Site Loader
Posted on 22.11.1984

Содержание

Транзистор типа: КТ815А, КТ815Б, КТ815В, КТ815Г

Транзисторы кремниевые меза-эпитаксиально-планарные n-p-n универсальные низкочастотные мощные: КТ815А, КТ815Б, КТ815В, КТ815Г. Предназначены для работы в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных схемах. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.

Масса транзистора КТ815А, КТ815Б, КТ815В, КТ815Г не более 1 гр.

Чертёж транзистора КТ815А, КТ815Б, КТ815В, КТ815Г

Электрические параметры.

Граничное напряжение при IЭ=50 мА, τи=300 мкс, Q≥100, не менее
КТ815А 25 В
КТ815Б 40 В
КТ815В 60 В
КТ815Г 80 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при I
К=0,5 А, IБ=0,05 А, не более		 0,6 В
Напряжение насыщения база-эмиттер при IК=0,5 А, IБ=0,05 А, не более 1,2 В
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при UКЭ=2 В, IК=0,15 А, не менее
при Т=24,85°С
КТ815А, КТ815Б, КТ815В 40
КТ815Г 30
при Т=-40,15°С
КТ815А, КТ815Б, КТ815В 30
КТ815Г
20
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при UКЭ=5 В, IЭ=0,03 А, не менее 3 МГц
Ёмкость коллекторного перехода при UКЭ=5 В, ƒ=465 кГц, не более 60 пФ
Ёмкость эмиттерного перехода при UЭБ=0,5 В, не более 75 пФ
Входное сопротивление в режиме малого сигнала при UКЭ=5 В, IК=5 мА, ƒ=800 Гц, не менее 800 Ом
Обратный ток коллектора при UКБ=40 В, не более
при Т
к=233÷298 К		 50 мкА
при Тк=99,85°С 1000 мкА

Предельные эксплуатационные данные.

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при RБЭ≤100 Ом, Тк=233÷373 К
КТ815А 40 В
КТ815Б 50 В
КТ815В 70 В
КТ815Г 100 В
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер
КТ815А 25 В
КТ815Б 40 В
КТ815В 60 В
КТ815Г 80 В
Постоянное напряжение база-эмиттер при Тк=213÷373 К 5 В
Постоянный ток коллектора при Тк=233÷373 К 1,5 А
Импульсный ток коллектора при τи≤10 мс, Q≥100, Тк=233÷373 К 3 А
Постоянный ток базы при Тк=233÷373 К
0,5 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора
с теплоотводом при Тк=233÷298 К 10 Вт
без теплоотвода при Тк=233÷298 К 1 Вт
Температура перехода КТ815Г, КТ815А, КТ815Б, КТ815В 124,85°С
Температура окружающей среды От -40,15 до Тк=99,85°С

Примечания. 1. Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода при Т

к=298÷373 К снижается линейно на 0,01 Вт через 1 К.

2. Пайку выводов транзисторов КТ815Г, КТ815А, КТ815Б, КТ815В разрешается производить на расстоянии не менее 5 мм от корпуса. Разрешается производить пайку путём погружения выводов не более чем на 2 с в расплавленный припой с температурой не выше 249,85°С.

Изгиб выводов допускается на расстоянии не менее 5 мм от корпуса транзистора с радиусом закругления 1,5-2 мм, при этом должны приниматься меры, исключающие возможность передачи усилий на корпус. Изгиб в плоскости выводов не допускается.

Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора.

Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора.

1. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора. 2. Зависимость максимально допустимой мощности рассеивания коллектора от температуры корпуса.

1. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора. 2. Зависимость максимально допустимой мощности рассеивания коллектора от температуры корпуса.


Кт815 технические характеристики схема включения

Содержание

  1. КТ815 цоколевка
  2. КТ815 параметры сходные для всех модификаций
  3. Маркировка транзисторов КТ815
  4. Зарубежные прототипы
  5. Транзисторы П213
  6. Наиболее важные параметры.
  7. Цветомузыкальная приставка на П213.
  8. Транзисторы КТ815
  9. Наиболее важные параметры.
  10. Транзисторы – купить. или найти бесплатно.
  11. Техническая документация к электронным компонентам на русском языке.

Биполярный транзистор КТ815 часто использовался в советской бытовой технике выпуска 80-х годов прошлого века. Он был предназначен для работы как в ключевых так и в линейных схемах.
У транзистора КТ815 параметры читаются уже в названии:

  • К – кремниевый;
  • Т – транзистор;
  • 8 – мощный, среднечастотный;
  • 15 – номер разработки;
  • А, Б, В, Г – буква определяющая максимальное обратное напряжение.

КТ815 является транзистором с n-p-n структурой. Существует комплементарный транзистор с p-n-p структурой – КТ814, на КТ815 и КТ814 часто строились схемы комплементарного эмиттерного повторителя.

КТ815 цоколевка

КТ815 изготавливался в корпусах для объемного монтажа КТ-27 (по зарубежной классификации ТО-126):

Сейчас также изготавливают КТ815А9, КТ815Б9, КТ815В9, КТ815Г9 в корпусах для поверхностного монтажа КТ-89 (по зарубежной классификации DPAK):

КТ815 параметры сходные для всех модификаций

Таблица с предельно допустимыми электрическими режимами:

ПараметрыОбозначениеЗначение
Напряжение эмиттер — базаUэб max5 В
Постоянный ток коллектораIк max1,5 А
Импульсный ток коллектораIк max3 А
Максимально допустимый постоянный ток базыIб max0,5 А
Рассеиваемая мощность коллектораPк max10 Вт
Температура переходаTпер150 °C

Основные электрические параметры КТ815 при Токр. среды = 25°С

ПаpаметpыОбозначениеРежимы измеpенияMinMaхЕд.измеp
Обратный ток коллектораIкбоUкэ=50 В (А,Б), Uкэ=65 В (В,Г)50мкА
Обратный ток коллектор-эмиттерIкэоRэб ≤ 100 Ом, Uкэ=50 В (А,Б), Uкэ=65 В (В,Г)100мкА
Статический коэффициент передачи токаh31эUкб=2 В, Iэ=0,15 А40,30(Г)275
Напряжение насыщения коллектор-эмиттерUкэ насIк=0,5 А, Iб=50 мА0,6В

Напряжение коллектор — эмиттер Uкэ max (Rэб ≤ 100 Ом)

  • КТ815А, КТ815А9 — 40 В
  • КТ815Б, КТ815Б9 — 50 В
  • КТ815В, КТ815В9 — 70 В
  • КТ815Г, КТ815Г9 — 100 В

Граничное напряжение коллектор — эмиттер Uкэо гр. (Iэ = 50 мА, tи = 0,3-1 мс)

  • КТ815А, КТ815А9 — 30 В
  • КТ815Б, КТ815Б9 — 45 В
  • КТ815В, КТ815В9 — 65 В
  • КТ815Г, КТ815Г9 — 85 В

Маркировка транзисторов КТ815

Первоначально на транзисторы наносилась полная маркировка типа (например КТ815Г), месяц и год выпуска. В дальнейшем оставили только цифру и буквы, например для КТ815Г — 5Г.

Зарубежные прототипы

  • КТ815Б — BD135
  • КТ815В — BD137
  • КТ815Г — BD139

14 thoughts on “ КТ815 параметры ”

Мощным данный транзистор назвать нельзя, не смотря на 8-ку в маркировке. Он ближе к средней мощности, а в мощных схемах используется как предварительный для 819-х и выше. Как основной недостаток, я бы выделил разброс коэффициента усиления, а в некоторых схемах это важно. Почему то не приведена граничная частота, а она тоже не очень высокая. Одним словом — обычный, среднепараметризованный транзистор для бытового использования. Да, еще там начальная нелинейность подзатянута, не для всех классов усиления хороши.

Граничная частота КТ815 для схемы с общим эмиттером составляет 3 МГц.
p. s. Как и всех отечественных «чисто гражданских» транзисторов разброс параметров КТ815 очень большой.

Предполагаю, что гражданскими транзисторами «КТ» являлась отбраковка военных транзисторов «2Т». Протестировали кристаллы, те что получше — в металл, похуже в пластик.
Именно из-за такого разброса на заводах была даже такая профессия «регулировщик».

Зарубежные транзисторы тоже разные бывают. Заказывал у китайцев на Алиэкспресс BD139 и BD140, фактически аналоги КТ814 и КТ815. Замучился в пары подбирать по h31э. Чтобы можно было говорить о высокой повторяемости параметров, нужно покупать у западных поставщиков. Но я посмотрел розничные цены на BD139 и BD140 на Mouser Eletronics и мне с них поплохело. За рубежом точно так же для бытовухи транзисторы делаются в Китае, для военных и промышленных нужд в Европе и США. Первые как бог на душу положит, вторые строго по технологии и с тщательным выходным контролем. И в бытовую электронику вторые не попадут никогда, потому как нерентабельно.

На алиэкспрессе можно и на перемаркированные детали попасть. Я покупаю только если есть положительные отзывы. Думаю цены на BD139 и BD140 такие потому что раритет. Если в схеме нужны биполярные на небольшую мощность, я ставлю что-то из серии BCP51 — BCP56.
И в Китае делают хорошую продукцию, но только под контролем американских, европейский, японских или южнокорейских фирм

Контролировать работу необходимо, причем не только китайских, но и всех узко… вы понимаете. А делать это сейчас очень и очень несложно, не выходя из, скажем AMD-шного офиса, находящегося в Германии почему-то. Все линии автоматизированы, все данные поступают на сервер и могут контролироваться в реальном режиме времени из любой точки мира. К нему-же и видео наблюдение подстегнуто. Смотришь, пошел курить опий, берешь микрофон и, на доступном японамамском, вежливо просишь вернуться назад. Загранкомандировки технологам оплачивать не нужно.

Возможно, что и перемаркировка. Но, когда только сделал характериограф, из любопытства тыкал в него все что под руку попадалось, в том числе и транзисторы с распая корейской аудио-видео аппаратуры. Транзисторы из одного раскуроченного музыкального центра LG имеют близкие параметры, а те же транзисторы из другого МЦ сделанного годом-двумя раньше отличаются от них как небо и земля. Транзисторы из одной партии похожи друг на друга, а вот когда они из разных партий, тут уже возможны варианты…

Старый, добрый КТ815, именно на нём делал свои первые самоделки, они встречались практически во всей советской аппаратуре. Даже сейчас, если порыться в хламе, штук 10-15 выпаять можно.

Транзистор удобен в практике. Их много почти у каждого в загашнике. Относительно не большой, и мощный, не дорогой. Разной проводимости КТ814 (p-n-p) и КТ815 (n-p-n).

По характеристикам указана предельная температура 150 °C, но на практике сталкивался с выходом из строя в блоках питания КТ815 уже при температуре близкой к 100 °C, возникала холостая проводимость между К-Э. При перегревах выходных каскадов на КТ815 и КТ814 в УМЗЧ иногда происходили необратимые изменения ВАХ, но усилитель продолжал дальше работать с незначительными искажениями. Часто использовал такие транзисторы в схемах стабилизации частоты вращения моторчиков на старых магнитолах, и в коммутации к радиоуправляемым моделям.

Не нашел значения тепловых сопротивлений кристалл — корпус и корпус — охладитель для КТ815, вот для КТ644 (тоже биполярный и в том же корпусе КТ-27): тепловое сопротивление p-n переход – корпус RТп-к = 10°C/Вт, у полевых КП743 в том же корпусе RТп-к = 3,75°C/Вт. Плюс нужно учитывать тепловое сопротивление корпус — охладитель.
Допустим что суммарное тепловое сопротивление кристалл — охладитель 10°C/Вт. Тогда если транзистор будет рассеивать хотя бы 5Вт (а КТ815 может рассеивать до 10Вт), то при температуре охладителя 100°C, температура перехода будет уже 150 °C и кристалл транзистора выйдет из строя.

С этим температурным сопротивлением переход — корпус и корпус очень тонкий момент, вроде транзистор и может рассеивать большую мощность, но пока его не охлаждаешь жидким азотом, то и не может.

Кстати часто такие ошибки в курсовых проектах и даже дипломах встречаются, преподаватели обычно не вникают во всё, а вот на защите может и попасться на глаза.

А ведь действительно подмечено… 35 лет учись, а дураком помрешь! Спасибо, admin подсказал-уточнил. Специально начал ворошить паспорта старых документов и тю-тю такого параметра. Но, в принципе, интересно только теоретически. Практически не встречал охладителей до температуры кипения. Да и не процессоры они, чтоб им водяное охлаждение ставить… там уже тоже отказались от такой идеи.
А шли 515 как стандартные среднемощные, на пару-тройку ватт. Без нечего или маленькой пластинкой радиатора — 2X3 максимум.

У многих транзисторов есть как при постоянной и так при импульсной работе предельные параметры. Как мощность или ток коллекторы. Объясните при какой частоте или скважности, можно понять что наступил импульсный режим, Если переходный какой то интервал этих параметров. т.е. предельные параметры выше чем при постоянной работе но ниже чем в импульсном режиме.

Транзистор КТ 815 выполнен в пластмассовом корпусе и имеет жесткие выводы. Параметры КТ 815 транзистора.

Транзисторы П213

Т ранзисторы П213 – германиевые, мощные, низкочастотные, структуры – p-n-p.
Корпус металло-стекляный.
Маркировка буквенно – цифровая, сверху корпуса. На рисунке ниже – цоколевка П213.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока.
У транзистора П213 без буквы – от 20 до 50
У транзистора П213А – 20
У транзистора П213Б – 40

Граничная частота передачи тока – от 100 до 150 КГц.

Максимальное напряжение коллектор – эмиттер – 30 в.

Максимальный ток коллектора(постоянный) – 5 А.

Обратный ток коллектора при напряжении эмиттер-коллектор 45в и температуре окружающей среды +25 по Цельсию: У транзисторов П213 0,15 мА.
У транзисторов П213А, П213Б – 1 мА.

Обратный ток коллектор-эмиттер при напряжении коллектор-эмиттер 30в и нулевом базовом токе у транзисторов П213 – 20 мА.
У транзисторов П213А, П213Б при напряжении коллектор-эмиттер 30в и сопротивлении база-эмитер 50 Ом- 10 мА.

Обратный ток эмиттера при напряжении эмиттер-база 15в и температуре +25 по Цельсию, у транзисторов П213 – 0,3 мА.
У транзисторов П213А, П213Б при напряжении эмиттер-база 10в – 0,4 мА.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при коллекторном токе 3А и базовом 0,37А
– не более 0,5 в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при коллекторном токе 3А и базовом 0,37А
– не более 0,75 в.

Рассеиваемая мощность коллектора – 11,5 Вт(на радиаторе).

Цветомузыкальная приставка на П213.

Очень несложную цветомузыкальную приставку можно собрать на трех транзистрах П213. Три раздельных усилительных каскада предназначены для усиления трех полос звуковой частоты. Каскад на транзисторе VT1 усиливает сигнал на частоте свыше 1000Гц, на транзисторе VT2 – от 1000 до 200Гц, на транзисторе VT3 – ниже 200гЦ. Разделение частот осуществляется простыми RC- фильтрами.

Входной сигнал берется с выхода акустических колонок. Его уровень регулируется с помощью потенциометра R1. Для подстройки уровня яркости каждого канала используются подстроечные резисторы R3, R5, R7.
Смещение на базах транзисторов определяется значениями резисторов R2, R4, R6. Нагрузкой каждого каскада являются две параллельно включенные лампочки (6,3 В х 0,28 А). Питается схема от блока питания с выходным напряжением 8-9 В и максимальным током свыше 2А.

Транзисторы П213 могут иметь значительный разброс по усилению тока. Поэтому, значения резисторов R2, R4, R6 необходимо подбирать для каждого каскада – индивидуально. Ток коллектора при этом настраивается на такую величину, чтобы нити накала ламп немного светились в отсутствии входного сигнала. При этом транзисторы обязательно будут греться. Стабильность работы германиевых полупроводниковых приборов очень зависит от температуры. Поэтому, необходимо установить П213 на радиаторы – площадью от 75 кв. см.

Транзисторы КТ815

Транзисторы КТ815 – кремниевые, мощные, низкочастотные, структуры – n-p-n.
Применяются в усилительных и генераторных схемах. Корпус пластмассовый, с гибкими выводами.
Масса – около 1 г. Маркировка буквенно – цифровая, на боковой поверхности корпуса, может быть двух типов.

Кодированая четырехзначная маркировка в одну строчку и некодированная – в две. Первый знак в кодированной маркировке КТ815 цифра 5, второй знак – буква, означающая класс. Два следующих знака, означают месяц и год выпуска. В некодированной маркировке месяц и год указаны в верхней строчке. На рисунке ниже – цоколевка и маркировка КТ815.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока
У транзисторов КТ815А, КТ815Б, КТ815В от 30.
У транзисторов КТ815Г – от 20.

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер:
У транзисторов КТ815А – 25 в.
У транзисторов КТ815Б – 45 в.
У транзисторов КТ815В – 60 в.
У транзисторов КТ815Г – 80 в.

Максимальный ток коллектора – 1,5 А постоянный, 3 А – импульсный.

Рассеиваемая мощность коллектора. – 10 Вт на радиаторе, 1 Вт – без.

Обратный ток колектора.
При напряжении коллектор-база 40 в – 50 мкА

Сопротивление базы. При напряжении эмиттер-база 5 в, токе коллектора 5 мА, на частоте 800 кГц – не более 800 Ом.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при коллекторном токе 0,5А и базовом 0,05А
– не более 0,6 в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при коллекторном токе 0,5А и базовом 0,05А
– не более 1,2 в.

Емкость коллекторного перехода при частоте 465 кГц и напряжении коллектор-база 5в – 60 пФ.

Граничная частота передачи тока – 3 МГц.

Транзисторы – купить. или найти бесплатно.

Где сейчас можно найти советские транзисторы?
В основном здесь два варианта – либо купить, либо – получить бесплатно, в ходе разборки старого электронного хлама.

Во время промышленного коллапса начала 90-х, образовались довольно значительные запасы некоторых электронных комплектующих. Кроме того, полностью производство отечественных электронных никогда не прекращалось и не прекращается по сей день. Это и обьясняет тот факт, что очень многие детали прошедшей эпохи, все таки – можно купить. Если же нет – всегда имеются более-менее современные импортные аналоги. Где и как проще всего купить транзисторы? Если получилось так, что поблизости от вас нет специализированного магазина, то можно попробовать приобрести необходимые детали, заказав их по почте. Сделать это можно зайдя на сайт-магазин, например -«Гулливер».

Если же у вас, имеется какая-то старая, ненужная техника – можно попытаться добыть транзисторы (и другие детали) из нее.
Транзисторы П213 можно найти радиоле Бригантина, приемнике ВЭФ Транзистор 17, приемниках Океан, Рига 101, Рига 103, Урал Авто-2. Транзисторы КТ815 в приемниках Абава РП-8330, Вега 342, магнитофонах «Азамат»(!), Весна 205-1, Вильма 204- стерео и т. д.

Использование каких – либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».

Техническая документация к электронным компонентам на русском языке.

Параметры транзистора КТ815
ПараметрОбозначениеМаркировкаУсловияЗначениеЕд. изм.
КТ815А—BD165, TIP29, 2N4921, 2N4910 *3 , DTL1651 *1 , 2SD146 *1 , 2SD236 *1
КТ815Б—BD167, MJE720, 2SC1419 *3 , BD233 *2 , BD813 *3 , BD165
КТ815В—BD169, MJE721, KD235, BD815 *3 , BD167, 2N1481 *1 , 2N1479 *3 , 2N4922 *2 , 2N4911 *3 , 2SD147 *3
КТ815Г—BD818, MJE722, 2N1482 *1 , 2N1480 *1 , BD169 *2 , 2N4923, 2N4912 *3 , DT41653 *3
Структура—n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектораPK max,P * K, τ max,P ** K, и maxКТ815А—10*Вт
КТ815Б—10*
КТ815В—10*
КТ815Г—10*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттеромfгр, f * h31б, f ** h31э, f *** maxКТ815А—≥3МГц
КТ815Б—≥3
КТ815В—≥3
КТ815Г—≥3
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттераUКБО проб. , U * КЭR проб., U ** КЭО проб.КТ815А0.1к40*В
КТ815Б0.1к50*
КТ815В0.1к70*
КТ815Г0.1к100*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектораUЭБО проб.,КТ815А—5В
КТ815Б—5
КТ815В—5
КТ815Г—5
Максимально допустимый постоянный ток коллектораIK max, I * К , и maxКТ815А—1. 5(3*)А
КТ815Б—1.5(3*)
КТ815В—1.5(3*)
КТ815Г—1.5(3*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттераIКБО, I * КЭR, I ** КЭOКТ815А40 В≤0.05мА
КТ815Б40 В≤0.05
КТ815В40 В≤0.05
КТ815Г40 В≤0.05
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттеромh21э, h * 21ЭКТ815А2 В; 0. 15 А≥40*
КТ815Б2 В; 0.15 А≥40*
КТ815В2 В; 0.15 А≥40*
КТ815Г2 В; 0.15 А≥30*
Емкость коллекторного переходаcк, с * 12эКТ815А5 В≤60пФ
КТ815Б5 В≤60
КТ815В5 В≤60
КТ815Г5 В≤60
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттеромrКЭ нас, r*БЭ нас, К ** у.р.КТ815А—≤1.2Ом, дБ
КТ815Б—≤1. 2
КТ815В—≤1.2
КТ815Г—≤1.2
Коэффициент шума транзистораКш, r * b, P ** выхКТ815А——Дб, Ом, Вт
КТ815Б——
КТ815В——
КТ815Г——
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частотеτк, t*рас, t ** выкл, t *** пк(нс)КТ815А——пс
КТ815Б——
КТ815В——
КТ815Г——

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

“>

Чем заменить транзистор кт815 – dj-sensor.ru

Содержание

  1. Характеристики КТ815
  2. КТ815 цоколевка
  3. КТ815 параметры сходные для всех модификаций
  4. Маркировка транзисторов КТ815
  5. Зарубежные прототипы

Транзистор КТ815 – очень популярный отечественный биполярный кремниевый прибор. Имеет структуру типа n — p — n , создан на основе эпитаксиально-планарной технологии. Имеет большое количество разновидностей, а также отечественных и зарубежных аналогов. Комплементарной парой этому элементу является транзистор КТ814, в паре с которым, на данных транзисторах делали схемы эмиттерного повторителя.

Наиболее популярное применение этого элемента – усилители низкой частоты. Кроме того, данный прибор часто применяется в операционных и дифференциальных усилителях и разного вида преобразователей.

Транзистор получил широкое распространение в 80-х годах 20-го века в качестве элемента большого количества бытовой техники. Название прибора может рассказать о нём минимальную необходимую информацию. Буква К означает “кремниевый”, Т – “транзистор”. Цифра 8 указывает на принадлежность к мощным приборам, предназначенным для работы на средних частотах. Цифра 15 указывает на номер разработки.

Характеристики КТ815

Ниже представлена таблица с техническими характеристиками КТ815

Биполярный транзистор КТ815 часто использовался в советской бытовой технике выпуска 80-х годов прошлого века. Он был предназначен для работы как в ключевых так и в линейных схемах.
У транзистора КТ815 параметры читаются уже в названии:

  • К – кремниевый;
  • Т – транзистор;
  • 8 – мощный, среднечастотный;
  • 15 – номер разработки;
  • А, Б, В, Г – буква определяющая максимальное обратное напряжение.

КТ815 является транзистором с n-p-n структурой. Существует комплементарный транзистор с p-n-p структурой – КТ814, на КТ815 и КТ814 часто строились схемы комплементарного эмиттерного повторителя.

КТ815 цоколевка

КТ815 изготавливался в корпусах для объемного монтажа КТ-27 (по зарубежной классификации ТО-126):

Сейчас также изготавливают КТ815А9, КТ815Б9, КТ815В9, КТ815Г9 в корпусах для поверхностного монтажа КТ-89 (по зарубежной классификации DPAK):

КТ815 параметры сходные для всех модификаций

Таблица с предельно допустимыми электрическими режимами:

ПараметрыОбозначениеЗначение
Напряжение эмиттер — базаUэб max5 В
Постоянный ток коллектораIк max1,5 А
Импульсный ток коллектораIк max3 А
Максимально допустимый постоянный ток базыIб max0,5 А
Рассеиваемая мощность коллектораPк max10 Вт
Температура переходаTпер150 °C

Основные электрические параметры КТ815 при Токр. среды = 25°С

ПаpаметpыОбозначениеРежимы измеpенияMinMaхЕд.измеp
Обратный ток коллектораIкбоUкэ=50 В (А,Б), Uкэ=65 В (В,Г)50мкА
Обратный ток коллектор-эмиттерIкэоRэб ≤ 100 Ом, Uкэ=50 В (А,Б), Uкэ=65 В (В,Г)100мкА
Статический коэффициент передачи токаh31эUкб=2 В, Iэ=0,15 А40,30(Г)275
Напряжение насыщения коллектор-эмиттерUкэ насIк=0,5 А, Iб=50 мА0,6В

Читайте также:  Что такое авто pi в магнитоле pioneer

Напряжение коллектор — эмиттер Uкэ max (Rэб ≤ 100 Ом)

  • КТ815А, КТ815А9 — 40 В
  • КТ815Б, КТ815Б9 — 50 В
  • КТ815В, КТ815В9 — 70 В
  • КТ815Г, КТ815Г9 — 100 В

Граничное напряжение коллектор — эмиттер Uкэо гр. (Iэ = 50 мА, tи = 0,3-1 мс)

  • КТ815А, КТ815А9 — 30 В
  • КТ815Б, КТ815Б9 — 45 В
  • КТ815В, КТ815В9 — 65 В
  • КТ815Г, КТ815Г9 — 85 В

Маркировка транзисторов КТ815

Первоначально на транзисторы наносилась полная маркировка типа (например КТ815Г), месяц и год выпуска. В дальнейшем оставили только цифру и буквы, например для КТ815Г — 5Г.

Зарубежные прототипы

  • КТ815Б — BD135
  • КТ815В — BD137
  • КТ815Г — BD139

15 thoughts on “ КТ815 параметры ”

Мощным данный транзистор назвать нельзя, не смотря на 8-ку в маркировке. Он ближе к средней мощности, а в мощных схемах используется как предварительный для 819-х и выше. Как основной недостаток, я бы выделил разброс коэффициента усиления, а в некоторых схемах это важно. Почему то не приведена граничная частота, а она тоже не очень высокая. Одним словом — обычный, среднепараметризованный транзистор для бытового использования. Да, еще там начальная нелинейность подзатянута, не для всех классов усиления хороши.

Граничная частота КТ815 для схемы с общим эмиттером составляет 3 МГц.
p. s. Как и всех отечественных «чисто гражданских» транзисторов разброс параметров КТ815 очень большой.

Предполагаю, что гражданскими транзисторами «КТ» являлась отбраковка военных транзисторов «2Т». Протестировали кристаллы, те что получше — в металл, похуже в пластик.
Именно из-за такого разброса на заводах была даже такая профессия «регулировщик».

Зарубежные транзисторы тоже разные бывают. Заказывал у китайцев на Алиэкспресс BD139 и BD140, фактически аналоги КТ814 и КТ815. Замучился в пары подбирать по h31э. Чтобы можно было говорить о высокой повторяемости параметров, нужно покупать у западных поставщиков. Но я посмотрел розничные цены на BD139 и BD140 на Mouser Eletronics и мне с них поплохело. За рубежом точно так же для бытовухи транзисторы делаются в Китае, для военных и промышленных нужд в Европе и США. Первые как бог на душу положит, вторые строго по технологии и с тщательным выходным контролем. И в бытовую электронику вторые не попадут никогда, потому как нерентабельно.

Читайте также:  Стих про сантехника и газовщика

На алиэкспрессе можно и на перемаркированные детали попасть. Я покупаю только если есть положительные отзывы. Думаю цены на BD139 и BD140 такие потому что раритет. Если в схеме нужны биполярные на небольшую мощность, я ставлю что-то из серии BCP51 — BCP56.
И в Китае делают хорошую продукцию, но только под контролем американских, европейский, японских или южнокорейских фирм

Контролировать работу необходимо, причем не только китайских, но и всех узко… вы понимаете. А делать это сейчас очень и очень несложно, не выходя из, скажем AMD-шного офиса, находящегося в Германии почему-то. Все линии автоматизированы, все данные поступают на сервер и могут контролироваться в реальном режиме времени из любой точки мира. К нему-же и видео наблюдение подстегнуто. Смотришь, пошел курить опий, берешь микрофон и, на доступном японамамском, вежливо просишь вернуться назад. Загранкомандировки технологам оплачивать не нужно.

Возможно, что и перемаркировка. Но, когда только сделал характериограф, из любопытства тыкал в него все что под руку попадалось, в том числе и транзисторы с распая корейской аудио-видео аппаратуры. Транзисторы из одного раскуроченного музыкального центра LG имеют близкие параметры, а те же транзисторы из другого МЦ сделанного годом-двумя раньше отличаются от них как небо и земля. Транзисторы из одной партии похожи друг на друга, а вот когда они из разных партий, тут уже возможны варианты…

Старый, добрый КТ815, именно на нём делал свои первые самоделки, они встречались практически во всей советской аппаратуре. Даже сейчас, если порыться в хламе, штук 10-15 выпаять можно.

Транзистор удобен в практике. Их много почти у каждого в загашнике. Относительно не большой, и мощный, не дорогой. Разной проводимости КТ814 (p-n-p) и КТ815 (n-p-n).

По характеристикам указана предельная температура 150 °C, но на практике сталкивался с выходом из строя в блоках питания КТ815 уже при температуре близкой к 100 °C, возникала холостая проводимость между К-Э. При перегревах выходных каскадов на КТ815 и КТ814 в УМЗЧ иногда происходили необратимые изменения ВАХ, но усилитель продолжал дальше работать с незначительными искажениями. Часто использовал такие транзисторы в схемах стабилизации частоты вращения моторчиков на старых магнитолах, и в коммутации к радиоуправляемым моделям.

Не нашел значения тепловых сопротивлений кристалл — корпус и корпус — охладитель для КТ815, вот для КТ644 (тоже биполярный и в том же корпусе КТ-27): тепловое сопротивление p-n переход – корпус RТп-к = 10°C/Вт, у полевых КП743 в том же корпусе RТп-к = 3,75°C/Вт. Плюс нужно учитывать тепловое сопротивление корпус — охладитель.
Допустим что суммарное тепловое сопротивление кристалл — охладитель 10°C/Вт. Тогда если транзистор будет рассеивать хотя бы 5Вт (а КТ815 может рассеивать до 10Вт), то при температуре охладителя 100°C, температура перехода будет уже 150 °C и кристалл транзистора выйдет из строя.

Читайте также:  Холодильник ока 6м не выключается причины

С этим температурным сопротивлением переход — корпус и корпус очень тонкий момент, вроде транзистор и может рассеивать большую мощность, но пока его не охлаждаешь жидким азотом, то и не может.

Кстати часто такие ошибки в курсовых проектах и даже дипломах встречаются, преподаватели обычно не вникают во всё, а вот на защите может и попасться на глаза.

А ведь действительно подмечено… 35 лет учись, а дураком помрешь! Спасибо, admin подсказал-уточнил. Специально начал ворошить паспорта старых документов и тю-тю такого параметра. Но, в принципе, интересно только теоретически. Практически не встречал охладителей до температуры кипения. Да и не процессоры они, чтоб им водяное охлаждение ставить… там уже тоже отказались от такой идеи.
А шли 515 как стандартные среднемощные, на пару-тройку ватт. Без нечего или маленькой пластинкой радиатора — 2X3 максимум.

У многих транзисторов есть как при постоянной и так при импульсной работе предельные параметры. Как мощность или ток коллекторы. Объясните при какой частоте или скважности, можно понять что наступил импульсный режим, Если переходный какой то интервал этих параметров. т.е. предельные параметры выше чем при постоянной работе но ниже чем в импульсном режиме.

Транзистор КТ 815 выполнен в пластмассовом корпусе и имеет жесткие выводы. Параметры КТ 815 транзистора.

Для удобства в таблице отсутствуют некоторые параметры. Развёрнутый список параметров каждого транзистора показан на странице с его описанием. Не стоит, также, забывать, что транзисторы 2Т8ххх являются аналогами транзисторов КТ8ххх, а отличаются тем, что имеют более жёсткую приёмку, однако параметры для обоих типов транзисторов аналогичны.

  • Автор: Мария Сухоруких

На главную страницу || Карта сайта

  1. Справочник транзисторов маломощных биполярных.

  2. Справочник транзисторов средней мощности высокочастотных, биполярных.

  3. Справочник полевых транзисторов отечественных.

  4. Справочник отечественных smd транзисторов .

  5. Каталог MOSFET транзисторов .
  6. Использование справочных данных транзисторов
    для расчета ключевой схемы с резистивной нагрузкой.
  7. Использование справочных данных транзистора
    для расчета ключевой схемы с индуктивной нагрузкой.
  • Отечественные производители транзисторов.
  • Отечественные + импортные (с сортировкой для подбора по напряжению и току)
От составителя:

В справочник по мощным транзисторам вошла как документация из изданных еще при СССР каталогов, так и информация из справочных листков и документация с сайтов производителей. Основой является таблица, где приведено наименование транзистора, аналоги, тип проводимости, тип корпуса, максимально допустимые ток и напряжения и коэффициент усиления, то есть основные параметры, по которым выбирается транзистор. Руководствуясь этой таблицей, можно значительно сузить область поиска. Если транзистор по этим данным подходит, можно просмотреть краткий справочный листок (только для распространенных приборов, например, КТ502, КТ503, КТ814, КТ815, КТ816, КТ817, КТ818, КТ819, КТ825, КТ827, КТ829, КТ837, КТ838, КТ846, КТ940, КТ961, КТ972, КТ973, КТ8101, КТ8102), где приведены только основные параметры транзисторов (которых, впрочем, достаточно для грубых расчетов), фото с цоколевкой, аналоги и производители. Для более детального изучения характеристик нужно открыть datasheet, где уже есть графики зависимостей параметров и редко требующиеся характеристики.
Фильтр параметров позволяет сформировать в справочнике списки по функциональным особенностям транзисторам

Содержание:
  1. Раздел составных транзисторов (всего 49 штук)
  2. Раздел мощных высоковольтных транзисторов (всего 64 штук)
  3. Раздел p-n-p транзисторов (всего 56 штук)
  4. Раздел n-p-n транзисторов (всего 138 штук)
Показать/скрыть краткое описание транзисторов
Всего в справочнике приведено подробное описание более 140 отечественных мощных транзисторов и более 100 их импортных аналогов.
Фильтр параметров:
n-p-n   p-n-p   Составные транзисторы   Высоковольтные  
Показать все
Типы корпусов
        
НаименованиеАналогКорпусPDFТипImax, AUmax, Вh31e max  
КТ501(А-Е)BC212TO-18pnp0,330240 КТ501 предназначен для применения в усилителях низкой частоты. Справочные данные транзистора КТ501 содержатся в даташит.
КТ502(А-Е)MPSA56TO-92

pnp0,1590240Транзистор КТ502(А-Е) в корпусе ТО-92, предназначен для применения в усилителях низкой частоты. Подробные параметры КТ502 и цоколевка приведены в даташит. Аналог КТ502 — MPSA56. Комплементарная пара КТ503.
КТ503(А-Е)2SC2240TO-92
npn0,15100240Универсальный транзистор КТ503(А-Е) в корпусе TO-92, предназначен для работы в усилителях НЧ. Подробные характеристики, графики зависимостей параметров и цоколевка КТ503 приведены в datasheet. Аналог КТ503 — 2SC2240. Комплементарная пара (транзистор обратной проводимости с близкими параметрами) — КТ502.
КТ504(А,Б,В)BSS73TO-39npn1350100 КТ504(А-В) в металлическом корпусе, для применения в преобразователях. Цоколевка и характеристики КТ504 содержатся в datasheet. Импортный аналог КТ504 — BSS73.
KТ505(А,Б)BSS76TO-39pnp1300100 КТ505(А,Б) в металлическом корпусе предназначен для применения в источниках вторичного электропитания (ИВЭП). Параметры и характеристики приведены в справочном листке.
КТ506(А,Б)BUX54TO-39npn280030 КТ506А и КТ506Б для  переключающих устройств. Импортным аналогом КТ506 является BUX54.
2Т509АTO-39pnp0,0245060 2Т509 для высоковольтных стабилизаторов напряжения.
КТ520(А,Б)MPSA42TO-92
DPAK		npn0.530040Высоковольтный транзистор КТ520 используется в выходных каскадах видеоусилителей и высоковольтных переключательных схемах.
КТ521(А,Б)MPSA92TO-92pnp0.530040Высоковольтный транзистор КТ521 является комплиментарной парой для КТ520.
КТ529АTO-92pnp160250 КТ529, его параметры рассчитаны под схемы с низким напряжением насыщения. Комплементарная пара — КТ530.
КТ530АTO-92npn160250 Описание транзистора КТ530. Его характеристики аналогичны КТ529, является его комплементарной парой.
КТ538АMJE13001TO-92npn0.560090Высоковольтный КТ538 используется в высоковольтных переключательных схемах. Подробно параметры описаны в справочном листке.
КТ704(А-В)MJE18002 npn2,5500100 КТ704, предназначен для применения в импульсных высоковольтных модуляторах.
ГТ705(А-Д)  npn3,530250 ГТ705 предназначен для применения в усилителях мощности НЧ.
2Т708(А-В)2SB678TO-39pnp2,51001500составной транзистор 2Т708 предназначен для применения в усилителях и переключательных устройствах.
2Т709(А-В)BDX86TO-3pnp101002000мощный составной транзистор 2Т709 для усилителей и переключательных устройств. Подробно характеристики описаны в справочном листке.
КТ710А TO-3npn5300040 КТ710А для применения в высоковольтных стабилизаторах и переключающих устройствах.
КТ712(А,Б)BU806TO-220pnp102001000мощные составные транзисторы КТ712А и КТ712Б. Характеристики заточены для применения в источниках вторичного электропитания и стабилизаторах.
2Т713А  TO-3npn32500202Т713, параметры адаптированы для применения в высоковольтных стабилизаторах
2Т716 (А-В)2SD472HTO-3npn10100750 2Т716 для применения в усилителях и переключающих устройствах.
2Т716 (А1-В1)BDX33TO-220npn10100750составной 2Т716А1 в пластиковом корпусе. Параметры аналогичны 2Т716.
КТ719АBD139TO-126npn1,512070 КТ719А для применения в линейных и переключающих схемах. Подробные характеристики и описание КТ719 приведено в справочном листке.
КТ720АBD140 pnp1,5100
КТ721АBD237 npn1,5100BD237, импортный аналог КТ721А
КТ722АBD238 pnp1,5100Справочные данные BD238, аналога КТ722А
КТ723АMJE15028 npn10100Справочные данные MJE15028, импортного аналога КТ723
КТ724АMJE15029 pnp10100Справочные данные MJE15029, аналога КТ724А
КТ7292N3771 npn3060 Параметры 2N3771, аналога КТ729
КТ7302N3773 npn16140Характеристики 2N3773, аналога КТ730
КТ732АMJE4343TO-218npn1616015 КТ732 используется в преобразователях напряжения.
КТ733АMJE4353TO-218pnp1616015 КТ733 — Комплементарная пара для КТ732, их характеристики идентичны.
КТ738АTIP3055TO-218npn157070 КТ738 используется в усилителях и ключевых схемах.
КТ739АTIP2955TO-218pnp157070 КТ739 — Комплементарная пара для КТ738.
КТ740А,А1MJE4343TO-220
TO-218		npn2016030 КТ740 предназначен для применения в регуляторах и преобразователях напряжения. Импортный аналог КТ740 — MJE4343
КТ805(А-ВМ)KSD363
BD243		TO-220

npn516015 КТ805АМ, КТ805БМ, КТ805ВМ в корпусе ТО-220 предназначен для применения в выходных каскадах строчной развертки и переключающих устройствах. Подробные характеристики транзистора КТ805 приведены в datasheet. Транзисторы КТ805А, КТ805Б с аналогичными параметрами выпускаются в металлостеклянном корпусе. Импортные аналоги для КТ805 — транзисторы BD243 и KSD363. По характеристикам в качестве комплиментарной пары для КТ805 подходит транзистор КТ837.
КТ807(А-БМ) npn0,5100150 КТ807 для строчной и кадровой разверток, усилителей НЧ и ИВЭП (ИВЭП — источник вторичного электропитания)
КТ808(А-ГМ) TO-3 npn1013050 КТ808 для кадровой и строчной разверток
КТ812(А-В) TO-3 npn1070030 КТ812 для применения в импульсных устройствах. Цоколевка приведена в справочном листке.
КТ814(А-Г)BD140
ZTX753		TO-126
DPAK

pnp1,5 100100 Транзистор КТ814. предназначен для усилителей НЧ, импульсных устройств. Подробные характеристики КТ814 и цоколевка приведены в datasheet. Там же графики: входной характеристики, зависимости h31e от тока эмиттера, напряжения насыщения от тока коллектора и другие. Импортный аналог КТ814 — транзистор BD140. Комплементарная
пара для КТ814 (транзистор обратной проводимости с близкими характеристиками) — КТ815.
КТ815(А-Г)BD139
ZTX653		TO-126
DPAK

npn1,5100 100КТ815 является комплиментарной парой для КТ814. Транзисторы КТ815А, КТ815Б, КТ815В, КТ815 параметрами отличаются по напряжению. КТ815 предназначен для усилителей НЧ и ключевых схем. Подробные характеристики КТ815 и цоколевку см. в datasheet. Приведена входная характеристика КТ815, график зависимости h31e от тока, график для напряжения насыщения. Импортным аналогом КТ815 является транзистор BD139.
КТ816(А-Г)BD238
MJE172		TO-126
DPAK

pnp380100 КТ816 в два раза мощнее по току, чем КТ814, предназначены для применения в ключевых и линейных схемах. Транзисторы КТ816А, КТ816Б, КТ816В, КТ816Г отличаются по предельному напряжению. Подробные характеристики КТ816 и цоколевка приведены в datasheet. Там же график входной характеристики КТ816, зависимости усиления от тока, графики для напряжения насыщения. Импортным аналогом КТ816 является транзистор BD238. Комплементарная пара — КТ817.
КТ817(А-Г)BD237
MJE182		TO-126
DPAK

npn380 100 КТ817 в два раза мощнее по току, чем КТ815. Применяются в ключевых и линейных схемах. Транзисторы КТ817А, КТ817Б, КТ817В, КТ817 параметрами отличаются по Uкэ(max). Подробные характеристики КТ817 и цоколевка даны в datasheet. Кроме характеристик по постоянному току приведены графики входной характеристики, зависимости параметра h31e от тока, взаимосвязи параметров Uкэнас и Iк . Аналоги КТ817Б — транзисторы BD233 и MJE180. Аналоги КТ817В — BD235 и MJE181, импортные аналоги КТ817Г — BD237 и MJE182. Комплементарная пара — КТ816.
КТ818(А-ГМ)BDW22
BD912		TO-220
TO-3

pnp10
15		100100Мощный транзистор КТ818 предназначен для применения в усилителях. КТ818А, КТ818Б, КТ818В и КТ818Г в корпусе TO-220, а КТ818АМ, КТ818БМ, КТ818ВМ и КТ818ГМ в металлическом корпусе. Подробные характеристики КТ818 и цоколевка приведены в datasheet. Там же графики зависимостей параметров, входная и выходная характеристика. Импортные аналоги КТ818 — BDW22 и BD912. Комплементарная пара — транзистор КТ819.
КТ819(А-ГМ)BDW51
BD911		TO-220
TO-3

npn10
15		100 100Транзистор КТ819 является комплементарной парой для КТ818 и предназначен для применения в усилителях. Транзисторы КТ819А, КТ819Б, КТ819В и КТ819Г в корпусе TO-220, а КТ819АМ, КТ819БМ, КТ819ВМ и КТ819ГМ в корпусе TO-3. Подробные параметры КТ819 и цоколевка приведены в datasheet. Там же графики зависимостей, входная и выходная характеристика. Импортные аналоги КТ819 — BDW51 и BD911.
КТ825(Г-Е)2Т6050TO-220
TO-3
pnp15
20		10018000Мощный составной pnp транзистор КТ825 для применения в усилителях и переключающих устройствах. 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В, КТ825Г, КТ825Д и КТ825Е в металлическом корпусе. Подробные характеристики приведены в datasheet. Различие в параметрах по напряжению. Комплементарная пара для КТ825 — транзистор КТ827. Импортный аналог — 2T6050.
КТ826(А-В) TO-3 npn1700120Биполярный транзистор КТ826 для применения в преобразователях и высоковольтных стабилизаторах. Описание КТ826 и характеристики приведены в документации.
КТ827(А-В)2N6057
BDX87		TO-3
npn2010018000Мощный составной npn транзистор КТ827 для применения в усилителях, стабилизаторах тока, устройствах автоматики. В металлическом корпусе. Подробные характеристики КТ827А, КТ827Б, КТ827В приведены в даташит. Различаются параметрами по напряжению. Комплементарная пара для КТ827 — транзистор КТ825. Импортный аналог — 2N6057.
КТ828(А-Г)BU207TO-3 npn580015характеристики КТ828, графики и параметры см. в даташит
КТ829(А-Г)TIP122
2N6045		TO-220
npn81003000Составной транзистор КТ829 для применения в усилителях НЧ и переключательных устройствах. Графики входных характеристик. Подробные характеристики транзисторов КТ829А, КТ829Б, КТ829В,КТ829Г в datasheet . Аналоги КТ829 — транзисторы TIP122 и 2N6045.
2Т830(А-Г)2N5781TO-39 pnp290160транзистор 2Т830 для применения в усилителях мощности и ИВЭП. Аналог 2Т830 — 2N5781.
2Т831(А-В)2N4300TO-39 npn250200 2Т831 для усилителей НЧ и преобразователей.
КТ834(А-В)BU323TO-3npn155003000составной транзистор КТ834 для источников тока и напряжения.
КТ835(А,Б)2N6111TO-220pnp7,530100транзистор КТ835 для усилителей и преобразователей. Аналог КТ835 — импортный 2N6111
2Т836(А-В)BD180TO-39pnp390100 2Т836 для усилителей мощности и ИВЭП.
КТ837(А-Ф)2N6108
2N6111		TO-220

pnp870200pnp транзистор КТ837 предназначен для применения в усилителях и переключающих устройствах. Корпус пластмассовый TO-220. Подробные параметры КТ837А, КТ837Б, КТ837В, КТ837Г, КТ837Д, КТ837Е-Ф указаны в файле. Аналог для КТ837 — транзистор 2N6108 с близкими характеристиками.
КТ838А2SD1554
BU208		TO-3
npn5150014 Высоковольтный транзистор КТ838А для строчной развертки телевизоров . Характеристики КТ838А приведены в файле. Импортные аналоги — 2SD1554 и BU208.
КТ839А2SC1172
MJ16212		TO-3npn10150012Характеристики и параметры КТ839 аналогичны транзистору КТ838, но круче по току.
КТ840(А,Б)BUX97TO-3npn6400100Биполярный транзисторы КТ840А и КТ840Б для применения в переключающих устройствах. Подробные параметры приведены в файле.
КТ841(А-В)MJ413
2N3442		TO-3npn1060035Мощный биполярный транзистор КТ841 для применения в мощных преобразователях. Подробные параметры транзисторов КТ841А, КТ841Б, КТ841В в даташит.
КТ842(А,Б)2SB506TO-3pnp530030Биполярный транзистор КТ842 для применения в мощных преобразователях и линейных стабилизаторах напряжения.
КТ844АMJ15011TO-3npn1025060 КТ844 предназначен для импульсных устройств, подробное описание приведено в datasheet
КТ845АTO-3npn5400100 КТ845А разработан для применения в импульсных устройствах.
КТ846АBU208TO-3
npn5150015 Высоковольтный биполярный транзистор КТ846А, входные характеристики, графики приведены в datasheet.
КТ847АBUX48
2N6678		TO-3npn15650100 Подробное описание КТ847А, входные и выходные характеристики. Аналогом для КТ847 является BUX48.
КТ848АBUX37TO-3npn154001000Составной транзистор КТ848А для систем электронного зажигания. Характеристики КТ848 в прикрепленном файле. Аналог КТ848 — BUX37.
КТ850(А-В)2SD401TO-220npn2250200 КТ850 заточен для применения в усилителях мощности и переключающих устройствах. Подробное описание КТ850А, КТ850Б, КТ850В и графики  приведены в datasheet .
КТ851(А-В)2SB546TO-220pnp2200200 КТ851 для усилителей НЧ и переключающих устройств. Параметры КТ851А, КТ851Б, КТ851В см. в файле pdf
КТ852(А-Г)TIP117TO-220pnp21001500Составной КТ852 для усилителей и переключающих устройств. Параметры КТ852А в даташит.
КТ853(А-Г)TIP127
2N6042		TO-220pnp8100750Составной pnp транзистор КТ853. Предназначен для применения в усилительных схемах. Параметры КТ853А, КТ853Б, КТ853В, КТ853Г см. в pdf файле.
КТ854(А,Б)MJE13006TO-220npn1050050 КТ854 для применения в преобразователях и линейных стабилизаторах. Справочные данные приведены в datasheet.
КТ855(А-В)MJE9780TO-220pnp5250100 КТ855 для применения в преобразователях, линейных стабилизаторах. Аналог с близкими характеристиками — MJE9780.
2Т856(А-В)BUX48TO-3npn1095060 2Т856 для переключательных устройств. Аналог — BUX48.
КТ856(А1,Б1)BUV48TO-218npn1060060 КТ856 для применения в усилителях и переключающих устройствах. Справочные данные КТ856А1, КТ856Б1 см. в datasheet .
КТ857АBU408TO-220npn725050 КТ857 для применения в усилителях и переключающих устройствах. Аналог — BU408.
КТ858АBU406TO-220npn740060 транзистор КТ858 предназначен для применения в переключающих устройствах. Аналог — BU406. Подробное описание смотри в datasheet .
КТ859АMJE13005TO-220npn380060Высоковольтный КТ859 заточен для переключающих устройств. Параметры и цоколевка КТ859 приведены в datasheet. Импортный аналог с близкими характеристиками — MJE13005.
2Т860(А-В) TO-39pnp2901002Т860 предназначен для усилителей мощности и преобразователей.
2Т862(А-Г) TO-3npn15400100 2Т862 для применения в импульсных модуляторах и переключающих устройствах.
КТ863Б,ВD44Vh20TO-220npn10160300Транзистор КТ863 предназначен для применения в преобразователях, фотовспышках. Справочные характеристики см. в datasheet. Аналог КТ863 — D44Vh20.
КТ863БСD44Vh20TO-220
TO-263		npn12160300 КТ863БС — более свежая разработка. Модификация КТ863БС1 предназначена для поверхностного монтажа.
КТ864А2N3442TO-3npn10200100 КТ864 для применения в ИВЭП, усилителях и стабилизаторах.
КТ865А2SA1073TO-3pnp1020060Область применения транзистора КТ865 та же, что и у КТ864.
КТ867АTIP35TO-3npn25200100 КТ867 для применения в ИВЭП. В описании транзистора приведены графики зависимости коэффициента усиления от тока и график области максимальных режимов.
КТ868(А,Б)BU426 pnp640060 КТ868 предназначен для применения в источниках питания телевизоров. Подробные характеристики см. в datasheet. Функциональный аналог КТ868 — BU426.
КТ872(А-В)BU508
MJW16212		TO-218
npn870016Высоковольтный npn транзистор КТ872 для применения в строчной развертке телевизоров. Подробное описание КТ872 приведено в справочном листе. Аналоги КТ872 — транзисторы BU508 и MJV16212.
2Т875(А-Г)2SD1940TO-3npn10902002Т875 для применения в усилителях и переключающих устройствах.
2Т876(А-Г)MJE2955TO-3pnp10901402Т876 для применения в усилителях и переключающих устройствах.
2Т877(А-В)2N6285TO-3pnp208010000Составной транзистор 2Т877 для применения в усилителях и переключающих устройствах.
КТ878(А-В)BUX98TO-3npn3090050 КТ878 для применения в переключающих устройствах, ИВЭП.
КТ879npn5020025 КТ879 для применения в переключающих устройствах.
2Т880(А-В)2N6730pnp2100140 2Т880 — для усилителей и переключательных устройств.
2Т881(А-Г)2N5150 npn2100200 2Т881 — применение аналогично 2Т880
2Т882(А-В) TO-220npn1300100 2Т882 в корпусе ТО-220 для применения в усилителях и переключающих устройствах. Цоколевка и характеристики приведены в pdf.
2Т883(А,Б)TO-220pnp1300100 2Т883 для усилителей и переключающих устройств. Корпус ТО-220.
2Т884(А,Б)TO-220npn280040 2Т884 для применения в усилителях и переключающих устройствах. Подробные параметры см. в datasheet .
2Т885(А,Б) TO-3npn4050012 мощный транзистор 2Т885 предназначен для применения в ИВЭП.
КТ886(А1,Б1)MJW16212TO-218npn10140025Высоковольтный транзистор КТ886 для применения в строчной развертке и ИВЭП. Характеристики см. в файле pdf. Аналог для КТ886 — MJW16212.
КТ887 А,Б TO-3pnp2700120 КТ887 для переключательных схем, стабилизаторов напряжения.
КТ888 А,Б TO-39pnp0,1900120Высоковольтный транзистор КТ888 для применения в преобразователях и стабилизаторах напряжения ИВЭП.
КТ890(А-В)BU323TO-218npn20350700Составной транзистор КТ890 предназначен для применения в схемах зажигания авто. Подробные характеристики КТ890А, КТ890Б и КТ890В приведены в pdf. Аналогом для КТ890 является BU323.
КТ892(А-В)BU323ATO-3npn15400300 мощный транзистор КТ892 предназначен для применения в схемах зажигания авто и других схемах с индуктивной нагрузкой.
КТ896 (А,Б)BDW84TO-218pnp208010000Составной мощный транзистор КТ896 для применения в линейных и переключающих схемах. Характеристики КТ896А и КТ896Б см. в datasheet файле. Аналог для КТ896 — BDW84.
КТ897(А,Б)BU931ZTO-3npn203504000Составной транзистор КТ897 для схем зажигания авто и других схем с индуктивной нагрузкой. Аналог для КТ897 — BU931.
КТ898 (А,Б)BU931PTO-218npn203501500Составной транзистор КТ898 для применения в ИВЭП. Параметры оптимизированы для работы на индуктивную нагрузку. Аналог КТ898 — BU931. Подробные характеристики КТ898А и КТ898Б см. в datasheet.
КТ899АBU806TO-220npn81501000Составной транзистор КТ899 для применения в усилительных и переключательных устройствах. Аналог с близкими характеристиками — BU806.
КТ8101(А,Б)MJE4343
2SC3281		TO-218
npn16200100 мощный транзистор КТ8101 предназначен для применения в усилителях НЧ, стабилизаторах и преобразователях. Подробные характеристики КТ8101А и КТ8101Б см. в datasheet. Аналог для КТ8101 — транзистор MJE4343. Комплементарная пара — КТ8102.
КТ8102(А,Б)MJE4353
2SA1302		TO-218
pnp16200100Мощный транзистор КТ8102, область применения аналогична КТ8101, являющемуся его комплиментарной парой. Характеристики КТ8102А, КТ8102Б приведены в datasheet . Импортный аналог для КТ8102 — MJE4353.
КТ8106 (А,Б)MJH6286TO-218npn20803000Составной транзистор КТ8106 для применения в усилителях мощности и переключающих схемах. Аналог для КТ8106 — MJH6286.
КТ8107(А-В)BU208TO-218npn870012 КТ8107 для применения в каскадах строчной развертки, ИВЭП, высоковольтных схемах. Подробные параметры в datasheet. Импортный аналог для КТ8107 — BU208.
КТ8109TIP151TO-220npn7350150Составной транзистор КТ8109 для схем зажигания авто. Справочные данные см. в datasheet.
КТ8110 (А-В)BUT11npn740030Справочные данные BUT11, импортного аналога КТ8110.
КТ8111(А9-Б9)BDV67TO-218npn20100750Составной мощный транзистор КТ8111 для применения в усилителях НЧ, стабилизаторах тока и напряжения, переключателях. Аналог — BDV67.
КТ8115(А-В)BD650
TIP127		TO-220
pnp8
5		1001000Составной pnp транзистор КТ8115А для применения в усилительных и преобразователях напряжения. Аналог для КТ8115 — BD650. Комплементарная
пара — КТ8116.
КТ8116(А-В)TIP132TO-220
DPAK
npn8
5		1001000Составной транзистор КТ8116, область применения аналогична КТ8115, являющимся его комплементарной парой.
КТ8117АBUV48TO-218npn1040010 мощный транзистор КТ8117 предназначен для ИВЭП, управления двигателями, стабилизаторов тока.
КТ8118АMJE8503TO-220npn380040 КТ8118 для высоковольтных переключательных схем, усилителей постоянного тока.
КТ8120АTO-220npn845010 КТ8120 для ИВЭП, схем управления электродвигателями.
КТ8121А,БTO-220npn440060 КТ8121 для высоковольтных переключающих схем, преобразователей
КТ8123А TO-220npn2150 40КТ8123 для схем вертикальной развертки ТВ, усилителей.
КТ8124(А-В) TO-220npn104007Справочные данные КТ8124, предназначенного для применения в горизонтальной развертке ТВ, переключательных схемах.
КТ8126(А1,Б1)MJE13007TO-220
npn840030 мощный транзистор КТ8126 для применения в горизонтальной развертке ТВ, преобразователях. Справочные данные приведены в datasheet .
КТ8130 (А-В)BD676 pnp48015000 
КТ8131 (А,Б)BD677 npn48015000 
КТ8133 (А,Б)  npn82403000
КТ8137АMJE13003TO-126npn1,570040Для применения в строчной развертке ТВ, управления двигателями.
КТ8141 (А-Г)   npn8100750
КТ8143 (А-Ш) КТ-9Мnpn80 30015биполярный мощный высоковольтный n-p-n транзистор с диодом КТ8143 для низковольтных источников питания бортовой аппаратуры
КТ8144(А,Б) TO-3npn2580055 
КТ8146(А,Б)
КТ8154(А,Б)
КТ8155(А-Г)		 ТО-3

npn15
30
50		800
600
600		 мощный высоковольтный транзистор для применения в источниках питания
КТ8156(А,Б)BU807TO-220npn82001000  КТ8156 предназначен для применения в горизонтальных развертках малогабаритных ЭЛТ.
КТ8157(А-В) TO-218npn1515008для строчных разверток ТВ с увеличенной диагональю экрана
КТ8158(А-В)BDV65TO-218npn121001000 КТ8158, параметры заточены для применения в усилителях НЧ, в ключевых и линейных схемах.
КТ8159(А,Б,В)BDV64TO-218pnp121001000 КТ8159, Комплементарная пара для КТ8158, параметры и область применения аналогичные.
КТ8163А  npn750040
КТ8164(А,Б)MJE13005TO-220npn440060Высоковольтный транзистор КТ8164 для импульсных источников питания.
КТ8167 (А-Г)  pnp280250
КТ8168 (А-Г)  npn280250
КТ8170(А1,Б1)MJE13003TO-126npn1.540040Высоковольтный транзистор КТ8170 для применения в импульсных источниках питания.
КТ8171 (А,Б)  npn2035010000
КТ8176(А,Б,В)TIP31TO-220npn310050 КТ8176 для усилителей и переключательных схем.
КТ8177(А,Б,В)TIP32TO-220pnp310050КТ8177 для усилителей и переключательных схем. Комплементарная пара для КТ8176.
КТ8192 (А-В)  ISOTOPnpn 751500 10мощный npn транзистор КТ8192 для применения в электроприводе
КТ8196 (А-В)  npn10350400
КТ8212(А,Б,В)TIP41TO-220npn610075КТ8212 для линейных и ключевых схем.
КТ8213(А,Б,В)TIP42TO-220pnp610075 Комплементарная пара для КТ8212.
КТ8214(А,Б,В)TIP112TO-220npn21001000Составной транзистор КТ8214 предназначен для применения в ключевых и линейных схемах.
КТ8215(А,Б,В)TIP117TO-220pnp21001000Составной транзистор КТ8215 — Комплементарная пара КТ8214.
КТ8216 (А-Г)MJD31B npn2800275
КТ8217 (А-Г)MJD32B pnp10100275
КТ8218 (А-Г)  npn4100750
КТ8219 (А-Г)  pnp440750
КТ8224(А,Б)BU2508TO-218npn87007Высоковольтный транзистор КТ8224 для применения в высоковольтных схемах ТВ приемников. Аналог — BU2508. Интегральный демпфирующий диод и резистор база-эмиттер.
КТ8228(А,Б)BU2525TO-218npn1280010Высоковольтный транзистор КТ8228 для применения в высоковольтных схемах ТВ приемников. Белорусский аналог BU2525. Диод между коллектором э эмиттером, резистор между базой-эмиттером.
КТ8229АTIP35FTO-218npn2518075КТ8229 для линейных и ключевых схем.
КТ8230АTIP36FTO-218pnp2518075КТ8230 -Комплементарная пара для КТ8229.
КТ8231АBU941 npn15500300 datasheet на транзистор BU941
КТ8232 (А,Б)BU941ZPTO-218npn20350300КТ8232 для применения в переключательных и импульсных схемах, параметры оптимизированы для схем зажигания.
КТ8246(А-Г)КТ829TO-220npn151509000Составной транзистор КТ8246 для применения в автотракторных регуляторах напряжения.
КТ8247АBUL45DTO-220npn570022Высоковольтный транзистор КТ8247 для применения в преобразователях напряжения. Аналог — BUL45. Интегральный демпфирующий диод и резистор база-эмиттер.
КТ8248АBU2506TO-218npn5150060Высоковольтный транзистор КТ8247 для применения в строчных развертках ТВ. Аналог — BU2506. Интегральный демпфирующий диод и резистор база-эмиттер.
КТ8251АBDV65TO-218npn101801000Составной npn транзистор КТ8251 для применения в линейных усилителях и ключевых преобразователях напряжения.
КТД8252(А-Г)BU323ZTO-220
TO-218		npn153502000для работы на индуктивную нагрузку
КТ8254А  npn280030
КТ8255АBU407TO-220npn7330200 КТ8255 для применения линейных и ключевых схемах.
КТД8257(А-В)SGSD96TO-220npn20180 1000для применения в усилителях НЧ и переключающих устройствах.
КТ8258(А,Б)MJE 13004TO-220npn440080для использования в преобразователях, в линейных и ключевых схемах, аналог транзистора 13004
КТ8259(А,Б)MJE13007
13007		TO-220npn840080для использования в преобразователях, в линейных и ключевых схемах, отечественный аналог импортного транзистора 13007
КТ8260(А-В)MJE13008TO-220npn1550015для ИВЭП, преобразователей, аналог транзистора 13008.
КТ8261АBUL44TO-126npn240020 КТ8261 для применения в преобразователях напряжения.
КТД8262(А-В)SEC80TO-220npn7350 300Для систем зажигания автотракторной техники
КТ8270АMJE13001TO-126npn0.560090 КТ8270 для использования в преобразователях напряжения. Подробные справочные данные приведены в datasheet.
КТ8271(А,Б,В)BD136TO-126pnp1.580250 КТ8271 для преобразователей напряжения. Подробные параметры приведены в datasheet.
КТ8272(А,Б,В)BD135TO-126npn1.580250 КТ8272 для линейных усилителей и преобразователей напряжения. Комплементарная
пара для КТ8271
КТД8278(А-В1)SGSD93STTO-220npn201801000Для усилителей НЧ, переключательных устройств.
КТД8279(А-В)2SD1071TO-220
TO-218		npn10350300для работы на индуктивную нагрузку, в системах зажигания.
КТД8280(А-В) TO-218npn601201000Составной транзистор КТД8280 для преобразователей напряжения, схем управления двигателями, источников бесперебойного питания.
КТД8281(А-В) TO-218pnp601201000Составной транзистор КТД8281 для преобразователей напряжения, схем управления двигателями.
КТ8283(А-В) TO-218pnp60120100для преобразователей, схем управления двигателями. Параметры описаны в даташит.
КТ8284(А-В)КТ829TO-220npn12100500для автотракторных регуляторов напряжения, линейных схем.
КТ8285(А-В)BUF410TO-218
TO-3		npn3045040для преобразователей напряжения, ИВЭП. Характеристики описаны в даташит.
КТ8286(А-В)2SC1413TO-218
TO-3		npn580040для усилителей низкой частоты, переключающих устройствах, мощных регуляторах напряжения. Подробные характеристики см. в datasheet
КТ8290АBUh200TO-220npn1070015Высоковольтный биполярный транзистор КТ8290 для использования в импульсных источниках питания.
КТ8296(А-Г)KSD882TO-126npn330400КТ8296 для использования в импульсных источниках питания, ключевых схемах и линейных усилителях.
КТ8297(А-Г)KSD772TO-126pnp330400КТ8297 — Комплементарная
пара (транзистор с близкими характеристиками, но обратной проводимости) для КТ8296.
КТ8304А,БTO-220
D2PAK		npn8160250КТ8304 с демпферным диодом для автомобильных регуляторов напряжения.
ПИЛОН-3TIP122TO-220npn151001000для применения в переключающих схемах и преобразователях напряжения. Импортный аналог с близкими характеристиками — транзистор TIP122.
ПИР-1BUV48TO-218npn204508ПИР-1 для ключевых схем с индуктивной нагрузкой и усилителей с высокой линейностью.
ПИР-2MJE4343TO-220
TO-218		npn2016030ПИР-2 для линейных усилителей и ключевых схем.
Справочник составлен в 2007 году, затем дополнялся и дорабатывался вплоть до 2015г. Соавторы: WWW и Ко

  • Компания
    • Об истории и современности предприятия
    • Руководство предприятия
    • АО «ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ»
      • ПАО «КРЕМНИЙ»
      • Производство Энергомаш
      • Сборочное производство
      • Кристальное производство
      • ОАО «КОНСТАНТА»
      • ЗАО «К-СНАБТРАНССЕРВИС»
    • Экономические показатели
    • Официальные документы
    • Сертификаты и лицензии
  • Наука и инновации
    • Исследования и разработки
      • Разрабатывающие подразделения
    • Патенты
  • Продукция и услуги
    • Изделия электронной техники
      • Интегральные микросхемы
        • Линейные стабилизаторы напряжения
        • Стабилизаторы тока
        • Импульсные источники питания, генераторы импульсов
        • Драйверы, ключи, коммутаторы
        • Детекторы напряжения, супервизоры
        • Операционные компараторы и усилители
      • Дискретные полупроводники
        • Биполярные транзисторы (Раздел наполняется)
        • Диоды и диодные сборки
      • Кремниевые структуры
      • Силовые модули
        • Силовые модули на основе IGBT и FRD
        • FRD диоды и диодные сборки
        • Тиристоры и диодно-тиристорные сборки
        • Автоэлектроника
        • Силовые модули и диодные сборки на основе SiC
      • Новые разработки и каталог продукции (PDF)
    • Обработка металлов и термопласта
    • Теплоснабжение
    • Технологическое присоединение энергопринимающих устройств
      • Каталог силовой электроники
      • Каталог НТЦ СИТ
      • Чувствительные элементы
      • Обработка металлов и термопласта
      • Энергосбережение
      • Энергоаудит
      • Теплоснабжение
      • Аренда
      • Технологическое присоединение энергопринимающих устройств
    • Аренда
  • Социальная и кадровая политика
    • Социальная политика предприятия
    • Профком
    • Поликлиника
      • Сведения о поликлинике
      • Информация для пациентов
      • Информация для специалистов
      • Медицинские работники
      • Лекарственное обеспечение
      • Вышестоящие и контролирующие органы
      • Документы
      • Контактная информация
    • Управление кадров АО «ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ»
      • Информация о вакансиях
      • Кадровые процедуры при оформлении документов
        • Договоры
        • Должностные инструкции
        • Заявления
        • Журналы
        • Прочие документы
      • Сохранение, укрепление и развитие кадрового потенциала
        • Положение о кадровой политике
        • Внутренний трудовой распорядок
    • Музей
    • Совет ветеранов
    • Совет молодых специалистов
    • Система профессионального образования
  • Пресс-центр
    • Новости
    • Фотогалерея
    • Полезные ссылки
    • Контакты для СМИ
  • Контакты

Каскад предварительного усиления напряжения выполнен на транзисторе УТИ. Коэффициент усиления этого каскада зависит от параметров цепи ООС C3R4 (подбором номинала R4 можно установить нужный коэффициент усиления всего усилителя).

Конденсатор C4 обеспечивает повышение напряжения, а C2 и C5 устраняют склонность усилителя к самовозбуждению. Транзистор VT2 усиливает сигнал до уровня, необходимого для работы выходного каскада. Температурная стабильность усилителя обеспечивается каскадом на транзисторе VT3, корпус которого должен быть плотно прижат к общему радиатору транзисторов выходного каскада.

В усилителе работают резисторы типа МЛТ, подстроечный резистор — СП3-4а, конденсаторы оксидные типа К50-35 или аналогичные импортные, конденсаторы неполярные любого типа, малогабаритные.

Транзистор КТ805АМ можно заменить на КТ819АМ. Благодаря схемному решению выходного каскада выходные транзисторы VT6 и VT7 могут быть установлены на общий радиатор без изоляции.

alexxlab

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *