1.3. Динамическое сопротивление

Многие элементы электроники имеют нелинейные вольтамперные характеристики. В этом случае ток не пропорционален напряжению. И здесь нет смысла говорить о сопротивлении, так как отношениеU/Iне является постоянной величиной, независимой отU, а наоборот зависит отU. Для таких элементов, с нелинейной вольтамперной характеристикой, вводят понятие динамического или дифференциального сопротивления. Пусть нелинейная вольтамперная характеристика задана кривой, показанной на рис.1.2. Выберем на этой кривой некоторую точку А. Эта точка определяется постоянными значениями напряженияU_Аи токаI_А. Проведем касательную к точке А. При малых отклонениях токов и напряжений относительно точки А касательная хорошо аппроксимирует кривую вольтамперной характеристики. Значит, в окрестности точки А нелинейную кривую вольтамперной характеристики можно заменить линейной характеристикой, т.е. касательной. В качестве переменных здесь рассматриваются изменения (приращения) токов и напряжений относительно точки А.

Это равносильно перенесения начала координат в точку А. Тогда для изменений напряжений и токов можно ввести понятие динамического или дифференциального сопротивления как отношение приращения (изменения) напряжения к приращению (изменению) тока

r = ΔU/ΔI.

Динамическое сопротивление еще называют сопротивлением переменному току. Динамическое сопротивление, как и обычное сопротивление, измеряется в Омах.

Особенность динамического сопротивления состоит в том, что оно определяется для приращений напряжений и токов в окрестности некоторой точки вольтамперной характеристики. Эта точка на вольтамперной характеристике определяет режим работы элемента по постоянному току, т.е. постоянные значения напряжения U

Аи токаI_А. Динамическое сопротивление зависит от выбранной точки на вольтамперной характеристике, т.к. наклон касательной в каждой точке кривой разный.

Очень часто для построения линейных электронных устройств используются нелинейные элементы (элементы с нелинейной вольтамперной характеристикой). В этом случае нелинейную характеристику в окрестности некоторой точки заменяют линейной – касательной к этой точки. В качестве переменных рассматриваются не полные значения токов и напряжений, а их изменения в окрестности этой точки. Чем меньше отклонения токов и напряжений относительно их постоянных значений, тем лучше касательная приближается к кривой вольтамперной характеристики. Зависимость изменения тока от напряжения в этом случае можно считать линейной и определяется динамическим сопротивлением r:

ΔU=ΔI.r; ΔI= ΔU/r.

Под источником понимают элемент, питающий цепь электромагнитной энергией. Эта энергия потребляется пассивными элементами цепи — запасается в индуктивностях и емкостях и расходуется в активном сопротивлении. Примерами реальных источников электромагнитной энергии могут служить генераторы постоянных, синусоидальных и импульсных сигналов разнообразной формы, сигналы, получаемые от различных датчиков, антенн радиоприемных устройств, источники питания, сигналы, поступающие с выходов электронных устройств и т.

д.

Для анализа цепей удобно вводить идеализированные источники двух видов: источник напряжения и источник тока, которые учитывают главные свойства реальных источников. При соответствующем дополнении идеализированных источников пассивными элементами можно передать все свойства реальных источников по отношению к их внешним выводам.

Источник напряжения.

Под источником напряженияпонимают такой элемент с двумя выводами (полюсами), напряжение между которыми задано в виде некоторой функции времени независимо от тока, отдаваемого во внешнюю цепь. Зависимость напряжения от тока идеального источника напряжения показана на рис.1.3. Такой идеализированный источник способен отдавать неограниченную мощность. Наиболее часто применяемые условные графические изображения источника напряжения показаны на том же рисунке, где принятая положительная полярность напряжения источника указывается либо стрелкой внутри кружочка, либо знаками “+”, “-”.

