Транзистор КТ973 — DataSheet

Цоколевка транзистора КТ973

 

Параметры транзистора КТ973

Параметр	Обозначение	Маркировка	Условия	Значение	Ед. изм.
Аналог		КТ973А		BD876, 2SB1257 *3, BSP61 *3, 2SA1258 *3, 2SA1259 *3
		КТ973Б		BD466B, BSP60 *3, SDM3203 *3
Структура			—	p-n-p
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора	PK max,P*K, τ max,P**K, и max	КТ973А	—	8*	Вт
		КТ973Б	—	8*
		КТ973В	—	8*
		КТ973Г	—	8*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером	fгр, f*h31б, f**h31э, f***max	КТ973А	—	≥200	МГц
		КТ973Б	—	≥200
		КТ973В	—	≥200
		КТ973Г	—	≥200
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера	UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб.	КТ973А	1к	60*	В
		КТ973Б	1к	45*
		КТ973В	1к	60*
		КТ973Г	1к	60*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора	UЭБО проб.,	КТ973А	—	5	В
		КТ973Б	—	5
		КТ973В	—	5
		КТ973Г	—	5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора	IK max, I*К , и max	КТ973А	—	4*	А
		КТ973Б	—	4*
		КТ973В	—	2
		КТ973Г	—	2
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера	IКБО, I *КЭR, I**КЭO	КТ973А	60 В	≤1*	мА
		КТ973Б	45 В	≤1*
		КТ973В	60 В	≤1*
		КТ973Г	60 В	≤1*
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером	h21э,  h*21Э	КТ973А	3 В; 1 А	≥750*
		КТ973Б	3 В; 1 А	≥750*
		КТ973В	3 В; 1 А	750…5000
		КТ973Г	3 В; 1 А	750…5000
Емкость коллекторного перехода	cк,  с*12э	КТ973А	—	≤3	пФ
		КТ973Б	—	≤3
		КТ973В	—	≤3
		КТ973Г	—	≤2
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером	rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р.	КТ973А	—	—	Ом, дБ
		КТ973Б	—	—
		КТ973В	—	—
		КТ973Г	—	—
Коэффициент шума транзистора	Кш, r*b, P**вых	КТ973А	—	—	Дб, Ом, Вт
		КТ973Б	—	—
		КТ973В	—	—
		КТ973Г	—	—
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте	τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс)	КТ973А	—	≤200*	пс
		КТ973Б	—	≤200*
		КТ973В	—	≤200*
		КТ973Г	—	≤200*

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Транзистор КТ973: КТ973А, КТ973Б

Поиск по сайту

Транзистор КТ973 :КТ973А, КТ973Б — усилительный, эпитаксиально-планарный, структуры p-n-p, кремниевый. Применение — выходные каскады систем автоматики. Имеет жёсткие выводы и пластмассовый корпус. На корпусе указывается тип прибора. Масса транзистора КТ973 (КТ973А, КТ973Б) — не более 1 г. Электрические параметры транзисторов КТ973: КТ973А, КТ973Б • Коэффициент передачи тока (статический). Схема с общим эмиттером при Uкб = 3 В, Iэ = 1 А, не менее   Т = +25°C 750   Т = +85°C 900   Т = −45°C 500 • Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте при Uкэ = 10 В, Iк = 1 А, f = 100 МГц, не менее 2 • Напряжение насыщения К-Э при Iк = 500 мА, Iб = 50 мА, не более 1.5 В • Напряжение насыщения база — эмиттер при Iк = 500 мА, Iб = 50 мА, не более   2.5 В • Время рассасывания при Iк = 500 мА, Iб = 50 мА, не более 200 нс • Ток К-Э (обратный) при U кэr = Uкэr, макс, Rбэ = 1 кОм, не более:   Т = −45…+25°C 1 мА   Т = +85°C 10 мА Предельные эксплуатационные характеристики транзистора КТ973 • Напряжение К-Б (постоянное):   КТ973А 60 В   КТ973Б 45 В • Напряжение К-Э (постоянное) при Rбэ ≤ 1 КОм:   КТ973А 60 В   КТ973Б 45 В • Постоянное напряжение Б-Э 5 В • Ток коллектора (постоянный) 4 А • Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Тк = −45…+25°C 8 Вт • Температура p-n перехода транзисторов КТ973 (КТ973А, КТ973Б)    +150°C • Тепловое сопротивление переход — корпус 15.6°C/Вт • Рабочая температура (окружающей среды): −45°C…Тк=+85°C При Тк = +25…+85°C Pк. макс транзисторов КТ973 (КТ973А, КТ973Б) рассчитывается по формуле Pк. макс, Вт = (150 − Тк) / 15,6.

Транзисторы КТ827 и КТ973 — маркировка, цоколевка, основные параметры.

Транзисторы КТ973

Транзисторы КТ973 — мощные, высокочастотные, кремниевые, составные, структура — p-n-p. Корпус пластиковый TO-126.
Маркировка либо буквенно — цифровая, либо — кодированная, на лицевой части корпуса. На рисунке ниже — цоколевка и маркировка КТ973.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока — свыше 750.

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер:
У транзисторов КТ973А — — 60в.
У транзисторов КТ973Б — — 45в.

Коэффициент передачи тока — от 750.

Максимальный постоянный ток коллектора — 4 А.

Обратный ток колектора при напряжении коллектор-эмиттер 60 в:
У транзисторов КТ973А, КТ973В — 1 мА, при температуре окружающей среды + 25 по Цельсию.
У транзисторов КТ973Б при напряжении коллектор-эмиттер 45в — 1 мА, при температуре окружающей среды + 25 по Цельсию.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 500мА, базы 50мА — не более 1,5в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 500мА, базы 50мА — не более 2,5в.

Рассеиваемая мощность коллектора — 8 Вт(на радиаторе).

Граничная частота передачи тока — — 200 МГц.

Транзистор комплементарный КТ973 — КТ972.

Зарубежный аналог КТ973 — BD876.

На главную страницу
В начало

Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».

Параметры транзистора КТ973. Datasheet. Цоколевка и аналоги.

Параметры транзистора КТ973. Datasheet. Цоколевка и аналоги.

КТ973 — кремниевый биполярный составной (Дарлингтона) n-p-n транзистор в пластмассовом корпусе TO-126

Назначение: КТ973 предназначен для применения в переключающих устройствах, в выходных каскадах систем автоматики

Типы: КТ973А, КТ973Б

Аналог КТ973: BD682, MJE271

Комплементарная пара: составной npn транзистор КТ972

Цоколевка КТ973 : Э-К-Б,см. рисунок

Производители: Интеграл (Беларусь), Кремний-Маркетинг (Брянск)

Цена КТ973 : вывести цену (прямой запрос в интернет-магазины)

Datasheet: (подробные характеристики с графиками зависимостей параметров)

Основные параметры транзисторов КТ973 :
Параметр	Режим измерения	Min (минимальное значение параметра)	Max (максимальное значение параметра)
Статический коэффициент передачи тока КТ973	Uкэ=3B, Iк=1A	750	900
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер КТ973	Iк=500мА, Iб=50мA		1.5В
Напряжение насыщения база-эмиттер КТ973	Iк=500A, Iб=50мA		2.5В
Предельные параметры транзисторов КТ973 :
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер КТ973 А КТ973 Б	Rэб≤ 1кОм		60В 45В
Напряжение эмиттер-база (обратное)			5В
Постоянный ток коллектора КТ973			4А
Импульсный ток коллектора
Постоянный ток базы
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора	Тк ≤ 25 °С		8Вт

Подробные характеристики КТ973 и графики зависимостей параметров приведены в справочнике мощных транзисторов

Транзисторы КТ645, КТ646 — параметры,цоколевка.

Транзисторы КТ646А, КТ646Б, КТ646В.

Транзисторы КТ646 — кремниевые, высокочастотные, быстродействующие структуры n-p-n .
В настоящее время эти транзисторы производятся на белорусском предприятии «Интеграл», а также в ЗАО»Кремний-Маркетинг»(Брянск).
Корпус пластиковый TO-126.

Наиболее важные параметры.

Постоянная рассеиваемая мощность(Рк т max ) — 1 Вт без радиатора,2,5 Вт — с радиатором.

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер(постоянное):
У транзисторов КТ646А — 50 в.
У транзисторов КТ646Б — 40 в.
У транзисторов КТ646В — 40 в.

Максимальное напряжение коллектор — база(постоянное):
У транзисторов КТ646А — 60 в.
У транзисторов КТ646Б — 40 в.
У транзисторов КТ646В — 40 в.

Максимальное напряжение эмиттер-база (постоянное):
У всех транзисторов КТ646 — 4 в.

Максимальный постоянный ток коллектора — 1А, импульсный — 1,2А.

Коэффициент передачи тока в схеме с «общим эмиттером» :
У транзисторов КТ646А — от 40 до 200.
У транзисторов КТ646Б — свыше 150.
У транзисторов КТ646В -от 150 до 340.

Обратный ток коллектор-база при температуре 20 градусов по Цельсию:
У транзисторов КТ646А при напряжении коллектор-база 60в — не более 10мкА.
У транзисторов КТ646Б при напряжении коллектор-база 40в — не более 10мкА.
У транзисторов КТ646В при напряжении коллектор-база 35в — не более 0,05мкА..

Граничная частота передачи тока( fh31э ) — 250 мГц.

Напряжение насыщения коллектор — эмиттер: У транзисторов КТ646А при токе колектора 500 мА и токе базы 50 мА — не более 0,85 в.
У транзисторов КТ646Б при токе колектора 200 мА и токе базы 20 мА — не более 0,25 в.
У транзисторов КТ645Б при токе колектора 500 мА и токе базы 50 мА — не более 0,25 в.

Напряжение насыщения база — эмиттер — при токе колектора 500 мА и токе базы 50 мА — не более 1,2 в.

Аналоги КТ646.

Транзисторы КТ646А, КТ646Б были разработаны на основе импортных 2SC495 и 2SC496, соответственно.
Аналоги получились не полные, но ближайшими их вполне назвать можно.

На главную страницу