Site Loader
Posted on 20.05.2023

ЕСКД. Обозначения условные графические в схемах. Приборы полупроводниковые (взамен ГОСТ 2.730-68, ГОСТ 2.747-68 в части пп. 33 и 34 таблицы)

ГОСТ 2.730-73

УДК 744:621.382:003.62:006.354

Группа Т52

МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ

Единая система конструкторской документации

ОБОЗНАЧЕНИЯ УСЛОВНЫЕ ГРАФИЧЕСКИЕ В СХЕМАХ.

Приборы полупроводниковые

Unified system for design documentation.

Graphical symbols in diagrams. Semiconductor devices

Дата введения 01.07.74

ИНФОРМАЦИОННЫЕ ДАННЫЕ

1 РАЗРАБОТАН И ВНЕСЕН Государственным комитетом стандартов Совета Министров СССР

2 УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Постановлением Государственного комитета стандартов Совета Министров СССР от 16. 08.73 № 2002

3 Соответствует СТ СЭВ 661—88

4 ВЗАМЕН ГОСТ 2.730—68, ГОСТ 2.747—68 в части пп. 33 и 34 таблицы

5 ИЗДАНИЕ (май 2002 г.) с Изменениями № 1, 2, 3, 4, утвержденными в июле 1980г., апреле 1987 г., марте 1989 г., июле 1991 г. (ИУС 10—80, 7—87, 6—89, 10—91)

1. Настоящий стандарт устанавливает правила построения условных графических обозначений полупроводниковых приборов на схемах, выполняемых вручную или автоматическим способом во всех отраслях промышленности.

(Измененная редакция, Изм. № 3).

2. Обозначения элементов полупроводниковых приборов приведены в табл. 1.

Таблица 1

Наименование

Обозначение

1. (Исключен, Изм. № 2).

2. Электроды:

база с одним выводом

база с двумя выводами

Р — эмиттер с N-областью

N-эмиттер с Р — областью

несколько Р — эмиттеров с N-областью

несколько N-эмиттеров с Р — областью

коллектор с базой

несколько коллекторов, например, четыре коллектора на базе

3. Области:

область между проводниковыми слоями с различной электропроводностью.

Переход от Р — области к N-области и наоборот

область собственной электропроводности (I-область):

1) между областями с электропроводностью разного типа PIN или NIP

2) между областями с электропроводностью одного типа PIP или NIN

3) между коллектором и областью с противоположной электропроводностью PIN или NIP

4) между коллектором и областью с электропроводностью того же типа PIP или NIN

4. Канал проводимости для полевых транзисторов:

обогащенного типа

обедненного типа

5. Переход PN

6. Переход NP

7. Р — канал на подложке N-типа, обогащенный тип

8. N-канал на подложке Р — типа, обедненный тип

9. Затвор изолированный

10. Исток и сток

Примечание. Линия истока должна быть изображена на продолжении линии затвора, например:

11. Выводы полупроводниковых приборов:

электрически не соединенные с корпусом

электрически соединенные с корпусом

12. Вывод корпуса внешний. Допускается в месте присоединения к корпусу помещать точку

(Измененная редакция, Изм. № 2, 3).

3, 4. (Исключены, Изм. № 1).

5. Знаки, характеризующие физические свойства полупроводниковых приборов, приведены в табл. 4.

Таблица 4

Наименование

Обозначение

1. Эффект туннельный

а) прямой

б) обращенный

2. Эффект лавинного пробоя:

а) односторонний

б) двухсторонний

3—8. (Исключены, Изм. № 2).

9. Эффект Шоттки

6. Примеры построения обозначений полупроводниковых диодов приведены в табл. 5.

Таблица 5

Наименование

Обозначение

1. Диод

Общее обозначение

2. Диод туннельный

3. Диод обращенный

4. Стабилитрон (диод лавинный выпрямительный)

а) односторонний

б) двухсторонний

5 Диод теплоэлектрический

6. Варикап (диод емкостной)

7. Диод двунаправленный

8. Модуль с несколькими (например, тремя) одинаковыми диодами с общим анодным и самостоятельными катодными выводами

8а. Модуль с несколькими одинаковыми диодами с общим катодным и самостоятельными анодными выводами

9. Диод Шоттки

10. Диод светоизлучающий

7. Обозначения тиристоров приведены в табл. 6.

Таблица 6

Наименование

Обозначение

1. Тиристор диодный, запираемый в обратном направлении

2. Тиристор диодный, проводящий в обратном направлении

3. Тиристор диодный симметричный

4. Тиристор триодный. Общее обозначение

5. Тиристор триодный, запираемый в обратном направлении с управлением:

по аноду

по катоду

6. Тиристор триодный выключаемый:

общее обозначение

запираемый в обратном направлении, с управлением по аноду

запираемый в обратном направлении, с управлением по катоду

7. Тиристор триодный, проводящий в обратном направлении:

общее обозначение

с управлением по аноду

с управлением по катоду

8. Тиристор триодный симметричный (двунаправленный) — триак

9. Тиристор тетроидный, запираемый в обратном направлении

Примечание. Допускается обозначение тиристора с управлением по аноду изображать в виде продолжения соответствующей стороны треугольника.

8. Примеры построения обозначений транзисторов с P—N-переходами приведены в табл. 7.

