Site Loader

Содержание

Что такое даташит и зачем он нужен

Приветствую, друзья!

А Вы слышали это словечко — даташит? Наш лексикон последние годы изрядно обогатился англицизмами.

Люди, которые занимаются электроникой и ковыряются в компьютерах, наверняка знакомы с этим термином. Те, кто только готовится окунуться в это увлекательное дело, читаем дальше!

Даташит — это транслитерированное data sheets, справочные листы с информацией. Представляет собой официальный документ производителя электронных компонентов.

ДаташитТам приводятся техническое описание компонента, его параметры, режимы эксплуатации, схемы включения и другая информация.

Немного истории

Сейчас абсолютное большинство электронных компонентов, которые присутствуют на рынке, изготовлены зарубежными производителями. В Советском Союзе было наоборот: при изготовлении электроники использовали в большинстве своем отечественные компоненты.

На каждый компонент изготовителем поставлялись технические условия (ТУ), которые найти можно было только на заводах, где электронную аппаратуру изготавливали. В свободном доступе их не было.

В технических условиях было все то (и даже больше), что имеется в нынешних даташитах. Существовали бумажные справочники, где была собрана самая необходимая информация, которые найти было уже легче.

document-propertiesСейчас любой data sheets можно очень легко найти. Надобность в толстых бумажных справочниках отпала.

Что можно найти на первой странице даташита?

Первая страница даташитаСразу отметим, что первую страницу даташита формируют не только технари-инженеры, но и специалисты маркетингу и рекламе. Электронные компоненты производят для того, чтобы их покупали, поэтому надо показать товар лицом.

На первой странице data sheets приводятся:

  • свойства компонента (features),
  • его основные параметры (quick reference data),
  • обозначение на принципиальных схемах (symbol),
  • краткое описание (general description).

Могут описываться предельные режимы эксплуатации (limiting values, absolute maximum rating) или что-то в этом роде. Часто приводят изображения корпуса компонента и назначение выводов (pinning information, pin description).

document-propertiesС первого листа должно быть понятно, что за штуковина перед нами.

Цоколевка транзистора в даташите

Вот как выглядит, например, первый лист даташита на MOSFET (полевой транзистор) 55N03T. Мы сразу видим, что это транзистор very low on-state resistance (имеет низкое сопротивление открытого канала сток-исток Rds),  18 мОм при напряжении затвор-исток Vgs 10 В.

Такое сопротивление получено с помощью trench-технологии. Область применения (applications) — сильноточные ключи (high current switching), высокочастотные (high-frequency) dc-dc конверторы для компьютерных материнских плат (computer motherboard).

И действительно, этот транзистор я выдрал с неисправной материнской платы компьютера. Конвертер на материнской плате из напряжение 12 В блока питания выдает напряжение 1 с лишним В для питания ядра процессора.

Ниже расположена цоколевка (pinning) транзистора, разновидности корпусного исполнения. В конце первого листа приведена таблица предельных режимов, из которых видно, что максимально мощность, рассеиваемая транзистором (total power dissipation), не должна превышать 103 Вт. Естественно, с наличием радиатора.

Параметры транзистора в даташитеТемпература (рабочая и хранения) транзистора должна лежать в пределах от минус 55 до плюс 175.

Что еще есть в даташите?

Параметры транзистора в даташитеДалее идут электрические и температурные характеристики, причем параметры содержат минимальное, типовое и максимальное значение. Как ни отлаживай технологию производства, всегда будет существовать разброс параметров.

document-propertiesТиповое — это наиболее вероятное значение.

Даташиты могут содержать графики зависимости одного параметра другого. Например, в нашем случае зависимость тока стока от напряжения сток-исток при определенных значениях напряжения исток-затвор.

Графики зависимостей в даташитеВ заключение приводится информация о температурном режиме при монтаже (пайке) компонента, его упаковки маркировки и схемах включения.

Зачем нужен даташит?

ResumeИз всего сказанного понятно, что datasheet нужен 

разработчикам электронных изделий, чтобы правильно использовать электронный компонент при разработке аппаратуры.

document-propertiesВ то же время справочными данными могут пользоваться и ремонтники, чтобы заменить вышедшую из строя «железку» аналогичной.

В этом случае используются только некоторые данные из даташита — предельно допустимые режимы или типовые значения параметров.

Где можно найти даташит?

Поиск даташитаЕго можно найти в интернете. Достаточно вбить в поисковую систему фразу «маркировка компонента datasheet». Например, в нашем случае будет «55N03T datasheet».

Маркировка (или часть ее) наносится на корпус электронного элемента. Существует множество сайтов- каталогов электронных компонентов. Как правило, даташиты приводятся в формате PDF.

Заканчивая, отметим, что иногда официальные документы могут содержать некоторые неточности. Поэтому хорошо бы скачать разные даташиты одного и того же компонента и сравнить.

Если вы собираетесь серьезно заниматься ремонтами, придется изучать, как работают электронные компоненты, те же транзисторы и диоды.

Первоначальные сведения о том, как устроен полевой или биполярный транзистор, можно получить на этом сайте.

Можно еще почитать:

Что такое RoHS.

Всего наилучшего!


Что такое даташит (datasheet)? Поиск информации о радиодеталях.

Ищем данные о характеристиках радиодеталей

При ремонте и конструировании современной радиоэлектронной аппаратуры очень часто возникает необходимость в информации о конкретных радиоэлементах: диодах, транзисторах, микросхемах и многих других деталях.

Производством и разработкой электронных компонентов занимаются сотни различных фирм, а предлагаемый ассортимент постоянно увеличивается и обновляется.

В настоящее время рынок радиоэлектронных компонентов заполнен разношёрстным импортом. Каких только обозначений не встретишь на корпусах современных радиоэлементов: 2SB764, LA78040, BA1404, LM1117, SN74HC05N, 1N5822, PAM8403, CD5954, MC34063AP, список можно продолжать до бесконечности.

Как же не запутаться в этих цифро-кодовых обозначениях и найти информацию по конкретному компоненту?

Для опытных радиолюбителей это не проблема. Для начинающих электронщиков разобраться в том, что же скрывается в миниатюрном пластиковом корпусе с непонятной маркировкой порой не так-то просто.

Узнать подробную информацию об электронном компоненте можно из его «даташита» (от англ. – datasheet). Он же справочный лист, техническая документация или описание электронного компонента или изделия. В нём приводятся все характеристики прибора, например, для транзистора – тип проводимости, цоколёвка, тип корпуса, размеры, кодовое обозначение, приводятся всевозможные характеристики, графики зависимостей и многое другое. Имея подробную информацию о радиоэлементе можно быстрее найти ему замену .

Особенно важна информация по современным микросхемам. В описании, как правило, приводятся стандартные схемы включения с обозначением номиналов и параметров элементов обвязки. Также указывается сферы применения данной микросхемы и её особенности. Для начинающего радиолюбителя такая информация крайне важна, поскольку позволяет понять назначение и функционал микросхемы, узнать её схему включения, величину номинального и максимального питающего напряжения, назначение выводов и т.д.

Умение работать с технической документацией, это одно из важных качеств специалиста, работающего с электронной техникой.

Где же можно найти описания (datasheet) для радиодеталей?

Очень большое количество описаний всевозможных полупроводников можно найти на сайте www.alldatasheet.com

На момент написания статьи на сайте доступно более 20 миллионов описаний радиоэлементов. Каждый месяц база пополняется более чем на 30 000 описаний! В сутки ресурс обрабатывает более 370 000 поисковых запросов пользователей!

Было бы глупо не воспользоваться возможностями такого мощного сайта.

Как же пользоваться данным сайтом?

Зайдя на главную страницу сайта, мы увидим поле ввода поискового запроса.

Поиск информации о радиоэлементах

К примеру, вводим в поисковую форму — PB137 и жмём кнопку Поиск (Search).

Поиск полупроводникового элемента

Поиск выдал нам два результата.

Результаты поиска элемента

Далее жмём на значке Результаты поиска элемента. Откроется новая страница.

На новой странице щёлкаем по изображению, которое выглядит как документ.

Просмотр документа

После этого откроется ещё одна страница и во внутреннем окне начнётся процесс загрузки PDF документа с информацией на электронный компонент.

После полной загрузки даташита его можно просмотреть. При необходимости его можно сохранить на компьютере, как и любой другой PDF файл. Сделать это можно, нажав на кнопку в виде дискеты, которая расположена на панели инструментов.

Панель инструментов

Появиться окно, где необходимо указать, где сохранить PDF файл и как он будет назван. Кроме такого способа сохранить даташит есть ещё один. Жмём правой кнопкой мыши на любом месте документа и в выпадающем меню выбираем «

Сохранить как…». Всё довольно знакомо.

Сохранение даташита

Также можно распечатать даташит прямо из браузера. Для этого жмём кнопку с изображением принтера и указываем настройки печати.

В PDF документе приводится описание микросхемы PB137: структурная схема, стандартная схема включения, электрические характеристики, краткое описание назначения микросхемы, изображение корпуса прибора, таблицы с параметрами.

PDF документ с описанием

К сожалению все документы на иностранном языке (в основном на английском). При переводе интересующей информации можно пользоваться on-line переводчиками, например, переводчиком от Google.

Главная &raquo Радиоэлектроника для начинающих &raquo Текущая страница

Также Вам будет интересно узнать:

 

что такое, где взять и как пользоваться

В речи людей, связанных с электроникой, встречается фраза: «Нужно посмотреть даташит». Что такое имелось в виду и где взять пресловутый даташит?

Словечко заимствовано из английского языка и оригинально записывается как datasheet. Если перевести его на русский, дословно получится «лист с информацией». Документ составляют на различные устройства и электронные компоненты. Поэтому правильно говорить, что даташит – это техническая документация, подготовленная производителем.

даташит что такое

Поиск даташит электронных компонентов

Возможно, станет понятно, что такое даташит микросхемы, после того как он будет открыт. Но вопрос: «Где его взять?»

В Советском Союзе документация стандартизировалась. Если требовалось найти информацию о транзисторе или микросхеме, нужно было взять соответствующее руководство. Сегодня необходимость в справочниках отпала. Их заменили поисковые системы – достаточно вбить слово datasheet и указать название требуемого устройства. Второй вариант получить даташит – зайти на сайт, где собрана документация, и на нём уже провести поиск.

что такое даташит микросхемы

Спецификации на компоненты предоставляются в виде pdf-файлов. Открыть их можно непосредственно в браузере.

Первая страница даташита

После того как документ загружен на компьютер, нужно открыть даташит. Что такое он содержит, на что обратить внимание первую очередь?

Начинать следует с первой страницы. На ней приводится информация, подчёркивающая уникальность конкретного устройства, например широкий частотный диапазон, пониженное энергопотребление, малый темновой ток.

Начальная страница технической спецификации содержит:

что такое даташит транзистора

Следует заметить, что приводимой информации не всегда бывает достаточно, поэтому доверять ей полностью не стоит. Ответы на возникающие вопросы необходимо искать в соответствующих разделах документа. Цель первой страницы – дать представление о нём, то есть рассказать, что такое.

Даташит транзистора по сравнению с аналогичным документом для микросхем невелик, поэтому на первой странице сразу же указывают информацию о его параметрах и подключении.

Содержание документа

Наиболее часто пользователи спрашивают про даташит: «Что такое и как его читать?» Если первый вопрос был рассмотрен, то второй ещё предстоит изучить.

Инженеры-электронщики обращают внимание на следующие разделы документа.

Описывает назначение каждого пина микросхемы или транзистора. Проектировщику важны выводы под маркировкой Vcc и GND. Первый из них предназначен для подачи питающего напряжения (чаще всего +5 В), второй – для подключения «земли». Микроконтроллеры могут иметь несколько таких выводов. Их расположение зависит от типа корпуса (PDIP/TQFP/ MLF).

  • Схема устройства (Block Diagram).

Изображает внутреннее содержание компонента. Например, для микроконтроллера показываются входящие в его состав память, генератор тактовой частоты, порты ввода-вывода.

  • Схема включения (Circuit Schematic).

Определяет типовое подключение устройства. На практике схемы отличаются от приводимых в документации, поскольку в каждом конкретном случае микросхема или транзистор являются частью сложного электронного устройства, в котором должны учитываться все его составляющие.

  • Температурные и электрические параметры.

Данные величины приводятся в виде графиков, отражающих зависимость одного параметра от другого.

Заключительные рекомендации

Начинающий разработчик электронной аппаратуры не всегда понимает, как читать даташит, что такое схема устройства и зачем нужна цоколёвка. Тем не менее рекомендуется читать справочные материалы при разработке нового прибора или ремонте вышедшего из строя оборудования.

DataSheet — Техническая документация к электронным компонентам на русском языке.

Описание

U2010B спроектирована как микросхема для фазового управления по биполярной технологии. Она позволяет отслеживать нагрузку по току и имеет функцию плавного пуска, а также выход опорного напряжения. Предпочтительными применениями являются управление двигателем с обратной связью по току и защитой от перегрузки.

Функции:

  • Измерение полного волнового тока
  • Коррекция изменения питающей сети
  • Программируемое ограничение тока нагрузки с выходом сверхвысокой мощности
  • Изменяемый плавный пуск
  • Синхронизация напряжения и тока
  • Автоматическая перезагрузка
  • Типовой переключающий импульс 125 мА
  • Внутренний контроль напряжения питания
  • Потребляемый ток ≤ 3 мА
  • Температурная компенсация опорного напряжения

Читать далее «U2010B — Микросхема фазового управления с обратной связью по току и защитой от перегрузки.» →

Обзор продукта

BTS 5242-2L — это двухканальный силовой переключатель верхнего плеча в корпусе PG-DSO-12-9 (рис.1), оснащенный встроенной защитной функцией.

Силовой транзистор построен на N-канальном силовом (полевом) МОП-транзисторе с вертикальной структурой и подкачкой заряда. Твердотельный прибор разработан по технологии Smart SIPMOS.

 

Рисунок 1. BTS 5242-2L в корпусе PG-DSO-12-9Рисунок 1. BTS 5242-2L в корпусе PG-DSO-12-9

Читать далее «BTS 5242-2L Интеллектуальный силовой переключатель верхнего плеча, Двухканальный, 25 мОм» →

Функции

  • Выходной ток до 1 А
  • Выходные напряжения: 5, 6, 8, 9, 10, 12, 15, 18, 24 В
  • Тепловая защита от перегрузки
  • Защита от короткого замыкания
  • Защита выхода транзистора в рабочей области

Описание

Серия трехвыводных положительных стабилизаторов LM78XX доступна в корпусе TO-220 и с несколькими фиксированными выходными напряжениями, делая их полезными в широком спектре применений. Каждый тип использует внутреннее ограничение тока, тепловое отключение и защиту рабочей области. Если предусмотрено достаточное теплоотведение, они могут обеспечивать выходной ток более 1 А. Несмотря на то, что эти устройства предназначены главным образом в качестве фиксированных регуляторов напряжения, также могут использоваться с внешними компонентами для регулирования напряжений и токов.

Рис. 1. Корпус ТО-220Рис. 1. Корпус ТО-220

Читать далее «LM78XX / LM78XXA 3-х выводной 1 А положительный стабилизатор напряжения» →

1. Функции

  • Широкий диапазон напряжения питания от 4.5 В до 36 В
  • Отдельный вход источника питания для логической части
  • Внутренняя защита от электростатического разряда
  • Входы с высоким уровнем помехоустойчивости
  • Возможность выходного тока на канал – 1 A (600 мА для L293D)
  • Пиковый выходной ток на канал – 2 А (1.2 A для L293D)
  • Выходные ограничительные диоды для подавления индуктивных переходных процессов (L293D)

2. Применение

  • Драйверы для шаговых двигателей
  • Драйверы для двигателей постоянного тока
  • Драйверы для фиксации состояния реле

 

Логическая схема ИС L293D, L293DDЛогическая схема ИС L293D, L293DD

Читать далее «Четырехканальный H-мостовой драйвер L293x» →

Общее описание

PT4115 представляет собой индуктивный понижающий преобразователь с непрерывным режимом работы, предназначенный для управления одним или несколькими последовательно подключенными светодиодами, питающимися от источника напряжения выше, чем общее напряжение цепи светодиодов. Микросхема может работать от источника питания с напряжением от 6 до 30 В и обеспечивает внешний регулируемый выходной ток до 1,2 А. В зависимости от напряжения питания и внешних компонентов, PT4115 может обеспечивать выходную мощность более 30 Вт. PT4115 включает в себя выключатель питания и схему контроля выходного тока, которая использует внешний резистор для установки номинального среднего выходного тока, а на отдельный вход DIM можно подавать либо постоянное напряжение, либо широкий диапазон ШИМ. Если подать напряжение 0,3 В или меньше на вывод DIM, отключает выход и микросхема переходит в ждущий режим. PT4115 выпускается в корпусах SOT89-5 и ESOP8.

Свойства

  • Малое количество подключаемых внешних компонентов
  • Широкий диапазон напряжения питания: от 6 до 30 В
  • Выходной ток до 1.2 А
  • Один вывод для включения/выключения и регулировки яркости, использующий постоянное напряжение или ШИМ
  • Частота коммутации до 1 МГц
  • Номинальная точность поддержания выходного тока 5%
  • Встроенная схема отключения для защиты светодиодов
  • Высокий К.П.Д. (до 97%)
  • Отслеживание тока на стороне высокого напряжения
  • Гистерезисное управление: без компенсации
  • Регулируемый постоянный ток светодиода
  • Корпус ESOP8 для схем с большой выходной мощностью
  • Соответствует RoHS

Читать далее «PT4115 — Понижающий преобразователь (драйвер светодиодов)» →

Схема фазового управления с обратной связью

Описание:

Интегральная схема U211B2/B3 разработана как схема фазоконтроля по биполярной технологии с внутренним преобразователем частоты (аналог TDA1085). Кроме того, микросхема оснащена встроенным усилителем сигнала управления и может использоваться для регулирования скорости вращения электродвигателя. Он имеет интегрированное ограничение нагрузки, мониторинг цепи тахометра и функции плавного пуска и многое другое для реализации сложных систем управления двигателем.

Особенности (свойства):
  • Внутренний преобразователь частоты в напряжение
  • Интегрированный усилитель с внешним управлением
  • Ограничение перегрузки с «откидной» характеристикой
  • Оптимизированная функция плавного пуска
  • Мониторинг тахометра для замкнутого и разомкнутого контура
  • Автоматическая перезагрузка
  • Стандартное значение импульса срабатывания: 155 мА
  • Синхронизация напряжения и тока
  • Внутренний мониторинг напряжения питания
  • Источник задания температуры
  • Потребление тока ≤ 3,3 мА

Читать далее «U211B2/B3 — Регулятор оборотов коллекторного двигателя» →

Свойства

  • Мощные симисторы
  • Низкое тепловое сопротивление
  • Высокая коммутирующая способность
  • Сертифицированы по стандарту UL1557
  • Корпусы соответствуют директиве RoHS (2002/95/EC)

 

Применение

 

Описание

Доступны в мощных корпусах. Симисторы серии BTA / BTB40-41 подходят для коммутации переменного тока общего назначения. Серия BTA снабжена изолированным язычком (номинальное среднеквадратичное напряжение пробоя 2500 В).

 

Типы корпусов (A1, A2 - аноды, G - управляющий электрод)Типы корпусов (A1, A2 — аноды, G — управляющий электрод)

Читать далее «Симисторы серии BTA40, BTA41, BTB41» →

Расположение выводов IRF740Расположение выводов IRF740

Описание

Третье поколение МОП-транзисторов от компании Vishay дают проектировщику схемы лучшее сочетание быстрого переключения и запаса прочности, низкое сопротивление в открытом состоянии, небольшую стоимость и высокую эффективность. Исполнение в корпусе TO-220AB является оптимальным для применения в схемах промышленных устройств с уровнем рассеиваемой мощности до 50 Вт. Низкое тепловое сопротивление и небольшая стоимость сделали его, часто используемым, в схемах различных устройств.

Читать далее «IRF740 — Мощный MOSFET (полевой МОП) транзистор» →

Свойства

  • Управляющие каналы предназначены для работы под нагрузкой

— Полностью работоспособны при напряжении до +600 В

— Нечувствителен к отрицательным переходным напряжениям

— Невосприимчив к скорости нарастания напряжения dV/dt

Купить IR2104Купить IR2104

Читать далее

Что такое datasheet? – для новичков в радиоделе

Многие производители сопровождают свои изделия описаниями Есть, конечно, и справочники, где собраны и классифицированы все модели транзисторов, резисторов, конденсаторов и микросхем Но издание справочников, как правило, не успевает за выпуском всё новых и новых изделий Поэтому разумно использовать справочные листки (или, скорее, буклеты), чтобы получить все необходимые данные

Много  справочной  информации  можно  найти,  например,  на  сайте  магазина  «Чип  и  Дип»: wwwchipdipru

Вот цоколёвка контроллера PIC16F887 из datasheet (в корпусе PDIP):

Рис 379 Микроконтроллер PIC16F887

И его характеристики:

•      Высокоскоростная RISC архитектура

•      35 инструкций

•      Все команды выполняются за один цикл кроме инструкций переходов

•      Тактовая частота:

–        DC – 20МГц, тактовый сигнал

–        DC – 200нс, один машинный цикл

•      Система прерываний (до 14 источников)

•      8-уровневый аппаратный стек

•      Прямой, косвенный и относительный режим адресации

•      Прецизионный внутренний тактовый генератор:

–        Заводская калибровка до ±1%

–        Программно задаваемый диапазон частот от 8 MHz до 31 kHz

–        Программная подсторойка

–        Двухскоростной режим включения

–        Обнаружение неисправности кварца для критических приложений

–        Переключение режима тактирования в процессе работы для энергосбережения

•      Режим сна для энергосбережения

•      Широкий диапазон напряжения питания (20V-55V)

•      Индустриальный и расширенный диапазон температур

•      Сброс по включению питания (POR)

•      Таймер сброса (PWRT) и таймер ожидания запуска генератора (OST) после включения питания

•      Сторожевой таймер WDT с собственным RC генератором и тд

Характеристика периферийных модулей:

•      24/35 выводов с индивидуальной настройкой направления:

–        Сильноточные исток/сток для непосредственного подключения LED

–        Вывод прерывания по изменению

–        Индивидуально программируемое подтягивание

–        Сверхнизкое потребление режима ожидания (ULPWU)

•      Модуль аналогового компаратора с:

–        Двумя аналоговыми компараторами

–        Программируемый модуль встроенного источника опорного напряжения (CVREF, % от VDD)

–        Фиксированное опорное напряжение (06V)

–        Входы и выходы компаратора доступны извне

–        Режим SR триггера

–        Внешний Timer1 вентиль (с разрешением счёта)

•      АЦП конвертор:

–        10-битовое разрешение и 11/14 каналов

•      Timer0: 8-битовый таймер/счётчик с 8-битовым программируемым предделителем

•      Расширенный Timer1:

–        16-битовый таймер/счётчик с предделителем

–        Режим входа внешнего вентиля

–        Специальный, с низким потреблением осциллятор 32 kHz и многое другое

Помимо   подробной   информации   о   микроконтроллере   и   его   командах   есть   примеры   на ассемблере основных операций, например:

Инициализация PORTA

BANKSEL PORTA    

CLRF PORTA        Инициализация PORTA BANKSEL ANSEL    

CLRF ANSEL        Цифровой ввод-вывод BCF STATUS,RP1    Банк 1

BANKSEL TRISA    

MOVLW 0Ch         Установить RA<3:2> как входы MOVWF TRISA       и установить RA<5:4,1:0>

; как выходы

Я не сторонник изучения программирования микроконтроллеров с освоения языка ассемблера: за травой подчас не видно леса Но, когда дойдёт дело до этого, справочная информация из datasheet может оказать неоценимую помощь

Там же вы найдёте структурные схемы портов, функциональные схемы таймеров, временные диаграммы, схемы и рекомендации по организации тактового генератора – многое из того, что на первых порах вам не нужно, но что понадобится тогда, когда вы в достаточной мере освоитесь с микроконтроллерами

Источник: Гололобов ВН,- Самоучитель игры на паяльнике (Об электронике для школьников и не только), – Москва 2012

что это -, где взять и как пользоваться

В речи людей, связанных с электроникой, встречается фраза: «Нужно посмотреть даташит». Что такое имелось в виду и где взять пресловутый даташит?

Словечко заимствовано из английского языка и оригинально записывается как datasheet. Если перевести его на русский, дословно получится «лист с информацией». Документ составляют на различные устройства и электронные компоненты. Поэтому правильно говорить, что даташит – это техническая документация, подготовленная производителем.

даташит что такое

Поиск даташит электронных компонентов

Возможно, станет понятно, что такое даташит микросхемы, после того как он будет открыт. Но вопрос: «Где его взять?»

В Советском Союзе документация стандартизировалась. Если требовалось найти информацию о транзисторе или микросхеме, нужно было взять соответствующее руководство. Сегодня необходимость в справочниках отпала. Их заменили поисковые системы – достаточно вбить слово datasheet и указать название требуемого устройства. Второй вариант получить даташит – зайти на сайт, где собрана документация, и на нём уже провести поиск.

что такое даташит микросхемы

Спецификации на компоненты предоставляются в виде pdf-файлов. Открыть их можно непосредственно в браузере.

Первая страница даташита

После того как документ загружен на компьютер, нужно открыть даташит. Что такое он содержит, на что обратить внимание первую очередь?

Начинать следует с первой страницы. На ней приводится информация, подчёркивающая уникальность конкретного устройства, например широкий частотный диапазон, пониженное энергопотребление, малый темновой ток.

Начальная страница технической спецификации содержит:

что такое даташит транзистора

Следует заметить, что приводимой информации не всегда бывает достаточно, поэтому доверять ей полностью не стоит. Ответы на возникающие вопросы необходимо искать в соответствующих разделах документа. Цель первой страницы – дать представление о нём, то есть рассказать, что такое.

Даташит транзистора по сравнению с аналогичным документом для микросхем невелик, поэтому на первой странице сразу же указывают информацию о его параметрах и подключении.

Содержание документа

Наиболее часто пользователи спрашивают про даташит: «Что такое и как его читать?» Если первый вопрос был рассмотрен, то второй ещё предстоит изучить.

Инженеры-электронщики обращают внимание на следующие разделы документа.

Описывает назначение каждого пина микросхемы или транзистора. Проектировщику важны выводы под маркировкой Vcc и GND. Первый из них предназначен для подачи питающего напряжения (чаще всего +5 В), второй – для подключения «земли». Микроконтроллеры могут иметь несколько таких выводов. Их расположение зависит от типа корпуса (PDIP/TQFP/ MLF).

  • Схема устройства (Block Diagram).

Изображает внутреннее содержание компонента. Например, для микроконтроллера показываются входящие в его состав память, генератор тактовой частоты, порты ввода-вывода.

  • Схема включения (Circuit Schematic).

Определяет типовое подключение устройства. На практике схемы отличаются от приводимых в документации, поскольку в каждом конкретном случае микросхема или транзистор являются частью сложного электронного устройства, в котором должны учитываться все его составляющие.

  • Температурные и электрические параметры.

Данные величины приводятся в виде графиков, отражающих зависимость одного параметра от другого.

Заключительные рекомендации

Начинающий разработчик электронной аппаратуры не всегда понимает, как читать даташит, что такое схема устройства и зачем нужна цоколёвка. Тем не менее рекомендуется читать справочные материалы при разработке нового прибора или ремонте вышедшего из строя оборудования.

Справочник — DataSheet

Буквенное обозначение Параметр
Отечественное Международное
IКБО ICBO Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
IЭБО IEBO Обратный ток эмиттера — ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
IКЭO ICEO Обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и разомкнутом выводе базы.
IКЭR ICER Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
IКЭК ICES Обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и короткозамкнутых выводах базы и эмиттера
IКЭV ICEV Обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и запирающем напряжении (смещении) в цепи база-эмиттер.
IКЭX ICEX Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и обратном напряжении база-эмиттер.
IK max IC max Максимально допустимый постоянный ток коллектора.
 IЭ max IE max Максимально допустимый постоянный ток эмиттера.
  IБ max   IB max Максимально допустимый постоянный ток базы.
IК , и max ICM max Максимально допустимый импульсный ток коллектора.
IЭ , и max IEM max Максимально допустимый импульсный ток эмиттера.
IКР Критический ток биполярного транзистора.
UКБО проб. U(BR) CBO Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера.
UЭБО проб. U(BR) ЕBO Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора.
UКЭО проб. U(BR) CEO Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и разомкнутой цепи базы.
UКЭR проб. U(BR) CER Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер.
UКЭK проб. U(BR) CES Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и короткозамкнутых выводах базы и эмиттера.
UКЭV проб.  U(BR) CEV Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при запирающем напряжении в цепи база-эмиттер.
UКЭХ проб.  U(BR) CEX Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении база-эмиттер и токе коллектор-эмиттер.
UКЭО гр  U(L) CEO Граничное напряжение транзистора — напряжение между коллектором и эмиттером при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера.
Uсмк Upt  Напряжение смыкания транзистора.
 UКЭ нас UCE sat Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при заданных токах базы и коллектора.
UБЭ нас UBE sat Напряжение насыщения база-эмиттер при заданных токах базы и эмиттера.
UЭБ пл UEBfl Плавающее напряжение эмиттер-база — напряжение между эмиттером и базой при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутой цепи эмиттера.
UКБ max UCB max Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база.
UКЭ max UCE max Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер.
UЭБ max  UEB max Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база.
UКЭ, и max UCEM max Максимальное допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер.
UКБ, и max UCBM max Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база.
UЭБ, и max UEBM max Максимально допустимое импульсное напряжение эмиттер-база.
P Ptot Постоянная рассеиваемая мощность транзистора.
 Pср  PAV Средняя рассеиваемая мощность транзистора.
Pи PM Импульсная рассеиваемая мощность транзистора.
PK  PC Постоянная рассеиваемая мощность коллектора.
PK, τ max Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом.
Pвых Pout  Выходная мощность транзистора.
Pи max PM max Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность.
PK max PC max Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора.
PK ср max  — Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность коллектора.
r rbb , rb Сопротивление базы.
 rКЭ нас rCE sat Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером.
 с11э, с11б c11e, c11b Входная емкость транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
 с22э, с22б c22e, c22b Выходная емкость транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
cк cc Емкость коллекторного перехода.
cэ c Емкость эмиттерного перехода.
fгр  fT Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером.
fmax fmax Максимальная частота генерации.
 fh31э , fh31б fh31e, fhfe ;fh31b, fhfb Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой.
tвкл ton Время включения.
 tвыкл toff  Время выключения.
tзд td Время задержки.
 tнр tr Время нарастания.
tрас t Время рассасывания.
 tсп t Время спада.
 h11э, h11б h11e, h11b;hie, hib Входное сопротивление в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
 h21э, h21б h21e, h21b;hfe, hfb Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
 h12э, h12б h12e, h12b;hre, hrb Коэффициент обратной связи по напряжению транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
h22э, h22б h22e, h22b;hoe, hob Выходная полная проводимость транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
|h21э| |h21e| Модуль коэффициента передачи тока транзистора на высокой частоте.
 h11Э h11E, hIE Входное сопротивление транзистора в режиме большого сигнала для схемы с общим эмиттером.
  h21Э  H11E, HFE Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала.
 Y21Э Y21E  Статическая крутизна прямой передачи в схеме с общим эмиттером.
  Y11э, Y11б Y11e, Y11b;Yie, Yib Входная полная проводимость транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
 Y12э, Y12б Y12e, Y12b;Yre, Yrb Полная проводимость обратной передачи транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
Y21э, Y21б Y21e, Y21b;Yfe, Yfb Полная проводимость прямой передачи транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
Y22э, Y22б Y22e, Y22b;Yoe, Yob Выходная полная проводимость транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
S11э, S11б, S11к S11e, S11b, S11c; Sie, Sib, Sic Коэффициент отражения входной цепи транзистора для схем с общим эмиттером, общей базой и общим коллектором соответственно.
S12э, S12б, S12к S12e, S12b, S12c; Sre, Srb, Src Коэффициент обратной передачи напряжения для схемы с общим эмиттером, общей базой и общим коллектором соответственно.
S22э, S22б, S22к S22e, S22b, S22c; Soe, Sob, Soc Коэффициент отражения выходной цепи транзистора для схемы с общим эмиттером, общей базой и общим коллектором соответственно.
S21э, S21б, S21к S21e, S21b, S21c;   Sfe, Sfb, Sfc Коэффициент прямой передачи для схем с общим эмиттером, общей базой и общим коллектором соответственно.
fse, fsb, fsc Частота, при которой коэффициент прямой передачи равен 1 (S21е = 1,
S21b = 1, S21c = 1.
 Ку, р Gp Коэффициент усиления мощности.
GA, Ga Номинальный коэффициент усиления по мощности.
Кш F Коэффициент шума транзистора.
τк (r’б Ск)  τc (r’bb Сc) Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте.
Tокр TA, Tamb Температура окружающей среды.
Tк Tc , Tcase Температура корпуса.
Tп Tj Температура перехода.
Rт, п-с Rthja Тепловое сопротивление от перехода к окружающей среде.
Rт, п-к Rthjс Тепловое сопротивление от перехода к корпусу.
Rт, к-с Rthса Тепловое сопротивление от корпуса к окружающей среде.
 τт, п-с τthja Тепловая постоянная времени переход-окружающая среда.
τт, п-к τthjс Тепловая постоянная времени переход-корпус.
τт, к-с τthса Тепловая постоянная времени корпус-окружающая среда.

alexxlab

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *