Условное обозначение диодов, тиристоров, светодиодов, варикапов на схемах

Диоды — простейшие полупроводниковые приборы, основой которых является электронно-дырочный переход (p-n-переход). Как известно, основное свойство p-n-перехода — односторонняя проводимость: от области p (анод) к области n (катод). Это наглядно передает и условное графическое обозначение полупроводникового диода : треугольник (символ анода) вместе с пересекающей его линией электрической связи образуют подобие стрелки, указывающей направление проводимости. Перпендикулярная этой стрелке черточка символизирует катод (рис. 1).

Рис.1. Условное обозначение диодов

Буквенный код диодов — VD. Этим кодом обозначают не только отдельные диоды, но и целые группы, например, выпрямительные столбы (см. рис. 1, VD4). Исключение составляет однофазный выпрямительный мост, изображаемый в виде квадрата с соответствующим числом выводов и символом диода внутри (рис. 2, VD1). Полярность выпрямленного моста напряжения на схемах не указывают, так как ее однозначно определяет символ диода. Однофазные мосты, конструктивно объединенные в одном корпусе, изображают отдельно, показывая принадлежность к одному изделию в позиционном обозначении (см. рис. 2, VD2.1, VD2.2). Рядом с позиционным обозначением диода можно указывать и его тип.

Рис.2. Условное обозначение диодных мостов

На основе базового символа построены и условные графические обозначения полупроводниковых диодов с особыми свойствами. Чтобы показать на схеме стабилитрон, катод дополняют коротким штрихом, направленным в сторону символа анода (рис. 3, VD1). Следует отметить, что расположение штриха относительно символа анода должно быть неизменным независимо от положения обозначения стабилитрона на схеме (VD2—VD4). Это относится и к символу двуханодного (двустороннего) стабилитрона (VD5).

Рис. 3. Условное обозначение стабилитронов, варикапов, диодов Шотки

Аналогично построены условные графические обозначения туннельных диодов, обращенных и диодов Шотки — полупроводниковых приборов, используемых для обработки сигналов в области СВЧ. В символе туннельного диода (см. рис. 3, VD8) катод дополнен двумя штрихами, направленными в одну сторону (к аноду), в обозначении диода Шотки (VD10) — в разные стороны; в обозначении обращенного диода (VD9) — оба штриха касаются катода своей серединой.

Свойство обратно смещенного p-n-перехода вести себя как электрическая ёмкость использовано в специальных диодах — варикапах (от слов vari(able) — переменный и cap(acitor) — конденсатор). Условное графическое обозначение этих приборов наглядно отражает их назначение (рис. 3, VD6): две параллельные линии воспринимаются как символ конденсатора. Как и конденсаторы переменной ёмкости, для удобства варикапы часто изготовляют в виде блоков (их называют матрицами) с общим катодом и раздельными анодами.

Для примера на рис. 3 показано обозначение матрицы из двух варикапов (VD1).

Базовый символ диода использован и в обозначении тиристоров (от греческого thyra — дверь и английского resistor — резистор) — полупроводниковых приборов с тремя p-n-переходами (структура р-n-p-n), используемых в качестве переключающих диодов. Буквенный код этих приборов — VS.

Тиристоры с выводами только от крайних слоев структуры называют

динисторами и обозначают символом диода, перечеркнутым отрезком линии, параллельным катоду (рис. 4, VS1). Такой же прием использован и при построении обозначения симметричного динистора (VS2), проводящего ток (после его включения) в обоих направлениях. Тиристоры с дополнительным, третьим выводом (от одного из внутренних слоев структуры) называют тринисторами. Управление по катоду в обозначении этих приборов показывают ломаной линией, присоединенной к символу катода (VS3), по аноду — линией, продолжающей одну из сторон треугольника, символизирующего анод (VS4). Условное графическое обозначение симметричного (двунаправленного) тринистора получают из символа симметричного динистора добавлением третьего вывода (см. рис.4, VS5).

Рис.4. Условное обозначение динисторов, тринисторов

Из диодов, изменяющих свои параметры под действием внешних факторов, наиболее широко применяют фотодиоды. Чтобы показать такой полупроводниковый прибор на схеме, базовый символ диода помещают в кружок, а рядом с ним (слева вверху, независимо от положения) помещают знак фотоэлектрического эффекта — две наклонные параллельные стрелки, направленные в сторону символа (рис. 5, VD1—VD3). Подобным образом строятся обозначения любого другого полупроводникового диода, управляемого оптическим излучением. На рис. 5 в качестве примера показано условное графическое обозначение фотодинистора VD4.

Рис.5. Условное обозначение фотодиодов

Аналогично строятся условные графические обозначения светоизлучающих диодов, но стрелки, обозначающие оптическое излучение, помещают справа вверху, независимо от положения и направляют в противоположную сторону (рис. 6). Поскольку светодиоды, излучающие видимый свет, применяют обычно в качестве индикаторов, на схемах их обозначают латинскими буквами HL. Стандартный буквенный код D используют только для инфракрасных (ИК) светодиодов.

Рис.6. Условное обозначение светодиодов и светодиодных индикаторов

Для отображения цифр, букв и других знаков часто применяют светодиодные знаковые индикаторы. Условные графические обозначения подобных устройств в ГОСТе формально не предусмотрены, но на практике широко используются символы, подобные HL3, показанному на рис. 6, где изображено обозначение семисегментного индикатора для отображения цифр и запятой. Сегменты подобных индикаторов обозначаются строчными буквами латинского алфавита но часовой стрелке, начиная с верхнего. Этот символ наглядно отражает практически реальное расположение светоизлучающих элементов (сегментов) в индикаторе, хотя и не лишен недостатка; он не несет информации о полярности включения в электрическую цепь (поскольку подобные индикаторы выпускают как с общим анодом, так и с общим катодом, то схемы включения будут различаться).

Однако особых затруднений это не вызывает, поскольку подключение общего вывода индикаторов обычно указывают на схеме. Буквенный код знаковых индикаторов — HG.

Светоизлучающие кристаллы широко используют в оптронах — специальных приборах, применяемых для связи отдельных частей электронных устройств в тех случаях, если необходима их гальваническая развязка. На схемах оптроны обозначают буквой U и изображают, как показано на рис. 7.

Рис.7. Условное обозначение оптронов

Оптическую связь излучателя (светодиода) и фотоприемника показывают в этом случае двумя стрелками, перпендикулярными к линиям электрической связи — выводам оптрона. Фотоприемником в оптроне могут быть фотодиод (см. рис. 7, U1), фототиристор U2, фоторезистор U3 и т. д. Взаимная ориентация символов излучателя и фотоприемника не регламентируется. При необходимости составные части оптрона можно изображать раздельно, но в этом случае знак оптической связи следует заменять знаками оптического излучения и фотоэффекта, а принадлежность частей к одному изделию показывать в позиционном обозначении (см.

рис. 7, U4.1,U4.2).

Обозначение диодов. Виды, маркировка и назначение диодов :: SYL.ru

Обозначение диодов графическими элементами является условным показателем характеристик, которыми обладает устройство. На данный момент элементов довольно много, их база разнообразна. Поэтому между собой сокращения отличаются максимально.

Сложные графические обозначения имеют разные диоды, в том числе тоннельные, стабилитроны и другие. На данный момент имеются разновидности, которые могут напоминать газоразрядную лампочку. Более того, такие светодиоды горят, что помогает человеку запутаться еще больше в их применении.

Диоды полупроводниковые

Такие устройства являются максимально простыми, они известны большому количеству радиолюбителей. Имеется цилиндрическое основание, дисковая форма, на ножках нанесены обозначения диодов. Метки максимально понятны и заметны. То, каким цветом оформлен корпус, совершенно не играет никакой роли. На низкую мощность будет указывать небольшой размер.

Если говорить о довольно мощном диоде, то идет речь о наличии резьбы под гайку. Как правило, это нужно для крепления радиатора. Для осуществления работы системы охлаждения используются навесные элементы. На данный момент потребляемая мощность последовательно падает, соответственно, размеры корпусов любого прибора уменьшаются. Благодаря этому можно использовать стекло. Такой материал будет дешевле, прочнее и намного безопаснее при использовании.

Маркировка

Если говорить об обозначении диодов, то следует сказать, что на первом месте будет стоять буква или цифра, которая характеризует материал. В качестве такого может выступать галлий, кремний, германий и индий. Соответственно, на корпусе будут нанесены такие буквы (цифры): А (3), К (2), Г (1), И (4). На втором месте будет стоять характеристика диода. Нужно сказать, что, как правило, ее расшифровку следует смотреть в инструкции. Наиболее популярным является обозначение Д. Это означает, что устройство выпрямительное либо импульсивного типа. На третьем месте будет находиться цифра, которая охарактеризует сферу применения диода. Здесь используются числа от 1 до 9. Минимальной характеристикой является 1 – низкочастотные, которые имеют ток ниже 0,3. Девятка же означает импульсивность, при которой время жизни носителей будет намного ниже, чем показатель 1 нс. Номер разработки может либо быть указан, либо нет.

Нужно заметить, что номинал, который имеет однозначное число, всегда впереди дополняется нулем. К примеру, партия 7 будет записываться как 07. Номер группы производители, как правило, обозначают буквой. Благодаря ей можно узнать различные свойства и параметры устройства. Она также указывает на напряжение, подаваемый ток и так далее.

Нюансы

В дополнение к таким обозначениям диодов используются также некоторые графические показатели. Благодаря им, можно решить задачу и понять, насколько высокой является рабочая точка устройства. Иногда на диоды наносятся данные о том, какая техника производства выбрана, какой имеется материал корпуса, масса устройства. В принципе, такая информация будет полезна тому, кто создает аппаратуру, любителям такие данные не нужны.

Нужно заметить, что импортные производители работают по другой схеме. Маркировка диода такого типа будет довольно простой, ее значение можно посмотреть в специальной таблице. Именно поэтому аналоги будет отыскать очень легко.

Цветовая маркировка

Многие радиолюбители знают, что большинство диодов, к сожалению, на одно лицо. Однако нужно заметить, что на некоторые устройства все же наносится специальная цветовая маркировка, которая позволяет сразу опознать такие устройства. Если смотреть на таблицу маркировки диодов, то можно сказать, что делятся они на 2 основных типа. Речь идет об обозначении анода и катода, а также нередко производители цвет корпуса заменяют обычной цветной точкой.

С первого взгляда можно отличить любые цветные диоды, о которых пойдет речь ниже.

Например, диоды семейства КД410 отличаются тем, что имеют точку в районе расположения анода. Корпус прозрачный у диодов КД102. У устройства КД274 возле катода можно заметить два цветных кольца. Нужно заметить, что существуют еще и другие различимые метки, которые позволят с легкостью отличить устройства друг от друга.

Многие новички, рассматривая виды диодов, к сожалению, не могут определить, где находится анод, где катод. Нужно заметить, что новые устройства, которые создаются в современное время, работают таким образом, что анод имеет усик немного длиннее, чем катод. Также, если человек умеет использовать мультиметр, он сможет с легкостью отличить анод от катода. Катод можно также найти по темной полосе, если рассматривать боковину цилиндра. Это также является цветной маркировкой.

У иностранных производителей есть своя система обозначений. Если необходимо выбрать аналог, то следует использовать таблицы соответствий. В остальном характеристики устройств от отечественных не отличаются. Цветная маркировка, а также многие другие обозначения параметров диодов, как правило, соответствует либо стандартам США, либо европейской системе.

SMD-диоды

К сожалению, при создании SMD-устройств они получаются настолько маленькими, что маркировка нередко не наносится. Нужно заметить, что характеристики таких устройств от габаритов практически не зависят.

Единственное, что необходимо указать: габариты влияют на рассеиваемую мощность. Для того чтобы большой ток мог пройти по цепи, необходимо, чтобы диод имел большие размеры.

Нюансы маркировки SMD-диодов

Если все же рассматривать устройства, которые имеют цветовое обозначение, у диодов следует выделить следующие виды маркировки:

• полная;
• сокращенная.

В электронике, к сожалению, SMD-элементы занимают около 80 % всех приспособлений. Их можно поверхностно устанавливать. Особенно, если говорить об автоматизированных сборках, эти устройства максимально удобны.

Следует заметить, что нередко маркировка не соответствует действительным наполнениям корпуса. Когда создается огромный объем партии, производитель иногда начинает хитрить: характеристики указываются одни, а диод работает совершенно по-другому. Из-за таких несоответствий может быть путаница, если говорить об использовании устройства в микросхемах.

Корпус

Что касается корпуса, то здесь обозначение полупроводниковых диодов, точно так же, как и других, является уникальным. Указывается четыре цифры, которые обозначают типоразмер. В целом они никак не соответствуют габаритам. Если хочется об этом узнать более подробно, то необходимо обратиться к ГОСТам. Люди, которые не имеют возможности работать с нормативными актами в следствии каких-либо нюансов, могут использовать обычные справочные таблицы.

Следует заметить, что корпуса SMD-устройств от производителя к производителю могут между собой отличаться по мелочам. Дело в том, что любой производитель создает базу под свою технику, соответственно, некоторые детали приходится менять.

Соответственно, также габариты корпусов вышеописанных приборов SMD нужны разные, они также должны выполнять другие требования для корректной работы, такие как условие отвода тепла и так далее. Поэтому перед покупкой следует не только руководствоваться цифрами справочника, но и сделать замеры. Особенно если речь идет о ремонте какой-либо техники. Иначе такие диоды могут попросту не установиться в те места, где они необходимы.

Дополнительная информация

Устройство SMD довольно сложное в монтаже, поэтому многие новички не рискуют с ними работать. Однако мастера должны отлично уметь руководить такой электроникой, так как на данный момент подобные устройства является одними из самых популярных среди других видов диодов. Также следует принять во внимание то, что при выборе приборов необходимо смотреть на их характеристики и внешние отличия. Иногда корпуса по сути одни и те же, а маркировка другая. В некоторых обозначениях могут отсутствовать буквы или цифры. Соответственно, необходимо иметь под рукой таблицы, которые позволяют максимально ориентироваться в подобном вопросе. Обозначение выпрямительного диода также можно найти в аналогичной справочной таблице.

Виды диодов и их обозначения.

Что такое диод — принцип работы и устройство

Диод является одной из разновидностей приборов, сконструированных на полупроводниковой основе. Обладает одним p-n переходом, а также анодным и катодным выводом. В большинстве случаев он предназначен для модуляции, выпрямления, преобразования и иных действий с поступающими электрическими сигналами.

Принцип работы:

1. Электрический ток воздействует на катод, подогреватель начинает накаливаться, а электрод испускать электроны.
2. Между двумя электродами происходит образование электрического поля.
3. Если анод обладает положительным потенциалом, то он начинает притягивать электроны к себе, а возникшее поле является катализатором данного процесса. При этом, происходит образование эмиссионного тока.
4. Между электродами происходит образование пространственного отрицательного заряда, способного помешать движению электронов. Это происходит, если потенциал анода оказывается слишком слабым. В таком случае, частям электронов не удается преодолеть воздействие отрицательного заряда, и они начинают двигаться в обратном направлении, снова возвращаясь к катоду.
5. Все электроны, которые достигли анода и не вернулись к катоду, определяют параметры катодного тока. Поэтому данный показатель напрямую зависит от положительного анодного потенциала.
6. Поток всех электронов, которые смогли попасть на анод, имеет название анодный ток, показатели которого в диоде всегда соответствуют параметрам катодного тока. Иногда оба показателя могут быть нулевыми, это происходит в ситуациях, когда анод обладает отрицательным зарядом. В таком случае, возникшее между электродами поле не ускоряет частицы, а, наоборот, тормозит их и возвращает на катод. Диод в таком случае остается в запертом состоянии, что приводит к размыканию цепи.

Что такое полупроводниковый диод – выпрямитель переменного тока

Диодами называют двухэлектродные приборы, обладающие односторонней проводимостью электрического тока. Это их основное свойство используют, например, в выпрямителях, где диоды преобразуют переменный ток электросети в ток постоянный для питания радиоаппаратуры, в приемниках — для детектирования модулированных колебаний высокой частоты, то есть преобразования их в колебания низкой (звуковой) частоты.
Наглядной иллюстрацией этого свойства диода может быть такой опыт. В цепь, составленную из батареи 3336Л и лампочки от карманного фонаря (3,5 В X 0,26 А), включи любой плоскостной диод, например, из серии Д226 или Д7, но так, чтобы анод диода, обозначаемый условно треугольником, был бы соединен непосредственно или через лампочку с положительным полюсом батареи, а катод, обозначаемый черточкой, к которой примыкает угол треугольника, с отрицательным полюсом батареи. Лампочка должна гореть.

Размеры диодов.

Измени полярность включения батареи на обратную — лампочка гореть не будет. Если сопротивление диода измерять омметром, го в зависимости от того, как подключить его к зажимам прибора, омметр покажет различное сопротивление: в одном случае малое (единицы или десятки ом), в другом — очень большое (десятки и сотни килоом). Этим и подтверждается односторонняя проводимость диода.

У диода два электрода: катод — отрицательный и анод — положительный (рис. 13). Катодом служит пластинка германия, кремния или какого-либо другого полупроводника, обладающего электронной проводимостью, или сокращенно полупроводник n-типа (n — начальная буква латинского слова negativus — «отрицательный»), а анодом – часть объема этой же пластинки, но- с так называемой дырочной про-водимостью, или сокращенно полупроводник р-типа (р — начальная буква латинского слова positivus — «положительный»).

Между электродами образуется так называемый р-n переход — пограничная зона, хорошо проводящая ток от анода к катоду и плохо в обратном направлении (за направление тока принято направление, противоположное движению электронов). Диод может находиться в одном из двух состояний: открытом, то есть пропускном, либо закрытом, то есть непропускном. Диод бывает открыт, когда к нему приложено прямое напряжение Uпр, иначе, его анод соединен с плюсом источника напряжения, а катод — с минусом.

В этом случае сопротивление р-n перехода диода мало и через него течет прямой ток IПр, сила которого зависит от сопротивления нагрузки (в нашем опыте — лам-почка от карманного фонаря). При другой полярности питающего напряжения на р-n переход диода прикладывается обратное напряжение Uобр. В этом случае диод закрыт, его сопротивление велико и в цепи течет лишь незначительный обратный ток диода Iобр. О зависимости тока, проходящего через диод, от значения и полярности напряжения на его электродах лучше всего судить по вольтамперной характеристике диода, которую можно снять опытным путем.

Разные типы диодов.

Диоды и их разновидности

Мы очень часто применяем в своих схемах диоды, а знаете ли вы как он работает и что из себя представляет? Сегодня в “семейство” диодов входит не один десяток полупроводниковых приборов, носящих название “диод”. Диод представляет собой небольшую емкость с откачанным воздухом, внутри которой на небольшом расстоянии друг от друга находится анод и второй электрод – катод, один из которых обладает электропроводностью типа р, а другой – n.

Чтобы представить как работает диод, возьмем для примера ситуацию с накачиванием колеса при помощи насоса. Вот мы работаем насосом, воздух закачивается в камеру через ниппель, а обратно этот воздух выйти через ниппель не может. По сути воздух, это тот же электрон в диоде, вошел электрончик, а обратно выйти уже нельзя. Если вдруг ниппель выйдет из строя то колесо сдуется, будет пробой диода. А если представить что ниппель у нас исправный, и если мы будем нажимая на пипку ниппеля выпускать воздух из камеры, причем нажимая как нам хочется и с какой длительностью – это будет управляемый пробой. Из этого можно сделать вывод что диод пропускает ток только в одном направлении (в обратном направлении тоже пропускает, но совсем маленький).

Внутреннее сопротивление диода (открытого) – величина непостоянная, она зависит от прямого напряжения приложенного к диоду. Чем больше это напряжение, тем больше прямой ток через диод, тем меньше его пропускное сопротивление. Судить о сопротивлении диода можно по падению напряжения на нем и току через него. Так, например, если через диод идет прямой ток Iпр. = 100 мА (0,1 А) и при этом на нем падает напряжение 1В, то (по закону Ома) прямое сопротивление диода будет: R = 1 / 0,1 = 10 Ом.

Отмечу сразу, что вдаваться в подробности и сильно углубляться, строить графики, писать формулы мы не будем – рассмотрим все поверхностно. В данной статье рассмотрим разновидности диодов, а именно светодиоды, стабилитроны, варикапы, диоды Шоттки и др. Треугольная часть является АНОД’ом, а черточка это КАТОД. Анод это плюс, катод – минус. Диоды например, используют в блоках питания для выпрямления переменного тока, при помощи диодного моста можно превратить переменной ток в постоянный, применяются для защиты разных устройств от неправильной полярности включения и т. п.

Какие разновидности диодов существуют.

Существует несколько основных видов диодов:

• Диод Шоттки. Диоды Шоттки имеют очень малое падение напряжения и обладают повышенным быстродействием по сравнению с обычными диодами. Ставить вместо диода Шоттки обычный диод не рекомендуется, обычный диод может быстро выйти из строя. Обозначается на схемах такой диод так:
• Стабилитрон. Стабилитрон препятствует превышению напряжения выше определённого порога на конкретном участке схемы. Может выполнять как защитные так и ограничительные функции, работают они только в цепях постоянного тока. При подключении следует соблюдать полярность. Однотипные стабилитроны можно соединять последовательно для повышения стабилизируемого напряжения или образования делителя напряжений. Основным параметром стабилитронов является напряжение стабилизации, стабилитроны имеют различные напряжения стабилизации, например 3в, 5в, 8.2в, 12в, 18в и т.п.
• Варикап. Варикап (по другому емкостной диод) меняет своё сопротивление в зависимости от поданного на него напряжения. Применяется как управляемый конденсатор переменной емкости, например, для настройки высокочастотных колебательных контуров.
• Тиристор. Тиристор имеет два устойчивых состояния: 1) закрытое, то есть состояние низкой проводимости, 2) открытое, то есть состояние высокой проводимости. Другими словами он способен под действием сигнала переходить из закрытого состояния в открытое. Тиристор имеет три вывода, кроме Анода и Катода еще и управляющий электрод – используется для перевода тиристора во включенное состояние. Современные импортные тиристоры выпускаются и в корпусах ТО-220 и ТО-92. Тиристоры часто используются в схемах для регулировки мощностей, для плавного пуска двигателей или включения лампочек. Тиристоры позволяют управлять большими токами. У некоторых типов тиристоров максимальный прямой ток достигает 5000 А и более, а значение напряжений в закрытом состоянии до 5 кВ. Мощные силовые тиристоры вида Т143(500-16) применяются в шкафах управления эл.двигателями, частотниках.
• Симистор. Симистор используется в системах, питающихся переменным напряжением, его можно представить как два тиристора, которые включены встречно-параллельно. Симистор пропускает ток в обоих направлениях. Светодиод. Светодиод излучает свет при пропускании через него электрического тока. Светодиоды применяются в устройствах индикации приборов, в электронных компонентах (оптронах), сотовых телефонах для подсветки дисплея и клавиатуры, мощные светодиоды используют как источник света в фонарях и т.д. Светодиоды бывают разного цвета свечения, RGB и т.д.
• Инфракрасный диод. Инфракрасные светодиоды (сокращенно ИК диоды) излучают свет в инфракрасном диапазоне . Области применения инфракрасных светодиодов это оптические контрольно-измерительные приборы, устройства дистанционного управления, оптронные коммутационные устройства, беспроводные линии связи. Ик диоды обозначаются так же как и светодиоды. Инфракрасные диоды излучают свет вне видимого диапазона, свечение ИК диода можно увидеть и посмотреть например через камеру сотового телефона, данные диоды так же применяют в камерах видеонаблюдения, особенно на уличных камерах чтобы в темное время суток была видна картинка.
• Фотодиод. Фотодиод преобразует свет попавший на его фоточувствительную область, в электрический ток, находит применение в преобразовании света в электрический сигнал.

Советуем к прочтению: Тревожная радиокнопка в домашних условиях: пошаговая инструкция

Виды диодов

Светодиодные элементы делятся на 2 объёмных вида: полупроводниковые и неполупроводниковые. Устройство первого подразумевает небольшую ёмкость с выкачанным воздухом и двумя электродами внутри:

• Плюсовым, обладающим электропроводностью P.
• Минусовым, обладающим электропроводностью N.

Неполупроводниковые диоды делятся в свою очередь ещё на 2 группы:

• Вакуумные (кенотроны), построенные по принципу лампы, имеющей 2 электрода, где один из них представлен как нить накаливания. В приоткрытом положении движение электронов осуществляется в сторону от полюса к минусу. В закрытом положении траектория перемещения изменяется в противоположную сторону или приостанавливается.
• Наполненные газом (стабилитроны с тлеющим либо коронным зарядом игнитронов и газотронов). Из объёмного списка элементов наибольшая популярность присуща газотронам с дуговым зарядом (стабилитронам). Внутрь них закачивается инертный газ, помещаются оксидные термокатоды. Ключевой особенностью таких светодиодов является возможность к выдаче высокого напряжения на выходе и способность функционировать с напряжением, значение которого может достигать нескольких десятков ампер.

Важно! Величина сопротивления в закрытом положении непосредственно связана со значением прямого тока. Если оно высокое, то сопротивление будет низким.

Типы диодов

Основное разделение диодов происходит по их виду. Различают три категории: материал изготовления, площадь p-n перехода и назначение.

Для производства диодов используют один из четырех исходных полупроводников:

• германий – в маломощных и прецизионных цепях, имеет больший коэффициент передачи;
• кремний – недорогие и долговечные, устойчивы к воздействию температуры, но обладают меньшей проводимостью;
• арсенид галлия – дороже и сложнее кремниевых, высокая радиационная стойкость;
• фосфид индия – в светодиодах и для работы на сверхвысоких частотах.

Каждому материалу в разных системах соответствует своя буква или цифра, которую указывают в начале.

Есть два варианта конструкционного размещения катода и анода:

1. Точечный диод. Один из электродов в виде узкой иглы вплавляется в кристалл, образуя p-n границу. Она имеет малую площадь, как следствие – высокая рабочая частота. Они почти вышли из применения по причине низкой прочности, уязвимости к перегрузкам и низкому максимальному току.
2. Плоскостный диод. Область перехода больше – контакт проходит по площади пластинки полупроводника, соединяемой с кристаллом. Отличаются большей емкостью, низким уровнем помех, малым падением напряжения. Пример – диод Шоттки.

В современной маркировке разделение практически не встречается – плоскостные диоды постепенно вытесняют точечные.

Следующее обозначение зависит от назначения прибора. Существует классификация диодов, применяемых в разных областях: туннельные, лазерные, варикапы, стабилитроны. Внутри подтипа также есть разделение – уже по техническим параметрам:

• рабочая частота;
• время восстановления;
• прямой и обратный ток;
• допустимые значения обратного и прямого напряжения;
• температурный режим.

Советуем к прочтению: Простейшие в 220 вольт без драйвера (самое простое питание светодиода от сети напряжением 220В)

Получается большое количество возможных сочетаний, отсюда – сложность создания единой системы маркировки.

Буквенно-цифровое обозначение диодов

В обозначении показывают номер партии и день выпуска, что помогает отслеживать более современные модели. Помимо этого, указывают технические характеристики, чтобы собрать ответственные схемы.
В СССР система маркировки претерпевала множественные изменения, на сегодняшний день она основывается на классификационных свойствах:

• первая литера означает материал, например, К означает кремний, Г — германий, 3 или А — галлий, И — индий;
• вторая буква — подкласс элементов: Д — термодиоды разных типов, Ц — выпрямители, В — варикапы, Н — диодные тиристоры;
• третий элемент обозначают цифрой, которая определяет признак прибора;
• четвертым идет число, показывающее номер разработки;
• на пятом месте индекс классификации по показателям одной разновидности.

Предусмотрены дополнительные знаки для выделения конструктивных особенностей.

Новая система

По современным нормам диоды делят на группы по частоте усиления передачи электричества.

Различают диоды по работе в среде частотности тока:

• среднего;
• высокого;
• сверхвысокого.

По мощности также разделяют категории: средней, низкой, высокой. Катодные и анодные выводы сопровождаются стрелкой и знаком плюс или минус.

Старая система

Распространенные схемы включают обозначения в виде GD-серии диодов из германия, например, GD-9 — это старая система кодировки.

Крупные организации или производственные концерны создали свои схемы обозначения диодов:

• JEDEC 1N4148 — например, HP диод 1901-0044;
• военный диод CV448 Mullard типа OA81 (Великобритания) — тип GEX230151 GEC.

OA-серия также означает аналогичные диоды, например, OA48 — такие кодировки были в разработках британского концерна Mallard. Схема кодирования JIS предназначена для полупроводников, обозначение начинается с IS.

Устройство

Ниже приводится подробное описание устройства диода, изучение этих сведений необходимо для дальнейшего понимания принципов действия этих элементов:

1. Корпус представляет собой вакуумный баллон, который может быть изготовлен из стекла, металла или прочных керамических разновидностей материала.
2. Внутри баллона имеется 2 электрода. Первый является накаленным катодом, который предназначен для обеспечения процесса эмиссии электронов. Самый простейший по конструкции катод представляет собой нить с небольшим диаметром, которая накаливается в процессе функционирования, но на сегодняшний день более распространены электроды косвенного накала. Они представляют собой цилиндры, изготовленные из металла, и обладающие особым активным слоем, способным испускать электроны.
3. Внутри катодакосвенного накала имеется специфический элемент – проволока, которая накаливается под воздействием электрического тока, она называется подогреватель.
4. Второй электрод является анодом, он необходим для приема электронов, которые были выпущены катодом. Для этого он должен обладать положительным относительно второго электрода потенциалом. В большинстве случаев анод также имеет цилиндрическую форму.
5. Оба электрода вакуумных приборов полностью идентичны эмиттеру и базе полупроводниковой разновидности элементов.
6. Для изготовления диодного кристалла чаще всего используется кремний или германий. Одна из его частей является электропроводимой по p-типу и имеет недостаток электронов, который образован искусственным методом. Противоположная сторона кристалла также имеет проводимость, но n-типа и обладает избытком электронов. Между двумя областями имеется граница, которая и называется p-n переходом.

Такие особенности внутреннего устройства наделяют диоды их главным свойством – возможностью проведения электрического тока только в одном направлении.

Прямое включение диода

На p-n-переход диода может оказывать воздействие напряжение, подаваемое с внешних источников. Такие показатели, как величина и полярность, будут сказываться на его поведении и проводимом через него электрическом токе.

Ниже подробно рассмотрен вариант, при котором происходит подключение плюса к области p-типа, а отрицательного полюса к области n-типа. В этом случае произойдет прямое включение:

1. Под воздействием напряжения от внешнего источника, в p-n-переходе сформируется электрическое поле, при этом его направление будет противоположным относительно внутреннего диффузионного поля.
2. Напряжение поля значительно снизится, что вызовет резкое сужение запирающего слоя.
3. Под воздействием этих процессов значительное количество электронов обретет возможность свободно переходить из p-области в n-область, а также в обратном направлении.
4. Показатели тока дрейфа во время этого процесса остаются прежними, поскольку они напрямую зависят только от числа неосновных заряженных носителей, находящихся в области p-n-перехода.
5. Электроны обладают повышенным уровнем диффузии, что приводит к инжекции неосновных носителей. Иными словами, в n-области произойдет повышение количества дырок, а в p-области будет зафиксирована повышенная концентрация электронов.
6. Отсутствие равновесия и повышенное число неосновных носителей заставляет их уходить вглубь полупроводника и смешиваться с его структурой, что в итоге приводит к разрушению его свойств электронейтральности.
7. Полупроводник при этом способен восстановить свое нейтральное состояние, это происходит благодаря получению зарядов от подключенного внешнего источника, что способствует появлению прямого тока во внешней электрической цепи.

Условное обозначение на схеме

Полярность диода иногда трудно определить маркировкой, при этом нелегко вывить правильные полюсы элемента.

Для этого на схемах предусмотрены варианты маркировки полярности:

• показывают треугольник, вершина которого направлена к катоду;
• упрощают символ, показывая его горизонтальной чертой, направленной к катоду;
• одна полоска говорит об отрицательном полюсе, двойная — наоборот.

Обратное включение диода

Теперь будет рассмотрен другой способ включения, во время которого изменяется полярность внешнего источника, от которого происходит передача напряжения:

1. Главное отличие от прямого включения заключается в том, что создаваемое электрическое поле будет обладать направлением, полностью совпадающим с направлением внутреннего диффузионного поля. Соответственно, запирающий слой будет уже не сужаться, а, наоборот, расширяться.
2. Поле, находящееся в p-n-переходе, будет оказывать ускоряющий эффект на целый ряд неосновных носителей заряда, по этой причине, показатели дрейфового тока останутся без изменений. Он будет определять параметры результирующего тока, который проходит через p-n-переход.
3. По мере ростаобратного напряжения, электрический ток, протекающий через переход, будет стремиться достичь максимальных показателей. Он имеет специальное название – ток насыщения.
4. В соответствии с экспоненциальным законом, с постепенным увеличением температуры будут увеличиваться и показатели тока насыщения.

Прямое и обратное напряжение

Напряжение, которое оказывает воздействие на диод, разделяют по двум критериям:

1. Прямое напряжение – это то, при котором происходит открытие диода и начинается прохождение через него прямого тока, при этом показатели сопротивления прибора являются крайне низкими.
2. Обратное напряжение – это то, которое обладает обратной полярностью и обеспечивает закрытие диода с прохождением через него обратного тока. Показатели сопротивления прибора при этом начинают резко и значительно расти.

Сопротивление p-n-перехода является постоянно меняющимся показателем, в первую очередь на него оказывает влияние прямое напряжение, подающееся непосредственно на диод. Если напряжение увеличивается, то показатели сопротивления перехода будут пропорционально уменьшаться.

Это приводит к росту параметров прямого тока, проходящего через диод. Когда данный прибор закрыт, то на него воздействует фактически все напряжение, по этой причине показатели проходящего через диод обратного тока являются незначительными, а сопротивление перехода при этом достигает пиковых параметров.

Как работает диод

Можно физически сами диоды не видеть, но результат их действия окружает нас повсюду. Эти устройства позволяют управлять потоком тока в указанном направлении. Существует много различных вариантов исполнения диодов. В каких случаях это бывает необходимо? Ниже будут рассмотрены примеры и в некоторой степени принцип работы полупроводниковых диодов. Если добавить две металлические обкладки к P и N рабочим областям материала, то получатся электроды анод и катод. Схема подключения электродов к источнику может работать следующим образом: подача напряжения с батарейки к электроду N обеспечивает притяжение позитронов, соответственно к P электроду – электронов; отсутствие напряжения все возвращает в исходное состояние; смена полярности подаваемого напряжения обеспечивает притяжение электронов в обратном направлении к плюсовой пластине, а позитронов – к минусовой. В последнем случае избыточные заряды скапливаются на металлических обкладках, тогда как в центре самого материала образуется мертвая изолирующая зона.

Таким образом, центральный участок материала становится диэлектриком. В таком направлении устройство не пропускает ток. Слово происходит от di (double) + -ode. Определение терминов катод и анод диода, относящихся к контактам, известно каждому человеку. Катод – отрицательный электрод, анод – положительный. Если подать на анод плюс, а на катод – минус, то диод откроется, и электроток по нему потечет. Таким образом, диод – это устройство, которое имеет два электрода: катод и анод. Простое нелинейное электронное устройство, состоящее из двух разных полупроводников. Как устроен диод, хорошо видно на изображении.

Советуем к прочтению: Доработка китайского супер яркого фонарика UltraFire XML-T6

Виды диодов.

Возможные неисправности

Во время работы устройств с диодами могут возникать различные поломки. Это происходит из-за старения элементов или их амортизации.

Специалисты по ремонту различают 4 вида неисправностей.

Среди них такие:

1. Электрический пробой. Это одна из наиболее распространённых поломок, которые встречаются у диодов. Она является обратимой, так как не приводит к разрушению диодного кристалла. Исправить её можно путём постепенного снижения подаваемого напряжения.
2. Тепловой пробой. Такая неисправность более губительна для диода. Она возникает из-за плохого теплоотвода или перегрева в области p-n перехода. Последний образуется только в том случае, если устройство питается от тока с чрезмерно высокими показателями. Без проведения ремонтных мероприятий проблема только усугубится. При этом произойдёт рост колебания атомов диодного кристалла, что приведёт к его деформации и разрушению.
3. Обрыв. При возникновении этой неисправности устройство прекращает пропуск электрического тока в обоих направлениях. Таким образом, он становится изолятором, блокирующим всю систему. Для устранения поломки нужно точно определить её местонахождение. Для этого следует применять специальные высокочувствительные тестеры, которые повысят шанс обнаружить обрыв.
4. Утечка. Под этой поломкой понимают нарушение целостности корпуса, вызванного физическим или иным воздействием на прибор.

Диод — важный элемент конструкции, который обеспечивает исправную и бесперебойную работу устройства. При правильном выборе этого элемента и обеспечении оптимальных условий работы можно избежать каких-либо неисправностей.

Цветовая маркировка

Для диодов применяют стандартный тип коробки под обозначением SOD123. На одном конце есть тиснение или цветная калибровочная полоса. Колер говорит о коде, при котором есть отрицательная полярность для расширения р-п-перехода.

Цветовая маркировка диодов учитывает:

• показатели обратного и рабочего вольтажа;
• значение предельного тока сквозь р-п-переход;
• мощность передачи и другие показатели.

Тип коробки не оказывает решающего значения при эксплуатации диода. При этом важная характеристика — степень рассеивания объема тепла с плоскости элемента.

Отечественные диоды

Российские производители применяют кодировочную цветовую надпись, включающую точки и полосы. Расшифровать комбинацию можно, обратившись к специализированным справочникам. В таком случае находят материал производства, назначение диода, эксплуатационные показатели.

Современные производители диодов на схеме обозначают продукцию с учетом требований ГОСТ 20.859.1 – 1989. Для отечественной цветовой маркировки есть нормированная таблица.

В ней есть обозначение материала, причем по нормам букву К (кремний) можно менять цифрой 1. Вторая литера говорит о том, что изделие — выпрямитель (Д) на базе варикапа (В), стабилитрона (С), туннельного диода (И).

Импортные диоды

Изготовленные за рубежом диоды также имеют цветовую шкалу в качестве разметки. Для считывания употребляют цифровые и буквенные обозначения, которые расшифровывают по специальной таблице.

Используют при выпуске условное обозначение диода:

• JEDEC — американская база;
• PRO-ELECTRON 1 европейские изготовители.

В Европе первая литера свидетельствует о типе производственного сырья, далее идут сведения о предназначении и виде элемента.

Номер серии говорит о способе применения:

• для общего использования;
• в специальных системах.

Расшифровка символов европейской системы:

SMD диоды

Элементы чаще имеют иностранное производство. Их строение выполнено в форме платы, на поверхностной плоскости которой есть зафиксированный чип. Изделия настолько маленькие, что не позволяют обозначить цифрами и буквами маркировку (нанести обозначение на поверхность). Если модели более крупные, все параметры указаны буквами, цифрами и цветом.

SMD модели представлены электронными деталями микроскопических габаритов. Их при сборке припаивают к медному боку платы, при этом диоды снабжены только короткими выводными контактами. Сравнительные характеристики буквенного и цифрового обозначения находят в таблицах.

Область применения

Сфера использования этих деталей в современной радиотехнике высока. Сложно найти устройство, которое работает без этих деталей. Чтобы понять, для чего нужен диод, можно привести несколько примеров:

• Диодные мосты — содержат от 4 до 12 полупроводниковых устройств, которые соединяются между собой. Основной задачей диодных мостов является выпрямление тока, и они активно используются, например, при создании генераторов для автомобилей.
• Детекторы — создаются при сочетании диодов и конденсаторов. В результате появляется возможность выделить низкочастотную модуляцию из различных сигналов. Применяются при изготовлении радио- и телеприемников.
• Защитные устройства — позволяют обезопасить электрическую схему от возможных перегрузок. Несколько изделий подключаются в обратном направлении. Когда схема работает нормально, то они остаются в закрытом положении. Как только входное напряжение достигает критических показателей, устройство активируются.
• Переключатели — такие системы на основе этих изделий позволяют осуществлять коммутацию высокочастотных сигналов.
• Системы искрозащиты — создание шунт-диодного барьера позволяет ограничить показатель напряжения в электроцепи. Для увеличения степени защиты вместе с полупроводниковыми деталями используются специальные токоограничивающие резисторы.

Это лишь несколько примеров использования диодов. Они являются достаточно надежными устройствами, с помощью которых можно решать большое количество задач. Чаще всего эти радиодетали выходят из строя по причине естественного старения либо из-за перегрева.

Если произошел электрический пробой изделия, то его последствия редко являются необратимыми, так как кристалл не разрушается.

Назначение

Ниже приводятся основные области применения диодов, на примере которых становится понятно их основное назначение:

1. Диодные мосты представляют собой 4, 6 или 12 диодов, соединенных между собой, их количество зависит от типа схемы, которая может быть однофазной, трехфазной полумостовой или трехфазной полномостовой. Они выполняют функции выпрямителей, такой вариант чаще всего используется в автомобильных генераторах, поскольку внедрение подобных мостов, а также использование вместе с ними щеточно-коллекторных узлов, позволило в значительной степени сократить размеры данного устройства и увеличить степень его надежности. Если соединение выполнено последовательно и в одну сторону, то это повышает минимальные показатели напряжения, которое потребуется для отпирания всего диодного моста.
2. Диодные детекторы получаются при комбинированном использовании данных приборов с конденсаторами. Это необходимо для того, чтобы было можно выделить модуляцию с низкими частотами из различных модулированных сигналов, в том числе амплитудно-модулированной разновидности радиосигнала. Такие детекторы являются частью конструкции многих бытовых потребителей, например, телевизоров или радиоприемников.
3. Обеспечение защиты потребителей от неверной полярности при включении схемных входов от возникающих перегрузок или ключей от пробоя электродвижущей силой, возникающей при самоиндукции, которая происходит при отключении индуктивной нагрузки. Для обеспечения безопасности схем от возникающих перегрузок, применяется цепочка, состоящая из нескольких диодов, имеющих подключение к питающим шинам в обратном направлении. При этом, вход, которому обеспечивается защита, должен подключаться к середине этой цепочки. Во время обычного функционирования схемы, все диоды находятся в закрытом состоянии, но если ими было зафиксировано, что потенциал входа ушел за допустимые пределы напряжения, происходит активация одного из защитных элементов. Благодаря этому, данный допустимый потенциал получает ограничение в рамках допустимого питающего напряжения в сумме с прямым падением показателей напряжение на защитном приборе.
4. Переключатели, созданные на основе диодов, используются для осуществления коммутации сигналов с высокими частотами. Управление такой системой осуществляется при помощи постоянного электрического тока, разделения высоких частот и подачи управляющего сигнала, которое происходит благодаря индуктивности и конденсаторам.
5. Создание диодной искрозащиты. Используются шунт-диодные барьеры, которые обеспечивают безопасность путем ограничения напряжения в соответствующей электрической цепи. В совокупности с ними применяются токоограничительные резисторы, которые необходимы для ограничения показателей электрического тока, проходящего через сеть, и увеличения степени защиты.

Использование диодов в электронике на сегодняшний день весьма широко, поскольку фактически ни одна современная разновидность электронного оборудования не обходится без этих элементов.

Буквенно-цифровое обозначение (БЦО) диодов

 

БЦО диодов содержит 4 элемента:

1-й элемент — (буква или цифра) указывает материал полупроводника:

Г (1) – германий (Ge)

К (2) – кремний (Si)

А (3) – соединения галлия (например, арсенид галлия – GaAs)

И (4) – соединения индия (например, фосфид индия – InP)

 

Буква ставится, если диод предназначен для бытовой аппаратуры. Цифра означает военную приемку, т.е. если диод предназначен для спецтехники.

 

2-й элемент — (буква) указывает область применения, например:

Д – выпрямительные или импульсные диоды

В – варикапы

Л – свето-диоды

И – туннельные диоды

С – стабилитроны, стабисторы

А – СВЧ – диоды и т.д.

 

3-й элемент – трехзначное число, так называемая серия.

Серия указывает назначение или электрические свойства диода, например:

(101 ÷ 199) – выпрямительные диоды малой мощности

(201 ÷ 299) – выпрямительные диоды средней мощности

(301 ÷ 399) – мощные выпрямительные диоды

(401 ÷ 499) – ВЧ – диоды

(501 ÷ 599) – импульсные диоды и т.д.

Вторая и третья цифра серии указывают порядковый номер разработки.

 

4-й элемент – (буква от А до Я) характеризует технологический разброс параметров.

 

 

Пример 1: 2Д503Б

2 – кремниевый диод с военной приемкой

Д – импульсный диод (т.к. далее следует цифра 5)

503 – серия

03 – номер разработки

Б – разброс параметров

 

Пример 2: 3И101А

3 – диод с военной приемкой из арсенида галлия

И – туннельный диод

101 – серия

01 – номер разработки

А – разброс параметров

 

Выпрямительный диод

 

Выпрямительные диоды делятся на низкочастотные мощные (силовые) и высокочастотные маломощные.

Их назначение – преобразование переменного напряжения в постоянное.

Работа выпрямительного диода основана на его односторонней проводимости.

Схема однополупериодного выпрямителя

Трансформатор служит для понижения входного напряжения до значения . U₂

0 + t

I_Д

0 t

U_ВЫХ

заряд

разряд

0 t

 

При положительной полуволне напряжения диод находится под прямым напряжением, сопротивление диода мало, через него протекает ток , который создает на нагрузке падение напряжения (закон Ома). При отрицательной полуволне напряжения диод находится под обратным напряжением, его сопротивление велико, через диод протекает небольшой тепловой ток, которым можно пренебречь, т.е. считать его равным 0. При этом и падение напряжения на нагрузке будет .

Таким образом, через диод и нагрузку протекает пульсирующий ток (то он есть, то его нет), длительность импульсов которого равна половине периода входного сигнала ( ), поэтому схема называется однополупериодной. Этот ток является выпрямленным, т.к. не меняет знак – всегда положителен.

Для сглаживания пульсаций параллельно сопротивлению нагрузки подключают блокировочный конденсатор .

Механизм сглаживания пульсаций:

При положительной полуволне конденсатор быстро заряжается через малое сопротивление открытого диода.

При отрицательной полуволне конденсатор медленно разряжается через относительно большое сопротивление нагрузки.

В результате выходное напряжение приближается к постоянному напряжению.

Чем больше емкость блокировочного конденсатора и чем больше сопротивление нагрузки, тем меньше пульсации.

Емкость блокировочного конденсатора выбирается из условия: реактивное сопротивление конденсатора должно быть много меньше сопротивления нагрузки, т.е. .

В электронной технике понятие «много» означает на порядок, поэтому данное неравенство можно переписать: .

Учитывая, что , получим: .

Отсюда выражаем или

, где

 

Таким образом, зная частоту входного сигнала и сопротивление нагрузки, легко определить емкость блокировочного конденсатора.

 

Конденсатор пропускает переменный ток и не пропускает постоянный.

 

Докажем это. Для постоянного тока , следовательно, реактивное сопротивление конденсатора в этом случае будет стремиться к бесконечности (вытекает из выражения 5), а через бесконечно большое сопротивление ток протекать не может.

Стабилитрон

Стабилитрон – это полупроводниковый диод, у которого обратная ветвь ВАХ используется для стабилизации напряжения.

Рабочим участком стабилитрона является область электрического пробоя, а рабочим напряжением – напряжение пробоя.

В качестве стабилитронов используют кремниевые диоды, обладающие бо́льшей устойчивостью к тепловому пробою.

Обозначение: Пример: КС182А

ВАХ стабилитрона:

I_ПР

 

 

U_ОБР U_{СТ НОМ} 0 1В U_ПР

I_{СТ НОМ}

 

 

I_ОБР

 

Одним из характерных параметров стабилитрона является температурный коэффициент напряжения стабилизации:

— напряжение стабилизации при температуре ;

— напряжение стабилизации при температуре ;

— разность температур.

 

показывает относительное изменение напряжения стабилизации при изменении температуры на 1К.

бывают больше и меньше нуля.Обычно используют стабилитроны с , работающие на лавинном пробое.

Иногда в качестве рабочего участка стабилитрона используется прямая ветвь ВАХ, имеющая — такие стабилитроны называются стабисторами.

 

Для компенсации температурных изменений последовательно со стабилитроном включают 1 или несколько стабисторов:

— стабилитрон ( )

— стабистор ( )

Созданные по данному принципу стабилитроны называются прецизионными (например, КС191А). Прецизионные стабилитроны обладают высокой температурной стабильностью и высокой точностью стабилизации. Используются они в качестве источников опорного (эталонного) напряжения в цифровых схемах.

Вместо стабистора можно использовать обычный выпрямительный диод, у которого прямая ветвь ВАХ также имеет .

Применение стабилитронов:

· Стабилизаторы напряжений.

· Источники опорного напряжения в цифровых схемах.

· Т.к. электрический пробой не связан с диффузией носителей заряда, то в стабилитроне отсутствуют инерционные явления, обусловленные накапливанием и рассасыванием зарядов. Это позволяет использовать стабилитрон в качестве переключателя. Время переключения стабилитрона очень мало десятки пикосекунд (1пСек=10^-12Сек).

Полупроводниковое производство — Болховский завод полупроводниковых приборов

Страницы:

1

2

3

4

ПРИБОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ

Кремниевые эпитаксиально — планарные диоды

2Д103А/ББ; 2Д103А/ББ «ОСМ»

2Д103А1/ББ; 2Д103А1/ББ «ОСМ»

На печать

АЕЯР.432120.511 ТУ; РД В 22.02.218 (для «ОСМ»)

Особенности

— пластмассовый корпус КД-30 ГОСТ 18472.

Применение

— предназначены для работы в аппаратуре специального назначения.

Предельно допустимые значения параметров

Наименование параметра, единица измерения (режим измерения)	Буквенное обозначение	Норма, не более	Примечание
1. Максимально допустимое постоянное обратное напряжение диода, В, при Θ окр от минус 60 до 125°С	Uобр.max	75
2. Максимально допустимое импульсное обратное напряжение диода, В, через 20 мкс после окончания импульса прямого тока, при Θокр. от минус 60 до 125ºС	Uобр.и.мах	75
3. Максимально допустимое импульсное обратное напряжение диода, В, при длительности импульса 10 мкс через 10 мкс после окончания импульса прямого тока согласно п.7 таблицы	Uобр. и.мах	100
4. Максимально допустимый постоянный прямой ток диода, мА, при Θокр от минус 60 до 50ºС при Θокр = 125ºС	Iпр.мах	100 30	1
5. Максимально допустимый средний выпрямленный ток диода, мА, при Θокр от минус 60 до 50ºС при Θокр = 125ºС	Iвп.ср.мах	100 30	1
6. Максимально допустимый средний прямой ток диода, мА, при Θокр от минус 60 до 50ºС при Θокр = 125ºС	Iпр.ср.мах	100 30	1
7. Максимально допустимый импульсный прямой ток диода, А, при длительности импульса 10 мкс — при среднем прямом токе 30 мА и Θокр от минус 60 до 125ºС — при среднем прямом токе 60 мА и Θокр от минус 60 до 90ºС	Iпр. и.мах	2 1	2
Примечания В диапазоне температур от 50 до 125ºС допустимое значение тока уменьшается линейно. Применение диодов в режиме среднего прямого тока 60 мА при температуре выше 90 ºС не допускается.

Габаритный чертежПринципиальная схемаОсновные электрические параметры

при Т_{окр.среды} = (25±10)˚С

Наименование параметра, единица измерения	Буквенное обозначение	Норма, не более	Режим измерения
Постоянное прямое напряжение диода, В	Uпр	1,0	Iпр=50 мА
Постоянный обратный ток диода, мкА	Iобр	1,0	Uобр=75 В
Установившее-ся прямое напряжение диода, В	Uуст	1,5 2,5	Iпр. и = 0,5 А Iпр.и = 2 А
Импульсное прямое напряжение диода, В	Uпр.и	5 5	Iпр.и =2 А, τи=10 мкс Iпр.и =0,5 А, τи =10 мкс
Общая емкость диода, пФ	Сд	20	Uобр=5 В
Время обратного восстановления диода, мкс	tвос.обр	4	Uобр =20 В, Iпр.и =0,05 А
Время прямого восстановления диода, мкс	tвос.пр	1	Iпр.и = 2А

ПРИБОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ

Кремниевые эпитаксиально — планарные диоды

2Д103А2/ББ

На печать

АЕЯР. 432120.511 ТУ

Особенности

— металлостеклянный корпус КД-3 ГОСТ 18472.

Применение

— предназначены для работы в аппаратуре специального назначения.

Предельно допустимые значения параметров

Наименование параметра, единица измерения (режим измерения)	Буквенное обозначение	Норма, не более	Примечание
1. Максимально допустимое постоянное обратное напряжение диода, В, при Θокр от минус 60 до 125°С	Uобр.max	75
2. Максимально допустимое импульсное обратное напряжение диода, В, через 20 мкс после окончания импульса прямого тока, при Θокр. от минус 60 до 125ºС	Uобр.и.мах	75
3. Максимально допустимое импульсное обратное напряжение диода, В, при длительности импульса 10 мкс через 10 мкс после окончания импульса прямого тока согласно п. 7 таблицы	Uобр.и.мах	100
4. Максимально допустимый постоянный прямой ток диода, мА, при Θокр от минус 60 до 50ºС при Θокр = 125ºС	Iпр.мах	100 30	1
5. Максимально допустимый средний выпрямленный ток диода, мА, при Θокр от минус 60 до 50ºС при Θокр = 125ºС	Iвп.ср.мах	100 30	1
6. Максимально допустимый средний прямой ток диода, мА, при Θокр от минус 60 до 50ºС при Θокр = 125ºС	Iпр.ср.мах	100 30	1
7. Максимально допустимый импульсный прямой ток диода, А, при длительности импульса 10 мкс — при среднем прямом токе 30 мА и Θокр от минус 60 до 125ºС — при среднем прямом токе 60 мА и Θокр от минус 60 до 90ºС	Iпр. и.мах	2 1	2
Примечания В диапазоне температур от 50 до 125ºС допустимое значение тока уменьшается линейно. Применение диодов в режиме среднего прямого тока 60 мА при температуре выше 90 ºС не допускается.

Габаритный чертежПринципиальная схемаОсновные электрические параметры

при Т_{окр.среды} = (25±10)˚С

Наименование параметра, единица измерения	Буквенное обозначение	Норма, не более	Режим измерения
Постоянное прямое напряжение диода, В	Uпр	1,0	Iпр=50 мА
Постоянный обратный ток диода, мкА	Iобр	1,0	Uобр=75 В
Установившее-ся прямое напряжение диода, В	Uуст	1,5 2,5	Iпр. и = 0,5 А Iпр.и = 2 А
Импульсное прямое напряжение диода, В	Uпр.и	5 5	Iпр.и =2 А, τи=10 мкс Iпр.и =0,5 А, τи =10 мкс
Общая емкость диода, пФ	Сд	20	Uобр=5 В
Время обратного восстановления диода, мкс	tвос.обр	4	Uобр =20 В, Iпр.и =0,05 А
Время прямого восстановления диода, мкс	tвос.пр	1	Iпр.и = 2А

ПРИБОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ

Кремниевые выпрямительные диоды

2Д104А/ББ, 2Д104А1/ББ

На печать

АЕЯР. 432120.673 ТУ

Особенности

— пластмассовый корпус КД-30 ГОСТ 18472.

Применение

— предназначены для работы в аппаратуре специального назначения.

Предельно допустимые значения параметров

Наименование параметра, режим измерения, единица измерения	Буквенное обозначение параметра	Предельно допустимая норма параметра		Примечание
		не менее	не более
Максимально допустимое постоянное (или импульсное) обратное напряжение, В	Uобр.макс (Uобр.и.макс)	—	300,0
Максимально допустимое импульсное неповторяющееся обратное напряжение, В	Uобр.и.нп.макс	—	400,0
Максимально допустимый постоянный прямой (или средний выпрямленный) ток, мА	Iпр. макс (Iвп.ср.макс)	—	50	1
Максимально допустимый импульсный прямой ток (при длительности импульса не более 1 с и при среднем значении постоянного прямого тока 50 мА), А	Iпр.и.макс	—	1,0
Ток перегрузки (ударный ток), А	Iпрг	—	0,5
Максимально допустимая рассеиваемая мощность, Вт	Р	—	0,1
Предельно допустимое значение частоты, кГц	f	—	20,0	1
Примечание – Предельная частота выпрямления диода 20 кГц. В диапазоне частот от 10 до 20 кГц допустимое значение выпрямленного тока уменьшается линейно до 5 мА.

Габаритный чертежПринципиальная схемаОсновные электрические параметры

при Т_{окр. среды} = (25±10)˚С

Наименование параметра, единица измерения	Буквенное обозначение параметра	Норма параметра		Режим измерения
		не менее	не более
Постоянный обратный ток, мкА	Iобр	—	3,0	Uобр=300 В
Постоянное прямое напряжение, В	Uпр	—	1,0	Iпр=10 мА
Импульсное прямое напряжение, В	Uпр.и	—	5,0	Iпр.и=1 А, τи= 10 мкс
Время обратного восстановления, мкс	tвос.обр.	—	2,5	Iпр. и=10 мА, Uобр.и=20 В при уровне отсчета обратного тока 1 мА
Общая емкость при нулевом смещении, пФ	Сд	—	50,0
Тепловое сопротивление переход — окружающая среда (переход — корпус), град/Вт	RQпер-окр (RQпер-кор)	—	400	Iпр.макс=50 мА

ПРИБОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ

Кремниевые выпрямительные диоды

2Д104А2/ББ

На печать

АЕЯР.432120.673 ТУ

Особенности

— металлостеклянный корпус КД-3 ГОСТ 18472.

Применение

— предназначены для работы в аппаратуре специального назначения.

Предельно допустимые значения параметров

Наименование параметра, режим измерения, единица измерения	Буквенное обозначение параметра	Предельно допустимая норма параметра		Примечание
		не менее	не более
Максимально допустимое постоянное (или импульсное) обратное напряжение, В	Uобр.макс (Uобр.и.макс)	—	300,0
Максимально допустимое импульсное неповторяющееся обратное напряжение, В	Uобр.и.нп.макс	—	400,0
Максимально допустимый постоянный прямой (или средний выпрямленный) ток, мА	Iпр.макс (Iвп.ср.макс)	—	50	1
Максимально допустимый импульсный прямой ток (при длительности импульса не более 1 с и при среднем значении постоянного прямого тока 50 мА), А	Iпр. и.макс	—	1,0
Ток перегрузки (ударный ток), А	Iпрг	—	0,5
Максимально допустимая рассеиваемая мощность, Вт	Р	—	0,1
Предельно допустимое значение частоты, кГц	f	—	20,0	1
Примечание – Предельная частота выпрямления диода 20 кГц. В диапазоне частот от 10 до 20 кГц допустимое значение выпрямленного тока уменьшается линейно до 5 мА.

Габаритный чертежПринципиальная схемаОсновные электрические параметры

при Т_{окр.среды} = (25±10)˚С

Наименование параметра, единица измерения	Буквенное обозначение параметра	Норма параметра		Режим измерения
		не менее	не более
Постоянный обратный ток, мкА	Iобр	—	3,0	Uобр=300 В
Постоянное прямое напряжение, В	Uпр	—	1,0	Iпр=10 мА
Импульсное прямое напряжение, В	Uпр. и	—	5,0	Iпр.и=1 А, τи= 10 мкс
Время обратного восстановления, мкс	tвос.обр.	—	2,5	Iпр.и=10 мА, Uобр.и=20 В при уровне отсчета обратного тока 1 мА
Общая емкость при нулевом смещении, пФ	Сд	—	50,0
Тепловое сопротивление переход — окружающая среда (переход — корпус), град/Вт	RQпер-окр (RQпер-кор)	—	400	Iпр.макс=50 мА

ПРИБОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ

Кремниевые эпитаксиально — планарные диоды

2Д237А/ББ, 2Д237А2/ББ;

2Д237А/ББ «ОСМ», 2Д237А2/ББ «ОСМ»

2Д237Б/ББ, 2Д237Б2/ББ;

2Д237Б/ББ «ОСМ», 2Д237Б2/ББ «ОСМ»

На печать

АЕЯР. 432120.437 ТУ; ПО.070.052, РД В 22.02.218 (для «ОСМ»)

Особенности

— пластмассовый корпус КД-14А ГОСТ 18472.

Применение

— предназначены для работы в выпрямительных устройствах источников вторичного электропитания в аппаратуре специального назначения.

Предельно допустимые значения параметров

Наименование параметра, единица измерения	Буквенное обозначение	Норма
		2Д237А/ББ, 2Д237А2/ББ; 2Д237А/ББ «ОСМ», 2Д237А2/ББ «ОСМ»	2Д237Б/ББ, 2Д237Б2/ББ; 2Д237Б/ББ «ОСМ», 2Д237Б2/ББ «ОСМ»
Максимально допустимое постоянное обратное напряжение диода, В при температуре окружающей среды: от минус 60 до 125°С при 155°С	Uобр.мах	100 50	200 100
Максимально допустимое импульсное обратное напряжение диода, В при температуре окружающей среды: от минус 60 до 125°С при 155°С	Uобр. и.мах	100 50	200 100
Максимально допустимый постоянный прямой (средний выпрямленный) ток диода, А, при температуре окружающей среды: от минус 60 до 70°С при 100°С при 155°С	Iпр.мах Iвп.ср.мах	1 0,5 0,1	1 0,5 0,1
Максимально допустимый повторяющийся импульсный прямой ток выпрямительного диода, А	Iпр.и.п.мах	3 Iвп.ср.мах
Максимально допустимый неповторяющийся импульсный прямой ток выпрямительного диода, А, при температуре окружающей среды: от минус 60 до 100°С при 155°С	Iпр. и.нп.мах	30 15	30 15
Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность диода, Вт при температуре окружающей среды: от минус 60 до 70ºС при 100°С при 155°С	Рмах	1,35 0,85 0,15	1,35 0,85 0,15
Предельно допустимое значение частоты диода при выпрямлении напряжения синусоидальной формы или формы меандра с длительностью фронта переключения не менее 0,1 мкс и активной нагрузке, кГц	fmах	300	300

Габаритный чертежПринципиальная схемаОсновные электрические параметры

при Т_{окр. среды} = (25±10)˚С

Наименование параметра, единица измерения	Буквенное обозначение параметра	Норма, не более	Режим измерения
Постоянный обратный ток диода, мкА	Iобр	5	Uобр=100 В для группы А, А2 Uобр=200 В для группы Б, Б2
Постоянное прямое напряжение диода, В	Uпр	1,3	Iпр=1 А
Время обратного восстановления диода, нс	tвос.обр	50	Iпр.и =1 А; Uобр.и=20 В, Iобр.отсч =0,5 А

ПРИБОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ

Кремниевые эпитаксиально — планарные диоды

2Д237А1/ББ; 2Д237А1/ББ «ОСМ»

2Д237Б1/ББ; 2Д237Б1/ББ «ОСМ»

На печать

АЕЯР. 432120.437 ТУ; РД В 22.02.218 (для «ОСМ»)

Особенности

— керамикополимерный корпус КД-14А ГОСТ 18472.

Применение

— предназначены для работы в выпрямительных уст-ройствах источников вторичного электропитания в аппаратуре специального назначения.

Предельно допустимые значения параметров

Наименование параметра, единица измерения	Буквенное обозначение	Норма
		2Д237А1/ББ; 2Д237А1/ББ «ОСМ»	2Д237Б1/ББ; 2Д237Б1/ББ «ОСМ»
Максимально допустимое постоянное обратное напряжение диода, В при температуре окружающей среды: от минус 60 до 125°С	Uобр.мах	100	200
Максимально допустимое импульсное обратное напряжение диода, В при температуре окружающей среды: от минус 60 до 125°С	Uобр. и.мах	100	200
Максимально допустимый постоянный прямой (средний выпрямленный) ток диода, А, при температуре окружающей среды: от минус 60 до 70°С при 100°С	Iпр.мах Iвп.ср.мах	1 0,5	1 0,5
Максимально допустимый повторяющийся импульсный прямой ток выпрямительного диода, А	Iпр.и.п.мах	3 Iвп.ср.мах
Максимально допустимый неповторяющийся импульсный прямой ток выпрямительного диода, А, при температуре окружающей среды: от минус 60 до 100°С	Iпр.и.нп.мах	30	30
Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность диода, Вт при температуре окружающей среды: от минус 60 до 70ºС при 100°С	Рмах	1,35 0,85	1,35 0,85
Предельно допустимое значение частоты диода при выпрямлении напряжения синусоидальной формы или формы меандра с длительностью фронта переключения не менее 0,1 мкс и активной нагрузке, кГц	fmах	300	300

Габаритный чертежПринципиальная схемаОсновные электрические параметры

при Т_{окр. среды} = (25±10)˚С

Наименование параметра, единица измерения	Буквенное обозначение параметра	Норма, не более	Режим измерения
Постоянный обратный ток диода, мкА	Iобр	5	Uобр=100 В для группы А1 Uобр=200 В для группы Б1
Постоянное прямое напряжение диода, В	Uпр	1,3	Iпр=1 А
Время обратного восстановления диода, нс	tвос.обр	50	Iпр.и =1 А; Uобр.и=20 В, Iобр.отсч =0,5 А

ПРИБОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ

Кремниевые эпитаксиально — планарные диоды

2Д237А3/ББ, 2Д237Б3/ББ

На печать

АЕЯР. 432120.437 ТУ

Особенности

— металлокерамический корпус КТ-99-1 ГОСТ 18472.

Применение

— предназначены для работы в выпрямительных устройствах источников вторичного электропитания в аппаратуре специального назначения.

Предельно допустимые значения параметров

Наименование параметра, единица измерения	Буквенное обозначение	Норма
		2Д237А3/ББ	2Д237Б3/ББ
Максимально допустимое постоянное обратное напряжение диода, В при температуре окружающей среды: от минус 60 до 125°С при 155°С	Uобр.мах	100 50	200 100
Максимально допустимое импульсное обратное напряжение диода, В при температуре окружающей среды: от минус 60 до 125°С при 155°С	Uобр. и.мах	100 50	200 100
Максимально допустимый постоянный прямой (средний выпрямленный) ток диода, А, при температуре окружающей среды: от минус 60 до 70°С при 100°С при 155°С	Iпр.мах Iвп.ср.мах	1 0,5 0,1	1 0,5 0,1
Максимально допустимый повторяющийся импульсный прямой ток выпрямительного диода, А	Iпр.и.п.мах	3 Iвп.ср.мах
Максимально допустимый неповторяющийся импульсный прямой ток выпрямительного диода, А, при температуре окружающей среды: от минус 60 до 100°С при 155°С	Iпр. и.нп.мах	30 15	30 15
Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность диода, Вт при температуре окружающей среды: от минус 60 до 70ºС при 100°С при 155°С	Рмах	1,35 0,85 0,15	1,35 0,85 0,15
Предельно допустимое значение частоты диода при выпрямлении напряжения синусоидальной формы или формы меандра с длительностью фронта переключения не менее 0,1 мкс и активной нагрузке, кГц	fmах	300	300

Габаритный чертежПринципиальная схемаОсновные электрические параметры

при Т_{окр. среды} = (25±10)˚С

Наименование параметра, единица измерения	Буквенное обозначение параметра	Норма, не более	Режим измерения
Постоянный обратный ток диода, мкА	Iобр	5	Uобр=100 В для группы А3 Uобр=200 В для группы Б3
Постоянное прямое напряжение диода, В	Uпр	1,3	Iпр=1 А
Время обратного восстановления диода, нс	tвос.обр	50	Iпр.и =1 А; Uобр.и=20 В, Iобр.отсч =0,5 А

ДИОДЫ

Кремниевые быстровосстанавливающиеся импульсные полупроводниковые диоды с барьером Шоттки типа 2Д922

2Д922А/ББ,

2Д922Б/ББ,

2Д922В/ББ

На печать

АЕЯР. 432120.719 ТУ

Особенности

— металлостеклянный корпус типа КД-1-2 ГОСТ 18472;

— возможность поставки по заказу комплектами из двух 2Д922АР/ББ, 2Д922БР/ББ и четырех 2Д922АГ/ББ, 2Д922БГ/ББ диодов, подобранных по разбросу прямого напряжения и емкости.

Применение

— выпрямители высокой частоты, модуляторы, преобразователи, формирователи импульсов, ог-раничители и другие импульсные устройства специального назначения по ГОСТ РВ 20.39.304.

Предельно допустимые значения параметров

Наименование параметра, единица измерения	Буквенное обозначение	Норма, не более			Примечание
		2Д922А/ББ	2Д922Б/ББ	2Д922В/ББ
Максимально допустимое постоянное обратное напряжение диода, В	Uобр. макс	20	20	20	1
Максимально допустимое импульсное обратное напряжение диода при длительности импульса не более 2 мкс и скважности не менее 10, В	Uобр.и.мах	25	25	25	2
Максимально допустимый постоянный прямой ток диода, мА: — при Tокр от минус 60 до 35 °С; — при Tокр 125 °С	Iпр.мах Iпр.мах	60 10	40 10	12 10	3
Максимально допустимый средний выпрямленный ток диода, мА: — при Tокр от минус 60 до 35 °С; — при Tокр 125 °С	Iвп. ср.макс Iвп.ср.макс	30 6	20 6	15 6	3
Максимально допустимый импульсный прямой ток диода при длительности импульса не более 10 мкс и скважности импульсов не менее 10, мА: — при Tокр от минус 60 до 35 °С; — при Tокр 125 °С	Iпр.и.макс Iпр.и.макс	100 20	70 20	20 20	3
Максимальная рассеиваемая мощность при Токр = 25°С, мВт	Ppac.макс	70	70	70
Температура перехода, °С	Tj	150	150	150
Примечания Для всего диапазона рабочих температур. В интервале температур свыше 35 °С до 125 °С параметр уменьшается линейно с коэффициентом 55,5 мВ/град. В интервале температур свыше 35 °С до 125 °С параметр уменьшается линейно с коэффициентом 0,4 мА/град.

Габаритный чертежПринципиальная схемаОсновные электрические параметры

Наименование параметра, единица измерения	Буквенное обозначение	Норма, не более			Температура среды (корпуса), °С	Режим измерения
		2Д922А/ББ	2Д922Б/ББ	2Д922В/ББ
Постоянный обратный ток диода, мкА	Iобр	0,5 25 0,5	0,5 25 0,5	0,5 25 0,5	25±10 125±5 минус 60±3	Uобр=20 В
Постоянное прямое напряжение диода, В	Uпр	0,4 0,9 — —	0,4 — 0,9 —	— — — 0,55	25±10	Iпр=1 мА Iпр=50 мА Iпр=35 мА Iпр=10 мА
		0,5	0,6	0,7	125±5	Iпр=10 мА
		1,0 — —	— 1,0 —	— — 0,6	минус 60±3	Iпр=50 мА Iпр=35 мА Iпр=10 мА
Время обратного восстановления диода, нс	tвос. обр	5	5	5	25±10	переключение с Iпр = 50 мА (10 мА) на Uобр.и = 3 В при Iобр.отсч =10 мА (5 мА)
Общая емкость диода, пФ	СД	1	1	1	25±10	Uобр=0 В
Эффективное время жизни неравновесных носителей заряда диода, нс	τэфф	0,1	0,1	0,1	25±10	Iпр.и = 25 мА, f = 600 МГц

ДИОДЫ

Кремниевые быстровосстанавливающиеся импульсные полупроводниковые диоды с барьером Шоттки типа 2Д922

2Д922АР/ББ,

2Д922БР/ББ

На печать

АЕЯР. 432120.719 ТУ

Особенности

— металлостеклянный корпус типа КД-1-2 ГОСТ 18472;

— комплектуются из двух 2Д922А/ББ, 2Д922Б/ББ диодов, подобранных по разбросу прямого напряжения и емкости

Наименование параметра, единица измерения (режим измерения)	Буквенное обозначение параметра	Норма, не более		Температура среды (корпуса), °С
		2Д922АР/ББ	2Д922БР/ББ
Разброс по прямому напряжению между диодами в комплекте, мВ (Iпр = 0,75 мА, 10 мА, 20 мА)	ΔUпр	20	20	25±10
Разброс по емкости между диодами в комплекте, пФ (Uобр = 0 В)	ΔСд	0,2	0,2	25±10

Применение

— выпрямители высокой частоты, модуляторы, преобразователи, формирователи импульсов, ограничители и другие импульсные устройства специального назначения по ГОСТ РВ 20. 39.304.

Предельно допустимые значения параметров

Наименование параметра, единица измерения	Буквенное обозначение	Норма, не более		Примечание
		2Д922АР/ББ	2Д922БР/ББ
Максимально допустимое постоянное обратное напряжение диода, В	Uобр.макс	20	20	1
Максимально допустимое импульсное обратное напряжение диода при длительности импульса не более 2 мкс и скважности не менее 10, В	Uобр.и.мах	25	25	2
Максимально допустимый постоянный прямой ток диода, мА: — при Tокр от минус 60 до 35 °С; — при Tокр 125 °С	Iпр. мах Iпр.мах	60 10	40 10	3
Максимально допустимый средний выпрямленный ток диода, мА: — при Tокр от минус 60 до 35 °С; — при Tокр 125 °С	Iвп.ср.макс Iвп.ср.макс	30 6	20 6	3
Максимально допустимый импульсный прямой ток диода при длительности импульса не более 10 мкс и скважности импульсов не менее 10, мА: — при Tокр от минус 60 до 35 °С; — при Tокр 125 °С	Iпр.и.макс Iпр.и.макс	100 20	70 20	3
Максимальная рассеиваемая мощность при Токр = 25°С, мВт	Ppac. макс	70	70
Температура перехода, °С	Tj	150	150
Примечания Для всего диапазона рабочих температур. В интервале температур свыше 35 °С до 125 °С параметр уменьшается линейно с коэффициентом 55,5 мВ/град. В интервале температур свыше 35 °С до 125 °С параметр уменьшается линейно с коэффициентом 0,4 мА/град.

Габаритный чертежПринципиальная схемаОсновные электрические параметры

Наименование параметра, единица измерения	Буквенное обозначение	Норма, не более		Температура среды (корпуса), °С	Режим измерения
		2Д922АР/ББ	2Д922БР/ББ
Постоянный обратный ток диода, мкА	Iобр	0,5 25 0,5	0,5 25 0,5	25±10 125±5 минус 60±3	Uобр=20 В
Постоянное прямое напряжение диода, В	Uпр	0,4 0,9 —	0,4 — 0,9	25±10	Iпр=1 мА Iпр=50 мА Iпр=35 мА
		0,5	0,6	125±5	Iпр=10 мА
		1,0 —	— 1,0	минус 60±3	Iпр=50 мА Iпр=35 мА
Время обратного восстановления диода, нс	tвос. обр	5	5	25±10	переключение с Iпр = 50 мА (10 мА) на Uобр.и = 3 В при Iобр.отсч =10 мА (5 мА)
Общая емкость диода, пФ	СД	1	1	25±10	Uобр=0 В
Эффективное время жизни неравновесных носителей заряда диода, нс	τэфф	0,1	0,1	25±10	Iпр.и = 25 мА, f = 600 МГц

ДИОДЫ

Кремниевые быстровосстанавливающиеся импульсные полупроводниковые диоды с барьером Шоттки типа 2Д922

2Д922АГ/ББ,

2Д922БГ/ББ

На печать

АЕЯР. 432120.719 ТУ

Особенности

— металлостеклянный корпус типа КД-1-2 ГОСТ 18472;

— комплектуются из двух 2Д922А/ББ, 2Д922Б/ББ диодов, подобранных по разбросу прямого напряжения и емкости

Наименование параметра, единица измерения (режим измерения)	Буквенное обозначение параметра	Норма, не более		Температура среды (корпуса), °С
		2Д922АГ/ББ	2Д922БГ/ББ
Разброс по прямому напряжению между диодами в комплекте, мВ (Iпр = 0,75 мА, 10 мА, 20 мА)	ΔUпр	20	20	25±10
Разброс по емкости между диодами в комплекте, пФ (Uобр = 0 В)	ΔСд	0,2	0,2	25±10

Применение

— выпрямители высокой частоты, модуляторы, преобразователи, формирователи импульсов, ограничители и другие импульсные устройства специального назначения по ГОСТ РВ 20. 39.304.

Предельно допустимые значения параметров

Наименование параметра, единица измерения	Буквенное обозначение	Норма, не более		Примечание
		2Д922АГ/ББ	2Д922БГ/ББ
Максимально допустимое постоянное обратное напряжение диода, В	Uобр.макс	20	20	1
Максимально допустимое импульсное обратное напряжение диода при длительности импульса не более 2 мкс и скважности не менее 10, В	Uобр.и.мах	25	25	2
Максимально допустимый постоянный прямой ток диода, мА: — при Tокр от минус 60 до 35 °С; — при Tокр 125 °С	Iпр. мах Iпр.мах	60 10	40 10	3
Максимально допустимый средний выпрямленный ток диода, мА: — при Tокр от минус 60 до 35 °С; — при Tокр 125 °С	Iвп.ср.макс Iвп.ср.макс	30 6	20 6	3
Максимально допустимый импульсный прямой ток диода при длительности импульса не более 10 мкс и скважности импульсов не менее 10, мА: — при Tокр от минус 60 до 35 °С; — при Tокр 125 °С	Iпр.и.макс Iпр.и.макс	100 20	70 20	3
Максимальная рассеиваемая мощность при Токр = 25°С, мВт	Ppac. макс	70	70
Температура перехода, °С	Tj	150	150
Примечания Для всего диапазона рабочих температур. В интервале температур свыше 35 °С до 125 °С параметр уменьшается линейно с коэффициентом 55,5 мВ/град. В интервале температур свыше 35 °С до 125 °С параметр уменьшается линейно с коэффициентом 0,4 мА/град.

Габаритный чертежПринципиальная схемаОсновные электрические параметры

Наименование параметра, единица измерения	Буквенное обозначение	Норма, не более		Температура среды (корпуса), °С	Режим измерения
		2Д922АГ/ББ	2Д922БГ/ББ
Постоянный обратный ток диода, мкА	Iобр	0,5 25 0,5	0,5 25 0,5	25±10 125±5 минус 60±3	Uобр=20 В
Постоянное прямое напряжение диода, В	Uпр	0,4 0,9 —	0,4 — 0,9	25±10	Iпр=1 мА Iпр=50 мА Iпр=35 мА
		0,5	0,6	125±5	Iпр=10 мА
		1,0 —	— 1,0	минус 60±3	Iпр=50 мА Iпр=35 мА
Время обратного восстановления диода, нс	tвос. обр	5	5	25±10	переключение с Iпр = 50 мА (10 мА) на Uобр.и = 3 В при Iобр.отсч =10 мА (5 мА)
Общая емкость диода, пФ	СД	1	1	25±10	Uобр=0 В
Эффективное время жизни неравновесных носителей заряда диода, нс	τэфф	0,1	0,1	25±10	Iпр.и = 25 мА, f = 600 МГц

Страницы:

1

2

3

4

Диод шоттки что это такое, характеристики, обозначение на схеме, маркировка, принцип работы, как проверить диод шоттки, диодный мост шоттки

Содержание

• Индекс цветопередачи CRI
• Вольт-амперная характеристика — диод
• Принцип действия выпрямительного диода
• Применение
• Диод Шоттки в ВЧ цепях
• Миниатюризация
• Диод в цепи постоянного тока
• Шаги
• Стадии
• Диагностика диодов Шоттки
• Проверка транзистор-тестером
• Проверка диодов Шоттки
• Конструкция
• Основные диоды Шоттки, которые встречаются в блоках питания

Индекс цветопередачи CRI

Один из неочевидных параметров в кодировке – значение CRI, определяющее, насколько естественным выглядит свечение. Средний параметр равен 100 – это солнечный свет; меньшее значение применимо к источникам искусственного света. Соответственно, чем выше CRI, тем лучше.

Помимо определения нужного типа прибора в магазине, цветовую маркировку можно использовать в практических целях. Например, зная расположение и цвет элементов, можно рассчитать сопротивление резистора. Для этого достаточно занести данные в форму онлайн калькулятора. Понимание систем маркировки облегчает правильное использованию диодов и решает множество проблем, связанных с выбором нужного типа устройства.

Вольт-амперная характеристика — диод

Вольт-амперная характеристика диода существенно зависит от температуры окружающей среды, с повышением которой прямой ток диода при одном и том же напряжении может увеличиться в несколько раз. При заданном прямом токе с увеличением температуры снижается прямое напряжение между электродами диода.
 

Вольт-амперная характеристика диода ( рис. 38 — 6) показывает зависимость тока через диод от приложенного к нему напряжения.
 

Вольт-амперные характеристики диода — двухэлектрод-ной электронной лампы и полупроводникового диода были показаны на рис. 3.3 и 3.17, в. Диод, у которого можно пренебречь обратным током и падением напряжения в прямом направлении, следует считать идеальным вентилем. Сопротивление идеального вентиля в прямом направлении ( гъ) равно нулю, а в обратном ( / чбр) — бесконечно велико. Вольт-амперная характеристика идеального вентиля, показанная на рис. 15.1, представляет собой отрезок ( Оа) положительной полуоси тока и отрезок ( Об) отрицательной полуоси напряжения. Заменой реальной характеристики вентиля отрезками прямых ( кусочно-линейная аппроксимация), в частности характеристикой идеального вентиля, шиши роко пользуются, чтобы упростить расчет режима цепи с вентилями.
 

Вольт-амперная характеристи.

Вольт-амперная характеристика диода условно разделяется на три области: область насыщения и две области пробоя. В области насыщения ток насыщения, проходящий через диод, очень мал и практически не зависит от приложенного напряжения.
 

Условные изображения диодов.| Вольтамперные характеристики диодов.

Вольт-амперная характеристика диода нелинейна, и значение R зависит от величины напряжения U а. На рабочем участке характеристики величина R может иметь значения от нескольких десятков до нескольких тысяч ом.
 

Селеновый ( а и меднозакисный ( б диоды.| Вольтамперные характеристики селеновой и меднозакисной шайб.

Вольт-амперные характеристики диодов сильно зависят от температуры.
 

Вольт-амперная характеристика диода зависит от температуры. С повышением температуры прямое и обратное сопротивления уменьшаются. Наиболее сильно с изменением температуры меняются обратный ток и.
 

Вольт-амперная характеристика диода в режиме теплового пробоя соответствует кривой б на рис. 3.4. Она имеет падающий характер, так как вследствие повышения температуры перехода концентрация носителей заряда в нем резко увеличивается и электрическое сопротивление перехода уменьшается относительно быстрее, чем растет ток перехода.
 

Устройство диода Шоттки. — — — — — — — — / L.

Вольт-амперная характеристика диодов Шоттки почти идеально описывается экспоненциальной зависимостью ( 10 — 52) для идеализированного диода. Это обстоятельство позволяет с успехом использовать диоды Шоттки в качестве логарифмирующих элементов.
 

Диодные ограничители.

Излом вольт-амперной характеристики диодов позволяет пропускать практически без искажений малые мгновенные значения напряжений и резко ослаблять вершины полуволн.
 

Принцип действия выпрямительного диода

Полупроводники по своим электрическим свойствам являются чем-то средним между проводниками и диэлектриками.

Как ведет себя диод при прямом и обратном включении

Прямое направление — направление постоянного тока, в котором диод имеет наименьшее сопротивление.

Обратное направление — направление постоянного тока, в котором диод имеет наибольшее сопротивление.

Рассмотрим поведение тока в цепи при прямом и обратном включении на переменное и постоянное напряжение. Изначально мы будем иметь синусоиду, которая получается от источника переменного тока.

При таких способах подключения отсекается половина синусоиды положительная или отрицательная. На выходе — пульсирующий переменный ток одного знака (считай, постоянный, только загвоздка в том, что им никто не пользуется).

• анод (для прямого включения подключаем к плюсу), основание треугольника
• катод (подключаем к минусу для прямого включения) палочка

Ток течет от анода к катоду, некоторые прибегают к сравнению с воронкой. В широкое горлышко жидкость проходит быстрее, чем в узкое. Принцип работы заключается в пропускании тока при прямом включении и запирании диода при обратном включении (отсутствии тока). Всё дело в запирающем слое, который испаряется или расширяется в зависимости от способа подключения диода.

Рассмотрим поведение диода в схеме постоянного тока. На левом изображении ток, напряжение проходит — лампочка горит (черная) — это прямое включение. На правом изображении диод не пропускает достаточно тока и напряжения для загорания лампочки — обратное включение.

Применение

Отличительные особенности и принцип работы диода Шоттки обусловливают его широкое применение в быту и в промышленности. Кроме блоков питания компьютера, его часто можно встретить в схемах:

• бытовых электроприборов;
• стабилизаторов напряжения;
• во всем спектре радио- и телеаппаратуры;
• в другой электронике.

Подобные элементы используются в современных батареях и транзисторах, работа которых обеспечивается сенечной энергией.

Такое универсальное использование элемента связано с способностью полупроводникового диода с эффектом Шоттки во много раз усиливать работоспособность любого прибора и увеличивать его эффективность. Обратное сопротивление электротока восстанавливается, за счет чего он сохраняется в электрической сети. Потери динамики напряжения минимизируются. Также диод Шоттки вбирает несколько видов излучений.

Диод с барьером Шоттки — неприхотливый и простой элемент, обеспечивающий бесперебойную работу множества современных приборов. Доступный, надежный, отличается широкой сферой применения благодаря особенностям в своей конструкции.

Диод Шоттки в ВЧ цепях

Также диоды Шоттки обладают быстрой скоростью переключения. Это значит, что мы можем использовать их в высокочастотных (ВЧ) цепях.

Итак, возьмем генератор частоты и выставим синус частотой в 60 Гц

Возьмем диод 1N4007 и диод Шоттки 1N5817. Подключим их по простой схеме однополупериодного выпрямителя

и будем снимать с них показания

Как вы видите, оба они прекрасно справляются со своей задачей по выпрямлению сигнала на частоте в 60 Гц.

Но что будет, если мы увеличим частоту до 300 кГц?

Ого! Диод Шоттки более-менее справляется со своей задачей, что нельзя сказать о простом диоде 1N4007. Простой диод не может справиться со своей задачей не пропускать обратный ток, поэтому на осциллограмме мы видим отрицательный выброс

Отсюда можно сделать вывод: диоды Шоттки рекомендуется использовать в ВЧ цепях.

Миниатюризация

С развитием микроэлектроники стали широко применяться специальные микросхемы, однокристальные микропроцессоры. Все это не исключает использования навесных элементов. Однако если для этой цели использовать радиоэлементы обычных размеров, то это сведет на нет всю идею миниатюризации в целом. Поэтому были разработаны бескорпусные элементы – smd компоненты, которые в 10 и более раз меньше обычных деталей. ВАХ таких компонентов ничем не отличается от ВАХ обычных приборов, а их уменьшенные размеры позволяют использовать такие запчасти в различных микросборках.

Компоненты smd имеют несколько типоразмеров. Для ручной пайки подходят smd размера 1206. Они имеют размер 3,2 на 1,6 мм, что позволяет их впаивать самостоятельно. Другие элементы smd более миниатюрные, собираются на заводе специальным оборудованием, и самому, в домашних условиях, их паять невозможно.

Принцип работы smd компонента также не отличается от его большого аналога, и если, к примеру, рассматривать ВАХ диода, то она в одинаковой степени будет подходить для полупроводников любого размера. По току изготавливаются от 1 до 10 ампер. Маркировка на корпусе часто состоит из цифрового кода, расшифровка которого приводится в специальных таблицах. Протестировать на пригодность их можно тестером, как и большие аналоги.

Диод в цепи постоянного тока

Как мы уже говорили, диод пропускает электрический ток только в одном направлении. Для того, чтобы это показать, давайте соберем простую схему.

прямое включение диода

Так как наша лампа накаливания на 12 Вольт, следовательно, на блоке питания тоже выставляем значение в 12 В и собираем всю электрическую цепь по схеме выше. В результате, лампочка у нас прекрасно горит. Это говорит о том, что через диод проходит электрический ток. В этом случае говорят, что диод включен в прямом направлении.

диод в прямом включении

Давайте теперь поменяем выводы диода. В результате, схема примет такой вид.

обратное включение диода

Как вы видите, лампочка не горит, так как диод не пропускает электрический ток, то есть блокирует его прохождение, хотя источник питания и выдает свои честные 12 Вольт.

обратное включение диода

Какой вывод можно из этого сделать? Диод проводит постоянный ток только в одном направлении.

Шаги

Метод 1 из 2:

Осмотр маркировки

1. 1

   Изучите принцип работы диода. Диод состоит из полупроводников p- и n-типа. Полупроводник n-типа отвечает за отрицательную сторону диода и называется катодом. Полупроводник р-типа является положительной стороной диода и называется анодом.

   • Если положительная сторона источника напряжения соединена с положительной стороной диода (анодом), а отрицательная сторона соединена с отрицательной стороной (катодом), то диод будет проводить ток.
   • Если перевернуть диод обратной стороной, то он не будет пропускать электрический ток (до определенной величины).

2. 2

   Узнайте, что означают условные обозначения. Диоды обозначаются на схеме символом (—▷|—), который показывает, как его следует устанавливать. Стрелка указывает на вертикальную полосу, из которой выходит линия.
   X
   Источник информации

   Стрелка указывает на положительную сторону диода, а вертикальная линия — на отрицательную. Проще запомнить так: положительная сторона перетекает в отрицательную, а стрелка указывает на направление потока.

3. 3

   Найдите большую ленту. Если на диоде отсутствуют условные обозначения, найдите на диоде кольцо, ленту или линию. Возле отрицательной стороны (катода) большинства диодов обычно находится большая цветная лента, опоясывающая диод.

4. 4

   Распознайте положительную сторону светодиода. LED — это светодиод, стороны которого легко различить по его ножкам. Длинная ножка будет положительным концом (анодом).
   X
   Источник информации

   Если ножки были обрезаны, осмотрите внешний корпус светодиода. Электрод, который находится ближе в плоскому краю, является отрицательным (катодом).

Метод 2 из 2:

С помощью мультиметра

1. 1

   Настройте мультиметр на проверку диода.

   Диод можно проверить и без этого режима на мультиметре. Для этого установите ручку мультиметра в режим для измерения сопротивления (Ω).

   Для этого поверните ручку на условное обозначение диода (—▷|—). В этом режиме мультиметр пропустит через диод немного тока, что облегчит его проверку.

2. 2

   Подсоедините мультиметр к диоду. Приставьте положительный щуп мультиметра к одному концу диода, а отрицательный — к другому. Показания отобразятся на экране мультиметра.
   X
   Источник информации

   • Если на мультиметре есть режим проверки диода и вы правильно подключили его щупы к диоду (положительный к положительному, отрицательный к отрицательному), то экран покажет наличие напряжения. В противном случае вы ничего не увидите.
   • Если на мультиметре нет режима для проверки диода и вы правильно подключили его щупы к диоду (положительный к положительному, отрицательный к отрицательному), то дисплей покажет низкое сопротивление. В противном случае на экране отобразится очень сильное сопротивление, которое может быть выражено символами «OL».

3. 3

   Проверьте светодиод. LED — это светодиод. Поверните ручку на мультиметре в положение для проверки диода. Приставьте положительный щуп мультиметра к одному концу диода, а отрицательный — к другому. Если светодиод загорится, значит, положительный щуп касается положительного конца (анода), а отрицательный щуп — отрицательного (катода). Если светодиод не загорится, значит, щупы касаются противоположных концов.

Стадии

Как и любое другое инфекционное заболевание, микробная экзема протекает в несколько стадий:

• I — начало болезни (эритематозная экзема). Проявляется зудом и легким покраснением ограниченных участков кожи.
• II — развитие патологии (папуловезикулярная стадия). Характеризуется появлением узелковых высыпаний, которые со временем заполняются прозрачной жидкостью.
• III — разгар болезни (стадия мокнутия). Пузырьки самопроизвольно вскрываются с выделением серозной жидкости, в местах папул формируются гнойные очаги.
• IV — затухание патологии (сухая экзема). Воспаленные участки кожи подсыхают, покрываются серовато-желтыми корками, которые со временем могут трескаться.

Острая микробная экзема диагностируется в случае, когда длительность заболевания не превышает 3 месяца. Воспалительные очаги при этом имеют ярко-красную окраску, подвергаются постоянному мокнутию, сильно зудят.

В случае если симптомы экземы не проходят в период от 3 до 6 месяцев, речь идет о подостром течении патологии. При данной форме пораженные участки кожи имеют менее насыщенный цвет (розоватый, светло-красный), отличаются большей плотностью, сухостью и постоянно шелушатся.

Для хронической формы патологии характерно длительное, более 6 месяцев, течение. Протекает с периодами ремиссии и обострения. В неактивной фазе экземы кожа практически не отличается от здоровой, но имеет более плотную структуру, склонна к повышенной сухости. Клинические симптомы активной фазы болезни сходны с проявлениями острой экземы.

Диагностика диодов Шоттки

Можно провести диагностику электронного элемента Шоттки, если возникнет такая необходимость, но на это уйдет немного времени. Прежде всего, необходимо выпаять один элемент из диодного моста или электронной схемы. Осмотреть визуально и проверить тестером. В результате этих простых технических операций узнаете исправный ли полупроводник или нет. Хотя и необязательно выпаивать всю сборку, ведь это лишняя работа, а самое главное — затраты времени.

Также можно проверить данный диод или диодный мост мультиметром, при этом учитывайте то, что на приборе изготовитель пишет ток сбоку. Мы включаем мультиметр и подводим его щупы к концам анода и катода, и он покажет нам напряжение диода.

Иногда бывает так, что диод Шоттки может стать неисправным по некоторым причинам. Рассмотрим их:

1. Если в полупроводниковом элементе возникнет пробоина, то он просто перестает держать ток и становится проводником.
2. Если в полупроводнике или диодном мосту возникнет обрыв, тогда он вообще перестанет пропускать ток.

Причем в обоих случаях запаха гари вы не почувствуете и дыма не увидите, так как в корпусе встроена специальная защита против таких происшествий. Если вдруг в одном транзисторе сгорел вышесказанный диод, то убедитесь, что это единственное устройство, где вы нашли неисправность, потому что диоды обязательно нужно проверять все.

Хотя иногда может и не быть такой возможности для того, чтобы проверить диоды на исправность, когда это будет необходимо. Иногда бывает так, что компьютер начинает тормозить, включаться очень долго, «зависает». Возможно, дело связано именно с диодами, и каждый может разобрать процессор и посмотреть, что внутри случилось.

Проверка транзистор-тестером

Проверить на работоспособность полупроводниковых элементов можно с помощью универсального тестера радиокомпонентов. Часто его называют транзистор-тестером.

Это универсальный измерительный прибор с цифровым индикатором. С помощью транзистор-тестера можно проверить различные радиодетали. К ним относятся резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности. А также и полупроводниковые приборы, транзисторы, тиристоры, диоды, стабилитроны, супрессоры и т.п.

Для проверки работоспособности, зажмите детальку в ZIF-панельке (специальном разъёме с рычагом для зажимания элементов), после чего на дисплее высвечивается схемное обозначение элемента. Однако рассматриваемые в этой статье элементы проверяются как обычные диоды. Поэтому не стоит рассчитывать, что транзистор тестер определит, на какое напряжение стабилитрон. Для этого все равно нужно будет собрать схему типа той, что показана выше или такую как рассмотрим далее.

Рекомендуем посмотреть видео о том, что такое универсальный транзистор-тестер и как им проверять радиоэлектронные компоненты.

Тестер, также как и мультиметр, проверяет целостность р-n перехода и корректно определяет напряжением стабилизации стабилитронов до 4,5 вольт.

При ремонте аппаратуры, рекомендуется элемент стабилизации менять на новый. Не зависимо от наличия исправного p-n перехода. Т.к. высока вероятность, что у диода изменилось напряжение стабилизации или оно может произвольно меняться в процессе работы аппаратуры.

Проверка диодов Шоттки

Бытовой мультиметр хорошо справляется с задачей проверки любого вида диодов с барьером Шоттки. Способ проверки очень схож с проверкой рядового диода. Однако есть свои секреты. Электронный элемент с утечкой особенно тяжело поддаётся корректной проверке. Во-первых, диодную сборку необходимо извлечь из схемы. Для этого потребуется паяльник. Если диод пробит, то сопротивление, близкое к нулю, во всех возможных режимах работы подскажет о его неработоспособности. По физическим процессам это напоминает замыкание.

«Утечка» диагностируется сложнее. Самый распространённый мультиметр для населения – dt-830, в большинстве случаев измерений в положении «диод» не увидит проблему. При переведении регулятора в положение «омметр» омическое сопротивление уйдёт в бесконечность. Также прибор не должен показывать наличие Омического сопротивления. В противном случае требуется замена.

Тестирование диодов Шоттки

Диоды Шоттки распространены в электрике и радиоэлектронике. Область их использования широкая, вплоть до приёмников альфа излучения и различных космических аппаратов.

Конструкция

Отличается диод Шоттки от обыкновенных диодов своей конструкцией, в которой используется металл-полупроводник, а не p-n переход. Понятно, что свойства здесь разные, а значит, и характеристики тоже должны отличаться.

Действительно, металл-полупроводник обладает такими параметрами:

• Имеет большое значение тока утечки;
• Невысокое падение напряжения на переходе при прямом включении;
• Восстанавливает заряд очень быстро, так как имеет низкое его значение.

Диод Шоттки изготавливается из таких материалов, как арсенид галлия, кремний; намного реже, но также может использоваться – германий. Выбор материала зависит от свойств, которые нужно получить, однако в любом случае максимальное обратное напряжение, на которое могут изготавливаться данные полупроводники, не выше 1200 вольт – это самые высоковольтные выпрямители. На практике же намного чаще их используют при более низком напряжении – 3, 5, 10 вольт.

На принципиальной схеме диод Шоттки обозначается таким образом:

Но иногда можно увидеть и такое обозначение:

Это означает сдвоенный элемент: два диода в одном корпусе с общим анодом или катодом, поэтому элемент имеет три вывода. В блоках питания используют такие конструкции с общим катодом, их удобно использовать в схемах выпрямителей. Часто на схемах рисуется маркировка обычного диода, но в описании указывается, что это Шоттки, поэтому нужно быть внимательными.

Диодные сборки с барьером Шоттки выпускаются трех типов:

1 тип – с общим катодом;

2 тип – с общим анодом;

3 тип – по схеме удвоения.

Для экономии на платежах за электроэнергию наши читатели советуют «Экономитель энергии Electricity Saving Box». Ежемесячные платежи станут на 30-50% меньше, чем были до использования экономителя. Он убирает реактивную составляющую из сети, в результате чего снижается нагрузка и, как следствие, ток потребления. Электроприборы потребляют меньше электроэнергии, снижаются затраты на ее оплату.

Такое соединение помогает увеличить надежность элемента: ведь находясь в одном корпусе, они имеют одинаковый температурный режим, что важно, если нужны мощные выпрямители, например, на 10 ампер. Но есть и минусы. Все дело в том, что малое падение напряжения (0,2–0,4 в) у таких диодов проявляется на небольших напряжениях, как правило – 50–60 вольт

При более высоком значении они ведут себя как обычные диоды. Зато по току эта схема показывает очень хорошие результаты, ведь часто бывает необходимо – особенно в силовых цепях, модулях питания – чтобы рабочий ток полупроводников был не ниже 10а

Все дело в том, что малое падение напряжения (0,2–0,4 в) у таких диодов проявляется на небольших напряжениях, как правило – 50–60 вольт. При более высоком значении они ведут себя как обычные диоды. Зато по току эта схема показывает очень хорошие результаты, ведь часто бывает необходимо – особенно в силовых цепях, модулях питания – чтобы рабочий ток полупроводников был не ниже 10а

Но есть и минусы. Все дело в том, что малое падение напряжения (0,2–0,4 в) у таких диодов проявляется на небольших напряжениях, как правило – 50–60 вольт. При более высоком значении они ведут себя как обычные диоды. Зато по току эта схема показывает очень хорошие результаты, ведь часто бывает необходимо – особенно в силовых цепях, модулях питания – чтобы рабочий ток полупроводников был не ниже 10а.

Еще один главный недостаток: для этих приборов нельзя превышать обратный ток даже на мгновение. Они тут же выходят из строя, в то время как кремниевые диоды, если не была превышена их температура, восстанавливают свои свойства.

Но положительного все-таки больше. Кроме низкого падения напряжения, диод Шоттки имеет низкое значение емкости перехода. Как известно: ниже емкость – выше частота. Такой диод нашел применение в импульсных блоках питания, выпрямителях и других схемах, с частотами в несколько сотен килогерц.

ВАХ такого диода имеет несимметричный вид. Когда приложено прямое напряжение, видно, что ток растет по экспоненте, а при обратном – ток от напряжения не зависит.

Все это объясняется, если знать, что принцип работы этого полупроводника основан на движении основных носителей – электронов. По этой же самой причине эти приборы и являются такими быстродействующими: у них отсутствуют рекомбинационные процессы, свойственные приборам с p-n переходами. Для всех приборов, имеющих барьерную структуру, свойственна несимметричность ВАХ, ведь именно количеством носителей электрического заряда обусловлена зависимость тока от напряжения.

Основные диоды Шоттки, которые встречаются в блоках питания

Шоттки TO-220 SBL2040CT 10A x 2 =20A 40V Vf=0.6V при 10AШоттки TO-247 S30D40 15A x 2 =30A 40V Vf=0.55V при 15AУльтрафаст TO-220 SF1004G 5A x 2 =10A 200V Vf=0. 97V при 5AУльтрафаст TO-220 F16C20C 8A x 2 =16A 200V Vf=1.3V при 8AУльтрафаст SR504 5A 40V Vf=0.57Шоттки TO-247 40CPQ060 20A x 2 =40A 60V Vf=0.49V при 20AШоттки TO-247 STPS40L45C 20A x 2 =40A 45V Vf=0.49VУльтрафаст TO-247 SBL4040PT 20A x 2 =40A 45V Vf=0.58V при 20AШоттки TO-220 63CTQ100 30A x 2 =60A 100 Vf=0.69V при 30AШоттки TO-220 MBR2545CT 15A x 2 =30A 45V Vf=0.65V при 15AШоттки TO-247 S60D40 30A x 2 =60A 40-60V Vf=0.65V при 30AШоттки TO-247 30CPQ150 15A x 2 =30A 150V Vf=1V при 15AШоттки TO-220 MBRP3045N 15A x 2 =30A 45V Vf=0.65V при 15AШоттки TO-220 S20C60 10A x 2 =20A 30-60V Vf=0.55V при 10AШоттки TO-247 SBL3040PT 15A x 2 =30A 30-40V Vf=0.55V при 15AШоттки TO-247 SBL4040PT 20A x 2 =40A 30-40V Vf=0.58V при 20AУльтрафаст TO-220 U20C20C 10A x 2 =20A 50-200V Vf=0.97V при 10A

Существуют и современные отечественные диодные сборки на большой ток. Вот их маркировка и внутренняя схема:

Высоковольтные силовые диоды Шоттки с напряжением до 1200 В

Хотя более предпочтительным является применение диодов Шоттки в низковольтных мощных выпрямителях с выходными напряжениями в пару десятков вольт, на высоких частотах переключения.

Маркировка диода Код маркировки Кол-во диодов Обратное напр. Прямой ток Время рас. Емкость диода Корпус диода Характеристики сборки диодов Склад Заказ

BAT54C

WW1

2 шоттки

30В

200мА

5 нс

10 пФ

SOT23

BAT54CW

43

2 Шоттки

30В

200мА

5 нс

10 пФ

SOT323

BAT54S

WV4

2 шоттки

30В

200мА

5 нс

10 пФ

SOT23

BAT54SW

44

2 Шоттки

30В

200мА

5нс

10 пФ

SOT323

Купить

Упаковка:

Tags: ампер, анод, бра, вид, выбор, генератор, дом, е, емкость, зажим, замена, знак, как, компьютер, конденсатор, кт, лампочка, маркировка, мультиметр, нагрузка, напряжение, паяльник, переменный, постоянный, правило, принцип, провод, пуск, р, работа, размер, расчет, расшифровка, регулятор, резистор, ремонт, ряд, свет, светодиод, соединение, сопротивление, стабилизатор, стабилитрон, схема, тен, тип, ток, транзистор, треугольник, ук, щит, эффект

номиналов диодов | Диоды и выпрямители

В дополнение к прямому падению напряжения (Vf) и пиковому обратному напряжению (PIV) существует множество других номиналов диодов, важных для схемотехники и выбора компонентов. Производители полупроводников предоставляют подробные спецификации своей продукции, включая диоды, в публикациях, известных как таблицы данных .

Спецификации

Спецификации для широкого спектра полупроводниковых компонентов можно найти в справочниках и в Интернете. Я предпочитаю Интернет в качестве источника спецификаций компонентов, потому что все данные, полученные с веб-сайтов производителей, актуальны.

Типовые параметры диода в техническом паспорте

Типовой технический паспорт диода будет содержать цифры для следующих параметров:

Максимальное повторяющееся обратное напряжение = VRRM, максимальное значение напряжения, которое диод может выдержать в режиме обратного смещения, в повторяющихся импульсах. В идеале эта цифра должна быть бесконечной.

Максимальное обратное напряжение постоянного тока = VR или VDC, максимальное напряжение, которое диод может выдерживать в режиме обратного смещения на постоянной основе. В идеале эта цифра должна быть бесконечной.

Максимальное прямое напряжение = VF, обычно указывается при номинальном прямом токе диода. В идеале эта цифра должна быть равна нулю: диод не оказывает никакого сопротивления прямому току. На самом деле прямое напряжение описывается «уравнением диода».

Максимальный (средний) прямой ток = IF(AV), максимальное среднее значение тока, которое диод может проводить в режиме прямого смещения. По сути, это тепловое ограничение: сколько тепла может выдержать PN-переход, учитывая, что рассеиваемая мощность равна току (I), умноженному на напряжение (V или E), а прямое напряжение зависит как от тока, так и от температуры перехода. В идеале эта цифра должна быть бесконечной.

Максимальный (пиковый или выброс) прямой ток = IFSM или если (бросок), максимальная пиковая величина тока, которую диод может проводить в режиме прямого смещения. Опять же, этот рейтинг ограничен тепловой емкостью диодного перехода и обычно намного выше, чем средний номинальный ток из-за тепловой инерции (тот факт, что диоду требуется конечное время для достижения максимальной температуры для данного тока) . В идеале эта цифра должна быть бесконечной.

Максимальное общее рассеивание = PD, количество мощности (в ваттах), допустимое для рассеяния диодом, с учетом рассеяния (P=IE) тока диода, умноженного на падение напряжения на диоде, а также рассеивание (P= I2R) квадрата тока диода, умноженного на объемное сопротивление. Принципиально ограничен теплоемкостью диода (способностью выдерживать высокие температуры).

Рабочая температура перехода = TJ, максимально допустимая температура PN-перехода диода, обычно указывается в градусах Цельсия (oC). Тепло — «ахиллесова пята» полупроводниковых приборов: они должен храниться в прохладном месте для правильной работы и продления срока службы.

Диапазон температур хранения = ТСТГ, диапазон допустимых температур хранения диода (без питания). Иногда указывается вместе с рабочей температурой перехода (TJ), потому что максимальная температура хранения и максимальная рабочая температура часто совпадают. Во всяком случае, максимальная температура хранения будет выше, чем максимальная рабочая температура.

Термическое сопротивление = R(Θ), разница температур между спаем и наружным воздухом (R(Θ)JA) или между спаем и выводами (R(Θ)JL) для заданной рассеиваемой мощности. Выражается в градусах Цельсия на ватт (oC/Вт). В идеале эта цифра должна быть равна нулю, а это означает, что диодный корпус является идеальным проводником тепла и радиатором, способным передавать всю тепловую энергию от спая в наружный воздух (или к выводам) без разницы температур по толщине корпуса. пакет диодов. Высокое тепловое сопротивление означает, что диод будет создавать чрезмерную температуру на переходе (где это критично), несмотря на все усилия по охлаждению внешней части диода, и, таким образом, будет ограничивать его максимальную рассеиваемую мощность.

Максимальный обратный ток = IR, величина тока через диод в режиме обратного смещения при максимальном номинальном обратном напряжении (В постоянного тока). Иногда упоминается как ток утечки . В идеале эта цифра должна быть равна нулю, так как идеальный диод блокирует весь ток при обратном смещении. На самом деле он очень мал по сравнению с максимальным прямым током.

Типичная емкость перехода = CJ, типичная величина емкости, присущая переходу из-за области обеднения, действующей как диэлектрик, разделяющий соединения анода и катода. Обычно это очень маленькая цифра, измеряемая в диапазоне пикофарад (пФ).

Время обратного восстановления = trr, количество времени, которое требуется диоду, чтобы «выключиться», когда напряжение на нем меняется с прямой полярности на обратную. В идеале эта цифра должна быть равна нулю: диод останавливает проводимость сразу же при изменении полярности. Для типичного выпрямительного диода время обратного восстановления составляет десятки микросекунд; для диода с «быстрым переключением» это может быть всего несколько наносекунд.

Большинство этих параметров зависят от температуры или других условий эксплуатации, поэтому одна цифра не может полностью описать какой-либо рейтинг. Поэтому производители предоставляют графики номинальных характеристик компонентов в зависимости от других переменных (например, температуры), чтобы разработчик схемы имел лучшее представление о том, на что способно устройство.

СВЯЗАННЫЕ РАБОЧИЕ ТАБЛИЦЫ:

• Стабилитроны Рабочий лист

Протекание тока через диод: функциональность и характеристики

Ключевые выводы

● Узнайте о функциональных возможностях диодов.

● Получите более полное представление о характеристиках протекания тока через диоды.

● Узнайте, как изменения смещения диодов определяют, работают ли они как изоляторы или проводники.

 

Смещение диода влияет на протекание тока.

По сравнению с множеством электронных компонентов, с которыми мы сталкиваемся в области электроники, диод является относительно простым компонентом. По сути, диод — это компонент, который позволяет току течь в одном направлении и блокирует его в другом направлении. Диоды позволяют току течь в одном направлении без влияния какого-либо импеданса, полностью блокируя весь поток тока в другом. Кроме того, существует четкое обозначение между этими двумя состояниями работы.

Диод

Как уже говорилось, ток, протекающий через диод, может течь только в одном направлении, и мы называем это состояние прямым смещением. Поскольку ток может течь только в одном направлении (прямое смещение), мы неофициально считаем диоды односторонними электронными вентилями. Если напряжение на диоде отрицательное, ток не течет; таким образом, идеальный диод выглядит как разомкнутая цепь.

Условия или состояния, в которых может находиться типичный диод, — прямое или обратное смещение. В электронике мы определяем смещение или смещение как метод установления набора токов или напряжений в различных точках электронной схемы, чтобы установить надлежащие условия работы в электронных компонентах. Хотя это упрощенная версия ответа, в целом она верна.

Диод представляет собой электронный компонент, состоящий из полупроводникового материала P-типа и N-типа; мы называем p-n переход. Он также имеет выводы, подключенные к этим двум концам, что упрощает внедрение практически в любую электронную схему.

Функциональность диода

Мы называем вывод, прикрепленный к полупроводнику N-типа, катодом. Таким образом, катод является отрицательной стороной диода. Напротив, мы называем вывод, подключенный к полупроводнику P-типа, анодом, что делает его положительной стороной диода.

Когда мы подключаем источник напряжения к диоду так, что положительная сторона источника напряжения соединяется с анодом, а отрицательная сторона соединяется с катодом, диод действует как проводник, позволяя течь току. Когда мы подключаем напряжение к диоду в этом направлении, мы называем это прямым смещением.

Однако, если мы изменим это направление напряжения, то есть подключим отрицательную (-) сторону к аноду, а положительную (+) сторону к катоду, ток не будет течь. В это время диод действует как изолятор. Когда мы подключаем напряжение к диоду в этом направлении, мы называем это обратным смещением.

Примечание. Хотя при прямом смещении ток течет, а при обратном — нет, существует максимальный предел уровня тока, который диод может эффективно блокировать.

Две области диода

Мы кратко обсудили две полупроводниковые области в диоде (P и N). Однако также важно различать стороны или полупроводниковые области.

Во-первых, о символе, который схематически изображает диод, катод находится справа, а анод — слева. Анодную сторону условного обозначения, как правило, рассматривают как стрелку, изображающую стандартное направление протекания тока, т. е. от положительного (+) к отрицательному (-). Следовательно, диод допускает протекание тока в направлении стрелки. А затем рассмотрите вертикальную линию на стороне катода как огромный знак минус (-), показывающий, какая сторона диода является отрицательной для прямого смещения.

Функциональность протекания тока через диод

Стандартному диоду требуется определенное прямое напряжение, прежде чем он позволит протекать току. Как правило, указанное количество напряжения, которое требуется диоду, прежде чем позволить протекать току, составляет минуту. Обычно это 0,5 вольта. Пока он не достигнет этой величины напряжения, ток не будет течь. Однако при достижении прямого напряжения ток легко протекает через диод.

Мы называем этот минимальный порог напряжения в прямом направлении прямым падением напряжения на диоде. Причина этого в том, что цепь теряет или падает это напряжение на диоде. Мы можем проверить это, используя мультиметр и измерив выводы диода, когда он находится в прямом смещении. Полученное показание будет прямым падением напряжения на диоде.

Для дополнительной иллюстрации мы можем использовать приведенную выше принципиальную схему. Когда мы используем мультиметр для измерения на клеммах лампы, напряжение будет представлять собой разницу между напряжением батареи (12 вольт) и прямым падением напряжения на диоде в цепи. Например, если прямое падение напряжения на нашем диоде составляет 0,8 вольта, а напряжение батареи точно равно 12 вольтам, то напряжение на лампе будет 11,2 вольта.

Характеристики диода

Диод имеет максимальное обратное напряжение, которое он может выдержать до того, как выйдет из строя, что позволяет протекать обратному току через диод. Мы называем это обратное напряжение пиковым обратным напряжением (PIV) или пиковым обратным напряжением. Кроме того, это важная характеристика диода с точки зрения функциональности схемы. Крайне важно, чтобы ни один диод в вашей схеме не подвергался напряжению, превышающему этот предел.

Наряду с номинальным значением PIV и прямого падения напряжения диод также получает максимальный номинальный ток. Как следует из этого рейтинга, это пиковый рабочий ток диода, и его превышение приведет к непоправимому повреждению диода и, возможно, всей схемы.

Диод как компонент является относительно простым, но он обеспечивает функциональность двух различных компонентов в одном. Широкий спектр приложений для диода включает практически бесконечный список приложений для электрических устройств. Таким образом, диод является действительно адаптивным компонентом, который дает разработчикам оптимальный контроль над тем, какую функцию диод будет играть в их схемотехнике.

Набор диодов различных форм и размеров, но все они имеют одинаковые характеристики протекания тока.

Для успешного внедрения диода в вашу конструкцию с соответствующими характеристиками протекания тока через диод необходимо использовать высококачественное программное обеспечение для проектирования и анализа печатных плат. Allegro от Cadence — одно из таких программ с множеством надежных функций для компоновки, а также тестирования и моделирования.

Если вы хотите узнать больше о том, какое решение может предложить Cadence, обратитесь к нам и нашей команде экспертов. Чтобы посмотреть видео по связанным темам или узнать, что нового в нашем наборе инструментов для проектирования и анализа, подпишитесь на наш канал YouTube.

 

Решения Cadence PCB — это комплексный инструмент для проектирования от начала до конца, позволяющий быстро и эффективно создавать продукты. Cadence позволяет пользователям точно сократить циклы проектирования и передать их в производство с помощью современного отраслевого стандарта IPC-2581.

Подпишитесь на Linkedin Посетить сайт Больше контента от Cadence PCB Solutions

Загрузка, подождите

Ошибка — что-то пошло не так!

Хотите последние новости о печатных платах?
Подпишитесь на нашу ежемесячную рассылку новостей

Спасибо!

Кремниевый эпитаксиальный планарный переключающий диод

1N4148WS

Кремниевый эпитаксиальный планарный переключающий диод 1N4148WS — Kingtronics

1. Кремниевый эпитаксиальный планарный переключающий диод 1N4148WS (PDF: 258KB) ↓ Скачать

Кремниевый эпитаксиальный планарный переключающий диод 1N4148WS Характеристики

• Корпус SC-76 Кремниевый эпитаксиальный планарный переключающий диод
• Кремниевый эпитаксиальный планарный переключающий диод с быстрым переключением
• Эти диоды также доступны в других типах корпусов, включая корпус DO-35 с обозначением типа 1N4148, корпус MiniMELF с обозначением типа LL4148 и корпус MicroMELF с обозначением типа MCL4148.
• Доступно с 1N4148, LL4148, MCL4148, 1N4148WS

Полный список диодов, выпрямителей и транзисторов

Общий выпрямительный диод 1,0 А Выпрямитель M7 для поверхностного монтажа (SMD4001-4007) Выпрямитель для поверхностного монтажа S1A-S1M Выпрямитель для поверхностного монтажа на 1,0 А RS1A-RS1M Выпрямитель для поверхностного монтажа на 1,0 А GS1A-GS1M Универсальный выпрямитель на 2,0 А RL201-RL207 Выпрямитель общего назначения 3,0 А 1N5400-1N5408 Кремниевый выпрямитель 1,0 А 1A1-1A7 Выпрямитель общего назначения 6,0 А 6A05-6A10 1,0 A Выпрямитель для поверхностного монтажа SM4001-SM4007 Выпрямитель общего назначения 1,0 А 1N4001S-1N4007S Выпрямитель общего назначения 1,0 А 1N4001-1N4007 Универсальный выпрямитель на 1,5 А 1N5391-1N5399 1. 0A Выпрямитель с барьером Шоттки 1N5817-1N5819 3.0A Выпрямитель с барьером Шоттки 1N5820-1N5822 Выпрямитель для поверхностного монтажа 3,0 А SS32-SS320 Выпрямитель для поверхностного монтажа 1,0 А SS12-SS110 Выпрямитель для поверхностного монтажа на 1,0 А US1A-US1M Быстрое восстановление и диод Шоттки Выпрямитель с быстрым восстановлением на 1,0 А FR101-FR107 Выпрямитель с быстрым восстановлением на 1,5 А FR151-FR157 Выпрямитель с быстрым восстановлением 2,0 А FR201-FR207 Выпрямитель с быстрым восстановлением 1,0 А 1N4933-1N4937 1.0A Высокоэффективный выпрямитель UF4001-UF4007 Высокоэффективный выпрямитель на 3,0 А UF5400-UF5408 Выпрямитель Шоттки для поверхностного монтажа SM5817-SM5819

Переключение и стабилитрон Быстродействующий диод LL4148 Minimelf SOD80 Кремниевый эпитаксиальный планарный переключающий диод BAV70 Кремниевый эпитаксиальный планарный переключающий диод BAV99 Стабилитроны BZV55-SERIES Стабилитроны BZX55C кремниевые планарные стабилитроны BZX84C кремниевые планарные стабилитроны BZX85C стабилитроны 1N4727A-1N4761A силы кремния планарные кремниевые эпитаксиальные планарные стабилитроны ZMM1-ZMM75 кремниевые планарные стабилитроны ZM4728-ZM4761 Кремниевый эпитаксиальный планарный переключающий диод 1N4148 Кремниевый эпитаксиальный планарный переключающий диод 1N4148W Кремниевый эпитаксиальный планарный переключающий диод 1N4148WS Кремниевый эпитаксиальный планарный переключающий диод 1N4148WT Малый сигнальный транзистор Кремниевые эпитаксиальные планарные транзисторы PNP BC807 NPN Кремниевые эпитаксиальные планарные транзисторы BC817 Кремниевые эпитаксиальные транзисторы NPN BC846-BC850 кремниевые эпитаксиальные транзисторы BC856-BC859 PNP NPN кремниевые транзисторы общего назначения MMBT3904 Кремниевые транзисторы общего назначения PNP MMBT3906 НПН Кремниевые эпитаксиальные планарные транзисторы ММБТ8050 ПНП кремниевые эпитаксиальные планарные транзисторы ММБТ8550 кремниевые эпитаксиальные планарные транзисторы PNP MMBT9012 кремниевые эпитаксиальные планарные транзисторы NPN MMBT9013 Кремниевые эпитаксиальные планарные транзисторы NPN MMBT9014 NPN кремниевые эпитаксиальные планарные транзисторы MMBT9018 кремниевые эпитаксиальные планарные транзисторы MMBTSC945 NPN

Быстрый доступ к диодам и выпрямителям Техническое описание в формате PDF.

1. Диодный выпрямитель M7 (SMD 4001-4007)(PDF: 155KB) ↓ Скачать
2. Пластиковый выпрямитель общего назначения 1N4001S-1N4007S(PDF: 118KB) ↓ Загрузить
3. Выпрямитель общего назначения 1N4001-1N4007(PDF: 115KB) ↓ Загрузить
4. Выпрямитель общего назначения 1N5391-1N5399(PDF: 116KB) ↓ Загрузить
5. Стандартный диод 2,0 А RL201-RL207(PDF: 116 КБ) ↓ Скачать
6. Выпрямители общего назначения 1N5400-1N5408(PDF: 133KB) ↓ Скачать
7. 6.0A Кремниевый выпрямитель 6A05-6A10(PDF: 127KB) ↓ Загрузить
8. Диод быстрого восстановления 1,0 А FR101-FR107(PDF: 115 КБ) ↓ Загрузить
9. Диод быстрого восстановления 1,0 А 1N4933-1N4937(PDF: 115 КБ) ↓ Загрузить
10. Диод быстрого восстановления 1,5 А FR151-FR157(PDF: 115 КБ) ↓ Загрузить
11. Диод быстрого восстановления 2,0 А FR201-FR207 (50–1000 В; 2,0 А) (PDF: 115 КБ) ↓ Загрузить
12. 1A Выпрямитель с барьером Шоттки 1N5817-1N5819(PDF: 116KB) ↓ Загрузить
13. 3. 0A Выпрямитель с барьером Шоттки 1N5820-1N5822(PDF: 117KB) ↓ Загрузить
14. Быстродействующий диод LL4148 Minimelf SOD80 (PDF: 98 КБ) ↓ Скачать
15. Стабилитрон BZV55-SERIES(PDF: 98KB) ↓ Загрузить
16. Выпрямитель с быстрым восстановлением для поверхностного монтажа RS1M (PDF: 520 КБ) ↓ Загрузить
17. Кремниевые планарные силовые стабилитроны 1N4727A-1N4761A (PDF: 488 КБ) ↓ Скачать
18. Кремниевые планарные стабилитроны BZX55C (PDF: 375 КБ) ↓ Скачать
19. Кремниевый эпитаксиальный планарный переключающий диод 1N4148 (PDF: 396 КБ) ↓ Скачать
20. Кремниевый эпитаксиальный планарный переключающий диод 1N4148W (PDF: 254 КБ) ↓ Скачать
21. Кремниевый эпитаксиальный планарный переключающий диод 1N4148WS (PDF: 258 КБ) ↓ Загрузить
22. Кремниевый эпитаксиальный планарный переключающий диод 1N4148WT (PDF: 278 КБ) ↓ Загрузить
23. Выпрямитель для поверхностного монтажа от S1A до S1M (PDF: 783 КБ) ↓ Скачать

Целеуказание | AMI

Драйверы ячеек Поккельса:

AMI разрабатывает и производит драйверы ячеек Поккельса для военных, медицинских и других приложений. Быстрая, надежная коммутация высокого напряжения в компактных форм-факторах достигается с использованием нескольких технологий. Драйверы ячеек Pockels серии 820/8200 компании AMI доступны в виде сборок на печатных платах для установки на небольших площадях, а также в корпусах, предназначенных для работы в суровых условиях бортовых военных приложений. Драйверы могут быть изготовлены в соответствии с военными стандартами высокой надежности. Индивидуальные конструкции доступны для приложений OEM.

Блоки питания для зарядки конденсаторов:

Для накачки ламп-вспышек Analog Modules производит различные блоки питания для зарядки конденсаторов с высокой плотностью мощности и импульсные драйверы. Эти продукты используются в ряде военных программ для приложений, включая наземное и воздушное целеуказание, установленный на танке лазерный дальномер и ракетное освещение для картографирования местности.

Каждый продукт разработан в соответствии с уникальными спецификациями, чтобы удовлетворить индивидуальные требования заказчика к упаковке и производительности. Огромный опыт компании AMI в этой области позволил разработать конструкции источников питания для зарядки конденсаторов, которые обеспечивают чрезвычайно высокую удельную мощность при очень малом весе, но при этом отвечают жестким требованиям к ударам и вибрации, предъявляемым к военным приложениям. Продукция AMI также соответствует требованиям к высоким и низким температурам MIL-STD-810 и другим соответствующим военным стандартам. Продукты могут быть сконфигурированы для входной мощности в диапазоне от низкого напряжения постоянного тока (батарея 3,3 В, 18-21 В постоянного тока с наложенными переходными процессами и т. д.) до 115 В переменного тока, 400 Гц, 1 Ø, для применения в самолетах.

AMI разрабатывает и производит комплексные системы драйверов импульсных ламп-вспышек. Эти продукты могут включать в себя встроенные силовые модули заряда конденсаторов с полными цепями формирования импульсов, быстродействующие переключающие элементы, схемы зажигания ламп и управляющую электронику. В результате системы могут обеспечивать работу с фиксированной или переменной шириной импульса, оптимизированную для различных комбинаций энергии импульса и частоты повторения импульсов. Опции могут включать псевдокипение, ограничение тока плавного пуска, триггерные выходы Q-Switch и микропроцессорное управление. Обширный опыт AMI в области импульсных лазерных систем снова был использован для разработки конструкций, которые просты по своей концепции в плане прочности и надежности, но в то же время продуманы в реализации для упаковки с высокой плотностью и высокой эффективностью.

Высокомощные драйверы лазерных диодов:

AMI предлагает полную линейку систем и модулей драйверов лазерных диодов для военного применения, включая прямое освещение и диодную накачку. Запатентованные технологии позволяют таким продуктам генерировать узкие, мощные импульсы с высокой частотой повторения и/или выходной сигнал CW в наименьших доступных размерах.

Компания AMI разработала множество конструкций диодных драйверов в различных корпусах для легкой интеграции в платформы клиентов. Драйверы диодов обеспечивают функции безопасности, такие как контроль тока с обратной связью, защита от перегрузки по току/напряжению, включение/выключение и сброс цепи для предотвращения повреждения лазерных диодов.

Для приложений, требующих работы «под ключ», AMI предлагает микропроцессорный контроллер лазерных диодов серии 8800D для импульсных приложений и лазерный контроллер серии 880D для приложений CW. Оба имеют внешнее управление через интерфейс RS-232.

Модуль лазерного точечного слежения:

Инженеры AMI занимаются разработкой электроники для лазерного точечного слежения с 1968 года. и самолет MRCA. AMI также разработала модули самонаведения для программ «Звездных войн». Патенты в этой области включают способ идентификации цели и конструкцию приемника слежения. Были разработаны системы для обработки данных рулевого управления «всплеск-выстрел» и линейной обработки для пропорционального управления амплитудой.

Компания AMI разработала простую в использовании компьютерную симуляцию, позволяющую быстро оптимизировать электронику точечных датчиков для конкретных приложений. Программное обеспечение позволяет вводить соответствующие проектные параметры, вычислять критические выходные параметры и графически изображать мощность приемника в зависимости от дальности.

В настоящее время AMI занимается разработкой модулей трекеров нового поколения с использованием микроминиатюрных деталей. Эти новые конструкции приведут к более высокой производительности, меньшим размерам и снижению стоимости.

SPOTTR:

SPOTTR (переносной стабилизированный оптический приемник сопровождения целей) позволяет передовым наблюдателям обнаруживать и декодировать отраженную энергию от бортовых или наземных лазерных целеуказателей на расстоянии до 20 км.

Визуальное подтверждение значительно увеличивает уверенность в том, что боеприпасы будут доставлены к намеченной цели, что очень важно, когда дружественные силы находятся поблизости в условиях непосредственной поддержки с воздуха. Боеспособность повышается за счет сокращения времени подтверждения цели и сведения к минимуму ошибок наведения, которые могут привести к братоубийству или побочному ущербу.

SPOTTR включает в себя модуль квадрантного лазерного слежения, разработанный Analog Modules, Inc., в широко распространенный гиростабилизированный бинокль производства Fraser Optics LLC (ранее Fraser-Volpe LLC).

одиночный%20стабилитрон%20диод%20маркировка%20v14 техническое описание и примечания по применению

Лучшие результаты (6)

Модель ECAD Производитель Описание Даташит Скачать Купить Часть ХВ120-СМ02-Р Превосходная сенсорная технология Датчики давления для монтажа на плате, 20 дюймов, одинарная матрица Техническая спецификация org/Product»> НД130-СМ02-Т Превосходная сенсорная технология Многодиапазонный датчик дифференциального давления от ±500 до ±7,5 кПа (от ±2 до ±30 дюймов·ч3O) — один лоток Техническая спецификация НД110-СМ02-Т Превосходная сенсорная технология Многодиапазонный датчик дифференциального давления от ±125 до ±2,5 кПа (от ±0,5 до ±10 дюймов·ч3O) — один лоток Техническая спецификация СП160-СМ02-Т Превосходная сенсорная технология Датчик перепада давления, оптимизированный для медицины от ±5 кПа до ±40 кПа — одинарный лоток Техническая спецификация org/Product»> НД120-СМ02-Т Превосходная сенсорная технология Многодиапазонный датчик перепада давления от ±250 до ±5 кПа (от ±1 до ±20 дюймов·ч3O) — один лоток Техническая спецификация НД015А-СМ02-Т Превосходная сенсорная технология Датчик абсолютного давления 15 фунтов на кв. дюйм (1 бар) — одинарный, SON-11 Техническая спецификация

одиночный%20стабилитрон%20диод%20маркировка%20v14 Спецификации Context Search

org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»>

Каталог Спецификация	MFG и тип	ПДФ	Ярлыки для документов
АД73038 Резюме: DAC8840 DAC8426 AD8600 AD7801 AD7305 AD7304 AD7303 AD7302 AD7226 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	AD7801 AD7305 AD7304 AD5304 AD5334 AD5308 AD73038 ЦАП8840 ЦАП8426 AD8600 AD7801 AD7305 AD7304 AD7303 AD7302 AD7226
2000 — BCM5220 Резюме: KS8761 S558-5999-46 S558-5999-U7 S558-5999-P3 S558-5999-Q9 BCM5226 BCM5204 S553-5999-F2 S82555 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	10/100Base-TX 10Base-T Am79C901 Am79C978 BCM5220 KS8761 С558-5999-46 С558-5999-У7 С558-5999-П3 S558-5999-Q9 BCM5226 BCM5204 S553-5999-F2 S82555
ФКПф10Н60К Резюме: FQPF*10n20c FQPF10N20C FQP17P06 IRF650 fqpf6n80 FQU17P06 FQA90N08 FQPF*5n50c эквивалент FQP630 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	ФДЗ201Н ФДЗ209Н ФДЗ2553Н ФДЗ2553НЗ ФДЗ2551Н ФДЗ7064Н SFF9140 FQAF47P06 SSF10N60B SSF7N60B FQPf10N60C ФКПФ*10n20c FQPF10N20C FQP17P06 IRF650 fqpf6n80 FQU17P06 FQA90N08 ФКПФ*5n50c Эквивалент FQP630
2002 — IRFU210A Резюме: IRFU230A ISL9N306AD3 FDU7030BL FDU6692 FDU6680A FDU6644 FDU6612A irfu410a FDU6030BL Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	О-251 О-251 ФДУ3706 ФДУ6512А ИСЛ9Н308АД3 ИСЛ9Н312АД3 ИСЛ9Н306АД3 ФДУ6644 ФДУ6680А ФДУ7037П06 IRFU210A IRFU230A ИСЛ9Н306АД3 ФДУ7030БЛ ФДУ6692 ФДУ6680А ФДУ6644 ФДУ6612А irfu410a ФДУ6030БЛ
2002 — ФДД5614П Резюме: SS*2n60b FQD7P20 SFR9224 FDD6512A FDD6670A FDD6644 MOSFET TO-252 FDD3706 IRFR420A Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	О-252 О-252 ФДД3706 ФДД6512А ФДД6530А РФД20Н03СМ ФДД6676 ИСЛ9Н306АД3СТ ФДД6672А ФДД66 ФДД5614П СС*2н60б FQD7P20 СФР9224 ФДД6512А ФДД6670А ФДД6644 МОП-транзистор ТО-252 ФДД3706 IRFR420A
ТЛА-3М107 Реферат: TLA-6T118 KS8761 6t116 6T118 tnete2101 DM9081 BCM5201 6T119 tla-6t102 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	100Base-TX 78Q2120 10Base-T Am79C98 Am79C100 Am79C940 Am79C961 Am79C961A Am79C965 Am79C970A ТЛА-3М107 ТЛА-6Т118 KS8761 6т116 6Т118 tnete2101 DM9081 BCM5201 6Т119 ТЛА-6Т102
ССП6Н60А Резюме: МОП-транзистор IRF650 IRF540 с максимальным напряжением VDS 12 В Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	СК70-6 ОТ-23) FDR8321L FDR8521L ФДФС2П106А ФДФС2П103 ФДФС2П102 ССП6Н60А IRF650 МОП-транзистор IRF540 с максимальным напряжением VDS 12 В ССП2Н60Б ссс3н90а ССС7Н60Б SSP4N60A IRFS630A сср2955 IRF540 дополнительный
2002 — IRFS630A Резюме: IRFS634A SSS7N60B SSS2N60B FQPF11P06 FQPF13N10 IRFS614B SSS10N60b SSS7N60B эквивалент FQPF13N06L Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	О-220Ф О-220Ф FQPF85N06 FQPF65N06 FQPF55N06 FQPF50N06 FQPF30N06 FQPF20N06 FQPF13N06 FQPF50N06L IRFS630A IRFS634A ССС7Н60Б ССС2Н60Б FQPF11P06 FQPF13N10 IRFS614B ССС10Н60б Эквивалент SSS7N60B FQPF13N06L
2008 — 5500 Резюме: нет абстрактного текста Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	750-8300В 40-63кА 60-100кА 1А0065, 9078A67G04, А3354730 5500
2003 — ФЛМП СуперСОТ-6 Реферат: Комплементарные МОП-транзисторы buz11 FQD7P20 FDG6316 IRF650 FDG329N FDP2532 IRFS630 FQP65N06 fqpf6n80 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	СК70-6 СК75-6 СуперСОТТМ-3/СОТ-23 Power247TM, ФЛМП СуперСОТ-6 Дополнительные МОП-транзисторы buz11 FQD7P20 ФДГ6316 IRF650 ФДГ329Н ФДП2532 ИРФС630 FQP65N06 fqpf6n80
78М03 Резюме: ВОЕННЫЕ КВАЛИФИКАЦИОННЫЕ DIP-ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛИ 78M07 m83504 M83504/01-028 78m03s однополюсные однопозиционные 78M08S 78M06S 78M02S Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	MS83504 М83504/06-022 М83504/06-023 М83504/06-024 76MRSC02S 76MRSC03S 76MRSC04S 78М03 ВОЕННЫЕ КВАЛИФИКАЦИОННЫЕ DIP-ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛИ 78М07 м83504 М83504/01-028 78м03с однополюсный, однонаправленный 78М08С 78М06С 78М02С
Кендин KS8721B Резюме: BCM5325 RTL8316 RTL8305SB rtl8150l LM2001 rlt8110 RTL8201CL LP1001 88E1145 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	БКМ5400, BCM5401 ЛС2004 БКМ5411, BCM5701 Ам79C874 ЛС1002 ЛС2008 ЛС10А5 БКМ5421/БКМ5421С Кендин KS8721B BCM5325 РТЛ8316 RTL8305SB rtl8150l ЛМ2001 rlt8110 RTL8201CL LP1001 88E1145
Недоступно Резюме: нет абстрактного текста Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	ТМ-42А Т3002 com//revie052
2002 — ФЭП16БТ Реферат: FEP16CTA RHRU100120 ISL9R3060G2 RURU8060 FEP16FTD ffpf30u20s FFPF30U60DN Эквивалент MUR1520 Эквивалент RHRP8120 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	ЭГП20А EGP20B EGP20C EGP20D EGP20F EGP20G EGP20J 20 тыс. египетских фунтов ЭГП30А EGP30B ФЭП16БТ FEP16CTA RHRU100120 ИСЛ9Р3060Г2 RURU8060 FEP16FTD ffpf30u20s ФФФФ30У60ДН Эквивалент MUR1520 Эквивалент RHRP8120
2002 — sfi9520 Резюме: HUF75345S3 HUF75333S3 FQI85N06 FQI65N06 FQI55N06 FQI50N06 FQI30N06 FQI20N06 FQI13N06 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	О-262 О-262 ИСЛ9Н303АС3 HUF75345S3 HUF75333S3 FQI85N06 FQI65N06 FQI55N06 FQI50N06 FQI30N06 sfi9520 HUF75345S3 HUF75333S3 FQI85N06 FQI65N06 FQI55N06 FQI50N06 FQI30N06 FQI20N06 FQI13N06
АД5300 Резюме: DAC8840 DAC8426 AD8600 AD7801 AD7305 AD7304 AD7303 AD7302 AD7226 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	AD7801 AD7305 AD7304 AD7303 AD5305 AD5304 AD5334 1-10us AD5300 ЦАП8840 ЦАП8426 AD8600 AD7801 AD7305 AD7304 AD7303 AD7302 AD7226
2002 — FQB27N25 Резюме: FQB46N15 FDB2532 FDB8030L FDB7045L FDB7042L FDB7030L FDB6676 FDB6670AL HUF76639 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	О-263 О-263 ИСЛ9Н302АС3СТ ФДБ8030Л ISL9Н303АС3СТ ФДБ7045Л ИСЛ9Н304АС3СТ ФДБ6676 ФДБ6670АЛ 30VDS FQB27N25 FQB46N15 ФДБ2532 ФДБ8030Л ФДБ7045Л ФДБ7042Л ФДБ7030Л ФДБ6676 ФДБ6670АЛ 76639 форинтов
2002 — FQP630 Аннотация: FQP27N25 эквивалент FQP630 IRF630B FQP55N10 SSP7N60A IRF620B FDP6035L irf640b SFP9634 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	О-220 О-220 ИСЛ9Н302АП3 FDP8030L ИСЛ9Н303АП3 ФДП7045Л ИСЛ9Н304АП3 ФДП6676 FDP6670AL SFP9Z24 FQP630 ФКП27Н25 Эквивалент FQP630 IRF630B ФКП55Н10 SSP7N60A IRF620B ФДП6035Л irf640b SFP9634
78М03С Реферат: 76MRSB05S a/76mrsb08s Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	MS83504 М83504/01-022 М83504/01-023 М83504/01-024 М83504/01-025 М83504/01-026 М83504/01-027 М83504/01-028 М83504/01-029 78М03С 76MRSB05S а/76mrsb08s
транзистор 45 ф 122 Реферат: Транзистор AC 51 mos 3021 TRIAC 136 634 транзистор tlp 122 ТРАНЗИСТОР транзистор ac 127 транзистор 502 транзистор f 421 Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	TLP120 TLP121 TLP130 TLP131 TLP160J транзистор 45 ф 122 Транзистор переменного тока 51 Моск 3021 СИМИСТОР 136 634 транзистор тлп 122 ТРАНЗИСТОР транзистор переменного тока 127 транзистор 502 транзистор ф 421
2002 — fqaf40n25 Резюме: SSF70N10A FQAF70N10 FQAF70N08 FQAF65N06 FQAF58N08 FQAF55N10 FQAF44N10 FQAF44N08 FQAF27N25 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	FQAF85N06 FQAF65N06 FQAF90N08 FQAF70N08 FQAF58N08 FQAF44N08 ССФ70Н10А ФКАФ70Н10 FQAF12P20 SFF9240 фкаф40н25 ССФ70Н10А ФКАФ70Н10 FQAF70N08 FQAF65N06 FQAF58N08 ФКАФ55Н10 ФКАФ44Н10 FQAF44N08 ФКАФ27Н25
АД7804 Резюме: AD5331 AD7808 AD7805 AD7533 AD5333 AD5313 AD5312 AD5311 AD5310 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	10-бит, AD7533 AD7805 AD7804 AD7808 AD7809 AD5310 AD5317 AD5336 AD5335 AD7804 AD5331 AD7808 AD7805 AD7533 AD5333 AD5313 AD5312 AD5311 AD5310
2015 — Недоступно Резюме: нет абстрактного текста Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	О-277Б ST1040S ИТО-220АС СТФ1060 ST1045S О-220АБ ST1560C ST1045AX ИТО-220АБ
транзистор 91 330 Реферат: ТРАНЗИСТОР tlp 122 R358 TLP635F 388 транзистор 395 транзистор транзистор f 421 IC 4N25 симистор 40 RIA 120 Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	4Н25А 4Н29А 4Н32А 6Н135 6Н136 6Н137 6Н138 6Н139 CNY17-L CNY17-M транзистор 91 330 ТРАНЗИСТОР тлп 122 Р358 TLP635F 388 транзистор 395 транзистор транзистор ф 421 IC 4N25 симистор 40 РИА 120
2002 — MMSD914 Резюме: BAW74 1N4454 1N4448 1N4154 1N4150 1N4149 MMBD4148CA 1N459a 1n457a эквивалент Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	1Н4148 1Н4149 1Н4150 1Н4154 1Н4448 1N4454 1Н456А ММБД1201 ММБД1401 ММБД1401А ММСД914 BAW74 1N4454 1Н4448 1Н4154 1Н4150 1Н4149 ММБД4148КА 1Н459а эквивалент 1н457а

Предыдущий 1 2 3 … 23 24 25 Далее

Лучшая защита — яркий диодный лазер | Особенности | декабрь 2005 г.

Диодные лазеры широко используются в качестве накачки для других лазеров, и все больше военных приложений, в которых непосредственно используется луч диодного лазера.

Д-р Пол Руди, Quintessence Photonics Corp.

На протяжении всей истории военных приложений использовались самые современные технологии, поскольку конфликтующие стороны спешили оставаться на шаг впереди друг друга. Технология фотоники не является исключением. Еще в 212 г. до н.э. оптика использовалась в качестве оружия, когда, согласно легенде, Архимед использовал большие бронзовые зеркала для направления и фокусировки солнечного света, поджигая римские корабли во время битвы при Сиракузах.

---

Рисунок 1. Лазеры нашли свое место в высокоточном целеуказании. С увеличением пространственной яркости диодные лазеры могут стать пригодными для бортового целеуказания.

---

За последние несколько десятилетий оптика и лазеры вышли на передний план военных применений и получили такое же широкое распространение и критически важное значение, как микроволновые и электронные технологии. Демонстрация дальномера была завершена через год после изобретения лазера в 19 г.60. А высокоточное лазерное целеуказание — распространенный образ современной войны, демонстрируемый в ночных новостях (рис. 1).

По мере того, как лазерные технологии развиваются в направлении более высокой производительности и меньшей стоимости, размера и веса, становятся доступными новые военные приложения, а существующие расширяются. За последние 30 лет были реализованы лазерные приложения, такие как лазерный гироскоп, целеуказатель, дальномер, радар, средства противодействия, связь, обнаружение биохимических агентов и инициаторы боеприпасов.

К лазерам для этих целей предъявляются следующие важные требования:

• Легкий вес и небольшой объем.
• Высокая эффективность.
• Высокая надежность.
• Работа в широком диапазоне температур.
• Механическая прочность и низкие эксплуатационные расходы.
• Недорогое производство.

Для некоторых приложений требуется широкий выбор выходных длин волн и высокая мощность или яркость.

Полупроводниковые лазеры являются наиболее компактными и эффективными из доступных типов, и они намного превосходят газовые, жидкостные и твердотельные лазеры по большинству этих требований. Преимущества диодных лазеров позволили использовать их во многих военных приложениях. Однако маломощные диодные лазеры быстрее получили признание как на военном, так и на коммерческом рынке, чем более мощные модели.

Исторически два фактора препятствовали использованию мощных диодных лазеров. Во-первых, их пространственная яркость недостаточна для таких приложений, как оружие направленной энергии. Во-вторых, у диодных лазеров не было встроенного накопителя энергии, необходимого для генерации импульсов с очень высокой пиковой мощностью, поэтому их применение в таких приложениях, как лидар дистанционного зондирования, было минимальным. Из-за их ограниченной пространственной яркости и непрерывного излучения мощные диодные лазеры не были успешными двигателями для преобразования частоты, что делает их непригодными для военного использования, например, для противодействия среднему инфракрасному излучению.

Фактически, примерно половина мощных диодных лазеров, продаваемых сегодня, используется для накачки твердотельных или волоконных лазеров, которые имеют лучшую яркость, накопление энергии и спектральный охват, чем диодные лазеры. Тем не менее, есть и прямодиодные военные применения — то есть такие, которые не предполагают диодной накачки другого лазера. И другие военные приложения могут использовать источники с прямыми диодами в результате продолжающихся достижений в технологии полупроводниковых лазеров.

Лазеры ближнего ИК-диапазона

Диодные лазеры ближнего ИК-диапазона используются во многих военных целях. Важным классом этих применений является активное зондирование, при котором оптическая энергия передается цели, а возвращаемый сигнал анализируется для получения информации о некоторых физических свойствах цели.

Поскольку точность и скорость имеют решающее значение в военных приложениях, лазеры идеально подходят для активного зондирования. Их высокая направленность обеспечивает максимальную точность, в отличие от радиоволн, которые распространяются по мере их распространения. А восприятие со скоростью света в миллион раз быстрее, чем со скоростью звука.

На сегодняшний день использование диодных лазерных источников прямого действия для активного зондирования предназначалось для приложений ближнего действия и малой яркости, таких как определение дальности, освещение и обозначение ближнего действия. При низкой (менее 1 Вт) мощности диодные дальномеры с прямым диодом измеряют расстояние с высокой точностью, измеряя время прохождения лазерного импульса туда и обратно. Такая информация может быть использована для различных действий миссии, таких как набор траектории оружия или определение того, какое оружие использовать.

Для дальностей менее нескольких километров прямые диоды также зарекомендовали себя как точные и надежные для целеуказания. Целеуказание ближнего действия позволяет дистанционно идентифицировать цель с высокой точностью, чтобы ракета могла поразить ее с минимальными непреднамеренными повреждениями.

Диодные лазеры прямого действия с повышенной пространственной яркостью могут найти применение в дальнем воздушном целеуказании в ближайшие несколько лет. Хорошо подходящее для обнаружения движущихся целей воздушное лазерное целеуказание требует более 5 Вт средней мощности из-за большого расстояния между самолетом и целью.

Сегодня эту потребность удовлетворяют твердотельные лазеры с диодной накачкой, но недавние достижения в диодной технологии, вызванные в первую очередь коммерческими приложениями, такими как накачка волоконных лазеров, могут изменить ситуацию. Диодные лазеры с кондуктивным охлаждением и оптоволоконной связью мощностью от 20 до 40 Вт уже доступны на коммерческом рынке. Если эти лазеры можно будет модифицировать, чтобы они соответствовали военным экологическим требованиям, и если их яркость можно будет увеличить, они, вероятно, заменят твердотельные лазеры для этой цели.

Диодные лазеры уже установлены как на наземных, так и на воздушных транспортных средствах для лазерного освещения. Например, в легкой воздушной системе обнаружения минных полей армии США лазерные диоды освещают предполагаемое минное поле, а изображение захватывается и анализируется с помощью ПЗС-камер, объективов, фильтров и программного обеспечения с усилением.

Осветитель состоит из массива диодных лазерных линеек, работающих в квазинепрерывном режиме с низким рабочим циклом, что позволяет кондуктивно охлаждать лазеры. Осветители с прямыми диодами могут содержать до 100 линеек полупроводниковых лазерных диодов с высокоточной коллимацией по быстрой и медленной оси и работать с пиковой мощностью более 1 кВт и высокой чистотой поляризации. Чистота поляризации важна в таких приложениях, как обнаружение наземных мин, потому что полезную информацию можно получить, анализируя различия между изображениями, полученными с ортогональными поляризациями.

Диоды прямого действия также используются в симуляциях поля боя в учебных целях, например, в армейской программе Multiple Integrated Laser Engagement System. Передовые методы обучения используют лазеры как способ проведения боевых действий без единого выстрела. Оружие оснащено маломощными лазерами, и каждый раз, когда оружие стреляет, импульсы лазерного света передают информацию цели, включая идентификацию атакующего игрока и тип используемого оружия. Цель обрабатывает эту информацию и производит оценку потерь солдата или транспортного средства для каждого обмена. Таким образом, битва может быть реконструирована и изучена в обзоре после боя.

Лазеры среднего ИК-диапазона

Хотя диодные лазеры, работающие в среднем ИК-диапазоне от 3 до 10 мкм, еще не достигли зрелости, необходимой для военного применения, они вполне могут достичь этого в будущем. Есть два приложения, для которых эти лазеры особенно хорошо подходят: связь на поле боя и дистанционное обнаружение боевых отравляющих веществ.

Сегодня в полевых коммуникациях преобладают радиочастотные технологии, уязвимые для обнаружения, помех и противорадиационных боеприпасов. Оптические линии ближнего ИК-диапазона в свободном пространстве с длиной волны от 0,8 до 1,6 мкм относительно невосприимчивы к этим проблемам, но ухудшаются из-за тумана и дыма и поэтому ненадежны. Среднее ИК-излучение в диапазоне от 8 до 10 мкм гораздо меньше рассеивается твердыми частицами, что обеспечивает надежную связь даже в условиях тумана и задымления.

Нельзя игнорировать существование химического оружия и потенциальную готовность противников его применить. Желательно обеспечить раннее оповещение о химическом оружии с помощью техники противостояния и резервировать использование средств индивидуальной защиты для нападения (рисунок 2). Дистанционное обнаружение химического оружия в атмосфере может быть реализовано с помощью лазерных источников, настроенных на колебательные линии молекул-мишеней среднего ИК-диапазона.

---

Рисунок 2. Диодные лазеры среднего инфракрасного диапазона позволяют использовать системы раннего предупреждения о боевых отравляющих веществах.

---

Диодные лазеры, которые найдут применение в средствах связи и обнаружения химического оружия, будут иметь компактные размеры, высокую яркость и охват широкого диапазона длин волн среднего ИК-диапазона. Узкозонные диодные лазеры среднего ИК-диапазона изучаются во многих лабораториях. Возможными кандидатами являются свинцово-солевые лазеры, но они требуют криогенного охлаждения. InGaAsSb и родственные материалы представляют интерес, но их работу трудно расширить за пределы 3 мкм. В обоих случаях, даже в коротковолновой части среднего ИК-спектра, эти диоды демонстрируют низкую эффективность и низкую мощность из-за сильной оже-рекомбинации, сильных внутрирезонаторных потерь и плохого удержания носителей.

Квантовые каскадные лазеры предлагают потенциальное решение. Эти лазеры генерируют излучение на переходах между квантовыми подзонами и не требуют узкозонного активного слоя. Однако сегодня их производительность ниже, чем у стандартных лазеров с PN-переходом из-за их термической неэффективности и совокупной деформации, возникающей при изготовлении множества квантовых ям в устройстве. Квантовые каскадные лазеры сегодня демонстрируют низкий КПД и работают только с короткими импульсами и/или при криогенных температурах.

Другим подходом является монолитное полупроводниковое лазерное устройство, которое генерирует излучение в ближнем ИК-диапазоне и затем преобразует его в средний ИК-диапазон с помощью полупроводника из соединения III-V с высокой нелинейностью. Эта технология может быть способна генерировать несколько ватт непрерывного излучения среднего ИК-диапазона при работе при комнатной температуре или выше.

Прочие области применения

Что касается маломощных лазеров, то для запуска боеприпасов используются прямые диодные лазеры. Лазерные инициаторы были интегрированы в комплексные системы противоракетного перехвата, такие как высотная оборона района театра военных действий США и экзоатмосферная боевая машина, предназначенные для уничтожения приближающихся баллистических ракет большой дальности. В этих системах диодные лазеры обеспечивают существенные преимущества по сравнению с обычными воспламенителями.

Лазерное инициирование удаляет электрические провода из взрывчатого вещества, тем самым устраняя риск неправильного или частичного воспламенения из-за электростатического разряда или электромагнитного излучения. Воспламенение достигается, когда диодный лазер оптически связан со взрывчатым веществом. Модернизация боеприпасов с помощью лазерных инициаторов не требует серьезных изменений, потому что ток и напряжение, необходимые для питания диодного лазера, аналогичны тем, что используются в обычных воспламенителях. Срок службы лазерных инициаторов не является проблемой, но требования к окружающей среде весьма высоки.

Другое потенциальное применение диодов прямого действия связано с противоракетными мерами. Ракеты с тепловым наведением представляют серьезную угрозу для наземной и воздушной военной техники, а недавние атаки с применением переносных ракет подчеркнули уязвимость гражданских самолетов. Такие меры противодействия, как осветительные ракеты, негибки в оперативном отношении, и их слишком легко нейтрализовать, чтобы они соответствовали требованиям сегодняшних условий.

Мощные лазеры — от 1 до 100 Вт — в среднем ИК-диапазоне могут вывести из строя датчики ракеты. Эти лазеры должны иметь не только высокую яркость, но и гибкую длину волны, чтобы злоумышленник не смог победить их, защитив датчики фильтрами для определенных длин волн. Широкое развертывание лазеров противодействия ограничено их стоимостью, размерами и весом. Разработка передовых диодных лазеров среднего ИК-диапазона может преодолеть эти препятствия.

---

Рис. 3. Тактический высокоэнергетический лазер армии США уничтожил вооруженную ракету «Катюша» в полете на ракетном полигоне Уайт-Сэндс в Нью-Мексико в июне 2000 г. Химический лазер на фториде дейтерия взорвал осколочно-фугасную боеголовку ракеты. на расстоянии нескольких километров. Предоставлено компанией Northrop Grumman Space Technology.

---

Лазерное оружие мощностью от 1 до 100 кВт основано на технологиях, отличных от прямого диодного освещения (рис. 3). Однако в этих приложениях широко распространена технология диодной накачки. Что касается малой мощности, то, например, многокиловаттная твердотельная система с диодной накачкой, установленная на «Хамви», недавно была доставлена ​​в Афганистан, где она дистанционно взорвала сотни наземных мин и неизрасходованных артиллерийских снарядов.

Тем временем предпринимаются усилия по совершенствованию диодных лазеров до такой степени, что их можно будет использовать непосредственно для мощных военных приложений, что значительно уменьшит размер, вес и стоимость системы. Позже в этом году Агентство перспективных оборонных исследовательских проектов инициирует свою программу «Архитектуры для диодных высокоэнергетических лазерных систем» в поисках 10-киловаттного — и, в конечном счете, 100-киловаттного — источника с прямым диодом.

Познакомьтесь с автором

Пол Руди — старший вице-президент по продажам и маркетингу в Quintessence Photonics Corp.