Datasheet что это такое: Что такое даташит и зачем он нужен – Что такое даташит (datasheet)? Поиск информации о радиодеталях. — RC74 — интернет-магазин радиоуправляемых моделей

Содержание

Что такое даташит и зачем он нужен

Приветствую, друзья!

А Вы слышали это словечко — даташит? Наш лексикон последние годы изрядно обогатился англицизмами.

Люди, которые занимаются электроникой и ковыряются в компьютерах, наверняка знакомы с этим термином. Те, кто только готовится окунуться в это увлекательное дело, читаем дальше!

Даташит — это транслитерированное data sheets, справочные листы с информацией. Представляет собой официальный документ производителя электронных компонентов.

Там приводятся техническое описание компонента, его параметры, режимы эксплуатации, схемы включения и другая информация.

Немного истории

Сейчас абсолютное большинство электронных компонентов, которые присутствуют на рынке, изготовлены зарубежными производителями. В Советском Союзе было наоборот: при изготовлении электроники использовали в большинстве своем отечественные компоненты.

На каждый компонент изготовителем поставлялись технические условия (ТУ), которые найти можно было только на заводах, где электронную аппаратуру изготавливали. В свободном доступе их не было.

В технических условиях было все то (и даже больше), что имеется в нынешних даташитах. Существовали бумажные справочники, где была собрана самая необходимая информация, которые найти было уже легче.

Сейчас любой data sheets можно очень легко найти. Надобность в толстых бумажных справочниках отпала.

Что можно найти на первой странице даташита?

Сразу отметим, что первую страницу даташита формируют не только технари-инженеры, но и специалисты маркетингу и рекламе. Электронные компоненты производят для того, чтобы их покупали, поэтому надо показать товар лицом.

На первой странице data sheets приводятся:

свойства компонента (features),
его основные параметры (quick reference data),
обозначение на принципиальных схемах (symbol),
краткое описание (general description).

Могут описываться предельные режимы эксплуатации (limiting values, absolute maximum rating) или что-то в этом роде. Часто приводят изображения корпуса компонента и назначение выводов (pinning information, pin description).

С первого листа должно быть понятно, что за штуковина перед нами.

Вот как выглядит, например, первый лист даташита на MOSFET (полевой транзистор) 55N03T. Мы сразу видим, что это транзистор very low on-state resistance (имеет низкое сопротивление открытого канала сток-исток Rds), 18 мОм при напряжении затвор-исток Vgs 10 В.

Такое сопротивление получено с помощью trench-технологии. Область применения (applications) — сильноточные ключи (high current switching), высокочастотные (high-frequency) dc-dc конверторы для компьютерных материнских плат (computer motherboard).

И действительно, этот транзистор я выдрал с неисправной материнской платы компьютера. Конвертер на материнской плате из напряжение 12 В блока питания выдает напряжение 1 с лишним В для питания ядра процессора.

Ниже расположена цоколевка (pinning) транзистора, разновидности корпусного исполнения. В конце первого листа приведена таблица предельных режимов, из которых видно, что максимально мощность, рассеиваемая транзистором (total power dissipation), не должна превышать 103 Вт. Естественно, с наличием радиатора.

Температура (рабочая и хранения) транзистора должна лежать в пределах от минус 55 до плюс 175.

Что еще есть в даташите?

Далее идут электрические и температурные характеристики, причем параметры содержат минимальное, типовое и максимальное значение. Как ни отлаживай технологию производства, всегда будет существовать разброс параметров.

Типовое — это наиболее вероятное значение.

Даташиты могут содержать графики зависимости одного параметра другого. Например, в нашем случае зависимость тока стока от напряжения сток-исток при определенных значениях напряжения исток-затвор.

В заключение приводится информация о температурном режиме при монтаже (пайке) компонента, его упаковки маркировки и схемах включения.

Зачем нужен даташит?

Resume Из всего сказанного понятно, что datasheet нужен разработчикам электронных изделий, чтобы правильно использовать электронный компонент при разработке аппаратуры.

В то же время справочными данными могут пользоваться и ремонтники, чтобы заменить вышедшую из строя «железку» аналогичной.

В этом случае используются только некоторые данные из даташита — предельно допустимые режимы или типовые значения параметров.

Где можно найти даташит?

Его можно найти в интернете. Достаточно вбить в поисковую систему фразу «маркировка компонента datasheet». Например, в нашем случае будет «55N03T datasheet».

Маркировка (или часть ее) наносится на корпус электронного элемента. Существует множество сайтов- каталогов электронных компонентов. Как правило, даташиты приводятся в формате PDF.

Заканчивая, отметим, что иногда официальные документы могут содержать некоторые неточности. Поэтому хорошо бы скачать разные даташиты одного и того же компонента и сравнить.

Если вы собираетесь серьезно заниматься ремонтами, придется изучать, как работают электронные компоненты, те же транзисторы и диоды.

Первоначальные сведения о том, как устроен полевой или биполярный транзистор, можно получить на этом сайте.

Можно еще почитать:

Что такое RoHS.

Всего наилучшего!

Что такое даташит (datasheet)? Поиск информации о радиодеталях.

Ищем данные о характеристиках радиодеталей

При ремонте и конструировании современной радиоэлектронной аппаратуры очень часто возникает необходимость в информации о конкретных радиоэлементах: диодах, транзисторах, микросхемах и многих других деталях.

Производством и разработкой электронных компонентов занимаются сотни различных фирм, а предлагаемый ассортимент постоянно увеличивается и обновляется.

В настоящее время рынок радиоэлектронных компонентов заполнен разношёрстным импортом. Каких только обозначений не встретишь на корпусах современных радиоэлементов: 2SB764, LA78040, BA1404, LM1117, SN74HC05N, 1N5822, PAM8403, CD5954, MC34063AP,

список можно продолжать до бесконечности.

Как же не запутаться в этих цифро-кодовых обозначениях и найти информацию по конкретному компоненту?

Для опытных радиолюбителей это не проблема. Для начинающих электронщиков разобраться в том, что же скрывается в миниатюрном пластиковом корпусе с непонятной маркировкой порой не так-то просто.

Узнать подробную информацию об электронном компоненте можно из его «даташита» (от англ. – datasheet). Он же справочный лист, техническая документация или описание электронного компонента или изделия. В нём приводятся все характеристики прибора, например, для транзистора – тип проводимости, цоколёвка, тип корпуса, размеры, кодовое обозначение, приводятся всевозможные характеристики, графики зависимостей и многое другое. Имея подробную информацию о радиоэлементе можно быстрее найти ему замену

Особенно важна информация по современным микросхемам. В описании, как правило, приводятся стандартные схемы включения с обозначением номиналов и параметров элементов обвязки. Также указывается сферы применения данной микросхемы и её особенности. Для начинающего радиолюбителя такая информация крайне важна, поскольку позволяет понять назначение и функционал микросхемы, узнать её схему включения, величину номинального и максимального питающего напряжения, назначение выводов и т.д.

Умение работать с технической документацией, это одно из важных качеств специалиста, работающего с электронной техникой.

Где же можно найти описания (datasheet) для радиодеталей?

Очень большое количество описаний всевозможных полупроводников можно найти на сайте www.alldatasheet.com

На момент написания статьи на сайте доступно более 20 миллионов описаний радиоэлементов. Каждый месяц база пополняется более чем на 30 000 описаний! В сутки ресурс обрабатывает более 370 000 поисковых запросов пользователей!

Было бы глупо не воспользоваться возможностями такого мощного сайта.

Как же пользоваться данным сайтом?

Зайдя на главную страницу сайта, мы увидим поле ввода поискового запроса.

К примеру, вводим в поисковую форму — PB137 и жмём кнопку Поиск (Search).

Поиск выдал нам два результата.

Далее жмём на значке . Откроется новая страница.

На новой странице щёлкаем по изображению, которое выглядит как документ.

После этого откроется ещё одна страница и во внутреннем окне начнётся процесс загрузки PDF документа с информацией на электронный компонент.

После полной загрузки даташита его можно просмотреть. При необходимости его можно сохранить на компьютере, как и любой другой PDF файл. Сделать это можно, нажав на кнопку в виде дискеты, которая расположена на панели инструментов.

Появиться окно, где необходимо указать, где сохранить PDF файл и как он будет назван. Кроме такого способа сохранить даташит есть ещё один. Жмём правой кнопкой мыши на любом месте документа и в выпадающем меню выбираем «Сохранить как…». Всё довольно знакомо.

Также можно распечатать даташит прямо из браузера. Для этого жмём кнопку с изображением принтера и указываем настройки печати.

В PDF документе приводится описание микросхемы PB137: структурная схема, стандартная схема включения, электрические характеристики, краткое описание назначения микросхемы, изображение корпуса прибора, таблицы с параметрами.

К сожалению все документы на иностранном языке (в основном на английском). При переводе интересующей информации можно пользоваться on-line переводчиками, например, переводчиком от Google.

Главная &raquo Радиоэлектроника для начинающих &raquo Текущая страница

Также Вам будет интересно узнать:

что такое, где взять и как пользоваться

В речи людей, связанных с электроникой, встречается фраза: «Нужно посмотреть даташит». Что такое имелось в виду и где взять пресловутый даташит?

Словечко заимствовано из английского языка и оригинально записывается как datasheet. Если перевести его на русский, дословно получится «лист с информацией». Документ составляют на различные устройства и электронные компоненты. Поэтому правильно говорить, что даташит – это техническая документация, подготовленная производителем.

Поиск даташит электронных компонентов

Возможно, станет понятно, что такое даташит микросхемы, после того как он будет открыт. Но вопрос: «Где его взять?»

В Советском Союзе документация стандартизировалась. Если требовалось найти информацию о транзисторе или микросхеме, нужно было взять соответствующее руководство. Сегодня необходимость в справочниках отпала. Их заменили поисковые системы – достаточно вбить слово datasheet и указать название требуемого устройства. Второй вариант получить даташит – зайти на сайт, где собрана документация, и на нём уже провести поиск.

Спецификации на компоненты предоставляются в виде pdf-файлов. Открыть их можно непосредственно в браузере.

Первая страница даташита

После того как документ загружен на компьютер, нужно открыть даташит. Что такое он содержит, на что обратить внимание первую очередь?

Начинать следует с первой страницы. На ней приводится информация, подчёркивающая уникальность конкретного устройства, например широкий частотный диапазон, пониженное энергопотребление, малый темновой ток.

Начальная страница технической спецификации содержит:

Следует заметить, что приводимой информации не всегда бывает достаточно, поэтому доверять ей полностью не стоит. Ответы на возникающие вопросы необходимо искать в соответствующих разделах документа. Цель первой страницы – дать представление о нём, то есть рассказать, что такое.

Даташит транзистора по сравнению с аналогичным документом для микросхем невелик, поэтому на первой странице сразу же указывают информацию о его параметрах и подключении.

Содержание документа

Наиболее часто пользователи спрашивают про даташит: «Что такое и как его читать?» Если первый вопрос был рассмотрен, то второй ещё предстоит изучить.

Инженеры-электронщики обращают внимание на следующие разделы документа.

Описывает назначение каждого пина микросхемы или транзистора. Проектировщику важны выводы под маркировкой Vcc и GND. Первый из них предназначен для подачи питающего напряжения (чаще всего +5 В), второй – для подключения «земли». Микроконтроллеры могут иметь несколько таких выводов. Их расположение зависит от типа корпуса (PDIP/TQFP/ MLF).

Схема устройства (Block Diagram).

Изображает внутреннее содержание компонента. Например, для микроконтроллера показываются входящие в его состав память, генератор тактовой частоты, порты ввода-вывода.

Схема включения (Circuit Schematic).

Определяет типовое подключение устройства. На практике схемы отличаются от приводимых в документации, поскольку в каждом конкретном случае микросхема или транзистор являются частью сложного электронного устройства, в котором должны учитываться все его составляющие.

Температурные и электрические параметры.

Данные величины приводятся в виде графиков, отражающих зависимость одного параметра от другого.

Заключительные рекомендации

Начинающий разработчик электронной аппаратуры не всегда понимает, как читать даташит, что такое схема устройства и зачем нужна цоколёвка. Тем не менее рекомендуется читать справочные материалы при разработке нового прибора или ремонте вышедшего из строя оборудования.

DataSheet — Техническая документация к электронным компонентам на русском языке.

Описание

U2010B спроектирована как микросхема для фазового управления по биполярной технологии. Она позволяет отслеживать нагрузку по току и имеет функцию плавного пуска, а также выход опорного напряжения. Предпочтительными применениями являются управление двигателем с обратной связью по току и защитой от перегрузки.

Функции:

Измерение полного волнового тока
Коррекция изменения питающей сети
Программируемое ограничение тока нагрузки с выходом сверхвысокой мощности
Изменяемый плавный пуск
Синхронизация напряжения и тока
Автоматическая перезагрузка
Типовой переключающий импульс 125 мА
Внутренний контроль напряжения питания
Потребляемый ток ≤ 3 мА
Температурная компенсация опорного напряжения

Читать далее «U2010B — Микросхема фазового управления с обратной связью по току и защитой от перегрузки.» →

Обзор продукта

BTS 5242-2L — это двухканальный силовой переключатель верхнего плеча в корпусе PG-DSO-12-9 (рис.1), оснащенный встроенной защитной функцией.

Силовой транзистор построен на N-канальном силовом (полевом) МОП-транзисторе с вертикальной структурой и подкачкой заряда. Твердотельный прибор разработан по технологии Smart SIPMOS.

Рисунок 1. BTS 5242-2L в корпусе PG-DSO-12-9

Читать далее «BTS 5242-2L Интеллектуальный силовой переключатель верхнего плеча, Двухканальный, 25 мОм» →

Функции

Выходной ток до 1 А
Выходные напряжения: 5, 6, 8, 9, 10, 12, 15, 18, 24 В
Тепловая защита от перегрузки
Защита от короткого замыкания
Защита выхода транзистора в рабочей области

Описание

Серия трехвыводных положительных стабилизаторов LM78XX доступна в корпусе TO-220 и с несколькими фиксированными выходными напряжениями, делая их полезными в широком спектре применений. Каждый тип использует внутреннее ограничение тока, тепловое отключение и защиту рабочей области. Если предусмотрено достаточное теплоотведение, они могут обеспечивать выходной ток более 1 А. Несмотря на то, что эти устройства предназначены главным образом в качестве фиксированных регуляторов напряжения, также могут использоваться с внешними компонентами для регулирования напряжений и токов.

Рис. 1. Корпус ТО-220

Читать далее «LM78XX / LM78XXA 3-х выводной 1 А положительный стабилизатор напряжения» →

1. Функции

Широкий диапазон напряжения питания от 4.5 В до 36 В
Отдельный вход источника питания для логической части
Внутренняя защита от электростатического разряда
Входы с высоким уровнем помехоустойчивости
Возможность выходного тока на канал – 1 A (600 мА для L293D)
Пиковый выходной ток на канал – 2 А (1.2 A для L293D)
Выходные ограничительные диоды для подавления индуктивных переходных процессов (L293D)

2. Применение

Драйверы для шаговых двигателей
Драйверы для двигателей постоянного тока
Драйверы для фиксации состояния реле

Логическая схема ИС L293D, L293DD

Читать далее «Четырехканальный H-мостовой драйвер L293x» →

Общее описание

PT4115 представляет собой индуктивный понижающий преобразователь с непрерывным режимом работы, предназначенный для управления одним или несколькими последовательно подключенными светодиодами, питающимися от источника напряжения выше, чем общее напряжение цепи светодиодов. Микросхема может работать от источника питания с напряжением от 6 до 30 В и обеспечивает внешний регулируемый выходной ток до 1,2 А. В зависимости от напряжения питания и внешних компонентов, PT4115 может обеспечивать выходную мощность более 30 Вт. PT4115 включает в себя выключатель питания и схему контроля выходного тока, которая использует внешний резистор для установки номинального среднего выходного тока, а на отдельный вход DIM можно подавать либо постоянное напряжение, либо широкий диапазон ШИМ. Если подать напряжение 0,3 В или меньше на вывод DIM, отключает выход и микросхема переходит в ждущий режим. PT4115 выпускается в корпусах SOT89-5 и ESOP8.

Свойства

Малое количество подключаемых внешних компонентов
Широкий диапазон напряжения питания: от 6 до 30 В
Выходной ток до 1.2 А
Один вывод для включения/выключения и регулировки яркости, использующий постоянное напряжение или ШИМ
Частота коммутации до 1 МГц
Номинальная точность поддержания выходного тока 5%
Встроенная схема отключения для защиты светодиодов
Высокий К.П.Д. (до 97%)
Отслеживание тока на стороне высокого напряжения
Гистерезисное управление: без компенсации
Регулируемый постоянный ток светодиода
Корпус ESOP8 для схем с большой выходной мощностью
Соответствует RoHS

Читать далее «PT4115 — Понижающий преобразователь (драйвер светодиодов)» →

Схема фазового управления с обратной связью

Описание:

Интегральная схема U211B2/B3 разработана как схема фазоконтроля по биполярной технологии с внутренним преобразователем частоты (аналог TDA1085). Кроме того, микросхема оснащена встроенным усилителем сигнала управления и может использоваться для регулирования скорости вращения электродвигателя. Он имеет интегрированное ограничение нагрузки, мониторинг цепи тахометра и функции плавного пуска и многое другое для реализации сложных систем управления двигателем.

Особенности (свойства):

Внутренний преобразователь частоты в напряжение
Интегрированный усилитель с внешним управлением
Ограничение перегрузки с «откидной» характеристикой
Оптимизированная функция плавного пуска
Мониторинг тахометра для замкнутого и разомкнутого контура
Автоматическая перезагрузка
Стандартное значение импульса срабатывания: 155 мА
Синхронизация напряжения и тока
Внутренний мониторинг напряжения питания
Источник задания температуры
Потребление тока ≤ 3,3 мА

Читать далее «U211B2/B3 — Регулятор оборотов коллекторного двигателя» →

Свойства

Мощные симисторы
Низкое тепловое сопротивление
Высокая коммутирующая способность
Сертифицированы по стандарту UL1557
Корпусы соответствуют директиве RoHS (2002/95/EC)

Применение

Описание

Доступны в мощных корпусах. Симисторы серии BTA / BTB40-41 подходят для коммутации переменного тока общего назначения. Серия BTA снабжена изолированным язычком (номинальное среднеквадратичное напряжение пробоя 2500 В).

Типы корпусов (A1, A2 — аноды, G — управляющий электрод)

Читать далее «Симисторы серии BTA40, BTA41, BTB41» →

Расположение выводов IRF740

Описание
Третье поколение МОП-транзисторов от компании Vishay дают проектировщику схемы лучшее сочетание быстрого переключения и запаса прочности, низкое сопротивление в открытом состоянии, небольшую стоимость и высокую эффективность. Исполнение в корпусе TO-220AB является оптимальным для применения в схемах промышленных устройств с уровнем рассеиваемой мощности до 50 Вт. Низкое тепловое сопротивление и небольшая стоимость сделали его, часто используемым, в схемах различных устройств.
Читать далее «IRF740 — Мощный MOSFET (полевой МОП) транзистор» →
Свойства
Управляющие каналы предназначены для работы под нагрузкой
— Полностью работоспособны при напряжении до +600 В
— Нечувствителен к отрицательным переходным напряжениям
— Невосприимчив к скорости нарастания напряжения dV/dt
Купить IR2104
Читать далее
Что такое datasheet? – для новичков в радиоделе
Многие производители сопровождают свои изделия описаниями Есть, конечно, и справочники, где собраны и классифицированы все модели транзисторов, резисторов, конденсаторов и микросхем Но издание справочников, как правило, не успевает за выпуском всё новых и новых изделий Поэтому разумно использовать справочные листки (или, скорее, буклеты), чтобы получить все необходимые данные
Много справочной информации можно найти, например, на сайте магазина «Чип и Дип»: wwwchipdipru
Вот цоколёвка контроллера PIC16F887 из datasheet (в корпусе PDIP):
Рис 379 Микроконтроллер PIC16F887
И его характеристики:
•      Высокоскоростная RISC архитектура
•      35 инструкций
•      Все команды выполняются за один цикл кроме инструкций переходов
•      Тактовая частота:
–        DC – 20МГц, тактовый сигнал
–        DC – 200нс, один машинный цикл
•      Система прерываний (до 14 источников)
•      8-уровневый аппаратный стек
•      Прямой, косвенный и относительный режим адресации
•      Прецизионный внутренний тактовый генератор:
–        Заводская калибровка до ±1%
–        Программно задаваемый диапазон частот от 8 MHz до 31 kHz
–        Программная подсторойка
–        Двухскоростной режим включения
–        Обнаружение неисправности кварца для критических приложений
–        Переключение режима тактирования в процессе работы для энергосбережения
•      Режим сна для энергосбережения
•      Широкий диапазон напряжения питания (20V-55V)
•      Индустриальный и расширенный диапазон температур
•      Сброс по включению питания (POR)
•      Таймер сброса (PWRT) и таймер ожидания запуска генератора (OST) после включения питания
•      Сторожевой таймер WDT с собственным RC генератором и тд
Характеристика периферийных модулей:
•      24/35 выводов с индивидуальной настройкой направления:
–        Сильноточные исток/сток для непосредственного подключения LED
–        Вывод прерывания по изменению
–        Индивидуально программируемое подтягивание
–        Сверхнизкое потребление режима ожидания (ULPWU)
•      Модуль аналогового компаратора с:
–        Двумя аналоговыми компараторами
–        Программируемый модуль встроенного источника опорного напряжения (CVREF, % от VDD)
–        Фиксированное опорное напряжение (06V)
–        Входы и выходы компаратора доступны извне
–        Режим SR триггера
–        Внешний Timer1 вентиль (с разрешением счёта)
•      АЦП конвертор:
–        10-битовое разрешение и 11/14 каналов
•      Timer0: 8-битовый таймер/счётчик с 8-битовым программируемым предделителем
•      Расширенный Timer1:
–        16-битовый таймер/счётчик с предделителем
–        Режим входа внешнего вентиля
–        Специальный, с низким потреблением осциллятор 32 kHz и многое другое
Помимо подробной информации о микроконтроллере и его командах есть примеры на ассемблере основных операций, например:
Инициализация PORTA
BANKSEL PORTA
CLRF PORTA      Инициализация PORTA BANKSEL ANSEL
CLRF ANSEL      Цифровой ввод-вывод BCF STATUS,RP1 Банк 1
BANKSEL TRISA
MOVLW 0Ch       Установить RA<3:2> как входы MOVWF TRISA     и установить RA<5:4,1:0>
; как выходы
Я не сторонник изучения программирования микроконтроллеров с освоения языка ассемблера: за травой подчас не видно леса Но, когда дойдёт дело до этого, справочная информация из datasheet может оказать неоценимую помощь
Там же вы найдёте структурные схемы портов, функциональные схемы таймеров, временные диаграммы, схемы и рекомендации по организации тактового генератора – многое из того, что на первых порах вам не нужно, но что понадобится тогда, когда вы в достаточной мере освоитесь с микроконтроллерами
Источник: Гололобов ВН,- Самоучитель игры на паяльнике (Об электронике для школьников и не только), – Москва 2012
что это -, где взять и как пользоваться
В речи людей, связанных с электроникой, встречается фраза: «Нужно посмотреть даташит». Что такое имелось в виду и где взять пресловутый даташит?
Словечко заимствовано из английского языка и оригинально записывается как datasheet. Если перевести его на русский, дословно получится «лист с информацией». Документ составляют на различные устройства и электронные компоненты. Поэтому правильно говорить, что даташит – это техническая документация, подготовленная производителем.
Поиск даташит электронных компонентов
Возможно, станет понятно, что такое даташит микросхемы, после того как он будет открыт. Но вопрос: «Где его взять?»
В Советском Союзе документация стандартизировалась. Если требовалось найти информацию о транзисторе или микросхеме, нужно было взять соответствующее руководство. Сегодня необходимость в справочниках отпала. Их заменили поисковые системы – достаточно вбить слово datasheet и указать название требуемого устройства. Второй вариант получить даташит – зайти на сайт, где собрана документация, и на нём уже провести поиск.
Спецификации на компоненты предоставляются в виде pdf-файлов. Открыть их можно непосредственно в браузере.
Первая страница даташита
После того как документ загружен на компьютер, нужно открыть даташит. Что такое он содержит, на что обратить внимание первую очередь?
Начинать следует с первой страницы. На ней приводится информация, подчёркивающая уникальность конкретного устройства, например широкий частотный диапазон, пониженное энергопотребление, малый темновой ток.
Начальная страница технической спецификации содержит:
Следует заметить, что приводимой информации не всегда бывает достаточно, поэтому доверять ей полностью не стоит. Ответы на возникающие вопросы необходимо искать в соответствующих разделах документа. Цель первой страницы – дать представление о нём, то есть рассказать, что такое.
Даташит транзистора по сравнению с аналогичным документом для микросхем невелик, поэтому на первой странице сразу же указывают информацию о его параметрах и подключении.
Содержание документа
Наиболее часто пользователи спрашивают про даташит: «Что такое и как его читать?» Если первый вопрос был рассмотрен, то второй ещё предстоит изучить.
Инженеры-электронщики обращают внимание на следующие разделы документа.
Описывает назначение каждого пина микросхемы или транзистора. Проектировщику важны выводы под маркировкой Vcc и GND. Первый из них предназначен для подачи питающего напряжения (чаще всего +5 В), второй – для подключения «земли». Микроконтроллеры могут иметь несколько таких выводов. Их расположение зависит от типа корпуса (PDIP/TQFP/ MLF).
Схема устройства (Block Diagram).
Изображает внутреннее содержание компонента. Например, для микроконтроллера показываются входящие в его состав память, генератор тактовой частоты, порты ввода-вывода.
Схема включения (Circuit Schematic).
Определяет типовое подключение устройства. На практике схемы отличаются от приводимых в документации, поскольку в каждом конкретном случае микросхема или транзистор являются частью сложного электронного устройства, в котором должны учитываться все его составляющие.
Температурные и электрические параметры.
Данные величины приводятся в виде графиков, отражающих зависимость одного параметра от другого.
Заключительные рекомендации
Начинающий разработчик электронной аппаратуры не всегда понимает, как читать даташит, что такое схема устройства и зачем нужна цоколёвка. Тем не менее рекомендуется читать справочные материалы при разработке нового прибора или ремонте вышедшего из строя оборудования.
Справочник — DataSheet
Буквенное обозначение Параметр
Отечественное Международное
I_КБО I_CBO Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
I_ЭБО I_EBO Обратный ток эмиттера — ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
I_КЭO I_CEO Обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и разомкнутом выводе базы.
I_КЭR I_CER Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
I_КЭК I_CES Обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и короткозамкнутых выводах базы и эмиттера
I_КЭV I_CEV Обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и запирающем напряжении (смещении) в цепи база-эмиттер.
I_КЭX I_CEX Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и обратном напряжении база-эмиттер.
I_{K max} I_C max Максимально допустимый постоянный ток коллектора.
I_Э max I_E max Максимально допустимый постоянный ток эмиттера.
  I_Б max   I_B max Максимально допустимый постоянный ток базы.
I_{К , и max} I_CM max Максимально допустимый импульсный ток коллектора.
I_{Э , и max} I_EM max Максимально допустимый импульсный ток эмиттера.
I_КР — Критический ток биполярного транзистора.
U_{КБО проб.} U_{(BR) CBO} Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера.
U_{ЭБО проб.} U_{(BR) ЕBO} Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора.
U_{КЭО проб.} U_{(BR) CEO} Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и разомкнутой цепи базы.
U_{КЭR проб.} U_{(BR) CER} Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер.
U_{КЭK проб.} U_{(BR) CES} Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и короткозамкнутых выводах базы и эмиттера.
U_{КЭV проб.} U_{(BR) CEV} Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при запирающем напряжении в цепи база-эмиттер.
U_{КЭХ проб.} U_{(BR) CEX} Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении база-эмиттер и токе коллектор-эмиттер.
U_{КЭО гр} U_{(L) CEO} Граничное напряжение транзистора — напряжение между коллектором и эмиттером при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера.
U_смк U_pt Напряжение смыкания транзистора.
U_{КЭ нас} U_{CE sat} Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при заданных токах базы и коллектора.
U_{БЭ нас} U_{BE sat} Напряжение насыщения база-эмиттер при заданных токах базы и эмиттера.
U_{ЭБ пл} U_EBfl Плавающее напряжение эмиттер-база — напряжение между эмиттером и базой при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутой цепи эмиттера.
U_{КБ max} U_{CB max} Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база.
U_{КЭ max} U_{CE max} Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер.
U_{ЭБ max} U_{EB max} Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база.
U_{КЭ, и max} U_{CEM max} Максимальное допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер.
U_{КБ, и max} U_{CBM max} Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база.
U_{ЭБ, и max} U_{EBM max} Максимально допустимое импульсное напряжение эмиттер-база.
P P_tot Постоянная рассеиваемая мощность транзистора.
P_ср P_AV Средняя рассеиваемая мощность транзистора.
P_и P_M Импульсная рассеиваемая мощность транзистора.
P_K P_C Постоянная рассеиваемая мощность коллектора.
P_{K, τ max} — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом.
P_вых P_out Выходная мощность транзистора.
P_{и max} P_M max Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность.
P_K max P_C max Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора.
P_{K ср max} — Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность коллектора.
r_b r_bb , r_b Сопротивление базы.
r_{КЭ нас} r_{CE sat} Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером.
с_11э, с_11б c_11e, c_11b Входная емкость транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
с_22э, с_22б c_22e, c_22b Выходная емкость транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
c_к c_c Емкость коллекторного перехода.
c_э c_e Емкость эмиттерного перехода.
f_гр f_T Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером.
f_max f_max Максимальная частота генерации.
f_h31э, f_h31б f_h31e, f_hfe;f_h31b, f_hfb Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой.
t_вкл t_on Время включения.
t_выкл t_off Время выключения.
t_зд t_d Время задержки.
t_нр t_r Время нарастания.
t_рас t_s Время рассасывания.
t_сп t_f Время спада.
h_11э, h_11б h_11e, h_11b;h_ie, h_ib Входное сопротивление в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
h_21э, h_21б h_21e, h_21b;h_fe, h_fb Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
h_12э, h_12б h_12e, h_12b;h_re, h_rb Коэффициент обратной связи по напряжению транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
h_22э, h_22б h_22e, h_22b;h_oe, h_ob Выходная полная проводимость транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
|h_21э| |h_21e| Модуль коэффициента передачи тока транзистора на высокой частоте.
h_11Э h_11E,h_IE Входное сопротивление транзистора в режиме большого сигнала для схемы с общим эмиттером.
  h_21Э H_11E,H_FE Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала.
Y_21Э Y_21E Статическая крутизна прямой передачи в схеме с общим эмиттером.
  Y_11э, Y_11б Y_11e, Y_11b;Y_ie, Y_ib Входная полная проводимость транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
Y_12э, Y_12б Y_12e, Y_12b;Y_re, Y_rb Полная проводимость обратной передачи транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
Y_21э, Y_21б Y_21e, Y_21b;Y_fe, Y_fb Полная проводимость прямой передачи транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
Y_22э, Y_22б Y_22e, Y_22b;Y_oe, Y_ob Выходная полная проводимость транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
S_11э, S_11б, S_11к S_11e, S_11b, S_11c; S_ie, S_ib, S_ic Коэффициент отражения входной цепи транзистора для схем с общим эмиттером, общей базой и общим коллектором соответственно.
S_12э, S_12б, S_12к S_12e, S_12b, S_12c; S_re, S_rb, S_rc Коэффициент обратной передачи напряжения для схемы с общим эмиттером, общей базой и общим коллектором соответственно.
S_22э, S_22б, S_22к S_22e, S_22b, S_22c; S_oe, S_ob, S_oc Коэффициент отражения выходной цепи транзистора для схемы с общим эмиттером, общей базой и общим коллектором соответственно.
S_21э, S_21б, S_21к S_21e, S_21b, S_21c; S_fe, S_fb, S_fc Коэффициент прямой передачи для схем с общим эмиттером, общей базой и общим коллектором соответственно.
— f_se, f_sb, f_sc Частота, при которой коэффициент прямой передачи равен 1 (S_21е = 1,
S_21b = 1, S_21c= 1.
К_{у, р} G_p Коэффициент усиления мощности.
— G_A, G_a Номинальный коэффициент усиления по мощности.
К_ш F Коэффициент шума транзистора.
τ_к(r’_бС_к) τc(r’_bbС_c) Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте.
T_окр T_A, T_amb Температура окружающей среды.
T_к T_c , T_case Температура корпуса.
T_п T_j Температура перехода.
R_{т, п-с} R_thja Тепловое сопротивление от перехода к окружающей среде.
R_{т, п-к} R_thjс Тепловое сопротивление от перехода к корпусу.
R_{т, к-с} R_thса Тепловое сопротивление от корпуса к окружающей среде.
τ_{т, п-с} τ_thja Тепловая постоянная времени переход-окружающая среда.
τ_{т, п-к} τ_thjс Тепловая постоянная времени переход-корпус.
τ_{т, к-с} τ_thса Тепловая постоянная времени корпус-окружающая среда.