назначение, параметры, условное графическое обозначение, классификация.
Катушки индуктивности представляют собой моточные изделия и, за исключением дросселей, как правило не являются комплектующими изделиями, как резисторы и конденсаторы. Они изготовляются заводами под конкретное устройство с требуемыми параметрами.
Из-за трудностей миниатюризации, значительных массогабаритных показателей и трудоемкости изготовления область их применения ограничена, но при создании ряда устройств электроники обойтись без них невозможно. При этом важным является то, что индуктивные компоненты с использованием специальной изоляции могут работать при температурах 200-3000С.
Катушки индуктивности имеют, как правило, цилиндрическую или спиральную форму витков и выполняются как однослойными, так и многослойными. Характер намотки зависит от назначения катушки и для уменьшения межвитковых емкостей витки укладывают на каркас с определенным шагом или применяют специальные способы намотки, когда витки укладывают не параллельно, а под некоторым углом друг к другу (универсальная намотка).
Независимо от конструкции катушки индуктивности, их обычно обозначают в виде 3-4 полуокружностей, как показано на рис.3.1.
Рис.3.1. Условные обозначения катушек индуктивности и конструкции.
В зависимости от конфигурации схемы выводы обмоток направляют либо в одну сторону, либо в разные, а если катушки имеют отвод, то его показывают либо в месте соединения полуокружностей, либо в середине одной из них (рис.3.1. L4).
Буквенно-цифровое позиционное обозначение катушек и дросселей состоит из буквы «L» и порядкового номера по схеме, а рядом часто указывают значение индуктивности в генри – (Гн), миллигенри – (мГн) или микрогенри (мкГн).
В цепи переменного тока катушка индуктивности обладает реактивным сопротивлением X с добротностью Q:
XL = 2pfL, Q = 2pfL/R
К основным параметрам катушек индуктивности относятся:
— номинальная индуктивность катушки (L) – коэффициент пропорциональности между скоростью изменения тока в катушке и э. д.с. самоиндукции. Основная единица измерения индуктивности – Генри, кратные ей в сторону уменьшения : милли и микро генри;
— добротность — характеризует относительный уровень активных потерь в обмотке катушки и сердечнике;
— собственная емкость – является паразитным параметром катушки. Она проявляется в области высоких частот и зависит от вида намотки и числа витков.
Физические принципы работы полупроводниковых приборов основаны на явлениях электропроводности в твёрдых телах
По способности проводить электрический ток все вещества делятся на три класса:
Проводники
Диэлектрики
Полупроводники
К полупроводникам обычно относят вещества, удельная электрическая проводимость которых δ при температуре 20ºС составляет
Характерными свойствами полупроводников являются резко выраженная зависимость удельной проводимости от:
Изменения температуры;
Количества и природы введённых примесей;
Наличия электрического поля;
Светового воздействия;
Ионизирующего излучения и др.
Устройства современной электроники изготавливаются из полупроводниковых материалов
Собственная электропроводность
На рисунке приведена зонная энергетическая диаграмма. Ширина запрещённой зоны, определяющая энергетический промежуток запрещённых энергий, является важнейшим параметром полупроводника.
Для полупроводников, которые
наиболее часто используются в электронике, ширина запрещенной зоны равна:
для германия – 0,7эВ,
для кремния -1,1эВ,
для арсенида галлия – 1,4эВ.
Электроны, находящиеся в зоне проводимости, обладают довольно большой энергией и могут её изменять под действием электрического поля, перемещаясь в объёме полупроводника.
Этими электронами и определяется электропроводность
полупроводника.
Энергетические уровни валентной зоны обычно заполнены электронами внешней оболочки атомов – внешних устойчивых орбит (валентными электронами). При наличии свободных уровней в валентной зоне электроны могут изменять свою энергию под воздействием электрического поля.
уровни зоны заполнены, то валентные электроны не могут принять участие в проявлении электропроводности полупроводника.
Плоская модель кристаллической решётки
Связь атомов в кремнии устанавливается вследствие наличия специфических обменных сил, возникающих при парном объединении валентных электронов.
Ковалентная связь
У соседних атомов появляются общие орбиты.
Поскольку атом кремния имеет четыре валентных электрона,
то он использует эти электроны для связи с четырьмя соседними атомами,
которые, в свою очередь, также выделяют по одному валентному электрону для связи с каждым из своих четырёх соседних атомов.
Таким образом получается, что любой атом кремния связан с каждым соседним атомом общей орбитой, причём на этой орбите два электрона. Такая связь атомов называется ковалентной связью.
На первом рисунке приведена упрощённая модель решётки, на втором – зонная энергетическая диаграмма для беспримесного кремния, где между каждыми двумя атомами кремния проведено две связывающие их прямые линии, каждая из которых символизирует собой наличие электрона на общей орбите у этих атомов.
Электроны во всех связях будут присутствовать только при температуре абсолютного нуля. По мере нагревания полупроводника происходит нарушение связей, т.е. некоторые валентные электроны получают необходимую дополнительную энергию для перехода в зону проводимости.
Такой переход соответствует выходу электрона из связи. Появляющиеся свободные электроны будут принимать участие в образовании тока в полупроводнике (при приложении напряжения).
Появление свободных уровней в валентной зоне свидетельствует о том, что для валентных электронов
появляется возможность изменить свою энергию, а следовательно, участвовать в процессе протекания
тока через полупроводник. С повышением температуры возникает большее число свободных электронов
в зоне проводимости и вакантных уровней в валентной зоне.
Вакантный энергетический уровень в валентной зоне и соответственно свободную валентную связь называют дыркой, которая является подвижным носителем положительного заряда, равного по абсолютной величине заряду электрона. Перемещение дырки соответствует встречному перемещению валентного электрона (из связи в связь). Движение дырки – это поочерёдная ионизация валентных связей.
Процесс образования свободного электрона и дырки принято называть генерацией. Появление
электрона в зоне проводимости и дырки в валентной зоне на энергетической диаграмме (рисунок 2)
представлено в виде кружков с соответствующими знаками зарядом. Стрелкой обозначен переход
электрона из валентной зоны в зону проводимости.
Таким образом, за счёт термогенерации в собственном полупроводнике, который принято обозначать буквой i, образуется два типа подвижных носителей заряда: свободные электроны n и дырки p, причём их количество одинаково. Эти носители заряда называют собственными, а электропроводность,
Примесная электропроводность полупроводников
Донорный полупроводник
Если в кремний ввести атом пятивалентного элемента (например фосфора), то четыре из пяти валентных электронов вступят в связь с четырьмя соседними атомами кремния. Пятый же электрон будет в данном случае избыточным. Он окажется очень слабо связанным со своим атомом.
Поэтому оторвать его от атома и превратить в свободный носитель заряда можно даже при воздействии малой тепловой энергии.
Таким образом, появление в кремнии атома фосфора привело к образованию в зоне проводимости свободного электрона, образование которого не связано с существованием дырки.
Такие примесные полупроводники называются электронными или полупроводниками n-типа.
Электропроводность электронных полупроводников определяется свободными электронами, которые здесь являются основными носителями заряда.
Дырок здесь очень мало, они образуются за счет термогенерации подобно собственным носителям в беспримесном полупроводнике.
В результате оказывается, что количество свободных электронов практически равно количеству ионизированных доноров.
Примесная электропроводность полупроводников
Акцепторный полупроводник
Дырочный полупроводник, или полупроводник p – типа
получается за счёт введения в него трёхвалентных атомов примеси (например, индий). Атомы трёхвалентной примеси принято называть акцепторами.
Акцептор образует только три заполненные валентные связи. Четвёртая связь оказывается незаполненной и она не несёт заряда, т.е. атом примеси является электрически нейтральным. При воздействии даже небольшой тепловой энергии электрон кремния может перейти в эту связь. На внешней оболочке акцептора появляется лишний электрон, т.е. он превращается в отрицательный ион.
Вакантная связь атома кремния несёт собой уже положительный заряд, являясь дыркой. Электропроводность дырочного полупроводника определяется дырками, которые являются здесь неосновными носителями заряда и их очень мало.
Итак, за счёт введения и активации акцепторной примеси образуется дырочный полупроводник, электропроводность которого определяется дырками.
Примесная электропроводность полупроводников
Введение примесей в полупроводник приводит к образованию дополнительных энергетических уровней в запрещённой зоне
Параметры полупроводников
Одним из основных параметров полупроводника является подвижность носителей заряда μ. Подвижность носителей – их средняя направленная скорость в полупроводнике при напряжённости электрического поля Е=1 В/см.
Подвижность электронов μn всегда больше подвижности дырок μp. Это объясняется большей инерционностью дырок (соответствующей инерционности валентного электрона), чем свободных электронов. Наибольшая подвижность наблюдается у электронов в арсениде галлия.
Чем больше μ, тем выше скорость движения носителей и тем выше быстродействие полупроводникового прибора. Отсюда становится ясным преимущество высокочастотных элементов, изготовленных из электронного арсенида галлия.
Подвижность носителей заряда связана с другим параметром полупроводника – коэффициентом диффузии D следующим соотношением:
где φт =kТ/q – тепловой потенциал, который при комнатной температуре
приближённо равен 26 мВ;
k – постоянная Больцмана;
q – заряд электрона.
Коэффициенты диффузии, так же как и подвижности, имеют разные значения
для электронов и дырок, причём Dn >Dp.
Ещё одним важным параметром полупроводника является время жизни τ Временем жизни носителя заряда называется время от его генерации до рекомбинации, которое во многом определяет длительность переходных процессов в некоторых полупроводниковых приборах.
В общем случае движение носителей заряда в полупроводниках обусловлено двумя физическими процессами: диффузией и дрейфом.
Диффузией называется направленное перемещение носителей зарядов, вследствие неравномерности их концентрации, т.е. перемещение под действием изменения концентраций носителей.
Дрейфом называется направленное перемещение носителей заряда под действием электрического поля.
Электропроводность полупроводника отражена в уравнении непрерывности
Дроссели
Все характеристики
Дроссель предназначен для работы в трехфазном SIN-фильтре, подключаемом на выход преобразователя частоты. Конструктивно дроссель может быть выполнен как в виде одного трехфазного, так и в виде трех однофазных.
Цена по запросу
Оставьте контакты и мы позвоним вам
или письмом отправим цену товара
Запросить КП Заполнить опросный лист
Описание
Характеристики
Гарантии
Условное обозначение
Сервисные услуги
Описание
Назначение дросселя SIN — фильтра
Дроссель предназначен для работы в трехфазном SIN-фильтре, подключаемом на выход преобразователя частоты. Конструктивно дроссель может быть выполнен как в виде одного трехфазного, так и в виде трех однофазных. В случае изготовления трехфазного дросселя необходимо иметь в виду, что из-за магнитной связи обмоток результирующая индуктивность увеличивается в 1.5 раза по сравнению с отдельной обмоткой. В этом случае индуктивность отдельной обмотки должна быть в 1. 5 раза меньше номинальной индуктивности.
Назначение дросселя LC — фильтра
Дроссель предназначен для работы в LC-фильтре в звене постоянного тока преобразователя частоты, между трехфазным выпрямителем и конденсаторами фильтра DC.
Назначение дросселя сетевого фильтра
Дроссель предназначен для работы в сетевом фильтре на входе преобразователя частоты, на входе трехфазного сетевого выпрямителя. Конструктивно дроссель может быть выполнен как в виде одного трехфазного, так и в виде трех однофазных. В случае изготовления трехфазного дросселя необходимо иметь в виду, что из-за магнитной связи обмоток результирующая индуктивность увеличивается в 1.5 раза по сравнению с отдельной обмоткой. В этом случае индуктивность отдельной обмотки должна быть в 1.5 раза меньше номинальной индуктивности.
Характеристики
Гарантии
Гарантии поставщика
Поставщик оставляет за собой право на внесение изменений в электротехническое оборудование, без ухудшения его технических характеристик и сохранения непосредственного назначения.
Гарантийный срок на поставляемое электротехническое оборудование составляет до трёх лет с момента отгрузки, если иное не указано в сопроводительной документации либо договоре поставки.
Во избежание выхода из строя, поставщик настоятельно рекомендует осуществлять пуско-наладочные работы квалифицированными специалистами сервисной службы предприятия.
Условное обозначение
Схема обозначения
ТКЕП-ХХХ–ХХХ–УХЛ-50М
- ТКЕП — Устройство тиристорное коммутационное
- ХХХ — Номинальная выходная мощность, кВА
- ХХХ — Номинальное напряжение, В
- УХЛ — Климатическое исполнение
- 50 — Номинальная частота сети, Гц
- М — Модернизированный
Пример записи обозначения устройства с номинальным током 250А, предназначенного для переключения нагрузки, для поставок внутри страны и для поставок на экспорт в страны с умеренным климатом с частотой питающей сети 50 Гц: «Устройство тиристорное коммутационное ТКЕП-250/380 УХЛ4-50 Гц М»
Сервисные услуги
Вся необходимая информация по установке, проведению пуско-наладочных работ, эксплуатации содержится в сопроводительной документации к оборудованию. Производитель рекомендует осуществление шеф-монтажных и шеф-наладочных работ высококвалифицированными специалистами собственной сервисной службы.
