PNP? NPN? Push — Pull сигналы датчиков. Принцип работ, отличия, применение с ПЛК.

Эта важная информация для корректного понимания подключения современных датчиков с различными типами выходов к промышленным контроллерам. В последствии эта информация нам пригодится когда будем рассматривать подключение датчиков. Речь пойдёт о наиболее часто применяемых типах выходных сигналов дискретных датчиков, т.е. датчиков, имеющих выходной сигнал либо «0» либо «1». В нашем случае «логический 0» — это около 0Вольт, а «логическая 1» – это около 24 вольт. Сейчас обсуждаем выходные сигналы электронных дискретных датчиков с нерелейным выходом, т.е. это, например, датчики приближения индуктивности и емкостные, датчики уровня, оптические датчики, некоторые виды энкодеров, т.е. датчиков угла поворота. Подобные датчики имеют дискретный выход, имеющий два состояния, например, для индуктивного датчика: есть металл\нет металла, для датчика уровня: есть жидкость/нет жидкости, для конкретного оптического датчика – это луч прерван, или луч проходит, т.е. также два состояния, энкодер имеет три выходных сигнала, также имеющих по два состояния, т.е .это АВ и Z, но об энкодерах по – позже. Поэтому изначально за основу выходов подобных датчиков были взяты обычные биполярные транзисторы, работающие в ключевом режиме, т.е. транзистор либо открыт, либо закрыт.

Сначала рассмотрим самый популярный выход датчика pnp, и, соответственно в этой схеме будет биполярный транзистор с открытым коллектором. Надо понимать, что в данной схеме транзистор открывается напряжением базой инитр, причём напряжение, подаваемое на базу, должно быть ниже напряжения источника питания, иначе ток через базу не потечёт, и транзистор не откроется. Данный выходной каскад при открытом транзисторе подаёт напряжение питания на выход, а в закрытом состоянии транзистора выход подтянут резистром на «-« питание.

Теперь выход датчика npn. В схеме это уже будет npn – транзистор. Данный выходной каскад при открытом транзисторе коммутирует выход датчика на «-« источника питания, а в закрытом состоянии через резстор подтянут на «+» источника питания. Пример выхода даnчика с npn выходом – это инкрементальный энкодер, имеющий 3 npn – выхода А, В и Z.

Среднестатистический промышленный контроллер и его цифровые входы расчитаны на датчики с pnp – выходами, то есть на вход контроллера подаётся «плюс» источника питания, когда есть сигнал логической единицы, и сигнла нет, либо он подтянут регистором минус источника питания, тогда подаётся логический ноль. Естественно суть для логического нуля может быть разной. Например, подобный индуктивный датчик может формировать логическую единицу при приближении к нему металла, а также можно приобрести другой датчик, который будет формировать логическую единицу при отсутствии металла. Для первого случая – это «нормально открытый датчик», а для второго случая- это «нормально закрытый» датчик . Но если вы подключите датчик с npn выходом к цифровому входу контроллера, рассчитанного на pnp сигнал, то работать этот датчик не будет. Чтобы запомнить как работают pnp и npn выходы, надо мысленно представить транзистор в схеме выхода датчика, и сразу станет понятно в какой позиции транзистор может коммутировать сигнал, то есть по – просту в какой позиции он может открыться. Так же существуют ещё

? Push – Pull – выходы. То есть это из наиболее популярных. Это двухтактный каскад, в основном предназначенный для каких-то длинных линий связи, для больших дистанций от датчиков, он более помехозащищённый, то есть понятно, что через резистор в режиме логического нуля, или, например, в режиме логической единицы, может течёт ток небольшой, а в нашем случае течёт ток от «плюса» питания до «минуса» питания. Поэтому в основном применяют это в различных последовательных интерфейсах, когда требуется больше скорость, больше дистанция, большие токи, т.к. выходное сопротивление двухтактного каскада несравнимо мало, нежели у тех двух вариантов. Однако, важным отличием Push – Pull от pnp – npn- выходов, является невозможность объединять выходы к одному приёмнику сигналов, например, к цифровому ходу. Если мы два Push – Pull выхода подсоединим, параллельно одного выхода, два датчика, которые выполняют одну и ту же функцию, но в разных местах, то есть, если у нас один датчик будет коммутировать плюс, а другой датчик будет коммутировать минус, соответственно потечёт большой ток, и транзисторы сгорят, в отличие от pnp или npn датчиков. Заметим , что часто выходы датчиков, особенно в последнее время, делают со специальными ключевыми элементами или схемами, защищёнными от коротких замыканий, чтобы персонал не спалил их при монтаже, наладке или обслуживании. Надеемся, эта информация будет вам полезна , смотрите новые статьи, новости, видео, новую информацию на нашем сайте sensor.ua, пишите нам в поддержку, обращайтесь за помощью в подборе продукции, оформляйте заказы на нашем сайте.

Горизонтальные поршневые насосы типа ПНП, В, НПН, НПНС, МПН, БНП, ПГ, ПТ, ПМС

│                 ГОРИЗОНТАЛЬНЫЕ ПОРШНЕВЫЕ НАСОСЫ                 │

│          ТИПА ПНП, В, НПН, НПНС, МПН, БНП, ПГ, ПТ, ПМС          │

├─────────┬─────┬──────┬─────┬────────┬────┬─────────┬──────┬─────┤

│ПНП-12А  │65   │50    │65   │55 - 110│2   │0,9 - 2  │2,23  │136  │

│ПНП-12М  │75   │42    │75   │60 - 120│2   │0,9 - 2  │2,03  │135  │

│В-2 (4А) │135  │90    │125  │38 - 88 │2   │7 - 14   │1,22  │235  │

│БНП      │90   │35    │125  │30 - 90 │2   │2,5 - 7,5│1,22  │260  │

│ПНП-5    │115  │70    │95   │40 - 80 │4   │2,3 - 5,8│1,42  │225  │

│ПНП-9    │115  │130   │142  │32 - 70 │2   │11,5 - 29│1,11  │370  │

│4ПГ      │350  │200   │350  │13 - 27 │2   │35 - 65  │2,03  │1037 │

│НПН-4-7  │350  │200   │360  │13 - 27 │2   │65       │2,03  │1037 │

│НПН-6    │190  │130   │25   │17 - 34 │2   │13 - 25  │2,03  │936  │

│ПНП-7    │350  │200   │350  │13 - 27 │2   │35 - 65  │8,1   │3300 │

│НПН-3М   │190  │80    │250  │17 - 34 │2   │40 - 80  │2,03  │1022 │

│НПЗ-3    │190  │130   │250  │17 - 34 │2   │11 - 22  │2,03  │1040 │

│ПНП-8    │220  │250   │250  │25 - 49 │2   │55 - 138 │4,05  │1500 │

│МНП-8М   │300  │120   │310  │25      │2   │15       │1,52  │1762 │

│НПН-4М   │355  │150   │305  │25      │2   │25       │2,03  │2544 │

│МПГН-11  │355  │200   │305  │12 - 18 │2   │16 - 25  │18,2  │2445 │

│МПН-1,2  │350  │170   │350  │30      │2   │50       │3,04  │3255 │

│НПГ-1    │350  │170   │350  │30 - 40 │2   │75       │3,04  │3500 │

│4ПТ      │350  │150   │350  │10 - 25 │2   │14 - 35  │3,04  │3450 │

│НПН-10   │450  │220   │450  │16 - 32 │2   │56 - 112 │2,53  │5100 │

│МПН-1М   │320  │170   │350  │30      │2   │50       │1,22  │3291 │

│НПМС-10  │450  │220   │450  │16 - 32 │2   │56 - 112 │2,53  │5100 │

│НПС-2-80 │450  │105   │450  │22      │2   │20       │8,11  │5440 │

│1МНПС    │450  │220   │450  │16 - 32 │2   │56 - 112 │2,53  │5600 │

│МПН-5    │680  │260   │580  │16      │2   │100      │2,53  │10000│

Открыть полный текст документа

Устройство согласования PNP/NPN сигналов на Дин рейку, Россия

Снят с производства замена УСМ

УС-М01-1-15 DC10-30B УХЛ4

НАЗНАЧЕНИЕ РЕЛЕ

Устройство согласования предназначено для согласования логических выходов датчиков с любым типом транзисторных выходов для подключения к нагрузке и возможностью инвертирования выходного сигнала.

ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ РЕЛЕ

Напряжение питания, В	DC 10…30
Максимальный ток нагрузки, мА	100
Ток потребления под нагрузкой, мА	< 50
Ток потребления без нагрузки, мА	< 20
Тип выходов	NPN, PNP
Входное сопротивление, Ом	3000…5000
Время переключения, мкс	< 5
Индикация: Питание                    Срабатывание	Зеленый  Желтый
Защита от переполюсовки	Есть
Защита от перегрузки	Нет
Защита от короткого замыкания	Нет
Степень защиты реле: по корпусу/по клеммам	IP40/IP20
Категория климатического исполнения	УХЛ4
Диапазон рабочих температур	-25… +55° С
Температура хранения	-40… +60° С
Относительная влажность воздуха	до 80% при 25°С
Высота над уровнем моря	до 2000 м
Рабочее положение в пространстве	произвольное
Режим работы	круглосуточный
Габаритные размеры	17,5х90х66
Масса не более	0.1 кг

 

КОНСТРУКЦИЯ РЕЛЕ

 Устройство выпускаются в унифицированном пластмассовом корпусе с передним присоединением проводов питания и коммутируемых электрических цепей. Крепление осуществляется на монтажную шину DIN шириной 35мм или на ровную поверхность. Для установки реле на ровную поверхность, фиксаторы замков необходимо переставить в крайние отверстия, расположенные на тыльной стороне корпуса. Конструкция клемм обеспечивает надежный зажим проводов сечением до 2,5 мм2. На лицевой панели расположены: зеленый индикатор включения напряжения питания «U», желтый индикатор срабатывания встроенного транзистора.

 

УСЛОВИЯ ЭКСПЛУАТАЦИИ РЕЛЕ

 Окружающая среда – взрывобезопасная, не содержащая пыли в количестве, нарушающем  работу устройства, а так же агрессивных газов и паров в концентрациях, разрушающих металлы и изоляцию. Вибрация мест крепления устройства с частотой от 1 до 100 Гц при ускорении до 9,8 м/с2. Воздействие электромагнитных полей, создаваемых проводом с импульсным током амплитудой до 100 А, расположенным на расстоянии не менее 10 мм от корпуса. Устройство устойчиво к воздействию помех степени жесткости 3 в соответствии с требованиям ГОСТ Р 51317.4.1-2000, ГОСТ Р 51317.4.4-99, ГОСТ Р 51317.4.5-99.

 

 

СХЕМА ПОДКЛЮЧЕНИЯ РЕЛЕ

КОНТРОЛЬ НАПРЯЖЕНИЯ

ГАБАРИТНЫЕ РАЗМЕРЫ РЕЛЕ

---

ТУ 3428-004-31928807-2014

Наименование	Заказной код (артикул)	Файл для скачивания (паспорт)	Дата файла
УС-М01-1-15 DC10-30B УХЛ4		Скачать	28.07.2014

 

Импортные и отечественные мощные биполярные транзисторы. Справочник.

Наименование составных транзисторов выделено цветом. Особенностью справочника является то, что импортные транзисторы взяты не из справочников, а из прайсов интернет-магазинов (т.е., с большой вероятностью доставаемые)							Справочник предназначен для подбора компонентов по электрическим параметрам, для выбора замены (аналога) транзистору с известными характеристиками, подбора комплементарной пары. За основу справочника взяты отечественные транзисторы, расположенные в порядке возрастания напряжения и тока. Импортные современные транзисторы в справочник взяты из прайс-листов магазинов. Импортные и отечественные транзисторы, расположенные в одной колонке, имеют близкие параметры, хотя и не обязательно являются полными аналогами. Справочник предназначен для разработчиков и тех, кто занимается ремонтом. Для ходовых импортных транзисторов дана ссылка на магазин, где их можно купить. Справочник по отечественным мощным транзисторам. Полевые транзисторы. Справочник. Маломощные транзисторы. Справочник. Транзисторы средней мощности. Справочник. Отечественные smd транзисторы. Справочник. Главная страница.
Показать только: 40В 60В 70В 80В 100В 160В 200В 250В 300В 400В 500В 600В 700В 800В 900В 1500В 2000В ВСЕ
Отечеств.	Корпус	PDF	Тип	Imax, A	Импортный	Корпус
Внешний вид корпусов ТО:
Транзисторы на напряжение до 40В:
КТ668 (А-В)	ТО-92		pnp	0.1	BC557 BC857	TO-92 smd	современный pnp транзистор 40В 0.1А
КТ6111 (А-Г)	ТО-92		npn	0.1	BC547 BC847	TO-92 smd	npn транзистор 40В 0.1А
КТ6112 (А-В)	ТО-92		pnp	0.1 (0.15)	2SA1266 2SA1048	TO-92 TO-92	pnp транзистор 40В 0.1А
КТ503 А,Б	ТО-92		npn	0.15	2SC1815	TO-92	описание npn транзистора КТ503 на 40В 0.15А
2Т3133А	ТО-126		npn	0.3			npn транзистор 40В 0.3А
КТ501 Ж,И,К	ТО-92		pnp	0.3 (0.2)	2N3906	TO-92	описание транзистора биполярного кт501, характеристики и графики
КТ645Б	ТО-92		npn	0.3 (0.2)	2N3904	TO-92	npn транзистор 40В 0.3А
КТ646Б	ТО-126		npn	0.5 (0.6)	2N4401 MMBT2222	TO-92 smd	описание и характеристики npn транзистора КТ646 на 40В 0.5А
КТ626А	ТО-126		pnp	0.5	2N4403 BC807	TO-92 smd	транзистор биполярный кт626, характеристики
КТ685 А,В	ТО-92		pnp	0.6			транзистор биполярный кт685, характеристики
КТ686 А,Б,В	ТО-92		pnp	0.8	BC327	ТО-92	характеристики транзистора кт686
КТ660А	ТО-92		npn	0.8	BC337 BC817	ТО-92 smd	npn транзистор 40В 0.8А
КТ684А	ТО-92		npn	1	BC635	TO-92	npn транзистор 40В 1А
КТ692А	ТО-39		pnp	1	BC636	TO-92	pnp транзистор 40В 1А
КТ815А	ТО-126		npn	1.5	BD135	TO-126	npn транзистор КТ815 на 40В 1.5А
КТ639А,Б,В	ТО-126		pnp	1.5	BD136	TO-126	npn транзистор КТ639 на 40В 1.5А
КТ814А	ТО-126		pnp	1.5			pnp транзистор КТ814А на 40В 1.5А
2Т860В	ТО-39		pnp	2	2SA1020	TO-92L	транзистор биполярный 2т860
КТ852Г	ТО-220		pnp	2	FMMT717	sot23	транзистор биполярный кт852 на 40В 2А
КТ943А	ТО-126		npn	2			транзистор биполярный кт943
КТ817А,Б	ТО-126		npn	3			описание транзистора кт817 на 40В 3А
КТ816Б	ТО-126		pnp	3	2SB856	TO-220	транзистор биполярный кт816
КТ972Б КТ8131А	ТО-126		npn	4			описание составного транзистора кт972 на 40В 4А
КТ973Б КТ8130А	ТО-126		pnp	4	2SB857	TO-220	описание транзистора кт973
КТ835Б	ТО-220		pnp	7.5			описание транзистора кт835 на 40В 7А
2Т837В,Е	ТО-220		pnp	8			транзистор биполярный 2т837
КТ829Г	ТО-220		npn	8			описание составного транзистора кт829 на 40В 8А
КТ853Г	ТО-220		pnp	8			характеристики транзистора кт853
КТ819А,Б	ТО-220, ТО-3		npn	10	TIP34	TO-247	описание транзистора кт819 на 40В 10А
КТ818А	ТО-220, ТО-3		pnp	10	TIP33	TO-247	описание транзистора кт818
КТ863А	ТО-220		npn	10 (12)	2SD1062	TO-220	транзистор биполярный кт863 и импортный 2sd1062
2Т877В	ТО-3		pnp	20			составной 2Т877 на 40В 20А
Транзисторы на напряжение до 60В:
КТ503В,Г	ТО-92		npn	0.15 (0.1)	2SC3402 2SC3198 BC546	TO-92 TO-92 TO-92	описание транзистора КТ503 на 60В 0.1А
КТ645А	ТО-92		npn	0.3
КТ662А	ТО-39		pnp	0.4 (0.1)	BC556	TO-92	импортный транзистор 60В 0.1А в справочнике
КТ646А	ТО-126		npn	0.5	BD137 BCV49	TO-126 smd	описание транзистора КТ646 на 60В 0.5А
КТ626Б	ТО-126		pnp	0.5	BD138 BCV48	TO-126 smd	транзистор 60В 0.5А в справочнике
КТ685Б,Г	ТО-92		pnp	0.6 (1)	BC638	TO-92
КТ644(А-Г)	ТО-126		pnp	0.6			описание транзистора КТ644
КТ661А КТ529А	ТО-39 TO-92		pnp	0.6 (1)	2SA684 MMBT2907	TO-92L smd
КТ630Д,Е КТ530А	ТО-39 TO-92		npn	1	BC637 BSR41	TO-92 smd	транзистор на 60В 1А
КТ683Д,Е	ТО-126		npn	1	2SD1616	TO-92	транзистор на 60В 1А
КТ659А	ТО-39		npn	1.2
КТ961В	ТО-126		npn	1.5	BD137	TO-126
КТ639Г,Д	ТО-126		pnp	1.5	BD138	TO-126
КТ698В	ТО-92		npn	2	2SC2655 2SD1275	TO-92 TO-220FP	транзистор на 60В 2А
2Т831Б	ТО-39		npn	2
2Т830Б	ТО-39		pnp	2
2Т880В	ТО-39		pnp	2
2Т881В	ТО-39		npn	2
КТ852В	ТО-220		pnp	2			составной биполярный транзистор на 60В 2А
2Т708Б	ТО-39		pnp	2.5
КТ817В	ТО-126		npn	3 (4)	2N5191 2SD1266	ТО-126 TO-220FP	транзистор КТ817 на 60В 3А
2Т836В	ТО-39		pnp	3
КТ816В	ТО-126		pnp	3	2SB1366 2SB1015	TO-220FP TO-220FP	транзистор КТ816В на 60В 3А
КТ972А КТ8131Б	ТО-126		npn	4	BD677	TO-126	составной отечественный транзистор на 60В 4А
КТ973А КТ8130Б	ТО-126		pnp	4 (5)	BD678 2SA1469 2SB1203	TO-126 TO-220 smd	описание составного транзистора КТ973А на 60В 5А
КТ829В	ТО-220		npn	8 (5)	TIP120	TO-220	транзистор на 60В 5А
КТ8116В	ТО-220		npn	8			транзистор КТ8116 на 60В 8А
КТ853В	ТО-220		pnp	8			транзистор на 60В 8А
2Т837Б,Д	ТО-220		pnp	8
2Т709В	ТО-3		pnp	10	MJE2955	TO-220	биполярный транзистор на 60В 10А
2Т875В	ТО-3		npn	10	MJE3055	TO-220	транзистор на 60В 10А
2Т716В,В1	ТО-3 ТО-220		npn	10
КТ8284А	ТО-220		npn	12 (15)	TIP3055	TO-218	составной транзистор на 60В 15А
2Т825В2	ТО-220		pnp	15
КТ827В	ТО-3		npn	20			составной транзистор КТ827 на 60В 20А
2Т825В	ТО-3		pnp	20			транзистор на 60В 20А
2Т877Б	ТО-3		pnp	20			транзистор на 60В 20А
КТ8106Б	ТО-220		npn	20			составной транзистор КТ8106 на 60В 20А
КТ896Б	ТО-220		pnp	20			составной транзистор КТ896 на 60В 20А
КТ8111В9	ТО-218		npn	20			составной транзистор КТ8111 на 60В 20А
Транзисторы на напряжение до 70В:
КТ815В	ТО-126		npn	1.5	2SC5060	TO-92S	на 70В 1А
КТ814В	ТО-126		pnp	1.5
КТ698Б	ТО-92		npn	2			отечественный на 70В 2А
2Т831В	ТО-39		npn	2
2Т860Б	ТО-39		pnp	2
КТ943 Б,Д	ТО-126		npn	2
2Т837А,Г	ТО-220		pnp	8			на 70В 8А
КТ808ГМ	ТО-3		npn	10
КТ818В	ТО-220, ТО-3		pnp	10			описание транзистора КТ818В на 70В 10А
2Т876Б	ТО-3		pnp	10
2Т875Б	ТО-3		npn	10
Транзисторы на напряжение до 80В:
КТ503Д	ТО-92		npn	0.15 (0.3)	2SC1627	TO-92	транзистор на 80В 0.1А
КТ626В	ТО-126		pnp	0.5 (0.7)	2SA935	TO-92L	транзистор на 80В 0.5А
КТ684Б	ТО-92		npn	1			транзистор на 80В 1А
