Магнитоэлектрическое реле. Тепловое реле. Конструкция. Принцип работы
Магнитоэлектрическое реле — это электромеханическое реле, работа которого основана на взаимодействии магнитного поля постоянного магнита с током в обмотке, подведенным извне.
Магнитоэлектрическое реле состоит из неподвижной части, включающей в себя постоянный магнит 1, стальной цилиндр 2, упор 3. и контакт 4, и подвижной части, которая выполняется в виде рамки с обмоткой 5 и контактом в на общей оси.
При отсутствии тока в обмотке рамка под влиянием противодействующих пружин находится в исходном положении. Эти пружины используются одновременно как токоподводы к обмотке рамки (на рис. 3-7 не показаны). При подаче в обмотку постоянного тока возникают силы взаимодействия между током в рамке и магнитным потоком постоянного магнита, под влиянием которого рамка поворачивается и происходит замыкание контакта 6 с контактом 4.
Электронное и фотореле.
Электронное реле.
электронное реле, производит коммутацию различных электронных блоков (электродвигатели, нагревательные элементы и т. д.), в зависимости от требуемых условий: время, температура, уровень жидкости, влажность, акустика и многое другое. В последнее время широко применяются электронные реле на основе различных программируемых микроконтроллерах, достаточно высоко выполняющих свои функции. Устройства реле на дискретных элементах уходят в прошлое, однако порой они просто не заменимы.
Фотореле используется для автоматического
включения освещения в конце дня и его
последующего выключения на рассвете.
Принцип работы фотореле основан на
контроле уровня освещенности специальным
фотодатчиком (выносным или встроенным).
При этом порог включения можно регулировать
с помощью потенциометра. Стоит отметить,
что современные фотореле в обязательном
порядке оснащаются системами защиты
от ложных срабатываний (при случайном
затемнении или освещении фотодатчика).
Конструктивно электронное фотореле ФР-1 смонтировано на текстолитовой печатной плате. Печатная плата устанавливается внутри металлического корпуса магнитного пускателя ПМ12 с соблюдением требований электробезопасности. Подключение датчика освещенности и напряжения питания электронной платы производится через присоединительные колодки установленные на плате.
Индукционное реле контроля скорости. Конструкция и принцип действия.
Реле́ вре́мени — реле, предназначенное для создания независимой выдержки времени и обеспечения определённой последовательности работы элементов схемы. Реле времени применяется в случаях, когда необходимо автоматически выполнить какое-то действие не сразу после появления управляющего сигнала, а через установленный промежуток времени.
Различают следующие реле времени и их принцип работы;
С электромагнитным замедлением
Реле времени с электромагнитным
замедлением применяются только при
постоянном токе.
Помимо основной обмотки
реле этой серии имеют дополнительную
короткозамкнутую обмотку, состоящую
из медной гильзы. При нарастании основного
магнитного потока он создает ток в
дополнительной обмотке, который
препятствует нарастанию основного
магнитного потока. В итоге результирующий
магнитный поток увеличивается медленнее,
время «трогания» якоря уменьшается,
чем обеспечивается выдержка времени
при включении. При отключении тока в
катушке за счёт индуктивности
короткозамкнутого витка магнитный
поток в реле какое-то время сохраняется,
удерживая якорь.
Этот вид реле времени обеспечивает выдержку времени при срабатывании от 0,07 с до 0,11 с, при отключении от 0,5 с до 1,4 с.
С пневматическим замедлением
Реле времени с пневматическим замедлением
имеет специальное замедляющее устройство
— пневматический демпфер, катаракт.
Регулировка выдержки осуществляется
изменением сечения отверстия для забора
воздуха, как правило, с помощью
регулировочного винта.
Этот тип реле времени обеспечивает выдержку времени от 0,4 до 180 с, с точностью срабатывания 10 % от уставки.
