Транзистор IRFZ44N: характеристики, datasheet, аналоги, распиновка

Как пишут производители в технических характеристиках на IRFZ44N, этот МОП-транзистор построен на кремниевой основе и имеет индуцированный n-канал и изолированный затвор. Его рекомендуется использовать в низковольтных блоках питания, стабилизаторах и схемах управления электрическими двигателями. Отличается низкой скоростью переключения.

Цоколевка

IRFZ44N изготавливается в корпусе ТО-220. Данный корпус является стандартным для транзисторов мощностью до 50 Вт. Самая левая ножка является затвором, посередине расположен сток, а справа исток. Увидеть расположение ножек можно на рисунке.

Технические характеристики

Производители, чаще всего, помещают максимально допустимые значения в начале своей технической документации. В них приведены предельные режимы эксплуатации, превышение которых приведёт к выхожу прибора из строя. Тестирование проводится при температуре +25°С.

Приведём характеристики для IRFZ44N:

• длительный ток стока
• при температуре +25°С Ic max = 49 А;
• при температуре +100°С Ic max = 35 А.
• кратковременный ток стока Icи max = 35 А;
• мощность Рс max = 94 Вт;
• линейный к-т снижения мощности 0,63 Вт/°С;
• напряжение насыщения З – И Uзи = ±20 В;
• лавинный ток Iл = 25 А;
• пиковое диодное восстановление dv/dt = 5 В/нс;
• температура кристалла Тj = 175°С;
• рабочая температура Tamb = от -55 до +175°С;
• температура хранения Tstg = от -55 до +175°С;
• тепловое сопротивление кристалл корпус RθJC = 1,4 °С/Вт;
• тепловое сопротивление кристалл радиатор RθCS = 0,5 °С/Вт;
• тепловое сопротивление кристалл воздух RθJА = 62 °С/Вт.

Теперь перейдём к рассмотрению электрических характеристик. Для IRFZ44N производители выделили отдельный раздел, который показывает исток-сток показатели диода. Все измерения, как и для предельных значений, производились при температуре +25°С. Другие параметры проведения тестирования находятся в колонке «Условия измерения» в приведённой ниже таблицы.

Электрические (при Т = +25 оC)
Параметры	Условия измерения	Обозн.	min	Тип.	max	Ед. изм
Напряжение пробоя С — И	Ic = 250мкА, Uзи = 0	Uси(проб.)	55			В
Температурный к-т напряжения пробоя	Δ Uси(проб.) /ΔTj	Ic=1мА		0,058		В/°С
Сопротивление С — И открытого транзистора	Ic = 25А, Uзи = 10В	Rси(вкл)			17,5	мОм
Пороговое напряжение затвора	Ic = 250мкА, Uси= Uзи	Uзи(пор.)	2		4	В
Проводимость в прямом направлении	Ic = 25А, Uси = 25В	Gпр.	19			S
Ток утечки сток-исток	Uси = 55В	Ic ут.			25	мкА
	Uси = 55В, TJ = 150°C				250	нА
Ток утечки затвор-исток	Uзи=20В	Iз ут.			100	нА
Ток утечки затвор-исток обратный	Uзи=-20В	Iз ут.			-100	нА
Заряд затвора	Ic=28А, Uси=44В, Uзи=10В				63	нКл
Заряд затвор-исток					14	нКл
Заряд затвор-сток					23	нКл
Время задержки выключения	Uс=28В, Ic=25А,   Rз=12ом, Uзи=10В			12		нс
Время нарастания				60		нс
Время задержки выключения				44		нс
Время спада				47		нс
Индуктивность cтока		Lc		4,5		нГн
Индуктивность иcтока		Lи		7,5		нГн
Ёмкость входа	Uзи=0В, Uси=25В, f=1МГц	Свх.		1470		пФ
Ёмкость выхода		Свых.		360
Обратная ёмкость		Сос		88
Энергия лавины моноимпульса	I AS =25А, L=0.47мГн	E AS		530	150	мДж
Исток-сток:
Непрерывный ток истока (диод)		Iи			49	А
Импульсный ток истока (диод)		Iи им			160	А
Прямое напряжение диода	IC = 25 A, Uзи = 0 В, TJ = 25°C	Uид			1,3	В
Время восстановления при переключении в обратном направлении	Iд = 25 А, TJ = 25°C, di/dt =100мкс	tвост.			95	нс
Заряд обратного восстановления		Qобр.вост.		170	260	нКл

Аналоги

МОП-транзисторов полностью совпадающих по всем значениям с IRFZ44N не существует. Перечислим наиболее подходящие по параметрам устройства: BUZ102, IRFZ45, irfz44n IRFZ40, IRF3205, STP45NF06, STP50N06, IRLZ44Z, STP55NF06. Помните, что перечисленные транзисторы не являются полными аналогами, поэтому перед заменой нужно изучить характеристики обеих приборов.

Производители

Среди крупных производителей IRFZ44N (datasheet по ссылки) можно назвать следующие компании:

• International Rectifier;
• Inchange Semiconductor Company;
• NXP Semiconductors;
• Kersemi Electronic;
• First Components International;
• Suntac Electronic;
• Thinki Semiconductor;
• TRANSYS Electronics;
• Tiger Electronic.

Наиболее часто в отечественных магазинах встречаются изделия International Rectifier.

IRFZ44N мосфет MOSFET 55В 49А мощный n-канальный полевой транзистор

> РАДИОДЕТАЛИ>IRFZ44N мосфет MOSFET 55В 49А TO-220 мощный n-канальный полевой транзистор КМОП

Увеличить

Артикул IRFZ44N-TO220

Корпус — TO-220
Напряжение пробоя сток-исток 55 В
Максимальное напряжение затвора 20 В
Ток стока 49 А
Рассеиваемая мощность 83 Вт

Комплектация:IRFZ44N 1шт

Подробнее

« Продолжить покупки

Описание

IRFZ44N дают возможность использовать его для управления мощной нагрузкой, благодаря низкому сопротивления n-канала мощность рассеивания может доходить до 83Вт. при подключении мощных нагрузок, рекомендовано использовать радиатор для рассеивания мощности и предотвращения выхода из строя мосфета

IRFZ44N.

Сопутствующие товары



16 других товаров в этой категории:

• клемы для платы 2 контакта плата Клема 5мм…

  4,50 грн

• клемы для платы 3 контакта плата Клема 5мм…

  5,25 грн

• Набор резисторов 10шт

  6,40 грн

• Кнопка тактильная 6x6x5мм button

  4,50 грн -10% 5,00 грн

• PLS-40 вилка папа Планка штыревая на плату.

  ..

  6,85 грн

• PBS-40 гнездо мама Планка штыревая на плату…

  7,00 грн

• Терморезистор 10k OHM Thermistor Resistor…

  7,40 грн

• Speaker пассивный спикер buzzer пищалка

  6,25 грн

• Flash SPI 4mb W25Q32 флеш память 4мб sop8…

  21,15 грн -10% 23,50 грн

• Семисегментный индикатор 0.8″ 4 разряда BS АНОД…

  52,25 грн

• Семисегментный индикатор 0.

  
  56″ 4 разряда AS…

  24,50 грн

• Семисегментный индикатор 0.56″ 3 разряда AS…

  21,10 грн

• Семисегментный индикатор 0.36″ 4 разряда BS…

  14,75 грн

• Семисегментный индикатор 0.8″ 4 разряда 8041BS…

  54,15 грн

• клемы для платы 3 контакта плата Клема 5мм…

  5,35 грн

• Колпачек для переменных резисторов и энкодеров…

  3,50 грн

Покупатели этого товара так же приобрели:

IRFZ44N MOSFET: аналог, распиновка, упаковка, области применения и техническое описание

Напряжение пробоя сток-исток ( В _{BR ( DSS )} ) составляет 55 В

Напряжение затвор-исток ( В _gs ) составляет +/- 20 В

Затвор порогового напряжения ( В _{г (й)} ) is 2 4В

Ток стока ( I _d ) 49A

Импульсный ток стока ( I _DM ) 160A

Рассеиваемая мощность ( P _D ) 94 Вт

Сопротивление сток-исток в открытом состоянии ( R _{DS (ON)} ) 032ohm

Ток утечки затвора на корпус ( I _ГСС ) is 100 нА

Общий заряд затвора ( Q _г ) составляет 63 нКл

Время обратного восстановления ( trr ) составляет от 63 до 95 нс

Время нарастания ( tr ) составляет 60 нс

Термическое сопротивление перехода к корпусу (R _th j-c) равно 5℃/Вт

Температура перехода ( T _J ) составляет от от -55 до 175 ℃

Распиновка IRFZ44N MOSFET Распиновка IRFZ44N MOSFET

Номер контакта	Имя контакта	Описание
1	Ворота	Gate запускает устройство MOSFET
2	Слив	В клемме стока протекал ток в МОП-транзистор
3	Источник	В источнике терминальный ток вытекает из МОП-транзистора

 

Корпус IRFZ44N MOSFET

В устройстве IRFZ44N MOSFET корпус TO-220C будет использоваться в качестве полупроводникового устройства.

Корпус TO-220C используется для изготовления эпоксидных и пластиковых материалов, эпоксидный материал обладает хорошей термостойкостью, поэтому они используются в устройствах POWER MOSFET.

Задняя сторона МОП-транзистора выполнена из металла, который используется для передачи тепла, выделяемого компонентом. Для процесса передачи мы используем радиатор, присоединив его к МОП-транзистору.

Транзистор AC128

Описание электрических характеристик МОП-транзистора IRFZ44N

В этом разделе мы постараемся объяснить электрические характеристики и области применения МОП-транзистора IRFZ44N.

Характеристики напряжения

Характеристики напряжения на выводах полевого МОП-транзистора IRFZ44N: напряжение пробоя сток-исток составляет 55 В, напряжение затвор-исток составляет 20 В, а пороговое напряжение затвор-исток составляет от 2 до 4 В, характеристики напряжения на выводах показывают, что это устройство средней мощности с приложениями на устройствах электропитания.

Характеристики тока

Характеристики тока полевого МОП-транзистора IRFZ44N: значение тока стока составляет 49 А, импульсный ток стока — 160 А, а ток утечки от затвора к корпусу — 100 мкА. Значение тока стока показывает максимальную нагрузочную способность устройства.

Характеристики рассеивания

Рассеиваемая мощность полевого МОП-транзистора IRFZ44N составляет 94 Вт, это мощность рассеяния или теплоемкость устройства.

Сопротивление сток-исток в открытом состоянии

Значение сопротивления сток-исток во включенном состоянии составляет 0,032 Ом, сопротивление полевого МОП-транзистора в открытом состоянии означает общее сопротивление устройства.

Температура перехода

Температура перехода этого МОП-транзистора составляет 175 ℃ .

Время обратного восстановления (trr)

Время обратного восстановления полевого МОП-транзистора IRFZ44N составляет от 63 до 95 нс, это время, необходимое для разрядки перед началом проведения.

МОП-транзистор IRFZ44N ТЕХНИЧЕСКОЕ ОПИСАНИЕ IRFZ44N MOSFET Teet

Если вам нужен таблица DataShing в PDF, пожалуйста, Нажмите на эту ссылку

IRFZ44N MOSFET Equivalent

, такие как IRF2807, IRFB3207, IRFB4711111, MoSFETS, такие как IRF2807, IRFB3207, IRFB4710.

Электрические и физические характеристики всех этих МОП-транзисторов одинаковы, поэтому мы можем легко заменить IRFZ44N этими МОП-транзисторами.

IRFZ44N по сравнению с IRF2807 по сравнению с IRFZ48

Ниже приведено сравнение электрических характеристик IRFZ44N, IRF2807 и IRFZ48.

Характеристики	IRFZ44N	IRF2807	IRFZ48
Напряжение пробоя сток-исток (VBR (DSS))	55В	75В	60В
Напряжение затвор-исток (Vgs)	20 В	20 В	20 В
Пороговое напряжение затвора (Vg(th))	от 2 до 4 В	от 4 В	от 2 до 4 В
Ток стока (Id)	49 А	82 А	50 А
Общий заряд затвора (кг)	63nC	—	—
Рассеиваемая мощность (PD)	94 Вт	230 Вт	190 Вт
Температура перехода (TJ)	175°C	175°C	175°C
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии (RDS)	0,032 Ом	13 МОм	0,018 Ом
Время нарастания (tr)	60 нс	64 нс	250 нс
Пакет	ТО-220АБ	ТО-220АБ	ТО-220АБ

Почти все электрические характеристики каждого МОП-транзистора одинаковы, в этих трех МОП-транзисторах IRF2807 имеет более высокие значения тока и рассеиваемой способности.