КТ961Б	ТО-126		npn	1.5			транзистор на 80В 1.5А
2Т881Б	ТО-39		npn	2 (1.5)	BD139	TO-126	транзистор на 80В 2А
2Т830В	ТО-39		pnp	2 (1.5)	BD140 BCP53	TO-126 smd	транзистор на 80В 2А
2Т880Б	ТО-39		pnp	2			транзистор на 80В 2А
КТ852Б	ТО-220		pnp	2			транзистор на 80В 2А
КТ943В,Г КТ8131В	ТО-126		npn	2 (4)	2N6039	TO-126	составной транзистор на 80В 4А
2Т836А,Б КТ8130В	ТО-39 ТО-126		pnp	3			характеристики составного транзистора КТ8131 на 80В 4А
КТ829Б	ТО-220		npn	8 (5)	BD679 TIP121 MJD44h21	TO-126 TO-220 smd	транзистор 80В 5А, составной транзистор на 80В 4А
КТ8116Б	ТО-220		npn	8 (10)	2SD2025 BDX33B	TO-220FP TO-220	составной транзистор на 80В 10А
КТ853Б	ТО-220		pnp	8 (10)	BDX34B	TO-220	составной транзистор на 10А 80В
2Т709Б	ТО-3		pnp	10	TIP33B	TO-247	транзистор на 80В 10А
2Т876А,Г	ТО-3		pnp	10
2Т716Б,Б1	ТО-3 ТО-220		npn	10			транзистор на 80В 10А
КТ808ВМ	ТО-3		npn	10
КТ819Б,В*	ТО-220 ТО-3		npn	10	TIP34B	TO-247
2Т875А,Г	ТО-3		npn	10
КТ8284Б	ТО-220		npn	12			на 80В 12А
2Т825Б2	ТО-220		pnp	15			транзистор на 80В 15А
КТ827Б	ТО-3		npn	20			транзистор на 80В 20А
2Т825Б	ТО-3		pnp	20			транзистор на 80В 20А
2Т877А	ТО-3		pnp	20			транзистор на 80В 20А
КТ8111Б9	ТО-218		npn	20			составной транзистор на 80В 20А
КТ8106А	ТО-220		npn	20			составной транзистор на 80В 20А
КТД8280А	ТО-218		npn	60			составной транзистор на 80В 60А
КДТ8281А	ТО-218		pnp	60			транзистор на 80В 60А
КТД8283А	ТО-218		pnp	60
Транзисторы на напряжение до 100-130В:
КТ601А,АМ	ТО-126		npn	0.03			биполярный транзистор на 100В 30мА
КТ602А,АМ	ТО-126		npn	0.075
КТ638А,Б	ТО-92		npn	0.1	2SC2240	TO-92	биполярный транзистор на 100В 100мА
КТ503Е	ТО-92		npn	0.15
КТ807А,Б	ТО-126		npn	0.5
КТ630А,Б,Г	ТО-39		npn	1			биполярный транзистор на 100В 1А
КТ684В	ТО-92		npn	1	BC639	TO-92	биполярный npn транзистор на 100В 1А
КТ683Б,В,Г	ТО-126		npn	1			биполярный транзистор на 100В 1А
КТ719А	ТО-126		npn	1.5
КТ815Г	ТО-126		npn	1.5			биполярный транзистор на 100В 1.5А
КТ961А	ТО-126		npn	1.5			биполярный транзистор на 100В 1.5А
КТ814Г	ТО-126		pnp	1.5 (1)	2N5400 BC640 2SA1358	TO-92 TO-92 TO-126	биполярный pnp транзистор на 100В 1.5А
КТ6103А	ТО-92		npn	1.5			биполярный транзистор на 100В 1.5А
КТ6102А	ТО-92		pnp	1.5			биполярный транзистор на 100В 1.5А
КТ698А	ТО-92		npn	2	BD237	TO-126	биполярный транзистор на 100В 2А
2Т831Г	ТО-39		npn	2	SD1765	TO-220FP	биполярный транзистор на 100В 2А
2Т881А,Г	ТО-39		npn	2			биполярный транзистор на 100В 2А
2Т860А	ТО-39		pnp	2			биполярный pnp транзистор на 100В 2А
2Т830Г	ТО-39		pnp	2			биполярный pnp транзистор на 100В 2А
2Т880А,Г	ТО-39		pnp	2			биполярный pnp транзистор на 100В 2А
КТ852А	ТО-220		pnp	2			составной pnp транзистор на 100В 2А
2Т708А	ТО-39		pnp	2.5			составной pnp транзистор на 100В 2.5А
КТ817Г	ТО-126		npn	3			транзистор 100В на 3А
КТ816Г	ТО-126		pnp	3 (5)	TIP42C TIP127	TO-220	pnp транзистор 100В 3А, pnp транзистор на 100В 5А
КТ805БМ,ВМ	ТО-220		npn	5			npn транзистор на 100В 5А
КТ829А	ТО-220		npn	8 (5)	TIP122	TO-220	составной npn транзистор на 100В 8А
КТ8116А	ТО-220		npn	8			составной npn  транзистор на 100В 8А
КТ853А	ТО-220		pnp	8 (5)			составной pnp транзистор на 100В 8А
КТ8115А	ТО-220		pnp	8			составной pnp транзистор на 100В 8А
2Т709А	ТО-3		pnp	10	BDX34C	TO-220	составной pnp транзистор на 100В 10А
2Т716А,А1	ТО-3 ТО-220		npn	10	BDX33C	TO-220	составной npn транзистор на 100В 10А
КТ808 АМ,БМ	ТО-3		npn	10			npn транзистор на 100В 10А
КТ819А,Г	ТО-220 ТО-3		npn	10	TIP34C	TO-247	npn транзистор на 100В 10А
КТ818Г	ТО-220 ТО-3		pnp	10	TIP33B 2SA1265	TO-247	pnp транзистор на 100В 10А
КТ8284В	ТО-220		npn	12			составной npn транзистор на 100В 12А
КТ8246 А,Б	ТО-220		npn	15			составной  npn транзистор на 100В 15А
2Т825А2	ТО-220		pnp	15			составной pnp транзистор на 100В 15А
ПИЛОН-3А	ТО-220		npn	15			составной npn транзистор на 100В 15А
КТ827А	ТО-3		npn	20			составной  npn транзистор на 100В 20А
2Т825А	ТО-3		pnp	20			составной pnp транзистор на 100В 20А
КТД8257А	ТО-220		npn	20			составной npn транзистор на 100В 20А
2Т935Б	ТО-220		npn	20			npn транзистор на 100В 20А
КТД8278Б,В	ТО-220 ТО-263		npn	20			npn транзистор на 100В 20А
КТ896А	ТО-220		pnp	20			npn транзистор на 100В 20А
КТ8111А9	ТО-218		npn	20			составной npn транзистор на 100В 20А
КТД8280Б	ТО-218		npn	60			составной npn транзистор на 100В 60А
КТД8281Б	ТО-218		pnp	60			pnp транзистор на 100В 60А
КТД8283Б	ТО-218		pnp	60			pnp транзистор на 100В 60А
Транзисторы на напряжение до 160В:
КТ611В,Г	ТО-126		npn	0.1	2SC2230 2SD1609	TO-92L TO-126
КТ940В	ТО-126		npn	0.1
КТ6117	ТО-92		npn	0.6 (0.3)	2N5551	TO-92
КТ6116	ТО-92		pnp	0.6 (0.3)	2N5401	TO-92
КТ630В	ТО-39		npn	1	2SC2383	TO-92L
КТ683А	ТО-126		npn	1
КТ850В	ТО-220		npn	2
КТ8123А	ТО-220		npn	2
КТ851В	ТО-220		pnp	2 (1)	2SA940 KSA1013 2SA1306	TO-220 TO-92L TO-220FP
КТ805АМ	ТО-220		npn	5
КТ855Б,В	ТО-220		pnp	5
КТ899А	ТО-220		npn	8
КТ712Б	ТО-220		pnp	10	2SA1186	ТО-3Р
КТ863БС	ТО-220 ТО-263		npn	12	2SC3907	TO-3P ?
КТ8246В,Г	ТО-220		npn	15
КТ8101Б	ТО-218		npn	16
КТ8102Б	ТО-218		pnp	16	2SA1216	SIP3
КТД8257Б	ТО-220		npn	20
ПИР-2 (КТ740А)	ТО-220 ТО-218		npn	20
КТ879Б	КТ-5		npn	50
Транзисторы на напряжение до 200В:
КТ611А,Б	ТО-126		npn	0.1 (0.2)	2SC1473 BFP22	TO-92 TO-92	биполярный транзистор на 200В 0.1А
КТ504Б	ТО-39		npn	1			биполярный транзистор на 200В 1А
КТ851А	ТО-220		pnp	2			биполярный транзистор на 200В 2А
КТ842Б	ТО-3		pnp	5			биполярный транзистор на 200В 5А
КТ864А	ТО-3		npn	10 (7)	BU406	TO-220	биполярный транзистор на 200В 10А
КТ865А	ТО-3		pnp	10			биполярный транзистор на 200В 10А
КТ712А	ТО-220		pnp	10			составной биполярный транзистор на 200В 10А
КТ945А	ТО-3		npn	15			биполярный транзистор на 200В 15А
КТ8101А	ТО-218		npn	16			биполярный транзистор на 200В 15А
КТ8102А	ТО-218		pnp	16	2SA1294 2SA1302	TO-247	биполярный транзистор на 200В 16А
КТД8257(А-Г)	ТО-220		npn	20			составной биполярный транзистор на 200В 20А
КТД8278А	ТО-220 ТО-263		npn	20			составной биполярный транзистор на 200В 20А
КТ897Б	ТО-218		npn	20			составной биполярный транзистор на 200В 20А
КТ898Б	ТО-218		npn	20			составной  транзистор на 200В 20А
КТ867А	ТО-3		npn	25			биполярный транзистор на 200В 25А
КТ879А	КТ-5		npn	50			биполярный транзистор на 200В 50А
Транзисторы на напряжение до 250В:
КТ605А,Б	ТО-126		npn	0.1 (0.05)	BF422	TO-92
КТ940Б	ТО-126		npn	0.1
КТ969А	ТО-126		npn	0.1
КТ504В	ТО-39		npn	1
2Т882В	ТО-220		npn	1
КТ505Б	ТО-39		pnp	1
2Т883Б	ТО-220		pnp	1	2SA1837	TO-220FP
КТ850А,Б	ТО-220		npn	2
КТ851Б	ТО-220		pnp	2
КТ855А	ТО-220		pnp	5
КТ857А	ТО-220		npn	7 (8)	MJE15032	TO-220
КТ844А	ТО-3		npn	10
2Т862А,Б	ТО-3		npn	15
Транзисторы на напряжение до 300В:
КТ940А	ТО-126		npn	0.1 (0.05)	2SC2482 2SC5027 BF820	TO-92L TO-92L smd	npn транзистор на 300В 0.1А
КТ9115А	ТО-126		pnp	0.1 (0.05)	2SA1091 BF821	TO-92 smd	pnp транзистор на 300В 0.1А
КТ6105А	ТО-92		npn	0.15			npn транзистор на 300В 0.1А
КТ6104А	ТО-92		pnp	0.15	2SA1371	TO-92L	pnp транзистор на 300В 0.1А
2Т882Б	ТО-220		npn	1 (0.5)	MJE340 MPSA42	TO-126 TO-92	npn транзистор на 300В 1А
КТ504А	ТО-39		npn	1 (1.5)	MJE13002	TO-220	npn транзистор на 300В 1А
Т505А	ТО-39		pnp	1 (0.5)	MJE350	TO-126
2Т883А	ТО-220		pnp	1
КТ8121Б	ТО-220		npn	4			npn транзистор на 300В 3А
КТ8258Б	ТО-220		npn	4			npn транзистор на 300В 4А
КТ842А	ТО-3		pnp	5			на 300В 5А
КТ8124В	ТО-220		npn	7			npn транзистор на 300В 6А
КТ8109А,Б	ТО-220		npn	7			составной npn транзистор на 300В 7А
КТД8262(А-В)	ТО-220		npn	7			составной npn транзистор на 300В 7А
КТ8259Б	ТО-220		npn	8			npn транзистор на 300В 8А
КТ854Б	ТО-220		npn	10			npn транзистор на 300В 10А
КТД8279(А-В)	ТО-220 ТО-218		npn	10			составной транзистор на 300В 10А
КТ892А,В	ТО-3		npn	15			npn транзистор на 300В 15А
КТ8260А	ТО-220		npn	15			npn транзистор на 300В 15А
КТД8252(А-Г)	ТО-220 ТО-218		npn	15			составной npn транзистор на 300В 15А
КТ890(А-В)	ТО-218		npn	20			составной npn транзистор на 300В 20А
КТ897А	ТО-218		npn	20			составной npn транзистор на 300В 20А
КТ898А	ТО-218		npn	20			составной npn транзистор на 300В 20А
КТ8232А,Б	ТО-218		npn	20			составной npn транзистор на 300В 20А
КТ8285А КТ8143Ш	ТО-218 ТО-3		npn	30 80			мощный npn транзистор КТ8143 на напряжение 300В и ток 80А
Транзисторы на напряжение до 400В:
2Т509А	ТО-39		pnp npn npn	0.02 (0.5) 0.2 0.2	2SA1625 MPSA44 MJE13001	TO-92	npn транзистор на 400В 0.5А
2Т882А	ТО-220		npn	1 (1.5)	MJE13003 TIP50	TO-220 TO-220	npn транзистор на 400В 1А
КТ704Б,В			npn	2.5 (2)	BUX84	TO-220	npn транзистор на 400В 2.5А
КТ8121А	ТО-220		npn	4			npn транзистор на 400В 3А
КТ8258А	ТО-220		npn	4	MJE13005	TO-220	npn транзистор на 400В 4А
КТ845А	ТО-3		npn	5	BUT11	TO-220	npn транзистор на 400В 5А
КТ840А,Б	ТО-3		npn	6	2SD1409	TO-220FP	npn транзистор на 400В 6А
КТ858А	ТО-220		npn	7	2SC2335	TO-220	npn транзистор на 400В 7А
КТ8124А,Б	ТО-220		npn	7	2SC3039	TO-220	npn транзистор на 400В 7А
КТ8126А	ТО-220		npn	8	MJE13007	TO-220	npn транзистор на 400В 8А
КТ8259А	ТО-220		npn	8	2SC4834	TO-220FP	npn транзистор на 400В 8А
КТ8117А	ТО-218		npn	10	2SC2625	TO-247	npn транзистор на 400В 9А
КТ841Б	ТО-3		npn	10	2SC3306	TO-3P	npn транзистор на 400В 10А
2Т862Г	ТО-3		npn	10	2SC4138	TO-3P	npn транзистор на 400В 10А
2Т862В	ТО-3		npn	10 (12)	MJE13009 2SC3042	TO-220 TO-3P	биполярный транзистор на 400В 10А
КТД8279А	ТО-220 ТО-218		npn	10			составной транзистор на 400В 10А
КТ834В	ТО-3		npn	15			составной транзистор на 400В 15А
КТ848А	ТО-3		npn	15			транзистор на 400В 15А
КТ892Б	ТО-3		npn	15			npn транзистор на 400В 15А
КТ8260Б	ТО-220		npn	15			npn транзистор на 400В 15А
КТ8285Б	ТО-218 ТО-3		npn	30			npn транзистор на 400В 30А
2Т885А	ТО-3		npn	40			npn транзистор на 400В 40А
Транзисторы на напряжение до 500В:
КТ6107А	ТО-92		npn	0.13			npn транзистор на 500В 0.1А
КТ6108А	ТО-92		pnp	0.13
КТ704А			npn	2.5 (1.5)	2SC3970	TO-220FP	npn транзистор на 500В 2А
КТ8120А	ТО-220		npn	3 (5)	BUL310	TO-220FP	npn транзистор на 500В 3А
КТ812Б	ТО-3		npn	8			npn транзистор на 500В 8А
КТ854А	ТО-220		npn	10			npn транзистор на 500В 10А
2Т856В	ТО-3		npn	10			npn транзистор на 500В 10А
КТ8260В	ТО-220		npn	15			npn транзистор на 500В 15А
КТ834А,Б	ТО-3		npn	15			npn транзистор на 500В 15А
ПИР-1	ТО-218		npn	20			npn транзистор на 500В 20А
КТ8285В	ТО-218 ТО-3		npn	30			npn транзистор на 500В 30А
2Т885Б	ТО-3		npn	40			npn транзистор на 500В 40А
Транзисторы на напряжение до 600В:
КТ888Б	ТО-39		pnp	0.1			pnp транзистор на 600В 0.1А
КТ506Б	ТО-39		npn	2			npn транзистор на 600В 2А
2Т884Б	ТО-220		npn	2 (3)	2SC5249	TO-220FP	npn транзистор на 600В 2А
КТ887Б	ТО-3		pnp	2 (1)	2SA1413	smd	pnp транзистор на 600В 2А
КТ828Б,Г	ТО-3		npn	5 (6)	2SD2499 2SD2498 2SD1555	TO-3PF TO-3PF TO-3PF	строчный транзистор на 600В 5А
КТ8286А	ТО-218 ТО-3		npn	5 (8)	2SC5386	TO-3P ?	строчный транзистор на 600В 5А
КТ856А1,Б1	ТО-218		npn	10	ST1803	ISOW218	строчный транзистор на 600В 10А
КТ841А,В	ТО-3		npn	10	2SC5387	ISOW218	npn транзистор на 600В 10А
КТ847А	ТО-3		npn	15 (20)	2SC4706 2SC5144	TO-3P TO-247 ?	мощный транзистор высоковольтный на 600В 15А
КТ8144Б	ТО-3		npn	25			мощный высоковольтный транзистор на 600В 25А
КТ878В	ТО-3		npn	30			мощный npn транзистор на 600В 30А
Транзисторы на напряжение до 700В:
КТ826(А-В)	ТО-3		npn	1			npn транзистор на 700В 1А
КТ8137А	ТО-126		npn	1.5			npn транзистор на 700В 1.5А
КТ887А	ТО-3		pnp	2			pnp транзистор на 700В 2А
КТ8286Б	ТО-218 ТО-3		npn	5			npn транзистор на 700В 5А
КТ8107(А-Г)	ТО-220		npn	8			npn транзистор на 700В 8А
КТ812А	ТО-3		npn	10	BUh200	TO-220	высоковольтный транзистор на 700В 10А
2Т856Б	ТО-3		npn	10			npn транзистор на 700В 10А
Транзисторы на напряжение до 800В:
КТ506А	ТО-39		npn	2			высоковольтный npn транзистор 800В 1А
2Т884А	ТО-220		npn	2			npn транзистор на 800В 2А
КТ859А	ТО-220		npn	3	2SC3150	TO-220	npn транзистор на 800В 3А
КТ8118А	ТО-220		npn	3			npn транзистор на 800В 3А
КТ828А,В	ТО-3		npn	5			npn транзистор на 800В 4А
КТ8286В	ТО-218 ТО-3		npn	5			npn транзистор на 800В 5А
КТ868Б	КТ-9		npn	6 (8)	2SC5002 2SC4923	TO-3PF TO-3PML	высоковольтный транзистор на 800В 6А
КТ8144А	ТО-3		npn	25	2SC3998	TO-3PBL	высоковольтный транзистор на 800В 25А
КТ878Б	ТО-3		npn	30			высоковольтный npn транзистор на 800В 30А
Большая часть из приведенных здесь транзисторов на напряжение свыше 600В применяются в строчных развертках телевизоров и мониторов. В справочнике они расположены по пиковому напряжению коллектор-эмиттер. Если судить по графикам, то область безопасной работы у них, за редким исключением, не более 800В, а пиковое напряжение они держат лишь при соблюдении определенных условий.? Транзисторы на напряжение до 900В:
КТ888А	ТО-39		pnp	0.1			транзистор высоковольтный на 900В 0.1А
КТ868А	КТ-9		npn	6 (3)	2SC3979	TO-220	npn транзисторы высоковольтные на 900В 6А
2Т856А	ТО-3		npn	10			npn транзистор высоковольтный на 900В 10А
КТ878А	ТО-3		npn	30			высоковольтный npn транзистор на 900В 30А
Транзисторы на напряжение до 1000-1500В:
КТ838А	ТО-3		npn	5	BU508	TO-3PF	биполярный транзисторы высоковольтные на 1500В 5А
КТ846А	ТО-3		npn	5	BU2506	SOT-199	современный высоковольтный строчный транзистор на 1500В 5А
КТ872А,Б	ТО-218		npn	8	BU2508 2SC5447	TO-3PFM SOT-199	современные высоковольтные транзисторы на 1500В 8А
КТ886Б1	ТО-218		npn	8 (10)	BU1508	TO-220	современный высоковольтный биполярный транзистор на 1000В 10А
КТ839А	ТО-3		npn	10	BU2520	TO-3PML	современный биполярный высоковольтный транзистор на 1500В 10А
КТ886А1	ТО-218		npn	10 (12)	2SC5270	TO3-PF	современный высоковольтный npn транзистор на 1500В 10А
			npn	25	2SC5244 2SC3998	TOP-3L ТО-3PBL	строчный транзистор на 1500В 25А
Транзисторы на напряжение свыше 2000В
2Т713А	ТО-3		npn	3			транзистор высоковольтный на 2000В 3А
КТ710А	ТО-3		npn	5			npn транзистор высоковольтный на 2000В 5А