Таблица 7

Наименование

Обозначение

1. Транзистор

а) типа PNP

б) типа NPN с выводом от внутреннего экрана

2. Транзистор типа NPN, коллектор соединен с корпусом

3. Транзистор лавинный типа NPN

4. Транзистор однопереходный с N-базой

5. Транзистор однопереходный с Р-базой

6. Транзистор двухбазовый типа NPN

7. Транзистор двухбазовый типа PNIP с выводом от i-области

8. Транзистор двухбазовый типа PNIP с выводом от i-области

91. Транзистор многоэмиттерный типа NPN

Примечание. При выполнении схем допускается:

а) выполнять обозначения транзисторов в зеркальном изображении, например,

б) изображать корпус транзистора.

9. Примеры построения обозначений полевых транзисторов приведены в табл. 8.

Таблица 8

Наименование

Обозначение

1. Транзистор полевой с каналом типа N

2. Транзистор полевой с каналом типа Р

3. Транзистор полевой с изолированным затвором без вывода от подложки:

а) обогащенного типа с Р-каналом

б) обогащенного типа с N-каналом

в) обедненного типа с Р-каналом

г) обедненного типа с N-каналом

4 Транзистор полевой с изолированным затвором обогащенного типа с N-каналом, с внутренним соединением истока и подложки

5. Транзистор полевой с изолированным затвором с выводом от подложки обогащенного типа с Р-каналом

6. Транзистор полевой с двумя изолированными затворами обедненного типа с Р-каналом с выводом от подложки

7. Транзистор полевой с затвором Шоттки

8. Транзистор полевой с двумя затворами Шоттки

Примечание. Допускается изображать корпус транзисторов.

10. Примеры построений обозначений фоточувствительных и излучающих полупроводниковых приборов приведены в табл. 9.

Таблица 9

Наименование

Обозначение

1. Фоторезистор:

а) общее обозначение

б) дифференциальный

2. Фотодиод

3. Фототиристор

4. Фототранзистор:

а) типа PNP

б) типа NPN

5. Фотоэлемент

6. Фотобатарея

11. Примеры построения обозначений оптоэлектронных приборов приведены в табл. 10.

Таблица 10

Наименование

Обозначение

1. Оптрон диодный

2. Оптрон тиристорный

3. Оптрон резисторный

4. Прибор оптоэлектронный с фотодиодом и усилителем:

а) совмещенно

б) разнесенно

5. Прибор оптоэлектронный с фототранзистором:

а) с выводом от базы

б) без вывода от базы

Примечания:

1. Допускается изображать оптоэлектронные приборы разнесенным способом. При этом знак оптического взаимодействия должен быть заменен знаками оптического излучения и поглощения по ГОСТ 2.721—74,

например:

2. Взаимная ориентация обозначений источника и приемника не устанавливается, а определяется удобством вычерчивания схемы, например:

12. Примеры построения обозначений прочих полупроводниковых приборов приведены в табл. 11.

Таблица 11

Наименование

Обозначение

1. Датчик Холла

Токовые выводы датчика изображены линиями, отходящими от коротких сторон прямоугольника

2. Резистор магниточувствительный

3. Магнитный разветвитель

13. Примеры изображения типовых схем на полупроводниковых диодах приведены в табл. 12.

Таблица 12

Наименование

Обозначение

1. Однофазная мостовая выпрямительная схема:

а) развернутое изображение

б) упрощенное изображение (условное графическое обозначение)

Примечание. К выводам 1 — 2 подключается напряжение переменного тока; выводы 3 — 4 — выпрямленное напряжение; вывод 3 имеет положительную полярность.

Цифры 1, 2, 3 и 4 указаны для пояснения.

Пример применения условного графического обозначения на схеме

2. Трехфазная мостовая выпрямительная схема

3. Диодная матрица (фрагмент)

Примечание. Если все диоды в узлах матрицы включены идентично, то допускается применять упрощенный способ изображения. При этом на схеме должны быть приведены пояснения о способе включения диодов

14. Условные графические обозначения полупроводниковых приборов для схем, выполнение которых при помощи печатающих устройств ЭВМ предусмотрено стандартами Единой системы конструкторской документации, приведены в табл. 13.

Таблица 13

Наименование

Обозначение

Отпечатанное обозначение

1. Диод

2. Транзистор типа PNP

3. Транзистор типа NPN

4. Транзистор типа PNIP с выводом от I-области

5. Многоэмиттерный транзистор типа NPN

Примечание к пп. 2—5. Звездочкой отмечают вывод базы, знаком «больше» или «меньше» — вывод эмиттера.

15. Размеры (в модульной сетке) основных условных графических обозначений даны в приложении 2.

(Измененная редакция, Изм. № 4).

Приложение 1. (Исключено, Изм. № 4).

ПРИЛОЖЕНИЕ 2

Справочное

Размеры (в модульной сетке) основных условных графических обозначений

Наименование

Обозначение

1 Диод

2. Тиристор диодный

3. Тиристор триодный

4. Транзистор

5. Транзистор полевой

6. Транзистор полевой с изолированным затвором

(Введено дополнительно, Изм. № 3).

Уго светодиод

Выборка материалов из ГОСТ, имеющих отношение к размерам изображений условных графических обозначений элементов электрических схем. Условные графические обозначения элементов изображают в размерах, установленных в стандартах на условные графические обозначения. Условные графические обозначения, соотношения размеров которых приведены в соответствующих стандартах на модульной сетке, должны изображаться на схемах в размерах, определяемых по вертикали и горизонтали количеством шагов модульной сетки М черт. При этом шаг модульной сетки для каждой схемы может быть любым, но одинаковым для всех элементов и устройств данной схемы. Условные графические обозначения элементов, размеры которых в указанных стандартах не установлены, должны изображать на схеме в размерах, в которых они выполнены в соответствующих стандартах на условные графические обозначения. Размеры условных графических обозначений, а также толщины их линий должны быть одинаковыми на всех схемах для данного изделия установки.


Поиск данных по Вашему запросу:

Схемы, справочники, даташиты:

Прайс-листы, цены:

Обсуждения, статьи, мануалы:

Дождитесь окончания поиска во всех базах.

По завершению появится ссылка для доступа к найденным материалам.

Содержание:

  • Светоизлучающие диоды
  • Гост уго диоды
  • Светодиоды и фотодиоды
  • Гост светодиод уго
  • Условные графические обозначения диодов в схемах
  • Размеры обозначений
  • Обозначение диода на схеме гост

ПОСМОТРИТЕ ВИДЕО ПО ТЕМЕ: UGO-V Крутая Сига Новинка Посылка из Китая ALIEXPRESS

Светоизлучающие диоды


Диод и полупроводники, созданные на его основе специальные диодыкак и любой другой радиоэлемент, имеет гост Канал проводимости для полевых транзисторов: Обозначения Главная Условное обозначение диодов, варикапов, светодиодов на схемах Диоды — простейшие полупроводниковые диоды, основой которых является электронно-дырочный переход p-n-переход. Вы можете встретить эти элементы в любой схеме схеме, нельзя недооценивать их важность и характеристики.

Главная Технические моменты Обозначение разных типов диодов на схеме. Обозначение УЗО и дифференциального автомата. Справочник по отечественным диодам Справочник по отечественным стабилитронам Справочник по импортным диодам Справочник по импортным диодным гостам.

Символы общего применения ГОСТ. Резисторы ГОСТ. Конденсаторы ГОСТ. Катушки индуктивности, дроссели и трансформаторы ГОСТ. Электровакуумные приборы ГОСТ. Назовите буквенный код обозначения диодов. Назовите буквенный код обозначения транзисторов?

Назовите буквенный код обозначения звонков, зуммеров и гидрофонов. Примеры построения обозначений полупроводниковых диодов. Диод Общее обозначение. Диод туннельный. Диод обращенный. Стабилитрон диод лавинный выпрямительный а односторонний. Диод теплоэлектрический. Варикап диод емкостной.

Диод двунаправленный. Модуль с несколькими например, тремя одинаковыми диодами с общим анодным и самостоятельными катодными выводами.

Диод Шоттки. Обозначения условные графические на схемах. ГОСТ Таблица 7. Графические обозначения трубопроводной арматуры. Обозначения условные графические в схемах.

ГОСТ Издательство стандартов. Государственный стандарт союза сср. Единая система конструкторской документации. Приборы полупроводниковые. Unified system for design documentation. Graphical symbols in diagrams. Semiconductor devices. Примеры построения обозначений полупроводниковых диодов приведены в табл. Таблица 5. Общее обозначение. Стабилитрон диод лавинный выпрямительный. Примеры построения обозначений прочих полупроводниковых приборов. Примеры изображения типовых схем на полупроводниковых диодах.

Условные графические обозначения полупроводниковых приборов для схем. Приложение 2 справочное. Размеры в модульной сетке основных условных графических обозначений. Поиск в тексте. Приборы полупроводниковые с Изменениями N. Обозначение диода. Изображение диодной оптопары. УГО транзистора в данном случае npn. Обозначение предохранителя. УГО осветительных приборов. Рассмотрим, как на принципиальной схеме отображаются электрические лампы. Пример того, как указываются лампочки на схемах ГОСТ.

Описание обозначений: А — Общее изображение ламп накаливания ЛН. Слева — действующее условное графическое обозначение диода, справа — в соответствии с ГОСТом от г.

Если диоды собираются в выпрямительные мосты, то каждый прибор может изображаться отдельно, а может и в виде ромба с изображением диода без выводов посредине.

Полярность выходного напряжения моста при этом обозначается расположением рисунка диода без выводов: Один и тот же диодный мост, изображенный по-разному, но, тем не менее, верно. Обозначение наносится по возможности сверху или справа, сразу под ил. Глава 2. Короткая черточка, перпендикулярная этой стрелке, символизирует катод. Диод: общее обозначение.

Полярность выпрямленного моста напряжения на схемах не указывают, так как ее однозначно определяет символ диода. Однофазные мосты, конструктивно объединенные в одном корпусе, изображают отдельно, показывая принадлежность к одному изделию в позиционном обозначении см.

Условные графические обозначения подобных устройств в ГОСТе формально не предусмотрены, но на практике широко используются символы, подобные HL3, показанному на рис. Сегменты подобных индикаторов обозначаются строчными буквами латинского алфавита но часовой стрелке, начиная с верхнего. Search for: Search. Скачать обозначение диода на схеме гост djvu Диод и полупроводники, созданные на его основе специальные диодыкак и любой другой радиоэлемент, имеет гост Older posts.


