| Отличия вах реального и идеализированного p-n-переходов

3.2 Ток через p-n-переход

Через p-n-переход течет ток, представляющий сумму диффузионной и дрейфовой составляющих. Диффузионный ток образуется основными носителями заряда, для движения которых диффузионное поле является тормозящим. Увеличение диффузионного тока увеличивает напряженность поля Едиф, контактную разность потенциалов φк и потенциальный барьер φк . Это приводит к уменьшению тока. Таким образом устанавливается равновесие.

Дрейфовый ток образуется неосновными носителями заряда, для которых диффузионное поле является ускоряющим.

В равновесном состоянии сумма диффузионного и дрейфового токов равна нулю:

3.3 Прямое включение p-n-перехода

Прямым называется такое включение, при котором создаваемое внешним напряжением поле направлено против диффузионного поля (рис.3.2).

Рис.3.2 Прямое включение p-n-перехода

В результате контактная разность потенциалов уменьшается, потенциальный барьер снижается, ток основных носителей заряда через переход увеличивается.

3.4 Обратное включение p-n-перехода

Обратное включение p-n-перехода характеризуется тем, что напряженность поля, создаваемого внешним напряжением, совпадает по направлению с напряженностью диффузионного поля (рис.3.3).

Рис.3.3 Обратное включение p-n-перехода

В результате контактная разность потенциалов увеличивается, потенциальный барьер повышается, ток основных носителей заряда через переход уменьшается.

1.5. Вольт – амперная характеристика (ВАХ) идеализированного p-n — перехода

Вольт — амперная характеристика

p-n-перехода –это зависимость тока через переход от приложенного к нему напряжения.

Идеализация p-n –перехода заключается в принятии следующих допущений:

1.Прилегающие к переходу области p и n характеризуются нулевым удельным сопротивлением. Поэтому внешнее напряжение прикладывается непосредственно к p-n-переходу.

2.В области p-n- перехода отсутствуют процессы генерации и рекомбинации свободных носителей заряда. Тогда ток через переход в зависимости от приложенного к переходу внешнего напряжения Uвнеш, т. е. вольт- амперную характеристику можно описать формулой Шокли:

где I0 — тепловой ток, который создается неосновными носителями заряда и зависит от трех факторов:

1. Концентрации неосновных носителей заряда, обратно пропорциональной концентрации примесей.

2.  Ширины запрещенной зоны ∆W. Чем больше ∆W, тем меньше I0 .

3.  Температуры. С увеличением температуры растет скорость генерации носителей заряда и увеличивается их концентрация.

3.6 Зонная (энергетическая) диаграмма p-n-перехода

При Uвнеш = 0. Состояние равновесия. Уровень Ферми имеет одно значение для всей структуры (рис.3.4).

Рис.3.4 Зонная диаграмма равновесного p-n-перехода

При Uвнеш ≠0. Прямое включение p-n-перехода (рис.3.5).

Рис.3.5 Зонная диаграмма при прямом включении p-n-перехода

При Uвнеш ≠0. Обратное включение p-n-перехода (рис.3.6).

Рис.3.6 Зонная диаграмма при обратном включении p-n-перехода

3.7 Отличия ВАХ реального и идеализированного p-n-переходов

Реальные p-n-переходы являются, как правило, несимметричными. При этом концентрация примеси в одной области превышает концентрацию примеси в другой. Область с большей концентрацией называется эмиттером, с меньшей — базой. Меньшая концентрация примесей означает меньшую электропроводность и большее удельное сопротивление. Поэтому в реальных p-n-переходах пренебрегать удельным сопротивлением базы нельзя. Эквивалентная схема реального p-n-перехода имеет вид (рис.3.7).

Рис.3.7 Эквивалентная схема реального p-n-перехода

Вторым отличием реального p-n-перехода от идеализированного является наличие в обедненном слое процессов генерации и рекомбинации носителей заряда. Поэтому при обратном включении ток через переход не постоянен, а зависит от приложенного к переходу напряжения (рис.3.8).

Рис.3.8 Отличие ВАХ реального p-n-перехода от идеализированного

Третье отличие заключается в присутствии явления пробоя при обратном включении p-n-перехода.

3.8 Пробой p-n-перехода

Пробой проявляется как резкое увеличение тока через p-n-переход при незначительном изменении приложенного обратного напряжения.

Различают три вида пробоя.

Лавинный пробой — возникает за счет лавинного размножения неосновных носителей заряда путем ударной ионизации. Напряжение, при котором он появляется, увеличивается с ростом температуры (рис.3.8).

Рис.3.8 ВАХ при лавинном пробое

Туннельный пробой — возникает за счет перехода электронов из связанного состояния в свободное без сообщения им дополнительной энергии. С ростом температуры напряжение пробоя уменьшается (рис.3.9).

Рис.3.9 ВАХ при туннельном пробое p-n-перехода.

Тепловой пробой — это пробой, развитие которого обусловлено выделением тепла вследствие прохождения тока через переход. В отличие от лавинного и туннельного является необратимым. То есть в результате пробоя переход перестает работать. С ростом температуры напряжение пробоя уменьшается (рис.3.10).

Рис.3.10 ВАХ при тепловом пробое p-n-перехода

3.9 Зависимость ВАХ p-n-перехода от температуры

С ростом температуры ток через p-n-переход при прямом включении увеличивается из-за увеличения энергии носителей электрического заряда, которые за счет этого легче преодолевают потенциальный барьер.

При обратном включении p-n-перехода с ростом температуры ток через него увеличивается за счет увеличения скорости генерации носителей заряда в переходе (рис.3.11).

Рис.3.11 Зависимость ВАХ p-n-перехода от температуры

3.10 Зависимость ВАХ p-n-перехода от материала полупроводника

Вольт-амперная характеристика p-n-перехода зависит от ширины запрещенной зоны AW энергетической диаграммы материала полупроводника.

Чем больше ширина запрещенной зоны AW, тем меньше скорость тепловой генерации и меньше концентрация неосновных носителей, создающих обратный ток I0 . Следовательно обратный ток меньше.

При прямом включении p-n-перехода ток через него будет тем больше, чем меньше ширина запрещенной зоны. Действительно, ток через p-n-переход определяется как

С увеличением значения ∆W, ток I0 уменьшается и ток I также уменьшается. Для наиболее распространенных полупроводниковых материалов Ge, Si и GaAs ВАХ соотносятся следующим образом (рис.3.12).

Рис.3.12 Зависимость ВАХ p-n-перехода от материала

 Параметры транзистора как четырехполюсника. h-параметры

Биполярный транзистор в схемотехнических приложениях представляют как четырехполюсник и рассчитывают его параметры для такой схемы. Для транзистора как четырехполюсника характерны два значения тока I1 и I2 и два значения напряжения U1 и U2 (рис. 5.23).

Рис. 5.23. Схема четырехполюсника

В зависимости от того, какие из этих параметров выбраны в качестве входных, а какие в качестве выходных, можно построить три системы формальных параметров транзистора как четырехполюсника. Это системы z-параметров, y-параметров и h-параметров. Рассмотрим их более подробно, используя линейное приближение.

Система h-параметров

Система h-параметров используется как комбинированная система из двух предыдущих, причем из соображений удобства измерения параметров биполярного транзистора выбирается режим короткого замыкания на выходе (U2 = 0) и режим холостого хода на входе (I1 = 0). Поэтому для системы h-параметров в качестве входных параметров задаются ток I1 и напряжение U2, а в качестве выходных параметров рассчитываются ток I2 и напряжение U1, при этом система, описывающая связь входных I1, U2 и выходных I2, U1 параметров, выглядит следующим образом:

4. Полупроводниковый диод. Дифференциальное сопротивление в прямом включении

  Для начала стоит разобраться с понятием «дифференциальное сопротивление». Я думаю, многие знают, что из себя представляет обычное «омическое» сопротивление и легко могут его найти, зная закон Ома:

 I=U⁄R,                                                                                               (1)

где I ─ ток, протекающий в цепи, U ─ Напряжение на участке цепи, R ─ сопротивление участка цепи.
Благодаря этой формуле, мы легко вычисляем сопротивление и не паримся. Это справедливо к обычному резистору, сопротивление которого не меняется от приложенного тока и напряжения ( пока он не начнет гореть от перегрузки, но это уже другая история :)). 

  Если мы возьмем диод, приоткроем его определенным напряжением и начнем расчитывать его сопротивление по обычной формуле, исходя из полученных токов и напряжений, ничего путного из этого не получится, поскольку данная формула применима к линейным элементам (коим и является обычный резистор). Расчеты окажутся некорректными, поскольку диод имеет НЕЛИНЕЙНУЮ (экспоненциальную) вольт-амперную характеристику, график которой был приведен в этой статье, из которого видно, что при изменении протекающего тока, напряжение изменяется непропорционально.

 Тут как раз на помощь приходит дифференциальное сопротивление, которое показывает, насколько изменяется это самое сопротивление при изменении тока или напряжения в нашем элементе. Оно имеет вид:

   d(R)=|U2-U1|/|I2-I1|,                                                                                  (2)

где d(R) ─ дифференциальное сопротивление, U2-U1 ─ дифференциальное (разностное) напряжение на участке цепи, I2-I1 ─ дифференциальный (разностный) ток, протекающий в цепи.

  Допустим, захотелось нам вычислить сопротивление диода. И тут есть,по крайней мере, два пути. Первый путь достаточно прост. Умные дяденьки, исходя из формулы вольт-амперной характеристики диода, вывели формулу, с помощью которой можно вычислить дифференциальное сопротивление диода, исходя из протекающего тока. Выглядит она таким образом:

d(R)=(k*T/e)/I,                                                                                        (3)

где k ─ постоянная Больцмана, T ─ абсолютная температура в Кельвинах, e ─ заряд электрона.

  Далее, дяденьки пошли дальше и ввели величину теплового потенциала (ϕT), она равна:

ϕT=k*T/e                                                                                            (4)

При комнатной температуре (20…25°С), величина ϕT≈25 (мВ), а при другой температуре расчитать несложно, поскольку k и e ─ всем известные константы, а T ─ это собственно температура :).

Исходя из вышеописанного, формула 3 три приобретает вид:

 d(R)=ϕT/I,                                                                                           (5)

Допустим, мы при комнатной температуре провели через диод ток величиной 1 милиампер. Расчитаем дифференциальное сопротивление диода по формуле 5:

d(R)=25/1=25 Ом                                                                                         

Собственно говоря, на этом весь расчет и окончился :). Полученные результаты на 100% верны, если вольт-амперная характеристика нашего диода идеально экспоненциальная. Естественно, идеального ничего не бывает, поскольку на практике характеристика диода немного отличается от экспоненциальной, поэтому погрешность, конечно, есть. Это был первый путь.

  Второй путь ─ сугубо практический. Берем диод, пропускаем через него ток ,смотрим падение напряжения, записываем результаты. Далее, повышаем ток, смотрим падение напряжения, записываем результаты, после чего, расчитываем сопротивление с помощью формулы 2. Такой подход актуален, когда нужно прям очень точно  расчитать сопротивление (мое мнение ─ на практике такая точность нахрен никому не нужна :)). Этим мы и займемся. В симуляторе выбираем диод, пропускаем через него ток 1 миллиампер смотрим падение напряжения при этом:

Напряжение составило 611,5 мВ. Повысим мы, допустим, ток в 3 раза (мне так захотелось). Что при этом получилось:

Падение напряжения составило 671,9 мВ. Ну что же, данные есть, осталось только подставить в формулу 2:

d(R)=(671,9-611,5)/(3-1)=30,2 Ом                                                                             

Наше дифференциальное сопротивление составило 30,2 Ом. Вспомним, что с помощью первого метода расчета, оно составило 25 Ом. Какой расчет выбирать? Дело уже Ваше. Как правило, на практике, первого метода вполне достаточно.

  

Диод Шоттки : Физика — Страница 2

вах диода и есть экспонента. увеличиваете напряжение НА фиксированное значение и ток увеличивается В фиксированное число раз. допустим при 800мв ток 1ма, при 820мв — 2ма, 840мв — 4ма, 860мв — 8ма и так далее

Термопара и диод

На рисунке 1 приведены Вольт-Амперные характеристики термопары, входящей в измерительный комплект для мультимера APPA 109N.
Точками синего цвета обозначена Вольт-Амперная характеристика, измерянная при температуре 10 градусов по Цельсию. Цветам соответствуют следующие температуры:

Синий – 10 градусов по Цельсию.
Зелёный – 20 градусов по Цельсию.
Красный – 30 градусов по Цельсию.
Голубой – 40 градусов по Цельсию.
Сиреневый – 50 градусов по Цельсию.
Розовый – 60 градусов по Цельсию.

Рис. 1 Вольт-Амперные характеристики для термопары, используемой в мультимере APPA 109N для измерения температуры, для температур 10, 20, 30, 40, 50, 60 градусов по Цельсию. Вольт-Амперные характеристики соответствуют характеристикам прямого тока.

По графикам на рисунке 1 видно, что комнатная температура, при которой производились измерения была 20 градусов по Цельсию – зелёная прямая проходит через 0.

Рис. 2 Вольт-Амперные характеристики прямого тока математической модели кремниевого полупроводникового диода, для температур -150, -100, -50, 0, 50, 100 градусов по Цельсию.

На рис. 2 приведены Вольт-Амперные характеристики математической модели диода КД213А для температур -150, -100, -50, 0, 100 градусов по Цельсию.
Цветам соответствуют следующие температуры:
Синий – -150 градусов по Цельсию.
Зелёный – -100 градусов по Цельсию.
Красный – -50 градусов по Цельсию.
Голубой – 0 градусов по Цельсию.
Сиреневый – 50 градусов по Цельсию.
Розовый – 100 градусов по Цельсию.
Вольт-Амперные характериститки диода, в основе своей – прямолинейны и похожи на Вольт-Амперные характеристики термопары ( учитывая условия ограничений для диода, которых нет у термопары).
Вольт-Амперные характеристики диода имеют вид экспоненты только в области малых токов, при диапазоне токов от нескольких микроампер до сотен миллиампер, что говорит о переходном характере экспоненты.
Объяснить «экспоненциальность» Вольт-Амперной характеристики возможно свойством функции экспоненты создавать переход процессов. Такой переход происходит между линейной части характеристики термопары (или диода) и осью абсцисс, при условии невозможности пересечения оси абсцисс.
И конечно графики на рисунках 1 и 2 отличаются масштабами. При сравнении следует также обратить внимание на одинаковое направление смещения Вольт-Амперной характеристики при изменении температуры. При нагревании характеристика всегда смещается влево. Это правило относиться к прямому току. Для обратного тока ( перевёрнутый рис. 1. ) термопары смещение противоположно. Кроме того, ВАХ термопары нелинейна. Линейность мы наблюдаем только на начальном участке на рис. 1. Но сходство графиков имеется. Надо только уметь наблюдать.
Кроме того, график ВАХ термопары никогда не имеет вид «ток в термопаре растет с уменьшением напряжения». Такое свойственно только отрицательному сопротивлению, а термопара им не является. ВАХ термопары на рис. 1 снимал я сам. В учебниках этого не найдёте. Если б у меня была висмутовая проволока, то я бы исследовал термопару «висмут-медь»… или «висмут-сурьма». К сожалению, сурьмы у меня тоже нет.

Использование метода наименьших квадратов для подбора параметров вольт-амперной характеристики диода Текст научной статьи по специальности «Электротехника, электронная техника, информационные технологии»

УДК 621.382.2/3

А. Е. Китаев

ИСПОЛЬЗОВАНИЕ МЕТОДА НАИМЕНЬШИХ КВАДРАТОВ ДЛЯ ПОДБОРА ПАРАМЕТРОВ ВОЛЬТ-АМПЕРНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКИ ДИОДА

АО «ННПО имени М.В. Фрунзе»

В данной работе метод наименьших квадратов применен для подбора параметров нелинейной модели полупроводникового диода: тока насыщения, температурного потенциала и внутреннего сопротивления диода (омического сопротивления области с меньшей концентрацией примесей). Последний параметр применяется в уравнении, уточняющем экспоненциальную формулу Шокли в области больших прямых токов, но рассмотренный метод применим и в случае равенства этого параметра нулю (когда уточненное выражение переходит в формулу Шокли).

Ключевые слова: метод наименьших квадратов.

Введение

Целью данной работы является разработка методики подбора параметров для нелинейной модели полупроводникового диода, уточняющей формулу Шокли. Именно формула Шокли обычно применяется для описания вольт-амперной характеристики р-п перехода, но при больших прямых токах в реальных полупроводниковых диодах наблюдаются отклонения от этой формулы. Известно, что ток диода можно неявным образом выразить через напряжение с помощью следующего более точного выражения [1]:

и _ Я

I = I, (е Фф_ 1). (1)

Здесь I, — это ток насыщения, ф — температурный потенциал, Я — омическое сопротивление области диода с меньшей концентрацией примесей (фактически этот параметр является внутренним сопротивлением диода). Формула (1) отличается от формулы Шокли именно учетом этого внутреннего сопротивления Я. Явное выражение для тока [2], учитывающее ненулевое значение параметра Я, записывается через специальную функцию Ламберта Ж(х) [3]:

и г Я

Ф _ Я ^ ~ I = _1, (е ФI, Яе Ф ). (2)

ЯФ

График, соответствующий этой кривой, обозначен на рис. 1 сплошной линией (пунктирная линия соответствует формуле Шокли). Из графика видно, что экспоненциальная кривая Шокли имеет более резкий рост. Кривая (2), соответствующая учету ненулевого внутреннего сопротивления Я, при больших значениях прямого напряжения асимптотически приближается к прямой линии:

т и фЯ.

1 * Я + Я1п( 1,»).

Я Я ф

Явная формула для напряжения, следующая из (1), записывается с использованием логарифмической функции:

и = ф 1п(1 +1) + 1Я . (3)

© Китаев А. Е., 2018.

Именно эту формулу из-за ее простоты целесообразно положить в основу дальнейших расчетов. Для подбора параметров 1ц, ф и R будет использован метод наименьших квадратов, адаптированный к данному нелинейному случаю.

Рис. 1. Графики вольт-амперных характеристик диода (сплошная линия — с учетом ненулевого внутреннего сопротивления Л, пунктир — без учета Л, в соответствии с формулой Шокли)

Методика

Если напрямую применить метод наименьших квадратов к соотношению (3), мы получим достаточно сложную систему из трех уравнений относительно трех неизвестных величин (1ц, ф, R). Можно упростить задачу, если использовать тот факт, что при больших прямых токах вольт-амперная характеристика, описываемая формулой (3), почти линейна. Ее наклон определяется параметром R. Это позволяет произвести оценку данного параметра, взяв несколько экспериментальных значений тока и напряжения, находящихся на квазилинейном участке характеристики, и применив обычный метод наименьших квадратов [4], предназначенный для поиска параметров R и Ь кривой y=xR+b. Значение R определяется следующей формулой:

ь ь ь

1 «У У. У X

Я =

ЬУ хгУг -У у. У х

г=1_г=1 г=1

ЬУ (хг )2 — (У*г )2

г=1 г=1

Здесь хг — это набор из Ь экспериментальных значений тока (приходящихся на квазилинейный участок), а уг — набор из Ь соответствующих им экспериментальных значений напряжения (Ь<Ы, где N — полное число экспериментальных отсчетов, приходящихся не только на квазилинейный, но и на нелинейный участок).

После этого получим формулу для параметров I и ф, считая, что третий параметр Я нам уже известен.+1))2

k=1 Is

(5)

N x x 2(фln(+1) + xR — y,)—= 0

i =1

I

x, + Is

Если ф из первого уравнения (5) подставить во второе (переименовав для удобства индексы суммирования), мы получим уравнение, куда входит лишь 1ц:

N

x

2 (xmR — ym )ln( +1)

I x x

2 ([- -«-]ln( ~r~ +1) + x,R — yi) = o.

г=1 2 (м—+1))2 x +

N

k=1

Is

Это уравнение можно решить численно (например, средствами пакета «Wolfram Mathematica») и найти значение Is. После этого из первого уравнения системы (5) можно найти значение ф. Параметр R здесь считается уже известным но его, возможно, придется изменить, чтоб добиться лучшего совпадения данных, вычисленных по формуле (3), с экспериментальными значениями. Например, можно провести расчет для нескольких значений R, построить график, отображающий зависимость квадратичного отклонения S в зависимости от R, и после этого подобрать значение R, при котором отклонение S минимально.

Отметим также, что система (5) пригодна и для случая формулы Шокли (когда в соотношениях (1) и (3) R=0).

В заключение статьи приведем график, где точками показаны экспериментальные данные, а сплошной линией — значения, вычисленные по формуле (3).

s

Рис. 2. Координата х — это ток (А), y — напряжение (В). R=0.63 Ом

Если принять аппроксимацию. (в предположении, что внутреннее сопротивление R задано).

3. Возможно варьирование значения R и повторение действий пункта 2 для лучшей аппроксимации экспериментальных данных теоретической кривой.

Полученная кривая довольно точно приближает массив экспериментальных данных. Приравнивание внутреннего сопротивления диода R нулю приводит к ухудшению соответствия.

Библиографический список

1. Степаненко, И.П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем / И.П. Степаненко. -М.: Энергия, 1977.

2. Китаев А.Е. / Материалы международной научно-технической конференции «Интерматик-2016», Часть 3. — М.: Галлея-Принт, 2016.

3. Дубинов, А. Е. W-функция Ламберта и ее применение в математических задачах физики / А. Е.Дубинов, И. Д.Дубинова, С. К. Сайков. — Саров: ФГУП «РФЯЦ-ВНИИЭФ», 2006.

4. Зельдович, Я.Б. Элементы прикладной математики / Я.Б. Зельдович, А.Д. Мышкис. — М.: Наука, 1972.

5. Китаев, А.Е. Аналитическое представление характеристик биполярных транзисторов // Радиотехника 2017 N10 С.189-194.

6. Труды XX Научной конференции по радиофизике. — Н.Новгород: ННГУ, 2016.

Дата поступления в редакцию 23.03.2018

R=0, кривая, полученная таким способом, дает худшую

34

Tpydbi HrTy um. P.E. ArnKceeea № 2 (121)

A. E. Kitaev

USING OF THE LEAST-SQUARES METHOD FOR DIODE PARAMETERS FITTING

NNPO named after M.V. Frunze

Purpose: The purpose of this work is the algorithm design of parameter fitting for the nonlinear characteristics of semiconductor diode.

Methodology: In this paper the least-squares method is applied to the parameters fitting for the volt-ampere characteristic of semiconductor diode. These parameters are Is, 9 and R. Is is saturation current, q> is temperature voltage and R is the pure resistance of diode area with little impurity density. The third parameter is used in improved formula of characteristic that is more exact than the exponential Shockley formula. If this parameter is equal to zero this method can be applied to the original Shockley formula.

Findings: The least-squares method is adapted for application to this task. The calculations show that the accounting of third parameter R makes the approximation more exact.

Key words: least squares method, volt-ampere characteristic.

Выполнение лабораторной работы

Для того чтобы составить схему для измерения ВАХ диода, для начала смоделируем её в программе Ltspicе:

Рисунок 4 – Схема для измерения ВАХ диода

Максимальное обратное напряжение диода EDZV15B – 15В [4].

С помощью плоттера построим прямую и обратную ветвь ВАХ диода (в пределах допустимых значений прямых напряжений и токов диода). Выставим параметры источника питания DС sweep от 0В до 1В и в плоттере добавим ось I(D1).

Рисунок 5 – Прямая ветвь ВАХ диода

Для нахождения статического сопротивления используем формулу:

Для нахождения дифференциального сопротивления используем формулу:

.

Для статического сопротивления в свойствах плоттера введем формулу V(n001)/I(D1) и запустим моделирование.

Рисунок 6 – Зависимость статического сопротивления диода от напряжения на диоде для прямой ветви ВАХ

Для дифференциального сопротивления в свойствах плоттера введем формулу d(V(n001))/d(I(D1)) и запустим моделирование.

Рисунок 7 – Зависимость дифференциального сопротивления диода от напряжения на диоде для прямой ветви ВАХ

Построим обратную ветвь ВАХ. Для этого поменяем полярность напряжения на диоде и в параметрах источника питания выставим напряжение пробоя диода. DC sweep от 14В до 15В, шаг 0.0005В.

Рисунок 8 – Схема обратного включения диода

Рисунок 9 – Обратная ветвь ВАХ диода

Для статического сопротивления в свойствах плоттера введем формулу V(n001)/I(D1) и запустим моделирование.

Рисунок 10 – Зависимость статического сопротивления диода от напряжения для обратной ветви ВАХ

Для дифференциального сопротивления в свойствах плоттера введем формулу d(V(n001))/d(I(D1)) и запустим моделирование.

Рисунок 11 – Зависимость дифференциального сопротивления от напряжения для обратной ветви ВАХ

Вывод: В ходе лабораторной работы были изучены основные принципы моделирования электронный схем в программе Ltspice, построена прямая и обратная ветвь вольтамперной характеристики диода, построены зависимости статического и дифференциального сопротивления диода от напряжения на диоде для прямой и обратной ветви ВАХ. Так же были изучены характеристики и параметры реальных полупроводниковых диодов.

5 Контрольные вопросы

1. Классификация диодов по технологии изготовления и функциональному назначению. Элементы конструкции диода.

2. Идеальная и реальная ВАХ диода. Зависимость обратного тока от температуры для германиевых и кремниевых диодов. Факторы, влияющие на прямую ветвь реальной ВАХ диода. ТКН диода.

3. Виды пробоя p-n-перехода. ВАХ диода в области пробоя. Пороговое напряжение.

4. Дифференциальное и статическое сопротивления диода.

5. Эквивалентные схемы и модели диода.

6. Расчёт рабочего режим диода. Нагрузочная характеристика диода.

7. Применение диодов для выпрямления переменного тока.

8. Параметры выпрямительных диодов.

9. Последовательное и параллельное соединение диодов.

10. Полупроводниковые стабилитроны: принцип работы, основные параметры, основные схемы включения.

11. Импульсные диоды: особенности конструкции, искажения импульса тока в диоде, эквивалентная схема и параметры диода.

12. Варикапы: назначение, принцип работы, схема включения, основные параметры и их типовые значения.

13. Туннельный диод: структура, принцип работы, ВАХ диода и область его применения.

14. Сокращённые обозначения п/п диодов и их условные графические обозначения в схемах.

1.06. Динамическое сопротивление

ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ

Напряжение, ток и сопротивление

Часто приходится иметь дело с электронными устройствами, в которых ток I не пропорционален напряжению U; в подобных случаях нет смысла говорить о сопротивлении, так как отношение U/I не является постоянной величиной, независимой от U, а, наоборот, зависит от U. Для подобных устройств полезно знать наклон зависимости U — I (вольт-амперной характеристики). Иными словами, представляет интерес отношение небольшого изменения приложенного напряжения к соответствующему изменению тока через схему: ΔU/ΔI (или dU/dl). Это отношение измеряется в единицах сопротивления (в омах) и во многих расчётах играет роль сопротивления. Оно называется сопротивлением для малых сигналов, дифференциальным сопротивлением, динамическим или инкрементным сопротивлением.

Рис. 1.13. Вольт-амперные характеристики; а — резистор линейная зависимость ; 6 — зенеровский диод (нелинейная зависимость).

Зенеровские диоды (стабилитроны). В качестве примера рассмотрим зенеровский диод (стабилитрон), вольт-амперная характеристика которого приведена на рис. 1.13. Зенеровские диоды используют для получения постоянного напряжения на каком-либо участке схемы. Это достигается за счет тока (в грубом приближении постоянного), получаемого от источника большего напряжения в той же схеме. Например, зенеровский диод, представленный на рис. 1.13, преобразует питающий ток, изменяющийся в указанном диапазоне, в соответствующий (но более узкий) диапазон напряжений. Важно понять, как будет вести себя соответствующее напряжение на зенеровском диоде (зенеровское напряжение пробоя) при изменении питающего тока, это изменение есть мера влияния изменений питающего тока. Оно характеризуется динамическим

рис. 1.14. Регулятор на зенеровском диоде.

сопротивлением зенеровского диода, определяемым при заданном токе. (Учтите, что динамическое сопротивление зенеровского диода в режиме стабилизации изменяется обратно пропорционально току). Например, динамическое сопротивление зенеровского диода, создающего напряжение стабилизации 5 В, может быть равно 10 Ом при токе 10 мА. Воспользовавшись определением динамического сопротивления, найдём, чему будет равно изменение напряжения при изменении питающего тока на 10%: ΔU = R_динΔI = 10·0,1·0,001 = 10 мВ или ΔU/U = 0,002 = 0,2%. Тем самым подтверждаются высокие стабилизирующие качества зенеровского диода. На практике часто приходится иметь дело с такими схемами, как показанная на рис. 1.14. Здесь ток, протекающий через стабилитрон и резистор, обусловлен имеющимся в той же схеме напряжением, большим чем напряжение стабилизации. При этом I = (_Uвх — U_вых)/R и ΔI = (ΔU_вх — ΔU_вых/R) тогда ΔU_вых = R_динΔI = (R_дин/R)(ΔU_вх — ΔU_вых) и наконец, ΔU_вых = ΔU_вхR_дин/(R + R_дин). Следовательно, по отношению к изменениям напряжения схема ведёт себя как делитель напряжения, в котором зенеровский диод заменён резистором, сопротивление которого равно динамическому сопротивлению диода при рабочем токе. Приведённый пример показывает, для чего нужен такой параметр, как динамическое сопротивление. Допустим что в рассмотренной нами схеме входное напряжение изменяется в пределах от 15 до 20 В, а для получения стабильного источника напряжения 5,1 В используется зенеровский диод типа 1NA733 (зенеровский диод с напряжением 5,1 В и мощностью 1 Вт). Резистор сопротивлением 300 Ом обеспечит максимальный зенеровский ток, равный 50 мА: (20-5,1)/300. Оценим изменение выходного напряжения, зная, что максимальное сопротивление для выбранного диода составляет 7 Ом при токе 50 мА. В диапазоне изменения входного напряжения ток через зенеровский диод изменяется от 50 мА до 33 мА; изменение тока на 17 мА вызывает изменение напряжения на выходе схемы, равное ΔU = R_динΔI, или 0,12 В. Другие примеры использования зенеровских диодов вы найдёте в разд. 2.04. В реальных условиях зенеровский диод обеспечивает наивысшую стабильность, если он питается от источника тока, у которого по определению R_дин = ∞ (ток не зависит от напряжения). Но источник тока представляет собой достаточно сложное устройство, и поэтому на практике мы чаще всего удовлетворяемся простым резистором.

Туннельные диоды. Ещё один интересный пример использования параметра динамического сопротивления связан с туннельным диодом. Его вольт-амперная характеристика показана на рис. 1.15.

рис. 1.15.

В области между точками А и В он обладает отрицательным динамическим сопротивлением. Из этого вытекает важное следствие: делитель напряжения, состоящий из резистора и туннельного диода, может работать как усилитель (рис 1.16).

рис. 1.16.

Воспользуемся уравнением для делителя напряжения и для изменяющегося напряжения U_сигн, получим U_вых = [R/(R + r_t)] U_снгн, где r_t — динамическое сопротивление туннельного диода при рабочем токе, U_сигн — изменение малого сигнала, которое до настоящего момента мы обозначали через ΔU_сигн (в дальнейшем мы будем пользоваться этим широко распространённым обозначением). Для туннельного диода r_{t дин}t дин бат создаёт постоянный ток, или смещение, которое смешает рабочую точку в область отрицательного сопротивления. (Безусловно, во всяком усилительном приборе необходимо иметь источник питания.)

И наконец, в двух словах история туннельных диодов: они появились в конце 50-х годов, и с ними сразу стали связывать пути разрешения множества проблем схемотехники. Их высокое быстродействие дало основание предположить, что они произведут революцию в области вычислительной техники. К сожалению, оказалось, что эти элементы сложны в использовании; это обстоятельство, а также успешное развитие транзисторов привело к тому, что туннельные диоды сейчас почти не находят применения.

Позже при рассмотрении активных фильтров мы вернемся к явлению отрицательного сопротивления. Тогда вы познакомитесь со схемой преобразователя отрицательного импеданса, которая обеспечивает наряду с другими характеристиками настоящее (а не динамическое) отрицательное сопротивление.

Сигналы

Улучшенная термооптическая коммутация пятен композита парафин-воск при лазерном нагреве

Abstract

Термооптические переключатели имеют особое значение в сетях связи, где требуются все более высокие скорости переключения. Материалы с фазовым переходом (PCM), в частности, на основе парафина, обеспечивают множество интересных применений с необычными свойствами переключения, вызванными термическим воздействием, которые ограничиваются только довольно низкой теплопроводностью парафина. В этой статье было исследовано использование различных углеродных наполнителей в качестве усилителей теплопроводности парафина, и представлена ​​новая структура на основе пятна парафина в качестве термооптического переключателя.Параметры термооптического переключения улучшаются за счет добавления графита и графена из-за чрезвычайно высокой теплопроводности углеродных наполнителей. Дифференциальная сканирующая калориметрия (ДСК) и растровый электронный микроскоп (СЭМ) выполняются на парафиновых композитах, а удельная теплоемкость рассчитывается на основе измерений ДСК. Термооптическое переключение на основе пропускания измеряется как функция концентрации основного вещества при обычном электрическом нагреве и лазерном нагреве композитов парафин-углеродный наполнитель.Дальнейшее улучшение параметров термооптического переключения изучается при нагреве лазером Nd: YAG. Эта новая структура может быть использована в будущих сетях с огромными требованиями к полосе пропускания и в приложениях удаленной лазерной коммутации без электрического шума.

Ключевые слова: термооптическое переключение, парафиновый воск, материалы с фазовым переходом, углеродные наполнители, графен, графит, композиты

1. Введение

Одним из наиболее значительных достижений в технологии оптического переключения является термооптическое переключение (TOS ).TOS — это волноводная коммутация, которая очень привлекательна из-за адекватной скорости для критичных по времени приложений и небольшого размера. Основным принципом ТОС является изменение показателя преломления материала под действием температурных градиентов [1,2].

Индивидуальный подбор композитного материала с фазовым переходом (PCM) представляет большой интерес, в основном из-за его интересных возможностей в хранении солнечной энергии, экономии энергии в зданиях и контроле температуры в электронном оборудовании для улучшения общих характеристик системы [3].PCM связаны с тремя методами хранения энергии: явным теплом, скрытой теплотой и химической энергией. Скрытое накопление тепла — эффективный метод загрузки энергии из-за большой емкости и небольшого изменения температуры от накопителя к извлечению [4].

Парафин обычно используется в качестве материала с фазовым переходом, демонстрируя высокий уровень хранения скрытой тепловой энергии и низкие колебания температуры, хотя этот материал страдает низкой теплопроводностью ~ 0,24 Вт / м · К [3,4,5]. Графен и графит в последнее время используются для увеличения низкой теплопроводности парафинового воска [6,7,8,9], а также для увеличения скорости теплопередачи при плавлении и затвердевании [10,11,12].Графит обладает превосходными физическими свойствами, такими как высокая электрическая и теплопроводность, высокая теплота плавления и термическая стабильность. Графен продемонстрировал замечательную применимость в различных областях, таких как катализ, сенсоры, биомедицина, композиты и энергетические устройства [13,14,15,16].

Сообщается о нескольких наполнителях с высокой теплопроводностью, улучшающих теплопроводность ПКМ. В этом смысле недавно были описаны различные подходы: пенографит [17]; сжатый расширенный природный графит для улучшения теплопередачи сплава Вуда [18]; нанопластинки расслоенного графита с образованием композитного парафинового материала с фазовым переходом [3]; добавление различных нанодобавок в жидкий парафин различных размеров и форм [16,19,20]; и добавление различных нанонаполнителей, таких как длинные и короткие многослойные углеродные нанотрубки, углеродные нановолокна, графеновые нанопластинки [21] и композиты графен-никель / н-карбоновые кислоты [22], среди многих других.Другие интересные маршруты основаны на двумерных упорядоченных элементах, таких как углерод и нитрид бора, которые использовали Фанг и др. [23] для включения в PCM со значительной производительностью.

В этой работе мы рассматриваем простую технику термооптического переключения, основанную на изменении пропускания при различных условиях нагрева с помощью лазера Nd: YAG в качестве источника нагрева. TOS вытекают из следующих концепций: воск имеет два состояния: полупрозрачный (ВЫКЛ) и прозрачный (ВКЛ), ниже и выше температуры плавления, соответственно.Если мощный нагревательный импульс (лазерные импульсы и электрическая нить накала) воздействует на небольшое пятно парафина, состояние парафина меняется с твердой на жидкую фазу (ВЫКЛ / ВКЛ) после определенного времени переключения. Сообщения об использовании лазерного нагрева в различных областях подтверждают применимость этого метода, например, ускорение термомеханической усталости металлизации [24], изменение механических свойств стальной трубы [25], индуцирование фазового перехода в кристаллах диоксида ванадия [26] , гибка листов титанового сплава [27].

В этом исследовании сообщается о подготовке, характеристике и изучении термооптических характеристик переключения парафино-восковых точечных композитов при обычном электрическом нагреве и лазерном нагреве. Мы расширяем предыдущую работу по пропусканию света TOS через парафин при электрическом нагреве 1,3 мг парафина [28,29]. Здесь исследуются пятна размером с милю, чтобы получить небольшое количество тепла за короткое время, переходящее в фазу плавления. Следовательно, ожидается, что термооптическое переключение морфологии пятна будет быстрее.Температура переключения и время переключения являются важными факторами для характеристик переключения. Термооптическая коммутация имеет большую оптическую полосу пропускания, малые физические размеры, большие допуски на изготовление и хорошие характеристики. Кроме того, лазерный импульс используется для дистанционного переключения антенн. В исследованных композитах повышена эффективность коммутации, что делает конструкцию применимой в воздушной связи.

2. Материалы и методы

2.1. Материалы и подготовка образцов

Химическая подготовка композитов требует следующего:

• Парафиновый воск из лабораторий DIFCO (Детройт, Мичиган, США) использовался в качестве PCM; его формула C _n H _{2n + 2} , где n = 26.Графит (G) и графен (Gn) использовались для улучшения термических свойств парафинового воска. Парафин, графит и графен имеют разные термические свойства.

• Графит был получен от Johnson Matthey Catalog Company (WAR HILL, MA, USA) в виде промышленного графитового стержня диаметром 6,15 мм, длиной 150 мм и чистотой 99,9995%. В работе использовался графит микронного размера. Небольшое количество графитового порошка (из) измельчали ​​из графитового стержня для приготовления графита различной концентрации.

• Графен был синтезирован в Nanotech Egypt для фотоэлектроники. Порошок графена, использованный в нашей работе, имел черный цвет и наноразмер. Синтез графена был осуществлен путем химического восстановления оксида графена [30,31].

Измельчение графита или графена производится на агатовой ступке. Затем к измельченным частицам добавляли расплавленный воск. В случае графит-парафинового воска к расплавленному парафиновому воску добавляли 2,5 мл толуола для получения однородного распределения через парафиновую матрицу, в то время как в случае композита графем-воск не добавляли растворитель.Смеси перемешивали 2 ч при нагревании до 70 ° C. Были приготовлены две серии парафиновых композиционных материалов: первая для графит-парафиновых композитов, диспергированных в толуоле с процентным содержанием 0%, 0,007%, 0,03%, 0,07%, 0,3%, 0,7%, 3% и 7%, а вторая серия для композита графема-парафин с процентами 0%, 0,001%, 0,005%, 0,007%, 0,03%, 0,07%, 0,3% и 0,7%. Введите пятно композитов парафинового воска (1,3 мг) в центр капиллярной трубки с внутренним диаметром 1 мм, чтобы изучить термооптические коммутационные свойства через оптоволоконную передачу света.

2.2. Термооптическое переключение через установку передачи по оптоволокну

Термооптическое переключение при электрическом нагреве измеряется для композитов внутри стеклянной капиллярной трубки, в то время как в случае термооптического переключения при лазерном нагреве используется медная капиллярная трубка. Как упоминалось ранее, композиционные материалы на основе парафина плавили в горшке на нагревательной пластине. Затем пятно расплавленного композита вводится в центр капиллярной трубки.

Компоненты настройки перечислены ниже следующим образом:

• Лазерный луч от laser Max INC.(Рочестер, штат Нью-Йорк, США), выходная мощность ≤ 4,25 мВт и длина волны 677 нм.

• Оптическое волокно из плавленого кварца с диаметром сердцевины 200 мкм, диаметром оболочки 250 мкм и диаметром оболочки 1 мм.

• Стеклянная капиллярная трубка из микрогематокритов с внутренним диаметром 1,1–1,2 мм. Капиллярная трубка окружена спиральным нагревателем мощностью 20 Вт.

• Медная капиллярная трубка изготовлена ​​из медного листа с внутренним диаметром 1 мм.

• Термопара типа K, точность ± 1 показания и разрешение 1 ° C; термопара регистрирует температуру при нагреве и охлаждении в диапазоне 20–90 ° C.

• Измеритель мощности с номером модели THORLABS S142C: его спектральный диапазон варьируется от 350 до 1100 нм, а головкой измерителя мощности является Si-детектор.

• Nd: YAG-лазер, модель № SL-10 (Continuum, Санта-Клара, Калифорния, США), с энергией в импульсе 110 мДж, длиной волны 1064 нм, частотой репутации частоты 10 Гц и длительностью импульса 6 нс.

Лазерный луч направляется на образец в капиллярной трубке через оптическое волокно (), а интенсивности пропускания измеряются с помощью измерителя оптической мощности.Образец нагревается с помощью лазерных импульсов, а для электрического нагрева используется спиральный нагреватель. Использование медного листа в качестве капиллярной трубки обязательно для того, чтобы выдерживать высокую мощность импульсного лазера, поскольку стеклянная капиллярная трубка сломалась под воздействием лазерных импульсов. Пропускание регистрируют как функцию времени и температуры при нагревании образцов.

Термооптическая коммутационная установка с использованием Nd: YAG в качестве источника нагрева. Образец нагревается с использованием импульсов лазера Nd: YAG: лазерный луч с длиной волны 677 нм направляется на образец в капиллярной трубке через оптическое волокно, и интенсивности пропускания измеряются с помощью измерителя оптической мощности как функция времени.

Тепловые свойства, такие как температура плавления, температура затвердевания, скрытая теплоемкость, полученное тепло и тепловые потери композитов парафинового воска, были измерены с помощью дифференциального сканирующего калиброметра (DSC-50, Shimadzu, Coulombia, MA, USA). Тепловые свойства парафиновых восковых композитов измеряли во время охлаждения в атмосфере азота. Измерения ДСК проводили при скоростях нагрева и охлаждения 10 ° C / мин для диапазона температур от комнатной до 90 ° C. Сканирующую электронную микроскопию (SEM) проводили с использованием прибора QUANTA FEG250 SEM (FEI, Hillsbor, OR, USA) для определения размера частиц.

3. Результаты и обсуждение

3.1. Морфология

Сканирующая электронная микроскопия (SEM) подтверждает дополнительную гомогенность образцов парафинового композита (). Средний размер частиц составляет примерно 6,2 и 8,4 мкм для графита и графена соответственно в парафиновых композитах.

Сканирующая избирательная микроскопия парафинового парафина, содержащего: ( a ) графит, диспергированный в толуоле; и ( b ) графен.

3.2. ДСК композита парафинового воска

Влияние графита и добавления графена на термические свойства, включая температуры плавления и скрытую теплоту плавления, анализировали с помощью измерения ДСК.ДСК чистого парафинового воска является эталоном для оценки изменений термических свойств в зависимости от соотношения парафин-графит в композите.

Из кривых ДСК () видно, что кривые нагрева представляют поглощенную энергию материалом при эндотермическом фазовом переходе, в то время как кривые охлаждения представляют собой энергию, выделяемую материалом при экзотермическом фазовом переходе. Для чистого парафина есть два эндотермических пика на кривых ДСК (а): основной пик соответствует фазовому переходу твердое-жидкое парафин T ₂ при примерно 52.54 ° C, а второстепенный пик представляет собой фазовый переход твердое тело – твердое тело T ₁ парафинового воска при температуре около 36,19 ° C. Эти пики соответствуют пикам чистого парафинового воска в других отчетах [4,32]. Есть также два эндотермических пика для композитов парафин-графит: пик твердое тело – жидкость T ₂ колеблется около 52 ° C, а пик перехода твердое тело – твердое тело T ₁ изменяется от 36 до 34 ° C. Термические свойства композитов парафин-графит очень близки к свойствам чистого парафина.Это связано с отсутствием химических взаимодействий между парафином и графитом во время подготовки образцов. Zhang et al. [33,34] наблюдали такое же поведение для вспененного графит-парафинового композита.

ДСК парафиновых восковых композитов различных концентраций: ( а ) Г / воск; и ( b ) Gn / воск. Кривые ДСК, показывающие переходы твердое тело-твердое тело и переходы твердое тело-жидкость во время фаз нагрева и охлаждения; указаны температуры фазовых превращений и скрытая теплота переходов.

Для ДСК парафинового воска / Gn (b) во время фазы нагрева T ₁ уменьшается с 42 до 35 ° C, а T ₂ уменьшается с 59 до 52 ° C по мере увеличения концентрации графена. . В фазе охлаждения наблюдается заметное снижение с 53 до 48 ° C и с 40 до 32 ° C, соответственно, по мере увеличения концентрации графена. Между графеном и парафиновым воском могут происходить химические реакции, которые требуют дальнейших измерений, таких как дифракция рентгеновских лучей (XRD), которые будут завершены в дальнейшей работе.

Нет больших колебаний в температурах плавления и затвердевания для композитов графит-парафиновый воск, в то время как для композитов графем-парафин наблюдается небольшое снижение температур плавления и затвердевания (). Fan et al. [35] зафиксировали аналогичное изменение температур плавления и затвердевания. Они не наблюдали четкой тенденции между изменением температуры плавления и загрузкой углеродных нанонаполнителей. Они приписали эти изменения вызванному наполнителем выравниванию молекул парафина, окружающих углерод, что изменяет локальные стерические препятствия.Xiang et al. [3] представляют результаты ДСК, которые показывают, что скрытая теплота парафиновых нанокомпозитов не разлагалась при добавлении нанопластинок расслоенного графита, в то время как Zhang et al. [33] обнаружили, что температура фазового перехода была очень близка к температуре парафина, в то время как скрытая теплота композита была равна скрытой теплоте парафина, умноженной на его массовую долю [9].

Температура перехода твердое тело в твердое, температура перехода твердое тело в жидкое во время фазы нагрева и охлаждения для: ( a ) г / парафин; и ( b ) Gn / парафин.

Скрытые теплоты для перехода твердое тело-твердое тело L ₁ и перехода твердое тело-жидкость L ₂ вычисляются из спектров ДСК как общая площадь под пиком перехода композита путем численного интегрирования. Для композитов парафинового воска скрытая теплота уменьшается по мере увеличения соотношения хозяев (). Скрытая теплота почти эквивалентна расчетной, основанной на значении скрытой теплоты чистого парафинового воска, умноженном на (одно массовое отношение хозяина). Однако есть расхождения для более высоких массовых соотношений для графита в процентах 0.7% и 7%, а для процентного содержания Gn 0,07% и 0,7%. Ли и др. [36] наблюдали уменьшение скрытой теплоты композита декозан-губчатый графен с добавкой графена.

Скрытое тепло во время фазы нагрева для перехода твердое тело — твердое L ₁ и перехода твердое тело — жидкость L ₂ и их сумма L ₁ + L ₂ для: ( a ) G / парафин; и ( b ) Gn / воск.

Удельная теплоемкость композитов рассчитывается по уравнению (1) с использованием данных ДСК композитов [37].

где C _p — удельная теплоемкость, Q — тепловой поток, R — скорость нагрева (T / t), M — масса образца, E — калибровочный коэффициент DSC.

Калибровочный коэффициент E DSC рассчитывается, зная удельную теплоемкость парафинового воска (2926 Дж / кг · ° C), тепловой поток, скорость нагрева (T / t) (10 ° C / мин) и массу образца. Значение калибровочного коэффициента DSC используется для определения удельной теплоемкости графита или графена с другой концентрацией.

Расчетная удельная теплоемкость парафиновых композитов уменьшается с увеличением концентрации основного вещества (Gn или G) ().Таким образом, парафиновым композитам углеродных наполнителей требуется меньшее количество тепла для повышения их температуры. Оба углеродных наполнителя (G и Gn) значительно снижают удельную теплоемкость парафинового воска.

Расчетная удельная теплоемкость фазового перехода твердое тело-жидкость композитов при нагревании.

3.3. Термооптическое переключение точечных композиций парафина при электрическом нагреве

Термооптическое переключение пропускания измеряется при электрическом нагреве, как показано на рис.При комнатной температуре композиты непрозрачны для светопропускания, потому что парафиновый композит находится в твердом состоянии. При повышении температуры увеличивается прозрачность образцов и увеличивается пропускание диодного лазера при нагреве.

Термо-оптическое переключение TOS пропускание пятен парафиновый воск композитные пятна с содержанием: ( a ) графита; и ( b ) графен в зависимости от температуры во время фазы нагрева. Отображаются температура переключения (T _ON ) и температура насыщения (T _S ).

T _ON — это температура, при которой температура начинает повышаться при нагревании, а T _S — это температура, при которой трансмиссия достигает насыщения. Температура переключения (T _ON ) и температура насыщения (T _S ) композитов парафиновых пятен рассчитываются из кривых переключения, показанных на рис.

Пятна из парафинового воск-графитового композитного материала, диспергированные в толуоле, переключаются при 62, 59, 56, 54,9, 52,8, 52,8, 49 и 47 ° C и насыщаются при 63, 59.8, 57, 57, 56,4, 54,2, 51 и 48,9 ° C, поскольку соотношение графита и парафина во время фазы нагрева увеличивается, в то время как пятна температуры переключения парафинового воск-графенового композитов (T _ON ) составляют 60,6, 60, 59,1, 58,5 , 57, 56, 53 и 34 ° C, а температура насыщения (T _S ) составляет 66, 61,2, 60,5, 59,2, 58,5, 57,4, 55 и 37,4 ° C, поскольку соотношение графена и парафина во время нагрева увеличивается, так как Показано в .

Связь между T _ON и T _S в зависимости от отношения композиционного материала, содержащего графит, почти линейна, как показано на рисунке. Наиболее заметные значения температуры переключения приходятся на самую высокую концентрацию графена и резкие ее уменьшения. Т _НА и Т _S .Разница между температурой переключения T _ON и температурой насыщения T _S меньше для композитов графен / воск, чем для композитов графит / воск. Эти результаты подтверждают снижение роста температуры из-за чрезмерной теплопроводности графена по сравнению с графитом.

Температура переключения T _ON и Температура насыщения T _S в сравнении: ( a ) G / Wax; и ( b ) Gn / воск во время фазы нагрева.

показывает TOS пятен композита парафина в зависимости от времени во время фазы нагрева. По мере того как процентное содержание графита и графена в парафиновых композитах увеличивается, наблюдается небольшое уменьшение как времени переключения t _ON , так и времени насыщения t _S (t _ON — это время, когда пропускание начинает увеличиваться и t _S — время, когда передача достигает максимального значения). Время переключения (t _ON ) пятен композита парафин-графит, диспергированных в толуоле, составляет 223, 216, 211, 155, 122, 117, 103 и 96 с, а время насыщения (t _S ) составляет 225, 241, 213 .7, 167, 139, 125, 117 и 115 с, поскольку процентное соотношение графита и парафина увеличивается во время нагревания, как показано на.

ТОС: ( а ) пятна парафиновых воск-графитовых композитов; и ( b ) Gn / парафин в зависимости от времени во время фазы нагревания. Отображаются время переключения t _ON и время насыщения t _S .

Время включения (t _ON ) и время насыщения (t _S ) композитов парафиновый воск-графеновое пятно составляют 381,4, 200, 189, 183, 177.8, 170,2, 162 и 137 с и 389, 203, 192, 185, 180,3, 173, 164 и 151 с. Время включения (t _ON ) и время насыщения (t _S ) композитов парафиновый воск-графеновое пятно уменьшается по мере увеличения соотношения графена и парафина во время нагрева, как показано на рис. Наиболее поразительный результат, который следует из данных, заключается в том, что время нарастания Δt = (t _S — t _ON ) было увеличено для пятен Gn / Wax.

t _ON и t _S по сравнению с ( a ) G / Wax; ( b ) Gn / воск при электрическом нагреве.

Термооптические параметры парафина улучшены за счет добавления графена и графита. Наблюдается снижение температур переключения и насыщения и соответствующее им время включения и время насыщения t _S . Это приводит к быстрому переключению по сравнению с парафиновым воском, поскольку содержание углеродных наполнителей в парафиновом воске увеличивается; следовательно, количество тепла, передаваемого конвекцией через композиты парафин-углеродный наполнитель, увеличивается по сравнению с теплом, передаваемым через чистый парафин.Когда парафин полностью расплавится, конвекция играет роль в передаче тепла. Время, необходимое для плавления, сокращается за счет естественной конвекции теплопроводных наполнителей. В интерпретации Yu et al. [38], лучшие характеристики Gn в первую очередь объясняются его планарной структурой, которая снижает геометрический вклад фононного рассогласования, что приводит к меньшему рассеянию фононов на границах раздела между наполнителем и материалом матрицы. Следовательно, повышение TOS происходит не только из-за углеродных наполнителей с высокой теплопроводностью, но также из-за вызванного наполнителем выравнивания молекул парафина, которое по своей сути улучшает тепловые свойства парафинового воска.

Наблюдения кривых охлаждения трансмиссии TOS соответствуют кривым нагрева. Кривые охлаждения трансмиссии TOS представлены в Приложении A.

3.4. Термооптическое переключение парафиновых восковых композитов при нагревании лазером Nd: YAG

Исследованы ТОС парафиновых композиционных пятен в центре медной капиллярной трубки. Использование медной капиллярной трубки обязательно для измерений, поскольку стеклянная капиллярная трубка сломалась из-за высокой мощности лазера Nd: YAG, в то время как другие формы, такие как тефлон и нержавеющая сталь, не соответствуют правильным измерениям.Медь имеет большую теплопроводность и меньшую теплоемкость, чем стекло, что приводит к эффективной и быстрой передаче тепла лазерных импульсов к пятнам композита парафина.

Когда лазер Nd: YAG выключен, образец непрозрачен. Свет, идущий от диодного лазера по оптоволокну, блокируется. Nd: YAG-лазер (1064 нм) с лазерными импульсами высокой мощности (110 мДж) направлен нормально на капиллярную медную трубку в качестве источника нагрева; тепло передается от лазерного луча через медную стенку капилляра, чтобы расплавить восковое пятно.Свет через оптическое волокно проходит через расплавленное пятно. Передача регистрируется как функция времени с помощью измерителя оптической мощности. Регистрация изменения температуры при лазерном нагреве затруднялась. Оценка температуры при лазерном нагреве сделана в Приложении B. Две серии точечных композитов из парафина с использованием графита и графена исследованы при лазерном нагреве.

Время включения (t _ON ) и время насыщения (t _S ) пятен композита парафин-графен во время нагрева выводятся из кривых переключения, показанных на рис.

ТОС парафиновых пятен, содержащих: ( а ) графит; и ( b ) графеновые композиты в зависимости от времени для различной концентрации основы при лазерном нагреве. Время включения (t _ON ) и время насыщения (t _S ) отмечено на рисунке.

При использовании Nd: YAG-лазера в качестве источника нагрева, точечные композиты парафин-воск-графит, диспергированные в толуоле, время включения T _ON составляет 95,6, 59,5, 56, 54 и 49,2 с. Время насыщения t _S составляет 96.7, 60,5, 60,8, 54,4 и 50,4 с с процентным содержанием графита и парафина 0%, 0,007%, 0,07%, 0,7% и 7%, соответственно, во время фазы нагрева, как показано на.

Время включения (t _ON ) пятен композита парафин-графен при лазерном нагреве составляет 94, 58,5, 54, 49,5 и 45,6 с. Время насыщения (t _S ) составляет 96,7, 59,1, 55,2, 50 и 45,8 с с процентным содержанием графена и воска 0%, 0,001%, 0,007%, 0,07% и 0,7%, соответственно, во время фазы нагрева.

Время включения (t _ON ) и измеренное время насыщения (t _S ) композитов парафин-воск-графен с пятнами при лазерном нагреве показаны на рис.Во время нагрева общее время лазерного воздействия для полного плавления образца уменьшается по мере увеличения доли углеродного наполнителя (G и Gn). Разрыв между временем переключения и насыщения (время нарастания Δt) достигает 0,2 и 0,4 с для 0,7% Gn / парафин и 0,7% G / парафин, соответственно. Эти результаты подчеркивают использование парафинового воска с лучшими концентрациями G / Gn при лазерном воздействии в термооптических переключателях.

Измеренное время включения (t _ON ) и измеренное время насыщения (t _S ) парафиновых восково-графитовых композитов, содержащих: ( a ) графит; и ( b ) графен с использованием лазера Nd: YAG в качестве источника нагрева.

Время термооптического переключения суммировано для парафинового композита с пятнами 0%, 0,007%, 0,07% и 0,7% при электрическом и лазерном нагреве. Кроме того, сравнение с Ref. [29] парафинового воска с большей массой включено в таблицу. Результаты подтверждают уменьшение времени переключения для небольшой массы пятен парафинового композита.

Таблица 1

Время термооптического переключения пятен из парафинового композита при электрическом нагреве, лазерном нагреве по сравнению с поз.[29]. t _ON : время включения; t _S : время насыщения; ∆t: время нарастания.

Точечный нагрев Точечный нагрев t _ON 9035 9035 9035 9035 9035 9035 9035 9035 9035 9035 9035 9035 9035 9035 9035 347,87 _{9034 900 S} для графит-восковых пятен с использованием электрического нагрева и лазерного нагрева для вышеуказанных процентов 0%, 0,007%, 0,07% и 0,7%, при лазерном нагреве наблюдается значительное уменьшение t _ON и t _S .Коэффициент усиления рассчитывается по формуле;

η tON = | tON при лазерном нагреве − tON при электрическом нагреве tON при электрическом нагреве | × 100%

(2)

(t _ON или t _S при электрическом нагреве) для времени переключения и насыщения соответственно.

Уравнение (2) представляет разницу между временем переключения восковых пятен, содержащих углеродные наполнители, при лазерном нагреве и электрическом нагреве, деленное на время переключения для той же концентрации наполнителя при электрическом нагреве.Точно так же коэффициент увеличения времени для t _S составляет η t _S .

Для G / Wax улучшения для t _ON составили 57%, 72,5%, 63,9% и 53,9%, в то время как улучшения для t _S для были 75,4%, 70,6%, 70,9% и 66,7%. для 0%, 0,007%, 0,07% и 0,7% соответственно.

Для Gn / парафина улучшения для t _ON составили 75,4%, 70,5%, 70,9% и 66,7%, в то время как улучшения для t _S для были 75,1%, 70%, 71,1% и 69,7%. для указанных выше соотношений.

Примечательно, что помимо теплового нагревающего эффекта лазера, который эффективно передает тепло за более короткое время в несколько миллисекунд, время переключения Gn / парафина больше, чем G / парафин, из-за чрезвычайно высокой теплопроводности Gn.

В этой работе исследуется TOS, основанный на изменении передачи, претерпевающем фазовый переход материала (PCM), эффективность переключения повышается за счет добавления в PCM наполнителей с высокой теплопроводностью.

В литературе термооптический эффект зависит от изменения показателя преломления материала из-за изменения температуры материала.Наиболее часто используемые материалы для изготовления TOS — это полимеры, диоксид кремния и кремний. Обычные термооптические волноводные переключатели обычно основаны на Y-ветви, интерферометре Маха – Цендера (MZI) и полном внутреннем отражении (TIR). Принцип цифрового оптического переключателя Y-ветви (Y-ветвь DOS) основан на изменении показателя преломления входящего света в «основание» или ствол Y и выходных ветвей. В интерферометре Маха – Цендера нагрев одного плеча интерферометра вызывает изменение его показателя преломления; следовательно, наблюдается изменение оптического пути между двумя плечами интерферометра.Следовательно, разность фаз между световыми лучами может быть конструктивной или деструктивной помехой, и выбор выхода может быть максимальным или минимальным. В то время как термооптический переключатель на основе TIR зависит от изменения пути света, проходящего от призмы; с увеличением температуры призмы показатель преломления призмы увеличивается. Следовательно, критический угол уменьшается и становится меньше угла падения; следовательно, падающий свет полностью отражается на другом выходе [1,2].

Конфигурации TOS ответвления Y и MZI TOS имеют дополнительные преимущества и недостатки. Структура Y-ответвления имеет преимущества большей полосы пропускания и среднего размера устройства, но имеет недостатки большего энергопотребления. MZI имеет преимущества низкого энергопотребления. Однако у него есть недостатки, заключающиеся в более узкой полосе пропускания и большем размере устройства [39].

обобщает некоторые конфигурации оптической коммутации, основанные на различных материалах. Сообщается время переключения. Скорость оптического переключения варьируется от микросекунды до миллисекунды в зависимости от конструкции переключателя.Основным недостатком исследованного нами термооптического переключателя является медленное переключение по сравнению с другими конфигурациями TOS. Есть два способа уменьшить время переключения: первый — за счет уменьшения массы парафинового пятна, а второй — за счет улучшения тепловых свойств парафинового воска.

Таблица 2

Некоторая конфигурация оптического переключения на основе различных материалов, Цифровой термооптический переключатель: DOS; Термооптический переключатель: TOS; полное внутреннее отражение: МДП; и интерферометр Маха – Цендера: MZI.

(a)
G-Paraffin Wax
G / Wax%	Точечный нагрев			η t S	Said et al, Ref. [29]
	t ON / с	t S / s	∆t / s	t ON / s	t S 6 / s 9000 ∆t / с			т ВКЛ / с	т S / с
0	223	225	2	95.6	96,7	1,1	57,1	57	480,3	501
0,007	216	241	216	241	25	59,5	352
0,07	155	167	12	56	60,8	4,8	63,9	63,6	490 9034	63,6	490	117	125	8	54	54,4	0,4	53,9	56,5	592	597
90ff6
Gn / Wax%	Точечный нагреватель			Точечный лазерный нагрев			η t ON	η t S 4 90.[29]
	t ON / с	t S / s	∆t / s	t ON / s	t S 6 / s 9000 ∆t / с			t ON / s	t S / s
0	381,4	389	7,6	94	96.7	2,7	75,4	75,1	488,1	495,1
0,007	183	185	2		9035 9035	430
0,07	170,2	173	2,8	49,5	50	0,5	70,9	71,1	258,6	267.6
0,7	137	151	14	45,6	45,8	0,2	66,7	69,7	149,9	157,1

Конфигурация	Материал	Время переключения	Арт.	Год
DOS	полимер	10 мс	Но и др. [40]	2006
TOS на основе полимера TIR		3 мс	Han et al. [41]	2012
Y-ответвление	хиральный азобензолсодержащий полиуретан (CACPU)	12 мс	Ye et al.[42]	2013
MZI	хиральный азобензолсодержащий полиуретан (CACPU)	2 мс	Ye et al. [42]	2013
TOS на основе TIR	Полиимидный волновод	Не сообщается	Yang et al. [43]	2002
Жидкостно-оптический переключатель	Проводящие жидкости	132 мс	Liu et al. [44]	2015
ИК-переключатель	капля глицерина	200 мс	Ren et al.[45]	2012
TOS (MZI)	Кремний на изоляторе (SOI)	141 мкс	Sun et al. [46]	2010

Наша термооптическая схема переключения может быть полезна для экономичных схем переключения, но она отличается малым временем переключения. Исследуемая методика проста, дешева и требует меньшего выравнивания по сравнению с другими сложными структурами TOS. У нашей работы явно есть ограничения. Тем не менее, это может стать трамплином для использования материалов с фазовым переходом в качестве термооптического переключателя.

Приложение A

Приложение A.1. Кривые охлаждения TOS точечных композитов парафинового воска при электрическом нагреве

Как показано на, T _sc — это температура, при которой интенсивность передачи начинает уменьшаться, а T _off — температура, при которой интенсивность передачи блокируется, и композит возвращается в твердой фазе. Имеются колебания T _sc и T _от в фазе охлаждения по мере увеличения концентрации графита, в то время как Gn показывает большее уменьшение T _sc и T _от по мере увеличения его процента в композите.

Рис. A1

Кривые охлаждения TOS для парафиновых композитов с пятнами воска, содержащих: ( a ) графит, диспергированный в толуоле; и ( b ) графен в зависимости от температуры. T _sc и T _off отмечены на рисунке.

T _sc для точечных парафиновых восково-графитовых композитов, диспергированных в толуоле, имел температуру 62, 57, 55, 60, 52, 52, 49 и 47 ° C, а T _off был при 60, 56, 54, 48 , 60, 53, 48 и 46 ° C по мере увеличения соотношения графита и парафина, соответственно, во время фазы охлаждения.

T _sc и T _off пятен парафиновых воск-графеновых композитов, которые были при 58, 56, 55, 55, 54, 53, 53 и 44 ° C и 60, 58, 56, 56, 55, 54, 54 и 52 ° C соответственно снижаются по мере увеличения соотношения графена и парафина во время охлаждения.

t _sc — это время, в которое передаваемая интенсивность начинает уменьшаться при соответствующей температуре T _sc , в то время как t _off — это время, в которое передаваемая интенсивность блокируется при соответствующей температуре T _off и композит возвращается в твердую фазу.

t _sc и t _off точечных парафиновых восково-графитовых композитов, диспергированных в толуоле: 308,27, 163,04, 197,38, 151,4, 146,47, 181,86, 180,38 и 158,19 s и 328,31, 219,86, 214,24, 252,4, 178,20, 178,20 , 204,06 и 173,5 с по мере увеличения соотношения концентраций графита и парафина, соответственно, во время фазы охлаждения.

Значения t _sc и t _off для точечных парафиновых воск-графеновых композитов составляли 315,37, 209,84, 203,12, 201,47, 197,38, 189.80, 186,50 и 180,5 с и 327,5, 214,79, 204,77, 206,55, 203,42, 193,10, 183,08 и 234,12 с соответственно для указанных концентраций ().

Рисунок A2

Кривые охлаждения TOS в зависимости от времени для точечных композитов из парафина, на которых размещены: ( a ) G; и ( b ) Gn.

Приложение A.2. TOS фазы охлаждения точечных композитов парафинового воска после воздействия импульсов лазера на Nd: YAG

При выключении импульсного лазера Nd: YAG время t _SC и время t off для парафиновых восково-графитовых композитов, диспергированных в толуоле, составят 72.9, 70,8, 64,8, 61 и 55,2 с и 73,9, 72,6, 65,2, 62 и 56,4 с для процентного содержания графита и парафина 0, 0,007, 0,07, 0,7 и 7 соответственно во время фазы охлаждения, как показано на рис.

т _SC и t _от пятен композита парафин-графен составляли 72,5, 62,8, 57,2, 50,8 и 35,4 с и 73,9, 64,4, 58, 52,6 и 36,6 с для графена и парафина в процентах 0, 0,001, 0,007, 0,07 и 0,7 соответственно во время охлаждения, как показано на.

Рис. A3

Кривые охлаждения TOS после лазерного нагрева точечных композитов из парафина, содержащих: ( a ) G; и ( b ) Gn.

Время охлаждения t _SC и t _off резко уменьшается по мере увеличения концентрации углеродного наполнителя (). Угольные наполнители увеличивают время переключения на этапах нагрева и охлаждения.

Рисунок A4

Измеренные времена t _sc и t _от для композитов парафин-воск-графит, содержащих: ( a ) графит; и ( b ) графен во время охлаждения после использования Nd: YAG-лазера.

Восстановление перерезанного седалищного нерва диодной лазерной пайкой белков

https: // doi.org / 10.1016 / j.jphotobiol.2017.06.008Получить права и контент

Основные моменты

•

Лазерная пайка / белковая пайка нервов — это новый метод сварки нервов.

•

Этот метод сопоставим с методом золотого стандарта — микросшиванием.

•

Он дает лучшие результаты функционального восстановления через 12 недель после операции.

•

Оба метода дают аналогичные результаты в отношении электрофизиологического теста через 12 недель.

•

Гистологические исследования показали лучшую регенерацию тканей для нового метода.

Реферат

Предпосылки и цель

Несмотря на достижения в области микрохирургических методов, восстановление повреждений периферических нервов (PNI) по-прежнему остается серьезной проблемой в регенеративной медицине. Стандартное лечение ПНИ включает наложение швов и анастомоз перерезанного нерва. Целью этого исследования было сравнить нейррафию (восстановление нерва) с использованием стандартного шва с диодной лазерной пайкой белков с функциональным восстановлением перерезанных седалищных нервов.

Дизайн исследования / материалы и методы

Тридцать взрослых самцов крыс линии Fischer-344 Wistar были случайным образом разделены на 3 группы: 1. контрольная группа, без ремонта, 2. стандартная группа наложения швов и 3. лазер / белок. группа припоя. Во всех трех группах седалищный нерв был рассечен, и восстановление было выполнено немедленно. Для группы наложения швов использовали проленовый шов 10,0, а для группы лазер / белковый припой — диодный лазер (выходная мощность 500 мВт) в сочетании с бычьим сывороточным белком и индоцианиновым зеленым красителем.Каждые две недели у всех крыс проводилась оценка поведения по индексу функции седалищного нерва. Через 12 недель после операции у всех крыс были сделаны записи ЭМГ, и крысы были умерщвлены для гистологической оценки седалищных нервов. Для статистического анализа использовали односторонний тест ANOVA.

Результаты

Среднее время, необходимое для выполнения операции, было значительно короче для группы восстановления нервов с помощью лазера по сравнению с группой наложения швов. Оценка ЭМГ не выявила различий между двумя группами.Основываясь на индексе седалищной функции, группа лазера была значительно лучше, чем группа наложения швов через 12 недель ( p <0,05). Гистопатологическая оценка показала, что восстановление эпиневрия было лучше в группе лазера ( p <0,05). Не было разницы в воспалении между группами наложения швов и лазеров.

Заключение

Основываясь на этих доказательствах, спаивание нервов лазером / белком является более эффективным и действенным методом восстановления повреждений нерва по сравнению с нейррафией с использованием стандартных методов наложения швов.

Ключевые слова

Седалищный нерв

Диодный лазер

Neurorraphy

Пайка периферических нервов,

Белковый припой

Бычий сывороточный альбумин

Индоцианиновый краситель

Все статьи (Рекомендуемые статьи) Все права защищены.

Рекомендуемые статьи

Цитирующие статьи

11 лучших продуктов для удаления волос по мнению экспертов по уходу за волосами

Если вы похожи на меня, то вы, вероятно, не бреетесь и пользуетесь холодными месяцами, прячась недели роста волос под штанами и уютные свитера.

В мгновение ока весна уже пришла, и пора выпускать платья. А значит, пора задуматься об удалении волос. Хотя бритвы часто бывают быстрыми и недорогими, они эффективны только для удаления волос с поверхности. Таким образом, щетина после бритья может появляться быстрее, чем нам хотелось бы.

К счастью, для тех, кто устал так часто тянуться к бритве, и тех, кто заинтересован в минимизации риска появления раздражающих вросших волос, есть другие способы убрать волосы подальше!

От кремов для депиляции до наборов для депиляции в домашних условиях — каждый найдет себе занятие по душе.Для начала мы проконсультировались с тремя экспертами по красоте и коже о лучших средствах для удаления волос на рынке.

Чтобы купить эту статью по категориям, щелкните по ссылкам ниже:

Лучшие полоски и наборы для домашней восковой эпиляции

1. Полоски Nair Wax Ready-Strips

Полоски Nair Wax Ready-Strips не требуют трения или нагрева и могут использоваться для любой части вашего тела. Полоски работают как наклейки, заполненные воском, которые без особых усилий удаляют волосы от корня.

Парикмахер Дженнифер МакДугалл рекомендует эти полоски для начинающих.«Вам не нужно беспокоиться о том, чтобы обжечься, — сказала она. — Это одна из самых важных вещей, которые могут сделать люди, если они не знают, как это сделать сами».

2. Yoffee Nose Wax

Предварительно пропитанная воском полоска может не подходить для внутренней части ноздрей, но Yoffee Nose Wax упрощает удаление волос там. Изделие унисекс, изготовленное из натурального пчелиного воска, поставляется с простым в использовании аппликатором. По словам МакДугалла, нанесите воск на аппликатор и введите его прямо в ноздрю примерно на 90 секунд, прежде чем удалить.

3. Восковые полоски Parissa Quick and Easy

Это фаворит знаменитого визажиста Даниэля Чинчиллы, среди клиентов которого такие знаменитости, как Ариана Гранде и Кеке Палмер.

Для использования потрите полоску между руками, чтобы согреть ее, прижмите ее к коже в направлении роста волос и вытяните волосы прямо из корня. Однако Шиншилла сказала, что некоторые вещи следует оставить профессионалам. «Убедитесь, что вы не пытаетесь натирать брови воском самостоятельно. Вы можете легко испортить и удалить слишком много «, — предупредил он.

4. Набор готовых восковых полосок Veet

Этот недорогой набор восковых полосок стоит менее 10 долларов и включает 40 полосок и шесть чистящих салфеток. Формула Veet закрывает самые маленькие волоски — они могут быть всего лишь 1/16 дюйма. Готовые полоски также можно наносить на любую часть тела. Однако есть отдельный вариант специально для подмышек, бикини и лица.

5. Эпилятор Philips Satinelle Essential Corded Epilator

Эпилятор — это не воск, он также удаляет волосы непосредственно от корня.Но его использовать немного дольше, чем воска, поэтому он подходит только тем, кто способен переносить немного больший дискомфорт. Эпилятор Philips Satinelle Epilator, бестселлер Amazon, удаляет даже самые короткие волоски на влажной или сухой коже.

Лучшие кремы для депиляции

В отличие от восковой эпиляции, которая может быть неудобной, если у вас низкий порог боли, кремы для депиляции безболезненны. Они могут запачкаться, но обычно стоят довольно недорого.

Кремы растворяют волосы на поверхности кожи или чуть ниже, что облегчает их смывание.Убедитесь, что ваша кожа не плохо реагирует на крем для депиляции, протестировав его на небольшом участке волос. Эффективность крема также может варьироваться в зависимости от количества волос и типа волос.

1. Veet Sensitive Hair Remover Gel Cream

Этому бестселлеру Amazon требуется всего 10 минут (самое большее), чтобы вы почувствовали себя более гладкими, чем когда-либо.

2. Пенка для удаления волос Nature Nation

Если вы предпочитаете пенистую текстуру вместо более густого крема, не ищите ничего, кроме Nature Nation.Этот выбор Amazon’s Choice сделан с алоэ вера и витамином Е, который может помочь уменьшить возможность покраснения и раздражения.

3. Крем для удаления чувствительных волос Нада

Шиншилла сказал, что это один из его популярных продуктов для удаления нежелательных волос в домашних условиях. Обильно нанесите лосьон на кожу не менее четырех минут, а затем смойте: быстро, безболезненно и легко! Этот вариант Nad разработан для чувствительной кожи и включает натуральные экстракты алоэ вера, масло авокадо и мед.

4. Лосьон для удаления волос GiGi

Для удаления волос на руках, ногах и в зоне бикини Gigi Spa предлагает этот недорогой вариант. Нанесите лосьон для удаления волос на влажную кожу на 10 минут перед смыванием. Лосьон содержит питательное масло какао и витамины С и Е, которые смягчают кожу после смывания нежелательных волос.

Лучшая лазерная эпиляция в домашних условиях

Хотя восковая эпиляция и кремы для депиляции могут дать временные результаты, мысль о том, чтобы никогда не делать ни того, ни другого, довольно заманчива.С помощью лазерной эпиляции эта мысль может стать реальностью.

Сертифицированный дерматолог Дженнифер Чвалек из дерматологии на Юнион-сквер в Нью-Йорке порекомендовала обратиться к профессионалу, поскольку профессиональные лазеры сильнее и «используют длины волн, которые лучше воздействуют на волосяной фолликул». Но она также отметила, что можно успешно провести лазерную эпиляцию в домашних условиях.

«Домашние устройства подходят для пациентов со светлой кожей и темными волосами, у которых есть несколько небольших участков, которые они хотят обработать, или которые хотят дополнить свои офисные процедуры лечением на дому», — сказал Чвалек.Она добавила, что это не лучший вариант для людей с более темной кожей. А если вы не уверены, подходит ли вам домашнее устройство, обратитесь к дерматологу.

1. Лазерная эпиляция Tria Precision

Чвалек рекомендует это устройство для удаления волос Tria, так как оно похоже на то, что она использует в своем офисе. «Tria Beauty использует диодную технологию, которая похожа на лазеры, которые мы используем в офисе для лазерной эпиляции», — сказал Чвалек. «Большинство других домашних устройств используют технологию IPL, которая не всегда нацелена на волосяной фолликул так же конкретно, как на волосяной фолликул. длина волны диода.«Если вы заинтересованы в лечении больших участков, таких как ноги, Tria Beauty также предлагает Tria Laser 4X, предназначенный для обработки этих больших участков с большей энергией.

2. Система удаления волос Remington iLight Ultra на лице и теле

Chwalek также рекомендует это система удаления волос Remington. Продукт обещает необратимое уменьшение волос сразу после трех процедур. Хотя оно намного дороже, чем кремы для депиляции и депиляции, постоянное удаление волос может привести к долгосрочной экономии, поскольку частые процедуры удаления волос не понадобятся один раз. волосы ушли.

Чтобы узнать больше подобных историй, посетите:

Чтобы узнать больше о предложениях, советах по покупкам и недорогих рекомендациях по продуктам, загрузите новое приложение СЕГОДНЯ и подпишитесь на нашу новостную рассылку Stuff We Love!

Эта статья была первоначально опубликована 27 июня 2018 года.

Стоимость получения идеальных подмышек

Признайтесь, CGs. Вы постоянно стремитесь к идеальному kilikili . Мы говорим о ровных тонах, гладких ягодицах и без волос.Мы перечислили инструменты и методы лечения, доступные для этой миссии, от самых простых до тех, которые требуют времени, выносливости и не говоря уже о вмятине в вашем кошельке. Сколько вы готовы потратить, чтобы получить коммерчески достойные подмышки?

Как избавиться от обесцвечивания подмышек в домашних условиях

ФОТО: istockphoto

Читать ниже ↓

Читать ниже ↓

Рекомендованные видео

1.Дезодоранты с ингредиентами, осветляющими кожу: Эти дезодоранты сдерживают выработку меланина. Но вот секрет, который мы узнали от дерматологов: осветляющие кожу антиперспиранты и дезодоранты не дадут радикальных результатов по сравнению с дерматологическими процедурами.

Сколько: Около 60 песо и выше

Как часто вам следует обращаться: Ежедневно

Подходит для: Девочек (и мальчиков) с ограниченным бюджетом

Попробуйте: Belo Шариковый дезодорант-дезодорант Essentials Whitening Anti-Perspirant, P59.75 (25 мл), NIVEA Anti-Perspirant Extra Whitening Roll On, P62 (25 мл), Rexona Advanced Whitening Roll On, P88 (50 мл), Dove Advanced Care Ultimate White Roll On, P99 (40 мл)

2. Кремы для осветления кожи: Крем для подмышек, который можно использовать отдельно от дезодоранта, выравнивает тон кожи после нескольких недель или месяцев использования.

Сколько: Среднее значение P300 на продукт

Как часто следует применять: Один раз ежедневно после принятия ванны.Для достижения наилучших результатов прочтите этикетку и правильно следуйте инструкциям!

Подходит для: Тем, у кого есть лишние деньги, помимо дезодоранта. Результаты варьируются в зависимости от человека и силы бренда.

Читать ниже ↓

Попробуйте: Fresh Formula Sgt. At Arms Lighten Duo, P399 (50 мл), Belo Essentials Whitening Cream, P349.75 (40 г), Dermax NanoWhite Intensive Cream with Retinol, P495, доступен на Skin Station, White Plus Skinlite Cream, P349.75 (40 г) , доступен в клинике Flawless Face and Body Clinic

Как избавиться от волос

ФОТО: istockphoto

Читать ниже ↓

1.Одноразовая бритва Basic: При правильном использовании она обеспечивает быстрое и легкое бритье.

Сколько: От 45 до 79 песо за бритву

Как часто вы должны его использовать: Еженедельно. Увеличение частоты бритья может вызвать раздражение и потемнение кожи.

Подходит для: Тем, кто ищет дешевый и простой метод удаления волос

Попробуйте: Schick Exacta Sensitive, P45 (1 шт.), Gillette Daisy Plus For Women Twin Blade, P48 (1 шт.), Watsons Одноразовые бритвы с двумя лезвиями P79 (6 бритв)

2. Многоразовая бритва: Ручка прочнее и толще, чем у одноразовых бритв, поэтому необходимо регулярно заменять только картридж с лезвиями.

Сколько: от P479 до 509 за комплект

Как часто вы должны его использовать: Еженедельно. Увеличение частоты бритья может вызвать раздражение и обесцвечивание кожи.

Подходит для: экологически чистых цыплят , которые хотят уменьшить количество мусора

Попробуйте: Gillette Venus Spa Breeze, P509, Schick Intuition Renewing Moisture, P479

Как дольше убрать пушок

Читать ниже ↓

1.Выщипывание: Вы выщипываете каждую прядь у основания, одну за другой. Несколько советов по предотвращению вросших волос и раздражения: держите пинцет в чистоте, купайте перед выщипыванием и не наносите ничего на свой киликили после выщипывания.

Сколько: Зависит от марки

Как часто вы должны это делать: Каждые две-три недели, в зависимости от роста ваших волос

Подходит для: Бюджетных девушек, которые физически гибки, могут терпеть боль и успевают заняться своими руками

Попробуйте: Generic Tweezer, Around P50, Tweezerman , P700 и выше

2.Нить: Древняя индийская техника удаления волос, при которой обученный терапевт скручивает нить, а затем наматывает ее на волосяные участки, чтобы выщипать каждую прядь на уровне фолликула. Если вы девственница, делающая нитки, ожидайте некоторой боли и дискомфорта.

Сколько: P250 за сеанс

Как часто вы должны это делать: Каждые две недели, в зависимости от роста ваших волос

Подходит для: Для тех, кто хочет избежать побочных эффектов бритья и выщипывания

Читать ниже ↓

Попробуйте: Давайте посмотрим правде в глаза Заправка подмышек, P250, Порошковая комната Заправка подмышек в салоне красоты, P250

3.Крем для депиляции: В отличие от бритья, средства для депиляции растворяют волосы на поверхности кожи, и вы их просто стираете.

Сколько: Около 180–500 песо

Как часто вы должны это делать: Как угодно часто, но сначала сделайте пластырь, чтобы проверить, нет ли у вашей кожи аллергии на продукт

Подходит для: Для тех, кто не выносит боли, связанной с выщипыванием, нарезанием ниток и восковой эпиляцией.

Попробуйте: Veet Крем для удаления волос для нормальной кожи, P265 (50 г) (также доступен вариант для чувствительной кожи)

4.Восковая эпиляция своими руками: Это форма полуперманентного удаления волос. Тонкий слой воска (холодный или горячий) наносится на волосистую область, а затем на вощеный слой прижимается бумажная полоска или ткань. Одним быстрым движением ткань отрывается в направлении, противоположном росту волос, быстро удаляя нежелательные волосы с корнем.

Читать ниже ↓

Сколько: Около P200 до P500 за комплект

Как часто вы должны это делать: Каждые две-четыре недели, в зависимости от роста ваших волос

Подходит для: Для тех, кто хочет меньше отрастания и может терпеть восковую боль

Попробуйте: Glam Works Крем с холодным воском для удаления волос, P99 (5 полосок), J Tomas Solution No Hair Wax Kit, P299 (250 г), Beauty Formulas Средство для удаления восковых полосок с витамином E, P479 (40 полоски), Sally Hansen Набор восковых полосок для удаления волос, P495 (30 полосок)

5.Профессиональная восковая эпиляция

Сколько: В среднем P250 за сеанс

Как часто вы должны это делать: Каждые две-четыре недели, в зависимости от роста ваших волос

Подходит для: Для тех, кто не умеет делать дома

Попробуйте: Dermcare Underarm Wax, начинается от P299 за сеанс, Lay Bare Waxing Salon Underarm Wax, P200 за сеанс, Воск для подмышек Let’s Face it, P200, Воск безупречного лица и тела Clinic Underarm, P280, твердый воск для подмышек Strip Manila, P898

6.Процедура по удалению волос IPL: IPL — это короткое средство для интенсивного импульсного света. Это косметическая процедура, при которой на волосяные фолликулы направляется высококонцентрированный свет. Пигмент в фолликулах поглощает свет и, в свою очередь, разрушает волосы. Обратите внимание, что термин «постоянное удаление волос» — неправильное. «Значительное сокращение волос» — более точная фраза. Требуется около пяти сеансов, прежде чем вы увидите значимые результаты, и это нормально, если через несколько месяцев наблюдается некоторый рост. Приготовьтесь делать ретуши каждые шесть-12 месяцев или около того.

Читать ниже ↓

Сколько: Около 3 500 песо за сеанс. Большинство центров дермы и кожи предлагают пакеты и промо-акции, поэтому не помешает спросить.

Как часто вы должны это делать: Каждые четыре-шесть недель, минимум пять сеансов для получения результатов

Подходит для: Для тех, кто хочет долгосрочных результатов

Попробуйте: Безболезненная диодная лазерная эпиляция Skin Station, 1500 песо за сеанс, Клиника безупречной лазерной эпиляции лица и тела, лазерная эпиляция подмышек, 3500 песо за сеанс, Удаление волос Lumenis Infinity в клинике Aivee, 3500 песо, Belo Medical Group Лазерная эпиляция, около 5600 песо за сеанс, Центр ухода за лицом LaserLight Soprano (удаление волос 3-в-1, осветление и разглаживание кожи), 6000 песо за сеанс

ArticleReco: {«article»: [«50348», «49849», «43362», «41571»]}]

Как разглаживать подмышки в домашних условиях

ФОТО: Pixabay

Читать ниже ↓

Пилинг или скрабирование «сделай сам»: Отшелушивает кожу, избавляя ее от омертвевших клеток на внешней поверхности.Это вызывает трение, поэтому будьте осторожны при использовании этого метода. Трение может вызвать обесцвечивание. В целях безопасности вы можете попробовать химический пилинг в домашних условиях.

Сколько: Зависит от марки и размера продукта

Как часто вы должны это делать: Полные инструкции смотрите на этикетке

Подходит для: Бюджетных малышек и самодельных королев

Попробуйте: Ellana Keep Clean and Calm Овсяное мыло для лица и тела, набор из 3 штук, P405; Pixi Glow Tonic To-Go Exfoliating Toner Pads 60 шт., 395 долларов США

Профессиональные процедуры для выравнивания тона кожи подмышек

ФОТО: istockphoto

Читать ниже ↓

1.Осветление подмышек, выполненное дерматологом: Процедура, в которой для обработки кожи используется комбинация дерматологических аппаратов и косметических средств

Сколько: Зависит от типа и интенсивности лечения

Как часто вы должны это делать: Каждые две-четыре недели по 5-10 сеансов, в зависимости от оценки дермы вашей кожи

Подходит для: Тем, у кого проблемы с кожей подмышек, которые невозможно решить с помощью кремов и средств, отпускаемых без рецепта.Лучше сначала проконсультироваться с лицензированным дерматологом.

Попробуйте: Skin Station Maxilite Интенсивное отбеливание подмышек, 7 000 песо за 5 сеансов, Belo Medical Group Revlite, начинается с 5600 песо за сеанс, Belo Процедура лазера Picosure Medical Group, начинается в P8 , 000 за сеанс, Aivee Clinic Picoenglighten, 10 000 песо за сеанс, Wink Laser Studio Лазерное отбеливание подмышек, P2 500 за сеанс

2.Салонные скрабы: Более профессиональный скраб, сделанный в спа-салоне с использованием косметических продуктов, которые нелегко найти в магазинах

Читать ниже ↓

Сколько: Зависит от салона и от площади покрытия

Как часто вы должны это делать: Еженедельно или в зависимости от чувствительности вашей кожи

Подходит для: Для тех, кто хочет подняться на ступень выше, чем отшелушивание своими руками

Попробуйте: Dermcare Отбеливание подмышек, P300 за сеанс, Let’s Face It Отбеливание подмышек с помощью скраба, P485 за сеанс, Barenaked Body Sugaring Salon Glutathione Body Scrub, P800, Barenaked 9 Salton Salon , P900, Flawless Face and Body Clinic Body Scrub, P2000 за сеанс

3.Расширенное лечение дермы: Процедура, в которой для обработки кожи используется комбинация дерматологических аппаратов и косметических средств.

Сколько: Зависит от вида лечения и состояния кожи

Как часто вы должны это делать: После консультации и оценки дермы он / она предложит тип лечения и количество сеансов. Рассмотрение процедур: химический пилинг, лазерная обработка кожи и лечение светодиодами.

Подходит для: Тем, у кого более глубокие проблемы с кожей, такие как рубцы и пигментация, которые невозможно решить с помощью кремов, отпускаемых без рецепта.Лучше сначала проконсультироваться с лицензированным дерматологом.

Читать ниже ↓

Попробуйте: Skin Station TCA Peel для подмышек, P1,200, Aivee Clinic Target Peeling, 3000 P за сеанс, Flawless Face and Body Clinic Signature Body Peel, 4500 P за сеанс

Посетите Кейт на KateWasHere.com и подпишитесь на нее в Instagram и Twitter.

методов удаления волос при суппуративном гидрадените: восковая эпиляция, лазер и бритье

Бритье, восковая эпиляция или лазерная эпиляция? Какой метод удаления волос лучше всего подходит, если у вас HS? У нас есть ответы.

iStock

Это главная уловка-22: гнойный гидраденит (HS), хроническое воспалительное состояние кожи, характеризующееся поражениями, которые образуются под кожей, начинаются в волосяных фолликулах. Можно подумать, что меньше волос поможет. Но как только развивается HS, процесс удаления волос может стать настоящей болью.

Чтобы полностью понять эту загадку, вот краткий обзор того, как волосы обычно растут из кожи: все начинается с корня (или луковицы под поверхностью кожи, состоящей из группы клеток волосяного фолликула), то есть самый низ фолликула.Кровеносные сосуды питают корень питательными веществами, благодаря чему образуется больше клеток. Когда луковица питается, образуются волосы, которые продвигаются вверх через кожу, проходя через сальные железы, чтобы процесс протекал гладко.

Однако при HS воспаление развивается вокруг верхней части волосяного фолликула, что, вероятно, приводит к разрыву, а иногда и к закупорке отверстия фолликула. Эксперты не уверены, почему, но это нарушение роста волос и нарушение их функции создают болезненные узелки и абсцессы, которые могут оставлять «туннели» под кожей.Методы удаления волос различаются по тому, как они прерывают нормальный процесс роста волос, и могут потенциально вызвать травмы и воспаления у некоторых пациентов. Если у вас есть HS, вам нужно быть особенно осторожным в отношении того, как вы ведете дела. Мы обратились к экспертам, чтобы выяснить, какие формы удаления волос лучше всего подходят для людей с HS. Продолжайте читать для краткого изложения.

Техника: восковая эпиляция

Первый шаг в восковой эпиляции, который обычно выполняется в салоне или спа, — это нанести горячий воск на кожу. Затем кусок ткани прижимается и наклеивается на воск.Затем аппарат для удаления волос снимает кусок ткани с прилипшими к нему воском и волосами. В нормальных условиях восковая эпиляция оставляет кожу гладкой и без ворса на четыре-шесть недель.

Вердикт HS: Восковая эпиляция — серьезный запрет, потому что она может усугубить HS и привести к еще большему раздражению и поражениям, говорит Седжал Шах, доктор медицины, дерматолог, преподающий в больнице Рузвельта на горе Синай. Центр в Нью-Йорке. Кроме того, это может подвергнуть человека большему риску заражения, потому что, если это не сделать должным образом и не удалить целые волосы, острые фрагменты волос могут попасть в кожу и оставить отверстие для проникновения бактерий внутрь.

«В конечном итоге это приносит больше вреда, чем пользы, поскольку горячий воск может вызвать воспаление и дальнейшее раздражение кожи», — объясняет Адам Фридман, доктор медицины, профессор дерматологии Университета Джорджа Вашингтона в Вашингтоне, округ Колумбия.

В настоящее время нет исследований, оценивающих влияние восковой эпиляции на HS. Поскольку все пациенты с HS разные, возможно, что некоторые пациенты с HS могут без проблем проводить восковую эпиляцию, но рекомендуется соблюдать осторожность.

Техника: бритье

Когда вы бреетесь, вы срезаете волосы с поверхности кожи с помощью бритвы и смягчающего средства, например крема для бритья.В отличие от восковой эпиляции, бритье не удаляет волосы с корнем, поэтому волосы, как правило, быстро отрастают и иногда выглядят гуще.

Вердикт HS: Когда дело доходит до бритья HS, доктор Фридман говорит, что это один из самых безопасных вариантов. Но при этом вы все равно должны быть предельно осторожны, поскольку он объясняет, что любое повреждение кожи — скажем, порез бритвы — может привести к новому поражению или возможной инфекции. «Я рекомендую своим пациентам с HS принять основные меры, такие как сначала очистить область антибактериальным мылом, чтобы не усугубить болезнь», — говорит д-р.Фридман. «Это помогает предотвратить попадание бактерий на кожу, что вызывает еще большее раздражение», — добавляет он. Доктор Фридман рекомендует жидкость Hibiclens, которую также часто называют смывкой с хлоргексидином. Он говорит, что вы также можете использовать бактериальное мыло для рук, чтобы очистить эту область, но не используйте алкоголь, поскольку он может быть резким и раздражающим для кожи.

Еще один совет: используйте гель-пену для бритья, а не традиционную формулу пенки, так как он менее раздражает, — говорит доктор Фридман. Вы даже можете нанести тонкий слой увлажняющего крема перед бритьем, потому что он смягчит кожу вокруг фолликула и поможет защитить ее.«Все, что вы можете сделать, чтобы ограничить захват кожи лезвием, принесет пользу, — объясняет он.

Воздействие бритья на HS также не изучено должным образом. Некоторые пациенты могут быть чувствительны к травмам кожи от бритья, поэтому людям важно помнить об этом как о личном спусковом крючке, если они замечают образец вздутий после бритья.

Техника: лазерная эпиляция

Лазерная эпиляция использует световую энергию, которая при взаимодействии с пигментом волос преобразуется в тепло, буквально повреждая волосяные фолликулы и подавляя или задерживая рост волос в будущем.Люди, которые хотят значительно уменьшить рост волос — до такой степени, чтобы они могли перестать бриться, — как правило, являются поклонниками этого метода, поскольку некоторые из них могут добиться постоянного сокращения волос. После каждой процедуры волосы обычно полностью удаляются, и около 10-15% полностью разрушаются. Остальные 85-90% отрастают примерно через 3-4 недели. По мере того, как проводится больше процедур, это постоянное сокращение становится более значительным. Чтобы получить менее 5% начальных волос, может потребоваться более 10 процедур, но большинство исследований показывают, что даже частичное сокращение волос с помощью 4 процедур приводит к улучшению активности заболевания.Во время лечения может быть некоторый дискомфорт, но оно проводится с пациентами, которые бодрствуют, и после него не требуется восстановления.

Основным недостатком лазерной эпиляции является то, что она может стоить примерно 200–300 долларов за сеанс и практически невозможно получить страховку, даже если у вас есть HS, поскольку она считается косметической и не является необходимой с медицинской точки зрения.

Вердикт HS: Хотя это самая дорогостоящая из всех, дерматологи говорят, что лазерное удаление волос — лучший выбор, если у вас HS, отчасти потому, что это выходит за рамки простого удаления волос.«Я обычно рекомендую пациентам рассмотреть возможность лазерной эпиляции, поскольку есть исследования, которые показывают, что этот метод может не только удалять волосы, но также лечить заболевание и предотвращать рецидивы», — объясняет доктор Шах.

Например, доказано, что это идеальный вариант лечения для людей с умеренным и локализованным ГВ, поскольку это минимально инвазивный метод удаления, который способен уменьшить количество поражений волосяных фолликулов, которые выступают в качестве потенциальных очагов воспаления. Он также не сопровождается какими-либо тревожными осложнениями, которые могли бы ухудшить состояние, и предлагает быстрое восстановление после лечения.Более того, доктор Фридман говорит, что это может быть полезно при лечении болезни, потому что у лазеров есть опция предварительного и последующего охлаждения, которая успокаивает активные поражения до и после лечения и может предотвратить образование новых.

Одно предостережение, когда дело доходит до лазерной эпиляции: не каждый — самый идеальный кандидат. Например, доктор Фридман говорит, что он не подходит тем, у кого светлые и седые волосы, потому что нет пигмента, поглощающего энергию лазера. По его словам, для людей с темным оттенком кожи существуют специальные технологии, такие как длинноимпульсный Nd: YAG-лазер, которые безопасны, поскольку длина волны может убивать темные грубые волосы, не разрушая пигмент кожи.Оба эксперта рекомендуют посетить дерматолога для проведения процедуры, поскольку они, скорее всего, прошли клиническую подготовку и смогут сказать вам, подходит ли этот вариант для вас.

Техника: триммер

Триммер — это метод удаления волос, при котором обычно используются ножницы или электрический триммер для укладки очень длинных или непослушных волос. Как и при бритье, при этом волосы не отрываются от корня, а просто срезаются вплотную к поверхности кожи, чтобы волосы были менее заметны.Стрижка чаще встречается у мужчин, которые хотят избавиться от растительности на лице без бритья, но это безопасно и легко для всех.

Вердикт HS: Доктор Шах любит стрижку, поскольку она менее агрессивна. «Стрижка волос электрическими триммером или тонкими ножницами обычно является безопасным вариантом», — говорит она, добавляя, что вы все равно должны использовать антибактериальное очищающее средство, слегка промокнув его до и после, чтобы защитить область от бактерий, вызывающих инфекцию.

См. Наши источники

• Гнойный гидраденит Информация: Клиника Майо. (нет данных) «Гнойный гидраденит».
• Причины и факторы HS: Информационный центр по генетическим и редким заболеваниям. (2018). «Гнойный гидраденит». rarediseases.info.nih.gov/diseases/6658/hidradenitis-suppurativa
• Лазерное лечение для исследования HS: NEJM Journal Watch. (2010). «Nd: YAG Laser Treatment of Hidradenitis Suppurativa».
• Дополнительные лазерные процедуры для HS: Македонский журнал медицинских наук .(2018). «Внутрипочвенный диодный лазер 1064 нм для лечения суппуративного гидраденита». ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC5816308/
• Лазерное охлаждение: Журнал кожной и эстетической хирургии . (2012). «Использование лазеров для лечения рефрактерных случаев суппуративного гидраденита и копчикового синуса». ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC3483576/

Познакомьтесь с нашим писателем

Кейли Фасанелла

Кейли Фасанелла — писатель о красоте, благополучии и здоровье из Бруклина, Нью-Йорк, ранее работала в таких журналах, как Allure и Teen Vogue .Она является ярым сторонником принятия кожи и любви к себе, и ей очень нравится писать на темы, которые помогают избавиться от стигмы, связанной с хроническими заболеваниями, такими как псориаз и экзема. Когда она не пишет, чтобы платить за квартиру, Кейли можно застать с маской на лице, она смотрит все кулинарные документальные фильмы на Netflix и планирует свою следующую итальянскую экскурсию.

Лучшие воски для бикини 2021 года

Best Bikini Wax Buying Guide

Удаление волос с любой части тела может оказаться такой сложной задачей.Когда дело доходит до волос на лобке, это еще больше раздражает, и как только вы добавите воск в смесь, давайте просто скажем, что для большинства людей это не доставляет удовольствия. Однако восковая эпиляция — один из самых надежных и долговечных методов удаления волос. Гладкость воска для бикини сохраняется от двух до четырех недель. Это намного дольше, чем при использовании бритвы (всего несколько дней), поэтому вы можете сэкономить время, которое потратили бы на постоянное бритье. Теперь, когда вы в курсе, продолжайте читать это руководство, чтобы узнать, как выбрать воск для бикини, который лучше всего подходит для вас.

Что такое восковая эпиляция бикини?

Воск для бикини состоит из специального холодного или горячего воска, который прилипает к волоскам и удаляет их с кожи, когда они стягиваются. Вы можете сделать воск для бикини в специальном салоне, чтобы его сделал специалист, или вы можете сделать это самостоятельно, купив набор для воска для бикини. Сделать это самому — отличный вариант, потому что в нем нет посторонних. Вы единственный, кто вовлечен в этот интимный опыт, и вы можете сделать это, не выходя из собственного дома.Вы также можете выбрать наиболее подходящий вам тип воска для бикини.

На что следует обратить внимание, прежде чем покупать воск для бикини?

При выборе воска для бикини следует учитывать множество факторов. Некоторые из них включают тип, формулу, боль, то, как он тает и используются ли полоски.

Мы провели для вас все исследования и предоставили список лучших наборов воска для бикини, доступных на рынке, но это руководство поможет вам принять еще более обоснованное решение.

Какой тип воска для бикини мне выбрать?

Существует два основных типа воска для бикини. Это твердый воск и мягкий воск.

Что такое твердый воск?

Твердый воск — это густой воск, который укрепляет кожу. После затвердевания его можно удалить руками без восковой полоски. Твердый воск прилипает к волосам, а не к коже, что делает процесс намного менее болезненным. Он также оставляет меньше остатков воска. Однако использование твердого воска может занять много времени, и вам нужно будет его нагреть перед использованием.

Что такое мягкий воск?

Мягкий воск — это тип воска, который работает при более низких температурах и не затвердевает, поэтому для его удаления потребуются полоски. Это также обычно более доступно. Однако он прилипает как к волосам, так и к коже, поэтому после использования может вызывать раздражение кожи. Это также немного болезненнее; но что такое воск без этого маленького «ай!» удовлетворенности

Какая формула воска для бикини мне подходит?

Вам может быть интересно, какой воск для бикини использовать для эпиляции, особенно если у вас аллергия или ваше тело особенно чувствительно к определенным веществам.Важно отметить список ингредиентов, входящих в состав воска для бикини, который вы будете использовать. Также существуют гипоаллергенные воски без ароматизаторов и искусственных красителей, предназначенные для предотвращения аллергических реакций.

С другой стороны, вы можете предпочесть воск для бикини с ароматом. Правильный аромат может быть очень расслабляющим, заставляя вас чувствовать себя более комфортно и гораздо менее раздражительным, чем оставят вас лезвия.

Кроме того, некоторые формулы воска для бикини содержат увлажняющие ингредиенты, такие как витамин Е, мед и масла, которые делают вашу кожу мягкой и эластичной.Это следует учитывать, особенно если у вас сухая кожа.

Насколько легко растопить воск для бикини?

Это особенно важно, если вы выбираете твердый воск.

Некоторые комплекты воска для бикини поставляются с грелкой, что упрощает их использование. Некоторые из них предназначены для использования с микроволновой печью, поэтому, если у вас нет микроволновой печи, вам следует держаться от нее подальше. Другие плавятся на плите, и контролировать температуру может быть сложнее.

Существуют также воски для бикини, которые тают под воздействием температуры кожи.Однако обычно это мягкие воски и готовые полоски.

Следует использовать полоски для воска для бикини или нет?

Этот фактор просто зависит от предпочтений. Воски, которые не поступают в виде готовых полосок, обычно лучше подходят для грубых волос. Однако готовые полоски удобнее, особенно для быстрого ремонта.

Насколько болезненной должна быть воск для бикини?

Воск для бикини не может быть полностью безболезненным, но некоторые виды воска для бикини гораздо менее болезненны, чем другие.Твердые воски менее болезненны, потому что они прилипают только к волоскам, а не к коже. Готовые полоски тоже дают сносные впечатления. Так что, если вы ищете что-то, что работает и вызывает только допустимое количество боли, вам следует рассмотреть эти два.

Часто задаваемые вопросы о лучших восках для бикини

Как я могу постоянно получать гладкую поверхность с помощью воска для бикини?

Лучший способ получить гладкую поверхность воска для бикини — это внимательно следовать прилагаемым к нему инструкциям.Кроме того, одним из лучших методов получения гладкой поверхности является растяжение кожи и удаление воска в направлении, противоположном волоскам.

Может ли воск для бикини обжечь меня?

Если вы не будете осторожны, вы можете использовать воск, когда он слишком горячий. Чтобы предотвратить ожог, дайте воску расплавиться на 15-20 минут, или вы можете проверить температуру воска, нанеся немного воска на внутреннюю поверхность запястья перед его использованием. Если он слишком горячий, подождите, пока он немного остынет, а затем повторите попытку перед использованием.

Как сделать воск для бикини безболезненным?

Твердые воски менее болезненны, чем мягкие. Другие вещи, которые делают менее болезненный опыт, — это оставаться расслабленным во время процесса, предварительно отшелушить и убедиться, что волосы выросли как минимум до четверти дюйма перед эпиляцией. Кроме того, некоторые более дешевые типы воска для бикини более болезненны, поэтому имейте это в виду при выборе.

Есть ли у восков срок годности?

Хотя для восковых продуктов нет «стандартного» срока годности, воск может изменить свои свойства после вскрытия, особенно при неправильном хранении.Как правило, воск с истекшим сроком годности не работает; но если вы заметили какие-либо изменения в аромате, цвете или консистенции воска, выбросьте его.

Как предотвратить появление вросших волос после использования воска для бикини?

Вы можете сделать это путем отшелушивания до и после восковой эпиляции, увлажнения после депиляции. Кроме того, исключите из своего режима бритье и придерживайтесь восковой эпиляции.

1N5400 Выпрямительный диод 3 А, 50 В, комплект из 10 британских полупроводников и активных компонентов Бизнес и промышленность Прочие полупроводники и активные компоненты

1N5400 Выпрямительный диод 3 А, 50 В, комплект из 10 британских полупроводников и активных компонентов Бизнес и промышленность Прочие полупроводники и активные компоненты

Стандартный выпрямительный диод 1N5400, 3 А, 50 В, комплект из 10 Великобритании, Великобритании 1N5400 Выпрямительный диод 3 А, 50 В, комплект из 10, все о диодах и конденсаторах, а также многое другое. Более того, все наши схемы производятся людьми, а не сборочными линиями, поэтому мы можем способствовать росту, нанимая персонал в Великобритании, 218-008 3A 50V 1N5400, 218-009 3A 100V 1N5401, 218-010 3A 200V 1N5402, 218-011 3A 1000V 1N5408, Это касается таких вещей, как калькулятор светодиодного резистора, ежедневное получение проверенных кодов купонов, покупка со скидкой, быстрая доставка, современная мода, сравнение цен в Интернете., 1N5400 Выпрямительный диод 3A 50V в упаковке из 10 шт. В Великобритании.

1N5400 Выпрямительный диод 3 А, 50 В, упаковка из 10 шт. В Великобритании. 218-008 3А 50В 1N5400. 218-009 3А 100В 1N5401. 218-010 3А 200В 1N5402. 218-011 3А 1000В 1N5408. Это касается таких вещей, как калькулятор светодиодного резистора, неповрежденный предмет в оригинальной упаковке (если упаковка применима). Упаковка должна быть такой же, как в розничном магазине. например, коробка без надписи или полиэтиленовый пакет. См. Список продавца для получения полной информации.См. Все определения условий ： MPN: ： неизвестно ， Бренд: ： mic ： Количество единиц: ： 10 ， Страна / регион производства: ： Неизвестно ： Тип устройства: Устройство ，, все о диодах и конденсаторах, а также о многом другом. Все наши схемы производятся людьми, а не сборочными линиями, поэтому мы можем способствовать росту, нанимая персонал в Великобритании .. Состояние: Новое: Совершенно новое. если товар не был упакован производителем в нерызничную упаковку, невскрытый, неиспользованный.

1N5400 Выпрямительный диод 3 А, 50 В, упаковка из 10 шт., Великобритания

Многоразовые беруши Howard Leight Quiet Band QB2 для стрельбы, устраняющие над слуховой шум Re.2 шт., 25-100 Вт, от 0,1 до 100 кОм, мощность корпуса, алюминиевый корпус, резистор с проволочной обмоткой, комплект гайки для ручной заклепки с оправками из 4 шт., Легкий в обращении комплект пистолета для заклепок M3-M5. Круглая матрица из быстрорежущей стали с наружным диаметром 1 дюйм Новое производство США Резьба 10-32 STI, 1N5400 Выпрямительный диод 3 А, 50 В, упаковка из 10 шт., Великобритания , 1 шт. CBB65A-1 переменного тока, 450 В, 50 мкФ, омыватель, кондиционер, цилиндрический рабочий конденсатор, Милуоки 48-22 -8815 15lbs Строп для инструмента с замком, 36 дюймов для продажи через Интернет. Подробная информация о новейшем стиле для домашних животных, медицинская кепка для медсестры, печать дышащих аптечных скрабов, 2 шт. NEW 100pF 0.Конденсаторы Cornell Dubilier MICA 1 нФ, 0,0001 мкФ, 500 В, 1%. 1N5400 Выпрямительный диод 3 А, 50 В, упаковка из 10 шт., Великобритания . НОВЫЙ LEGRAND REF 16835 TAILLE O GI 63A 500V ПРЕДОХРАНИТЕЛЬ CEI 269-2 NFC 63210 VDE 0660-4. Медная муфта Propress 1 дюйм со стопорным фитингом, лезвия хирургических ножей 11 # для резьбы по дереву Гравировальные инструменты Ремонт печатных плат Хобби…. Perkins 145206210 Термостат SBA145206210. 1N5400 Выпрямительный диод 3A 50 В, упаковка из 10 шт., UK , внешний диаметр трубы 76 мм, 3 дюйма SS304 Санитарный стопор торцевой крышки подходит для 3-дюймового Tri-Clamp Ferrule,

1N5400 Выпрямительный диод 3 А, 50 В, упаковка из 10 шт.