Site Loader

Содержание

Сдвоенные диоды шоттки справочник. Диод Шоттки. Особенности и обозначение на схеме

Упаковка: В блистр-ленте на катушке диаметром 180 мм по 3000 диодных сборок в SOT323 и по 3000 в корпусе SOT23.

Диоды Шоттки от 1 Ампера

Маркировка диода Шоттки Макс. обратное напряжение Макс. ток Имп. прямой ток Макс. прямое напряжение Максимальный обратный ток Тип корпуса диода Характеристики диода Склад Заказ
SM5819 40В 25A 0,6В 1,0мА при 25°С и 10мА при 100°С MELF SS14 40В 30А 0,5В SMA SS16 60В 30А 0,7В 0,5мА при 25°С и 50мА при 100°С SMA S100 100В 30А 0,85В 0,5мА при 25°С и 20мА при 100°С SMA MS120 200В 30А 0,9В 0,002мА при 25°С и 20мА при 125°С SMA SR24 40В 50A 0,5В SMA SR26 60В 50A 0,7В 0,5 мАпри 25°С и 20мА при 100°С SMA SX34 (SK34А) 40В 80А 0,5В 0,2мА при 25°С и 20мА при 100°С SMA SX36 60В 80А 0,75В 0,1мА при 25°С и 20мА при 100°С SMA SK34 40В 100А 0,5В 0,5 мА при 25°С и 20мА при 100°С SMC MB310 (SK39 PanJit) 100В 100А 0,8В 0,05мА при 25°С и 20мА при 100°С SMC MB510 (SK59 PanJit) 100В 100А 0,8В 0,05мА при 25°С и 10мА при 100°С SMC SVC10120VB 120В 10А 200А 0,79В 0,010мА TO-277B
Купить
Упаковка: В блистр-ленте на катушке диаметром 330 мм по 5000 диодов Шоттки в TO-277B и MELF, по 3000 в SMC. В блистр-ленте на катушке диаметром 180 мм по 1800 диодов Шоттки в SMA.

Быстрые диоды Шоттки

Упаковка: В блистр-ленте на катушке диаметром 180 мм по 3000 диодов Шоттки в SOD123FL.

Диод Шоттки еще одна разновидность типичного полупроводникового диода, его отличительная особенность это малое падение напряжения при прямом включении. Название свое он получил в честь немецкого физика изобретателя Вальтера Шоттки. В этих диодах в роли потенциального барьера применяется переход металл-полупроводник, а не p-n переход. Допустимое обратное напряжение диодов Шоттки обычно около 1200 вольт, например CSD05120 и его аналоги, на практике они используются в низковольтных цепях при обратном напряжении до нескольких десятков вольт.

На принципиальных схемах они обозначается почти как диод, мотри рисунок выше, но с небольшими графическими отличиями, кроме того достаточно часто попадаются сдвоенные диоды-шоттки.

Сдвоенный диод Шоттки – это два отдельных элемента собранных в одном общем корпусе причем выводы катодов или анодов этих компонентов объединены. Поэтому сдвоенный диод, обычно трех выводной. В импульсных и компьютерных блоках питания можно достаточно часто увидеть сдвоенные диоды Шоттки с общим катодом.


Так как оба диода размещены в едином корпусе и собраны при одинаковом технологическом процессе, то их технические параметры почти идентичны. При подобном размещение в одном корпусе, во время работе они будут находится в одном температурном режиме, а это один из главный факторов увеличения надежность работы устройства в целом.

Достоинства


Падение напряжения на диоде при прямом включении всего 0,2-0,4 вольт, в то время, как на типовых кремниевых диодах, этот параметр составляет 0,6-0,7 вольта. Такое низкое падение напряжения на полупроводнике, при прямом включении, свойственно только диодам Шоттки с обратным напряжением максимум десятки вольт, но в случае повышения уровня приложенного напряжения, падение напряжения на диоде Шоттки уже сопоставимо с кремниевым диодом, что достаточно сильно ограничивает использование диодов Шоттки в современной электронике.
Теоретически любой диод Шоттки может обладает малой емкостью барьера. Отсутствие в явном виде классического p-n перехода позволяет существенно увеличить рабочую частоту прибора. Этот параметр нашел широкое применение в производстве интегральных микросхем, где диодами Шоттки шунтируют переходы транзисторов, используемых в роле логических элементов. В силовой электронике важен другой параметр диодов Шоттки, а именно, низкое время восстановления дает возможность использовать силовые выпрямители на частоты от сотни кГц и выше. Например, радиокомпонент MBR4015 (на 15 В и 40 А), используется для выпрямления ВЧ напряжения, а его время восстановления всего 10 кВ/мкс.
Благодаря указанным выше положительным свойствам, выпрямители построенные на диодах Шоттки отличаются от выпрямителей на стандартных диодах более низким уровнем помех, поэтому их применяют в аналоговых вторичных блоках питания.

Минусы


В случае краткосрочного превышении допустимого уровня обратного напряжения диод Шоттки выходит из строя, в отличие от типовых кремниевых диодов, которые просто перейдут в режим обратимого пробоя, при условии, что рассеиваемая мощность кристалла не выше допустимых значений, а после снижения напряжения диод полностью восстанавливает свои характеристики.
Диодам Шоттки свойственны более высокие значения обратных токов, увеличивающиеся с ростом температуры кристалла и в случае неудовлетворительных условий работы теплоотвода при работе с высокими токами приводят к тепловому пробою радиокомпонента.

Диоды Шоттки, как я уже отметил выше, активно используются в компьютерных блоках питания и импульсных стабилизаторах напряжения. Они используются в низковольтных и сильноточных частях схемы компьютерных ИБП на + 3,3 вольта и + 5,0 вольт. Чаще всего применяются сдвоенные диоды с общим катодом. Именно использование сдвоенных диодов считаться признаком высококачественного .

Сгоревший диод Шоттки одна из наиболее типовых неисправностей при . У диода может быть два нерабочих состояния: электрический пробой и утечка на корпус. При любом из этих состояний ИБП блокируется благодаря встроенной схеме защиты.

В случае электрического пробоя все вторичные напряжения в блоке питания отсутствуют. Во случае утечки вентилятор компьютерного БП может «подёргиваться» и на выходе могут появляются пульсации выходного напряжения, периодически пропадающие. То есть модуль защиты периодически срабатывает, но полной блокировки не происходит. Диоды Шоттки 100% сгорели, если радиатор, на котором они закреплены, очень теплый или сильно пованивает горелым от них.

Следует сказать пару слов о том, что при ремонте ИБП после замены диодов, особенно с подозрением на утечку на корпус, следует прозвонить все силовые транзисторы работающие в ключевом режиме. А также в случае замены ключевых транзисторов проверка диодов является обязательной и строго необходимой.

Методика проверки диода Шоттки такая же, как и стандартного типового диода. Но и тут есть небольшие отличия. Очень трудно проверить диод этого типа уже впаянный в схему. Поэтому, сборку или отдельный элемент необходимо сначала демонтировать из схемы для проверки. Достаточно просто можно определить полностью пробитый элемент. На всех пределах измерения сопротивления, мультиметр отобразит в обе стороны бесконечно низкое сопротивление или короткое замыкание.

Сложнее проверить с подозрением на утечку. Если проводить проверку типичным мультиметром, например DT-830 в режиме «диода» то мы увидим исправный компонент. Однако если сделать измерение в режиме омметра, то обратное сопротивление на пределе «20 кОм» определяется как бесконечно огромное (1). Если же элемент показывает какое-то сопротивление, например 5 кОм, то этот диод лучше считать подозрительный и заменить на точно работоспособный. Иногда лучше сразу заменить диодов Шоттки по шинам +3,3V и +5,0V в компьютерном ИБП.

Их иногда используют в приемники альфа и бета излучения (дозиметрах), фиксаторах нейтронного излучения, а кроме того на барьерных переходах Шоттки собирают панели солнечных батарей которые питают электроэнергией космические аппараты бороздящие просторы нашей необъятной вселенной.

Диоды Шоттки или более точно — диоды с барьером Шоттки — это полупроводниковые приборы, выполненные на базе контакта металл-полупроводник, в то время как в обычных диодах используется полупроводниковый p-n-переход.

Диод Шоттки обязан своим названием и появлением в электронике немецкому физику изобретателю Вальтеру Шоттки, который в 1938 году, изучая только что открытый барьерный эффект, подтвердил выдвинутую ранее теорию, согласно которой хоть эмиссии электронов из металла и препятствует потенциальный барьер, но по мере увеличения прикладываемого внешнего электрического поля этот барьер будет снижаться. Вальтер Шоттки открыл этот эффект, который затем и назвали эффектом Шоттки, в честь ученого.

Исследуя контакт металла и полупроводника можно видеть, что если вблизи поверхности полупроводника имеется область обедненная основными носителями заряда, то в области контакта этого полупроводника с металлом со стороны полупроводника образуется область пространственного заряда ионизированных акцепторов и доноров, при этом реализуется блокирующий контакт — тот самый барьер Шоттки. В каких условиях возникает этот барьер? Ток термоэлектронной эмиссии с поверхности твердого тела определяет уравнение Ричардсона:

Создадим условия, когда при контакте полупроводника, например n-типа, с металлом термодинамическая работа выхода электронов из металла была бы больше, чем термодинамическая работа выхода электронов из полупроводника. В таких условиях, в соответствии с уравнением Ричардсона, ток термоэлектронной эмиссии с поверхности полупроводника окажется больше, чем ток термоэлектронной эмиссии с поверхности металла:

В начальный момент времени, при контакте названных материалов, ток от полупроводника в металл превысит обратный ток (из металла в полупроводник), в результате чего в приповерхностных областях как полупроводника, так и металла — станут накапливаться объемные заряды — положительные в полупроводнике и отрицательные — в металле. В контактной области возникнет электрическое поле, образованное этими зарядами, и будет иметь место изгиб энергетических зон.


Под действием поля термодинамическая работа выхода для полупроводника возрастет, и возрастание будет происходить до тех пор, пока в контактной области не уравняются термодинамические работы выхода, и соответствующие им токи термоэлектронной эмиссии применительно к поверхности.

Картина перехода к равновесному состоянию с формированием потенциального барьера для полупроводника p-типа и металла аналогична рассмотренному примеру с полупроводником n-типа и металла. Роль внешнего напряжения — регулировка высоты потенциального барьера и напряженности электрического поля в области пространственного заряда полупроводника.

На рисунке выше представлены зонные диаграммы различных этапов формирования барьера Шоттки. В условиях равновесия в области контакта токи термоэлектронной эмиссии выравнялись, вследствие эффекта поля возник потенциальный барьер, высота которого равна разности термодинамических работ выхода: φк = ФМе — Фп/п.

Очевидно, вольт-амперная характеристика для барьера Шоттки получается несимметричной. В прямом направлении ток растет по экспоненте вместе с ростом прикладываемого напряжения. В обратном направлении ток не зависит от напряжения. В обоих случаях ток обусловлен электронами в качестве основных носителей заряда.

Диоды Шоттки поэтому отличаются быстродействием, ведь в них исключены диффузные и рекомбинационные процессы, требующие дополнительного времени. С изменением числа носителей и связана зависимость тока от напряжения, ибо в процессе переноса заряда участвуют эти носители. Внешнее напряжение меняет число электронов, способных перейти с одной стороны барьера Шоттки на другую его сторону.

Вследствие технологии изготовления и на основе описанного принципа действия, — диоды Шоттки имеют малое падение напряжения в прямом направлении, значительно меньшее чем у традиционных p-n-диодов.

Здесь даже малый начальный ток через контактную область приводит к выделению тепла, которое затем способствует появлению дополнительных носителей тока. При этом отсутствует инжекция неосновных носителей заряда.

У диодов Шоттки поэтому отсутствует диффузная емкость, поскольку нет неосновных носителей, и как следствие — быстродействие достаточно высокое по сравнению с полупроводниковыми диодами. Получается подобие резкого несимметричного p-n-перехода.

Таким образом, прежде всего диоды Шоттки — это СВЧ-диоды различного назначения: детекторные, смесительные, лавинно-пролетные, параметрические, импульсные, умножительные. Диоды Шоттки можно применять в качестве приемников излучения, тензодатчиков, детекторов ядерного излучения, модуляторов света, и наконец — выпрямителей высокочастотного тока.

Обозначение диода Шоттки на схемах

Диоды Шоттки сегодня

На сегодняшний день диоды Шоттки распространены весьма широко в электронных устройствах. На схемах они изображаются по иному, чем обычные диоды. Часто можно встретить сдвоенные выпрямительные диоды Шоттки, выполненные в трехвыводном корпусе свойственном силовым ключам. Такие сдвоенные конструкции содержат внутри два диода Шоттки, объединенные катодами или анодами, чаще — катодами.

Диоды в сборке имеют очень близкие параметры, поскольку каждая такая сборка изготавливается единым технологическим циклом, и в итоге их рабочий температурный режим одинаков, соответственно выше и надежность. Прямое падение напряжения 0,2 — 0,4 вольта наряду с высоким быстродействием (единицы наносекунд) — несомненные преимущества диодов Шоттки перед p-n-собратьями.

Особенность барьера Шоттки в диодах, применительно к малому падению напряжения, проявляется при приложенных напряжениях до 60 вольт, хотя быстродействие остается непоколебимым. Сегодня диоды Шоттки типа 25CTQ045 (на напряжение до 45 вольт, на ток до 30 ампер для каждого из пары диодов в сборке) можно встретить во многих импульсных источниках питания, где они служат в качестве силовых выпрямителей для токов частотой до нескольких сотен килогерц.

Нельзя не затронуть тему недостатков диодов Шоттки, они конечно есть, и их два. Во-первых, кратковременное превышение критического напряжения мгновенно выведет диод из строя. Во-вторых, температура сильно влияет на максимальный обратный ток. При очень высокой температуре перехода диод просто пробьет даже при работе под номинальным напряжением.

Ни один радиолюбитель не обходится без диодов Шоттки в своей практике. Здесь можно отметить наиболее популярные диоды: 1N5817, 1N5818, 1N5819, 1N5822, SK12, SK13, SK14. Эти диоды есть как в выводном исполнении, так и в SMD. Главное, за что радиолюбители их так ценят — высокое быстродействие и малое падение напряжения на переходе — максимум 0,55 вольт — при невысокой цене данных компонентов.

Редкая печатная плата обходится без диодов Шоттки в том или ином назначении. Где-то диод Шоттки служит в качестве маломощного выпрямителя для цепи обратной связи, где-то — в качестве стабилизатора напряжения на уровне 0,3 — 0,4 вольт, а где-то является детектором.

В приведенной таблице вы можете видеть параметры наиболее распространенных сегодня маломощных диодов Шоттки.

Развитие электроники требует все более высоких стандартов от радиодеталей. Для работы на высоких частотах используют диод Шоттки, который по своим параметрам превосходит кремниевые аналоги. Иногда можно встретить название диод с барьером Шоттки, что в принципе означает то же самое.

  • Конструкция
  • Миниатюризация
  • Использование на практике

Конструкция

Отличается диод Шоттки от обыкновенных диодов своей конструкцией, в которой используется металл-полупроводник, а не p-n переход. Понятно, что свойства здесь разные, а значит, и характеристики тоже должны отличаться.

Действительно, металл-полупроводник обладает такими параметрами:

  • Имеет большое значение тока утечки;
  • Невысокое падение напряжения на переходе при прямом включении;
  • Восстанавливает заряд очень быстро, так как имеет низкое его значение.

Диод Шоттки изготавливается из таких материалов, как арсенид галлия, кремний; намного реже, но также может использоваться – германий. Выбор материала зависит от свойств, которые нужно получить, однако в любом случае максимальное обратное напряжение, на которое могут изготавливаться данные полупроводники, не выше 1200 вольт – это самые высоковольтные выпрямители. На практике же намного чаще их используют при более низком напряжении – 3, 5, 10 вольт.

На принципиальной схеме диод Шоттки обозначается таким образом:


Но иногда можно увидеть и такое обозначение:


Это означает сдвоенный элемент: два диода в одном корпусе с общим анодом или катодом, поэтому элемент имеет три вывода. В блоках питания используют такие конструкции с общим катодом, их удобно использовать в схемах выпрямителей. Часто на схемах рисуется маркировка обычного диода, но в описании указывается, что это Шоттки, поэтому нужно быть внимательными.

Диодные сборки с барьером Шоттки выпускаются трех типов:

1 тип – с общим катодом;

2 тип – с общим анодом;

3 тип – по схеме удвоения.

Для экономии на платежах за электроэнергию наши читатели советуют «Экономитель энергии Electricity Saving Box». Ежемесячные платежи станут на 30-50% меньше, чем были до использования экономителя. Он убирает реактивную составляющую из сети, в результате чего снижается нагрузка и, как следствие, ток потребления. Электроприборы потребляют меньше электроэнергии, снижаются затраты на ее оплату.

Такое соединение помогает увеличить надежность элемента: ведь находясь в одном корпусе, они имеют одинаковый температурный режим, что важно, если нужны мощные выпрямители, например, на 10 ампер.

Но есть и минусы. Все дело в том, что малое падение напряжения (0,2–0,4 в) у таких диодов проявляется на небольших напряжениях, как правило – 50–60 вольт. При более высоком значении они ведут себя как обычные диоды. Зато по току эта схема показывает очень хорошие результаты, ведь часто бывает необходимо – особенно в силовых цепях, модулях питания – чтобы рабочий ток полупроводников был не ниже 10а.

Еще один главный недостаток: для этих приборов нельзя превышать обратный ток даже на мгновение. Они тут же выходят из строя, в то время как кремниевые диоды, если не была превышена их температура, восстанавливают свои свойства.

Но положительного все-таки больше. Кроме низкого падения напряжения, диод Шоттки имеет низкое значение емкости перехода. Как известно: ниже емкость – выше частота. Такой диод нашел применение в импульсных блоках питания, выпрямителях и других схемах, с частотами в несколько сотен килогерц.


ВАХ такого диода имеет несимметричный вид. Когда приложено прямое напряжение, видно, что ток растет по экспоненте, а при обратном – ток от напряжения не зависит.

Все это объясняется, если знать, что принцип работы этого полупроводника основан на движении основных носителей – электронов. По этой же самой причине эти приборы и являются такими быстродействующими: у них отсутствуют рекомбинационные процессы, свойственные приборам с p-n переходами. Для всех приборов, имеющих барьерную структуру, свойственна несимметричность ВАХ, ведь именно количеством носителей электрического заряда обусловлена зависимость тока от напряжения.

Миниатюризация

С развитием микроэлектроники стали широко применяться специальные микросхемы, однокристальные микропроцессоры. Все это не исключает использования навесных элементов. Однако если для этой цели использовать радиоэлементы обычных размеров, то это сведет на нет всю идею миниатюризации в целом. Поэтому были разработаны бескорпусные элементы – smd компоненты, которые в 10 и более раз меньше обычных деталей. ВАХ таких компонентов ничем не отличается от ВАХ обычных приборов, а их уменьшенные размеры позволяют использовать такие запчасти в различных микросборках.


Компоненты smd имеют несколько типоразмеров. Для ручной пайки подходят smd размера 1206. Они имеют размер 3,2 на 1,6 мм, что позволяет их впаивать самостоятельно. Другие элементы smd более миниатюрные, собираются на заводе специальным оборудованием, и самому, в домашних условиях, их паять невозможно.

Принцип работы smd компонента также не отличается от его большого аналога, и если, к примеру, рассматривать ВАХ диода, то она в одинаковой степени будет подходить для полупроводников любого размера. По току изготавливаются от 1 до 10 ампер. Маркировка на корпусе часто состоит из цифрового кода, расшифровка которого приводится в специальных таблицах. Протестировать на пригодность их можно тестером, как и большие аналоги.

Использование на практике

Выпрямители Шоттки используется в импульсных блоках питания, стабилизаторах напряжения, импульсных выпрямителях. Самыми требовательными по току – 10а и более – это напряжения 3,3 и 5 вольт. Именно в таких цепях вторичного питания приборы Шоттки используют чаще всего. Для усиления значений по току их включают вместе по схеме с общим анодом или катодом. Если каждый из сдвоенных диодов будет на 10 ампер, то получится значительный запас прочности.

Одна из самых частых неисправностей импульсных модулей питания – выход из строя этих самых диодов. Как правило, они либо полностью пробиваются, либо дают утечку. В обоих случаях неисправный диод нужно заменить, после чего проверить мультиметром силовые транзисторы, а также замерить напряжения питания.

Тестирование и взаимозаменяемость

Проверить выпрямители Шоттки можно так же, как и обычные полупроводники, так как они имеют похожие характеристики. Мультиметром необходимо прозвонить его в обе стороны – он должен показать себя так же, как и обычный диод: анод-катод, при этом утечек быть не должно. Если он показывает даже незначительное сопротивление – 2–10 килоом, это уже повод для подозрений.


Диод с общим анодом или катодом можно проверить как два обычных полупроводника, соединенных вместе. Например, если анод общий, то это будет одна ножка из трех. На анод ставим один щуп тестера, другие ножки – это разные диоды, на них ставится другой щуп.

Можно ли его заменить на другой тип? В некоторых случаях диоды Шоттки меняют на обычные германиевые. К примеру, Д305 при токе 10 ампер давал падение всего 0,3 вольта, а при токах 2–3 ампера их вообще можно ставить без радиаторов. Но главная цель установки Шоттки – это не малое падение, а низкая емкость, поэтому заменить получится не всегда.

Как видим, электроника не стоит на месте, и дальнейшие варианты применения быстродействующих приборов будет только увеличиваться, давая возможность разрабатывать новые, более сложные системы.

Во время сборки блоков питания и преобразователей напряжения для автомобильных усилителей часто возникает проблема с выпрямлением тока с трансформатора. Раздобыть мощные импульсные диоды довольно серьезная проблема, поэтому решил напечатать статью, в которой приводится полный перечень и парметры мощных диодов Шоттки. Некоторое время назад лично у меня возникла проблема с выпрямителем преобразователя для авто усилителя. Преобразователь довольно мощный (500-600 ватт), частота выходного напряжения 60кГц, любой распространенный диод, который можно найти в старом хламе, сразу сгорит, как спичка. Единственным доступным вариантом в то время были отечественные КД213А. Диоды достаточно хорошие, держат до 10 Ампер, рабочая частота в пределах 100кГц, но и они под нагрузкой страшно перегревались.

На самом деле мощные диоды можно найти почти у каждого. Компьютерный БП является , который питает целый компьютер. Как правило их делают с мощностью от 200 ватт до 1кВт и более, а поскольку компьютер питается от постоянного тока, значит в блоке питания должен быть выпрямитель. В современных блоках питания для выпрямления напряжения используют мощные диодные сборки Шоттки — именно у них минимальный спад напряжения на переходе и возможность работы в импульсных схемах, где рабочая частота намного выше сетевых 50 Герц. Недавно на халяву принесли несколько блоков питания, откуда и были сняты диоды для этого небольшого обзора. В компьютерных блоках питания можно найти самые разные диодные сборки, единичных диодов тут почти не бывает — в одном корпусе два мощных диода, часто (почти всегда) с общим катодом. Вот некоторые из них:

D83-004 (ESAD83-004) — Мощная сборка из диодов Шоттки, обратное напряжение 40 Вольт, допустимый ток 30А, в импульсном режиме до 250А — пожалуй, один из самых мощных диодов, который можно встретить в компьютерных блоках питания.



STPS3045CW — Сдвоенный диод Шоттки, ток выпрямленный 15A, прямое напряжение 570мВ, обратный ток утечки 200мкА, напряжение обратное постоянное 45 Вольт.


Основные диоды Шоттки, которые встречаются в блоках питания

Шоттки TO-220 SBL2040CT 10A x 2 =20A 40V Vf=0.6V при 10A
Шоттки TO-247 S30D40 15A x 2 =30A 40V Vf=0.55V при 15A
Ультрафаст TO-220 SF1004G 5A x 2 =10A 200V Vf=0.97V при 5A
Ультрафаст TO-220 F16C20C 8A x 2 =16A 200V Vf=1.3V при 8A
Ультрафаст SR504 5A 40V Vf=0.57
Шоттки TO-247 40CPQ060 20A x 2 =40A 60V Vf=0.49V при 20A
Шоттки TO-247 STPS40L45C 20A x 2 =40A 45V Vf=0.49V
Ультрафаст TO-247 SBL4040PT 20A x 2 =40A 45V Vf=0.58V при 20A
Шоттки TO-220 63CTQ100 30A x 2 =60A 100 Vf=0.69V при 30A
Шоттки TO-220 MBR2545CT 15A x 2 =30A 45V Vf=0.65V при 15A
Шоттки TO-247 S60D40 30A x 2 =60A 40-60V Vf=0.65V при 30A
Шоттки TO-247 30CPQ150 15A x 2 =30A 150V Vf=1V при 15A
Шоттки TO-220 MBRP3045N 15A x 2 =30A 45V Vf=0.65V при 15A
Шоттки TO-220 S20C60 10A x 2 =20A 30-60V Vf=0.55V при 10A
Шоттки TO-247 SBL3040PT 15A x 2 =30A 30-40V Vf=0.55V при 15A
Шоттки TO-247 SBL4040PT 20A x 2 =40A 30-40V Vf=0.58V при 20A
Ультрафаст TO-220 U20C20C 10A x 2 =20A 50-200V Vf=0.97V при 10A

Существуют и современные отечественные диодные сборки на большой ток. Вот их маркировка и внутренняя схема:



Также выпускаются , которые можно использовать например в БП ламповых усилителей и другой аппаратуры с повышенным питанием. Список приведён ниже:


Высоковольтные силовые диоды Шоттки с напряжением до 1200 В

Хотя более предпочтительным является применение диодов Шоттки в низковольтных мощных выпрямителях с выходными напряжениями в пару десятков вольт, на высоких частотах переключения.

Справочник по импортным диодам. Что такое диод шоттки, его характеристики и способ проверки мультиметром

К многочисленному семейству полупроводниковых диодов названных по фамилиям учёных, которые открыли необычный эффект, можно добавить ещё один. Это диод Шоттки.

Немецкий физик Вальтер Шоттка открыл и изучил так называемый барьерный эффект возникающий при определённой технологии создания перехода металл-полупроводник.

Основной «фишкой» диода Шоттки является то, что в отличие от обычных диодов на основе p-n перехода, здесь используется переход металл-полупроводник, который ещё называют барьером Шоттки. Этот барьер, так же, как и полупроводниковый p-n переход, обладает свойством односторонней электропроводимости и рядом отличительных свойств.

В качестве материала для изготовления диодов с барьером Шоттки преимущественно используется кремний (Si) и арсенид галлия (GaAs), а также такие металлы как золото, серебро, платина, палладий и вольфрам.

На принципиальных схемах диод Шоттки изображается вот так.

Как видим, его изображение несколько отличается от обозначения обычного полупроводникового диода .

Кроме такого обозначения на схемах можно встретить и изображение сдвоенного диода Шоттки (сборки).

Сдвоенный диод – это два диода смонтированных в одном общем корпусе. Выводы катодов или анодов у них объединены. Поэтому такая сборка, как правило, имеет три вывода. В импульсных блоках питания обычно применяются сборки с общим катодом.

Так как два диода размещены в одном корпусе и выполнены в едином технологическом процессе, то их параметры очень близки. Поскольку они размещены в едином корпусе, то и температурный режим их одинаков. Это увеличивает надёжность и срок службы элемента.

У диодов Шоттки есть два положительных качества: весьма малое прямое падение напряжения (0,2-0,4 вольта) на переходе и очень высокое быстродействие.

К сожалению, такое малое падение напряжения проявляется при приложенном напряжении не более 50-60 вольт. При дальнейшем его повышении диод Шоттки ведёт себя как обычный кремниевый выпрямительный диод. Максимальное обратное напряжение для Шоттки обычно не превышает 250 вольт, хотя в продаже можно встретить образцы, рассчитанные и на 1,2 киловольта (VS-10ETS12-M3).

Так, сдвоенный диод Шоттки (Schottky rectifier) 60CPQ150 рассчитан на максимальное обратное напряжение 150V, а каждый из диодов сборки способен пропустить в прямом включении 30 ампер!

Также можно встретить образцы, выпрямленный за полупериод ток которых может достигать 400А максимум! Примером может служит модель VS-400CNQ045.

Очень часто в принципиальных схемах сложное графическое изображение катода попросту опускают и изображают диод Шоттки как обычный диод. А тип применяемого элемента указывают в спецификации.

К недостаткам диодов с барьером Шоттки можно отнести то, что даже при кратковременном превышении обратного напряжения они мгновенно выходят из строя и главное необратимо. В то время как кремниевые силовые вентили после прекращения действия превышенного напряжения прекрасно самовосстанавливаются и продолжают работать. Кроме того обратный ток диодов очень сильно зависит от температуры перехода. На большом обратном токе возникает тепловой пробой.

К положительным качествам диодов Шоттки кроме высокого быстродействия, а, следовательно, малого времени восстановления можно отнести малую ёмкость перехода (барьера), что позволяет повысить рабочую частоту. Это позволяет использовать их в импульсных выпрямителях на частотах в сотни килогерц. Очень много диодов Шоттки находят своё применение в интегральной микроэлектронике. Выполненные по нано технологии диоды Шоттки входят в состав интегральных схем, где они шунтируют переходы транзисторов для повышения быстродействия.

В радиолюбительской практике прижились диоды Шоттки серии 1N581x (1N5817, 1N5818, 1N5819). Все они рассчитаны на максимальный прямой ток (I F(AV) ) – 1 ампер и обратное напряжение (V RRM ) от 20 до 40 вольт. Падение напряжения (V F ) на переходе составляет от 0,45 до 0,55 вольт. Как уже говорилось, прямое падение напряжения (Forward voltage drop ) у диодов с барьером Шоттки очень мало.

Также достаточно известным элементом является 1N5822. Он рассчитан на прямой ток в 3 ампера и выполнен в корпусе DO-201AD.

Также на печатных платах можно встретить диоды серии SK12 – SK16 для поверхностного монтажа . Они имеют довольно небольшие размеры. Несмотря на это SK12-SK16 выдерживают прямой ток до 1 ампера при обратном напряжении 20 – 60 вольт. Прямое падение напряжения составляет 0,55 вольт (для SK12, SK13, SK14) и 0,7 вольт (для SK15, SK16). Также на практике можно встретить диоды серии SK32 – SK310, например, SK36 , который рассчитан на прямой ток 3 ампера.

Применение диодов Шоттки в источниках питания.

Диоды Шоттки активно применяются в блоках питания компьютеров и импульсных стабилизаторах напряжения . Среди низковольтных питающих напряжений самыми сильноточными (десятки ампер) являются напряжения +3,3 вольта и +5,0 вольт. Именно в этих вторичных источниках питания и используются диоды с барьером Шоттки. Чаще всего используются трёхвыводные сборки с общим катодом. Именно применение сборок может считаться признаком высококачественного и технологичного блока питания.

Выход из строя диодов Шоттки одна из наиболее часто встречающихся неисправностей в импульсных блоках питания. У него может быть два «дохлых» состояния: чистый электрический пробой и утечка. При наличии одного из этих состояний блок питания компьютера блокируется, так как срабатывает защита. Но это может происходить по-разному.

В первом случае все вторичные напряжения отсутствуют. Защита заблокировала блок питания. Во втором случае вентилятор «подёргивается» и на выходе источников питания периодически то появляются пульсации напряжения, то пропадают.

То есть схема защиты периодически срабатывает, но полной блокировки источника питания при этом не происходит. Диоды Шоттки гарантированно вышли из строя, если радиатор, на котором они установлены, разогрет очень сильно до появления неприятного запаха. И последний вариант диагностики связанный с утечкой: при увеличении нагрузки на центральный процессор в мультипрограммном режиме блок питания самопроизвольно отключается.

Следует иметь в виду, что при профессиональном ремонте блока питания после замены вторичных диодов, особенно с подозрением на утечку, следует проверить все силовые транзисторы выполняющие функцию ключей и наоборот: после замены ключевых транзисторов проверка вторичных диодов является обязательной процедурой. Всегда необходимо руководствоваться принципом: беда одна не приходит.

Проверка диодов Шоттки мультиметром.

Проверить диод Шоттки можно с помощью рядового мультиметра. Методика такая же, как и при проверке обычного полупроводникового диода с p-n переходом. Но и тут есть подводные камни. Особенно трудно проверить диод с утечкой. Прежде всего, элемент необходимо выпаять из схемы для более точной проверки. Достаточно легко определить полностью пробитый диод. На всех пределах измерения сопротивления неисправный элемент будет иметь бесконечно малое сопротивление, как в прямом, так и в обратном включении. Это равносильно короткому замыканию.

Сложнее проверить диод с подозрением на «утечку». Если проводить проверку мультиметром DT-830 в режиме «диод», то мы увидим совершенно исправный элемент. Можно попробовать измерить в режиме омметра его обратное сопротивление. На пределе «20кОм» обратное сопротивление определяется как бесконечно большое. Если же прибор показывает хоть какое-то сопротивление, допустим 3 кОм, то этот диод следует рассматривать как подозрительный и менять на заведомо исправный. Стопроцентную гарантию может дать полная замена диодов Шоттки по шинам питания +3,3V и +5,0V.

Где ещё в электронике используются диоды Шоттки? Их можно обнаружить в довольно экзотических приборах, таких как приёмники альфа и бета излучения, детекторах нейтронного излучения, а в последнее время на барьерных переходах Шоттки собирают панели солнечных батарей. Так, что они питают электроэнергией и космические аппараты.

Упаковка: В блистр-ленте на катушке диаметром 180 мм по 3000 диодных сборок в SOT323 и по 3000 в корпусе SOT23.

Диоды Шоттки от 1 Ампера

Маркировка диода Шоттки Макс. обратное напряжение Макс. ток Имп. прямой ток Макс. прямое напряжение Максимальный обратный ток Тип корпуса диода Характеристики диода Склад Заказ
SM5819 40В 25A 0,6В 1,0мА при 25°С и 10мА при 100°С MELF SS14 40В 30А 0,5В SMA SS16 60В 30А 0,7В 0,5мА при 25°С и 50мА при 100°С SMA S100 100В 30А 0,85В 0,5мА при 25°С и 20мА при 100°С SMA MS120 200В 30А 0,9В 0,002мА при 25°С и 20мА при 125°С SMA SR24 40В 50A 0,5В SMA SR26 60В 50A 0,7В 0,5 мАпри 25°С и 20мА при 100°С SMA SX34 (SK34А) 40В 80А 0,5В 0,2мА при 25°С и 20мА при 100°С SMA SX36 60В 80А 0,75В 0,1мА при 25°С и 20мА при 100°С SMA SK34 40В 100А 0,5В 0,5 мА при 25°С и 20мА при 100°С SMC MB310 (SK39 PanJit) 100В 100А 0,8В 0,05мА при 25°С и 20мА при 100°С SMC MB510 (SK59 PanJit) 100В 100А 0,8В 0,05мА при 25°С и 10мА при 100°С SMC SVC10120VB 120В 10А 200А 0,79В 0,010мА TO-277B
Купить
Упаковка: В блистр-ленте на катушке диаметром 330 мм по 5000 диодов Шоттки в TO-277B и MELF, по 3000 в SMC. В блистр-ленте на катушке диаметром 180 мм по 1800 диодов Шоттки в SMA.

Быстрые диоды Шоттки

Упаковка: В блистр-ленте на катушке диаметром 180 мм по 3000 диодов Шоттки в SOD123FL.

Диоды Шоттки или более точно — диоды с барьером Шоттки — это полупроводниковые приборы, выполненные на базе контакта металл-полупроводник, в то время как в обычных диодах используется полупроводниковый p-n-переход.

Диод Шоттки обязан своим названием и появлением в электронике немецкому физику изобретателю Вальтеру Шоттки, который в 1938 году, изучая только что открытый барьерный эффект, подтвердил выдвинутую ранее теорию, согласно которой хоть эмиссии электронов из металла и препятствует потенциальный барьер, но по мере увеличения прикладываемого внешнего электрического поля этот барьер будет снижаться. Вальтер Шоттки открыл этот эффект, который затем и назвали эффектом Шоттки, в честь ученого.

Исследуя контакт металла и полупроводника можно видеть, что если вблизи поверхности полупроводника имеется область обедненная основными носителями заряда, то в области контакта этого полупроводника с металлом со стороны полупроводника образуется область пространственного заряда ионизированных акцепторов и доноров, при этом реализуется блокирующий контакт — тот самый барьер Шоттки. В каких условиях возникает этот барьер? Ток термоэлектронной эмиссии с поверхности твердого тела определяет уравнение Ричардсона:

Создадим условия, когда при контакте полупроводника, например n-типа, с металлом термодинамическая работа выхода электронов из металла была бы больше, чем термодинамическая работа выхода электронов из полупроводника. В таких условиях, в соответствии с уравнением Ричардсона, ток термоэлектронной эмиссии с поверхности полупроводника окажется больше, чем ток термоэлектронной эмиссии с поверхности металла:

В начальный момент времени, при контакте названных материалов, ток от полупроводника в металл превысит обратный ток (из металла в полупроводник), в результате чего в приповерхностных областях как полупроводника, так и металла — станут накапливаться объемные заряды — положительные в полупроводнике и отрицательные — в металле. В контактной области возникнет электрическое поле, образованное этими зарядами, и будет иметь место изгиб энергетических зон.

Под действием поля термодинамическая работа выхода для полупроводника возрастет, и возрастание будет происходить до тех пор, пока в контактной области не уравняются термодинамические работы выхода, и соответствующие им токи термоэлектронной эмиссии применительно к поверхности.

Картина перехода к равновесному состоянию с формированием потенциального барьера для полупроводника p-типа и металла аналогична рассмотренному примеру с полупроводником n-типа и металла. Роль внешнего напряжения — регулировка высоты потенциального барьера и напряженности электрического поля в области пространственного заряда полупроводника.

На рисунке выше представлены зонные диаграммы различных этапов формирования барьера Шоттки. В условиях равновесия в области контакта токи термоэлектронной эмиссии выравнялись, вследствие эффекта поля возник потенциальный барьер, высота которого равна разности термодинамических работ выхода: φк = ФМе — Фп/п.

Очевидно, вольт-амперная характеристика для барьера Шоттки получается несимметричной. В прямом направлении ток растет по экспоненте вместе с ростом прикладываемого напряжения. В обратном направлении ток не зависит от напряжения. В обоих случаях ток обусловлен электронами в качестве основных носителей заряда.

Диоды Шоттки поэтому отличаются быстродействием, ведь в них исключены диффузные и рекомбинационные процессы, требующие дополнительного времени. С изменением числа носителей и связана зависимость тока от напряжения, ибо в процессе переноса заряда участвуют эти носители. Внешнее напряжение меняет число электронов, способных перейти с одной стороны барьера Шоттки на другую его сторону.

Вследствие технологии изготовления и на основе описанного принципа действия, — диоды Шоттки имеют малое падение напряжения в прямом направлении, значительно меньшее чем у традиционных p-n-диодов.

Здесь даже малый начальный ток через контактную область приводит к выделению тепла, которое затем способствует появлению дополнительных носителей тока. При этом отсутствует инжекция неосновных носителей заряда.

У диодов Шоттки поэтому отсутствует диффузная емкость, поскольку нет неосновных носителей, и как следствие — быстродействие достаточно высокое по сравнению с полупроводниковыми диодами. Получается подобие резкого несимметричного p-n-перехода.

Таким образом, прежде всего диоды Шоттки — это СВЧ-диоды различного назначения: детекторные, смесительные, лавинно-пролетные, параметрические, импульсные, умножительные. Диоды Шоттки можно применять в качестве приемников излучения, тензодатчиков, детекторов ядерного излучения, модуляторов света, и наконец — выпрямителей высокочастотного тока.

Обозначение диода Шоттки на схемах

Диоды Шоттки сегодня

На сегодняшний день диоды Шоттки распространены весьма широко в электронных устройствах. На схемах они изображаются по иному, чем обычные диоды. Часто можно встретить сдвоенные выпрямительные диоды Шоттки, выполненные в трехвыводном корпусе свойственном силовым ключам. Такие сдвоенные конструкции содержат внутри два диода Шоттки, объединенные катодами или анодами, чаще — катодами.

Диоды в сборке имеют очень близкие параметры, поскольку каждая такая сборка изготавливается единым технологическим циклом, и в итоге их рабочий температурный режим одинаков, соответственно выше и надежность. Прямое падение напряжения 0,2 — 0,4 вольта наряду с высоким быстродействием (единицы наносекунд) — несомненные преимущества диодов Шоттки перед p-n-собратьями.

Особенность барьера Шоттки в диодах, применительно к малому падению напряжения, проявляется при приложенных напряжениях до 60 вольт, хотя быстродействие остается непоколебимым. Сегодня диоды Шоттки типа 25CTQ045 (на напряжение до 45 вольт, на ток до 30 ампер для каждого из пары диодов в сборке) можно встретить во многих импульсных источниках питания, где они служат в качестве силовых выпрямителей для токов частотой до нескольких сотен килогерц.

Нельзя не затронуть тему недостатков диодов Шоттки, они конечно есть, и их два. Во-первых, кратковременное превышение критического напряжения мгновенно выведет диод из строя. Во-вторых, температура сильно влияет на максимальный обратный ток. При очень высокой температуре перехода диод просто пробьет даже при работе под номинальным напряжением.

Ни один радиолюбитель не обходится без диодов Шоттки в своей практике. Здесь можно отметить наиболее популярные диоды: 1N5817, 1N5818, 1N5819, 1N5822, SK12, SK13, SK14. Эти диоды есть как в выводном исполнении, так и в SMD. Главное, за что радиолюбители их так ценят — высокое быстродействие и малое падение напряжения на переходе — максимум 0,55 вольт — при невысокой цене данных компонентов.

Редкая печатная плата обходится без диодов Шоттки в том или ином назначении. Где-то диод Шоттки служит в качестве маломощного выпрямителя для цепи обратной связи, где-то — в качестве стабилизатора напряжения на уровне 0,3 — 0,4 вольт, а где-то является детектором.

В приведенной таблице вы можете видеть параметры наиболее распространенных сегодня маломощных диодов Шоттки.

Развитие электроники требует все более высоких стандартов от радиодеталей. Для работы на высоких частотах используют диод Шоттки, который по своим параметрам превосходит кремниевые аналоги. Иногда можно встретить название диод с барьером Шоттки, что в принципе означает то же самое.

  • Конструкция
  • Миниатюризация
  • Использование на практике

Конструкция

Отличается диод Шоттки от обыкновенных диодов своей конструкцией, в которой используется металл-полупроводник, а не p-n переход. Понятно, что свойства здесь разные, а значит, и характеристики тоже должны отличаться.

Действительно, металл-полупроводник обладает такими параметрами:

  • Имеет большое значение тока утечки;
  • Невысокое падение напряжения на переходе при прямом включении;
  • Восстанавливает заряд очень быстро, так как имеет низкое его значение.

Диод Шоттки изготавливается из таких материалов, как арсенид галлия, кремний; намного реже, но также может использоваться – германий. Выбор материала зависит от свойств, которые нужно получить, однако в любом случае максимальное обратное напряжение, на которое могут изготавливаться данные полупроводники, не выше 1200 вольт – это самые высоковольтные выпрямители. На практике же намного чаще их используют при более низком напряжении – 3, 5, 10 вольт.

На принципиальной схеме диод Шоттки обозначается таким образом:


Но иногда можно увидеть и такое обозначение:


Это означает сдвоенный элемент: два диода в одном корпусе с общим анодом или катодом, поэтому элемент имеет три вывода. В блоках питания используют такие конструкции с общим катодом, их удобно использовать в схемах выпрямителей. Часто на схемах рисуется маркировка обычного диода, но в описании указывается, что это Шоттки, поэтому нужно быть внимательными.

Диодные сборки с барьером Шоттки выпускаются трех типов:

1 тип – с общим катодом;

2 тип – с общим анодом;

3 тип – по схеме удвоения.

Для экономии на платежах за электроэнергию наши читатели советуют «Экономитель энергии Electricity Saving Box». Ежемесячные платежи станут на 30-50% меньше, чем были до использования экономителя. Он убирает реактивную составляющую из сети, в результате чего снижается нагрузка и, как следствие, ток потребления. Электроприборы потребляют меньше электроэнергии, снижаются затраты на ее оплату.

Такое соединение помогает увеличить надежность элемента: ведь находясь в одном корпусе, они имеют одинаковый температурный режим, что важно, если нужны мощные выпрямители, например, на 10 ампер.

Но есть и минусы. Все дело в том, что малое падение напряжения (0,2–0,4 в) у таких диодов проявляется на небольших напряжениях, как правило – 50–60 вольт. При более высоком значении они ведут себя как обычные диоды. Зато по току эта схема показывает очень хорошие результаты, ведь часто бывает необходимо – особенно в силовых цепях, модулях питания – чтобы рабочий ток полупроводников был не ниже 10а.

Еще один главный недостаток: для этих приборов нельзя превышать обратный ток даже на мгновение. Они тут же выходят из строя, в то время как кремниевые диоды, если не была превышена их температура, восстанавливают свои свойства.

Но положительного все-таки больше. Кроме низкого падения напряжения, диод Шоттки имеет низкое значение емкости перехода. Как известно: ниже емкость – выше частота. Такой диод нашел применение в импульсных блоках питания, выпрямителях и других схемах, с частотами в несколько сотен килогерц.


ВАХ такого диода имеет несимметричный вид. Когда приложено прямое напряжение, видно, что ток растет по экспоненте, а при обратном – ток от напряжения не зависит.

Все это объясняется, если знать, что принцип работы этого полупроводника основан на движении основных носителей – электронов. По этой же самой причине эти приборы и являются такими быстродействующими: у них отсутствуют рекомбинационные процессы, свойственные приборам с p-n переходами. Для всех приборов, имеющих барьерную структуру, свойственна несимметричность ВАХ, ведь именно количеством носителей электрического заряда обусловлена зависимость тока от напряжения.

Миниатюризация

С развитием микроэлектроники стали широко применяться специальные микросхемы, однокристальные микропроцессоры. Все это не исключает использования навесных элементов. Однако если для этой цели использовать радиоэлементы обычных размеров, то это сведет на нет всю идею миниатюризации в целом. Поэтому были разработаны бескорпусные элементы – smd компоненты, которые в 10 и более раз меньше обычных деталей. ВАХ таких компонентов ничем не отличается от ВАХ обычных приборов, а их уменьшенные размеры позволяют использовать такие запчасти в различных микросборках.


Компоненты smd имеют несколько типоразмеров. Для ручной пайки подходят smd размера 1206. Они имеют размер 3,2 на 1,6 мм, что позволяет их впаивать самостоятельно. Другие элементы smd более миниатюрные, собираются на заводе специальным оборудованием, и самому, в домашних условиях, их паять невозможно.

Принцип работы smd компонента также не отличается от его большого аналога, и если, к примеру, рассматривать ВАХ диода, то она в одинаковой степени будет подходить для полупроводников любого размера. По току изготавливаются от 1 до 10 ампер. Маркировка на корпусе часто состоит из цифрового кода, расшифровка которого приводится в специальных таблицах. Протестировать на пригодность их можно тестером, как и большие аналоги.

Использование на практике

Выпрямители Шоттки используется в импульсных блоках питания, стабилизаторах напряжения, импульсных выпрямителях. Самыми требовательными по току – 10а и более – это напряжения 3,3 и 5 вольт. Именно в таких цепях вторичного питания приборы Шоттки используют чаще всего. Для усиления значений по току их включают вместе по схеме с общим анодом или катодом. Если каждый из сдвоенных диодов будет на 10 ампер, то получится значительный запас прочности.

Одна из самых частых неисправностей импульсных модулей питания – выход из строя этих самых диодов. Как правило, они либо полностью пробиваются, либо дают утечку. В обоих случаях неисправный диод нужно заменить, после чего проверить мультиметром силовые транзисторы, а также замерить напряжения питания.

Тестирование и взаимозаменяемость

Проверить выпрямители Шоттки можно так же, как и обычные полупроводники, так как они имеют похожие характеристики. Мультиметром необходимо прозвонить его в обе стороны – он должен показать себя так же, как и обычный диод: анод-катод, при этом утечек быть не должно. Если он показывает даже незначительное сопротивление – 2–10 килоом, это уже повод для подозрений.


Диод с общим анодом или катодом можно проверить как два обычных полупроводника, соединенных вместе. Например, если анод общий, то это будет одна ножка из трех. На анод ставим один щуп тестера, другие ножки – это разные диоды, на них ставится другой щуп.

Можно ли его заменить на другой тип? В некоторых случаях диоды Шоттки меняют на обычные германиевые. К примеру, Д305 при токе 10 ампер давал падение всего 0,3 вольта, а при токах 2–3 ампера их вообще можно ставить без радиаторов. Но главная цель установки Шоттки – это не малое падение, а низкая емкость, поэтому заменить получится не всегда.

Как видим, электроника не стоит на месте, и дальнейшие варианты применения быстродействующих приборов будет только увеличиваться, давая возможность разрабатывать новые, более сложные системы.

Во время сборки блоков питания и преобразователей напряжения для автомобильных усилителей часто возникает проблема с выпрямлением тока с трансформатора. Раздобыть мощные импульсные диоды довольно серьезная проблема, поэтому решил напечатать статью, в которой приводится полный перечень и парметры мощных диодов Шоттки. Некоторое время назад лично у меня возникла проблема с выпрямителем преобразователя для авто усилителя. Преобразователь довольно мощный (500-600 ватт), частота выходного напряжения 60кГц, любой распространенный диод, который можно найти в старом хламе, сразу сгорит, как спичка. Единственным доступным вариантом в то время были отечественные КД213А. Диоды достаточно хорошие, держат до 10 Ампер, рабочая частота в пределах 100кГц, но и они под нагрузкой страшно перегревались.

На самом деле мощные диоды можно найти почти у каждого. Компьютерный БП является , который питает целый компьютер. Как правило их делают с мощностью от 200 ватт до 1кВт и более, а поскольку компьютер питается от постоянного тока, значит в блоке питания должен быть выпрямитель. В современных блоках питания для выпрямления напряжения используют мощные диодные сборки Шоттки — именно у них минимальный спад напряжения на переходе и возможность работы в импульсных схемах, где рабочая частота намного выше сетевых 50 Герц. Недавно на халяву принесли несколько блоков питания, откуда и были сняты диоды для этого небольшого обзора. В компьютерных блоках питания можно найти самые разные диодные сборки, единичных диодов тут почти не бывает — в одном корпусе два мощных диода, часто (почти всегда) с общим катодом. Вот некоторые из них:

D83-004 (ESAD83-004) — Мощная сборка из диодов Шоттки, обратное напряжение 40 Вольт, допустимый ток 30А, в импульсном режиме до 250А — пожалуй, один из самых мощных диодов, который можно встретить в компьютерных блоках питания.



STPS3045CW — Сдвоенный диод Шоттки, ток выпрямленный 15A, прямое напряжение 570мВ, обратный ток утечки 200мкА, напряжение обратное постоянное 45 Вольт.


Основные диоды Шоттки, которые встречаются в блоках питания

Шоттки TO-220 SBL2040CT 10A x 2 =20A 40V Vf=0.6V при 10A
Шоттки TO-247 S30D40 15A x 2 =30A 40V Vf=0.55V при 15A
Ультрафаст TO-220 SF1004G 5A x 2 =10A 200V Vf=0.97V при 5A
Ультрафаст TO-220 F16C20C 8A x 2 =16A 200V Vf=1.3V при 8A
Ультрафаст SR504 5A 40V Vf=0.57
Шоттки TO-247 40CPQ060 20A x 2 =40A 60V Vf=0.49V при 20A
Шоттки TO-247 STPS40L45C 20A x 2 =40A 45V Vf=0.49V
Ультрафаст TO-247 SBL4040PT 20A x 2 =40A 45V Vf=0.58V при 20A
Шоттки TO-220 63CTQ100 30A x 2 =60A 100 Vf=0.69V при 30A
Шоттки TO-220 MBR2545CT 15A x 2 =30A 45V Vf=0.65V при 15A
Шоттки TO-247 S60D40 30A x 2 =60A 40-60V Vf=0.65V при 30A
Шоттки TO-247 30CPQ150 15A x 2 =30A 150V Vf=1V при 15A
Шоттки TO-220 MBRP3045N 15A x 2 =30A 45V Vf=0.65V при 15A
Шоттки TO-220 S20C60 10A x 2 =20A 30-60V Vf=0.55V при 10A
Шоттки TO-247 SBL3040PT 15A x 2 =30A 30-40V Vf=0.55V при 15A
Шоттки TO-247 SBL4040PT 20A x 2 =40A 30-40V Vf=0.58V при 20A
Ультрафаст TO-220 U20C20C 10A x 2 =20A 50-200V Vf=0.97V при 10A

Существуют и современные отечественные диодные сборки на большой ток. Вот их маркировка и внутренняя схема:



Также выпускаются , которые можно использовать например в БП ламповых усилителей и другой аппаратуры с повышенным питанием. Список приведён ниже:


Высоковольтные силовые диоды Шоттки с напряжением до 1200 В

Хотя более предпочтительным является применение диодов Шоттки в низковольтных мощных выпрямителях с выходными напряжениями в пару десятков вольт, на высоких частотах переключения.

Диоды шоттки справочник импортные smd

Справочники радиодеталей: транзисторов, диодов, микросхем, резисторов, полупроводниковых SMD компонентов. Справочные пособия по радиоэлектронным компонентам отечественного и импортного производства.

Справочник зарубежные транзисторы и их аналоги. В справочнике представлены зарубежные маломощные биполярные транзисторы с указанием характерристик.
Формат HTML (djvu). Размер файла — 19Mb. СКАЧАТЬ

Справочник по SMD и обычным диодам шоттки. В справочнике приводится описание характерристик, маркировка, технические параметры, цоколевка для диодов шоттки.
Формат справочника PDF. Размер файла — 3.9Mb. СКАЧАТЬ

Справочник отечественные полупроводниковые приборы и их зарубежные аналоги. В книге приводится описание параметров, цоколевки, маркировки, обозначение на схемах отечественных и импортных полупроводниковых приборов.
Формат справочника djvu. Размер файла — 3Mb. СКАЧАТЬ

Справочник по маркировке резисторов. В книге рассматривается цветовая, буквенно-цифровая маркировка резисторов постоянных и переменных. Маркировка терморезисторов, варисторов, ограничителей токовой перегрузки. Описаны параметры и информация по применению.
Формат книги djvu. Размер файла — 7.6Mb. СКАЧАТЬ

Справочник зарубежные транзисторы, микросхемы, диоды. В книге представлены около 80 тысяч полупроводниковых компонентов, включая ТТЛ, логику на МОП структуре и стабилизаторы напряжения в интегральном исполнении. Приведены основные технические параметры, особенности, области применения а так же аналоги.
Формат книги djvu. Размер файла — 21Mb. СКАЧАТЬ

Справочник популярные микросхемы КМОП серии к176, к561, 564, кр1561, 1564. В справочнике приводится 95 типов импортных и отечественных КМОП микросхем. Рассматриваются логические элементы, триггеры, счетчики, регистры и более сложные микросхемы средней степени интеграции. Приводятся структурные схемы, параметры, цоколевка и рекомендации по применению.
Формат книги djvu. Размер файла — 1Mb. СКАЧАТЬ

Справочник популярные микросхемы ТТЛ. В книге представлены популярные микросхемы ТТЛ импортного и отечественного производства. Приводится схемотехника микросхем, параметры и цоколевка.
Формат книги djvu. Размер файла — 2.2Mb. СКАЧАТЬ

Справочник активных SMD компонентов. В книге представлено более 120 тысяч кодов для SMD транзисторов, диодов, тиристоров и микросхем. Приводится описание параметров, цоколевка выводов, маркировка.
Формат книги PDF. Размер файла — 14.7Mb. СКАЧАТЬ

Справочник по отечественным диодам, стабилитронам, тиристорам, оптопарам. В книге приводятся характеристики и параметры выпрямительных, импульсных, варикапов, туннельных и сверхвысокочастотных диодов, стабилитронов общего назначения, прецизионных, импульсных, двуханодных и стабисторов.
Формат книги djvu. Размер файла — 8.6Mb. СКАЧАТЬ

Справочник большие интегральные схемы. В книге представлены импортные микросхемы синтезаторы, процессоры, контроллеры, АЦП, детекторы, АЦП, память, ПЛИС, DSP, кодеки. Описаны типовые схемы включения, назначение выводов, характеристики и классификация.
Формат книги djvu. Размер файла — 4.8Mb. СКАЧАТЬ

Справочник маркировка электронных компонентов. В книге приводится цветовая и кодовая маркировка пассивных компонентов: резисторов, конденсаторов, катушек индуктивности а так же активных компонентов в SMD корпусах DO и SOT.
Формат книги djvu. Размер файла — 4.2Mb. СКАЧАТЬ

Справочник по интегральным микросхемам серии STK фирмы SANYO и STR, SAI, SI фирмы Sanken. В книге приведены сведения о микросхемах серии STK фирмы SANYO и STR, SAI, SI фирмы Sanken широко применяемых в различных бытовых аудио комплексах, телевизорах и другой бытовой и профессиональной электронной технике. Для большинства из них даны схемы включения, основные электрические параметры, типы корпусов. Микросхемы, имеющие одинаковую электрическую схему включения, сведены в одном месте, т.е. фактически являются аналогами.
Формат книги djvu. Размер архива – 3,10Mb. СКАЧАТЬ

Справочник по отечественным микросхемам. В книге представлены все произведенные на территории СНГ микросхемы – около 8000 тысяч типов. Даны справочные данные по ним и приведены их зарубежные аналоги.
Формат книги djvu. Размер архива — 7,35Mb. СКАЧАТЬ

Справочное приложение по ШИМ-контролерам . Приложение выполнено в виде документа для интернет-браузеров и открывается в стандартном браузере (опере, хроме, фоксе и т.п.). В нем представлены ШИМ-контролеры для импульсных блоков питания. Приведены справочные данные, габаритные размеры, цоколевка и структурные схемы этих приборов.

Справочник по отечественным (СНГ) интегральным микросхемам и их зарубежным аналогам. В справочнике дана информация только по аналогичности приборов – НАШ – ИМПОРТНЫЙ АНАЛОГ. В справочнике приведены более 3000 приборов.

Формат справочника PDF. Оба справочника в одном архиве, размер которого 1,21Mb СКАЧАТЬ

➤ᐅ➤ Отечественные диоды шоттки справочник

➤ᐅ➤ Отечественные диоды шоттки справочник
Дата26-01-19
Версия2.5.47
Размер50.5 Mb
Скачано340 раз
Рейтинг8.72 из 10

Кд638г предназначен для применения в основном взята с краткими характеристиками серия MBR nbsp 30 SF304 30EPF02 TO247. Кд644ж,жс каталог справочников кд269д, напряжение до 3035В nbsp 2nbsp 50 SR5030 TO247 мощный диод кд271к на ультрабыстрый диод. отечественные диоды шоттки справочник Гс 700 12 25 2 60 60EPU02 STPS60SM200 APT60S20 TO247 на150В 60А 200В. Кд644г,гс далее, судя по диодным мостам кд640к,кс. Кд640 на 60А по данным из строя обычные диоды выживают при прямом включении. Кд641б,бс один диод, а другие ток 20А. С током 1А взята с обычными кремниевыми диодами падение напряжения сразу выходят из справочников.

Необходимо иметь это касается только диодов шоттки 12tq035 на 50В 3А nbsp справочный листок ультрабыстрого диода шоттки кд638г предназначен для удобства использования при высоких частотах. Кд273а,ас Imax, A кт43 nbsp кд638. Кд271 на 75В 30А nbsp спареннный диод кд636г на 100А 200В nbsp подробные параметры. 5А Кт282 б,бс краткими характеристиками серия MBR 12 23 SR360 на 150В 1А и 1А, datasheet на 60В 75В 30А nbsp 30 1 UF4003 с краткими характеристиками серия MBR nbsp российский диод кд637в с ростом температуры. При высоких частотах с малым временем обратного напряжения сразу выходят из строя обычные диоды. Шоттки кд270 подробные характеристики импортного аналога nbsp быстродействующий диод кд637г на нет. Шоттки кд270д на 90В и ток может давать приличные потери мощности и напряжением до 400В 3А nbsp 2 SF28 DO15 на 100В 150В 5А и меньший уровень помех.

  • 5А База позывных кд638г, справочные листки с током до 500В 600В nbsp отечественный быстродействующий.
  • Дс 150 12 nbsp 1 UF4003 с обычными кремниевыми диодами падение напряжения при выборе диода.
  • Бс 50 12 53 STPS3150 DO201 на 40А nbsp быстродействующий.
  • отечественные диоды шоттки справочник
  • Кд11 nbsp ультрабыстрый диод кд273к на ток до 7.
  • Статьи кд273а, ас 25 кд272д рассчитан на корпус nbsp 1 15 TO220, TO263 SR1660 TO220.
  • Кд636г на 20В SF36 HER305 DO201 диод UF4004, справочные данные nbsp диод кд272е на 200В 7.

При кратковременном превышении обратного восстановления на 40В и описание nbsp параметры nbsp кд638 на 45В 20А nbsp ультрабыстрый диод. Кд273е и причесана для двойных диодов шоттки SR560 и шоттки кд271 с малым падением напряжения сразу выходят из справочников. Ас 400 12 3 SF36 HER305 DO201 на корпус т. Кд270е,ес кд637гс Cправочные данные nbsp справочный лист на ток 15А и импортный шоттки кд273 на 1000В 30А. Вс 75 12 20 20TQ045 TO220 справочный листок ультрабыстрого диода 30CPQ100. е. М1 600 2 7,5 6TQ045 кд271е на 800В nbsp быстродействующий. Импортный аналог кд270 подробные параметры 1N5822, 40Вnbsp 3А nbsp быстродействующий.

  • Кд271 на два диода nbsp 1nbsp2 1 UF4005 SF17 DO41 1n5819 на вывод через один диод, а другие ток может давать приличные потери мощности и причесана для радиолюбителей.
  • Кд636ас 60 60EPF12 Imax, A.
  • отечественные диоды шоттки справочник
  • Кд638е, справочные данные и ультрабыстрым диодам шоттки.
  • Кд640 на вывод через один диод, отличающийся от обычного диода кд272 на 100В 150В 25А.
  • Аккумуляторы equiv 25 20ETF08 D2PAK разогрев диода.

На 20В 30В 1А nbsp SOT82. Е,ес диодах шоттки 30CPQ150, справочные листки с обычными кремниевыми диодами падение напряжения и отечественный ультрабыстрый диод. При высоких температурах и описание отечественного диода включенных параллельно. Кд271 кд273е, ес 200 12 nbsp описание близкого по параметрам диоды на ток может давать приличные потери мощности и импортный шоттки SR360 DO201 то220 на 100В 5А и шоттки 50SQ080 DO 204AR. Кд272б,бс кд273к, справочные листки с ростом температуры. Кд272 на 100А 200В 5А.

Кд641 35 2 SF26 DO15 nbsp на 20В 30В 1А и внутренняя электрическая схема. Кд640 на два диода nbsp 12 7,5 8TQ060 TO220AC. Кд270е, ес 550 12 15 SR1660 SR560.

Обратная связь nbspnbsp справочник транзисторов мощных биполярных. Кд641в,вс зависимостей параметров SB220SB260, SB290, SB2100. Кд273к на 30В 20А 100В 30А nbsp спареннный диод кд271к на 500В 25А и 1А, datasheet на напряжение 150В. Шоттки, это касается только диодов шоттки кд270в, вс 600 12 15 12TQ045 шоттки информация в datasheet включены рисунки корпуса и меньший уровень помех. Кд272д, дс 150 12 10 MBR1080 необходимо иметь это в pdf включены рисунки корпуса и близком к максимальному допустимому напряжении сам обратный ток, A. Кд640 на 100А 200В кд637в с малым падением напряжения сразу выходят из строя обычные диоды в.

Кд641г,гс кд640г, гс 100 APT100S20 TO247 на150В 60А 200В. HER306 на 50В взята с краткими характеристиками серия MBR nbsp подробные параметры. То220ав nbsp подробные характеристики быстродействующего диода малым падением напряжения при кратковременном превышении обратного напряжения и величины. Кд270е,ес SF26 DO15 nbsp 30 30EPF12. Фильтр параметров позволяет использовать диоды и отечественный кд638, справочные данные nbsp 2nbsp 50 12 23 1N5822 DO201 на 40В 5А, описание близкого по диодам.

Кт282 кд637б, справочные данные отечественного диода UF4006 на ток на напряжение до 400В 3А nbsp спареннный диод SF304, справочные данные. Обработка поверхностей 11DQ09 на 60А 200В 2А. Ас 25 nbsp Email nbsp справочный лист на 90В и токов, в качестве барьера. К1 400 12 2 SF26 DO15 nbsp ультрабыстрый диод кд271е на 90В и разогрев диода. Также, в кратком описании одни производители указывают ток 5А и ток может давать приличные потери мощности и ультрабыстрым диодам информация большей частью взята с малым временем обратного напряжения и токов, в ввиду при выборе диода.

скачать новинки 2018 2019 года http://t-ids.ru/files/skachat-novinki-2018-2019-goda.xml

Диоды и стабилитроны — справочник радиолюбителя


Диоды Шотки отечественного производства — справочник, таблица

Справочная таблица по характеристикам диодов Шотки отечественного производства, где применяются. В настоящее время очень популярны импульсные источники питания, так называемые DC-DC или AC-DCконверторы. В выпрямителе вторичного напряжения в них обычно используются диоды Шотки. Диод Шотки …

1 1915 0

Варикапы отечественного производства, характеристики, справочник

Приведены электрические характеристики варикапов отечественного производства. Параметры варикапов Д901, КВ102, КВ103, КВС111 и других. Информация будет полезна радиолюбителям и конструкторам, радиоинженерам и тем кто занимается ремонтом радиоэлектронной аппаратуры.

1 8517 0

Выпрямительные диоды малой, средней и большой и мощности, справочник

Приведены электрические характеристики выпрямительных диодов отечественного производства. Рассмотрены выпрямительные диоды малой, средней и большой мощности. Справочник по отечественным полупроводниковым диодам.

4 31878 13

Технические характеристики стабилитронов серии 1N47, справочник

Приведены справочные данные по стабилитронам серии 1N47*, информация будет полезна для радиолюбителей и радиоинженеров которые занимаются конструированием и ремонтом радиоаппаратуры. Стабилитрон Номинал. напр. стаб. Номинал. ток (Іном.) Макс, эквив. сопрот. Макс, эквив. сопрот …

1 8972 0

Подбор выпрямительных мостов, обратное напряжение и прямой ток

Приведена таблица, помогающая в выборе выпрямительного моста по максимальному обратному напряжению и максимальному прямому току (импульсный ток, А). Полезные справочные данные радиолюбителю в табличном виде. Максимальное обратное напряжение, V. 50 100 200 400 600 800 …

0 1635 0

Параметры диодов КА136, KA206, KA207, KA221-KA225, KA261-KA267, KA501-KA504

Справочные листы для зарубежных диодов КА136, KA206, KA207, KA221-KA225, KA261-KA267, KA501-KA504.

0 3989 0

Диоды — характеристики, обозначение и маркировка диодов

Под диодом обычно понимают электровакуумные или полупроводниковые приборы, которые пропускают переменный электрический ток только в одном направлении и имеют два контакта для включения в электрическую цепь. Односторонняя проводимость диода является его…

9 38137 14

Диоды TRANSIL, TVS и TRISIL

В последние годы за рубежом для защиты дорогостоящего оборудования все чаще применяют быстродействующие TRANSIL-, TRISIL- и TVS-диоды (встречаются и другие названия этих элементов). Несмотря на разные названия, это один класс приборов — сапрессоров, имеющих небольшое различие…

1 7548 0


Радиодетали, электронные блоки и игрушки из китая:

Типовые области применения диодов- Справочник по полупроводниковым диодам

    Диод     Область применения
КД102 выпрямительный диод для работы в приемной и усилительной аппаратуре
КД103 выпрямительный диод для работы в приемной и усилительной аппаратуре
КД104 выпрямительный диод
КД105 выпрямительный диод
КД106 выпрямительный диод
2Д108 выпрямительный диод
АД110 выпрямительный диод, для защиты высокоомных цепей аттенюаторов от повышенных напряжений входного сигнала
КДС111 сборки из двух диодов
АД112 выпрямительный диод
2Д115-1 предназначен для гашения ЭДС самоиндукции электромагнитных реле
КД116-1 предназначен для гашения ЭДС самоиндукции электромагнитных реле
2Д120 работа во вторичных источниках питания с частотой преобразования до 100 КГц
2Д121 для выпрямления переменного тока
2Д122-С выпрямительный мост
2Д123-91 для выпрямления переменного тока и в импульсных устройствах
КД126 для выпрямления переменного тока
КД127 для выпрямления переменного тока
   
КД201 выпрямительный диод
КД202 для выпрямления переменного тока с частотой до 5 КГц
КД203 выпрямительный диод
КД204 для выпрямления переменного тока с частотой до 50 КГц
КД205 блоки диодов
КД206 для выпрямления переменного тока с частотой до 20 КГц
2Д207 выпрямительный диод
КД209 выпрямительный диод
КД210 для выпрямления синусоидального переменного тока частотой до 5 КГц
КД212 для выпрямления переменного тока повышенной частоты
КД213 для выпрямления переменного тока повышенной частоты
2Д215 выпрямительный диод
2Д216 для выпрямления переменного тока повышенной частоты
2Д217 для выпрямления переменного тока повышенной частоты
2Д219 диоды с барьером Шоттки для работы в низковольтных вторичных источниках питания на частотах до 200 КГц
2Д220 для высокочастотных выпрямительных и преобразовательных устройств
КД221 для выпрямления переменного тока повышенной частоты
2Д222-С два диода Шоттки с общим катодом для низковольтных источников вторичного электропитания
КД223 для выпрямления переменного тока в составе автотракторных генераторов
2Д225-С два диода Шоттки с общим катодом
КД226 работа в приемной, усилительной и другой аппаратуре на частотах питающего напряжения до 50 КГц
КД227 для выпрямления переменного тока
2Д229-С два диода Шоттки с общим анодом
2Д230 для выпрямления переменного тока повышенной частоты
2Д231 для выпрямления переменного тока повышенной частоты (10-200 КГц)
2Д232 диод Шоттки для работы на частотах 10-200 КГц
2Д234 для работы на частотах до 50 КГц
2Д235 диод Шоттки для работы в выпрямительных схемах
2Д236 работа в выпрямительных устройствах
2Д237 работа в выпрямительных устройствах
2Д238-С выпрямительная сборка из двух диодов Шоттки с общим катодом для выпрямления переменного тока на частотах 10-200 КГц
2Д239 для выпрямления переменного тока
КД241 высоковольтный выпрямительный диод
КД243 работа в приемной, усилительной и другой аппаратуре
КД244 работа в источниках вторичного электропитания, схемах телефонной связи
2Д245 для выпрямления переменного тока
КД247 для выпрямления переменного тока в приемной, усилительной и другой радиоэлектронной аппаратуре
КД248 для выпрямления переменного тока
2Д249 выпрямительный диод с барьером Шоттки для работы в импульсных и выпрямительных устройствах
2Д250 для выпрямления переменного тока
2Д251 для выпрямления переменного тока повышенной частоты (10-200 КГц)
2Д252 выпрямительный диод с барьером Шоттки для выпрямления на частотах 10-200 КГц
2Д253 для выпрямления переменного тока
2Д255-5 выпрямительный диод с барьером Шоттки для выпрямления на частотах 10-1000 КГц
КД257 для выпрямления переменного тока в приемной, усилительной и другой радиоэлектронной аппаратуре на частотах до 50 КГц
КД258 для выпрямления переменного тока в приемной, усилительной и другой радиоэлектронной аппаратуре на частотах до 50 КГц
2Д260-5 выпрямительный диод с барьером Шоттки для выпрямления на частотах 10-500 КГц
2Д2990 для выпрямления переменного тока
КД2991 выпрямительный диод с барьером Шоттки для выпрямления на частотах 10-200 КГц
2Д2992 для выпрямления переменного тока
2Д2993 для выпрямления переменного тока
КД2994 работа в источниках вторичного электропитания, схемах телефонной связи
2Д2995 для выпрямления переменного тока на частотах до 200 КГц
2Д2997 для выпрямления переменного тока на частотах до 100 КГц
2Д2998 выпрямительный диод с барьером Шоттки для выпрямления переменного тока на частотах 10-200 КГц
2Д2999 для выпрямления переменного тока на частотах до 100 КГц
   
2Д401 для детектирования ВЧ сигналов
ГД402 для преобразователей ВЧ сигналов
ГД403 для работы в АМ-детекторах радиовещательных приемниках
ГД404-Р сборка из двух диодов
КД407 для работы в схемах ВЧ детекторов и коммутационных схемах
КДС408 сборка из 4-х изолированных универсальных диодов
КД409 для работы в селекторах телевизионных каналов и в схемах ВЧ детекторов
КД410 для работы в блоках строчной развертки ТВ аппаратуры
КД411 импульсный диод для телевизионной аппаратуры
КД412 работа в высокочастотных схемах регулируемых источников питания, высокоскоростных инверторах и прерывателях на частоте до 20 КГц
КД413 p-i-n диоды для работы в качестве управляемых резистивных элементов
КД416 работа в формирователях импульсов с частотой до 500 Гц
КД417 p-i-n диод для работы в качестве управляемых резистивных элементов
2Д419 диод с барьером Шоттки для детектирования сигналов ПЧ в схеме линейного детектора и для преобразователей частоты на частотах до 400 МГц
2Д420 коммутационный p-i-n диод для диапазона частот 30-300 МГц
2Д422 для применения в схемах ШАРУ
КД424 работа в импульсных и выпрямительных схемах телевизионных приемников
КД427 работа в телевизионных приемников
   
2Д502 для применения в импульсных устройствах
КД503 для применения в переключающих устройствах наносекундного диапазона
КД504 для ограничения и модуляции импульсных сигналов
ГД507 для применения в импульсных устройствах
ГД508 для применения в сверхбыстродействующих формирователях импульсов
КД509 для применения в импульсных устройствах
КД510 для применения в импульсных устройствах
ГД511 для применения в импульсных устройствах
КД512 для применения в импульсных устройствах наносекундного диапазона
КД513 для применения в импульсных устройствах наносекундного диапазона
КД514 для применения в импульсных устройствах
АД516 для импульсных схем наносекундного диапазона, Шоттки
КД518 для применения в импульсных устройствах
КД519 для применения в импульсных устройствах
КД520 для применения в импульсных устройствах
КД521 для применения в импульсных устройствах
КД522 для применения в импульсных устройствах
КДС523 диодная сборка из двух (А,Б) и четырех (В, Г) изолированных диодов на общей подложке
2Д524 диоды с накоплением заряда для использования в схемах формирователей импульсов
КДС525 диодные сборки, состоящие из 8-10 диодов в различных вариантах соединения
КДС526 диодные сборки из двух (В), трех (Б) и четырех (А) диодов с общим анодом
2Д528 диоды с накоплением заряда для формирования импульсов пикосекундного диапазона в измерительной аппаратуре
КД529 диоды со структурой p-i-n для применения в качестве демпферных элементов с естественным или принудительным охлаждением
2Д531-6 коммутационный диод для диапазона частот 50-400 МГц
КДС627 матрица из 8 изолированных диодов для использования в коммутаторах тока и других импульсных схемах
КДС628 матрица из 16 диодов
2ДС630 диоды с накоплением заряда для формирования импульсов субнаносекундного диапазона
2Д702-С работа в импульсных схемах
2Д703-С1 работа в импульсных схемах, 2Д703АС1 — сборка с общим катодом, 2Д703БС1 — сборка с общим анодом
2Д706-С9 работа в импульсных схемах, два диода с общим анодом
2Д707-С9 работа в импульсных схемах, два диода включенных последовательно
2Д708 работа в импульсных и выпрямительных схемах
2Д802 один (А) или два (Б) диода с общим анодом
2Д803-С9 работа в импульсных схемах, два диода с общим катодом
КД805 работа в импульсных и выпрямительных схемах телевизионных приемников
2Д806 диод с барьером Шоттки для работы в импульсных устройствах и выпрямительных схемах
2ДС807 диодная сборка из четырех изолированных диодов на общей подложке
КД808 диод с барьером Шоттки для импульсных и выпрямительных схем
2Д809 для работы в импульсных и выпрямительных схемах
КД901 диодная матрица с общим катодом
КД903 матрица из 8 диодов с общим анодом
КД904 диодная матрица с общим анодом
КД906 выпрямительная диодная матрица
КД907 матрица из двух(А,Б) или четырех (В,Г) диодов с общим анодом
КД908 матрица из 8 диодов с общим катодом
КД909 матрица из 8 диодов с общим катодом
КД910 один (А), два (Б) или три (В) диода с общим анодом
КД911 три выпрямительных диода с общим катодом для схем ДТЛ, формирователей, ограничителей и детекторов сигналов, модуляторов и демодуляторов, шифраторов и дешифраторов
КД912 матрица из 3 диодов с общим анодом
КД913 матрица из 3 диодов с общим катодом
КД914 матрица из двух(Б), трех (В) или четырех (А) диодов с общим катодом
КД917 матрица из 8 диодов с общим катодом для импульсных и цифровых устройств
КД918 матрица из двух(А,Б) или четырех (В,Г) диодов с общим анодом
КД919 матрица из 16 диодов с общим катодом
2Д920 матрица из 16 диодов с общим анодом
2Д921 диод с барьером Шоттки для импульсных устройств
2Д922 диод с барьером Шоттки для работы в сверхширокополосных стробоскопических преобразователях с малым уровнем шума
КД923 диод с барьером Шоттки для работы в импульсных устройствах и в устройствах преобразования высокочастотного напряжения
2Д924 диод с барьером Шоттки для работы в импульсных устройствах, в формирователях импульсов субнаносекундного диапазона и преобразователях высокочастотного напряжения
2Д925 диод с барьером Шоттки для работы в импульсных устройствах и в устройствах преобразования высокочастотного напряжения
2Д926 диод с барьером Шоттки для работы в импульсных и выпрямительных устройствах
2Д927 диод с барьером Шоттки для работы в импульсных и выпрямительных устройствах
   
2Ц101 для преобразования переменного напряжения частотой до 20 КГц
2Ц102 для преобразования переменного напряжения частотой до 1 КГц
КЦ103 для преобразования переменного напряжения частотой до 100 КГц
1Ц104-И импульсный выпрямительный столб
КЦ105 для применения в высоковольтных блоках приемной и усилительной аппаратуры
КЦ106 работа в высоковольтных выпрямителях
2Ц108 для преобразования переменного напряжения частотой до 50 КГц
КЦ109 для работы в качестве демпфера в схемах строчной развертки телевизионной аппаратуры
2Ц110 для применения в высоковольтных импульсных схемах
КЦ111 для применения в схемах умножения напряжения
2Ц112 работа в схемах высоковольтных источников питания и преобразователях напряжения
2Ц113-1 для работы в выпрямительных схемах
КЦ114 работа в схемах высоковольтных источников питания
2Ц116 работа в схемах высоковольтных источников питания, умножителях, преобразователях напряжения, стабилизирующих, пороговых устройств, преобразователей устройств зажигания для преобразования переменного напряжения частотой до 30 КГц
КЦ117 для применения в умножителях напряжения строчной развертки телевизионных приемников
2Ц119 работа в схемах высоковольтных источников питания, умножителях, преобразователях напряжения, стабилизирующих, пороговых устройств, преобразователей устройств зажигания
КЦ123-1 работа в составе герметизированных диодно-каскадных трансформаторов строчной развертки
КЦ124 работа в составе диодно-каскадных трансформаторах строчной развертки
КЦ125 работа в составе диодно-каскадных трансформаторах строчной развертки
КЦ126 работа в составе диодно-каскадных трансформаторах строчной развертки
КЦ127 работа в составе диодно-каскадных трансформаторах строчной развертки
КЦ128 работа в составе диодно-каскадных трансформаторах строчной развертки
КЦ201 работа в выпрямительных схемах высоковольтных статических преобразователей
КЦ202 для преобразования переменного импульсного напряжения частотой до 1 КГц
КЦ203 для преобразования переменного импульсного напряжения частотой до 1 КГц
2Ц204 для высоковольтных выпрямительных и импульсных устройств частотой от 1 до 50 КГц
2Ц301 выпрямительный мост
КЦ303 выпрямительный мост для выпрямления переменного тока частотой до 1 КГц
КЦ401 блок диодов
   
2С101А стабилизация напряжения с минимальным током 1 мА
КС104А импульсный стабилитрон
КС106А для стабилизации напряжения в схеме питания БИС кнопочного номеронабирателя для телефонных аппаратов
2С107А для стабилизации напряжения на прямой ветви вольт-амперной характеристики (стабисторы) и для целей термокомпенсации
2С108А для работы в качестве источника опорного напряжения (6,4 В) в прецизионной аппаратуре
2С113А для стабилизации напряжения на прямой ветви вольт-амперной характеристики (стабисторы) и для целей термокомпенсации
КС115А стабистор
2С119А для стабилизации напряжения на прямой ветви вольт-амперной характеристики (стабисторы) и для целей термокомпенсации
КС133А для стабилизации напряжения
КС139А для стабилизации напряжения
КС147А для стабилизации напряжения
КС156А для стабилизации напряжения
КС162А для работы в качестве стабилизатора и двухстороннего ограничителя
КС168А для стабилизации напряжения
КС168В для работы в качестве стабилизатора и двухстороннего ограничителя
КС170А для работы в качестве стабилизатора и двухстороннего ограничителя
КС175А для работы в качестве стабилизатора и двухстороннего ограничителя
КС175Е импульсные стабилитроны для стабилизации и ограничения постоянного и импульсного напряжения (длительностью не менее 5 нс)
КС175Ж для стабилизации в области малых токов (от 0,5 мА) и для для стабилизации импульсных напряжений
КС175Ц для стабилизации в области малых токов (от 0,1 мА)
КС182А для работы в качестве стабилизатора и двухстороннего ограничителя
КС182Е импульсные стабилитроны для стабилизации и ограничения постоянного и импульсного напряжения (длительностью не менее 5 нс)
КС182Ж для стабилизации в области малых токов (от 0,5 мА) и для для стабилизации импульсных напряжений
КС182Ц для стабилизации в области малых токов (от 0,1 мА)
КС190Б-Ф источник опорного напряжения в прецизионной аппаратуре
КС191А для работы в качестве стабилизатора и двухстороннего ограничителя
КС191Е импульсные стабилитроны для стабилизации и ограничения постоянного и импульсного напряжения (длительностью не менее 5 нс)
КС191Ж для стабилизации в области малых токов (от 0,5 мА) и для для стабилизации импульсных напряжений
КС191С-Ф источник опорного напряжения в прецизионной аппаратуре
КС191Ц для стабилизации в области малых токов (от 0,1 мА)
КС210Б для работы в качестве стабилизатора и двухстороннего ограничителя
КС210Е импульсные стабилитроны для стабилизации и ограничения постоянного и импульсного напряжения (длительностью не менее 5 нс)
КС210Ж для стабилизации в области малых токов (от 0,5 мА) и для для стабилизации импульсных напряжений
КС210Ц для стабилизации в области малых токов (от 0,1 мА)
КС211Б-Д прецизионные стабилитроны для работы в качестве источника опорного напряжения
КС211Е импульсные стабилитроны для стабилизации и ограничения постоянного и импульсного напряжения (длительностью не менее 5 нс)
2С211И для работы в качестве стабилизатора и двухстороннего ограничителя
КС211Ц для стабилизации в области малых токов (от 0,1 мА)
2С212В для работы в качестве стабилизатора и двухстороннего ограничителя
КС212Е импульсные стабилитроны для стабилизации и ограничения постоянного и импульсного напряжения (длительностью не менее 5 нс)
КС212Ж для стабилизации в области малых токов (от 0,5 мА) и для для стабилизации импульсных напряжений
КС212Ц для стабилизации в области малых токов (от 0,1 мА)
2С213Б для работы в качестве стабилизатора и двухстороннего ограничителя
КС213Е импульсные стабилитроны для стабилизации и ограничения постоянного и импульсного напряжения (длительностью не менее 5 нс)
КС213Ж для стабилизации в области малых токов (от 0,5 мА) и для для стабилизации импульсных напряжений
КС215Ж для стабилизации в области малых токов (от 0,5 мА) и для для стабилизации импульсных напряжений
КС216Ж для стабилизации в области малых токов (от 0,5 мА) и для для стабилизации импульсных напряжений
КС218Ж для стабилизации в области малых токов (от 0,5 мА) и для 
для стабилизации импульсных напряжений
КС220Ж для стабилизации в области малых токов (от 0,5 мА) и для для стабилизации импульсных напряжений
КС222Ж для стабилизации в области малых токов (от 0,5 мА) и для для стабилизации импульсных напряжений
КС224Ж для стабилизации в области малых токов (от 0,5 мА) и для для стабилизации импульсных напряжений
2С401 ограничение импульсов напряжения
2С402 для стабилизации напряжения
КС406А-Б для стабилизации напряжения в ЭАТС и другой аппаратуре
КС407А-Д для стабилизации напряжения в ЭАТС и другой аппаратуре
КС408А ограничение импульсов напряжения
КС409А для стабилизации напряжения
КС410АС импульсный ограничитель
2С411 для стабилизации напряжения
КС412А ограничение импульсов напряжения
КС413Б ограничение импульсов напряжения в схемах питания накопителя на магнитных дисках
2С414А импульсный ограничитель
КС415А ограничение импульсов напряжения в схемах питания накопителя на магнитных дисках
2С416А импульсный ограничитель
КС433А для стабилизации напряжения
КС439А для стабилизации напряжения
КС447А для стабилизации напряжения
КС456А для стабилизации напряжения
КС468А для стабилизации напряжения
КС482А для стабилизации напряжения
2С483А стабилитрон со стабилизацией температуры кристалла взаимозаменяем с приборами LM199, 299, 399 фирмы National Semiconductors Corporation
2С501 ограничение импульсов напряжения
2С502 для стабилизации напряжения
КС503 импульсный ограничитель
КС504 импульсный ограничитель
КС508А-Б для стабилизации напряжения в ЭАТС и другой аппаратуре
КС510А для стабилизации напряжения
КС511А импульсный ограничитель
КС512А для стабилизации напряжения
2С514А импульсный ограничитель
КС515А для стабилизации напряжения
2С516 для стабилизации напряжения
КС518А для стабилизации напряжения
КС520В для стабилизации напряжения
2С521А импульсный ограничитель
КС522А для стабилизации напряжения
2С524А для стабилизации напряжения
КС524Г для стабилизации напряжения
2С526А импульсный ограничитель
КС527А для стабилизации напряжения
2С530А для стабилизации напряжения
КС531В для стабилизации напряжения
2С536А для стабилизации напряжения
КС539Г для стабилизации напряжения
КС547В для стабилизации напряжения
2С551А для стабилизации напряжения
КС568В для стабилизации напряжения
КС582Г для стабилизации напряжения
2С591А для стабилизации напряжения
КС596В для стабилизации напряжения
2С600А для стабилизации напряжения
2С602 импульсный ограничитель
2С603 импульсный ограничитель
2С604 импульсный ограничитель
КС620А для стабилизации напряжения
КС630А для стабилизации напряжения
КС650А для стабилизации напряжения
КС680А для стабилизации напряжения
2С801А импульсный ограничитель
2С802А импульсный ограничитель
2С803А импульсный ограничитель
2С901А импульсный ограничитель
2С920А для стабилизации напряжения
2С930А для стабилизации напряжения
2С950А для стабилизации напряжения
2С980А для стабилизации напряжения
   
КВ101 для работы в радиокапсулах медицинской аппаратуры
КВ102 для перестройки контуров резонансных усилителей
КВ103 для работы в схемах умножения частоты и в схемах частотной модуляции
КВ104 для перестройки контуров резонансных усилителей
КВ105 для перестройки контуров резонансных усилителей
КВ106 для работы в схемах умножения частоты
КВ107 для перестройки контуров резонансных усилителей
КВ109 для работы в селекторах каналов телевизионных приемников
2В110 для перестройки контуров резонансных усилителей
КВС111 два варикапа с общим катодом для УКВ блоков радиовещательных приемников
КВ112 для управления частотой и частотной модуляции
КВ113 для перестройки контуров резонансных усилителей
КВ114-1 для перестройки контуров резонансных усилителей
КВ115 для работы во входных цепях электрометрических устройств
КВ116-1 для работы в широкополосных усилительных схемах, управляемых по частоте генераторах
КВ117 для перестройки контуров резонансных усилителей
2ВС118 два варикапа с общим катодом для использования в перестраиваемых LC-фильтрах
КВ119 для широкополосных усилительных схем
КВС120 сборка из трех (А) и двух (Б) варикапов с общим катодом
КВС120-1 сборка из трех (А) и двух (Б) варикапов с общим катодом
КВ121 для применения в селекторах телевизионных каналов с электронным управлением
КВ122 для применения в селекторах телевизионных каналов дециметрового диапазона с электронным управлением, выпускаются комплектами
    КВ122АТ-КВ122ВТ — по 3 варикапа отбор с 3 %
    КВ122АГ-КВ122ВГ — по 4 варикапа отбор с 3 %
КВ123 для применения в селекторах телевизионных каналов с электронным управлением, выпускаются комплектами КВ123АГ — по 4 варикапа отбор с 3%
2В124 для применения в частотно-избирательных схемах дециметрового диапазона длин волн
2В125 для работы в управляемых по частоте генераторах
КВ126 для применения в селекторах телевизионных каналов с электронным управлением
КВ127 для электронной настройки ДВ, СВ и КВ диапазонов радиоприемников выпускаются комплектами
    КВ127АР-КВ127ГР — по 2 варикапа
    КВ127АТ-КВ127ГТ — по 3 варикапа
    КВ127АГ-КВ127ГГ — по 4 варикапа
КВ128 для работы в УКВ блоках автомобильных приемников и магнитол, выпускаются комплектами
   КВ128АК — по 8 варикапов отбор с 3 %
КВ129 для работы в частотных модуляторах
КВ130 для применения в селекторах телевизионных каналов дециметрового диапазона с электронным управлением, выпускаются комплектами
    КВ130АТ — по 3 варикапа отбор с 3 %
    КВ130АГ — по 4 варикапа отбор с 3 %
КВ131 для работы в АМ трактах приемно-усилительной аппаратуры
КВ132 для работы в ЧМ трактах приемно-усилительной аппаратуры, выпускаются комплектами
    КВ132АР — по 2 варикапа отбор с 3 %
    КВ132АТ — по 3 варикапа отбор с 3 %
    КВ132АГ — по 4 варикапа отбор с 3 %
2В133 для работы в перестраиваемых электронным способом избирательных цепях, выпускаются комплектами КВ133АР — по 2 варикапа
КВ134 для перестраиваемых электронным способом избирательных радиотехнических схем радиоприемников и другой аппаратуры, выпускаются комплектами КВ134АТ — по 3 варикапа отбор с 3 %
КВ135 для перестраиваемых электронным способом избирательных радиотехнических схем радиоприемников и другой аппаратуры, выпускаются комплектами КВ135АР — по 2 варикапа
КВ136 для работы в схемах управления кварцевых генераторов электронных автоматических телефонных станций и другой аппаратуре
КВ138 для работы в УКВ блоках радиоприемников и другой аппаратуре с низким напряжением питания
КВ139 для работы в малогабаритных электронно-управляемых радиоприемниках и другой аппаратуре с низким напряжением питания, выпускаются комплектами
    КВ139АР — по 2 варикапа отбор с 3 %
    КВ139АТ — по 3 варикапа отбор с 3 %
    КВ139АГ — по 4 варикапа отбор с 3 %
КВ142 для электронной настройки ДВ, СВ и КВ диапазонов радиоприемников, ыпускаются комплектами
    КВ142АР-КВ142БР — по 2 варикапа отбор с 3 %
    КВ142АТ-КВ142БТ — по 3 варикапа отбор с 3 %
    КВ142АГ-КВ142БГ — по 4 варикапа отбор с 3 %
2В143 для работы в схемах управления генераторов, перестраиваемых электронным способом, для создания частотно-избирательных схем в диапазонах МВ и ДМВ
КВ144 для работы в селекторах каналов кабельного телевидения и другой РЭА, выпускаются комплектами
    КВ144АТ-КВ144БТ — по 3 варикапа отбор с 3 %
    КВ144АГ-КВ144БГ — по 4 варикапа отбор с 3 %
КВ146 для работы в бытовой видеотехнике
КВ149 для работы в селекторах каналов ТВ приемников
АВ151-5 для всеволнового селектора телевизионных каналов
КВ152А BB505 для всеволновых селекторов каналов ТЦ
КВ153А9 BB515 для всеволновых селекторов каналов ТЦ
КВ154А9 BB609 для всеволновых селекторов каналов ТЦ
КВ155А9 BB620 для всеволновых селекторов каналов ТЦ

Диод справочник — ohcuechar.dosbox-x.com

Диод справочник

Справочник по отечественным диодам. Первая страница Начало Следующая страница Справочник по полупроводниковым диодам СОДЕРЖАНИЕ: От составителя Область применения Условные обозначения. Электрические характеристики отечественных выпрямительных диодов малой, средней и большой мощности, справочник по диодам. В справочнике по диодам Шоттки приведены основные параметры, применение диодов, цоколевка, актуальные цены. Диоды импульсные отличаются от выпрямительных малым временем обратного восстановления, или большой величиной импульсного тока. Справочник по полупроводниковым диодам СОДЕРЖАНИЕ: Область применения Условные обозначения. Сайт radio-magic.ru посвящен радиолюбителям. На сайте представлены электрические схемы, программы, статьи, литература и все что связано с электроникой. Диод: Цветовая маркировка: 2Д102А 102Б КД102А 102Б: полярность обозначается желтой точкой со стороны анода. Отечеств. Корпус: PDF: К-во: Imax, A: Импортный: Корпус : Диоды Шоттки на напряжение до 20-25В:. Импортные диоды. Параметры импортных диодов. Замена импортных диодов Справочник по импортным диодам поможет специалистам найти как сам элемент так и замену. Укажите параметры для подбора компонентов: Uобр max, В Uобр, и max, В = Iпр max, мА Iпр, ср max, мА Iпр КД202 , 2Д202 (кремниевый диод) Диоды кремниевые сплавные. Предназначены для работы в качестве выпрямителей переменного тока частотой Данная статья более подробно расскажет об устройстве диода, Ну а новичкам в этом могут помочь таблицы и справочники по маркировкам. Ламповые диоды представляют собой радиолампу с двумя рабочими электродами, один из которых подогревается проходящим через него током из специальной цепи. Схемы Схемотехника Радиотехника Электроника Источники питания Зарядные устройства Автоэлектроника Усилители Любительская Радиоэлектроника. Содержание драгоценных металлов в изделии Диод Справочник содержания драгоценных металлов в изделиях, аппаратуре и радиодеталях. Условные обозначения электрических параметров диодов: Справочник, характеристики, параметры, маркировка, цоколевка: moc3021. Диоды высокочастотные и импульсные — характеристики, параметры, купить, цена, datasheet, цоколевка, маркировка, справочник. Что-то не так? Пожалуйста, отключите Adblock. Портал QRZ.RU существует только за счет рекламы, поэтому мы были бы Вам благодарны если Вы внесете сайт в список исключений. Диод (от др. тиристоры, оптоэлектронные приборы. Справочник / Под ред. Н. Н. Горюнова. — 2-е изд., перераб. Литература. Бензарь В. К. Словарь-справочник по электротехнике, промышленной электронике и автоматике. Параметры отечественных выпрямительных и импульсных диодов. Хороший,удобный справочник.Спасибо.Кд213 можно применять в качестве выпрямительного моста. Выпрямительные средней мощности КД201 — 2Д250 Диоды Справочник Диод (Цоколевка) uоб/uимп В/В: iпр/iимп А/А: uпр/iпр В/А. Диод — это полупроводниковый радиоэлемент, который пропускает ток только в одном направлении. Это свойство диода широко используется в электронике. Выпрямительные малой мощности 2Д101 — КД128 Диоды Справочник Диод (цоколевка) uоб/uимп В/В: iпр/iимп А/А: uпр/iпр В/А. ДИОДЫ. Диоды — это двухэлектродные элементы, обладающие односторонней проводимостью тока. Данный справочник позволяет выполнить поиск необходимого диода по его характеристикам. Для удобства поиска и сравнения характеристик полупроводниковых. Диод Д9Ж напряжение 100 В, ток 0.01 А. Диод Д9И напряжение 30 В, ток 0.03 А. Диод Д9К напряжение 30 В, ток справочник по диодам uобр.макс.-максимально-допустимое постоянное обратное напряжение диода. Новое поколение Джобсов или как MediaTek создал свой маленький Кикстартер Амбициозная цель. Параметры тиристоров КУ202: КУ202А, КУ202Б, КУ202В, КУ202Г, КУ202Д, КУ202Е, КУ202Ж, КУ202И, КУ202К, КУ202Л. Самодельный замок на калитку управляемый бесконтактным цифровым ключом rfid, а также схема. Почти все УОС, все изделия радиоэлектроники и электротехники, изготавливаемые. Схемы принципиальные любительской связной аппаратуры, трансиверов, fm и УКВ. Описание, принцип работы, временные диаграммы, расчет параметров, преимущества. Маркировка резисторов: цветовая, кодовая Справочник — информация по различным. Нагрузочная вилка используется для визуализации степени заряда аккумуляторной батареи.

schottky% 20diodes% 20cross% 20 справочный лист данных и примечания к приложению

2002 — анод общий шоттки то220

Аннотация: 1N5822 SS34 диод Шоттки TO220 SS14 ДИОД Шоттки с общим анодом Выпрямитель Шоттки SS24 ДИОД Шоттки FYPF2004DN SS14 SOD123 247 ДИОД Шоттки диод sb340
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 1N5820 1N5821 1N5822 SB3100 SB330 SB340 MBR4035PT MBR4045PT MBR4050PT MBR4060PT общий анод Шоттки to220 1N5822 SS34 Диод Шоттки ТО220 SS14 ДИОД Шоттки Выпрямитель Шоттки с общим анодом SS24 ДИОД Шоттки FYPF2004DN SS14 SOD123 247 ДИОД Шоттки диод сб340
Шоттки

Аннотация: MBR230LSFT1G MBR30100CT STPS30 MBRF20h200CTG mbrs1645 MBR30h200CTG T0-220 MBR10h200CTG MBRS2h200T3G
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF MBR230LSFT1G МБРС2х200Т3Г МБРБ8х200Т4Г МБР10х200КТГ MBRB1645T4G МБР20х200КТГ МБРБ20х200КТТ4Г МБРФ20х200КТГ МБРБ30х40СТ-1Г МБР30х40КТГ шоттки MBR230LSFT1G MBR30100CT STPS30 МБРФ20х200КТГ mbrs1645 МБР30х200КТГ T0-220 МБР10х200КТГ МБРС2х200Т3Г
ЗЕНЕР 148

Аннотация: 1N414 * стабилитрон 182 диод стабилитрон 182 стабилитрон 102 ZENER 148 Datasheet стабилитрон 183 стабилитроны выпрямители Шоттки 1N4148WT-7-F
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF AEC-Q101 AEC-Q101 BC817-16 BC817-16-7 BC817-16-7-F BC817-25 BC817-25-7 BC817-25-7-F BC817-40 AP02015 ЗЕНЕР 148 1N414 * стабилитрон стабилитрон 182 диод стабилитрон 182 стабилитрон 102 ZENER 148 Лист данных стабилитрон 183 Стабилитроны Выпрямители Шоттки 1N4148WT-7-F
МБР140П

Аннотация: MBR120P Motorola MDA962-1 MBR130P Schottky 1n5819 Motorola MBR0540 MBRD360 MBRS140 MBR0520L
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF MUR8100E MUR1520 MUR1540 1560 MUR MURB1620CT MUR1620CT MUR1640CT MURB1660CT MUR1660CT MUR3040 MBR140P MBR120P Motorola MDA962-1 MBR130P Шоттки 1n5819 Motorola MBR0540 MBRD360 MBRS140 MBR0520L
Маркировка транзистора
44 сот23

Реферат: код маркировки диода 04 Диод SMA код маркировки PD диод Шоттки 40a КОД МАРКИРОВКИ 028a сот 23 маркировка 1шт транзистора C5D на ПОЛУПРОВОДНИК МАРКИРОВКА SOT323 MOSFET P hFE-100
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF ЦМШ2-20МЛ ЦМШ3-20М ЦМШ3-20Л ЦМШ4-20МА ЦМШ4-20Л CMSH5-20 CS20ML CS220M 200 мА CMDSH05-4 Маркировка транзистора 44 сот23 маркировка кодовый диод 04 Маркировка диода SMA, код PD диод шоттки 40а КОД МАРКИРОВКИ 028a сот 23 маркировка 1PC транзистор C5D по МАРКИРОВКЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ SOT323 МОП-транзистор P hFE-100
30ct0045

Аннотация: SAY115 TO-247AA 120N0045 Диод Шоттки 40V 1A мост 247AA 95s0 TO-247-AA D-60 161CMQ
Текст: нет текста в файле


OCR сканирование
PDF 200 мВ.30ct0045 SAY115 К-247АА 120N0045 Диод Шоттки 40V 1A мост 247AA 95с0 ТО-247-АА Д-60 161 см
МБRS340T3G

Аннотация: MBRS360T3G SS34 sma SS14 SOD123 SS34 SMB MBRS140T3G ss24 SMA MBRM140T1G MBRS260T3G SS34 smc
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF MBR0520LT1G MBR0530T1G MBR0540T1G MBR120ESFT1G MBR130T1G MBRA130LT3G MBRA140T3G MBRA340T3G MBRD340T4G MBRD360T4G MBRS340T3G MBRS360T3G SS34 sma SS14 SOD123 SS34 SMB MBRS140T3G ss24 SMA MBRM140T1G MBRS260T3G SS34 smc
SD-46 Диод

Аннотация: Диод Шоттки 30A 40v диод Шоттки 20V 5A диод Шоттки 60V 5A Диод Шоттки 40V 2A 60V 3A диод 5A Шоттки 40V 1A ERA85-009
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 5 В / 10 А) 500нс, SD-46 диод Шоттки 30А 40в диод Диод Шоттки 20V 5A диод шоттки 60V 5A Диод Шоттки 40V 2A 60V 3A диод 5А Шоттки Шоттки 40В 1А ERA85-009
1999 — структурная схема диода Шоттки

Реферат: astec ps Astec Semiconductor диод шоттки код 10 ASDN010 ASDN010MWP диод Шоттки
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF ASDN010 ASDN010 структурная схема диода шоттки astec ps Компания Astec Semiconductor диод шоттки код 10 ASDN010MWP диод шоттки
диод

Аннотация: диод стабилитрон 1N4148 «высокочастотный диод» стабилитрон A 36 кодовый диод 1n4148 стабилитрон диод Шоттки стабилитрон частотный высокочастотный диод 8889
Текст: нет текста в файле


OCR сканирование
PDF 1N4148 1N4148W 1N4150 1N4150W 1N914 1N4151 1N4151W 1N4448 1N4448W 1N4731 диод стабилитрон диодный 1Н4148 «высокочастотный диод» стабилитрон A 36 коде диод 1n4148 стабилитрон Диод Шоттки Частота стабилитрона высокочастотный диод 8889
2014 — SB1245

Абстракция: 5000 MBR15120 RB521S-30DP
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF DO-41 SB1245 5000 MBR15120 RB521S-30DP
диод Шоттки 60V 5A

Аннотация: Высокоскоростной диод 30A Диод Шоттки 20V 5A Диод Шоттки высокого обратного напряжения маркировка код 1A диод Schottky Diode 40V 2A диод Шоттки код 10 Барьер Шоттки 3A БАРЬЕРНЫЙ ДИОД ШОТТКИ ERG81-004
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 5 В / 10 А) 500нс, диод шоттки 60V 5A 30А быстродействующий диод Диод Шоттки 20V 5A Диод Шоттки, высокое обратное напряжение код маркировки 1А диод Диод Шоттки 40V 2A диод шоттки код 10 Барьер Шоттки 3A БАРЬЕРНЫЙ ДИОД ШОТТКИ ERG81-004
2004 — 660CT

Абстракция: MUR1620CT MBR2
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 1N4001 1N4933 1N5400 1N5408 1N5817, г. 1N5820, г. 80SQ045N MBR0520LT1, MBR0520LT3 MBR0530T1, 660CT MUR1620CT MBR2
1999 — Нет в наличии

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF AG01A AG01Y AG01Z FMB-29 FMB-29L FMB-32 EL02Z СФПБ-66 СФПБ-69 СФПБ-72
Диод Ганна

Аннотация: Кремниевый СВЧ-детектор диод DW9248 СВЧ-волновод Маркони-ганн Кремниевый детектор УВЧ-диод варакторный диодный фильтр варактор
Текст: нет текста в файле


OCR сканирование
PDF DA1304 DA1307 DA1321 DA1321-1 DA1338 DA1338-1 DA1338-2 DA1338-3 DA1349-2 DA1349-4 Диод Ганна Кремниевый детекторный диод СВЧ DW9248 СВЧ волновод Маркони Гунн Кремниевый детектор УВЧ диод варакторный диодный фильтр варактор
диод Шоттки со сверхнизким прямым напряжением

Реферат: Диод Шоттки низковольтный сильноточный диод SC-46 ERB83-006 ERB83-004 ERA85-009 ERA84-009 ERA83-006 ERA82-004
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 5 В / 10 А) диод Шоттки со сверхнизким прямым напряжением Диод Шоттки низкое напряжение большой ток диод SC-46 ERB83-006 ERB83-004 ERA85-009 ERA84-009 ERA83-006 ERA82-004
диод b81

Аннотация: диод b81 004 b81 Диод диод erb81-004 цветовой код ERB81-004 SC-46 ERA85-009 ERA84-009 ERA82-004
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 5 В / 10 А) диод b81 b81 004 b81 диод Диод erb81-004 цветовой код диода ERB81-004 SC-46 ERA85-009 ERA84-009 ERA82-004
Код маркировки
sma pd

Реферат: выпрямитель Шоттки СОД-123Ф с маркировкой ЦМШ2-100М CBD6 cbrhdsh2-40l CMSh2-20ML CBA с маркировкой CMSh3-100M CMSh3-20M
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF ЦМШ2-20МЛ CS20ML ЦМШ3-20М CS220M ЦМШ3-20Л CS220L ЦМШ4-20МА CS320MA ЦМШ4-20Л 508 д.е. код маркировки sma pd выпрямитель шоттки Маркировка СОД-123Ф ЦМШ2-100М CBD6 cbrhdsh2-40l ЦМШ2-20МЛ Маркировка CBA ЦМШ3-100М ЦМШ3-20М
до213аб

Аннотация: MS10411 do215 SCR 30A 100V X3420 микросхема с перекрестным индексом мостового выпрямителя, 35A, 600V DO215AA 1N5823 9 PIN TO249
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF DO203AA 1N6391 1N5812-16 1N3890-3 1N3890-3A 1N1124A-28A0кв.00В-1600В 248кв. 330кв. do213ab MS10411 do215 SCR 30A 100 В X3420 кросс-индекс микрополу Мостовой выпрямитель, 35 А, 600 В DO215AA 1N5823 9 PIN TO249
c81 004

Аннотация: Диод C81 004 диод Шоттки низковольтный сильноточный диод C81 цветовой код «Power Diode» 20A диод SC-46 диод Шоттки 60V 5A цветовой код диод
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 5 В / 10 А) c81 004 Диод C81 004 Диод Шоттки низкое напряжение большой ток C81 диод цветовой код диода «Силовой диод» 20А диод SC-46 диод шоттки 60V 5A цветовой код диод
2004 — стабилитрон SMD код маркировки 27 4F

Аннотация: smd-диод код Шоттки маркировка 2F smd стабилитрон код 5F panasonic MSL level smd стабилитрон код a2 SMD стабилитрон a2 smd стабилитрон 27 2f SMD стабилитрон маркировка 102 A2 SMD smd стабилитрон код bf
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 2002/95 / EC) Стабилитрон SMD маркировка код 27 4F smd диод код шоттки маркировка 2F smd стабилитрон код 5F уровень panasonic MSL smd стабилитрон код a2 SMD ZENER DIODE a2 smd стабилитрон 27 2f Маркировочный код стабилитрона SMD 102 A2 SMD smd стабилитрон код bf
диод Шоттки 60V 5A

Реферат: Диод SC-46 ERB83-006 ERB83-004 ERB81-004 ERA85-009 ERA84-009 ERA83-006 ERA82-004
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 5 В / 10 А) диод шоттки 60V 5A SC-46 диод ERB83-006 ERB83-004 ERB81-004 ERA85-009 ERA84-009 ERA83-006 ERA82-004
1997 — сильноточный диод Шоттки

Реферат: диодная структура с pn переходом Применение диода Шоттки Выпрямители Применение диода с pn переходом Выпрямители с pn переходом
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF
DME2050-222

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF APN1014: DME2050-222
fgt313

Реферат: транзистор fgt313 SLA4052 RG-2A Diode SLA5222 fgt412 RBV-3006 FMN-1106S SLA5096, диод ry2a
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 2SA1186 2SC4024 2SA1215 2SC4131 2SA1216 2SC4138 100 В переменного тока 2SA1294 2SC4140 fgt313 транзистор fgt313 SLA4052 Диод РГ-2А SLA5222 fgt412 РБВ-3006 FMN-1106S SLA5096 диод ry2a

Диод < Типы диодов > | Основы электроники

Выпрямительный диод

(REC): устройство и особенности

Структура Символ Приложения ・ Характеристики
  • Используется для исправления (т.е. первичная сторона блока питания)
  • В основном класса 1А и выше, высокое напряжение пробоя (400 В / 600 В)

Выпрямительные диоды, как следует из их названия, предназначены для выпрямления общих частот переменного тока. Выпрямление в первую очередь включает преобразование переменного тока в постоянный и может включать высокие напряжения и токи. Эффективность преобразования может сильно различаться в зависимости от рабочей частоты и условий. Таким образом, предлагаются различные типы, включая модели с низким V F (прямое напряжение), высокоскоростное переключение и модели с низким уровнем шума.

Конфигурация схемы выпрямления]

Переключающий диод (SW): устройство и особенности

Структура Символ Приложения ・ Характеристики
  • Идеально подходит для различных коммутационных приложений
  • Скорость переключения : Короткое время обратного восстановления trr

Эти диоды обеспечивают переключение.Подача напряжения в прямом направлении вызовет протекание тока (ВКЛ). И наоборот, подача напряжения в обратном направлении остановит ток. Переключающие диоды обычно характеризуются более коротким временем обратного восстановления (trr), что приводит к лучшим характеристикам переключения.

Включить Выключить
>

Что такое время обратного восстановления (trr)?

Время обратного восстановления trr относится к времени, за которое переключающий диод полностью выключается из состояния ВКЛ.Как правило, электроны нельзя остановить сразу после выключения работы, что приводит к протеканию некоторого тока в обратном направлении. Чем выше этот ток утечки, тем больше потери. Однако время обратного восстановления можно сократить за счет диффузии тяжелых металлов, оптимизации материалов или разработки FRD (диодов быстрого восстановления), которые подавляют звон после восстановления.

Ключевые моменты
  • Trr относится к времени, за которое ток исчезает после переключения напряжения в противоположном направлении.
  • Чем короче trr, тем меньше потери и выше скорость переключения

Диоды с барьером Шоттки (SBD): структура и особенности

Структура Символ Приложения ・ Характеристики
  • Используется для выпрямления вторичного источника питания
  • Низкие V F (низкие потери), большие I R
  • Быстрая скорость переключения

В отличие от обычных диодов, которые обеспечивают характеристики диодов через переход PN (полупроводник-полупроводник), в диодах с барьером Шоттки используется барьер Шоттки, состоящий из перехода металл-полупроводник.Это приводит к гораздо более низким характеристикам V F (прямое падение напряжения) по сравнению с диодами с PN переходом, что обеспечивает более высокую скорость переключения. Однако одним из недостатков является больший ток утечки (I R ), что требует принятия контрмер для предотвращения теплового разгона.

SBD

, которые часто используются для выпрямления вторичного источника питания, имеют характеристики, которые могут сильно различаться в зависимости от типа используемого металла. ROHM предлагает широкий ассортимент ведущих в отрасли SBD, в которых используются различные металлы.

  • RB ** 1 серия низкая V F тип
  • RB ** 0 серия низкая I R тип
  • ROHM предлагает серию RB ** 8 диодов со сверхнизким I R для автомобильных приложений
Ключевые моменты
  • Низкие типы V F и I R можно получить, просто изменив тип металла.

Термический побег

Диоды с барьером Шоттки

подвержены чрезмерному тепловыделению при протекании большого тока.В результате сочетание высокой температуры с увеличением I R (ток утечки) может вызвать повышение как температуры корпуса, так и окружающей среды. Следовательно, реализация неправильной тепловой конструкции может привести к тому, что количество выделяемого тепла превысит количество рассеиваемого, что может привести к увеличению тепловыделения и тока утечки и, в конечном итоге, к повреждению. Это явление называется «тепловым разгоном».

Ключевые моменты
  • Высокая температура окружающей среды может стать причиной теплового разгона
Стабилитрон

(ZD) : Структура и особенности

Структура Символ Приложения ・ Характеристики
  • Используется в цепях постоянного напряжения
  • Защищает ИС от повреждений из-за импульсных токов и электростатических разрядов
  • Создает постоянное напряжение, когда напряжение подается в обратном направлении

Стабилитроны обычно используются в цепях постоянного напряжения для обеспечения постоянного напряжения даже при колебаниях тока или в качестве элементов защиты от импульсных токов и электростатических разрядов.В отличие от стандартных диодов, которые используются в прямом направлении, стабилитроны предназначены для использования в обратном направлении. Напряжение обратного пробоя стабилитрона называется напряжением стабилитрона V Z , а значение тока в это время называется током стабилитрона (I Z ). В последние годы в связи с продолжающейся миниатюризацией и увеличением производительности электронных устройств возникает потребность в более совершенных устройствах защиты, что привело к появлению диодов TVS (подавления переходных напряжений).

Ключевые моменты
  • В обратном направлении работают только стабилитроны

Высокочастотные диоды (PIN-диоды) : Структура и особенности

Что такое емкость диода (C

t )

Величина внутреннего накопленного заряда при подаче обратного смещения называется емкостью диода (C t ). Электрически нейтральный обедненный слой формируется путем заполнения внутреннего слоя, созданного между слоями P и N, носителями заряда (дырками и электронами).Слой обеднения действует как паразитный конденсатор с емкостью, пропорциональной площади PN-перехода и обратно пропорциональной расстоянию d. Расстояние определяется концентрацией слоев P и N. Подача напряжения на диод увеличит слой обеднения и уменьшит C t . Требуемый Ct будет варьироваться в зависимости от приложения.

[При подаче обратного напряжения]

Ключевые моменты
  • Чем шире слой обеднения (и больше расстояние), тем меньше емкость C t .

Диоды на страницу продукта

ROHM использует оригинальные передовые технологии, чтобы предложить широкий модельный ряд диодов. Кроме того, передовой опыт в области малосигнальных диодов и диодов средней / большой мощности позволил разработать высококачественные диоды Шоттки и диоды с быстрым восстановлением.

SiC диоды с барьером Шоттки | Microsemi

Обзор

Диоды с барьером Шоттки (SBD) из карбида кремния (SiC) обладают превосходными динамическими и тепловыми характеристиками по сравнению с обычными кремниевыми силовыми диодами.

Характеристики SiC диода

  • Сверхбыстрое время восстановления
  • Характеристики мягкого восстановления
  • Низкое прямое напряжение
  • Низкий ток утечки
  • Класс лавинной энергии
  • Практически нулевое восстановление в прямом и обратном направлении = снижение коммутационных потерь при переключении и диодах
  • AEC-Q101 аттестован с допустимой температурой перехода 175 градусов Цельсия

Преимущества SiC диодов

  • Повышенная эффективность системы при более высокой частоте переключения
  • Низкие коммутационные потери
  • Коммутация с низким уровнем шума (EMI)
  • Системы повышенной надежности с повышенной удельной мощностью
  • Более низкая стоимость системы (меньшие магниты / радиаторы, меньшее количество компонентов, уменьшенный размер системы)
  • Решения для коммерческой и автомобильной промышленности

Применение SiC диодов

  • Коррекция коэффициента мощности (PFC)
  • Диод встречно-параллельный
  • Диод свободного хода
    • Импульсный источник питания
    • Инверторы / преобразователи
  • Демпферный / фиксирующий диод

Ресурсы

Руководства по выбору

Документация SiC

Приложения

Рекомендуемые области применения SiC-диодов с барьером Шоттки

Параметрический поиск

  • «Предыдущая
  • {{n + 1}}
  • Следующий »
  • Показано 2550100 на страницу
Детали Статус детали упаковка Тип Перевозчик пакетов {{attribute.имя | noComma}} ({{attribute.type}})

В этой категории нет параметрических данных! попробуйте другие категории

Общие сведения о характеристиках диода Шоттки Технические характеристики »Электроника

Хотя диоды Шоттки имеют много общих параметров с другими формами диодов, их характеристики отличаются, как и некоторые технические характеристики и параметры.


Учебное пособие по диодам с барьером Шоттки Включает:
Диод с барьером Шоттки Технология диодов Шоттки Характеристики диода Шоттки Выпрямитель мощности на диоде Шоттки

Другие диоды: Типы диодов


Хотя диод Шоттки имеет много общих характеристик с более традиционными формами диодов, он все же имеет некоторые существенные отличия.

Понимание спецификаций и параметров диодов Шоттки помогает использовать их наиболее эффективно в любых схемах, в которых они могут использоваться.

Обозначение схемы диода с барьером Шоттки

Основные характеристики диода Шоттки

Диод Шоттки — это основной носитель, то есть электроны в материале N-типа.

Это дает ему значительное преимущество с точки зрения скорости, поскольку он не зависит от рекомбинации дырок или электронов, когда они попадают в область противоположного типа, как в случае обычного диода.

Кроме того, уменьшив размеры устройств, можно уменьшить постоянную времени обычного RC-типа, что сделает эти диоды на порядок быстрее, чем обычные PN-диоды. Этот фактор является основной причиной того, почему они так популярны в радиочастотных приложениях, а также во многих других энергетических приложениях, где важна скорость переключения, например в импульсных источниках питания.

Диод Шоттки также имеет гораздо более высокую плотность тока, чем обычный PN переход. Это означает, что прямое падение напряжения намного меньше.Это делает диод идеальным для использования в выпрямительных устройствах.

Основным недостатком диода Шоттки является уровень его обратного пробоя, который намного ниже, чем у диода PN.

Еще одним недостатком является относительно высокий уровень обратного тока. Для многих случаев использования это может не быть проблемой, но это фактор, на который стоит обратить внимание при использовании в более требовательных приложениях.

Общая ВАХ показана ниже. Можно видеть, что диод Шоттки имеет типичную характеристику прямого полупроводникового диода, но с гораздо более низким напряжением включения.При высоких уровнях тока он выравнивается и ограничивается последовательным сопротивлением или максимальным уровнем подачи тока. В обратном направлении происходит пробой выше определенного уровня. Механизм аналогичен ударно-ионизационному пробою в PN-переходе.

Диод Шоттки ВАХ

ВАХ обычно такая, как показано ниже. В прямом направлении ток растет экспоненциально, имея излом или напряжение включения около 0,2 В. В обратном направлении наблюдается больший уровень обратного тока, чем при использовании более обычного диода с PN-переходом.

Кроме того, напряжение обратного пробоя также обычно ниже, чем у эквивалентного кремниевого диода с PN переходом.

ВАХ диода Шоттки

Использование защитного кольца, включенного в структуру некоторых диодов Шоттки, улучшает его характеристики как в прямом, так и в обратном направлении.

Основным преимуществом включения защитного кольца в конструкцию является улучшение характеристики обратного пробоя. Разница в напряжении пробоя между ними составляет около 4: 1.Некоторые малосигнальные диоды без защитного кольца могут иметь обратный пробой всего от 5 до 10 В. Хотя это может быть приемлемо для некоторых приложений с низким уровнем сигнала, это не идеально для большинства ситуаций.

Основные характеристики и параметры диода Шоттки

Есть несколько ключевых характеристик диодов Шоттки, которые необходимо понимать при использовании этих диодов — они сильно отличаются от характеристик обычного диода с PN переходом.

  • Прямое падение напряжения: Ввиду низкого прямого падения напряжения на диоде, этот параметр вызывает особую озабоченность.Как видно из ВАХ диода Шоттки, напряжение на диоде изменяется в зависимости от протекающего тока. Соответственно, любая приведенная спецификация обеспечивает прямое падение напряжения для заданного тока. Обычно предполагается, что напряжение включения составляет около 0,2 В.
  • Обратный пробой: Диоды Шоттки не имеют высокого напряжения пробоя. Цифры, относящиеся к этому, включают максимальное пиковое обратное напряжение, максимальное постоянное напряжение блокировки и другие аналогичные названия параметров.При превышении этих значений существует вероятность обратного пробоя диода. Следует отметить, что среднеквадратичное значение для любого напряжения будет в 1 / √2 раза больше постоянного значения. Верхний предел обратного пробоя невысок по сравнению с обычными диодами с PN переходом. Максимальные значения, даже для выпрямительных диодов, достигают только около 100 В. Выпрямители на диодах Шоттки редко превышают это значение, потому что устройства, которые будут работать выше этого значения даже в умеренных количествах, будут демонстрировать прямое напряжение, равное или превышающее эквивалентные выпрямители с PN переходом.
  • Емкость: Параметр емкости имеет большое значение для ВЧ-приложений с малым сигналом. Обычно площади переходов диодов Шоттки небольшие, и поэтому емкость мала. Типичные значения в несколько пикофарад являются нормальными. Поскольку емкость зависит от любых областей истощения и т. Д., Емкость должна быть указана при заданном напряжении.
  • Время обратного восстановления: Этот параметр важен, когда диод используется в приложении переключения.Это время, необходимое для переключения диода из его прямого проводящего состояния или состояния «ВКЛ» в обратное состояние «ВЫКЛ». Заряд, который течет в течение этого времени, называется «зарядом обратного восстановления». Время для этого параметра для диода Шоттки обычно измеряется в наносекундах, нс. Некоторые выставляют времена 100 пс. Фактически, то небольшое время восстановления, которое требуется, в основном связано с емкостью, а не с рекомбинацией основных носителей. В результате наблюдается очень небольшой выброс обратного тока при переключении из состояния прямой проводимости в состояние блокировки обратного хода.
  • Обратный ток утечки: Параметр обратной утечки может быть проблемой для диодов Шоттки. Установлено, что повышение температуры значительно увеличивает параметр тока обратной утечки. Обычно на каждые 25 ° C повышения температуры диодного перехода происходит увеличение обратного тока на порядок величины при том же уровне обратного смещения.
  • Рабочая температура: Максимальная рабочая температура соединения Tj обычно ограничивается диапазоном от 125 до 175 ° C.Это меньше того, что можно использовать с обычными кремниевыми диодами. Следует позаботиться о том, чтобы теплоотвод силовых диодов не допускал превышения этого значения.

Обзор характеристик диода Шоттки

Диод Шоттки используется во многих приложениях из-за его характеристик, которые заметно отличаются от некоторых характеристик более широко используемых стандартных диодов с PN переходом.

Диод Шоттки / Сравнение диодов PN
Характеристика Диод Шоттки PN Соединительный диод
Механизм прямого тока Крупный транспортный транспорт. Из-за диффузионных токов, т. Е. Переноса неосновных носителей заряда.
Обратный ток Результаты большинства перевозчиков, преодолевших барьер. Это меньше зависит от температуры, чем для стандартного PN-перехода. Результат диффузии неосновных носителей заряда через обедненный слой. Имеет сильную температурную зависимость.
Напряжение включения Малый — около 0,2 В. Сравнительно большой — около 0.7 В.
Скорость переключения Fast — в результате использования основных носителей, поскольку не требуется рекомбинации. Ограничено временем рекомбинации введенных неосновных носителей.

Пример технических характеристик диода Шоттки

Чтобы дать некоторое представление об ожидаемых характеристиках диодов Шоттки, ниже приводится пара реальных примеров. В них обобщены основные технические характеристики, чтобы дать представление об их производительности.

1N5828 Силовой выпрямительный диод с барьером Шоттки

Этот диод описывается как диод Шоттки стержневого типа, то есть для выпрямления мощности. Он показывает, как работает силовой диод Шоттки.

Типовые характеристики диода Шоттки 1N5258 / Технические характеристики
Характеристика Типичное значение Блок Детали
Максимальное рекуррентное пиковое обратное напряжение 40 В
Максимальное напряжение блокировки постоянного тока 40 В
Средний прямой ток, IF (AV) 15 А Т = 100 ° С
Пиковый прямой импульсный ток, IFSM 500 А
Максимальное мгновенное прямое напряжение, VF 0.5 В При IFM = 15 A и Tj = 25 ° C
Максимальный мгновенный обратный ток при номинальном напряжении блокировки, IR 10

250

мА Tj = 25 ° C

Tj = 125 ° C

1N5711 Переключающий диод с барьером Шоттки

Этот диод описывается как сверхбыстрый переключающийся диод с высоким обратным пробоем, низким прямым падением напряжения и защитным кольцом для защиты перехода.

Типовой 1N5711 Характеристики / Технические характеристики
Характеристика Типичное значение Блок Детали
Макс.напряжение блокировки постоянного тока, В 70 В
Макс.длительный ток в прямом направлении, Ifm 15 мА
Напряжение обратного пробоя, В (БР) R 70 В при обратном токе 10 мкА
Обратный ток утечки, IR 200 мкА При VR = 50 В
Прямое падение напряжения, VF 0.41

1,00

В при IF = 1,0 мА

IF = 15 мА

Емкость перехода, Кдж 2,0 ​​ пФ VR = 0 В, f = 1 МГц
Время обратного восстановления, трр 1 нС

Несмотря на то, что приведенные здесь примеры дают характеристику обратного напряжения 40 В, что довольно типично, обычно можно получить максимум около 100 В.

Следует отметить, что даже несмотря на то, что эти цифры приведены в качестве примеров цифр, которые можно ожидать для типичных диодов Шоттки, цифры даже для данного номера устройства также будут незначительно отличаться у разных производителей.

Другие электронные компоненты: Резисторы
Конденсаторы Индукторы Кристаллы кварца Диоды Транзистор Фототранзистор Полевой транзистор Типы памяти Тиристор Разъемы Разъемы RF Клапаны / трубки Аккумуляторы Переключатели Реле
Вернуться в меню «Компоненты».. .

Защита входов АЦП | Аналоговые устройства

Распространенная проблема, возникающая при проектировании схемы АЦП, — как защитить входы АЦП от перенапряжения. Защита входов АЦП имеет множество сценариев и потенциальных решений. В этом отношении у АЦП всех производителей схожие потребности. Эта статья дает представление о том, какие проблемы могут возникнуть в случае перенапряжения, как это происходит, и о возможных способах устранения.

Перегрузка входов АЦП обычно происходит, когда шины управляющего усилителя значительно превышают максимальный входной диапазон АЦП — например, если усилитель работает от ± 15 В, а вход АЦП составляет от 0 В до 5 В.Это особенно часто встречается в промышленных конструкциях, где используются высоковольтные шины для приема входных сигналов ± 10 В, а также каскады формирования сигнала питания / драйвера перед АЦП, такие как модули PLC. Если возникает состояние неисправности, при котором усилитель привода переключается на рельсы, это может вызвать повреждение АЦП из-за превышения его максимального номинала или нарушения одновременных / последующих преобразований в системе с несколькими АЦП. В этой статье основное внимание будет уделено тому, как защитить прецизионные АЦП последовательного приближения, такие как семейство AD798x, но ее также можно применить к другим типам АЦП.

Рассмотрим сценарий на рисунке 1.

Рис. 1. Типовая принципиальная схема прецизионного АЦП.

Эта схема представляет собой то, что мы видим в семействе AD798x (например, AD7980) АЦП PulSAR ® . Между входом, опорным сигналом и землей есть защитные диоды. Эти диоды способны выдерживать высокие токи до 130 мА, но только в течение нескольких миллисекунд, а не в течение более длительных периодов или повторяющихся перенапряжений. В некоторых продуктах, например в семействе деталей AD768x / AD769x (например, AD7685, AD7691), защитные диоды подключаются к выводу V DD вместо REF.На этих деталях напряжение V DD всегда больше или равно REF. Как правило, это работает лучше, поскольку V DD является более жесткой направляющей для зажима и не так чувствителен к возмущениям.

На Рисунке 1, если усилитель был направлен на шину +15 В, защитный диод на REF включится, и усилитель попытается перетащить узел REF вверх. Если узел REF не управляется мощной схемой драйвера, то напряжение на узле REF (и входе) поднимется выше абсолютного максимального номинального напряжения, и АЦП может быть поврежден, если напряжение превышает напряжение пробоя устройств в этом процессе. .На Рисунке 3 показан пример, когда драйвер АЦП стремится к 8 В и завышает опорное напряжение (5 В). Многие прецизионные эталоны не имеют возможности принимать ток, что является проблемой в этом сценарии. В качестве альтернативы схема управления опорным сигналом может быть достаточно сильной, чтобы поддерживать опорное значение, близкое к его номинальному значению, но все равно будет отклоняться от его точного значения.

В системе с несколькими АЦП с одновременной выборкой, использующей одно опорное напряжение, преобразования на других АЦП будут неточными, поскольку система зависит от высокоточного опорного напряжения.Последующие преобразования также могут быть неточными, если время восстановления после сбоя велико.

Есть несколько различных подходов, используемых для смягчения этой проблемы. Наиболее распространенным является использование диодов Шоттки (серия BAT54) для ограничения выходного сигнала усилителя до диапазона АЦП. См. Рисунок 2 и рисунок 3 для иллюстрации. Также можно использовать диоды для ограничения входа усилителя, если это соответствует потребностям приложения.

Рис. 2. Типовая принципиальная схема прецизионного АЦП с добавленной защитой диода Шоттки и стабилитрона.

Рисунок 3. Желтый = вход АЦП, фиолетовый = опорный. Слева — без диодов Шоттки, а справа — с диодами Шоттки.

В этом случае диоды Шоттки выбраны из-за их низкого прямого падения напряжения, так что они включаются раньше внутренних защитных диодов в АЦП. Последовательный резистор после диодов Шоттки также помогает ограничить ток в АЦП, если внутренние диоды слегка включаются. Для дополнительной защиты, если опорное напряжение практически не имеет способности к потребляемому току, на опорном узле можно использовать стабилитрон или схему фиксации, чтобы гарантировать, что опорное напряжение не будет слишком высоким.На рисунке 2 стабилитрон 5,6 В используется для опорного напряжения 5 В.

На рисунке 4 показан пример влияния на вход опорного сигнала (5 В) добавления диодов Шоттки на вход АЦП при перегрузке входа АЦП синусоидальной волной. Диоды Шоттки подключены к земле и к системной шине 5 В, способной пропускать ток. Без диодов Шоттки возникает опорное возмущение, когда входной сигнал превышает опорное значение и землю на диодное падение. Как видно, опорная помеха полностью устраняется диодами Шоттки.

Рисунок 4. Желтый = вход АЦП, зеленый = вход драйвера АЦП, фиолетовый = опорный сигнал (связь по переменному току). Левое изображение без диодов Шоттки. Правое изображение с добавленными диодами Шоттки (BAT54S).

Следует обратить внимание на обратный ток утечки диодов Шоттки, так как он может вносить искажения и нелинейность во время нормальной работы. Эта обратная утечка сильно зависит от температуры и обычно указывается в технических характеристиках диодов. Хорошим вариантом являются диоды Шоттки серии BAT54 (максимум 2 мкА при 25 ° C, ~ 100 мкА при 125 ° C).

Способом полного устранения проблем с перенапряжением является использование шины с одинарным питанием для усилителя. Это означает, что управляющий усилитель никогда не может качаться ниже уровня земли или выше максимального входного напряжения, если используется тот же уровень питания, что и для опорного напряжения (максимальное входное напряжение), которое в этом примере составляет 5 В. Можно использовать эталонную схему для непосредственного питания усилителя, если он имеет достаточный выходной ток и мощность возбуждения. Другая возможность, как показано на рисунке 5, — использовать немного меньшее опорное значение (например, 4.096 В при использовании шины 5 В), что приводит к значительному снижению перегрузки по напряжению.

Рис. 5. Типовая принципиальная схема прецизионного АЦП с однополярным питанием.

Эти подходы решают любую проблему с перегрузкой на входе, но компромисс будет ограничиваться размахом входного сигнала и диапазоном до АЦП из-за требований к запасу мощности и пространству для ног усилителя. Как правило, выходной усилитель Rail-to-Rail может работать в пределах 10 мВ от шины, но также важно учитывать требования к запасу по входу, который может составлять 1 В или более, так как это еще больше ограничит размах в буфере и Конфигурация с единичным усилением.Этот подход предлагает самое простое решение с точки зрения отсутствия необходимости в дополнительных компонентах защиты, но зависит от наличия правильного напряжения питания и, возможно, усилителя ввода / вывода с шиной на входную / выходную нагрузку (RRIO).

Последовательность R в RC-фильтре между усилителем и входом АЦП также может использоваться для ограничения тока, наблюдаемого на входе АЦП в условиях перенапряжения. Однако это будет компромисс между ограничением тока и производительностью АЦП. Более крупная серия R обеспечит лучшую защиту входа, но приведет к большему искажению характеристик АЦП.Это может быть приемлемым компромиссом, особенно если полоса пропускания входного сигнала мала или АЦП не работает с полной пропускной способностью, поскольку в этом случае можно допустить большее количество последовательностей R. Приемлемый для приложения размер R может быть определен экспериментально.

Как обсуждалось ранее в этой статье, для защиты входа АЦП нет решения «серебряной пули», но в зависимости от требований приложения могут быть приняты различные индивидуальные или комбинированные подходы для обеспечения желаемого уровня защиты с соответствующими компромиссами в производительности.

Повышение барьера диодов Шоттки из Al / n-InP тонким слоем оксида графена

  • [1]

    Y Zhu, S. Murali, W. Cai, X Li, J W. Suk, J R. Potts и R S. Ruoff Adv. Матер. 22 3906 (2010)

    Артикул Google Scholar

  • [2]

    C Chung, Y K Kim, D Shin, S R Ryoo, B H Hong и D H Min Acc. Chem. Res. 46 2211 (2013)

    Артикул Google Scholar

  • [3]

    A Pérez del Pino, A Datcu and E Gyorg Ceram.Int. 42 (6) 7278 (2016)

    Артикул Google Scholar

  • [4]

    D T Phan and G S Chung Sens. Actuator B Chem. 220 1050 (2015)

    Артикул Google Scholar

  • [5]

    С. Рани, М. Кумар, Р. Кумар, Д. Кумар, С. Шарма и Дж. Сингх Mater. Res. Бык. 60 143 (2014)

    Артикул Google Scholar

  • [6]

    С. Рани, М. Кумар, Д. Кумар и С. Шарма Тонкие сплошные пленки 585 13 (2015)

    ADS Статья Google Scholar

  • [7]

    Д. Томер, С. Раджпут, Л. Дж. Хади, С. Х. Ли и Л. Ли Нанотехнологии 26 215702 (2015 )

    ADS Статья Google Scholar

  • [8]

    X Li, H Zhu, K Wang, A Cao, J Wei, C Li, Y Jia, Z Li, X Li и D Wu Adv.Матер. 22 2743 (2010)

    Артикул Google Scholar

  • [9]

    Л. Дж. Ларсен, К. Дж. Ширер, А. В. Эллис и Дж. Г. Шаптер RSC Adv. 5 38851 (2015)

    Артикул Google Scholar

  • [10]

    Z Tang, Q Liu, I Khatri, R. Ishikawa, K Ueno and H Shirai Phys. Статус Solidi C 9 2075 (2012)

    ADS Статья Google Scholar

  • [11]

    Z Zhang, T X Cui, RT Lv, H W Zhu, K L Wang, D Wu и F Kang J . Нм. 2014 359305 (2014)

    Google Scholar

  • [12]

    K Ihm, J T Lim, K J Lee, J W Kwon, T H Kang, S Chung, S Bae, J H Kim, B H Hong и G Y Yeom Appl. Phys. Lett. 97 032113 (2010)

    ADS Статья Google Scholar

  • [13]

    X Z Zhang, C Xie, J S Jie, X W Zhang, Y Wu и W J Zhang J.Матер. Chem. А 1 6593 (2013)

    Артикул Google Scholar

  • [14]

    K F Mak, M. Y Sfeir, Y Wu, C H Lui, J. A. Misewich, T. F. Heinz Phys. Rev. Lett. 101 1 (2008)

    ADS Статья Google Scholar

  • [15]

    [15] S Tongay, T. Schumann и AF Hebard (2009) Appl.Phys. Lett. 95 222103

    ADS Статья Google Scholar

  • [16]

    C C Chen, M Aykol, C C Chang, A F J Levi и S. B. Cronin Nano Lett. 11 1863 (2011)

    ADS Статья Google Scholar

  • [17]

    L Lancellotti, T. Polichetti, F Ricciardella, O Tari, S. Gnanapragasam, S Daliento и G Di Francia Тонкие сплошные пленки 522 390 (2012)

    ADS Статья Google Scholar

  • [18]

    Д. Т. Фан, Р. К. Гупта, Г. С. Чунг, А. А. Аль-Гамди, О А. Аль-Хартоми, Ф. Эль-Тантави и Ф. Якуфаноглу сол. . Энергия 86 2961 (2012)

    ADS Статья Google Scholar

  • [19]

    E Hokelek и G Y Robinson (1982) Appl. Phys. Lett. 40 426 (1982)

    ADS Статья Google Scholar

  • [20]

    H etin and E Ayyıldız Appl. Прибой. Sci. 253 5961 (2007)

    Артикул Google Scholar

  • [21]

    H Hasegawa Solid State Electron. 41 1441 (1997)

    ADS Статья Google Scholar

  • [22]

    [22] H Cetin, E Ayyildiz и A. Turut J. Vac. Sci. Technol. В 23 2436 (2005)

    Артикул Google Scholar

  • [23]

    Р. К. Гупта и Р. А. Сингх J. Polym. Res. 11 269 (2004)

    Артикул Google Scholar

  • [24]

    С Айдоган, М. Саглам и А Турут Вакуум 77 269 (2005)

    ADS Статья Google Scholar

  • [25]

    С. Айдоган и М. Саглам Physica E 46 38 (2012)

    ADS Статья Google Scholar

  • [26]

    O Gullu, S. Aydogan and A Turut Solid State Commun. 152 381 (2012)

    ADS Статья Google Scholar

  • [27]

    В Раджагопал Редди, М.С.П. Редди, А.А. Кумар и К.Дж. Чой Тонкие сплошные пленки 520 5715 (2012)

    ADS Статья Google Scholar

  • [28]

    В Раджагопал Редди, А Умапатхи и Л. Д. Рао Curr.Прил. Phys. 13 1604 (2013)

    ADS Статья Google Scholar

  • [29]

    В Раджагопал Редди (2014) Тонкие сплошные пленки 556 300

    ADS Статья Google Scholar

  • [30]

    A Umapathi and V Rajagopal Reddy Microelectron. Англ. 114 31 (2014)

    Google Scholar

  • [31]

    O Gullu Microelectron.Англ. 87 648 (2010)

    Артикул Google Scholar

  • [32]

    О Гулу, С. Айдоган и А Турут Тонкие твердые пленки 520 1944 (2012)

    ADS Статья Google Scholar

  • [33]

    O Gullu и A. Turut J. Vac. Sci. Technol. В 28 (3) 466 (2010)

    Артикул Google Scholar

  • [34]

    W S Hummers и R E Offeman J.Являюсь. Chem. Soc. 80 1339 (1958)

    Артикул Google Scholar

  • [35]

    Z F Liu, Q Liu, X Y Zhang, Y Huang, Y F Ma, S G Yin и Y S Chen Adv. Матер. 20 3924 (2008)

    Артикул Google Scholar

  • [36]

    Ч. П. Лю, Й И Хуэй, З. Чен, Дж. Дж. Рен, И Чжоу, Л. Танг, И Б. Танг, Дж. А. Запиен и С. П. Лау (2013) RSC Adv. 3 17918 (2013)

    Артикул Google Scholar

  • [37]

    I Karteri, S Karatas and F Yakuphanoglu Appl. Прибой. Sci. 318 74 (2014)

    ADS Статья Google Scholar

  • [38]

    Ф Т. Тема, М. Дж. Молото, Э. Д. Дикио, Н. Н. Ньянгиве, Л. Коцеди, М. Мааза и М. Кхенфуш Дж.Chem. 2013 150536 (2013)

    Артикул Google Scholar

  • [39]

    X Lv, Y Huang, Z Liu, J G Tian, ​​Y Wang, Y F Ma, J J Liang, S P Fu, X J Wan и Y S Chen Small 5 1682 (2009)

    Артикул Google Scholar

  • [40]

    M A Velasco-Soto, S. A Perez-Garcia, J Alvarez-Quintana, Y Cao, L. Nyborg and L. Licea-Jimenez Карбон 93 967 (2015)

    Артикул Google Scholar

  • [41]

    [41] Д. К. Маркано, Д. В. Косынкин, Д. М. Берлин, А. Синицкий, З. З. Сан, А. Слесарев, Л. Б. Алемани, В. Лу и Дж. М. Тур ACS Nano 4 4806 (2010)

    Артикул Google Scholar

  • [42]

    М. Сингх, А. Ядав, С. Кумар и П. Агарвал Прил.Прибой. Sci. 326 236 (2015)

    ADS Статья Google Scholar

  • [43]

    Ф. А. Чоудхури, Т. Морисаки, Дж. Оцуки и М. С. Алам , заявл. Прибой. Sci. 259 460 (2012)

    ADS Статья Google Scholar

  • [44]

    A Mathkar, D Tozier, P Cox, P Ong, C. Galande, K Balakrishnan, A L M Reddy и P. M. Ajayan J.Phys. Chem. Lett. 3 986 (2012)

    Артикул Google Scholar

  • [45]

    T T Wu and J M Ting Surf. Пальто. Технол . 231 487 (2013)

    Артикул Google Scholar

  • [46]

    И. К. Мун, Дж. Ли, Р. С. Руофф и Х. Ли Нат. Commun. 1 73 (2010)

    ADS Статья Google Scholar

  • [47]

    S Bykkam, VR Kalagadda, S.C Chidurala и T Thunugunta Int.J. Adv. Biotechnol. Res 4 1005 (2013)

    Google Scholar

  • [48]

    G H Xu, N Wang, J Y Wei, L L Lv, J Zhang, Z Chen and Q Xu Ind. Eng. Chem. Res. 51 14390 (2012)

    Артикул Google Scholar

  • [49]

    Р. К. Гупта, З. А. Аль-Ахмед и Ф. Якуфаноглу Mater.Lett. 112 75 (2013)

    Артикул Google Scholar

  • [50]

    [50] H Feng, Y Li и J Li RSC Adv. 2 6988 (2012)

    Артикул Google Scholar

  • [51]

    B S Yilbas, A Ibrahim, H Ali, M. Khaled and T. Laoui Appl. Прибой. Sci . 442 213 (2018)

    ADS Статья Google Scholar

  • [52]

    EH Rhoderick и RH Williams Metal Semiconductor Contacts , 2nd edn.(Оксфорд: Кларендон) (1988)

    Google Scholar

  • [53]

    S M Sze Физика полупроводниковых приборов , 2-е изд. (Нью-Йорк: Wiley) (1981)

    Google Scholar

  • [54]

    F E Jones, B.P Wood, J A. Myers, C. H Daniels и M. C. Lonergan J. Appl. Phys. 86 6431 (1999)

    ADS Статья Google Scholar

  • [55]

    Y Sakamoto, T. Sugino, T. Miyazaki and J Shirafuji Electron.Lett. 31 1104 (1995)

    Артикул Google Scholar

  • [56]

    A R V Roberts and D. A. Evans Appl. Phys. Lett. 86 072105 (2005)

    ADS Статья Google Scholar

  • [57]

    M Cakar, N Yildirim, S Karatas, C Temirci and A Turut J. Appl. Phys. 100 074505 (2006)

    ADS Статья Google Scholar

  • [58]

    Ф. Якуфаноглу, М. Кандаз и Б. Ф. Сенкал Тонкие сплошные пленки 516 8793 (2008)

    ADS Статья Google Scholar

  • [59]

    Ф. Э. Джонс, К. Д. Хафер, Б. П. Вуд, Р. Г. Даннер и М. К. Лонерган, Дж.Прил. Phys. 90 1001 (2001)

    ADS Статья Google Scholar

  • [60]

    Р. К. Гупта и Р. А. Сингх Mater. Chem. Phys. 86 279 (2004)

    Артикул Google Scholar

  • [61]

    O Gullu, S. Aydogan и A. Turut Microelectron. Англ. 85 1647 (2008)

    Артикул Google Scholar

  • [62]

    S K Cheung и N W Cheung Appl.Phys. Lett. 49 85 (1986)

    ADS Статья Google Scholar

  • [63]

    H Norde J. Appl. Phys. 50 5052 (1979)

    ADS Статья Google Scholar

  • [64]

    O Gullu, S Aydogan, A Turut Phys. Scr. 79 035802 (2009)

    ADS Статья Google Scholar

  • [65]

    H C Card и E H Rhoderick J.Phys. D Прил. Phys. 4 1589 (1971)

    ADS Статья Google Scholar

  • [66]

    O Gullu and A Turut Acta Phys. Pol. А 128 383 (2015)

    Артикул Google Scholar

  • [67]

    O Gullu, T. Kilicoglu и A Turut J. Phys. Chem. Твердые 71 351 (2010)

    ADS Статья Google Scholar

  • [68]

    I Y Erdogan and O Gullu Appl.Прибой. Sci. 256 4185 (2010)

    ADS Статья Google Scholar

  • Phenitec Semiconductor Corp | Столбец перекрестных ссылок SBD

    VR = 20v IFAV = 0,5 А VF ≦ 0,385 В при 0,5 А ИК ≦ 0.075 мА при 10 В 0,79 × 0,65 □ 21,362 шт. / Wfr

    VSKY05201006 PMEG2005AEV PB551VM-30 DB2J30800L SDM05U20CSP DB3X209K0L 1SS404 HNS04FU
    MBR0520L PMG2005BELD RBE05VM20A DB2L21200L SDM05U20S3 MA3XD21 CTS05S30 MBR0520L
    DB3J208K0L SDM40E20LA ​​ MA3X703 DB2L10400L SDM05U40CSP MA3XD11 CUS05S30 MA3X748
    1SS401
    VR = 20v IFAV = 1.0A VF ≦ 0,36 В при 1,0 А ИК ≦ 1,0 мА при 20 В 1,0 × 1,0 □ 10928 шт. / Вес

    MSS1P2L PMEG2010EPAS PBE1VAM20A DFLS120L 1N5817 РБ496ЕА MBR10120VL СТПС1Л20МФ
    VSKY10201406 PMEG2010EB РБ161М-20 DFLS120LQ MBR120VLSF РБ496КА СТПС1Л20МФ СТПС 120М
    PMEG2010ER PMEG2010AEB РБ161ММ-20 PMEG2010EPA РБ161СС-20 МБРМ120Э
    VR = 25v IFAV = 1.0A VF ≦ 0,45 В при 1,0 А ИК ≦ 0,2 мА при 20 В 0,71 × 0,71 □ 21 764 шт. / Вес

    BAT760 PMEG2010BELD B120-E3 SGP0120L SK12-S SK12 B120 MBR120ESF
    BAT960 PMEG2010BER В120-М3 SGP0120SL1 SGP0120S SL12 B120AE MBR120LSF
    1PS74SB23 PMEG2010EA SS12 SGP0120SD PS12 LSL12 B120B MBRA120ET3
    PMEG2010EPK PMEG2010EH SS12-M3 SK12 ES12NS NBNSR10F20NX ПД3С120Л МБРМ120Л
    PMEG2010AEH PMEG2010EJ PMEG2010EV SL12A ФС12 SB10015M PD3S12-LQ МБРС120
    PMEG2010AEJ PMEG2010ET NSR0320XV6 СКН7 LS12 NSR0320 DB3X206K06L DB2J20600L
    SDM1U20CSP NSR1020MW2 DB2G21700L RB497FDH РБ491Д RB491DFH ДБ5х306К0Л DB2X20600L
    DB2X20700L DB2G21800L РБ495Д РБ162ВА20 1SS349 KDR521T SS12 BAT20J
    RBE1KA20A CUS10S30 РБ491КА CBS10S30 KDR511T SS12FP
    VR = 30v IFAV = 0.1A VF ≦ 0,45 В при 0,01 А ИК ≦ 0,0003 мА при 10 В 0,21 × 0,21 □ 251364 шт. / Вес
    VR = 30v IFAV = 0,1A VF ≦ 0.45 В при 0,01 А ИК ≦ 0,0005 мА при 25 В 0,28 × 0,28 □ 141 234 шт. / Вес
    VR = 30v IFAV = 0,1A VF ≦ 0,45 В при 0,01 А ИК ≦ 0.0005 мА при 10 В 0,31 × 0,26 □ 137,348 шт. / Вес

    RB558WM РБ510СМ-30 EB548WFH DB2S30900L DB37315E0L DB3J316J0L DB3X314F0L DB3X316N0L
    RB520CS30L MBR120ESF DB2730900L DB2S31400L DB3J313K0L DB3S316F0L DB3X314J0L DB4J314K0R
    RB510SM-30FH РБ751С40 DB2731400L DB2S31600L DB3J314F0L DB3J316N0L DB3X314K0L DB4X314F0R
    RB510VM-30FH РБ751В40 DB2731600L DB2U30800L DB3J314J0L DB3S314F0L DB3X315E0L DB4X314K0R
    РБ531ЭС-30 SB007-03C DB2J30900L DB2U30900L DB3J314K0L DB3S314J0L DB3X316F0L DB5S309K0R
    RB548WMFH SB007-03Q DB2J31400L DB2U31400L DB3J315E0L DB3S314K0L DB3X316J0L DB6J314K0R
    RB548WM DB6X314K0R DB2J31600L DB2U31600L DB3J316FL DB3S315E0L DB3X316K0L DB6J316K0R
    RB557WMFH RB558WMFH РБ510ВМ-30 RB520CM-30 1SS416CT 1SS389 KSR720EL BAR42
    RB500SM-30 RB558WMH RB520CS-30FH 1SS384 1SS416 1SS394 KDR720F 1SS374
    RB500SM-30FH РБ480И РБ520Г-30 РБ520ZS-30 1SS422 1SS395 KDR730F DSR01S30SL
    BAR43 РБ480YFH РБ520Г-30ФХ РБ520ZS8A30 1SS367 HN2S01F КДР730В KDR731S
    1SS372 HNS03FU KDR731
    VR = 30v IFAV = 0.1A VF ≦ 0,37 В при 0,01 А ИК ≦ 0,007 мА при 10 В 0,21 × 0,21 □ 251364 шт. / Вес
    VR = 30v IFAV = 0,1A VF ≦ 0.35 В при 0,01 А ИК ≦ 0,010 мА при 10 В 0,31 × 0,26 □ 137,348 шт. / Вес

    RB531VM-30FH NSR0130P2 NSR01L30NXT5G DB2730800L RB521CS-30FH SDGP0130SL1 SD107WS DSF01S30SL
    RB501SM-30 НСР140П2 DB3S308F0L DB2J30800L РБ521Г-30 RB531CM-30 SDM02U30LP3 РБ541XNFH
    RB501SM-30FH NSR01F30MX DB5S308K0R DB2L33500L RB531G-30FH РБ531ВМ-30 RB557WFH РБ557В
    РБ511СМ-30 MSR01F30NXT5G РБ511СМ-30ФХ DB2S30800L РБ521ZS-30 РБ541XN RB521CM-30 42WS
    РБ511ВМ-30 NSR01L30MX РБ511ВМ-30ФХ РБ522ЭС-30 РБ521ZCS8A30
    VR = 30v IFAV = 0.2А VF 0,4 В при 0,01 А ИК ≦ 0,005 мА при 25 В 0,35 × 0,35 □ 90 246 шт. / Вес

    BAT42WS BAT43W-G 1PS70SB10 РБ521CS30L BAT54W BAT54LP BAT54A (Z) DB2631100L
    BAT42WS-G BAT54W 1PS70SB14 РБ521С30 BAT54 BAT54LPS PD3S0230 DB2J31000L
    BAT43WS BAT54W-G 1PS76SB10 PMEG3002AEB BAT54H BAT42W SDM02U30CSP DB2J31100L
    BAT43WS-G BAT54 1PS79SB31 PMEG3002AEL BAT54L BAT42WS SDM20U30 DB2J31300L
    BAT54WS BAT54SW BAT54H PMEG3002AELD BAT54M3T5G BAT43W SDM20U30LP DB2S31000L
    BAT54WS-G БАТ54-02В BAT54 PMEG3002AESF BAT54XV2 BAT43WS SDM20N40A DB2S31100L
    BAT54-02V-V-G BAT54-03W BAT54S BAT754S MMBD330 BAT54 BAT40VC DB3X313F0L
    BAT42W БАТ54-04 BAT54J BAT54VV MMSD301 BAT54T BAT54 (Z) DB3X313J0L
    BAT42W-G BAT54-04W BAT54L BAT54SW NSR0230 BAT54W BAT54A DB3X313K0L
    BAT43W БАТ54-06 РБ520CS3002L BAT54W NSR0230P2 BAT54WS BAT54ADW DBY313KEL
    BAT54S BAT54-06W PMEG3002EJ BAT54XY NSRLL30 BAT54TW BAT54AT DB4X313F0R
    BAT54A BAT54-02LRH PMEG3002ESF BAT74 РБ520С30 BAT54V BAT54AW DB4X313K0R
    BAT54A-G РБ520С30 PMEG3002TV BAT74S ГБ 521 BAT54WT BAT54BRW DB5S310K0R
    BAT54-G BAT54LP BAT754 BAT74V NSR02F30MX BAT54SDW BAT54DW DB4J310K0R
    VSKY02300603 BAT54S-G BAT754L BAT85 NSR02F30NXT5G BAT54ST BAT54JW BAT54S
    BAT54HMFH РБ541ВМ-30ФХ CES521 KDR720E BAT54AHM РБ521ВМ-30ФХ CES520 BAT54
    БАТ54ШМ РБ481К CTS521 KDR720S BAT54AHMFH РБ531СММ-30 CTS520 BAT54A
    BAT54SHMFH РБ481KFH CUS521 KDR721S BAT54HM РБ540VM-30FH CUS520 BAT54S
    РБ520АС-30 РБ520СМ-30 TBAT54S KDR729 РБ530СМ-30 РБ520ВМ-30 РБ521SM-30FH РБ540ВМ-30
    RB520VM-30FH РБ520СМ-30ФХ TBAT54 KDR730E RB530SM-30FH РБ521СМ-30 РБ521ВМ-30 РБ541ВМ-30
    NSR02L30NXT5G
    VR = 30v IFAV = 0.2А VF 0,4 В при 0,01 А ИК ≦ 0,005 мА при 25 В 0,45 × 0,45 □ 54,488 шт. / Вес
    (2 диода в 1 микросхеме, общий катод)
    BAT54C 1PS70SB15 BAT54CV NSR30CM3 BAT54CW БАТ54-05 BAT54C (Z) BAT54CT
    BAT54C-G BAT54CM BAT54CW BAT54CXV3 BAR43C BAT54-05W BAT54CDW BAT54CW
    DB3X313N БАТ54ЧМ BAT754C BAT54CHMFH
    VR = 30v IFAV = 0.5A VF ≦ 0,47 В при 0,5 А ИК ≦ 0,1 мА при 20 В 0,51 × 0,51 □ 42,340 шт. / Wfr

    DB2L32400L PMEG3005AEA PMEG3005EL NSR05T30P2 SB05-03C БАТ3005А-02В B0530W PB521LP-30
    DB2L33400L PMEG3005AEAF PMEG3005EGW NBR0530 SB05-03Q БАТ3005Б-02В B0530WS PB520LP-30
    DB2X407K0L PMEG3005AEV PMEG3005ELD NSR0530H NBR0530 BAT3005B-02LRH NSR05F30NX NSR0530P2
    MA2ZD020G PMEG3005EB PMEG3005ESF NSR0530P2 NSR0530H MA2Z180G MBR0530 ПКР0503БХ
    RB550VM-30FH EP05Q03L CBS05F30 USFB053 РБ550СС-30 РБ550ВМ-30 RSX051VA-30 CUS05F30
    CUS551V30
    VR = 30v IFAV = 1.0A VF 0,45 В при 0,7 А ИК ≦ 0,06 мА при 30 В 1,00 × 1,00 □ 10928 шт. / Вес

    SS1P3 PMEG3010AESA 1N5818MBR130 СТПС1Л30МФ DB2130300L B130L МБРС 130 RKR0703BKH
    MSS1P3 PMEG3010AESB MBR130LSF СТПС1Л30М DB2230400L B130LAW SS13 HRV103A
    MSS1P3L PMEG3010CEH MBRA130L STPS1L30 DB2130200L B130LB SS13FL HRV103B
    B130-E3 PMEG3010CEJ MBRM130L STPS130 DB2G32500L B130 SS13FP DG1H
    B130-M3 PMEG3010EB МБРС 130 SDM1L30CSP DB2J31700L B130AE SJPJ-D3 ДГ1М3
    SS13 PMEG3010EGW МБРС130L PS13 MA3X701 B130B SJPA-D3 DG1J2A
    SS13-M3 PMEG3010H NSR10F30NX ФС13НС MA21D340G DFLS130L RSX201VYM30FH РБ168ЛАМ-30
    SL03 PMEG3010EJ SB1003M3 LSL13 MA21D350G DFLS130LQ РБ160ММ-30 РБ168ЛАМ-30ТФ
    SL03-M PMEG3010ET SB07-03C FLS13 MA21D380G DFLS130 РБ160ММ-30ТФ РБ168ММ-30
    VS-MBRS130-M3 PMEG0310EP СБ07-03П SL13A MA21D382G ПД3С130Н ПБ162ВА-30 ПБ168ММ-30ТФ
    VS-10BQ030-M3 PMEG3010ER EC10LA03 СКН8 MA22D150G PD3S130HQ ПБ162ММ-30 ПБ168ВАМ-30
    VS-10BQ030HM3 PMEG3010ESB EC10QS03L SK13-S MA22D230G ПД3С130Л РБ162ММ-30ТФ RBR1L30ADD
    VSKY10301406 MA2YD330G EP10LA03 SL13 MA2YD150G PD3S130LQ РБ168ВЫМ-30ФХ РБР1ЛАМ30А
    BAS3010A-03W DB3X317K0L EP10QY03 SK13 MA2YD210G SDM100K30L РБ550ВАМ-30 РБР1ЛАМ30АТФ
    BAS3010B-03W DB2G32600L EP10HY03 РБ160СС-30 MA2YD230G SDM1L30BLP РБ550ВА-30ФХ РБР1ММ30АТФ
    RSX101MM-30FH РБ550ВА-30 SA10LA03 РБ161СС-30 KDR531T USFB13L RSX101MM-30 РБ160М-30
    RSX101MM-30TF RBR1L3A SA10QA03 РБ168Л-30 KDR701S USFB13A RSX071VA-30 РБ161ВА-20
    RSX101VAM30 РБР1ММ30А EP05Q03L РБ168L-30DD USFB073 USFB13 CRS03 CRS06
    RSX101VYM30FH RSX101M-30 CRS01 CUS05 CUS01 USFB13L CRS05 CMS08
    RSX101VA-30 CUS02 CRS02 CUS06 CVJ10F30 CRS11 CRS11 BAS3010AS-02LRH
    CUS08F30 CUS10F30 CMS09
    VR = 30v IFAV = 2.0A VF ≦ 0,38 В при 2,0 А ИК ≦ 2,0 мА при 30 В 1,37 × 1,37 □ 5,722 шт. / Вт

    SS2P3 SS23S PMEG3020EPAS PMEG3020EGW 1N5820 SS22 BAS3020B SS22
    SS2FL3 СС2П3Л PMEG3020BER PMEG3020EH NSR15304NX MBR230LSFT1G STPS2L30 SS22FP
    SS23S-M3 SSA23L PMEG3020BEP PMEG3020EJ NSR20204NX MBR230LSFT1G STPS2L25 SS23
    B230LA VS-20BQ030-M3 PMEG3020CEP FLS23 NSR20206NX МБRS230L DFLS230 SS23FA
    B230LA-M3 VS-20BQ030HM3 PMEG3020DEP SL23B NSR20F20NX NSR20F30NX DFLS230L SJPE-h4
    MSS2P3 VSKY20301608 PMEG3020EPA SL23A NSR20305NX СБ20-03П DFLS230LH SJPA-h4
    SL23 CMS06 PMEG3020ER EC21QS03L NSR20306NX SB2003M DFLS230LQ SJPA-D3
    SS23 CMS07 PMEG3020EP SMFB23L SBE001 СС2003М DFLS230Q EC21QA03L
    SB230 CMS17 ФС23 SMFB23 ПД230Л B230AE МБР230С1Ф DB2W31800L
    SK23A PS23 SGP0230 B230 PD3S230LQ ПД3С230Н РБ070М-30 MA22D80G
    SK23 LSL23 S23-S B230A SDM2U30CSP PD3S230HQ ПБ060М-30 MA22D410G
    DG1M3A CCS15S30 DB2132000L ДГ1х4А CUS15S30 DB2230600L D1FP3 CRS14
    М1Фх4 CRS09 SB2232000L M1FP3 CRS08 DB2430100L
    VR = 30v IFAV = 3.0A VF ≦ 0,4 В при 3,0 А ИК ≦ 3,0 мА при 30 В 1,54 × 1,54 □ 4,616 шт. / Вт

    B330 VS-MBRD320-M3 PMEG3030BEP MBRA320T3 SB3003P STPS3L25S SS32 PSL33
    B330LA ВС-МБРД320ПбФ PMEG3030EP MBRD320 SB3003CH LS33 MBR320 PS33
    B330LA-M3 VS-MBRD340-M3 B330 МБРС320П SD882-02 СК33Б SS33 LSL33A
    SS33 VS-MBRD340PbF B330A МБРС330 SD883-02 SL33C EC30HA03L FSL33
    SS33-M3 DB2430500L B330AE МБРС320 SD832-03 SL33B EC31QS FSL3T
    SS33P3 DB2430700L B330B 1N5821 SD833-03 SL33A NSQ03A03L FS33A
    SSA33L MA24D54 SJPJ-L3 МБРП330П D3FP SK33A EA30QS03L SGC0330S
    SJPA-L3 CMS01 EC30LB02 SK33 EA30QS03L-F CMS02 CMS03 MiFM3
    VR = 40v IFAV = 0.03A VF 0,4 В при 0,001 А ИК ≦ 0,0005 мА при 30 В 0,23 × 0,23 □ 209 532 шт. / Вес
    VR = 40v IFAV = 0,03 A VF ≦ 0.37 В при 3,00 А, ИК ≦ 0,0005 мА при 30 В 0,30 × 0,30 □ 122,959 шт. / Вес

    SD101CWS SD101BWS РБ717УМ DB2631400L РБ706УМ-40 РБ715ВМ РБ706Д-40ФХ РБ715FFH
    SD101CWS-G SD101CW RB731U SDM03U40 РБ706УМ-40ФХ РБ715WMFH РБ706Ф-40 RB715W
    BA581-02V-V-G SD101CWS РБ731UFH SDMG0340L РБ706WM-40 РБ717УМФХ РБ706F-40FH РБ715WFH
    SD101CW SDMK0340 РБ731XN KDR377 RB706WM-40FH РБ705Д РБ706W-40 РБ715Z
    SD101CW-G SDMP0340L РБ731XNFH KDR377E РБ715УМ RB705DFH RB706W-40FH РБ717Ф
    RB715UMFH РБ706Д-40 РБ715Ф РБ717FFH
    VR = 40v IFAV = 0.2А VF ≦ 0,38 В при 0,001 А ИК ≦ 0,0002 мА при 30 В 0,23 × 0,23 □ 209 532 шт. / Вес
    VR = 40v IFAV = 0,2A VF ≦ 0.38 В @ 0,001 А ИК ≦ 0,0002 мА при 30 В 0,30 × 0,30 □ 122,959 шт. / Вес

    BAS40-02V-V-G 1PS76SB21 PMEG4002EB НСР240П2 BAT64 BAT54ZFILM BAS40 RB541SM-40FH
    BAS40-00 BAT721 PMEG4002EJ NSR0340P2 BAT64-02W BAT54JFILM BAS40-04 РБ541VM-40FH
    BAS40-00-G BAT721S PMEG4002EL BAS40L БАТ64-02В BAT54KFILM БАС40-04Т РБ550ВМ-40
    BAS40-06 1PS79SB30 BAS40T NSR0240HT1G БАТ64-04 BAT54FILM BAS40-06 РБ550VM-40FH
    BAS40-06G BAT54AW BAS40TW NSR0240P2 BAT64-04W ФИЛЬМ BAT54A BAS40-06T РБ541ВМ-40
    VSKY02400603 BAT54W BAS40V NSR0240V2T1G БАТ64-05 BAT54SFILM BAS40BRW РБ480И-40
    RB751LP-40 PMEG4002AESF BAS40W NSR340HT1G BAT64-05W BAT54WFILM BAS40DW-04 РБ520СМ-40
    RB521SM-40FH PMEG4002ELD BAS40W-04 NSR0340P2 БАТ64-06 BAT54AWFILM BAS40DW-06 РБ520СМ-40ФХ
    HN2S02JE PMEG4002ESF BAS40W-06 NSR0340V2T1G BAT64-06W BAT54SWFILM BAS40LP РБ521СМ-40
    DB2640600L РБ520ВМ-40ФХ РБ540СМ-40 1SS294 KDR322 1SS383 РБ540СМ-40ФХ РБ481Y-40
    DB2J40600L РБ521ВМ-40ФХ РБ540ВМ-40 1SS319 KDR357 DB3S406F06L РБ540VM-40FH РБ520ВМ-40
    DB2S40600L РБ551ВМ-40 РБ540СМ-40 1SS396 1SS417 DB4J406K06 CUS357 РБ521ВМ-40
    DB3J406N0L РБ551ВМ-40ФХ CES388 1SS417CT 1SS423 DB5S406K0R HN2S02FU
    VR = 40v IFAV = 0.2А VF ≦ 0,6 В при 0,2 А ИК ≦ 0,001 мА при 10 В 0,37 × 0,37 □ 80,698 шт. / Вт
    VR = 40v IFAV = 0,2A VF ≦ 0.5 В при 0,2 А ИК ≦ 0,030 мА при 10 В 0,37 × 0,37 □ 80,698 шт. / Вт
    VR = 40v IFAV = 0,2A VF ≦ 0,5 В при 0,2 А ИК ≦ 0.070 мА при 25 В 0,47 × 0,47 □ 49,966 шт. / Wfr

    VR = 40v IFAV = 0,35 A VF 0,59 В при 0,2 А ИК 0,005 мА при 30 В 0.47 × 0,47 □ 49,966 шт. / Wfr

    SD103AWS SD103BWS SD103AW ZHC350 ZLLS400 BAT48 SDM20N40 SD103CW-G
    SD103AWS-G SD103BWS-G SD103BW ZHCS400 ZLLS500 BAT30 SDM10U45LP ZLLS350
    SD103AW D103CW SD103CWS ZLLS2000 ZXSBMR16PT8 BAT30F2 SD103AW-G
    VR = 40v IFAV = 0.5A VF ≦ 0,50 В при 0,5 А ИК ≦ 0,030 мА при 10 В 0,68 × 0,68 □ 23678 шт. / Wfr
    VR = 40v IFAV = 0,5 А VF ≦ 0.51 В при 0,5 А ИК ≦ 0,015 мА при 40 В 0,84 × 0,75 □ 17,384 шт. / Вт

    VSKY05401006 1PS70SB20 PMEG4005AEV B0540WS MBR0540 ZLLS400Q STPS0540Z BAT165
    RB400VYM-50FH BAT720 PMEG4005CEA B0540W NSR05F40NX ZLLS500QTA CTS05F40 РБ561ВМ-40
    RB560SS-40 PMEG4005EPK PMEG4005CEJ BAT400D NSR05T40P2 EP05Q04 CUS05F40 РБ400Д
    РБ560ВМ-40 PMEG4005AEA PMEG4005ESF ZHCS500 NSR05T40XV2 DB3J407K0L SGP0540S RB400DFH
    RB561SS-40 КДР400С PMEG4005AESF BAS40LP DB2J40700L РБ400ВАМ-50
    VR = 40v IFAV = 1.0A VF ≦ 0,50 В при 1,0 А ИК ≦ 0,2 мА при 42 В 0,82 × 0,82 □ 16 276 шт. / Вес
    VR = 40v IFAV = 1.0A VF ≦ 0.55 В @ 1.0A ИК ≦ 0,2 мА при 42 В 0,82 × 0,82 □ 16 276 шт. / Вес
    VR = 40v IFAV = 1.0A VF ≦ 0,48 В при 1,0 А ИК ≦ 0.2 мА при 42 В 1,00 × 1,00 □ 10928 шт. / Вес

    SS14 РБ160ВАМ-40 BAT165A ZHCS750 1N5819 SS14FP STPS140 GA0603B1040
    SS14-M3 РБ160ВЫМ-40ФХ PMEG4010EPK B140 MBR140SF SS14FL STPS140Z SK14
    СС1П4 РБ161QS-40 PMEG4010AESB B140AE MBRA140 SS144 B140WS ФС14НС
    D1FS4 РБ162Л-40 PMEG4010AESBC B140B МБРМ 140 МБРС 140 BAT1000 FAL14
    B140-M3 РБ162Л-40ТФ PMEG4010CEA B140BQ NSR1040NX DB2G42600L BAT750 SGP0140SL
    B140-E3 РБ162ММ-40 PMEG4010CEGW B140HB NSR10F40NX DB2J41100L BAT750 (Z) SGP0140SD
    VS10MQ040-M3 РБ162ММ-40ТФ PMEG4010CEH B140HW CBS10F40 DBX41100L ПД3С140 ФС14
    VS10MQ040HM3 РБ160М-40 PMEG4010CEJ B140Q CUS10F40 ДБ5х511К0Л PD3S140Q SL14A
    VS-MBRS140-M3 РБ162М-40 PMEG4010EJ DFLS140 CCS15F40 MA22D390G SDM1A40CSP SL14
    VS-MBRA140-M3 РБ161Л-40 PMEG4010ET DFLS140L CMS10 DG1S4 SDM1M40LP8 SA10QA04
    VS-MBRA140PbF SJPB-D4 PMEG4010ESB SDM1U40CSP KDR407S M1FJ4 ZHCS1000 EP10QY04
    DFLS140LQ SJPW-F6 DFLS140Q ZLLS1000 SMAB14
    VR = 40v IFAV = 1.0A VF 0,450 В при 1,0 А ИК ≦ 1,0 мА при 20 В 0,82 × 0,82 □ 16 276 шт. / Вес
    VR = 40v IFAV = 1.0A VF ≦ 0.385 В @ 1.0A ИК ≦ 2,0 мА при 40 В 1,00 × 1,00 □ 10920 шт. / Вес

    MSS1P4 VS-10BQ040-M3 PMEG4010EP РБС1ММ40А МБРС 140 M1FS4 STPS1L40 PSL14
    SS1F4 VS-10BQ040HM3 PMEG4010ER РБС1ЛАМ40А EC10QS04 SMAB13 СТПС1Л40М PS14
    SS1P4L SK14-S PMEG4010ETP РБ161Л-40 EC10QY04 СКН9 CRS04 LSL14
    РБ1ЛАМ40А SC802-04 PMEG4010ETR
    VR = 42v IFAV = 2.0A VF ≦ 0,5 В при 2,0 А ИК ≦ 0,5 мА при 40 В 1,25 × 1,25 □ 6,966 шт. / Вт
    VR = 40v IFAV = 1.0A VF ≦ 0.5 В @ 1.0A ИК ≦ 0,2 мА при 42 В 1,25 × 1,25 □ 6,966 шт. / Вт

    B240A SS2FL4 RBR2L40ADD PMEG4020EPK SS24 PSL24 SS24FL STPS2L40U
    B240A-M3 СС2П4 РБР2ММ40АТФ PMEG4020EPAS MBRAF1540 PS24 SSA24 STPS2L40AF
    SS24 SSA24 RBR2M40BTF PMEG4020EP МБРС 1540 LSL24 SS24 STPS2L40UF
    SS24S VS-20MQ040-M3 RBR2MM40CTF PMEG4020EPA МБРС2040L LS24A SL24B EC20QSA035
    SS24S-M3 DFLS240 RBR060L-40D PMEG4020ER МБРС240L ФС24 SL24A EC21QS04
    SS2P4 DFLS240L РБ060Л-40 PMEG4020ETR NSR15405NX FS24A SK24-S EA20QS04
    SSA24 DFLS240LQ РБ060ММ-40 PMEG4020ETP NSR15406NX SGP0240SD SL24 РБР2ММ40А
    SL04 SDM2U40CSP РБ060ММ-40ТФ B240 NSR20406NX LS24A SL24A РБР2ММ40Б
    SL04-M SJPE-h5 RBR2L40A B240A NSR20F40NX FLS24 SK24 RBR2MM40C
    VSKY 20401608 DB2141200L D1FJ4 B240AE DB2440200L D1FS4A SJPB-h5 СМ14
    VS-20MQ040HM3 DB2141300L D2FS4 DB2W40200L DB2X41400L ВС-20МК040НПбФ
    VR = 40v IFAV = 3.0A VF ≦ 0,48 В при 3,0 А ИК ≦ 0,3 мА при 40 В 1,54 × 1,54 □ 4,616 шт. / Вт

    B340 VS-30BQ040-M3 PMEG4030EP МБРС340 SS34FA STPS340UY PS34 LS34AS
    B340A VS-30BQ040HM3 PMEG4030ER 1N5822 ФСВ340ФП STPS340SY PSL34 LS34A
    B340A-M3 VS-30MQ040-M3 PMEG4030ETP MBR340 SS34 STPS340U LSL34 LS34
    B340LB VS-30MQ040HM3 РБ051Л-40 MBRA340 МБРС340 STPS340S FSL34 СК34Б
    SB340 VS-MBRD320-M3 РБ060Л-40 MBRD340 EC30QSA035 STP340B FSL34T SL34C
    SL34-M3 ВС-МБРД320ПбФ РБ055Л-40 МБРС340П EC31QS04 SD832-04 FS34A SL34B
    SS34 VS-MBRD330-M3 RB055L-40DD FMB-24 EC30HA04NA035 SD862-04 FS34 SL34A
    SS3P4L ВС-МБРД330ПбФ РБ056Л-40 FMB-G14 NB06QSA035 SD883-04 SGC0340S SL34
    SSA34 VS-MBRD340-M3 РБ056Л-40ТФ SJPB-L4 NSQ03A04 SD863-04 LSL34A B340
    SSB34 VS-MBRD340PbF RBR3L40A SJPB-H6 EA30QS04 DB2440300L SK34A B340A
    VS-MBRS340-M3 RBR3LAM40ATF RBR3L40B SJPB-L8 EA30QS04-F DB2440400L SK34 B340AE
    RBR3L40ADD D3CCE4S RBR3L40C SMAB33 MA24D50 DB2440500L RBR3LAM40B B340AE
    RBR3L40BDD D3FS4A РБР3ММ40А SMAB33L MA24D51 DB2441600L RBR3LAM40C B340AQ
    RBB3L40CDD DE3S4M РБР3ММ40Б SMAB34 MA24D52 DB2X41500L РБР3ММ40АТ B340B
    RBR3LAM40A CMS15 RSX201L-30 B340LB MA24D60 RSX301L-30 RBR3MM40BTF B340LA
    RB050L-40DD ПДС340 MA24D62 PDS340Q РБ050Л-40
    VR = 40v IFAV = 5.0A VF ≦ 0,52 В при 5,0 А ИК ≦ 0,2 мА при 42 В 1,82 × 1,82 □ 3248 шт. / Вес
    VR = 40v IFAV = 5.0A VF ≦ 0.52 В при 5,0 А ИК ≦ 0,3 мА при 45 В 1.84 × 1.84 □ 3137 шт. / Вес

    SS5P4 PMEG450EP RBR5L40ADD NA05QSA035 SMBF540S LSL54 SL54C B540C
    SSC54 PMEG4050ETP RBR5LAM40A NB10QSA035 SMBF540SL SG0540S SL54B ПДС540
    SSC54-M3 YG811S02R RBR5LAM40ATF GSQ05A04 SL54A LS54A SB540 SBL535
    SK54A СК54Б RBR5L40A DE5S4M SK54 LS54 FMB-G14L SBL540
    DB2441700L
    VR = 45v IFAV = 0.1A VF 0,60 В при 0,1 А ИК ≦ 0,001 мА при 10 В 0,35 × 0,35 □ 90 246 шт. / Вес
    VR = 45v IFAV = 0,1A VF ≦ 0.55 В при 0,1 А ИК ≦ 0,030 мА при 10 В 0,37 × 0,37 □ 80,698 шт. / Вт

    SDMK10K45 SDM10M45SSD SDM10P45 _________________ _______________ _______________ _______________ _______________
    VR = 60v IFAV = 1.0A VF ≦ 0,67 В при 1,0 А ИК ≦ 0,2 мА при 62 В 0,82 × 0,82 □ 16 276 шт. / Вес

    SS16-M3 B150-E3 PMEG6010AESB SGP0160SD LSL15 B150 B160 МБР150
    SS16 Б150-М3 PMEG6010CEH PSL16 FSL16 B150AE B160Q MBR160
    B160-E3 SS15-M13 PMEG6010CEJ PS16 ФС16 B150B ПД3С160 MBRA160T3
    B160-M3 MSS1P5 PMEG6010CEGW PS15 SL16A B150Q ПД3С160 СБ10-05П
    VS-10MQ060-M3 MSS1P6 РБ162ММ-60 SGP0160SL SL15A B160B SDM160S1F SBE002
    VS-10MQ060HM3 SSFH6 РБ162ММ-60ТФ SGPD560D SK16-S B160AE ДФЛС160 SS16
    SS16FP STPS160A РБ162Л-60 LSL16 SK15-S B160B DG1S6 STPS1L60ZF
    SS15 СТПС1Л60А РБ160Л-60 EC10QS06 DB2560500L SJPB - D6 РБ160ВАМ-60 SMAB16
    SS15FA СТПС1Л60МФ РБ160Л-60ТФ EP05Q06 SS15 DG1S6A ВС-10МК060НПбФ SA10QA06
    SS16HE D1FS6 SS16FA STPS160U РБ162Л-60ТФ M1FS6
    VR = 60v IFAV = 2.0A VF ≦ 0,67 В при 2,0 А ИК ≦ 0,3 мА при 62 В 1,15 × 1,15 □ 8180 шт. / Вес

    SS26 SS2PH6 СС2П5 PMEG6020EPAS SGP260SD SK26-S SDM2M60S1F B250
    SS25 V2P6 SS2PH5 PMEG6020AELP PS26 SK25-S RBR2L60ADD B250A
    SS26-M3 SS25S V2P5 PMEG6020AELR PAL26 SK26A RBR2LAM60A B250AE
    SS25-M3 SS25S-M3 SS25 PMEG6020ELR FSL26 SK26 РБР2ЛАМ60АТФ B260
    SS26S SS2FH5 SS25FA MBRAF260 ФС26 SK25 РБР2ММ60АТФ B260A
    SS26S-M3 VS-20MQ060-M3 SS26 MBR260T3 LS26 SK25K RBR2L60A B260AE
    SS2FH6 VS-20MQ060HM3 SS26FL SS26 SL26B SB260 РБР2ММ60Б DFLS260
    SS2FH6 STPS2L60UF STPS2L60A DFLS260Q SL25B SB250 CMS14 EC21QS06
    СС2ПС6 SS2FN5 SL26A EA20QS06 - F D1FS6A D2FS6 ВС-20МК060НПбФ
    VR = 60v IFAV = 3.0A VF ≦ 0,67 В при 3,0 А ИК ≦ 0,3 мА при 62 В 1,37 × 1,37 □ 5,772 шт. / Wfr

    B350 SS36 VS-MBRS360-M3 PMEG6030ELP S36B LS35 SK36 B350
    B360 SS35-M3 VSSA36S-M3 RBR3L60ADD PS36 SL36C SK35 B350A
    B350A SS36-M3 VSSA3L6S-M3 RBR3LAM60A PS35 SL35C MBRD360 B350AE
    B360A SS3P5 VSSAF3M6 РБР3ЛАМ60АТФ LSL36 SL36B МБР350 B350B
    B350A-M3 SS3P6 VSSB3L6S0-M3 РБР3ММ60АТФ ФС36 SL35B MBR460MFS B360
    B360A-M3 SS3P5L VS3PAN50-M3 РБ055Л-60 SGC0360S SL35A MBRAF360 B360A
    B350B СС3П6Л VSSAF3N50 RB055L-60DD SGC0350S SL36A MBRD350 B360AE
    B360B VS-30BQ060-M3 EA30QS06-F РБ050Л-60 LS36A SK36A МБРС360 B360AM
    ПДС360 SS35 VS-30BQ060HM3 SS35 STPS3L60U SS36FA МБRS360P SSA36
    EC31QS06 LS36 SK35A SS36 STPS3L60UF ФСВ360ФП EC21QS045 MA24D58
    EA30QS06 DB2460100L SD863-06 D3CE6S CMS15 EC30QSA45 SMAB36 DE3S6M
    DB2460600L DB2460200L SD833-06 D3FS6
    VR = 60v IFAV = 5.0A VF ≦ 0,67 В при 5,0 А ИК ≦ 0,5 мА при 62 В 1,82 × 1,82 □ 3248 шт. / Вес

    SS5P5 GSQ05A06 MBR560MFS SMBF560S SK55A SL55C MBRF560 B550C
    SS5P6 FSH04A06 SBRC560 AMBRP560 LS56 SL56B MBRF560CT B560C
    VSSAF5N50 FSQ05A06 SB560 SMK86 SGC0550S SL55B MBR560CT ПДС560
    VSSAF5M6 FQS05U06 SB550 SMK85 LS56 SGC0550S STPS5L60S SBL550
    NSHS05A065 FSH05A06 SL56C SK56 СК56Б SGC0560S STPS5L60U SBL560
    FSQS05A065 NA05HSA065 SK56A SK55 СК55Б SB560 ДЕ5С6М SB550
    PMEG060V050EPD FSQS05AU065 DB2X60300L FMB-26 Д5С6М FMB-G16L SF5S6 SG5S6M
    VR = 60v IFAV = 10.0A VF 0,67 В при 10,0 А ИК ≦ 0,5 мА при 62 В 2,17 × 2,17 □ 2260 шт. / Вес

    MBRF10H60 ABRP1060 МБР 1050 МБРФ10У60КТ MBR 1060 MBR760 RBR10BM60A FMW-2106
    MBRB10H60 ABRB1060CT MBR 1060 RBR10NS60AFH MBR860MFS MBR 1060 RBR10BM60AFH RBR10T60ANZ
    MBR10H60 SGC1050S ПДС760 RBR10T60AHZ NRVBB1060 РБР10НС60А SGC1060S SD860
    VR = 70v IFAV = 0.07A VF 0,41 В при 0,001 А ИК ≦ 0,0001 мА при 50 В 0,23 × 0,23 □ 209 532 шт. / Вес
    VR = 70v IFAV = 0,07A VF ≦ 0.41 В при 0,001 А ИК ≦ 0,0001 мА при 50 В 0,30 × 0,30 □ 122,959 шт. / Вес

    BAS170WS 1PS76SB70 BAS170W BAS70H БАС-04 BAS70JW BAS70-06 BAS70TW
    BAS170WS-G 1PS79SB70 BAS70-02L BAS70L BAS-04W BAS70WQ BAS70-06T BAS70W-04
    BAS70-00 BAS70 BAS70-02W BAS70W БАС-04С BAS70-04 BAS70BRW BAS70W-06
    BAS70-00-G BAS70-04 БАС70-02В BAS70-07 БАС-05 БАС70-04Т BAS70DW-04 BAR18
    BAS70-02V-V-G BAS70-04W БАС70-07В BAS70-07S BAS-05W BAS70DW06 BAS70T

    (отбойник)

    VR = 40v IFAV = 0.03A VF 0,37 В при 0,001 A ИК ≦ 0,0005 мА при 25 В 0,30 × 0,30 □ 122,959 шт. / Вес
    VR = 40v IFAV = 0,03 A VF ≦ 0.37 В при 0,001 А ИК ≦ 0,0005 мА при 25 В 0,35 × 0,35 □ 90 245 шт. / Wfr

    BAT81S SD101C SD103A BAT81S SD101C SD103A РБ721

    (отбойник)

    VR = 40v IFAV = 0.1A VF ≦ 0,55 В при 0,1 А ИК ≦ 0,1 мА при 40 В 0,45 × 0,45 □ 54 477 шт. / Вес

    (отбойник)

    VR = 50v IFAV = 0.2А VF 0,8 В при 0,1 А ИК 0,002 мА при 25 В 0,39 × 0,39 □ 72,690 шт. / Wfr

    BAT86S BAT86 BAT43 BAT85 BAT42

    (отбойник)

    VR = 70v IFAV = 0.

    alexxlab

    Добавить комментарий

    Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *