Стабилитрон Д815Г

Количество драгоценных металлов в стабилитроне Д815Г согласно документации производителя. Справочник массы и наименований ценных металлов в советских стабилитронах Д815Г.

Стабилитрон Д815Г количество содержания драгоценных металлов:
Золото: 0,0004 грамм.
Серебро: 0 грамм.
Платина: 0 грамм.
Палладий: 0 грамм.
Согласно данным: .

Справочник содержания ценных металлов из другого источника:

Стабилитроны Д815Г теория

Полупроводниковый стабилитрон, или диод Зенера — полупроводниковый диод, работающий при обратном смещении в режиме пробоя. До наступления пробоя через стабилитрон протекают незначительные токи утечки, а его сопротивление весьма высоко. При наступлении пробоя ток через стабилитрон резко возрастает, а его дифференциальное сопротивление падает до величины, составляющей для различных приборов от долей Ома до сотен Ом. Поэтому в режиме пробоя напряжение на стабилитроне поддерживается с заданной точностью в широком диапазоне обратных токов.

 

Прежде всего, не следует забывать, что стабилитрон работает только в цепях постоянного тока. Напряжение на стабилитрон подают в обратной полярности, то есть на анод стабилитрона будет подан минус “-“. При таком включении стабилитрона через него протекает обратный ток (I обр) от выпрямителя. Напряжение с выхода выпрямителя может изменяться, будет изменяться и обратный ток, а напряжение на стабилитроне и на нагрузке останется неизменным, то есть стабильным. На следующем рисунке показана вольт-амперная характеристика стабилитрона.

Основное назначение стабилитронов — стабилизация напряжения. Серийные стабилитроны изготавливаются на напряжения от 1,8 В до 400 В. Интегральные стабилитроны со скрытой структурой на напряжение около 7 В являются самыми точными и стабильными твердотельными источниками опорного напряжения: лучшие их образцы приближаются по совокупности показателей к нормальному элементу Вестона. Особый тип стабилитронов, высоковольтные лавинные диоды («подавители переходных импульсных помех», «суппрессоры», «TVS-диоды») применяется для защиты электроаппаратуры от перенапряжений.

Стабилитроны Д815Г Принцип действия

Советские и импортные стабилитроны

Полупроводниковый стабилитрон — это диод, предназначенный для работы в режиме пробоя на обратной ветви вольт-амперной характеристики. В диоде, к которому приложено обратное, или запирающее, напряжение, возможны три механизма пробоя: туннельный пробой, лавинный пробой и пробой вследствие тепловой неустойчивости — разрушительного саморазогрева токами утечки. Тепловой пробой наблюдается в выпрямительных диодах, особенно германиевых, а для кремниевых стабилитронов он не критичен. Стабилитроны проектируются и изготавливаются таким образом, что либо туннельный, либо лавинный пробой, либо оба эти явления вместе возникают задолго до того, как в кристалле диода возникнут предпосылки к тепловому пробою. Серийные стабилитроны изготавливаются из кремния, известны также перспективные разработки стабилитронов из карбида кремния и арсенида галлия.

Первую модель электрического пробоя предложил в 1933 году Кларенс Зенер, в то время работавший в Бристольском университете. Его «Теория электического пробоя в твёрдых диэлектриках» была опубликована летом 1934 года. В 1954 году Кеннет Маккей из Bell Labs установил, что предложеный Зенером туннельный механизм действует только при напряжениях пробоя до примерно 5,5 В, а при бо́льших напряжениях преобладает лавинный механизм. Напряжение пробоя стабилитрона определяется концентрациями акцепторов и доноров и профилем легирования области p-n-перехода. Чем выше концентрации примесей и чем больше их градиент в переходе, тем больше напряжённость электрического поля в области пространственного заряда при равном обратном напряжении, и тем меньше обратное напряжение, при котором возникает пробой:

Туннельный, или зенеровский, пробой возникает в полупроводнике только тогда, когда напряжённость электрического поля в p-n-переходе достигает уровня в 106 В/см. Такие уровни напряжённости возможны только в высоколегированных диодах (структурах p+-n+-типа проводимости) с напряжением пробоя не более шестикратной ширины запрещённой зоны (6 EG ≈ 6,7 В), при этом в диапазоне от 4 EG до 6 EG (4,5…6,7 В) туннельный пробой сосуществует с лавинным, а при напряжении пробоя менее 4 EG (≈4,5 В) полностью вытесняет его.

С ростом температуры перехода ширина запрещённой зоны, а вместе с ней и напряжение пробоя, уменьшается: низковольтные стабилитроны с преобладанием туннельного пробоя имеют отрицательный температурный коэффициент напряжения (ТКН).

В диодах с меньшими уровнями легирования, или меньшими градиентами легирующих примесей, и, как следствие, бо́льшими напряжениями пробоя наблюдается лавинный механизм пробоя. Он возникает при концентрациях примесей, примерно соответствующих напряжению пробоя в 4 EG (≈4,5 В), а при напряжениях пробоя выше 4 EG (≈7,2 В) полностью вытесняет туннельный механизм. Напряжение, при котором возникает лавинный пробой, с ростом температуры возрастает, а наибольшая величина ТКН пробоя наблюдается в низколегированных, относительно высоковольтных, переходах.

Механизм пробоя конкретного образца можно определить грубо — по напряжению стабилизации, и точно — по знаку его температурного коэффициента. В «серой зоне» (см. рисунок), в которой конкурируют оба механизма пробоя, ТКН может быть определён только опытным путём. Источники расходятся в точных оценках ширины этой зоны: С. М. Зи указывает «от 4 EG до 6 EG» (4,5…6,7 В), авторы словаря «Электроника» — «от 5 до 7 В»8, Линден Харрисон — «от 3 до 8 В»26, Ирвинг Готтлиб проводит верхнюю границу по уровню 10 В9. Низковольтные лавинные диоды (LVA) на напряжения от 4 до 10 В — исключение из правила: в них действует только лавинный механизм.

Оптимальная совокупность характеристик стабилитрона достигается в середине «серой зоны», при напряжении стабилизации около 6 В. Дело не столько в том, что благодаря взаимной компенсации ТКН туннельного и лавинного механизмов эти стабилитроны относительно термостабильны, а в том, что они имеют наименьший технологический разброс напряжения стабилизации и наименьшее, при прочих равных условиях, дифференциальное сопротивление. Наихудшая совокупность характеристик — высокий уровень шума, большой разброс напряжений стабилизации, высокое дифференциальное сопротивление — свойственна низковольтным стабилитронам на 3,3—4,7 В.

Область применения стабилитрона Д815Г

Основная область применения стабилитрона — стабилизация постоянного напряжения источников питания. В простейшей схеме линейного параметрического стабилизатора стабилитрон выступает одновременно и источником опорного напряжения, и силовым регулирующим элементом. В более сложных схемах стабилитрону отводится только функция источника опорного напряжения, а регулирующим элементом служит внешний силовой транзистор.

Прецизионные термокомпенсированные стабилитроны и стабилитроны со скрытой структурой широко применяются в качестве дискретных и интегральных источников опорного напряжения (ИОН), в том числе в наиболее требовательных к стабильности напряжения схемах измерительных аналого-цифровых преобразователей. C середины 1970-х годов и по сей день (2012 год) стабилитроны со скрытой структурой являются наиболее точными и стабильными твердотельными ИОН. Точностные показатели лабораторных эталонов напряжения на специально отобранных интегральных стабилитронах приближаются к показателям нормального элемента Вестона.

Особые импульсные лавинные стабилитроны («подавители переходных импульсных помех», «суппрессоры», «TVS-диоды») применяются для защиты электроаппаратуры от перенапряжений, вызываемых разрядами молний и статического электричества, а также от выбросов напряжения на индуктивных нагрузках. Такие приборы номинальной мощностью 1 Вт выдерживают импульсы тока в десятки и сотни ампер намного лучше, чем «обычные» пятидесятиваттные силовые стабилитроны. Для защиты входов электроизмерительных приборов и затворов полевых транзисторов используются обычные маломощные стабилитроны. В современных «умных» МДП-транзисторах защитные стабилитроны выполняются на одном кристалле с силовым транзистором.

Маркировка стабилитронов Д815Г

Маркировка стабилитронов

 

Есть информация о стабилитроне Д815Г – высылайте ее нам, мы ее разместим на этом сайте посвященному утилизации, аффинажу и переработке драгоценных и ценных металлов.

Фото Стабилитрон Д815Г:

Предназначение Стабилитрон Д815Г.

Характеристики Стабилитрон Д815Г:

Купить или продать а также цены на Стабилитрон Д815Г (стоимость, купить, продать):

Отзыв о стабилитроне Д815Г вы можете в комментариях ниже:

• Стабилитроны

Д815А, Д815АП, Д815Б, Д815БП, Д815В, Д815ВП, Д815Г, Д815ГП, Д815Д, Д815ДП, Д815Е, Д815ЕП, Д815Ж, Д815ЖП

Все картинки в новостях кликабельные, то есть при нажатии они увеличиваются. Стабилитроны кремниевые диффузионные: Д815А, Д815Б, Д815В, Д815Г, Д815Д, Д815Е, Д815Ж. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жёсткими выводами. У стабилитронов, в обозначении которых отсутствует буква П, корпус является отрицательным электродом. У стабилитронов, имеющих в обозначении букву П, полярность обратная. Масса стабилитрона не более 6 граммов. Чертёж стабилитрона Д815А, Д815АП, Д815Б, Д815БП, Д815В, Д815ВП, Д815Г, Д815ГП, Д815Д, Д815ДП, Д815Е, Д815ЕП, Д815Ж, Д815ЖП Электрические параметры. Напряжение стабилизации номинальное при 24,85°С при Iст.ном=1000 мА Д815А, Д815АП 5,6 В Д815Б, Д815БП 6,8 В Д815В, Д815ВП 8,2 В при Iст.ном=500 мА Д815Г, Д815ГП 10 В Д815Д, Д815ДП 12 В Д815Е, Д815ЕП 15 В Д815Ж, Д815ЖП 18 В Разброс напряжения стабилизации при 24,85°С Iст=Iст.ном Д815А, Д815АП От 5,0 до 6,2 В Д815Б, Д815БП От 6,1 до 7,5 В Д815В, Д815ВП От 7,4 до 9,1 В Д815Г, Д815ГП От 9,0 до 11,0 В Д815Д, Д815ДП От 10,8 до 13,3 В Д815Е, Д815ЕП От 13,3 до 16,4 В Д815Ж, Д815ЖП От 16,2 до 19,8 В Средний температурный коэффициент напряжения стабилизации при температуре от -60,15 до 124,85°С, не более Д815А, Д815АП 0,045 %/К Д815Б, Д815БП 0,050 %/К Д815В, Д815ВП 0,070 %/К Д815Г, Д815ГП 0,080 %/К Д815Д, Д815ДП 0,090 %/К Д815Е, Д815ЕП 0,100 %/К Д815Ж, Д815ЖП 0,110 %/К Временна́я нестабильность напряжения стабилизации, не более Д815А, Д815АП, Д815Б, Д815БП, Д815В, Д815ВП, Д815Г, Д815ГП, Д815Д, Д815ДП, Д815Е, Д815ЕП, Д815Ж, Д815ЖП 4 % Постоянное прямое напряжение при 24,85°С, Iпр=500 мА, не более 1,5 В Дифференциальное сопротивление, не более при 24,85°С, Iст=Iст. ном Д815А, Д815АП 0,6 Ом Д815Б, Д815БП 0,8 Ом Д815В, Д815ВП 1,0 Ом Д815Г, Д815ГП 1,8 Ом Д815Д, Д815ДП 2,0 Ом Д815Е, Д815ЕП 2,5 Ом Д815Ж, Д815ЖП 3,0 Ом при 24,85°С, Iст=50 мА Д815А, Д815АП 20 Ом Д815Б, Д815БП 15 Ом Д815В, Д815ВП 8 Ом при 24,85°С, Iст=25 мА Д815Г, Д815ГП 15 Ом Д815Д, Д815ДП 20 Ом Д815Е, Д815ЕП 25 Ом Д815Ж, Д815ЖП 30 Ом при -60,15 и 119,85°С, Iст=50 мА Д815А, Д815АП 30 Ом Д815Б, Д815БП 20 Ом Д815В, Д815ВП 12 Ом при -60,15 и 119,85°С, Iст=25 мА Д815Г, Д815ГП 20 Ом Д815Д, Д815ДП 30 Ом Д815Е, Д815ЕП 40 Ом Д815Ж, Д815ЖП 50 Ом Предельные эксплуатационные данные Д815А, Д815АП, Д815Б, Д815БП, Д815В, Д815ВП, Д815Г, Д815ГП, Д815Д, Д815ДП, Д815Е, Д815ЕП, Д815Ж, Д815ЖП. Минимальный ток стабилизации Д815А, Д815АП, Д815Б, Д815БП, Д815В, Д815ВП 50 мА Д815Г, Д815ГП, Д815Д, Д815ДП, Д815Е, Д815ЕП, Д815Ж, Д815ЖП 25 мА Максимальный ток стабилизации при Тк≤74,85°С Д815А, Д815АП 1400 мА Д815Б, Д815БП 1150 мА Д815В, Д815ВП 950 мА Д815Г, Д815ГП 800 мА Д815Д, Д815ДП 650 мА Д815Е, Д815ЕП 550 мА Д815Ж, Д815ЖП 450 мА при Тк=129,85°С Д815А, Д815АП 360 мА Д815Б, Д815БП 300 мА Д815В, Д815ВП 250 мА Д815Г, Д815ГП 200 мА Д815Д, Д815ДП 170 мА Д815Е, Д815ЕП 135 мА Д815Ж, Д815ЖП 110 мА Постоянный прямой ток 1 А Перегрузка по току стабилизации в течение 1 секунды при Тк≤74,85°С Д815А, Д815АП 2800 мА Д815Б, Д815БП 2300 мА Д815В, Д815ВП 1900 мА Д815Г, Д815ГП 1600 мА Д815Д, Д815ДП 1300 мА Д815Е, Д815ЕП 1100 мА Д815Ж, Д815ЖП 900 мА при Тк=129,85°С Д815А, Д815АП 720 мА Д815Б, Д815БП 600 мА Д815В, Д815ВП 500 мА Д815Г, Д815ГП 400 мА Д815Д, Д815ДП 340 мА Д815Е, Д815ЕП 270 мА Д815Ж, Д815ЖП 220 мА Рассеиваемая мощность при Тк≤74,85°С Д815А, Д815АП, Д815Б, Д815БП, Д815В, Д815ВП, Д815Г, Д815ГП, Д815Д, Д815ДП, Д815Е, Д815ЕП, Д815Ж, Д815ЖП 8 Вт при Тк=129,85°С 2 Вт Температура окружающей среды минимальная -60,15°С Температура перехода 139,85°С Температура корпуса 129,85°С Зависимость дифференциального сопротивления от тока Зависимость дифференциального сопротивления от тока.

D815G — Диоды | Российская электронная компания

Главная  / Продукты / Диоды / Д815Г

Стабиливольты Д815Г кремниевые, диффузионно-легированные, средней мощности, предназначены для регулирования напряжения.
Стабиливольты выпускаются в стеклометаллическом корпусе с жесткими выводами. На корпусе маркируется тип стабилитрона
.
Корпус стабилитрона в рабочем режиме — отрицательный электрод (катод).
Масса стабилитрона с комплектующими – не более 6 г.

Основные технические параметры Стабиливольтов Д815Г:
• Разброс напряжения регулирования: 5…6,2 В при Iст 1 А;
• Температурный коэффициент регулирования напряжения: 0,045 %/°С;
• Повторяемость напряжения регулирования: ± 4 %;
• Постоянное постоянное напряжение: 1,5 В при Id 500 мА;
• Дифференциальное сопротивление стабилитронов: 0,6 Ом;
• Минимальный номинальный ток стабилизации: 50 мА;
• Максимальный номинальный ток стабилизации: 1,4 А;
• Максимальная номинальная рассеиваемая мощность на стабилитроне: 8 Вт;
• Рабочий диапазон температур окружающей среды: -60. ..+125 °С

Технические характеристики стабилитронов Д815А, Д815Б, Д815В, Д815Г, Д815Д, Д815Е, Д815Ж:

90 095

6,2

9 0095

15

9002 7 Тип стабилизатора напряжения	У ул.				αU ул.	У д. (И д.)	р ул.	И ул.		Рmax	Тк.max (Т.)	Т 90 028 env
	мин.	ном.5 max	I ст. ном.	мин.				макс.
	В	В	В	мА 90 003	%/С	В (мА)	Ом	мА	мА	Вт	°С	°С
Д815А	5	5,6	1000	0,045	1,5 (500)	0,6	50	1400	8	125	— 60… +125
D815 B	6,1	90 002 6,8	7,5	1000	0,05	1,5 (500)	0,8 900 30	50	1150	8	125	-60… +125
D815 В	7,4 90 030	8,2	9,1	1000	0,07	1,5 (500)	1,0 900 03	50	950	8	125	-60… +125
D815 G	9 9000 3	10	11	500	0,08	1,5 (500)	1,8 9000 3	25	800	8	125	-60… +125
D815 D	10,8 9 0003	12	13,3	500	0,09	1,5 (500)	2,0 9000 3	25	650	8	125	-60… +125
Д815Е	13,3	16,4	500	0,10	1,5 (500)	2,5 9003 0	25	550	8	125	-60… +125
Д815 Ж	16,2	18	19,4	500	0,11	1,5 (500)	3,0 9000 3	25	450	8	125	-60… +125

Условное обозначение электрических параметров стабилитронов:

• Уст. – напряжение регулирования стабилитрона;
•α Уст. – температурный коэффициент напряжения регулирования стабилитрона;
• Уд. — Постоянное постоянное напряжение;
• Идент. – постоянный постоянный ток;
• рст. — Дифференциальное сопротивление стабилитронов;
• Ист. – ток регулирования стабилитрона;
• Р max Рассеиваемая мощность стабилитрона;
• Т г. мах – максимальная расчетная температура корпуса стабилитрона;
• Т с мах – максимальная номинальная температура стабилитронной ступени;
• Т окр. – температура окружающей среды.

Российская электронная компания Россия, Московская область, г. Рязань, Соборная площадь, д. 2.

Тел: +7 (491) 227-61-51, Факс: +7 (491) 227-18-88

russian-electronics. com

Другие товары в Диоды

Д816А

Д816Б

Д817А

Д817Б

Д818А

NM_000222.3(KIT):c.2459A>G (p.Asp820Gly) И Опухоль стромы желудочно-кишечного тракта — ClinVar

Детали утверждения и доказательств

Справка

Присоединение к представлению	Отправитель	Статус проверки (Метод утверждения)	Клиническая значимость (Последняя оценка)	Происхождение	Метод	Цитаты
SCV001493189	Приглашения	предоставлены критерии, один отправитель	Неопределенное значение (12 августа 2022 г. )	зародышевая линия	клиническое тестирование	PubMed (3) [Просмотреть все записи, в которых цитируются эти PMID]

Сводка по всем отправленным материалам

Справка

900 93

Этническая принадлежность	Происхождение	Затронутый	Индивидуумы	Семьи	Протестированные хромосомы	Число протестированных	Семейный анамнез	Метод
не указано	зародышевая линия	неизвестно	не указано	не указано	не указано	не указано	не указано	клинические испытания

Цитаты

PubMed

Семейные стромальные опухоли желудочно-кишечного тракта, связанные с дисфагией и новыми зародышевая мутация гена KIT.

Хирота С. , Нисида Т., Исодзаки К., Танигути М., Нисикава К., Охаси А., Такабаяси А., Обаяси Т., Окуно Т., Киношита К., Чен Х., Шиномура Ю., Китамура Ю.

Гастроэнтерология. 2002 г., май; 122(5):1493-9.

PubMed [цитата]

PMID:

11984533

Наследственные стромальные опухоли желудочно-кишечного тракта, имеющие зародышевую мутацию экзона 17 KIT p.Asp820Tyr, развиваются посредством различных путей цитогенетического прогрессирования с.

Вейга И., Силва М., Виейра Х., Пинту К., Пинейру М., Торрес Л., Соареш М., Сантос Л., Дуарте Х., Бастос А.Л., Коутиньо К., Динис Х., Лопес К., Тейшейра М.Р.

Гены Хромосомы Рак. 2010 фев; 49(2):91-8. doi: 10.1002/gcc.20720.

PubMed [цитата]

PMID:

19847891

Просмотреть все цитаты из PubMed (3)

Детали каждого представления

From Invitae, SCV001493189.3

90 701 Метод

#	Этническая принадлежность	Индивидуумы	Протестированные хромосомы	Семейный анамнез	Цитаты
1	не указано	не указано	не указано	не указано	клинические испытания	ПабМед (3)

Описание

Это изменение последовательности заменяет аспарагиновую кислоту, которая является кислой и полярной, на глицин, который является нейтральным и неполярным, в кодоне 820 белка KIT (p. Asp820Gly). Этот вариант отсутствует в базах данных о населении (gnomAD не имеет частоты). Это миссенс-изменение наблюдалось у людей со стромальными опухолями желудочно-кишечного тракта (Invitae). ClinVar содержит запись для этого варианта (идентификатор варианта: 13853). Алгоритмы, разработанные для прогнозирования влияния миссенс-изменений на структуру и функцию белка (SIFT, PolyPhen-2, Align-GVGD), предполагают, что этот вариант, вероятно, будет разрушительным. Этот вариант разрушает аминокислотный остаток p.Asp820 в KIT. Другие варианты, разрушающие этот остаток, были признаны патогенными (PMID: 119).84533, 19847891). Это говорит о том, что этот остаток является клинически значимым, и что варианты, которые нарушают этот остаток, могут быть болезнетворными. Таким образом, имеющихся данных в настоящее время недостаточно для определения роли этого варианта в заболевании. Поэтому он был классифицирован как вариант неопределенного значения.