Site Loader

Транзистор КТ342Б. Низкие цены. На складе в наличии.

Краткое техническое описание на

транзистор КТ342Б

КТ342Б
Транзисторы КТ342Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в импульсных и других устройствах электронной аппаратуры общего назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 0,5 г.
Тип корпуса: КТ-1-7 (TO-18).
Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1».
Технические условия:
— — ЖК3.365.227ТУ.
Гарантийный срок сохраняемости — не менее 12 лет с момента изготовления.
Импортный аналог: BC107B, BC108B, BC109B, BC235, BCY58B, BCY58C, BFJ93, BSX79B, KC507, KC508, KC509, SF136E, SF137E.
Основные технические характеристики транзистора КТ342Б:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 250 мВт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 300 МГц;
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 50 мА;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,05 мкА;
• h31Э — Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 200… 500;
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 8 пФ;
• Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 10 Ом;
• tк — Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 200 пс

Если вас интересует более подробная техническая информация о транзисторе КТ342Б обращайтесь в отдел продаж. Наши менеджеры предоставлят вам квалифицированную техническую консультацию.

Гарантия

На всю продукцию распостраняется гарантия от 1 до 8 лет, в зависимости от типа устройства.

После подтверждения заказа товар достается со склада, перепроверяется и, при необходимости, калибруется в лаборатории, комплектуется ЗИПом и технической документацией, надежно упаковывается.

Упаковка транзистора КТ342Б может состоять из заводской или транспортной коробки. По запросу поставляем в деревянных ящиках.

Для большей надежности также используем пенопласт, пупырчатый полиэтилен, гофрокартон, гидроизоляционную пленку. Для габаритных поставкок возможна транспортировка на паллетах.

Доставка транзистора КТ342Б

По умолчанию доставка осуществляется транспортой компанией «Новая Почта».

Также для вашего удобства мы предоставляем на выбор другие варианты доставки: SAT, Gunsel, Автолюкс, Укрпошта. Возможна курерская доставка по указанному вами адресу транспортной компанией.

Укажите желаемый способ при общении с менеджером. Если по каким-либо причинам Вы не можете воспользоваться ни одним из предложенных способов, то мы попытаемся найти подходящий вариант.

Также вас может заинтересовать:

Дополнительная информация

Категории товара : транзисторы, количество просмотров товара: 161. Рейтинг товара Транзистор КТ342Б: 5. Приведенные данные актуальны на: 16-02-2023. Подробную информацию о наличии и характеристиках товара уточняйте в отделе продаж.

Идентификация параметров математических моделей биполярных транзисторов КТ209Л, КТ342Б и полевого транзистора КП305Е

Размещено на http://www. Московский государственный технический университет им Н.Э. Баумана Калужский филиал Пояснительная записка к курсовой работе по курсу «Физика полупроводниковых приборов» на тему: «Идентификация параметров математических моделей биполярных транзисторов КТ209Л, КТ342Б и полевого транзистора КП305Е» Содержание Полевые транзисторы 1. Теоретические сведения по МДП транзисторам 2. Качественный анализ работы МДП- транзисторов 3. Уравнения для описания ВАХ МДП-транзистора 4. Эффект подложки 5. Структурно-физическая эквивалентная схема МOП транзистора 6. Характеристики МДП транзистора 7. Расчетная часть Справочные данные 7.2 Описание макета 7.3 Семейство выходных характеристик Биполярные транзисторы Теоретические сведения по биполярным транзисторам Характеристики транзисторов, используемые для экстракции параметров математических моделей. Расчетная часть Биполярный транзистор КТ209Л 11.1 Справочные данные 11.2 Режимы работы, характеристики 11.3 Расчет коэффициентов неидеальности эмиттерного и коллекторного переходов Биполярный транзистор КТ342Б 12.1 Справочные данные: 12.2 Режимы работы, характеристики 12.3 Расчет коэффициентов неидеальности эмиттерного и коллекторного переходов Малосигнальные параметры биполярных транзисторов Литература Цель курсовой работы В ходе выполнения курсовой работы получить знания в области своей будущей профессии, проводя небольшие исследования.

В данной курсовой работе необходимо определить параметры структурно-физических математических моделей диодов и полевых транзисторов, малосигнальных и структурно-физических моделей биполярных транзисторов n-p-n и p-n-p типов. Параметры этих моделей находятся посредством обработки экспериментальных характеристик, которые определяются с помощью двух стендов. На одном из них производится снятие малосигнальных h- параметров биполярных транзисторов при включениях по двум схемам (с общей базой и с общим эмиттером) с использованием прибора Л2-21/1. На другом — производится снятие статических характеристик — входных, выходных, передаточных прямых и обратных в активном режиме и в режиме насыщения. Эти параметры являются главными

Сравнение грамматических времен иностранных языков

Всё о Лондоне

Шпоры по теоретической грамматике английского языка

Роллевые игры на уроках по иностранному языку

Язык «падонкаф» или албанский язык

kt846 техническое описание и примечания по применению

kt846 техническое описание (11)

Часть Модель ECAD Производитель Описание Тип ПДФ
КТ846 Другие Краткие данные и перекрестные ссылки (Разное) Сканировать PDF
КТ846А Другие Краткие данные и перекрестные ссылки (Разное) Сканировать PDF
КТ846Б Другие Краткие данные и перекрестные ссылки (Разное) Сканировать PDF
КТ846Л11 ОПТЭК Технологии Прорезанные оптические переключатели Фототранзисторный выход Сканировать PDF
КТ846Л15 ОПТЭК Технологии Щелевой оптический переключатель фототранзисторного выхода. Непрозрачные полисульфоновые дискретные оболочки. Расстояние между выводами электрического параметра B 0,220 дюйма. Диафрагма перед сенсором 0,010 дюйма. Диафрагма перед излучателем 0,050 дюйма. Сканировать PDF
КТ846Л51 ОПТЭК Технологии Щелевой оптический переключатель фототранзисторного выхода. Непрозрачные полисульфоновые дискретные оболочки. Расстояние между выводами электрического параметра B 0,220 дюйма. Диафрагма перед сенсором 0,050 дюйма. Диафрагма перед излучателем 0,010 дюйма. Сканировать PDF
КТ846Л55 ОПТЭК Технологии Щелевой оптический переключатель фототранзисторного выхода. Непрозрачные полисульфоновые дискретные оболочки. Расстояние между выводами электрического параметра B 0,220 дюйма. Диафрагма перед сенсором 0,050 дюйма. Диафрагма перед излучателем 0,050 дюйма. Сканировать PDF
КТ846В11 ОПТЭК Технологии Щелевые оптические переключатели Фототранзисторный выход Сканировать PDF
КТ846В15 ОПТЭК Технологии Щелевой оптический переключатель фототранзисторного выхода. Непрозрачные полисульфоновые дискретные оболочки. Расстояние между выводами электрического параметра B 0,220 дюйма. Диафрагма перед сенсором 0,010 дюйма. Диафрагма перед излучателем 0,050 дюйма. Сканировать PDF
КТ846В51 ОПТЭК Технологии Щелевой оптический переключатель фототранзисторного выхода. Непрозрачные полисульфоновые дискретные оболочки. Расстояние между выводами электрического параметра B 0,220 дюйма. Диафрагма перед сенсором 0,050 дюйма. Диафрагма перед излучателем 0,010 дюйма. Сканировать PDF
КТ846В55 ОПТЭК Технологии Щелевой оптический переключатель фототранзисторного выхода. Непрозрачные полисульфоновые дискретные оболочки. Расстояние между выводами электрического параметра B 0,220 дюйма. Диафрагма перед сенсором 0,050 дюйма. Диафрагма перед излучателем 0,050 дюйма. Сканировать PDF

kt846 Листы данных Context Search

Каталог данных MFG и тип ПДФ Теги документов
КТ837

Реферат: КТ835 входной КТ837 кт830 фототранзистор К-Т КТ846 кт840 КТ847 А КТ83С КТ841
Текст: Параметр А — КТ830, КТ840 КТ835, КТ845 0,4 В lc-400мкА, нФ-20мА Параметр Б — КТ831, КТ841 КТ836, КТ846 , КТ831, КТ841 КТ836, КТ846 1000 мкА Параметр VcE=5В, лФ-10мА , КТ842 КТ837, КТ847 1800 UA ВКЭ


