Купите современное rg2 диод для своих нужд Free Sample Now

О продукте и поставщиках:

 Выбрать. rg2 диод из огромной коллекции на Alibaba.com. Вы можете купить массив. rg2 диод включая, помимо прочего, светодиоды, микрофон, выпрямитель, лазер, стабилитрон, триггер, Шоттки, SMD, энергосберегающие диодные лампы. Вы можете выбрать. rg2 диод из широкого набора ключевых параметров, спецификаций и рейтингов для вашей цели. 
 rg2 диод на Alibaba.com удобны в установке и использовании. Используемый пластик более высокого качества обеспечивает изоляцию, снижающую нагрев. Они доступны в кремнии и германии. rg2 диод используются в различных отраслях промышленности для различных электрических функций и датчиков. Они используются в инверторах, светодиодах, автомобильной электронике, потребительских товарах, USB 2.0 и USB 3.0, HDMI 1.3 и HDMI 1.4, SIM-карте, мобильной одежде, беспроводной связи, автомобильном генераторе и лазерной эпиляции. Они используются как выпрямитель, датчик света, излучатель света, для рассеивания нагрузки и т. Д. Различная физическая упаковка для. rg2 диод предлагаются для монтажа на печатной плате, теплоотвода, проводного и поверхностного монтажа.  
 Основные особенности. rg2 диод - это толстая медная опорная пластина, низкая утечка, высокий ток, низкое прямое падение напряжения, легирование золотом, низкое сопротивление инкрементным скачкам напряжения, отличная зажимная способность, быстрое время отклика и т. д. Технические характеристики, предлагаемые на. rg2 диод включают различные оптические и электрические характеристики, такие как максимальная мощность, напряжение, оптический выход, время обратного восстановления, рабочая температура и т. д. rg2 диод производятся в соответствии со стандартными процедурами для поддержания высочайшего качества. Они соответствуют требованиям RoHS и IEEE 1394. 
 
 Получите лучшее. rg2 диод предлагает на Alibaba.com от различных поставщиков и оптовиков. Получите высшее качество. rg2 диод в соответствии с требованиями вашего проекта. 

РКС Компоненты — РАДИОМАГ

Пластиковые и алюминиевые корпуса от производителя GAINTA:

25/11/2021

Контроллер температуры и влажности, Тестер емкости аккумулятора, Тестер полупроводников, Компактный усилитель мощности, 

Bluetooth аудиомодуль ,Цветной USB тестер (вольтметр, амперметр, контроллер заряда), Цифровой портативный осциллограф, Антистатические пинцеты

25/11/2021

Трансиверы Ebyte для передачи данных на частотах 433МГц, 868/915МГц, 2.4ГГц на расстоянии от 100 м до 8 км с интерфейсами Bluetooh, SPI, UART, ZigBee.

10/11/2021

Светодиоды G-NOR и Shining Opto: — Светодиоды ультрафиолетовые; — Фитосветодиоды; — Светодиоды видимого спектра SMD; — Светодиоды видимого спектра мощные; — Светодиоды инфракрасные

03/11/2021

Инверторы с чистой синусоидой производителя Swipower 
Логические анализаторы производителя  Kingst 
Мультиметры производителя  Richmeters и UNI-T

02/11/2021

02/11/2021

02/11/2021

На склад поступило пополнение товара от KLS Electronics, Strong Electronics, Yangjie, Strong, Anla Tech, Kaifa, Yunpen и Vtrons:

02/11/2021

Пополнение склада: Реле твердотельное однофазное и трехфазное, Радиатор к однофазным и трехфазным реле, Термостаты, Термопары, Шунт-резисторы.

02/11/2021

Контроллер температуры и влажности, Тестер емкости аккумулятора, Тестер полупроводников, Компактный усилитель мощности, 

Bluetooth аудиомодуль ,Цветной USB тестер (вольтметр, амперметр, контроллер заряда), Цифровой портативный осциллограф, Антистатические пинцеты

02/11/2021

Страница не найдена — Время электроники

Кажется мы ничего не нашли. Может быть вам помогут ссылки ниже или поик?

Архивы

Архивы Выберите месяц Ноябрь 2021 Октябрь 2021 Сентябрь 2021 Август 2021 Июль 2021 Июнь 2021 Май 2021 Апрель 2021 Март 2021 Февраль 2021 Январь 2021 Декабрь 2020 Ноябрь 2020 Октябрь 2020 Сентябрь 2020 Август 2020 Июль 2020 Июнь 2020 Май 2020 Апрель 2020 Март 2020 Февраль 2020 Январь 2020 Декабрь 2019 Ноябрь 2019 Октябрь 2019 Сентябрь 2019 Август 2019 Июль 2019 Июнь 2019 Май 2019 Апрель 2019 Март 2019 Февраль 2019 Январь 2019 Декабрь 2018 Ноябрь 2018 Октябрь 2018 Сентябрь 2018 Август 2018 Июль 2018 Июнь 2018 Май 2018 Апрель 2018 Март 2018 Февраль 2018 Январь 2018 Декабрь 2017 Ноябрь 2017 Октябрь 2017 Сентябрь 2017 Август 2017 Июль 2017 Июнь 2017 Май 2017 Апрель 2017 Март 2017 Февраль 2017 Январь 2017 Декабрь 2016 Ноябрь 2016 Октябрь 2016 Сентябрь 2016 Август 2016 Июль 2016 Июнь 2016 Май 2016 Апрель 2016 Март 2016 Февраль 2016 Январь 2016 Декабрь 2015 Ноябрь 2015 Октябрь 2015 Сентябрь 2015 Август 2015 Июль 2015 Июнь 2015 Май 2015 Апрель 2015 Март 2015 Февраль 2015 Январь 2015 Декабрь 2014 Ноябрь 2014 Октябрь 2014 Сентябрь 2014 Август 2014 Июль 2014 Июнь 2014 Май 2014 Апрель 2014 Март 2014 Февраль 2014 Январь 2014 Декабрь 2013 Ноябрь 2013 Октябрь 2013 Сентябрь 2013 Август 2013 Июль 2013 Июнь 2013 Май 2013 Апрель 2013 Март 2013 Февраль 2013 Январь 2013 Декабрь 2012 Ноябрь 2012 Октябрь 2012 Сентябрь 2012 Август 2012 Июль 2012 Июнь 2012 Май 2012 Апрель 2012 Март 2012 Февраль 2012 Январь 2012 Декабрь 2011 Ноябрь 2011 Октябрь 2011 Сентябрь 2011 Август 2011 Июль 2011 Июнь 2011 Май 2011 Апрель 2011 Март 2011 Февраль 2011 Январь 2011 Декабрь 2010 Ноябрь 2010 Октябрь 2010 Сентябрь 2010 Август 2010 Июль 2010 Июнь 2010 Май 2010 Апрель 2010 Март 2010 Февраль 2010 Январь 2010 Декабрь 2009 Ноябрь 2009 Октябрь 2009 Сентябрь 2009 Август 2009 Июль 2009 Июнь 2009 Май 2009 Апрель 2009 Март 2009 Февраль 2009 Январь 2009 Декабрь 2008 Ноябрь 2008 Апрель 2008 Март 2008 Февраль 2008 Январь 2008 Декабрь 2007 Ноябрь 2007 Октябрь 2007 Сентябрь 2007

Архивы Схему создал — Страница 2 из 4

Читая радиолюбительскую литературу, иногда натыкался на схемы (к примеру в [1]) в которых использовались в роли высокоомных резисторов, диоды, включенные в обратном направлении, то есть использовались rобр.д — обратное сопротивления диода по постоянному току.

Предлагаю вашему вниманию мои исследования r

обр.д — обратного сопротивления диода по постоянному току. Суть в том, что если делать RC-таймер, то максимальную выдержку можно получить, используя резисторы с очень большим сопротивлением и конденсаторы с очень большой ёмкостью… Я не знаю, какую можно получить выдержку при резисторе, к примеру, в 100 мегоом, и ёмкостью, к примеру, 100000 микрофарад, вообще-то можно прикинуть, но зачем? Дело в том, что в наш век миниатюризации эти две детали имеют довольно таки внушительные размеры. Да и конденсатор я представлял на напряжение в 6,3 вольта (есть у меня такой), да и резистор, ведь, как пол карандаша. Но, ещё не известно, «продавит» ли ток резистора такого номинала, ток утечки изоляции диэлектрика обкладок конденсатора? А если не «продавит», то и наш таймер, никогда не сработает (о сопротивлении входных цепей я не упоминаю, так как применяю КМОП-микросхемы, а его транзисторы ведь полевые с изолированными затворами, и, хотя в этих микросхемах и стоят защитные диоды, но их влияния я не замечал). А что бы, такой резистор смог «продавить», у конденсатора сопротивление утечек диэлектрика, нужно брать последний с большим номинальным напряжением. Но если, это напряжение будет исчисляться в сотнях вольт, то габариты будут расти пропорционально. И если вам понадобиться подобный таймер, то лучше его собрать, к примеру, на таймере C005. Но в некоторых случаях, может из-за отсутствия, или не желания устанавливать подобный таймер, в связи с техническими условиями, проще поставить (нестабильный по температурным и прочим показателям) RdC-таймер. Ведь полупроводниковый диод, если использовать его обратную ветвь вольтамперной характеристики, на напряжениях ниже пробойного, имеет очень высокое сопротивление. Да и знание, подобной схемотехники, может помочь радиолюбителю в его поисках новых схемных решений.

Диод в роли резистора. Схема экспериментального таймера

Для реализации исследования rобр.д — обратного сопротивления диодов по постоянному току, собрал проверочную схему (смотрите на рис.1, так же фото 1 собранного на макетке). Питал схему всегда от стабилизированного блока питания +5 вольт. Всё, на мой взгляд и так предельно ясно, посмотрев на схему. И объяснять не чего. Но расскажу об основных узлах. На логических элементах DD1.1 и DD1.2 собран псевдосенсорный переключатель режимов. C1 и R2 – установка переключателя в «Стоп» при включении питания. R2 – уменьшает подгорание контактов кнопки SB2 при разряде C1. Элемент DD1.3 (И-НЕ) – реализована схема таймера с устанавливаемыми на входе проверяемых диодов и эталонных конденсаторов. DD1.4 (НЕ) и другие детали – элементы индикации работы.

Диод в роли резистора. Фото проекта экспериментального таймера

Какие выводы я сделал из этих измерений?

Выяснилось, что практически любые диоды можно использовать в этой роли. Единственное, что нужно соблюсти, так это то, что требуется подобрать нужный. Вначале я считал, что диоды одного номинала все как братья близнецы, но это оказалось не так. Все диоды, даже одного номинала, по rобр.д  разные. Я взял, примерно, по десятку диодов одного номинала и один из эталонных конденсаторов, и с помощью схемы (рис.1) и секундомера стал мерять время срабатывания таймера. Результаты свёл в небольшую таблицу, смотрите ниже:

VDx\Cx      0,01 мк     0,1 мк     1 мк      Примерный разброс в номинале

КД513А       2,5*           38          440                              0,5 — 5

КД510А       2,5*          33           305                                1 — 2,5

КД509А         3*            36          383                             0,5 — 6

2Д503А         33*        335         3595                             20 — 35

КД521В         3*            35           375                                1 — 6

КД103Б         40*         405        4098                             25 — 45

1N4004         7*            75           810                                1 — 33

1N4007         25*         268        2848                                5 — 40

M7 (SMD)   40*         405        4098            2 — 13, 60, 77, 82, 104**

КД522Б,

1N4148…     3*            39           405                                2 — 6

 

VDx\Cx        10 мк     100 мк   1000 мк      Примерный разброс в номинале

1N5817         6*            77           842                                1 — 18

Д9К               13*         163         1956                              6 — 22, 260 **

*- говорит о том, что для проверки, был выбран первый попавшийся диод, и что трудно по секундомеру определять точные значения малых величин времени;

**- показаны аномальные отличия в номинале.

 

Так же, была проверена возможность групповых включений диодов, смотрите в таблице ниже:

VDx\Cx                                    0,01 мк     0,1 мк     1 мк      10 мк

Параллельно 3 шт.                0,9*           12           133       1530

Параллельно 2 шт.                1,6*           19           207       2605

Один первый диод               3,0*           35           364        5150

Один второй диод                3,8*           49           520          **

Один третий диод                3,1*           37            397         **

Последовательно 2 шт.       4,8*           51            509       7760

Последовательно 3 шт.       5,1*           57            654       7740

*- показывает, что трудно по секундомеру определять точные значения малых величин времени;

**- не проверял.

 

Выводы можете сделать сами. При последовательном включении трёх диодов, значения времени таймера оказались даже ниже, чем у двух диодов. С чем это связано, не знаю, но перемерять не стал. Может, кто-то продолжит исследования и объяснит получившиеся данные.

Так же интересным выглядит то, что у SMD диодов M7 (и у германиевого диода Д9К), такие странные разбросы в  rобр.д . У меня нашлось 12 штук, и их я проверил на [2], и это всё, что поведал, мне сей «измерительный прибор», смотрите в таблице ниже:

VDx = SMD M7 + Cx = 0,01 мк

mV            pF            T, сек

661            17           2,5

661            15           5

667            18           6

665            19           8

685            19           9

666            19           11

665            27           12

665            17           13

665            32           60

675            37           77

674            28           82

680            27          104

Что вызвало, столь большие различия – тоже, не понятно.

Каков вывод моих исследований? А такой: rобр.д — обратное сопротивление диодов по постоянному току, можно использовать для построения RC-таймера в роли резистора, но только при индивидуальном подборе, не только самого диода, но и конденсатора.

Для справки – конденсаторы, для измерения параметров диодов подбирал, как можно ближе к заявленным на [2], и вот какие я использовал, смотрите в таблице ниже:

Cномин.         Cизм., мк       ESR, Ω    Vloss, %

0,01 мк 100 В  –  0,0103             17           0,1

0,1 мк 63 В       –  0, 09851         16           0,1

1 мк 63 В          –  1,014              4,1            —

10 мк 100 В      –  9,997              1,2          0,7

100 мк 16 В      –  101,4              1,5          2,4

1000 мк 6,3 В   –  1008               0,08        1,5

Так же, есть фото этих «героев»:

Диод в роли резистора. Эталонные конденсаторы

 

Литература:

1. Автовыключатель телевизора. В. Суров. журнал Радио №4, 1994 г. стр.10
2. Цифровой тестер транзисторов Mega328, измеритель емкости диода, триода, ЭПС MOS/PNP/NPN LCR 128*64, ЖК-экран V2.68

 

Питание ФЭУ осуществляется через делитель, на который подается полное анодное напряжение

Так как верхняя лампа представляет собой для нижней лампы анодную нагрузку с невысокой величиной сопротивления, то нижняя лампа не может работать с большим размахом выходного напряжения. В противном случае это приведет к значительным нелинейным искажениям. К счастью, основной вклад в коэффициент усиления каскодной схемы обеспечивается верхней лампой, что в значительной степени решает эту проблему. Важно отметить, что в каскодной схеме очень желательно применять специально разработанные именно для таких схем электронные лампы, а не случайные. Это даст гарантию высоких показателей качества
спроектированно-
го усилителя. Примерами ламп для каскодной схемы могут служить сочетания следующих типов: ЕСС88 и 6DJ8 или ЕСС88 и 6922 (серия ламп повышенного качества). Обратимся теперь к примеру разработки каскодной схемы. Обычно, величина постоянного напряжения на аноде нижней лампы выбирается не более одной трети и не менее одной четверти от общей величины ВН, приложенного между анодом верхней лампы и землей. Пусть напряжение анодного питания каскада ВН равно 285 В, а величина постоянного напряжения на аноде нижней лампы составляет 75 В. Тогда падение постоянного напряжения между катодом и анодом верхней лампы составит 210В (рис. 3.16). Величины анодной нагрузки и напряжения смещения между управляющей сеткой и катодом верхней лампы выбираются обычным вышеописанным способом — при помощи нагрузочной линии (рис. 3.17). В рассматриваемом примере RH = 100 кОм, VCK = —2.5 В. Размах переменного напряжения на аноде при этом составляет Va = 76,5 В, что дает особенно линейную рабочую точку. В этом случае анодный ток покоя будет равен 1,34 мА. Рис. 3.17 Выбор рабочей точки верхней электронной лампы каскодной схемы Поскольку анод нижней электронной лампы, а, следовательно, и катод верхней лампы, находятся под положительным потенциалом в 75 В, а на управляющей сетке верхней электронной лампы требуется обеспечить напряжение смещения VCK —2,5 В относительно катода, это означает, что на управляющую сетку верхней электронной лампы требуется подать постоянное напряжение 72,5 В относительно общего провода (земли). Поскольку через сетку верхней электронной лампы ток не течет (в силу того, что ее потенциал относительно катода отрицательный), необходимое постоянное напряжение на ней относительно земли устанавливается делителем напряжения, и полностью определяет режим верхнего каска

