычислили оценку \$5,6\:\text{мА}\$, используя резистор \$680\:\Omega\$ и предполагая точное напряжение стабилитрона (в котором мы теперь знаем, что не можем быть полностью уверены).
Посмотрим, к чему это нас приведет. Напряжение стабилитрона для 6V2 должно быть \$6.2\pm 0.4\:\text{V}\$. Предполагая, что резистор 1% равен \$680\:\Omega\$, мы можем получить ток в диапазоне от \$\frac{10\:\text{V}-6,6\:\text{V}}{680\:\ Омега+1\%}\примерно 4,95\:\text{мА}\$ до \$\frac{10\:\text{V}-5.8\:\text{V}}{680\:\Omega-1\%}\ок. 6,24\: \текст{мА}\$. Разница примерно в $1,25\:\text{мА}\$. Хотя мы не знаем точного напряжения для какого-то конкретного стабилитрона, мы все же можем оценить, что будет дополнительная вариация около \$1,25\:\text{мА}\cdot 10\:\Omega\примерно 12,5\:\ text{mV}\$ из-за \$Z_Z\$.
Впрочем, здесь это не так важно. На самом деле это просто математическое искажение чисел. Вместо этого это становится важным, когда вы добавляете схему, использующую напряжение стабилитрона.
Часто это эмиттерный повторитель BJT. (См. этот вопрос: Объясните логику 12 В на 9Преобразование V.) Для базы BJT потребуется некоторый базовый ток, и этот базовый ток будет варьироваться в зависимости от требований нагрузки.
Суть здесь в том, что разработчик может оценить изменение тока нагрузки для некоторой более крупной схемы, использующей стабилитрон. И по этому изменению тока нагрузки оценивают изменение базового тока. И по этому изменению базового тока и \$Z_Z\$ оценить, насколько изменится напряжение стабилитрона из-за изменения тока нагрузки.
Это может быть важно (или нет). Но это дает вам отправную точку для оценки того, насколько плохо это может быть, как только вы откалибруете свою схему и начнете применять реалистичную нагрузку, прямо сейчас.
Значение \$I_R\$ включает указанное в таблице напряжение. Это в основном помогает вам понять, какую утечку до вы можете ожидать от стабилитрона, если приложенное обратное напряжение МЕНЬШЕ, чем номинальное значение.
Итак, если у вас есть 6V2, вы можете видеть, что они указывают его для \$4\:\text{V}\$, что значительно ниже минимального значения \$5,8\:\text{V}\$. (Но он также настолько велик, насколько это возможно, если не считать этого, так что ток утечки будет сценарием «наихудшего случая».) Так что, если вы не использовали блок питания \$10\:\text{V}\$ но вместо этого применяется \$4\:\text{V}\$, то это значение \$I_R\$ является худшим, что вы ожидаете увидеть (около \$3\:\mu\text{A}\$.) Это будет производить только около \ $ 2 \: \ text {мВ} \ $ через резистор \ $ 680 \: \ Omega \ $, в примере, который я обсуждал здесь. Но есть и другие обстоятельства, при которых об этой утечке может быть важнее знать.
D. Диод
D. Диод
Названия символов: ДИОД, ЗЕНЕР, ШОТТКИ, ВАРАКТОР.
Синтаксис: Dnnn анод катод <модель> [площадь]
+ [выкл] [m=<значение>] [n=<значение>] [temp=<значение>]
Примеры:
D1 SW OUT MyIdealDiode
.
model MyIdealDiode D(Ron=.1 Roff=1Meg Vfwd=.4)
D2 SW OUT dio2
.модель dio2 D(Is=1e-10)
Параметр экземпляра M задает количество параллельных устройств, а параметр экземпляра N задает количество последовательных устройств.
Для диода требуется карта .model, чтобы указать его характеристики. Доступны два типа диодов. Одна из них представляет собой линейную модель области проводимости, которая дает упрощенное в вычислительном отношении представление идеализированного диода. Он имеет три линейных участка проводимости: включенный, выключенный и обратный пробой. Прямая проводимость и обратный пробой могут быть нелинейными, если указать ограничение тока с помощью Ilimit(revIlimit). tanh() используется для согласования наклона прямой проводимости с предельным током. Параметры epsilon и revepsilon можно указать для плавного переключения между выключенным и проводящим состояниями. Между выключенным и включенным состояниями подгоняется квадратичная функция, так что кривая ВАХ диода непрерывна по значению и наклону, а переход происходит при напряжении, определяемом значением эпсилон для перехода из выключенного состояния в прямое и обратного для перехода между выключенным и обратная поломка.
Ниже приведены параметры модели для этого типа диода:
Имя | Описание | Единицы | По умолчанию |
Рон | Сопротивление в прямом направлении | Вт | 1. |
Рофф | Сопротивление в выключенном состоянии | Вт | 1./Гмин |
Вперед | Прямое пороговое напряжение для входа в проводимость | В | 0. |
Врев | Обратное напряжение пробоя | В | Инф. |
Реверс | Полное сопротивление пробоя | Вт | Рон |
Лимит | Ограничение прямого тока | А | Инф. |
Ревилимит | Ограничение обратного тока | А | Инф. |
Эпсилон | Ширина квадратичной области | В | 0. |
Ревепсилон | Ширина реверсивной четверки. регион | В | 0. |
Эта идеализированная модель используется, если в модели указан любой из параметров Ron, Roff, Vfwd, Vrev или Rrev.
Другая доступная модель представляет собой стандартный полупроводниковый диод Berkeley SPICE, но расширенный для обработки более детальных характеристик пробоя и рекомбинационного тока. Коэффициент площади определяет количество эквивалентных параллельных устройств указанной модели. Ниже приведены параметры модели диода для этого диода.
Имя | Описание | Единицы | По умолчанию | Пример |
Есть | ток насыщения | А | 1е-14 | 1e-7 |
рупий | Омическое сопротивление | Вт | 0. | 10. |
Н | Коэффициент выбросов | — | 1 | 1. |
Тт | Транзитное время | сек | 0. | 2н |
Чжо | Колпачок с нулевым смещением. | Ф | 0 | 2 шт. |
Видж | Потенциал соединения | В | 1. | .6 |
М | Коэффициент оценки | — | 0,5 | 0,5 |
Например, | Энергия активации | эВ | 1.11 | 1,11 Си 0,69 сбд 0,67 Ge |
Хти | Сб.-текущая темп. опыт | — | 3,0 | 3,0 дн 2,0 сбд |
Кф | Коэффициент мерцания шума. | — | 0 |
|
Аф | Показатель мерцания шума | 1 | 1 |
|
Фк | Коэфф. для формулы емкости истощения при прямом смещении | — | 0,5 |
|
БВ | Обратное напряжение пробоя | В | Инф. | 40. |
Ибв | Ток при напряжении пробоя | А | 1e-10 |
|
Тном | Параметр измерения темп. | °С | 27 | 50 |
Иср | Параметр тока рекомбинации | А | 0 |
|
№ | Коэффициент выбросов Isr. | — | 2 |
|
ИКФ | Коленный ток с высокой инжекцией | А | Инф. |
|
Тикф | Линейный температурный коэффициент Ikf. | /ºC | 0 |
|
Трс1 | линейный Rs темп коэфф. | /ºC | 0 |
|
Трс2 | Квадратичный Rs темп коэфф. | /ºC/ºC | 0 |
|
Для модели можно указать значения напряжения, тока и рассеиваемой мощности. Эти параметры модели не влияют на электрические характеристики.
