Где купить

Рассеиваемая мощность D выше C Диапазон температур хранения Рабочая температура перехода Термическое сопротивление переход-вывод Термическое сопротивление перехода Температура вывода окружающей среды (1/16 дюйма от корпуса в течение 10 секунд) Перенапряжение Мощность**

** Однократный прямоугольный сигнал = 8,3 мс, = 55 градусов C. ПРИМЕЧАНИЯ: 1) Эти номинальные значения основаны на максимальной температуре перехода 200 градусов C. 2) Это предельные значения для устойчивого состояния. Следует проконсультироваться с заводом по применению, включающему работу в импульсном режиме или с малым рабочим циклом.

Ниже перечислены зарегистрированные и незарегистрированные товарные знаки, которыми Fairchild Semiconductor владеет или имеет право на использование, и не является исчерпывающим списком всех таких товарных знаков.

MICROWIRE OPTOLOGIC OPTOPLANAR PACMAN POP Power247 PowerTrench QFET QS QT Quiet Series Opto90s

SILENT SWITCHER UHC SMART START UltraFET SPM VCX STAR*POWER Stealth SuperSOT-6 SuperSOT-8 SyncFET TinyLogic TruTranslation

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ОСТАВЛЯЕТ ЗА СОБОЙ ПРАВО ВНЕСИТЬ ИЗМЕНЕНИЯ БЕЗ ДОПОЛНИТЕЛЬНОГО УВЕДОМЛЕНИЯ В ЛЮБУЮ ПРОДУКЦИЮ ДЛЯ ПОВЫШЕНИЯ НАДЕЖНОСТИ, ФУНКЦИОНАЛЬНОСТИ ИЛИ КОНСТРУКЦИИ. FAIRCHILD НЕ НЕСЕТ НИКАКОЙ ОТВЕТСТВЕННОСТИ, ВЫТЕКАЮЩЕЙ В СВЯЗИ С ПРИМЕНЕНИЕМ ИЛИ ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ЛЮБОГО ПРОДУКТА ИЛИ СХЕМЫ, ОПИСАННЫХ ЗДЕСЬ; ЭТО НЕ ПРЕДОСТАВЛЯЕТ НИКАКИХ ЛИЦЕНЗИЙ В СООТВЕТСТВИИ С СВОИМИ ПАТЕНТНЫМИ ПРАВАМИ И ПРАВАМИ ДРУГИХ ЛИЦ.

ПОЛИТИКА ЖИЗНЕОБЕСПЕЧЕНИЯ ПРОДУКТЫ FAIRCHILDS НЕ РАЗРЕШЕНЫ ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В КАЧЕСТВЕ ВАЖНЕЙШИХ КОМПОНЕНТОВ В УСТРОЙСТВАХ ИЛИ СИСТЕМАХ ЖИЗНЕОБЕСПЕЧЕНИЯ БЕЗ ЯВНОГО ПИСЬМЕННОГО УТВЕРЖДЕНИЯ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION. Как используется в настоящем документе: 2. Критический компонент – это любой компонент жизни. 1. Устройства или системы жизнеобеспечения – это устройства или поддерживающие устройства или системы, отказ которых может привести к тому, что системы, которые (a) предназначены для хирургического имплантата, могут, как разумно ожидать, привести к нарушению жизнедеятельности организма, или (b) поддерживать или поддерживать жизнь, или (c) чье поддерживающее устройство или систему, или влиять на его безопасность или неспособность функционировать при надлежащем использовании в соответствии с инструкциями по применению, приведенными в маркировке , может быть эффективность. разумно ожидать, что это приведет к серьезным травмам пользователя. СОСТОЯНИЕ ПРОДУКТА ОПРЕДЕЛЕНИЯ Определение терминов Идентификация технического описания Предварительная информация Статус продукта В разработке или в разработке Первое производство Определение Данное техническое описание содержит проектные спецификации для разработки продукта. Спецификации могут быть изменены любым образом без предварительного уведомления. Этот лист данных содержит предварительные данные, а дополнительные данные будут опубликованы позднее. Fairchild Semiconductor оставляет за собой право вносить изменения в любое время без предварительного уведомления с целью улучшения конструкции. Это техническое описание содержит окончательные спецификации. Fairchild Semiconductor оставляет за собой право вносить изменения в любое время без предварительного уведомления с целью улучшения конструкции. Это техническое описание содержит спецификации продукта, производство которого было прекращено компанией Fairchild semiconductor. Спецификация печатается только для справочной информации.

74LCX16652. : Низковольтный трансивер/регистр шино-ориентированных схем с толерантными к 5 В входами и выходами

BPW38 : Герметичный силиконовый пульт дистанционного управления Photodarlington

FQB6N60CTM: 600 В N-канальный усовершенствованный Q-FET серии C

HUF75542P3 : 75 А, 80 В, 0,014 Ом, N-канальный, силовые МОП-транзисторы UltraFET

HCPL2631WV : Высокоскоростные оптопары с логическими вентилями 10 Мбит/с

2N5457_D74Z : Jfet (эффект поля перехода) Дискретный полупроводниковый продукт 1 мА при 15 В — 625 мВт через отверстие; IC AMP GP N-CHAN 25V 10MA TO-92 Технические характеристики: Тип монтажа: Сквозное отверстие; Тип полевого транзистора: N-канальный; Напряжение сток-исток (Vdss): — ; Ток — сток (Idss) при Vds (Vgs=0): 1 мА при 15 В; Входная емкость (Ciss) при Vds: 7 пФ при 15 В; Мощность — макс.: 625 мВт; Упаковка: лента и коробка (ТБ); Пакет/кейс: ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) Для

FSGM0465RLDTU : Преобразователи Pmic — AC DC, автономный переключатель Интегральная схема (ics) Лампа 13 В ~ 23 В; IC PWM/SENSEFET SMPS TO-220F-6L Технические характеристики: Упаковка: Трубка; Пакет/кейс: ТО-220ФЛ ; Мощность (Ватт): 70 Вт; Напряжение — вход: 13 В ~ 23 В; Напряжение — Выход: 650 В; Диапазон частот: 60 кГц ~ 72 кГц; Рабочая температура: -40C ~ 125C; Выходная изоляция: изолированная; Статус без свинца: без свинца; Статус RoHS: соответствует RoHS

BC182LB_D27Z : Транзистор (bjt) — один дискретный полупроводниковый продукт 100 мА 50 В 350 мВт NPN; ТРАНЗИСТОР NPN 50V 100MA TO-92 Технические характеристики: Тип транзистора: NPN; Напряжение — пробой коллектор-эмиттер (макс. ): 50 В; Ток — коллектор (Ic) (макс.): 100 мА; Мощность — макс.: 350 мВт; Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce: 40 при 10 А, 5 В; Насыщение Vce (макс.) при Ib, Ic: 600 мВ при 5 мА, 100 мА; Частота-переход: 150 МГц; Текущий —

2SA1476 : Эпитаксиальный планарный кремниевый тразистор PNP, приложение для вывода видеосигнала на дисплей CTR очень высокой четкости.

2SA1600 : Транзисторы с переключением напряжения низкого насыщения / серия LSV (трехвыводные).

2SB1257 : Кремниевый эпитаксиальный планарный транзистор PNP. Обозначение VCBO VCEO VEBO PC Tj Tstg до +150 Единица C Обозначение ICBO IEBO V(BR)CEO hFE VCE(sat) VBE(sat) fT COB Условия 75typ V Кремниевый PNP Эпитаксиальный планарный транзистор (дополнение к типу 2SD2014) Применение: Драйвер для соленоида , Релейно-двигательный и общего назначения VCC (В) 10 IC (A) 3 VBB1 (В) 10 VBB2 (В) 5 IB1 (мА) 10 IB2 (мА) 10 т (с) 0,4 тип.

2SC4006 : Эпитаксиальный планарный кремниевый транзистор NPN, драйвер. Области применения Подходит для использования при переключении нагрузки L (драйверы двигателей, драйверы принтеров, релейные драйверы). Высокий коэффициент усиления по постоянному току. Большая токовая мощность и широкий АСО. Встроенный стабилитрон 508В между коллектором и базой. Равномерность напряжения пробоя между коллектором и базой благодаря точному процессу диффузии примесей. Возможность работы с большой индуктивной нагрузкой.

ASI10716 : Кремниевый ВЧ-транзистор NPN. VHB40-12F предназначен для усилителей класса C в мобильных радиостанциях ОВЧ. 90,5 дБ Тип. Вт /175 МГц = 60% тип. Вт /175 МГц Система металлизации OmnigoldTM IC VCBO VCEO VEBO PDISS TJ TSTG OC 2,9 OC/Вт .

CMPT918 : Усилитель. Кремниевый ВЧ-транзистор NPN. : Тип CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPT918 представляет собой кремниевый ВЧ-транзистор NPN, изготовленный методом эпитаксиальной планарной обработки, залитый эпоксидной смолой в корпус для поверхностного монтажа, предназначенный для высокочастотных (VHF/UHF) усилителей и генераторов. КОД МАРКИРОВКИ: C3B SOT-23 КОРПУС МАКСИМАЛЬНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ: (TA=25C) СИМВОЛ Напряжение коллектор-база Коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база.

HGTD10N50F1S : 10А, 400В и 500В N-канальные Igbts. 10 А, 400 В и 500 В VCE(ON) 2,5 В Макс. TFALL 1,4 с Низкое напряжение в открытом состоянии Быстрая скорость переключения Высокое входное сопротивление Применение Блоки питания Приводы двигателей Защитные цепи диссипационные приложения.

HI127 : 100 В 8 А PNP эпитаксиальный планарный транзистор.

MMBZ5253B : Стабилитрон 25 В, 0,35 Вт. Рассеиваемая мощность Диапазон температур хранения Рабочая температура перехода *Данные номинальные значения являются предельными значениями, выше которых работоспособность диода может ухудшиться. ПРИМЕЧАНИЯ: 1) Эти номинальные значения основаны на максимальной температуре перехода 150 градусов C. 2) Это пределы устойчивого состояния. Следует проконсультироваться с заводом-изготовителем в отношении применений, связанных с импульсным режимом.

PMMT491A : PMMT491A; Транзистор Бисс NPN;; Пакет: SOT23 (SST3). Большой ток (макс. 1 А) Низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер обеспечивает снижение энергопотребления. ПРИМЕНЕНИЕ Устройства с батарейным питанием, где важны высокий ток и низкое энергопотребление. Транзистор NPN BISS (Breakthrough In Small Signal) в пластиковом корпусе SOT23. Дополнение PNP: PMMT591А. НОМЕР ТИПА МАРКИРОВКИ PMMT491A Примечание = p: Сделано в Гонконге.

FS1009BH00TU : 10 А, 200 В, SCR, TO-220AB. с: VDRM: 200 вольт; ВРРМ: 200 вольт; ИТ (СКЗ): 10 ампер; IGT: 15 мА; Стандарты и сертификаты: RoHS; Тип упаковки: ТО-220, ТО-220АБ, 3 контакта; Количество выводов: 3.

IXLT19N250A : 32 А, 2500 В, N-КАНАЛЬНЫЙ IGBT, TO-268AA. s: Полярность: N-канальный ; Тип упаковки: TO-268, 3 контакта; Количество единиц в IC: 1.

SI1907DL-E3 : 530 мА, 12 В, 2 КАНАЛА, P-КАНАЛА, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛ, МОП-транзистор. s: Полярность: P-канал; MOSFET Режим работы: Улучшение; V(BR)DSS: 12 вольт; RDS(вкл.

alexxlab