Гост уго диоды

Диоды, как и все полупроводниковые приборы, управляются принципами, описанными в квантовой физике. Одним из этих принципов является излучение лучистой энергии определенной частоты всякий раз, когда электроны падают с более высокого энергетического уровня на более низкий энергетический уровень. Это тот же принцип работы, что и в неоновой лампе, характерно розово-оранжевое свечение ионизированного неона из-за спецефических энергетических переходов его электронов при протекании электрического тока. Уникальный цвет свечения неоновой лампы связан с тем, что внутри трубки находится неоновый газ, а не с величиной тока, протекающего через трубку, и не с напряжением, приложенным к двум электродам.

Настоящий стандарт устанавливает правила построения условных графических обозначений полупроводниковых приборов на схемах, выполняемых.

Светодиоды и фотодиоды

Сразу оговорюсь, что статья будет посвящена не только как обозначается светодиод на схеме, но и диодов как таковых, ввиду того, что они являются прародителями LED. Издревле электроника строилась на электровакуумных приборах и именно оттуда телевизионные лампы носили названия как: диоды, триоды, пентоды и т. Название диодов построено по количеству электродов ножек прибора — диоды два , триод три и т. Главное свойство любого диода — характеристика проводимости. Обозначение диода на схеме позволяет определить направление тока. Движение тока всегда будет совпадать со стрелкой на Условно-Графическом Обозначении. УГО — элемент значок которым обозначается диод на схеме. Рассмотрим ряд наиболее распространенных видов полупроводников на схеме от других подобных элементов. Оглавление: Обозначение светодиодов и фотодиов на схеме Как обозначается светодиод на схеме Обозначение фотодиодов на схеме Графические обозначения распространенных диодов на схеме Простой диод на схеме Схема диода Шоттки Схема диода Зенера Схема варикапа Заключение по светодиодам на схемах.

Гост светодиод уго

Обозначения условные графические в схемах. Разрядники, предохранители. Резисторы, конденсаторы. Приборы электроизмерительные. Приборы электровакуумные и полу- Диод, стабилитрон.

Unified system for design documentation. Graphic designations in electric diagrams.

Условные графические обозначения диодов в схемах

Схемы следует выполнять с учетом требований по разрешению:. Формат файлов со схемами —. Номинал 5,1 обозначает 5,1 пФ; — пФ;. Индуктивность до мкГн обозначают в микрогенри обозначение на схемах — мкГн , от 1 до мГн — в миллигенри мГн , от 1 Гн и выше — в генри Гн. Ну, а теперь — об особенностях применения УГО некоторых элементов в схемах. Сохраняют «привязку» к основному символу при повороте УГО и наклонные черточки, обозначающие мощность рассеяния резистора менее 0,5 Вт.

Размеры обозначений

При изучении электроники возникает вопрос, как читать электрические схемы. Естественным желанием начинающего электронщика или радиолюбителя является спаять какое-то интересное электронное устройство. Однако на начальном пути достаточных теоретических знаний и практических навыков как всегда не хватает. Поэтому устройство собирают вслепую. И часто бывает, что спаянное устройство, на которое было затрачено много времени, сил и терпения, — не работает, что вызывает только разочарование и отбивает желание у начинающего радиолюбителя заниматься электроникой, так и не ощутив все прелести данной науки. Хотя, как оказывается, схема не заработала из-за допущения сущего пустяковой ошибки. На исправление такой ошибки у более опытного радиолюбителя ушло бы меньше минуты.

УГО светодиода имеет вид треугольника с риской у его вершины; и двумя стрелочками, острия которых направлены от треугольника.

Обозначение диода на схеме гост

Уго энергетическое ГОСТ Если все диоды в узлах матрицы включены идентично, то допускается применять упрощенный гост изображения. Светодиодные лампы дневного освещения. Фотодиодприбор обратный по своему действию от светодиода.

Светодиод — это полупроводниковый прибор, который излучает свет при пропускании через него тока в прямом направлении. Светодиод в электрической цепи ведёт себя также как обычный диод , только прямое напряжение светодиода в зависимости от типа светодиода составляет от 1,5 до 2,5 В, то есть при прямом включении светодиода падение напряжения на нём составляет 1,5…2,5 В. Этот эффект иногда используется в стабилизаторах напряжения, когда требуется получить стабильное напряжение в диапазоне 1,5…2,5 В см. Рабочий ток светодиода лежит обычно в диапазоне 5…20 мА, поэтому практически во всех случаях питание светодиода выполняется через гасящий резистор. Рабочий ток указывается в справочниках.

Излучаемый светодиодом свет лежит в узком диапазоне спектра. Диапазон излучения светодиода во многом зависит от химического состава использованных полупроводников.

Условные графические обозначения диодов в схемах и технической документации установлены стандартом ГОСТ 2. Условные графические обозначения диодов в схемах и технической документации. Перепечатка возможна только по согласованию с владельцем авторских прав. Программирование Схемотехника Умный дом О проекте. Конструирование схем Обозначения и соглашения Физика полупроводников Полупроводниковые приборы Виды и параметры диодов Назначение и классификация Стандарты Обозначения в схемах Системы нумерации Цветовая маркировка Параметры диодов Применение диодов Надежность и правила монтажа Виды и параметры транзисторов Выпрямительные диоды Универсальные и импульсные диоды Стабилитроны и стабисторы Ограничители напряжения Варикапы Туннельные диоды Диоды СВЧ Светодиоды Фотодиоды Генераторы шума Биполярные транзисторы БТ Полевые транзисторы ПТ Цепи преобразования напряжений Цепи смещения транзисторных каскадов Усилительные каскады и устройства Стабилизаторы и источники опорного напряжения Схемы обработки аналоговых сигналов Цифро-импульсные узлы и коммутаторы Детекторы Смесители Генераторы и преобразователи Проектирование и расчет транзисторных схем Примеры схем и проектов Справочник. Условные графические обозначения диодов в схемах. Схемотехника — Схемотехника и конструирование схем.

