0,5 ампера 20 Шотткы барьера вольт диода выпрямителя тока МБР0520ЛТ1

0,5 ампера 20 Шотткы барьера вольт диода выпрямителя тока МБР0520ЛТ1

Выпрямитель тока силы Шотткы использует принцип барьера Шотткы с металлом барьера это

производит оптимальную уступку течения дроп−реверсе пропускного напряжения. Идеально одетый для низшего напряжения,

высокочастотное выпрямление, или как диоды предохранения от свободно катить и полярности в поверхностном держателе

применения где компактный размер и вес критические к системе. Этот пакет обеспечивает

альтернатива к леадлесс пакету стиля 34 МЭЛФ. Эти приборы стате−оф−те−арт имеют
следующие особенности:

Особенности:

• Гуардринг для предохранения от стресса
• Очень низкое пропускное напряжение (0,38 в Макс @ 0,5 а, 25°К)
• работая температура соединения 125°К
• Эпоксидная смола встречает УЛ 94 В−0 @ 0,125 внутри
• Пакет конструированный для оптимального автоматизированного собрания доски

Механические данные

• Указатель полярности: Диапазон катода
• Вес: мг 11,7 (приблизительно)
• Случай: Отлитая в форму эпоксидная смола,
• Финиш: Весь Экстернал отделывает поверхность коррозионностойкий и терминальные руководства охотно Солдерабле
• Температура поверхности руководства и установки для паяя целей: 260°К максимальное на 10 секунд

МАКСИМАЛЬНЫЕ ОЦЕНКИ 

Стрессы превышая максимальные оценки могут повредить прибор. Максимальные оценки стресс

оценки только. Функциональная деятельность над порекомендованными эксплуатационными режимами не подразумевается.

Выдвинутое подвержение к стрессам над порекомендованными эксплуатационными режимами может повлиять на
надежность прибора.

ТЕРМАЛЬНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

Электрические характеристики

Размер:

Оплата
Мы признаваем ПайПал, ТТ, кредитную карточку, западное соединение, етк. Для другой оплаты, пожалуйста чувствуйте свободным к

свяжитесь я.

Доставка
1.Ве обычно польза ДХЛ/УПС/ТНТ/Федерал Экспресс/ЭМС/Арамекс етк…

2.Ве не ответственны за все аварии, задержки или должные к фестивалю или праздникам. Для этого возможно

больше дней доставки, так угождают терпеливы.
3. весь продукт будет погружен вне не позднее 1-5 рабочих дней после того как мы получим основание оплаты дальше

ваша правильная информация.

Характеристика и аналоги диода с барьером Шоттки 1n-5819

Диоды Шоттки – отдельный тип полупроводниковых приборов, в которых не используется p – n переход, элементом с односторонней проводимостью в них является зона контакта металла с полупроводником. Они часто называются диодом с барьером Шоттки, по имени германского исследователя Вальтера Шоттки, определившего свойства потенциального барьера в контактном слое металл – полупроводник, в том числе его выпрямительные свойства. Полупроводник в таких структурах – кремний или арсенид галлия, наиболее часто применяемые металлы – золото, серебро, платина.

Корпус DO-41

Общая информация

Диоды, использующие барьер Шоттки, широко распространены и обладают рядом свойств, отличных от кремниевых приборов с p – n переходом:

• При прямом включении диода Шоттки падение напряжения на нём в 2-3 раза ниже, чем у обычных выпрямительных. При значительном увеличении обратного напряжения (более 100 вольт) этот параметр увеличивается и приближается к значениям для стандартного диода, что определяет основной диапазон напряжений при использовании – десятки вольт;
• Малая ёмкость перехода, позволяющая работать на высоких частотах в цифровых схемах;
• Способность к быстрому восстановлению допускает применение в выпрямителях напряжения до 100 и более килогерц, например, в блоках питания компьютеров.

При необходимости использовать диод с барьером Шоттки на обратное напряжение не более 40 вольт и средний ток 1 ампер наибольшее распространение нашёл диод 1N5819.

Диоды выпускаются в пластмассовом корпусе JEDEC DO – 41 с аксиальными выводами для монтажа ТНТ – установки в отверстия печатной платы, параллельно или перпендикулярно поверхности. Рядом с отрицательным выводом (катод) наносится кольцевая полоска.

Также производится в корпусе SMA (DO – 214AC) для SMD-монтажа, маркируются как SS14. Катод указывается аналогично обозначению на ТНТ – на корпусе.

In5819 для поверхностного монтажа

Электрические параметры

Для любого исполнения корпуса 1N5819 характеристики полностью идентичны:

• Пиковое и максимальное рабочее обратное напряжение – 40 В;
• Переменное обратное напряжение – 28 В;
• Выпрямленный ток (средний) – 1 А;
• Общая ёмкость кристалла и корпуса – 110 пФ;
• Рабочая температура – от -65 до +125 оС.

Важно обратить внимание на одинаковые величины обратных напряжений – пикового и рабочего. Такая особенность параметров свойственна практически всем диодам Шоттки – высокая чувствительность даже к небольшому превышению допустимого обратного напряжения.

Особенности применения

Особенности технологии производства диодов с барьером Шоттки накладывают ограничение на их применение в схемах с возможным увеличением относительно указанного в описании обратного напряжения. В таких ситуациях прибор выходит из строя очень быстро. В выпрямителях импульсных блоков питания применяются совместно со снаббером цепочки из последовательно включённых резистора и конденсатора для подавления высокочастотных импульсов. In5819 часто применяется как шунтирующий выводы сток – исток MOSFET транзисторов небольшой мощности.

Необходимо обратить внимание на отвод тепла от корпуса. Несмотря на то, что рабочая температура диода 125 оС, чрезмерный нагрев может спровоцировать неконтролируемый рост обратного тока, с неминуемым пробоем перехода или его разрушением.

Если обратное напряжение не более 30 вольт, можно использовать диод 1N5818, а до 20 вольт – 1N5817. Производители электронных компонентов выпускают множество ближайших и полных аналогов, как с обозначением типа 1N5819, так и другими: 11DQ03 – фирмы IOR, BYV10 – PHILIPS. Диод 1N5819 – прототип отечественного (белорусской компании «Интеграл») изделия КДШ2105В, это диод Шоттки с аналогичными параметрами, но в корпусе ТО – 92 (КТ – 26).

Видео

ЭлектроВести — Выпрямительные диоды

Диод – двухэлектродный полупроводниковый прибор с одним p–n-переходом, обладающий односторонней проводимостью тока.

Существует много различных типов диодов – выпрямительные, импульсные, туннельные, обращенные, сверхвысокочастотные диоды, а также стабилитроны, варикапы, фотодиоды, светодиоды и др.

Выпрямительные диоды

Работа выпрямительного диода объясняется свойствами электрического p–n-перехода.

Вблизи границы двух полупроводников образуется слой, лишенный подвижных носителей заряда (из-за рекомбинации) и обладающий высоким электрическим сопротивлением, – так называемый запирающий слой. Этот слой определяет контактную разность потенциалов (потенциальный барьер).

Если к p–n-переходу приложить внешнее напряжение, создающее электрическое поле в направлении, противоположном полю электрического слоя, то толщина этого слоя уменьшится и при напряжении 0,4 — 0,6 В запирающий слой исчезнет, а ток существенно возрастет (этот ток называют прямым).

При подключении внешнего напряжения другой полярности запирающий слой увеличится и сопротивление p–n-перехода возрастет, а ток, обусловленный движением неосновных носителей заряда, будет незначительным даже при сравнительно больших напряжениях.

Прямой ток диода создается основными, а обратный – неосновными носителями заряда. Положительный (прямой) ток диод пропускает в направлении от анода к катоду.

На рис. 1 показаны условное графическое обозначение (УГО) и характеристики выпрямительных диодов (их идеальная и реальная вольт-амперная характеристики). Видимый излом вольт-амперной характеристики диода (ВАХ) в начале координат связан с различными масштабами токов и напряжений в первом и третьем квадранте графика. Два вывода диода: анод А и катод К в УГО не обозначаются и на рисунке показаны для пояснения.

На вольт-амперная характеристика реального диода обозначена область электрического пробоя, когда при небольшом увеличении обратного напряжения ток резко возрастает.

Электрический пробой является обратимым явлением. При возвращении в рабочую область диод не теряет своих свойств. Если обратный ток превысит определенное значение, то электрический пробой перейдет в необратимый тепловой с выходом прибора из строя.

Рис. 1. Полупроводниковый выпрямительный диод: а – условное графическое изображение, б – идеальная вольт-амперная характеристика, в – реальная вольт-амперная характеристика

Промышленностью в основном выпускаются германиевые (Ge) и кремниевые (Si) диоды.

Кремниевые диоды обладают малыми обратными токами, более высокой рабочей температурой (150 — 200 °С против 80 — 100 °С), выдерживают большие обратные напряжения и плотности тока (60 — 80 А/см2 против 20 — 40 А/см2). Кроме того, кремний – широко распространенный элемент (в отличие от германиевых диодов, который относится к редкоземельным элементам).

К преимуществам германиевых диодов можно отнести малое падение напряжения при протекании прямого тока (0,3 — 0,6 В против 0,8 — 1,2 В). Кроме названных полупроводниковых материалов, в сверхвысокочастотных цепях используют арсенид галлия GaAs.

Полупроводниковые диоды по технологии изготовления делятся на два класса: точечные и плоскостные.

Точечный диод образуют Si- или Ge-пластина n-типа площадью 0,5 — 1,5 мм2 и стальная игла, образующая p–n-переход в месте контакта. В результате малой площади переход имеет малую емкость, следовательно, такой диод способен работать в высокочастотных цепях. Но ток через переход не может быть большим (обычно не более 100 мА).

Плоскостной диод состоит из двух соединенных Si- или Ge-пластин с разной электропроводностью. Большая площадь контакта ведет к большой емкости перехода и относительно низкой рабочей частоте, но проходящий ток может быть большим (до 6000 А).

Основными параметрами выпрямительных диодов являются:

– максимально допустимый прямой ток Iпр.max,

По первому параметру выпрямительные диоды делят на диоды:

– малой мощности, прямой ток до 300 мА,
– средней мощности, прямой ток 300 мА — 10 А,
– большой мощности – силовые, максимальный прямой ток определяется классом и составляет 10, 16, 25, 40,
— 1600 А.

Импульсные диоды применяются в маломощных схемах с импульсным характером подводимого напряжения. Отличительное требование к ним – малое время перехода из закрытого состояния в открытое и обратно (типичное время 0,1 — 100 мкс). УГО импульсных диодов такое же, как у выпрямительных диодов.

Рис.2. Переходные процессы в импульсных диодах: а – зависимость тока при переключении напряжения с прямого на обратное, б – зависимость напряжения при прохождении через диод импульса прямого тока

К специфическим параметрам импульсных диодов относятся:

– время восстановления Tвосст
– это интервал времени между моментом переключения напряжения на диоде с прямого на обратное и моментом, когда обратный ток уменьшится до заданного значения (рис 2,а),
– время установления Tуст – это интервал времени между началом протекания через диод прямого тока заданной величины и моментом, когда напряжение на диоде достигнет 1,2 установившегося значения (рис 2,б),
– максимальный ток восстановления Iобр.имп.макс., равный наибольшему значению обратного тока через диод после переключения напряжения с прямого на обратное (рис 2,а).

Обращенные диоды получают при концентрации примесей в p- и n-областях большей, чем у обычных выпрямительных диодов. Такой диод оказывает малое сопротивление проходящему току при обратном включении (рис.3) и сравнительно большое сопротивление при прямом включении. Поэтому их применяют при выпрямлении малых сигналов с амплитудой напряжения в несколько десятых вольта.

Рис. 3. УГО и ВАХ обращенных диодов

Диоды Шоттки получают, используя переход металл-полупроводник. При этом применяют подложки из низкоомного n-кремния (или карбида кремния) с высокоомным тонким эпитаксиальным слоем того же полупроводника (рис.4).

Рис. 4. УГО и структура диода Шоттки: 1 – низкоомный исходный кристалл кремния, 2 – эпитаксиальный слой высокоомного кремния, 3 – область объемного заряда, 4 – металлический контакт

На поверхность эпитаксиального слоя наносят металлический электрод, обеспечивающий выпрямление, но не инжектирующий неосновные носители в базовую область (чаще всего золото). Благодаря этому в этих диодах нет таких медленных процессов, как накопление и рассасывание неосновных носителей в базе. Поэтому инерционность диодов Шоттки не высока. Она определяется величиной барьерной емкости выпрямляющего контакта (1 — 20 пФ).

Кроме этого, у диодов Шоттки оказывается значительно меньшее, чем у выпрямительных диодов последовательное сопротивление, так как металлический слой имеет малое сопротивление по сравнению с любым даже сильно легированным полупроводником. Это позволяет использовать диоды Шоттки для выпрямления значительных токов (десятки ампер). Обычно их применяют в импульсных вторичных источниках питания для выпрямления высокочастотных напряжений (частотой до нескольких МГц).

Потапов Л. А.

Источник информации: Школа для электрика: электротехника от А до Я. Образовательный портал по электротехнике.

Читайте самые интересные истории ЭлектроВестей в Telegram и Viber

Глава 20. Диоды на основе р-n перехода . Введение в электронику

ЦЕЛИ

После изучения этой главы студент должен быть в состоянии:

• Описать, что такое диод на основе р-n перехода, и как его изготовляют.

• Дать определение обедненного слоя и потенциального барьера.

• Объяснить разницу между прямым смещением диода и обратным.

• Нарисовать схематическое обозначение диода и указать его электроды.

• Описать три конструкции диода.

• Перечислить чаще всего встречающиеся корпуса диодов.

• Проверить диоды с помощью омметра.

Диод — это простейший полупроводниковый прибор. Он позволяет току течь только в одном направлении. Знания, полученные при изучении диодов применимы также к другим типам полупроводниковых приборов.

20-1. р-n ПЕРЕХОД

Когда чистый полупроводниковый материал легируется пятивалентным или трехвалентным материалом, легированный материал называется полупроводником n— или р-типа, в зависимости от того, какие носители являются основными. В целом образец полупроводника любого типа является нейтральным, так как каждый атом содержит одинаковое число протонов и электронов.

Независимые электрические заряды существуют в полупроводниковых материалах каждого типа, так как электроны могут свободно дрейфовать. Дрейфующие электроны и дырки называются подвижными зарядами. Кроме подвижных зарядов, каждый атом, который теряет электрон, считается положительным зарядом, так как он имеет больше протонов, чем электронов. Аналогично, каждый атом, который присоединяет электрон, имеет больше электронов, чем протонов и считается отрицательным зарядом. Как указывалось в главе 1, эти заряженные атомы называются положительными и отрицательными ионами. В полупроводниковых материалах n— и р-типа всегда содержится равное количество подвижных и ионных зарядов.

Диод создается соединением двух полупроводников n- и р-типа (рис. 20-1). В месте контакта этих материалов образуется переход. Это устройство называется диодом на основе р-n перехода.

Рис. 20-1. Диод создается соединением вместе двух материалов р— и n-типа, образующих р-n переход.

При формировании перехода подвижные заряды в его окрестности притягиваются к зарядам противоположного знака и дрейфуют по направлению к переходу. По мере накопления зарядов этот процесс усиливается. Некоторые электроны перемещаются через переход, заполняя дырки вблизи перехода в материале р-типа. В материале n-типа в области перехода электронов становится меньше. Эта область перехода, где концентрация электронов и дырок уменьшена, называется обедненным слоем. Он занимает небольшую область с каждой стороны перехода.

В обедненном слое нет основных носителей, и материалы n-типа и р-типа не являются больше электрически нейтральными. Материал п-типа становится положительно заряженным вблизи перехода, а материал р-типа — отрицательно заряженным.

Обедненный слой не может стать больше. Взаимодействие зарядов быстро ослабевает при увеличении расстояния, и слой остается малым. Размер слоя ограничен зарядами противоположного знака, расположенными по обе стороны перехода. Как только отрицательные заряды располагаются вдоль перехода, они отталкивают другие электроны и не дают им пересечь переход. Положительные заряды поглощают свободные электроны и также не дают им пересечь переход.

Эти заряды противоположного знака, выстроившиеся с двух сторон перехода, создают напряжение, называемое потенциальным барьером. Это напряжение может быть представлено как внешний источник тока, хотя существует только на р-n переходе (рис. 20-2).

Рис. 20-2. Потенциальный барьер, существующий вблизи р-n перехода.

Потенциальный барьер довольно мал, его величина составляет только несколько десятых долей вольта. Типичные значения потенциального барьера — 0,3 вольта для р-n перехода в германии, и 0,7 вольта для р-n перехода в кремнии. Потенциальный барьер проявляется, когда к р-n переходу прикладывается внешнее напряжение.

20-1. Вопросы

1. Дайте определения следующих терминов:

а. Донорный атом;

б. Акцепторный атом;

в. Диод.

2. Что происходит, когда создается контакт материала n-типа и материала р-типа?

3. Как образуется обедненный слой?

4. Что такое потенциальный барьер?

5. Каковы типичные значения потенциального барьера для германия и кремния?

20-2. СМЕЩЕНИЕ ДИОДА

Напряжение, приложенное к диоду, называется напряжением смещения. На рис. 20-3 показан диод на основе р-n перехода, соединенный с источником тока. Резистор добавлен для ограничения тока до безопасного значения.

Рис. 20-3. Диод на основе р-n перехода при прямом смещении.

В изображенной цепи отрицательный вывод источника тока соединен с материалом n-типа. Это заставляет электроны двигаться от вывода по направлению к р-n переходу. Свободные электроны, накопившиеся на р-стороне перехода притягиваются к положительному выводу. Это уменьшает количество отрицательных зарядов на р-стороне, потенциальный барьер уменьшается, что дает возможность для протекания тока. Ток может течь только тогда, когда приложенное напряжение превышает потенциальный барьер.

Источник тока создает постоянный поток электронов, который дрейфует через материал n-типа вместе с содержащимися в нем свободными электронами. Дырки в материале р-типа также дрейфуют по направлению к переходу. Электроны и дырки собираются на переходе и взаимно уничтожаются. Однако в то время как электроны и дырки взаимно компенсируются, на выводах источника тока появляются новые электроны и дырки. Большинство носителей продолжает двигаться по направлению к р-n переходу, пока приложено внешнее напряжение.

Поток электронов через p-часть диода притягивается к положительному выводу источника тока. Как только электроны покидают материал р-типа, создаются дырки, которые дрейфуют по направлению к р-n переходу, где они взаимно компенсируются с другими электронами. Когда ток течет от материала n-типа к материалу р-типа, то говорят, что диод смещен в прямом направлении.

Ток, текущий через диод, смещенный в прямом направлении, ограничен сопротивлением материалов р— и n-типа и внешним сопротивлением цепи. Сопротивление диода невелико. Следовательно, подсоединение источника тока к диоду в прямом направлении создает большой ток. При этом может выделиться такое количество тепла, которого достаточно для разрушения диода. Для того, чтобы ограничить ток, последовательно с диодом необходимо включить резистор.

Диод проводит ток в прямом направлении только тогда, когда величина внешнего напряжения больше потенциального барьера. Германиевый диод требует минимальное прямое смещение 0,3 вольта; кремниевый диод — минимальное прямое смещение 0,7 вольта.

Когда диод начинает проводить ток, на нем появляется падение напряжения. Это падение напряжения равно потенциальному барьеру и называется прямым падением напряжения (Е_р). Падение напряжения равно 0,3 вольта для германиевого диода и 0,7 вольта для кремниевого диода. Величина прямого тока (I_к) является функцией приложенного напряжения (Е), прямого падения напряжения (Е_р) и внешнего сопротивления (R). Это соотношение можно получить с помощью закона Ома:

I = E/R,

I_F = (E — E_F)/R

_{ПРИМЕР: К кремниевому диоду, последовательно соединенному с резистором 150 ом, приложено напряжение смещения 12 вольт. Чему равен прямой ток через диод?}

 _Дано:

_{Е = 12 В; R = 150 Ом; ЕF = 0,7 В.}

_{IF =?} 

_{Решение:}

_{IF = (E — EF)/R = (12 — 0,7)/150}

_{IF = 0,075 А или 75 мА.}

В диоде, на который подано напряжение смещения в прямом направлении, отрицательный вывод внешнего источника тока соединен с материалом n-типа, а положительный вывод с материалом р-типа. Если эти выводы поменять местами, диод не будет проводить ток и про него говорят, что он смещен в обратном направлении (рис. 20-4).

Рис. 20-4. Диод на основе р-n перехода при обратном смещении.

В этой конфигурации свободные электроны в материале n-типа притягиваются к положительному выводу внешнего источника тока, что увеличивает количество положительных ионов в области р-n перехода, а, следовательно, увеличивает ширину обедненного слоя со стороны материала n-типа р-n перехода. Электроны также покидают отрицательный вывод источника тока и поступают в материал р-типа. Эти электроны заполняют дырки вблизи р-n перехода и служат причиной перемещения дырок по направлению к отрицательному выводу, что увеличивает ширину обедненного слоя со стороны материала р-типа р-n перехода. В результате обедненный слой становится шире, чем в несмещенном или смещенном в прямом направлении диоде.

Приложенное в обратном направлении напряжение смещения увеличивает потенциальный барьер. Если напряжение внешнего источника равно величине потенциального барьера, электроны и дырки не могут поддерживать протекание тока. При обратном напряжении смещения течет очень маленький ток, этот ток утечки называется обратным током (I_R) и существует благодаря наличию неосновных носителей. При комнатной температуре неосновных носителей очень мало. При повышении температуры создается больше электронно-дырочных пар. Это увеличивает количество основных носителей и ток утечки.

Все диоды с р-n переходом обладают малым током утечки. В германиевых диодах он измеряется в микроамперах; в кремниевых диодах — в наноамперах. Германий имеет больший ток утечки, так как он более чувствителен к температуре. Этот недостаток германия компенсируется его невысоким потенциальным барьером.

Суммируя вышесказанное, можно сказать, что диод на основе р-n перехода является устройством, пропускающим ток только в одном направлении. Когда смещен в прямом направлении — ток течет. Когда смещен в обратном направлении — течет только маленький ток утечки. Это свойство позволяет использовать диод в качестве выпрямителя. Выпрямитель преобразует переменное напряжение в постоянное.

20-2. Вопросы

1. Что такое напряжение смещения?

2. Чему равно минимальное напряжение, необходимое для того, чтобы вызвать ток через диод на основе р-n перехода?

3. В чем разница между прямым и обратным смещением?

4. Что такое ток утечки диода на основе р-n перехода?

20-3. ХАРАКТЕРИСТИКИ ДИОДА

Как германиевый, так и кремниевый диоды могут быть повреждены чрезмерным нагреванием или высоким обратным напряжением. Производители указывают максимальный прямой ток (I_F max), который может безопасно течь через диод. Они также указывают максимальное обратное напряжение (пиковое обратное напряжение). Если превысить пиковое обратное напряжение, то через диод потечет большой обратный ток, создающий избыточный нагрев и повреждающий диод.

При комнатной температуре обратный ток мал. При повышении температуры обратный ток увеличивается, нарушая работу диода. В германиевых диодах обратный ток выше, чем в кремниевых диодах, удваивается при повышении температуры приблизительно на 10 градусов Цельсия.

Схематическое обозначение диода показано на рис. 20-5.

Рис. 20-5. Схематическое обозначение диода.

P-часть представлена стрелкой, а n-часть — чертой. Прямой ток[2] течет от части n к части р (против стрелки).

Часть n называется катодом, а часть р — анодом. Катод поставляет, а анод собирает электроны.

На рис. 20-6 показано включение диода, смещенного в прямом направлении. Отрицательный вывод источника тока подсоединен к катоду. Положительный вывод подсоединен к аноду. Это позволяет току течь в прямом направлении. Резистор (R_s) включен последовательно с диодом для ограничения прямого тока до безопасного значения.

Рис. 20-6. Цепь с диодом, смещенным в прямом направлении.

На рис. 20-7 показано включение диода, смещенного в обратном направлении. Отрицательный вывод источника тока подсоединен к аноду. Положительный вывод подсоединен к катоду. Через диод, смещенный в обратном направлении течет малый обратный ток (I_R).

Рис. 20-7. Цепь с диодом, смещенным в обратном направлении.

20-3. Вопросы

1. Какие проблемы может создать обратный ток в германиевом или кремниевом диоде?

2. Нарисуйте схематическое обозначение диода и обозначьте выводы.

3. Нарисуйте цепь с диодом, смещенным в прямом направлении.

4. Нарисуйте цепь с диодом, смещенным в обратном направлении.

5. Почему в цепь с диодом, смещенным в прямом направлении, должен быть включен резистор?

20-4. МЕТОДЫ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДИОДОВ

Р-n переход диода может быть одного из трех типов: выращенный переход, вплавленный переход или диффузионный переход. Методы изготовления каждого из этих переходов различны.

Метод выращивания перехода (наиболее ранний) состоит в следующем: чистый полупроводниковый материал и примеси р-типа помещаются в кварцевый контейнер и нагреваются до тех пор, пока они не расплавятся. Малый полупроводниковый кристалл, называемый затравкой, помещается в расплавленную смесь. Затравочный кристалл медленно вращается и достаточно медленно вытягивается из расплава, чтобы на нем успел нарасти слой расплавленной смеси. Расплавленная смесь, нарастая на затравочный кристалл, охлаждается и затвердевает. Она имеет такую же кристаллическую структуру, как и затравка. После вытягивания затравка оказывается попеременно легированной примесями n— и р— типов. Легирование — это процесс добавления примесей в чистые полупроводниковые кристаллы для увеличения количества свободных электронов или дырок. Это создает в выращенном кристалле слои n- и р-типов. Таким образом, выращенный кристалл состоит из многих р-n слоев.

Метод создания вплавленного р-n перехода предельно прост. Маленькая гранула трехвалентного материала, такого как индий, размещается на кристалле полупроводника n-типа. Гранула и кристалл нагреваются до тех пор, пока гранула не расплавится сама и частично не расплавит полупроводниковый кристалл. На участке соединения двух материалов образуется материал р-типа. После охлаждения материал перекристаллизовывается и образуется твердый р-n переход.

Диффузионный метод получения р-n перехода наиболее широко используется в настоящее время. Маска с прорезями размещается над тонким срезом полупроводника р-и n-типа, который называется подложкой. После этого подложка помещается в печь и подвергается контакту с примесями, находящимися в газообразном состоянии. При высокой температуре атомы примеси проникают или диффундируют через поверхность подложки. Глубина проникновения контролируется длительностью экспозиции и величиной температуры.

После того, как р-n переход создан, диод должен быть помещен в корпус для того, чтобы защитить его от влияния окружающей среды и механических повреждений. Корпус должен также обеспечить возможность соединения диода с цепью. Вид корпуса определяется назначением или способом применения диода (рис. 20-8).

Рис. 20-8. Наиболее часто встречающиеся корпуса диодов.

Если через диод должен протекать большой ток, корпус должен быть рассчитан таким образом, чтобы уберечь р-n переход от перегрева. На рис. 20-9 показаны корпуса диодов, рассчитанных на ток до 3 ампер или менее. Для идентификации катода с его стороны на корпус нанесена белая или серебристая полоска.

Рис. 20 9. Корпус для диода, рассчитанного на ток; менее 3 Ампер.

20-4. Вопросы

1. Опишите три метода производства диодов.

2. Какой метод производства диодов предпочтительней других?

3. Нарисуйте четыре распространенных корпуса диодов.

4. Как идентифицируется катод на корпусе диода, рассчитанного на ток менее 3 ампер?

20-5. ПРОВЕРКА ДИОДОВ

Диод можно проверить путем измерения с помощью омметра отношения прямого и обратного сопротивлений. Это отношение показывает способность диода пропускать ток в одном направлении и не пропускать ток в другом направлении.

Германиевый диод имеет низкое прямое сопротивление, порядка сотни ом. Обратное его сопротивление высокое, больше 100000 ом. Прямое и обратное сопротивления кремниевых диодов выше, чем у германиевых. Проверка диода с помощью омметра должна показать низкое прямое сопротивление и высокое обратное сопротивление.

Предостережение: некоторые омметры используют высоковольтные батареи, которые могут разрушить р-n переход.

Полярность выводов омметра определяется цветом соединительных проводов: белый является положительным, а черный — отрицательным. Если положительный вывод омметра соединен с анодом диода, а отрицательный вывод с катодом, то диод смещен в прямом направлении, в этом случае через диод должен протекать ток, и омметр должен показать низкое сопротивление. Если выводы омметра поменять местами, то диод будет смещен в обратном направлении, через него должен протекать маленький ток, и омметр должен показать высокое сопротивление.

Если сопротивление диода низкое в прямом и в обратном направлениях, то он, вероятно, закорочен. Если диод имеет высокое сопротивление и в прямом, и в обратном направлениях, то в нем, вероятно, разорвана цепь. Точная проверка диода может быть проведена с помощью большинства омметров.

Предостережение: некоторые омметры, используемые для поиска неисправностей, имеют на разомкнутых выводах напряжение меньшее 0,3 вольта. Приборы такого типа не могут быть использованы для измерения прямого сопротивления диода.

Для того, чтобы через диод протекал ток, приложенное к нему напряжение при измерении прямого сопротивления должно быть больше потенциального барьера диода (0,7 вольта для кремния и 0,3 вольта для германия). Омметр может также быть использован для определения катода и анода у диода, не имеющего маркировки.

Когда омметр показывает низкое сопротивление, то его положительный вывод подсоединен к аноду, а отрицательный — к катоду.

20-5. Вопросы

1. Как проверить диод с помощью омметра?

2. Какие меры предосторожности должны быть предприняты при проверке диодов с помощью омметра?

3. Каковы показания омметра, когда диод закорочен?

4. Каковы показания омметра, когда у диода разорвана цепь?

5. Как можно использовать омметр для определения вывода катода у немаркированного диода?

РЕЗЮМЕ

• Диод создается соединением вместе двух полупроводников n— и р-типа.

• Область вблизи перехода называется обедненным слоем. Электроны перемещаются через переход из материала n-типа в материал р-типа, и поэтому концентрация электронов и дырок вблизи перехода уменьшена.

• Размер обедненного слоя ограничен зарядом с каждой стороны перехода.

• Заряды вблизи перехода создают разность потенциалов, которая называется потенциальным барьером.

• Потенциальный барьер составляет 0,3 вольта для германия и 0,7 вольта для кремния.

• Ток может протекать через диод только тогда, когда внешнее напряжение больше потенциального барьера.

• Диод, смещенный в прямом направлении, проводит ток. В этом случае положительный вывод источника тока подсоединяется к материалу р-типа, а отрицательный — к материалу n-типа.

• Через диод, смещенный в обратном направлении, протекает только маленький ток утечки.

• Диод является устройством, проводящим ток только в одном направлении.

• Максимальный прямой ток диода и максимально допустимое обратное напряжение указываются производителем.

• Схематическим обозначением диода является:

• Катодом диода является материал n-типа, а анодом — материал р-типа.

• Диоды могут быть изготовлены методом выращивания перехода, методом вплавления перехода и диффузионным методом.

• В настоящее время чаще всего используется диффузионный метод изготовления р-n перехода.

• На корпусах диодов, рассчитанных на ток менее 3 ампер, для идентификации катода с его стороны на корпус нанесена белая или серебристая полоска.

• Диод проверяется с помощью омметра путем сравнения прямого и обратного сопротивлений.

• Когда диод смещен в прямом направлении, его сопротивление низкое.

• Когда диод смещен в обратном направлении, его сопротивление высокое.

Глава 20. САМОПРОВЕРКА

1. Каково основное свойство диода на основе p-n перехода?

2. При каких условиях открывается кремниевый диод?

3. Нарисуйте схемы включения диода при прямом и обратном смещении. (Используйте схематические обозначения).

Очередной блок питания, на этот раз 12 Вольт, 20 Ампер и 240 Ватт

Почему мне нравится ковырять блоки питания особо расписывать смысла нет, а вот почему именно 12 Вольт, напишу.
Так уж сложилось, но блоки питания с выходным напряжением в 12 Вольт являются одними из самых популярных наряду с 5 Вольт и 19 Вольт.
5 Вольт используется для питания небольших устройств, но больше популярности добавило то, что такое же напряжение дает порт USB, потому и начали «плодиться» такие БП.
19 Вольт используются в ноутбуках, а также такие БП используются энтузиастами радиолюбителями для разного рода паяльных станций и усилителей, в основном из-за приемлемой мощности и компактности.
Ну а 12 Вольт просто для начала является безопасным напряжением и при этом позволяет передавать довольно большую мощность. Конечно на мой взгляд зачастую его можно (а иногда и нужно) на 24 Вольта, но это напряжение больше используется в промышленных устройствах.
В быту же от 12 Вольт можно питать получившие распространение светодиодные ленты для декоративной подсветки и освещения, от 12 Вольт питаются также системы видеонаблюдения, иногда небольшие компьютеры, а также разные граверы, 3D принтеры и т.п.

Вообще у меня в планах сделать несколько обзоров подобных БП, но с разной мощностью и сегодня ко мне на стол попал блок питания на 240 Ватт с пассивной системой охлаждения.
На данный момент распространенные безвентиляторные БП имеют мощность до 240-300 Ватт, причем вторые встречаются куда реже и я бы скорее сказал, что 240 Ватт это уже почти максимум.

На этом я закончу краткое вступление и перейду к предмету обзора.
БП в привычном металлическом корпусе, думаю многие видели подобные решения в продаже.
Упакован был в обычную белую коробку, на фото она не попала, да и не особо там есть на что смотреть.

Вход и выход выведены на один большой клеммник, сверху присутствует наклейка с указанием назначения контактов, но приклеили со сдвигом, что может сбить с толку неопытного пользователя.

Клеммник имеет защитную крышку, причем открывается она на 90 градусов, что является хоть и небольшим, но плюсом, так как есть варианты, где крышка не открывается полностью.

Справа от клеммника приютился подстроечный резистор и светодиод индикации включения блока питания.
Заявленные параметры — 12 Вольт 20 Ампер, реальный производитель неизвестен, маркировка стандартна для многих недорогих БП — S-240-12
Сбоку находится переключатель входного напряжения 110/200 Вольт, лучше перед первым включением проверить что он находится в правильном положении.
Дата выпуска конец 2016 года, так что БП можно сказать, свежий.

Для начала измеряем что на выходе у БП настроено.
Выставлено 12.3 Вольта, диапазон регулировки 10-14.5 Вольта. после проверки выставил что-то близкое к 12 Вольт.

Внешне осматривать больше нечего, потому снимаем верхнюю крышку и посмотрим что внутри.

А внутри блок питания ничем не отличается от других, подобных недорогих блоков.
Мне он сходу напомнил блок питания на 48 Вольт 240 Ватт, я бы даже сказал что они один в один.
Даже наверное не так, фактически это тот же БП, просто на другое напряжение, потому я в самом начале и написал, что реальный производитель неизвестен.

Классический осмотр начинки.
1. Входной фильтр, присутствует, хотя и не в полном объеме, отсутствует конденсатор после дросселя и варистор. К сожалению это черта подавляющего большинства китайских БП.
2. Помехоподавляющие конденсаторы в опасной цепи — Y1, в менее опасной, обычный высоковольтный, можно сказать что нормально.
3. Входной диодный мост установлен с запасом, 8 Ампер 1000 Вольт, но радиатор отсутствует. В предыдущем варианте диодный мост был на 20 Ампер.
Также рядом видны два термистора, включенные параллельно.
4. Входные конденсаторы Rubicong, закос под Rubicon, если бы еще параметры соответствовали заявленным, но об этом позже.
5. Пара высоковольтных транзисторов прижатых к алюминиевому корпусу, который работает как радиатор.
6. Силовой трансформатор явно промаркирован как 240 Ватт 12 Вольт. На вид довольно неплох, видны следы пропитки лаком.

Китайские производители продолжают штамповать свои блоки питания на классической элементной базе. Я не скажу что это плохо, но более именитые производители уже гораздо реже делают БП на базе TL494.
По своему это имеет свои плюсы, ремонт такого БП довольно прост, комплектующие есть везде, да и документации по ним очень много.

Как и в варианте 48 Вольт, здесь также использован усиленный вариант радиатора, выходная диодная сборка прижата к ребристому радиатору, который уже отводит часть тепла на корпус. Если в 48 Вольт версии это было не особо и нужно, то при токах в 20 Ампер такое решение не лишнее.

1. Выходной дроссель при вполне нормальных габаритах намотан всего в два провода, причем сечение провода сопоставимо с тем, что использовалось в БП 48 Вольт.
2. Выходные конденсаторы имеют заявленную емкость в 2200мкФ, производитель также неизвестен, впрочем я и не ожидал здесь увидеть конденсаторы от Nichicon или хотя бы Samwha.
3,4. А вот момент с прижимом силовых элементов я проверил отдельно, так как в прошлый раз у меня были большие нарекания по поводу крепежа диодной сборки. В данном случае все в принципе нормально. Можно немного попридираться к прижиму транзисторов (слева), но практика показала, что все в порядке.

Вынимаем плату из корпуса и посмотрим на качество пайки и поищем «косяки» производителя.

Высоковольтные транзисторы применены с запасом, можно не беспокоиться. К тому же корпус TO247, в котором они выполнены, улучшает отвод тепла на радиатор.
Выходная диодная сборка MBR30200 представляет собой два высоковольтных диода Шоттки. Я немного скептически отношусь к применению высоковольтных диодов Шоттки, так как у них уже нет преимущества перед обычными в плане падения напряжения, но остается преимущество в большей скорости переключения, т.е. динамические потери меньше.

Общий вид печатной платы снизу.

Пайка на вид вполне нормальная, в этой части БП все нормально, даже чисто.

Силовые дорожки дополнительно покрыты припоем для увеличения сечения, здесь также нареканий особо нет, хотя в некоторым местах на мой взгляд припоя маловато.

Но один неприятный момент я все таки нашел. Один из силовых контактов не очень хорошо пропаян. Можно конечно сказать, что там по три контакта на полюс, но ведь может так попасть, что он как раз окажется нагруженным. Собственно потому я всегда советую при покупке блоков питания проверять как они собраны. Хотя нет, корректнее сказать — при покупке недорогих блоков питания всегда проверять качество сборки.

На плате присутствует не совсем понятная мне маркировка, очень похоже, что плата рассчитана под БП мощностью до 365 Ватт, но это уже скорее с активным охлаждением (на плате есть место под разъем вентилятора, но сам разъем и необходимые компоненты отсутствуют).

Попутно измерил емкость конденсаторов.
Входные имеют суммарную емкость 166мкФ (два по 330 соединенные последовательно), хотя указано 470мкФ (соответственно суммарная 235), маловато для мощности в 240 Ватт.
Выходные в сумме дают около 6600, соответственно как указано 2200х3. Здесь вопросов нет, для блоков питания с подобными характеристиками это нормально, даже для фирменных. Правда в фирменных блоках питания стоит более качественные конденсаторы.

Так как схема блока питания практически идентична модели на 48 Вольт, то я просто внес соответствующие коррективы, а не рисовал ее с нуля. Не гарантирую 100% совпадение, но 99% думаю есть 🙂

Вот теперь можно проводить тесты.
В качестве тестового стенда использовались
1. Электронная нагрузка
2. Мультиметр
3. Осциллограф
4. Тепловизор
5. Термометр
6. Ручка и бумажка. На бумагу ссылки нет.

1. Режим холостого хода.
2. Нагрузка 5 Ампер, пульсации около 50мВ

1. Нагрузка 10 Ампер, напряжение лишь немного просело, пульсации остались на прежнем уровне
2. Нагрузка 15 Ампер, практически без изменений

Со времени проведения большого теста аккумуляторов я доработал нагрузку чтобы поднять максимальный ток до 30 Ампер. Но что-то пошло не совсем так, как было задумано и максимальный ток ограничен на уровне 16383мА (14 бит), потому для продолжения теста мне пришлось прибегнуть в обычным советским резисторам с сопротивлением 10Ом. при напряжении в 12 Вольт они обеспечивают ток нагрузки около 3.6 Ампера.

1. 20 Ампер, напряжение просело всего на 70мВ, уровень пульсация практически не отличается от предыдущих тестов и составляет 60мВ
2. В качестве дополнительного теста на нагрев я решил поднять выходное напряжение до 12.55 Вольта и погонять БП еще минут 15. Выходная мощность БП при этом была около 250 Ватт.
Как видно по фото, это практически никак не сказалось на результате.

В прошлом обзоре я был так удивлен качеством работы блока питания, что даже проводил тесты с полуторакратной перегрузкой. С БП мощностью 240 Ватт я снял 360 и только тогда начал откровенно волноваться по поводу перегрева.
Но в данном случае все немного печальнее. Для начала фото с тепловизора, снятое в самом конце теста при мощности 250 Ватт.
Самый горячий элемент — выходной дроссель, впрочем такая же картина была и при тесте БП 48 Вольт. Но как я тогда писал, на самом деле материал из которого изготовлен этот дроссель, не боится таких температур, ограничением является стойкость изоляции провода, которым он намотан.

Для компании сфотографировал нагрузочные резисторы, на которых рассеивалось всего около 50 Ватт. Электронная нагрузка при этом брала на себя около 200 Ватт, у нее температура радиаторов была 61 градус.

Как и раньше, я свел все данные в одну табличку.
Тестирование проходило при комнатной температуре, БП лежал горизонтально на столе, что несколько ухудшало тепловой режим, в вертикальном положении он охлаждался бы лучше.
Каждый этап длился 20 минут, затем шел замер температуры и повышение тока на одну ступень.
Последний этап был проведен как дополнительный и занял 15 минут, итого в сумме 20+20+20+20+15= 1ч 35мин.

Результаты заметно выше чем у БП на 48 Вольт, но я бы сказал что вполне терпимые. Самый нежный элемент — силовой трансформатор, не перегревается.

Как-то в комментариях затронули тему низкого КПД таких блоков питания и мне реально стало интересно, какой же КПД у них в реальности.
Конечно я не претендую на высокую точность, так как в процессе участвует много измерительных приборов и каждый имеет свою погрешность, но я постарался измерить максимально корректно.
И так. Я измерил потребляемую мощность БП без нагрузки, с нагрузкой 33, 66 и 100%, при этом у меня вышло:
Вход — Выход — КПД.
4.2 — 0 — 0
96.2 — 79 — 82%
189,3 — 159 — 84%
290,4 — 238 — 82%

Говорили, что КПД подобных БП около 60-70%, честно, мне не верилось. Но до этого я судил по количеству выделяемого тепла, потому как не заметить «лишние» 100 Ватт тепла тяжело, вот и решил провести этот тест, думаю что не зря.

Конечно в комментариях могут начать писать — а как же MeanWell, почему не MeanWell? Да, я очень хорошо отношусь к блокам питания этой фирмы, и очень часто их использую, потому решил ради интереса сравнить обозреваемый БП и БП фирмы MeanWell. Но стоит отметить, что сравнивал я с БП серии RS, а точнее — RS-150-12, т.е. 12 Вольт 150 Ватт. На данный момент стоимость этого БП составляет около 36 долларов — ссылка.
Блоки питания этой серии отличные, надежность действительно на высоком уровне, БП который вы видите, отработал в составе системы видеонаблюдения около 3 лет при нагрузке близкой к 90% и был заменен планово на новый.

Производитель же заявляет что —

Особенности:
Долговечные 105°C электролитические конденсаторы
Комплекс защит от короткого замыкания, перегрузки, перенапряжения
Электромагнитная совместимость: EN50082-2/EN61000-6-2 для тяжелой промышленности
Высокая рабочая температура до 70°C
Вибрации 5G
Малые размеры, высокая удельная мощность
Высокие КПД, долговечность и надежность
Все модули проходят 100% прогон

Входной фильтр более полный, чем у обозреваемого, но варистора на входе все равно нет.

1. Термистор упакован в термоусадку, но что интересно, уже когда разбирал фото, то заметил, что термисторов два, причем второй «голый», он стоит справа от переключателя.
2. Входные конденсаторы Rubicon, а не RubiconG. Суммарная емкость 165мкФ при выходной мощности в 150 Ватт.
3. Высоковольтный транзистор имеет дополнительную изоляцию. ШИм контроллер применен другой, потому рядом совсем пусто.
4. Выходных диодных сборок две, причем у обоих на выводах присутствуют ферритовые бусины, что практически никогда не встречается в недорогих китайских БП. ТАкие же бусины есть и на некоторых конденсаторах.
5. А вот выходной дроссель изготовлен в лучших традициях Китая 🙂 Намотка кривая, закатали в какой то клей.
6. Выходные конденсаторы фирменные, емкость 1000х3 мкФ, напряжение 35 Вольт, что весьма правильно. У обозреваемого конденсаторы на 25 Вольт, но в двухтактной схеме это нормально (в компьютерных БП вообще на 16).

Сегодня не буду выделять плюсы и минусы, а просто опишу мое впечатление о блоке питания.
На мой взгляд это типичный «среднестатистический» китайский блок питания. Нагрев в пределах допуска, среднее качество сборки, но при этом низкий уровень пульсаций и отсутствие «дрейфа» выходного напряжения от прогрева (это довольно важно). Производитель не особо волнуется насчет комплектующих, об этом говорят непонятные конденсаторы на входе, если судить по маркировке, то емкость достаточна, если измерить, то занижена. Я в подобной ситуации просто добавил один конденсатор 100мкФх400В выпаянный из платы монитора.
Самые критичные элементы, которые в данном БП будут влиять на срок службы — выходные конденсаторы.
В остальном вполне нормальный блок питания, все тесты прошел без проблем, но получить такие результаты как с его 48 Вольт вариантом, я увы не смог. На мой взгляд средний блок питания за вполне приемлемые деньги.

Надеюсь что обзор был полезен, старался дать максимум информации.

20 шт. 10A10 выпрямительный диод 10А 1000 В R-6 осевой 10 ампер 1000 Вольт электронный кремний

Описание

Более сопутствующие товары:

Если вы хотите купить больше диодов, пожалуйста, перейдите к<CHANZON официального магазина Carter’s>.

Продукт Особенности:

Вид продукции:Выпрямительным диодом

Торговая марка:Chanzon

Номер детали:10A10

Посылка чехол:R-6

(упаковка из 10 штук) Chanzon 20SQ045 Выпрямительные диоды с барьером Шоттки 20A 45V R-6 Axial 20 Amp 45 Volt: Amazon.com: Industrial & Scientific

• Убедитесь, что это подходит введя номер вашей модели.
• Номер детали: 20SQ045 / Прямой ток: 20 А / Максимальное повторяющееся пиковое обратное напряжение: 45 В
• Бессвинцовый / соответствующий требованиям RoHS электронный компонент / сквозное отверстие
• Возможность высокого прямого импульсного тока / высокотемпературная пайка / низкие потери мощности, высокая эффективность
• См. Рисунок 2-7 для ознакомления с техническими данными.
• Упакуйте в сумку ESD с этикеткой основных характеристик для долговременной защиты и идентификации.

Характеристики данного продукта

BOJACK 1N5817 Диод Шоттки 1 А, 20 В DO-41 Аксиальный 5817 1 А, 20 В, электронные кремниевые диоды (упаковка из 125 штук): Amazon.com: Industrial & Scientific

Amazon’s Choice выделяет высоко оцененные продукты по хорошей цене, доступные для немедленной отправки.

 
 Выберите. Диод на 20 ампер  из огромной коллекции на Alibaba.com. Вы можете купить массив.  20-амперный диод  включая, помимо прочего, светодиод, микрофон, выпрямитель, лазер, стабилитрон, триггер, Шоттки, SMD, энергосберегающие диодные лампы. Вы можете выбрать.  20-амперный диод  с широким выбором основных параметров, спецификаций и номиналов для ваших целей. Диод 
 на 20 А на Alibaba.com удобен в установке и использовании. Используемый пластик более высокого качества обеспечивает изоляцию, снижающую нагрев.Они доступны в кремнии и германии.  Диод на 20 А  используется в различных отраслях промышленности для различных электрических функций и датчиков. Они используются в инверторах, светодиодах, автомобильной электронике, потребительских товарах, USB 2.0 и USB 3.0, HDMI 1.3 и HDMI 1.4, SIM-карте, мобильной одежде, беспроводной связи, автомобильном генераторе и лазерной эпиляции. Они используются как выпрямитель, датчик света, излучатель света, для рассеивания нагрузки и т. Д. Различная физическая упаковка для.  Диод на 20 А  подходит для монтажа на печатной плате, радиатора, проводного и поверхностного монтажа.
 Основные особенности.  20-амперный диод  - это толстая медная опорная пластина, низкая утечка, высокая сила тока, низкое прямое падение напряжения, легирование золотом, низкое сопротивление инкрементному скачку напряжения, отличная зажимная способность, быстрое время отклика и т. Д. Технические характеристики, предлагаемые на.  20-амперный диод  обладает различными оптическими и электрическими характеристиками, такими как максимальная мощность, напряжение, оптический выход, время обратного восстановления, рабочая температура и т. Д.  Диод на 20 А  изготавливается в соответствии со стандартными процедурами для поддержания высочайшего качества.Они соответствуют требованиям RoHS и IEEE 1394. 
 
 Получите лучшее.  Диод на 20 А  предлагает на Alibaba.com различные поставщики и оптовики. Получите высшее качество.  Диод на 20 А  для требований вашего проекта.