RG2 datasheet — сверхбыстрые выпрямительные диоды

1N5913thru1N5956 : стабилитрон 1,5 Вт 3,3 В через 200 В. FMMT720TA : Транзистор Сот-23. IC CONT До 10 А пиковый импульсный ток Превосходные характеристики hfe До 10 А (импульсный) Чрезвычайно низкое напряжение насыщения Например, 10 мВ Тип. Обладает чрезвычайно низким эквивалентным сопротивлением в открытом состоянии; RCE (sat) ПАРАМЕТР Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Пиковый импульсный ток ** Непрерывный ток коллектора Рассеиваемая мощность базового тока при Tamb = 25C ​​*. GBPC2508A : мост 800 В в пакете Gbpc-A. Универсальные 3-контактные клеммы: вставные, наматываемые или припаянные. Корпус с высокой теплопроводностью, электрически изолированный корпус. Символы полярности нанесены на корпус пластикового корпуса. Крепление центрального отверстия. Стеклянные пассивированные диодные чипы. Отличное соотношение мощность / объем. Температура пайки — не более 260С. время — 10 секунд. M28C16-120K1T : 16k 2k X 8 Parallel EePROM с программной защитой данных.x 8) ПАРАЛЛЕЛЬНАЯ EEPROM с ЗАЩИТой ПРОГРАММНЫХ ДАННЫХ ВРЕМЯ БЫСТРОГО ДОСТУПА: 90 нс ЕДИНОЕ НАПРЯЖЕНИЕ ПИТАНИЯ 10% НИЗКОЕ ПОТРЕБЛЕНИЕ ЭЛЕКТРОПИТАНИЯ ЦИКЛ БЫСТРОЙ ЗАПИСИ: 64 байта Байт операции записи страницы или Цикл записи страницы: 3 мс Макс. СТАТУС ТАЙМЕРА ЗАГРУЗКИ ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ ОДИН ПОЛИКРЕМНИЙ, ТЕХНОЛОГИЯ CMOS :. MTD2955ET4 : Силовой полевой транзистор Tmos E-FET Dpak для поверхностного монтажа, упаковка: Dpak, контакты = 3. SA11A : Ограничители переходного напряжения мощностью 500 Вт.Пассивированный стеклопакет. Пиковая импульсная мощность 500 Вт на Отличные зажимные способности. Низкое сопротивление скачку напряжения. Быстрое время отклика; обычно менее 1,0 пс от 0 вольт до BV для однонаправленного и 5,0 нс для двунаправленного. Типичное значение IR менее 1,0 А выше 10 В. ЦВЕТОВАЯ ПОЛОСА ОБОЗНАЧАЕТ КАТОД ТОЛЬКО НА ОДНОНАПРАВЛЕННЫХ УСТРОЙСТВАХ. БЕЗ ЦВЕТОВОЙ ПОЛОСЫ. STP10NK70Z : Среднее напряжение. N-канал 700 В — 0,75 Ом — 8,6 МОП-транзистор TO-220 / TO-220FP с защитой от стабилитрона Supermesh Power MOSFET. 03028-BX392AKZJ : КОНДЕНСАТОР, КЕРАМИЧЕСКИЙ, МНОГОСЛОЙНЫЙ, 50 В, BX, 0,0039 мкФ, КРЕПЛЕНИЕ НА ПОВЕРХНОСТИ, 0603. s: Конфигурация / форм-фактор: Чип-конденсатор; Технология: Многослойная; Приложения: общего назначения; Конденсаторы электростатические: керамический состав; Диапазон емкости: 0,0039 мкФ; Допуск емкости: 10 (+/-%); WVDC: 50 вольт; Тип монтажа: технология поверхностного монтажа. 05002-220AJZC : КОНДЕНСАТОР, КЕРАМИЧЕСКИЙ, МНОГОСЛОЙНЫЙ, 50 В, BP, 0,000022 мкФ, ПОВЕРХНОСТНОЕ КРЕПЛЕНИЕ, 0603.s: Конфигурация / Форм-фактор: Чип-конденсатор; Технология: Многослойная; Диэлектрик: керамический состав; Диапазон емкости: 2.20E-5 мкФ; Допуск емкости: 5 (+/-%); WVDC: 50 вольт; Температурный коэффициент: 30 частей на миллион / ° C; Тип монтажа: технология поверхностного монтажа. AHR650-2 : РЕЗИСТОР, ЗАВИСИМЫЙ ОТ ТЕМПЕРАТУРЫ, PTC, 0,009 Ом, КРЕПЛЕНИЕ ДЛЯ ПРОХОДНОГО ОТВЕРСТИЯ. s: Категория / Применение: Общее использование; Монтаж / упаковка: сквозное отверстие, радиальные выводы, радиальные выводы; Диапазон сопротивления: 0.0090 Ом; Номинальная мощность: 4,3 Вт (0,0058 л.с.); Рабочая температура: от -40 до 125 C (от -40 до 257 F). ASN1h203G : РЕЗИСТОР, ЗАВИСИМЫЙ ОТ ТЕМПЕРАТУРЫ, NTC, 10000 Ом, КРЕПЛЕНИЕ ДЛЯ ПРОХОДНОГО ОТВЕРСТИЯ. s: Категория / Применение: Общее использование; Монтаж / упаковка: сквозное отверстие, радиальные выводы, радиальные выводы; Диапазон сопротивления: 10000 Ом; Допуск: 2 +/-%; Номинальная мощность: 0,0020 Вт (2,68E-6 л.с.); Рабочая температура: от -40 до 200 C (от -40 до 392 F). CB10LV221M : РЕЗИСТОР, ТРИММЕР, УГЛЕРОДНАЯ ПЛЕНКА, 1 ОБОРОТ (S), 0.15 Вт, 220 Ом. s: Тип потенциометра: Триммер; Конус сопротивления: линейный; Монтаж / Упаковка: Сквозное отверстие, СООТВЕТСТВИЕ ROHS; Диапазон сопротивления: 220 Ом; Допуск: 20 +/-%. ED421625 : 393 А, 1600 В, SCR. s: VDRM: 1600 вольт; VRRM: 1600 вольт; IT (RMS): 393 ампер; IGT: 150 мА; Тип упаковки: POW-R-BLOK-7; Количество контактов: 7. FD075H06A5BPBF : 600 В, КРЕМНИЙ, ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД. s: Упаковка: ВАФЕР; Количество диодов: 1; VRRM: 600 вольт; trr: 0,0270 нс; Соответствует RoHS: RoHS. LR25F100K : РЕЗИСТОР, ТОНКАЯ ПЛЕНКА, 0,25 Вт, 1%, 100 ppm, 100000 Ом, КРЕПЛЕНИЕ ДЛЯ ПРОХОДНОГО ОТВЕРСТИЯ. s: Категория / Применение: Общее использование; Технология / конструкция: тонкая пленка (чип); Монтаж / упаковка: сквозное отверстие, осевые выводы, осевые выводы, соответствие требованиям ROHS; Диапазон сопротивления: 100000 Ом; Допуск: 1 +/-%; Температурный коэффициент: 100 ± ppm / ° C; Номинальная мощность: 0,2500. 2N6299.MOD : 8 А, 80 В, PNP, Si, СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР, TO-213AA. s: Полярность: PNP; Тип упаковки: ГЕРМЕТИЧЕСКАЯ, МЕТАЛЛИЧЕСКАЯ, TO-66, 2 КОНТАКТА. 2SA2073TV2 : 3000 мА, 60 В, PNP, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР. s: Полярность: PNP; Тип упаковки: квадроцикл, 3 контакта. 2SK4145 : 84 А, 60 В, 0,01 Ом, N-КАНАЛ, Si, ПИТАНИЕ, МОП-транзистор, TO-220AB. s: Полярность: N-канал; Режим работы MOSFET: Улучшение; V (BR) DSS: 60 вольт; rDS (вкл.): 0,0100 Ом; PD: 1500 милливатт; Тип упаковки: ТО-220, ТО-220, 3 контакта; Количество блоков в ИС: 1. 2SK881TE85L : УКВ ДИАПАЗОН, Si, N-КАНАЛ, МАЛЫЙ РЧ СИГНАЛ, JFET.s: Полярность: N-канал; PD: 100 милливатт; Количество блоков в ИС: 1. 6CWQ03G : 3,5 А, 100 В, КРЕМНИЙ, ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД, TO-252AA. s: Аранжировка: Common Catode; Тип диода: общего назначения, ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД; Применение диодов: выпрямитель; IF: 3500 мА; Пакет: ДПАК, АНАЛОГИЧНЫЙ ТО-252АА, ДПАК-3; Количество контактов: 2; Количество диодов: 2.

диод% 20rg2 техническое описание и примечания по применению

fgt313 Реферат: транзистор fgt313 SLA4052 RG-2A Diode SLA5222 fgt412 RBV-3006 FMN-1106S SLA5096, диод ry2a Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2SA1186 2SC4024 2SA1215 2SC4131 2SA1216 2SC4138 100 В переменного тока 2SA1294 2SC4140 fgt313 транзистор fgt313 SLA4052 Диод РГ-2А SLA5222 fgt412 РБВ-3006 FMN-1106S SLA5096 диод ry2a
ссылка на диод Аннотация: перекрестная ссылка на диод Шоттки MV3110 AH513 AH512 AH761 Диод Ганна Ah470 импатт-диод DMK-6606 Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	MA40401 MA40402 MA40404 MA40405 MA40406 MA40408 перекрестная ссылка диода перекрестная ссылка диода шоттки MV3110 AH513 AH512 AH761 Диод Ганна Ач470 импат-диод DMK-6606
2002 — SE012 Аннотация: sta474a SE140N диод SE115N 2SC5487 SE090 sanken SE140N STA474 UX-F5B Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 SE012 sta474a SE140N диод SE115N 2SC5487 SE090 Санкен SE140N STA474 UX-F5B
Антенна GPS AT65 Резюме: MA4EX580L1-1225T MA4ST1081CK-287 ELDC-17LITR MA4ST1081 MA4P789ST-287T etc1-1-13tr MAALSS0042 MAAVSS0007 MADRCC0013 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	AM50-0002 AM50-0003 AM50-0004 AM50-0006 AT10-0009 AT10-0017 AT10-0019 AT-108 АТ-110-2 AT-113 Антенна GPS AT65 MA4EX580L1-1225T MA4ST1081CK-287 ELDC-17LITR MA4ST1081 MA4P789ST-287T etc1-1-13tr MAALSS0042 MAAVSS0007 MADRCC0013
диод Аннотация: диод стабилитрон 1N4148 «высокочастотный диод» стабилитрон A 36 кодовый диод 1n4148 стабилитрон диод Шоттки стабилитрон частотный высокочастотный диод 8889 Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	1N4148 1N4148W 1N4150 1N4150W 1N914 1N4151 1N4151W 1N4448 1N4448W 1N4731 диод стабилитрон диодный 1Н4148 «высокочастотный диод» стабилитрон A 36 коде диод 1n4148 стабилитрон Диод Шоттки Частота стабилитрона высокочастотный диод 8889
KIA78 * pI Реферат: транзистор КИА78 * п ТРАНЗИСТОР 2Н3904 хб * 9Д5Н20П хб9д0н90н КИД65004АФ МОП-транзистор хб * 2Д0Н60П KIA7812API Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2N2904E BC859 KDS135S 2N2906E BC860 KAC3301QN KDS160 2N3904 BCV71 KDB2151E KIA78 * pI транзистор KIA78 * р ТРАНЗИСТОР 2Н3904 хб * 9Д5Н20П khb9d0n90n KID65004AF Транзистор MOSFET хб * 2Д0Н60П KIA7812API
CTX12S Аннотация: SLA4038 fn651 SLA4037 sla1004 CTB-34D SAP17N ​​2SC5586 2SK1343 CTPG2F Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 CTX12S SLA4038 fn651 SLA4037 sla1004 CTB-34D SAP17N 2SC5586 2SK1343 CTPG2F
2SC5586 Реферат: транзистор 2SC5586, диод RU 3AM 2SA2003, СВЧ диод 2SC5487, однофазный мостовой выпрямитель ИМС с выходом 1A RG-2A Diode Dual MOSFET 606 2sc5287 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 2SC5586 транзистор 2SC5586 диод РУ 3АМ 2SA2003 диод СВЧ 2SC5487 однофазный мостовой выпрямитель IC с выходом 1A Диод РГ-2А Двойной полевой МОП-транзистор 606 2sc5287
2001 — диод РУ 3АМ Аннотация: диод RU 4B RG-2A Диод MN638S диод RU 4AM FMM-32 SPF0001 красный зеленый зеленый стабилитрон sta464c Diode RJ 4B Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF
Варистор RU Аннотация: Транзистор SE110N 2SC5487 SE090N 2SA2003 Транзистор высокого напряжения 2SC5586 SE090 RBV-406 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 Варистор РУ SE110N транзистор 2SC5487 SE090N 2SA2003 транзистор высокого напряжения 2SC5586 SE090 РБВ-406
fn651 Абстракция: CTB-34D 2SC5586 hvr-1×7 STR20012 sap17n 2sd2619 RBV-4156B SLA4037 2sk1343 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 fn651 CTB-34D 2SC5586 hvr-1×7 STR20012 sap17n 2sd2619 РБВ-4156Б SLA4037 2sk1343
1N4007 ЗЕНЕР ДИОД Аннотация: диод A14A диод st4 diac diode a15a стабилитрон db3 стабилитрон 1n4744 диод стабилитрон 1n4002 стабилитрон 5A стабилитрон 400в Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	1N4001 1N4002 1N4003 1N4004 1N4005 1N4006 1N4007 1N5400 1N5401 1N5402 1N4007 ЗЕНЕР ДИОД диод A14A диод st4 diac диод a15a стабилитрон db3 стабилитрон 1n4744 стабилитрон диодный 1н4002 стабилитрон 5А стабилитрон 400 в
хб * 9Д5Н20П Аннотация: Стабилитрон khb9d0n90n 6v транзистор khb * 2D0N60P KHB7D0N65F BC557 транзистор kia * 278R33PI KHB9D0N90N схема транзистора ktd998 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2N2904E BC859 KDS135S 2N2906E BC860 KAC3301QN KDS160 2N3904 BCV71 KDB2151E хб * 9Д5Н20П khb9d0n90n Стабилитрон 6в хб * 2Д0Н60П транзистор KHB7D0N65F BC557 транзистор kia * 278R33PI Схема КХБ9Д0Н90Н ktd998 транзистор
Q2N4401 Аннотация: D1N3940 Q2N2907A D1N1190 Q2SC1815 Q2N3055 D1N750 Q2N1132 D02CZ10 D1N751 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	RD91EB Q2N4401 D1N3940 Q2N2907A D1N1190 Q2SC1815 Q2N3055 D1N750 Q2N1132 D02CZ10 D1N751
2012 — SR506 Диод Аннотация: диод 6А 1000в SM4007 Diode Diode SR360 diode her307 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	SMD4001-4007) SR560 DO-27 UF4004 DO-41 UF4007 10A10 LL4148 FR101-FR107 SR506 Диод диод 6А 1000в SM4007 Диод Диод SR360 диод her307
2006 — термодиод Аннотация: Тепловой диод PowerPC970MP CY8C27243 PPC970MP PowerPC970MPTM PowerPC970MP PowerPC 970 PowerPC-970mp Использование тепловых диодов в процессоре PowerPC 970MP Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	PowerPC970MP® 64-битный PowerPC970MPTM 970 МП) 970 МП термодиод Тепловой диод PowerPC970MP CY8C27243 PPC970MP PowerPC970MPTM PowerPC970MP PowerPC 970 PowerPC-970mp Использование тепловых диодов в процессоре PowerPC 970MP
OZ Optics Пигтейл волокна AR покрытие Аннотация: Лазерный диод 1550нм 1300нм 1550нм лазерный диод Радиальный sma ОПТИЧЕСКОЕ ВОЛОКНО LDC-21A ЛАЗЕРНЫЙ ИЗМЕРИТЕЛЬ РАССТОЯНИЯ лазерный соединитель SMA 905 размеры волокна линза лазерный диод НАКЛОН ВРАЩАТЕЛЬ Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	-40 дБ OZ Optics Fiber пигтейл AR покрытие Лазерный диод 1550нм 1300нм Лазерный диод 1550 нм Радиальное sma ОПТИЧЕСКОЕ ВОЛОКНО LDC-21A ЛАЗЕРНЫЙ ИЗМЕРИТЕЛЬ РАССТОЯНИЯ лазерный соединитель Размеры волокна SMA 905 линза лазерный диод НАКЛОН ВРАТОРА
Германиевый диод Аннотация: 5-амперные диодные выпрямители Germanium Diode OA91 aa117 diode 2 Amp rectifier diode diode 2 Amp стабилитрон DIODE 1N649 германиевый выпрямительный диод OA95 диод Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	1N34A 1Н38А 1N60A 1N100A 1N270 1N276 1N277 1N456 1N459 1N456A Германиевый диод Диодные выпрямители на 5 ампер Германиевый диод OA91 aa117 диод Выпрямительный диод на 2 А диод 2-амперный стабилитрон ДИОД 1Н649 германиевый выпрямительный диод Диод OA95
диод Шоттки 60V 5A Аннотация: Высокоскоростной диод 30A Диод Шоттки 20V 5A Диод Шоттки высокого обратного напряжения маркировка код 1A диод Schottky Diode 40V 2A диод Шоттки код 10 Барьер Шоттки 3A БАРЬЕРНЫЙ ДИОД ШОТТКИ ERG81-004 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	5 В / 10 А) 500нс, диод шоттки 60V 5A 30А быстродействующий диод Диод Шоттки 20V 5A Диод Шоттки, высокое обратное напряжение код маркировки 1А диод Диод Шоттки 40V 2A диод шоттки код 10 Барьер Шоттки 3A БАРЬЕРНЫЙ ДИОД ШОТТКИ ERG81-004
Диод Ганна Аннотация: Кремниевый детектор СВЧ-диод DW9248 СВЧ-волновод Кремниевый детектор Маркони Ганна УВЧ диод варактор диодный фильтр варактор Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	DA1304 DA1307 DA1321 DA1321-1 DA1338 DA1338-1 DA1338-2 DA1338-3 DA1349-2 DA1349-4 Диод Ганна Кремниевый детекторный диод СВЧ DW9248 СВЧ волновод Маркони Гунн Кремниевый детектор УВЧ диод варакторный диодный фильтр варактор
pm2222a Аннотация: BCB47B SOD80C PHILIPS BF960 PMBTA64 1N4148 SOD80C PXTA14 BCB47BW pzt222a BF606A Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	BA582 OD123 BA482 BA682 BA683 BA483 BAL74 BAW62, 1N4148 pm2222a BCB47B SOD80C ФИЛИПС BF960 PMBTA64 1N4148 SOD80C PXTA14 BCB47BW pzt222a BF606A
схема сварки Реферат: многопереходный «солнечный элемент» EMCORE CIC Emcore солнечный дуговой реактор солнечного элемента Многопереходный диодный элемент Шоттки «солнечный элемент» Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF
2009 — 2850 тыс. Реферат: 2850MT 1200 RTV 2850FT RTV-615 1N6515 1N5550 диод из литого эпоксидного герметика с piv 40v Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	1N6515 1N5550 2850КТ 2850МТ 1200 RTV 2850FT РТВ-615 1N6515 1N5550 шотландская эпоксидная смола заливочный материал диод с шипом 40в
1998 — Стабилитрон 3в 400мВт Аннотация: транзистор bc548b BC107 транзистор транзистор bc108 bc547 схема перекрестных ссылок Транзистор BC109 DIAC OB3 DIAC Br100 74HCT Спецификация семейства IC TRANSISTOR mosfet BF998 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	DS750 87C750 80C51 PZ3032-12A44 БУК101-50ГС BUW12AF BU2520AF 16 кГц BY328 Стабилитрон 3в 400мВт транзистор bc548b BC107 транзистор ТРАНЗИСТОР BC108 bc547 таблица перекрестных ссылок Транзистор BC109 DIAC OB3 DIAC Br100 Спецификация семейства 74HCT IC ТРАНЗИСТОР MOSFET BF998
Фазовращатель УВЧ Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF

Купите ультрасовременный диод rg2 для своих нужд Бесплатный образец сейчас

О продуктах и ​​поставщиках:

 
 Выберите диод  rg2  из огромной коллекции на Alibaba.com. Вы можете купить массив из  rg2 diode , включая, помимо прочего, светодиод, микрофон, выпрямитель, лазер, стабилитрон, триггер, Шоттки, SMD, энергосберегающую диодную лампу. Вы можете выбрать диод  rg2  из широкого набора основных параметров, спецификаций и номиналов, которые подходят для ваших целей. 
 
  диод rg2  на Alibaba.com удобны в установке и использовании. Используемый пластик более высокого качества обеспечивает изоляцию, снижающую нагрев. Они доступны в кремнии и германии. Диод rg2  используется в различных отраслях промышленности для различных электрических функций и датчиков. Они используются в инверторах, светодиодах, автомобильной электронике, потребительских товарах, USB 2.0 и USB 3.0, HDMI 1.3 и HDMI 1.4, SIM-карте, мобильной одежде, беспроводной связи, автомобильном генераторе и лазерной эпиляции. Они используются в качестве выпрямителя, датчика освещенности, излучателя света, для рассеивания нагрузки и т. Д. Для диода  rg2  предлагается различная физическая упаковка, подходящая для монтажа на печатной плате, радиатора, проводного и поверхностного монтажа.
 
