Фоторезисторы принцип работы основные характеристики: Фоторезистор. — RC74 — интернет-магазин радиоуправляемых моделей

Содержание

Фоторезисторы. Классификация, назначение (функция) и области применения. Параметры и их расчетные формулы

Похожие презентации:

3D печать и 3D принтер

Видеокарта. Виды видеокарт

Анализ компании Apple

Трансформаторы тока и напряжения

Транзисторы

Устройство стиральной машины LG. Электрика

Конструкции распределительных устройств. (Лекция 15)

Электробезопасность. Правила технической эксплуатации электроустановок

Магнитные пускатели и контакторы

Работа на радиостанциях КВ и УКВ диапазонов. Антенны военных радиостанций. (Тема 5.1)

1. фоторезисторы

ФОТОРЕЗИСТОРЫ
Выполнила студент гр. 235-3:
Андреева М.В.

2. Определение

•Фоторезистор
(фотосопротивление, LDR)
– это резистор,
электрическое
сопротивление которого
изменяется под влиянием
световых лучей, падающих
на светочувствительную
поверхность.

3. Классификация

По материалам изготовления
фоторезисторы делятся на виды:
1) С внутренним фотоэффектом.

2)С внешним фотоэффектом.
При изготовлении фотосопротивлений с
внутренним фотоэффектом применяют
нелегированные вещества: германий
или кремний.
Фотосопротивления с возникновением
внешнего фотоэффекта изготавливают
из смешанных материалов, в которые
входят легирующие добавки.
Несмотря на различные материалы, оба
снижают сопротивление при освещении.
При повышении интенсивности
освещения снижается сопротивление.
Поэтому, получается обратная
зависимость сопротивления от света,
причем нелинейная.

4. Назначение (функция) и области применения

• Наиболее широкое применение фоторезисторы нашли в системах
автоматики (например, автоматическое включение и выключение
уличного освещения в зависимости от времени суток и от уровня
рассеянной освещенности при разных погодных условиях)
• Также можно выделить такие области, как химическая
промышленность, пожарная безопасность большинства предприятий и
т.д.

• Еще одной наиболее известной сферой применения фоторезисторов
является нефелометрия (измерение мутности). Принцип определения
мутности основывается на зависимости интенсивности освещения от
содержания в растворе различных веществ. Фотодетекторами,
которые реагируют на изменение интенсивности, в устройствах по
определению мутности являются фоторезисторы.
• Примером могут быть, также, тепловые извещатели пламени
инфракрасного диапазона частот. В них фоторезисторы выполняют
функцию приемников.

5. Основные параметры и их расчетные формулы

• Темновое сопротивление RТ – сопротивление фоторезистора в
отсутствие падающего на него излучения в диапазоне его
спектральной чувствительности.
• Световое сопротивление RС – сопротивление фоторезистора,
измеренное через определенный интервал времени после начала
воздействия излучения, создающего на нем освещенность заданного
значения.
• Кратность изменения сопротивления KR – отношение темнового
сопротивления фоторезистора к сопротивлению при определенном
уровне освещенности (световому сопротивлению).

Это один из
важнейших параметров, характеризующий чувствительность
фоторезистора.

English Русский Правила

Определение основных параметров фоторезистора (Лабораторная работа № 8)

Физика \ Экспериментальная физика

Страницы работы

13 страниц (Word-файл)

Посмотреть все страницы

Скачать файл

Содержание работы

АГЕНТство ПО образованиЮ Российской Федерации

ДАЛЬНЕВОСТОЧНЫЙ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ

ГУМАНИТАРНЫЙ

УНИВЕРСИТЕТ

Кафедра физики

ЛАБОРАТОРНЫЙ

ФИЗИЧЕСКИЙ ПРАКТИКУМ

(Экспериментальная физика)

Лабораторная работа № 8

ОПРЕДЕЛЕНИЕ ОСНОВНЫХ ПАРАМЕТРОВ ФОТОРЕЗИСТОРА

Хабаровск 2009

Лабораторная работа № 8

ОПРЕДЕЛЕНИЕ ОСНОВНЫХ ПАРАМЕТРОВ ФОТОРЕЗИСТОРА

Цель работы: Исследование основных характеристик фоторезистора.