Квадратный тип переключатель ПНП-НПН датчика близости Ф18 индуктивный, выход НО-НК

Квадратный тип переключатель ПНП-НПН датчика близости Ф18 индуктивный, выход НО-НК

 

Быстрые детали:
Имя: Индуктивный датчик близости И17

Устанавливать: Приток

Воспринимать расстояние: 8мм.
 
Описание
 

 

Устанавливать	Приток/Не-приток
СН	2.0мм/4.0мм
Электропитание	ДК 10-36В
Размер снабжения жилищем	И17 * 38
Размер потока	/
Выход	НПН/ПНП НО/НК
Смещение температуры	≤±10%
Гистерезис	1-20%
Точность повторения	≤5%
Течение нагрузки	≤200мА
Остаточное напряжение тока	≤2.5В
Течение потребления	≤10мА
Цепь защиты	пульсация, перегрузка, короткое замыкание, обратная полярность
Индикатор	Желтое СИД
Окружающий темп.	-25 | ºК 70
Окружающий РХ	35-95%
Частота	2000Хз
Степень защиты	ИП67
Материал снабжения жилищем	сплав Никел-меди
Соединение	Кабель 2м ПВК

 
 
 
Применение:
 
Датчики близости главным образом использованы в производстве продуктов питания, упаковке, земледелии, животноводстве, индустрии пластмасс, воодворкинг, химической промышленности, полупроводниках, фармацевтической продукции, етк.
 
Конкурентное преимущество:
 
1) высококачественная и хорошая цена
2) встроенная цепь предохранения от соединения обратного силы (провод ДК3)
3) Внутри защиты от перенапряжения, обратите предохранение от полярности, предохранение от перегрузок по току

4) Много форма выхода: ПНП НИКАКОЕ, ПНП НК, НПН НИКАКОЕ, НПН НК, етк
5) сильное распределение защиты
6) широкий ряд напряжения тока
7) пылезащитный, вибраци-защитный, водоустойчивый и масл-защитный
8) с предохранением от короткого замыкания и перевернутой соединяясь защитой
 

вопросы и ответы:
К: Вы имеете различный стиль?
А: Мы производим наш собственный датчик бренда (КДЖТ), также обеспечиваем обслуживание ОЭМ + ОДМ.

К: Как насчет МОК?
А: Первые ПК заказа МОК=5 (датчик разного вида имеет различное МОК)

К: Как могу я получить образец?
А: Если вам нужен один образец для проверки-вверх, то мы обеспечим один свободный образец для одного типа датчика (таких же технических спецификаций) для вас, .бут мы не носим стоимость провоза. Если мы не имеем никакой этот тип образец в запасе, то мы смогли произвести его для вас.

Применение датчиков в промышленном оборудовании. Часть II / Публикации / Элек.ру

В статье рассмотрен такой важный практический вопрос, как подключение индуктивных датчиков с транзисторным выходом, которые в современном промышленном оборудовании встречаются повсеместно. Кроме того, описаны реальные датчики приближения — неотъемлемая часть работы инженера-электронщика, их плюсы, минусы и примеры применения. Часть первая опубликована в предыдущем номере (№ 5-6, 2017) журнала.

Индуктивные датчики

В первой части статьи были описаны возможные варианты выходов датчиков. По подключению датчиков с контактами (релейный выход) проблем возникнуть не должно. А по транзисторным не все так просто. Нужно учитывать много нюансов: полярность, логика работы, напряжение.

Для примера показаны упрощенные схемы подключения датчиков с транзисторным выходом (рис. 1). Нагрузка, как правило, это вход контроллера.

Рис. 1, а — датчик с выходным транзистором NPN. Коммутируется общий провод, который в данном случае — отрицательный провод источника питания. Нагрузка (Load) постоянно подключена к «плюсу» (+V). Здесь активный уровень (дискретный «1») на выходе датчика — низкий (0V), при этом на нагрузку подается питание через открывшийся транзистор.

Рис. 1, б — случай с транзистором PNP на выходе. Нагрузка (Load) постоянно подключена к «минусу» (0V), подача дискретной «1» (+V) коммутируется транзистором. Этот случай — наиболее частый, так как в современной электронике принято отрицательный провод источника питания делать общим (нулевым), а входы контроллеров и других регистрирующих устройств активировать положительным потенциалом.

Напряжение на транзисторном выходе, как правило, определяется напряжением питания, обычно ограниченным узкими пределами. Например, от 18 до 30 В. На это можно посмотреть с другой стороны — сейчас большинство устройств стандартизовано по напряжениям.

Далее от теории перейдем к практическим вопросам.

Взаимозаменяемость датчиков

Как я уже писал в предыдущей части статьи, есть четыре вида датчиков с транзисторным выходом, которые подразделяются по внутреннему устройству и схеме включения: PNP NO; PNP NC; NPN NO; NPN NC.

Бывает, что нужного типа датчика нет под рукой, а оборудование должно работать без простоя! Хорошая новость — перечисленные типы датчиков можно заменить друг на друга.

Это реализуется следующими способами:

• Переделка устройства инициации — механически меняется конструкция. Например, если NO датчик реагировал на наличие металла, то NC будет реагировать на его отсутствие. Если выход той же полярности, то не изменится ни программа, ни алгоритм работы.
• Изменение имеющейся схемы включения датчика (рассмотрим подробнее ниже).
• Переключение типа выхода датчика (если имеются такие переключатели на корпусе датчика).
• Перепрограммирование программы контроллера (изменение активного уровня входа, изменение алгоритма программы).

Естественно, производители умалчивают о таких возможностях, чтобы продавать большое количество и номенклатуру изделий. Ниже приведен пример, как можно заменить датчик PNP на NPN, изменив схему подключения (рис. 2).

Понять работу этих схем поможет осознание того факта, что транзистор — это ключевой элемент, который можно представить обычными контактами реле.

На рис. 2, а показана схема датчика с нормально открытым выходом типа PNP. Когда датчик не активен, его выходные «контакты» разомкнуты, и ток через них не протекает. И наоборот, если контакты замкнуты, то протекающий ток создает падение напряжения на нагрузке.

При активации напряжение (+V) через открытый транзистор поступает на вход контроллера, и он активизируется. Как того же добиться с выходом NPN?

Смотрим на изменения в схеме на рис. 2, б. Прежде всего, обеспечен режим работы выходного транзистора датчика. Для этого в схему добавлен дополнительный резистор, его сопротивление обычно порядка 4,7–10 кОм. Теперь, когда датчик не активен, через дополнительный резистор напряжение (+V) поступает на вход контроллера, и вход контроллера активизируется.

Когда датчик активен, на входе контроллера дискретный «0», поскольку вход контроллера шунтируется открытым NPN транзистором, и почти весь ток дополнительного резистора проходит через этот транзистор.

Как отремонтировать и проверить индуктивный датчик?

Ремонту датчики приближения практически не подлежат, поскольку имеют цельный корпус, залитый компаундом. К тому же, большинство поломок связано с механическими повреждениями из-за неаккуратного персонала или сдвига активатора.

Чтобы проверить датчик электрически, нужно подать на него питание, то есть подключить его в схему, а затем активировать (инициировать). При активации должен загораться индикатор. Но индикация не гарантирует правильной работы индуктивного датчика. Нужно подключить нагрузку и измерить напряжение на ней, чтобы быть уверенным на 100%.

Условное обозначение датчика приближения

На принципиальных схемах индуктивные датчики (датчики приближения) обозначают квадратом с двумя линиями в нем, повернутым на 45°. Пример на рис. 3.

На верхней схеме нормально открытый (НО) контакт (условно обозначен PNP транзистор). Вторая схема — нормально закрытый, и третья схема — оба контакта в одном корпусе.

Цветовая маркировка выводов датчиков

Существует стандартная система маркировки датчиков. Все производители в настоящее время придерживаются ее.

• Синий (Blue) — минус питания.
• Коричневый (Brown) — плюс питания.
• Черный (Black) — выход.
• Белый (White) — второй выход, или вход управления.

Однако непосредственно перед монтажом нелишним будет убедиться в правильности подключения, обратившись к руководству (инструкции) по подключению. Кроме того, как правило, цвета проводов указаны на самом датчике, если позволяет его размер.

Конкретный производители

Ниже — мое субъективное мнение по датчикам, с которыми приходилось иметь дело.

«ТЕКО». Для тех, кто выбирает отечественного производителя. Эта челябинская компания существует с советских времен и в настоящее время выпускает большое разнообразие датчиков. К сожалению, по моему опыту, на их долю приходится большое количество электрических отказов. Также у них слабая механическая прочность. Надеюсь, в настоящее время фирма улучшила качество продукции. Несомненное преимущество этой компании — цена, которая может быть в 2–3 раза ниже импортных аналогов (исключение Китай). Пример применения индуктивного датчика «Теко» — рис. 4.

Рис. 4 — Пример применения индуктивного датчика «TEKO»

В данном случае активатор, который проезжает мимо датчика, сместился и поломал оригинальный датчик. Выход — был установлен датчик «Теко» с большой зоной срабатывания.

AUTONICS. Оптимальный выбор по соотношению цена/качество. Эта корейская фирма выпускает большое количество датчиков с неплохим качеством. Благодаря скромным вложениям в раскрутку бренда, цены остаются весьма приемлемыми.

На рис. 5 показан пример модернизации спаивающей головки упаковочной линии.

Рис. 5 — Пример модернизации спаивающей головки упаковочной линии

В верхней части — датчик Autonics. Ранее установили электрический концевой выключатель, как на нижней части фото. Чтобы исключить проблемы с контактами, было решено установить индуктивный датчик, с чем Autonics прекрасно справился и сбои прекратились. Завершением стала прокладка дополнительного провода питания и изготовление крепежной пластины.

OMRON. Это старый раскрученный бренд, поэтому цена на эти датчики довольно высока. Однако и качество на уровне.

На рис. 6 — датчики показывают положение механизма редуктора.

Рис. 6 — Датчик показывает положение механического редуктора.

В большинстве случаев установка датчиков раскрученных брендов нецелесообразна, поэтому они устанавливаются в оборудовании высокой ценовой категории.

ALLEN BRADLEY. Этот американский бренд, как Rolls-Royce в мире моторов. Цена весьма высока, а вот качество в конкретно взятом случае подкачало: датчик, установленный на крышке бункера сыпучего вещества, перестал работать (рис. 7).

Рис. 7 — Дитчик Allen Bradley

Оказалось, проблема в контактах разъема. Их подогнули и почистили. В данном случае при грамотной установке датчик «Теко» прекрасно бы справился. Кстати, разница в цене этих датчиков — примерно в 10 раз!

Следует сказать, что в настоящее время более 90% от общего числа индуктивных датчиков имеют замену на датчики других производителей. Редко бывают случаи, когда нужен какой-то определенный тип. Как правило, это связано с габаритами и особенностями монтажа. В пределах одного предприятия целесообразно остановить выбор на одном производителе.

Александр Ярошенко, автор блога SamElectric.ru

Биполярные транзисторы

Добавлено 21 октября 2016 в 17:45

Сохранить или поделиться

Биполярный транзистор был назван так, потому что его работа предполагает движение двух носителей заряда: электронов и дырок в одном и том же кристалле. Первый биполярный транзистор был изобретен в Bell Labs Уильямом Шокли, Уолтером Браттейном и Джоном Бардином в конце 1947 года, и поэтому публикации о нем не появлялись до 1948 года. Таким образом, многие тексты различаются по дате изобретения. Браттейн изготовил германиевый точечный транзистор, который имел некоторое сходство с точечным диодом. В течение месяца у Шокли появился более практичный плоскостной биполярный транзистор, который мы опишем ниже. В 1956 году за изобретение транзистора они были удостоены Нобелевской премии по физики.

Биполярный транзистор, показанный на рисунке ниже (a), – это NPN трехслойный полупроводниковый сэндвич с эмиттером и коллектором на концах и базой между ними. Это как если бы к двухслойному диоду был добавлен третий слой. Но если бы это было единственным требованием, было бы достаточно иметь пару расположенных «спина к спине» диодов. Да и изготовить пару диодов, расположенных «спина к спине», гораздо проще. Но основой изготовления биполярного транзистора является создание среднего слоя, базы, такого тонкого насколько это возможно без замыкания внешних слоев, эмиттера и базы. Невозможно переоценить важность тонкой области базы.

Полупроводниковый прибор на рисунке ниже (a) имеет два перехода, между эмиттером и базой и между базой и коллектором, и две обедненные области.

(a) Биполярный NPN транзистор.
(b) Применение обратного смещения к переходу база-коллектор.

На переход база-коллектор биполярного транзистора принято подавать обратное смещение, как показано на рисунке выше (b). Обратите внимание, что это увеличивает ширину обедненной области. Напряжение обратного смещения для большинства транзисторов может находиться в диапазоне от нескольких вольт до десятков вольт. В данный момент в коллекторной цепи нет тока, кроме тока утечки.

На рисунке ниже (a) добавлен еще один источник напряжения в цепь между эмиттером и базой. Обычно мы прикладываем к переходу эмиттер-база прямое смещение, преодолевающее потенциальный барьер 0,6В. Это похоже на прямое смещение полупроводникового диода. Источник напряжения должен превышать 0,6В, чтобы основные носители (электроны для NPN) начали протекать от эмиттера в базу, становясь неосновными носителями заряда в полупроводнике P-типа.

Если бы область базы была толстой, как в паре расположенный «спина к спине» диодов, весь ток, поступающий в базу, утекал бы через вывод базы. В нашем примере NPN транзистора электроны, выходящие из эмиттера в базу, будут объединяться с дырками в базе, освобождая место для большего числа дырок, которые будут созданы на (+) выводе батареи, подключенного к базе, как только электроны уйдут.

Однако база изготавливается тонкой. Несколько основных носителей в эмиттере, введенных как неосновные носители в базу, действительно рекомбинируют. Смотрите рисунок ниже (b). Несколько электронов, введенных эмиттером в базу NPN транзистора, попадают в дырки. Также несколько электронов, вошедших в базу, потекут напрямую через базу к положительной клемме батареи. Большая часть эмиттерного потока электронов диффундирует через тонкую базу в коллектор. Кроме того, изменение небольшого тока базы приводит к большим изменениям тока коллектора. Если напряжение на базе падает ниже примерно 0,6 вольт для кремниевого транзистора, то перестает течь большой ток эмиттер-коллектор.

Биполярный NPN транзистор с обратным смещением перехода коллектор-база: (a) добавление прямого смещения к переходу база-эмиттер дает в результате (b) маленький ток базы и большие токи эмиттера и коллектора.

На рисунке ниже мы более внимательно рассмотрим механизм усиления тока. У нас есть увеличенный вид переходов биполярного NPN транзистора с акцентом на тонкую область базы. Хотя это не показано, мы предполагаем, что подключены внешние источники напряжения: (1) прямое смещение перехода эмиттер-база, (2) обратное смещение перехода база-коллектор. Электроны, основные носители, входят в эмиттер от клеммы (-) батареи. Ток базы соответствует электронам, покидающим вывод базы к выводу (+) батареи. Впрочем, это небольшой ток по сравнению с током эмиттера.

Электроны, входящие в базу:
(a) Утерянные в результате рекомбинации с дырками базы.
(b) Выходящие из вывода базы.
(c) Большинство диффундирует из эмиттера через тонкую базу в обедненную область база-коллектор,
и (d) быстро захватываются сильным электрическим полем обедненной области в коллектор.

Основными носителям внутри эмиттера N-типа являются электроны, становящиеся неосновными носителями, когда входят в базу P-типа. У этих электронов, попадающих в тонкую базу P-типа, есть четыре возможных варианта. Несколько электронов (на рисунке (a) выше) попадают в дырки в базе, что способствует протеканию тока к выводу базы от клеммы (+) батареи. Это не показано, но дырки в базе могут диффундировать в эмиттер и объединяться с электронами, способствуя протеканию тока через вывод базы. Несколько (b) протекают через базу к выводу (+) батареи, как если бы база была просто резистором. Обе группы электронов, и (a) и (b), вносят очень маленький вклад в ток базы. Для маломощных транзисторов ток базы обычно составляет 1% от тока эмиттера или коллектора. Большая часть электронов эмиттера диффундирует сквозь тонкую базу (c) в обедненную область база-коллектор. Обратите внимание на полярность обедненной области, окружающей электрон на рисунке (d). Сильное электрическое поле быстро сметает электрон в коллектор. Сила поля пропорциональна напряжению батареи коллектора. Таким образом, 99% эмиттерного тока поступает в коллектор. Он управляется током базы, который составляет 1% от тока эмиттера. Это потенциальное усиление тока в 99 раз, отношение I_К/I_Б, также известное как бета β.

Это потрясающе, распространение 99% носителей эмиттера через базу возможно, только если база очень тонкая. Что было бы с основными носителями эмиттера, если бы база была в 100 раз толще? Можно было бы ожидать увеличения рекомбинации, число электронов, попадающих в дырки, было бы намного больше. Может быть 99%, а не 1%, попало бы в дырки, никогда не достигнув коллектора. Второй момент состоит в том, что ток базы может управлять 99% тока эмиттера, только если 99% тока эмиттера диффундирует в коллектор. Если бы весь ток вытекал из базы, никакое управление не было бы возможно.

Еще одна особенность, необходимая для передачи 99% электронов из эмиттера в коллектор, заключается в том, что реальные биполярные транзисторы используют небольшой сильно легированный эмиттер. Высокая концентрация электронов эмиттера заставляет больше электронов диффундировать в базу. Более низкая концентрация легирующей примеси в базе означает, что меньшее количество дырок диффундирует в эмиттер, которые могли бы увеличить ток базы. Распространение носителей заряда от эмиттера к базе пользуется большим преимуществом.

Тонкая база и сильно легированный эмиттер помогают сохранить высокую эффективность эмиттера, например, 99%. Это соответствует тому, что 100% тока эмиттера разделяется между базой (1%) и коллектором (99%). Эффективность эмиттера известна, как α = I_К/I_Э.

Биполярные транзисторы могут иметь структуру как NPN, так и PNP. Мы приведем сравнение этих двух структур на рисунке ниже. Разница заключается в полярности PN-переходов база-эмиттер, что и обозначено направлением стрелки эмиттера на условном графическом обозначении. Она указывает в том же направлении, как и стрелка анода диода, противоположно направлению движения электронов.

Смотрите условное обозначение на изображении в P-N переход. Начало стрелки и ее конец соответствуют полупроводникам P-типа и N-типа, соответственно. Для эмиттеров NPN и PNP транзисторов стрелка указывает по направлениям от базы и к базе, соответственно. На условном обозначении нет стрелки на коллекторе. Тем не менее, переход база-коллектор имеет ту же полярность, как диод, что и переход база-эмиттер. Обратите внимание, что мы говорим о полярности диода, а не источника питания.

Сравните NPN транзистор (a) с PNP транзистором (b). Обратите внимание на стрелку эмиттера и полярности источника питания.

Источники напряжения для PNP транзисторов перевернуты по сравнению с NPN транзисторами, как показано на рисунке выше. Переход база-эмиттер должен быть смещен в прямом направлении в обоих случаях. На базу PNP транзистора подается отрицательное смещение (b), по сравнению с положительным (a) для NPN транзистора. В обоих случаях переход база-коллектор смещен в обратном направлении. Источник питания коллектора PNP транзистора имеет отрицательную полярность, по сравнению с положительной для NPN транзистора.

Биполярный плоскостной транзистор (BJT): (a) поперечное сечение отдельного прибора, (b) условное графическое обозначение, (c) поперечное сечение интегральной микросхемы.

Обратите внимание, что биполярный транзистор (BJT) на рисунке (a) выше имеет сильное легирование в эмиттере, обозначенное N⁺. База обладает нормальным уровнем P-легирования. База намного тоньше, чем показано на рисунке поперечного сечения не в масштабе. Коллектор легирован слабо, что обозначено с помощью N^—. Коллектор должен быть легирован так слабо, чтобы переход коллектор-база обладал высоким напряжением пробоя. Это приводит к высокому допустимому напряжению источника питания коллектора. Напряжение пробоя у маломощных кремниевых транзисторов составляет 60-80 вольт. Для высоковольтных транзисторов оно может достигать сотен вольт. Коллектор также должен быть сильно легирован для уменьшения резистивных потерь, если транзистор должен работать с большими токами. Эти противоречивые требования удовлетворяются за счет более сильного легирования коллектора в области металлического контакта. Коллектор около базы легирован слабо по сравнению с эмиттером. Сильное легирование в эмиттере дает низкое напряжение пробоя перехода эмиттер-база, которое составляет примерно 7 вольт для маломощных транзисторов. Сильнолегированный эмиттер делает переход эмиттер-база при обратном смещении, похожим по характеристикам на стабилитрон.

Основание биполярного плоскостного транзистора, пластина из полупроводника, – это коллектор, установленный (в случае мощных транзисторов) на металлическом корпусе. То есть, металлический корпус электрически соединен с коллектором. Основание маломощных транзисторов может быть заключено в эпоксидную смолу. В мощных транзисторах алюминиевые соединительные провода подключаются к базе и эмиттеру и соединяются с выводами корпуса. Основания маломощных транзисторов могут устанавливаться непосредственно на выводящих проводниках. На одном кристалле может быть изготовлено несколько транзисторов, что будет называться интегральной схемой. Коллектор даже может быть установлен не на корпусе, а на выводе. Интегральная схема может содержать внутренние проводники, соединяющие транзисторы и другие интегрированные компоненты. Встроенный биполярный транзистор, показанный на рисунке (c) выше, намного тоньше, чем показано на рисунке «не в масштабе». Область P⁺ изолирует несколько транзисторов в одном кристалле. Алюминиевый слой металлизации (не показан) соединяет между собой несколько транзисторов и другие компоненты. Область эмиттера сильно легирована N⁺ по сравнению с базой и коллектором для того, чтобы повысить эффективность эмиттера.

Дискретные PNP транзисторы почти столь же высокого качества, как и NPN транзисторы. Тем не менее, интегрированные PNP транзисторы не так хороши, как NPN в аналогичном кристалле интегральной схемы. Таким образом, интегральные схемы по максимуму используют NPN транзисторы.

Подведем итоги

• Биполярные транзисторы проводят ток, используя и электроны, и дырки в одном приборе.
• Функционирование биполярного транзистора, как усилителя тока, требует, чтобы на переход коллектор-база было подано обратное смещение, а на переход эмиттер-база – прямое.
• Транзистор отличается от пары соединенных «спина к спине» диодов тем, что база (центральный слой) очень тонкая. Это позволяет основным носителям заряд из эмиттера диффундировать, как неосновные носители, через базу в обедненную область перехода база-коллектор, где их подбирает сильное электрическое поле.
• Эффективность эмиттера улучшается более сильным легированием по сравнению с коллектором. Эффективность эмиттера: α = I_C/I_E, составляет 0,99 для маломощных транзисторов.
• Усиление по току: β=I_C/I_B, для маломощных транзисторов лежит в диапазоне от 100 до 300.

Оригинал статьи:

Теги

PN переходБиполярный транзисторОбучениеЭлектроника

Сохранить или поделиться

Основы промышленных зондирований

— Назад к основам: NPN против PNP

В чем разница и почему кого-то должно волновать? Если вас смущают термины PNP и NPN, то, надеюсь, этот пост прольет свет на различия между ними. В контексте этого поста они относятся к конструкции транзистора датчика и к тому, имеет ли он полупроводник p-типа или n-типа.

Когда дело доходит до подключения датчика, вы можете думать о букве «N» как о «отрицательном», а «P» как о «положительном».Что касается датчиков, устройство NPN — это устройство, которое может переключать отрицательную сторону схемы, в то время как устройство PNP переключает положительную сторону.

Следующий вопрос, который нужно задать, — в каком направлении вы хотите, чтобы ток течет?

Датчики

PNP иногда называют «датчиками источника », потому что они подают положительную мощность на выход. Датчики NPN иногда называют «датчиками с опусканием », потому что они опускают землю на выход.

Термин «нагрузка» обозначает устройство, на которое подается питание датчика. Нагрузкой может быть лампа, пневматический клапан, реле или вход ПЛК.

Дополнительная информация:

Типы дискретных электрических выходов — Большинство датчиков, используемых сегодня, используют твердотельные выходы, а не механические реле

На рисунке ниже показаны 2 провода для питания датчика и 2 для переключателя. Большинство датчиков используют только 3 провода, так как один провод выполняет двойную функцию, передавая как мощность, так и выходные сигналы.Это похоже на ванную комнату с одной линией, по которой вода идет как к раковине, так и к унитазу, в отличие от отдельных линий для каждого. Твердотельные дискретные датчики работают аналогично переключателю, но ток течет только в одном направлении. Твердотельные устройства надежны, экономичны, компактны и быстры. Единственный недостаток в том, что вам нужно знать направление тока. NPN и PNP — это технические термины, обозначающие тип транзистора, используемого для переключения выхода. Тип транзистора определяет направление тока.

Дополнительную информацию об устройствах NPN-PNP, соединениях и работе с ПЛК можно найти на форуме «Промышленное электрическое оборудование и техническое обслуживание».

Как это:

Нравится Загрузка …

Марк Сиппель

Марк Сиппель (Mark Sippel) — менеджер по маркетингу продуктов для идентификации объектов и фотоэлектрических датчиков в Северной Америке в компании Balluff NA.

Подключения сенсора: PNP против NPN и Sourcing против Sinking

Поскольку так много типичных датчиков промышленной автоматизации работают при 24 В постоянного тока, важно понимать два основных варианта этих твердотельных устройств.

Системы автоматизации полагаются на дискретные сигналы ввода / вывода, такие как входы от датчиков и выходы для полевых устройств. В некоторых отраслях промышленности эти сигналы работают при напряжении 120 В переменного тока. Более безопасным и распространенным вариантом является использование 24 В постоянного тока, и многие конечные пользователи выбирают устройства с разъемами типа «вилки и шнур» для упрощения установки и обслуживания. Как оказалось, необходимо немного спланировать, чтобы обеспечить правильное подключение датчиков 24 В постоянного тока и модулей дискретного ввода (DI) ПЛК.

Два типа датчиков 24 В постоянного тока называются PNP и NPN.Они должны быть правильно согласованы с опускающимися и исходящими модулями DI, чтобы они могли функционировать. Это несложно, и на самом деле существует нечто вроде стандартного или, по крайней мере, типичного подхода, как объясняется ниже.

Эффекты транзистора

Твердотельная электроника для дискретных датчиков включения / выключения включает транзисторы, которые представляют собой полупроводниковые устройства, сконфигурированные для работы как крошечные реле. Они усиливают очень слабый сигнал, например, датчик положения бесконтактного переключателя, чтобы включить или выключить более сильный сигнал.Этот более мощный сигнал может поступать в точку DI или световой индикатор, или на любое другое устройство с приемлемым номинальным током. Транзисторы бывают двух типов: PNP, или транзисторы, и NPN, или транзисторы.

Для транзисторов PNP и NPN «P» и «N» относятся к расположению полупроводниковых материалов. Транзисторы имеют соединения, называемые базой, коллектором и эмиттером. К счастью, для целей промышленной автоматизации совсем не обязательно разбираться в физике полупроводников.

PNP в сравнении с переключением NPN

Твердотельные устройства активны, а не пассивны, и поэтому обычно требуют небольшого количества рабочей мощности.Обычно они проектируются как трехпроводные устройства с выводами или соединениями для:

• +24 В постоянного тока
• 0 В постоянного тока
• Коммутируемый или сенсорный сигнал

Питание устройства осуществляется по проводам +24 В постоянного тока и 0 В постоянного тока. Стиль PNP или NPN определяет, как датчик управляет переключаемым проводом. Вот две основные вещи, которые следует помнить о работе полевого датчика PNP и NPN при наличии сигнала «включено»:

В чем разница между PNP и NPN?

Мы иногда используем партнерские ссылки в нашем контенте.Это вам ничего не будет стоить, но поможет нам компенсировать расходы на оплату труда наших писателей. Вы можете поддержать нас прямо на BuyMeACoffee. Спасибо!

Здесь, в блоге, мы проводим много времени, работая с датчиками и контроллерами 5 В постоянного тока (например, Arduino). И многие из этих знаний являются отличным руководством для знакомства с промышленными контроллерами, такими как ПЛК (программируемые логические контроллеры).

Однако, когда вы начинаете работать с ПЛК и датчиками 24 В постоянного тока, вы должны следовать немного другой методике подключения.Два очень распространенных, но сбивающих с толку термина в этом пространстве — это «PNP» и «NPN». Эта статья призвана объяснить эти термины и предоставить реальные примеры того, как подключать датчики PNP и NPN к ПЛК.

Как запомнить PNP и NPN (что есть что)?

Прежде чем мы углубимся в схему соединений, давайте поговорим о том, что такое PNP и NPN, и о некоторых методах их запоминания. Вы можете думать о «N» как о «отрицательном» и «P» как о «положительном». Средняя буква — это буква, подключенная к общей клемме. Для датчиков PNP отрицательная сторона соединена с общим.Для датчиков NPN положительная сторона подключена к общему проводу.

Утопить или истечь?

PNP также известен как «Sourcing». Устройства PNP переключают положительную сторону цепи.
Устройство PNP «является источником» или подает +24 В на плату ввода, когда оно активно.

Устройства

NPN известны как «тонущие» и могут переключать отрицательную сторону. Устройство NPN «втягивает» или подает -24 В на входную плату в активном состоянии.

Кроме того, одних терминов Sourcing и Sinking недостаточно для описания конфигурации, потому что SINKING обеспечивает путь к земле, а SOURCING обеспечивает путь к V +.Стандартное соглашение имеет NPN = SINKING и PNP = SOURCING.

Как выбрать датчик PNP или NPN?

Датчики

PNP и NPN определяются типом цепи, используемой в системе. В большинстве ПЛК можно настроить карты как PNP или NPN. Также следует отметить, что датчики NPN и PNP никогда не следует смешивать на плате ввода ПЛК.

Кроме того, если у вас есть конкретный тип входной карты ПЛК, то есть NPN или PNP, важно убедиться, что вы выбрали подходящие датчики.Например, вы можете использовать датчики NPN с картой ввода NPN или картой ввода «типа источника». Однако вы не можете использовать датчики PNP с платой ввода NPN.

Этапы подключения промышленного датчика к ПЛК

Теперь давайте рассмотрим пример использования 3-проводного датчика приближения и карты дискретного ввода постоянного тока на нашем ПЛК.

1. Сначала выберите датчик, который соответствует вашей входной плате ПЛК (дискретный вход постоянного тока) и имеет тот же тип проводки цепи (PNP или NPN). В этом примере мы подключим 3-проводной датчик приближения к плате дискретного входа постоянного тока и пройдемся по типам проводки PNP и NPN.

2. Затем проверьте данные вашего датчика. Провод 3 обычно подключается к нагрузке (или входу терминала на плате ввода ПЛК).

3. Затем следуйте одному из двух руководств по подключению для PNP или NPN, приведенных ниже.

Как подключить датчики PNP (источника) к плате ввода ПЛК

Для подключения нашего датчика приближения PNP вы можете использовать эту методику. Рекомендуется ознакомиться с техническими данными датчика, поскольку цвета и конфигурации проводов могут отличаться.

Сначала подключите коричневый провод или провод 1 к +24 В.Затем подсоедините провод 2 (синий провод) к общей клемме источника питания. Наконец, подключите черный провод или провод 3 к нагрузке или контакту на плате ввода ПЛК.

Как подключить датчики NPN к плате ввода ПЛК

Датчики

NPN подключаются одинаково, за исключением того, что вы подключаете +24 В к общему проводу

.

Протестируйте и запрограммируйте свой ПЛК

После подключения источника питания, ПЛК, платы ввода и датчика следующим шагом будет проверка его работы. Большинство современных ПЛК имеют световые индикаторы как для входных, так и для выходных контактов.Включите датчик приближения и убедитесь, что индикатор загорелся.

Изображение предоставлено курсом S7-1200 на Udemy

Наконец, вы можете войти в среду программирования ПЛК (Studio5000 для контроллеров Allen-Bradley или TIA Portal для контроллеров Siemens) и создать релейную логику.

Если вы новичок в программировании ПЛК, я рекомендую проверить этот курс программирования ПЛК от Udemy. Я прошел курс S7-1200, и он содержит очень подробное содержание, которое поможет вам начать работу с диаграммами релейной логики и функциональных блоков.

Не пропустите!

Поддержка такого содержания

EVC01E — инверторный модуль PNP / NPN

Приложение
Система	Без галогенов; позолоченные контакты; Пригодность тормозной цепи
Совместима с краской	да
Электрические характеристики
Допуск рабочего напряжения [%]	10
Рабочее напряжение [В]
Класс защиты	II
Макс.общая текущая нагрузка [A]	0,1
Выходы
Макс. падение напряжения на коммутационном выходе DC [В]	2
Условия эксплуатации
Температура окружающей среды [° C]	-25 … 60
Температура окружающей среды (подвижная) [° C]	-25…60
Защита	IP 65; IP 67; IP 68; IP 69K
Испытания / одобрения
Среднее время наработки на отказ [лет]	17562
Механические характеристики
Вес [г]	154,9
Размеры [мм]	26.5 х 15,5 х 36,5
Материал	корпус: ТПУ (уретан) черный; уплотнение: FKM
Материал гайка	латунь никелированная
Пригодность тормозной цепи	да
Пригодность тормозной цепи	Радиус изгиба для гибких приложений мин.10 x диаметр кабеля Скорость передвижения макс. 3,3 м / с при длине горизонтального хода 5 м и макс. ускорение 5 м / с² Циклы гибки > 5 млн. Деформация скручивания ± 180 ° / м
Примечания
Примечания	для датчиков согласно IEC 60947-5-2 с нормально разомкнутым режимом
Банкноты	См. Техническое примечание в разделе «Загрузки»
Кол-во в упаковке	1 шт.
Электрическое подключение
	Кабель: 5 м, PUR, безгалогеновый, черный, Ø 4.3 мм; 4 x 0,34 мм² (42 x Ø 0,1 мм)
Электрическое подключение — розетка
Соединение	Разъем: 1 x M12, угловой; Замок: латунь, никелированный; Контакты: позолота; Момент затяжки: 0,6 … 1,5 Нм

Двойные транзисторы общего назначения NPN / PNP

% PDF-1.4 % 1 0 объект > эндобдж 5 0 obj / Title (BC847BPDXV6T1 — Двойные транзисторы общего назначения NPN / PNP) >> эндобдж 2 0 obj > эндобдж 3 0 obj > транслировать BroadVision, Inc.2020-10-07T15: 00: 06 + 02: 002013-05-13T09: 57: 06-07: 002020-10-07T15: 00: 06 + 02: 00application / pdf

BC847BPDXV6T1 — NPN / PNP Dual Транзисторы общего назначения

ON Semiconductor

Этот транзистор предназначен для усилителя общего назначения. Приложения. Он размещен в SOT − 563, который предназначен для низких приложения для поверхностного монтажа.

Acrobat Distiller 9.5.3 (Windows) uuid: ae61c3c3-8712-4265-8652-7c7848091a7fuuid: 02e6b906-a4a6-46b8-aa4c-73d9d9b0f097 Распечатать конечный поток эндобдж 4 0 obj > эндобдж 6 0 obj > эндобдж 7 0 объект > эндобдж 8 0 объект > эндобдж 9 0 объект > эндобдж 10 0 obj > эндобдж 11 0 объект > эндобдж 12 0 объект > эндобдж 13 0 объект > эндобдж 14 0 объект > эндобдж 15 0 объект > эндобдж 16 0 объект > эндобдж 17 0 объект > эндобдж 18 0 объект > эндобдж 19 0 объект > эндобдж 20 0 объект > транслировать HVYoF_1 $ mQ: mb

Вот быстрый способ подключения устройств NPN и PNP

Вот быстрый способ подключения устройств NPN и PNP

Меня часто спрашивают, как подключить устройства NPN и PNP к программируемому логическому контроллеру.Поначалу это может сбивать с толку при просмотре электрических схем. Мне удалось уничтожить несколько датчиков в процессе… .. так что давайте начнем, и я поделюсь своим опытом.

NPN и PNP относятся к транзистору в выходном устройстве

NPN — переключение «отрицательный положительный отрицательный». Иногда это называют «опусканием груза». Мне говорили, что когда срабатывает датчик NPN, он имеет тенденцию взорваться в открытом состоянии. (Нет сигнала)
PNP — положительное отрицательное положительное переключение.Иногда это называют «поиском» груза. Люди говорили мне, что когда датчик PNP срабатывает, он имеет тенденцию взорваться в закрытом состоянии. (Сигнал включен)

Когда датчик срабатывает (неисправность), он обычно также отключает питание. (Предохранитель) Обычно не имеет значения, используете ли вы датчики NPN или PNP, при условии, что все они подключены к ПЛК через изолированные общие провода.

Нельзя одновременно использовать датчики PNP и NPN в одной общей точке для входов ПЛК. Если вы все же смешиваете датчики, то различные общие точки на ПЛК должны быть изолированы друг от друга.Это означает, что общие ресурсы не связаны друг с другом внутренне. Если этого не сделать, это приведет к короткому замыканию в источнике питания и взорвет ваши датчики и источник питания. Как правило, машины обычно используют все NPN или только все PNP.

Цветовая кодировка проводов может быть разной. Не всегда полагайтесь на цветовую кодировку проводов при подключении. См. Электрические схемы в документации.

PNP Открытый коллектор

Ниже представлена ​​электрическая схема датчика PNP с открытым коллектором.Вы заметите, что нагрузка появляется между 0 В (синий) и коммутирующим проводом (черный). При подключении к ПЛК вход ПЛК действует как нагрузка. 0 В (синий) будет подключен к общему входу, а переключающий провод (черный) будет подключен к номеру входа.

NPN Открытый коллектор

Ниже приведена электрическая схема датчика NPN с открытым коллектором. Вы заметите, что нагрузка появляется между + V (коричневый) и коммутирующим проводом (черный). При подключении к ПЛК вход ПЛК действует как нагрузка.+ V (коричневый) будет подключен к общему входу, а переключающий провод (черный) будет подключен к номеру входа.

Как вы можете видеть, возникнет прямое замыкание, если датчики NPN и PNP подключены к ПЛК на одном общем проводе. Ниже показан пример подключения 3-х проводных датчиков к ПЛК с изолированными общими проводами.

Смотрите на YouTube : Подключение датчика NPN к ПЛК

Смотрите на YouTube : Подключение датчика PNP к ПЛК

Смотрите на YouTube : Подключение контактов (дискретных) входов ПЛК

Подключение промежуточных реле
Смотрите на YouTube : Подключение датчиков NPN и PNP к ПЛК с помощью промежуточного реле
Если у вас есть какие-либо вопросы или вам нужна дополнительная информация, свяжитесь со мной.
Спасибо,
Гарри

Если вы, как и большинство моих читателей, стремитесь изучать технологии. Системы нумерации, используемые в ПЛК, нетрудно изучить и понять. Мы рассмотрим системы нумерации, используемые в ПЛК. Сюда входят биты, десятичные числа, шестнадцатеричные числа, ASCII и числа с плавающей запятой.

Чтобы получить эту бесплатную статью, подпишитесь на мою бесплатную рассылку новостей по электронной почте.

Используйте эту информацию, чтобы сообщить другим людям, как работают системы нумерации. Войти Сейчас.

Электронная книга «Надежная регистрация данных бесплатно» также доступна для бесплатной загрузки. Ссылка включена, когда вы подписываетесь на ACC Automation .

Как выбрать транзистор NPN или PNP? (Для начинающих)

Многие из статей, которые были прочитаны для исследования этой темы, касались мельчайших деталей того, как рождаются (и обратно) транзисторы NPN и PNP, но, похоже, не ответили на мой вопрос. Почему я должен использовать одно, а не другое?

Эта статья призвана ответить на этот вопрос понятным мне способом и охватывает только переключение.Я также намеренно не буду говорить о кремнии в этом посте. Предупреждение: я новичок и рассматриваю только основы переключения.

Что такое БЮТ-транзисторы?

Транзисторы

NPN и PNP являются типами транзисторов с биполярным переходом. Все биполярные транзисторы управляются током, это означает, что они зависят от проходящего через них усилителя, открывая и закрывая переключатель. (МОП-транзисторы представляют собой транзисторы, управляемые напряжением, но мы не будем о них здесь говорить.)

Вот принципиальные схемы двух типов:

Стрелки указывают направление тока в PN-переходе.Обратите внимание, что коллектор и эмиттер переместились.

Как видите, транзисторы NPN управляются положительным напряжением на базе, а транзисторы PNP управляются отрицательным напряжением на базе.

Как упоминалось выше, резистор требует протекания тока для управления. К сожалению, для нас, разработчиков программного обеспечения, реальный мир не является двоичным, и увеличение тока на базе транзисторов похоже на открытие крана. При отсутствии тока (кран закрыт) ток не проходит между коллектором и эмиттером.Когда вы начинаете подавать ток на базу (начинаете открывать кран), ток, проходящий между коллектором и эмиттером, начинает увеличиваться (выходит больше воды). В определенный момент ограничивающим фактором становится напряжение (давление в трубе), и подача большего тока на базу (большее открывание крана) не увеличивает поток между коллектором и эмиттером (больше воды не выходит). На этом заключительном этапе транзистор считается насыщенным.

Знание этих фактов заставило меня задуматься о транзисторах, которые больше похожи на переменные резисторы, которые можно повышать и понижать.

Как выбрать между транзисторами NPN и PNP?

Для коммутационных приложений следует использовать NPN, если это переключатель низкого уровня, или PNP, если это переключатель высокого уровня. Поскольку использование другого вызовет такие проблемы, как чрезмерное потребление тока (и даже более сложные проблемы, как мне сказали). Это связано с тем, что вам понадобится ток, протекающий через транзистор в нечетных направлениях.

Это предложение настолько глубокое, насколько я понимаю, и оно имеет смысл. Кажется, что это просто факт, что использование правильного инструмента для работы снижает количество потребляемого тока, позволяя вашей схеме вести счастливый образ жизни с низким током.

Это жалкий ответ; Хочу поподробнее!

Используя эту замечательную страницу, вы можете увидеть, что существует ряд преимуществ, таких как более высокая скорость, более низкая стоимость, меньшее сопротивление и возможность подключения заземления. (Я не понимаю, что значит «быстро» в этом сценарии и что будет считаться медленным, я предполагаю, что по сравнению с нами, людьми, они в любом случае будут очень быстрыми.)

Но вот это привлекло мое внимание:

Как простое практическое правило, если вы включаете и выключаете устройство, переключатель нижнего уровня является простым решением.Однако, если вы подаете питание на всю цепь или устройство, чувствительное к напряжению, вам следует использовать переключатель высокого напряжения.

— Лысый инженер

Резистор

Замечание о резисторе, который требуется для управления транзистором от микроконтроллера.

Теоретически транзисторы

могут потреблять неограниченный ток через базу, в реальной жизни они в конечном итоге вызовут пожар, прежде чем это произойдет. Поэтому вам нужно убедиться, что вы достигли уровня насыщения, но не подавайте дополнительный ток, поскольку он становится бесполезным.

Вы можете сделать это с помощью резистора, вам просто нужно найти свой ток насыщения из таблицы данных транзистора. Затем используйте закон Ома, чтобы определить необходимое сопротивление (вам нужно, поскольку вы знаете напряжения, с которыми вы работаете), и выберите резистор, близкий к этому значению.

Особая благодарность

Я хочу выразить особую благодарность Россу Бэмфорду за то, что он помог новичку познакомиться с некоторыми из этих концепций. Если вы зайдете на его веб-сайт, вы также увидите компьютер, который он построил.

.