 Отличительными особенностями диода  rg2  являются толстая медная опорная пластина, низкая утечка, высокая токовая нагрузка, низкое прямое падение напряжения, легирование золотом, низкое сопротивление инкрементным перенапряжениям, отличная зажимная способность, быстрое время отклика и т. Д. Технические характеристики, предлагаемые для  rg2 Диод  обладает различными оптическими и электрическими характеристиками, такими как максимальная мощность, напряжение, оптический выход, время обратного восстановления, рабочая температура и т.д.Они соответствуют требованиям RoHS и IEEE 1394. 
 
 Получите лучшие предложения  rg2 diode  на Alibaba.com от различных поставщиков и оптовиков. Получите высококачественный диод  rg2  для требований вашего проекта. 
 
 

РЕЛЕ — Panasonic Electric Works CZ

ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ RG РЕЛЕ С КОНТАКТАМИ 1C И 2C RG — РЕЛЕ 25.984 19 .748 1 Форма C 10.4 .409 25 .984 23 .906 9.9 .390 • Отличные высокочастотные характеристики Изоляция: мин. 65 дБ (при 900 МГц) Вносимые потери: макс. 1,0 (при 900 МГц) • Широкий выбор Характеристическое сопротивление: тип 50 Ом и тип 75 Ом Катушка: односторонняя, стабильная и с фиксацией • Коммутационная способность 1 А 24 В постоянного тока • Герметичная конструкция для автоматической очистки • Высокая чувствительность 350 Вт (1 форма C) для малых размеров ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ Расположение контактов Материал контакта Начальное сопротивление контакта, макс. (При падении напряжения 6 В постоянного тока 1 А) Макс.коммутируемая мощность Макс. коммутируемое напряжение Макс. коммутируемый ток 1 Форма C, 2 Форма C Серебро с позолотой 100 мОм 24 Вт Номинальная мощность 24 В пост. тока (резистивная) 1 A Номинальная коммутационная способность 1 A 24 В пост. тока Высокочастотные характеристики (при 900 МГц) 50 Ом 75 Ом Изоляция Мин. 65 дБ Мин. 65 дБ Вносимые потери Макс. 1 дБ Макс. 1 дБ V.S.W.R. Максимум. 1,2 Макс. 2,0 Ожидаемый срок службы Механический 5 × 10 6 (мин. Операций) Электрический al 1 A 24 В постоянного тока 10 5 Катушка (поляризованная) (при 25 ° C, 68 ° F) 1 Форма C 2 Форма C Одиночная боковая стабилизация 350 мВт 400 мВт 1 катушка с фиксацией 175 мВт 200 мВт 2 с фиксацией катушки 350 мВт 400 мВт ТИПОВЫЕ ПРИМЕНЕНИЯ • Измерительный прибор • Испытательное оборудование • Преобразователь кабельного телевидения • Аудиовизуальное оборудование • Телевизионный игровой набор 2 Форма C мм дюйм Характеристики Начальное сопротивление изоляции * 1 Между разомкнутыми контактами Первоначальный пробой Между контактами и напряжением катушки * 2 Между контактами и клеммой заземления Время срабатывания * 3 (при номинальном напряжении) Время отпускания * 3 (при номинальном напряжении) (без диода) Установленное время * 3 (при номинальном напряжении) Время возврата * 3 (при номинальном напряжении) Повышение температуры (при 20 ° C) Устойчивость к ударам Устойчивость к вибрации Условия эксплуатации, транспортировки и хранения (без замерзания и конденсации при низкой температуре) Вес устройства Функциональный * 4 Разрушающий * 5 Функциональный * 6 Разрушающий Темп.Влажность 1 C тип 2 C тип Мин. 100 МОм при 500 В постоянного тока 1000 В (среднекв.) 2000 В (среднекв.) 500 В (среднекв.) Прибл. 10 мс Прибл. 5 мс Прибл. 7 мс Прибл. 7 мс Макс. 55 ° C при номинальном напряжении катушки на катушке и номинальной коммутационной способности Мин. 196 м / с 2 {20 G} Мин. 980 м / с 2 {100 G} от 10 до 55 Гц при двойной амплитуде 2 мм от 10 до 55 Гц при двойной амплитуде 2 мм от –50 ° C до 60 ° C от –58 ° F до 140 ° F от 5 до 85% относительной влажности. Прибл. 8 г. 282 унции Прибл. 10 г 0,353 унции Примечания * Технические характеристики могут отличаться в зависимости от рейтингов сертификации по иностранным стандартам.* 1 Измерение в том же месте, что и в разделе «Начальное напряжение пробоя» * 2 Ток обнаружения: 10 мА * 3 Без учета времени дребезга контакта * 4 Полуволновой импульс синусоидальной волны: 11 мс; время обнаружения: 10 мкс * 5 Полуволновой синусоидальный импульс: 6 мс * 6 Время обнаружения: 10 мкс ИНФОРМАЦИЯ ДЛЯ ЗАКАЗА Пример. RG 1 TL 5V Расположение контактов Характеристическое сопротивление Рабочая функция Напряжение катушки 1: 1 Форма C 2: 2 Форма C Нет: 75 Ом T: 50 Ом Нет: Одностороннее Нет: стабильно L: 1 катушка с фиксацией L2 : 2 катушки с фиксацией постоянного тока: 3, 5, 6, 9, 12, 24, 48 В Примечание: Стандартная упаковка; Коробка: 50 шт.Кейс 500 шт. 1

Стереоспецифичность эпимеров гинсенозида Rg2 в защитном ответе против окислительного стресса, вызванного УФ-излучением, в эпидермальных кератиноцитах человека

https://doi.org/10.1016/j.jphotobiol.2016.10.034 Получить права и содержание

Основные моменты

•

Стереоспецифические подавляющие эффекты эпимеров Rg2 на УФ-В-индуцированные АФК

•

Стереоспецифические подавляющие эффекты эпимеров Rg2 на УФ-В-индуцированные proMMP-2.

•

Стереоспецифические регулирующие эффекты эпимеров Rg2 на GSH и SOD, сниженные УФ-B.

•

Предложен стереоселективный потенциал антифотостарения кожи 20 ( S ) -Rg2.

Реферат

Женьшень, относящийся к сушеным корням женьшеня Panax C.A. Мейера, издавна известна как традиционная фольклорная медицина в странах Восточной Азии. В последние годы он завоевывает мировую популярность в качестве диетической растительной добавки.Гинзенозиды — это биоактивные ингредиенты, которые отвечают за большую часть фармакологической эффективности женьшеня. Гинсенозид Rg2 (Rg2), один из минорных гинзенозидов протопанаксатриола (PPT) -типа, существует в двух эпимерных формах: 20 ( S ) -гинсенозид Rg2 [20 ( S ) -Rg2] и 20 ( R ) — гинсенозид Rg2 [20 ( R ) -Rg2]. Эта работа была предпринята для оценки и сравнения их свойств против фотостарения кожи. Когда их наносили на кератиноциты HaCaT перед облучением, 20 ( S ) -Rg2 мог только ослабить вызванное УФ-B повышение внутриклеточных активных форм кислорода (ROS), которое было обнаружено с помощью трех флуоресцентных красителей ROS, таких как 2 ‘, 7’-дихлородигидрофлуоресцеина диацетат, дигидроэтидий и дигидрородамин 123.20 ( S ) -Rg2, но не 20 ( R ) -Rg2, значительно ослабляли желатинолитическую активность и уровни белка, индуцированные УФ-В-металлом проматрикс-металлопротеиназы-2 (проММП-2). Аналогично, 20 ( S ) -Rg2 только увеличивал уровни активности общего глутатиона (GSH) и супероксиддисмутазы (SOD), сниженного УФ-В, в зависимости от концентрации. Ни один из двух эпимеров Rg2 не был цитотоксичным для кератиноцитов HaCaT, независимо от облучения УФ-В. Взятые вместе, из двух эпимеров Rg2, 20 ( S ) -Rg2 обладает только стереоспецифическими защитными свойствами против УФ-В-индуцированного фотостарения кожи в кератиноцитах HaCaT.

Ключевые слова

Гинзенозид Rg2

УФ-В излучение

Активные формы кислорода

Глутатион

Супероксиддисмутаза

Рекомендуемые статьи Цитирующие статьи (0)

Полный текст

© 2016 Elsevier B.V. Все права защищены.

Рекомендуемые статьи

Ссылки на статьи

rg2-l2-48v datasheet (1/7 страницы) NAIS | ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ РЕЛЕ RG С КОНТАКТАМИ 1С И 2С

105

Расположение

Контакт

Катушка (поляризованная) (при 25

° C, 68 ° F)

1 Форма C

2 Форма C

стабильный

350 мВт

400 мВт

1 катушка с фиксацией

175 мВт

200 мВт

2 катушки с фиксацией

350 мВт

400 мВт

1 Form C, 2 Form C

Начальное контактное сопротивление, макс.

(по падению напряжения 6 В пост. Тока, 1 А)

Высокочастотные характеристики

(при 900 МГц)

Серебро с позолотой

100 м

Ом

24 Вт

24 В пост. Тока

1 A

1 A 24 В постоянного тока

5

× 106

105

Мин. 65 дБ

Мин. 65 дБ

75

Ом

50

Ом

Макс. 1 дБ

Макс. 1 дБ

Макс. 1,2

Изоляция

Вносимые потери

В.S.W.R.

Макс. 2,0

Начальное сопротивление изоляции * 1

Ударопрочность

Устойчивость к вибрации

Масса устройства

Окружающая среда

темп.

Влажность

От 5 до 85% относительной влажности.

Характеристики

Мин. 100 M

Ом при 500 В пост. Тока

Время срабатывания * 3 (при номинальном напряжении)

Прибл. 10 мс

Время срабатывания * 3 (при номинальном напряжении) (без диода)

Повышение температуры (при 20

° C)

Прибл.5 мс

Установленное время * 3 (при номинальном напряжении)

Прибл. 7 мс

Время возврата * 3 (при номинальном напряжении)

Прибл. 7 мс

Макс. 55

° C при номинальном напряжении катушки

на катушке и номинальной коммутационной способности

Функционально * 4

Разрушающе * 5

Функционально * 6

1 C типа

2 C типа

Прибл. 8 г. 282 унции

Прибл. 10 г 0,353 унции

Разрушающая

Мин.196 м / с2 {20 G}

Мин. 980 м / с2 {100 G}

от 10 до 55 Гц

при двойной амплитуде 2 мм

от 10 до 55 Гц

при двойной амплитуде 2 мм

–50

от

до 60 ° C

–58

от

° F до 140 ° F

Номинальное значение

(резистивное)

Макс. коммутируемая мощность

Макс. коммутируемое напряжение

Макс. коммутируемый ток

Номинальная коммутационная способность

Начальная

пробой

напряжение * 2

Между разомкнутыми контактами

Между контактами и катушкой

Между контактами и

клеммой заземления

1000 В среднекв.

Ожидаемый срок службы

(мин.операций)

Механический

Электрический 1 A 24 В постоянного тока

Условия эксплуатации,

транспортировка и хранение

(без замораживания и конденсации —

при низкой температуре)

Примечания

* Технические характеристики могут отличаться от зарубежных рейтинги сертификации стандартов.

*

1 Измерение в том же месте, что и в разделе «Начальное напряжение пробоя»

*

2 Ток обнаружения: 10 мА

*

3 Без учета времени дребезга контактов

*

4 Полуволновой импульс синусоидальной волны : 11 мс; время обнаружения: 10

мкс

*

5 Полуволновой импульс синусоидальной волны: 6 мс

*

6 Время обнаружения: 10

мкс

ВЫСОКОЧАСТОТА

И

RG RELAYS

CONTACC 1

RG-РЕЛЕ

19

.748

10,4

.409

25

.984

1 Форма C

23

.906

9.9

.390

25

.984

мм

1T

L

5V

Пр. RG

Расположение контактов

Характеристическое сопротивление

Рабочая функция

Напряжение катушки

1: 1 Форма C

2: 2 Форма C

Примечание: Стандартная упаковка; Коробка: 50 шт.Кейс 500 шт.

Нет: 75

Ом

T: 50

Ом

Нет: односторонний

Нет: стабильный

L: 1 с фиксацией катушки

L2: 2 с фиксацией катушки

DC: 3, 5, 6 ,

9, 12, 24,

48 В

ТИПОВЫЕ ПРИМЕНЕНИЯ

• Измерительный прибор

• Контрольно-измерительное оборудование

• Преобразователь кабельного телевидения

• Аудиовизуальное оборудование

• Телевизор

ИНФОРМАЦИЯ ДЛЯ ЗАКАЗА

• Отличные высокочастотные характеристики

Изоляция: Мин.65 дБ (при 900 МГц)

Вносимые потери: макс. 1,0 (при 900 МГц)

• Широкий выбор

Характеристическое сопротивление: 50

Ом и 75 Ом

Катушка: односторонняя стабильная и с фиксацией

• Коммутационная способность 1 А 24 В постоянного тока

• Герметичная конструкция для автоматической очистки

• Высокая чувствительность 350 Вт (1 форма C) в небольшом размере

ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

Заявка на патент США на ТРАНЗИСТОРНЫЙ ЭЛЕМЕНТ И ПОЛУПРОВОДНИК Заявка на патент (Заявка № 20170062412 от 2 марта 2017 г.)

Уровень техники

Область

Настоящее изобретение относится к транзисторному элементу и полупроводниковому устройству.

Предпосылки

МОП-транзисторы и IGBT, имеющие структуру с изолированным затвором, широко используются в качестве переключающих транзисторных элементов (см., Например, выложенный патент Японии № 2000-179440). Например, что касается одной конфигурации схемы переключения, использование таких транзисторных элементов включает, помимо простого использования одного единственного транзисторного элемента, использование транзисторных элементов различных характеристик (типов), соединенных параллельно друг с другом, так что их характеристики дополняют друг друга с целью получения улучшенных характеристик.

В случае, когда транзисторные элементы различных характеристик (типов), имеющие структуру типа изолированного затвора (например, элементы SJMOS / SiC-MOS и Si-IGBT), подключены параллельно друг другу, сопротивления затвора подключаются для цель настройки характеристик переключения каждого транзисторного элемента. Сопротивления затвора могут быть внешними сопротивлениями, подключенными извне к транзисторным элементам (микросхемам) (см., Например, выложенный патент Японии № 2000-179440). Однако стоимость и пространство для обеспечения сопротивлений затвора можно уменьшить, если сопротивления затвора встроены в элементы транзистора, тем самым делая ненужными внешние сопротивления.

Однако в случае, когда значения сопротивления затвора изменяются в обычном полупроводниковом устройстве, имеющем сопротивления затвора, соответственно встроенные в транзисторные элементы, возникает необходимость в новой разработке транзисторных элементов для всех тех, которые подключены параллельно друг другу.

СУЩНОСТЬ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Ввиду вышеописанной проблемы задачей настоящего изобретения является создание транзисторного элемента и полупроводникового устройства, способных снизить стоимость производства полупроводникового устройства за счет сокращения времени разработки.

Согласно настоящему изобретению транзисторный элемент включает в себя: первую полупроводниковую подложку, на которой сформирована первая область ячейки транзистора; площадку первого электрода затвора, сформированную на первой полупроводниковой подложке и подключенную к затвору в области первой транзисторной ячейки; площадку релейного электрода, сформированную на первой полупроводниковой подложке; и сопротивление затвора, сформированное на первой полупроводниковой подложке и подключенное между площадкой первого электрода затвора и площадкой релейного электрода.

В настоящем изобретении транзисторный элемент включает сопротивление затвора для другого транзисторного элемента, подключенного параллельно транзисторному элементу. Следовательно, в качестве другого транзисторного элемента можно использовать обычный транзисторный элемент, уменьшая, таким образом, количество точек изменения микросхемы, сопровождающих изменение сопротивления затвора. Следовательно, время разработки полупроводникового устройства может быть сокращено, а стоимость производства может быть уменьшена.

Другие и дополнительные объекты, особенности и преимущества изобретения будут более полно раскрыты из следующего описания.

КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ЧЕРТЕЖЕЙ

РИС. 1 представляет собой схему, схематически показывающую полупроводниковое устройство согласно первому варианту осуществления настоящего изобретения.

РИС. 2 — схема, схематически показывающая конкретный пример первого транзисторного элемента согласно первому варианту осуществления настоящего изобретения.

РИС. 3 — схема, схематично показывающая полупроводниковое устройство согласно сравнительному примеру.

РИС. 4 — вид в разрезе первого транзисторного элемента согласно второму варианту осуществления настоящего изобретения.

РИС. 5-7 — виды в разрезе первого транзисторного элемента согласно третьему варианту осуществления настоящего изобретения.

РИС. 8 и 9 — виды в разрезе первого транзисторного элемента согласно четвертому варианту осуществления настоящего изобретения.

РИС. 10 — схема, схематически показывающая первый транзисторный элемент согласно пятому варианту осуществления настоящего изобретения.

РИС. 11 — схема, схематически показывающая первый транзисторный элемент согласно шестому варианту осуществления настоящего изобретения.

РИС. 12 — вид в разрезе первого транзисторного элемента согласно седьмому варианту осуществления настоящего изобретения.

РИС. 13 и 14 — схемы, схематически показывающие полупроводниковое устройство согласно восьмому варианту осуществления настоящего изобретения.

РИС. 15 — схема, схематически показывающая конкретный пример первого транзисторного элемента согласно девятому варианту осуществления настоящего изобретения.

РИС. 16 — вид в разрезе первого транзисторного элемента согласно десятому варианту осуществления настоящего изобретения.

РИС. 17 — схема, схематично показывающая первый транзисторный элемент согласно десятому варианту осуществления настоящего изобретения.

РИС. 18 — вид в разрезе первого транзисторного элемента согласно одиннадцатому варианту осуществления настоящего изобретения.

РИС. 19 — схема, схематично показывающая первый транзисторный элемент согласно одиннадцатому варианту осуществления настоящего изобретения.

ОПИСАНИЕ ВАРИАНТОВ ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ

Транзисторный элемент и полупроводниковое устройство согласно вариантам осуществления настоящего изобретения будут описаны со ссылкой на чертежи.Одинаковые компоненты будут обозначены одними и теми же символами, и их повторное описание может быть опущено.

Первый вариант осуществления

Фиг. 1 представляет собой схему, схематически показывающую полупроводниковое устройство согласно первому варианту осуществления настоящего изобретения. Полупроводниковое устройство , 100, имеет первый транзисторный элемент 1 и второй транзисторный элемент 4 , подключенные параллельно друг другу, и элемент управления затвором (IC) 7 .Эти элементы представляют собой отдельные друг от друга микросхемы. Первый транзисторный элемент 1 имеет первую полупроводниковую подложку 2 , на которой сформирована область первой транзисторной ячейки. Область ячеек транзистора представляет собой область, отличную от области выводов и участка разводки затвора, и определена, в основном, как имеющая множество расположенных в ней транзисторных ячеек. Площадка G 1 первого электрода затвора сформирована на первой полупроводниковой подложке 2 и электрически соединена с затвором в первой области ячейки транзистора.Первый эмиттерный электрод E 1 сформирован на первой полупроводниковой подложке 2 и соединен с эмиттером в первой области ячейки транзистора.

Сопротивление затвора RG 1 подключено между площадкой G 1 первого электрода затвора и затвором в области первого транзисторного элемента. Скорость переключения самого первого транзисторного элемента 1 можно регулировать с помощью сопротивления затвора RG 1 . Таким образом, скорость переключения может быть уменьшена путем увеличения значения сопротивления, чтобы предотвратить пробой из-за скачков напряжения и т.п. из-за высокого dv / dt или явления колебаний во время переключения.Сопротивление затвора RG 1 может составлять 0 Ом, то есть сопротивление затвора RG 1 может не обеспечиваться.

Площадка релейного электрода 3 сформирована на первой полупроводниковой подложке 2 . Сопротивление затвора RG 2 сформировано на первой полупроводниковой подложке 2 и подключено между площадкой G 1 первого электрода затвора и площадкой 3 релейного электрода.

Второй транзисторный элемент 4 имеет вторую полупроводниковую подложку 5 , на которой сформирована область второй транзисторной ячейки.Первый транзисторный элемент 1 и второй транзисторный элемент 4 имеют общую структуру с изолированным затвором, но их характеристики отличаются друг от друга. Площадка второго электрода затвора G 2 сформирована на второй полупроводниковой подложке 5 и электрически соединена с затвором в области второй транзисторной ячейки. Второй эмиттерный электрод E 2 сформирован на второй полупроводниковой подложке 5 и соединен с эмиттером в области второй транзисторной ячейки.Сопротивление затвора RG 0 указывает часть проводки, которая соединяет площадку второго электрода затвора G 2 и затвор в области второй транзисторной ячейки друг с другом, и представляет состояние, при котором в этом случае не формируется второе сопротивление затвора. (RG 0 = 0 Ом). Провод 6 соединяет площадку 3 релейного электрода первого транзисторного элемента 1 и площадку второго электрода затвора G 2 второго транзисторного элемента 4 друг с другом.Проволока 6 — это тонкая проволока, сделанная, например, из золота (Au) или алюминия (Al). Коллекторные электроды (не показаны) сформированы на тыльных поверхностях первой и второй полупроводниковых подложек 2 и 5 .

Сигнал затвора от элемента управления затвором 7 подается на контактную площадку G 1 первого транзисторного элемента 1 первого транзисторного элемента 1 через провод 8 . Сигнал затвора вводится в первый транзисторный элемент 1 , а также вводится во второй транзисторный элемент 4 через сопротивление затвора RG 2 , встроенное в первый транзисторный элемент 1 .Следовательно, значение сопротивления затвора, то есть скорость переключения, второго транзисторного элемента 4 может регулироваться с помощью сопротивления затвора RG 2 , встроенного в первый транзисторный элемент 1 .

РИС. 2 — схема, схематически показывающая конкретный пример первого транзисторного элемента согласно первому варианту осуществления настоящего изобретения. Площадка E 1 первого эмиттерного электрода, которая сформирована из металлического материала, такого как AlSi, и которая находится на поверхности первого транзисторного элемента 1 , обозначена пунктирной линией на фиг.2 для удобства. Множество траншейных затворов 1, , и сформировано в первой области транзисторной ячейки в первом транзисторном элементе 1 , а клеммная область 1 b сформирована вокруг первой области транзисторной ячейки. Затворы траншеи 1 a соединены с площадкой первого электрода затвора G 1 через проводку затвора 1 c . Сопротивление затвора RG 1 формируется в промежуточном положении в проводке затвора 1 c .Следовательно, сопротивление затвора RG 1 функционирует как встроенное сопротивление затвора, включенное в первый транзисторный элемент 1 . Сопротивление затвора RG 2 сформировано в промежуточном положении в проводке затвора, соединяющей площадку электрода затвора G 1 и площадку релейного электрода 3 в первом транзисторном элементе 1 , и подключено ко второму транзисторному элементу. 4 через площадку релейного электрода 3 .Следовательно, сопротивление затвора RG 2 функционирует не как сопротивление затвора для первого транзисторного элемента 1 , а как сопротивление затвора для второго транзисторного элемента 4 . Площадка 3 релейного электрода соединена с площадкой G 2 электрода затвора второго транзисторного элемента 4 через провод 6 . Каждая из контактных площадок G 1 и релейных электродов 3 сформирована из металлического материала, такого как AlSi, в то время как каждая из проводов затвора 1 c и сопротивлений затвора RG 1 и RG 2 состоит из поликремния.Однако материалы электродных площадок, проводки затвора и сопротивления затвора этим не ограничиваются.

Преимущества настоящего варианта осуществления будут описаны в сравнении со сравнительным примером. ИНЖИР. 3 — схема, схематично показывающая полупроводниковое устройство согласно сравнительному примеру. В полупроводниковом устройстве 100 ′ согласно сравнительному примеру транзисторные элементы 1 ′ и 4 ′, соединенные параллельно друг другу, содержат сопротивления затвора RG 1 и RG 2 соответственно.Сигнал затвора от элемента управления затвором 7 подается на контактные площадки электродов затвора G 1 и G 2 первого и второго транзисторных элементов 1 ′ и 4 ′ по проводам 8 и . 9 .

С другой стороны, в настоящем варианте осуществления первый транзисторный элемент 1 включает в себя сопротивление затвора RG 2 для второго транзисторного элемента 4 , подключенного параллельно первому транзисторному элементу 1 , а также сопротивление затвора RG 1 для первого элемента транзистора 1 .Когда возникает необходимость в изменении сопротивления затвора при регулировке, изменении или подобном изменении скорости переключения, достаточно изменить только первый транзисторный элемент 1 , и обычный транзисторный элемент может использоваться в качестве второго транзисторного элемента 4 , таким образом уменьшение количества точек изменения микросхемы, сопровождающих изменение сопротивления затвора. Следовательно, время разработки полупроводникового устройства может быть сокращено, а стоимость производства может быть уменьшена.В частности, сопротивление затвора RG 2 , используемое для дорогостоящего второго транзисторного элемента 4 , встроено в дешевый первый транзисторный элемент 1 , тем самым устраняя необходимость замены дорогостоящего второго транзисторного элемента . 4 , избегая при этом увеличения причин возникновения дефектов, сопровождающих добавление процесса. Таким образом, стоимость изготовления может быть снижена.

Второй транзисторный элемент 4 отличается по характеристикам (по классу выдерживаемого напряжения) от первого транзисторного элемента 1 .Биполярный элемент, такой как IGBT, может быть разрушен при выходе из строя, в зависимости от конструкции. Следовательно, униполярный элемент, который может быть лавинно-стойким, и биполярный элемент, имеющий выдерживаемое напряжение выше, чем у униполярного элемента, могут быть объединены для предотвращения разрушения элемента, вызванного пробоем из-за перенапряжения. Более конкретно, MOSFET, который может быть лавинно-защищенным, и IGBT с классом выдерживаемого напряжения выше, чем у MOSFET, могут быть объединены, так что MOSFET сначала выходит из строя, чтобы предотвратить пробой IGBT из-за перенапряжения.

Например, в случае, когда Si-IGBT и SiC-MOSFET с одинаковым номинальным током подключены параллельно друг другу в качестве первого и второго транзисторных элементов 1 и 4 , возникает проблема: если сопротивление затвора не предусмотрено, весь ток концентрируется на стороне SiC-MOSFET во время переключения, потому что SiC-MOSFET имеет более высокую скорость, чем Si-IGBT как на стороне, так и на стороне выключения. Чтобы избежать этой проблемы, необходимо подключить сопротивление затвора к SiC-MOSFET так, чтобы скорость переключения MOSFET была уменьшена, а частичные токовые нагрузки на Si-IGBT и SiC-MOSFET во время переходного периода переключения были оптимизированы, тем самым предотвращая разрушение элемента. вызвано концентрацией тока на SiC-MOSFET.

В традиционной технике сопротивление затвора встроено в каждый из элементов (микросхем) Si-IGBT и SiC-MOSFET. Однако цена SiC-MOSFET за единицу микросхемы высока. Стоимость изготовления может быть снижена за счет включения в Si-IGBT сопротивления затвора, используемого для Si-MOSFET, как в настоящем варианте осуществления.

Второй вариант осуществления

Фиг. 4 — вид в разрезе первого транзисторного элемента согласно второму варианту осуществления настоящего изобретения. Многослойная оксидная пленка 11 обеспечивается на первой полупроводниковой подложке 2 , которая является подложкой Si.Поликремний 12 для формирования сопротивления затвора RG 2 обеспечивается в оксидной пленке 11 путем введения (добавления) примеси. На оксидной пленке 11 нанесены алюминиевые электроды 13 . Электроды из поликремния 12 и Al 13 соединены друг с другом через контактные отверстия 14 .

Поликремний 12 для формирования сопротивления затвора RG 2 формируется путем ионной имплантации примеси в нелегированный поликремний, как и встроенное сопротивление затвора в традиционной технике.Величину сопротивления затвора можно легко отрегулировать по количеству имплантации примеси в нелегированный поликремний.

Третий вариант осуществления

Фиг. 5-7 — виды в разрезе первого транзисторного элемента согласно третьему варианту осуществления настоящего изобретения. В то время как поликремний 12 во втором варианте осуществления образован ионной имплантацией примеси в нелегированный поликремний, в настоящем варианте осуществления используется легированный поликремний.

Поликремний 15 для формирования сопротивления затвора RG 2 выполнен с использованием легированного поликремния, как и существующие внутренние сопротивления.То есть поликремний 15 легирован примесью во время осаждения, чтобы создать (установить) значение сопротивления, например, с помощью маски для контактных отверстий между проводкой затвора или алюминиевой проводкой. Таким образом, последовательность этапов процесса (обработка фотогравированием, ионная имплантация) для формирования сопротивления затвора RG 2 из нелегированного поликремния может быть опущена. В некоторых случаях этап диффузии также можно пропустить.

Значение сопротивления затвора RG 2 можно отрегулировать с помощью расчетного размера маски для поликремния 15 .В качестве альтернативы значение сопротивления затвора можно регулировать, изменяя положения контактов между алюминиевыми электродами , 13, на поверхности и поликремнием 15 , то есть расстояние между контактами, например, от положения, показанного на фиг. 6 в положение, показанное на фиг. 7. Эти методы регулировки значения сопротивления также могут быть применены ко второму варианту осуществления. Однако в случае использования этого способа во втором варианте осуществления необходимо изменить маску для формирования алюминиевых электродов 13 и маску для формирования контактных отверстий 14 .

Четвертый вариант осуществления

ФИГ. 8 и 9 — виды в разрезе первого транзисторного элемента согласно четвертому варианту осуществления настоящего изобретения. Сопротивление затвора RG 2 имеет множество сопротивлений RG 2 a , RG 2 b и RG 2 c , отделенных друг от друга и сделанных из поликремния, алюминиевые электроды 13 которые соединяют множество сопротивлений RG 2 a , RG 2 b и RG 2 c друг к другу и контактные отверстия 14 .Поликремний для каждого из множества сопротивлений RG 2 a , RG 2 b и RG 2 c представляет собой нелегированный поликремний с примесью согласно второму варианту осуществления или легированный поликремний согласно третьему варианту.

Как можно понять из сравнения фиг. 8 и 9, значение сопротивления затвора можно регулировать посредством положений контакта алюминиевых электродов 13 на поверхности с множеством сопротивлений RG 2 a , RG 2 b , и RG 2 c .В этом случае значение сопротивления в устройстве, показанном на фиг. 9 меньше, чем в устройстве, показанном на фиг. 8. Величину сопротивления можно легко изменить только путем изменения масок для алюминиевых электродов 13 и других частей, сформированных после алюминиевых электродов 13 . Кроме того, количество масок, которые необходимо изменить во время регулировки значения сопротивления, может быть уменьшено. В результате время изготовления маски может быть сокращено, а стоимость изготовления может быть снижена.

Пятый вариант осуществления

Фиг. 10 — схема, схематически показывающая первый транзисторный элемент согласно пятому варианту осуществления настоящего изобретения. Сопротивление затвора RG 2 формируется с использованием алюминиевых электродов 13 , расположенных на поверхности кристалла. Таким образом, последовательность этапов процесса (обработка фотогравированием, ионная имплантация, диффузия) для формирования сопротивления с использованием поликремния может быть опущена. Значение сопротивления затвора можно регулировать с помощью конструктивного размера маски для алюминиевых электродов 13 .

Шестой вариант осуществления

Фиг. 11 — схема, схематически показывающая первый транзисторный элемент согласно шестому варианту осуществления настоящего изобретения. Сопротивление затвора RG 2 имеет множество алюминиевых электродов 13 a, 13 b , соединенных параллельно друг другу. Даже после завершения процесса изготовления пластины значение сопротивления затвора можно отрегулировать, отрезав один из алюминиевых электродов 13 a , 13 b с помощью внешнего инструмента.

Седьмой вариант осуществления

Фиг. 12 — вид в разрезе первого транзисторного элемента согласно седьмому варианту осуществления настоящего изобретения. Изолирующая пленка 16 сформирована на алюминиевых электродах , 13, в области первой транзисторной ячейки первого транзисторного элемента 1 . Накладка релейного электрода 3 из алюминия и сопротивление затвора RG 2 расположены на изолирующей пленке 16 . Уменьшения эффективной площади можно избежать, располагая алюминиевые электроды на поверхности в виде двухслойной структуры и располагая контактную площадку 3 релейного электрода и сопротивление затвора RG 2 в области ячейки, как описано выше.

Восьмой вариант осуществления

Фиг. 13 и 14 — схемы, схематически показывающие полупроводниковое устройство согласно восьмому варианту осуществления настоящего изобретения. Имеется группа контактных площадок 3 , включающая множество контактных площадок 3 a, 3 b, и 3 c , соединенных последовательно друг с другом, а сопротивления Ra и Rb равны соединены между множеством электродных площадок 3 a, 3 b, и 3 c соответственно.Как можно понять из сравнения фиг. 13 и 14, значение сопротивления затвора можно легко изменить, изменив соединение провода 6 с одной из множества электродных площадок 3 a, 3 b, и 3 c . В результате можно сократить время подготовки маски и снизить стоимость производства.

Девятый вариант осуществления

Фиг. 15 — схема, схематически показывающая конкретный пример первого транзисторного элемента согласно девятому варианту осуществления настоящего изобретения.Контактная площадка релейного электрода 3 и сопротивление затвора RG 2 , подключенные к контактной площадке G 2 электрода затвора второго транзисторного элемента 4 , расположены в области, отличной от области транзисторной ячейки первого транзисторного элемента . 1 . Клемма реле 1 d , подключенная к сопротивлению затвора RG 2 , соединена с площадкой электрода затвора G 1 первого транзисторного элемента 1 проводом 1 e .Таким образом, можно избежать уменьшения эффективной площади области ячейки транзистора, вызванного формированием контактной площадки 3 релейного электрода и сопротивления затвора RG 2 .

Десятый вариант осуществления

Фиг. 16 — вид в разрезе первого транзисторного элемента согласно десятому варианту осуществления настоящего изобретения. Диод D 1 сформирован на первой полупроводниковой подложке 2 . Диод D 1 образован из легированного поликремния p-типа 15 a и легированного поликремния n-типа 15 b. Диод D 1 подключен между площадкой G 1 первого электрода затвора и площадкой 3 релейного электрода, что позволяет регулировать напряжение затвора, приложенное ко второму транзисторному элементу 4 .

РИС. 17 — схема, схематично показывающая первый транзисторный элемент согласно десятому варианту осуществления настоящего изобретения. Диод D 1 включен параллельно с сопротивлением затвора RG 2 , что позволяет использовать диод D 1 для управления при выключенном транзисторном элементе.

Одиннадцатый вариант осуществления

Фиг. 18 — вид в разрезе первого транзисторного элемента согласно одиннадцатому варианту осуществления настоящего изобретения. Диод D 1 включен последовательно с сопротивлением затвора RG 2 . Таким образом, когда транзисторные элементы, различающиеся по выдерживаемой способности затвора, соединены параллельно друг с другом, соединение со вторыми транзисторными элементами 4 с более низкой выдерживаемой способностью затвора осуществляется через диод D 1 для уменьшения напряжения, приложенного к затвору. , что позволяет снять напряжение затвора.

РИС. 19 — схема, схематично показывающая первый транзисторный элемент согласно одиннадцатому варианту осуществления настоящего изобретения. Сопротивление затвора RG 2 включает в себя сопротивления первого и второго затвора RG 2 a и RG 2 b , соединенные параллельно друг другу. Диоды D 1 и D 2 имеют обратное параллельное соединение друг с другом и последовательно соединены с первым и вторым сопротивлениями затвора RG 2 a и RG 2 b соответственно.При такой компоновке значения сопротивления затвора во время двухпозиционных операций второго транзисторного элемента 4 могут индивидуально регулироваться для регулировки частичных токовых нагрузок во время переходного периода переключения.

Хотя вышеупомянутые варианты осуществления были описаны в отношении двух параллельных элементов, настоящее изобретение также может быть применено аналогичным образом к полупроводниковым устройствам, имеющим три или более транзисторных элемента, соединенных параллельно друг другу.Применение настоящего изобретения может быть выполнено при увеличении номинального тока за счет увеличения количества параллельных элементов на высокоскоростной или низкоскоростной стороне (обеспечивая, например, один элемент MOS и два элемента IGBT) в соответствии с Концепция дизайна.

Первый и второй транзисторные элементы 1 и 4 не ограничиваются элементами, сформированными из кремния. Элементы могут быть сформированы из широкозонного полупроводника, имеющего большую ширину запрещенной зоны, чем у кремния.Полупроводник с широкой запрещенной зоной представляет собой, например, карбид кремния, материал на основе нитрида галлия или алмаз. Силовые полупроводниковые элементы, сформированные из такого широкозонного полупроводника, имеют высокое выдерживаемое напряжение и высокую допустимую плотность тока и поэтому могут быть выполнены меньшего размера. Если полупроводниковый модуль сформирован путем включения элементов, сделанных меньшего размера, полупроводниковый модуль также может быть сделан меньшего размера. Кроме того, поскольку термостойкость элементов высока, теплоизлучающие ребра радиатора для полупроводникового модуля могут быть уменьшены в размерах, а часть водяного охлаждения может быть заменена частью воздушного охлаждения, что позволяет дополнительно укрепить полупроводниковый модуль. уменьшен в размерах.Кроме того, поскольку элементы имеют низкие потери мощности и высокий КПД, эффективность полупроводникового модуля может быть повышена. Желательно, чтобы и первый, и второй транзисторные элементы 1 и 4 были сформированы из полупроводника с широкой запрещенной зоной. Однако только один из первого и второго транзисторных элементов 1 и 4 может быть сформирован из полупроводника с широкой запрещенной зоной. В таком случае также могут быть получены преимущества, описанные в вариантах осуществления.

Очевидно, что в свете изложенного выше возможны многие модификации и варианты настоящего изобретения.Следовательно, следует понимать, что в рамках прилагаемой формулы изобретения изобретение может быть реализовано иначе, чем конкретно описано.

Полное раскрытие заявки на патент Японии № 2015-165964, поданной 25 августа 2015 г., включая описание, формулу изобретения, чертежи и резюме, на которых основан приоритет настоящей заявки согласно Конвенции, включено сюда посредством ссылки в ее целостность.