ВРЕМЯ ДОСТУПА: 70, 90 нс ВРЕМЯ ПРОГРАММИРОВАНИЯ 10 с на байт/слово обычно 19 БЛОКОВ ПАМЯТИ 1 загрузочный блок (верхний или нижний) 2 параметра и 16 основных блоков

КОНТРОЛЛЕР ПРОГРАММЫ/СТИРАНИЯ Встроенные алгоритмы программы Byte/Word РЕЖИМЫ ПРИОСТАНОВКИ УДАЛЕНИЯ и ВОЗОБНОВЛЕНИЯ Чтение и программирование другого блока во время приостановки удаления

РАЗБЛОКИРОВАТЬ ПРОГРАММНУЮ КОМАНДУ БАЙПАСА Ускоренное производство/пакетное программирование РЕЖИМ ОТКЛЮЧЕНИЯ ЗАЩИТЫ ВРЕМЕННОЙ БЛОКИРОВКИ ОБЩИЙ ИНТЕРФЕЙС FLASH 64-битный код безопасности

НИЗКОЕ ЭНЕРГОПОТРЕБЛЕНИЕ Режим ожидания и автоматический режим ожидания 100 000 ЦИКЛОВ ПРОГРАММИРОВАНИЯ/СТИРАНИЯ на БЛОК ЭЛЕКТРОННАЯ ПОДПИСЬ Код производителя: 0020h Верхний код устройства 22D7h Нижний код устройства M29W800DB: 225Bh

СОДЕРЖАНИЕ РЕЗЮМЕ ОПИСАНИЕ.

Команда возобновления удаления. 14 Чтение команды запроса CFI. 14 команд защиты блока и снятия защиты чипа. 14 Таблица 4. Команды, 16-битный режим, BYTE = VIH. 15 Таблица 5. Команды, 8-битный режим, BYTE = VIL. 16 Таблица 6. Программа, время стирания и программа, циклы выносливости стирания. 16 РЕГИСТР СОСТОЯНИЯ. 17 Бит опроса данных (DQ7). 17 Бит переключения (DQ6).. 17 Бит ошибки (DQ5). 17 Бит таймера стирания (DQ3). 17 Альтернативный бит переключения (DQ2).. 17 Таблица 7. Биты регистра состояния. 18 Рисунок 8. Блок-схема опроса данных. 18 Рисунок 9. Блок-схема переключения данных. 18 МАКСИМАЛЬНЫЙ РЕЙТИНГ. 19 Таблица 8. Абсолютные максимальные рейтинги. 19 ПАРАМЕТРЫ ПОСТОЯННОГО И ПЕРЕМЕННОГО ТОКА. 20 Таблица 9. Условия эксплуатации и измерения переменного тока. 20 Рис. 10. Форма сигнала ввода-вывода измерения переменного тока. 20 Рис. 11. Цепь нагрузки измерения переменного тока. 20 Таблица 10. Емкость устройства. 20 Таблица 11. Характеристики постоянного тока. 21 Рисунок 12. Осциллограммы переменного тока в режиме чтения. 22 Таблица 12. Чтение характеристик переменного тока. 22 Рис. 13. Запись сигналов переменного тока, запись включена под контролем. 23 Табл. 13. Характеристики записи переменного тока, управление записью разрешено. 23 Рис. 14. Запись сигналов переменного тока, управление включением чипа. 24 Таблица 14. Запись характеристик переменного тока, управление включением микросхемы. 24 Рис. 15. Сброс/блокировка временного снятия защиты сигналов переменного тока. 25 Таблица 15. Сброс/блокировка, временное снятие защиты, характеристики переменного тока. 25 УПАКОВКА МЕХАНИЧЕСКАЯ. 44-контактный пластиковый малый контур, ширина корпуса 525 мил, контур упаковки. 44-контактный пластиковый малый контур, ширина корпуса 525 мил, механические данные упаковки. 48 свинцовых пластиковых тонких маленьких контуров, x 20 мм, контур упаковки. 48-контактный пластиковый тонкий маленький контур, x 20 мм, механические данные упаковки. Массив активных шариков 6×8 с шагом 0,80 мм, вид снизу. Массив активных шариков 6×8 с шагом 0,80 мм, механические данные упаковки. 28 НУМЕРАЦИЯ ЧАСТЕЙ. 29Таблица 16. Схема информации для заказа. 29

LD1580XX: Регулятор напряжения с очень низким падением напряжения на 7 А, регулируемый и фиксированный

M27C1024-20F7TR: 1 Мбит 64kb X16 uv EPROM и OTP EPROM

M295V200T-120M1R: 2 Мбит 256 КБ x8 или 128 КБ X16, загрузочный блок с одним источником флэш-памяти

PSD311R-B-70J : Недорогие программируемые периферийные устройства микроконтроллера

NAND512W4M5AZC5E: 256/512 МБ/1 ГБ (x8/x16, 1,8/3 В, страница 528 байт) флэш-памяти NAND + 256/512 МБ (x16/x32, 1,8 В) Lpsdram, MCP

TSV994AIYD: Rail-to-rail Input/Output Операционные усилители 20 МГц GBP

NAND01GR3A2CN1T: 256/512 МБ/1 ГБ (x8/x16, 1,8/3 В, страница 528 байт) флэш-памяти NAND + 256/512 МБ (x16/x32, 1,8 В) Lpsdram, MCP

NAND128W3A0BN6E : 128 Мбит, 256 Мбит, 512 Мбит, 1 Гбит (x8/x16), 528 байт/264 страницы слов, 1,8 В/3 В, флэш-память NAND

STX13003G : Транзисторы Биполярный (BJT) NPN силовой транзистор Технические характеристики: Производитель: STMicroelectronics ; Категория продукта: Транзисторы биполярные (BJT); RoHS: Подробная информация ; Полярность транзистора: NPN; Напряжение коллектор-эмиттер VCEO Макс. : 400 В; Эмиттер-База Напряжение VEBO: 9 В; Максимальный постоянный ток коллектора: 1 А; Конфигурация: Одноместный; Максимум Операти

VN03(011Y) : Pmic — Mosfet, мостовой драйвер — Интегральная схема внутреннего переключателя (ics) Сквозная трубка 700 мА 5,5 В ~ 26 В; IC SMART PWR SSR HSIDE PENTAWAT5 Технические характеристики: Упаковка/кейс: Pentawatt-5 (горизонтальные, изогнутые и расположенные в шахматном порядке выводы); Тип крепления: Сквозное отверстие; Тип: высокая сторона; Напряжение питания: 5,5 В ~ 26 В; Сопротивление в открытом состоянии: 500 мОм; Ток-выход/канал: 700 мА; Ток-пиковая мощность: 4А; Упаковка: туба; Тип ввода: не-Inve

M24128-BWBN3G/P: 16K X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDIP8 Технические характеристики: Плотность: 131 кбит; Количество слов: 16 тыс.; Бит на слово: 8 бит; Тип автобуса: Серийный ; Статус производства: Полное производство; Скорость передачи данных: 0 МГц; Напряжение питания: 5 В; Тип упаковки: СВИНЦОВЫЙ, ПЛАСТИКОВЫЙ, ПОГРУЖЕНИЕ-8, ПОГРУЖЕНИЕ; Контакты: 8 ; Рабочий диапазон: промышленный; Рабочая температура: от -40 до 85

более быстрое производство/пакетное программирование — режим снятия защиты с временного блока — общий интерфейс флэш-памяти
64-битный защитный код — низкое энергопотребление

режим ожидания и автоматический режим ожидания — 100 000 циклов программирования/стирания на блок — электронная подпись

Код производителя 0020h Код верхнего устройства M29W800DT 22D7h Код нижнего устройства M29W800DB 225Bh

SO44 M

TSOP48 N 12 x 20 мм

FBGA

Апрель 2009 г.
1/52

Содержание

Содержание

M29W800DT, M29W800DB

Описание 6

Описание сигналов 12 90 053

Адресные входы A0-A18 12

Вводы/выводы данных DQ0-DQ7 12

Вводы данных /outputs DQ8-DQ14 12

Ввод/вывод данных или ввод адреса DQ15A-1 12

Разрешение чипа E 12

Разрешение вывода G 12

Разрешение записи W 13

Сброс/блокировка, временное снятие защиты RP 13

Готов/занят выход RB 13

Выбор организации байтов/слов БАЙТ 13

Напряжение питания VCC 13 Земля VSS 14

Операции шины 15

Чтение шины 15

Запись шины 15

Выход отключен 15

Режим ожидания 15

Автоматический режим ожидания 15

Специальные операции с шиной 16

Электронная подпись 16
Информация для заказа 38

Приложение A Таблица адресов блоков 39

Приложение B Общий интерфейс флэш-памяти CFI . 41

Приложение C Защита блока. 45

C. 1 Программатор 45 C.2 Внутрисистемная техника 45
3/52

Список таблиц

Список таблиц

M29W800DT, M29W800DB

Таблица 9005 2 4/52

M29W800DT, M29W800DB

Список рисунков

Список рисунков

Рисунок

Логическая схема 6 Соединения SO 7 Соединения TSOP 8 Соединения TFBGA, вид сверху через корпус 9 Адресов блоков x 8 10 Адресов блоков x 16 11 Блок-схема опроса данных 25 Блок-схема переключения данных 26 Измерение переменного тока I /O осциллограмма 28 Цепь нагрузки измерения переменного тока 29Режим чтения осциллограмм переменного тока 30 Запись осциллограмм переменного тока, включение записи под контролем 31 Запись осциллограмм переменного тока, включение микросхемы под управлением контур, 12 x 20 мм, контур пакета 36 TFBGA48 6 x 8 мм 6 x 8 мм шаг шариковой решетки, вид снизу контур пакета. 37 Блок-схема защиты блока оборудования программатора 47 Блок-схема снятия защиты микросхемы программатора 48 Блок-схема защиты блока внутрисистемного оборудования 49Блок-схема снятия защиты чипа внутрисистемного оборудования 50
5/52

M29W800DT, M29W800DB

M29W800D представляет собой энергонезависимую память емкостью 8 Мбит 1 Мбит x 8 или 512 Кбит x 16, которую можно считывать, стирать и перепрограммировать. Эти операции могут быть выполнены с использованием одного источника питания низкого напряжения V. При включении память по умолчанию переходит в режим чтения, где ее можно считывать так же, как ПЗУ или СППЗУ.

Память разделена на блоки, которые можно стирать независимо друг от друга, чтобы можно было сохранить действительные данные, в то время как старые данные стираются. Каждый блок может быть защищен независимо, чтобы предотвратить случайное изменение памяти программами или командами стирания. Команды программы и стирания записываются в командный интерфейс памяти. Встроенный контроллер программирования/стирания упрощает процесс программирования или стирания памяти, выполняя все специальные операции, необходимые для обновления содержимого памяти.

Может быть обнаружен конец программы или операция стирания, а также идентифицированы любые ошибочные состояния. Набор команд, необходимый для управления памятью, соответствует стандартам JEDEC.

Блоки в памяти расположены асимметрично, см. рис. 5. Адреса блоков x 8 и рис. 6. Адреса блоков x. Первые или последние 64 Кбайта были разделены на четыре дополнительных блока. 16-килобайтный загрузочный блок можно использовать для небольшого кода инициализации для запуска микропроцессора, два 8-килобайтных блока параметров можно использовать для хранения параметров, а оставшиеся 32-килобайтные — это небольшой основной блок, в котором может храниться приложение.

Сигналы Chip Enable, Output Enable и Write Enable управляют работой шины памяти. Они обеспечивают простое подключение к большинству микропроцессоров, часто без дополнительной логики.

Память предлагается в корпусах SO44, TSOP48 12 x 20 мм и TFBGA48 с шагом 6 x 8 мм. Память поставляется со стертыми битами, установленными на

Рисунок Логическая схема VCC
19 A0-A18
15 DQ0-DQ14

W E G RP BYTE

M29W800DT M29W800DB

M29W800DT, M29W800DB

Таблица имен сигналов

Сигнал

A0-A18 DQ0-DQ7 DQ8-DQ14 E G W RP RB BYTE VCC VSS NC

Адресные входы Ввод/вывод данных Ввод/вывод данных Ввод/вывод данных или адресный ввод Разрешение чипа Разрешение вывода Разрешение записи Сброс/блокировка, временное снятие защиты Выход «Готовность/занятость» недоступен в корпусе SO44 Выбор организации байтов/слов Напряжение питания Заземление

Рисунок SO-соединения

Направление Входы Ввод/вывод Ввод/вывод Ввод/вывод Вход Выход Вход

RP A18 A17

A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0

E VSS

G DQ0 DQ8 DQ1 DQ9 DQ2 DQ10 DQ3 DQ11
11 M29W800DT 34 12 M29W800DB 33

W НЗ A8 A9 A10 A11 A12 A13 A14 A15 A16 BYTE VSS DQ7 DQ14 DQ6 DQ13 DQ5 DQ12 DQ4 VCC

AI05462b
7/52

Описание Рисунок Подключения TSOP

M29W800DT, M29W800DB

A1 5 1
48 A16

BYTE
Информация для заказа
Информация для заказа

M29W800DT, M29W800DB

Примечание:
Таблица информации для заказа, схема

Пример:

Тип устройства M29

Рабочее напряжение W = VCC = to V

Функция устройства 800D = 8 Мбит x 8/x 16, загрузочный блок 90 053

Матрица массива T = верхняя крышка B = нижняя крышка

Скорость 45 = 45 нс 70 = 70 нс 90 = 90 нс

Упаковка M = SO44 N = TSOP48 12 x 20 мм ZE = TFBGA48 6 x 8 мм, шаг мм

Диапазон температур 6 = до 85 °C 1 = от 0 до 70 °C

Опция T = упаковка в виде ленты и бобины E = упаковка без свинца, стандартная упаковка F = упаковка без свинца, упаковка в виде ленты и катушки

M29W800DB
90 N 6 T

Чтобы получить список доступных опций, скорость, комплектацию и т. д. или дополнительную информацию по любому аспекту этого устройства, обратитесь в ближайший офис продаж Numonyx.
38/52

M29W800DT, M29W800DB

Приложение A Таблица адресов блоков

Адреса загрузочных блоков Table Top, M29W800DT
# Size Kbytes

Диапазон адресов x 8

Диапазон адресов x 16 7E000h-7FFFFh 7D000h-7DFFFh 7C000h-7CFFFh 78000h-7BFFFh 70000h-77FFFh 68000h-6FFFFh 60000h-67FFFh 58000h-5FFFFh 50000h-57FFFh 48000h-4FFFFh 40000h-47FFFh 38000h-3FFFFh 30000h-37FFFh 28000h-2 FFFFh 20000h-27FFFh 18000h-1FFFFh 10000h-17FFFh 08000h-0FFFFh
39/52

Адрес блока стол

M29W800DT, M29W800DB

Адреса загрузочных блоков нижней части таблицы, M29W800DB
# Размер Кбайт

Диапазон адресов x 8 -CFFFFh B0000h-BFFFFh A0000h-AFFFFh

h-9FFFFh 80000h-8FFFFh 70000h-7FFFFh

Диапазон адресов x 16 -5FFFFh 50000h-57FFFh 48000h-4FFFFh 40000h-47FFFh 38000h-3FFFFh 30000h-37FFFh 28000h-2FFFFh 20000h-27FFFh 18000h-1FFFFh 10000h-17FFFh 080 00h-0FFFFh 04000h-07FFFh 03000h-03FFFh 02000h-02FFFh
40/52

M29W800DT, M29W800DB

Общий интерфейс флэш-памяти CFI

Приложение B Общий интерфейс флэш-памяти CFI

Общий интерфейс флэш-памяти представляет собой одобренную JEDEC стандартизированную структуру данных, которую можно считывать с устройства флэш-памяти. Это позволяет системному программному обеспечению опрашивать устройство для определения различных электрических и временных параметров, информации о плотности и функциях, поддерживаемых памятью. Система может легко взаимодействовать с устройством, позволяя при необходимости обновлять программное обеспечение.

При подаче команды CFI Query устройство переходит в режим запроса CFI, и структура данных считывается из памяти. В Таблице 22, Таблице 23, Таблице 24, Таблице 25, Таблице 26 и Таблице 27 показаны адреса, используемые для извлечения данных.
Типичное и максимальное время ожидания приостановки стирания, а также параметры хранения данных добавлены в таблицу 6 Время программирования/стирания и циклы выносливости программирования/стирания, а также удалены столбцы типичного после 100 000 циклов W/E. Минимальное напряжение с поправкой на класс скорости 70 нс в таблице 9Условия эксплуатации и измерения переменного тока. Исправлена ​​логическая схема и блок-схема переключения данных. Варианты упаковки E и F без содержания свинца добавлены в Таблицу 19. Схема информации для заказа.

Обновлены контуры корпуса TSOP48 и механические данные. TFBGA48 6 x 8 мм Добавлен шаг массива активных шариков 6 x 8 мм. 5 Таблица 9. Обновлены рабочие условия и условия измерения переменного тока для опции скорости 70 нс.
6 Рисунок 2. Обновлены соединения SO.
7 Добавлен класс скорости 45 нс.

Удалена упаковка TFBGA48 ZA 6 x 9 мм. Преобразован в новый ST 8
корпоративный шаблон.
9 Нанесен брендинг Numonyx.
10 Незначительные изменения текста.
51/52

M29W800DT, M29W800DB

Пожалуйста, внимательно прочтите ИНФОРМАЦИЯ В ЭТОМ ДОКУМЕНТЕ ПРЕДОСТАВЛЕНА В СВЯЗИ С ПРОДУКЦИЕЙ NUMONYX. НАСТОЯЩИМ ДОКУМЕНТОМ НЕ ПРЕДОСТАВЛЯЕТСЯ НИКАКИХ ЛИЦЕНЗИЙ, ЯВНЫХ ИЛИ ПОДРАЗУМЕВАЕМЫХ, ЭСТОППЕЛЕМ ИЛИ ИНЫМ ОБРАЗОМ, НА ЛЮБЫЕ ПРАВА ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ. ЗА ИСКЛЮЧЕНИЕМ УСЛОВИЙ ПРОДАЖИ ТАКИХ ПРОДУКТОВ NUMONYX, NUMONYX НЕ НЕСЕТ НИКАКОЙ ОТВЕТСТВЕННОСТИ, И NUMONYX ОТКАЗЫВАЕТСЯ ОТ ЛЮБЫХ ЯВНЫХ ИЛИ ПОДРАЗУМЕВАЕМЫХ ГАРАНТИЙ, ОТНОСЯЩИХСЯ К ПРОДАЖЕ И/ИЛИ ИСПОЛЬЗОВАНИЮ ПРОДУКТОВ NUMONYX, ВКЛЮЧАЯ С УЧЕТОМ ОТВЕТСТВЕННОСТИ ИЛИ ГАРАНТИЙ, КАСАЮЩИХСЯ ПРИГОДНОСТИ ДЛЯ КОНКРЕТНАЯ ЦЕЛЬ, КОММЕРЧЕСКАЯ ПРИГОДНОСТЬ ИЛИ НАРУШЕНИЕ КАКИХ-ЛИБО ПАТЕНТОВ, АВТОРСКИХ ПРАВ ИЛИ ДРУГИХ ПРАВ ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ.

Продукция Numonyx не предназначена для использования в медицинских, спасательных и поддерживающих жизнь системах, критически важных системах управления или безопасности, а также в ядерных установках.

Numonyx может вносить изменения в спецификации и описания продуктов в любое время без предварительного уведомления. Numonyx, B.V. может иметь патенты или заявки на патенты, товарные знаки, авторские права или другие права на интеллектуальную собственность, относящиеся к представленному предмету. Предоставление документов и других материалов и информации не дает никакой лицензии, явной или подразумеваемой,
на основании судебного запрета или иным образом на любые такие патенты, товарные знаки, авторские права или другие права на интеллектуальную собственность. Разработчики не должны полагаться на отсутствие или характеристики каких-либо функций или инструкций, помеченных как «зарезервированные» или «неопределенные». Numonyx резервирует их для определения в будущем и не несет никакой ответственности за конфликты или несовместимости, возникающие в результате их будущих изменений.

alexxlab