mosfet — с английского на русский

Толкование Перевод

• 1 MOSFET

    MOSFET

   (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)

   МОП-транзистор (MOSFET)

    Полевой транзистор со структурой металл- оксид-полупроводник. Современная цифровая техника построена, в основном, на полевых МОП- транзисторах (МОПТ) как более экономичных, по сравнению с биполярными транзисторами, элементах. Иногда их называют МДП (металл-диэлектрик-полупроводник)- транзисторы. Транзисторы изготавливаются в рамках интегральной технологии на одном кремниевом кристалле (чипе) и составляют элементарный «кирпичик» для построения микросхем памяти, процессора, логики и т. п.

  Англо-русский словарь по нанотехнологиям > MOSFET

• 2 MOSFET

  = metal-oxide-semiconductor field-effect transistor

  (полевой) МОП-транзистор, полевой транзистор с-изолированным затвором

  — double-diffused MOSFET

  — dual-gate MOSFET
  — long-channel MOSFET
  — short-channel MOSFET
  — single-gate MOSFET
  — V-groove power MOSFET

  English-Russian electronics dictionary > MOSFET

• 3 MOSFET

  сокр. от metal-oxide-semiconductor field-effect transistor

  (полевой) МОП-транзистор

  — double-diffused MOSFET

  — dual-gate MOSFET
  — long-channel MOSFET
  — short-channel MOSFET
  

  — single-gate MOSFET
  — V-groove power MOSFET

  The New English-Russian Dictionary of Radio-electronics > MOSFET

• 4 MOSFET

  сокр. от metal-oxide-semiconductor (field-effect) transistor

  полевой транзистор со структурой металл — оксид — полупроводник, (полевой) МОП-транзистор

  —
  accumulation MOSFET
  —
  anodized MOSFET
  —
  bipolar function MOSFET
  —
  charge coupled MOSFETs
  —
  junction gate MOSFET
  —
  lateral MOSFET

  Англо-русский словарь технических терминов > MOSFET

• 5 MOSFET

  1. МОП-транзистор

   

  МОП-транзистор
  Полевой транзистор с МОП-структурой затвора; токи протекают в канале между истоком и стоком; канал создается при прикладывании соответствующего потенциала к выводу затвора и инвертировании поверхности полупроводника под затвором; МОП-структура реализуется почти исключительно для кремния оксида SiO₂ для затвора; эффективное переключающее устройство, доминирующее в логических устройствах и устройствах памяти; р-МОП-транзистор (p-канал, кремниевая подложка n-типа) и n-МОП-транзистор (n-канал, кремниевая подложка p-типа) при объединении образуют базовую КМОП-ячейку.

  
  [ http://www.cscleansystems.com/glossary.html]

  Тематики

  • полупроводниковые приборы

  EN

  • MOSFET

  Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > MOSFET

• 6 MOSFET

  [metal-oxide-semiconductor field-effect transistor] канальный полевой униполярный МОП-транзистор

  Большой англо-русский и русско-английский словарь > MOSFET

• 7 MOSFET

  1) Техника: MOS field-effect transistor

  2) Телекоммуникации: Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

  3) Сокращение: Metal Oxide Silicon Field Effect Transistor, Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, metal-oxide-semiconductor

  4) Электроника: полевой МОП-транзистор

  5) Вычислительная техника: Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (IC, FET)

  6) Транспорт: Michigan Offroad Sensor Fusing Experimental Testbed

  7) Расширение файла: Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

  Универсальный англо-русский словарь > MOSFET

• 8 mosfet

  1)

  Техника: MOS field-effect transistor

  2) Телекоммуникации: Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

  3) Сокращение: Metal Oxide Silicon Field Effect Transistor, Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, metal-oxide-semiconductor

  4) Электроника: полевой МОП-транзистор

  5) Вычислительная техника: Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (IC, FET)

  6) Транспорт: Michigan Offroad Sensor Fusing Experimental Testbed

  7) Расширение файла: Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

  Универсальный англо-русский словарь > mosfet

• 9 MOSFET

  metal oxide semiconductor field effect transistor; MOS field-effect transistor — канальный полевой униполярный МОП-транзистор; металооксидный полевой полупроводниковый транзистор; полевой МОП-транзистор; полевой транзистор с МОП структурой затвора; полевой транзистор со структурой металл-оксид-полупроводник

  Англо-русский словарь технических аббревиатур > MOSFET

• 10 MOSFET

  сокр. от metal-oxide-semiconductor field-effect transistor

  канальный полевой униполярный МОП-транзистор

  English-Russian dictionary of computer science and programming > MOSFET

• 11 MOSFET

  полевой транзистор с МОП структурой затвора

  Новый англо-русский словарь > MOSFET

• 12 MOSFET

  сокр. от metal-oxide-semiconductor field effect transistor

  полевой транзистор типа металл-оксид-полупроводник

  English-Russian analytical chemistry abbreviations > MOSFET

• 13 MOSFET

  МОП-транзистор

  English-Russian household appliances > MOSFET

• 14 MOSFET

  сокр. от metal-oxide semiconductor transistor; metal-oxide semiconductor field-effect transistor

  полевой транзистор с МОП-структурой

  English-Russian dictionary of telecommunications and their abbreviations > MOSFET

• 15 MOSFET

  МОП-транзистор

  English-Russian dictionary on household appliances > MOSFET

• 16 MOSFET

  Мат. плата; Оборудование Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor полевой транзистор МОП Силовые транзисторы, которые используются в многофазной схеме (количество фаз определяет количество транзисторов, между которыми распределяется нагрузка).

