КТ315

Электронные Компоненты Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n усилительные высокочастотные маломощные. Предназначены для работы в схемах усилителей высокой, промежуточной и низкой частоты. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на корпусе. или Масса транзистора не более 0,18 г. Электрические параметры Граничное напряжение при IЭ = 5 мА не менее: КТ315А, КТ315Б, КТ315Ж 15 В КТ315В, КТ315Д, КТ315И 30 В КТ315Г, КТ315Е 25 В Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при I К = 20 мА, IБ = 2 мА не более: КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г 0,4 В КТ315Д, КТ315Е 1,0 В КТ315Ж 0,5 В Напряжение насыщения база-эмиттер при IК = 20 мА, IБ = 2 мА не более: КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г 1,1 В КТ315Д, КТ315Е 1,5 В КТ315Ж 0,9 В Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при UКЭ = 10 В, IK = 1 мА: КТ315А, КТ315В, КТ315Д 20 — 90 КТ315Б, КТ315Г, КТ315Е 50 — 350 КТ315Ж 30 — 250 КТ315И не менее 30 Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте при UКБ = 10 В, IЭ = 5 мА: КТ315А 300 нс КТ315Б, КТ315В, КТ315Г 500 нс КТ315Д, КТ315Е, КТ315Ж 1000 нс Емкость коллекторного перехода при UКБ = 10 В, f = 10 МГц не более: КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е, КТ315И 7 пФ КТ315Ж 10 пФ Модуль коэффициента передачи тока при UКБ = 10 В, f = 100 МГц, IК = 1 мА не менее: КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е, КТ315И 2,5 КТ315Ж 1,5 Входное сопротивление при UКЭ = 10 В, IК = 1 мА не менее 40 Ом Выходная проводимость при UКЭ = 10 В, IК = 1 мА 0,3 мкСм Обратный ток коллектора при UКБ = 10 В не более 1 мкА Обратный ток коллектора при R БЭ = 10 кОм, UКЭ = UКЭмакс не более: КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е 1 мкА КТ315Ж 10 мкА КТ315И 100 мкА Обратный ток эмиттера при UБЭ = 5 В: КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е, КТ315Ж 30 мкА КТ315И 50 мкА Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при RБЭ = 10 кОм, Tк 213. ..373 К: КТ315А 25 В КТ315Б 20 В КТ315В, КТ315Д 40 В КТ315Г, КТ315Е 35 В КТ315Ж 15 В КТ315И 60 В Постоянное напряжение база-эмиттер при Tк 213…373 К 6 В Постоянный ток коллектора при Tк 233…373 К: КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е 100 мА КТ315Ж, КТ315И 50 мА Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Tк 213…298 К: КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е 150 мВт КТ315Ж, КТ315И 100 мВт Температура перехода 393 К Температура окружающей среды от 213 до 373 К

Транзистор КТ315 | Радиодетали в приборах

Транзисторы

30. 06.2019

Arazbor

Транзистор КТ315
Справочник содержания драгоценных металлов в радиодеталях основанный на справочных данных различных организаций занимающихся переработкой лома радиодеталей, паспортах устройств, формулярах и других открытых источников. Стоит отметить, что реальное содержание может отличатся на 20-30% в меньшую сторону.

Радиодетали могут содержать золото, серебро, платину и МПГ (Металлы платиновой группы, Платиновая группа, Платиновые металлы, Платиноиды, ЭПГ)

Содержание драгоценных металлов в транзисторе: КТ315

Золото: 8.0E-5
Серебро: 0
Платина: 0
МПГ: 0
По данным: Справочник по драгоценным металлам ПРИКАЗ №70

Транзистор, полупроводниковый триод — радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, способный от небольшого входного сигнала управлять значительным током в выходной цепи, что позволяет его использовать для усиления, генерирования, коммутации и преобразования электрических сигналов. В настоящее время транзистор является основой схемотехники подавляющего большинства электронных устройств и интегральных микросхем.

Типы транзисторов

Существует два основных типа транзисторов: биполярные и полевые.

1. Биполярные транзисторы. Они являются, вероятно, более распространенным типом (именно о них, например, шла речь в предыдущих разделах этой главы). В базу такого транзистора подается небольшой ток, а он, в свою очередь, управляет количеством тока, протекающего между коллектором и эмиттером.
2. Полевые транзисторы. Имеют три вывода, но они называются затвор (вместо базы у биполярного), сток (вместо коллектора) и исток (вместо эмиттера). Аналогично воздействие на затвор транзистора (но на этот раз не тока, а напряжения) управляет током между стоком и истоком. Полевые транзисторы также имеют разную полярность: они бывают N-канальные (аналог NPN-биполярного транзистора) и Р-канальные (аналог PNP).

Маркировка транзисторов СССР

Обозначение транзисторов до 1964 года
Первый элемент обозначения — буква П, означающая, что данная деталь и является, собственно, транзистором. Биполярные транзисторы в герметичном корпусе обозначались двумя буквами — МП, буква М означала модернизацию. Второй элемент обозначения — одно, двух или трехзначное число, которое определяет порядковый номер разработки и подкласс транзистора, по роду полупроводникового материала, значениям допустимой рассеиваемой мощности и граничной(или предельной) частоты.
От 1 до 99 — германиевые маломощные низкочастотные транзисторы.
От 101 до 199 — кремниевые маломощные низкочастотные транзисторы.
От 201 до 299 — германиевые мощные низкочастотные транзисторы.
От 301 до 399 — кремниевые мощные низкочастотные транзисторы.
От 401 до 499 — германиевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы.
От 501 до 599 — кремниевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы.
От 601 до 699 — германиевые высокочастотные и СВЧ мощные транзисторы.
От 701 до 799 — кремниевые высокочастотные и СВЧ мощные транзисторы.

Обозначение транзисторов после 1964 года

Первый символ необходим для обозначения типа используемого материала
Буква Г или цифра 1 — германий.
Буква К или цифра 2 — кремний.
Буква А или цифра 3 — арсенид галлия.

Второй символ обозначает тип транзистора
П — полевой транзистор
Т — биполярный транзистор

Третий символ необходим для обозначения мощности и граничной частоты
1 — транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) низкочастотные(до 3 МГц).
2 — транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) средней частоты(до 30 МГц).
3 — транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) высокочастотные.
4 — транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт), низкочастотные(до 3 МГц).
5 — транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт),средней частоты(до 30 МГц).
6 — транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт),высокочастотные и СВЧ.
7 — транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), низкочастотные(до 3 МГц).
8 — транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), средней частоты(до 30 МГц).
9 — транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), высокочастотные и СВЧ.

Четвертый и пятый элементы обозначения — определяют порядковый номер разработки.

Изменения в маркировке вступившие в силу в 1978 году. Изменения коснулись обозначения функциональных возможностей — третьего элемента.

Для биполярных транзисторов:
1 — транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой до 30 МГц.
2 — транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой до 300 МГц.
4 — транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой более 300 МГц.
7 — транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой до 30 МГц.
8 — транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой до 300 МГц.
9 — транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой свыше 300 МГц.

Tags: транзистор

Транзистор КТ315. Характеристики, маркировка и паспорт — Электронная микросхема

• Автор сообщения: Транзистор
• Сообщение опубликовано: 16. 11.2021
• Категория поста: Биполярные транзисторы малой мощности

Просмотры: 339

Самый массовый советский маломощный кремниевый транзистор n-p-n, который, наверное, известен каждому радиолюбителю и который можно встретить в большинстве старых бытовых электронных устройств, — это транзистор КТ315. Транзистор начал свою историю в 1967 году и насчитывал более 7 миллиардов штук. всего было изготовлено, такая популярность обусловлена ​​характеристиками устройства. Транзистор применялся в радиоприемниках, телевизорах, усилителях и другой технике. Изготавливался по эпитаксиально-планарной технологии.

                                                               Основные характеристики транзистора:

• Напряжение коллекционера -эмиттер KT315A -25V
  KT315B -20V
  KT315V, D -40V
  KT315G, E -35V
  KT315J -15V
  KT315I -60V
  Collector Current KT315A, B, V, G, D, E -100MA KT315J, I-50MA
  Коэффициент переноса тока H31E KT315A, V, D 20-90
  KT315B, G, E 50-350
  KT315J IT315B, g, E 50-350
  KT3151515J 30. -250
                                                                                          кт315и 30
  Предельная частота 250 МГц
  Напряжение эмиттер-база 6В
  Ток обратного коллектора 1ма
  Рассеиваемая мощность KT315A,B,C,g,D,e -150мВт KT315J,I-100мВт

На фото плата усилителя низкой частоты. Как видите, на плате не менее 8 транзисторов кт315, их около 15 полностью в устройстве, вот и популярность транзистора. это узнаваемый корпус, транзистор скорее всего уже не производится, хотя может быть выпуск в корпусе ТО-92.

Тестер показывает следующие характеристики транзистора:коэффициент передачи по току 165,при токе коллектора 1,5мА ​​

Транзистор кт315 имеет двойник, это p-n-p транзистор кт361 и оба они составляют комплиментарную пару. У КТ361 точно такой же корпус и расположение выводов, но проводимость другая. Отличается от КТ315 надписью на корпус.Если возле буквы или по бокам вдоль линии жирная точка, то это кт361.Даже в черном корпусе может быть сдвоенный варикап КВС.

Замечания по транзистору. В редких случаях могут быть ненадежны. Это может проявляться тем, что при нагреве транзистора он может уйти в пробой, а при остывании снова будет нормально работать. не малошумящий транзистор, из-за пластикового корпуса имеет чувствительность к свету!, так же очень чувствителен к температуре.

Hoja de datos ( техническое описание в формате PDF ) электронных компонентов

Номер пьезы	Описание	Фабрикантес	ПДФ
1N5929BRNG	Стабилитроны напряжения	ПО Полупроводник	ПДФ
1N5932БРНГ	Стабилитроны напряжения	ПО Полупроводник	ПДФ
1N5934BRNG	Стабилитроны напряжения	ПО Полупроводник	ПДФ
74LVC16245A	Приемопередатчик 16-битной шины	NXP Полупроводники	ПДФ
74ЛВЧ26245А	Приемопередатчик 16-битной шины	NXP Полупроводники	ПДФ
АП02Н40Х	N-КАНАЛЬНЫЙ РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ МОЩНОСТИ МОП-транзистора	Передовая силовая электроника	ПДФ
АП02Н40ДЖ	N-КАНАЛЬНЫЙ РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ МОЩНОСТИ МОП-транзистора	Передовая силовая электроника	ПДФ
АП0403ГМ	N-КАНАЛЬНЫЙ РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ МОЩНОСТИ МОП-транзистора	Передовая силовая электроника	ПДФ
АП04Н70БИ-Х	N-КАНАЛЬНЫЙ РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ МОЩНОСТИ МОП-транзистора	Передовая силовая электроника	ПДФ
АП0603ГХ	N-КАНАЛЬНЫЙ РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ МОЩНОСТИ МОП-транзистора	Передовая силовая электроника	ПДФ
АП0603ГМ	N-КАНАЛЬНЫЙ РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ МОЩНОСТИ МОП-транзистора	Передовая силовая электроника	ПДФ
АП0903ГХ	N-КАНАЛЬНЫЙ РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ МОЩНОСТИ МОП-транзистора	Передовая силовая электроника	ПДФ
АП0903ГМ	N-КАНАЛЬНЫЙ РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ МОЩНОСТИ МОП-транзистора	Передовая силовая электроника	ПДФ
АП13Н50И	N-КАНАЛЬНЫЙ РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ МОЩНОСТИ МОП-транзистора	Передовая силовая электроника	ПДФ
Una ficha técnica, hoja técnica u hoja de datos (техническое описание на английском языке), también ficha de características u hoja de características, es un documento que резюме el funcionamiento y otras caracteristicas de un componente (por ejemplo, un componente electronico) o subsistema por ejemplo, una fuente de alimentación) con el suficiente detalle para ser utilizado por un ingeniero de diseño y diseñar el componente en un sistema. alexxlab Добавить комментарий Отменить ответ Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены * Комментарий * Имя * Email * Сайт Рубрики Прост Радио Разное Своими руками Советы Схем Схемы Транзист Транзисторы Электрон Электроника