По возникающим вопросам
+7 (3532) 48-24-39, +7 (3532) 48-24-41 (факс)
Доступны бесплатные консультации персонала, привлекаемого к монтажным, пуско-наладочным работам и эксплуатации оборудования.
Оставить заявку
15.2: Индукторы и исчисление — Workforce LibreTexts
- Последнее обновление
- Сохранить как PDF
- Идентификатор страницы
- 1124
- Tony R. Kuphaldt
- Schweitzer Engineering Laboratories via All About Circuits
Катушки индуктивности не имеют стабильного «сопротивления», как проводники. Однако существует определенная математическая зависимость между напряжением и током для катушки индуктивности, а именно:
Вы должны узнать форму этого уравнения из главы о конденсаторах. Он связывает одну переменную (в данном случае падение напряжения на катушке индуктивности) со скоростью изменения другой переменной (в данном случае тока катушки индуктивности). Напряжение (v) и скорость изменения тока (di/dt) равны мгновенное : то есть по отношению к определенному моменту времени, таким образом, строчные буквы «v» и «i». Как и в случае с формулой конденсатора, принято выражать мгновенное напряжение как v , а не e , но использование последнего обозначения не будет неправильным. Скорость изменения тока (di/dt) выражается в амперах в секунду, где положительное число соответствует увеличению, а отрицательное число — уменьшению.
Подобно конденсатору, поведение катушки индуктивности основано на переменной времени. Помимо любого сопротивления, присущего проволочной катушке индуктора (которое мы будем считать равным нулю для целей этого раздела), падение напряжения на клеммах индуктора напрямую связано с тем, насколько быстро его ток изменяется с течением времени.
Предположим, что мы должны подключить идеальную катушку индуктивности (с нулевым сопротивлением провода) к цепи, в которой мы можем изменять величину тока через нее с помощью потенциометра, подключенного в качестве переменного резистора:
Если механизм потенциометра останется в одном положении (стеклоочиститель неподвижен), то последовательно включенный амперметр зарегистрирует постоянный (неизменный) ток, а вольтметр, подключенный параллельно дросселю, зарегистрирует 0 вольт. В этом сценарии мгновенная скорость изменения тока (di/dt) равна нулю, поскольку ток стабилен. Уравнение говорит нам, что при изменении di/dt на 0 ампер в секунду должно быть нулевое мгновенное напряжение (v) на катушке индуктивности. С физической точки зрения, при неизменном токе индуктор будет создавать постоянное магнитное поле. Без изменения магнитного потока (dΦ/dt = 0 Веберов в секунду) не будет падения напряжения по длине катушки из-за индукции.
Если мы будем медленно перемещать движок потенциометра в направлении «вверх», его сопротивление из конца в конец будет медленно уменьшаться. Это приводит к увеличению тока в цепи, поэтому показания амперметра должны увеличиваться медленно:
Если предположить, что движок потенциометра перемещается таким образом, что скорость увеличения тока через индуктор остается постоянной, член формулы di/dt будет фиксированным значением. Это фиксированное значение, умноженное на индуктивность катушки индуктивности в Генри (также фиксированная), дает фиксированное напряжение некоторой величины. С физической точки зрения постепенное увеличение тока приводит к увеличению магнитного поля. Это постепенное увеличение магнитного потока вызывает индуцирование напряжения в катушке, что выражается уравнением индукции Майкла Фарадея e = N(dΦ/dt). Это самоиндуцируемое напряжение на катушке в результате постепенного изменения величины тока через катушку имеет полярность, которая пытается противодействовать изменению тока. Другими словами, полярность индуцированного напряжения в результате увеличение тока будет ориентировано таким образом, чтобы толкать против направления тока, чтобы попытаться сохранить ток на его прежней величине. Это явление демонстрирует более общий принцип физики, известный как закон Ленца , который гласит, что индуцированное следствие всегда будет противоположно причине, вызвавшей его.
В этом сценарии катушка индуктивности будет действовать как нагрузка , с отрицательной стороной индуцированного напряжения на конце входа электронов и положительной стороной индуцированного напряжения на конце выхода электронов.
Изменение скорости увеличения тока через катушку индуктивности путем перемещения ползунка потенциометра «вверх» с разной скоростью приводит к разным величинам падения напряжения на катушке индуктивности с одинаковой полярностью (противодействующей увеличению тока):
Здесь мы снова видим производную функцию исчисления, проявляющуюся в поведении индуктора. В терминах исчисления мы бы сказали, что индуцированное напряжение на катушке индуктивности является производной тока через катушку индуктивности, т. е. пропорционально скорости изменения тока по времени.
Изменение направления движения ползунка на потенциометре (вниз, а не вверх) приведет к увеличению его сквозного сопротивления. Это приведет к уменьшению тока цепи (значение отрицательное для di/dt). Катушка индуктивности, всегда противодействующая любому изменению тока, создаст падение напряжения, противоположное направлению изменения:
Какое напряжение будет производить катушка индуктивности, зависит, конечно, от того, насколько быстро уменьшается ток через нее. Согласно закону Ленца, индуцированное напряжение будет противодействовать изменению тока. С уменьшая ток, полярность напряжения будет ориентирована таким образом, чтобы попытаться сохранить прежнюю величину тока. В этом сценарии индуктор будет действовать как источник , с отрицательной стороной индуцированного напряжения на конце, где электроны выходят, и положительной стороной индуцированного напряжения на конце, где электроны входят. Чем быстрее уменьшается ток, тем большее напряжение будет создавать индуктор при высвобождении накопленной энергии, чтобы попытаться сохранить постоянный ток.
Опять же, величина напряжения на идеальном индукторе прямо пропорциональна скорости изменения тока через него. Единственная разница между влиянием уменьшающегося тока и увеличивающего тока заключается в полярности индуцированного напряжения. При одной и той же скорости изменения тока во времени, будь то увеличение или уменьшение, величина напряжения (вольты) будет одинаковой. Например, di/dt, равное -2 ампера в секунду, создаст такое же индуцированное падение напряжения на катушке индуктивности, как и di/dt, равное +2 ампера в секунду, только в противоположной полярности.
Если ток через индуктор изменяется очень быстро, будут создаваться очень высокие напряжения. Рассмотрим следующую схему:
В этой схеме лампа подключена к клеммам катушки индуктивности. Для управления током в цепи используется переключатель, а питание подается от 6-вольтовой батареи. Когда переключатель замкнут, индуктор на короткое время будет противодействовать изменению тока от нуля до некоторой величины, но упадет лишь на небольшое количество напряжения. Для ионизации неона внутри такой неоновой лампы требуется около 70 вольт, поэтому лампочка не может загореться от 6 вольт, вырабатываемых батареей, или от низкого напряжения, мгновенно падающего на катушку индуктивности при замыкании ключа:
Однако, когда переключатель размыкается, он внезапно создает в цепи чрезвычайно высокое сопротивление (сопротивление воздушного зазора между контактами). Это внезапное введение высокого сопротивления в цепь приводит к почти мгновенному уменьшению тока в цепи. Математически член di/dt будет очень большим отрицательным числом. Такое быстрое изменение тока (от некоторой величины до нуля за очень короткое время) вызовет очень высокое напряжение на катушке индуктивности, ориентированной отрицательным полюсом слева и положительным справа, чтобы противодействовать этому уменьшению тока. Создаваемого напряжения обычно более чем достаточно, чтобы зажечь неоновую лампу, хотя бы на короткое время, пока ток не упадет до нуля:
Для достижения максимального эффекта катушка индуктивности должна иметь как можно больший размер (не менее 1 Генри индуктивности).
Эта страница под названием 15.2: Inductors and Calculus распространяется в соответствии с лицензией GNU Free Documentation License 1.3 и была создана, изменена и/или курирована Тони Р. Купхалдтом (Все о цепях) посредством исходного содержимого, которое было отредактировано в соответствии со стилем и стандарты платформы LibreTexts; подробная история редактирования доступна по запросу.
- Наверх
- Была ли эта статья полезной?
- Тип изделия
- Раздел или Страница
- Автор
- Тони Р. Купхалдт
- Лицензия
- ГНУ ФДЛ
- Версия лицензии
- 1,3
- Показать оглавление
- нет
- Теги
- источник@https://www.allaboutcircuits.com/textbook/alternating-current
- источник@https://www.allaboutcircuits.com/textbook/direct-current
Приемочные испытания – образец дымового испытания Пункты
Во время установки группы соединительных линий LIS без дополнительной оплаты будут проведены приемочные испытания, чтобы убедиться, что услуга работает и соответствует применимым техническим параметрам.
6.1. Приемочные испытания, предусмотренные Контрактом, должны, если не согласовано иное, проводиться на месте изготовления Продукции в обычное рабочее время Поставщика. Если в Контракте не указаны технические требования, испытания проводятся в соответствии с общепринятой практикой в двигателестроении/энергетике.
7.2.1 Изготовитель-проектировщик должен направлять и контролировать испытания и, при необходимости, повторные испытания Станции с привлечением контролирующего персонала Изготовителя-конструктора, а испытатель выбросов в атмосферу должен проводить испытание на выбросы в атмосферу, в каждом случае, в в соответствии с процедурами тестирования, изложенными в Приложении A («Тестирование производительности»), чтобы продемонстрировать, как минимум, соответствие Критериям гарантии производительности. Владелец несет ответственность за получение тестера выбросов в атмосферу и обеспечение своевременной работы тестера выбросов в атмосферу. Разработчик-конструктор должен сотрудничать с испытателем выбросов в атмосферу для облегчения проведения всех испытаний на выбросы в атмосферу. Проектировщик не несет ответственности за действия сотрудников Владельца и третьих лиц, участвовавших в Эксплуатационных испытаниях, включая, помимо прочего, Испытателя выбросов в атмосферу.
Несмотря на какие-либо положения Коллективного договора или каких-либо специальных соглашений, прилагаемых к нему, раздел 4.6 Канадской модели не будет применяться по соглашению. Если применяется к работнику, направленному Союзом, он будет применяться или считаться примененным работодателем в одностороннем порядке. Союз оставляет за собой право оспаривать законность любого навязывания выборочного тестирования в соответствии с Процедурой рассмотрения жалоб, изложенной в настоящем Коллективном соглашении.
Подрядчик должен провести Тесты производительности в соответствии с Разделом 11.2 Соглашения и Приложением S.
6.6.1 По запросу от TWTC компания AT&T должна отправить тестовые файлы ODUF в TWTC. Стороны соглашаются рассмотреть и обсудить содержание и/или формат файла ODUF. Для тестирования результатов использования AT&T должна запросить у TWTC создание производственного (живого) файла. Тестирование в режиме реального времени может состоять из сотрудников TWTC, совершающих тестовые вызовы для типов услуг, которые TWTC запрашивает в ODUF. Эти тестовые вызовы регистрируются TWTC, и журналы предоставляются AT&T. Эти журналы будут использоваться для проверки файлов. Тестирование будет завершено в течение тридцати (30) дней с даты отправки первоначального тестового файла.
Работодатель может потребовать от работника пройти официально признанный тест на наркотики или алкоголь за счет работодателя, если у работодателя есть разумные основания полагать, что работник находится под воздействием алкоголя или наркотиков. Веских оснований для проверки на наркотики или алкоголь не требуется, если сотрудник получает производственную травму. Сотрудник с положительным результатом теста имеет право на проведение второго теста с использованием другого метода раскрытия информации для проверки точности результатов теста. Время, затраченное на такое тестирование, должно быть отработано компанией; тем не менее, любой сотрудник, отказывающийся пройти тест на наркотики или алкоголь, должен быть отстранен от работы со времени запроса работодателя. Сотрудник, отказывающийся пройти тест на наркотики или алкоголь по требованию, подлежит увольнению.
Компания Patheon может быть запрошена для проведения тестирования стабильности Продуктов в соответствии с протоколами, изложенными в Спецификациях, за отдельную плату и в течение периодов времени, указанных в Приложении C к Соглашению о продукте. Компания Patheon не будет вносить какие-либо изменения в эти протоколы тестирования без предварительного письменного согласия Клиента. Если произойдет подтвержденный сбой теста стабильности, Patheon уведомит Клиента в течение одного Рабочего дня, после чего Patheon и Клиент совместно определят процедуры и методы, которые необходимо предпринять для расследования причины сбоя, включая то, какая сторона будет нести расходы по расследованию.