Диод и полупроводники, созданные на его основе специальные диоды , как и любой другой радиоэлемент, имеет на схеме свое собственное характерное обозначение. На рисунке ниже слева — обозначение обычного диода по действующему стандарту, а справа — неколько устаревшее, но все еще часто встречающееся:. Слева — действующее условное графическое обозначение диода, справа — в соответствии с ГОСТом от г.


Гибридный фотодиод для систем слежения за солнцем

  • Aoki Y (2017) Фотоэлектрические характеристики органических фотоэлектрических элементов для сбора энергии в помещении. Приложение Org Electron Physics Mater 48: 194–197. https://doi.org/10.1016/j.orgel.2017.05.023

    Статья КАС Google Scholar

  • «>

    Гозех Б.А., Карабулут А., Йылдыз А., Якупаноглу Ф. (2018) Наночастицы ZnO, чувствительные к солнечному свету, отрегулированные с использованием фотодетектора cd и La. J Alloys Compd 732: 16–24. https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2017.10.167

    Артикул КАС Google Scholar

  • Al-Hazmi FE, Yakuphanoglu F (2018) Фотопроводящие и фотогальванические свойства композитного ZnO:TiO2/p-кремниевого гетеропереходного фотодиода. Кремний. 10: 781–787. https://doi.org/10.1007/s12633-016-9530-9

    Статья КАС Google Scholar

  • Карабулут А., Орак И., Тюрют А. (2018) Фотогальваническое воздействие осажденного атомного слоя TiO 2 межфазный слой на фотодиодах на основе кремния. Твердотельный электрон 144: 39–48. https://doi.org/10.1016/j.sse.2018.02.016

    Статья КАС Google Scholar

  • «>

    Huang H, Zhao Q, Hong K, Xu Q, Huang X (2014) Оптические и электрические свойства гетеропереходного фотодиода ZnO, легированного азотом. Phys E Низкоразмерные системные наноструктуры 57: 113–117. https://doi.org/10.1016/j.physe.2013.10.038

    Статья КАС Google Scholar

  • Сонг К., Ку С.И., Джун Т., Ли Д., Чон И., Мун Дж. (2011). J Cryst Growth 326:23–27

    Статья КАС Google Scholar

  • Якупаноглу Ф. (2010). J Alloys Compd 507:184–189

    Артикул КАС Google Scholar

  • Аслан М.С., Оздал Т., Кавак К. (2019) Производство и характеристика устройств на основе ZnO / Cu2O, выращиваемых методом центрифугирования. J Mater Electron Device 1(1):37–40

    Google Scholar

  • «>

    Фараг А.А.М., Фарук В.А., Якупаноглу Ф. (2011). Microelectron Eng 88:2894–2899

    Статья КАС Google Scholar

  • Аксой С., Рузгар С. (2019) Влияние азота на оптические свойства пленки ZnO, осажденной золь-гель методом. J Mater Electron Device 1(1):29–33

    Google Scholar

  • Орак И., Коджигит А., Турут А. (2017) Свойства морфологии поверхности и реакция на световое воздействие фотодиода ZnO/n-Si методом осаждения подготовленного атомного слоя. J Alloys Compd 691: 873–879. https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2016.08.295

    Статья КАС Google Scholar

  • Ameen S, Park DR, Shaheer Akhtar M, Shin HS (2016) Электрод на основе наноструктур ZnO, похожий на лист лотоса, для изготовления химического датчика этилацетата. Mater Lett 164: 562–566. https://doi. org/10.1016/j.matlet.2015.11.055

    Артикул КАС Google Scholar

  • Dragonetti C, Valore A, Colombo A, Magni M, Mussini P, Roberto D, Ugo R, Valsecchi A, Trifiletti V, Manfredi N, Abbotto A (2013) Комплексы оксихинолятов рутения для сенсибилизированных красителем солнечных элементов. Inorganica Chim Acta 405: 98–104. https://doi.org/10.1016/j.ica.2013.05.006

    Статья КАС Google Scholar

  • Аджимша Р.С., Ваная К.А., Джаярадж М.К., Мисра П., Диксит В.К., Кукрея Л.М. (2007) Прозрачный диодный гетеропереход p-AgCoO2/n-ZnO, изготовленный методом импульсного лазерного осаждения. Тонкие твердые пленки 515(18):7352–7356. https://doi.org/10.1016/j.tsf.2007.03.002

    Артикул КАС Google Scholar

  • Гюнназ С., Оздемир Н., Даян С., Даян О., Четинкая Б. (2011) Синтез комплексов рутения (II), содержащих тридентатные триаминовые (‘ŇŇN’) и бидентатные диаминовые лиганды (ŇN’): в качестве катализаторов переносного гидрирования кетонов. Металлоорганические соединения. 30:4165–4173. https://doi.org/10.1021/om200470p

    Статья КАС Google Scholar

  • Boujnah M, Boumdyan M, Naji S, Benyoussef A, El Kenz A, Loulidi M (2016) Высокая эффективность пропускания и электропроводность легированного V ZnO, используемого в солнечных элементах. J Alloys Compd 671: 560–565. https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2016.02.107

    Статья КАС Google Scholar

  • Карабулут А., Дере А., Даян О., Аль-Сехеми А.Г., Сербетчи З., Аль-Гамди А.А., Якупаноглу Ф. (2019) Фотодетектор на основе кремния с органической прослойкой комплексов Ru (II). Mater Sci Semicon Process 91: 422–430. https://doi.org/10.1016/j. mssp.2018.11.035

    Статья КАС Google Scholar

  • Karataş Ş, El-Nasser HM, Al-Ghamdi AA, Yakuphanoglu F (2018) Легированные Ru ZnO/p-Si гетеропереходные диоды с высокой фоточувствительностью методом золь-гель. Кремний. 10: 651–658. https://doi.org/10.1007/s12633-016-9508-7

    Статья КАС Google Scholar

  • Фарук В.А., Эльгаззар Э., Дере А., Даян О., Сербетчи З., Карабулут А., Атиф М., Ханиф А. (2019) Фотоэлектрические характеристики новых фотодиодов на основе комплексов Ru(II). J Mater Sci Mater Electron 30 (6): 5516–5525. https://doi.org/10.1007/s10854-019-00845-9

    Статья КАС Google Scholar

  • Soylu M, Orak I, Dayan O, Serbetci Z (2015) Новый фотодиод на основе комплекса рутения (II), содержащего полидентатный пиридин в качестве фотокатализатора. Microelectron Reliab 55: 2685–2688. https://doi.org/10.1016/j.microrel.2015.08.004

    Артикул КАС Google Scholar

  • Татароглу А., Окая Р., Дере А., Даян О., Сербетчи З., Аль-Сехеми А.Г., Сойлу М., Аль-Гамди А.А., Якупаноглу Ф. (2018) Фотодиод на основе комплекса рутения (II) для органических электронных приложений. J Electron Mater 47: 828–833. https://doi.org/10.1007/s11664-017-5882-1

    Статья КАС Google Scholar

  • Татароглу А (2019) Анализ вольт-амперных характеристик (ВАХ) МДП устройства в зависимости от гамма-облучения. Устройство J Mater Electron 1(1):6–10

    Google Scholar

  • Ильхан М. (2019) Электрические характеристики органического полупроводника/золотого диода Al/флуоресцеина натриевой соли методами вольт-амперного и вольт-емкостного. Журнал материалов и электронных устройств 1(1):11–16

    Google Scholar

  • Forrest SR (1997) Ультратонкие органические пленки, выращенные методом молекулярно-лучевого осаждения органических соединений и родственными методами. Chem Rev 2665:1793–1896

    Статья Google Scholar

  • Altındal S (2019) О происхождении увеличения высоты барьера и снижения коэффициента идеальности с повышением температуры в Ag/SiO2/p-Si (MIS) диодах с барьером Шоттки (SBD). J Mater Electron Device 1(1):38–43

    Google Scholar

  • Al Orainy RH, Hendi AA (2014) Изготовление и электрические характеристики фотосенсоров CdO/p-Si. Микроэлектрон Eng 127: 14–20. https://doi.org/10.1016/j.mee.2014.02.014

    Статья КАС Google Scholar

  • «>

    Чичек О., Тецимер Х.У., Тан С.О., Тецимер Х., Алтиндал И.У. (2016) Оценка электрических и фотоэлектрических характеристик в сравнении с диодами Au/n-GaAs (MS) с чистым и легированным графеном (Gr) и без него межфазный слой из поливинилового спирта (ПВС) в темных и освещенных условиях. Композиции, часть B, англ. 98: 260–268. https://doi.org/10.1016/j.compositesb.2016.05.042

    Статья КАС Google Scholar

  • Card HC, Rhoderick EH (1971) Исследования туннельных МОП-диодов I. Интерфейсные эффекты в кремниевых диодах Шоттки Journal of Physics D: Applied Physics 4(10):1589

    CAS Google Scholar

  • Севгили О., Лафзи Ф., Карабулут А., Орак И., Байындыр С. (2019) Синтез новых бола-амфифильных ТПЭ и сравнение механизма трансформатора тока и структурных свойств для Al/Bis (HCTA)-TPE/p -Si и Al/Bis (HCOA)-TPE/p-Si гетеропереходы. Составные части B 172: 226–233

    Артикул КАС Google Scholar

  • Четин Х., Айылдиз Э. (2007) Электрические свойства устройств металл-оксид-полупроводник, изготовленных на химически вытравленной подложке n-InP. Appl Surf Sci 253:5961–5966

    Статья КАС Google Scholar

  • Карабулут А., Дере А., Аль-Сехеми А.Г., Аль-Гамди А.А., Якупаноглу Ф. (2018) Оксид кадмия: фоточувствительный диод на основе композита диоксида титана. Дж Электрон Матер 47 (12): 7159–7169

    Артикул КАС Google Scholar

  • Touhami R, Ravelet S, Yagoub MCE, Baudrand H (2003) Влияние кислородной плазмы на электрические и физические параметры структур Au–оксид–n-InP. J Appl Phys 94:6574–6578

    Статья КАС Google Scholar

  • «>

    Николлиан Э. Х., Брюз Дж. Р. (1982) Физика и технология MOS. Уайли, Нью-Йорк

    Google Scholar

  • Шарма М., Трипати С.К. (2016) Зависимость характеристик проводимости Al/Al2O3/ПВА: n-ZnSe-диоды с барьером Шоттки от частоты и напряжения. Mater Sci Semicond Process 41:155–161

    Статья КАС Google Scholar

  • Алтындал С., Услу Х. (2011) Происхождение аномального пика и отрицательной емкости в вольт-фарадных характеристиках прямого смещения структур au/PVA/n-Si. Дж. Эппл Физ 109:074503

    Артикул КАС Google Scholar

  • Редди В.Р., Умапати А., Рао Л.Д. (2013) Влияние отжига на электронные параметры au/поли(этилметакрилата)/n-InP диода Шоттки с органической прослойкой. Curr Appl Phys 13:1604–1610

    Статья Google Scholar

  • «>

    Al-Sehemi AG, Mensah-Darkwa K, Al-Ghamdi AA, Soylu M, Gupta RK, Yakuphanoglu F (2017) Композитные кремниевые фотодиоды CuFe1−xSnxO2/p-типа. Spect Acta Часть A 180:110–118

    Артикул КАС Google Scholar

  • Четинкая Х.Г., Севгили О., Алтындал С. (2019) Изготовление фотодиода типа Al/p-Si (MS) с (% 2 ZnO-легированным CuO) межфазным слоем методом золь-гель и их электрические характеристики. Phys B Condens Matter 560:91–96

    Статья КАС Google Scholar

  • Вагех С., Карабулут А., Дере А., Аль-Сехеми А.Г., Аль-Гамди А.А., Эль-Тантави Ф., Якупаноглу Ф. (2018) Фотодиод на основе Pb 0,9Полупроводник из тройного сплава Cd 0,1 S для систем слежения за солнцем. J Mater Sci Mater Electron 29(19):16880–16893

    Статья КАС Google Scholar

    • Рынок диодов Шоттки в 2022 г.

    Применение, регионы и ключевые игроки

    Отчет об исследовании рынка Глобальный рынок диодов Шоттки в 2022 г. исследования и измерения текущих рыночных сил, которые отражают направление роста и целостные тенденции роста. В отчете содержится краткая сводка оценки мирового рынка диодов Шоттки, размера рынка, оценки доходов и географических перспектив. В отчете описываются тенденции мирового рынка, конечные пользователи, регионы и типы, связанные с услугами. Исследование описательно рисует конкурентную среду выдающихся игроков, управляющих рынком, включая их предложения продуктов и планы роста. Подробный обзор рынка дается с учетом истории рынка и очень конкретного прогноза на период с 2022 по 2028 год в соответствии с прошлым.

    Доступ к бесплатным образцам страниц: https://www.marketandresearch.biz/sample-request/245078

    Описание рынка:

    Данные, связанные с глобальным рынком диодов Шоттки по продуктам, стратегиям и доле рынка компаний-лидеров этого рынка. В отчете также определяются потенциальные рыночные риски, препятствия, угрозы и неопределенности. Демонстрация тех ключевых игроков рынка, продавцов и провайдеров также хорошо разбираются. Кроме того, в отчете подробно рассматриваются ограничения и водители. Уникальность мирового рынка, отраженная в отчете, оценивается с точки зрения внутренней и технологической позиции, чтобы лучше понять отрасль. Темпы роста, достигнутые каждым регионом за прогнозируемый период, показаны в отчете.

    Competitive rivalry scenario for the global Schottky Diode market:

    • Rohm Semiconductor
    • Littelfuse
    • Central Semiconductor
    • Toshiba
    • Renesas Electronics
    • STMicroelectronics
    • ON Semiconductor
    • Bourns
    • Vishay
    • Broadcom
    • Avago Technologies
    • NIC Components
    • Diodes Incorporated

    Географический анализ:

    Каждая географическая часть глобальной витрины индустрии диодов Шоттки была свободно просмотрена рядом с оценкой, распространением и запросом информации для основного географического рынка. В отчете представлена ​​подробная разбивка мирового рынка по регионам и классификация на различных уровнях. Анализ региональных сегментов, показывающий региональный объем производства, объем потребления, выручку и темпы роста за период с 2022 по 2028 год, охватывает:

    • Северную Америку (США, Канаду и Мексику)
    • Европа (Германия, Франция, Великобритания, Россия, Италия и остальные страны Европы)
    • Азиатско-Тихоокеанский регион (Китай, Япония, Корея, Индия, Юго-Восточная Азия и Австралия)
    • Южная Америка (Бразилия, Аргентина, Колумбия) и остальная часть Южной Америки)
    • Ближний Восток и Африка (Саудовская Аравия, ОАЭ, Египет, Южная Африка и остальная часть Ближнего Востока и Африки)

    В зависимости от продукта в этом отчете показаны производство, доход, цена, доля рынка и темпы роста каждого типа, в основном разделенные на:

    • SMD
    • Радиальный вывод

    Получите всесторонний анализ рынка диодов Шоттки: https://www. marketandresearch.biz/report/245078/global-schottky-diode-market-2022-by- производители-регионы-тип-и-прогноз-применения-до-2028

    На основе применения в этом отчете отображаются производство, выручка, цена, доля рынка и темпы роста каждого типа, в основном разделенные на:

    • Импульсный блок питания
    • Инвертор
    • Драйвер
    • Другие

    Причины для покупки этого отчета:

    • Отчет позволяет читателям и участникам рынка осознать всестороннее ноу-хау и знания о диоде Шоттки, наблюдаемые с помощью динамики рынка и развития.
    • Он показывает правильные рыночные данные для дистрибьюторов, производителей продукции, компаний, заинтересованных сторон, будущих участников и финансовых аналитиков.
    • В отчете представлена ​​подробная оценка всего рынка
    • В отчет также включены данные о продуктах, предлагаемых производителями, а также о спецификациях продуктов и их основных областях применения.
    • Обсуждается сырье для разведки и оценка спроса на переработку. .marketandresearch.biz

      Вы можете проверить наш другой отчет @

      Рынок свежих макаронных изделий в 2022 г. Всесторонний анализ ведущих игроков – Джованни Рана, Оливьери (Ebro Foods), Voltan SpA, Ugo Foods Group

      Рост рынка наземных систем лазерного сканирования, предварительные исследования и объем продукции в 2029 г. | Ведущими компаниями являются Hexagon Geosystems, Trimble, Zoller + Frohlich, Teledyne Optech

      Углубленный анализ рынка бустерных насосов в 2022 году с упором на ведущих ключевых игроков: Xylem, Grundfos, KARCHER, Franklin Electric

      Рынок временного производства электроэнергии Тип продукта, географические районы , Анализ Pestel, включая ключевых игроков, таких как Aggreko, HSS, Power Electrics, Generator Power

      Обзор рынка липучек (Hook & Loop) Ключевые стратегические направления и разработки ключевых игроков Velcro, 3M, APLIX, Kuraray Group

      CDN Newswire
      16 января 2023, 22:32 GMT+11


      Отчет об исследовании рынка Глобальный рынок диодов Шоттки 2022 исследования и измерения с помощью текущих рыночных сил, которые отражают направление роста и целостные тенденции роста. В отчете содержится краткая сводка оценки мирового рынка диодов Шоттки, размера рынка, оценки доходов и географических перспектив. В отчете описываются тенденции мирового рынка, конечные пользователи, регионы и типы, связанные с услугами. Исследование описательно рисует конкурентную среду выдающихся игроков, управляющих рынком, включая их предложения продуктов и планы роста. Подробный обзор рынка дается с учетом истории рынка и очень конкретного прогноза на период с 2022 по 2028 год в соответствии с прошлым.

      Доступ к бесплатным образцам страниц: https://www.marketandresearch.biz/sample-request/245078

      Описание рынка:

      Данные, связанные с глобальным рынком диодов Шоттки по продуктам, стратегиям и доле рынка компаний-лидеров этого рынка. В отчете также определяются потенциальные рыночные риски, препятствия, угрозы и неопределенности. Демонстрация тех ключевых игроков рынка, продавцов и провайдеров также хорошо разбираются. Кроме того, в отчете подробно рассматриваются ограничения и водители. Уникальность мирового рынка, отраженная в отчете, оценивается с точки зрения внутренней и технологической позиции, чтобы лучше понять отрасль. Темпы роста, достигнутые каждым регионом за прогнозируемый период, показаны в отчете.

      Competitive rivalry scenario for the global Schottky Diode market:

      • Rohm Semiconductor
      • Littelfuse
      • Central Semiconductor
      • Toshiba
      • Renesas Electronics
      • STMicroelectronics
      • ON Semiconductor
      • Bourns
      • Vishay
      • Broadcom
      • Avago Technologies
      • NIC Components
      • Diodes Incorporated

      Географический анализ:

      Каждая географическая часть глобальной витрины индустрии диодов Шоттки была свободно просмотрена рядом с оценкой, распространением и запросом информации для основного географического рынка. В отчете представлена ​​подробная разбивка мирового рынка по регионам и классификация на различных уровнях. Анализ региональных сегментов, показывающий региональный объем производства, объем потребления, выручку и темпы роста за период с 2022 по 2028 год, охватывает:

      • Северную Америку (США, Канаду и Мексику)
      • Европа (Германия, Франция, Великобритания, Россия, Италия и остальные страны Европы)
      • Азиатско-Тихоокеанский регион (Китай, Япония, Корея, Индия, Юго-Восточная Азия и Австралия)
      • Южная Америка (Бразилия, Аргентина, Колумбия) и остальная часть Южной Америки)
      • Ближний Восток и Африка (Саудовская Аравия, ОАЭ, Египет, Южная Африка и остальная часть Ближнего Востока и Африки)

      В зависимости от продукта в этом отчете показаны производство, доход, цена, доля рынка и темпы роста каждого типа, в основном разделенные на:

      • SMD
      • Радиальный вывод

      Получите всесторонний анализ рынка диодов Шоттки: https://www.marketandresearch.biz/report/245078/global-schottky-diode-market-2022-by- производители-регионы-тип-и-прогноз-применения-до-2028

      На основе применения в этом отчете отображаются производство, выручка, цена, доля рынка и темпы роста каждого типа, в основном разделенные на:

      • Импульсный блок питания
      • Инвертор
      • Драйвер
      • Другие

      Причины для покупки этого отчета:

      • Отчет позволяет читателям и участникам рынка осознать всестороннее ноу-хау и знания о диоде Шоттки, наблюдаемые с помощью динамики рынка и развития.

    alexxlab

    Добавить комментарий

    Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *