Высокочастотные диоды Справочник Любительская Радиоэлектроника
Высокочастотные диоды
|
0/5
45/15
4/10
0/50
83/0.1
0/50
0/50
4/1 А
0/10 А
0/20
75/1
75/1
3/15 А
4/1
15/0.1
0/50
65/1
35/5
1/300
4/1000Copyright © V.
F.Gainutdinov, 2006 — 2016. Все права защищены. Разрешается републикация материалов сайта в Интернете с обязательным указанием активной ссылки на сайт http://vicgain.sdot.ru и со ссылкой на автора материала (указание автора, его сайта).
Диоды полупроводниковые справочник
Техническое состояние : исправное. Состояние : новый. Наличие : В наличии. Справочник — Диоды,тиристоры,оптоэлектронные приборы. Приведены электрические параметры,габаритные размеры,предельные эксплуатационные данные и другие характеристики выпускаемых полупроводниковых диодов,тиристоров,светодиодов и оптронов широкого применения отечественной промышленности. Для широкого круга специалистов и ремонта аппаратуры.
Поиск данных по Вашему запросу:
Схемы, справочники, даташиты:
Прайс-листы, цены:
Обсуждения, статьи, мануалы:
Дождитесь окончания поиска во всех базах.
По завершению появится ссылка для доступа к найденным материалам.
Содержание:
- Справочник по параметрам диодов
- Справочник химика 21
- Справочники / Диоды
- Справочник по параметрам диодов
- Справочник диодов отечественных.
- Справочник диодов отечественных.
- Справочник по полупроводниковым диодам, транзисторам и интегральным схемам
- Справочник .
Полупроводниковые приборы.Диоды выпрямительные. Стабилитроны.Тиристоры
Полупроводниковые приборы.Диоды выпрямительные. Стабилитроны.ТиристорыПОСМОТРИТЕ ВИДЕО ПО ТЕМЕ: Маркировка импортных диодов по системе JEDEC
Справочник по параметрам диодов
Знание параметров диодов и транзисторов позволяет повысить качество и надежность работы электронных схем на диодах и транзисторах и локализовать место неисправности при ремонте и настройке радиоэлектронной аппаратуры. Основные метрологические характеристики испытателей параметров полупроводниковых приборов приводятся на лицевых панелях приборов и в их паспортах.
Испытатели параметров полупроводниковых диодов и транзисторов классифицируются по следующим признакам:. Основными метрологическими характеристиками испытателей являются: назначение прибора, перечень измеряемых параметров, диапазон измерения параметров, погрешность измерения каждого параметра.
Проверка годности полупроводниковых диодов, транзисторов и аналоговых интегральных микросхем осуществляется путем измерения качественных параметров с последующим сравнением их со справочными.
Если измеренные параметры соответствуют справочным, то проверяемый диод, транзистор или аналоговая интегральная микросхема считается годными. Мультиметры как аналоговые, так и цифровые используют для проверки целостности p- n -переходов у диодов и транзисторов. Проверка исправности диодов заключается в измерении прямого и обратного сопротивления р- n -перехода. Омметр сначала подключают отрицательным щупом к аноду диода, а плюсовым — к катоду.
При таком включении р- n -переход диода смещен в обратном направлении и омметр покажет высокое сопротивление, выражаемое мегаомами. Затем полярность подключения меняют на обратную. Омметр регистрирует низкое прямое сопротивление р- n -перехода.
Низкое сопротивление свидетельствует о том, что в обоих направлениях р- n -переход диода пробит. Очень большое сопротивление свидетельствует об обрыве в цепи р- n -перехода.
Рабочее напряжение на щупах в этом режиме соответствует 0,2 В, а ток, проходящий через щупы, не превышает 1 мкА.
Таким током невозможно пробить даже самый маломощный полупроводник. Один щуп подключают к выводу базы, вторым щупом поочередно касаются выводов коллектора и эмиттера. Поскольку р- n -переходы кремниевых полупроводников открываются при напряжении более 0,6 В, то в режиме измерения сопротивления цифровым мультиметром p-n-переходы полупроводниковых приборов, припаянных к плате, не открываются.
В этом режиме цифровой мультиметр, в отличие от аналогового, измеряет только сопротивление проверяемого прибора. У аналогового мультиметра напряжение на щупах в этом режиме достаточное для открывания р- n -переходов. Мультиметры некоторых типов позволяют измерять ряд качественных параметров биполярных транзисторов:.
I сво — обратный ток коллектора ток неосновных носителей, тепловой ток ,. Более результативными при проверке качественных параметров диодов и транзисторов являются специализированные испытатели группы Л2.
Основные параметры, проверяемые испытателями, у диодов и транзисторов разные:. Измерение основных качественных параметров диодов. Для того, чтобы и змерить качественные параметры диодов испытателем Л2, необходимо выполнить следующие операции:. Обеспечить режим измерения обратного тока диода, для чего выполнить следующие операции:. Измерить прямое напряжение диода, для чего выполнить следующие операции:.
Измерение основных качественных параметров транзисторов. Подготовить испытатель к работе, для чего выполнить следующие операции:. Измерить коэффициент передачи тока транзистора, для чего выполнить следующие операции:.
Измерить ток неосновных носителей, для чего выполнить следующие операции:. Искать в Школе для электрика:.
Справочник химика 21
Учебное пособие разработано на основе Федерального государственного образовательного стандарта среднего профессионального образования по профессии Пособие предназначено для руководителей малых предприятий, осуществляющих ремонт бытовой техники или ремонт квартир по заказам населения.
Приводятся основные требования в области охраны труда и обеспечения его безопасности в соответствии с действующими нормативными правовыми актами по охране труда и порядок их выполнения. Может использоваться
Для повышения эффективности теплоотвода пластины следует размещать вертикально. Надежность работы мощных.
Справочники / Диоды
Полупроводниковые приборы: диоды, тиристоры, оптоэлектронные приборы. Полупроводниковые приборы: Диоды, тиристоры, оптоэлектронные приборы. Полупроводниковые приборы. Транзисторы для аппаратуры широкого применения. Полупроводниковые приборы: транзисторы. Код товара : В интерьере. Справочник по полупроводниковым диодам, транзисторам и интегральным схемам. Поделиться ВКонтакте. О книге.
Справочник по параметрам диодов
В справочнике представлены основные электрические параметры полупроводниковых диодов широкого применения. Для компактности и удобства использования настоящего справочника, в нем использована табличная форма представления информации.
Кроме электрических параметров в справочнике приводятся габаритные и присоединительные размеры, цветовая маркировка, а также типовые области применения. В справочнике собраны параметры диодов, рассеянные по отечественной литературе.
Все эти компоненты различаются по назначению, применяемым материалам, типам р-n переходов, конструктивному исполнению, мощности и прочим признакам и характеристикам.
Справочник диодов отечественных.
Существует множество приборов и устройств, которые преобразовывают электрический ток. Предлагаем рассмотреть, что такое выпрямительные диоды большой мощности и средней, их принцип работы, а также характеристики и применение. Выпрямительный электрический диод высокой и средней мощности СВЧ — это устройство, которое позволяет электрическому току двигаться только в одном направлении, в основном он используется для работы определенного источника питания. Выпрямительные диоды могут перерабатывать более высокий ток, чем обычные проводники. Как правило, они применяются для преобразования переменного тока в постоянный, частота которого не превышает 20 кгц.
Справочник диодов отечественных.
В отличие от других типов диодов, например, вакуумных , принцип действия полупроводниковых диодов основывается на различных физических явлениях переноса зарядов в твердотельном полупроводнике и взаимодействии их с электромагнитным полем в полупроводнике. Материал из Википедии — свободной энциклопедии. Текущая версия страницы пока не проверялась опытными участниками и может значительно отличаться от версии , проверенной 23 мая ; проверки требует 1 правка. Словарь-справочник по электротехнике, промышленной электронике и автоматике. Полупроводниковые диоды. Суперлюминесцентный диод Органический светодиод Синий светодиод Белый светодиод. Селеновый выпрямитель Медно-закисный выпрямитель. Лавинно-пролётный диод Туннельный диод Диод Ганна.
Основные стандарты на полупроводниковые диоды В справочнике приведены параметры и предельные электрические режимы эксплуатации.
Справочник по полупроводниковым диодам, транзисторам и интегральным схемам
Полупроводниковым диодом называется прибор, основой конструкции которого является один р-n переход.
Условное обозначение диода прил. В изображении черта означает катод, а треугольник анод.
Справочник .Полупроводниковые приборы.Диоды выпрямительные. Стабилитроны.Тиристоры
Полупроводниковые приборы. Диоды выпрямительные. Тиристоры страниц. Мобильное приложение. Каталог товаров.
Диод КД Справочник содержания драгоценных металлов в радиодеталях основаный на справочных данных различных организаций занимающихся переработкой лома радиодеталей, паспортах устройств, формулярах и других открытых источников.
Рубрика: Коммуникации и связь. Скачать файл: referat. Краткое описание работы: Рассмотрение принципов работы полупроводников, биполярных и полевых транзисторов, полупроводниковых и туннельных диодов, стабилитронов, варикапов, варисторов, оптронов, тиристоров, фототиристоров, терморезисторов, полупроводниковых светодиодов. Полупроводниковые приборы — различные по конструкции, технологии изготовления и функциональному назначению электронные приборы, основанные на использовании свойств полупроводников.
К полупроводниковым приборам относят также полупроводниковые микросхемы, которые представляют собой монолитные законченные функциональные узлы усилитель, триггер, набор элементов , все компоненты которых изготавливаются в едином технологическом процессе.
Знание параметров диодов и транзисторов позволяет повысить качество и надежность работы электронных схем на диодах и транзисторах и локализовать место неисправности при ремонте и настройке радиоэлектронной аппаратуры. Основные метрологические характеристики испытателей параметров полупроводниковых приборов приводятся на лицевых панелях приборов и в их паспортах. Испытатели параметров полупроводниковых диодов и транзисторов классифицируются по следующим признакам:.
Справочник по полупроводниковым диодам
Портал QRZ.RU существует только за счет рекламы, поэтому мы были бы Вам благодарны если Вы внесете сайт в список исключений.
Мы стараемся размещать только релевантную рекламу, которая будет интересна не только рекламодателям, но и нашим читателям.
Отключив Adblock, вы поможете не только нам, но и себе. Спасибо.
Как добавить наш сайт в исключения AdBlock
QRZ.RU > Технические справочники > Справочники по микросхемам и п/п приборам > Справочник по полупроводниковым диодам
class=»small»>
|
|
|
|
|
|
СОДЕРЖАНИЕ: От составителя Область применения |
| ОТ СОСТАВИТЕЛЯ
Справочник предназначен для широкого круга пользователей от разработчиков радиоэлектронных устройств, до радиолюбителей. В справочнике представлены основные электрические параметры полупроводниковых диодов широкого применения. Для компактности и удобства использования настоящего справочника, в нем использована табличная форма представления информации. Кроме электрических параметров в справочнике приводятся габаритные и присоединительные размеры, цветовая маркировка, а также типовые области применения. Как появился этот справочник? Все описанные причины побудили составить справочник более удобный для разработчика электронной аппаратуры. Благодаря компактной форме, справочник получился достаточно дешевым и удовлетворяющим большинство потребностей. Если же разработчику потребуются более подробные характеристики какого-либо изделия (это случается достаточно редко), он всегда может обратиться либо к специализированному изданию, либо к отраслевому стандарту. В повседневной же работе ему достаточно этой маленькой книжечки. Справочник составлен в 1991 году, переведен в HTML в 2000 году, перепроектирован в 2001 году. |
п. 2Ц101 — КЦ412
Если ошибки в обычном тексте легко обнаруживаются при вычитке, то ошибки в числовой информации даже специалистом обнаруживаются с трудом.|
|
|
|
 |
|
Diodes — Electronics Reference
Цепочка светодиодов (LED) может использоваться для украшения или даже для обеспечения безопасности.Что такое диоды?
Диоды являются одним из наиболее распространенных электрических компонентов и присутствуют практически в каждой электронной схеме. Диоды — это электронные компоненты, которые позволяют электрическому току течь в одном направлении и предотвращают его протекание в противоположном направлении. Они являются электрическим эквивалентом механического обратного клапана (также известного как односторонний клапан), поскольку пропускают ток только в одном направлении.
Диоды имеют один вход и один выход, что делает их двумя терминальными устройствами, такими как резисторы. В отличие от резисторов, диоды имеют полярность, а это означает, что они будут работать только при правильной ориентации в цепи.
Если диод установлен с неправильной направленностью, он будет работать с точностью до наоборот; это предотвратит ток, который вы хотите, позволяя току течь с неправильного направления.
Идеальный диод имеет нулевое сопротивление току в одном направлении и бесконечное сопротивление току в противоположном направлении. Реальные диоды никогда не бывают идеальными, но, выбирая правильный диод для правильного применения, мы часто можем игнорировать неидеальные характеристики диодов.
Первые диоды были изготовлены на электронных лампах, которые до сих пор иногда используются в устройствах высокой мощности. Диоды на самом деле являются простейшим типом электронных ламповых устройств. Но наиболее распространенными диодами сегодня являются твердотельные полупроводниковые диоды, изготовленные из легированной кремниевой подложки. Эти устройства обычно изготавливаются из специально разработанных P-N переходов.
Диоды также могут называться выпрямителями , потому что они «выпрямляют» направление тока.
Обычно выпрямитель представляет собой диод, который используется для преобразования переменного тока в постоянный. Одним из наиболее распространенных применений диодов являются схемы выпрямления переменного тока в постоянный. В схемах выпрямителя используется комбинация диодов для минимизации потерь при преобразовании переменного тока в постоянный.
Как работают диоды?
Диоды пропускают ток, когда они расположены в конфигурации с прямым смещением, но предотвращают прохождение тока в конфигурации с обратным смещением.
Ток течет от анода к катоду.В диоде ток может только течь от анода к катоду:
Анод : положительный вывод компонента схемы (например, диода).
Катод : отрицательный вывод компонента схемы (например, диода).
Когда положительный вывод диода (анод) соединен с положительным выводом источника питания, эта конфигурация называется прямым смещением .
Прямое смещение фактически относится к степени, в которой прямой потенциал приложен к диоду. Большее прямое смещение означает, что на диод подается более высокая разность электрических потенциалов (напряжение), при этом напряжение толкает ток от анода к катоду. Обратное смещение будет относиться либо к диоду, расположенному в противоположной конфигурации, либо к отрицательному напряжению, приложенному к диоду. В любом случае обратное смещение — это напряжение, которое пытается протолкнуть ток от катода к аноду (т. е. в направлении, противоположном обычному направлению, в котором допускается протекание тока через диод).
При прямом смещении ток течет от анода через диод и выходит из катода, который соединен с отрицательной клеммой источника питания. Поток электронов всегда противоположен потоку тока. Итак, в диоде физически происходит то, что электроны движутся от катода к аноду.
Таким образом, идеальный диод спроектирован таким образом, чтобы пропускать ток только тогда, когда на него подается прямое смещение, и предотвращать протекание тока, когда используется обратное смещение.
Два основных типа диодов
Существует два основных класса диодов; вакуумная трубка (также известная как термоэлектронная) и твердотельная . У них разные функции, которые позволяют каждому из них работать, и мы кратко рассмотрим оба, поскольку понимание одного полезно для понимания другого.
Ламповые диоды
Ламповые диоды используют нагретый металл для инжекции электронов от катода к аноду, таким образом генерируя ток от анода к катоду. Схематическое изображение обеспечивает довольно хорошую основу для понимания того, как это работает:
В ламповых диодах (также называемых термоэмиссионными диодами) используется нагреватель, заставляющий катод выбрасывать электроны, которые «приземляются» на анод. На этом рисунке кружок представляет вакуумную трубку. Катод находится в нижней части трубки, а точка его подключения торчит влево. Анод находится в верхней части вакуумной трубки. Под катодом находится нагреватель в форме буквы «n», который нагревает катод.
Когда катод достигает достаточно высокой температуры, он начинает выбрасывать электроны, которые улавливаются анодом в верхней части трубки.
Из этого простого объяснения мы можем понять, почему ламповый диод пропускает ток только в одном направлении. Это потому, что анод не нагревается; он просто не может выбрасывать электроны так, как катод.
Твердотельные диоды
Твердотельные диоды работают по совершенно другому принципу, который представляет собой P-N переход.
В PN-переходе полупроводниковая подложка легирована таким образом, что на одной стороне перехода есть свободные электронные дырки, что называется материалом «P-типа». Это достигается добавлением атомов, у которых на один электрон меньше, чем у атомов объемного полупроводникового кристалла. Другая сторона соединения имеет свободные электроны и называется материалом «N-типа». Это делается путем добавления атомов, у которых на один электрон больше, чем у атомов полупроводникового кристалла.
На самом стыке образуется обедненная область, через которую не может пройти ток.
Если напряжение приложено в одном направлении, обедненная область сожмется и пропустит ток. Если напряжение подается в другом направлении, область истощения будет расти, и PN-переход будет еще больше сопротивляться току.
Большинство полупроводниковых диодов представляют собой версии P-N перехода. У диода в прямом смещении его сторона P соединена с положительной клеммой источника питания, а его N-образный кристалл соединен с отрицательной клеммой источника питания.
Кривая ВАХ (ВАХ) диода
ВАХ диода, демонстрирующая неидеальные характеристики: прямое напряжение В F и напряжение пробоя В BRКак и большинство компонентов схемы, настоящие диоды не вести себя идеально. При прямом смещении диод будет иметь значительную проводимость только при приложении определенного напряжения; это известно как пороговое значение или напряжение включения. Это одно из основных различий между идеальными и реальными диодами.
Другое существенное неидеальное поведение диодов называется напряжением пробоя.
Если к диоду приложить достаточно большое обратное смещение, он начнет пропускать ток от катода к аноду.
Прямое напряжение, также известное как пороговое напряжение, также известное как напряжение включения
Диоды будут работать правильно только при подаче минимального прямого напряжения.
Это напряжение известно как прямое, пороговое или напряжение включения и чаще всего обозначается как V F . Пороговое напряжение соответствует напряжению, необходимому для проталкивания носителей заряда через обедненную область. Нажмите здесь, чтобы узнать об области истощения в PN-переходе.
При очень низком напряжении диод может вообще не пропускать ток. При более высоких напряжениях, которые ниже порогового напряжения, диод проявляет значительное сопротивление, но при этом пропускает некоторый ток. Выше порогового напряжения сопротивление падает, и диод пропускает ток с небольшим падением напряжения на нем.
Напряжение пробоя
Диоды также демонстрируют неидеальное поведение при обратном смещении.
Диод пропускает ток при обратном смещении, если на него подается достаточно большое отрицательное напряжение. Это явление называется пробоем при обратном смещении, а напряжение, при котором оно возникает, называется напряжением пробоя, V BR .
В некоторых случаях это действительно так, а в других может означать выход из строя самого диода.
При выборе правильного диода для цепи напряжение пробоя является одним из наиболее важных факторов. Необходимо рассчитать максимально возможное обратное смещение на диоде. Затем диод, который имеет более высокое напряжение пробоя, чем максимально возможное обратное смещение, используется в качестве основного параметра для выбора.
Где и как используются диоды?
Диоды выполняют множество функций и используются во многих различных типах схем. Диоды не подходят всем. Хотя все диоды имеют общую функциональность диода, различные типы диодов разработаны для конкретных применений.
Одним из наиболее распространенных применений диодов является преобразование переменного тока в постоянный.
Эффективная схема выпрямителя эффективно преобразует переменный ток в постоянный с минимальными потерями мощности.
Диоды часто используются для защиты цепей, предотвращая протекание тока в неправильном направлении.
Светоизлучающие диоды (СИД) обеспечивают выпрямляющую функцию диода, а также излучают свет. Это может быть полезно в качестве индикатора производительности или функциональности схемы или может быть основным назначением, как в случае со светодиодным освещением. Светодиоды также используются в большинстве современных телевизоров, в которых они обеспечивают освещение каждого пикселя.
Типы твердотельных диодов
Существует несколько различных типов твердотельных диодов, функции которых немного отличаются от функций обычных диодов с P-N переходом.
Светоизлучающие диоды (СИД)
Светодиоды или светоизлучающие диоды являются одним из наиболее распространенных электронных компонентов. Они функционируют как выпрямители, как обычные диоды, но также излучают свет, когда через них проходит ток.
Излучаемый свет зависит конкретно от материалов и конструкции диода.
Во всех диодах на основе PN-перехода происходит выделение энергии, поскольку электроны и дырки рекомбинируют в центре перехода при приложении прямого смещения. Светодиоды используют это высвобождение энергии, разрабатывая диод так, чтобы энергия находилась в диапазоне частот видимого света.
В отличие от ламп накаливания, они излучают свет только на определенных частотах. Это делает их чрезвычайно эффективными при преобразовании электрической энергии в свет, а также позволяет им работать при гораздо более низких температурах, чем у большинства традиционных источников света.
Лазерные диоды (ЛД)
Лазерные диоды лежат в основе большинства коммерчески доступных лазеров, включая лазерные указки, обычно используемые на работе и дома.
Лазерные диоды очень похожи на светодиоды с точки зрения их работы. Как и светодиоды, лазерные диоды генерируют свет за счет рекомбинации носителей на стыке.
Однако лазерные диоды производят свет определенной частоты из-за явления, называемого вынужденным излучением, при котором один фотон света стимулирует излучение большего количества фотонов с той же точной частотой.
Кроме того, свет, излучаемый ЛД, ограничивается, а затем фокусируется так, что получается единый коллимированный пучок света.
Стабилитроны
Стабилитроны предназначены для использования с обратным смещением. Они имеют тщательно подобранное напряжение пробоя, которое позволяет проходить току, если применяется достаточно высокое обратное смещение. Стабилитроны также рассчитаны на то, чтобы выдерживать это обратное смещение, не повреждаясь при этом.
Фотодиоды
Фотодиоды несколько отличаются от других диодов. В то время как большинство диодов сконструированы так, чтобы свет не попадал на соединение, фотодиоды используют энергию света для генерации тока. Вместо того, чтобы функционировать как тип выпрямителя, фотодиоды представляют собой датчики, которые поглощают свет, используя энергию света для рекомбинации носителей заряда на стыке.
Фотогальванические солнечные элементы, пожалуй, самый распространенный пример фотодиода.
Как выбрать диод
Существует несколько полезных шагов для определения правильного диода для использования в цепи:
- Определите максимальное обратное смещение на диоде. Напряжение пробоя диода должно быть выше этой цифры.
- Рассчитайте максимальный прямой ток. Диод должен быть рассчитан как минимум на этот ток.
- Определите максимально допустимое падение напряжения на диоде.
Используйте комбинацию этих параметров для определения характеристик используемого диода.
Модуль 5-полупроводники
Урок 0 : Модуль 5 Введение
Урок 1 : Введение в полупроводники
Урок 2 : Полупроводник
Урок 3 : Полупроводник. 4 : Диоды
Урок 5: Светодиоды
Урок 6 : Стабилитроны
Урок 7 : Транзисторы
Урок 8 : Транзисторы с биполярным соединением
Идеальные контроллеры диодов/кольца | TI.
comНаши идеальные контроллеры диодов и ORing предлагают компактные и масштабируемые решения для защиты вашей системы от обратного напряжения или обратного тока. Эти устройства значительно снижают потери энергии, обычно возникающие при прямом падении напряжения традиционных дискретных кремниевых диодов или диодов Шоттки.
Новые продукты
параметрический фильтр Посмотреть все продукты ЛМ74722-К1 НОВЫЙLM74722-Q1 АКТИВНЫЙ
Автомобильный идеальный диодный контроллер с низким IQ, активным выпрямлением 200 кГц и защитой от сброса нагрузки
Прибл. цена (USD) 1ку | 0,962
LM74721-Q1 НОВЫЙLM74721-Q1 АКТИВНЫЙ
Автомобильная промышленность, TVS менее низкий IQ, защита от обратного аккумулятора, идеальный диодный контроллер, активное выпрямление
Прибл. цена (USD) 1ку | 0,938
LM74502H НОВЫЙLM74502H АКТИВНЫЙ
Промышленный контроллер RPP от 3,2 В до 65 В с отключением нагрузки, OVP и высоким приводом затвора
Прибл.
цена (USD) 1ку | 0,7
LM74502H-Q1 АКТИВНЫЙ
Автомобильный контроллер защиты от обратной полярности, защита от перенапряжения, сила привода затвора 11 мА
Прибл. цена (USD) 1ку | 0,8
LM74502-Q1 НОВЫЙLM74502-Q1 АКТИВНЫЙ
Автомобильный контроллер защиты от обратной полярности, защита от перенапряжения, ток привода затвора 60 мкА
Прибл. цена (USD) 1ку | 0,7
LM74720-Q1 НОВЫЙLM74720-Q1 АКТИВНЫЙ
Автомобильный идеальный диодный контроллер с низким IQ, активным выпрямлением и защитой от сброса нагрузки
Прибл. цена (USD) 1ку | 0,926
Технические ресурсы
Указания по применениюЗамечания по применению
Основы идеальных диодов (версия B)
Узнайте, как наши идеальные контроллеры диодов преодолевают общие ограничения диодов Шоттки или P-канальных полевых МОП-транзисторов, используемых для традиционной защиты входа или приложений ИЛИ.
документ-pdfAcrobat PDF
Примечание по применениюУказания по применению
Шесть системных архитектур с надежной защитой от обратной батареи
Новые автомобильные тенденции требуют более высокой эффективности и удельной мощности во входных силовых системах. Узнайте, как новый контроллер идеальных диодов на полевых транзисторах LM74800-Q1 B2B упрощает общие архитектуры проектирования.
документ-pdfAcrobat ПДФ
Примечание по применениюУказания по применению
Устранение падения напряжения и экономия электроэнергии: идеальный диод (версия A)
В таких приложениях, как интеллектуальные электронные счетчики или термостаты, резервные батареи или резервные источники питания могут использоваться для сокращения времени простоя системы.
Посмотрите, как можно использовать LM66100 для блокировки обратного тока при малом падении прямого напряжения.
документ-pdfAcrobat ПДФ
Ресурсы для дизайна и разработки
Оценочная плата
LM74700-Q1 Оценочный модуль автомобильного идеального диодного контроллера IQ от 3,2 до 65 В, 80 мкА (пакет DDF)
LM74700DDFEVM помогает разработчикам оценить работу и производительность идеального автомобильного диодного контроллера LM74700-Q1 от 3,2 В до 65 В, 80 мкА IQ (комплект DDF). Этот оценочный модуль демонстрирует, как N-канальный силовой полевой МОП-транзистор может эмулировать диод с очень низким прямым напряжением с низким IQ и (…)
Оценочная плата
LM74500-Q1 Оценочный модуль контроллера защиты от обратной полярности IQ от 3,2 В до 65 В, 80 мкА
Оценочный модуль LM74500-Q1 (LM74500Q1EVM) помогает разработчикам оценить работу и производительность контроллера защиты от обратной полярности LM74500-Q1.
Этот оценочный модуль демонстрирует, как можно использовать N-канальный силовой полевой МОП-транзистор для реализации защиты входного обратного напряжения с низким IQ (…)
Базовый вариант
Эталонный проект автомобильного фильтра защиты от переходных процессов и перегрузок по току
Этот эталонный проект демонстрирует систему защиты от переходных процессов напряжения и тока, обычно встречающихся в автомобильных системах. Эта эталонная конструкция оптимизирует функциональность, размер и возможности защиты, не жертвуя при этом мощностью аудиоусилителей премиум-класса.
Модификация коммерческих диодов для измерения входной дозы в пучках фотонов более высокой энергии
. 1999 г., июнь; 51 (3): 249–56.
doi: 10.
1016/s0167-8140(99)00058-4.
Д Георг 1 , B De Ost, M T Hoornaert, P Pilette, J Van Dam, M Van Dycke, D Huyskens
Принадлежности
принадлежность
- 1 Отделение онкологии, У.З. Гастуйсберг Лёвен, Бельгия.
- PMID: 10435820
- DOI: 10.1016/s0167-8140(99)00058-4
Д. Георг и соавт. Радиотер Онкол. 1999 июня
. 1999 г., июнь; 51 (3): 249–56.
doi: 10.1016/s0167-8140(99)00058-4.
Авторы
Д Георг 1 , Б. Де Ост, М. Т. Хорнарт, П. Пилетт, Дж. Ван Дам, М. Ван Дайк, Д. Хайскенс
принадлежность
- 1 Отделение онкологии, У.З. Гастуйсберг Лёвен, Бельгия.
- PMID: 10435820
- DOI: 10.1016/s0167-8140(99)00058-4
Абстрактный
Предыстория и цель: Некоторые имеющиеся в продаже диоды p-типа не обеспечивают достаточного нарастания для дозиметрии in vivo в фотонных пучках «более высоких» энергий, и в литературе можно найти лишь ограниченную информацию, описывающую изменение поправочного коэффициента и/или достижимую точность для in vivo.
-прижизненные методы дозиметрии в этом диапазоне энергий. Первая цель этого исследования состоит в том, чтобы оценить и проанализировать изменение поправочных коэффициентов диодов для измерения входной дозы при более высоких энергиях фотонов. На втором этапе была изменена общая толщина наплавки диода, чтобы свести к минимуму изменение поправочного коэффициента.
Материалы и методы: Диодные поправочные коэффициенты с учетом нестандартных условий (размер поля, расстояние до поверхности источника, лоток, клин и блок) определяются в фотонных пучках 18-25 МВ, обеспечиваемых различными блоками обработки для диодов Scanditronix p-типа, рекомендованных для фотонных пучков более высокой энергии. : диоды старого и нового типа ЭДП-20 и ЭДП-30. Полусферические наплавки из различных материалов (медь, железо, свинец) используются для увеличения общей толщины наплавки. Эффекты возмущения с дополнительными конденсаторами и без них оцениваются для трех типов диодов.
Полученные результаты: Для немодифицированных диодов поправочные коэффициенты размера поля (C(FS)) варьируются от 1,7% до 6%, в зависимости от типа диода и лечебной установки. Например, для старого типа EDP-20 вариация C(FS) при 18 МВ намного выше на линейном ускорителе GE (5%) по сравнению с машиной Philips (1,7%). В зависимости от типа диода это отклонение может быть уменьшено до 1-2% при добавлении дополнительной накачки. Изменение поправочных коэффициентов расстояния от источника до поверхности почти не зависит от толщины нароста. Добавляя дополнительные наросты, можно практически исключить влияние лотков и блоков.
Выводы: Изменение поправочного коэффициента немодифицированных диодов отражает изменение электронного загрязнения в зависимости от геометрии обработки. Общая толщина наплавки 30 мм оказалась «наилучшим компромиссом» для трех исследованных типов диодов при измерении входной дозы в диапазоне энергий от 18 до 25 МВ.
Похожие статьи
Сравнительное исследование детекторов MOSFET и диодов для входной дозиметрии in vivo в рентгеновских лучах 18 МВ.
Жорнет Н., Карраско П., Хурадо Д., Руис А., Эудальдо Т., Рибас М. Джорнет Н. и др. мед. физ. 2004 г., сен; 31 (9): 2534-42. дои: 10.1118/1.1785452. мед. физ. 2004. PMID: 15487735
Влияние расстояния между фокусом и кожей и формы лотка для блоков на калибровочный коэффициент дозиметрических диодов in vivo.
Остинелли А., Гелоса С., Каччатори М., Фриджерио М., Монти А., Тоньоли П. Остинелли А. и соавт. Стралентер Онкол. 2000 ноябрь; 176 (11): 528-31. doi: 10.1007/pl00002321. Стралентер Онкол. 2000. PMID: 11143528
Поправочные коэффициенты для низковозмущающих диодов in vivo, используемых при определении входной дозы в пучках фотонов высокой энергии.
Робертс Р., Филп А. Робертс Р. и др. мед. физ. 2008 Январь; 35 (1): 25-31. дои: 10.1118/1.2818729. мед. физ. 2008. PMID: 18293557
Дозиметрия in vivo: взаимное сравнение диодов p-типа и n-типа для диапазона энергий 16-25 МВ.
Жорнет Н., Рибас М., Эудальдо Т. Джорнет Н. и др. мед. физ. 2000 июнь; 27 (6): 1287-93. дои: 10.1118/1.599013. мед. физ. 2000. PMID: 10
8Дозиметрия in vivo с помощью оптически стимулированных люминесцентных дозиметров OSLD в сравнении с диодами; влияние толщины нароста и материала изготовления.
Юрсиник П.А., Янке С.Дж. Юрсиник П.А. и соавт. мед. физ. 2011 Октябрь; 38 (10): 5432-40. дои: 10.1118/1.3633939. мед. физ. 2011. PMID: 21992362
Посмотреть все похожие статьи
Цитируется
Процентное несоответствие распределения дозы по глубине от ионизационных камер очень малого объема.
Саркар В., Ван Б., Чжао Х., Линч Б., Джеймс Дж. А., Маккалоу К. Т., Солтер Б. Дж. Саркар В. и др. J Appl Clin Med Phys. 2015 8 марта; 16 (2): 5230. дои: 10.1120/jacmp.v16i2.5230. J Appl Clin Med Phys. 2015. PMID: 26103196 Бесплатная статья ЧВК.
Измерение дозы облучения кожи пациента с использованием бескабельной системы MOSFET на основе чрескожной вертебропластики под рентгеноскопическим контролем, чрескожной декомпрессии диска, радиочастотного нейролиза медиальной ветви и эндоваскулярной критической ишемии конечностей.
Фалько М.Д., Масала С., Стефанини М., Фиори Р., Гандини Р., Багала П., Морозетти Д., Калабрия Э., Тоннетти А., Верона-Ринати Г., Сантони Р., Симонетти Г. Фалько, доктор медицины, и соавт. J Appl Clin Med Phys. 2015 8 января; 16 (1): 5020. дои: 10.1120/jacmp.v16i1.5020. J Appl Clin Med Phys.
2015.
PMID: 25679159
Бесплатная статья ЧВК.
Клиническое испытание.Характеристика системы диодной дозиметрии in vivo для клинического применения.
Хуанг К., Бис В.С. мл., Идальго-Сальватьерра О. Хуанг К. и др. J Appl Clin Med Phys. Весна 2003 г .; 4 (2): 132–42. дои: 10.1120/jacmp.v4i2.2528. J Appl Clin Med Phys. 2003. PMID: 12777148 Бесплатная статья ЧВК.
Дозиметрия in vivo с использованием одного диода для мегавольтной фотонной лучевой терапии: реализация и характеристика ответа.
Colussi VC, Beddar AS, Kinsella TJ, Sibata CH. Колусси В.К. и др. J Appl Clin Med Phys. 2001 Осень; 2(4):210-8. дои: 10.1120/jacmp.v2i4.2598. J Appl Clin Med Phys. 2001. PMID: 11686742 Бесплатная статья ЧВК.
2015.
PMID: 25679159
Бесплатная статья ЧВК.
Клиническое испытание.