Приборы и материалы: Фотосопротивление ФС-К1, монохроматор УМ-2, источник постоянного регулируемого напряжения (ИРН), микроамперметр М-95 с шунтом Р-4, стабилизированный блок питания источника света, лампа накаливания К12, набор светофильтров с известным коэффициентом пропускания, вольтметр.

Теоретическая часть

Фоторезистор – это фотоэлектрический прибор с двумя выводами, сопротивление которого изменяется под действием излучения. Его используют в оптоэлектронных парах, оптических приемниках инфракрасного диапазона, первичных преобразователях измерительных систем и др.

Принцип работы фоторезистора и схема его включения поясняются на рис. 1,а. При световом потоке Ф = 0 сопротивление фоторезистора порядка 10⁶–10⁷ Ом. Импульс светового потока (рис. 1,б) генерирует в фоторезисторе

R_ф оптически возбужденные носители, снижающие его сопротивление на время жизни носителя. Пропорционально световому потоку возрастает на значение I_ф ток во внешней цепи.

На резисторе R_Н происходит изменение напряжения на выходной сигнал простейшего фотоприемника DU_вых_. = I_фR_Н. Процесс нарастания и спада фототока в относительных величинах показан на рис. 1,в.

Параметрами фоторезистора являются токовая и вольтовая чувствительность, постоянные времени нарастания

t_нр_. и спада t_сп фототока, темновое сопротивление R_tm, пороговый поток (пороговая мощность) или обнаружительная способность, допустимая рассеиваемая мощность Р_макс., рабочее напряжение U_p и предельно допустимое напряжение U_макс., рабочая длина волны или диапазон рабочих волн. Некоторые из перечисленных параметров аналогичны по физическому смыслу параметрам фотодиодов и фототранзисторов. Токовая чувствительность фоторезистора определяется квантовым выходом полупроводника, подвижностью носителей, временем их жизни, а так же коэффициентами поглощения и отражения светового потока и, наконец, размерами и конструктивными параметрами ЧЭ фоторезистора.

Различают чувствительные элементы фоторезисторов с поперечной (рис. 2,а; б; в) и продольной (рис. 2,г) фотопроводимостью. В чувствительном элементе с поперечной проводимостью направления фототока, и светового потока взаимно перпендикулярны, а в элементе с продольной проводимостью – параллельны. В рассмотренных структурах 1 – стеклянная подложка; 2 – золотые или платиновые выводы; 3 – фоточувствительный слой полупроводника Гребенчатая структура выводов сокращает время пролета между электродами, но затеняет площадь чувствительных элементов.

Рис. 1 Принцип работы фоторезистора: а) схема включения б) световой импульс в) импульс тока

Рис. 2 Типы чувствительных элементов (ЧЭ) фоторезисторов

Чувствительность фоторезистора прямо пропорциональна времени жизни носителей и коэффициенту усиления по току.

Постоянные времени нарастания t_нр_. или спада t_сп_. фототока – это время, в течение которого фототок изменяется в е раз (е – основание натурального логарифма) от установившегося значения при Ф = const.

Постоянные времени нарастания t_нр_. и спада t_сп. фототока (рис, 1, в) характеризуют инерционность фоторезистора, связанную со временем жизни носителей. Граничная частота фоторезистора обратно пропорциональна времени жизни, т. е. f_гр. = (2pt)^–¹ При одинаковом времени пролета t_пр. фоторезистор с высокой чувствительностью более инерционен.

Предельная монохроматическая обнаружительная способность любого фотоприемника обусловлена фотонными шумами фонового излучения с потоком Ф_ф.

Реальная обнаружительная способность ограничена собственными шумами фоторезистора Для ее увеличения фоторезисторы охлаждают, а также с помощью экранов различных конструкций снижают фоновое излучение.

Темновое сопротивление R_tm – это сопротивление фоторезистора при световом потоке Ф = 0.

Параметром семейства ВАХ (рис. 8.3) является световой поток. Вольтамперная характеристика фоторезистора – это нелинейная зависимость I = gU , где g – проводимость. При малых напряжениях ВАХ может быть квадратичной из-за потенциальных барьеров в контактах между отдельными зернами ЧЭ, между полупроводниковым слоем и выводами фоторезистора. При больших напряжениях изменяется значение коэффициента усиления, разогревается фоторезистивный слой и т. д., поэтому ВАХ линейна при заданном световом потоке в ограниченной области напряжений. С ростом светового потока пропорционально увеличивается наклон ВАХ до тех значений светового потока

Ф, пока изменение времени жизни носителей или разогрев фоторезистора не повлияет на фотопроводимость прибора.

Рис. 8.3 Вольтамперная характеристика Рис. 8.4. Частотная характеристика

Частотная характеристика чувствительности фоторезистора – это зависимость его токовой и вольтовой чувствительности от частоты модуляции светового потока. Нормированные частотные характеристики чувствительности представлены на рис.

8.4. Граничная частота f_гр_., определяемая в основном временам жизни носителей, соответствуют уровню 0,707 S_i(0), где S_i(0) – значение чувствительности на низких частотах.

Рис. 5 Спектральная характеристика фоторезисторов

Информация о работе

Скачать файл

Выбери свой ВУЗ

АлтГТУ 419
АлтГУ 113
АмПГУ 296
АГТУ 267

БИТТУ 794
БГТУ «Военмех» 1191
БГМУ 172
БГТУ 603
БГУ 155
БГУИР 391
БелГУТ 4908
БГЭУ 963
БНТУ 1070
БТЭУ ПК 689
БрГУ 179
ВНТУ 120
ВГУЭС 426
ВлГУ 645
ВМедА 611
ВолгГТУ 235
ВНУ им. Даля 166
ВЗФЭИ 245
ВятГСХА 101
ВятГГУ 139
ВятГУ 559
ГГДСК 171
ГомГМК 501
ГГМУ 1966
ГГТУ им. Сухого 4467
ГГУ им. Скорины 1590
ГМА им. Макарова 299
ДГПУ 159
ДальГАУ 279
ДВГГУ 134
ДВГМУ 408
ДВГТУ 936
ДВГУПС 305
ДВФУ 949
ДонГТУ 498
ДИТМ МНТУ 109
ИвГМА 488
ИГХТУ 131
ИжГТУ 145
КемГППК 171
КемГУ 508
КГМТУ 270
КировАТ 147
КГКСЭП 407
КГТА им. Дегтярева 174
КнАГТУ 2910
КрасГАУ 345
КрасГМУ 629
КГПУ им. Астафьева 133
КГТУ (СФУ) 567
КГТЭИ (СФУ) 112
КПК №2 177
КубГТУ 138
КубГУ 109
КузГПА 182
КузГТУ 789
МГТУ им. Носова 369
МГЭУ им. Сахарова 232
МГЭК 249
МГПУ 165
МАИ 144
МАДИ 151
МГИУ 1179
МГОУ 121
МГСУ 331
МГУ 273
МГУКИ 101
МГУПИ 225
МГУПС (МИИТ) 637
МГУТУ 122
МТУСИ 179
ХАИ 656
ТПУ 455
НИУ МЭИ 640
НМСУ «Горный» 1701
ХПИ 1534
НТУУ «КПИ» 213
НУК им. Макарова 543
НВ 1001
НГАВТ 362
НГАУ 411
НГАСУ 817
НГМУ 665
НГПУ 214
НГТУ 4610
НГУ 1993
НГУЭУ 499
НИИ 201
ОмГТУ 302
ОмГУПС 230
СПбПК №4 115
ПГУПС 2489
ПГПУ им. Короленко 296
ПНТУ им. Кондратюка 120
РАНХиГС 190
РОАТ МИИТ 608
РТА 245
РГГМУ 117
РГПУ им. Герцена 123
РГППУ 142
РГСУ 162
«МАТИ» — РГТУ 121
РГУНиГ 260
РЭУ им. Плеханова 123
РГАТУ им. Соловьёва 219
РязГМУ 125
РГРТУ 666
СамГТУ 131
СПбГАСУ 315
ИНЖЭКОН 328
СПбГИПСР 136
СПбГЛТУ им. Кирова 227
СПбГМТУ 143
СПбГПМУ 146
СПбГПУ 1599
СПбГТИ (ТУ) 293
СПбГТУРП 236
СПбГУ 578
ГУАП 524
СПбГУНиПТ 291
СПбГУПТД 438
СПбГУСЭ 226
СПбГУТ 194
СПГУТД 151
СПбГУЭФ 145
СПбГЭТУ «ЛЭТИ» 379
ПИМаш 247
НИУ ИТМО 531
СГТУ им. Гагарина 114
СахГУ 278
СЗТУ 484
СибАГС 249
СибГАУ 462
СибГИУ 1654
СибГТУ 946
СГУПС 1473
СибГУТИ 2083
СибУПК 377
СФУ 2424
СНАУ 567
СумГУ 768
ТРТУ 149
ТОГУ 551
ТГЭУ 325
ТГУ (Томск) 276
ТГПУ 181
ТулГУ 553
УкрГАЖТ 234
УлГТУ 536
УИПКПРО 123
УрГПУ 195
УГТУ-УПИ 758
УГНТУ 570
УГТУ 134
ХГАЭП 138
ХГАФК 110
ХНАГХ 407
ХНУВД 512
ХНУ им. Каразина 305
ХНУРЭ 325
ХНЭУ 495
ЦПУ 157
ЧитГУ 220
ЮУрГУ 309

Полный список ВУЗов

Определение, символ, работа, типы и применение

Фоторезистор или светозависимый резистор (LDR) — это электронный компонент, который используется для обнаружения света и управления работой электронной схемы, которая зависит от изменения освещенности. Он популярен среди других названий светозависимого резистора, LDR, фоторезистора или даже фотоэлемента, фотоэлемента или фотопроводника.

Он прост в изготовлении, имеет низкую стоимость и простоту использования, что позволяет использовать его в фотографических экспонометрах, определять уровни освещенности и т. д.

Что такое фоторезистор или светочувствительный резистор (LDR)?

Фоторезистор также известен как светочувствительный резистор. Это электронный компонент, удельное сопротивление которого зависит от падающего электромагнитного излучения. Следовательно, это светочувствительный прибор. Итак, его называют фотопроводящими ячейками, фотокондукторами или просто фотоэлементами. Он изготовлен из полупроводникового материала с высоким сопротивлением.

«Фоторезистор — переменный резистор, когда на него падает свет, сопротивление уменьшается. Она обратно пропорциональна интенсивности света»

Символ фоторезистора

Символ фоторезистора основан на схеме резистора, но показывает свет в виде стрелки. На рисунке показаны символы светозависимого резистора или фоторезистора.

Технические характеристики фоторезистора

Размеры фоторезистора

Длина – 4,46 мм/0,18 дюйма
Ширина — 5 мм/0,20 дюйма
Высота — 2,09 мм/0,08 дюйма
Вес – 0,25 г/0,01 унции

Типы фоторезисторов или светозависимых резисторов — LDR

Фоторезистор или LDR изготовлен из полупроводникового материала и является пассивным устройством. Фоторезисторы делятся на два типа в зависимости от материалов, используемых для их изготовления. Эти два типа приведены ниже:

Внутренние фоторезисторы (Нелегированный полупроводник) — этот тип фоторезистора изготовлен из чистого полупроводникового материала, а именно кремния и германия. Когда на него падает энергия фотона, электрон в валентной зоне возбуждается и движется к зоне проводимости 9.0036
Внешние фоторезисторы – В чужеродных полупроводниковых материалах используются легированные примеси и называются примесями. Эти примеси создают новый энергетический уровень, который находится выше валентной зоны. Благодаря этому энергетический зазор уменьшается. Внешний фоторезистор полезен для длинных волн.

Базовая структура и конструкция фоторезистора

Фоторезистор является светочувствительным резистором и изготовлен из полупроводниковых материалов. Эти материалы представляют собой сульфид кадмия, имеющий незначительное количество свободных электронов, когда на него не падает свет. В отсутствие света фоторезистор имеет высокое сопротивление в мегаомах. Однако в присутствии света фоторезистор имеет низкое сопротивление в несколько сотен Ом.

Основная конструкция и символ приведены ниже:

Зигзагообразные узоры выполнены из сульфида кадмия. Этот зигзагообразный рисунок используется для получения ожидаемой номинальной мощности и сопротивления. Структура отверстия покрыта пластиком, чтобы иметь прямое воздействие падающего излучения.

Принцип работы фоторезистора

Так как же работает фоторезистор (LDR)? Работа фоторезистора основана на концепции фотопроводимости. Фотопроводимость — это оптическое явление. Когда материал проводимости увеличивается при поглощении света материалом.

Когда на него падает свет или фотон, электроны полупроводника в валентной зоне возбуждаются в зону проводимости. Энергия этих фотонов больше, чем ширина запрещенной зоны полупроводникового материала, чтобы перепрыгнуть электрон из валентной зоны в зону проводимости.

Следовательно, когда на него падает достаточная световая энергия, все больше и больше электронов в валентной зоне возбуждаются, чтобы двигаться к зоне проводимости на большом количестве носителей заряда. Из-за этого все больше и больше тока начинает течь через него, когда цепь замкнута, и мы говорим, что сопротивление цепи уменьшается.

Таким образом, с увеличением интенсивности света увеличивается количество свободных электронов, за счет этого увеличивается фотопроводимость материала и уменьшается фоторезистор материала. Это называется принципом работы светозависимого сопротивления-LDR.

Приблизительно взаимосвязь между сопротивлением и освещением:

R = E A ^-α

Здесь R — сопротивление в OHM

.0105 E – освещенность
A и α – константа
Значение константы α определяется производственным процессом и сульфидом кадмия.

Характеристики фоторезистора (LDR)

Фоторезистор — светочувствительный резистор. При падении на него световой энергии сопротивление уменьшается, а без падения светового сопротивления увеличивается. Когда мы держали в темноте, сопротивление составляло мегаомы. Его также называют сопротивлением тьме. Когда на него подается постоянное напряжение и интенсивность света увеличивается, ток начинает увеличиваться. Кривая зависимости сопротивления от освещенности для фоторезистора показана ниже:

Фотодиод и фоторезистор являются нелинейными пассивными устройствами. Его чувствительность зависит от длины волны света. Некоторые фотоэлементы или фоторезисторы изготавливаются для определенного диапазона длин волн. В зависимости от материала используются на нем. Он имеет разные кривые спектрального отклика.

При попадании света на фотоэлемент. Обычно для изменения сопротивления требуется от 8 до 12 мс. В то время как сопротивление возвращается к исходному значению после удаления света, требуется одна или несколько секунд, и это явление известно как скорость восстановления сопротивления. И это использование в аудио компрессорах. LDR менее чувствителен, чем фотодиод. Фотодиод и фоторезистор — это не одно и то же, фотодиод — это диод с PN-переходом, который преобразует световую энергию в электрическую, в то время как фоторезистор является пассивным компонентом и не преобразует световую энергию в электрическую.

Проекты на основе фоторезисторов

Многие проекты в области электроники основаны на фотодиодах и фотосопротивлениях. Применения фоторезистора используются в медицине, астрономии и встроенной области. Ниже представлена некоторая база проекта по фоторезистору:

Фоторезистор на основе фотометра и его применение в криминалистическом анализе красителей.
Интеграция биосовместимой органической резистивной памяти
для носимых устройств распознавания изображений.
Синхронизация фотозатвора со смартфоном.
Разработка и реализация простой акустооптической схемы двойного управления.
Система определения местоположения источника света.
Устройство защиты от перегрева.
Устройство для обнаружения электромагнитного излучения.
Автоматическая двухосная газонокосилка на солнечных батареях для сельскохозяйственных работ.
Клавиатура со светоиндуцированной подсветкой разработана с использованием фоторезисторов.
Система уличного освещения для умных городов с использованием фоторезисторов.
Отслеживание интервенционных устройств МРТ с помощью регулируемых маркеров, управляемых компьютером.
Используются в жалюзи, активируемых светом.
также используются для автоматической регулировки контрастности и яркости в телевизорах и смартфонах.
В конструкции бесконтактного выключателя используются фоторезисторы.

Преимущества фоторезистора

Внутренний фотоэффект равен нулю
LDR обеспечивает хорошее напряжение и выбор мощности .
Это недорогое надежное устройство, которое легко доступно.

Недостаток фоторезистора

Изменение сопротивления происходит медленно при быстром воздействии света.

Применение фоторезисторов

Фоторезисторы имеют низкую стоимость и простую конструкцию. Его часто используют в качестве датчиков света. Некоторое применение фоторезистора приведено ниже

Используется в экспонометре камеры для обнаружения отсутствия или присутствия света.
Используется в уличном освещении для автоматического включения и выключения
Будильники
Цепи охранной сигнализации
Измерители силы света
В отрасли SCADA используются для выполнения таких функций, как подсчет количества упаковок на движущейся конвейерной ленте.

Характеристики фоторезистора

ПАРАМЕТР	ПРИМЕР РИСУНКОВ
Максимальная рассеиваемая мощность	200 мВт
Максимальное напряжение при 0 люкс	200В
Пиковая длина волны	600 нм
Мин. сопротивление при 10 лк	1,8 кОм
Макс. сопротивление при 10 лк	4,5 кОм
Типовое сопротивление при 100 лк	0,7 кОм
Сопротивление темноте через 1 сек.	0,03 МОм
Сопротивление темноте через 5 секунд	0,25 МОм

Фотодиод и фоторезистор — это не одно и то же. Фотодиод — это диод с P-N-переходом, который преобразует световую энергию в электрическую, тогда как фоторезистор является пассивным компонентом и не преобразует световую энергию в электрическую.

Часто задаваемые вопросы о фоторезисторе

Что такое материал фоторезистора?

Фоторезистор изготовлен из кремния и германия. Он также использует некоторые другие типы полупроводниковых материалов для создания фоторезистора, такие как сульфид кадмия или селенид кадмия.

Что такое фоторезисторный датчик?

Датчик фоторезистора (LDR)
он также известен как светочувствительные резисторы (LDR), светочувствительные устройства, часто используемые для индикации наличия или отсутствия света, LDR имеют чувствительность и нелинейное устройство и в зависимости от длины волны применяемого света

Как работает фоторезисторный датчик?

В чем разница между фотодиодом и фоторезистором?

Фотодиод и фоторезистор — это не одно и то же. Фотодиод — это диод с P-N переходом, который преобразует световую энергию в электрическую, тогда как фоторезистор является пассивным компонентом и не преобразует световую энергию в электрическую.

Какие существуют два типа фоторезистора?

Почему используется фоторезистор?

Фоторезистор — это светочувствительный резистор, который в основном используется для обнаружения отсутствия и присутствия света, а также для измерения интенсивности света.

Также читайте:- фотодиод, диод,

Связанные элементы:Преимущества фоторезистора, применение фоторезисторов, базовая структура и конструкция фоторезистора, характеристики фоторезистора, недостатки фоторезистора, LDR, датчик ldr, светозависимый резистор, фоторезистор, Схема фоторезистора, Технические характеристики фоторезистора, Символ фоторезистора, Использование фоторезистора, Проекты на основе фоторезисторов, Технические детали фоторезистора, Типы фоторезистора или светозависимых резисторов -LDR, ультрафиолетовый фоторезистор, Что такое фоторезистор или светозависимый резистор (LDR)?, Принцип работы фоторезистора

LDR (светозависимый резистор) или фоторезистор » ElectroDuino Фоторезистор, конфигурация выводов, схема выводов, распиновка, характеристики, символ, принцип работы

Привет друзья! Добро пожаловать в ElectroDuino. Этот блог основан на LDR (светозависимый резистор) или фоторезистор. Здесь мы обсудим, что такое LDR, его полную форму, конфигурацию контактов, символ, принцип работы, спецификацию и приложения.

Что такое LDR или фоторезистор

LDR или фоторезистор — это тип переменного резистора, его сопротивление меняется в зависимости от изменения интенсивности света, падающего на его поверхность. Полная форма LDR — Light Decreasing Resistance . Он также известен как фоторезисторные фоторезисторы или просто фотоэлементы .

Светозависимый резистор или фоторезистор работает по принципу « Фотопроводимость ». В основном, когда свет падает на поверхность LDR, его сопротивление уменьшается, а проводимость материала увеличивается. Когда свет не падает на поверхность LDR, его сопротивление увеличивается, а проводимость материала уменьшается.

Конфигурация выводов/распиновка светового убывающего сопротивления или фоторезистора

LDR Состоит из двух клемм . Первый вопрос, который приходит в голову новичкам о полярности LDR как и у других двухвыводных компонентов, но у него нет полярности как у простого резистора. это означает, что они могут быть подключены к в любом направлении в цепи.

LDR или клеммы фоторезистора

Символ LDR

Вы увидите различные типы символы используются в разных схемах. Символ LDR так же похож на символ резистора, но имеет направленных внутрь стрелок , которые отличаются от символа резистора. Стрелками указаны световые сигналы. различные типы символов показаны ниже

Типы LDR или фоторезисторов

Фоторезисторы или LDR подразделяются на два типа в зависимости от материалов, используемых для их изготовления. Это внутренние фоторезисторы и внешние фоторезисторы 9.0005

Собственный фоторезистор изготовлен из нелегированных чистых полупроводниковых материалов, таких как кремний или германий. Когда фотоны попадают на LDR, возбужденные электроны полупроводникового материала перемещаются из валентной зоны в зону проводимости, и количество носителей заряда увеличивается. Таким образом, проводимость материала увеличится, а сопротивление уменьшится.

Внешний фоторезистор изготовлен из полупроводниковых материалов, легированных примесями. Эти примеси создают новую энергетическую зону над существующей валентной зоной, которая заполнена электронами. В результате это уменьшает ширину запрещенной зоны. Таким образом, требуется меньше энергии, чтобы возбудить электроны и переместить их в зону проводимости. Внешние фоторезисторы в основном используются для длинных волн.

Принцип работы LDR

Светозависимый резистор или фоторезистор работает по принципу « Фотопроводимость ». Фотопроводимость — это оптическое явление, когда материал поглощает свет, а его проводимость увеличивается.

Изготовлен из полупроводникового материала , который имеет высокое сопротивление . Он имеет высокое сопротивление, потому что свободных электронов очень мало, и эти свободные электроны могут двигаться за счет внешней энергии.

Когда свет падает или фотоны падают на полупроводниковый материал, электроны в валентной зоне полупроводникового материала возбуждаются в зону проводимости. Когда интенсивность света увеличивается, т.е. фотонов становится больше, значит, энергия будет увеличиваться. Затем ширина запрещенной зоны полупроводникового материала заставляет электронов перепрыгнуть из валентной зоны в зону проводимости. Таким образом, проводимость материала увеличивается на и 9.0003 уменьшение сопротивления .

График зависимости интенсивности света от сопротивления

Сопротивление и проводимость LDR зависят от освещения. Когда интенсивность света увеличивается на поверхности LDR, то его сопротивление уменьшается , а проводимость увеличивается .