Справочник по полупроводниковым диодам

Справочник по полупроводниковым диодам Содержание   След.>> От составителя Область применения Условные обозначения Выпрямительные диоды малой мощности 2Д101 — КД128 Выпрямительные диоды средней мощности КД201 — 2Д250 Выпрямительные диоды средней мощности 2Д251 — 2Д2999 Высокочастотные диоды 2Д401 — КД427 Импульсные диоды 2Д502 — 2Д927 Выпрямительные столбы, мосты и т.п. 2Ц101 — КЦ412 Стабилитроны, стабисторы, импульсные ограничители (TVS) 2С101 — 2С291, Д818 Стабилитроны, стабисторы, импульсные ограничители (TVS) КС210 — 2С980 Варикапы КВ101 — АВ151 Цветовая маркировка диодов Рисунки корпусов           1 — 20         21 — 40         41 — 60         61 — 80         81 — 99   ОТ СОСТАВИТЕЛЯ     Справочник предназначен для широкого круга пользователей от разработчиков радиоэлектронных устройств, до радиолюбителей. В справочнике представлены основные электрические параметры полупроводниковых диодов широкого применения. Для компактности и удобства использования настоящего справочника, в нем использована табличная форма представления информации. Кроме электрических параметров в справочнике приводятся габаритные и присоединительные размеры, цветовая маркировка, а также типовые области применения.     В справочнике собраны параметры диодов, рассеянные по отечественной литературе. Поскольку главным принципом при составлении справочника являлась полнота охвата номенклатуры, то для некоторых приборов приведены всего несколько параметров (которые приводились в научной статье разработчиков прибора). По мере появления дополнительной информации, она включалась в справочник.     Для некоторых приборов приводятся вместо предельных параметров типовые, когда информация о предельных параметрах отсутствует, а о типовых значениях есть.     Как появился этот справочник?     В середине 70-х годов, автор столкнулся в своей работе с отсутствием справочника, устраивающего его самого и его коллег. Существующие справочники обладали многими недостатками, наиболее очевидные из которых описываются ниже.     1. Большая избыточность:         а) Многие справочники имели массу графиков, которые либо достаточно хорошо описывались теоретическими кривыми, либо отражали малосущественные зависимости;         б) Большинство разработчиков не интересуют такие параметры, как время хранения на складе и степень устойчивости полупроводниковых приборов против воздействия плесени и грибков;         в) От 10% до 30% объема справочников занимали общеизвестные вещи- условные обозначения на электрических схемах, классификация приборов и тому подобные многократно описанные в разнообразной литературе понятия.     2. Неполнота- долгий срок прохождения через издательства приводил к быстрому устареванию справочника. Большинство составителей имели тяготение к определенному кругу изготовителей полупроводниковых приборов и если изделия одного изготовителя были представлены достаточно полно, то изделия другого производителя не включали новых разработок. Для работы приходилось пользоваться одновременно несколькими справочниками одновременно (тем более что разные составители включали разное количество известных для данного прибора параметров) и рядом журнальных статей, в которых описывались новые полупроводниковые приборы.     3. Неудобство в пользовании- большинство составителей вводили разбивку справочника на части по различным критериям. Кроме этого, очень часто внутри раздела материал дополнительно группировался. Все это существенно затрудняло поиск нужного прибора и особенно сравнение нескольких полупроводниковых приборов по ряду параметров.     4. Недостоверность- в процессе издания в любом справочнике накапливались ошибки. Если ошибки в обычном тексте легко обнаруживаются при вычитке, то ошибки в числовой информации даже специалистом обнаруживаются с трудом.     Все описанные причины побудили составить справочник более удобный для разработчика электронной аппаратуры. Благодаря компактной форме, справочник получился достаточно дешевым и удовлетворяющим большинство потребностей. Если же разработчику потребуются более подробные характеристики какого-либо изделия (это случается достаточно редко), он всегда может обратиться либо к специализированному изданию, либо к отраслевому стандарту. В повседневной же работе ему достаточно этой маленькой книжечки.     Автор надеется что пользователи этого справочника не разочаруются в своем выборе.     Справочник составлен в 1991 году, переведен в HTML в 2000 году, перепроектирован в 2001 году.   Составитель: Козак Виктор Романович, email: [email protected] Новосибирск, 1-мар-2001г.

Срезы ↓ Измерения Микроконтроллеры Силовая электроника Электронные компоненты Arduino Автоматизация Безопасность Беспроводные технологии Ветроэнергетика Инструменты и технологии САПР и ПО Светотехника Солнечная энергетика Журналы: РадиоЛоцман Радиоежегодник Авторам Подписка на обновления Реклама на РЛ Размещение прайс листов Сотрудничество Контакты РЛ в социальных сетях: Privacy Policy Change privacy settings

Параметры универсальных и импульсных диодов. Справочник по диодам

Д18. .. КД424… 2Д502… 2Д926   Тип прибора Предельные значения параметров при Т=25°С  Значения параметров при Т=25°С Тк max , °С Кор- пус Uобр max,  В Uобр,и max,  В Iпр max,  мА Iпр, и max, А  при tи, мкс fmax, МГц Сд, пФ при Uобр,  В Uпр(Uпр,и),  В при Iпр, мА (А) Iобр, мкА  (при Uобр max)  Iпр,и max tи Сд Uобр Uпр (Uпр,и) Iпр 2Д502А 30   20 0,3 10       1,0 10 5 125 20 2Д502Б 30   20 0,3 10       1,0 50 5 125 20 2Д502В 100   20 0,3 10       1,0 10 5 125 20 2Д502Г 100   20 0,3 10       1,0 50 5 125 20 2Д503А 30 30 20 0,2 10   5 0 1,0 10 4 125 1 КД503А 30 30 20 0,2 10   5 0 1,0 10 4 125 1 2Д503Б 30 30 20 0,2 10   2,5 0 1,2 10 4 125 1 КД503Б 30 30 20 0,2 10   2,5 0 1,2 10 4 125 1 2Д504А 40   300 1,5 10   20 5 1,2 100 2 125 23 КД504А 40   160 1,0 10   20 5 1,2 100 2 100 23 1Д507А 20 30 16 0,2 1   0,8 5 0,5 5 50 70 1 ГД507А 20 30 16 0,1 10   0,8 5 0,5 5 50 60 1 1Д508А 8 10 10 0,03 10   0,75 0,5 0,4 1 60 70 1 ГД508А 8 10 10 0,03 10   0,75 0,5 0,4 10 60 55 1 2Д509А 50 70 100 1,5 10   4 0 1,1 100 5 125 33 КД509А 50 70 100 1,5 10   4 0 1,1 100 5 100 33 2Д510А 50 70 200 1,5 10   4 0 1,1 200 5 125 33 КД510А 50 70 200 1,5 10   4 0 1,1 200 5 85 33 ГД511А 12   15 0,05     1 5 0,6 5 50 70 23 ГД511Б 12   15 0,05     1 5 0,6 5 100 70 23 ГД511В 12   15 0,05     1 5 0,6 5 200 70 23 КД512А 15   20 0,2 10   1 5 1 10 5 100 13 КД513А 50 70 100 1,5 10   4 0 1,1 100 5 85 39 КД514А 10   10 0,05 10   0,9 0 1 10 5 100 13 АД516А 10   2 0,03 10   0,5 0 1,5 2 0,75 100 38 АД516Б 10   2 0,03 10   0,35 0 1,5 2 0,75 100 38 КД518А     100 1,5 10       0,57 1   85 39 КД519А 30 40 30 0,3 10   4 0 1,1 100 5 85 13 КД519Б 30 40 30 0,3 10   2,5 0 1,1 100 5 85 13 2Д520А 15 25 20 0,05 10   3 5 1,0 20 1 125 13 КД520А 15 25 20 0,05 10   3 5 1,0 20 1 100 13 КД521А 75 100 50 0,5 10   4 0 1,0 50 1 125 8 КД521Б 60 65 50 0,5 10   4 0 1,0 50 1 125 8 КД521В 50 75 50 0,5 10   4 0 1,0 50 1 125 8 КД521Г 30 40 50 0,5 10   4 0 1,0 50 1 125 8 КД521Г 12 15 50 0,5 10   4 0 1,0 50 1 125 8 КД522А 30 40 100 1,5 10   4 0 1,1 100 2 85 8 2Д522Б 50 75 100 1,5 10   4 0 1,1 100 5 125 8 КД522Б 50 75 100 1,5 10   4 0 1,1 100 5 85 8 КД529А   2000 10 200 0,5 0,005     3,5 (20) 1500 85 48 КД529Б   2000 10 200 0,5 0,005     3,5 (20) 1500 85 48 КД529В   1600 10 200 0,5 0,005     3,5 (20) 1500 85 48 КД529Г   1600 10 200 0,5 0,005     3,5 (20) 1500 85 48 2Д705А9 12 12 6 0,1 10   4 0,1 0,7 1 0,2 125   2Д801А5 20 30 10 0,1 100   2 0 1,0 10 1 85   2Д806А 35 35 500 2,0 10   20 0 1,0 500 250 100 56 2Д806Б 25 25 500 1,0 10   20 0 1,0 500 200 100 56 2Д921А 18 18 100 0,2 100000 900 1,5 0 1,0 75 0,5 100 56 2Д921Б 21 21 75 0,15 100000 900 1,5 0 1,6 75 0,5 100 56 2Д922А 18 18 50 0,1 10 1000 1,0 0 1,0 50 0,5 100 13 КД922А 18 18 50 0,1 10 1000 1,0 0 1,0 50 0,5 100 13 2Д922Б 21 21 35 0,07 10 1000 1,0 0 1,0 35 0,5 100 13 КД922Б 21 21 35 0,07 10 1000 1,0 0 1,0 35 0,5 100 13 2Д922В 10 10 10 0,02 10 1000 1,0 0 0,55 10 0,5 100 13 КД922В 10 10 10 0,02 10 1000 1,0 0 0,55 10 0,5 100 13 2Д925А 30 30 100 0,2 10 600 4,0 0 1,0 40 1 100 56 2Д925Б 30 30 100 0,2 10 600 3,5 0 0,9 40 4 100 56 2Д926А 25 25 10 0,02 10   0,35 0 0,45 1 5 100 33   Uобр  — постоянное обратное напряжение диода Uобр, и  — импульсное обратное напряжение диода Uпр — постоянное прямое напряжение диода Uпр, и — импульсное прямое напряжение диода Iпр  — постоянный прямой ток диода Iпр, и  — импульсный прямой ток диода Iобр — постоянный обратный ток диода tи — длительность одноразового импульса перегрузки fmax — максимально допустимая частота Сд — общая ёмкость диода Тк max — максимально-допустимая температура корпуса диода          | Главная | Схемы | Справочник | Книги | Заработок | Программы | Программы-приколы | English version |

Справочник по симулятору: Диод — уровень 1 и уровень 3

В этом разделе:

Запись списка соединений

 Dxxxx n+ n- имя_модели [область] [ВЫКЛ] [IC=vd] [TEMP=local_temp]
+ [PJ=периферия] [L=длина] [W=ширина] [M=множество] [DTEMP=dtemp] 

п +	Анод
п —	Катод
имя_модели	Имя модели, определенное в операторе . MODEL. Должен начинаться с буквы, но может содержать любой символ, кроме пробела и «.».
область	Множитель площади. Площадь масштабирует устройство. Например. площадь 3 заставит устройство вести себя как 3 параллельных диода. По умолчанию 1.
ВЫКЛЮЧЕННЫЙ	Инструктирует симулятор для расчета анализа рабочей точки с изначально выключенным устройством. Это используется в схемах с фиксацией, таких как тиристоры и бистабильные, для создания определенного состояния. См. .OP для более подробной информации.
вд	Начальное условие для напряжения диода. Это действует только в том случае, если в операторе .TRAN указан параметр UIC.
локальная_темп	Местная температура. Переопределяет спецификацию в операторах .OPTIONS или .TEMP.
периферия	Только уровень 3. Периферия соединения, используемая для расчета боковых эффектов.
длина	Только уровень 3. Используется для расчета площади. Смотри ниже.
ширина	Только уровень 3. Используется для расчета площади. Смотри ниже.
мульт	Множитель устройства. Эквивалентно подключению мульти устройств параллельно.
дтемп	Дифференциальная температура. Аналогичен local_temp , но указывается относительно температуры контура. Если указаны и TEMP, и DTEMP, TEMP имеет приоритет.

Примеры

Синтаксис модели диода

 .model имя модели D ( LEVEL=[1|3] параметры ) 

Параметры модели диода — Уровень = 1

Символы ‘???MATH???\times???MATH???’ и ‘???МАТИКА???\div???МАТИКА???’ в колонке Площадь означает, что указанный параметр необходимо умножить или разделить на коэффициент площади соответственно.

92??? МАТЕМАТИКА???

Имя	Описание	Единицы	По умолчанию	Район
ЯВЛЯЕТСЯ	Транспортный ток насыщения	А	1е-14	???МАТЕМАТИКА???\раз???МАТИКА???
ISR	Параметр тока рекомбинации	А	0	???МАТЕМАТИКА???\раз???МАТИКА???
Н	Коэффициент выбросов		1
NR	Коэффициент выбросов для ISR		2
ИКФ	Высокий ток колена инжекции	А	???МАТЕМАТИКА???\infty???МАТИКА???	???МАТЕМАТИКА???\раз???МАТИКА???
РС	Серийное сопротивление	???МАТЕМАТИКА???\Омега???МАТИКА???	0	???МАТИКА???\div???МАТИКА???
ТТ	Время в пути	сек	0
CJO или CJ0	Емкость перехода при нулевом смещении	Ф	0	???МАТЕМАТИКА???\раз???МАТИКА???
виджей	Потенциал соединения	В	1
М	Коэффициент оценки		0,5
НАПРИМЕР	Энергетический зазор	эВ	1. 11
XTI	Экспонента температуры тока насыщения		3
КФ	Коэффициент мерцания шума		0
АФ	Показатель мерцания шума		1
ФК	Коэффициент истощения емкости прямого смещения		0,5
БВ	Обратное напряжение пробоя	В	???МАТЕМАТИКА???\infty???МАТИКА???
ИБК	Ток при напряжении пробоя	А	1e-10	???МАТЕМАТИКА???\раз???МАТИКА???
ТНОМ, T_MEASURED	Параметр измерения температуры	???МАТИКА???°???МАТИКА???C	27
T_ABS	Если указано, определяет абсолютную температуру модели, перекрывающую глобальную температуру, определенную с помощью . TEMP	???МАТИКА???°???МАТИКА???C	—
T_REL_ ГЛОБАЛЬНЫЙ	Смещает глобальную температуру, определенную с помощью .TEMP. Переопределено T_ABS	???МАТИКА???°???МАТИКА???C	0
TRS1	Tempco первого порядка RS	/???МАТИКА???°???МАТИКА???C	0		0
ТВВ1	Tempco BV первого порядка	/???МАТИКА???°???МАТИКА???C	0,0
ТВВ2 92??? МАТЕМАТИКА???	0,0
НБВ	Коэффициент идеальности обратного пробоя		1,0
НБВЛ	Коэффициент идеальности обратного пробоя низкого уровня		1,0
ИБВЛ	Ток колена обратного пробоя низкого уровня	Ампер	0,0	???МАТЕМАТИКА???\раз???МАТИКА???
ТИКФ	Температурный коэффициент IKF		0,0

Примечания

Характеристики диода по постоянному току определяются параметрами IS, N, ISR, NR и IKF. Включено омическое сопротивление RS. Эффекты накопления заряда моделируются временем прохождения TT ​​и нелинейной емкостью обедненного слоя, которая определяется параметрами CJO, VJ и M. Температурная зависимость тока насыщения определяется параметрами EG, энергией и XTI, экспонента температуры тока насыщения. Обратный пробой моделируется экспоненциальным ростом тока обратного диода и определяется параметрами BV и IBV (оба числа положительные).

Параметры модели диода — Уровень = 3

Имя Описание Единицы По умолчанию АФ Показатель мерцания шума 1,0 БВ, ВБ, ВАР, ВРБ Обратное напряжение пробоя В ???МАТЕМАТИКА???\infty???МАТИКА??? CJO, CJ Емкость перехода при нулевом смещении Ф 0,0 CJSW, CJP Емкость боковой стенки при нулевом смещении 9{-1}???МАТЕМАТИКА??? НАПРИМЕР Энергетический зазор эв 1. 11 ФК Коэффициент истощения емкости при прямом смещении 0,5 ФКС Коэффициент емкости боковой стенки прямого смещения 0,5 GAP1 7.02e-4 — кремний (старое значение) 4.73е-4 — кремний 4.56е-4 — германий 5.41e-4 — арсенид галлия эВ/???МАТИЧЕСКАЯ???°???МАТИЧЕСКАЯ??? 7. 02e-4 GAP2 1108 — кремний (старое значение) 636 — кремний 210 — германий 204 — арсенид галлия ???МАТИКА???°???МАТЕМАТИКА??? 1108 ИБК Ток при напряжении пробоя А 1Е-3 ИКФ, ИК Высокий ток колена инжекции А ???МАТЕМАТИКА???\infty???МАТИКА??? ИКР Обратный высокий ток колена инжекции А ???МАТЕМАТИКА???\infty???МАТИКА??? ИС, ЯС Ток насыщения А 1Е-14 ISR Рекомбинационный ток А 0 JSW Ток насыщения боковой стенки А 0 КФ Показатель мерцания шума 0 МЮ, М Коэффициент оценки 0,5 MJSW Коэффициент боковины 0,33 Н, НФ Коэффициент прямого излучения 1,0 NR Коэффициент излучения рекомбинации 2,0 PHP Боковая стенка встроена в потенциал ПБ РС Серийное сопротивление ???МАТЕМАТИКА???\Омега???МАТИКА??? 0 СОКРАЩАТЬСЯ, СЖИМАТЬСЯ Коэффициент усадки 1,0 ТТС Температурный коэффициент BV ???МАТИКА???°???МАТИКА???C-1 0 ТЛЭВ Селектор температурной модели. Допустимые значения: 0, 1, 2 0 ТЛЕВК Селектор температурной модели. Допустимые значения: 0 или 1 0 ТНОМ, ТРЭФ Параметр измерения температуры 27 ТПБ Температурный коэффициент VJ (TLEVC=1) В/???МАТИКА???°???МАТИКА???C 0,0 9{-1}???МАТЕМАТИКА??? 0,0 ТТ Время в пути С 0,0 Виджей, ПБ Встроенный потенциал В 0,8 XW Коэффициент усадки 0,0 ДКАП Модель емкости (1 или 2) 1

Параметры CJSW и JSW масштабируются параметром экземпляра PJ, значение которого по умолчанию равно 0,0.

Если заданы параметры экземпляра L и W, диод масштабируется с коэффициентом: M*(L*СЖАТИЕ-XW)*(W*СЖАТИЕ-XW) в противном случае масштабируется по M*AREA.

Использование диодов Hspice

В Hspice диоды уровня 1 такие же, как диоды SIMetrix уровня 3. Чтобы сопоставить уровень 3 с уровнем 1, добавьте эту строку в список соединений.

 .ОПЦИИ HSPICEMODELS=1 

Этот параметр также имеет тот же эффект:

 .ОПЦИИ HSPICECOMPATIBILITY=1 

См. .OPTIONS для более подробной информации.

M и AREA — это параметры экземпляра, которые по умолчанию равны 1.0.

◄ Источник тока

Диод — мягкое восстановление ▶

Справочник по симулятору: диод — уровень 1 и уровень 3

В этой теме:

Netlist Entry

 Dxxxx n+ n- model_name [area] [OFF] [IC=vd] [TEMP=local_temp]
+ [PJ=периферия] [L=длина] [W=ширина] [M=множество] [DTEMP=dtemp] 

п +	Анод
п —	Катод
имя_модели	Имя модели, определенное в операторе . MODEL. Должен начинаться с буквы, но может содержать любой символ, кроме пробела и «.».
район	Множитель площади. Площадь масштабирует устройство. Например. площадь 3 заставит устройство вести себя как 3 параллельных диода. По умолчанию 1.
ВЫКЛЮЧЕННЫЙ	Инструктирует симулятор для расчета анализа рабочей точки с изначально выключенным устройством. Это используется в схемах с фиксацией, таких как тиристоры и бистабильные, для создания определенного состояния. См. .OP для более подробной информации.
вд	Начальное условие для напряжения диода. Это действует только в том случае, если в операторе .TRAN указан параметр UIC.
локальная_темп	Местная температура. Переопределяет спецификацию в операторах .OPTIONS или .TEMP.
периферия	Только уровень 3. Периферия соединения, используемая для расчета боковых эффектов.
длина	Только уровень 3. Используется для расчета площади. Смотри ниже.
ширина	Только уровень 3. Используется для расчета площади. Смотри ниже.
мульт	Множитель устройства. Эквивалентно подключению мульти устройств параллельно.
дтемп	Дифференциальная температура. Аналогичен local_temp , но указывается относительно температуры контура. Если указаны и TEMP, и DTEMP, TEMP имеет приоритет.

Примеры

Синтаксис модели диода

 .model имя модели D ( LEVEL=[1|3] параметры ) 

Параметры модели диода — Уровень = 1

Символы ‘???MATH???\times???MATH???’ и ‘???МАТИКА???\div???МАТИКА???’ в колонке Площадь означает, что указанный параметр необходимо умножить или разделить на коэффициент площади соответственно.

92??? МАТЕМАТИКА???

Имя	Описание	Единицы	По умолчанию	Район
ЯВЛЯЕТСЯ	Транспортный ток насыщения	А	1е-14	???МАТЕМАТИКА???\раз???МАТИКА???
ISR	Параметр тока рекомбинации	А	0	???МАТЕМАТИКА???\раз???МАТИКА???
Н	Коэффициент выбросов		1
NR	Коэффициент выбросов для ISR		2
ИКФ	Высокий ток колена инжекции	А	???МАТЕМАТИКА???\infty???МАТИКА???	???МАТЕМАТИКА???\раз???МАТИКА???
РС	Серийное сопротивление	???МАТЕМАТИКА???\Омега???МАТИКА???	0	???МАТИКА???\div???МАТИКА???
ТТ	Время в пути	сек	0
CJO или CJ0	Емкость перехода при нулевом смещении	Ф	0	???МАТЕМАТИКА???\раз???МАТИКА???
виджей	Потенциал соединения	В	1
М	Коэффициент оценки		0,5
НАПРИМЕР	Энергетический зазор	эВ	1. 11
XTI	Экспонента температуры тока насыщения		3
КФ	Коэффициент мерцания шума		0
АФ	Показатель мерцания шума		1
ФК	Коэффициент истощения емкости прямого смещения		0,5
БВ	Обратное напряжение пробоя	В	???МАТЕМАТИКА???\infty???МАТИКА???
ИБК	Ток при напряжении пробоя	А	1e-10	???МАТЕМАТИКА???\раз???МАТИКА???
ТНОМ, T_MEASURED	Параметр измерения температуры	???МАТИКА???°???МАТИКА???C	27
T_ABS	Если указано, определяет абсолютную температуру модели, перекрывающую глобальную температуру, определенную с помощью . TEMP	???МАТИКА???°???МАТИКА???C	—
T_REL_ ГЛОБАЛЬНЫЙ	Смещает глобальную температуру, определенную с помощью .TEMP. Переопределено T_ABS	???МАТИКА???°???МАТИКА???C	0
TRS1	Tempco первого порядка RS	/???МАТИКА???°???МАТИКА???C	0		0
ТВВ1	Tempco BV первого порядка	/???МАТИКА???°???МАТИКА???C	0,0
ТВВ2 92??? МАТЕМАТИКА???	0,0
НБВ	Коэффициент идеальности обратного пробоя		1,0
НБВЛ	Коэффициент идеальности обратного пробоя низкого уровня		1,0
ИБВЛ	Ток колена обратного пробоя низкого уровня	Ампер	0,0	???МАТЕМАТИКА???\раз???МАТИКА???
ТИКФ	Температурный коэффициент IKF		0,0

Примечания

Характеристики диода по постоянному току определяются параметрами IS, N, ISR, NR и IKF. Включено омическое сопротивление RS. Эффекты накопления заряда моделируются временем прохождения TT ​​и нелинейной емкостью обедненного слоя, которая определяется параметрами CJO, VJ и M. Температурная зависимость тока насыщения определяется параметрами EG, энергией и XTI, экспонента температуры тока насыщения. Обратный пробой моделируется экспоненциальным ростом тока обратного диода и определяется параметрами BV и IBV (оба числа положительные).

Параметры модели диода — Уровень = 3

Имя Описание Единицы По умолчанию АФ Показатель мерцания шума 1,0 БВ, ВБ, ВАР, ВРБ Обратное напряжение пробоя В ???МАТЕМАТИКА???\infty???МАТИКА??? CJO, CJ Емкость перехода при нулевом смещении Ф 0,0 CJSW, CJP Емкость боковой стенки при нулевом смещении 9{-1}???МАТЕМАТИКА??? НАПРИМЕР Энергетический зазор эв 1. 11 ФК Коэффициент истощения емкости при прямом смещении 0,5 ФКС Коэффициент емкости боковой стенки прямого смещения 0,5 GAP1 7.02e-4 — кремний (старое значение) 4.73е-4 — кремний 4.56е-4 — германий 5.41e-4 — арсенид галлия эВ/???МАТИЧЕСКАЯ???°???МАТИЧЕСКАЯ??? 7. 02e-4 GAP2 1108 — кремний (старое значение) 636 — кремний 210 — германий 204 — арсенид галлия ???МАТИКА???°???МАТЕМАТИКА??? 1108 ИБК Ток при напряжении пробоя А 1Е-3 ИКФ, ИК Высокий ток колена инжекции А ???МАТЕМАТИКА???\infty???МАТИКА??? ИКР Обратный высокий ток колена инжекции А ???МАТЕМАТИКА???\infty???МАТИКА??? ИС, ЯС Ток насыщения А 1Е-14 ISR Рекомбинационный ток А 0 JSW Ток насыщения боковой стенки А 0 КФ Показатель мерцания шума 0 МЮ, М Коэффициент оценки 0,5 MJSW Коэффициент боковины 0,33 Н, НФ Коэффициент прямого излучения 1,0 NR Коэффициент излучения рекомбинации 2,0 PHP Боковая стенка встроена в потенциал ПБ РС Серийное сопротивление ???МАТЕМАТИКА???\Омега???МАТИКА??? 0 СОКРАЩАТЬСЯ, СЖИМАТЬСЯ Коэффициент усадки 1,0 ТТС Температурный коэффициент BV ???МАТИКА???°???МАТИКА???C-1 0 ТЛЭВ Селектор температурной модели. Допустимые значения: 0, 1, 2 0 ТЛЕВК Селектор температурной модели. Допустимые значения: 0 или 1 0 ТНОМ, ТРЭФ Параметр измерения температуры 27 ТПБ Температурный коэффициент VJ (TLEVC=1) В/???МАТИКА???°???МАТИКА???C 0,0 9{-1}???МАТЕМАТИКА??? 0,0 ТТ Время в пути С 0,0 Виджей, ПБ Встроенный потенциал В 0,8 XW Коэффициент усадки 0,0 ДКАП Модель емкости (1 или 2) 1

Параметры CJSW и JSW масштабируются параметром экземпляра PJ, значение которого по умолчанию равно 0,0.