  English-Russian dictionary of computer abbreviations and terms > MOSFET

• 17 mosfet

  МОП-транзистор

  English-Russian dictionary of microelectronics > mosfet

• 18 mosfet

  МОП-транзистор

  English-Russian big polytechnic dictionary > mosfet

• 19 mosfet

  полевой моп-транзистор

  English-Russian dictionary of electronics > mosfet

• 20 MOSFET

  МОП-транзистор

  The English-Russian dictionary general scientific > MOSFET

Страницы

• Следующая →

• 1
• 2
• 3
• 4
• 5

Статья о биполярных транзисторах с изолированным затвором

Информация, изложенная в статье, в первую очередь может оказаться полезной при выборе IGBT для нового проекта, так как те некоторые сведения, которые требуется знать о разных типах IGBT, не упоминаются в технических описаниях. Кроме того, во многих справочных руководствах отсутствует информация о технологиях изготовления IGBT. Понимание различий между этими техпроцессами позволяет найти современную замену устройствам IGBT, которые используются в уже существующих приложениях.

Сравнение IGBT с MOSFET

По сравнению с MOSFET процессы обработки поверхности IGBT имеют много схожего, но основные различия в динамических характеристиках этих устройств обусловлены разными структурами нижней поверхности полупроводниковых пластин. Хорошо известные n-канальные MOSFET, работающие в режиме обогащения, делятся на планарные и выполненные по технологии Trench. Поперечное сечение этих устройств и направление тока представлены на рис. 1. Электрическое поле, созданное приложенным между затвором и истоком положительным напряжением значительной величины, вынуждает большое количество носителей дрейфовать от имплантированной n-зоны к имплантированной p-зоне.

В MOSFET планарного типа бóльшая часть пути тока приходится на боковой дрейф, а меньшая — на отрезок между поворотом на 90° и стоком (рис. 1). Чем длиннее общий путь, включая небольшой отрезок канала, где проводимость модулируется металлическим затвором, тем больше сопротивление R_DS(ON) на единицу площади (при том же напряжении V_DSS и шаге между ячейками).

Рис. 1. Направление токов, протекающих через MOSFET двух типов

В Trench MOSFET канал дрейфующих к стоку носителей полностью вертикален, а проводимость модулируется в намного большей степени за счет большей площади металлического затвора, расположенного по сторонам канала. В результате сопротивление R_DS(ON)у транзисторов этого типа меньше по сравнению с планарными устройствами. В обоих случаях электроны дрейфуют от истока по n— и p-каналам в подложку n-типа, обеспечивая так называемое открытое состояние транзистора.

Как известно, в n-канальном MOSFET, работающем в режиме обогащения, имеется внутренняя n-p-n-структура. Работа этого устройства редко вызывает проблемы благодаря тому, что его переход «база–эмиттер» практически закорочен металлизированным покрытием электрода истока. Если напряжение между стоком и истоком устройства достаточно быстро увеличивается при протекании заряда в биполярный транзистор от обратной емкости C_RSS, он может включиться, а затвор — потерять способность к управлению. И хотя защелкивания не происходит, поскольку прекращается управление только биполярным транзистором, последствия могут быть катастрофичными. Большинство приложений нечувствительно к этому режиму работы из-за паразитных элементов, которые ограничивают скорость нарастания фронта V_DS.

IGBT работает схожим образом, но за счет слоя p⁺ на нижней поверхности полупровод­никовой пластины. Кристаллы IGBT, выполненные по технологии PT (punch-through), имеют достаточно большую толщину — порядка 200 мкм у 600-В устройств. Главным образом это обусловлено очень толстым эпитаксиальным слоем p⁺ (около 100 мкм), нанесенным на заднюю поверхность подложки n-типа. Эти устройства также имеют буферный слой n⁺, который нанесен непосредственно поверх слоя p⁺. Именно благодаря этому слою n⁺ возник термин punch-through («смыкание р-n-перехода»). С этой точки зрения, это устройство очень напоминает по строению планарный MOSFET.

Для объяснения работы механизма punch-through следует принять два допущения. Вывод коллектора IGBT фактически представляет собой эмиттер внутреннего биполярного р-n-р-транзистора. Следует учитывать динамические характеристики этого устройства.

В случае сильно легированных n— и р-каналов перехода «база–эмиттер» обеспечивается более высокий коэффициент усиления по току в схеме с общим эмиттером и меньшее напряжение V_CE(SAT), чем при использовании слаболегированной зоны n⁺. Чем указанный коэффициент усиления выше, тем ниже V_CEO относительно V_CBO биполярного транзистора. (Опытные инженеры могут по этому случаю вспомнить, как в свое время выбирали биполярные транзисторы с небольшим коэффициентом усиления по току для импульсных источников питания, а затем пропорциональный управляющий сигнал для базы, чтобы вывести транзисторы из насыщения).

IGBT, выполненные по технологии PT, преодолевают эти асимптотические пределы. Как только IGBT начинает выключаться, напряжение V_CBO p-n-p-транзистора блокирует напряжение. Следует заметить, что переход «коллектор–база» p-n-p-транзистора находится рядом с верхней поверхностью этого устройства. Между p-n-p-коллектором верхней части IGBT (эмиттером устройства) и переходом «база–эмиттер» с рекомбинирующими носителями начинает появляться высокое напряжение. Оно приводит к возникновению электрического поля, которое убывает по мере удаления от верхней части устройства к внутреннему граничному слою n^–/n⁺. Если поле достаточно велико у этого граничного слоя, переход «коллектор–база» распространяется в буферный слой n⁺. В результате переход «база–эмиттер» внутреннего p-n-p-транзистора очень быстро закрывается, «хвост» тока становится короче по сравнению с «хвостом» в устройствах типа NPT (non-punch-through), у которых этот буферный слой отсутствует.

IGBT, выполненные по технологии PT, например транзисторы 4-го поколения от компании International Rectifier (IR), имеют отрицательный температурный коэффициент. Это значит, что напряжение V_CE уменьшается с увеличением температуры, что затрудняет возможность параллельного соединения устройств и вынуждает тщательно подбирать соответствующее значение V_CE. Расчетное время короткого замыкания, как правило, невелико и не устанавливается. Это обусловлено относительно высоким коэффициентом усиления по току биполярного транзистора и неспособностью точно управлять крутизной n-канального MOSFET, чтобы ограничить максимальный ток и, как следствие, максимальную рассеиваемую мощность.

В отличие от PT IGBT, NPT-транзисторы, например 4-го поколения от компании IR, имеют легированную зону p⁺ на нижней стороне подложки n-типа. Поскольку эта зона сравнительно небольшой толщины, обработка подложки обходится дешевле. Буферный слой n⁺ отсутствует. Несмотря на внешнее сходство, разница между этими двумя структурами устройств значительная. Состояния включения и выключения реализуются схожим образом, но в NPT-транзисторах отсутствует эффект смыкания, что позволяет сократить время накопления заряда и побуждает рекомбинировать носители в переходе «база–эмиттер» собственной p-n-p-структуры. В результате «хвост» коллекторного тока при выключении NPT-транзисторов немного длиннее, чем у PT-устройств, а остальные характеристики идентичны.

Из-за меньшего коэффициента усиления по току в собственной p-n-p-структуре напряжение V_CE(SAT) PT-транзисторов несколько выше, чем у NPT, благодаря чему легче управлять максимальным током p-n-p-транзистора с меньшим коэффициентом усиления с помощью собственного n-канального MOSFET. Это значит, что длительность короткого замыкания NPT-устройства хорошо определяется и контролируется. Значение этого параметра у NPT IGBT находится в диапазоне до 10 мкс.

Наконец, характеристики n-канального MOSFET превалируют над NPT IGBT. Это значит, что напряжение V_CE(SAT)увеличивается с ростом температуры, позволяя соединять эти устройства параллельно друг другу.

Рассмотрим совершенно новое устройство из семейства IGBT — очень эффективные IGBT семейства Field Stop. Сама по себе эта технология позволяет уменьшить напряжение насыщения за счет намного меньшей толщины подложки. В этом случае относительно тонкий слой n^– обедняется при закрытии перехода «коллектор–база» и смыкается с тонким хорошо управляемым слоем n⁺, в котором рост электрического поля прекращается. Транзисторы, выполненные по технологии Field-Stop, имеют очень малую толщину по сравнению с устройствами NPT и PT. Благодаря использованию слоя n⁺, прекращающего дальнейшее распространение электрического поля, Field-Stop IGBT можно отнести к семейству PT-устройств. Однако транзисторы Field-Stop намного лучше управляются, чем их предшественники PT.

IGBT, появившиеся на базе технологии MOSFET, относятся к Trench-устройствам, как, например, транзисторы IR 7-го поколения. Как уже упоминалось, технология Trench позволяет с помощью затворного напряжения той же величины модулировать намного большую область дрейфа, увеличивая коэффициент усиления n-канального MOSFET, уменьшая расстояние до стока и величину сопротивления в открытом состоянии. Траектория прохождения тока в этом случае представляет собой вертикальную прямую линию, идущую от коллектора к эмиттеру. Меньшее значение R_DS(ON) MOSFET наряду с более высоким коэффициентом усиления биполярного транзистора за счет тонкого буферного слоя n⁺обеспечивает меньшее напряжение V_CE(SAT). На рис. 2 сравниваются разные IGBT-структуры.

Рис. 2. Сравнение разных IGBT-технологий: PT, NPT и FS/Trench (порядковые номера поколений транзисторов обозначают соответствующие техпроцессы IR, с помощью которых эти устройства были изготовлены)

Комбинация технологий Trench и Field-Stop при создании, например, 1200-В семейств транзисторов IR 6-го и 7-го поколений обеспечивает меньшее значение R_DS(ON) и толщину устройства, больший коэффициент усиления канала и наличие зоны n⁺Field-Stop, благодаря чему появляется возможность использовать устройство в параллельных конфигурациях при минимальном времени накопления заряда и большей устойчивости к намного более высоким температурам. Из-за тонкого перехода «база–коллектор» в собственном p-n-p-транзисторе при значительном токе может возникнуть нехватка носителей и состояние ненасыщения. Поскольку максимальный ток короткого замыкания ограничен, упрощается механизм противодействия возникновению этих условий.

У всех этих устройств общий механизм отказа. У MOSFET, который мы рассмотрели выше, имеется внутренний n-p-n-транзистор, расположенный параллельно выводам стока и истока. Переход «база–эмиттер» этого n-p-n-транзистора закорочен металлизированным покрытием истока вдоль n— и p-каналов. В IGBT имеется дополнительный p-слой на обратной стороне устройства, благодаря которому тиристор формируется из этого паразитного n-p-n-транзистора (n-p-n-p). В отличие от MOSFET, который может пропустить большой импульс тока коммутации через емкость C_RSS, IGBT в этих условиях полностью защелкивается. Коэффициенты усиления этих переходов тщательно контролируются, но при нарушении установленных режимов IGBT защелкивается.

При поиске подходящего устройства для конкретного приложения используются руководства по выбору, с помощью которых выясняются требуемые характеристики — напряжение, ток, частота коммутации и другие параметры. В одних случаях эти руководства хорошо справляются со своей задачей, в других имеются досадные ограничения.

Как правило, информация о рассмотренных выше технологиях не предоставляется в технических описаниях, несмотря на то, что эти материалы широко используются на семинарах, производстве и при обсуждении характеристик устройств. Может быть, настало время дополнить технические описания необходимой информацией?

Очевидно, что при выборе списка материалов, например для силового преобразователя или его замены современным устройством, знание о технологии его построения окажет разработчику неоценимую услугу.

Предположим, необходимо создать емкостный регулятор яркости, управляемый несфазированным полным мостом ZVT (Zero Volt Switching — коммутация при нулевом напряжении). При этом следует понять, подойдет ли с этой целью резонансная топология. Ответ на этот вопрос положителен в тех случаях, когда ток нагрузки достаточно велик, чтобы в первичной индуктивности рассеяния накопилась энергия примерно той же величины, что и в емкости C_OSSпротивоположного IGBT в полумостовых схемах. В иных случаях выбирается жесткая коммутация. Таким образом, используются и мягкая, и жесткая коммутация. Однако ни одно руководство по выбору не дает ответа на этот важный вопрос.

При разработке электропривода возникают и другие вопросы, на которые не найти ответа в руководстве по выбору. Нужна ли в схеме защита от короткого замыкания? Как правило, нет, поскольку у привода отсутствуют незащищенные выводы и потому вероятность их замыкания нулевая. В рассматриваемом примере разработчику следует обеспечить малые значения C_OSS (выходная емкость), Q_G (заряд затвора), C_RSS (емкость обратного смещения), E_OFF (энергия выключения) и Q_RR (заряд обратного восстановления диода). Этот набор параметров реализуется с помощью любой технологии — PT, NPT или Field-Stop/Trench — в зависимости от частоты коммутации.

Для выбора оптимального устройства следует обсуждать эти приложения с инженерами по применению и производителями. Следует также выбрать диод, соответствующий конкретной IGBT-технологии. Как правило, предпочтителен выбор диодов с малым значением Q_RR. Высокие значения I_RR, Q_RR и t_RR могут стать причинами большого шума.

Итак, этот краткий обзор IGBT-технологий можно рассматривать как пособие для проектирования не только стандартных, но и новых приложений, в отношении которых наблюдается нехватка важной информации.

Литература

1. Mohan N., Undeland T., Robbins W. Power Electronics: Converters, Applications and Design. John Wiley and Sons. Third Edition. 2003.
2. IGBT Characteristics. IR application note AN-983.
3. Wood P., Battello M., Keskar N., Guerra A. IPM Application Overview, Integrated Power Module for Appliance Motor Drives. International Rectifier application note AN1044 rev. A.

mosfet транзистор — Испанский перевод – Linguee

Обзоры тем, обсуждаемых в […] презентации, включая нг a MOSFET транзистор , t он […] пороговое напряжение, ловушка заряда […] и плавающий затвор, и то, как они активируют энергонезависимую память, и как флэш-память выполняет операции чтения, записи и стирания. sandisk.com sandisk.com	En este captulo, se recuerdan los temas discutidos en la […] cl uido el транзистор MOS FET, l важное [. ..] де-ла-тензин-де-умбрал, ла-карга […] atrapada y la puerta flotante y cmo habilitan la memoria no voltil, y la forma en que la tecnologa flash realiza la operaciones de lectura, escritura y borrado. sandisk.es sandisk.es
Нелетучий MEM или Y , Транзистор , МОП-транзистор , C HA Nnel, Threshold […]] напряжение, плавающий затвор, зарядовая ловушка, туннелирование, подложка, напряжение затвора, поток электронов sandisk.com sandisk.com	Memor ia № vol til, Transistor, Transistor MOSFET , Ca na l, Tensin […] де Умбрал, Пуэрта флотанте, Карга атрапада, Эфекто тнель, [. ..] sustrato, Tensin en la puerta, Flujo de electronices sandisk.es sandisk.es
В этой статье вы можете найти научные объяснения преимуществ e o f Транзистор MOSFET a s a Устройство вывода звука. vn-amps.com.ar vn-amps.com.ar	En l, se expusieron los resultsados ​​d e nuestra i nvestigacin sobre nuevas tecnologas en dispositivos de salida de amplificadores de audio. vn-amps.com.ar vn-amps.com.ar
Дидактический модуль для изучения коммутации […] behaviour of t h e MOSFET p o w e r transistor , i nc ludi нг a МОП-транзистор м или дю ле, а также [. ..] в качестве схемы управления. alecop.com alecop.com	Estudio del comp или tamie nto de l транзистор M OSF ET de po […] de conmutacin, который включает в себя цепь, ассоциативную для контроля. alecop.com alecop.com
Передовая электроника wi t h МОП-транзисторы a l ws […] параметров скорости, ускорения и торможения, включение […] для рекуперации энергии при включении или включении передачи. om-pimespo.es om-pimespo.es	Электрика […] DE AV AN ZADA CON Transistor DE T IPO MO SFET, QUE POMPI TE Обычный [. ..] los parmetros de velocidad, aceleracin y frenado, […] y recuperar la energa en la liberacin o en la inversin de Marcha. om-pimespo.es om-pimespo.es
The CD4007 is a MOSFET d u al complemen ta r y transistor p a ir плюс инвертор. sdiy.org sdiy.org	Эль CD4007 E S UN P AR COMPELMEMANTA RI O DUA L D EL Transistor DE L M OSFET M S EL […] инвертор. sdiy.org sdiy.org
MOSFET ( M et al Oxide Semiconductor Field Ef fe 0 9 c9 c9t Транзистор ) sandisk. com sandisk.com MO SFET ( Транзистор d e ef ecto de c полупроводник […] xido metallico) la.sandisk.com la.sandisk.com Он исследует распределение носителей заряда, генерацию/рекомбинацию, транспортные свойства, физические и электрические свойства и […] производство полупроводников […] devices suc h a s MOSFETs , b ipol a r transistors , l as er диоды […] и светодиоды. Он охватывает теорию […] и технологии фотолитографии, диффузии, окисления, плазменной обработки, ионной имплантации, эпитаксиального роста, химического осаждения из газовой фазы, молекулярно-лучевой эпитаксии, напыления и металлизации. bircham.edu bircham.edu Исследование дистрибутивов транспортных средств, генерацина/рекомбинацина, транспортных средств, лекарственных средств и электричества […] фабрикацин депо диспозитивос […] полупроводниковые или es co mo MOSFE T, транзисторы bi po lare s, d io 0010 дозатор […] y Светодиод. Трата ла теора и технологии […] фотолитографа, диффузина, оксидацина, плазменных процессов, ионного имплантацина, эпитаксиального кремиенто, паровой депсито-кумико, метализацина и т. д. bircham.info bircham.info Наша параллельная технология […] характеристики тиристор, IGBT a n d МОП-транзистор c o т. п. шт. efd-induction.com efd-induction.com Nuestra technologa de compensacin paralelo incluye tambin […] или es, y com po nente s IGBT y MOSFET . efd-induction.com efd-induction.com Мощность передачи до 100 Вт (уменьшаемая) генерируется в новом desi gn e d Mosfet f 0 i 9 антенна.wimo.de антенна.wimo.de Общая мощность 100 Вт мощности трансмиссии (снижение мощности передачи) a los f inales Mosfet de nuevo diseo. антенна.wimo.de антенна.wimo.de DEH-1300MP питается от […] наш reno wn e d MOSFET 5 0 W x 4 Усилитель [. ..] , обеспечивающий оптимальный уровень производительности при минимальных затратах. […] искажений и имеет выход RCA Pre-out, который добавляет гибкости вашей автомобильной аудиосистеме. Pioneerprodj.eu Pioneerprodj.eu El DEH-1300MP cuenta con la technologa de nuestro […] renomb ra do amplificador MO SF ET de […] 4 x 50 Вт, для получения максимальной мощности […] с прежним искажением и включением прежнего соединения RCA, которое является гибким для настройки аудио в автомобиле. Pioneerprodj.eu Pioneerprodj.eu Транзистор o u tp ut управление последовательностью программирования drivetech.com.90.0vetech 90.0vetech 7 Управление l a sal ida de транзистор en pro grama ci n de [. ..] secuencias drivetech.com.ve drivetech.com.ve В подходе, основанном на реализациях такого рода, проект […] ответили на тысячи вопросов в радиопередачах, на которые смогли ответить крестьяне-фермеры […] слушай т o o n транзистор r a ди ос. iiz-dvv.de iiz-dvv.de Con esta actitud bsica se responsea en el […] proyecto a miles de preguntas en emisiones de radio que efectivamente los campesinos […] reciban c on radi os de транзисторы . iiz-dvv.de iiz-dvv.de не более трех электрических выводов каждый [. ..] containing two power switches (whe th e r MOSFET ( M et al Oxide Semiconductor Field-Ef fe c t Transistor ) o r БТИЗ (биполярные транзисторы с изолированным затвором)) […] и внутренние диски, и eur-lex.europa.eu eur-lex.europa.eu tres salidas elctricas, como mximo, cada una de las cuales incluye […] прерыватели […] Elctrico S MOSFE T ( Транзистор DE EFEC до DE CAMPO DE XID O DE M ETAL Semiconductor — MELAX OXIDE SEMICNONTERM — EFTEC 9000 TAL SEMICONDUCLOR — MELAX OXIDE SEMICNONCE -EFFEC TAL SEMICONDUCLOR — MELAX OXIDE SEMICNONCE -EFFEC 9 9 9999999999110 гг. 0009 Транзистор ) […] IGBT ( Транзистор b ipolar de puerta aislada — Изолированный […] Gate Bi-polar Transistors)) y controles (drives) internos, y eur-lex.europa.eu eur-lex.europa.eu Сигнал реализован как открытый […] выход коллектора N P N транзистор . feas.de feas.de Печать, реализованная в соответствии с номером […] open co ll ecto r de u n транзистор N PN . feas.de feas.de Базовая оценка o th e r транзистор t y pe s и их использование. eur-lex. europa.eu eur-lex.europa.eu Основные концепции […] de otr os наконечник os d e транзисторы y sus apl ic 9acion. eur-lex.europa.eu eur-lex.europa.eu Общие характеристики компактных шкафов, […] 100% Solid St at e , MOSFET t e ch 9001 […] общая эффективность, высокая способность модуляции, […] прозрачный и блестящий звук, модульная архитектура с резервированием и высокая надежность. замок.cl замок.cl Las especificaciones generales para stos son Gabinetes […] Compactos, 10 0% es tad o slido, tec nolog a MOSFET, [. ..] elevada eficiencia total, gran capacidad […] модульный, прозрачный и блестящий, модульная архитектурная избыточность и единая элевада confiabilidad intrnseca замок.cl замок.cl Используется как […] диэлектрический слой r i n MOSFET b e твин сток […] и источник. sandisk.com sandisk.com Acta como la capa dielctrica […] в эль tr ansis tor MOSFET, en tre l a salida […] и ла фуэнте. la.sandisk.com la.sandisk.com Контроль пульсации c hi p ( MOSFET ) m 0ig 90 повреждается. franspeed.com franspeed.com Пуэде Эстар […] daado el C hi p de c on trol de pulsaciones ( MOSFET ) . franspeed.com franspeed.com SCiswitchDrive11 is a MOSFET и IGBT функции драйвера затвора. Он был разработан для изготовления твердотельных реле постоянного тока (посредством соединения p вл e r MOSFET i n t выход). e-guasch.com e-guasch.com ScisWitchd RI VE11 ES UN DR IVER DE MOSFETS E IGBTS QUE INTURA0010 nto d e u n MOSFET e n l a sal id a) la realizacin de [. ..] rels de estado slido DC. e-guasch.com e-guasch.com Кроме того, система позволяет понять работу […] принцип s o f MOSFET b r id ge коммутации […] и измерение эффективности инвертора. delorenzoglobal.com delorenzoglobal.com Adems de esto, el sistema allowe entender los principios de trabajo de […] conmutaci n de un pue nt e MOSFET y […] ла medicin de la eficiencia del inversor. delorenzoglobal.com delorenzoglobal.com MOSFET s o li d реле состояния с платой зажигания в комплекте. e-guasch.com e-guasch.com Электронный контактор представляет собой полевой МОП-транзистор с неконтролируемым включением. e-guasch.com e-guasch.com Трубка для […] текущий поток в a MOSFET b e tw en n-тип […] или полупроводниковый материал p-типа. sandisk.com sandisk.com Кондуктор для проверки связи по номеру […] el tr an sist or, MOSFET ent re e l материал […] полупроводниковый типо-но-де-типо с. la.sandisk.com la.sandisk.com При обнаружении одной из указанных неисправностей или при отключении питания электроника переходит в определенное состояние переключения, т.е. oc кс (безопасное состояние). vegaswing.com vegaswing.com Si se reconoce una de las interrupciones de funciones mencionadas o falla el suministro de tensin, entonces el sistema electronico asume un estado de conexindefinido, lo que equivale a la apertura del interruptor sin contacto (Estado seguro). vegaswing.com vegaswing.com Для работы с этим индуктивным пределом […] переключатели, соотв. ia t e транзистор r e la ys должен быть […] подключены к выходной цепи. samson.de samson.de Para utilizar los finales de carrera inductivos es necesario conectar a la salida […] de lo s circu ito s sendos r el s tra ns istorizados. samson.de samson.de Некоторые тайваньские фирмы изменили свою компетенцию […] от производителя ri n g транзистор r a di , […] и, после использования своих знаний [. ..] для производства телевизоров, перешли к производству мониторов для ПК, ноутбуков и, наконец, WAP-телефонов (Pietrobelli and Rabellotti 2004). daccess-ods.un.org daccess-ods.un.org All algunas empresas utilizaron sus conocimientos en […] la man uf actu ra d e транзисторы d e ra dio pa […] калькулятор и трас утилитар […] esos conocimientos para factory aparatos de televisin, pasaron a producir pantallas de computadora, computadoras porttiles y, por ltimo, telfonos wap (Pietrobelli y Rabelloti, 2004). daccess-ods.un.org daccess-ods.un.org Трехпроводная версия с бесконтактным выключателем типа SB 3,5-E2 имеет встроенный выходной усилитель и не требует . samson. de samson.de Ejecucin 3-hilo с детекторами ранура Типо SB 3,5-E2 tienen un amplificador de Salida integrado por lo que n или necesitan r els транзисторизадос. samson.de samson.de ne x t транзистор , s em проводник, […] или прорыв в технологии МРТ, возможно, уже обнаружен. fundacionbankinter.org fundacionbankinter.org E l транзистор, el sem icon du ctor, […] o la brecha siguiente en tecnologa de MRI pudieron haber sido descubiertos ya. fundacionbankinter.org fundacionbankinter.org DEH-2320UB питается от нашего рено wn e d MOSFET 5 0 W x 4 Усилитель, обеспечивающий оптимальный уровень производительности с минимальными искажениями и пользующийся преимуществами нашего уникального усовершенствованного средства восстановления звука, которое автоматически восстанавливает качество звука, сцену и плотность сжатых аудиофайлов. Pioneerprodj.eu Pioneerprodj.eu Усилитель DEH-2320UB с новым номером до amplificador MO SFET x 4 de 50W, который позволяет получить первоначальный вывод данных с помощью источника питания, а также восстановления после повторного использования. automticamente ла calidad, ла graduacin у ла densidad дель Sonido де лос Archivos де аудио comprimido. Pioneerprodj.eu Pioneerprodj.eu Двунаправленный преобразователь логических уровней с использованием полевого МОП-транзистора В эпоху ENIAC компьютеры были более аналоговыми по своей природе и использовали очень мало цифровых ИС. Сегодня средний компьютер Джо работает с несколькими уровнями напряжения, люди, которые видели SMPS процессора, заметили бы, что для работы вашему компьютеру требуется ± 12 В, + 5 В и + 3,3 В. Эти уровни напряжения очень важны для компьютера; конкретное напряжение определяет состояние сигнала (высокий или низкий). Это высокое состояние воспринимается компьютером как двоичная 1, а низкое состояние — как двоичный 0. В зависимости от состояния 0 и 1 компьютер создает данные, коды и инструкции для обеспечения требуемого вывода.   Уровни напряжения современной логики в основном варьируются от 1,8 В до 5 В. Стандартные логические напряжения: 5 В, 3,3 В, 1,8 В и т. д. Но как система или контроллер, работающий с логическим уровнем 5 В (пример Arduino), взаимодействует с другой системой, которая работает с 3,3 В (пример ESP8266) или любым другим напряжением? уровень? Этот сценарий часто возникает во многих конструкциях, где используется несколько микроконтроллеров или датчиков, и решением здесь является использование преобразователя логического уровня или устройства сдвига логического уровня 9.1734 . В этой статье мы узнаем больше о преобразователях логических уровней, а также создадим простую схему двунаправленного преобразователя логических уровней с использованием полевого МОП-транзистора , которая пригодится для ваших схем.   Входное напряжение высокого и низкого уровня Однако со стороны микропроцессора или микроконтроллера значение логического уровня напряжения не является фиксированным; у него есть некоторая терпимость к нему. Например, принятый Logic High (логическая 1) для микроконтроллеров с логическим уровнем 5 В составляет минимум 2,0 В ( Минимальное входное напряжение высокого уровня ) до максимального значения 5,1 В ( Максимальное входное напряжение высокого уровня ). Аналогично, для низкого логического уровня (логический 0) допустимое значение напряжения составляет от 0 В ( Минимальное входное напряжение низкого уровня ) до максимального значения 8 В ( Максимальное входное напряжение низкого уровня ).   Приведенный выше пример верен для микроконтроллеров с логическим уровнем 5 В, но также доступны микроконтроллеры с логическим уровнем 3,3 В и 1,8 В. В микроконтроллерах такого типа диапазон напряжения логического уровня будет меняться. Вы можете получить соответствующую информацию из таблицы данных этой конкретной микросхемы контроллера. При использовании преобразователя уровня напряжения следует следить за тем, чтобы значение высокого напряжения и значение низкого напряжения находились в пределах этих параметров.   Двунаправленный преобразователь логических уровней В зависимости от области применения и технической конструкции доступны два типа преобразователей уровня : однонаправленный преобразователь логических уровней и двунаправленный преобразователь логических уровней . В однонаправленных преобразователях уровней входные контакты предназначены для одной области напряжения, а выходные контакты предназначены для другой области напряжения, но это не относится к двунаправленным преобразователям уровней, они могут преобразуют логические сигналы в обоих направлениях . Для двунаправленных преобразователей уровня каждая область напряжения имеет не только входные, но и выходные контакты. Например, если вы подаете 5,5 В на вход, он преобразует его в 3,3 В на выходе, аналогично, если вы подаете 3,3 В на выход, он преобразует его в 5 В на входе.   В этом руководстве мы создадим простой двунаправленный преобразователь уровней и протестируем его на преобразование из высокого уровня в низкий и Преобразование низкого уровня в высокий .   Простой двунаправленный преобразователь логических уровней Схема простого двунаправленного логического преобразователя показана на рисунке ниже.   В схеме используется n-канальный МОП-транзистор для преобразования логического уровня низкого напряжения в логический уровень высокого напряжения. Простой преобразователь логических уровней также может быть построен с использованием резистивных делителей напряжения, но это приведет к потерям напряжения. Преобразователи логических уровней на основе полевых МОП-транзисторов или транзисторов профессиональны, надежны и безопасны для интеграции.   В схеме также используются два дополнительных компонента, R1 и R2. Это подтягивающие резисторы. Из-за наименьшего количества деталей это экономичное решение. В зависимости от приведенной выше схемы будет построен простой двунаправленный логический преобразователь 3,3 В в 5 В.   Преобразователь уровня 5 В в 3,3 В с использованием полевого МОП-транзистора Двунаправленный преобразователь логического уровня в 3,3 В Схема показана на рисунке ниже —   Как видите, на резисторы R1 и R2 нужно подать постоянное напряжение 5В и 3,3В. Выводы Low_side_Logic_Input и High_Side_Logic_Input могут взаимозаменяемо использоваться в качестве входных и выходных контактов.   Компоненты, используемые в приведенной выше схеме: R1 — 4,7 кОм R2 — 4,7 кОм Q1 — BS170 (N-канальный МОП-транзистор).   Оба резистора имеют допуск 1%. Резисторы с допуском 5% также подойдут. Распиновки BS170 MOSFET можно увидеть на изображении ниже, которое находится в порядке Сток, Затвор и Источник .   Схема состоит из двух подтягивающих резисторов по 4,7 кОм каждый. Сток и исток MOSFET подтягиваются до желаемого уровня напряжения (в данном случае 5 В и 3,3 В) для логического преобразования низкого уровня в высокий или высокого в низкий. Вы также можете использовать любое значение от 1k до 10k для R1 и R2, так как они действуют только как подтягивающие резисторы.   Для идеального рабочего состояния при построении схемы необходимо выполнить два условия. Первое условие: логическое напряжение низкого уровня (в данном случае 3,3 В) должно быть подключено к истоку MOSFET, а логическое напряжение высокого уровня (в данном случае 5 В) должно быть подключено к выводу стока MOSFET. Второе условие: затвор полевого МОП-транзистора должен быть подключен к источнику низкого напряжения (в данном случае 3,3 В).   Моделирование двунаправленного преобразователя логических уровней Полную работу схемы сдвига логического уровня   можно понять, используя результаты моделирования. Как вы можете видеть на изображении GIF ниже, во время логического преобразования высокого уровня в низкий уровень контакт логического входа смещается между 5 В и 0 В (земля), а логический выход получается как 3,3 В и 0 В.   Аналогичным образом, во время преобразования низкого уровня в высокий логический вход в диапазоне от 3,3 В до 0 В преобразуется в логический выход 5 В и 0 В, как показано на изображении GIF ниже.   Работа схемы преобразователя логических уровней После выполнения этих двух условий схема работает в трех состояниях. Состояния описаны ниже. Когда нижняя сторона находится в состоянии логической 1 или высокого уровня (3,3 В). Когда нижняя сторона находится в состоянии логического 0 или низкого уровня (0 В). Когда сторона высокого уровня меняет состояние с 1 на 0 или с высокого на низкий (от 5 В до 0 В)   Когда низкий уровень высокий, это означает, что напряжение источника MOSFET составляет 3,3 В, MOSFET не проводит ток из-за того, что пороговое значение Vgs для MOSFET не достигнуто. В этот момент напряжение на затворе MOSFET составляет 3,3 В, а на истоке MOSFET также 3,3 В. Следовательно, Vgs равно 0 В. МОП-транзистор выключен. Логическая 1 или высокое состояние входа с низкой стороны отражается на стороне стока MOSFET как выходное напряжение 5 В через подтягивающий резистор R2.   В этой ситуации, если низкая сторона MOSFET меняет свое состояние с высокого на низкое, MOSFET начинает проводить. Источник находится в логическом 0, поэтому сторона высокого напряжения также стала 0.   Эти два условия успешно преобразуют логическое состояние низкого напряжения в логическое состояние высокого напряжения.   Другим рабочим состоянием является ситуация, когда сторона высокого напряжения полевого МОП-транзистора меняет свое состояние с высокого на низкое. Это время, когда диод подложки стока начинает проводить. Низкая сторона MOSFET подтягивается к низкому уровню напряжения до тех пор, пока Vgs не пересечет пороговую точку. Линия шины как низковольтной, так и высоковольтной секции стала низковольтной при одном и том же уровне напряжения.   Скорость переключения преобразователя Другим важным параметром, который следует учитывать при разработке преобразователя логического уровня, является скорость перехода. Поскольку большинство логических преобразователей будут использоваться между коммуникационными шинами, такими как USART, I2C и т. д., важно, чтобы логический преобразователь переключался достаточно быстро (скорость перехода), чтобы соответствовать скорости передачи данных по линиям связи.   Скорость перехода такая же, как скорость переключения MOSFET. Следовательно, в нашем случае, согласно техническому описанию BS170, время включения MOSFET и время выключения MOSFET указано ниже. Поэтому важно выберите подходящий полевой МОП-транзистор для преобразователя логического уровня .   Таким образом, нашему MOSFET требуется 10 нс для включения и 10 нс для выключения, то есть он может включаться и выключаться 10 00 000 раз за одну секунду. Если предположить, что наша линия связи работает на скорости (скорости передачи) 115200 бит в секунду, то значит она включается и выключается только 1,15,200 в одну секунду. Таким образом, мы можем очень хорошо использовать наше устройство для связи с высокой скоростью передачи данных.   Проверка логического преобразователя Для проверки схемы необходимы следующие компоненты и инструменты: — Источник питания с двумя выходными напряжениями. Два мультиметра. Два тактильных переключателя. Несколько проводов для подключения.   Схема изменена для проверки схемы.   На приведенной выше схеме представлены два дополнительных тактильных переключателя. Также прилагается мультиметр для проверки логического перехода. При нажатии SW1 низкий уровень MOSFET меняет свое состояние с высокого на низкий, и преобразователь логического уровня работает как преобразователь логического уровня низкого напряжения в высокое напряжение.   С другой стороны, при нажатии SW2 , высокий уровень MOSFET меняет свое состояние с высокого на низкий, и преобразователь логического уровня работает как преобразователь логического уровня высокого напряжения в низкое.   Схема собрана на макетной плате и протестирована.   На приведенном выше рисунке показано логическое состояние обеих сторон полевого МОП-транзистора. Оба находятся в состоянии логической 1.   Полное рабочее видео можно увидеть на видео ниже.   Ограничения преобразователя логических уровней Схема, безусловно, имеет некоторые ограничения. Ограничения сильно зависят от выбора MOSFET . максимальное напряжение и ток стока можно использовать в этой схеме в зависимости от спецификации полевого МОП-транзистора. Кроме того, минимальное логическое напряжение составляет 1,8 В. Логическое напряжение менее 1,8 В не будет работать должным образом из-за ограничения Vgs MOSFET. Для напряжения ниже 1,8 В можно использовать специальные преобразователи логических уровней.   Важность и применение Как обсуждалось во вводной части, несовместимый уровень напряжения в цифровой электронике является проблемой для интерфейса и передачи данных. Следовательно, для преодоления ошибок, связанных с уровнем напряжения в схеме, требуется преобразователь уровня или переключатель уровня.   Благодаря наличию широкого диапазона схем логического уровня на рынке электроники, а также для микроконтроллеров с различными уровнями напряжения, преобразователь логического уровня имеет невероятный вариант использования. Некоторым периферийным устройствам и устаревшим устройствам, работающим на основе I2C, UART или аудиокодека , необходимы преобразователи уровней для связи с микроконтроллером.   Популярные ИС преобразователей логических уровней Многие производители предлагают интегрированные решения для преобразования логических уровней. Одной из популярных микросхем является MAX232 . Это одна из наиболее распространенных микросхем преобразователей логических уровней, которая преобразует логическое напряжение микроконтроллера 5 В в 12 В. Порт RS232 используется для связи между компьютерами с микроконтроллером и требует +/- 12 В. Мы уже использовали MAX232 с PIC и несколькими другими микроконтроллерами ранее для взаимодействия микроконтроллера с компьютером.   Также существуют различные требования в зависимости от преобразования очень низкого уровня напряжения, скорости преобразования, места, стоимости и т. alexxlab Добавить комментарий Отменить ответ Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены * Комментарий * Имя * Email * Сайт Рубрики Прост Радио Разное Своими руками Советы Схем Схемы Транзист Транзисторы Электрон Электроника