Site Loader

Транзистор КТ973 — DataSheet

Цоколевка транзистора КТ973Цоколевка транзистора КТ973

 

Параметры транзистора КТ973
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ973А BD876, 2SB1257 *3, BSP61 *3, 2SA1258 *3, 2SA1259 *3
КТ973Б BD466B, BSP60 *3, SDM3203 *3
Структура  — p-n-p
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ973А
8* Вт
КТ973Б 8*
КТ973В 8*
КТ973Г 8*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h31б, f**h31э, f***max КТ973А ≥200 МГц
КТ973Б ≥200
КТ973В ≥200
КТ973Г ≥200
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера
UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ973А 60* В
КТ973Б 45*
КТ973В 60*
КТ973Г 60*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ973А 5 В
КТ973Б 5
КТ973В
5
КТ973Г 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ973А 4* А
КТ973Б 4*
КТ973В 2
КТ973Г 2
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ973А
60 В ≤1* мА
КТ973Б 45 В ≤1*
КТ973В 60 В ≤1*
КТ973Г 60 В ≤1*
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ973А 3 В; 1 А ≥750*
КТ973Б 3 В; 1 А ≥750*
КТ973В 3 В; 1 А 750…5000
КТ973Г 3 В; 1 А
750…5000
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ973А ≤3 пФ
КТ973Б ≤3
КТ973В ≤3
КТ973Г ≤2
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ973А Ом, дБ
КТ973Б
КТ973В
КТ973Г
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ973А Дб, Ом, Вт
КТ973Б
КТ973В
КТ973Г
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ973А ≤200* пс
КТ973Б
≤200*
КТ973В ≤200*
КТ973Г ≤200*

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Транзистор КТ973: КТ973А, КТ973Б

Поиск по сайту


Транзистор КТ973 :КТ973А, КТ973Б — усилительный, эпитаксиально-планарный, структуры p-n-p, кремниевый. Применение — выходные каскады систем автоматики. Имеет жёсткие выводы и пластмассовый корпус. На корпусе указывается тип прибора. Масса транзистора КТ973 (КТ973А, КТ973Б) — не более 1 г.


Электрические параметры транзисторов КТ973: КТ973А, КТ973Б

• Коэффициент передачи тока (статический). Схема с общим эмиттером
при Uкб = 3 В, Iэ = 1 А, не менее
  Т = +25°C 750
  Т = +85°C 900
  Т = −45°C 500
• Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте
при Uкэ = 10 В, Iк = 1 А, f = 100 МГц, не менее
2
• Напряжение насыщения К-Э при Iк = 500 мА, Iб = 50 мА, не более 1.5 В
• Напряжение насыщения база — эмиттер при Iк = 500 мА, Iб = 50 мА, не более   2.5 В
• Время рассасывания при Iк = 500 мА, Iб = 50 мА, не более 200 нс
• Ток К-Э (обратный) при Uкэr = Uкэr, макс, Rбэ = 1 кОм, не более:
  Т = −45…+25°C 1 мА
  Т = +85°C 10 мА

Предельные эксплуатационные характеристики транзистора КТ973

• Напряжение К-Б (постоянное):
  КТ973А 60 В
  КТ973Б 45 В
• Напряжение К-Э (постоянное) при Rбэ ≤ 1 КОм:
  КТ973А 60 В
  КТ973Б 45 В
• Постоянное напряжение Б-Э 5 В
• Ток коллектора (постоянный) 4 А
• Постоянная рассеиваемая мощность коллектора
при Тк = −45…+25°C
8 Вт
• Температура p-n перехода транзисторов КТ973 (КТ973А, КТ973Б)    +150°C
• Тепловое сопротивление переход — корпус 15.6°C/Вт
• Рабочая температура (окружающей среды): −45°C…Тк=+85°C

При Тк = +25…+85°C Pк. макс транзисторов КТ973 (КТ973А, КТ973Б) рассчитывается по формуле
Pк. макс, Вт = (150 − Тк) / 15,6.



Транзисторы КТ827 и КТ973 — маркировка, цоколевка, основные параметры.

Транзисторы КТ973

Транзисторы КТ973 — мощные, высокочастотные, кремниевые, составные, структура — p-n-p. Корпус пластиковый TO-126.
Маркировка либо буквенно — цифровая, либо — кодированная, на лицевой части корпуса. На рисунке ниже — цоколевка и маркировка КТ973.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока — свыше 750.

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер:
У транзисторов КТ973А — — 60в.
У транзисторов КТ973Б — — 45в.

Коэффициент передачи тока — от 750.

Максимальный постоянный ток коллектора4 А.

Обратный ток колектора при напряжении коллектор-эмиттер 60 в:
У транзисторов КТ973А, КТ973В — 1 мА, при температуре окружающей среды + 25 по Цельсию.
У транзисторов КТ973Б при напряжении коллектор-эмиттер 45в — 1 мА, при температуре окружающей среды + 25 по Цельсию.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 500мА, базы 50мА — не более

1,5в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 500мА, базы 50мА — не более 2,5в.

Рассеиваемая мощность коллектора8 Вт(на радиаторе).

Граничная частота передачи тока — — 200 МГц.

Транзистор комплементарный КТ973 — КТ972.

Зарубежный аналог КТ973 — BD876.


На главную страницу
В начало

Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».

Параметры транзистора КТ973. Datasheet. Цоколевка и аналоги.

Параметры транзистора КТ973. Datasheet. Цоколевка и аналоги.

КТ973 — кремниевый биполярный составной (Дарлингтона) n-p-n транзистор в пластмассовом корпусе TO-126

Назначение: КТ973 предназначен для применения в переключающих устройствах, в выходных каскадах систем автоматики

Типы: КТ973А, КТ973Б

Аналог КТ973: BD682, MJE271

Комплементарная пара: составной npn транзистор КТ972

Цоколевка КТ973 : Э-К-Б,см. рисунок

Производители: Интеграл (Беларусь), Кремний-Маркетинг (Брянск)

Цена КТ973 : вывести цену (прямой запрос в интернет-магазины)

Datasheet: (подробные характеристики с графиками зависимостей параметров)


Основные параметры транзисторов КТ973 :
Параметр Режим измерения Min (минимальное значение параметра) Max (максимальное значение параметра)
Статический коэффициент передачи тока КТ973 Uкэ=3B, Iк=1A 750 900
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер КТ973
Iк=500мА, Iб=50мA   1.5В
Напряжение насыщения база-эмиттер КТ973 Iк=500A, Iб=50мA   2.5В
Предельные параметры транзисторов КТ973 :
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер
КТ973 А
КТ973 Б
Rэб≤ 1кОм   60В
45В
Напряжение эмиттер-база (обратное)    
Постоянный ток коллектора КТ973    
Импульсный ток коллектора      
Постоянный ток базы      
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора Тк ≤ 25 °С   8Вт

Подробные характеристики КТ973 и графики зависимостей параметров приведены в справочнике мощных транзисторов

Транзисторы КТ645, КТ646 — параметры,цоколевка.

Транзисторы КТ646А, КТ646Б, КТ646В.


Транзисторы КТ646 — кремниевые, высокочастотные, быстродействующие структуры n-p-n .
В настоящее время эти транзисторы производятся на белорусском предприятии «Интеграл», а также в ЗАО»Кремний-Маркетинг»(Брянск).
Корпус пластиковый TO-126.

Наиболее важные параметры.

Постоянная рассеиваемая мощность(Рк т max ) 1 Вт без радиатора,2,5 Вт — с радиатором.

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер(постоянное):
У транзисторов КТ646А — 50 в.
У транзисторов КТ646Б — 40 в.
У транзисторов КТ646В — 40 в.

Максимальное напряжение коллектор — база(постоянное):
У транзисторов КТ646А — 60 в.
У транзисторов КТ646Б — 40 в.
У транзисторов КТ646В — 40 в.

Максимальное напряжение эмиттер-база (постоянное):
У всех транзисторов КТ646 — 4 в.

Максимальный постоянный ток коллектора 1А, импульсный — 1,2А.

Коэффициент передачи тока в схеме с «общим эмиттером» :
У транзисторов КТ646А — от 40 до 200.
У транзисторов КТ646Б — свыше 150.
У транзисторов КТ646В -от 150 до 340.

Обратный ток коллектор-база при температуре 20 градусов по Цельсию:
У транзисторов КТ646А при напряжении коллектор-база 60в — не более 10мкА.
У транзисторов КТ646Б при напряжении коллектор-база 40в — не более 10мкА.
У транзисторов КТ646В при напряжении коллектор-база 35в — не более 0,05мкА..

Граничная частота передачи тока( fh31э )250 мГц.

Напряжение насыщения коллектор — эмиттер: У транзисторов КТ646А при токе колектора 500 мА и токе базы 50 мА — не более 0,85 в.
У транзисторов КТ646Б при токе колектора 200 мА и токе базы 20 мА — не более 0,25 в.
У транзисторов КТ645Б при токе колектора 500 мА и токе базы 50 мА — не более 0,25 в.

Напряжение насыщения база — эмиттер — при токе колектора 500 мА и токе базы 50 мА — не более 1,2 в.

Аналоги КТ646.

Транзисторы КТ646А, КТ646Б были разработаны на основе импортных 2SC495 и 2SC496, соответственно.
Аналоги получились не полные, но ближайшими их вполне назвать можно.


На главную страницу

alexxlab

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *