Биполярные транзисторы
Добавлено 21 октября 2016 в 17:45
Сохранить или поделиться
Биполярный транзистор был назван так, потому что его работа предполагает движение двух носителей заряда: электронов и дырок в одном и том же кристалле. Первый биполярный транзистор был изобретен в Bell Labs Уильямом Шокли, Уолтером Браттейном и Джоном Бардином в конце 1947 года, и поэтому публикации о нем не появлялись до 1948 года. Таким образом, многие тексты различаются по дате изобретения. Браттейн изготовил германиевый точечный транзистор, который имел некоторое сходство с точечным диодом. В течение месяца у Шокли появился более практичный плоскостной биполярный транзистор, который мы опишем ниже. В 1956 году за изобретение транзистора они были удостоены Нобелевской премии по физики.
Биполярный транзистор, показанный на рисунке ниже (a), – это NPN трехслойный полупроводниковый сэндвич с эмиттером и коллектором на концах и базой между ними. Это как если бы к двухслойному диоду был добавлен третий слой. Но если бы это было единственным требованием, было бы достаточно иметь пару расположенных «спина к спине» диодов. Да и изготовить пару диодов, расположенных «спина к спине», гораздо проще. Но основой изготовления биполярного транзистора является создание среднего слоя, базы, такого тонкого насколько это возможно без замыкания внешних слоев, эмиттера и базы. Невозможно переоценить важность тонкой области базы.
Полупроводниковый прибор на рисунке ниже (a) имеет два перехода, между эмиттером и базой и между базой и коллектором, и две обедненные области.
(b) Применение обратного смещения к переходу база-коллектор.
На переход база-коллектор биполярного транзистора принято подавать обратное смещение, как показано на рисунке выше (b). Обратите внимание, что это увеличивает ширину обедненной области. Напряжение обратного смещения для большинства транзисторов может находиться в диапазоне от нескольких вольт до десятков вольт. В данный момент в коллекторной цепи нет тока, кроме тока утечки.
На рисунке ниже (a) добавлен еще один источник напряжения в цепь между эмиттером и базой. Обычно мы прикладываем к переходу эмиттер-база прямое смещение, преодолевающее потенциальный барьер 0,6В. Это похоже на прямое смещение полупроводникового диода. Источник напряжения должен превышать 0,6В, чтобы основные носители (электроны для NPN) начали протекать от эмиттера в базу, становясь неосновными носителями заряда в полупроводнике P-типа.
Если бы область базы была толстой, как в паре расположенный «спина к спине» диодов, весь ток, поступающий в базу, утекал бы через вывод базы. В нашем примере NPN транзистора электроны, выходящие из эмиттера в базу, будут объединяться с дырками в базе, освобождая место для большего числа дырок, которые будут созданы на (+) выводе батареи, подключенного к базе, как только электроны уйдут.
Однако база изготавливается тонкой. Несколько основных носителей в эмиттере, введенных как неосновные носители в базу, действительно рекомбинируют. Смотрите рисунок ниже (b). Несколько электронов, введенных эмиттером в базу NPN транзистора, попадают в дырки. Также несколько электронов, вошедших в базу, потекут напрямую через базу к положительной клемме батареи. Большая часть эмиттерного потока электронов диффундирует через тонкую базу в коллектор. Кроме того, изменение небольшого тока базы приводит к большим изменениям тока коллектора. Если напряжение на базе падает ниже примерно 0,6 вольт для кремниевого транзистора, то перестает течь большой ток эмиттер-коллектор.
На рисунке ниже мы более внимательно рассмотрим механизм усиления тока. У нас есть увеличенный вид переходов биполярного NPN транзистора с акцентом на тонкую область базы. Хотя это не показано, мы предполагаем, что подключены внешние источники напряжения: (1) прямое смещение перехода эмиттер-база, (2) обратное смещение перехода база-коллектор. Электроны, основные носители, входят в эмиттер от клеммы (-) батареи. Ток базы соответствует электронам, покидающим вывод базы к выводу (+) батареи. Впрочем, это небольшой ток по сравнению с током эмиттера.
Электроны, входящие в базу:(a) Утерянные в результате рекомбинации с дырками базы.
(b) Выходящие из вывода базы.
(c) Большинство диффундирует из эмиттера через тонкую базу в обедненную область база-коллектор,
и (d) быстро захватываются сильным электрическим полем обедненной области в коллектор.
Основными носителям внутри эмиттера N-типа являются электроны, становящиеся неосновными носителями, когда входят в базу P-типа. У этих электронов, попадающих в тонкую базу P-типа, есть четыре возможных варианта. Несколько электронов (на рисунке (a) выше) попадают в дырки в базе, что способствует протеканию тока к выводу базы от клеммы (+) батареи. Это не показано, но дырки в базе могут диффундировать в эмиттер и объединяться с электронами, способствуя протеканию тока через вывод базы. Несколько (b) протекают через базу к выводу (+) батареи, как если бы база была просто резистором. Обе группы электронов, и (a) и (b), вносят очень маленький вклад в ток базы. Для маломощных транзисторов ток базы обычно составляет 1% от тока эмиттера или коллектора. Большая часть электронов эмиттера диффундирует сквозь тонкую базу (c) в обедненную область база-коллектор. Обратите внимание на полярность обедненной области, окружающей электрон на рисунке (d). Сильное электрическое поле быстро сметает электрон в коллектор. Сила поля пропорциональна напряжению батареи коллектора. Таким образом, 99% эмиттерного тока поступает в коллектор. Он управляется током базы, который составляет 1% от тока эмиттера. Это потенциальное усиление тока в 99 раз, отношение I
Это потрясающе, распространение 99% носителей эмиттера через базу возможно, только если база очень тонкая. Что было бы с основными носителями эмиттера, если бы база была в 100 раз толще? Можно было бы ожидать увеличения рекомбинации, число электронов, попадающих в дырки, было бы намного больше. Может быть 99%, а не 1%, попало бы в дырки, никогда не достигнув коллектора. Второй момент состоит в том, что ток базы может управлять 99% тока эмиттера, только если 99% тока эмиттера диффундирует в коллектор. Если бы весь ток вытекал из базы, никакое управление не было бы возможно.
Еще одна особенность, необходимая для передачи 99% электронов из эмиттера в коллектор, заключается в том, что реальные биполярные транзисторы используют небольшой сильно легированный эмиттер. Высокая концентрация электронов эмиттера заставляет больше электронов диффундировать в базу. Более низкая концентрация легирующей примеси в базе означает, что меньшее количество дырок диффундирует в эмиттер, которые могли бы увеличить ток базы. Распространение носителей заряда от эмиттера к базе пользуется большим преимуществом.
Тонкая база и сильно легированный эмиттер помогают сохранить высокую эффективность эмиттера, например, 99%. Это соответствует тому, что 100% тока эмиттера разделяется между базой (1%) и коллектором (99%). Эффективность эмиттера известна, как α = IК/IЭ.
Биполярные транзисторы могут иметь структуру как NPN, так и PNP. Мы приведем сравнение этих двух структур на рисунке ниже. Разница заключается в полярности PN-переходов база-эмиттер, что и обозначено направлением стрелки эмиттера на условном графическом обозначении. Она указывает в том же направлении, как и стрелка анода диода, противоположно направлению движения электронов.
Смотрите условное обозначение на изображении в P-N переход. Начало стрелки и ее конец соответствуют полупроводникам P-типа и N-типа, соответственно. Для эмиттеров NPN и PNP транзисторов стрелка указывает по направлениям от базы и к базе, соответственно. На условном обозначении нет стрелки на коллекторе. Тем не менее, переход база-коллектор имеет ту же полярность, как диод, что и переход база-эмиттер. Обратите внимание, что мы говорим о полярности диода, а не источника питания.
Источники напряжения для PNP транзисторов перевернуты по сравнению с NPN транзисторами, как показано на рисунке выше. Переход база-эмиттер должен быть смещен в прямом направлении в обоих случаях. На базу PNP транзистора подается отрицательное смещение (b), по сравнению с положительным (a) для NPN транзистора. В обоих случаях переход база-коллектор смещен в обратном направлении. Источник питания коллектора PNP транзистора имеет отрицательную полярность, по сравнению с положительной для NPN транзистора.
Обратите внимание, что биполярный транзистор (BJT) на рисунке (a) выше имеет сильное легирование в эмиттере, обозначенное N+. База обладает нормальным уровнем P-легирования. База намного тоньше, чем показано на рисунке поперечного сечения не в масштабе. Коллектор легирован слабо, что обозначено с помощью N—. Коллектор должен быть легирован так слабо, чтобы переход коллектор-база обладал высоким напряжением пробоя. Это приводит к высокому допустимому напряжению источника питания коллектора. Напряжение пробоя у маломощных кремниевых транзисторов составляет 60-80 вольт. Для высоковольтных транзисторов оно может достигать сотен вольт. Коллектор также должен быть сильно легирован для уменьшения резистивных потерь, если транзистор должен работать с большими токами. Эти противоречивые требования удовлетворяются за счет более сильного легирования коллектора в области металлического контакта. Коллектор около базы легирован слабо по сравнению с эмиттером. Сильное легирование в эмиттере дает низкое напряжение пробоя перехода эмиттер-база, которое составляет примерно 7 вольт для маломощных транзисторов. Сильнолегированный эмиттер делает переход эмиттер-база при обратном смещении, похожим по характеристикам на стабилитрон.
Основание биполярного плоскостного транзистора, пластина из полупроводника, – это коллектор, установленный (в случае мощных транзисторов) на металлическом корпусе. То есть, металлический корпус электрически соединен с коллектором. Основание маломощных транзисторов может быть заключено в эпоксидную смолу. В мощных транзисторах алюминиевые соединительные провода подключаются к базе и эмиттеру и соединяются с выводами корпуса. Основания маломощных транзисторов могут устанавливаться непосредственно на выводящих проводниках. На одном кристалле может быть изготовлено несколько транзисторов, что будет называться интегральной схемой. Коллектор даже может быть установлен не на корпусе, а на выводе. Интегральная схема может содержать внутренние проводники, соединяющие транзисторы и другие интегрированные компоненты. Встроенный биполярный транзистор, показанный на рисунке (c) выше, намного тоньше, чем показано на рисунке «не в масштабе». Область P+ изолирует несколько транзисторов в одном кристалле. Алюминиевый слой металлизации (не показан) соединяет между собой несколько транзисторов и другие компоненты. Область эмиттера сильно легирована N+ по сравнению с базой и коллектором для того, чтобы повысить эффективность эмиттера.
Дискретные PNP транзисторы почти столь же высокого качества, как и NPN транзисторы. Тем не менее, интегрированные PNP транзисторы не так хороши, как NPN в аналогичном кристалле интегральной схемы. Таким образом, интегральные схемы по максимуму используют NPN транзисторы.
Подведем итоги
- Биполярные транзисторы проводят ток, используя и электроны, и дырки в одном приборе.
- Функционирование биполярного транзистора, как усилителя тока, требует, чтобы на переход коллектор-база было подано обратное смещение, а на переход эмиттер-база – прямое.
- Транзистор отличается от пары соединенных «спина к спине» диодов тем, что база (центральный слой) очень тонкая. Это позволяет основным носителям заряд из эмиттера диффундировать, как неосновные носители, через базу в обедненную область перехода база-коллектор, где их подбирает сильное электрическое поле.
- Эффективность эмиттера улучшается более сильным легированием по сравнению с коллектором. Эффективность эмиттера: α = IC/IE, составляет 0,99 для маломощных транзисторов.
- Усиление по току: β=IC/IB, для маломощных транзисторов лежит в диапазоне от 100 до 300.
Оригинал статьи:
Теги
PN переходБиполярный транзисторОбучениеЭлектроникаСохранить или поделиться
Все тот же коллектор и эмиттер
цоколевка транзисторов введи в инете
Не забивй голову, возьми справочник или откопай в интернете.
Если транзистор обратный ( стрелка эмиттера вне кружка) база, относительно эм. и кол. покажет 200 — 800 Ом (вот это значение может быть разным но почти одинаковым для отдельного тр-ра) при присоединении к ней красного (+) провода прибора. При присоединении чёрного (СОМ) на базу, относительно других прибор ничего не покажет. Для прямого всё наоборот. Надо стараться не касаться пальцами любых токоведущих частей тр -ра и корпуса в том числе . Между коллектором и эмиттером в маломощных и не составных мощных тр-рах сопротивление не звониться в любую сторону. В составных (КТ825 и пр) звонится, не заморачивайся! Для германиевых несколько иначе.. . но кремний по базе даёт почти одинаковый результат и на кол. и на эм. Не забудь что у современных тр-ров корпус, если он доступен, вскгда коллектор. (есть экзотика )
между базой и эмиттером большее сопротивление чем между базой и коллектором
разброс сопротивлений БК и БЭ даже в рамках одной партии достаточно большой, чтобы можно было с уверенностью определять КЭ по сопротивлению, дело в том, что сопротивление измеряется под определённым напряжением тестера, и именно от него и зависит это сопротивление (ВАХ транзистора) . поэтому определить можно только по цоколёвке, благо в большинстве случаев она типовая для определённых типов корпусов.
Что то полная лапша, омметр при исправном транзисторе, покажет сопротивление, база — эмиттер, база- коллектор в пределах 12-30 ом, зависит от типа, эти значения почти одинаковы, а если есть ощутимая разница, в показаниях, к примеру — база -эмиттер 20 ом, а база — коллектор 150 ом, то это составной транзистор…. Показания в 5 ом, можно принять, как пробой….))))) Учись работать с прибором….
участок эмиттер-коллектор — со всех языков на русский
1 Emitter-Kollektor-Strecke
Универсальный немецко-русский словарь > Emitter-Kollektor-Strecke
2 Emitter-Basis-Strecke
сущ.1) электр. диод эмиттер-база, эмиттерный диод
2) микроэл. участок эмиттер база, участок эмиттер-база
Универсальный немецко-русский словарь > Emitter-Basis-Strecke
3 Emitter-Kollektor-Restspannung
сущ.микроэл. остаточное напряжение эмиттер коллектор, остаточное напряжение эмиттер-коллектор
Универсальный немецко-русский словарь > Emitter-Kollektor-Restspannung
4 courant émetteur-collecteur
Dictionnaire polytechnique Français-Russe > courant émetteur-collecteur
5 courant émetteur-collecteur
Французско-русский универсальный словарь > courant émetteur-collecteur
6 résistance émetteur-collecteur
Французско-русский универсальный словарь > résistance émetteur-collecteur
7 Spannungsübertragungskennlinie
сущ. микроэл. статическая характеристика зависимости напряжения на диоде эмиттер-коллектор от напряжения базы , статическая характеристика зависимости коллекторного напряжения от напряжения эмиттера , статическая характеристика зависимости напряжения на диоде эмиттер коллектор от напряжения базыУниверсальный немецко-русский словарь > Spannungsübertragungskennlinie
8 tension de claquage émetteur-collecteur de phototransistor
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > tension de claquage émetteur-collecteur de phototransistor
9 courant d’obscurité émetteur-collecteur de phototransistor
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > courant d’obscurité émetteur-collecteur de phototransistor
10 Courant d’obscurité émetteur-collecteur de phototransistor
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Courant d’obscurité émetteur-collecteur de phototransistor
11 Emitter-Kollektor-Durch-bruchspannung eines Phtototransistors
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Emitter-Kollektor-Durch-bruchspannung eines Phtototransistors
12 Emitter-Kollektor-Dunkelstrom eines Phototransistors
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Emitter-Kollektor-Dunkelstrom eines Phototransistors
13 emitter-collector breakdown voltage of a phototransistor
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > emitter-collector breakdown voltage of a phototransistor
14 emitter-collector dark current of a phototransistor
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > emitter-collector dark current of a phototransistor
15 участок
муж.
1) (земли) lot, plot;
region;
district;
(небольшой) strip, parcel;
(для строительства) site граница земельного участка ≈ (по дороге, реке) frontage садовый участок ≈ garden-plot дробить на участки ≈ (что-л.) to parcel out
2) (часть поверхности) part, section;
(дороги, реки) section, length пораженные участки кожи ≈ affected parts/areas of the skin
3) (сфера деятельности) area участок работы ≈ allotted work
4) воен. sector, area, zone жаркий участок ≈ (боя и т. п.) warm corner участок фронта ≈ sector of the front участок заражения ≈ contaminated area/ground
5) (административный) district избирательный участок ≈ electoral/election district/area, constituency;
(помещение) polling place/station, election centre
6) ист. (полицейский) police-office, police-station, (police) stationБольшой англо-русский и русско-английский словарь > участок
16 коллектор
БНРС > коллектор
17 участок
м
3) перен. Gebiet n; Sektor , pl -toren4) воен. Abschnitt m, Bereich , n
БНРС > участок
18 коллектор
БНРС > коллектор
19 участок
БНРС > участок
20 батарейный коллектор
БНРС > батарейный коллектор
См. также в других словарях:
ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения — Терминология ГОСТ 21934 83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа: 12. p i n фотодиод D. Pin Photodiode E. Pin Photodiode F. Pin Photodiode Фотодиод, дырочная и … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
ТРАНЗИСТОР — полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления электрического тока и управления им. Транзисторы выпускаются в виде дискретных компонентов в индивидуальных корпусах или в виде активных элементов т.н. интегральных схем, где их размеры не… … Энциклопедия Кольера
ЭЛЕКТРОННЫЕ СХЕМЫ — графические изображения и элементы многочисленных и разнообразных приборов и устройств электроники, автоматики, радио и вычислительной техники. Проектирование и разработка базовых электронных схем и создаваемых из них более сложных систем как раз … Энциклопедия Кольера
Транзистор — Дискретные транзисторы в различном конструктивном оформлении … Википедия
Тиристор — (от греч. thýra дверь, вход и англ. resistor Резистор полупроводниковый прибор, выполненный на основе монокристалла полупроводника (См. Полупроводники) с четырёхслойной структурой р n p n типа, обладающий свойствами вентиля электрического … Большая советская энциклопедия
ЭЛЕКТРОД — (1) проводник электричества, служащий для подвода электрического тока; (2) Э. сварочный стержень определённого диаметра и длины из электропроводного материала, включаемый в цепь сварочного тока для создания электрической (см.) во время дуговой… … Большая политехническая энциклопедия
ток эмиттер — коллектор — со всех языков на русский
1 courant émetteur-collecteur
Dictionnaire polytechnique Français-Russe > courant émetteur-collecteur
2 courant émetteur-collecteur
Французско-русский универсальный словарь > courant émetteur-collecteur
3 courant d’obscurité émetteur-collecteur de phototransistor
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > courant d’obscurité émetteur-collecteur de phototransistor
4 Courant d’obscurité émetteur-collecteur de phototransistor
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Courant d’obscurité émetteur-collecteur de phototransistor
5 Emitter-Kollektor-Dunkelstrom eines Phototransistors
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Emitter-Kollektor-Dunkelstrom eines Phototransistors
6 emitter-collector dark current of a phototransistor
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > emitter-collector dark current of a phototransistor
7 Kollektor-Emitter-Reststrom
сущ.микроэл. обратный ток (утечки) коллектор эмиттер, обратный ток (утечки) коллектор-эмиттер
Универсальный немецко-русский словарь > Kollektor-Emitter-Reststrom
8 brush friction loss
Англо-русский словарь технических терминов > brush friction loss
9 brush friction loss
Универсальный англо-русский словарь > brush friction loss
10 Emitter-Kollektor-Restspannung
сущ.микроэл. остаточное напряжение эмиттер коллектор, остаточное напряжение эмиттер-коллектор
Универсальный немецко-русский словарь > Emitter-Kollektor-Restspannung
11 Emitter-Kollektor-Strecke
Универсальный немецко-русский словарь > Emitter-Kollektor-Strecke
12 Emitterbasisreststrom
Универсальный немецко-русский словарь > Emitterbasisreststrom
13 résistance émetteur-collecteur
Французско-русский универсальный словарь > résistance émetteur-collecteur
14 Bürstenreibungsverluste
Универсальный немецко-русский словарь > Bürstenreibungsverluste
15 Spannungsübertragungskennlinie
сущ. микроэл. статическая характеристика зависимости напряжения на диоде эмиттер-коллектор от напряжения базы , статическая характеристика зависимости коллекторного напряжения от напряжения эмиттера , статическая характеристика зависимости напряжения на диоде эмиттер коллектор от напряжения базыУниверсальный немецко-русский словарь > Spannungsübertragungskennlinie
16 tension de claquage émetteur-collecteur de phototransistor
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > tension de claquage émetteur-collecteur de phototransistor
17 courant d’obscurité émetteur-base de phototransistor
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > courant d’obscurité émetteur-base de phototransistor
18 Courant d’obscurité émetteur-base de phototransistor
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Courant d’obscurité émetteur-base de phototransistor
19 Emitter-Kollektor-Durch-bruchspannung eines Phtototransistors
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Emitter-Kollektor-Durch-bruchspannung eines Phtototransistors
20 Emitter-Basis-Dunkelstrom eines Phototransistors
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Emitter-Basis-Dunkelstrom eines Phototransistors
См. также в других словарях:
темновой ток эмиттер-база фототранзистора — Темновой ток в цепи эмиттера, протекающий при отсутствии тока в коллекторе при определенных условиях работы и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности. Обозначение IбТ Э IEBO Примечание На ФЭПП может действовать… … Справочник технического переводчика
Темновой ток эмиттер-база фототранзистора — 114. Темновой ток эмиттер база фототранзистора D. Emitter Basis Dunkelstrom eines Phototransistors E. Emitter base dark current of a phototransistor F. Courant d obscurité émetteur base de phototransistor Темновой ток в цепи эмиттера, протекающий … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
обратный ток эмиттера — Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер база и разомкнутом выводе коллектора. Обозначение IЭБО IEBO [ГОСТ 20003 74] Тематики полупроводниковые приборы EN emitter cut off current DE Emitterreststrom (bei offenem… … Справочник технического переводчика
Обратный ток эмиттера — 2. Обратный ток эмиттера D. Emitterreststrom (bei offenem Kollektor) E. Emitter cut off current F. Courant résiduel de l’émetteur IЭБО Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер база и разомкнутом выводе коллектора… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
Бандгап — Зависимость напряжения на выходе ИС TL431 простейшего бандгапа по трёхтранзисторной схеме Видлара от температуры. Средняя кривая идеальное попадание VREF в номинальное значение (2,495В), верхняя и н … Википедия
Стабилитрон со скрытой структурой — Основная статья: Стабилитрон Стабилитрон со скрытой структурой (ССС, англ. buried zener) интегральный кремниевый стабилитрон в котором, в отличие от обычных стабилитронов, под p n переходом создана скрытая область (островок) с высокой… … Википедия
Токовое зеркало — генератор тока, управляемый током. Чаще всего выходной ток равен управляющему или отличается от него в целое число раз. Токовое зеркало – это схема, предназначенная для копирования через одно активное устройство, контролируя ток в другом … Википедия
Мультивибратор — Принципиальная схема классического простейшего транзисторного мультивибратора Мультивибратор релаксационный генератор сигналов электрических прямоугольных колебаний с короткими фронтами. Термин предложен голландским физиком … Википедия
ИОННЫЙ ИСТОЧНИК — устройство для получения в вакууме направленных ионных потоков (пучков). И. и. важная часть ускорителей заряж. ч ц, масс спектрометров, ионных микроскопов, установок для термояд. синтеза и разделения изотопов и мн. др. устройств. В И. и.… … Физическая энциклопедия
ТЕРМОЭЛЕКТРОННАЯ ЭМИССИЯ — испускание эл нов нагретыми телами (эмиттерами) в вакуум или др. среду. Выйти из тела могут только те эл ны, энергия к рых больше энергии эл на, покоящегося вне тела (см. РАБОТА ВЫХОДА). Число таких эл нов в условиях термодинамич. равновесия, в… … Физическая энциклопедия
ТЕРМОЭЛЕКТРОННАЯ ЭМИССИЯ — испускание электронов нагретыми телами (эмиттерами) в вакуум или др. среду. Выйти из тела могут только те электроны, энергия к рых больше энергии покоящегося вне эмиттера электрона (см. Работа выхода). Число таких электронов (обычно это электроны … Физическая энциклопедия
Чем эммитер транзистора отличается от коллектора.
Отличаются концентрацией примеси (донорной, если это, к примеру, npn-транзистор) и градиентом концентрации в области перехода. В современных транзисторах (планарно-эпитаксиальных или сходной технологии) эмиттер сильнее легирован, и переход эмиттер-база поэтому более резкий, чем коллекторный. Как следствие — пробивное напряжение эмиттерного перехода намного ниже, чем коллекторного (как правило, это 6,3 В, а для коллекторного — десятки вольт минимум) . От соотношения концентраций примесей в эмиттере и базе зависит и коэффициент инжекции (отношение электронного тока к дырочному) , и чем он выше, тем лучше транзистор. Именно поэтому и делают эмиттер сильно легированным, чтоб переход получился как можно несимметричнее.
В эммитере меньше основных носителей. И он просто меньше коллектора. Это для биполярных
коллектор отличается от эмиттера, главное отличие коллектора — бо́льшая площадь p — n-перехода
Да, площадь коллекторного перехода больше эмиттерного. Это для того, чтобы носители заряда, инжектируемые эмиттером, проходящие через базу, полнее собирались коллектором.