Реальные источникисигнала имеют внутренние сопротивления. К источнику напряжения внутреннее сопротивление подключается последовательно. На рис.1.4 показаны вольтамперная характеристика и схема реального источника напряжения. Для реального источника выходное напряжение будет равно

U_н=U₀–U_Rвн=U₀–I_нR_вн.

Из формулы видно, что выходное напряжение реального источника тока зависит от тока нагрузки I_н. Чем больше ток нагрузки, тем больше падает напряжение на внутреннем сопротивлении источника, и меньшая часть напряженияU₀поступает на нагрузку (на выход). С другой стороны, чем больше внутреннее сопротивлениеR

внпри неизменном токе нагрузки, тем больше падает на нем напряжения, что ведет к уменьшению напряжения на выходе источника. Применительно к электронным схемам внутреннее сопротивление источника часто называютвыходным сопротивлением.

В случае идеального источника напряжения, его внутреннее сопротивление равно 0 и напряжение на нагрузке не зависит от тока нагрузки. При этом ток нагрузки может возрастать до бесконечности, если сопротивление нагрузки будет стремиться к 0. В действительности невозможно построить идеальный источник напряжения во всем диапазоне изменения выходного тока. Однако, во многих случаях, для ограниченного диапазона изменения выходного тока некоторые источники можно рассматривать как идеальные. Например, источник питания в диапазоне рабочих токов имеет очень малое внутреннее сопротивление, которым можно пренебречь, по сравнению с сопротивлением нагрузки. Или другой пример, выходное сопротивление операционного усилителя, охваченного отрицательной обратной связью, может достигать нескольких сотых долей Ома. Таким внутренним сопротивлением можно пренебречь и рассматривать выход операционного усилителя как идеальный источник напряжения в диапазоне допустимых выходных токов.

Источник тока.

Подидеальнымисточником токапонимают такой элемент цепи, через выводы которого протекает ток с заданным законом изменения во времени независимо от напряжения между выводами. Вольтамперная характеристика и условные графические изображения идеального источника тока показана на рис.1.5. Независимость тока от напряжения означает, что внутренняя проводимость источника, куда может ответвляться ток, равна 0, а внутреннее сопротивление равно бесконечности. Вольтамперная характеристика и схема реального источника тока показана на рис.6. При увеличении напряжения на нагрузке за счет увеличения сопротивления нагрузки увеличивается внутренний ток источника тока. При этом меньшая часть токаI ₀поступает в нагрузку. Выходной токI_нбудет равен

I_н=I₀–I_вн=I₀–U_н /R_вн.

Из формулы видно, что чем больше внутреннее сопротивление источника тока, тем меньше внутренний ток I_вни большая часть токаI₀отдается в нагрузку. В пределе приR_вн= ∞ весь токI₀отдается в нагрузку, и ток нагрузки не будет зависеть от напряжения на нагрузке. В этом случае имеем дело с идеальным источником тока. Итак, в идеальном источнике тока внутреннее сопротивление равно бесконечности. В идеальном источнике тока при бесконечной величине сопротивления нагрузки (обрыв цепи нагрузки) на его зажимах будет напряжение бесконечной величины. Это конечно идеализация – нельзя построить источник тока, у которого величина внутреннего сопротивления рана бесконечности. Однако на практике используются источники тока, построенные на транзисторах, с внутренним сопротивлением, достигающим величин многих мегом и более, работающие в ограниченном диапазоне выходных напряжений. Такие источники тока широко используются в схемах дифференциальных и операционных усилителей, при построении цифро-аналоговых преобразователей, при передаче сигналов по токовой петле и др.

Реальные источники напряжения и тока эквивалентны. Это означает, что относительно своих зажимов схемы ведут себя одинаковым образом, т.е. при анализе схемы один и тот же источник можно рассматривать как реальный источник напряжения или реальный источник тока. Условия эквивалентности можно получить из выражения для напряжения реального источника напряжения

U_н=U₀–I_нR_вн.

Разделим правую и левую части уравнения на R_вн, получим

U_н

/R_вн=U₀/R_вн–I_н.

Введем обозначения U₀/R_вн=I₀=const;U₀/R_вн=I_вни запишем уравнение в следующем виде

I_вн = I₀ — I_н или I₀ = I_вн + I_н.

Причем на сопротивлениях R_вниR_нпадает одно и то же напряжениеU_н, т.е. они соединены параллельно

I₀ = U_н /R_вн + U_н /R_н .

Отсюда приходим к схеме реального источника тока, показанного на рис.1.6.

Раз схемы реальных источников напряжения и тока эквивалентны, то возникает вопрос, когда использовать при анализе схемы тот или иной источник? Ответ простой. Используйте тот тип источника, при котором проще анализировать работу схемы. На практике часто поступают следующим образом. Если внутреннее сопротивление источника намного меньше сопротивления нагрузки, то такой источник целесообразно рассматривать как источник напряжения. И в первом приближении величиной внутреннего сопротивления можно пренебречь. Если внутреннее сопротивление намного больше сопротивления нагрузки, то такой источник рассматривают как источник тока. И при первоначальном анализе считают его идеальным. При более детальном анализе схемы учитывают не идеальность источника тока.

Искусство схемотехники, Т.1

Искусство схемотехники, Т.1

Хоровиц П. , Хил л .У. Искусство схемотехники: В 3-х томах: Т.1. Пер. с англ. — 4-е изд., перераб. и доп.-М.: Мир, 1993. Широко известная читателю по предыдущим изданиям монография известных американских специалистов посвящена быстро развивающимся областям электроники. В ней приведены наиболее интересные технические решения, а также анализируются ошибки разработчиков аппаратуры: внимание читателя сосредоточивается на тонких аспектах проектирования и применения электронных схем. Для специалистов в области электроники, автоматики, вычислительной техники, а также студентов соответствующих специальностей вузов и техникумов. Оглавление ПРЕДИСЛОВИЕ ПРЕДИСЛОВИЕ К ПЕРВОМУ ИЗДАНИЮ ГЛАВА 1. ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ НАПРЯЖЕНИЕ, ТОК И СОПРОТИВЛЕНИЕ 1.01. Напряжение и ток 1.02. Взаимосвязь напряжения и тока: резисторы ПРИСТАВКИ ДЛЯ ОБРАЗОВАНИЯ КРАТНЫХ И ДОЛЬНЫХ ЕДИНИЦ ИЗМЕРЕНИЯ РЕЗИСТОРЫ ХАРАКТЕРИСТИКИ РЕЗИСТОРОВ ФИРМЫ ALLEN BRADLEY, (СЕРИЯ АВ, ТИП СВ) 1. 03. Делители напряжения 1.04. Источники тока и напряжения 1.05. Теорема об эквивалентном преобразовании источников (генераторов) УНИВЕРСАЛЬНЫЕ ИЗМЕРИТЕЛЬНЫЕ ПРИБОРЫ 1.06. Динамическое сопротивление СИГНАЛЫ 1.07. Синусоидальные сигналы 1.08. Измерение амплитуды сигналов 1.09. Другие типы сигналов 1.10. Логические уровни 1.11. Источники сигналов КОНДЕНСАТОРЫ И ЦЕПИ ПЕРЕМЕННОГО ТОКА 1.12. Конденсаторы КОНДЕНСАТОРЫ 1.13. RС-цепи: изменения во времени напряжения и тока 1.14. Дифференцирующие цепи 1.15. Интегрирующие цепи ИНДУКТИВНОСТИ и ТРАНСФОРМАТОРЫ 1.16. Индуктивности 1.17. Трансформаторы ПОЛНОЕ И РЕАКТИВНОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ 1.18. Частотный анализ реактивных схем 1.19. RC-фильтры 1.20. Векторные диаграммы 1.21. «Полюсы» и наклон в пределах октавы 1.22. Резонансные схемы и активные фильтры 1.23. Другие примеры использования конденсаторов 1.24. Обобщенная теорема Тевенина об эквивалентном преобразовании (эквивалентном генераторе) ДИОДЫ И ДИОДНЫЕ СХЕМЫ 1. 25. Диоды 1.26. Выпрямление 1.27. Фильтрация в источниках питания 1.28. Схемы выпрямителей для источников питания 1.29. Стабилизаторы напряжения 1.30. Примеры использования диодов 1.31. Индуктивные нагрузки и диодная защита ДРУГИЕ ПАССИВНЫЕ КОМПОНЕНТЫ 1.32. Электромеханические элементы 1.33. Индикаторы 1.34. Переменные компоненты ДОПОЛНИТЕЛЬНЫЕ УПРАЖНЕНИЯ ГЛАВА 2. ТРАНЗИСТОРЫ 2.01. Первая модель транзистора: усилитель тока НЕКОТОРЫЕ ОСНОВНЫЕ ТРАНЗИСТОРНЫЕ СХЕМЫ 2.02. Транзисторный переключатель 2.03. Эмиттерный повторитель 2.04. Использование эмиттерных повторителей в качестве стабилизаторов напряжения 2.05. Смещение в эмиттерном повторителе 2.06. Транзисторный источник тока 2.07. Усилитель с общим эмиттером 2.08. Схема расщепления фазы с единичным коэффициентом усиления 2.09. Крутизна МОДЕЛЬ ЭБЕРСА-МОЛЛА ДЛЯ ОСНОВНЫХ ТРАНЗИСТОРНЫХ СХЕМ 2.10. Улучшенная модель транзистора: усилитель с передаточной проводимостью (крутизной) 2. 11. Еще раз об эмиттерном повторителе 2.13. Еще раз об усилителе с общим эмиттером 2.13. Смещение в усилителе с общим эмиттером 2.14. Токовые зеркала НЕКОТОРЫЕ ТИПЫ УСИЛИТЕЛЬНЫХ КАСКАДОВ 2.15. Двухтактные выходные каскады 2.16. Составной транзистор (схема Дарлингтона) 2.17. Следящая связь 2.18. Дифференциальные усилители 2.19. Емкость и эффект Миллера 2.20. Полевые транзисторы НЕКОТОРЫЕ ТИПИЧНЫЕ ТРАНЗИСТОРНЫЕ СХЕМЫ 2.21. Стабилизированный источник напряжения 2.22. Терморегулятор 2.23. Простая логическая схема на транзисторах и диодах СХЕМЫ, НЕ ТРЕБУЮЩИЕ ПОЯСНЕНИЙ 2.24. Удачные схемы 2.25. Негодные схемы ДОПОЛНИТЕЛЬНЫЕ УПРАЖНЕНИЯ ГЛАВА 3. ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ 3.01. Характеристики полевых транзисторов 3.02. Типы ПТ 3.03. Общая классификация ПТ 3.04. Выходные характеристики ПТ 3.05. Производственный разброс характеристик ПТ ОСНОВНЫЕ СХЕМЫ НА ПТ 3.06. Источники тока на ПТ с р-n-переходом 3. 07. Усилители на ПТ 3.08. Истоковые повторители 3.09. Ток затвора ПТ 3.10. ПТ в качестве переменных резисторов КЛЮЧИ НА ПТ 3.11. Аналоговые ключи на ПТ 3.12. Недостатки ПТ-ключей 3.13. Несколько схем на ПТ-ключах 3.14. Логические и мощные ключи на МОП-транзисторах 3.15. Необходимые предосторожности в обращении с МОП-транзисторами СХЕМЫ, НЕ ТРЕБУЮЩИЕ ПОЯСНЕНИЙ ГЛАВА 4. ОБРАТНАЯ СВЯЗЬ И ОПЕРАЦИОННЫЕ УСИЛИТЕЛИ 4.01. Предварительные сведения об обратной связи 4.02. Операционные усилители 4.03. Важнейшие правила ОСНОВНЫЕ СХЕМЫ ВКЛЮЧЕНИЯ ОПЕРАЦИОННЫХ УСИЛИТЕЛЕЙ 4.04. Инвертирующий усилитель 4.05. Неинвертирующий усилитель 4.06. Повторитель 4.07. Источники тока 4.08. Основные предостережения по работе с ОУ КАЛЕЙДОСКОП СХЕМ НА ОПЕРАЦИОННЫХ УСИЛИТЕЛЯХ 4.09. Линейные схемы 4.10. Нелинейные схемы ПОДРОБНЫЙ АНАЛИЗ РАБОТЫ ОПЕРАЦИОННЫХ УСИЛИТЕЛЕЙ 4.11. Отличие характеристик идеального ОУ от реального 4. 12. Эффекты ограничений ОУ на работу схем на их основе 4.13. Микромощные и программируемые ОУ ПОДРОБНЫЙ АНАЛИЗ РАБОТЫ НЕКОТОРЫХ СХЕМ НА ОУ 4.14. Логарифмический усилитель 4.15. Активный пиковый детектор 4.16. Выборка-запоминание ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЕ ПОГЛОЩЕНИЕ 4.17. Активный ограничитель 4.18. Схема выделения модуля абсолютного значения сигнала 4.19. Интеграторы 4.20. Дифференциаторы РАБОТА ОУ С ОДНИМ ИСТОЧНИКОМ ПИТАНИЯ 4.21. Смещение усилителей переменного тока, использующих один источник питания. 4.22. Операционные усилители с одним источником питания. КОМПАРАТОРЫ И ТРИГГЕР ШМИТТА 4.23. Компараторы 4.24. Триггер Шмитта ОБРАТНАЯ СВЯЗЬ И УСИЛИТЕЛИ С КОНЕЧНЫМ УСИЛЕНИЕМ 4.25. Уравнение для коэффициента усиления 4.26. Влияние обратной связи на работу усилителей 4.27. Два примера транзисторных усилителей с обратной связью НЕКОТОРЫЕ ТИПИЧНЫЕ СХЕМЫ С ОПЕРАЦИОННЫМИ УСИЛИТЕЛЯМИ 4.28. Лабораторный усилитель общего назначения 4. 29. Генератор, управляемый напряжением 4.30. Линейный переключатель на полевом транзисторе с p-n-переходом, с компенсацией. 4.31. Детектор нуля для ТТЛ-схем 4.32. Схема измерения тока в нагрузке ЧАСТОТНАЯ КОРРЕКЦИЯ УСИЛИТЕЛЕЙ С ОБРАТНОЙ СВЯЗЬЮ 4.33. Зависимость коэффициента усиления и фазового сдвига от частоты 4.34. Методы коррекции усилителей 4.35. Частотная характеристика цепи обратной связи СХЕМЫ, НЕ ТРЕБУЮЩИЕ ПОЯСНЕНИЙ 4.36. Некоторые полезные идеи ДОПОЛНИТЕЛЬНЫЕ УПРАЖНЕНИЯ ГЛАВА 5. АКТИВНЫЕ ФИЛЬТРЫ И ГЕНЕРАТОРЫ АКТИВНЫЕ ФИЛЬТРЫ 5.01. Частотная характеристика RC-фильтров 5.02. Идеальный рабочий режим LC-фильтров 5.03. Введение в активные фильтры: обзор 5.04. Критерии режима работы фильтра Ки 5.05. Типы фильтров СХЕМЫ АКТИВНЫХ ФИЛЬТРОВ 5.06. Схемы на ИНУН 5.07. Проектирование фильтров на ИНУН с использованием наших упрощенных таблиц 5.08. Фильтры, построенные на основе метода переменных состояния 5. 09. Двойной Т-образный фильтр-пробка 5.10. Построение фильтров на гираторах 5.11. Фильтры на переключаемых конденсаторах ГЕНЕРАТОРЫ 5.13. Релаксационные генераторы 5.14. Классическая ИС таймера-555 5.15. Генераторы, управляемые напряжением 5.16. Квадратные генераторы 5.17. Мостовые генераторы Вина и L С-генераторы 5.18. LС-генераторы 5.19. Генераторы с кварцевыми резонаторами СХЕМЫ, НЕ ТРЕБУЮЩИЕ ПОЯСНЕНИЙ ДОПОЛНИТЕЛЬНЫЕ УПРАЖНЕНИЯ ГЛАВА 6. СТАБИЛИЗАТОРЫ НАПРЯЖЕНИЯ И ИСТОЧНИКИ ПИТАНИЯ БАЗОВЫЕ СХЕМЫ СТАБИЛИЗАТОРОВ НА ОСНОВЕ КЛАССИЧЕСКОЙ ИМС 723 6.01. ИМС стабилизатора 723 6.02. Стабилизатор положительного напряжения 6.03. Стабилизаторы с большими выходными токами ПРОЕКТИРОВАНИЕ ТЕПЛООТВОДА МОЩНЫХ СХЕМ 6.04. Мощные транзисторы и отвод тепла 6.05. Ограничители тока с обратным наклоном характеристики 6.06. Защита от больших напряжений 6.07. Специальные вопросы проектирования сильноточных источников питания 6. 08. Программируемые источники питания 6.09. Пример схемы источника питания 6.10. Другие ИМС стабилизатора НЕСТАБИЛИЗИРОВАННЫЕ ИСТОЧНИКИ ПИТАНИЯ 6.11. Компоненты линии переменного тока 6.12. Трансформаторы 6.13 Элементы схемы, работающие на постоянном токе ИСТОЧНИКИ ОПОРНОГО НАПРЯЖЕНИЯ 6.14. Стабилитроны 6.15. Источник опорного напряжения на стабилитроне ТРЕХВЫВОДНЫЕ И ЧЕТЫРЕХВЫВОДНЫЕ СТАБИЛИЗАТОРЫ 6.16. Трехвыводные стабилизаторы 6.17. Трехвыводные регулируемые стабилизаторы 6.18. Дополнительные замечания относительно трехвыводных стабилизаторов 6.19. Импульсные стабилизаторы и преобразователи постоянного тока ИСТОЧНИКИ ПИТАНИЯ СПЕЦИАЛЬНОГО НАЗНАЧЕНИЯ 6.20. Высоковольтные стабилизаторы 6.21. Источники питания с малым уровнем помех и малым дрейфом 6.22. Микромощные стабилизаторы 6.23. Преобразователи напряжения с переключаемыми конденсаторами (зарядовый насос) 6.24. Источники стабилизированного постоянного тока 6. 25. Коммерческие модули источников питания СХЕМЫ, НЕ ТРЕБУЮЩИЕ ПОЯСНЕНИЙ ДОПОЛНИТЕЛЬНЫЕ УПРАЖНЕНИЯ

Forward Bias, Reverse Bias [Примечания GATE]

Test Series

By Neeraj Dubey|Обновлено: 6 октября 2022 г. . Сопротивление любого устройства или материала — это его свойство сопротивляться протеканию через него зарядов. Поскольку напряжение в сети переменного тока постоянно меняется, сопротивление определяется отношением небольшого изменения напряжения к небольшому изменению значения тока через него.
В этой статье речь пойдет о динамическом сопротивлении диодного прибора, двухвыводного полупроводникового прибора. Также поговорим о характеристиках диодов и определим в них динамическое сопротивление для разных условий смещения.

Загрузить формулы для электроники и средств связи GATE — аналоговые схемы

Содержание

• 1. Определение динамического сопротивления
• 2. Сопротивление в диоде
• 3. Динамическое сопротивление при прямом смещении
• 4. Динамическое сопротивление при обратном смещении

Прочитать статью полностью

Определение динамического сопротивления

Динамическое сопротивление определяется как сопротивление, обеспечиваемое диодным полупроводниковым устройством, когда питание переменного тока смещает его. Базовое подключение к диоду с источником переменного тока показано на рисунке ниже.

Задается как отношение изменения напряжения к изменению тока через диод. Это математически дается как.

R _AC = ΔV / ΔI

Где ΔV — небольшое изменение напряжения, а ΔI — изменение тока.

Сопротивление диода

Сопротивление диода можно определить как эффективное сопротивление, обеспечиваемое диодом при протекании через него прямого тока. Следовательно, сопротивление диода можно определить как эффективное сопротивление, которое диод оказывает при смещении питания. Диод при прямом смещении может иметь два типа сопротивления: статическое сопротивление и динамическое сопротивление.

Динамическое сопротивление PDF

Прямое и обратное сопротивление диода можно определить по его характеристикам прямого и обратного смещения. Однако ни одно устройство нельзя считать идеальным. Следовательно, на практике каждый диод будет иметь небольшое сопротивление при прямом смещении и значительное сопротивление при обратном смещении.

На приведенной выше блок-схеме показаны различные сопротивления, которые предлагает диод идеи.

Загрузить формулы для электроники и средств связи GATE — Сигнальные системы

Динамическое сопротивление при прямом смещении

Динамическое сопротивление можно рассчитать по кривой V-I диода с p-n переходом. Он определяется как отношение изменения напряжения к изменению тока. Кривая ВАХ диода с p-n переходом приведена ниже.

Динамическое сопротивление при прямом смещении Формула

Математически динамическое прямое сопротивление определяется как:0037 T – тепловое напряжение, определяемое уравнением Эйнштейна, равное kT/q, где k – постоянная Больцмана (k=8,85 x 10-12 Ф/м)

Динамическое сопротивление при обратном смещении

Обратное смещение увеличивает p-n ширина обедненного слоя диода, обеспечивающая более высокое сопротивление потоку носителей заряда. Обратное сопротивление p-n диодов находится в диапазоне МегаОм. Обратное сопротивление очень велико по сравнению с прямым сопротивлением диода.

Динамическое сопротивление при обратном смещении Formula

Математически обратное динамическое сопротивление дано AS

R _DR = (ΔV _R / ΔI _R )

Форма для загрузки для Electronics & Communication Engineering — Цифровые цифры 99 Formulas для Gate & Communication Engineering — Цифровые цифры 9 Динамическое сопротивление

• Как можно определить динамическое сопротивление диода?

  Динамическое сопротивление диода определяется отношением напряжения к току, т. е. отношением небольшого изменения напряжения к небольшому изменению тока, где изменение напряжения равно изменению тока. Она связана с температурой тепловым напряжением Эйнштейна Vt=kT/q.

• Изменяется ли динамическое сопротивление?

  В определенной рабочей точке динамическое сопротивление диода с P-N переходом зависит от небольшого изменения прямого напряжения и небольшого изменения прямого тока.

• Какая польза от динамического сопротивления?

  В качестве отношения дифференциального изменения напряжения к дифференциальному изменению тока динамическое сопротивление можно использовать для количественной оценки сопротивления неомических материалов.

• В чем разница между статическим и динамическим сопротивлением?

  Статическое сопротивление представляет собой постоянное отношение напряжения к току и основано на законе Ома. Динамическое сопротивление используется в PN-переходах в электронике.

• Что происходит, когда диод подключается к сети переменного тока?

  Из-за периодического изменения направления переменного тока диоды проводят только половину времени, а другую половину времени изолируют. Вот почему выпрямление переменного тока в постоянный достигается с помощью диодов.

ESE & GATE EC

Electronic & Comm.gategate Eceseese Ecother Series

Избранные статьи

Следуйте за США. Приложение

GradeStack Learning Pvt. Ltd.Windsor IT Park, Tower — A, 2-й этаж,

Sector 125, Noida,

Uttar Pradesh 201303

[email protected]

Сопротивление диода — статическое, динамическое и обратное сопротивление

Свойство материала, которое оказывает сопротивление потоку электронов или электрическому току, известно как сопротивление. Диод с p-n переходом пропускает ток, когда он смещен в прямом направлении, и блокирует ток, когда он смещен в обратном направлении. Однако диод не пропускает полностью ток при прямом смещении и не блокирует ток при обратном смещении. В идеале диод должен иметь нулевое сопротивление при прямом смещении и бесконечное сопротивление при обратном смещении.

Обедненный слой в диоде с p-n переходом оказывает сопротивление потоку электронов. Сопротивление диода при прямом смещении зависит от ширины обедненного слоя. При прямом смещении ширина обедненного слоя уменьшается. Тем не менее, слой истощения не может быть полностью уничтожен. Тонкий слой обедненного слоя существует всегда. Сопротивление, предлагаемое этим тонким слоем обедненной области в состоянии прямого смещения, называется прямым сопротивлением диода.

Когда диод с p-n переходом смещен в обратном направлении, ширина обедненной области увеличивается, и носители заряда блокируются обедненным слоем. Сопротивление обедненного слоя велико из-за большей ширины обедненного слоя. При обратном смещении диод оказывает очень большое сопротивление электрическому току. Это сопротивление называется обратным сопротивлением.

При обратном смещении через диод протекает только небольшое количество электрического тока из-за неосновных носителей. Таким образом, сопротивление диода должно быть бесконечным при обратном смещении, но практически оно не имеет бесконечного сопротивления из-за тока, протекающего через обедненный слой за счет неосновных носителей заряда.

Существует два типа сопротивления диода с p-n переходом.

1. Прямое сопротивление диода

2. Обратное сопротивление диода

 

Прямое сопротивление диода
Форвардное сопротивление можно разделить на две категории.

1. Статическое сопротивление или сопротивление постоянному току

2. Динамическое сопротивление или сопротивление переменному току

Статическое сопротивление или прямое сопротивление диода постоянному току

 

Когда постоянный ток подается на диод, ток течет в одном направлении. Сопротивление диода называется сопротивлением постоянному току.

 

Formula of Forward DC Resistance of Diode

R DC = V D  / I D

V- I characteristics of the forward biased diode is as нижеприведенный.

 

Решенный пример прямого сопротивления диода

Рассчитайте сопротивление диода постоянному току на следующей кривой V-I.

a) ID = 2 мА
b) ID = 20 мА
c) VD = -10 В

 

Прямое сопротивление диода уменьшается с увеличением напряжения прямого смещения.

 

Динамическое сопротивление или прямое сопротивление диода переменному току

Сопротивление, создаваемое диодом при подаче переменного тока на диод, называется сопротивлением переменному току или динамическим сопротивлением. Ток течет в обоих направлениях, когда приложено переменное напряжение.

Кривая V-I диода с p-n переходом, как показано ниже.

Отношение изменения напряжения к изменению тока представляет собой динамическое сопротивление диода. Обозначается r _ac.

Формула сопротивления переменного тока или динамической сопротивления диода

Обратное сопротивление диода

Когда обратное смещение применяется к P-N-jundition Diode Dipter Lay Lay-Lyter Lay-Lyter Diptoration Lyster Diptoration Lyster Lyter Layer Deplotation Lyster Lyter Lay-Lyter Lyther Deplotation Lay-Lyter и DEPLETTION LYPTTION LYPTIOD LYPTTIOD LYPTTIOD LYPTIOD.