Моторные реле времени
Моторные реле времени предназначены для отсчета времени от 10 с до нескольких часов. Оно состоит из синхронного двигателя, редуктора, электромагнита для сцепления и расцепления двигателя с редуктором, контактов.
Электронные реле времени
До появления недорогих микроконтроллеров, работа электронных реле времени была основана на переходных процессах в разрядном контуре RC или RL. Современные реле времени отрабатывают необходимую задержку времени в соответствии с программой, «зашитой» в микроконтроллер. При этом сам микроконтроллер может тактироваться с помощью встроенного кварцевого резонатора или RC-генератора.
Магнитоэлектрические реле (Страница 1) — Вспомогательное оборудование — Советы бывалого релейщика
Страницы 1
Чтобы отправить ответ, вы должны войти или зарегистрироваться
1 Тема от
scorp 2011-02-14 12:13:24 (2011-02-14 13:22:00 отредактировано scorp)- scorp
- pensioner
- Неактивен
Тема: Магнитоэлектрические реле
Инспектор утверждает,что в 2009 г был циркуляр по МЭРам,связано с установкой блинкера, контролирующего контакты.
Знаю,что такие блинкера устанавливали в конце 80-х.Что то путает инспектор,или я ошибаюсь?
мое отношение к окружающим зависит от того,с какой целью они меня окружают
2 Ответ от
doro 2011-02-14 14:45:16- doro
- свободный художник
- Неактивен
Re: Магнитоэлектрические реле
Что-то путает ваш инспектор. Общеобязательные циркуляры к 2009 году ушли в небытие. Да и для ЭПЗ-1636 с МЭР эта тема к тому времени как-то потеряла актуальность.
Самый свежий документ на эту тему, что мне попался в руки — Информационное письмо ЦСРЗА ОАО «Вологдаэнерго» №13-Л 27.11.2003 г. О предотвращении неправильных действий устройств РЗА из-за неисправности магнитоэлектрических реле типа М237/054.
Сайт doro
3 Ответ от
scorp 2011-02-14 14:50:15 (2011-02-14 16:30:52 отредактировано scorp)- scorp
- pensioner
- Неактивен
Re: Магнитоэлектрические реле
Евгений Георгиевич,бросьте если не трудно на scorp58(собакин)mail.
ru
ЗЫ: оказывается ФСК на основании письма ЦСРЗА ОАО «Вологдаэнерго» выпустиоло свое письмо
мое отношение к окружающим зависит от того,с какой целью они меня окружают
4 Ответ от
doro 2011-02-14 17:27:50 (2011-02-14 17:28:34 отредактировано doro)- doro
- свободный художник
- Неактивен
Re: Магнитоэлектрические реле
Отправить-то отправил, но наткнулся еще на один документ. В сборнике директивных материалов по эксплуатации энергосистем 1981 года на странице 128 есть одноименный документ за номером 4.31 О предотвращении отказов функционирования устройств релейной защиты из-за неисправности магнитоэлектрических реле М-237/054. В содержании есть, а вот соответствующая страничка утеряна. Смутное воспоминание, что взял ее кто-то для снятия копии, да и не вернул. О чем – уже и не помню. Если кто найдет, помогите восстановить утерянное — страницы со 127 по 130.
Сайт doro
5 Ответ от
scorp 2011-02-14 18:54:07 (2011-02-15 06:39:52 отредактировано scorp)- scorp
- pensioner
- Неактивен
Re: Магнитоэлектрические реле
Есть СРМ по эксплуатации энергосистем — 2000,надеялся,что там есть сей циркуляр,но не нашел.
А в письме ФСК написано:
«Поскольку контроль состояния контактов МЭР в панелях ЭПЗ- 1636, ПЗ-2 заводом изготовителем не предусмотрен, желательно выполнить мероприятия, предусмотренные информационным письмом ЦСРЗА ОАО «Вологдаэнерго» №13 от 27.11.2003 г. «О предотвращении неправильных действий устройств РЗА из-за неисправности магнитоэлектрических реле типа М 237/054» по монтажу схемы контроля состояния контактов МЭР.
Директор по технологии М.Г. Линт
Письмо ФСК лежит здесь: http://zalil.ru/30509551
мое отношение к окружающим зависит от того,с какой целью они меня окружают
| Присоединяйтесь!!! Мы в социальных сетях и на Ютуб. |
А сейчас по этому адресу вместо нужной информации предлагают девочек, с которыми мне уж и не справиться. Не бросишь мне это послание в личку? Но обновление заливки тоже поможет.
«Магнитоэлектрический» материал обещает стать памятью для электроники
Университет Висконсина — Мэдисон
Смартфоны и компьютеры не были бы столь полезными, если бы на них не было места для большого количества приложений, музыки и видео.
Устройства обычно хранят эту информацию двумя способами: с помощью электрических полей (вспомните флэш-накопитель) или с помощью магнитных полей (например, вращающийся жесткий диск компьютера). Каждый метод имеет преимущества и недостатки. Однако в будущем наша электроника могла бы извлечь выгоду из лучшего из каждого.
«Есть интересная концепция, — говорит Чанг-Беом Эом, профессор Теодора Х. Гебалла и заслуженный профессор материаловедения и инженерии Харви Д. Спенглера в Университете Висконсин-Мэдисон. «Можете ли вы связать эти два разных способа хранения информации? Можем ли мы использовать электрическое поле для изменения магнитных свойств? Тогда у вас может быть маломощное многофункциональное устройство. Мы называем это «магнитоэлектрическим» устройством».
В исследовании, недавно опубликованном в журнале Nature Communications , Эом и его сотрудники описывают не только свой уникальный процесс изготовления высококачественного магнитоэлектрического материала, но и то, как и почему он работает.
Магнитоэлектрические материалы, обладающие как магнитными, так и электрическими функциями, или «порядками», уже существуют. Переключение одной функции влечет за собой изменение другой.
«Это называется кросс-связь», — говорит Эом. «Тем не менее, непонятно, как они взаимодействуют».
Чтобы понять это, говорит он, необходимо изучить, как меняются магнитные свойства при приложении электрического поля. До сих пор это было затруднительно из-за сложной структуры большинства магнитоэлектрических материалов.
В прошлом, говорит Эом, люди изучали магнитоэлектрические свойства, используя очень «сложные» материалы или материалы, не имеющие единообразия. В своем подходе Эом упростил не только исследование, но и сам материал.
Опираясь на свой опыт в области выращивания материалов, он разработал уникальный процесс с использованием атомарных «ступеней» для управления ростом однородной монокристаллической тонкой пленки феррита висмута. Поверх этого он добавил кобальт, обладающий магнитными свойствами; на дно он поместил электрод из рутената стронция.
Материал феррита висмута был важен, потому что он значительно облегчил Эому изучение фундаментальной магнитоэлектрической перекрестной связи.
«Мы обнаружили, что в нашей работе, благодаря нашему единственному домену, мы могли фактически видеть, что происходит, используя несколько методов зондирования или визуализации», — говорит он. «Механизм внутренний. Это воспроизводимо, а это значит, что вы можете сделать устройство предсказуемым образом без каких-либо ухудшений».
Чтобы отобразить изменение электрических и магнитных свойств в режиме реального времени, Эом и его коллеги использовали мощные источники синхротронного света в Аргоннской национальной лаборатории за пределами Чикаго, а также в Швейцарии и Великобритании.
«Когда вы переключаете его, электрическое поле переключает электрическую поляризацию. Если он «вниз», он переключается «вверх», — говорит он. «Соединение с магнитным слоем затем меняет свои свойства: магнитоэлектрическое запоминающее устройство».
Это изменение направления позволяет исследователям сделать следующие шаги, необходимые для добавления программируемых интегральных схем — строительных блоков, которые являются основой нашей электроники — к материалу.
Хотя однородный материал позволил Эому ответить на важные научные вопросы о том, как происходит магнитоэлектрическая перекрестная связь, он также может помочь производителям улучшить свою электронику.
«Теперь мы можем разработать гораздо более эффективное, производительное и маломощное устройство», — говорит он.
Рубрики: Компоненты
Влияние резонанса, настраиваемого магнитным полем, на емкость многослойных композитов
Journal of Sensor Technology
Vol.1 No.3 (2011), ID статьи: 7662, 4 страницы DOI: 10.4236/jst.2011.13011
Влияние резонанса, настраиваемого магнитным полем, на емкость многослойных композитов. -mail: * [email protected]
Поступила в редакцию 1 июня 2011 г.; пересмотрено 15 июля 2011 г.
; принята 26 июля 2011 г.
Ключевые слова: Композиционные материалы, ламинаты, функциональные, магнитоэлектрические связи, магнитоемкостные эффекты
Abstract
Исследованы магнитоэлектрическая связь и магнитоемкостной эффект слоистого композита ферромагнетик/пьезоэлектрик/ферромагнетик. На кривых зависимости емкости от частоты наблюдалось несколько резонансных пиков. Было обнаружено, что резонансные пики смещаются под действием приложенного магнитного поля, а импеданс образца может изменяться с емкостного на индуктивный при изменении поля. Таким образом, при напряженности магнитного поля менее 1 кЭ вблизи резонансных точек могут одновременно наблюдаться гигантские отрицательный и положительный магнитоемкостные эффекты. Экспериментальный и теоретический анализ показал, что такое магнитозависимое изменение импеданса происходит из-за индуцированного магнитным полем изменения податливости магнитной фазы композита.
1. Введение
Индуцированное магнитным полем изменение емкости, известное как магнитоемкостные (MC) эффекты, в настоящее время привлекает большой интерес к изучению новых приложений в микроволновом поле, магнитном обнаружении в широкой полосе частот и электронные устройства, такие как магнитные датчики, перестраиваемый спиновый фильтр, запоминающие устройства и т.
д. По сравнению с детектором Холла датчики МК имеют более высокую точность, более простую конструкцию и значительно более дешевую стоимость [1-6]. Есть два типа материалов, которые могут проявлять эффекты МС. Один представляет собой однофазный материал, а другой представляет собой многослойные композиты. Тем не менее, мультиферроидный однофазный материал демонстрирует очень низкий эффект MC и часто должен работать в очень сильном магнитном поле [7]. Например, эффект МК при комнатной температуре 2% в нанокомпозитах BaTiO 9Недавно сообщалось [8]. Поскольку Сучтелен предположил магнитоэлектрические эффекты в композитах, были также проведены обширные исследования эффекта МК в магнитоэлектрических композитах [9]. С другой стороны, сообщалось, что резонансная частота слоистых магнитострикционных/пьезоэлектрических композитов может регулироваться внешним магнитным полем [10-13]. Таким образом, можно ожидать значительного эффекта MC вблизи резонансной частоты многослойного композита, поскольку любое небольшое изменение частоты вблизи точек резонанса вызовет резкое изменение емкости.
В этой работе мы представляем наблюдение индуцированного магнитным полем сдвига резонансной частоты трехслойного композита при комнатной температуре.
2. Характеристика образца
Исследуемый магнитоэлектрический (МЭ) ламинат представлял собой трехслойный композит Терфенол-D/Pb(Zr, Ti)O 3 /Терфенол-D. Терфенол-D представляет собой редкоземельный сплав, известный своими свойствами магнитострикции. Pb(Zr, Ti)O 3 (PZT) является наиболее часто используемым пьезоэлектриком из-за его зрелых методов приготовления и больших пьезоэлектрических коэффициентов. Оба были нарезаны полосками размером (20×7×2) мм 3 и (30 × 8 × 2) мм 3 соответственно. Слой ЦТС был сделан немного длиннее Терфенола-Д для изготовления электродов. Нарезанные полоски были склеены в трехслойные слои с помощью непроводящего эпоксидного клея, как показано на рисунке 1. Для магнитоэлектрических измерений использовались два магнитных поля, поле смещения и альтернативное поле.
Оба поля были параллельны друг другу. Образец помещали в поля так, чтобы его длина была параллельна полям. Емкость в направлении толщины PZT измеряли с помощью высокочастотного измерителя LCR (Th3826, Tonghui Electronic Co., 9).0005
Рисунок 1. Конфигурация магнитоэлектрических ламинатов.
LTD, Чанчжоу, Китай).
3. Экспериментальные результаты и их обсуждение
На рис. 2 показана зависимость емкости от частоты при различных внешних магнитных полях. Во-первых, в диапазоне частот, манипулируемых нулевым магнитным полем, наблюдаются три резонансных пика. Они расположены на частотах 175,5 кГц, 187,1 кГц и 194,0 кГц соответственно. Огромные изменения емкости можно найти в областях вокруг резонансных частот (). Но значение оказывается относительно стабильным в других областях. Во-вторых, резонансные частоты отчетливо изменяются с увеличением магнитного поля. В качестве примера возьмем второй пик, резонансная частота уменьшается с до 184,4 кГц при увеличении поля от 0 до 150 Э, затем увеличивается с f r = от 184,4 до 189,3 кГц при увеличении поля от 150 до 300 Э.
Для выявления влияния магнитного поля на резонанс
Рис. 2. Верхняя панель: частотная зависимость емкости в нулевом поле. Нижняя панель: частотная зависимость емкости при различных внешних магнитных полях.
частота, полезависимый сдвиг частоты в различных резонансных точках. Определили частотный сдвиг как, где и — частоты с полем и без него, соответственно, соотношение между и показано на рисунке 3. Обнаружено, что сдвиги сначала претерпевают пик, а затем спад по мере увеличения поля от нуля до около 1500 э. Тогда все сдвиги остаются стабильными в различных конечных состояниях.
Так же, как частота смещается, гигантская магнитоемкость может наблюдаться вблизи резонансных частот, как показано на рисунке 4. Можно видеть, что емкости в разных резонансных точках также испытывают пик и впадину с увеличением поля. Это означает, что импеданс образца может быть изменен с емкостного на индуктивный при изменении поля. Таким образом, при напряженности магнитного поля менее 1 кЭ вблизи резонансных точек могут одновременно наблюдаться гигантские отрицательный и положительный магнитоемкостные эффекты.
Согласно теории многослойных композитов [10, 14] скорость звука в данном многослойном композите может быть выражена как
(1)
где – средняя плотность композита, а – податливости ЦТС и Терфенол-Д соответственно, , — толщина Терфенола-Д, — общая толщина ламината. В магнитном поле в уравнении (1) следует заменить [10]
(2)
где – пьезомагнитный коэффициент, l – магнитострикционный коэффициент, µ 11 – магнитная проницаемость Терфенола-Д. Так как в целом положительное, должно быть меньше, чем под приложенным полем, приводящим к увеличению скорости звука в Ter-
Рис. 3. Зависимость приложенного магнитного поля от частотных сдвигов в разных резонансных точках образца.
Рис. 4. Прикладная зависимость емкости от магнитного поля вблизи различных частот.
фенол-Д с наличием магнитного поля. Следовательно, скорость звука в многослойном композите можно регулировать с помощью магнитов. С другой стороны, резонансная частота моды продольных колебаний пьезоэлектрика определяется как [15]
, (3)
где l — длина ЦТС.
Итак, у нас есть вывод, что податливость ферромагнетика, контролируемая магнитным полем, отвечает за магниточастоту. Уравнение (3) относится только к вибрации в продольном направлении образца. Это означает, что уравнение (3) можно составить только в том случае, если можно пренебречь связью между продольной вибрацией и вибрацией в обоих поперечных направлениях. Для этого требуется, чтобы в этом идеальном случае толщина и ширина образца были намного меньше его длины. Но это условие не может быть полностью выполнено для практических образцов. Таким образом, значения, измеренные на рисунке 2, не могут полностью совпадать со значениями, рассчитанными по уравнению (3).
Согласно определяющим уравнениям пьезоэлектрической и магнитострикционной фаз и межслоевой упругой связи [10], а также с учетом емкости с двумя плоскими пластинами, где A – площадь пластины, d – толщина ЦТС, а может быть выражено как
, поэтому выражение емкости для композита может быть записано как
(4)
где
,
,
, а угловой коэффициент пьезоэлектрической проницаемости PZT соответственно – средняя массовая плотность, n – объемная доля PZT, и – плотности PZT и терфенола-Д соответственно.
Уравнение (4) показывает, что емкость композита тесно связана с частотой сигнала, размером образца и физическими параметрами используемых материалов. Поскольку на податливость PZT и терфенола-D влияет приложенное поле (уравнение (2)), емкость композита также является функцией магнитного поля. В соответствии с уравнением (3) резонансное условие должно быть
(5)
Таким образом, собирая результаты из уравнения (1)-(4), мы получаем связь между резонансной частотой и внешним магнитным полем как
(6)
Рис. сдвиги в зависимости от приложенного магнитного поля.
Используя уравнение (6), можно рассчитать резонансные частоты при нулевом поле и сдвиги резонансных частот при изменении магнитного поля соответственно. Результаты показаны на рис. 5. Параметры материала, использованные в расчете:
,
(для Терфенола-Д),
,
,
(для ЦТС) соответственно [16-17], а объемную долю ЦТС принимают в виде.
Как можно видеть, результаты, показанные на рисунке 5, согласуются с результатами, наблюдаемыми в экспериментах (на рисунке 3), что позволяет предположить, что рассмотренная выше теоретическая модель является разумной.
Уравнение (6) предполагает наличие нескольких емкостных резонансных частот f r для данного композита, и периодически возникают резонансные точки. Однако стоит отметить, что уравнение (6) было получено на основе уравнения (3). Таким образом, вибрация в одном направлении также является одним из предположений уравнения (6). Таким образом, экспериментальные данные, по-видимому, отклоняются от расчетных данных. Тем не менее, уравнение (6) также полезно для понимания происхождения.
4. Выводы
Импеданс слоистых магнитоэлектрических композитов может быть изменен с емкостного на индуктивный при изменении приложенного поля вблизи их магнитоэлектрических резонансных точек. Таким образом, вокруг резонансных частот одновременно могут наблюдаться гигантские отрицательный и положительный магнитоемкостные эффекты.
Индуцированное магнитным полем изменение податливости ферромагнитной фазы приводит к изменению скорости звука, а затем резонансных частот и емкости слоистого композита. Из-за высокой чувствительности и слабого приложенного магнитного поля данный магнитоемкостный эффект может широко использоваться в магнитных датчиках, преобразователях состояния и исполнительных механизмах для реле.
5. Благодарности
Эта работа была поддержана Национальным научным фондом Китая под номером 50977046.
6. Ссылки
[1] М. А. Субраманян, Т. Хе, Дж. З. Чен, Н. С. Рогадо, Т. Г. Кальварезе и А. Г. Кальварезе. Слейт, «Гигантская комната — температурный магнитодиэлектрический отклик в электронном сегнетоэлектрике LuFe 2 O 4 », Advanced Materials, Vol. 18, № 13, 2006, стр. 1737-1739. doi:10.1002/adma.200600071
[2] H. Kaiju, S. Fujita, T. Morozumi and K. Shiiki, «Магнитоемкостной эффект спиновых туннельных соединений», Journal of Applied Physics, Vol.
91, № 10, 2002, с. 7430. doi:10.1063/1.1451754
[3] Сингх М.П., Труонг К.Д., Фурнье П. Магнитодиэлектрический эффект в двойном перовските La 2 CoMnO 6 Тонкие пленки. 91, № 4, 2007 г., ID статьи: 042504. doi:10.1063/1.2762292
[4] Н. Гур, С. Пак, С. Гуха, А. Борисов, В. Кирюхин и С.-В. Чеонг, «Слабопольный магнитодиэлектрический эффект в тербиевых ферритах-гранатах», Письма по прикладной физике, Vol. 87, № 4, 2005 г., номер статьи: 042901. doi:10.1063/1.1997272
[5] M. P. Singh, W. Prellier, C. Simon and B. Raveau, «Магнитоемкостной эффект в мультиферроиках на основе перовскита и сверхрешетки», Applied Physics Letters, Vol. 87, No. 2, 2005, ID статьи: 022505. doi:10.1063/1.1988979
[6] М. Гич, К. Фронтера, А. Ройг, Дж. Фонкуберта, Э. Молинс, Н. Беллидо, К. Саймон и К. Флета, «Магнитоэлектрическая связь в наночастицах ε-Fe 2 O 3 », Nanotechnology, Vol. 17, № 3, 2006, с. 687. дои: 10.1088/0957-4484/17/3/012
[7] Дж.
Г. Ван, К. Лу, Б. Чен, Ф. К. Сонг, Дж. М. Лю, Дж. Б. Донг и Г. Х. Ван, «Гигантская магнитоемкость при комнатной температуре в легированном Co 2+ SnO 2 Диэлектрические пленки», Applied Physics Letters, Vol. 95, No. 15, 2009, ID статьи: 152901. doi:10.1063/1.3249584
[8] Фина И., Дикс Н., Фабрега Л., Санчес Ф., Фонткуберта Дж. Магнитоемкость в BaTiO 3 9007 -CoFe 2 O 4 Нанокомпозиты, Тонкие твердые пленки, Vol. 518, № 16, 2010, стр. 4634-4636. doi: 10.1016/j.tsf.2009.12.048
[9] Дж. В. Сучтелен, «Свойства продукта: новое применение композитных материалов», Philips Research Reports, Vol. 27, 1972, стр. 28-37.
[10] Исраэль К., Петров В. М., Шринивасан Г., Матур Н. Д. Магнитно-настраиваемые механические резонансы в многослойных магнитоэлектрических конденсаторах // Письма по прикладной физике. 95, No. 7, 2009, ID статьи: 072505. doi:10.1063/1.3205477
[11] Чен Ю.Дж., Чжан X.Ю., Виттория К., Харрис В.
Г. Гигантский магнитодиэлектрический эффект и перестраиваемый магнитным полем диэлектрический резонанс в шпинельном феррите MnZn , Письма по прикладной физике, Vol. 94, № 10, 2009, с.102906. doi:10.1063/1.3095498
[12] Шринивасан Г., Де Врейг С.П., Лалетин В.М., Паддубная Н., Бичурин М.И., Петров В.М., Филиппов Д.А. Резонансная магнитоэлектрическая связь в трехслойных ферромагнитных сплавах и пьезоэлектрическом сплаве титаната свинца: циркон Влияние магнитного поля смещения», Physical Review B, Vol. 71, No. 18, 2005, ID статьи: 184423. doi:10.1103/PhysRevB.71.184423
[13] В. Кастель и К. Бросо, «Зависимость от магнитного поля эффективной диэлектрической проницаемости в BaTiO 3 /Ni Нанокомпозиты, наблюдаемые с помощью микроволновой спектроскопии», Applied Physics Letters, Vol. 92, No. 23, 2008, ID статьи: 233 110. doi:10.1063/1.2943153
[14] Донг С. X., Ли Дж. Ф. и Виланд Д. Продольные и поперечные магнитоэлектрические коэффициенты напряжения магнитострикционного/пьезоэлектрического слоистого композита: теория, IEEE Transactions on Ultrasonics, Ferroelectrics and Frequency Control, Vol.