OCR-сканирование
PDF КТ830 КТ840 КТ830/КТ840 Р1700-935) КТ837 КТ835 вход КТ837 фототранзистор К-Т КТ846 КТ847 А КТ83С КТ841
вход КТ837

Реферат: КТ837 КТ342 ОПТЭК кт Датчик углеводородов кт841 КТ847 А КТ830 КЦ40 кт835
Текст: КТ831, КТ841 КТ836, КТ846 0,4 В IC = 800 мкА, lp=<10 мА Параметр С - КТ832, КТ842 КТ837, КТ847 0,6 В , мкА VcE=10В. lF=20 мА Параметр B — КТ831, КТ801 1 КТ836, КТ836 мкА VcE=5В, lF=10мА Параметр C


OCR-сканирование
PDF КТ830 КТ840 000D0S3 Т-41-13 КТ830/КТ840 Р1700-935) вход КТ837 КТ837 КТ342 ОПТЭК кт датчик углеводородов кт841 КТ847 А КТС40 кт835
узлов42

Реферат: КТ340 кт835 кт837 КТ332 КТ831
Текст: НАПРЯЖЕНИЕ Параметр А — КТ830, КТ840 КТ835, КТ84С Параметр Б — КТ831, КТ841 КТ836, КТ846 Параметр С — , — КТ831, КТ841 КТ836, КТ846 Параметр С — КТ332, КТ842 КТ337, КТ847 1000 мкА » 10 мА


OCR-сканирование
PDF 000D0S3 КТ830 КТ840 КТ830/КТ840 Р1700-935) кт42 КТ340 кт835 кт837 КТ332 КТ831
КТ342

Аннотация: вход КТ837 КТ847 А КТ830 КТ836 ГИДРО КТ846
Текст: ,lp » 20 мА Параметр B — КТ831, КТ841 КТ836, КТ846 0,4 В IC = 800 мкА, lF »10 мА Параметр C — , — КТ830, КТ840 КТ83С, КТ84С 500 мкА VcE = 10В, lF=20 мА Параметр B — КТ831, КТ841 КТ836, КТ846 1000


OCR-сканирование
PDF КТ830 КТ840 000D0S3 КТ830/КТ840 Р1700-935) ИФ-20 КТ342 вход КТ837 КТ847 А КТ836 ГИДРО КТ846
2T3130A9

Реферат: HEP310 kp303g kt117 HEP-310 kt117b kt117a KT117G kt816g kt3102e
Текст: KT816G KT816V KT817A KT819BM,GM KT838B KT846V KT856B1 KT868A KT9142A KT9151AC KT9152A KT917A


Оригинал
PDF КТ117АМ КТ117БМ КТ117Г КТ117ГМ КТ117ВМ 2Н1923 2Н739 БСВ56С, HEP310 2Н844 2Т3130А9 HEP310 КП303Г кт117 ГЭП-310 кт117б кт117а КТ117Г кт816г кт3102е

Посмотреть техническое описание EV1527_319146.

PDF онлайн — IC-ON-LINE Посмотреть техническое описание EV1527_319146.PDF онлайн — IC-ON-LINE
Номер детали Горячий поиск:
С4043 АМК2950 Н5263Б А4650 К1104 ВНП20 АДЛ8А СБР3060
Описание продукта
Полнотекстовый поиск


  Текст OCR файла технического описания:
 EV1527 OTP-кодировщик
EV1527 Описание: (Совместимость: EV1527, RT1527, FP1527)
EV1527 — это OTP-кодировщик, использующий технологию CMOS. EV1527 имеет максимум 20 бит, обеспечивая до 1 миллиона кодов. Это может уменьшить вероятность коллизии кода и возможности несанкционированного сканирования кода.
EV1527 Особенности: (Совместимость: EV1527, RT1527, FP1527)
КМОП-технология Низкий ток в режиме ожидания: 1,0 мкА Широкий диапазон рабочего напряжения: Vcc 3,012 В До 4 выводов данных Всего 1048576 адресных кодов Генератор с одним резистором Доступен в корпусах DIP и SOP
EV1527 Вывод: (Совместимость: EV1527, RT1527, FP1527)
EV1527 Описание контакта: (Совместимость: EV1527, RT1527, FP1527)
№ контакта 1 2 3 4 5 6 7 8 Название OCSI Vcc GND Dout K0 K1 K2 K3 Описание Подтягивание входа генератора R к Vcc Положительный источник питания Заземление Контакт вывода данных Ввод данных с понижением напряжения R Ввод данных с понижением напряжения R Ввод данных с понижением напряжения R Ввод данных с понижением напряжения R Ввод/вывод I
O I I I I
Silvan Chip Electronics Tech. Co.,Ltd. Адрес: Fl.16 FuChang Building, Binhe Rd, Shenzhen, China Телефон: 86-0755-88291843 88304213 Факс 86-0755-88290509 Http:// www.sc-tech.cn Электронная почта: [email protected]
www .DataSheet.in
EV1527 Кодер OTP
EV1527 Формат вывода: (Совместимость:EV1527,RT1527,FP1527)
Фрейм выходных данных: Преамбула C0 ~ C19 (1 миллион кодов) e Преамбула 1 данные (H): данные (L): определить : 1 Ick=256clk 3 31 1 3 D0 D1 D2 D3
EV1527 Комбинация K0~K3 Таблица: (Совместимость:EV1527,RT1527,FP1527) K3 K2 K1 K0 D3 D2 D1 D0
0 0 0 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 0 0 0 1 1 1 1 0 0 0 0 1 1 1 1 0 1 1 0 0 1 1 0 0 1 1 0 0 1 1 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 0 0 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 0 0 0 1 1 1 1 0 0 0 0 1 1 1 1 0 1 1 0 0 1 1 0 0 1 1 0 0 1 1 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1
EV1527 Абсолютный Максимальный номинал: (Совместимость: EV1527,RT1527,FP1527) Символ Параметр Условия Номинал Vcc Напряжение питания -0,3 ~ 13 VI Входное напряжение -0,3 ~ Vcc+0,3 Vo Выходное напряжение -0,3 ~ Vcc+0,3 Tst Температура хранения -40 ~ 125 Максимальная рабочая температура -20 ~ 70 Pdis Макс. рассеиваемая мощность Vcc = 12 В 300
Silvan Chip Electronics Tech.Co., Ltd. Адрес: Fl.16 FuChang Building, Binhe Rd, Shenzhen, China Телефон: 86-0755-88291843 88304213 Факс 86-0755-88290509 Http:// www.sc-tech.cn Электронная почта: [email protected]
www
Блок В В В
мВт
EV1527 Кодер OTP
EV1527 Цикл данных Rosc: (Совместимость: EV1527, RT1527, FP1527)
EV1527 Схематическая диаграмма: (Совместимость: EV1527, RT1527, FP1527)
Tech.Chip Electronics. , ООО Адрес: Fl.16 FuChang Building, Binhe Rd, Shenzhen, China Телефон: 86-0755-88291843 88304213 Факс 86-0755-88290509 Http:// www.sc-tech.cn Электронная почта: [email protected]
www.DataSheet.in


▲До Поиск▲   

 
Цена и наличие EV1527 от

Все права защищены © IC-ON-LINE 2003 — 2022  

[Добавить закладку] [Контакты Нас] [Обмен ссылками] [Политика конфиденциальности]
Сайты-зеркала:  [www.

alexxlab

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *