N тип: Разъем N типа. Купить оптом и в розницу с доставкой. — RC74 — интернет-магазин радиоуправляемых моделей

Содержание

Разъемы N-типа

1 1/4″ 4

1 5/8″R 4

1 5/8″S 4

1/2″R 8

1/2″S 8

10D-FB 23

10D-FB, 1

5D-FB 19

5D-FB, LMR-300 11

7/8″R 4

7/8″S 4

8D-FB 31

8D-FB, 3

LMR-1200 4

LMR-200 19

LMR-240, LMR-240-UF, LMR-240-DB 19

LMR-300, RUC-5D-FB 1

LMR-400, LMR-400-UF, RUC-8D-FB, RG-213, PK 50-7-315 18

LMR-400, LMR-400-UF, RUC-8D-FB, RG-213, PK 50-7-315, DX-10A, DX-1000 4

LMR-400, RUC-8D-FB-CCA, RUC-8D-FB CCA-1 1

LMR-500 18

LMR-600, LMR-600-UF, LMR-600-DB 18

LMR-600, RUC-10D-FB 1

LMR-900 4

PKC-1.

6-280, TFLEX-405, Multiflex_86, RUC-SF-086 FEP, RUC-SF-086, Multibend-086, Sucoform_86_FEP, РКД-1.7-086, UT-50-086-LL, CLL-50086, CL-50086, RG-405, RUC-RG-405SS, РК50-1,5-22, SR-085, SF-085 19

PKC-1.6-280, TFLEX-405, Multiflex_86, RUC-SF-086 FEP, RUC-SF-086, Multibend-086, Sucoform_86_FEP, РКД-1.7-086, UT-50-086-LL, CLL-50086, CL-50086, RG-405, RUC-RG-405SS, РК50-1,5-22, SR-085, SF-085, UT-085, CL/CLL-5086, Tflex-405, EZ-086, SM-086, MF-086. 2

PKC-3-400, TFLEX-402, Multiflex_141, RUC-SF-141 FEP, RUC-SF-141, Multibend-141, Sucoform_141_FEP, РКД-3-141, РКТ-3-141-С, UT-50-141-LL, CLL-50141, CL-50141, RG-402, RUC-RG-402SS, РК50-3-28, РК50-3-29, SR-141, SF-141 18

RG-174, RG-316, LMR-100 3

RG-316, RUC-RG-316, RG-174, RUC-RG-174, LMR-100, РК50-1,5-21 16

RG-58, RUC-RG-58, LMR-195, LMR-195-UF, PK50-3-210, PK50-3-35, B9907, РК 50-3-151, РК 50-3-13, РК 50-3-21 19

RG-58, RUC-RG-58, LMR-195, LMR-195-UF, PK50-3-210, PK50-3-35, B9907, РК 50-3-151, РК 50-3-13, РК 50-3-21, RG-58U, LMR-195, РК50-3-35, РК50-3-331 11

RG-8X 21

RUC-8D-FB, 8D-FB, LMR-400, РК50-7-316 2

RUC-RG-213, RG-213, РК50-7-11, RG-213, РК50-7-11/U 5

RUC-RG-213, RG-213, РК50-7-11, RG-213, РК50-7-11U 20

RUC-SF-250 FEP, RUC-SF-250, RUC-SR-250 FEP, RUC-SR-250, RG-401, RUC-RG-401SS, Sucoform_250 17

РК 50-12-33, 1/2″R 2

РК 50-22-37, 7/8″R 2

РК 50-9-35, 1/2″S 2

на плату 2

Разъёмы N-типа | GSM-Репитеры.

РУ

GSM-Репитеры.РУ » Продажа » Разъёмы N-типа

На странице: 50255075100

Сортировка: Наименование (А -> Я)Цена (по возрастанию)Цена (по убыванию)Рейтинг (по возрастанию)Рейтинг (по убыванию)

Разъём N-211L (N-female, обжимной, на кабель RG-174, RG-316)

Специализированный разъем «розетка» N-типа для установки на пигтейлы — короткие отрезки кабеля RG-174 или RG-316 (диаметр внешней оболочки — 2,5 мм). Чаще всего пигтейлами назыв..

В сравнение

180 р.

Разъём N-111/5D (N-male, обжимной, на кабель 5D)

N-111/5D — обжимной разъем N-типа (вилка), предназначенный для использования с коаксиальным кабелем 5D-FB и другими кабелями схожего диаметра: Sat-703, RG-59, RG-6U. Для уст..

В сравнение

200 р.

Разъём N-111/8D (N-male, обжимной, на кабель 8D)

N-111/8D — обжимной разъем N-типа (вилка), предназначенный для использования с коаксиальным кабелем 8D-FB и другими кабелями схожего диаметра.

Для установки данного разъема ..

В сравнение

200 р.

Разъём N-111F (N-male, обжимной, на кабель RG-58)

Обжимной коннектор N-male (вилка) для установки на коаксиальной кабель RG-58. С помощью разъема N-111F можно создать кабельную сборку для соединения любых совместимых устройств:..

В сравнение

200 р.

Разъём N-111L (N-male, обжимной, на кабель RG-174, RG-316)

Обжимной разъем N-male («папа») для установки на тонкий коаксиальный кабель марок RG-174 и RG-316 (Ø2,5 мм). Чаще всего коннектор N-111L встречается на пигтейлах — коротких кабе..

В сравнение

200 р.

Разъём N-211/5D (N-female, обжимной, на кабель 5D)

N-211/5D представляет собой обжимной разъем N-female («мама», розетка) для кабеля серии 5D-FB и аналогичных. Коннектор состоит из корпуса, центрального пина, гильзы и термоусадо. .

В сравнение

200 р.

Разъём N-231F (N-female, обжимной, на кабель RG-58)

N-231F — приборный разъем N-типа (розетка), предназначенный для использования с коаксиальным кабелем серии RG-58 (диаметр диэлектрика 3 мм, оболочки — 5 мм). Для установки конне..

В сравнение

200 р.

Разъём N-231L (N-female, обжимной, на кабель RG-174, RG-316)

Розетка N-типа (разъем N-female) в приборном исполнении, допускающем фиксацию разъема на корпус устройства с помощью гайки. Разъем N-231L рассчитан на совместное использование с..

В сравнение

240 р.

Разъём N-111/10D (N-male, обжимной, на кабель 10D)

ВЧ Разъём N111/10D предназначен для соединения коаксиального кабеля марки 10D-FB с оборудованием и (или) для соединения двух коаксиальных кабелей друг с другом.

Инструк..

В сравнение

250 р.

Разъём N-112/5D (N-male, прижимной, на кабель 5D)

N-112/5D — прижимной разъем N-типа (вилка), предназначенный для использования с коаксиальным кабелем 5D-FB и другими кабелями схожего диаметра: Sat-703, RG-59, RG-6U. Данный..

В сравнение

250 р.

Разъём N-112/8D (N-male, прижимной, на кабель 8D)

N-112/8D — прижимной разъем N-типа (вилка), предназначенный для использования с коаксиальным кабелем 8D-FB и другими кабелями схожего диаметра. Данный разъем является прижим..

В сравнение

250 р.

Разъём N-112F (N-male, прижимной, на кабель RG-58)

Разъем N-типа, предназначенный для использования с коаксиальным кабелем серии RG-58 (диаметр диэлектрика 3 мм, оболочки — 5 мм). Имеет волновое сопротивление 50 Ом и широко прим. .

В сравнение

250 р.

Разъём N-112/10D (N-male, прижимной, на кабель 10D)

Высокочастотный разъем N-типа для коаксиального кабеля марки 10D-FB и его аналогов. N-112/10D — кабельная вилка («папа»), по способу монтажа относится к прижимным разъемам и не ..

В сравнение

350 р.

Разъём N-112C/10D (N-male, прижимной, на кабель 10D, цанга)

N-112C/10D — коннектор типа N (вилка, «папа») прижимного типа для коаксиального кабеля 10D-FB или аналогичного. В отличие от классического разъема N-112/10D, в этом варианте для..

В сравнение

350 р.

Разъём N-122/8D (N-male, угловой, прижимной, на кабель 8D)

Разъём N-122/8D — угловой штекер N-типа для кабеля 8D-FB, CNT-400, RG-8. Сборный, прижимной. Male (папа). ..

В сравнение

400 р.

Разъём N-212/10D (N-female, прижимной, на кабель 10D)

Разъём N-212/10D (N-female, прижимной, на кабель 10D). Характеристики Применение кабель 10D-FB, 1/2SF, иной 13 мм кабел..

В сравнение

450 р.

Разъём NM-1/2SF (N-male, прижимной, на кабель 1/2 SF)

NM-1/2SF — разъем N-male, предназначенный для монтажа на фидерный кабель стандарта 1/2″ Super Flex. Кабель 1/2″ SF применяется при прокладке протяженных кабельных трасс для подк..

В сравнение

650 р.

Разъем Commscope L4TNM-PSA (N-male, прижимной, на кабель 1/2)

Разъем N-male для фидерного кабеля 1/2″, позволяющий выполнить коммутацию различных блоков высокочастотных систем. Широкий диапазон частот до 8,8 ГГц позволяет использовать этот..

В сравнение

700 р.

Разъём NF-1/2SF (N-female, прижимной, на кабель 1/2 SF)

Разъем N-типа («мама») для гибкого фидерного кабеля 1/2″ SuperFlex. Коннектор имеет прижимную конструкцию и во время монтажа не требует пайки или обжима. Основная сфера применен..

В сравнение

700 р.

Разъём NM-LCF12-C02 (N-male, прижимной, на кабель 1/2)

Разъем RFS NM-LCF12-C02 (N-male, «папа») предназначен для монтажа на фидерный кабель 1/2″. Основная область применения — кабельные системы базовых станций сотовых операторов и п..

В сравнение

700 р.

Разъём Acome C0375X (N-male, прижимной, на кабель 1/2)

Специализированный прижимной разъем NM-1/2F (Acome C0375X) предназначен для монтажа на фидерный кабель 1/2″, который применяется в базовых станциях сотовых операторов и системах. .

В сравнение

800 р.

Разъём NF-7/8 (N-female, прижимной, на кабель 7/8)

Прижимной разъем N-female («мама») для коаксиального фидера 7/8″. Легко устанавливается на кабель, не требует пайки центральной жилы или обжима щипцами. Чтобы обеспечить максима..

В сравнение

1 000 р.

Разъём NM-7/8 (N-male, прижимной, на кабель 7/8)

Прижимной разъем N-male (вилка) для коаксиального фидера 7/8″. Легко устанавливается на кабель, не требует пайки центральной жилы или обжима щипцами. Чтобы обеспечить максимальн..

В сравнение

1 000 р.

Что такое полупроводники N-типа и P-типа?

Быстрый поиск работы

Свяжитесь с нами

Независимо от того, хотите ли вы сотрудничать с нами в вашей последней кампании по набору персонала, находитесь ли вы на рынке для новой роли или хотите присоединиться к нашей команде, свяжитесь с нами, и один из наших сотрудников поможет вернусь к тебе.

ТЕЛЕФОН: +44 1273 320 860

ЭЛЕКТРОННАЯ ПОЧТА: [email protected]

Познакомьтесь с командой
Загрузить резюме 9 0018

Свяжитесь с нами

Язык
EN
EN
FR
DE
11.12.2021 по MRL
Полупроводники обычно изготавливаются из кремния, потому что этот материал легко получить и он имеет оптимальную электронную структуру ( его внешняя орбиталь имеет четыре электрона). Кремний может образовывать красивые и функциональные кристаллические структуры, которые при слиянии с четырьмя электронами могут образовывать ковалентные связи с соседними атомами, создавая решетку.
Проблема в том, что эта кристаллическая структура является практически изолятором, поэтому через нее может проходить лишь незначительное количество электричества. Поскольку кристаллы кремния являются естественными и используются почти в каждом электронном устройстве, они должны быть подвергнуты процессу легирования, чтобы увеличить количество электричества, проходящего через них.

Что мы подразумеваем под допингом?
Легирование относится к химической реакции, которая вводит примеси в кристалл кремния. Эти примеси позволяют атомам кристалла образовывать ионные связи, делая некогда внутренний кристалл внешним. Этот процесс вводит два типа примесей; N-типа и P-типа. «Тип», которым он становится, зависит от материалов, используемых для создания химической реакции.

В чем разница между полупроводниками N-типа и P-типа?
Разница между полупроводниками N-типа и P-типа заключается в основном материале, используемом для создания химической реакции во время легирования. В зависимости от используемого материала внешняя орбиталь будет иметь пять или три электрона, которые образуют один отрицательно заряженный (N-тип) и один положительно заряженный (P-тип).

Что такое полупроводники N-типа?
Фосфор или мышьяк — это материалы, добавляемые для создания полупроводника N-типа. У них пять электронов на внешней орбитали; кристалл имеет четыре. Это означает, что одному электрону не с чем связываться, поэтому он свободно перемещается, увеличивая поток электрического тока через кремний.

Что такое полупроводники P-типа?
Полупроводники P-типа содержат в качестве катализатора галлий или бор, оба из которых имеют только три электрона на своих внешних орбиталях. Добавление этих материалов приводит к образованию «дырок» в валентной зоне атомов кремния, что делает электроны подвижными. Положительно заряженные электроны движутся в противоположном направлении от дырок.

Один хороший; два лучше
Хотя оба приводят к лучшей электропроводности, на самом деле их недостаточно, чтобы быть настолько эффективными, как они должны быть, пока вы не соедините их вместе и не создадите диод. В своей самой простой форме N-тип имеет слишком много электронов, а P-типу нужен еще один. Вместе они дают то, что нужно другому, и обеспечивают лучшую электропроводность.
В общем, компьютерный чип состоит из миллиардов таких диодов.

Вы заинтересованы в карьере в области полупроводников?
Если эта статья показалась вам интересной, скорее всего, карьера в области полупроводников будет для вас исключительно подходящей. Мы обслуживаем полупроводниковую промышленность с помощью наших нишевых услуг по подбору персонала уже более двадцати лет, охватывая все уголки рынка. Так почему бы не связаться с нами и узнать, как мы можем помочь вам найти работу вашей мечты?
MRL GROUP
РЫНКИ
Полупроводники
Программное обеспечение и инфраструктура
Освещение и оптика
Основное оборудование
Автомобильная промышленность
Возобновляемые источники энергии и хранение энергии
Науки о жизни
УСЛУГИ
Дом
Наши услуги
Поиск работы
Работа для нас
Подход и ценности
Последние СМИ
Свяжитесь с нами
UK
Телефон: +44 1273 320 860
Эл. 273 320 861
Германия
Телефон: +49 351 438 3310
Эл.
Телефон: +33 4 97 04 60 00
Электронная почта: france@ mrlcg.com
Факс: +33 4 97 23 96 93
Следуйте за нами
Подайте заявку:
Чтобы отправить нам свое резюме, пожалуйста, используйте форму ниже, включая любую дополнительную информацию о ваших требованиях.
Загрузить резюме
Я прочитал и понял политику конфиденциальности Вы должны согласиться с Условиями использования.
Ищете возможности?
Загрузите свое резюме, и мы найдем для вас работу.
Загрузить резюме
Что такое полупроводник N-типа? Энергетическая диаграмма, проводимость, примеры
Полупроводники — это материалы, которые проявляют свойства как проводников, так и изоляторов. Полупроводники бывают двух типов: внутренние и внешние полупроводники. Собственные полупроводники не содержат примесей и поэтому называются чистыми полупроводниками. Внешние проводники легированы примесными атомами. В зависимости от типа добавленных примесей они классифицируются как: полупроводники N-типа и P-типа.
Полупроводник N-типа определяется как тип внешнего полупроводника, легированного пятивалентным примесным элементом, который имеет пять электронов на своей валентной оболочке. Пятивалентные примеси или легирующие элементы добавляются в полупроводник N-типа, чтобы увеличить количество электронов для проводимости.
Легирование полупроводников N-типа
Полупроводники N-типа легированы пятивалентными примесными элементами. Пятивалентные элементы имеют пять электронов на валентной оболочке. Примерами пятивалентных примесей являются фосфор (P), мышьяк (As), сурьма (Sb). Пятивалентная примесь добавляется в очень незначительном количестве в полупроводник N-типа, так что кристаллическая структура исходного собственного полупроводника не нарушается. Пятивалентный примесный атом образует ковалентные связи с четырьмя атомами кремния, а один электрон не связан ни с одним атомом кремния. Каждый атом пятивалентной примеси отдает один электрон полупроводнику N-типа, поэтому он называется донорной примесью. Таким образом, в полупроводнике N-типа больше электронов.
Пример полупроводника N-типа
Собственный полупроводниковый материал, такой как кремний (Si), имеет 14 электронов с конфигурацией 2,8,4, а германий (Ge) имеет 32 электрона с конфигурацией 2,8,18, 4. Каждому атому требуется 8 электронов в его валентной оболочке, чтобы быть стабильным. Следовательно, собственные атомы полупроводника имеют ковалентные связи, основанные на совместном использовании электронов соседнего атома, чтобы получить 8 электронов, чтобы сбалансировать их атомную структуру.

Рис. 3. Полупроводник N-типа с донорной примесью
Полупроводник N-типа создается путем легирования этой кристаллической решетки чистого кремния пятивалентным примесным элементом, таким как сурьма (Sb). В полупроводнике N-типа атом пятивалентного примесного элемента сурьмы (Sb) находится между атомами кремния. Атомы кремния имеют четыре электрона на валентной оболочке. Каждый атом кремния создает ковалентную связь с электроном преобладающего атома примеси.
Электрон примесного элемента сурьмы (Sb) образует ковалентные связи только с четырьмя атомами кремния. Пятый электрон примесного атома не связан ни с одним атомом полупроводника в кристаллической решетке. Этот электрон слабо связан со своим родительским атомом примеси. Таким образом, при приложении внешнего напряжения или тепла этот пятый электрон легко разрывает связь с родительским атомом и принимает участие в проводимости. Этот пятый электрон вносит основной вклад в ток в полупроводнике N-типа. В полупроводнике N-типа электроны становятся мажоритарный носитель.
Пожалуйста, обратитесь по этой ссылке для полупроводниковых устройств MCQ
Энергетическая диаграмма полупроводника n-типа

представляет собой две энергетические зоны, валентную зону и полоса проводимости. Электроны в валентной зоне на энергетической диаграмме представляют собой электроны, которые находятся в валентной зоне атома и все еще связаны с родительским атомом. Электроны в зоне проводимости на энергетической диаграмме представляют собой атомы, участвующие в проводимости. Энергетическая щель между валентной зоной и зоной проводимости называется запрещенной зоной или запрещенной зоной.
Рис. 5. Уровень Ферми для полупроводника N-типа
В полупроводнике N-типа из-за пятивалентной примеси в структуре решетки имеется ряд слабо связанных электронов. Когда прикладывается напряжение, эти электроны освобождаются от ковалентных связей и готовы проводить ток. Эти электроны изображены в зоне проводимости. Когда приложено определенное напряжение, эти электроны получают энергию, чтобы пересечь запрещенную зону и покинуть валентную зону, чтобы войти в зону проводимости. Когда электрон покидает валентную зону и попадает в зону проводимости, в валентной зоне образуется очень меньшее количество дырок. Уровень Ферми находится вблизи зоны проводимости, так как все больше электронов входит в зону проводимости.
Проводимость через полупроводник N-типа:
Проводимость через полупроводник N-типа в основном обусловлена электронами. Пятивалентная донорная примесь внесла в структуру решетки дополнительные электроны. Когда прикладывается напряжение или полупроводник подвергается внешнему нагреву, электроны получают энергию. Электроны разрывают ковалентные связи, и в зону проводимости высвобождается больше электронов. Электрон, который разрывает свою ковалентную связь, оставляет на своем месте пустое пространство или дырку.
Когда отрицательно заряженный электрон покидает дырку, это пустое пространство притягивает другие электроны. Следовательно, дырка считается заряженной положительно. Таким образом, проводник N-типа имеет два типа носителей: отрицательно заряженные электроны и положительно заряженные дырки. В полупроводнике N-типа электронов больше, и поэтому они называются основными носителями, а дырки называются неосновными носителями, поскольку их меньше. Ток, создаваемый в полупроводнике N-типа электронами, называется током основных носителей, а ток, создаваемый дырками, называется током неосновного заряда.
Когда ковалентная связь разрывается и электроны покидают дырку на своем месте, какой-то другой электрон отрывается от своей ковалентной связи и притягивается к этой дыре. Таким образом, электрон и дырка движутся в противоположных направлениях. Электроны притягиваются к положительной клемме батареи, а дырки притягиваются к отрицательной клемме батареи. Когда электроны и дырки проходят через решетку, в полупроводнике N-типа начинает следовать ток.
Перейдите по этой ссылке, чтобы узнать больше о MCQ по теории полупроводников
Пожалуйста, перейдите по этой ссылке, чтобы узнать больше о полупроводниковом диоде
Внешний полупроводник N-типа имеет основной носитель в виде электронов и, следовательно, имеет большую проводимость. По этой причине полупроводник N-типа в сочетании с полупроводником P-типа используется для производства всех основных полупроводниковых компонентов и устройств.